JP2013058576A - 半導体パッケージ用配線板 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体パッケージが薄型化されても、使用環境下やリフロー実装時の温度変化による半導体パッケージの反りを低減でき、半導体パッケージと実装基板とのはんだ接続部の耐温度サイクル性を向上できる半導体パッケージ用配線板を提供する。
【解決手段】少なくとも層間絶縁層１４及び該層間絶縁層１４の表面に形成された配線層１５を有するコア層１１と、はんだバンプ３を介して実装基板２に電気的及び機械的に接続される電極パッド２２とを備え、半導体素子４が接続されるとともに、実装基板２と接続される半導体パッケージ用配線板５であって、該電極パッド２２よりもコア層側に配置されており該電極パッド２２に接する応力緩和層２１を有し、該コア層１１の層間絶縁層１４の平面方向の２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数が５．５×１０^-6／℃以下であり、該応力緩和層２１の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子が接続されるとともに、はんだを介して実装基板に電気的及び機械的に接続される半導体パッケージ用配線板に関する。

近年、携帯型電話機、ノート型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）などの電子機器の薄型化が一段と進んでいる。これに伴い、電子機器に内蔵される半導体パッケージにも薄型化が望まれている。ここで、半導体パッケージとは、半導体パッケージ用配線板に半導体素子が搭載されたものを指す。
半導体パッケージの薄型化が進むと、半導体素子の熱膨張係数と、半導体パッケージ用配線板の熱膨張係数との差により、使用環境下において半導体パッケージが反ったり、リフローはんだによる実装基板への取り付け工程において半導体パッケージが反ったりすることが起こり得る。これにより、半導体パッケージを実装基板へ取り付ける工程における歩留まりの低下を招く。これに対して、半導体パッケージ用配線板の熱膨張係数を半導体素子の熱膨張係数に近づける対処が採られている。

電子機器の薄型化に伴って、半導体パッケージと、半導体パッケージが接続される実装基板との間にも熱膨張係数差の問題がある。しかし、この問題についても同様に、半導体パッケージの熱膨張係数と実装基板の熱膨張係数とを少しでも近づけることで解消できると考えられる。

ところが、電子機器の高機能化に伴い、実装基板の回路は複雑化し多層化されているとともに、コストの問題から低熱膨張基材の適用が望まれないため、半導体パッケージと比べて、実装基板の熱膨張係数の低下傾向の方が緩やかである。このため、実装基板の熱膨張係数と、半導体パッケージの熱膨張係数とを近づけるように調整することは、依然として困難性が高い。
半導体パッケージの熱膨張係数と実装基板の熱膨張係数との差が増加すると、半導体パッケージと実装基板との接続部において、加熱と冷却を繰り返すことに対する耐性（耐温度サイクル性）の低下が懸念される。

耐温度サイクル性を向上させる代表的な手法としては、半導体パッケージの熱膨張係数と実装基板の熱膨張係数とを近づける手法のほかに、アンダフィル材のような補強材料を、半導体素子と半導体パッケージ用配線板との接続部の周辺に充填する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、アンダフィル材を充填する手法は、半導体素子と半導体パッケージ用配線板との接続部を補強するものであり、半導体パッケージ自体の反りを低減するものではない。
このように、半導体パッケージの薄型化が進むほど、半導体パッケージの反り抑制と，半導体パッケージと実装基板との接続部の耐温度サイクル性の向上を両立することが困難になるのが実情であった。

特公平６−７１０３０

本発明の目的は、半導体パッケージが薄型化されても、使用環境下やリフロー実装時の温度変化による半導体パッケージの反りを低減し、半導体パッケージと実装基板とのはんだ接続部の耐温度サイクル性を向上できる半導体パッケージ用配線板を提供することにある。

本発明者らは上記の課題を解決すべく検討を進めた結果、半導体パッケージ用配線板を構成するコア層の層間絶縁層の平面方向の２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数を特定の範囲に設定するとともに、電極パッドのコア層側に配置されており該電極パッドに接する特定の弾性率を有する応力緩和層を形成することによって、使用環境下やリフロー実装時の温度変化による半導体パッケージの反りを低減できるような熱膨張係数に設定しても、半導体パッケージと実装基板との応力差を緩和し、接続部の耐温度サイクル性を向上できることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。

本発明は、以下の内容を含む。
＜１＞少なくとも層間絶縁層及び該層間絶縁層の表面に形成された配線層を有するコア層と、はんだを介して実装基板に電気的及び機械的に接続される電極パッドとを備え、半導体素子が接続されるとともに、実装基板と接続される半導体パッケージ用配線板であって、該電極パッドのコア層側に配置されており該電極パッドに接する応力緩和層を有し、該コア層の層間絶縁層の平面方向の２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数が５．５×１０^-6／℃以下であり、該応力緩和層の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下である半導体パッケージ用配線板。
＜２＞前記コア層の層間絶縁層の平面方向の１６５℃〜２６０℃の平均の熱膨張係数が７．５×１０^-6／℃以下である＜１＞の半導体パッケージ用配線板。
＜３＞前記応力緩和層の厚みが２μｍ以上である＜１＞又は＜２＞の半導体パッケージ用配線板。
＜４＞前記コア層の層間絶縁層の厚さが、前記半導体パッケージ用配線板の厚みの３０％以上を占める＜１＞〜＜３＞の半導体パッケージ用配線板。
＜５＞前記コア層の層間絶縁層がガラスクロスを有し、該ガラスクロスがＳガラスからなる＜１＞〜＜４＞の半導体パッケージ用配線板。
＜６＞前記コア層の層間絶縁層がシロキサン樹脂、ポリイミド樹脂、及びエポキシ樹脂を含む樹脂成分から形成されており、該樹脂成分１００質量部に対して１００〜２５０質量部のシリカを含有する＜１＞〜＜５＞の半導体パッケージ用配線板。
＜７＞前記コア層の層間絶縁層がシロキサン樹脂及びシアネート樹脂を含む樹脂成分から形成されており、該樹脂成分１００質量部に対して１００〜２００質量部のシリカを含有する＜１＞〜＜５＞の半導体パッケージ用配線板。

本発明によれば、半導体パッケージが薄型化されても、使用環境下やリフロー実装時の温度変化による半導体パッケージの反りを低減し、半導体パッケージと実装基板とのはんだ接続部の耐温度サイクル性を向上できる半導体パッケージ用配線板を提供できる。

本発明の第1実施形態に係る半導体パッケージ用配線板が適用された半導体パッケージ及び半導体パッケージが接続される実装基板を説明する部分断面図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体パッケージ用配線板が適用された半導体パッケージ及び半導体パッケージが接続される実装基板を説明する部分断面図である。 評価試験用の半導体パッケージ用配線板のサイズ、及び配線パターンを説明する平面図である。 評価試験用の半導体パッケージ、１パッケージ分の領域を拡大した平面拡大図である。 評価試験用の半導体パッケージに用いられる実装基板を説明する平面図である。

本発明の半導体パッケージ用配線板は、少なくとも層間絶縁層及び該層間絶縁層の表面に形成された配線層を有するコア層と、はんだを介して実装基板に電気的及び機械的に接続される電極パッドとを備え、半導体素子が接続されるとともに、実装基板と接続される半導体パッケージ用配線板であって、該電極パッドのコア層側に配置されており該電極パッドに接する応力緩和層を有し、該コア層の層間絶縁層の平面方向の２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数が５．５×１０^-6／℃以下であり、該応力緩和層の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下である。

［半導体パッケージの構造］
以下、本発明の一例として、第１実施形態及び第２実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体パッケージ用配線板が適用された半導体パッケージ及び半導体パッケージが接続される実装基板を説明する部分断面図である。
図１に示す半導体パッケージ１は、実装基板２に、はんだバンプ３によって電気的及び機械的に接続されている。はんだバンプ３とは、半導体パッケージ１と実装基板２とを接続する接続用電極であって、はんだボールやはんだペースト等で作製されている。
半導体パッケージ１は、半導体素子４と、半導体パッケージ用配線板５と、アンダフィル材７とを含む。半導体素子４は、半導体パッケージ用配線板５に、はんだバンプ６によって電気的及び機械的に接続されており、アンダフィル材７によって補強されている。

半導体パッケージ用配線板５は、コア層１１と、コア層１１の一方の表面に形成されたビルドアップ層１２と、コア層１１の他方の表面に形成されたビルドアップ層１３とを有する。
コア層１１は、半導体パッケージ用配線板５のコアを形成する層間絶縁層１４と、層間絶縁層１４の表面に配置された配線層１５とを有する。
ビルドアップ層１２は、層間絶縁層１６と配線層１７とを有する。配線層１７は、層間絶縁層１６がコア層１１の配線層１５と接する側と反対側の表面の所定領域に形成される。配線層１７が形成されていない層間絶縁層１６の表面、及び配線層１７の表面は、ソルダレジスト層１８により覆われている。
コア層１１の他方の表面に形成されるビルドアップ層１３は、層間絶縁層１９と、配線層２０と、層間絶縁層１９と配線層２０との間に配置されて層間絶縁層１９と配線層２０とに接する応力緩和層２１とを有する。
配線層２０は、層間絶縁層１９が配線層１５と接する側と反対側の表面の所定領域に形成された応力緩和層２１の表面に形成される。配線層２０の一部には、はんだバンプ３が接続される電極パッド２２が形成される。配線層２０が形成されていない応力緩和層２１の表面、層間絶縁層１９の表面に応力緩和層２１が形成されていないときは層間絶縁層１９の表面、及び配線層２０の表面であって電極パッド２２を除く部分は、ソルダレジスト層２３により覆われている。

図1に示すように、半導体パッケージ用配線板５が複数の層間絶縁層と複数の配線層とを有する場合には、応力緩和層２１は、実装基板２と電気的及び機械的に接続される電極パッド２２と層間絶縁層１９との間に配置される。
半導体パッケージ１が接続される実装基板２の表面には、配線層３１が形成されている。配線層３１の一部には、はんだバンプ３が接続される電極パッド３２が形成されている。
配線層３１が形成されていない実装基板２の表面、及び配線層３１の表面であって、電極パッド３２を除く部分は、ソルダレジスト層３３により覆われている。

図１には省略されているが、半導体パッケージ用配線板５には、配線層１５，１７，２０を半導体パッケージ用配線板５の厚み方向に接続するビアホールやスルーホールが形成されていてもよい。
また、図１には図示されていないが、半導体素子４の入出力端子が半導体パッケージ用配線板５の配線層に、はんだバンプにより接続するフリップチップ方式（フェイスダウン実装）のものが説明されている。しかし、半導体素子４が半導体パッケージ用配線板５に固定されるとともに電気的に接続されればよく、フリップチップ方式に限定されない。
例えば、半導体素子４の入出力端子から導出された金ワイヤなどによって、半導体パッケージ用配線板５の配線層に直接金属間接合するワイヤボンド方式（フェイスアップ実装）であってもよい。

＜第２実施形態＞
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体パッケージ用配線板５が適用された半導体パッケージ１及び半導体パッケージ１が接続される実装基板２を説明する部分断面図である。図１に示す半導体パッケージ用配線板５と同一の構成は、同一の番号を付して詳細な説明は省略する。
図１に示す半導体パッケージ用配線板５は、ビルドアップ層１２及び１３が形成されている場合について説明した。しかし、ビルドアップ層は必ずしも形成されなくてもよい。図２に示す半導体パッケージ用配線板５は、半導体素子４が配置される表面の反対側にビルドアップ層１３が形成されていない。
すなわち、半導体パッケージ用配線板５では、コア層１１は、層間絶縁層１４と、配線層１５と、層間絶縁層１４と配線層１５との間に配置されて層間絶縁層１４と配線層１５とに接する応力緩和層４１とを有する。
配線層１５の一部には、はんだバンプ３が接続される電極パッド４２が形成される。配線層１５が形成されていない応力緩和層４１の表面、層間絶縁層１４の表面に応力緩和層４１が形成されていないときは層間絶縁層１４の表面、及び配線層１５の表面であって電極パッド４２を除く部分は、ソルダレジスト層４３により覆われている。

［半導体パッケージ用配線板の各層の説明］
＜コア層＞
コア層１１として、両面プリント配線板を使用することができる。両面プリント配線板は、例えば、層間絶縁層１４の表面に形成された配線パターンと裏面に形成された配線パターンとが層間絶縁層１４を貫通するめっきスルーホールで電気的に接続されたものである。

（コア層の層間絶縁層を形成する樹脂組成物）
コア層１１を形成する層間絶縁層１４用の樹脂組成物としては、絶縁層を形成することのできる従来の樹脂組成物であれば適用可能である。通常、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂の硬化剤とを含有する熱硬化性樹脂組成物を加熱及び加圧して作製される硬化物を適用可能である。熱硬化性樹脂としては、シロキサン樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。
例えば、コア層１１を形成する層間絶縁層１４は、シロキサン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂を含む樹脂成分１００質量部に対してシリカ１００〜２５０質量部を含有する樹脂組成物から形成することができる。
また、層間絶縁層１４は、シロキサン樹脂、シアネート樹脂を含む樹脂成分１００質量部に対してシリカ１００〜２００質量部を含有する樹脂組成物から形成することができる。

シロキサン樹脂としては、一般式（Ｉ）で示される構造の水酸基を含有するシロキサン樹脂を用いることができる。なかでも、シロキサン樹脂の両末端がフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、又はアミノ基であると好ましい。

（式中、Ｒ₁は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又はアルキレンオキシ基，Ａｒ₁は各々独立に単結合、アリーレン基又は炭素数１〜５のアルキレン基であり、ｍは５〜１００の整数である。）

両末端にフェノール性水酸基を有するシロキサン樹脂の市販品としては、例えば、信越化学工業株式会社製、商品名Ｘ−２２−１８２１（水酸基価：３５ＫＯＨｍｇ／ｇ）、商品名Ｘ−２２−１８２２（水酸基価：２０ＫＯＨｍｇ／ｇ）が挙げられる。
また、両末端にアルコール性水酸基を有するシロキサン樹脂の市販品としては、例えば、信越化学工業株式会社製、商品名Ｘ−２２−１６０ＡＳ（水酸基価：１１２ＫＯＨｍｇ／ｇ）、商品名Ｘ−２２−４０１５（水酸基価：２７ＫＯＨｍｇ／ｇ）等が挙げられる。
また、例えば、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名ＫＦ−６００１（水酸基価：６２ＫＯＨｍｇ／ｇ）、商品名ＫＦ−６００２（水酸基価：３５ＫＯＨｍｇ／ｇ）、商品名ＫＦ−６００３（水酸基価：２０ＫＯＨｍｇ／ｇ）等が挙げられる。
また、アミノ基を含有するシロキサン樹脂の市販品としては、例えば、信越化学工業株式会社製、商品名Ｘ−２２−１６１Ａ（アミノ基当量；８００）が挙げられる。

ポリイミド樹脂としては、例えば、１分子中に少なくとも２個のＮ−置換マレイミド基を有するマレイミド化合物（成分Ａ）と、酸性置換基を有するアミン化合物（成分Ｂ）とを反応させて得られる樹脂である。このような樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として働く。成分Ａと成分Ｂとは、別途反応させた後、樹脂組成物に添加してもよいし、樹脂組成物を作製する際に、同時に添加してもよい。
成分Ａの例としては、例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン、ビス（４−マレイミドフェニル）エーテル、ビス（４−マレイミドフェニル）スルホン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミド、４−メチル−１，３−フェニレンビスマレイミド、ｍ−フェニレンビスマレイミド、２，２−ビス−（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン等が挙げられる。
これらの中で、反応率が高く、より高耐熱性化できるビス（４−マレイミドフェニル）メタン、ｍ−フェニレンビスマレイミド及びビス（４−マレイミドフェニル）スルホンが好ましく、安価である点からｍ−フェニレンビスマレイミド及びビス（４−マレイミドフェニル）メタンがより好ましく、溶媒への溶解性の点からビス（４−マレイミドフェニル）メタンが特に好ましい。
成分Ｂの例としては、例えば、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、ｏ−アミノフェノール、ｐ−アミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸、ｏ−アミノ安息香酸、ｏ−アミノベンゼンスルホン酸、ｍ−アミノベンゼンスルホン酸、ｐ−アミノベンゼンスルホン酸、３，５−ジヒドロキシアニリン、３，５−ジカルボキシアニリン等が挙げられる。
これらの中で、溶解性や合成の収率の点からｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、ｐ−アミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸及び３，５−ジヒドロキシアニリンが好ましく、耐熱性の点からｍ−アミノフェノール及びｐ−アミノフェノールがより好ましい。

シアネート樹脂としては、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、ビスフェノールＦ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等が挙げられる。これらのうち１種又は２種以上を混合して使用することができる。
中でも、誘電特性、耐熱性、難燃性、低熱膨張性、及び安価である点から、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、又は一般式（ＩＩ）に示すノボラック型シアネート樹脂が好ましい。

（ｎは、０又は１以上の整数である。）
一般式（ＩＩ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し数ｎは、特に限定されないが、１〜３０が好ましい。１より少ないと結晶化しやすくなり取り扱いが困難となる場合がある。また、３０より多いと硬化物が脆くなる場合がある。
ビスフェノールＡ型シアネート樹脂の市販品としては、ロンザジャパン株式会社製、商品名Ａｒｏｃｙ Ｂ−１０が挙げられる。また、ノボラック型シアネート樹脂の市販品としては、ロンザジャパン株式会社製、商品名プリマセットＰＴ−３０（重量平均分子量５００〜１，０００）、商品名プリマセットＰＴ−６０（重量平均分子量２，０００〜３，０００）等が挙げられる。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂，ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
エポキシ樹脂の硬化剤としては、特に制限はないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、アミノトリアジンノボラック樹脂、ビスマレイミド含有アミノトリアジンノボラック樹脂等が好ましい。
硬化剤の量は、エポキシ基に対して０．５〜１．５当量とすることが好ましく、０．７５〜１．２５当量とすることがより好ましい。

シリカとしては、溶融シリカを用いることができる。溶融シリカの市販品としては、アドマテック社製の商品名ＳＯ−２５Ｒ）等が挙げられる。本発明の熱硬化性樹脂組成物において、溶融シリカの配合量は、樹脂成分１００質量部に対して１００〜２５０質量部とすることが好ましい。

層間絶縁層１４用の樹脂組成物は、必要に応じて、難燃剤、無機充填材等を含有していてもよい。難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有樹脂、リン含有樹脂、窒素含有樹脂等が挙げられる。
無機充填材としては、例えば、破砕シリカ、マイカ、タルク、ガラス短繊維又は微粉末及び中空ガラス、炭酸カルシウム、石英粉末、金属水和物等が挙げられる。これらの中で、低熱膨張性や高弾性、耐熱性、難燃性の点から、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水和物を使用することが好ましい。
シリカを除いた無機充填材の量は、溶剤を除く全固形分中で２０〜８０質量％とすることが好ましく、３０〜７０質量％とすることがより好ましい。

（層間絶縁層の構成）
コア層１１を形成する層間絶縁層１４は、通常、上述した熱硬化性樹脂組成物がＢステージ化したシート状の樹脂組成物から形成することができる。コア層１１を形成する層間絶縁層１４は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物が基材に含浸し、乾燥してＢステージ化して作製されたものでもよい。また、熱硬化性樹脂組成物のワニス溶液を基材に含浸することなく、乾燥してＢステージ化したものでもよい。基材としては、例えば、ガラス織布やガラス不織布等のガラスクロスが挙げられる。
ガラスクロスなどの基材を用いた場合には、基材を用いない場合と比較して、平面方向の熱膨張係数が小さくなる傾向がある。このため、コア層１１を形成する層間絶縁層１４には、ガラスクロスなどの基材を用いることが好ましい。
ガラスクロスに用いられるガラスの種類は、特に限定されるものではないが、一般的に広くＦＲＰ用ガラスクロスに用いられるアルミノケイ酸ガラスが好適である。中でも、シリカ成分を増量して熱膨張係数を低下させた、いわゆるＳガラスを用いることが好ましい。
シリカ成分は、ガラスクロス１００質量部に対して６０〜７０質量部含まれることが好ましく、６４〜６６質量部含まれることがより好ましい。シリカ成分が６０質量部未満になると、層間絶縁層の熱膨張係数を低減させる効果が低くなる。また、シリカ成分が７０質量部を超えるとガラスクロスが割れ易くなり、半導体パッケージ用配線板が脆くなる傾向がある。

（層間絶縁層の物性）
コア層１１を形成する層間絶縁層１４の厚みｄは、半導体パッケージ用配線板５の厚みＤの３０％以上を占めることが好ましく、４０％以上であることがより好ましい。コア層１１を形成する層間絶縁層１４の厚みｄが半導体パッケージ用配線板５の厚みＤに占める割合が３０％以上であると、半導体パッケージ１の反りを低減する効果が得られる。
また、コア層１１を形成する層間絶縁層１４の厚みｄに特に制限はないが、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、０．０８ｍｍ以上であることがより好ましい。層間絶縁層１４の厚みｄが０．０５ｍｍ以上であると、層間絶縁層１４単体の反りを抑制できる。

コア層１１を形成する層間絶縁層１４の平面方向の２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数は、５．５×１０^-6／℃以下であり、４．５×１０^-6／℃以下であることがより好ましい。熱膨張係数が５．５×１０^-6／℃より高くなると、半導体パッケージ１の反りが大きくなる。
また、コア層１１を形成する層間絶縁層１４の平面方向の１６５℃〜２６０℃の平均の熱膨張係数は、７．５×１０^-6／℃以下であることが好ましく、４．５×１０^-6／℃以下であることがより好ましい。熱膨張係数が７．５×１０^-6／℃以下であると、半導体パッケージ１の反りを抑制できる。

コア層１１を形成する層間絶縁層１４の平面方向の２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数、及び１６５℃〜２６０℃の平均の熱膨張係数は、上記（層間絶縁層の構成）で説明した構成によって達成される。すなわち、層間絶縁層を形成する樹脂組成物、樹脂組成物へのシリカの配合量、コア層を形成するガラスクロスなどの基材の種類、基材としてのガラスクロスにおけるシリカ成分量、半導体パッケージ用配線板の厚みに対するコア層を形成する層間絶縁層の厚み比などである。
本発明において、層間絶縁層の平面方向の熱膨張係数とは、層間絶縁層の厚み方向に垂直な方向における線膨張係数を意味し、次のように測定されるものである。
層間絶縁層を形成する樹脂組成物が半硬化状態になったものを積層してプレス成型し、合計厚みが０．２ｍｍとなるようにしたものをテストサンプルとして使用して、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメンツ製、装置名：ＴＡ２９４０）を用いて測定する。テストサンプルのサイズは、長さ５ｍｍ×幅５ｍｍ、測定モードは圧縮、印可加重は０．０５Ｎ、昇温速度は１０℃／分とする。装置内でサンプルの温度を２３０℃程度まで上げ、その後１０℃まで冷却する前処理を行ってから測定を開始し、得られた２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数、及び１６５℃〜２６０℃の平均の熱膨張係数を算出する。

＜ビルドアップ層＞
（ビルドアップ層の層間絶縁層を形成する樹脂組成物）
ビルドアップ層１２及び１３を形成する層間絶縁層１６及び１９は、コア層１１を形成する層間絶縁層１４用の樹脂組成物と同様のものが用いられる。
ビルドアップ層１２及び１３を形成する層間絶縁層１６及び１９の厚みは、それぞれ２００μｍ〜１０μｍとすることができ、より好ましくは、１００〜２０μｍである。ビルドアップ層の厚みが２００μｍ以下であれば、半導体パッケージ１の反りを抑制することができる。また、ビルドアップ層の厚みが１０μｍ以上であれば、良好な層間絶縁性を得ることができる。

ビルドアップ層１２及び１３を形成する層間絶縁層１６及び１９用の樹脂組成物は、必要に応じて、それぞれ難燃剤、無機充填材等を含有していてもよい。難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有樹脂、リン含有樹脂、窒素含有樹脂等が挙げられる。無機充填材としては、例えば、アルミナ、シリカ、無機水和物充填材、アルミノケイ酸塩、水酸化アルミニウム等が挙げられる。

ビルドアップ層１２及び１３を形成する層間絶縁層１６及び１９は、コア層１１を形成する層間絶縁層１４と同様に、熱硬化性樹脂組成物がＢステージ化したシート状の樹脂組成物から形成されていてもよい。また、熱硬化性樹脂組成物が、ガラスクロスなどの基材に含浸し、乾燥してＢステージ化して作製されてものでもよい。

＜応力緩和層＞
（応力緩和層を形成する樹脂組成物）
応力緩和層を形成する樹脂組成物としては、該応力緩和層の２５℃の弾性率を２．５ＧＰａ以下にすることができる樹脂組成物であり、層間絶縁層と配線層との両者に対する密着性が良好な樹脂組成物を用いる必要がある。
応力緩和層を形成する樹脂組成物としては、低弾性率性を示すエポキシ樹脂やポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂など、どのような樹脂でも構わない。
これらの樹脂を低弾性率化するために、ゴム成分等を添加しても構わないし、長鎖な脂肪族炭化水素鎖やエチレングリコール鎖を導入した樹脂を用いても構わない。

（応力緩和層の物性）
応力緩和層の２５℃の弾性率は、２．５ＧＰａ以下であり、１．８ＧＰａ以下がより好ましい。応力緩和層の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａより高くなると、はんだバンプや電極パッドにかかる応力を低減する効果が十分に得られなくなり、耐温度サイクル性が低下する傾向にある。また、応力緩和層の２５℃の弾性率は、０．２ＧＰａ以上であることが好ましい。０．２ＧＰａを下回ると、配線層の平坦性が確保できなくなるため、好ましくない。
応力緩和層の厚みは、２μｍ以上であることが好ましく、４μｍ以上であることがより好ましい。応力緩和層の厚みが２μｍ以上であると、はんだバンプや電極パッドにかかる応力を低減する効果が十分に得られ、耐温度サイクル性を向上できる。また、応力緩和層の厚みは、１０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍ以下であれば、配線層の平坦性を確保できる。

応力緩和層の２５℃の弾性率は、上述した樹脂組成物の配合、応力緩和層の厚みによって達成される。本発明において、応力緩和層の弾性率は、次のように測定されるものである。
測定対象のサンプルは、測定の都合上、ある程度の厚みが必要となるため、測定対象の応力緩和層を合計厚みが０．４ｍｍとなるように複数枚積層してプレス成型したものをテストサンプルとして使用して、引張曲げ試験機（島津製作所製、装置名：テンシロン）を用いて測定する。テストサンプルのサイズは、長さ５０ｍｍ×幅２５ｍｍ×厚さ０．４ｍｍ、測定モードは、３点曲げで、サンプルの支持スパンは、２０ｍｍ、冶具の変位速度は１ｍｍ／分とする。

＜配線層＞
コア層１１及びビルドアップ層１２及び１３に形成される配線層１５，１７及び２０の材質としては、例えば、銅が挙げられる。配線層１５，１７及び２０の厚みは、それぞれ３〜２０μｍであることが好ましく、５〜１８μｍであることがより好ましい。３μｍ以上であると、配線層の剛性を高めることができ、半導体パッケージ１の反りを抑制できる。また、配線層１５，１７及び２０の厚みが２０μｍ以下であると、配線層の表面に、層間絶縁層などの層を更に形成する場合に、作業性及び成形性が良好になる。
配線層に形成される電極パッドは、通常、図１，２に示すように、電極パッド２２及び４２の一部がソルダレジスト層２３及び４３で覆われるＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ−Ｍａｓｋ−Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプとすることができる。また、電極パッドがソルダレジスト層で覆われないＮＳＭＤ（Ｎｏｎ−Ｓｏｌｄｅｒ−Ｍａｓｋ−Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプとすることもできる。電極パッド２２及び４２に施す後処理は、特に限定されない。例えば、半導体パッケージ１と実装基板２との接続に用いるはんだバンプの受けはんだを施してもよく、Ｎｉ−Ａｕめっきなどの保護めっきを施してもよい。

＜半導体パッケージ用配線板の物性＞
半導体パッケージ用配線板と構成する各層の厚さは、以下のようにすることが好ましい。
すなわち、コア層の厚みは、３０〜３００μｍであり、ビルドアップ層を有する場合、ビルドアップ層の厚みは、１０〜２００μｍであり、各配線層の厚みは、３〜３０μｍであり、ソルダレジスト層の厚みは、５〜３０μｍである。また、各配線層の残銅率は９０％以下であることが好ましい。
各層を合成した半導体パッケージ用配線板の合計厚みＤは、０．１〜０．５ｍｍであることが好ましい。半導体パッケージ用配線板の厚みＤは、さらには０．４ｍｍ以下が好ましい。厚みＤが０．５ｍｍより厚いものは、半導体パッケージ用配線板の剛性が十分に得られ、「反り」が発生しにくいため、応力緩和層による反りの低減効果が小さい。

［半導体パッケージ用配線板の製造方法］
半導体パッケージ用配線板の製造方法について説明する。半導体パッケージ用配線板のコア層の両面にビルドアップ層を形成する場合（図１に示す第１実施形態に相当）と、コア層の実装基板側の表面にはビルドアップ層を形成しない場合（図２に示す第２実施形態に相当）とがある。ビルドアップ層には、ガラスクロスを含むビルドアップ層と、ガラスクロスを含まないビルドアップ層とがある。

＜半導体パッケージ用配線板のコア層の外側にビルドアップ層を形成する場合＞
（ガラスクロスを含むビルドアップ層）
以下に示す製造工程を経ることにより、ガラスクロスを含有するビルドアップ層を有する半導体パッケージ用配線板を作製できる。
まず、コア層を作製する。層間絶縁層用の樹脂組成物をガラスクロスに含浸し、加熱して半硬化のプリプレグを得る。プリプレグの両面に配線層として銅箔を配置し、プレスにより貼り合わせ、銅張り積層板を作製する。必要に応じて、銅張り積層板にスルーホール形成及びスルーホール内壁めっき処理を行う。銅箔をエッチングすることによって、コア層の表裏に配線パターンを形成する。
続いて、ビルドアップ層を形成する。ビルドアップ層の層間絶縁層用の樹脂組成物をビルドアップ層用のガラスクロスに含浸し、加熱して半硬化したプリプレグを作製する。このプリプレグを上記コア層の両面に配置する。さらにその外側に銅箔を配置する。
このとき、プリプレグの実装基板側の表面には、予め応力緩和層が配置された銅箔を、応力緩和層がプリプレグに接するように配置する。これらをプレスにより貼り合わせる。必要に応じて、炭酸ガスレーザ等により、インナービアホールを形成するための所定の加工を行う。
続いて、銅箔をエッチングして、表裏の配線パターンを形成する。必要に応じて、配線パターンの上にソルダレジスト層を塗布する。

（ガラスクロスを含まないビルドアップ層）
以下に示す製造工程を経ることにより、ガラスクロスを含まないビルドアップ層を有する半導体パッケージ用配線板を作製できる。
まず、層間絶縁層用の樹脂組成物をガラスクロスに含浸し、加熱して半硬化のプリプレグを得る。プリプレグの両面に銅箔を配置し、プレスにより貼り合わせ、銅張り積層板を作製する。必要に応じて、コア層にスルーホール形成及びスルーホール内壁めっき処理を行う。銅箔をエッチングすることによって表裏の配線を形成する。
層間絶縁層用の樹脂組成物を所定の厚みに塗工、乾燥し、半硬化させる。半硬化させた層間絶縁層用の樹脂組成物をコア層の両面に配置し、真空加圧式ラミネータ等を用いて、真空下で加温するとともに、加圧し、熱風循環式乾燥機内で乾燥させる。このとき、実装基板側には、応力緩和層を配置する。

必要に応じて、炭酸ガスレーザ等により、インナービアホールを形成するための所定の加工を行う。また、セミアディティブ工法によって、層間絶縁層の表裏面に配線パターンを形成する。必要に応じて、配線パターンを保護するソルダレジスト層を塗布する。
ビルドアップ層の作製に際し、層間絶縁層用の樹脂組成物の種類などは、特に限定されるものではないが、コア層に用いる層間絶縁層用の樹脂組成物と同じ種類の層間絶縁層用の樹脂組成物を用いてビルドアップ層を形成することが好ましい。これにより、コア層とビルドアップ層との熱膨張係数差がなくなり、コア層とビルドアップ層との界面において余計な応力が生じることなく、良好な密着強度が得られる。
このように製造された半導体パッケージ用配線板は、特定の熱膨張係数を有する層間絶縁層をコア層として有するとともに、応力緩和層を有するため、半導体素子の熱膨張係数と半導体パッケージ用配線板の熱膨張係数との差により、使用環境下において半導体パッケージが反ったり、リフローはんだによる実装基板への取り付け工程において半導体パッケージが反ったりすることが起こりにくく、耐温度サイクル性に優れ、半導体パッケージの薄型化に対応できる。

＜半導体パッケージ用配線板のコア層の外側にビルドアップ層を形成しない場合＞
例えば、ビルドアップ層を設けない場合には、以下のような作製工程を経ることができる。
コア層の層間絶縁層用の樹脂組成物をガラスクロスに含浸し、加熱して半硬化のプリプレグを得る。プリプレグの両面に配線層として銅箔を配置し、プレスにより貼り合わせ、銅張り積層板を作製する。このとき、プリプレグの実装基板側の表面には、予め応力緩和層が配置された銅箔を、応力緩和層がプリプレグに接するように配置する。これらをプレスにより貼り合わせる。
必要に応じて、炭酸ガスレーザ等により、インナービアホールを形成するための所定の加工を行って、銅張り積層板にスルーホール形成及びスルーホール内壁めっき処理を行う。
続いて、銅箔をエッチングして、表裏の配線パターンを形成する。必要に応じて、配線パターンの上にソルダレジスト層を塗布する。
このように製造された半導体パッケージ用配線板は、応力緩和層を有するため、半導体素子の熱膨張係数と半導体パッケージ用配線板の熱膨張係数との差により、使用環境下において半導体パッケージが反ったり、リフローはんだによる実装基板への取り付け工程において半導体パッケージが反ったりすることが起こりにくく、耐温度サイクル性に優れ、半導体パッケージの薄型化に対応できる。

次に、下記の実施例により本発明を更に詳しく説明するが、これらの実施例は本発明を制限するものではない。まず、実施例及び比較例で行ったパッケージ反り及び耐温度サイクル性の評価方法と、各物性の測定方法について説明する。

［評価方法］
＜応力緩和層の弾性率＞
応力緩和層の２５℃の弾性率は、引張・曲げ試験機（島津製作所製、商品名：テンシロン）を用いて測定した。測定対象のサンプルは、測定の都合上、ある程度の厚みが必要となるため、測定対象の応力緩和層を合計厚みが０．４ｍｍとなるように複数枚積層してプレス成型したものをテストサンプルとして使用した。サンプルサイズは長さ５０ｍｍ×幅２５ｍｍ×厚さ０．４ｍｍとした。測定モードは３点曲げで、サンプルの支持スパンは２０ｍｍ、冶具の変位速度は１ｍｍ／分とした。

＜熱膨張係数＞
層間絶縁層及び半導体パッケージ用配線板の平面方向の熱膨張係数は、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメンツ製、装置名：ＴＡ２９４０）を用いて測定した。
層間絶縁層の平面方向の熱膨張係数は、以下のように測定した。すなわち、層間絶縁層を形成する樹脂組成物が半硬化状態になったものを積層してプレス成型し、合計厚みが０．２ｍｍとしたものをテストサンプルとして使用した。テストサンプルのサイズは、長さ５ｍｍ×幅５ｍｍ、測定モードは圧縮、印可加重は０．０５Ｎ、昇温速度は１０℃／分とした。装置内でサンプルの温度を２３０℃程度まで上げ、その後１０℃まで冷却する前処理を行ってから、測定を開始し、２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数、及び１６５℃〜２６０℃の平均の熱膨張係数を算出した。

＜半導体パッケージの反りの測定＞
半導体パッケージの反り（パッケージ反りという）は、シャドウモアレによる非接触反り測定装置（ＡＫＲＯＭＥＴＲＸ製、装置名：ＰＳ−２００）を用いて測定した。測定温度は、２５℃と２６０℃とした。半導体パッケージに１３ｍｍ×１３ｍｍの解析範囲を設定し、半導体素子が配置される側に凸となっていれば「＋」、半導体素子が配置される側と反対側に凸となっていれば「−」とした。反りの方向以外の評価条件は、ＪＥＩＴＡ ＥＤ−７３０６に準拠した。半導体パッケージを実装基板に正しく実装することができる観点から、＋１２０以上及び−１２０以下の場合をＮＧとした。

＜耐温度サイクル性＞
耐温度サイクル性は、温度サイクル試験器（楠本化成製、装置名：ＮＴ１０１０）を用いて試験した。テストサンプルに、−５５〜１２５℃の昇温変化を１５分かけて与えて、１２５〜−５５℃の降温変化を１５分かけて与える、これを１サイクル（＝１回）とする温度変化を繰り返し与え、半導体パッケージ用配線板と実装基板との間で形成されたデイジーチェーン回路の電気抵抗値を測定した。この電気抵抗値が初期値の２倍になったときをＮＧとし、ＮＧになるまでの回数で表した。このほかの評価条件は、ＪＥＳＤ２２−Ａ１０４Ｃにあるｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｂに準拠した。

［層間絶縁層の作製］
コア層及びビルドアップ層を形成する層間絶縁層用の樹脂組成物として、以下の３種類の樹脂組成物を用いた。
＜層間絶縁層用の樹脂組成物Ａ＞
温度計、攪拌装置、還流冷却管の付いた加熱及び冷却可能な容積３リットルの反応容器に、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂（ロンザジャパン社製；商品名Ａｒｏｃｙ Ｂ−１０）を５００．０ｇと、下記一般式（１）に示すシロキサン樹脂（信越化学社製；商品名Ｘ−２２−１８２１、水酸基当量；１６００）を５００．０gと、トルエンを１０００ｇ配合し、撹拌しながら昇温した。１２０℃に到達した後、ナフテン酸亜鉛の８質量％ミネラルスピリット溶液を０．０１ｇ添加し、約１１５〜１２５℃で４時間還流反応を行った後、室温に冷却し、熱硬化性樹脂の溶液を得た。

（式中のｐは、平均して３５〜４０の数）
得られた熱硬化性樹脂１００重量部（固形分）、及び溶融シリカ（アドマテック社製；商品名ＳＯ−２５Ｒ）１５０重量部、及び希釈溶剤にメチルエチルケトンを使用して、混合して樹脂分６０質量％の均一なワニスを得た。

＜層間絶縁層用の樹脂組成物Ｂ＞
温度計、攪拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積２リットルの反応容器に、シロキサン樹脂（信越化学社製；商品名Ｘ−２２−１６１Ａ、アミノ基当量；８００）を９９．２ｇと、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンを１６４．３gと、ｍ−アミノフェノールを４．５ｇ、及びジメチルアセトアミドを２５０．０g配合し、１００℃で３時間反応させて、熱硬化性樹脂の溶液を得た。
得られた熱硬化性樹脂５０重量部（固形分）、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名：ＮＣ−３０００−Ｈ）５０重量部、溶融シリカ（アドマテック社製；商品名ＳＯ−２５Ｒ）１５０重量部、硬化促進剤としてイソシアネートマスクイミダゾール（第一工業製薬（株）製、商品名：Ｇ−８００９Ｌ）、及び希釈溶剤としてメチルエチルケトンを使用し、これらを混合して樹脂分６５質量％の均一なワニスを得た。

＜層間絶縁層用の樹脂組成物Ｃ＞
温度計、攪拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積２リットルの反応容器に、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンを３５８．０g、ｐ−アミノフェノールを５４．５ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルを４１２．５０g配合し、還流させながら５時間反応させて熱硬化性樹脂の溶液を得た。
得られた熱硬化性樹脂５０重量部（固形分）、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名：ＮＣ−３０００−Ｈ）５０重量部、溶融シリカ（アドマテック社製：商品名ＳＯ−２５Ｒ）１００重量部、ベーマイト（河合石灰工業(株)製、商品名：ＢＭＴ−３ＬＶ）３０重量部、硬化促進剤としてイソシアネートマスクイミダゾール（第一工業製薬（株）製、商品名：Ｇ−８００９Ｌ）、及び希釈溶剤としてメチルエチルケトンを使用し、これらを混合して樹脂分６５質量％の均一なワニスを得た。

［応力緩和層の作製］
＜応力緩和層用の樹脂組成物Ｄ＞
ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名：ＮＣ３０００Ｓ−Ｈ）を８０重量部、カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子（ＪＳＲ株式会社製、商品名：ＸＥＲ−９１ＳＥ−１５）を２重量部、カルボン酸変性ポリビニルアセタール樹脂（積水化学工業株式会社製、商品名：ＫＳ−２３Ｚ）を５重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂（窒素含有量１８％、水酸基当量１５１、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：フェノライトＥＸＢ−９８２９）を１３重量部、１，８−ジアザビシクロウンデセン（関東化学株式会社製、商品名：ＤＢＵ）を０．３重量部、メチルエチルケトンを１５０重量部配合した。

＜応力緩和層用の樹脂組成物Ｅ＞
フェノールノボラック型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業製、商品名：Ｎ−７７０）を６０重量部、クレゾールノボラック型フェノール樹脂（大日本インキ化学工業製、商品名：ＫＡ−１１６５）を４０重量部、１，８−ジアザビシクロウンデセン（関東化学株式会社製、商品名：ＤＢＵ）を０．３重量部、メチルエチルケトン１５０重量部配合した。

［半導体パッケージ用配線板を構成する他の材料］
＜ガラスクロス＞
コア層形成用のガラスクロスには、シリカ成分を増量したＳガラスを用いた。また、ＩＰＣ型番２１１７（日東紡績株式会社製）、又はＩＰＣ型番１０７８（日東紡績株式会社製）のものを用いた。また、ビルドアップ層形成用のガラスクロスにはＩＰＣ型番１０３７（日東紡績株式会社製）のものを用いた。
＜配線層＞
コア層及びビルドアップ層に形成する配線層としては、厚みが１２μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製、商品名：３ＥＣ−ＶＬＰ−１２）を用いた。
＜ソルダレジスト層＞
ソルダレジスト層として、ＳＲ７２００Ｇ（日立化成工業株式会社製）を用いた。

［半導体パッケージ用配線板の作製］
半導体パッケージ用配線板の作製方法について説明する。
図３に示すように、評価試験用の半導体パッケージ用配線板のサイズ、及び配線パターンを設定した。テスト用の半導体パッケージ用配線板のストリップサイズは、１４０ｍｍ×６０ｍｍとした。
ストリップから半導体パッケージの１パッケージ分のサイズをダイシングにより切り出した。１パッケージ分のサイズは、１４．４ｍｍ×１４．４ｍｍ（ダイシングライン０．２ｍｍを含み、ダイシングにて個片化後は１４ｍｍ×１４ｍｍになる）とした。

＜コア層の作製＞
上述した層間絶縁層用の樹脂組成物Ａ〜Ｃのそれぞれを、コア層形成用のガラスクロスに含浸し、加熱して半硬化のプリプレグを得た。この際の加熱条件は、層間絶縁層用の樹脂組成物Ａ、Ｂ、Ｃを使用したいずれの場合も、１６０℃で３分間とした。
得られたコア層を形成する層間絶縁層の厚さｄは、ＩＰＣの型番２１１７のガラスクロスを使用した場合には０．１ｍｍであった。また、厚さｄは、ＩＰＣの型番１０７８のガラスクロスを使用した場合には０．０６ｍｍであった。
得られたプリプレグの両面に、厚さ１２μｍの銅箔を重ねて配線層とし、プレス成型することにより、コア層を得た。その際のプレス条件は、層間絶縁層用の樹脂組成物Ａ、Ｂ、Ｃを使用したいずれの場合も、２３０℃、９０分間、２．５ＭＰａとした。
続いて、得られたコア層に、ドリル直径０．１ｍｍ、最小ピッチ０．６ｍｍで、１パッケージあたり２７２箇所に穴あけ処理を施した。その後、形成された穴内部に銅めっきを施すことにより、プリプレグの両面に形成された配線層を電気的に接続した。ダミーのスルーホールを設けた。その後、配線層をエッチングすることにより、配線パターンを作製した。スルーホール部の周囲には、パッドを形成した。配線パターン及びパッド形成後の配線層の残銅率は、６０％であった。

＜ビルドアップ層の作製＞
上述した層間絶縁層用の樹脂組成物Ａ〜Ｃのそれぞれを、ビルドアップ層形成用のガラスクロスに含浸し、加熱して半硬化のプリプレグを得た。この際の加熱条件は、層間絶縁層用の樹脂組成物Ａ、Ｂ、Ｃを使用したいずれの場合も、１６０℃で３分間とした。
得られたビルドアップ層を形成する層間絶縁層の厚さｄは、ＩＰＣの型番１０２７のガラスクロスを使用した場合に、０．０４ｍｍであった。
また、上述した応力緩和層用の樹脂組成物Ｄ，Ｅのそれぞれを、１２μｍのロープロファイル銅箔に、乾燥後所定の厚さ（２μｍあるいは４μｍ）になるように塗布し、１６０℃／１０分乾燥した。これにより、応力緩和層付き銅箔を得た。
上記作製されたコア層の両表面に、ビルドアップ層形成用のガラスクロスを用いて作製されたプリプレグを配置した。プリプレグの一方の表面には、厚さ５μｍの銅箔を重ね、プリプレグの他方の表面には、応力緩和層付き銅箔を重ね、プレス成型することにより、ビルドアップ層を形成した。その際のプレス条件は、層間絶縁層用の樹脂組成物Ａ、Ｂ、Ｃを使用したいずれの場合も、２３０℃、９０分間、２．５ＭＰａとした。

最外層の配線層をエッチングして、残銅率６０％の配線パターンを施した。その際、半導体素子を搭載する表面の配線層には、半導体素子の搭載用電極パッド、配線及びダミーパターンを作製した。また、実装基板側の表面の配線層には、実装基板に搭載されたときにデイジーチェーン回路を形成するように、実装基板へのはんだバンプ搭載用の電極パッド、配線、及びダミーパターンを作製した。
半導体素子が接続されるはんだバンプ用の電極パッドは、直径１２０μｍ、２００μｍピッチで、パッケージの中央部８ｍｍ×８ｍｍのエリアに１パッケージあたり１６００個配置した。
また、図４に示すように、実装基板が接続されるはんだバンプ用の電極パッドは、直径３５０μｍ、最小ピッチ５００μｍで、パッケージの中央１３ｍｍ×１３ｍｍのエリアに１パッケージあたり４８０個配置した。

続いて、配線層の表面にソルダレジスト層を形成する樹脂を塗布し、８０℃、２０分の条件で乾燥し、室温で３００ｍＪ／ｃｍ²で露光し、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像した。この後、１５０℃、１時間の条件で後硬化を行って、厚さ２０μｍのソルダレジスト層を作製した。
この際に、半導体素子のはんだ電極に対応する位置に、直径１００μｍの開口部を形成した。また、実装基板の電極パッドに対応する位置に、直径２００μｍの開口部を形成した。ソルダレジスト層に形成された開口部から露呈した電極パッドに、受けめっきとして、厚み５μｍのＮｉめっき及び厚み０．０５μｍのＡｕめっきを施し、半導体パッケージ用配線板を得た。

［半導体パッケージの組立］
以下、評価試験に用いるテスト用の半導体パッケージの組立方法を説明する。半導体素子として、ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ ＦＣ２００ＪＹ ＬＦ（株式会社ウォルツ製）を用いた。半導体パッケージ用配線板と接続される電極は、融点２１７℃のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだである。半導体素子のサイズは、８ｍｍ×８ｍｍ×０．１２ｍｍであった。
半導体素子のはんだ電極に、金属表面の酸化皮膜を除去するフラックス（千住金属工業株式会社製、製品名：スパークルフラックスＷＦ−６３００ＬＦ）を厚み３０μｍで転写し、はんだ電極を半導体パッケージ用配線板に形成された電極パッドに対向するように半導体素子を配置した。続いて、窒素雰囲気下のリフロー炉にて、はんだを溶融し凝固させることにより、半導体素子を半導体パッケージ用配線板に搭載した。
この際、ＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ−ＳＴＤ−０２０Ｃによって定められた鉛フリーはんだ用のリフロー条件に従った。その後、フラックスを８０℃以上の温水で洗浄した。

続いて、半導体素子と半導体パッケージ用配線板の間に、半導体素子と半導体パッケージ用配線板との接続部を補強するアンダフィル材として、ＣＥＬ−Ｃ−３７３０Ｓ（日立化成工業株式会社製）を注入し、硬化させた。このとき、アンダフィル材の硬化条件は、１６５℃、２時間とした。アンダフィル材を硬化させた後、得られた半導体パッケージから、１４ｍｍ×１４ｍｍのテスト用パッケージをダイサを用いて切り出した。

テスト用の半導体パッケージの、はんだバンプが接続される電極パッドに、フラックス（千住金属工業株式会社製、製品名：スパークルフラックスＷＦ−６３００ＬＦ）を厚み５０μｍでステンシル印刷した。この上に更に、直径０．２５ｍｍの融点２１７℃のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだボール（千住金属工業株式会社製、商品名：エコソルダーボールＳ７０５Ｍ）を配置し、半導体素子を半導体パッケージ用配線板に搭載したときと同様に、窒素雰囲気下のリフロー炉にて、はんだを溶融し凝固させることにより、半導体パッケージ用配線板の電極パッド上に、はんだバンプを形成した。
また、実装基板に接続される電極パッドに、はんだペースト（千住金属工業株式会社製、商品名：、エコソルダーペースト Ｍ７０５−２２１ＢＭ５−４２−１１）を厚さ約１００μｍでステンシル印刷し、受けはんだを作製した。

［実装基板の作製］
以下に、テスト用の半導体パッケージが搭載される実装基板の作製方法について説明する。実装基板の作製方法は、周知の基板作製技術によって作製できる。乾燥処理や洗浄処理などの詳細は、省略する。
実装基板用の層間絶縁層として、厚さ０．６ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７を用いた。
配線層には１８μｍの銅箔３ＥＣ−ＶＬＰ−１８（三井金属鉱業株式会社製、商品名）を選択した。
実装基板用の層間絶縁層の両面に、銅箔３ＥＣ−ＶＬＰ−１８を形成し、エッチングして、テスト用パッケージを搭載するための電極パッドと、テスト用パッケージ搭載時に半導体パッケージ用配線板とのデイジーチェーン回路を形成する配線パターンと、導通チェック用電極とを形成した。電極パッドは、図５に示す１４．４ｍｍ×１４．４ｍｍの１パッケージ分のエリアのうち、中央の１３ｍｍ×１３ｍｍのエリアに、図４を用いて説明したビルドアップ層の電極パッドに対応するようにして、直径３５０μｍ、最小ピッチ５００μｍで、１パッケージあたり４８０個配置した。

配線層の表面にソルダレジスト層を形成する樹脂を塗布し、８０℃、２０分の条件で乾燥し、室温で３００ｍＪ／ｃｍ²で露光し、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像した。この後、１５０℃、１時間の条件で後硬化を行って、厚さ２０μｍのソルダレジスト層を作製した。
この際に、テスト用パッケージを搭載する電極パッドに対応する位置に、直径２００μｍの開口部を形成した。また、導通チェック用電極部分にも同様に、直径２００μｍの開口部を設けた。ソルダレジスト層に形成された開口部から露呈した電極パッドに、受けめっきとして、厚み５μｍのＮｉめっき及び厚み０．０５μｍのＡｕめっきを施した。
テスト用パッケージを搭載するための電極パッド群の中心位置が中央になるように１１０ｍｍ×５０ｍｍに切断した。

［テストサンプルの作製］
はんだバンプを形成したテスト用パッケージと実装基板の電極パッド同士を対向させて配置し、半導体素子を半導体パッケージ用配線板に搭載したときと同様に、窒素雰囲気下のリフロー炉にて、はんだを溶融し凝固させることにより、実装基板にテスト用パッケージを搭載した。このようにして、耐温度サイクル性の評価試験に使用するテストサンプルを得た。

［実施例１］
樹脂組成物Ａを用いてコア層の層間絶縁層を形成した。コア層に用いるガラスクロスには、Ｓガラスを用いた。また、ＩＰＣ型番２１１７のものを用いた。また、樹脂組成物Ｄを用いて応力緩和層を形成した。応力緩和層の厚さは４μｍとし、コア層を形成する層間絶縁層の厚みｄが半導体パッケージ用配線板の厚みＤに占める割合が４０％になるように、半導体パッケージ用配線板全体の厚みＤを調整した。
［実施例２］
樹脂組成物Ｂを用いてコア層の層間絶縁層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを作製した。
［実施例３］
樹脂組成物Ｂを用いてコア層の層間絶縁層を形成した。また、応力緩和層の厚みを２μｍにしたこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを作製した。すなわち、実施例３と実施例２とは、応力緩和層の厚みが異なる。
［実施例４］
コア層に用いるガラスクロスとしてＩＰＣ型番１０７８を用いたこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを作製した。

［比較例１］
樹脂組成物Ｃを用いてコア層の層間絶縁層を形成した以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを作製した。
［比較例２］
樹脂組成物Ｅを用いて応力緩和層を形成した以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを作製した。
［比較例３］
樹脂組成物Ｅを用いて応力緩和層を形成した以外は、実施例２と同様にして半導体パッケージを作製した。
［比較例４］
樹脂組成物Ｃを用いてコア層の層間絶縁層を形成したこと、及び樹脂組成物Ｅを用いて応力緩和層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを作製した。
［比較例５］
実施例１の構成で、応力緩和層を配置しないで半導体パッケージを作製した。
［比較例６］
樹脂組成物Ｃを用いてコア層の層間絶縁層を形成した。また、応力緩和層を配置しないで半導体パッケージを作製した。

［評価結果］
評価方法において説明した方法で、実施例１〜４、及び比較例１〜６の半導体パッケージを評価した。結果を表１に示す。

実施例１〜４の半導体パッケージの耐温度サイクル性は、応力緩和層が形成されていない比較例５，６の半導体パッケージの耐温度サイクル性に比べて、著しく向上していることが判る。
実施例１の半導体パッケージと比較例１の半導体パッケージとは、耐温度サイクル性は同等であるが、パッケージ反りが抑えられることが判る。これは、コア層の層間絶縁層の平面方向の平均の熱膨張係数が５．５×１０^-6／℃以下であることに起因する。
実施例１の半導体パッケージと比較例２の半導体パッケージ（実施例２の半導体パッケージと比較例３の半導体パッケージも同様）は、パッケージ反りが同等程度であるが、２５℃の弾性率が２．５ＧＰａである応力緩和層を用いた方が、耐温度サイクル性が良好になることが判る。
実施例２の半導体パッケージ及び実施例３の半導体パッケージは、ともに耐温度サイクル性が良好である。応力緩和層の厚みを厚くする（４μｍにする）ことにより、耐温度サイクル性が一層良好になることが判る。
ガラスクロスとしてＩＰＣ型番２１１７を用いた実施例３の半導体パッケージは、ＩＰＣ型番１０７８を用いた実施例４の半導体パッケージに比べて、応力緩和層の厚みを１／２にしても、パッケージ反りが同等レベルに抑えられる。耐温度サイクル性は、いずれも良好であるが、２５〜１６５℃におけるコア層の層間絶縁層の平面方向の平均の熱膨張係数が５．５×１０^-6／℃よりも低く、１６５〜２６０℃におけるコア層の層間絶縁層の平面方向の平均の熱膨張係数が７．５×１０^-6／℃よりも低いほど、耐温度サイクル性が向上することが判る。
以上のように、実施例の半導体パッケージは、応力緩和層を備えたことにより、使用環境下やリフロー実装時の温度変化による半導体パッケージの反りを低減できるような熱膨張係数に設定しても、半導体パッケージと実装基板との応力差を緩和することができ、接続部の耐温度サイクル性を向上できることが判る。

１…半導体パッケージ、 ２…実装基板、 ３，６…はんだバンプ、 ４…半導体素子、 ５…半導体パッケージ用配線板 ７…アンダフィル材、 １１…コア層、 １２,１３…ビルドアップ層、 １４，１６,１９…層間絶縁層、 １５，１７，２０，３１…配線層、 １８，２３，３３，４３…ソルダレジスト層、 ２１，４１…応力緩和層、 ２２，３２，４２…電極パッド

Claims (7)

1. 少なくとも層間絶縁層及び該層間絶縁層の表面に形成された配線層を有するコア層と、
   はんだを介して実装基板に電気的及び機械的に接続される電極パッドとを備え、半導体素子が接続されるとともに、実装基板と接続される半導体パッケージ用配線板であって、
   該電極パッドのコア層側に配置されており該電極パッドに接する応力緩和層を有し、
   該コア層の層間絶縁層の平面方向の２５℃〜１６５℃の平均の熱膨張係数が５．５×１０^-6／℃以下であり、
   該応力緩和層の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下である半導体パッケージ用配線板。
2. 前記コア層の層間絶縁層の平面方向の１６５℃〜２６０℃の平均の熱膨張係数が７．５×１０^-6／℃以下である請求項１に記載の半導体パッケージ用配線板。
3. 前記応力緩和層の厚みが２μｍ以上である請求項１又は２に記載の半導体パッケージ用配線板。
4. 前記コア層の層間絶縁層の厚さが、前記半導体パッケージ用配線板の厚みの３０％以上を占める請求項１〜３のいずれかに記載の半導体パッケージ用配線板。
5. 前記コア層の層間絶縁層がガラスクロスを有し、該ガラスクロスがＳガラスからなる請求項１〜４のいずれかに記載の半導体パッケージ用配線板。
6. 前記コア層の層間絶縁層がシロキサン樹脂、ポリイミド樹脂、及びエポキシ樹脂を含む樹脂成分から形成されており、該樹脂成分１００質量部に対して１００〜２５０質量部のシリカを含有する請求項１〜５のいずれかに記載の半導体パッケージ用配線板。
7. 前記コア層の層間絶縁層がシロキサン樹脂及びシアネート樹脂を含む樹脂成分から形成されており、該樹脂成分１００質量部に対して１００〜２００質量部のシリカを含有する請求項１〜５のいずれかに記載の半導体パッケージ用配線板。

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