TWI395527B - 阻焊材料及使用該阻焊材料之電路板與半導體封裝件 - Google Patents

Description

阻焊材料及使用該阻焊材料之電路板與半導體封裝件

本發明係有關阻焊材料、使用該阻焊材料之電路板及半導體封裝件。

近年來，電子機器輕薄短小化或高機能化急速進展，對於電子機器內使用之半導體積體電路，亦進行小型化、高積體化。因此，與以往之半導體封裝件相比，陷入積體電路之配線接腳(pin)數增大，裝配面積或封裝面積反而變小之困境(dilemma)。該等狀況中，已提案有與以往之封裝方式不同之球柵陣列(BGA,Ball GridArray)方式、晶片尺寸級封裝(CSP(Chip Scale Package))方式等裝配密度高之封裝方式。

在該等半導體封裝方式中，係使用基材(substrate)或轉接板(interposer)等塑膠或陶瓷等各種材料構成之半導體晶片搭載用電路板，替代以往之半導體封裝件使用之導線架(Lead Frame)，進行半導體晶片之電極與電路板之電氣連接。由於在該半導體晶片搭載用電路板上所構成之電路係為了被導入小型薄型化．高密度化之電子機器內者，故與通常之電路板相比，係為已進展成為電路板之厚度非常薄，配線非常細線化．高密度化者。該等封裝形式在半導體晶片之電極與電路板進行電氣連接時，由於經由廻焊(solder reflow)等，在高溫環境下進行微細配線連接，所以有保護該微細配線之必要。種種樹脂組成之阻焊材料被開發作為該保護層。

另一方面，阻焊材料通常形成用於裝配半導體晶片或電子零件之開孔部。例如，將在阻焊材料開孔部形成有圖案之光罩予以疊層，並經由照相法曝光後以碳酸鈉或氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨(TMAH)等顯影液顯影，形成開孔部。惟，隨著電子機器更小型化、薄型化，配線也更進一步微細化，相對於電路板之厚度，阻焊材料層之比例有增加之傾向。因此，經由曝光顯像形成開孔部之阻焊材料，被要求成為具有玻璃轉移溫度低、彈性率低、線性膨脹係數大等更接近電路板絕緣層物性之阻焊材料。

照相法由於受到散亂光之影響，不易形成微細之開孔部，經由雷射進行開孔之方法最近廣受注目(參照例如日本特開2003－101244號公報(專利文獻1))。但是將以往之感光性樹脂經由雷射開孔而用於阻焊材料時，由於感光性樹脂使用環氧樹脂等熱硬化性樹脂，依據構成該等樹脂之組成有經由雷射開孔時開孔精密度變差之情況。又，伴隨無鉛化以及裝配步驟之廻焊溫度上昇，對於特別薄型之電路板，有發生受熱碎裂之慮。

在如上所述之狀況下，為了因應電子機器輕薄短小化或高機能化，即使用於薄型電路板亦可有效抑制封裝件翹曲之阻焊材料廣受需求。尤其對阻焊材料之低線性膨脹率、高彈性率、耐熱性、熱衝擊性之信賴性等之提昇深切期待。

因此，本發明之目的之一為提供可抑制封裝件翹曲之阻焊材料。又，本發明之另一目的為提供具有低線性膨脹率、高彈性率；耐熱性、耐衝擊性之信賴性優越；經由雷射照射可形成良好微細開孔之阻焊材料。又，本發明之又一目的為提供尤其在薄型之電路板中之低線性膨脹率、耐熱性、耐衝擊性之信賴性等優越之電路板。

亦即，本發明提供以下之阻焊材料及電路板等。

[1]以至少具有第1樹脂層、第2樹脂層、及纖維基材含有層，且在第1樹脂層與第2樹脂層之間設置纖維基材含有層為特徵之阻焊材料。

[2]上述纖維基材含有層為偏置於阻焊材料之厚度方向之[1]記載之阻焊材料。

[3]上述第1樹脂層之厚度B1與上述第2樹脂層之厚度B2之比B2/B1係滿足0<B2/B1≦1之[1]或[2]記載之阻焊材料。

[4]構成上述纖維基材含有層之纖維基材為選自玻璃纖維基材及有機纖維基材之[1]至[3]中任一項記載之阻焊材料。本發明之阻焊材料使用之玻璃纖維基材以經環氧矽烷系偶合劑處理者較佳。

[5]構成上述纖維基材含有層之纖維基材為線性膨脹係數(CTE)在6ppm以下之玻璃纖維基材之[1]至[4]中任何一項記載之阻焊材料。

[6]構成上述第1樹脂層及第2樹脂層之樹脂組成物為含有氰酸酯樹脂及/或其預聚合物、實質上不含鹵素原子之環氧樹脂、實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂、以及咪唑化合物之[1]至[5]中任何一項記載之阻焊材料。本發明之阻焊材料使用之氰酸酯樹脂以酚醛清漆型氰酸酯樹脂較佳。環氧樹脂以芳基伸烷基型環氧樹脂較佳。咪唑化合物以具有2個以上選自脂肪族烴基、芳族烴基、羥基烷基、及氰基烷基之官能基者較佳。

[7]阻焊材料中含有之鈉離子或氯離子分別在10ppm以下之[1]至[6]中任何一項記載之阻焊材料。

[8]阻焊材料另含有顏料之[1]至[7]中任何一項記載之阻焊材料。本發明之阻焊材料所使用之顏料以綠色顏料較佳。又，綠色顏料中之顏料成分含量，以相對於樹脂組成物之總量為0.01至5重量%者較佳。

[9]上述顏料為未含鹵素之黃色顏料及/或未含鹵素之橙色顏料之合計量與未含鹵素之藍色顏料之量以重量比1：10至10：1之比例調合之顏料之[8]記載之阻焊材料。

[10]上述未含鹵素之黃色顏料為苯并咪唑酮黃、上述未含鹵素之藍色顏料為銅酞菁藍之[9]記載之阻焊材料。

[11]使玻璃纖維基材被包含於含有氰酸酯樹脂及/或其預聚合物、實質上不含鹵素原子之環氧樹脂、實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂、以及含有咪唑化合物之樹脂組成物而形成之阻焊材料。

[12]配置有由[1]至[11]中任何一項記載之阻焊材料所形成之阻焊層而形成之電路板。

[13]上述阻焊層之開孔部為經由雷射照射而設置之[12]記載之電路板。本發明電路板使用之雷射以碳酸氣體雷射、3次高諧波UV－YAG雷射、4次高諧波UV－YAG雷射或準分子雷射(Eximer laser)較佳。

[14]以具有[12]或[13]記載之電路板為特徵之半導體封裝件。

根據本發明，提供由至少具有第1樹脂層、第2樹脂層及纖維基材含有層，在第1樹脂層與第2樹脂層之間設置纖維基材含有層而成之阻焊材料。由於本發明之阻焊材料由在第1樹脂層與第2樹脂層之間設置纖維基材含有層而成，與未含有纖維基材含有層之熱硬化性樹脂或感光性樹脂之阻焊比較，達成可顯著之低線性膨脹化、高彈性率化。經由在電路板上配設該等由本發明阻焊材料組成之阻焊層，可抑制封裝翹曲，提昇冷熱循環等之熱衝擊信賴性。

本發明之較佳態樣為纖維基材含有層在阻焊材料之厚度方向係偏向一方存在。根據內層電路圖案，必要之樹脂量不同時，會有樹脂擠出、或包埋電路之樹脂不足等情形。本發明之阻焊材料即使在該等場合，經由改變纖維基材含有層厚度方向之位置，適當調整第1樹脂層與第2樹脂層之厚度，即可將電路充分埋入，並可防止不需要之樹脂擠出。

於本發明之較佳態樣中，構成第1樹脂層及第2樹脂層之樹脂組成物含有氰酸酯樹脂及/或其預聚合物、實質上不含鹵素原子之環氧樹脂、實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂、以及咪唑化合物。阻焊材料之第1樹脂層及第2樹脂層以上述樹脂組成物構成，可提供具有優越之阻燃性，並在冷熱循環等熱衝擊試驗中不會發生剝離或斷裂，具有高耐熱性、高彈性率、以及低熱膨脹性之阻焊劑。根據本發明之較佳態樣，可提供即使不使用廣泛作為阻燃劑使用之鹵素化合物，亦具有優越阻燃性之阻焊劑。

根據本發明之較佳態樣，由於阻焊材料中含有之鈉離子或氯離子之離子性雜質少，可提供耐濕信賴性優越之阻焊劑。

根據本發明可提供由配設以上述阻焊材料形成之阻焊層而成之電路板。根據本發明之較佳態樣，該阻焊層可經由雷射開孔，形成微細之開孔部。

另，根據本發明可提供具有上述電路板之半導體封裝件。

以下，對於本發明之阻焊材料、配設由該阻焊材料形成之阻焊層而成之電路板、以及具有該電路板之半導體封裝件之實施形態加以說明。

本發明之阻焊材料至少具有第1樹脂層、第2樹脂層及纖維基材含有層，係在第1樹脂層與第2樹脂層之間設置維基材含有層而成。

本發明之阻焊材料如上所述，由於在第1樹脂層與第2樹脂層之間設置纖維基材含有層，所以線膨脹率低、為高彈性率，作為電路板之阻焊劑等使用時，可有效抑制封裝件之翹曲。又可提昇冷熱循環等之熱衝擊信賴性。

以下，參照圖式對於本發明阻焊材料之理想實施形態加以說明。第1圖表示本發明阻焊材料一例之示意性概略截面圖。如第1圖所示，在第1樹脂層21與第2樹脂層22之間設置纖維基材含有層1而構成本發明之阻焊材料10。

於本發明，纖維基材含有層1可沿著阻焊材料10之厚度方向配置於任意位置。經由將纖維基材含有層配置於任意位置，可對應電路圖案，調整第1樹脂層21及第2樹脂層22之樹脂量，由此可將電路充分埋入，並可防止多餘之樹脂擠出。

於本發明，纖維基材含有層1以在阻焊材料10之厚度方向偏向一方存在(亦即，偏置於阻焊材料10之厚度方向)較佳。纖維基材含有層1「偏向一方存在」係如第1圖所示，相對於阻焊材料10厚度方向之中心線A－A，纖維基材含有層1之中心係偏離該線配置之意。又，纖維基材含有層1亦可一部分與中心線A－A重疊。

如上所述，根據本發明之較佳態樣，在阻焊材料10中，纖維基材含有層1可偏向一方存在於阻焊材料10之厚度方向，具備可設計具有對應組裝內層電路圖案之樹脂量之阻焊材料10之利點。

於本發明之阻焊材料10中，纖維基材含有層1偏向一方存在於阻焊材料10之厚度方向時，如第1圖所示，以將厚度較厚之第1樹脂層21之厚度作為B1，厚度較薄之第2樹脂層之厚度作為B2時之比(B2/B1)滿足0<B2/B1≦1者較佳。又，該比B2/B1以在0.7以下者較佳，又以0.1至0.4者更佳。該比B2/B1若在上述範圍內，則可減低纖維基材含有層之凹凸，由此可更提昇阻焊材料之平坦性。

本發明之阻焊材料10除了第1樹脂層、第2樹脂層、以及纖維基材含有層以外，亦可具有其他構成要素。例如可在第1樹脂層或第2樹脂層中任何一層或其雙方之表面具有製造阻焊材料時使用之基材(載體薄膜)。為了防止在第1樹脂層及/或第2樹脂層外側之表面異物附著或損傷，亦可具有罩膜。載體薄膜或罩膜只要在使用阻焊材料時剝離後使用即可。

以下，對於本發明阻焊材料中含有之各層加以說明。

(1)第1樹脂層、第2樹脂層

首先，對於構成本發明阻焊材料之第1樹脂層及第2樹脂層加以說明。

於本發明，第1樹脂層及第2樹脂層為例如將樹脂組成物成形為薄膜狀而成之樹脂層。第1樹脂層及第2樹脂層在使用阻焊材料時，可經由熱等使含於第1樹脂層及第2樹脂層之樹脂成分熔融後，將電路板電路之凹凸埋入並使硬化而形成於電路板表面。

於本發明之阻焊材料，構成第1樹脂層及第2樹脂層之樹脂組成物只要具有上述之功能者即可，並無特別限制，以具有低線性膨脹率及高彈性率，耐熱性、熱衝擊性、耐濕性之信賴性優越者較佳。又，為了亦對應電子機器之小型化及高積體化，以經由雷射照射可進行微細開孔者較佳。

例如，本發明使用之樹脂組成物可適當使用熱硬化性樹脂。必要時可配合硬化觸媒、硬化劑、無機填充材料、偶合劑、以及著色劑等添加劑。

(a)熱硬化性樹脂本發明使用之熱硬化性樹脂，可列舉例如酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂等氰酸酯樹脂；苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型苯酚樹脂、未改質甲階酚醛苯酚樹脂、桐油、亞麻仁油、核桃油等經改質之油改質甲階酚醛苯酚樹脂等甲階酚醛型苯酚樹脂等苯酚樹脂；雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂、聯苯基芳烷基型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、原冰片烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、芴型環氧樹脂等環氧樹脂；尿素樹脂、三聚氰胺樹脂等具三環之樹脂；不飽和聚酯樹脂、雙馬來酸酐縮亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙基酯樹脂、有機矽樹脂、具有苯并環之樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂等。於本發明，可單獨使用該等中之1種，亦可將2種以上併用。又，亦可併用同種類樹脂中具有不同重量平均分子量者。另，亦可將上述1種或2種以上與該等之預聚合物併用。上述熱硬化性樹脂之含量並無特別限制，以樹脂組成物全體之50至100重量%較佳。更好60至90重量%。若在上述範圍內，則電路埋入時之溶融性可提昇。

熱硬化性樹脂可使用溴化環氧樹脂等阻燃性優越之樹脂，惟，近年來環境意識提高，希望使用實質上不含鹵素原子之材料。

其中，本發明使用之樹脂組成物，作為熱硬化性樹脂者以含有氰酸酯樹酯及/或其預聚合物者較佳。經由使用氰酸酯樹脂，可縮小樹脂層之熱膨脹係數。又，可提昇樹脂層之阻燃性。氰酸酯樹脂具有電特性(低電容率、低電介質損耗正切)、機械強度等均優越之利點。

於本發明，構成第1樹脂層及第2樹脂層之樹脂組成物以含有氰酸酯樹脂及/或其預聚合物、實質上不含鹵素原子之環氧樹脂、以及實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂者較佳。

(i)氰酸酯樹脂及/或其預聚合物本發明使用之樹脂組成物以含有氰酸酯樹脂及/或其預聚合物較佳。由此可縮小樹脂層之熱膨脹係數，又可提昇阻燃性。

氰酸酯樹脂及/或其預聚合物之取得方法並無特別限制，可由例如將鹵化氰化合物與苯酚類進行反應，必要時以加熱等方法使預聚合化而獲得。亦可使用經由該等操作調製之市售品。

氰酸酯樹脂之種類並無特別限制，可列舉例如酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹酯、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂等。

其中，以酚醛清漆型氰酸酯樹脂較佳。由此，由於交聯密度增加，可提昇耐熱性，同時亦可提昇阻燃性。酚醛清漆型氰酸酯樹脂其構造上苯環之比例高，被認為容易碳化。

酚醛清漆型氰酸酯樹脂可由例如將酚醛清漆型苯酚樹脂與氯化氰、溴化氰等化合物進行反應獲得。亦可使用經由該等操作調製之市售品。

酚醛清漆型氰酸酯樹脂可使用例如通式(1)表示者。

通式(1)表示之酚醛清漆型氰酸酯樹脂之重量平均分子量並無特別限制，可為500至4,500，較好為600至3,000。又，於本發明，重量平均分子量為經由GPC測定聚苯乙烯換算之值，將重量平均分子量設定在上述範圍，可獲得機械強度不會降低，硬化速度亦不會降低之阻焊劑。

氰酸酯樹脂可使用將該等樹脂預聚合化者。亦即，氰酸酯樹脂可單獨使用，可併用重量平均分子量不同之氰酸酯樹脂，亦可併用氰酸酯樹脂及其預聚合物。

預聚合物通常為將氰酸酯樹脂經由加熱反應等，以例如3量化而獲得者，可適用於調整樹脂組成物之成形性、流動性。

預聚合物並無特別限制，可使用例如3量化率為20至50重量%者。該3量化率可使用例如紅外線分光分析裝置求得。

於本發明，氰酸酯樹脂之含量並無特別限制，從有效表現氰酸酯樹脂具有之上述特性之觀點而言，氰酸酯樹脂之含量以樹脂組成物全體之5至50重量%較佳，更宜為10至40重量%。將氰酸酯樹脂之含量設定在上述範圍，則由於交聯密度不會變高而可獲得耐濕性及高耐熱性之優越阻焊劑。

(ii)實質上不含鹵素原子之環氧樹脂本發明使用之樹脂組成物以含有實質上不含鹵素原子之環氧樹脂者較佳。由此，即使該阻焊材料在裝配時等處於玻璃轉移溫度以上之高溫，亦無由鹵素原子引起之電路腐蝕，而可提昇裝配後之信賴性。此處之「實質上不含鹵素原子」係為，在沒有因鹵素原子所引起之電路腐蝕而不影響實裝後之信賴性之程度下，亦可含有微量之鹵素原子，但以不含鹵素原子較佳。

上述環氧樹脂並無特別限制，可列舉例如苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂等。該等中以芳基伸烷基型環氧樹脂較佳。由此可提昇阻燃性、吸濕焊接耐熱性。

芳基伸烷基型環氧樹脂為重複單位中具有一個以上芳基伸烷基之環氧樹脂，可列舉例如苯二甲基型環氧樹脂、聯苯基二甲撐型環氧樹脂等。該等中以聯苯基二甲撐型環氧樹脂較佳。聯苯基二甲撐型環氧樹脂可使用例如通式(2)表示者。

通式(2)表示之聯苯基二甲撐型環氧樹脂之n以1至10較佳，又以2至5更佳。n若在上述範圍，則聯苯基二甲撐型環氧樹脂不易結晶化，可減少對於廣用溶劑之溶解性的降低而容易操作，可獲得流動性、成形性優越之阻焊劑。

上述環氧樹脂之重量平均分子量並無特別限制，較好為4,000以下，更好為500至4,000，最好為800至3,000。若在上述範圍，則獲得無黏性之焊接耐熱性優越之阻焊劑。上述環氧樹脂之含量並無特別限制，以樹脂組成物全體之5至50重量%較佳。以10至40重量%更佳。

環氧樹脂之含量若在上述範圍，可獲得吸濕焊接耐熱性、密接性、低熱膨脹性優越之阻焊劑。

(iii)實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂本發明使用之樹脂組成物以含有實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂者較佳。由此，可提昇將該阻焊材料予以加熱壓黏至已設置導體電路之絕緣層時之密接性。又，在搭載上述阻焊層之外部連接用之焊接球而與上述導體電路相對之位置設置開孔部時，經由雷射開孔除去樹脂殘渣(污垢)時，由於含有苯氧基樹脂，可容易除去樹脂殘渣。此處之「實質上不含鹵素原子」係為在沒有因鹵素原子所引起之電路腐蝕而不影響裝配後信賴性之程度下，亦可含有微量之鹵素原子，但以不含鹵素原子較佳。

上述苯氧基樹脂並無特別限制，可列舉例如具有雙酚骨架之苯氧基樹脂、具有酚醛清漆骨架之苯氧基樹脂、具有萘骨架之苯氧基樹脂、具有聯苯基骨架之苯氧基樹脂等。亦可使用具有複數種該等骨架構造之苯氧基樹脂。

該等中以使用具有聯苯基骨架及雙酚S骨架者較佳。由此，由於聯苯基骨架具有之剛直性，可提高玻璃轉移溫度。

以使用具有雙酚A骨架及雙酚F骨架者較佳。由此，在製造多層電路板時，可提昇與內層電路基板之密接性。

以將具有聯苯基骨架及雙酚S骨架者以及具有雙酚A骨架及雙酚F骨架者併用較佳。由此，可良好表現上述特性之平衡。

將具有雙酚A骨架及雙酚F骨架者(1)與具有聯苯基骨架及雙酚S骨架者(2)併用時，其併用比率並無特別限制，可為例如(1)：(2)＝2：8至9：1。

上述苯氧基樹脂之分子量並無特別限制，以使用重量平均分子量為5000至70000者較佳，更好為5000至50000者。最好為10000至40000。苯氧基樹脂之重量平均分子量若在上述範圍，則可提昇製膜性，成為溶解性良好之樹脂組成物。

上述苯氧基樹脂之含量並無特別限制，以樹脂組成物全體之1至40重量%較佳。更好為5至30重量%。苯氧基樹脂之含量若在上述範圍，則可提昇製膜性，可獲得維持低熱膨脹性之樹脂組成物。

(b)硬化觸媒本發明使用之樹脂組成物必要時亦可使用硬化觸媒。硬化觸媒並無特別限制，可對應使用之熱硬化性樹脂種類等適當選擇。

可列舉例如環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、二乙醯丙酮鈷(II)、三乙醯丙酮鈷(Ⅲ)等有機金屬鹽、三乙胺、三丁胺、二氮雜雙環[2,2,2]辛烷等3級胺類、咪唑化合物、苯酚、雙酚A、壬基苯酚等苯酚化合物、乙酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸等或該等之混合物。其中，於本發明以使用咪唑化合物較佳。

其中，本發明使用之樹脂組成物以含有咪唑化合物者較佳。由此，阻焊劑之絕緣性不會降低，可促進氰酸酯樹脂或環氧樹脂之反應。

咪唑化合物並無特別限制，可列舉例如2－苯基－4－甲基咪唑、2－苯基－4－甲基－5－羥基甲基咪唑、2－苯基－4,5－二羥基甲基咪唑、2,4－二氰基－6－[2’－甲基咪唑基－(1’)]－乙基－第二－三、2,4－二氰基－6－(2’－十一烷基咪唑基)－乙基－第二－三、2,4－二氰基－6－[2’－乙基－4－甲基咪唑基－(1’)]－乙基－第三－三、1－苯甲基－2－苯基咪唑等。

該等中以具有2個以上選自脂肪族烴基、芳族烴基、羥基烷基、以及氰基烷基中之官能基之咪唑化合物較佳，又以2－苯基－4,5－二羥基甲基咪唑較佳。經由使用該等咪唑化合物，在提昇阻焊耐熱性之同時，可賦予低熱膨脹性、低吸水性。

硬化觸媒之含量只要考慮樹脂之種類及硬化時間適當選擇即可，並無特別限制。硬化觸媒使用咪唑時，咪唑化合物之含量並無特別限制，相對於氰酸酯樹脂及環氧樹脂之合計較好為0.05至5重量%，更好為0.1至5重量%，最好為0.1至3重量%。由此，可提昇阻焊劑之耐熱性。

熱硬化性樹脂使用溴化環氧樹脂等環氧樹脂時，樹脂組成物以配合硬化劑及/或硬化觸媒較佳。硬化劑及/或硬化觸媒只要是通常作為環氧樹脂之硬化劑或硬化觸媒使用者即可，並無特別限制。例如，硬化劑較好使用二氰基二醯胺等胺化合物，硬化觸媒較好使用2－乙基－4－甲基咪唑等咪唑化合物。此時硬化劑及硬化觸媒之使用量並無特別限制，相對於環氧樹脂之含量，較好分別為0.05至5重量%，更好為0.1至5重量%，最好為0.1至3重量%。

(c)無機填充材料本發明使用之樹脂組成物亦可另含有無機填充材料。由此可提昇低熱膨脹性及阻燃性。又，將氰酸酯樹脂及/或其預聚合物(尤其是酚醛清漆型氰酸酯樹脂)與無機填充材料組合，可提昇彈性率。

無機填充材料並無特別限制，可列舉例如滑石粉、二氧化鋁、玻璃、二氧化矽、雲母等。其中，以二氧化矽較佳，從低膨脹性優越之點而言，以熔融二氧化矽較佳。

熔融二氧化矽之形狀有破碎狀、球狀，以球狀較佳。經由使用該等形狀之熔融二氧化矽，可增加在樹脂組成物中之配合量，此時亦可賦予良好之流動性。

無機填充材料之平均粒徑並無特別限制，較好為0.01至5 μm，更好為0.2至2 μm。

將無機填充材料之平均粒徑設定在上述範圍，可提昇調整樹脂組成物清漆時之作業性，並可抑制無機填充材料之沉降。

無機填充材料之含量並無特別限制，以樹脂組成物全體之20至70重量%較佳，又以30至60重量%更佳。

將無機填充材料之含量設定在上述範圍，可獲得低熱膨脹性、低吸水性優越，流動性、成形性良好之阻焊劑。

(d)偶合劑本發明使用之樹脂組成物亦可另含有偶合劑。經由使用偶合劑，可提昇樹脂與無機填充材料界面之濕潤性，可提昇耐熱性，尤其是吸濕焊接耐熱性。

偶合劑雖無特別限制，但以使用1種以上選自環氧矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑、胺基矽烷偶合劑、以及有機矽油型偶合劑之偶合劑較佳。由此可特別提昇樹脂與無機填充材料界面之濕潤性，亦可更提昇耐熱性。

偶合劑之含量並無特別限制，相對於無機填充材料100重量份以0.05至3重量份較佳。將偶合劑之含量設定在上述範圍，可包覆無機填充材料而提昇耐熱性，獲得彎曲強度良好之阻焊劑。

(e)著色劑本發明使用之樹脂組成物必要時亦可添加著色劑。通常綠色在確認開孔部及以目視長時間觀察時為容易看清之顏色。雖可列舉例如黑色、綠色、紅色、藍色、黃色、橙色等，但以綠色較佳。綠色之著色劑使用氯化酞菁綠，但是為了去鹵素化，以使用例如將藍色顏料與黃色及/或橙色顏料混合作成之綠色顏料替代氯化酞菁綠較佳。上述綠色顏料混合物中含有之藍色顏料，只要在其化合物構造中不含鹵素原子之藍色顏料即可，並無特別限制。

可列舉例如銅酞菁藍(C.I.Pigment Blue 15)、無金屬酞菁藍(C.I.Pigment Blue 16)、鈦酞菁藍、鐵酞菁藍、鎳酞菁藍、鋁酞菁藍、錫酞菁藍、鹼藍(C.I.Pigment Blue 1,2,3,10,14,18,19,24,56,57,61)、磺化銅Pc(C.I.Pigment Blue 17)、普魯士藍(C.I.Pigment Blue 27)、群青(C.I.Pigment Blue 29)、鈷藍(C.I.Pigment Blue 28)、天空藍(C.I.Pigment Blue 35)、Co(Al,Cr)₂ O₄ (C.I.Pigment Blue 36)、二重氮(C.I.Pigment Blue 25、26)、標準還原藍(陰丹士林)(C.I.Pigment Blue 60)、靛藍(C.I.Pigment Blue 63、66)、鈷酞菁(C.I.Pigment Blue 75)等，其中以無金屬之酞菁、銅酞菁藍較佳。

上述黃色顏料只要在其化合物構造中不含鹵素原子者即可，並無特別限制。黃色顏料之例可列舉一氮雜黃(C.I.Pigment Yellow 1,4,5,9,65,74)、苯并咪唑酮黃(C.I.Pigment Yellow 120,151,175,180,181,194)、黃蒽酮黃(C.I.Pigment Yellow 24)、偶氮甲基黃(C.I.Pigment Yellow 117,129)、蒽醌黃(C.I.Pigment Yellow 123,147)、異吲哚黃(C.I.Pigment Yellow 139,185)、二重氮黃(C.I.Pigment Yellow 155)、縮合多環系(C.I.Pigment Yellow 148,182,192)、氧化鐵(C.I.Pigment Yellow 42)、二重氮甲川(C.I.Pigment Yellow 101)、偶氮沉澱色料(C.I.Pigment Yellow 61,62,100,104,133,168,169)、金屬配位化合物(C.I.Pigment Yellow 150,153,177,179)等，以苯并咪唑酮黃(C.I.Pigment Yellow 151)較佳。

上述橙色顏料只要在其化合物構造中不含鹵素原子者即可，並無特別限制。橙色顏料之例可列舉紫蘇酮(C.I.Pigment Orange 43)、苯并咪唑酮(C.I.Pigment Orange 62)、甲亞胺(C.I.Pigment Orange 64)、二酮吡咯并吡咯(C.I.Pigment Orange 71)等，又以苯并咪唑酮(C.I.Pigment Orange 62)、甲亞胺(C.I.Pigment Orange 64)較佳。

藍色顏料與黃色顏料及/或橙色顏料之混合比率，相對於藍色顏料，黃色顏料及/或橙色顏料之重量比(藍色顏料：黃色顏料及/或橙色顏料)以1：10至10：1較佳，又以3：7至7：3更佳。在1：10至10：1之範圍外則因綠色消失而不佳。

於本發明使用之綠色顏料混合物，為了將顏料成分分散而使用之有機溶劑可列舉丙酮、甲醇、甲基乙基甲酮、甲基異丁基甲酮、2－(甲氧基甲氧基)乙醇、2－丁氧基乙醇、2－(異戊基氧基)乙醇、2－(己基氧基)乙醇、二乙二醇、二乙二醇一甲醚、二乙二醇一乙醚、二乙二醇一丁醚、三乙二醇、三乙二醇一甲醚、液態聚乙二醇、1－甲氧基－2－丙醇、1－乙氧基－2－丙醇、二丙二醇、二丙二醇一甲醚、二丙二醇一乙醚、液態聚丙二醇等，但並無特別限制。有機溶劑只要與上述顏料成分以高相溶性容易分散者即可，又，以使用樹脂組成物亦容易分散者較佳。即使使用攪拌裝置或超音波攪拌作為物理性分散法亦無特別問題，但為了提昇分散性，可使預先將藍色顏料與黃色及/或橙色顏料混合而成之綠色顏料預先分散於溶劑，再將該分散液與樹脂組成物混合亦無問題。攪拌時間、攪拌速度並無特別限制。

預先分散於溶劑時之溶劑量，相對於顏料1重量份較好為2至20重量份，更好為4至10重量份。設定在上述範圍內，則分散性佳、且作為阻焊材料時溶劑除去時間短而較佳。

綠色顏料在樹脂組成物中之含有比率以樹脂組成物中之0.01重量%至10重量%較佳，以0.1重量%至5重量%更佳。若在上述範圍，則色調佳，可觀察阻焊劑下之電路，在雷射開孔時以雷射照射裝置所進行之電路焊點之識別係可容易進行。

本發明使用之樹脂組成物除了上述成分外，必要時可含有消泡劑、塗平(leveling)劑等添加劑。

於本發明之阻焊材料，構成第1樹脂層之樹脂組成物與構成第2樹脂層之樹脂組成物可相同，亦可不同。在第1樹脂層與第2樹脂層使用不同樹脂組成物時，可經由改變使用之樹脂種類或使用量，作成不同之樹脂組成物，亦可經由改變無機填充材料等添加劑之種類或使用量，作成不同之樹脂組成物。若在第1樹脂層與第2樹脂層可使用組成不同之樹脂組成物時，則有可設計對應於所要求性能之樹脂層，有樹脂可在廣範圍選擇之利點。例如面對內層電路之樹脂層考慮埋入性而作成柔軟組成，相對面則考慮剛性而作成硬組成，則可在阻焊材料之兩面賦予不同功能。

於本發明之阻焊材料，第1樹脂層之厚度並無特別限制，以比第2樹脂層之厚度厚者較佳，只要能夠將預期埋入第1樹脂層之電路層充分埋入者即可。例如擬埋入電路層之厚度為T，第1樹脂層之厚度為t時之(T/t)較好為0.3≦(T/t)≦2，更好為0.5≦(T/t)≦1.5。通常為了電路之埋入可充分進行，面對內層電路之樹脂層之厚度以厚者較佳。

(2)纖維基材含有層

接著，對於本發明阻焊材料使用之纖維基材含有層加以說明。

於本發明之阻焊材料，纖維基材含有層為在纖維基材中浸漬樹脂材料而形成之層，經由具有該層，本發明之阻焊材料可達成低線性膨脹化、高彈性率化。

纖維基材含有層使用之纖維基材，以選自玻璃纖維基材及有機纖維基材者較佳。經由在樹脂層間設置上述之纖維基材，可防止具有由本發明阻焊材料形成之阻焊層之電路板翹曲。

本發明使用之玻璃纖維基材可列舉玻璃織布、玻璃不織布等。其中，以玻璃織布較佳。上述玻璃纖維基材為了提昇密接性，亦可為經偶合劑進行表面處理之基材。例如胺基矽烷偶合處理、乙烯矽烷偶合處理、陽離子矽烷偶合處理等，環氧矽烷偶合處理因為係將上述樹脂組成物浸漬於玻璃纖維基材中而更適用。

使用經環氧矽烷偶合劑處理之玻璃纖維基材，可提昇與氰酸酯樹脂之密接性。

本發明使用之有機纖維基材可列舉有機不織布、有機織布等。經由使用該等基材可成為雷射加工性優越之基材。可列舉例如由聚乙烯、聚丙烯、維尼綸(vinylon)、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚丙烯腈、聚醯胺、聚酯、聚胺基甲酸酯等或該等之改良物組成之纖維或該等之混合物，聚苯并唑樹脂纖維、聚醯胺樹脂纖維、芳族聚醯胺樹脂纖維、全芳族聚醯胺樹脂纖維等聚醯胺系樹脂纖維、聚酯樹脂纖維、芳族聚酯樹脂纖維、液晶聚酯、全芳族聚酯樹脂纖維等聚酯系樹脂纖維，聚醯亞胺樹脂纖維，以氟樹脂纖維等作為主成分構成之合成纖維基材，以牛皮紙、短絨棉(Cotton Linter)紙、短絨棉與牛皮紙漿之混抄紙等作為主成分之紙基材等有機纖維基材等。從耐濕性之觀點而言，以液晶聚酯較佳。

上述纖維基材中，於本發明以使用玻璃纖維基材較佳，又以使用線性膨脹係數(CTE：Cofficient of Thermal Expansion)在6ppm以下之玻璃纖維基材較佳，更好使用在3.5ppm以下之玻璃纖維基材。經由使用具有如上述之線性膨脹係數之玻璃纖維基材，於使用本發明之阻焊材料在電路板形成阻焊層時，可有效地抑制半導體封裝件之翹曲。線性膨脹係數可根據實施例記載之方法測定。

本發明使用之玻璃纖維基材以坪量(每1m² 之纖維基材重量)為4至24g/m² 者較佳，更好為8至20g/m² ，最好為12至18g/m² 。

本發明使用之玻璃纖維基材以楊氏率為62至100GPa者較佳，更好為65至92GPa，最好為86至92GPa。玻璃纖維基材之楊氏率若在上述範圍，由於例如可有效地抑制半導體裝配時廻焊熱導致之電路板變形，可提昇電子零件之連接信賴性。

本發明使用之玻璃纖維基材，以於1MHz之電容率為3.8至11.1者較佳，更好為4.7至7.0，最好為5.4至6.8。玻璃纖維基材之電容率若在上述範圍，可減低阻焊之電容率，適用於使用高速信號之半導體封裝件。

具有如上所述之線性膨脹係數、楊氏率、及電容率之玻璃纖維基材，例如E玻璃、S玻璃、NE玻璃、T玻璃等適合使用。

本發明使用之纖維基材之厚度以5至35 μm較佳，更好為10至20 μm，最好為14至15 μm。纖維基材之使用張數不限於一張，可將複數張薄纖維基材重疊使用。將複數張纖維基材重疊使用時，只要合計之厚度在上述範圍即可。

於本發明較好使用厚度為10至15 μm、坪量為8至18g/m² 之玻璃不織布、玻璃織布。經由使用該等玻璃不織布、玻璃織布，可更有效地防止半導體封裝件之趐曲。

於本發明之阻焊材料，纖維基材含有層為將構成第1樹脂層及第2樹脂層之樹脂組成物含浸於上述纖維基材中而形成之層，通常，纖維基材含有層之厚度可考慮為纖維基材之厚度。亦即，纖維基材含有層之厚度以5至35 μm較佳，以10至20 μm更佳，以14至15 μm最佳。

本發明之阻焊材料由於具有將樹脂組成物浸漬於玻璃纖維基材或有機纖維基材等纖維基材而形成之纖維基材含有層，因而低線性膨脹率、高彈性率優越，在使用阻焊材料之薄型電路板或將半導體晶片搭載於薄型電路板之半導體封裝件中翹曲較少，再經由適當選擇樹脂組成物之組成，可獲得耐熱性、熱衝擊性、耐濕性之信賴性優越之材料。其中，經由具有將樹脂組成物浸漬於玻璃纖維基材而形成之纖維基材含有層，可達成高強度、低吸水、低熱膨脹。

如上所述，本發明之阻焊材料以將纖維基材含於樹脂組成物而形成者較佳。其中，本發明之阻焊材料以將玻璃纖維基材含於含有氰酸酯樹脂及/或其預聚合物、實質上不含鹵素原子之環氧樹脂、實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂、以及含咪唑化合物之樹脂組成物中形成者較佳。

根據本發明之較佳態樣，本發明之阻焊材料以鈉離子、氯離子分別在10ppm以下較佳。由此可更提昇阻焊之耐濕信賴性。

本發明阻焊材料之製造方法，可列舉例如將樹脂組成物溶解於有機溶劑，獲得樹脂組成物清漆，將該清漆浸漬．塗抹於纖維基材之方法。

例如，將樹脂組成物溶解於溶劑、調製樹脂組成物清漆、將纖維基材浸漬於該樹脂組成物之方法，將該樹脂組成物清漆以各種塗覆機塗抹於纖維基材之方法，經由噴霧器吹付之方法，將附有支持基材之樹脂層層壓之方法等。其中，以將纖維基材浸漬於樹脂組成物清漆之方法較佳。由此可提昇對於纖維基材之樹脂組成物之浸漬性。將纖維基材浸漬於樹脂組成物清漆時，可使用通常之浸漬塗抹設備。

將纖維基材浸漬於樹脂組成物清漆時，樹脂組成物清漆使用之溶劑以對上述樹脂組成物中之樹脂成分顯示良好溶解性者較佳，在不會造成不良影響之範圍，亦可使用弱溶劑。

例如將氰酸酯樹脂及/或其預聚合物、實質上不含鹵素原子之環氧樹脂、實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂、咪唑化合物及無機填充材料溶解於甲基異丁基甲酮、甲基乙基甲酮、卡必醇乙酸酯及溶纖劑乙酸酯等有機溶劑，必要時添加添加劑後於室溫攪拌2至5小時，可獲得樹脂組成物清漆。無機填充材料以預先分散於可溶解於氰酸酯樹脂及/或其預聚合物、實質上不含鹵素原子之環氧樹脂、實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂之樹脂，或先分散於有機溶劑者較佳。經由先將無機填充材料分散，由於可防止2次凝集，在阻焊層中無機填充材料不會不均一分散，在雷射照射後亦無殘渣，可進行良好之開孔。又，以使用粒徑微細之無機填充材料使其分散更佳。

此處使用之有機溶劑可列舉丙酮、甲醇、甲基乙基甲酮、甲基異丁基甲酮、2－(甲氧基甲氧基)乙醇、2－丁氧基乙醇、2－(異戊基氧基)乙醇、2－(己基氧基)乙醇、二乙二醇、二乙二醇一甲醚、二乙二醇一乙醚、二乙二醇一丁醚、三乙二醇、三乙二醇一甲醚、液體聚乙二醇、1－甲氧基－2－丙醇、1－乙氧基－2－丙醇、二丙二醇、二丙二醇一甲醚、二丙二醇一乙醚、液體聚丙二醇、環己酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碸、2－乙氧基乙醇系、卡必醇系等。其中，以甲基異丁基甲酮、甲基乙基甲酮、卡必醇乙酸酯及2－乙氧基乙醇乙酸酯等較佳。

上述樹脂組成物清漆之固形分並無特別限制，以40至80重量%較佳，又以50至65重量%更佳。由此，可更提昇在樹脂組成物清漆對纖維基材之浸漬性。將上述樹脂組成物浸漬於上述纖維基材，以預定溫度，例如80至200℃等予以乾燥，可獲得本發明之阻焊材料。

將該樹脂組成物清漆在PET薄膜等基材上，通常以約1至60 μm之厚度塗抹，於約60至180℃之溫度進行熱處理約5至10分鐘，藉此除去樹脂組成物清漆中之溶劑，而作成固體化或預聚合體化之樹脂組成物，並以真空加壓或層壓等，將纖維基材以2張樹脂組成物挾住、加壓，可獲得厚度更精密控制之阻焊材料。

尤其在纖維基材之厚度在0.045mm以下時，以從纖維基材之兩面以薄膜狀樹脂層層壓之方法較佳。由此，可自在地調節對於纖維基材之樹脂組成物浸漬量，可提昇預浸漬製品(Prepreg)之成形性。又，將薄膜狀樹脂層層壓時以使用真空層壓裝置等較佳。

例如，從纖維基材之兩面以薄膜狀樹脂層層壓以製造本發明阻焊材料之方法，可列舉以下之方法。第2圖表示製造本發明阻焊材料步驟之一例之步驟圖。係預先製造將樹脂組成物塗抹於載體薄膜而成之載體材料5a、5b，再將該載體材料5a、5b層壓在纖維基材11上後將載體薄膜剝離而製成阻焊材料2。

具體而言，首先製造將第一樹脂組成物塗抹於載體薄膜而成之載體材料5a以及將第二樹脂組成物塗抹於另一載體薄膜而成之載體材料5b。接著，使用真空層壓裝置6，在減壓下從纖維基材兩面將載體材料5a及5b疊合並以層壓滾筒61使其接合。經由在減壓下進行接合，在纖維基材11之內部以及載體材料5a、5b之樹脂層與纖維基材11之接合部位，即使有非填充部分存在，亦可將此作成減壓空隙或實質之真空空隙。因此，可減低在最終獲得之阻焊材料2發生之空隙。減壓空隙或真空空隙可以後述之加熱處理除去。在減壓下將纖維基材11與載體材料5a、5b接合之其他裝置，可使用例如真空箱裝置等。

接著，將纖維基材11與載體材料5a、5b接合後，以熱風乾燥裝置62在塗抹於載體材料之樹脂之熔融溫度以上之溫度進行加熱處理。由此可使在上述減壓下之接合步驟發生之減壓空隙等幾乎完全除去。加熱處理之其他方法，可使用例如紅外線加熱裝置、加熱滾筒裝置、平板狀熱盤加壓裝置等實施。

在纖維基材11上將載體材料5a、5b層壓後即可將載體薄膜剝離。經由該方法，可獲得含有在纖維基材11上擔載樹脂層並且在纖維基材11浸漬樹脂而形成之纖維基材含有層之阻焊材料2。

如此獲得之本發明阻焊材料與現有之阻焊劑相比，彈性率高，面內方向之膨脹率顯著降低，適合作為阻焊劑使用。本發明之阻焊材料由於可有效地抑制翹曲，亦適合用於薄型之電路板。

本發明之阻焊材料可在電路板等之預定位置層壓、加熱溶融、使之硬化後使用。例如在電路板等之預定位置層壓、成形、於100℃至260℃使硬化1至5小時後使用。本發明之阻焊材料適合作為例如BGA基板、BOC(Board On Chip)基板、系統封裝(SiP(System in Package))基板、層疊封裝(POP(Package on Package))用之頂(Top)、底(Bottom)基板、由多層組合電路板形成之模組連接用基板之硬質(rigid)部分、覆晶(Flip Chip)BGA搭載用基板夾層(interposer)、被動零件乃至於上述基板夾層搭載用主機板等電路板之阻焊層。本發明亦含有具有如上述之本發明阻焊材料形成之阻焊層之電路板。

本發明電路板之上述阻焊層設置有用於裝配半導體晶片或電子零件等之開孔部(阻焊劑開孔部)。於本發明，上述阻焊劑開孔部之形成方法並無特別限制，可經由預先以穿孔器、鑽頭、雷射開孔後進行層壓之方法，或在電路板上形成阻焊層後再經由雷射照射等形成。其中，從可容易形成微細開孔部之點而言，以使用雷射照射較佳。例如，以經由碳酸氣體雷射、3次高諧波UV－YAG雷射、4次高諧波UV－YAG雷射、以及準分子雷射等雷射照射使形成阻焊層之開孔部較佳。又，使用之雷射可根據所預期之開孔徑大小適當選擇。例如開孔徑為10至100 μm時，以使用3次高諧波UV－YAG雷射、4次高諧波UV－YAG雷射、以及準分子雷射較佳。以微細加工性之點而言，以3次高諧波UV－YAG雷射較佳，以4次高諧波UV－YAG雷射更佳，又以準分子雷射最佳。開孔徑為40 μm至300 μm時，以碳酸氣體雷射進行加工較佳。以經由該等雷射開孔後浸漬於過錳酸鹽溶液(去渣之藥液)，除去開孔部之樹脂殘渣(污跡)較佳。又，以該等雷射開孔後，經由電漿等以乾式蝕刻方式除去開孔部之樹脂殘渣(污跡)較佳。

在本發明之電路板上搭載例如半導體晶片等，可獲得半導體封裝件。本發明亦包含根據上述操作獲得之半導體封裝件。本發明之半導體封裝件係在電路板上設置本發明之阻焊材料形成之阻焊層而形成，可有效地抑制半導體封裝件翹曲。經由使用本發明之阻焊材料，可對應半導體封裝件小型化．薄型化及高積體化之要求。

以下，根據實施例及比較例對本發明作更具體之說明，惟，本發明並不受限於此。

實施例

實施例及比較例使用之原材料如下所述。

(1)氰酸酯樹脂A/酚醛清漆型氰酸酯樹脂：隆薩公司製造．「普利瑪組合PT－30」、重量平均分子量700(2)氰酸酯樹脂B/酚醛清漆型氰酸酯樹脂：隆薩公司製造．「普利瑪組合PT－60」、重量平均分子量2600(3)環氧樹脂A/聯苯基二甲撐型環氧樹脂：日本化藥公司製造．「NC－3000」、環氧當量275、重量平均分子量2000(4)環氧樹脂B/溴化環氧樹脂：日本環氧樹脂公司製造．「EP5048」、環氧當量675(5)苯氧基樹脂A/聯苯基環氧樹脂與雙酚S環氧樹脂之共聚物，末端具有環氧基：日本環氧樹脂公司製造．「YX－8100H30」、重量平均分子量30000(6)苯氧基樹脂B/雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之共聚物，末端具有環氧基：日本環氧樹脂公司製造．「埃皮科特(Epikote)4275」、重量平均分子量60000(7)硬化觸媒A/咪唑化合物：四國化成工業公司製造．「2－苯基－4,5－二羥基甲基咪唑」(8)硬化觸媒B/咪唑化合物：四國化成工業公司製造．「2－乙基－4－甲基咪唑」(9)無機填充材料/球狀熔融二氧化矽：阿德瑪科技公司製造．「SO－25H」、平均粒徑0.5 μm(10)偶合劑/環氧矽烷偶合劑：日本優尼卡公司製造．「A－187」(11)著色劑/酞菁藍/苯并咪唑酮/甲基乙基甲酮(＝1/1/8)混合物：(山陽色素公司製造)

[實施例1]

將氰酸酯樹脂A25重量份、環氧樹脂A25重量份、苯氧基樹脂A10重量份、硬化觸媒A0.4重量份溶解、分散於甲基乙基甲酮。另添加無機填充材料39重量份及偶合劑0.2重量份、著色劑0.4重量份，使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，調製成固體成分50重量%之樹脂組成物清漆1。將獲得之樹脂組成物清漆1在作為基材之PET薄膜上以10 μm之厚度塗抹，於150℃熱處理10分鐘除去溶劑使其固體化後獲得樹脂組成物

將經環氧矽烷處理之平均纖維徑7 μm、最大纖維長10mm、厚度14 μm、坪量15g/m² 之玻璃不織布(日本巴林公司製造，EPC4015)以2張前述製得之樹脂組成物挾住，使用真空加壓式層壓機(名機製作所製造MVLP－500 Ⅱ A)，於100℃、減壓化、以0.6MPa加壓約180秒，獲得具有表1記載之厚度之阻焊材料。經由下述之評估方法評估獲得之阻焊材料。

[實施例2]

將氰酸酯樹脂A15重量份、氰酸酯樹脂B10重量份、環氧樹脂A25重量份、苯氧基樹脂A10重量份、硬化觸媒A0.4重量份溶解、分散於甲基乙基甲酮。另添加無機填充材料39重量份及偶合劑0.2重量份、著色劑0.4重量份，使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，調製成固體成分50重量%之樹脂組成物清漆2，除此以外，其餘均進行與實施例1相同之操作獲得阻焊材料並進行評估。

[實施例3]

將氰酸酯樹脂A30重量份、環氧樹脂A15重量份、苯氧基樹脂A10重量份、苯氧基樹脂B5重量份、硬化觸媒A0.4重量份溶解、分散於甲基乙基甲酮。另添加無機填充材料39重量份及偶合劑0.2重量份、著色劑0.4重量份，使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，調製成固體成分50重量%之樹脂組成物清漆3，除此以外，其餘均進行與實施例1相同之操作獲得阻焊材料並進行評估。

[實施例4]

將氰酸酯樹脂A30重量份、氰酸酯樹脂B10重量份、環氧樹脂A20重量份、苯氧基樹脂A5重量份、苯氧基樹脂B5重量份、硬化觸媒A0.4重量份溶解、分散於甲基乙基甲酮。另添加無機填充材料29重量份及偶合劑0.2重量份、著色劑0.4重量份，使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，調製成固體成分50重量%之樹脂組成物清漆4。除了以樹脂組成物清漆4替代實施例1使用之樹脂組成物清漆1以外，其餘均進行與實施例1相同之操作獲得阻焊材料並進行評估。

[實施例5]

將氰酸酯樹脂A25重量份、環氧樹脂A25重量份、苯氧基樹脂A10重量份、硬化觸媒B0.2重量份溶解、分散於甲基乙基甲酮。另添加無機填充材料39重量份、偶合劑0.2重量份及著色劑0.4重量份，使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，調製成固體成分50重量%之樹脂組成物清漆5。將獲得之樹脂組成物清漆5在成為基材之PET薄膜上以預定之厚度塗抹，於150℃進行熱處理5分鐘除去溶劑使其固體化後獲得16.5 μm厚度之樹脂組成物。

將作為纖維基材之玻璃織布(交叉型#1015、寬360mm、厚15 μm、坪量17g/m² )以2張前述製得之樹脂組成物挾住，使用真空加壓式層壓機(名機製作所製造MVLP－500 Ⅱ A)，於100℃、減壓下、以0.6MPa加壓約180秒，獲得具有表2記載之厚度之阻焊材料。獲得之阻焊材料以與實施例1相同之評估方法進行評估。

[實施例6]

將環氧樹脂B60重量份、作為硬化劑之二氰二醯胺2重量份、以及硬化觸媒B0.1重量份溶解於甲基乙基2－乙氧基乙醇100重量份，另添加無機填充材料38重量份，使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，製得填充材料樹脂組成物清漆6。除了以樹脂組成物清漆6替代實施例5使用之樹脂組成物清漆5以外，其餘均進行與實施例5相同之操作，獲得具有表2記載之厚度之阻焊材料並進行評估。

[實施例7]

將氰酸酯樹脂A25重量份、環氧樹脂A25重量份、苯氧基樹脂A10重量份、硬化觸媒B0.2重量份溶解、分散於甲基乙基甲酮。另添加無機填充材料39重量份、偶合劑0.2重量份、以及著色劑0.4重量份，使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，調製成固體成分50重量%之樹脂組成物清漆7。除了以樹脂組成物清漆7替代實施例5使用之樹脂組成物清漆5以外，其餘均進行與實施例5相同之操作，獲得具有表2記載之厚度之阻焊材料並進行評估。

[實施例8]

將氰酸酯樹脂A25重量份、環氧樹脂A25重量份、苯氧基樹脂A10重量份、硬化觸媒B0.2重量份溶解、分散於甲基乙基甲酮。另添加無機填充材料39重量份、偶合劑0.2重量份、以及著色劑0.4重量份，使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，調製成固體成分50重量%之樹脂組成物清漆8。除了以樹脂組成物清漆8替代實施例5使用之樹脂組成物清漆5以外，其餘均進行與實施例5相同之操作，獲得具有表2記載之厚度之阻焊材料並進行評估。

[實施例9]

將氰酸酯樹脂A25重量份、環氧樹脂A25重量份、苯氧基樹脂A10重量份、硬化觸媒B0.2重量份溶解、分散於甲基乙基甲酮。另添加無機填充材料39重量份、偶合劑0.2重量份、以及著色劑0.4重量份，使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，調製成固體成分50重量%之樹脂組成物清漆9。除了以樹脂組成物清漆9替代實施例5使用之樹脂組成物清漆5以外，其餘均進行與實施例5相同之操作，獲得具有表2記載之厚度之阻焊材料並進行評估。

[實施例10]

除了未配合著色劑以外，其餘均進行與實施例5相同之操作，調製成固體成分50重量%之樹脂組成物清漆10。除了以樹脂組成物清漆10替代實施例5使用之樹脂組成物清漆5以外，其餘均進行與實施例5相同之操作，獲得具有表2記載之厚度之阻焊材料並進行評估。

[比較例1]

將製作實施例1時獲得之樹脂組成物(不含玻璃不織布者)作為阻焊材料使用，進行與實施例1相同之評估。

[比較例2]

除了使用以丙烯系樹脂作為主骨架組成之乾薄膜型感光性阻焊(PFR800－AUS402：太陽油墨製造公司製造)作為阻焊材料以外，進行所有與實施例1相同之操作。

[比較例3]

除了使用以丙烯系樹脂作為主骨架組成之乾薄膜型感光性阻焊(PFR800－AUS402：太陽油墨製造公司製造)作為阻焊材料以外，進行所有與實施例1相同之操作。

以下表示評估項目及評估方法。

<玻璃轉移溫度、彈性率>使用常壓層壓機，將獲得之阻焊材料4張層壓，製成80 μm厚之薄膜。將經過200℃、1小時硬化者切出作為試驗片(寬5mm×長30mm×厚80 μm)使用。

測定為使用動態黏彈性測定裝置(精工儀器公司製造，DMS6100)，以3℃/分之速率昇溫同時施加頻率10Hz之變形，進行動態黏彈性測定。從tan δ之高峰值判定玻璃轉移溫度(Tg)，或根據測定，尋求於25℃之彈性率。

<線性膨脹係數>使用常壓層壓機，將獲得之阻焊材料3張層壓，製成薄膜。將經過200℃、1小時硬化者切出作為試驗片(寬3mm×長20mm)使用。測定為使用TMA(TA儀器公司製造)，於10℃/分測定線性膨脹係數。Tg以下之線性膨脹係數α 1以從30℃至50℃之平均判定。

<阻燃性>將鍍銅層壓板(住友貝克拉公司製造，ELC－4785GS：800 μm厚)進行蝕刻處理，形成導體電路圖案。另實施脫脂、軟蝕刻等前處理，將獲得之阻焊材料(20 μm)層壓，於200℃進行1小時之熱處理，根據UL－94規格、垂直法進行測定。

<鈉離子、氯離子雜質>將獲得之阻焊材料於200℃硬化1小時，經由凍結粉碎至250 μm以下，精秤粉末試料3g放入壓力鍋容器，加入超純水40mL，將容器密封，以手動振動1分鐘，將試料與水混合。將容器投入設定於125℃之烘箱，進行連續20小時之加熱加壓處理，放冷至室溫後將內溶液離心分離，作為檢液。該液經由離子層析法分析、評估。評估基準如下所述。

○：鈉離子、氯離子雜質在10ppm以下×：鈉離子、氯離子雜質超過10ppm。

該等之評估結果表示於表1及表2。

[實施例1A]

對鍍銅層壓板(住友貝克拉公司製造，ELC－4785GS：100 μm及400 μm厚)進行蝕刻處理，形成導體電路圖案，另實施脫脂、軟蝕刻等前處理，將實施例1獲得之阻焊材料予以層壓，於200℃進行1小時之熱處理，使用UV－YAG雷射(三菱公司製造，605LDX)，在對應電路圖案之地方照射雷射，進行直徑(合模面徑)50 μm之開孔後浸入過錳酸鹽溶液(去渣之藥液)，除去開孔部之樹脂殘渣(污垢)。另，在終板MLB－790(梅德克公司製造之以硫酸羥基胺水溶液為主成分之溶液)與濃硫酸及蒸餾水之混合液中，於60至65℃浸漬5至10分鐘，進行中和處理後進行鍍金處理或預焊處理，切斷成50mm×50mm見方作為電路板。在該電路板將形成凸塊(bump)之半導體晶片經由溶融接合進行搭載，並使用密封樹脂(住友貝克拉(股)公司製造，CRP－4152D1)進行密封，而製成半導體封裝件。

[實施例2A至10A]

除了使用實施例2至10獲得之阻焊材料替代實施例1獲得之阻焊材料以外，進行與實施例1A相同之操作，製作搭載半導體晶片之電路板以及半導體封裝件。

[比較例1A至3A]

除了使用比較例1至3獲得之阻焊材料替代實施例1獲得之阻焊材料以外，進行與實施例1A相同之操作，製作搭載半導體晶片之電路板以及半導體封裝件。

對於獲得之半導體封裝件，以下述方法評估半導體封裝件之翹曲、耐濕性、以及熱衝擊性。對於實施例5A至10A及比較例3A獲得之半導體封裝件，另評估電路嵌入性及連通孔(via)形成性。

<半導體封裝件翹曲>獲得之半導體封裝件翹曲量使用溫度可變雷射三次元測定機(日立技術及服務公司製造，形式LS220－MT100MT50)，測定高度方向之位移，將位移差最大之值作為翹曲量。測定溫度以25℃進行。評估基準為如下所述。

◎：翹曲值在200 μm以下○：翹曲值超過200 μm，在400 μm以下△：翹曲值超過400 μm，在600 μm以下×：翹曲值超過600 μm，在800 μm以下

<耐濕性試驗>將15個在上述電路板上搭載半導體晶片之半導體封裝件於125℃、相對濕度100%之水蒸氣中施加20V之電壓，調查斷線不良。每100小時確認15個半導體封裝件之不良件數，不良件數未滿8個為○，8個以上為×。又，發生8個以上不良件之時點停止該試樣之測定。

斷線不良、短路不良之測試，係每100小時從125℃、相對濕度100%之水蒸氣中之槽取出測試件，將設置於上述電路板外圍之導通測定用襯墊經由導通試驗機(HIOKI：X＝YC Hightester111 6)檢驗有無接合不良或短路之斷線發生。根據下述之判定基準將該結果表示於表1及表2。

○：1000小時後發生之不良數未滿8個×：1000小時後發生之不良數在8個以上

<熱衝擊性試驗>與耐濕性試驗使用之封裝件相同，將10個在電路板上搭載半導體晶片之半導體封裝件於125℃進行乾燥處理24小時，根據JEDEC LEVEL2處理，放入85℃/60%相對濕度之恒溫恒濕槽中，放置40小時後在IR回流(N₂ 流動中)通過3次，投入－55℃與125℃槽之瞬間替換裝置(ESPEC製，THERMAL SHOCK CHAMBER TSA－101S)，以125℃處理30分鐘後改以－55℃處理30分鐘作為一循環，每500循環至2000循環後進行導通試驗，觀察其剝離狀態。導通試驗係將設置於搭載半導體晶片之電路板外圍之導通測定用襯墊經由導通試驗機(HIOKI：X＝YC Hightester111 6)檢驗有無接合不良或短路之斷線發生。剝離之觀察係經由SAT(超音波探傷裝置)觀察搭載半導體晶片之面之剝離、斷裂。根據下述之判定基準，將2000循環後電路有無發生斷線、搭載半導體晶片之面有無剝離、斷裂等不良之結果表示於表1及表2。

○：在2000循環以上無不良發生△：從1000循環至1500循環有不良發生×：在未滿1000循環即有不良發生

<電路埋入性>(實施例5A至10A、比較例3A)製作在內外層具有導體電路寬50 μm、導體電路間隔50 μm之梳狀圖案之絕緣信賴性試驗用之4層多層電路板。以顯微鏡觀察梳狀圖案之截面，評估樹脂層之埋入性。評估基準如下所述。

◎：所有試樣之埋入性均優○：在玻璃纖維基材有一部分電路配線接觸，但實用上沒問題△：在玻璃纖維基材有電路配線接觸，實用上不行×：雖埋入樹脂層，但不充分而發生空隙

<連通孔(via)形成性>(實施例5A至10A)在雙面形成電路圖案之中心基板(住友貝克拉(股)公司製造、產品編號ELC－4785GS，厚0.23mm)之雙面上將上述阻焊材料(雷射型)層壓。接著，在襯墊部之樹脂層部分，為了形成連通孔(Via Hole)而進行雷射照射。雷射照射係使用CO₂ 雷射(三菱電機(股)公司製造)，形成種種孔徑(100 μm、80 μm、50 μm)之連通孔。接著，以去渣之藥液除去在通孔底部之阻焊材料殘渣(污垢)。使用掃描型電子顯微鏡，以200至1000倍觀察獲得之通孔以評估通孔之形狀。評估基準如下所述。

◎：孔徑至50 μm形狀良好○：孔徑至80 μm形狀良好，但在50 μm形狀不良△：孔徑至100 μm形狀良好，但在80 μm形狀不良

(比較例3A)在雙面形成電路圖案之中心基板(住友貝克拉(股)公司製造、產品編號ELC－4785GS，厚0.23mm)之雙面上將上述阻焊材料(PFR－800 AUS402厚30 μm：太陽油墨製造公司製造)層壓。經由公知之方法進行曝光顯像，形成種種孔徑(100 μm、80 μm、50 μm)之連通孔。使用掃描型電子顯微鏡，以200至1000倍觀察獲得之連通孔，以與上述實施例相同之評估基準評估連通孔之形狀。

該等之評估結果表示於表1及表2。

從實施例1至4(1A至4A)及比較例1至2(1A至2A)之評估結果顯示，實施例之封裝件翹曲少，為高耐熱性、低線性膨脹，熱衝擊性優越、耐濕性亦優越。相對地，比較例1由於無玻璃纖維基材含有層，所以線性膨脹係數大，耐濕性、熱衝擊性差。比較例2之耐熱性低，推定線性膨脹係數亦大，結果耐濕性、熱衝擊性差。

另，從實施例5至10(5A至10A)及比較例3(3A)之評估結果顯示，實施例之封裝件翹曲少，熱衝擊性、耐濕性優越，電路埋入性及連通孔形成性亦良好。又可明瞭在纖維基材含有層偏一方存在時成為電路埋入性優越之封裝件。相對地，於未含纖維基材含有層之比較例3產生封裝件翹曲，熱衝擊性亦差。

根據以上結果顯示本發明之阻焊材料封裝件翹曲少，熱衝擊性、耐濕性等優越，在薄型電路板或薄型電路板上搭載半導體晶片之半導體封裝件亦可適當使用。

(產業上利用之可能性)

本發明之阻焊材料之耐熱性、耐濕性、熱衝擊性優越，彈性率高、線性膨脹係數低，可有效地抑制封裝件翹曲，可用於阻焊、封止材料、成形材料、塗覆材料、轉接板(interposer)、或各種電路板之層間絕緣層等。

1．．．表示纖維基材含有層

2．．．表示阻焊材料

5a、5b．．．表示載體材料

10．．．表示阻焊材料

6．．．表示真空層壓裝置

11．．．表示纖維基材

21．．．表示第1樹脂層

22．．．表示第2樹脂層

61．．．表示層壓滾筒

62．．．表示熱風乾燥裝置

第1圖表示本發明阻焊材料一例之示意性概略截面圖。第1圖中，1表示纖維基材含有層，10表示阻焊材料，21表示第1樹脂層，22表示第2樹脂層。

第2圖表示製造本發明阻焊材料步驟之一例之步驟圖。第2圖中，2表示阻焊材料，5a、5b表示載體材料，6表示真空層壓裝置，11表示纖維基材，61表示層壓滾筒、62表示熱風乾燥裝置。

1．．．表示纖維基材含有層

10．．．表示阻焊材料

21．．．表示第1樹脂層

22．．．表示第2樹脂層

Claims (13)

1. 一種阻焊材料，其特徵為：至少具有第1樹脂層、第2樹脂層、以及纖維基材含有層，且係在第1樹脂層與第2樹脂層之間設置纖維基材含有層而形成者，其中，上述纖維基材含有層係偏置於阻焊材料之厚度方向。
2. 如申請專利範圍第1項之阻焊材料，其中，上述第1樹脂層之厚度B1與上述第2樹脂層之厚度B2之比B2/B1係滿足0<B2/B1≦1者。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之阻焊材料，其中，構成上述纖維基材含有層之纖維基材為選自玻璃纖維基材及有機纖維基材者。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項之阻焊材料，其中，構成上述纖維基材含有層之纖維基材為線性膨脹係數(CTE)在6ppm以下之玻璃纖維基材。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項之阻焊材料，其中，構成上述第1樹脂層及第2樹脂層之樹脂組成物為含有氰酸酯樹脂及/或其預聚合物、實質上不含鹵素原子之環氧樹脂、實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂、以及咪唑化合物者。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項之阻焊材料，其中，阻焊材料中所含有之鈉離子或氯離子分別在10ppm以下。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項之阻焊材料，其中，阻焊材料為另含有著色劑者。
8. 如申請專利範圍第7項之阻焊材料，其中，上述著色劑 為不含鹵素原子之黃色顏料及/或不含鹵素原子之橙色顏料之合計量與不含鹵素原子之藍色顏料之量以重量比1：10至10：1之比例調合者。
9. 如申請專利範圍第8項之阻焊材料，其中，上述不含鹵素原子之黃色顏料為苯并咪唑酮黃，上述不含鹵素原子之藍色顏料為銅酞菁藍者。
10. 一種阻焊材料，係使玻璃纖維基材被包含在含有氰酸酯樹脂及/或其預聚合物、實質上不含鹵素原子之環氧樹脂、實質上不含鹵素原子之苯氧基樹脂、以及咪唑化合物之樹脂組成物中而形成者。
11. 一種電路板，係配置有由申請專利範圍第1項至第10項之阻焊材料形成之阻焊層而成者。
12. 如申請專利範圍第11項之電路板，其中，上述阻焊層之開孔部係經由雷射照射而設置者。
13. 一種半導體封裝件，係具有申請專利範圍第11項或第12項之電路板。