JP2011135034A - 半導体パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コア基板を有するプリント配線板に半導体素子が搭載され、前記半導体素子の上部及び/又は側面が封止材に覆われた半導体パッケージであって、前記半導体素子の厚さと、前記封止材の厚さとの比が0.4以上、かつ、半導体素子上側の封止材の厚さが250μm以下であり、前記コア基板の厚さと、前記封止材の厚さとの比が、0.12〜0.4であり、前記コア基板の厚さが100μm以下であり、前記コア基板の常温での弾性率が26GPa以上であることを特徴とする半導体パッケージ。
【選択図】図2
Description
(1)コア基板を有するプリント配線板に半導体素子が搭載され、前記半導体素子の上部及び/又は側面が封止材に覆われた半導体パッケージであって、前記半導体素子の厚さ(tc)と、前記封止材の厚さ(tm)との比(tc/tm)が0.4以上、且つ、半導体素子上側の封止材の厚さ(tm1)が250μm以下であり、前記コア基板の厚さ(ts)と、前記封止材の厚さ(tm)との比(ts/tm)が0.12〜0.4であり、前記コア基板の厚さ(ts)が100μm以下であり、前記コア基板の常温での弾性率が26GPa以上であることを特徴とする半導体パッケージ。
(2)前記コア基板の面内方向における熱膨張係数が、14ppm以下である上記(1)に記載の半導体パッケージ。
(3)前記コア基板の厚み方向における熱膨張係数が30ppm以下である上記(1)または(2)に記載の半導体パッケージ。
(4)前記半導体素子の厚さが、30〜400μmである上記1乃至3のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
(5)前記コア基板の250℃における弾性率(Es1)が、15GPa以上である上記(1)乃至(4)のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
(6)前記コア基板を構成する樹脂組成物は、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂及びビスマレイミドトリアジン樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種である上記(1)乃至(5)のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
(7)前記封止材の成形収縮率が、0.05〜0.6%である上記(1)乃至(6)のいずれか一に記載の半導体パッケージ。
(8)上記(1)乃至(7)のいずれか一に記載の半導体パッケージを第1の半導体パッケージとし、コア基板を有するプリント配線板に半導体素子が搭載された他の半導体パッケージを第2の半導体パッケージとし、第1の半導体パッケージを第2の半導体パッケージ上に積層し、第1及び第2の半導体パッケージ間を電気的接続してなる、上記(7)に記載の半導体装置。
(9)前記第1の半導体パッケージはプリント配線板の半導体素子が搭載されていない面を下面とし、当該下面に出入力パッドを有し、前記第2の半導体パッケージはプリント配線板の半導体素子が搭載された面または搭載されていない面を上面とし、当該上面に出入力パッドを有し、第1の半導体パッケージを第2の半導体パッケージ上に積層し、第1の半導体パッケージ下面の前記出入力パッドと第2の半導体パッケージ上面の前記出入力パッドを電気的接続してなる、上記(8)に記載の半導体装置。
(10)前記第2の半導体パッケージのコア基板の面内方向における熱膨張係数が14ppm以下である上記(8)又は(9)に記載の半導体装置。
(11)前記第2の半導体パッケージのコア基板の厚み方向における熱膨張係数が30ppm以下である上記(10)に記載の半導体装置。
(12)前記第2の半導体パッケージが個片封止によって得られることを特徴とする、上記(8)乃至(11)のいずれか一に記載の半導体装置。
(13)前記第2の半導体パッケージがMAP方式によって得られることを特徴とする、上記(8)乃至(11)のいずれか一に記載の半導体装置。
(14)前記第2の半導体パッケージが有する半導体素子がフリップチップ実装によりプリント配線板に搭載されていることを特徴とする、上記(8)乃至(11)のいずれか一に記載の半導体装置。
インターポーザは、マザーボードと同様に、半導体パッケージを実装する基板として用いても良いが、マザーボードと異なる特有の使用方法としては、パッケージ基板又はモジュール基板として用いられる。
現在、半導体素子内部回路の回路幅と回路と回路との間の幅(いわゆるラインアンドスペース)はサブミクロンレベルに到達しており、これに接続するインターポーザの半導体素子接続側最外層回路の接続端子は、ラインアンドスペース(以下、「L/S」という場合がある。)が数十μm/数十μm程度とされる。一方、インターポーザのマザーボード接続側最外層回路の接続端子のL/Sは、数百μm/数百μm程度とされ、これに対するマザーボードのインターポーザ接続側最外層回路の接続端子のL/Sも、数百μm/数百μm程度とされる。
PoP構造の半導体装置は、例えば、第1パッケージ基板に第1半導体素子が搭載され、前記第1半導体素子の上部及び/又は側面が封止材に覆われた第1の半導体パッケージを、第2パッケージ基板に第2半導体素子が搭載された他の半導体パッケージである第2の半導体パッケージ上に積層し、第1及び第2の半導体パッケージ間を電気的接続することで得られる。尚、前記第1の半導体パッケージは、第1パッケージ基板の第1半導体素子が搭載されていない面を下面とし、当該下面に出入力パッドを有し、前記第2半導体パッケージは第2パッケージ基板の第2半導体素子が搭載された面または搭載されていない面を上面とし、当該上面に出入力パッドを有し、第1半導体パッケージを第2半導体パッケージ上に積層し、第1半導体パッケージ下面の前記出入力パッドと第2半導体パッケージ上面の前記出入力パッドを電気的接続する。
半導体装置100は、第2パッケージ基板2に第2半導体素子21が搭載され、両者をボンディングワイヤ23で電気的に接続し、封止材で封止された第2半導体パッケージの上側(図1中の上側)に、第1パッケージ基板1に第1半導体素子11が搭載され、両者をボンディングワイヤ13で電気的に接続し、封止材で封止された第1半導体パッケージが積層され、第2半導体パッケージと第1半導体パッケージとは半田バンプ3を介して電気的に接続されている。
まず、第1半導体パッケージについて説明する。
図2に第1半導体パッケージの一例の断面図を示す。第1半導体パッケージは、第1パッケージ基板1に第1半導体素子11を、例えばダイアタッチフィルム16などを介して接合し、第1半導体素子11の機能面(図2中の上側面)と、第1パッケージ基板1の回路配線部14とをボンディングワイヤ13で電気的に接続した後、第1半導体素子11の上部および/または側面を覆うように第1封止材12で封止し、得ることができる。
なお、第1半導体素子11の厚さをtc、第1封止材12の厚さをtm、第1半導体素子11の上側の第1封止材12の厚さをtm1、コア基板15の厚さをtsとする。
第1半導体パッケージと第2半導体パッケージとが、半田バンプ3を介して電気的に接続されてなる半導体装置100においては、第1半導体素子11の厚さ(tc)と第1封止材12の厚さ(tm)との比(tc/tm)および第1半導体素子の上側の封止材の厚さ(tm1)、コア基板15の厚さ(ts)と第1封止材12の厚さ(tm)との比(ts/tm)およびコア基板15の厚さならびにコア基板15の常温での弾性率を上述したような範囲とすることにより、第1半導体パッケージの反りを低減することができ、第1半導体パッケージと第2半導体パッケージとの接続信頼性に優れた半導体装置100を得ることができるようになる。
第1半導体パッケージの形態はこれに限定されず、封止材による封止は半導体パッケージの一部のみでもよいし、半導体素子とパッケージ基板との接続をフリップチップ実装により行ってもよい。また、封止材で封止された前記第1半導体パッケージを得る方法としては、特に限定されないが、例えば個片封止及びMAP方式等が挙げられる。
例えば、前記第1封止材12は、エポキシ樹脂として、ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、型番:YX−4000、融点:105℃、エポキシ当量:190)、硬化剤として、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成社製、型番:MEH−7851SS、軟化点:65℃、水酸基当量:203)、またフェノールノボラック樹脂(住友ベークライト社製、PR51470、軟化点:110℃、水酸基当量:104)、無機充填材として、球状溶融シリカ(平均粒径:12.5μm)を配合し、3本ロールを用いて混練/脱泡した後、表面温度が95℃と25℃の2軸ロールを用いて20回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕することにより封止材を得ることができる。
前記第1パッケージ基板1は、コア基板15の上下面に樹脂層151が形成されてなる。
第1パッケージ基板1としては、コア基板の両面に回路形成、及び/またはスルーホール形成されたものを用いても良いし、図1及び図2に示すように、さらに樹脂層を積層したものを用いても良い。
前記樹脂層は、コア基板と電気的接続を図るべくビアホールが形成されていても良く、また樹脂層表面に導体回路が形成されていても良い。
さらに前記導体回路には、一般にプリント配線板に用いられるソルダーレジストが形成されていても良い。
より具体的には、前記弾性率は26〜35GPaであることが好ましく、特に28〜33GPaであることが好ましい。弾性率が前記範囲内であると、第1半導体パッケージの反りを低減することができ、より、第1半導体パッケージと下段パッケージである第2半導体パッケージとの接続信頼性が向上する。
ここで、弾性率は、例えば、3点曲げ試験で評価することができる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、ノルボルネン系樹脂、シアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂などが挙げられる。
これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
またこれらの中でも、特に、エポキシ樹脂、シアネート樹脂(シアネート樹脂のプレポリマーを含む)、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスマレイミドトリアジン樹脂の中の少なくとも1種の熱硬化性樹脂が好ましい。これらの中でも最もシアネート樹脂が好ましい。これにより、コア基板15の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、コア基板15の電気特性(低誘電率、低誘電正接)、機械強度などにも優れる。
前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式(1)で示されるものを使用することができる。
前記シアネート樹脂などの重量平均分子量は、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。
また、特に限定されないが、前記シアネート樹脂は、1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
エポキシ樹脂として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
これらエポキシ樹脂の中でも特にアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。
前記アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂などが挙げられる。ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂は、例えば式(3)で示すことができる。
前述のシアネート樹脂(特にノボラック型シアネート樹脂)とアリールアルキレン型フェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、反応性を容易に制御できる。
前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。
前記無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。
無機充填材として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカ(特に球状溶融シリカ)が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法が採用される。
前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって樹脂組成物を用いた前記積層板は、耐熱性に優れるものとなる。
ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えばエポキシ樹脂中のハロゲン原子の含有量が0.15重量%以下(JPCA−ES01−2003)のものをいう。
上述したコア基板15の両面には、さらに樹脂層151を設けてもよい。
また、このような樹脂層151は、基材に上述の樹脂組成物が含浸されたもの、すなわちプリプレグを用いることもできる。これにより、樹脂層151の熱膨張係数を小さくすることができ、それにより反りを低減することができる。この場合、基材としては、有機繊維基材やガラス繊維基材などが好ましい。これにより、低い熱膨張係数と加工性とのバランスに優れる。
前記樹脂シートは、前記プリプレグの製造に用いる樹脂組成物からなる樹脂層をキャリアフィルム、又は金属箔上に形成することにより得られる。まず、樹脂層を形成する樹脂組成物を、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンシクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニスを作製する。上記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、30〜80重量%が好ましく、特に40〜70重量%が好ましい。
これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な厚さを有する樹脂層を効率よく製造することができる。
前記製膜性樹脂として、これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも、フェノキシ系樹脂が好ましい。これにより、耐熱性および難燃性を向上させることができる。
またフェノキシ樹脂として、これら中の骨格を複数種類有した構造を用いることもできるし、それぞれの骨格の比率が異なるフェノキシ樹脂を用いることもできる。さらに異なる骨格のフェノキシ樹脂を複数種類用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有するフェノキシ樹脂を複数種類用いたり、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
また、ビスフェノールA骨格とビスフェノールF骨格とを有するフェノキシ樹脂を用いることができる。これにより、多層プリント配線板の製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。さらに、前記ビフェニル骨格とビスフェノールS骨格とを有するフェノキシ樹脂と、ビスフェノールA骨格とビスフェノールF骨格とを有するフェノキシ樹脂とを併用してもよい。
前記製膜性樹脂の重量平均分子量が、前記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でない場合がある。一方、前記上限値を超えると、製膜性樹脂の溶解性が低下する場合がある。製膜性樹脂の重量平均分子量を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスを優れたものとすることができる。
製膜性樹脂の含有量が、前記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でないことがある。一方、前記上限値を超えると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、低熱膨張性を付与する効果が低下することがある。製膜性樹脂の含有量を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
また、前記樹脂シートの製造に用いる樹脂組成物で用いられる熱硬化性樹脂などは、実質的にハロゲン原子を含まないものであることが好ましい。これにより、ハロゲン化合物を用いることなく、難燃性を付与することができる。
ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えばエポキシ樹脂中のハロゲン原子の含有量が0.15重量%以下(JPCA−ES01−2003)のものをいう。
さらに、このようなイミダゾール化合物を用いた樹脂組成物は、樹脂成分との間で微小なマトリックス単位から高い均一性で硬化させることができる。これにより、樹脂層151の絶縁性、耐熱性を高めることができる。
このような粗化処理後の樹脂層表面に金属メッキ処理を行うと、粗化処理面の平滑性が高いため、微細な導体回路を精度よく形成することができる。また、微小な凹凸形状によりアンカー効果を高め、樹脂層とメッキ金属との間に高い密着性を付与することができる。
次に、第2半導体パッケージについて説明する。
図3に第2半導体パッケージの一例の断面図を示す。第2半導体パッケージは、第2パッケージ基板2に第2半導体素子22を、例えばダイアタッチフィルムなどを介して接合し、第2半導体素子22の機能面(図3中の上側面)と、第2パッケージ基板2の回路配線部24とをボンディングワイヤ23で電気的に接続した後、第2半導体素子22の上部および/または側面を覆うように第2封止材22で封止することにより得られる。
また、第2パッケージ基板2の下側の面(図3中の下側面)には、2次実装するための半田バンプ27が形成されている。第2パッケージ基板2の上面と下面とは、スルーホールに導電層等を形成することにより電気的に接続されている。
第2パッケージ基板2も、通常用いるプリント配線板同様、ソルダーレジストで回路を覆われていても良い。また、マザーボードとの接続、第1半導体パッケージとの接続を考慮し、所定の箇所は、接続部が露出するようにすることもできる。
ワイヤボンディングとは、金または銅などにより形成されたワイヤの端部を圧着によって接続する手法のことである。
フリップチップ実装とは、半導体素子の回路配線部をパッケージ基板に対向する向きに設置し、パッケージ基板に半導体素子を接合し、パッケージ基板と半導体素子とを両者の間に設けられた半田バンプにより電気的に接続する方法である。
封止材によって封止された半導体パッケージを得る方法としては、特に限定されないが、例えば個片封止及びMAP方式等が挙げられる。個片封止では、あらかじめ個片化されたパッケージ基板等の片側に1つ又は複数の半導体素子を搭載し、封止材によって半導体素子の上部及び/又は側面が覆われるように、半導体パッケージの全体又は一部を封止する。MAP方式では、パッケージ基板等の片側に複数の半導体素子を搭載し、封止樹脂で一括封止して複数の半導体パッケージを一体に成形した後、これらをダイシングにより個片化する。MAP方式では、半導体パッケージの全体が封止材によって覆われ、かつパッケージ基板と半導体素子との間に封止樹脂が介在する。
尚、個片封止及びMAP方式のいずれの場合においても、半導体素子とパッケージ基板との接続は特に限定されず、ワイヤボンディング及びフリップチップ実装のどちらでもよい。
また、パッケージの一部を封止材によって封止する場合においては、少なくとも半導体素子の上部及び/又は側面が覆われていることが必要であり、さらに、半導体素子とパッケージ基板とをワイヤボンディングによって接続する場合には、用いるボンディングワイヤが覆われている必要がある。
具体的には、半導体素子とパッケージ基板とをダイアタッチフィルムで接着し、ワイヤボンディングにより電気的に接続し、パッケージの一部を封止する個片封止型パッケージの場合(図3)や、フリップチップ実装で半導体素子をパッケージ基板に搭載し、パッケージ全体を封止するMAP型パッケージの場合(図4)や、フリップチップ実装で半導体素子をパッケージ基板に搭載し、封止材による封止をしない場合(図5)等がある。パッケージ全体を封止するパッケージの場合については、例えば接合の為の半田やCuピラーを封止する前にあらかじめ基板上に配置させ、封止後にCO2レーザーや研磨などにより封止材を除去することで導通を確保することができる。
尚、第2半導体パッケージに用いられる第2封止材としては、第1半導体パッケージに用いられる第1封止材を構成するものと同様のものを使用することができる。
第2パッケージ基板2の厚さが前記範囲内であると、半導体パッケージの反りを低減することができ、より接続信頼性を確保することが可能となる。
コア基板25としては、第1パッケージ基板1が有するコア基板15を構成するものと同様のものを使用することができる。
コア基板25の常温での弾性率は、特に限定されないが、26以上、具体的には、26〜35が好ましく、とくに28〜33GPaであることが好ましい。弾性率が前記範囲内であると、特に上段パッケージとの接続信頼性に優れる。
コア基板25の面内方向(XY方向)における熱膨張係数は、特に限定されないが、50℃〜100℃の熱膨張係数が14ppm以下であることが好ましく、特に11ppm以下であることが好ましい。
また、前記コア基板25の厚み方向(XZ方向)における熱膨張係数は、特に限定されないが、50℃〜100℃の熱膨張係数が30ppm以下であることが好ましく、特に20ppm以下であることが好ましい。
面内方向における熱膨張係数及び厚み方向における熱膨張係数が前記範囲内であると、特に上段パッケージとの接続信頼性に優れる。
尚、熱膨張係数は、例えばTMA(熱機械分析)で評価することができる。
上述したような第1半導体素子11が搭載された第1パッケージ基板1を封止材12にて第1半導体素子11の上部および/または側面が完全に覆われた第1半導体パッケージと、第2半導体素子21が搭載された第2パッケージ基板2を封止材22にて第2半導体素子21の上部および/または側面が覆われた第2半導体パッケージと、を接合して半導体装置100を得ることができる(図1)。
第1半導体パッケージと、第2半導体パッケージとは、例えば図1に示すような半田バンプ3を介して接合される。ここで、本発明では、PoP構造を有する半導体装置の上側のトップ基板として上述したような第1パッケージ基板1を用いているので、第1半導体パッケージ反りによる半導体装置の組立て歩留まりを向上することができるものである。すなわち、第1半導体素子11の厚さ(tc)と第1封止材12の厚さ(tm)との比(tc/tm)および第1半導体素子の上側の封止材の厚さ(tm1)、コア基板15の厚さ(ts)と第1封止材12の厚さ(tm)との比(ts/tm)およびコア基板15の厚さならびにコア基板15の常温での弾性率が上述したような範囲にある場合、第1半導体素子11、第1封止材12および第1パッケージ基板1のコア基板15が第1半導体パッケージの反りに対する影響が大きくなることを見出し、それらを制御することにより半導体装置の組立て歩留まり、第1半導体パッケージと第2半導体パッケージとの接続信頼性を向上することができるものである。
(実施例1)
1. 第1パッケージ基板および第1半導体パッケージの製造
1.1 コア基板
(A)エポキシ樹脂としてビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000)14.0重量部、(B)硬化剤としてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂(日本化薬株式会社製、GPH−103)10.8重量部、ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセットPT−30)24.6重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、(C)無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製、SO−25R、平均粒径0.5μm)49.8重量部とカップリング剤(日本ユニカー社製、A187)0.2重量部、(D)着色剤としてアントラキノン系化合物を含む染料(日本化薬社製、Kayaset Black A−N)0.6重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
次に、上述の樹脂ワニスをガラス織布(Eガラスで構成されている平織りの基材、厚さ42μm、縦糸の織密度54本/インチ、横糸の織密度54本/インチ、日東紡績社製、WEA−1078、室温から250℃での熱膨張係数6ppm/℃)に含浸し、150℃の加熱炉で2分間乾燥してワニス固形分(プリプレグ中に樹脂とシリカの占める割合)が約60%のプリプレグを得た。
得られたプリプレグを1枚、両面に12μmの銅箔を重ねて、圧力4MPa、温度200℃で2時間加熱加圧成形することによって0.06mmのコア基板(面内方向熱膨張係数11ppm、厚み方向熱膨張係数16ppm)を得た。
コア基板の形成で用いた樹脂ワニスを、ガラス織布(WEA−1037、厚さ24μm、日東紡績社製)に含漬し、150℃の加熱炉で2分間乾燥して、ワニス固形分(プリプレグ中に樹脂とシリカの占める割合)が約72%のプリプレグを得た。当該プリプレグを樹脂層とした。
コア基板の所定の位置に、ドリル若しくはレーザーによりスルーホール形成した。次にセミアディティブ工法により、スルーホール中の導体層、さらには回路配線層を形成した。前記回路配線層を形成後、前記1.2で得られた樹脂層を1枚重ね、両面に3μmのキャリア付銅箔(三井金属社製、MTEx)を重ねて、圧力4MPa、温度200℃で2時間加熱加圧成形することによって、積層板を得た。その後、キャリア箔を除去し、エッチングにより回路配線層を形成した後、当該回路配線層上にソルダーレジスト膜を形成することで第1パッケージ基板(サイズ14×14mm、厚さ0.17mm)を得た。
上記作製した第1パッケージ基板に第1半導体素子(サイズ10×10mm、厚さ0.2mm)を、ダイアタッチフィルム(住友ベークライト社製、品番:スミライトIBF−3021)を介して接合し、第1半導体素子と、第1パッケージ基板とをボンディングワイヤで電気的に接続した後、第1半導体素子の上部および側面を覆うように第1封止材で封止し、第1半導体パッケージとした。
その際、前記第1封止材の厚さ(tm)は350μm、前記第1半導体素子の厚さ(tc)は200μmであり、前記第1半導体素子の厚さ(tc)と、前記第1封止材の厚さ(tm)との比(tc/tm)が0.57であった。第1半導体素子上側の封止材の厚さ(tm1)が150μmであった。前記コア基板の厚さ(ts)が60μmであり、前記コア基板の厚さ(ts)と、前記第1封止材の厚さ(tm)との比(ts/tm)が0.17であった。
前記第1封止材の収縮率は0.35%であった。
次に、第2パッケージ基板として前述と同様のコア基板の回路配線層形成後、回路配線層を薬液により粗化し、前述の樹脂層を真空プレスした。その樹脂層の所定の位置に、レーザーによりビアホール形成した。次に、セミアディティブ工法により、ビアホール中の導体層、さらには回路配線層を形成した。回路配線層粗化、真空プレス、ビアホール形成工程、導体層および回路配線層形成工程を繰り返すことで、複数の絶縁層と、複数の回路配線層とを有する多層板となり、その後回路配線層上にソルダーレジスト膜を形成することで第2パッケージ基板(サイズ14×14mm、厚さ0.27mm、4層板)を得た。
この第2パッケージ基板に第2半導体素子(サイズ7×7mm、厚さ0.1mm)をダイアタッチフィルム(住友ベークライト社製、品番:スミライトIBF−3021)を介して接合し、第2半導体素子と、第2パッケージ基板とをボンディングワイヤで電気的に接続した後、第2半導体素子の上部および側面を封止するように第2半導体パッケージの一部を第2封止材(前記第1封止材と同様の封止材)で覆い、第2半導体パッケージを得た。
前述の第1半導体パッケージの下面(BGA面)に半田ボールを形成した後、転写工程によりフラックスを供給した。第2半導体パッケージを、前記第1半導体パッケージがトップ基板となるように配置して、250℃のリフローを通し半田接続することで、PoP構造の半導体装置を得た。
第1封止材の厚さ(tm)を250μm、第1半導体素子の厚さ(tc)を100μmに変え、第1半導体素子の厚さ(tc)と第1封止材の厚さ(tm)との比(tc/tm)を0.40、コア基板の厚さ(ts)と第1封止材の厚さ(tm)との比(ts/tm)を0.24にした以外は、実施例1と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1封止材の厚さ(tm)を450μm、第1半導体素子の厚さ(tc)を300μmに変え、第1半導体素子の厚さ(tc)と第1封止材の厚さ(tm)との比(tc/tm)を0.67、コア基板の厚さ(ts)と第1封止材の厚さ(tm)との比(ts/tm)を0.13にした以外は、実施例1と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1封止材の厚さ(tm)を450μm、第1半導体素子の厚さ(tc)を200μmに変え、第1半導体素子の厚さ(tc)と第1封止材の厚さ(tm)との比(tc/tm)を0.44、コア基板の厚さ(ts)と第1封止材の厚さ(tm)との比(ts/tm)を0.13にし、第1半導体素子上側の封止材の厚さ(tm1)を250μmに変えた以外は、実施例1と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1封止材の厚さ(tm)を500μm、第1半導体素子の厚さ(tc)を300μmに変え、第1半導体素子の厚さ(tc)と第1封止材の厚さ(tm)との比(tc/tm)を0.60にし、コア基板の厚さ(ts)と第1封止材の厚さ(tm)との比(ts/tm)を0.12にし、第1半導体素子上側の封止材の厚さ(tm1)を200μmに変えた以外は、実施例1と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第2半導体素子のサイズが10mm×10mmであり、第2半導体パッケージをMAP方式によって製造した以外は、実施例1と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。第2コア基板の面内方向熱膨張係数は5ppmであり、厚み方向熱膨張係数は12ppmであった。
尚、MAP方式によって製造した前記第2半導体パッケージは、基板(サイズ107mm×61mm)上の47mm×89mmのエリアに封止し、それをダイシングすることで14mm×14mmのパッケージを得た。
第2半導体素子のサイズが8mm×8mmであり、第2半導体パッケージを製造する際に、封止なしで、フリップチップ(FC)実装によって第2半導体素子を第2パッケージ基板に搭載した以外は、実施例1と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1パッケージ基板のコア基板及び第2パッケージ基板のコア基板を日立化成工業社製のCL−E−679FG(25℃における弾性率を23GPa、250℃における弾性率を9GPa、面内方向熱膨張率を15ppm、厚み方向熱膨張率を32ppm)に変えた以外は実施例1と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1パッケージ基板のコア基板及び第2パッケージ基板のコア基板をCL−E−679FG(日立化成工業社製)に変えた以外は実施例2と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1パッケージ基板のコア基板及び第2パッケージ基板のコア基板をCL−E−679FG(日立化成工業社製)に変えた以外は実施例3と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1パッケージ基板のコア基板及び第2パッケージ基板のコア基板をCL−E−679FG(日立化成工業社製)に変えた以外は実施例4と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1パッケージ基板のコア基板及び第2パッケージ基板のコア基板をCL−E−679FG(日立化成工業社製)に変えた以外は実施例5と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1パッケージ基板のコア基板及び第2パッケージ基板のコア基板をCL−E−679FG(日立化成工業社製)に変えた以外は実施例6と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
第1パッケージ基板のコア基板及び第2パッケージ基板のコア基板をCL−E−679FG(日立化成工業社製)に変えた以外は実施例7と同様に第1半導体パッケージ、第2半導体パッケージ、及びPoP構造の半導体装置を作製した。
前記実施例及び比較例で得られたコア基板の銅箔を全面エッチングし、15mm×20mmの試験片を作製し、島津製作所社製オートグラフAG−ISを用い3点曲げ試験により弾性率を求めた。
測定条件は、ヘッドスピード0.5m/min、支点距離2mmとし、5℃/分で20℃〜300℃まで昇温させ、25℃、及び250℃の弾性率を測定した。
前記実施例及び比較例で得られたコア基板の銅箔を全面エッチングし、5mm×20mmの試験片を作製し、TMA装置(TAインスツルメント社製)を用いて5℃/分の条件で、50℃〜100℃における面内方向(XY方向)の線膨張係数、及び厚み方向(XZ方向)の線膨張係数を測定した。
トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力9.8MPa、硬化時間120秒の条件下で、前記エポキシ樹脂組成物を注入成形して、直径100mm、厚さ3mmの試験片を作製した。175℃での金型キャビティの内径寸法と、室温(25℃)での試験片の外径寸法とを測定し、下記式(イ)により収縮率を算出した。
収縮率(%)={(175℃での金型キャビティの内径寸法)−(25℃での円盤の硬化物の外径寸法)}/(175℃での金型キャビティの内径寸法)×100(%) 式(イ)
前記実施例および比較例で作製した第1半導体パッケージ及び第2半導体パッケージの反りは、温度可変レーザー三次元測定機(LS200−MT100MT50:株式会社ティーテック社製)を用いて、常温における半導体パッケージの反りの測定を行った。測定範囲は13mm×13mmの範囲で、半導体素子搭載面とは反対側のBGA面にレーザーを当てて測定を行い、レーザーヘッドからの距離が、最遠点と最近点の差を反りとした。
半導体装置のマザーボード実装性は、前記実施例及び比較例で作製した半導体装置をマザーボード実装後にフライングチェッカー(1116X−YCハイテスタ:HIOKI社製)で評価した。100箇所導通試験し、断線した箇所を調べた。各符号は、以下の通りである。
◎:断線箇所が無かった。
○:断線箇所が1〜10箇所であった。
△:断線箇所が11〜50箇所であった。
×:断線箇所が51箇所以上であった。
前記実施例及び比較例で得られた半導体装置をフロリナート中で−55℃10分、125℃10分、−55℃10分を1サイクルとして、1000サイクル処理後、フライングチェッカー(1116X−YC ハイテスタ:HIOKI社製)で評価した。100箇所導通試験し、断線した箇所を調べた。各符号は、以下の通りである。
◎:断線箇所が無かった。
○:断線箇所が1〜10箇所であった。
△:断線箇所が11〜50箇所であった。
×:断線箇所が51箇所以上であった。
また、実施例1〜7(特に実施例3および5)は、同構成の比較例1〜7に比べ、半導体装置のマザーボード実装信頼性および接続信頼性にも優れていた。
11 第1半導体素子
12 第1封止材
13 ボンディングワイヤ
14 回路配線部
15 コア基板
151 樹脂層
16 ダイアタッチフィルム
2 第2パッケージ基板
21 第2半導体素子
22 第2封止材
23 ボンディングワイヤ
24 回路配線部
25 コア基板
251 樹脂層
26 ダイアタッチフィルム
27 半田バンプ
3 半田バンプ
100 半導体装置
200 半導体装置
Claims (14)
- コア基板を有するプリント配線板に半導体素子が搭載され、前記半導体素子の上部及び/又は側面が封止材に覆われた半導体パッケージであって、
前記半導体素子の厚さ(tc)と、前記封止材の厚さ(tm)との比(tc/tm)が0.4以上、且つ、半導体素子上側の封止材の厚さ(tm1)が250μm以下であり、前記コア基板の厚さ(ts)と、前記封止材の厚さ(tm)との比(ts/tm)が0.12〜0.4であり、前記コア基板の厚さ(ts)が100μm以下であり、前記コア基板の常温での弾性率が26GPa以上であることを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記コア基板の面内方向における熱膨張係数が、14ppm以下である請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記コア基板の厚み方向における熱膨張係数が30ppm以下である請求項1または2に記載の半導体パッケージ。
- 前記半導体素子の厚さが、30〜400μmである請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
- 前記コア基板の250℃における弾性率(Es1)が、15GPa以上である請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
- 前記コア基板を構成する樹脂組成物は、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂及びビスマレイミドトリアジン樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
- 前記封止材の成形収縮率が、0.05〜0.6%である請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
- 前記請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体パッケージを第1の半導体パッケージとし、
コア基板を有するプリント配線板に半導体素子が搭載された他の半導体パッケージを第2の半導体パッケージとし、
第1の半導体パッケージを第2の半導体パッケージ上に積層し、第1及び第2の半導体パッケージ間を電気的接続してなる、請求項7に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体パッケージはプリント配線板の半導体素子が搭載されていない面を下面とし、当該下面に出入力パッドを有し、
前記第2の半導体パッケージはプリント配線板の半導体素子が搭載された面または搭載されていない面を上面とし、当該上面に出入力パッドを有し、
第1の半導体パッケージを第2の半導体パッケージ上に積層し、第1の半導体パッケージ下面の前記出入力パッドと第2の半導体パッケージ上面の前記出入力パッドを電気的接続してなる、請求項8に記載の半導体装置。 - 前記第2の半導体パッケージのコア基板の面内方向における熱膨張係数が14ppm以下である請求項8又は9に記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体パッケージのコア基板の厚み方向における熱膨張係数が30ppm以下である請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体パッケージが個片封止によって得られることを特徴とする、請求項8乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体パッケージがMAP方式によって得られることを特徴とする、請求項8乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体パッケージが有する半導体素子がフリップチップ実装によりプリント配線板に搭載されていることを特徴とする、請求項8乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。
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