JP2017212400A - 樹脂シートおよび回路基板 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 273
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 273
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 163
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 34
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 68
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 68
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 30
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 17
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 13
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 19
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 130
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 50
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 46
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 35
- -1 ammonium ions Chemical class 0.000 description 31
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 10
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 6
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 6
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 4
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 3
- MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 2-[[5-(oxiran-2-ylmethoxy)naphthalen-2-yl]oxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C=C1C=CC=2)=CC=C1C=2OCC1CO1 MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N [(e)-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethylideneamino] acetate Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=C(C(\C)=N\OC(C)=O)C=C3C2=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1C SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol A dimethacrylate Chemical class C1=CC(OC(=O)C(=C)C)=CC=C1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C(C)=C)C=C1 QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- KIRWIETUDITSMO-UHFFFAOYSA-N trihydroxy(phenoxy)silane Chemical compound O[Si](O)(O)OC1=CC=CC=C1 KIRWIETUDITSMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000040 green colorant Substances 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- DQVXWCCLFKMJTQ-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenoxy)boronic acid Chemical compound CC1=CC=C(OB(O)O)C=C1 DQVXWCCLFKMJTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- QVCUKHQDEZNNOC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diazabicyclo[2.2.2]octane Chemical compound C1CC2CCN1NC2 QVCUKHQDEZNNOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJDUIGDNWNRBMW-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole-4,5-diol Chemical compound N1C(O)=C(O)N=C1C1=CC=CC=C1 BJDUIGDNWNRBMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical group C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQUSIXSOCHTUCV-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(CC)=CN=C1C1=CC=CC=C1 BQUSIXSOCHTUCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRSCAJHLPIPKBU-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-ol Chemical compound N1C(O)=C(C)N=C1C1=CC=CC=C1 ZRSCAJHLPIPKBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol P Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYVCCCQSSPZGQM-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1(=CC=CC=C1)[P+](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1(=CC=CC=C1)[P+](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 DYVCCCQSSPZGQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000010296 bead milling Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N binaphthyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NKWPZUCBCARRDP-UHFFFAOYSA-L calcium bicarbonate Chemical class [Ca+2].OC([O-])=O.OC([O-])=O NKWPZUCBCARRDP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GBAOBIBJACZTNA-UHFFFAOYSA-L calcium sulfite Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])=O GBAOBIBJACZTNA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000010261 calcium sulphite Nutrition 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAWGVVJVYSANRY-UHFFFAOYSA-N cobalt(3+) Chemical compound [Co+3] JAWGVVJVYSANRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001913 cyanates Chemical class 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N dimethylethyleneglycol Natural products CC(C)(O)CO BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethyl ether Natural products COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000001046 green dye Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009775 high-speed stirring Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004023 quaternary phosphonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical class [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLCLHFYFMCKBRP-UHFFFAOYSA-N tricalcium;diborate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] VLCLHFYFMCKBRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L zinc;octanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明者はさらに検討したところ、不純物イオンの中でも、Cl−、Br−、Na+、K+の不純物濃度の合計値が、上述の絶縁信頼性を示す指標となることを見出した。このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、前述の不純物濃度の合計値を100ppm以下とすることにより、ソルダーレジストにおける絶縁信頼性が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。
キャリア基材と、
前記キャリア基材上に配置されていて、ソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層と、を備える、ソルダーレジストに用いる樹脂シートであって、
前記樹脂層の硬化物において、Cl−、Br−、Na+、K+からなる不純物イオンの濃度の合計値が、100ppm以下である、樹脂シートが提供される。
表面に回路が形成された基板と、
前記基板の表面上に形成されたソルダーレジストと、を備える回路基板であって、
前記ソルダーレジストが、上記の樹脂シートの樹脂層の硬化物である、回路基板が提供される。
本実施形態の樹脂シートは、キャリア基材と、キャリア基材上に配置されており、ソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層と、を備えるものである。当該樹脂シートは、ソルダーレジストに用いるものである。
また、本実施形態の樹脂層の硬化物において、Cl−、Br−、Na+、K+からなる不純物イオンの濃度の合計値が、100ppm以下である。
本発明者はさらに検討したところ、不純物イオンの中でも、Cl−、Br−、Na+、K+の不純物濃度の合計値が、上述の絶縁信頼性を示す指標となることを見出した。
このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、前述の不純物濃度の合計値を100ppm以下とすることにより、薄膜化したソルダーレジストにおける絶縁信頼性が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。
詳細なメカニズムは定かでないが、次のように考えられる。アンモニウムイオンや硫酸イオンなどのイオン半径が大きいイオンは移動しにくいが、イオン半径が小さなCl−、Br−、Na+、K+は、ソルダーレジスト中を移動しやすい特性を持っている。これに対して、ソルダーレジストである樹脂層の硬化物における架橋密度を高めること等により、硬化物がしっかりと硬化するため、自由体積が小さくなり、イオン半径が小さな不純物イオンの移動を安定的に抑制できる。このため、ソルダーレジストから不純物イオンが流出することを抑制することにより、絶縁信頼性を安定的に向上させる、と考えられる。
また、本実施形態の樹脂層の硬化物のガラス転移温度を高くすることにより、上記樹脂層の硬化物が固い状態である温度領域を広くすることができる。これにより、不純物イオンの移動を一層抑制することができるので、絶縁信頼性をさらに高めることが可能になる。
ここで、通常の絶縁信頼試験は130℃の規格温度で実施されている。本実施形態の硬化物のガラス転移温度(Tg)を、規格温度の130℃よりも高くすることにより、130℃付近でも硬化物が固い状態を維持できるため、不純物イオンの移動を高度に抑制できる。
以下、本実施形態の樹脂層に用いられるソルダーレジスト用樹脂組成物を説明する。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、ワニス状の樹脂組成物である。当該ソルダーレジスト用樹脂組成物をフィルム状とすることにより、本実施形態の樹脂層を得ることができる。かかる樹脂層を硬化させることにより、ソルダーレジストが得られる。
本実施形態に係るエポキシ樹脂(A)は、たとえばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4'−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4'−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)などのビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂;ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;変性ビフェノール型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、ソルダーレジストの埋め込み性や、表面平滑性を向上させる観点からは、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、ソルダーレジストの低線膨張化および高弾性率化を図ることもできる。また、回路基板の剛性を向上させて作業性の向上に寄与することや、半導体パッケージにおける耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。なお、ソルダーレジストの埋め込み性を向上させる観点からは、3官能以上のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、充填材をさらに含んでもよい。つまり、ソルダーレジスト樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と充填材とを含むことができる。
本実施形態に係る充填材としては、無機充填材を用いることができる。上記無機充填剤としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩;酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物;硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩;ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩;窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、シアネート樹脂(C)をさらに含むことができる。これにより、ソルダーレジストについて、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる電子装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
また、上記シアネート樹脂は、特に限定されるものではないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物と、フェノール類またはナフトール類と、を反応させて得ることができる。このようなシアネート樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型の多価フェノール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、クレゾールノボラック型の多価フェノール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂などが挙げられる。上記シアネート樹脂は、一種または二種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、ソルダーレジストの低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、フェノールノボラック型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル樹脂、またはナフトールアラルキル型シアネート樹脂を含むことがより好ましく、フェノールノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤(D)をさらに含むことができる。これにより、ソルダーレジスト用樹脂組成物の硬化性を向上させることができる。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、たとえば、着色剤(E)をさらに含むことができる。本実施形態の着色剤(E)は、たとえば緑、赤、青、黄、および黒等の染料、顔料、および色素から選択される一種または二種以上を含む。これらの中でも、開口部の視認性等を向上させる観点から、緑色の着色剤を含むことができるが、緑色染料を含めてもよい。当該緑色の着色剤としては、たとえばアントラキノン系、フタロシアニン系、およびペリレン系等の公知の着色剤を一種または二種以上含むことができる。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、硬化剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。
本実施形態に係る樹脂シートは、キャリア基材と、キャリア基材上に形成された樹脂層とを備えることができる。本実施形態の樹脂層は、Bステージ状態であり、上記のソルダーレジスト用樹脂組成物の乾燥フィルムで構成される。本実施形態における樹脂シートは、シート形状(枚葉形状)でもよく、巻き取り可能なロール形状でもよい。
上記樹脂ワニスにおいて、ソルダーレジスト用樹脂組成物の固形分含有量は、たとえば30重量%以上80重量%以下であることが好ましく、40重量%以上70重量%以下であることがより好ましい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れたソルダーレジスト用樹脂組成物が得られる。なお、ワニス状のソルダーレジスト用樹脂組成物は、たとえば上述の各成分を、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。
本実施形態の溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびN−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。
本実施形態の樹脂層の硬化物において、上記不純物イオンであるCl−の濃度の上限値は、たとえば、90ppm以下であり、好ましくは50ppm以下であり、より好ましくは20ppm以下であり、さらに好ましくは10ppm以下である。上記Cl−の濃度の下限値は、特に限定されないが、例えば、0ppm以上としてもよい。
本実施形態の樹脂シート(樹脂厚30μm)からキャリアフィルム(たとえばPETフィルム)を剥離した樹脂層を、200℃、1時間硬化させ、凍結粉砕により250μm以下に粉砕し、粉末試料2gをプレッシャークッカー容器に精秤し、超純水40mlを加え容器を密閉し、手動で1分間振とうし、試料を水と馴染ませる。121℃に設定されたオーブンに容器を投入し、連続20時間加熱加圧処理を行い、室温まで放冷後、内溶液を遠心分離及びフィルターろ過したものを検液とする。その液をイオンクロマト法により分析する。
本実施形態の樹脂シート(樹脂厚30μm)からキャリアフィルム(たとえばPETフィルム)を剥離した樹脂層を、200℃、1時間硬化させる。この硬化物を50mm×50mmに切り出し、サンプリングする。サンプルの切り出し端面を研磨紙でバリがなくなるまで研磨する。サンプルを温度115±3℃のボックス型オーブンに60±2分入れ、乾燥させる。サンプルをデシケータに入れ、20±10℃まで冷却する。乾燥後の重量を測定する(W0)。サンプルを固定し、23±1.1℃の蒸留水の入った吸水容器に24時間(−0、+30分)、サンプルがたがいに重ならないように浸漬させる。サンプルを取り出し、表面の水分をウエスでふき取る。水浸漬後の重量を測定する(W1)。そして、吸水率は、次のような関係式で表される。
吸水率 = (W1−W0)/W0 × 100
また、本実施形態によれば、ガラス転移温度を高くする樹脂系を選択することにより、高温における絶縁信頼性に優れたソルダーレジストを実現することができる。
以上より、本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、高いガラス転移温度を有し、不純物イオン濃度が低く、かつ低吸水性を有する特性を実現することにより、薄膜化した場合においても、優れた絶縁信頼性を有するソルダーレジストを提供することができる。
本実施形態に係る回路基板について説明する。
図1は、実施形態における回路基板20の構造の例を示す模式図である。
本実施形態の回路基板は、表面に回路(導電体パターン24)に形成された基板22と、基板の表面上である最外層に形成されたソルダーレジスト10と、を含むことができる。当該ソルダーレジストは、本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物からなる樹脂層の硬化物で構成されている。
また、ソルダーレジストの膜厚は、たとえば1μm以上50μm以下であり、上記樹脂層の膜厚と同様の範囲とすることができる。ソルダーレジストの30℃における貯蔵弾性率は、たとえば7Gpa以上40Gpa以下であり、上記樹脂層の硬化物と同様の範囲とすることができる。
この場合、基板22とソルダーレジスト10との合計膜厚の上限値は、例えば、好ましくは200μm以下であり、より好ましくは150μm以下であり、さらに好ましくは100μm以下である。一方、上記合計膜厚の下限値は、特に限定されないが、例えば、10μm以上としてもよい。
また、上記の合計膜厚に対するソルダーレジスト10の膜厚の膜厚比の下限値は、例えば、10%以上であり、好ましくは20%以上であり、より好ましくは30%以上である。上記膜厚比の上限値は、例えば、70%以下であり、好ましくは60%以下であり、より好ましくは50%以下である。ソルダーレジスト10の膜厚比を上記範囲内とすることにより、薄層化しつつも、ハンドリング性と搬送信頼性に優れた樹脂シートやそれを用いた回路基板を得ることができる。
また、基板22が両面板もしくは多層板である場合、基板22の1つの表面(最外面)に設けられた導電体パターン24は、反対側の表面(最外面)に設けられた導電体パターン24や基板22の内部に設けられた配線層と、少なくとも一部の絶縁層を貫通するスルーホール(不図示)を介して互いに電気的に接続されている。
次に、本実施形態に係る半導体パッケージ102について説明する。
図2は本実施形態に係る半導体パッケージ102の構造の一例を示す断面模式図である。
本実施形態の電子装置(半導体パッケージ102)は、上記回路基板(回路基板20)と、回路基板上に実装された電子素子(半導体素子60)と、を含むことができる。すなわち、当該電子装置は半導体装置として利用できる。この回路基板の最外層を構成するソルダーレジストのうち、電子素子が実装された面とは反対側の面上に配置されたソルダーレジスト(下層側のソルダーレジスト10)が、本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物を硬化して得られたものとすることができる。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物の硬化物からなるソルダーレジストを用いることにより、電子装置の絶縁信頼性を優れたものとすることができる。
ここでは、本実施形態に係る半導体パッケージ102としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、これに限定されず、ワイヤボンディングやTAB(Tape Automated Bonding)接続されるパッケージでもよい。
次に、回路基板20の製造方法について説明する。
本実施形態に係る回路基板20の製造方法は、基板22を準備する工程、樹脂層を積層する工程、開口部28を形成する工程、およびデスミア処理する工程をこの順に含む。基板22を準備する工程では、少なくともひとつの最外面に導電体パターン24が設けられた基板22を準備する。樹脂層を積層する工程では、基板22および導電体パターン24上に最外層の樹脂層を積層する。開口部28を形成する工程では、樹脂層の所定の領域に導電体パターン24の一部を露出させる。デスミア処理する工程では、樹脂層の表面をデスミア処理する。開口部28を形成する工程は、樹脂層のうち、開口部28とする領域にレーザー光を照射する工程を含む。
なお、めっき処理の前に、必要に応じて、露出した導電体パターン24の導電部を洗浄する工程や、粗化する工程を行っても良い。
次に、半導体パッケージ102の製造方法について説明する。
各実施例および各比較例について、表1に示す成分の原料を用いて、ワニス状のソルダーレジスト用樹脂組成物を調整した。表1における各成分の配合割合を示す数値は、ソルダーレジスト用樹脂組成物(以下、単に「樹脂組成物」と呼称することもある。)の固形分全体に対する各成分の配合割合(重量%)を示している。
表1における各成分の原料の詳細は下記のとおりである。
熱硬化性樹脂1:ナフトール型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−7000L)
熱硬化性樹脂2:2官能ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製、HP−4032D)
熱硬化性樹脂3:エポキシアクリレート樹脂(日本化薬社製、ZFR−1401)
熱硬化性樹脂4:ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000L)
熱硬化性樹脂5:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON−830S)
熱硬化性樹脂6:ノボラック型フェノール樹脂(住友ベークライト社製、PR−HF−3)
熱硬化性樹脂7:変性ビフェノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YX6900BH45)
(アクリルモノマー)
アクリルモノマー1:2官能エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート(新中村化学社製、BPE−500)
アクリルモノマー2:2官能のウレタンアクリレート(日本化薬(株社製、KAYARAD UX−2201)
(無機充填材)
無機充填材1:球状シリカ(アドマテックス社製、SC4050、平均粒径D50:1μm)
無機充填材2:球状シリカ(アドマテックス社製、SC2050、平均粒径D50:0.5μm)
無機充填材3:球状シリカ(アドマテックス社製、SC1050、平均粒径D50:0.3μm)
(シアネート樹脂)
シアネート樹脂1:ノボラックフェノール型シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製、PT−30)
(硬化促進剤)
硬化促進剤1:下記一般式(2)で表されるテトラフェニルホスホニウムのビス(ナフタレン−2,3−ジオキシ)フェニルシリケート付加物(住友ベークライト社製、C05−MB)
(カップリング剤)
カップリング剤1:エポキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)
(レベリング剤)
レベリング剤1:レベリング剤(ビックケミージャパン社製、BYK−356)
(光反応開始材)
光反応開始材1:2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド(BASFジャパン社製、TPO)
光反応開始材2:2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1(BASFジャパン社製、イルガキュア369)
光反応開始材3:オキシム化合物(BASFジャパン社製、OXE−02)
エポキシ樹脂として、ナフトール型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−7000L)10.0重量部、2官能ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製、HP−4032D)3.6重量部、ノボラックフェノール型シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製、PT−30)13.6重量部、平均粒径D50が1μmの球状シリカ(アドマテックス社製、SC4050)固形分で72重量部、テトラフェニルホスホニウムのビス(ナフタレン−2,3−ジオキシ)フェニルシリケート付加物0.3重量部、エポキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)0.2重量部、およびレベリング剤(ビックケミージャパン社製、BYK−356)0.3重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させ、高速撹拌装置を用いて30分間撹拌して、不揮発分70重量%となるように調整し、樹脂組成物のワニス1(樹脂ワニス1)を調製した。
エポキシ樹脂として、ナフトール型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−7000L)16.5重量部、2官能ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製、HP−4032D)5.5重量部、ノボラックフェノール型シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製、PT−30)22.0重量部、平均粒径D50が0.5μmの球状シリカ(アドマテックス社製、SC2050)固形分で55重量部、テトラフェニルホスホニウムのビス(ナフタレン−2,3−ジオキシ)フェニルシリケート付加物0.44重量部、エポキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)0.12重量部、およびレベリング剤(ビックケミージャパン社製、BYK−356)0.44重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させ、高速撹拌装置を用いて30分間撹拌して、不揮発分70重量%となるように調整し、樹脂組成物のワニス2(樹脂ワニス2)を調製した。
エポキシ樹脂として、ビスF型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON−830S)12.0重量部、変性ビフェノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YX6900BH45)5.0重量部、硬化剤として、ノボラック型フェノール樹脂(住友ベークライト社製、PR−HF−3)7.0重量部、平均粒径D50が1μmの球状シリカ(アドマテックス社製、SC4050)固形分で75重量部、テトラフェニルホスホニウムのビス(ナフタレン−2,3−ジオキシ)フェニルシリケート付加物0.3重量部、エポキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)0.3重量部、およびレベリング剤(ビックケミージャパン社製、BYK−356)0.4重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させ、高速撹拌装置を用いて30分間撹拌して、不揮発分70重量%となるように調整し、樹脂組成物のワニス3(樹脂ワニス3)を調製した。
エポキシアクリレート樹脂(日本化薬社製、ZFR−1401)47.1重量部、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000L)16.9重量部、光反応開始剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド(BASFジャパン社製、TPO)2.9重量部、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1(BASFジャパン社製、イルガキュア369)0.15重量部、オキシム化合物(BASFジャパン社製、OXE−02)0.06重量部、2官能エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート(新中村化学社製、BPE−500)7.6重量部、2官能のウレタンアクリレート(日本化薬(株社製、KAYARAD UX−2201)9.7重量部、エポキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)0.15重量部、およびレベリング剤(ビックケミージャパン社製、BYK−356)0.6重量部をジプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解、分散させた。次いで、平均粒径D50が0.3μmの球状シリカ(アドマテックス社製、SC1050)を固形分で15重量部加え、高速撹拌装置を用いて30分間撹拌し不揮発分70重量%となるように調整し、樹脂組成物のワニス4(樹脂ワニス4)を調製した。
エポキシアクリレート樹脂(日本化薬社製、ZFR−1401)45.8重量部、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000L)14.8重量部、光反応開始剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド(BASFジャパン社製、TPO)2.9重量部、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1(BASFジャパン社製、イルガキュア369)0.15重量部、オキシム化合物(BASFジャパン社製、OXE−02)0.06重量部、2官能エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート(新中村化学社製、BPE−500)4.54重量部、2官能のウレタンアクリレート(日本化薬(株社製、KAYARAD UX−2201)6.0重量部、エポキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)0.15重量部、およびレベリング剤(ビックケミージャパン社製、BYK−356)0.6重量部をジプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解、分散させた。次いで、平均粒径D50が0.3μmの球状シリカ(アドマテックス社製、SC1050)を固形分で25重量部加え、高速撹拌装置を用いて30分間撹拌し不揮発分70重量%となるように調整し、樹脂組成物のワニス4(樹脂ワニス5)を調製した。
各実施例および各比較例について、得られた樹脂組成物のワニスをキャリア基材であるPETフィルム上に塗布した後、140℃、2分の条件で溶剤を除去して、所定の樹脂厚みを有する樹脂層を形成した。これにより、樹脂シートを得た。
得られた樹脂シート(樹脂厚30μm)からキャリアフィルム(たとえばPETフィルム)を剥離した樹脂層を、200℃、1時間硬化させ、凍結粉砕により250μm以下粉砕し、粉末試料2gをプレッシャークッカー容器に精秤し、超純水40mlを加え容器を密閉し、手動で1分間振とうし、試料を水と馴染ませた。121℃に設定されたオーブンに容器を投入し、連続20時間加熱加圧処理を行い、室温まで放冷後、内溶液を遠心分離及びフィルターろ過したものを検液とする。その液をイオンクロマト法により分析した。
上記樹脂シートの作製に基づいて、20μmの樹脂厚みを有する樹脂層が形成された樹脂シートを得た。次いで、得られた樹脂シートから、キャリア基材であるPETフィルムを剥離した樹脂層(フィルム)を5枚重ね合わせて、総膜厚100μmの積層フィルムを準備した。次いで、当該積層フィルムを、200℃、1時間硬化させた。この硬化物を幅50mm×長さ50mm×厚さ100μmに切り出し、測定サンプルとした。測定サンプルの切り出し端面を研磨紙でバリがなくなるまで研磨した。サンプルを温度115±3℃のボックス型オーブンに60±2分入れ、乾燥させた。サンプルをデシケータに入れ、20±10℃まで冷却し、乾燥後の重量を測定した(W0)。サンプルを固定し、23±1.1℃の蒸留水の入った吸水容器に24時間(−0、+30分)、サンプルがたがいに重ならないように浸漬させた。サンプルを取り出し、表面の水分をウエスでふき取った。水浸漬後の重量を測定した(W1)。そして、吸水率を、次のような関係式から算出した。
吸水率 = (W1−W0)/W0 × 100
上記樹脂シートの作製に基づいて、20μmの樹脂厚みを有する樹脂層が形成された樹脂シートを得た。次いで、得られた樹脂シートから、キャリア基材であるPETフィルムを剥離した樹脂層(フィルム)を5枚重ね合わせて、総膜厚100μmの積層フィルムを準備した。次いで、当該積層フィルムを、200℃、1時間で熱処理した後、幅8mm×長さ50mm×厚さ100μmに切り出して測定サンプルとした。この測定サンプルに対し、動的粘弾性測定装置(セイコーインスツルメンツ社製、DMS6100)を用いて、周波数1Hz、昇温速度5℃/分の条件で動的粘弾性試験を行った。次いで、得られた測定結果から、ガラス転移温度(℃)と、30℃における貯蔵弾性率(GPa)、260℃における貯蔵弾性率(GPa)を算出した。ガラス転移温度は、tanδのピーク値から判定した。結果を表1に示す。
上記樹脂シートの作製に基づいて、20μmの樹脂厚みを有する樹脂層が形成された樹脂シートを得た。次いで、得られた樹脂シートから、キャリア基材であるPETフィルムを剥離した樹脂層(フィルム)を5枚重ね合わせて、総膜厚100μmの積層フィルムを準備した。次いで、当該積層フィルムを、200℃、1時間で熱処理した後、幅4mm×長さ20mm×厚さ100μmに切り出して測定サンプルとした。この測定サンプルに対し、TMA(TAインスツルメンツ(株)製)を用いて、昇温速度10℃/分の条件で線膨張係数の測定を行った。次いで、50〜75℃における測定結果の平均を算出し、これをガラス転移温度未満における線膨張係数(ppm/℃)とした。結果を表1に示す。
各実施例および各比較例について、次のようにして半導体パッケージを作製した。まず、30μm厚のコア基材(LAZ−4785TH−G、住友ベークライト社製)の一面および他面上に12μm厚の銅箔を積層してなる両面銅張積層板を準備した。次いで、上記銅張積層板の銅箔をエッチング処理して導体回路パターンを形成することにより、一面および他面に上記導体回路パターンが形成された回路基板を得た。次いで、回路基板の上記一面上および上記他面上のそれぞれに、樹脂層が回路基板と対向するよう上記で得られた樹脂シートを積層した後、真空加圧式ラミネーター装置を用いて温度120℃、圧力0.8MPa、60秒の条件にて真空加熱加圧成形させた。次いで、樹脂シートからキャリア基材であるPETフィルムを剥離した後、回路基板上の樹脂層を200℃、1時間の条件で硬化してソルダーレジストを形成した。
プリント配線基板のL/S=15/15μmの微細回路パターン上に、ソルダーレジスト材として上記で得られた樹脂シートを積層し、樹脂シートからキャリア基材であるPETフィルムを剥離した後、200℃、1時間の条件で硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、温度130℃、湿度85%、印加電圧3.3Vの条件で連続湿中絶縁抵抗(耐HAST耐性)を評価した。なお、抵抗値106Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
◎:500時間以上故障なし
○:200時間以上500時間未満で故障あり
×:200時間未満で故障あり
各実施例および各比較例について、得られた半導体パッケージの25℃における反り量を測定した。このとき、パッケージ反り量が100μm未満であるものを○とし、パッケージ反り量が100μm以上であるものを×として、パッケージ反りを評価した。なお、パッケージ反り量は、半導体パッケージ上面の中心点と、当該上面の外周部と、の半導体素子と回路基板の積層方向における距離により定義される。
20 回路基板
22 基板
24 導電体パターン
28 開口部
30 半田ボール
40 封止樹脂層
50 ボンディングワイヤ
60 半導体素子
62 ダイアタッチ材
242 ライン
244 ランド
246 めっき膜
Claims (16)
- キャリア基材と、
前記キャリア基材上に配置されていて、ソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層と、を備える、ソルダーレジストに用いる樹脂シートであって、
前記樹脂層の硬化物において、Cl−、Br−、Na+、K+からなる不純物イオンの濃度の合計値が、100ppm以下である、樹脂シート。 - 請求項1に記載の樹脂シートであって、
前記樹脂層の硬化物の30℃における貯蔵弾性率が7Gpa以上40Gpa以下である、樹脂シート。 - 請求項1または2に記載の樹脂シートであって、
前記樹脂層の硬化物の260℃における貯蔵弾性率が0.5Gpa以上10Gpa以下である、樹脂シート。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の樹脂シートであって、
前記樹脂層の硬化物のガラス転移温度が、130℃以上である、樹脂シート。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の樹脂シートであって、
IPC−TM−650 Method2.6.2.1Aに準拠して測定された前記樹脂層の硬化物の吸水率が、1%以下である、樹脂シート。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の樹脂シートであって、
前記樹脂層の硬化物において、前記不純物イオンであるCl−の濃度が、90ppm以下である、樹脂シート。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の樹脂シートであって、
前記樹脂層の硬化物において、前記不純物イオンであるNa+の濃度が、20ppm以下である、樹脂シート。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の樹脂シートであって、
前記樹脂層の硬化物のガラス転移温度未満における線膨張係数が1ppm/℃以上35ppm/℃以下である、樹脂シート。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載の樹脂シートであって、
前記ソルダーレジスト樹脂組成物が、熱硬化性樹脂と充填材とを含む、樹脂シート。 - 請求項9に記載の樹脂シートであって、
前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂を含む、樹脂シート。 - 請求項9または10に記載の樹脂シートであって、
前記充填材が、シリカを含む、樹脂シート。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載の樹脂シートであって、
前記ソルダーレジスト樹脂組成物が、シアネート樹脂をさらに含む、樹脂シート。 - 請求項1から12のいずれか1項に記載の樹脂シートであって、
前記ソルダーレジスト樹脂組成物が、不純物イオンを捕捉するキレート高分子を含まない、樹脂シート。 - 表面に回路が形成された基板と、
前記基板の表面上に形成されたソルダーレジストと、を備える回路基板であって、
前記ソルダーレジストが、請求項1から13のいずれか1項に記載の樹脂シートの樹脂層の硬化物である、回路基板。 - 請求項14に記載の回路基板であって、
前記ソルダーレジストの膜厚の合計値が、1μm以上50μm以下である、回路基板。 - 請求項14または15に記載の回路基板であって、
前記基板の膜厚と前記ソルダーレジストの膜厚の合計値が、10μm以上200μm以下である、回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016106495A JP2017212400A (ja) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | 樹脂シートおよび回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016106495A JP2017212400A (ja) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | 樹脂シートおよび回路基板 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2017008477A Division JP7058467B2 (ja) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 樹脂シートおよび回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017212400A true JP2017212400A (ja) | 2017-11-30 |
Family
ID=60474878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2016106495A Pending JP2017212400A (ja) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | 樹脂シートおよび回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017212400A (ja) |
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- 2016-05-27 JP JP2016106495A patent/JP2017212400A/ja active Pending
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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A521 | Request for written amendment filed |
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C23 | Notice of termination of proceedings |
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C03 | Trial/appeal decision taken |
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