JP5392373B2 - 配線板および該配線板に用いられるソルダーレジスト用絶縁樹脂組成物 - Google Patents

Description

本発明は配線板および該配線板に用いられるソルダーレジスト用絶縁樹脂組成物に関するものである。

半導体搭載用の基板などに用いられる多層ビルドアップ配線板は、コア基板の両面に絶縁層と導体層とを交互に積層された構造を有するものであり、これに半導体チップを搭載する場合は、配線板の外層表面にソルダーレジスト層を形成し、該ソルダーレジスト層に開口部を設け、該開口部に外部接続用の半田バンプを設け、半導体チップの電極と接続を行っている。
近年、電子機器の更なる小型化、大容量化に伴い、より一層の多層ビルドアップ配線板の薄型化、配線の微細化が進むことから、ソルダーレジスト層に対する要求が厳しくなってきている。半田パッド用開口部を形成するには、従来の写真法では、散乱光の影響により、微細な開口部を形成することが難しくなっておきており、レーザーによる開口が（例えば、特許文献１参照。）行われている。レーザー開口に伴いエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることが考えられている。しかし鉛フリー化に伴う、実装工程における半田リフロー温度の上昇に伴い、熱時のクラックが発生しやすくなる恐れがあり、特に配線板の薄型化に伴い、絶縁層とソルダーレジスト層の間に大きな線膨張係数を有する場合、両者の線膨張係数の相違に起因して生じる応力により熱衝撃性試験などの試験においてクラックが懸念され、耐湿性を含めた信頼性などの向上が望まれている。

特開２００３−１０１２４４号公報

本発明は、実装工程における半田リフロー温度の上昇に伴う熱時のクラックの発生、配線板の薄型化に伴う絶縁層とソルダーレジスト層との線膨張係数の相違に起因して生じる応力による熱衝撃性試験などの試験において発生するクラックなどの問題点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、耐湿性を含めた信頼性に優れた配線板を提供し、またその配線板に用いられる、著しく不純物が少なく、熱衝撃性に優れたソルダーレジスト用の絶縁樹脂組成物および導体回路が設けられた絶縁樹脂層と、該ソルダーレジスト層とを含んでなる配線板を提供することにある。

本発明者らは鋭意検討を行った結果、導体回路が設けられた絶縁層と、ソルダーレジスト層とを含んでなり、前記ソルダーレジスト層は前記導体回路と相対する位置に開口部を有する配線板において、ソルダーレジスト層と絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の線膨張係数差が２５℃以上ガラス転移温度以下において５ｐｐｍ以下である配線板を見出し、この配線板はレーザー微細回路において耐半田性、熱衝撃試験に優れることから本発明を完成するに至ったものである。

このような目的は、［１］〜［１４］に記載の本発明により達成される。
［１］導体回路が設けられた絶縁樹脂層と、ソルダーレジスト層とを含んでなる配線板であって、前記ソルダーレジスト層は前記導体回路と相対する位置に開口部を有するものであり、前記絶縁樹脂層と前記ソルダーレジスト層とが、絶縁樹脂と無機充填材とを含む絶縁樹脂組成物より構成されたものであり、前記ソルダーレジスト層と前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物は各々２５℃以上のガラス転移温度を有しており、
前記絶縁樹脂層および前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物が、前記絶縁樹脂としてエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂およびシアネート樹脂を含み、
前記ソルダーレジスト層と前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数差が５ｐｐｍ／Ｋ以下であって、
前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１が３５ｐｐｍ／Ｋ以下である、配線板。
［２］前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物中の前記無機充填材の含有量が、前記絶縁樹脂組成物全体の２０〜７０重量％である上記［１］に記載の配線板。
［３］前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である上記［１］または［２］に記載の配線板。
［４］前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の配線板。
［５］前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が２００℃以上である上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の配線板。
［６］前記開口部がレーザー加工により形成される上記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の配線板。
［７］前記ソルダーレジスト層を構成する該絶縁樹脂組成物中に含まれるＮａイオンおよび塩素イオンがそれぞれ１０ｐｐｍ以下である上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の配線板。
［８］前記ソルダーレジスト層を構成する該絶縁樹脂組成物中に、着色剤としてハロゲンを含まない青色顔料とハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料とを含むものである、上記［１］〜［７］のいずれか１項に記載の配線板。
［９］前記ハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料の合計量と、前記ハロゲンを含まない青色顔料の量とが、重量比１：１０〜１０：１割合で調合された着色剤である、上記［８］に記載の配線板。
［１０］前記ハロゲンを含まない黄色顔料がベンズイミダゾロンイエローである上記［８］または［９］に記載の配線板。
［１１］前記ハロゲンを含まない青色顔料が銅フタロシアニンブルーである上記［８］〜［１０］のいずれか１項に記載の配線板。
［１２］前記着色剤の含有量が、ソルダーレジストを構成する該絶縁樹脂組成物に対して０．０１〜５重量％である上記［８］〜［１１］のいずれか１項に記載の配線板。
［１３］前記絶縁樹脂層または前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物が、イミダゾール化合物をさらに含む［１］〜［１２］のいずれか１項に記載の配線板。
［１４］［１］〜［１３］のいずれか１項に記載された配線板に用いられる、ソルダーレジスト用絶縁樹脂組成物。

本発明の配線板は、絶縁樹脂層とソルダーレジスト層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の線膨張係数差が２５℃以上ガラス転移温度以下において２０ｐｐｍ／Ｋ以下であるものとすることにより、耐半田性試験、熱衝撃試験などの試験において絶縁樹脂層とソルダーレジスト層界面の応力集中を回避すると共に、ソルダーレジスト層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が２００℃以上であること、不純物として含まれるＮａイオン、塩素イオンが１０ｐｐｍ以下であることから耐湿信頼性などの信頼性に優れた配線板である。

さらに本発明のソルダーレジスト用絶縁樹脂組成物にハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料の合計量と、前記ハロゲンを含まない青色顔料の量とが、重量比１：１０〜１０：１割合で緑色に調合された着色剤を含有することにより、世界的な環境保護意識の高まりの中、これまで用いられてきた緑色顔料である塩素化フタロシアニン銅などのハロゲン化顔料を使わずに、基板の検査の観点から目に優しい緑色のソルダーレジスト用絶縁樹脂組成物を提供することができる。また本発明の配線板は、レーザーで開口することで、１００μｍ程度の小さな開口を精度よくあけることができ、またこれまでの感光性のソルダーレジストのように、デザインにあわせたフォトマスクを作製することなく開口できるため少量多品種への対応も可能である。更なる微小開口する場合は、３次高調波ＵＶ−ＹＡＧレーザー、４次高調波ＵＶ−ＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを用いることにより、１００μｍ未満の小さな開口をすることができ、今後の更なる配線晩狭ピッチ化に対応対応した配線板を提供することができる。

本発明の配線板を説明するためのソルダーレジスト層を形成する前の多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の配線板を説明するためのソルダーレジスト層が形成された多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の配線板を説明するためのソルダーレジスト層に開口部が設けられた多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の配線板を説明するためのテスト用半導体を実装した多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例および比較例を説明するための、銅張積層板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例および比較例を説明するための、スルーホールを形成した銅張積層板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例および比較例を説明するための、スルーホールめっきを形成した銅張積層板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例および比較例を説明するための、サブトラクティブ法にて導体回路を形成した銅張積層板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例および比較例を説明するための、ビルドアップ層を形成した多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例および比較例を説明するための、ビルドアップ層にＣＯ_２レーザーにて層間接続用ビア加工を行った多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例および比較例を説明するための、ビルドアップ層に形成した層間接続用ビアを金属充填しフィルドビアを形成した、多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例および比較例を説明するための、ビルドアップ層上にセミアディティブ法にて導体回路を形成した、多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例１を説明するための、ソルダーレジスト層を形成した多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例１を説明するための、ソルダーレジスト層に半田バンプ接続用ビアおよび導通試験用測定パッドをＣＯ_２レーザー加工後、無電解ニッケル金めっきを施した多層ビルドアップ配線板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例１を説明するための、ソルダーレジスト層形成後１次実装を完了したビルドアップ多層配線板の一例を示す断面図である。 本発明の実施例2を説明するための、ソルダーレジスト層形成後１次実装を完了したビルドアップ多層配線板の一例を示す断面図である。 本発明の比較例１を説明するための、ソルダーレジスト層形成後１次実装を完了したビルドアップ多層配線板の一例を示す断面図である。

以下に、本発明の配線板について、説明する。
本発明の配線板を用いた具体例としては、半導体搭載用の多層ビルドアップ配線板が挙げられるが、ここでは多層ビルドアップ配線板の一例を、図を用いて説明する。

本発明の配線板の構造を有するものとして、図３に示す構造を有する配線板の構造の例により説明すると、基板内部にスルーホールと、基板両面に前記スルーホールと接続する導体回路が形成されたコア基板と、前記両面の導体回路上に、絶縁樹脂層と、別の導体回路とが交互に形成された構造と、最外層の両面にソルダーレジスト層が形成され、該ソルダーレジスト層において、最外層の導体回路と相対する位置に、開口部が設けられた構造と、を有する多層ビルドアップ配線板が挙げられる。
上記多層ビルドアップ配線板の一方の最外層に設けられた開口部には、半導体チップの電極と接続するための半田ボールを搭載し、これを介して、半導体チップの電極と半田接合をすることができ、もう一方の最外層に設けられた開口部には、マザーボードと接続するための半田ボールを搭載し、これを介して、半導体チップが搭載された多層ビルドアップ配線板をマザーボードと接続することができる。

本発明の配線板の構造を有する多層ビルドアップ配線板について、その製造方法の一例について説明する。
まず、スルーホールを有する１００μｍ厚コア基板０を用意し、セミアディティブ法などの方法により、前記スルーホール上に導体回路を形成する。
次いで、前記導体回路形成面に、絶縁樹脂組成物から構成される絶縁樹脂層を形成し、前記絶縁樹脂層における導体回路上の層間接続用導体ポストを形成する位置に、貫通孔を設け、前記貫通孔に導電体を充填して層間接続用導体ポストを形成する。

前記絶縁樹脂層を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、絶縁樹脂組成物をワニスとして、前記絶縁樹脂層形成面に直接塗布して４０μm厚の樹脂層を形成し、セミアディティブ法により導体回路を形成する方法、予めＰＥＴなどの樹脂基材や銅箔などの金属箔基材上に、前記ワニスを塗布・乾燥して基材付き樹脂層を作製し、基材付き樹脂層は、さらに他の基材付き樹脂層の絶縁樹脂層形成面に、前記樹脂層側をラミネートし、前記基材が樹脂基材の場合はこれを剥がし、セミアディティブ法により導体回路を形成する方法、また、前記基材付き樹脂層を用いる方法において、前記基材が金属箔基材の場合は基材をエッチングすることにより導体回路として用いる方法などが挙げられる。さらに、これらの方法において、塗布またはラミネートした樹脂層は加熱硬化させて、絶縁樹脂層とすることができる。ここで、加熱硬化の条件としては、樹脂層の厚みなどにもよるが、例えば、１８０〜２５０℃にて３０〜１２０分保持することが好ましく、特に１９０〜２１０℃にて３０〜１２０分保持することが好ましいが、これらに限定されない。

前記絶縁樹脂層に貫通孔を設ける方法としては、レーザー加工による方法が挙げられるが、例えば３次高調波ＵＶ-ＹＡＧレーザー装置に、貫通孔を設ける位置データを入力し、貫通孔が至る下層導体回路のサイズに応じた直径となるような出力およびショット数にて加工を行うことができる。また、上記基材付き樹脂層を用い、前記基材としての金属箔基材を導体回路に用いた場合は、金属箔を全面エッチングで取り去った後、前記同様にしてレーザー加工を行うことができる。また、金属箔の全面エッチングは行わず、金属箔上から直接レーザーを照射して金属箔および絶縁樹脂層の２層を貫通して加工する方法も挙げられる。

前記層間接続用導体ポストは、絶縁樹脂層両面、すなわち層間の電気的導通をとるために設けられるもので、所定の位置に前記絶縁樹脂層を貫通して設けられものであり、それを形成する方法としては、特に限定されるものではないが、前記貫通孔を銅めっきにて被覆するコンフォーマルビアや、銅めっきもしくは導電性ペーストにて充填するフィルドビア法が挙げられる。

次いで、上記で得た層間接続用導体ポストに接続して、上記同様の方法により導体回路を形成する。なお、上記絶縁樹脂層の形成において、金属箔基材付き樹脂層により絶縁樹脂層を形成し、該金属箔基材より導体回路を形成する場合は、ここでの導体回路形成は省略できる。この後、絶縁樹脂層、層間接続用導体ポストおよび導体回路の形成を繰返し、ビルドアップ層１が形成された基板１０を得る（図１）。

次いで、上記で得たビルドアップ層が形成された基板１０の最外層面に、絶縁樹脂組成物から構成されるソルダーレジスト層２を形成して、最外層にソルダーレジスト層が形成された基板１１を得る（図２）。
前記ソルダーレジスト層として、ソルダーレジスト層と絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数差は２０ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましく、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、さらには前記ソルダーレジスト層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）は５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、さらに好ましくは４０ｐｐｍ／Ｋ以下である。さらには、前記絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）は５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、さらに好ましくは４０ｐｐｍ／Ｋ以下である。また、ソルダーレジスト層を構成する絶縁樹脂組成物は、該絶縁樹脂組成物中に含まれるＮａイオンおよび塩素イオンがそれぞれ１０ｐｐｍ以下であることが好ましく、さらに８ｐｐｍ以下であることが好ましい。またその硬化物のガラス転移温度が２００℃以上であることがさらに好ましい。

ここで、本発明に用いる絶縁樹脂層の樹脂組成物について説明する。
絶縁樹脂層に用いられる樹脂組成物は、絶縁樹脂と無機充填材とを含む絶縁樹脂組成物より構成されたものであり、絶縁樹脂は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、絶縁樹脂層の耐熱性を向上することができる。

絶縁樹脂として用いられる熱硬化性樹脂は、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂などが挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
またこれらの中でも、特にシアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。これにより、絶縁樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、絶縁樹脂層の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度などにも優れる。

無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法が採用される。これにより、低熱膨張性および難燃性の向上を図ることができる。また、上記シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー（特にノボラック型シアネート樹脂）と無機充填材との組合せにより、弾性率を向上させることができる。また、シアネート樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）やフェノキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を併用することが好ましい。

本発明に用いる絶縁樹脂層の樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて、カップリング剤、消泡剤、レベリング剤などの添加剤を含有することができる。

ここで、本発明に用いるソルダーレジスト層を形成する樹脂組成物について説明する。
ソルダーレジスト層を形成する樹脂組成物は、絶縁樹脂と無機充填材とを含む絶縁樹脂組成物より構成されたものであり、絶縁樹脂は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、絶縁樹脂層の耐熱性を向上することができる。
絶縁樹脂として用いられる熱硬化性樹脂は、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂などが挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
またこれらの中でも、特にシアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。これにより、絶縁樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、絶縁樹脂層の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度などにも優れる。

前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を併用することが好ましい。
前記エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えば、エポキシ樹脂のハロゲン原子の含有量が０．１５重量％以下(ＪＰＣＡ−ＥＳ０１−２００３)のものをいう。

本発明で用いる樹脂組成物では、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂を含有する。これにより、当該ソルダー樹脂組成物を導体回路が設けられた絶縁層に加熱圧着した際に密着性が向上し、また前記ソルダーレジスト層の外部接続用半田ボールが搭載され前記導体回路と相対する位置に、開口部を設ける際にレーザーにより開口し、樹脂残渣（スミア）を除去するがその際に、フェノキシ樹脂を含有することで樹脂残渣を除去しやすくなる。ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えば、フェノキシ樹脂のハロゲン原子の含有量が０．１５重量％以下(ＪＰＣＡ−ＥＳ０１−２００３)のものをいう。

上記フェノキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂などが挙げられる。これらの一種または複数種を含むフェノキシ樹脂を単品あるいは複数種混合したフェノキシ樹脂を用いることもできる。
これらの中でも、ビフェニル骨格と、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格を有するものを用いることが好ましい。ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができ、ビスフェノールＳ骨格により難燃性が向上し、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格により可とう性が向上する。

前記樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を用いても良い。前記硬化促進剤としては公知の物を用いることができる。例えばイミダゾール化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸など、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用したりすることもできる。
これら硬化促進剤の中でも特にイミダゾール化合物が好ましい。特に１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、および、２−エチル−４−メチルイミダゾールから選ばれるイミダゾール化合物であることが好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。そして、上記イミダゾール化合物は、特に限定されないが、上記シアネート樹脂、エポキシ樹脂、製膜性樹脂成分との相溶性を有することが望ましい。上記イミダゾール化合物の含有量としては特に限定されないが、上記シアネート樹脂とエポキシ樹脂との合計に対して、０．０１〜５重量％が好ましく、特に０．０５〜３重量％が好ましい。これにより、特に耐熱性を向上させることができる。

無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法が採用される。これにより、低熱膨張性および難燃性の向上を図ることができる。また、上記シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー（特にノボラック型シアネート樹脂）と無機充填材との組合せにより、弾性率を向上させることができる。

上記無機充填材の平均粒子径としては特に限定されないが、０．０１〜５．０μｍであることが好ましい。さらに好ましくは０．１〜２．０μｍである。
無機充填材の平均粒子径が上記下限値未満であると、本発明の樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製する際に、樹脂ワニスの粘度が高くなるため、作業性に影響を与える場合がある。一方、上記上限値を超えると、樹脂ワニス中で無機充填材の沈降などの現象が起こる場合がある。無機充填材の平均粒子径を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
上記無機充填材の含有量として特に限定されないが、樹脂組成物全体の２０〜７０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは３０〜６０重量％である。
無機充填材の含有量が上記下限値未満であると、低熱膨脹性、低吸水性を付与する効果が低下する場合がある。また、上記上限値を超えると、樹脂組成物の流動性の低下により絶縁樹脂層の成形性が低下することがある。無機充填材の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。

前記樹脂組成物では、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマ−、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを併用しても良い。

本発明のソルダーレジスト層を形成する樹脂組成物において、着色剤を必要に応じて添加することが出来る。一般に緑色が開口部の確認と目視で長時間観察する際に見やすい色とされている。緑色の着色剤としては塩素化フタロシアニングリーンが用いられているが、脱ハロゲン化のため、例えば、前記塩素化フタロシアニンに替わって青色顔料と黄色顔料および／または橙色顔料を混ぜて緑色した着色剤が好ましい。
前記着色剤に含まれる、青色顔料としては、その化合物構造中に、ハロゲン原子を含まない青色顔料であれば特に限定されるものでない。

例えば、銅フタロシアニンブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １５）、無金属フタロシアニンブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １６）、チタニルフタロシアニンブルー、鉄フタロシアニンブルー、ニッケルフタロシアニンブルー、アルミフタロシアニンブルー、錫フタロシアニンブルー、アルカリブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １，２，３，１０，１４，１８，１９，２４，５６，５７，６１）、スルホン化ＣｕＰｃ（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １７）、紺青（Ｃ．Ｉ．ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ ２７）、群青（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ ２９）、コバルトブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ２８）、スカイブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ ３５）、Ｃｏ（Ａｌ，Ｃｒ）₂Ｏ₄（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ ３６）、ジスアゾ（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ ２５，２６）、インダントロン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ ６０）、インジゴ（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ ６３，６６）、コバルトフタロシアニン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ ７５）などが挙げられるが、これらの中でも、無金属のフタロシアニン、銅フタロシアニンブルーが好ましい。

前記黄色顔料としては、その化合物構造中にハロゲン原子を含まないものであれば特に限定されるものではない。黄色顔料の例として、モノアゾイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １，４，５，９，６５，７４）、ベンズイミダゾロンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １２０，１５１，１７５，１８０，１８１，１９４）、フラバントロンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ ２４）、アゾメチルイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １１７，１２９）、アントラキノンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １２３，１４７）、イソインドリンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １３９，１８５）、ジスアゾイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １５５）、縮合多環系（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １４８，１８２，１９２）、酸化鉄（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ ４２）、ジスアゾメチン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １０１）、アゾレーキ（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ ６１，６２，１００，１０４，１３３，１６８，１６９）、金属錯体（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １５０，１５３，１７７，１７９）などが挙げられ、特にベンズイミダゾロンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １５１）が好ましい。

前記橙色顔料としては、その化合物構造中にハロゲン原子を含まないものであれば特に限定されるものではない。橙色顔料の例として、ペリノン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ４３）、ベンズイミダゾロン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ６２）、アゾメチン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ６４）、ジケトピロロピロール（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ７１）などが挙げられ、特にベンズイミダゾロン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ６２）、アゾメチン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ６４）が好ましい。

青色顔料と、黄色顔料または橙色顔料との混合割合としては、前記青色顔料に対する黄色顔料および／または橙色顔料の重量比（青色顔料：黄色顔料および／または橙色顔料）が、１：１０〜１０：１であることが好ましく、更に好ましくは、３：７〜７：３である。１：１０〜１０：１の範囲外では緑に見えなくなり好ましくない。

本発明に用いる着色剤において、前記顔料成分を分散させるために用いる有機溶剤としては、アセトン、メタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−（メトキシメトキシ）エタノール、２−ブトキシエタノール、２−（イソペンチルオキシ）エタノール、２−（ヘキシルオキシ）エタノール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、液体ポリエチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、液体ポリプロピレングリコールなどが挙げられるが特に限定されるものでない。前記顔料成分と相溶性が高く分散させやすいものであれば特に限定されるものでないが、ソルダーレジストを形成する樹脂組成物とも分散しやすいものを用いることが好ましい。また物理的な分散として、攪拌装置や、超音波攪拌を用いても特に問題ないし、分散性を向上させるため予め青色顔料と黄色顔料および／または橙色顔料を混ぜて緑色した顔料を予め溶剤に分散させ、その分散液を、ソルダーレジスト層を形成する樹脂組成物と混合することも特に問題はない。攪拌時間、攪拌速度は特に限定されるものでない。

予め溶剤に分散させる場合の溶剤の量としては顔料１重量部に対し２〜２０重量部が好ましく、さらに好ましくは４〜１０重量部である。２重量部より少ないとうまく分散できず、２０重量部より多いと溶媒が多くなりソルダーレジスト樹脂組成物と混ぜたさいに、溶剤を除去するのに時間を要する。
また着色剤がソルダーレジスト樹脂組成物中に含まれる割合としてはソルダーレジスト樹脂組成物中の０．０１重量％〜１０重量％が好ましく、さらに好ましくは０．１重量％〜５重量％である。０．０１重量%未満であると色合いが薄く、ソルダーレジスト下の回路が容易に見える。１０重量％より多く添加した場合、色が濃くなりレーザー開口するさいにパッドをレーザー照射装置で認識できなくなる。

本発明のソルダーレジスト層を形成する樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて、カップリング剤、消泡剤、レベリング剤などの添加剤を含有することができる。
また、本発明のソルダーレジスト層を形成する樹脂組成物は、Ｎａイオン、塩素イオンは各々１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。これにより、樹脂組成物の耐湿信頼性、特に高温加湿時の耐イオンマイグレーション性が向上する。

前記樹脂組成物よりなるソルダーレジスト層を形成する方法としては、上記絶縁樹脂層を形成する方法を用いることができるが、中でも樹脂基材付き樹脂層において、樹脂層をソルダーレジスト層とした樹脂基材付きソルダーレジスト層をラミネートする方法が好ましい。ソルダーレジスト層の厚みとしては、実装するＩＣチップの半田ボールサイズや絶縁樹脂層上の導体回路高さにもよることから、特に限定されるものではないが、１０〜５０μmが好ましい。

前記ラミネートする方法としては、真空加圧ラミネートを用いることが好ましく、具体的な方法の例を説明すると、真空加圧式ラミネータ（（株）名機製作所社製 ＭＶＬＰ−５００IIＡ）を用い１００℃、減圧化、０．６ＭＰａで９０秒程度加圧した。これにより、導体回路１ｂ間への樹脂の埋め込み性と密着性を向上できる。この真空加圧条件は必ずしも限定されるものでない。

次いで、前記樹脂基材付きソルダーレジスト層を、上記基板１０上の所定の位置に載置し、加圧して密着させる。 次いで、樹脂基材を剥がし、前記ソルダーレジスト層を加熱して硬化することでソルダーレジスト層として形成される。前記加熱硬化の条件としては、ソルダーレジスト層の厚みなどにもよるが、１８０〜２５０℃にて３０〜１２０分保持することが好ましく、特に１９０〜２１０℃にて３０〜１２０分保持することが好ましいが、これに限定されるものではない。

次いで、上記で得た最外層にソルダーレジスト層が形成された基板１１において、前記ソルダーレジスト層の外部接続用半田ボールが搭載され前記導体回路と相対する位置に、開口部を設けて、本発明の配線板の構造を有する基板を得る（図３）。

前記開口部を設ける方法としては、レーザー加工やドリル加工などによる加工方法が挙げられるが、レーザー加工によるものが好ましい。レーザーとしては、特に限定されるものではないが、炭酸ガスレーザー、３次高調波ＵＶ-ＹＡＧレーザー、４次高調波ＵＶ-ＹＡＧレーザーおよびエキシマレーザーが好ましい。開口径が２０〜１００μｍである場合、３次高調波ＵＶ-ＹＡＧレーザー、４次高調波ＵＶ-ＹＡＧレーザーおよびエキシマレーザーが好ましく、微細加工性などから、３次高調波ＵＶ-ＹＡＧレーザーがより好ましく、４次高調波ＵＶ-ＹＡＧレーザーがさらに好ましく、エキシマレーザーが特に好ましい。またその開口径が１００μｍ〜３００μｍである場合、炭酸ガスレーザーにて加工することが望ましい。

さらに、上記で得た開口部が設けられた基板に半導体チップを搭載した例について説明する（図３および図４）。
半導体チップが搭載された基板においては、半導体チップ３は前記ソルダーレジスト層の開口部上に搭載され、さらに熱履歴をかけることで、前記半導体チップの半田バンプ３ａと、絶縁樹脂層の導体回路１ｂとの接続を行うことができる。さらに、前記半導体チップ３と前記ソルダーレジスト層２の間隙に、一般的な方法により、アンダーフィル４を充填して、半導体チップを搭載した基板を得ることができる。

さらに図４に示した例においては、最上層のソルダーレジスト層２に加工した開口部と同様に、レーザー加工機にてマザーボードと最下層の導体回路１ｃとの接続を介する２次実装用半田バンプ５を搭載する貫通孔２ｂを設け、これに２次実装用半田バンプ５を搭載したものである。

本発明の配線板におけるソルダーレジスト層および絶縁樹脂層の線膨張係数は硬化物を熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用いて、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で測定することができる。
ソルダーレジスト層および絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下の線膨張係数α１は、上記熱機械分析装置（ＴＭＡ）で測定した値より算出した。
ソルダーレジスト層および絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度以上の線膨張係数α２は、上記熱機械分析装置（ＴＭＡ）で測定した値より算出した。

前記ソルダーレジスト層および絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は、特に限定されないが、従来の感光性樹脂よりなるソルダーレジストのようにガラス転移温度が低いソルダーレジストはガラス転移温度以上で線膨張係数が大きく変わることからガラス転移温度は２００℃以上が好ましく、特に２３０℃以上が好ましい。これにより、温度領域が広くなり、加工工程中の絶縁層との熱膨張差が少なくなり、接続信頼性を向上するし、その後の、耐半田性、熱衝撃試験などの信頼性も向上する。

以下、本発明を実施例および比較例を用いて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

［実施例１］
（絶縁樹脂ワニスの調製）
ノボラック型シアネート樹脂：ロンザ社製・「プリマセットＰＴ−３０」、重量平均分子量７００（以下シアネート樹脂Ａ）２５重量部、
ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂：日本化薬社製・「ＮＣ−３０００」、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００（以下、エポキシ樹脂）２５重量部、
ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・「ＹＸ−８１００Ｈ３０」、重量平均分子量３００００）（以下、フェノキシ樹脂Ａ）１０重量部、
イミダゾール化合物：四国化成工業社製・「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」（以下、硬化触媒）０．４重量部、
をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、
球状溶融シリカ：アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｈ」、平均粒径０．５μｍ（以下、無機充填材）３９．４重量部とエポキシシランカップリング剤：チッソ社製・「γ―ＧＰＳ」（以下、カップリング剤）０．２重量部とを添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の絶縁樹脂ワニスを調製した。

（絶縁樹脂層用樹脂付ＰＥＴフィルムの製造）
前項で得た絶縁樹脂ワニスをＰＥＴフィルム基材上に、４０μｍ程度の厚みで塗布し、１２０℃程度の温度で、５〜１０分間程度の熱処理を行うことにより、絶縁樹脂ワニス中の溶剤を除去して、固形化またはプレポリマー化した、絶縁樹脂付ＰＥＴフィルムを製造した。

（ソルダーレジスト用樹脂組成物１の調整）
ノボラック型シアネート樹脂：ロンザ社製・「プリマセットＰＴ−３０」、重量平均分子量７００（以下、シアネート樹脂Ａ）２５重量部、
ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂：日本化薬社製・「ＮＣ−３０００」、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００（以下、エポキシ樹脂）２５重量部、
ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・「ＹＸ−８１００Ｈ３０」、重量平均分子量３００００）（以下、フェノキシ樹脂Ａ）１０重量部、
イミダゾール化合物：四国化成工業社製・「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」（以下、硬化触媒）０．４重量部、
をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、
球状溶融シリカ：アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｈ」、平均粒径０．５μｍ（以下、無機充填材）４０重量部、
エポキシシランカップリング剤：日本ユニカー社製・「Ａ−１８７」（以下、カップリング剤）０．２重量部、
フタロシアニンブルー（銅フタロシアニン）／ベンゾイミダゾロン／メチルエチルケトン（＝1／1／８）混合物（山陽色素社製）（以下、着色剤）０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％のソルダーレジスト１を調製した。
（ソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルムの製造）
前項で得たソルダーレジスト１をＰＥＴフィルム基材上に、２５μｍ程度の厚みで塗布し、１２０℃程度の温度で、５〜１０分間程度の熱処理を行うことにより、ソルダーレジスト中の溶剤を除去して、ソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム１を製造した。

（配線板の製造）
両面銅張積層板Ａ（図５，住友ベークライト社製、ＥＬＣ４７８５ＧＳ（２２０℃以下の線膨張係数１３ｐｐｍ／Ｋ）、以下両面板と記す）にドリルにて貫通スルーホールｂを穿設（図６）し、上面と下面を導通させるためのスルーホールめっきｃを施した。（図７）

次に、サブトラクティブ法により回路ｄの形成を行った前記両面板（図８）に絶縁樹脂層用樹脂付ＰＥＴフィルムを真空ラミネートし、１７０℃にて３０分プレ硬化した後、基材であるＰＥＴフィルムを剥離し、続いて２００℃にて６０分オーブン中で熱硬化させ、ビルドアップ層ｅとした。（図９）また、前記ビルドアップ層ｅにＣＯ_２レーザーで層間接続用ビアｆ１を加工（図１０）した後、銅めっきによりビアｆ１を充填しフィルドビアｆ２とした。（図１１）さらに、セミアディティブ法により導体回路ｇを形成し、ソルダーレジスト層形成前のビルドアップ多層配線板Ｂを得た。

前記ビルドアップ多層配線板Ｂに、ソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム１を真空ラミネートし、１７０℃にて３０分プレ硬化した後、基材であるＰＥＴフィルムを剥離し、続いて２００℃にて６０分オーブン中で熱硬化させ、ソルダーレジスト層ｈ１を形成したビルドアップ多層配線板Ｃを得た。（図１３）

次にビルドアップ多層配線板Ｃの導体回路ｇと半田バンプとの接続用ビアをＣＯ_２レーザーにてｈ１層の1次実装側には直径１００μｍのビアｉ１、2次実装側には直径５００μｍのビアｉ２を加工した。また、1次実装側に、評価時に使用する１ｍｍ四方の外周の導通試験用測定パッド部ｉ３も同様にＣＯ_２レーザーにて加工した。全ての開口部は無電解ニッケル・金めっきをそれぞれ３μｍ・０．１μｍの厚さで施した。この結果、1次実装前のビルドアップ多層配線板Ｄを得た。（図１４）

（１次実装工程）
前記ビルドアップ多層配線板Ｄにテスト用半導体チップＪ（日立超ＬＳＩ社製、ＰＨＡＳＥ２）を搭載し窒素雰囲気下２６０℃のリフローにより半田バンプｊ１と導体回路ｇの接続を行った。更に、前記テスト用半導体チップＪと前記ビルドアップ多層配線板Ｄとの間隙にアンダーフィルｋ（住友ベークライト社製、スミレジンエクセルＣＲＰ−４１５２Ｄ１）を充填し１５０℃にて熱硬化させ、１次実装を完了した。
この結果、ビルドアップ層ｅとソルダーレジスト層ｈ１を形成した１次実装済ビルドアップ多層配線板Ｅ１を得た。（図１５）

［実施例２］
（ソルダーレジスト用樹脂組成物２の調整）
シアネート樹脂Ａ１５重量部、
ノボラック型シアネート樹脂：ロンザ社製・「プリマセットＰＴ−６０」、重量平均分子量２６００（以下、シアネート樹脂Ｂ）１０重量部、
エポキシ樹脂２５重量部、フェノキシ樹脂Ａ１０重量部、硬化触媒０．４重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材４０重量部とカップリング剤０．２重量部、着色剤０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％のソルダーレジスト２を調製した。
（ソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム２の製造）
ソルダーレジスト１に替えて、前項で得たソルダーレジスト２を用いた以外は実施例１と同様にしてソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム２を製造した。
（配線板の製造および１次実装）
ソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム１に替えて、前項で得たソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム２を用いた以外は実施例１と同様にして１次実装済ビルドアップ多層配線板Ｅ２を得た。（図１６）

［実施例３］
（ソルダーレジスト用樹脂組成物３の調整）
シアネート樹脂Ａ４０重量部、
エポキシ樹脂１０重量部、
フェノキシ樹脂Ａ１０重量部、
硬化触媒０．４重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、
無機充填材３９重量部とカップリング剤０．２重量部、着色剤０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％のソルダーレジスト３を調製した。

（ソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム３の製造）
ソルダーレジスト１に替えて、前項で得たソルダーレジスト３を用いた以外は実施例１と同様にしてソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム３を製造した。
（配線板の製造および１次実装）
ソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム１に替えて、前項で得たソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム３を用いた以外は実施例１と同様にして１次実装済ビルドアップ多層配線板を得た。

（比較例１）
前記ビルドアップ多層配線板Ｅ１のソルダーレジスト層ｈ１に、アクリル系樹脂を主骨格とする組成のドライフィルム型感光性ソルダーレジスト（ＰＦＲ８００-ＡＵＳ４０２
：太陽インキ製造社製）ｈ３を使用したことと、前記ドライフィルム型ソルダーレジストに由来する形成方法以外は、全て実施例１と同様にして１次実装済ビルドアップ多層配線板Ｅ３を得た。（図１７）
前記ドライフィルム型感光性ソルダーレジストの形成方法は、前記ビルドアップ多層配線板Ｂの両面に真空ラミネートし、上記ビルドアップ多層配線板Ｃの導体回路ｇと半田バンプとの接続用ビアおよび測定パッド部を写真法にて開口した後、８０℃のオーブン中で６０分熱硬化させた。

（評価用単層フィルムの作製）
実施例１〜３で得た、絶縁樹脂層用樹脂付ＰＥＴフィルム、ソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム１、２、３（以下、これらを合わせて樹脂付ＰＥＴフィルムと称する）のＰＥＴフィルムを剥離して得た、単層絶縁樹脂フィルム（表１では絶縁樹脂）、単層ソルダーレジストフィルム１、２、３（表１ではそれぞれＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３）、および比較例１で用いたドライフィルム型感光性ソルダーレジスト（ＰＦＲ８００−ＡＵＳ４０２）（表１ではＤＦ型）のフィルム単体を熱硬化後、ガラス転移温度、線膨張係数α１・α２、Ｎａイオン、塩素イオン不純物および１ＭＨｚにおける誘電率と誘電正接を以下に示す方法で測定した。

（単層フィルムの評価）
これら特性の測定方法としては、次のとおりである。
［ガラス転移温度測定］
上記で作製した樹脂付ＰＥＴフィルム（樹脂厚３０μｍ）からＰＥＴを剥離したものを３枚積層して、９０μｍ厚のフィルムを作製し、２００℃、１時間で硬化したものを試験片（幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚さ９０μｍ）に切り出し用いた。測定には、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製 ＤＭＳ６１００）を用い３℃／分の割合で昇温しながら、周波数１０Ｈｚの歪みを与えて動的粘弾性の測定を行い、ｔａｎδのピーク値からガラス転移温度（Ｔｇ）を判定した。

［線膨張係数］
上記で作製した樹脂付ＰＥＴフィルム（樹脂厚３０μｍ）からＰＥＴを剥離したものを２枚積層して、６０μｍ厚のフィルムを作製し、試験片（幅３ｍｍ×長さ２０ｍｍ×厚さ６０μｍ）を成形し、２００℃、１時間で硬化したものを試験片（幅３ｍｍ×長さ２０ｍｍ×厚さ６０μｍ）に切り出し用いた。測定にはＴＭＡ（ＴＡインスツルメント（株）製）を用いて線膨張係数を１０℃／分で測定した。ガラス転移温度以下の線膨張係数α１は２５℃から５０℃の平均で判定し、ガラス転移温度以上の線膨張係数α２はガラス転移温度からガラス転移温度＋２０℃の平均で判定した。

［誘電率および誘電正接］
上記で作製した樹脂付ＰＥＴフィルム（樹脂厚３０μｍ）を７０μｍ厚銅箔の光沢面に常圧ラミネータを用い形成し、ＰＥＴを剥離し、２００℃、１時間で硬化させた。次に樹脂表面に銀ペーストにて８０ｍｍφの電極を印刷し、１５０℃、１時間で乾燥させ試験片とした。測定にはプレシジョンメーター４２８４Ａ（ヒューレット・パッカード社製）を用いて周波数１ＭＨｚにおける電気容量および誘電正接を測定した。誘電率は電気容量と樹脂厚み、電極面積を併用して、算出した。

［Ｎａイオン、塩素イオン不純物測定］
上記で作製した樹脂付ＰＥＴフィルム（樹脂厚３０μｍ）からＰＥＴを剥離したものを
、２００℃、１時間硬化させ、凍結粉砕により２５０μｍ以下粉砕し、粉末試料３ｇをプレッシャークッカー容器に精秤し、超純水４０ｍｌを加え容器を密閉し、手動で１分間振とうし、試料を水と馴染ませた。１２５℃に設定されたオーブンに容器を投入し、連続２０時間加熱加圧処理を行い、室温まで放冷後、内溶液を遠心分離したものを検液とした。その液をイオンクロマト法により分析した。
これらの測定結果を表１に示す。

（ビルドアップ多層配線板の評価）
実施例１〜３、および比較例１で得られたテスト用半導体チップ実装済のビルドアップ多層配線板について、次の評価を行った。

（試験内容）
温度サイクル試験機（ＥＳＰＥＣ社製：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｓｈｏｃｋ Ｃｈａｍｂｅｒ ＴＳＡ-１０１Ｓ）による、熱衝撃試験を表２に示す条件で行った。

表２中の導通試験とは、実施例および比較例のビルドアップ配線板の外周部に設けられた導通測定用パッドを導通試験機（ＨＩＯＫＩ：Ｘ＝ＹＣ Ｈｉｇｈｔｅｓｔｅｒ１１１ ６）により接合不良または回路の断線発生の有無を検証する試験である。
表２中の剥離観察とは、ビルドアップ配線板の内層界面（例えば図５におけるｂ１とｃ１）を非破壊超音波式観察機（日立建機ファインテック株式会社：ｍｉ-ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ）にて密着しているか否かを判別する試験である。ここで、不良が発見された場合、断面観察によりサンプルを破壊してどの層間の剥離であるかの確認を行った。結果を表３に示す。また、ソルダーレジスト層と絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数差は、上記測定した線膨張係数の結果より算出した。２０ｐｐｍ／Ｋ以下を○、２０ｐｐｍ／Ｋ以上を×として示した。
表３において、導通試験の項目で、完全に接続しているものは○、一箇所でも導通がされていない場合は×としている。剥離観察の項目では、剥離が観察されなかったサンプルを○、層間での剥離が観察されたサンプルを×としている。導通不具合、剥離が発生したものはその後の測定を中止した。

耐湿信頼性試験
１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を印加し、断線不良を調べた。１００時間毎に１５個のパッケージの不良を確認し、最長で５００時間行い、８個以上不良発生した時点で不良のでた水準は測定を中止した。
断線不良、ショート不良は１００時間毎に１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中の漕より出し、実施例および比較例のビルドアップ配線板の外周部に設けられた導通測定用パッドを導通試験機（ＨＩＯＫＩ：Ｘ＝ＹＣ Ｈｉｇｈｔｅｓｔｅｒ１１１ ６）により接合不良または回路の断線発生の有無を検証した。
結果を表３に示す。

これらの評価結果から明らかなように、ソルダーレジスト層と絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数差が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である実施例１〜３は、比較例１に比べて良好な温度サイクル試験、耐湿信頼性試験の結果を示した。

［実施例１Ａ］
銅張り積層板（住友ベークライト社製ＥＬＣ−４７８５ＧＳ：厚み０．８ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ）をエッチング処理し、回路幅／回路間幅が５０μｍ／５０μｍの櫛歯パターンを形成した。さらに脱脂、ソフトエッチングなどの前処理を施し、実施例１で得られたソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム１をラミネートし、２００℃で１時間熱硬化処理を行い、耐湿性（耐イオンマイグレーション試験）試験用配線板を得た。
［耐湿性試験（耐イオンマイグレーション試験）］
耐湿性（耐イオンマイグレーション性）試験用配線板を８５℃、相対湿度８５％の雰囲気下で、ＤＣ５０Ｖの電圧を印加し、絶縁抵抗値の経時変化をマルチ絶縁抵抗測定器（装置名：ＳＩＲ１２、楠本化成社製）により評価した。０〜１、０００時間後の絶縁抵抗値が常に１×１０^６Ω以上であり、イオンマイグレーションが確認されず、良好な結果であった、

［実施例２Ａ〜３Ａ］
実施例１Ａで用いたソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム１に替えて、実施例２、３で得られたソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム２、３を用いた以外は実施例１Ａと同様にして耐湿性（耐イオンマイグレーション試験）試験用配線板を作製し、耐湿性（耐イオンマイグレーション試験）試験を行った。いずれのサンプルも０〜１、０００時間後の絶縁抵抗値が常に１×１０^６Ω以上であり、イオンマイグレーションが確認されず、良好な結果であった、

本発明の配線板は、耐湿信頼性などの信頼性に優れており、例えば、多層ビルドアップ配線板からなるモジュール接続用基板のリジッド部分、フリップチップＢＧＡ搭載用インターポーザー、受動部品乃至前記インターポーザー搭載用マザーボードとして用いることができる。

０ 銅張積層板のコア層
１ ビルドアップ層
１ａ 最外層のビルドアップ層
１ｂ 導体回路
１ｃ 導体回路
２ ソルダーレジスト層
２ａ 1次実装側のソルダーレジスト層レーザー開口部
２ｂ ２次実装側のソルダーレジスト層レーザー開口部
３ 半導体チップ
３ａ 半導体チップの半田バンプ
４ アンダーフィル
５ ２次実装用半田バンプ
１０ ビルドアップ層が形成された基板
１１ ソルダーレジスト層が形成された基板
２０ 1次実装を完了した基板
Ａ 両面銅張積層板
Ｂ ビルドアップ層に導体回路が形成された多層ビルドアップ配線板
Ｃ 実施例１のソルダーレジストを形成された多層ビルドアップ配線板
Ｄ 実施例１のソルダーレジストを形成したソルダーレジスト層に半田バンプ接続用および導通試験用測定パッドが形成された多層ビルドアップ配線板
Ｅ１ 1次実装を完了した実施例１のソルダーレジストを形成した多層ビルドアップ配
線板
Ｅ２ 1次実装を完了した実施例２のソルダーレジストを形成した多層ビルドアップ配
線板
Ｅ３ 1次実装を完了した比較例１のソルダーレジストを形成した多層ビルドアップ配
線板
ａ 銅張積層板
ｂ スルーホール
ｃ めっきを施したスルーホール
ｄ コア層上導体回路
ｅ ビルドアップ層
ｆ１ 層間接続用ビア
ｆ２ 層間接続用フィルドビア
ｇ ビルドアップ層上導体回路
ｈ１ 実施例１のソルダーレジスト層
ｈ２ 実施例２のソルダーレジスト層
ｈ３ 比較例１のソルダーレジスト層
ｉ１ テスト用半導体半田バンプ接続用ビア
ｉ２ ２次実装半田バンプ接続用ビア
ｉ３ 導通試験用測定パッド
ｊ テスト用半導体チップ
ｊ１ テスト用半導体半田バンプ
ｋ アンダーフィル

Claims (14)

1. 導体回路が設けられた絶縁樹脂層と、ソルダーレジスト層とを含んでなる配線板であって、前記ソルダーレジスト層は前記導体回路と相対する位置に開口部を有するものであり、前記絶縁樹脂層と前記ソルダーレジスト層とが、絶縁樹脂と無機充填材とを含む絶縁樹脂組成物より構成されたものであり、前記ソルダーレジスト層と前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物は各々２５℃以上のガラス転移温度を有しており、
   前記絶縁樹脂層および前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物が、前記絶縁樹脂としてエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂およびシアネート樹脂を含み、
   前記ソルダーレジスト層と前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数差が５ｐｐｍ／Ｋ以下であって、
   前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１が３５ｐｐｍ／Ｋ以下である、配線板。
2. 前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物中の前記無機充填材の含有量が、前記絶縁樹脂組成物全体の２０〜７０重量％である請求項１に記載の配線板。
3. 前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１または２に記載の配線板。
4. 前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線板。
5. 前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が２００℃以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線板。
6. 前記開口部がレーザー加工により形成される請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線板。
7. 前記ソルダーレジスト層を構成する該絶縁樹脂組成物中に含まれるＮａイオンおよび塩素イオンがそれぞれ１０ｐｐｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線板。
8. 前記ソルダーレジスト層を構成する該絶縁樹脂組成物中に、着色剤としてハロゲンを含まない青色顔料とハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料とを含むものである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線板。
9. 前記ハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料の合計量と、前記ハロゲンを含まない青色顔料の量とが、重量比１：１０〜１０：１割合で調合された着色剤である、請求項８に記載の配線板。
10. 前記ハロゲンを含まない黄色顔料がベンズイミダゾロンイエローである請求項８または９に記載の配線板。
11. 前記ハロゲンを含まない青色顔料が銅フタロシアニンブルーである請求項８〜１０のいずれか１項に記載の配線板。
12. 前記着色剤の含有量が、ソルダーレジストを構成する該絶縁樹脂組成物に対して０．０１〜５重量％である請求項８〜１１のいずれか１項に記載の配線板。
13. 前記絶縁樹脂層または前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物が、イミダゾール化合物をさらに含む請求項１〜１２のいずれか１項に記載の配線板。
14. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載された配線板に用いられる、ソルダーレジスト用絶縁樹脂組成物。

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