JP5338748B2 - 化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板 - Google Patents
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例えばGaAs単結晶基板上に、AlGaInPの4元からなる発光層とGaPからなる窓層(以下、単にGaP窓層ともいう)とを形成した化合物半導体基板から発光素子を作製する方法が知られている。
このGaP窓層は、発光層側を有機金属気相成長法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy法、以下単にMOVPE法ともいう)により比較的薄く形成した後に、ハイドライド気相成長法(Hydride Vapor Phase Epitaxy法、以下単にHVPE法ともいう)により比較的厚く形成することによって作製することができる。これによって、発光素子側面からの光取り出し効率を向上させることができるようになる。
このように、AlGaInPからなる4元発光層をエピタキシャル成長させることによって、極めて発光輝度の高い発光素子とすることができる反りの小さな化合物半導体基板を製造することができる。
このように、気相成長させるGaAs層の厚さを5μm以上とすることにより、作製した化合物半導体基板の反りを50%程度減少させることができ、より割れる危険が少なく、ハンドリングが容易な化合物半導体基板が得られるようになる。
このように、光を吸収するGaAs基板を除去し、除去した側にもn型GaP基板の貼り合わせやn型GaP層を気相成長させることができる。n型のGaP窓層を形成することによって、光取り出し効率の高い高輝度発光素子を製造することができる化合物半導体基板が得られる。また、GaAs層を保護膜で保護することによって、GaAs層がGaAs基板除去の際に減厚することを防止でき、反り抑制効果が低減することを防ぐことができるので、割れ発生の危険性を低く保つことができる。
そして、GaAs層15の厚さが、1μm以上となっているものである。
そしてGaAs基板上に、GaやAs等を含んだ原料ガスを供給しながら、n型のGaAsバッファ層をエピタキシャル成長させる。
なお、この各層のエピタキシャル層を形成するための製造条件は、求めるエピタキシャル層の厚さや組成比によって適宜選択することができる。
・Ga源ガス:トリメチルガリウム(TMGa)、トリエチルガリウム(TEGa)など、
・In源ガス:トリメチルインジウム(TMIn)、トリエチルインジウム(TEIn)など、
・P源ガス:トリメチルリン(TMP)、トリエチルリン(TEP)、ホスフィン(PH3)など、
・As源ガス:アルシン(AsH3)など。
また、ドーパントガスとしては、例えば以下のようなものを使用することができる。
(p型ドーパント)
・Mg源:ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)など、
・Zn源:ジメチル亜鉛(DMZn)、ジエチル亜鉛(DEZn)など。
(n型ドーパント)
・Si源:モノシランなどのシリコン水素化物など。
このHVPE法によるp型GaP層の形成は、具体的には、まず容器内にてIII族元素である金属Gaを所定の温度に加熱保持しながら、その金属Ga上に塩化水素を導入することにより、下記(1)式の反応によりGaClを生成させ、キャリアガスであるH2ガスとともに基板上に供給する。
Ga(液体)+HCl(気体)→GaCl(気体)+1/2H2(気体)‥‥(1)
成長温度は例えば640℃以上860℃以下に設定する。また、V族元素であるPは、PH3をキャリアガスであるH2とともに基板上に供給する。さらに、p型ドーパントであるZnは、DMZn(ジメチル亜鉛)の形で供給して、下記(2)式のような反応によりp型GaPエピタキシャル層を形成するものである。
GaCl(気体)+PH3(気体)→GaP(固体)+HCl(気体)+H2(気体)‥‥(2)
このGaAs層の気相成長方法は、特に限定されず、例えば上述のHVPE法によって気相成長させても良いし、MOVPE法によって気相成長させても良い。また、その厚さを1μm以上とすること以外の物性は特に限定されず、作製する化合物半導体基板の特性に合わせて適宜選択することができる。
このレジスト膜の形成は任意であるが、後にGaAs基板をエッチング除去する場合は形成するほうが良い。これによってGaAs層の厚さがGaAs基板を除去する際に減少することを防ぐことができるので、反り抑制というGaAs層の果たす効果が低減することを抑制することができる。そして、化合物半導体基板が割れる可能性を低いまま保つことができる。また、高品質なp型GaP窓層を有する化合物半導体基板が得られるという効果も奏するものとすることができる。
なお、この保護膜は、耐酸性であれば特に限定されないが、特定の溶媒(例えば鉱油など)に溶解した石油系レジン(商品名:プロテクトリキッド(日化精工株式会社製)等)を例えばスピンコート法で塗布することで形成することができる。
尚、エッチング除去により露出するAlGaInPの4元発光層の表面が、第二主面である。
この工程は、先に形成した保護膜を効率的に除去し、またGaPやAlGaInPをエッチングしないものとすることが望ましい。
なお、光吸収層となるGaAs基板をエッチング等により除去した面には、n型GaP窓層を気相成長させる代わりに、n型GaP基板等の透明半導体基板を貼り合わせても良い。
(実施例1)
GaAs基板280μm、AlGaInP発光層10μm、p型GaP窓層100μm、GaAs層1μmとの構造の化合物半導体基板を10枚作製した。そして、反りの大きさを評価した。
また、OFに垂直と平行な方向で、ともにp型GaP窓層側に凹型の反りの場合は、マイナスの反りとし、どちらか絶対値の大きい方を代表値と定義した。
更に、OFに垂直と平行な方向で、反りの凹凸が異なる鞍型の場合は、その絶対値の差を反りとし、凸型の反りの絶対値の方が大きい場合はプラスの反り、凹型の反りの絶対値の方が大きい場合はマイナスの反りと定義した。
その結果を表1に示す。
実施例1において、GaAs層の厚さを5μmとした以外は同様の条件で10枚の化合物半導体基板を作製し、そして同様の条件でエピタキシャルウエーハを10枚作製した。そして同様に反りの量を評価した。その結果を表1に示す。
実施例1において、GaAs層を形成しなかった以外は同様の条件で10枚の化合物半導体基板を作製し、そして同様の条件でエピタキシャルウエーハを10枚作製した。そして同様に反りの量を評価した。その結果を表1に示す。
そして、実施例2では、p型GaP窓層形成後では反りが300μm〜500μm、n型GaP窓層形成後では反りが−300μm〜−500μmであり、実施例1に比べて反りの絶対量が小さくなった。そしてこれらのウエーハ10枚のうち、割れた枚数は0枚であった。
GaAs層の厚さを1μm、2μm、4μm、5μm、6μm、8μm、10μm、12μm、18μm、20μmと変化させて、GaAs基板280μm、AlGaInP発光層10μm、p型GaP窓層100μm、GaAs層との構造の化合物半導体基板を作製した。そして、反りの絶対量の大きさを評価した。更にn型GaP窓層150μm、AlGaInP発光層10μm、p型GaP窓層100μm、GaAs層との構造のエピタキシャルウエーハを作製して、反りの絶対量を評価した。その結果を図3,4に示す。
なお、図3はp型GaAs層の厚さとp型GaP窓層形成後の化合物半導体基板の反りの矯正値との関係を示した図、図4はp型GaAs層の厚さと、n型GaP窓層をエピタキシャル成長させた後のウエーハの反りの矯正値との関係を示した図である。
図4に示すように、図3のp型GaP窓層形成後の反りの矯正量と同様に、n型GaP窓層形成後も、GaAs層を1μm以上成長させることによって反りを矯正でき、5μm程度成長させると、反りを強力に抑制できることが判った。また、図3と同様に、GaAs層の厚さと反りの矯正量は飽和傾向にあることが判った。
すなわち、GaAs層の上限は、エピタキシャル成長させる時間も考慮すると、10μm程度がよいことが判った。
11…GaAs基板、 12…GaAsバッファ層、 13…発光層、 13a…n型クラッド層、 13b…活性層、 13c…p型クラッド層、 14…p型GaP窓層、 14a…p型GaP層、 14b…p型GaPエピタキシャル層、 15…GaAs層。
Claims (4)
- 少なくとも、GaAs基板上に発光層をエピタキシャル成長させる工程と、該発光層の前記GaAs基板と反対側となる片方の主表面(第一主面)にp型GaP窓層を気相成長させる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、
前記p型GaP窓層を気相成長させた後に、該p型GaP窓層の表面上に厚さ5μm以上のGaAs層を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 - 前記発光層として、AlGaInPからなる4元発光層をエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体基板の製造方法。
- 前記GaAs層を気相成長させた後に、該GaAs層上に保護膜を形成し、その後前記GaAs基板のみをエッチング除去して、その後該GaAs基板が除去された側の前記発光層の主表面(第二主面)にGaP窓層を形成する工程を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の化合物半導体基板の製造方法。
- 少なくとも、GaAs基板上に、発光層と、p型GaP窓層と、GaAs層とがこの順で形成された化合物半導体基板であって、
前記GaAs層の厚さが、5μm以上であることを特徴とする化合物半導体基板。
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