JP7462380B2 - ソルダーレジスト樹脂組成物、樹脂シート、梱包体及び回路基板 - Google Patents

Description

本発明はソルダーレジスト樹脂組成物、樹脂シート、梱包体及び回路基板に関する。

ソルダーレジストインキ組成物の分野では様々な技術が開発されている。例えば、特許文献１には、カーボンブラックを含む充填材と、結合剤とを含有することによって、配線基板表面の放熱性を向上させ、電子部品の温度上昇を抑制できるソルダーレジストインキ組成物が記載されている。

特開２０１０－０５９２２２号公報

本発明者らは、ソルダーレジストの光の透過率を低下するために、特許文献１のソルダーレジストインキ組成物を用いることを検討した。その結果、特許文献１のソルダーレジストインキ組成物を用いてソルダーレジストを作製した場合、４００～１１００ｎｍといった波長における透過率を十分に低減できないことが判明した。例えば、ソルダーレジストを光デバイスに用いる際、該波長の光がソルダーレジストを透過すると、光デバイスが内部に備える電子素子が透過光をノイズとして誤認識してしまい、光デバイスの誤作動の原因となる。

また、本発明者らが特許文献１のソルダーレジストインキ組成物を用いたソルダーレジストについて検討した結果、ガラス転移温度Ｔｇ、剛性、線膨張係数といった物性が十分でないことがあると判明した。
そこで、本発明は、硬化物としたときに高Ｔｇ、高剛性、低線膨張係数という物性を良好にしつつ、光の透過率を低減でき、ソルダーレジストとして光デバイスに用いた際、光デバイスの誤作動を抑制できるソルダーレジスト樹脂組成物を提供することを課題とする。

本発明者らが、光デバイスの誤作動を抑制する方法について検討した結果、黒色顔料を含むことによって、厚み１５μｍの樹脂層を形成した時、波長４００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下における最大透過率を特定の数値範囲内とすることが有効であることを知見した。これにより、本発明は完成した。

本発明によれば、
樹脂と、黒色顔料とを含むソルダーレジスト樹脂組成物であって、
下記条件１で測定される最大透過率Ｔ_ｍａｘが３０％以下である、ソルダーレジスト樹脂組成物が提供される。
（条件１）
・キャリア基材上に、当該ソルダーレジスト樹脂組成物からなる硬化膜を形成して透過率を測定する。
・厚み１５μｍの前記硬化膜について、測定波長４００ｎｍ以上１１００ｎｍにおける透過率の最大値を最大透過率Ｔ_ｍａｘとする。

また、本発明によれば、
キャリア基材と、
前記キャリア基材上に配置されていて、上記ソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層と、を備える、樹脂シートが提供される。

また、本発明によれば、
上記樹脂シートが、ロール状に巻回された、または、シート状に複数積層された梱包体が提供される。

また、本発明によれば、
表面に回路が形成された基板と、
前記基板の表面上に形成されたソルダーレジストと、を備える回路基板であって、
前記ソルダーレジストが、上記ソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層の硬化物である、回路基板が提供される。

本発明によれば、硬化物としたときに高Ｔｇ、高剛性、低線膨張係数という物性を良好にしつつ、波長４００～１１００ｎｍの光の透過率を低減でき、ソルダーレジストとして光デバイスに用いた際、光デバイスの誤作動を抑制できるソルダーレジスト樹脂組成物が提供される。

本実施形態に係る回路基板の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る半導体パッケージの断面の一例を示す模式図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、「Ａ～Ｂ」はＡ以上Ｂ以下を示す。

本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、樹脂と、黒色顔料とを含むソルダーレジスト樹脂組成物であって、下記条件１で測定される最大透過率Ｔ_ｍａｘが３０％以下である。
（条件１）
・キャリア基材上に、当該ソルダーレジスト樹脂組成物からなる硬化膜を形成して透過率を測定する。
・厚み１５μｍの上記硬化膜について、測定波長４００ｎｍ以上１１００ｎｍにおける透過率の最大値を最大透過率Ｔ_ｍａｘとする。

本発明者らは、ソルダーレジストが薄くても光デバイスの誤作動を抑制するためには、測定波長４００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下における最大透過率Ｔ_ｍａｘを低減することが有効であることを知見した。
本発明者らが、最大透過率Ｔ_ｍａｘを低減する方法について検討した結果、例えば、黒色顔料の種類、ソルダーレジスト樹脂組成物中の黒色顔料の含有量、及び、ソルダーレジスト樹脂組成物の製造方法を制御することによって、最大透過率Ｔ_ｍａｘを所望の数値範囲内とできることを知見した。ここで、黒色顔料の種類としては、特定の黒色酸化チタンを含むことが重要である。また、ソルダーレジスト樹脂組成物の製造方法としては、黒色顔料を溶媒中に溶解、分散させた後、黒色顔料以外のソルダーレジスト樹脂組成物の原料成分を溶解、分散させることが重要である。これにより、従来のソルダーレジスト樹脂組成物と比べて、黒色顔料をソルダーレジスト樹脂組成物中に高度に分散させることができる。したがって、最大透過率Ｔ_ｍａｘを所望の数値範囲内とすることができる。これにより、本実施形態に係る光デバイスは、ソルダーレジストが薄くても光デバイスの誤作動を抑制することができる。
なお、黒色顔料を溶媒に分散させる方法としては、例えば、超音波分散を用いることが好ましい。これにより、黒色顔料をソルダーレジスト樹脂組成物中にさらに高度に分散させることができる。

また、本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、過剰に黒色顔料を添加することなく上記最大透過率Ｔ_ｍａｘを所望の数値範囲とすることができる。これにより、ガラス転移温度Ｔｇ、剛性、線膨張係数といった物性の低下を抑制できる。また、ソルダーレジスト上に銅回路を配した時、ソルダーレジストと、銅回路との密着性を十分に維持できる観点でも好適である。
以上より、本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、硬化物としたときに高Ｔｇ、高剛性、低線膨張係数に関し良好な物性を達成しつつ、波長４００～１１００ｎｍの光の透過率を低減でき、ソルダーレジストとして光デバイスに用いた際、光デバイスの誤作動を抑制できるものである。

本実施形態のソルダーレジスト樹脂組成物について、以下詳細を説明する。

（ソルダーレジスト樹脂組成物）
本実施形態のソルダーレジスト樹脂組成物は、ワニス状の樹脂組成物である。当該ソルダーレジスト樹脂組成物をフィルム状とすることにより、本実施形態の樹脂シートを得ることができる。かかる樹脂シートを硬化させることにより、ソルダーレジスト膜が得られる。また、ソルダーレジスト樹脂組成物の塗布膜を硬化させることにより、ソルダーレジスト膜を得てもよい。

本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、厚さ１５μｍの硬化物としたときの、測定波長４００ｎｍ以上１１００ｎｍにおける透過率の最大値である最大透過率Ｔ_ｍａｘの上限値が、例えば、３０％以下であり、２５％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましい。これにより、ソルダーレジストを光デバイスに用いた時に、光デバイスの誤作動が生じることを抑制できる。
また、上記最大透過率Ｔ_ｍａｘの下限値は、例えば、０％以上でもよく、０．０１％以上でもよい。最大透過率Ｔ_ｍａｘは小さいほど、光デバイスの誤作動を抑制できる観点で好適である。
なお、本実施形態において、最大透過率Ｔ_ｍａｘの測定に用いる硬化物は、例えば、以下のように作製することができる。まず、ソルダーレジスト樹脂組成物をポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、温度１２０℃で２分間熱処理し、樹脂膜を得る。次いで、樹脂膜を温度２００℃で１時間熱処理することで、硬化物を作製できる。
また、本実施形態において、透過率は、例えば、紫外可視近赤外分光光度計（例えば、日本分光社製、Ｖ－６７０）を用いて測定することができる。

本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物を厚さ１５μｍの硬化物として透過率を測定し、透過率－測定波長でプロットする場合、測定波長４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下において、透過率が大きくなる方向に凸形状を示す。この凸形状のピークにおける透過率であるピーク透過率Ｔ_ｐの上限値としては、例えば、２１％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく１８％以下であることが更に好ましく、１５％以下であることが一層好ましく、１２％以下であることが殊更好ましい。Ｔ_ｐが上記上限値以下であることにより、ソルダーレジスト樹脂組成物中に黒色顔料が好適に分散し、凝集物を形成しない観点で好ましい。これにより、Ｔｇ、剛性、線膨張係数という諸物性を所望の数値範囲とすることができる。
また、ピーク透過率Ｔ_ｐの下限値としては、例えば、０％以上でもよく、１％以上でもよい。基本的に、ピーク透過率Ｔ_ｐは小さいほうが好ましい。
なお、ピーク透過率Ｔ_ｐの測定に用いる硬化物は、上述した最大透過率Ｔ_ｍａｘの測定に用いる硬化物と同様のものとすることができる。

本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物を厚さ１５μｍの硬化物として透過率を測定したとき、測定波長６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下における最大透過率と最小透過率との差Ｔ_ｄ１の上限値は、例えば、１８％以下であることが好ましく、１６％以下であることがより好ましく、１４％以下であることが更に好ましく、１２％以下であることが一層好ましく、９％以下であることが殊更好ましい。これにより、ソルダーレジスト樹脂組成物中に黒色顔料が好適に分散し、凝集物を形成しない観点で好ましい。これにより、Ｔｇ、剛性、線膨張係数という諸物性を所望の数値範囲とすることができる。
また、上記Ｔ_ｄ１の下限値としては、例えば、０％以上でもよく、１％以上でもよい。基本的に、Ｔ_ｄ１は小さいほうが好ましい。
なお、Ｔ_ｄ１の測定に用いる硬化物は、上述した最大透過率Ｔ_ｍａｘの測定に用いる硬化物と同様のものとすることができる。

本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物を厚さ１５μｍの硬化物として透過率を測定したとき、測定波長８００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下における最大透過率と最小透過率との差Ｔ_ｄ２の上限値は、例えば、１％以下であることが好ましい。これにより、粗大な凝集物の形成を抑制できる観点で好ましい。したがって、Ｔｇ、剛性、線膨張係数という諸物性を所望の数値範囲とできる。
また、上記Ｔ_ｄ２の下限値は、例えば、０％以上とすることができる。基本的に、Ｔ_ｄ２は小さいほうが好ましい。
なお、Ｔ_ｄ２の測定に用いる硬化物は、上述した最大透過率Ｔ_ｍａｘの測定に用いる硬化物と同様のものとすることができる。

本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、樹脂と、黒色顔料とを含む。以下、ソルダーレジスト樹脂組成物が含有する原料成分について説明する。

（樹脂）
樹脂としては、従来のソルダーレジスト樹脂組成物に用いられるものであれば限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂といった樹脂を用いることができる。樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、光の透過率が低いが、熱硬化性樹脂であれば、加熱により均一に硬化を生じさせ、ソルダーレジスト膜を形成することができる。

（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂としては、具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、マレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化性樹脂としては、上記具体例のうち例えば、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。これにより、ソルダーレジスト樹脂組成物中の黒色顔料の分散性を向上できる。
また、上述した熱硬化性樹脂に応じて、ソルダーレジスト樹脂組成物は、例えば、硬化剤を含んでもよい。

上述したエポキシ樹脂としては、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'－（１，３－フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'－（１，４－フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'－シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
エポキシ樹脂としては、上記具体例のうち、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、ノボラックエポキシ樹脂としては、上記具体例のうち、例えば、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。これにより、黒色顔料を好適に分散させつつ、高ガラス転移温度Ｔｇ、高剛性、低線膨張係数といった物性を所望の数値範囲で実現することができる。

本実施形態においては、以下の式（１）に示すエポキシ樹脂をエポキシ樹脂として含むことが、好ましい態様の一例として挙げられる。式（１）で表されるエポキシ樹脂の市販品としては、具体的には、ＤＩＣ社製のＥＸＡ－７３２０などが挙げられる。

（式（１）中、ｎは０～１０の整数であり、Ｒ_１およびＲ_２は互いに独立して水素原子、炭素数１～６のアルキル基、または炭素数１～６のアルコキシ基である。）

本実施形態のソルダーレジスト樹脂組成物中の熱硬化性樹脂の含有量の下限値は、例えば、ソルダーレジスト樹脂組成物の全固形分１００質量部に対して、３質量部以上であることが好ましく、５質量部以上であることがより好ましい。これにより、ソルダーレジスト樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジスト膜の埋め込み性、平滑性を向上できる。
また、本実施形態のソルダーレジスト樹脂組成物中の熱硬化性樹脂の含有量の上限値は、例えば、ソルダーレジスト樹脂組成物の全固形分１００質量部に対して、４０質量部以下であることが好ましく、３５質量部以下であることがより好ましい。これにより、ソルダーレジスト膜の耐熱性を向上できる。
なお、本実施形態において、ソルダーレジスト樹脂組成物の全固形分とは、ソルダーレジスト樹脂組成物中に含まれる溶剤を除く成分全体を示す。

（黒色顔料）
本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、着色剤である黒色顔料を含む。
黒色顔料としては、具体的には、黒色酸化チタンなどの無機酸化物；カーボンブラック、グラファイト、フラーレン、およびカーボンファイバーなどの炭素化合物などが挙げられる。黒色顔料としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。黒色顔料としては、上記具体例のうち例えば、無機酸化物を含むことが好ましい。また、無機酸化物としては黒色酸化チタンＴｉ_ｎＯ_２ｎ－１（ｎは正の整数）を含むことが好ましい。また、黒色酸化チタンＴｉ_ｎＯ_２ｎ－１（ｎは正の整数）としては、例えば、黒色酸化チタンＴｉ_ｎＯ_２ｎ－１（ｎは２以上６以下の整数）を含むことが好ましい。これにより、黒色顔料がソルダーレジスト樹脂組成物中に高分散することで、最大透過率Ｔ_ｍａｘを所望の数値範囲とすることができる。

黒色顔料の平均粒径の上限値は、例えば、２．０μｍ以下が好ましく、１．９μｍ以下がより好ましく、１．８μｍ以下がさらに好ましい。これにより、黒色酸化チタンの分散性を高めることができる。
また、黒色顔料の平均粒径の下限値は、例えば、０．１μｍ以上としてもよく、０．２μｍ以上としてもよい。

ソルダーレジスト樹脂組成物中の黒色顔料の含有量の下限値としては、例えば、ソルダーレジスト樹脂組成物の全固形分１００質量部に対して、２．０質量部以上であることが好ましく、２．５質量部以上であることがより好ましく、３．０質量部以上であることが更に好ましく、３．５質量部以上であることが一層好ましく、４．０質量部以上であることが殊更好ましい。これにより、ソルダーレジスト膜の透過率をより低減することができる。
また、ソルダーレジスト樹脂組成物の黒色顔料の含有量の上限値としては、例えば、ソルダーレジスト樹脂組成物の全固形分１００質量部に対して、１０質量部以下であることが好ましく、９質量部以下であることがより好ましく、８質量部以下であることが更に好ましい。これにより、黒色顔料が導電性を備える場合、導電パスが形成される不都合を抑制できる。

（その他の成分）
本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、必要に応じて、硬化剤、溶媒、充填材、硬化促進剤、着色剤、カップリング剤、レベリング剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤などを含有してもよい。
以下、代表成分について記載する。

（硬化剤）
上述した硬化剤としては、例えば、上記熱硬化性樹脂と反応して硬化反応するものを用いることができる。硬化剤としては、具体的には、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、活性エステル樹脂などを用いることができる。硬化剤としては、例えば、シアネート樹脂を用いることが好ましい。これにより、黒色顔料を好適に分散させつつ、高ガラス転移温度Ｔｇ、高剛性、低線膨張係数といった物性を所望の数値範囲で実現することができる。

上記フェノール樹脂としては、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を限定するものではない。フェノール樹脂としては、具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂などの多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などの変性フェノール樹脂；フェニレン骨格および／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂などのアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノール化合物などが挙げられる。フェノール樹脂としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、フェノール樹脂としては、室温２５℃で液状である液状フェノール樹脂を含むことが好ましい。

上記ベンゾオキサジン樹脂としては、具体的には、ｏ－クレゾールアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ｍ－クレゾールアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ｐ－クレゾールアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール－アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール－メチルアミン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール－シクロヘキシルアミン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール－ｍ－トルイジン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール－３，５－ジメチルアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＡ－アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＡ－アミン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＦ－アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＳ－アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ジヒドロキシジフェニルスルホン－アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ジヒドロキシジフェニルエーテル－アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ベンゾフェノン型ベンゾオキサジン樹脂、ビフェニル型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＡＦ－アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＡ－メチルアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール－ジアミノジフェニルメタン型ベンゾオキサジン樹脂、トリフェニルメタン型ベンゾオキサジン樹脂、およびフェノールフタレイン型ベンゾオキサジン樹脂などが挙げられる。
また、ベンゾオキサジン樹脂の市販品としては、例えば、ＢＦ－ＢＸＺ、ＢＳ－ＢＸＺ、ＢＡ－ＢＸＺ（以上、小西化学工業社製）などを用いることができる。

上記シアネート樹脂としては、シアネートエステル樹脂を用いることができる。
シアネートエステル樹脂としては、具体的には、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４'－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４'－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４－シアネートフェニル）エーテルなどの２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン構造含有フェノール樹脂などから誘導される多官能シアネート樹脂；上記例示したシアネートエステル樹脂の一部がトリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。
ここで、シアネートエステル樹脂の市販品としては、例えば、ロンザジャパン社製のＰＴ３０、ＢＡ２３０、ＤＴ－４０００、ＤＴ－７０００などを用いることができる。

上記活性エステル樹脂としては、具体的には、フェノールエステル化合物、チオフェノールエステル化合物、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル化合物、複素環ヒドロキシ基がエステル化された化合物等の反応活性の高いエステル基を有し、エポキシ樹脂の硬化作用を有するものを用いることができる。
活性エステル樹脂としては、上記具体例のうち、例えば、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られるものを用いることが好ましい。ここで、ヒドロキシ化合物としては、具体的には、フェノール化合物、ナフトール化合物などが挙げられる。
上記カルボン酸化合物としては、具体的には、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸などが挙げられる。
また、上記フェノール化合物としては、具体的には、ヒドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックなどが挙げられる。
また、上記ナフトール化合物としては、具体的には、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレンなどが挙げられる。

（溶媒）
本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、原料成分を溶媒に溶解、分散させることで、ワニス状として用いることができる。
溶媒としては、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ－メチルピロリドンなどが挙げられる。溶媒としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

（充填材）
本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、充填材を含んでもよい。
充填材としては、具体的には、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。充填材としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。充填材としては、上記具体例のうち、シリカを用いることが好ましい。
充填材の粒径は、好ましくは１０ｎｍ～１０μｍであり、より好ましくは、２０ｎｍ～５μｍである。充填性の観点から、粒径の異なる充填材を組み合わせて用いることが好ましい。

（硬化促進剤）
上述した硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と、硬化剤との反応を促進させるものを用いることができる。硬化促進剤としては、具体的には、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（ＴＰＰ－Ｋ）、テトラフェニルホスホニウム・テトラキス（４－メチルフェニル）ボレート（ＴＰＰ－ＭＫ）、テトラフェニルホスホニウムのビス（ナフタレン－２，３－ジオキシ）フェニルシリケート付加物のような四級ホスホニウム系化合物、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－エチル－４－エチルイミダゾール、２－フェニル－４－エチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物などが挙げられる。

オニウム塩化合物は、とくに限定されないが、たとえば下記一般式（２）で表される化合物を用いることができる。

（式（２）中、Ｐはリン原子、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ^－は分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価のプロトン供与体のアニオン、またはその錯アニオンを示す）

（着色剤）
本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、着色剤として、例えば、上記黒色顔料以外の黒色染料、黒色色素を含有してもよい。
黒色染料としては、具体的には、アゾ系等の金属錯塩黒色染料、または、アントラキノン系化合物等の有機黒色染料などが挙げられる。当該黒色染料としては、特に限定されないが、例えば、Ｋａｙａｓｅｔ Ｂｌａｃｋ Ａ－Ｎ（日本化薬社製）、Ｋａｙａｓｅｔ Ｂｌａｃｋ Ｇ（日本化薬社製）等が挙げられる。本実施形態において、黒色染料は１種または２種以上用いてもよい。

（カップリング剤）
上述したカップリング剤としては、具体的には、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。カップリング剤としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

（ソルダーレジスト樹脂組成物の製造方法）
本実施形態のソルダーレジスト樹脂組成物は、上述した原料成分を、例えば、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。
ソルダーレジスト樹脂組成物の製造方法としては、黒色顔料を溶媒中に溶解、分散させた後、黒色顔料以外のソルダーレジスト樹脂組成物の原料成分を溶解、分散させることが重要である。これにより、従来のソルダーレジスト樹脂組成物と比べて、黒色顔料をソルダーレジスト樹脂組成物中に高度に分散させることができる。
黒色顔料を溶媒に溶解、分散させる方法としては、例えば、超音波分散を用いることが好ましい。これにより、黒色顔料をソルダーレジスト樹脂組成物中にさらに高度に分散させることができる。
なお、黒色顔料の分散性を向上する観点から、超音波分散させる時間は、例えば、３０分間以上６０分間以下とすることが好ましい。これにより、黒色顔料の含有量を低減しつつ、光の透過率を低減することができる。したがって、光の透過率を低減しつつ、ソルダーレジストの銅回路に対する密着強度を発揮できる観点で好ましい。

（用途）
本実施形態に係るソルダーレジスト樹脂組成物は、ソルダーレジストを形成するために用いられる。また、光透過によるデバイスの誤作動を抑制できる観点から、本実施形態に係るソルダーレジストは、例えば、光デバイス用ソルダーレジストとして用いられることが好ましい。
以下、本実施形態に係る樹脂膜、樹脂シート、ソルダーレジストについて詳細を説明する。

（樹脂膜）
本実施形態の樹脂膜は、ワニス状のソルダーレジスト樹脂組成物をフィルム化することにより得ることができる。また、下記樹脂シートを作製し、得られた樹脂層をキャリア基材から剥離することで樹脂膜として使用してもよい。

本実施形態に係る樹脂膜と、粗化しない銅箔とのピール強度の下限値は、例えば、０．０２ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．０３ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましく、０．０４ｋＮ／ｍ以上であることが更に好ましい。これにより、回路基板を作製する工程において、銅箔が樹脂膜から脱落するといった不都合が発生することを抑制できる。
また、本実施形態に係る樹脂膜と、表面粗さＲａが１μｍとなるように粗化した銅箔とのピール強度の下限値は、例えば、０．０６ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．０７ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましく、０．０８ｋＮ／ｍ以上であることが更に好ましい。回路基板が備える導体回路パターンは、表面が粗化処理された銅によってなることが多い。したがって、ピール強度が上記下限値以上であることによって、実際に回路基板を形成した場合において、導体回路パターンと、樹脂膜の剥離といった不都合が発生することを抑制できる観点で都合がよい。
また、本実施形態に係る樹脂膜と、粗化しない銅箔または表面粗さＲａが１μｍとなるように粗化した面側の銅箔とのピール強度の上限値は、例えば、０．５０ｋＮ／ｍ以下であってもよく、０．３０ｋＮ／ｍ以下であってもよく、０．２０ｋＮ／ｍ以下であってもよい。
なお、本実施形態において、樹脂膜と、銅箔とのピール強度は、例えば、以下の方法で行うことができる。まず、銅箔と樹脂膜とを真空プレスを用いて１２０℃で積層して、積層体を作製する。次いで、該積層体の片面の中央に、幅方向と平行な切り込みを形成する。次いで、積層体の切り込みから銅箔を剥がし、剥がした銅箔の先端をつまみ具で掴む。次いで、積層体を支持具で固定し、銅箔を積層体の面内方向に対して垂直方向に引く引張試験を行う。ここで、引張試験の条件は、例えば、引張速度５０ｍｍ/ｍｉｎとし、銅箔を２０ｍｍ剥がすまで引張試験を行うものとする。このとき、引張試験の荷重の最低値を引きピール強度とすることができる。

（樹脂シート）
本実施形態に係る樹脂シートについて説明する。
本実施形態に係る樹脂シートは、例えば、キャリア基材の上に、ソルダーレジスト樹脂組成物を塗工し、熱処理によって溶媒を除去することで作製することができる。これにより、本実施形態に係る樹脂シートは、キャリア基材と、キャリア基材の上に配置されている樹脂層とを備える。

（梱包体）
本実施形態に係る樹脂シートは、例えば、ロール状に巻回、または、シート状に複数積層し、梱包することができる。すなわち、本実施形態に係る梱包体は、例えば、樹脂シートをロール状に巻回された、または、シート状に複数積層されたものとすることができる。

ソルダーレジスト樹脂組成物から熱処理によって溶媒を除去する工程として、例えば、温度１００℃以上１５０℃で１分間以上５分間以下の条件で熱処理してもよい。これにより、熱硬化性樹脂を含む樹脂膜の硬化が進行することを抑制しつつ、十分に溶媒を除去することが可能となる。なお、上記条件で熱処理を行った樹脂シートの樹脂膜の硬化状態は、例えば、Ｂステージの硬化状態である。
また、樹脂膜は、熱処理によって硬化させ、硬化膜（すなわち、硬化物）とすることができる。熱処理の温度条件の下限値としては、例えば、１９０℃以上が好ましく、２００℃以上がより好ましく、２１０℃以上がさらに好ましい。また、熱処理の温度条件の上限値としては、例えば、２６０℃以下とすることができ、２４０℃以下でもよく、２２０℃以下でもよい。これにより、樹脂膜を硬化させることで、Ｃステージの硬化状態である硬化物とすることができる。

（ソルダーレジスト）
本実施形態に係るソルダーレジストは、上述した樹脂膜または樹脂層の硬化物である。すなわち、本実施形態に係る樹脂膜または樹脂層をＣステージの硬化状態とすることで、ソルダーレジストが得られる。

本実施形態に係るソルダーレジストと、粗化しない銅箔とのピール強度の下限値は、例えば、０．０３ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．０４ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましく、０．０５ｋＮ／ｍ以上であることが更に好ましい。ソルダーレジスト樹脂組成物が、黒色顔料、充填材などを含有する場合、銅からなる導体回路パターン及びソルダーレジストの密着強度は低下してしまう。ソルダーレジストと、粗化しない銅箔とのピール強度が上記下限値以上であることによって、透過率を低減しつつ、導体回路パターン及びソルダーレジストの密着強度を向上できる観点で好適である。
また、本実施形態に係るソルダーレジストと、表面粗さＲａが１μｍとなるように粗化した面側の銅箔とのピール強度の下限値は、例えば、０．０５ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．０７ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましく、０．０９ｋＮ／ｍ以上であることが更に好ましく、０．１０ｋＮ／ｍ以上であることが一層好ましい。回路基板が備える導体回路パターンは、表面が粗化処理された銅によってなることが多い。したがって、ピール強度が上記下限値以上であることによって、実際に回路基板を形成した場合における、導体回路パターンと、ソルダーレジストとの密着性を十分なものとすることができる観点で好適である。
また、本実施形態に係るソルダーレジストと、粗化しない銅箔または表面粗さＲａが１μｍとなるように粗化した面側の銅箔とのピール強度の上限値は、例えば、０．５０ｋＮ／ｍ以下であってもよく、０．３０ｋＮ／ｍ以下であってもよく、０．２０ｋＮ／ｍ以下であってもよい。
なお、本実施形態において、ソルダーレジストと、銅箔とのピール強度は、例えば、真空プレスの温度を２００℃とする以外は上述した樹脂膜と、銅箔とのピール強度を測定する方法と同様の方法で行うことができる。

（回路基板）
本実施形態に係る回路基板について説明する。
図１は、実施形態における回路基板２０の構造の例を示す模式図である。
本実施形態の回路基板は、表面に回路（導体回路パターン２４）などの電子素子が形成された基板２２と、基板の表面上である最外層に形成されたソルダーレジスト１０と、を備えることができる。当該ソルダーレジストは、本実施形態のソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂膜の硬化物で構成されている。

図２に示す半導体パッケージ１０２は、回路基板２０、半導体素子６０、および封止樹脂層４０を備える。半導体素子６０は回路基板２０上に配設されている。封止樹脂層４０は、回路基板２０の少なくともひとつの面および半導体素子６０を覆っている。回路基板２０は、基板２２、導体回路パターン２４、およびソルダーレジスト１０を備える。導体回路パターン２４は基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。ソルダーレジスト１０は、回路基板２０の最外層であり、導体回路パターン２４の周囲に設けられている。

本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、上述した回路基板２０の一方の面（以下では「上面」と呼ぶ）のソルダーレジスト１０の上に、少なくとも１つの半導体素子６０が配設されている。半導体パッケージ１０２において、回路基板２０はたとえばインターポーザであり、半導体素子６０はたとえば半導体ウエハから切り出されたＬＳＩチップである。また、回路基板２０の上面には半導体素子６０に加えて、たとえば抵抗や容量として機能する電子部品などがさらに配設されていてもよい。半導体素子６０はダイアタッチ材６２を介してソルダーレジスト１０の上に固定されている。

半導体素子６０にはその表面に電気的な接続パッド（不図示）が設けられており、接続パッドはたとえば半導体素子６０の内部に作り込まれた回路に接続されている。回路基板２０に設けられた導体回路パターン２４は、例えば、ランド２４４及びライン２４２を含む。
ランド２４４は、ソルダーレジスト１０の開口部２８に設けられている。そして、ランド２４４と、半導体素子６０の接続パッドとは、ボンディングワイヤ５０によって接続されている。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、ランド２４４の上にめっき膜２４６がさらに設けられており、ランド２４４はめっき膜２４６を介してボンディングワイヤ５０に接続されているが、これに限定されない。また、ボンディングワイヤ５０で接続される代わりにリード線や半田により接続されていても良い。
また、ライン２４２は主に、ランド２４４同士を互いに電気的に接続する線状の部分である。

封止樹脂層４０は、回路基板２０の上面の表面に露出したソルダーレジスト１０と、基板２２と、めっき膜２４６（めっき膜２４６を設けない場合はランド２４４）と、半導体素子６０のうちダイアタッチ材６２で回路基板２０と接合された面以外の面と、ボンディングワイヤ５０とを覆っている。なお、封止樹脂層４０は回路基板２０の半導体素子６０が設けられた面の全面を覆っていても良いし、当該面の一部を露出させて覆っていても良い。

半導体パッケージ１０２の回路基板２０には、上面とは反対側の面（以下では「下面」と呼ぶ）にさらに複数の開口部２８と、開口部２８の内部のランド２４４が設けられている。そして、それぞれのランド２４４はめっき膜２４６に覆われ、さらにめっき膜２４６を覆う半田ボール３０が設けられている。
ここでは、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、これに限定されず、ワイヤボンディングやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続されるパッケージでもよい。

本実施形態において、電子装置の封止樹脂層４０と、実装面と反対側に配置された下層のソルダーレジスト１０（本実施形態のソルダーレジスト）とを、同じ色とすることが可能である。例えば、それぞれ、同一または同程度の黒色とすることができる。上面および下面の最外層を、同じ黒色とすることにより、電子装置全体の美観性を高めることができる。なお、電子装置の下層のソルダーレジスト１０の下面上には、外部接続電極（例えば、半田ボール３０）を覆う黒色シールを貼り付けてもよい。

また、封止樹脂層４０の上面またはソルダーレジスト１０の下面には、例えば、ＹＡＧレーザー等のレーザーによりマークが捺印される。このマークは、例えば、直線または曲線からなる文字、数字、または記号の少なくとも１種類以上により構成される。また、上記マークは、例えば、半導体パッケージの製品名、製品番号、ロット番号、またはメーカー名等を示すものである。また、上記マークは、例えば、ＹＶＯ４レーザー、炭酸レーザー等により捺印されてもよい。

本実施形態の電子装置としては、特に限定されないが、例えば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＬＦ－ＢＧＡ（Ｌｅａｄ Ｆｌａｍｅ ＢＧＡ）等が挙げられる。

また、上記半導体素子としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられるが、これらに限定されない。

本実施形態におけるソルダーレジストの厚みの下限値としては、例えば、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることが更に好ましく、１０μｍ以上であることが一層好ましい。これにより、光の透過を抑制し、光デバイスに用いた際の誤作動を十分に抑制できる。
また、近年の電子装置の高密度化に伴い、電子回路を薄膜化する要求はますます高まっている。電子回路を薄膜化する観点から、本実施形態におけるソルダーレジストの厚みの上限値としては、例えば、５０μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以下であることが更に好ましく、２０μｍ以下であることが一層好ましく、１５μｍ以下であることが殊更好ましい。本実施形態に係るソルダーレジストは、厚みが上記上限値以下であっても最大透過率Ｔ_ｍａｘを低減できる観点で都合がよい。

（回路基板の製造方法）
次に、回路基板２０の製造方法について説明する。
本実施形態に係る回路基板２０の製造方法は、例えば、基板２２を準備する工程と、樹脂膜を積層する工程と、開口部２８を形成する工程と、およびデスミア処理する工程とをこの順に含む。
基板２２を準備する工程では、少なくともひとつの最外面に電子素子である導体回路パターン２４が配された基板２２を準備する。樹脂膜を積層する工程では、基板２２および導体回路パターン２４上に最外層の樹脂膜を積層する。開口部２８を形成する工程では、樹脂膜の所定の領域に導体回路パターン２４の一部を露出させる。デスミア処理する工程では、樹脂膜の表面をデスミア処理する。開口部２８を形成する工程は、樹脂膜のうち、開口部２８とする領域にレーザー光を照射する工程を含む。

まず、表裏の少なくとも一方の最外面に導体回路パターン２４が配された基板２２を準備する（基板を準備する工程）。次いで、基板２２の導体回路パターン２４上に樹脂膜を積層する（積層する工程）。本工程では、基板２２の導体回路パターン２４が配された面上に、樹脂膜が基板２２と対向するよう樹脂シートを貼付する。樹脂シートの貼付は、たとえば樹脂シートの樹脂膜を導体回路パターン２４上に積層した後、これを真空加熱加圧成形することにより行うことができる。本実施形態において、樹脂シートとしては、金属箔付き樹脂膜でもよいし、樹脂フィルム付き樹脂膜でもよい。次いで、キャリア基材を、樹脂膜から剥離する。これにより、基板２２に、導体回路パターン２４を覆うように、樹脂膜が形成されることとなる。

次いで導体回路パターン２４上の樹脂膜の所定の位置に開口部２８を設ける（開口部を形成する工程）。開口部２８は主に導体回路パターン２４のランド２４４を露出させるように形成する。開口部２８の形成方法としては特に限定されず、露光現像法やレーザー加工法、などの方法を用いることができる。

開口部２８の形成に露光現像法を用いる場合、ソルダーレジスト樹脂組成物は感光剤を含む必要がある。露光現像法ではまず、樹脂膜のうち開口部２８を形成する領域、もしくは開口部２８を形成しない領域のいずれか一方に選択的に光を照射する露光を行う。その後、アルカリ性水溶液などの現像液を用いた現像を行うことで開口部２８を形成出来る。

その後、Ｂステージ状態の樹脂膜を熱硬化させることにより、ソルダーレジスト１０（樹脂膜の硬化物）を形成する。本実施形態において、硬化温度は特に限定されないが、例えば、１６０℃以上でもよく、１８０℃以上でもよく、２００℃以上でもよい。これによりソルダーレジスト１０（ソルダーレジスト）を形成する。ここで、露光にはたとえば、マスクパターンを密着させて紫外線を照射する方法や、レーザー光を所望の領域に直接照射する方法を用いることができる。

プロセスの簡易化の観点から、開口部２８を形成する工程では、樹脂膜のうち、開口部２８とする領域にレーザー光を照射して（レーザー光を照射する工程）、開口を形成する方法が好ましく、中でもレーザー加工法がより好ましい。

開口部２８を形成した後には、必要に応じて、デスミア処理を行うことができる（デスミア処理する工程）。デスミア処理では、開口部２８の形成などで生じたスミアを除去する。

本実施形態に係る回路基板２０の製造方法では、開口部２８の形成、および必要に応じてデスミア処理を行った後、開口部２８に露出した導体回路パターン２４の上にめっき膜２４６を形成するめっき処理を行う。ただし、めっき膜２４６を形成せずに回路基板２０としても良い。めっき膜２４６は、たとえば半田めっき膜や、錫めっき膜や、ニッケルめっき膜の上に金めっき膜を積層した２層構造のめっき膜とすることができる。めっき膜２４６は開口部２８に露出した導体回路パターン２４の導電部を覆うように形成される。また、めっき膜２４６の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば２μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。これにより、ランド２４４部分を、回路基板２０を用いた実装工程においてワイヤボンディング５０や半田付けに適した接続部とすることができる。

めっき処理の方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。たとえば、電解めっき法または無電解めっき法を用いることができる。たとえば無電解めっき法を用いる場合、次の様にめっき膜２４６を形成することが出来る。ここではニッケルと金の２層構造のめっき膜２４６を形成する例について説明するが、これに限定されない。まず、ニッケルめっき膜を形成する。無電解ニッケルめっきを行う場合、めっき液に導体回路パターン２４やソルダーレジスト１０を積層した基板２２を浸漬する。このことで、開口部２８に露出した導体回路パターン２４の導電部の上に、ニッケルめっき膜を形成できる。めっき液は、ニッケル鉛、および還元剤としてたとえば次亜リン酸塩を含んだものを用いることができる。続いて、ニッケルめっき膜の上に無電解金めっきを行う。無電解金めっきの方法は特に限定されないが、たとえば金イオンと下地金属のイオンとの置換により行う置換金めっきで行うことができる。
なお、めっき処理の前に、必要に応じて、露出した導体回路パターン２４の導電部を洗浄する工程や、粗化する工程を行っても良い。

次いで、本実施形態に係る回路基板２０の製造方法では、ソルダーレジスト１０を形成した表面を、プラズマ処理してもよい。以上の様にして図１の様な本実施形態に係る回路基板２０が得られる。

（電子装置の製造方法）
次に、電子装置の製造方法について、半導体パッケージ１０２の製造方法を一例に説明する。
本実施形態の電子装置（半導体パッケージ１０２）の製造方法は、導電回路（導体回路パターン２４）が一面に形成された基板（基板２２）を準備する工程と、上記樹脂膜を基板上に配置する工程と、樹脂膜に開口部を形成して、導電回路を露出させる工程と、樹脂膜を加熱硬化することによりソルダーレジスト１０を形成する工程と、電子素子を、開口部に露出している導電回路と電気的に接続する工程と、電子素子（半導体素子６０）を封止する工程と、を含むことができる。

すなわち、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の製造方法は、回路基板２０を準備する工程、半導体素子６０を配設する工程、および封止する工程をこの順に含む。回路基板２０を準備する工程では、表面にソルダーレジスト１０（ソルダーレジスト）が露出した回路基板２０を準備する。半導体素子６０を配設する工程では、ソルダーレジスト１０上に半導体素子６０を配設する。封止する工程では、露出したソルダーレジスト１０および半導体素子６０を封止樹脂で覆うよう封止する。回路基板２０は、基板２２、導体回路パターン２４、およびソルダーレジスト１０を備える。導体回路パターン２４は基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。ソルダーレジスト１０は回路基板２０の最外層であり、導体回路パターン２４上に設けられている。ソルダーレジスト１０には、複数の開口部２８が設けられている。少なくとも１つの開口部２８内には、導体回路パターン２４の導電部の一部が位置している。

まず、上述の回路基板２０を準備し（回路基板を準備する工程）、回路基板２０の上に、半導体素子６０を配設する（半導体素子を配設する工程）。このとき半導体素子６０は、たとえばダイアタッチ材６２を介して回路基板２０上に搭載する。半導体素子６０と回路基板２０を接続するボンディングワイヤ５０は、たとえば回路基板２０の上面の開口部２８に露出した導体回路パターン２４へボンディングする。次いで、回路基板２０の上面、半導体素子６０、およびボンディングワイヤ５０を封止樹脂層４０によって封止する（封止する工程）。封止樹脂としてはたとえばエポキシ樹脂組成物を用いることができる。封止樹脂でモールドする方法としては、トランスファー成形法、射出成形法、転写法、塗布法などを用いることができる。封止樹脂層４０をたとえば１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより硬化させる。

また、回路基板２０に外部接続端子である半田ボール３０が設けられる例においては、たとえば下面側の開口部２８に露出した導体回路パターン２４上に、半田ボール３０を形成する。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、半導体パッケージ１０２はこれに限定されず、ワイヤボンディングやＴＡＢ接続されるパッケージでもよい。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 樹脂と、黒色顔料とを含むソルダーレジスト樹脂組成物であって、
下記条件１で測定される最大透過率Ｔ _ｍａｘ が３０％以下である、ソルダーレジスト樹脂組成物。
（条件１）
・キャリア基材上に、当該ソルダーレジスト樹脂組成物からなる硬化膜を形成して透過率を測定する。
・厚み１５μｍの前記硬化膜について、測定波長４００ｎｍ以上１１００ｎｍにおける透過率の最大値を最大透過率Ｔ _ｍａｘ とする。
２． １．に記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
下記条件２で測定されるピール強度が０．０５ｋＮ/ｍ以上０．５０ｋＮ/ｍ以下である、ソルダーレジスト樹脂組成物。
（条件２）
・キャリア基材上に、当該ソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層を形成する。次いで、当該樹脂層と、表面粗さＲａが１μｍとなるように粗化した銅箔とを、温度２００℃で真空プレスすることで積層し、当該ソルダーレジスト樹脂組成物の硬化膜と、前記銅箔との積層体を形成する。
・前記積層体について、前記硬化膜と、前記銅箔とを剥離する時の応力をピール強度とする。
３． １．または２．に記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
前記ソルダーレジスト樹脂組成物中の前記黒色顔料の含有量が、前記ソルダーレジスト樹脂組成物の全固形分１００質量部に対して、２．０質量部以上１０質量部以下である、ソルダーレジスト樹脂組成物。
４． １．から３．のいずれか１つに記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
前記黒色顔料は、黒色酸化チタンＴｉ _ｎ Ｏ _２ｎ－１ （ｎは正の整数）を含む、ソルダーレジスト樹脂組成物。
５． １．から４．のいずれか１つに記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
前記樹脂は熱硬化性樹脂であり、
前記熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂を含む、ソルダーレジスト樹脂組成物。
６． ５．に記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
硬化剤を更に含み、
前記硬化剤は、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂及び活性エステル樹脂からなる群より選択される１種以上である、ソルダーレジスト樹脂組成物。
７． １．から６．のいずれか１つに記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
当該ソルダーレジスト樹脂組成物はソルダーレジストを形成するために用いられ、
前記ソルダーレジストは光デバイス用ソルダーレジストである、ソルダーレジスト樹脂組成物。
８． キャリア基材と、
前記キャリア基材上に配置されていて、１．から７．のいずれか１つに記載のソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層と、を備える、樹脂シート。
９． ８．に記載の樹脂シートが、ロール状に巻回された、または、シート状に複数積層された梱包体。
１０． 表面に回路が形成された基板と、
前記基板の表面上に形成されたソルダーレジストと、を備える回路基板であって、
前記ソルダーレジストが、１．から７．のいずれか１つに記載のソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層の硬化物である、回路基板。
１１． １０．に記載の回路基板であって、
前記ソルダーレジストの厚みは１μｍ以上５０μｍ以下である、回路基板。

以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
まず、各実施例、各比較例で用いた成分の詳細について以下に示す。

（熱硬化性樹脂）
・熱硬化性樹脂１：ナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－７３２０）
・熱硬化性樹脂２：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ－３０００）
・熱硬化性樹脂３：グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ｊＥＲ６３０）

（硬化剤）
・硬化剤１：シアネート樹脂（ＬＯＮＺＡ社製、Ｐｒｉｍａｓｅｔ ＰＴ－３０）
・硬化剤２：ナフタレン型活性エステル樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰＣ－８１５０－６０Ｔ）

（充填材）
・充填材１：シリカ（アドマテックス社製、ＳＣ４０５０－ＫＮＲ、平均粒径１μｍ、粒径５μｍ以上の粒子カット）
・充填材２：ナノシリカ（アドマテックス社製、ＹＡ０５０Ｃ－ＨＨＡ、平均粒径５０ｎｍ）

（着色剤）
・黒色顔料１：黒色酸化チタン（Ｔｉ_ｎＯ_２ｎ－１、ｎは２以上６以下の整数、赤穂化成社製、Ｔｉｌａｃｋ Ｄ、平均粒径０．３μｍ）
・黒色染料１：アントラキノン系化合物を含む染料（日本化薬社製、Ｋａｙａｓｅｔ Ｂｌａｃｋ Ａ－Ｎ）

（硬化促進剤）
・硬化促進剤１：下記一般式（２）で表されるオニウム塩化合物のリン系触媒（住友ベークライト社製、Ｃ０５－ＭＢ）（テトラフェニルホスホニウムのビス（ナフタレン－２，３－ジオキシ）フェニルシリケート付加物）
・硬化促進剤２：２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ）

（カップリング剤）
・カップリング剤１：エポキシシラン型カップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ－１８７）

（レベリング剤）
・レベリング剤１：レベリング剤（ビックケミー・ジャパン社製、ＢＹＫ－３６１Ｎ）

（溶剤）
・メチルイソブチルケトン（山一化学工業社製）
・シクロヘキサノン（山一化学工業社製）

（実施例１～７、比較例１）
実施例１～７、比較例１のソルダーレジスト樹脂組成物を作製した。詳細について説明する。
まず、表１に記載した配合量の黒色顔料を、高速撹拌装置を用いて、メチルイソブチルケトンと、シクロヘキサノンとの混合溶剤（メチルイソブチルケトン：シクロヘキサノン＝２６：９）に、溶解させ、次いで、３０分間超音波分散させることでスラリーとした。次いで、表１に記載した配合量の黒色顔料以外の成分を、高速撹拌装置を用いて、スラリーに溶解、分散させ、実施例１～７、比較例１のソルダーレジスト樹脂組成物のワニスを得た。

（樹脂シートの作製）
各実施例及び比較例１のソルダーレジスト樹脂組成物をキャリア基材であるポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、温度１２０℃で２分間熱処理することで、厚さ１５μｍの樹脂層を形成した。これにより、キャリア基材と、キャリア基材の上に直接積層された樹脂層とを備える樹脂シートを作製した。

＜評価＞
各実施例及び比較例１のソルダーレジスト樹脂組成物を用いた樹脂シートの樹脂層及びその硬化物について、以下の方法で評価を行った。

（透過率）
各実施例及び比較例１のソルダーレジスト樹脂組成物を用いた硬化物について透過率を評価した。以下に詳細を説明する。
まず、各実施例及び比較例１に係る樹脂シートから樹脂層を剥離し、次いで、温度２００℃で１時間熱処理することで、各実施例及び比較例１に係る硬化物を測定サンプルとして得た。次いで、紫外可視近赤外分光光度計（日本分光社製、Ｖ－６７０）を用いて、当該測定サンプルの透過率を測定した。なお、測定波長は４００ｎｍ～１１００ｎｍとした。
測定波長４００ｎｍ～１１００ｎｍにおける透過率の最大値を最大透過率Ｔ_ｍａｘとした。また、全ての実施例、比較例で、透過率－測定波長でプロットする場合、測定波長４００ｎｍ～６００ｎｍにおいて、透過率が大きくなる方向に凸形状を示した。凸形状のピークにおける透過率をピーク透過率Ｔ_ｐとした。さらに、測定波長６００ｎｍ～８００ｎｍにおける最大透過率と最小透過率との差をＴ_ｄ１とした。また、測定波長８００ｎｍ～１１００ｎｍにおける最大透過率と最小透過率との差をＴ_ｄ２とした。
評価結果を下記表１に示す。なお、最大透過率の単位は％である。

（ピール強度）
各実施例及び比較例１のソルダーレジストについて、銅箔を積層したときのピール強度を評価した。以下に詳細を説明する。
まず、各実施例及び比較例１のソルダーレジスト樹脂組成物をキャリア基材であるポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、ソルダーレジスト樹脂膜を得た。次いで、支持体上にソルダーレジスト樹脂膜をラミネートし、キャリア基材であるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離する。その後、表面を粗化しない銅箔（三井金属社製、ＭＴ１８ＳＤ－Ｈ－Ｔ３－Ｂ）をソルダーレジスト樹脂膜の上に積層し、温度１２０℃、圧力１．５ＭＰａで真空プレスした。これにより、Ｂステージ状態に硬化した樹脂層と、銅箔とが積層した積層体を得た。次いで、該積層体を長さ１００ｍｍ×幅２５ｍｍに切り出した。次いで、該積層体の片面の中央に、幅方向と平行な１０±０．１ｍｍの切り込みを形成した。次いで、積層体の切り込みから銅箔を剥がし、剥がした銅箔の先端をつまみ具で掴んだ。次いで、積層体を支持具で固定し、銅箔を積層体の面内方向に対して垂直方向に引く引張試験を行った。ここで、引張速度５０ｍｍ/ｍｉｎとし、銅箔を２０ｍｍ剥がすまで引張試験を行った。この引張試験の荷重の最低値をピール強度として評価した。評価結果をＢステージ（銅箔粗化なし）のものとして下記表１に示す。なお、単位はｋＮ／ｍである。
また、上記Ｂステージ（銅箔粗化なし）のピール強度の測定に用いた銅箔に対して、薬液処理（ＣＺ処理）を施し、表面粗さＲａが１μｍとなるように粗化した面側の銅箔を樹脂層側として積層した以外は、上記Ｂステージ（銅箔粗化なし）と同様の方法でピール強度を評価した。評価結果をＢステージ（銅箔表面粗化あり）のものとして下記表１に示す。なお、単位はｋＮ／ｍである。
また、上記Ｂステージ（銅箔粗化なし）のピール強度の測定に用いた積層体を作製する際に、真空プレスを温度２００℃で行った。これにより、Ｃステージに硬化した硬化物と、銅箔とが積層した積層体を得た以外は、上記Ｂステージ（銅箔粗化なし）と同様の方法でピール強度を評価した。評価結果をＣステージ（銅箔表面粗化なし）のものとして下記表１に示す。なお、単位はｋＮ／ｍである。
また、上記Ｃステージ（銅箔粗化なし）のピール強度の測定に用いた銅箔に対して、薬液処理（ＣＺ処理）を施し、表面粗さＲａが１μｍとなるように粗化した銅箔を用いた以外は、上記Ｃステージ（銅箔粗化なし）と同様の方法でピール強度を評価した。評価結果をＣステージ（銅箔表面粗化あり）のものとして下記表１に示す。なお、単位はｋＮ／ｍである。
なお、粗化ありの実施例は、ソルダーレジスト成形時において、銅回路を形成する時に、薬液を使用してパターンを作製する態様を模したものである。
ピール強度の評価より、各実施例のソルダーレジスト樹脂組成物によって形成された樹脂膜、ソルダーレジストは、銅箔と十分な密着性を発現することが確認された。

（ガラス転移温度Ｔｇ、貯蔵弾性率Ｅ'）
各実施例及び比較例１のソルダーレジスト樹脂組成物を用いた樹脂シートの樹脂層の硬化物について、ガラス転移温度Ｔｇ、貯蔵弾性率Ｅ'を評価した。以下に詳細を説明する。
まず、各実施例及び比較例１に係る樹脂シートから樹脂層を剥離した。次いで、樹脂層を温度２００℃で１時間熱処理して硬化させ、Ｃステージに硬化した硬化物とし、これを測定サンプルとした。次いで、動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメンツ社製、Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ：ＤＭＡ）を用いて、当該測定サンプルを測定した。測定条件としては、測定周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／ｍｉｎとし、常温から温度３００℃まで測定を行った。ｔａｎδのピーク温度からガラス転移温度Ｔｇを評価した。また、温度３０℃、２６０℃における貯蔵弾性率Ｅ_１'、Ｅ_２'を評価した。評価結果を下記表１に示す。なお、ガラス転移温度の単位は℃である。また、貯蔵弾性率の単位はＧＰａである。

（線膨張係数α１）
各実施例及び比較例１のソルダーレジスト樹脂組成物を用いた樹脂シートの樹脂層の硬化物について、線膨張係数α１を評価した。以下に詳細を説明する。
まず、各実施例及び比較例１に係る樹脂シートから樹脂層を剥離した。次いで、樹脂層を温度２００℃で１時間熱処理して硬化させ、Ｃステージに硬化した硬化物とし、これを測定サンプルとした。次いで、熱機械分析装置（ＴＡインスツルメンツ社製、Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ：ＴＭＡ）を用いて、当該測定サンプルを測定した。測定の昇温速度１０℃/ｍｉｎとし、常温から温度３００℃まで測定を行った。これにより、温度５０℃～１００℃における線膨張係数の平均値を、Ｔｇ未満の線膨張係数α１として評価した。評価結果を下記表１に示す。なお、単位はｐｐｍ/℃である。

表１に示すように、各実施例のソルダーレジスト樹脂組成物は硬化物としたときに高Ｔｇ、高剛性、低線膨張係数という物性を達成しつつ、比較例１のソルダーレジスト樹脂組成物の硬化物と比べて４００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下といった波長における透過率を低減できることが確認された。これにより、各実施例のソルダーレジスト樹脂組成物は、ソルダーレジストとして光デバイスに用いた際、ソルダーレジストが薄くても光デバイスの誤作動を抑制できる。

１０ ソルダーレジスト
２０ 回路基板
２２ 基板
２４ 導体回路パターン
２８ 開口部
３０ 半田ボール
４０ 封止樹脂層
５０ ボンディングワイヤ
６０ 半導体素子
６２ ダイアタッチ材
１０２ 半導体パッケージ
２４２ ライン
２４４ ランド
２４６ めっき膜

Claims (9)

1. 樹脂と、黒色顔料とを含むソルダーレジスト樹脂組成物であって、
   前記ソルダーレジスト樹脂組成物中の前記黒色顔料の含有量が、前記ソルダーレジスト樹脂組成物の全固形分１００質量部に対して、２．０質量部以上１０質量部以下であり、
   下記条件１で測定される最大透過率Ｔ_ｍａｘが３０％以下であり、
   下記条件２で測定されるピール強度が０．０５ｋＮ/ｍ以上０．５０ｋＮ/ｍ以下であり、かつ
   下記条件３で測定されるピール強度が０．０４ｋＮ/ｍ以上０．５０ｋＮ/ｍ以下である、ソルダーレジスト樹脂組成物。
   （条件１）
   ・キャリア基材上に、当該ソルダーレジスト樹脂組成物からなる硬化膜を形成して透過率を測定する。
   ・厚み１５μｍの前記硬化膜について、測定波長４００ｎｍ以上１１００ｎｍにおける透過率の最大値を最大透過率Ｔ_ｍａｘとする。
   （条件２）
   ・キャリア基材上に、当該ソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層を形成する。次いで、前記キャリア基材から前記樹脂膜を剥離して、当該樹脂層と、表面粗さＲａが１μｍとなるように粗化した銅箔とを、温度２００℃で真空プレスすることで積層し、当該ソルダーレジスト樹脂組成物の硬化膜と、前記銅箔との積層体を形成する。
   ・前記積層体について、前記硬化膜と、前記銅箔とを剥離する時の応力をピール強度とする。
   （条件３）
   キャリア基材上に、当該ソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する。次いで、前記キャリア基材から前記樹脂膜を剥離して、当該樹脂膜と銅箔を、温度１２０℃、圧力１．５ＭＰａで真空プレスして、Ｂステージ状態に硬化した樹脂膜と前記銅箔とが積層した積層体を得る。前記積層体から前記銅箔を剥離する時の応力をピール強度（ｋＮ/ｍ）とする。
2. 請求項１に記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
   前記黒色顔料は、黒色酸化チタンＴｉ_ｎＯ_２ｎ－１（ｎは正の整数）を含む、ソルダーレジスト樹脂組成物。
3. 請求項１または２に記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
   前記樹脂は熱硬化性樹脂であり、
   前記熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂を含む、ソルダーレジスト樹脂組成物。
4. 請求項３に記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
   硬化剤を更に含み、
   前記硬化剤は、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂及び活性エステル樹脂からなる群より選択される１種以上である、ソルダーレジスト樹脂組成物。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載のソルダーレジスト樹脂組成物であって、
   当該ソルダーレジスト樹脂組成物はソルダーレジストを形成するために用いられ、
   前記ソルダーレジストは光デバイス用ソルダーレジストである、ソルダーレジスト樹脂組成物。
6. キャリア基材と、
   前記キャリア基材上に配置されていて、請求項１から５のいずれか１項に記載のソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層と、を備える、樹脂シート。
7. 請求項６に記載の樹脂シートが、ロール状に巻回された、または、シート状に複数積層された梱包体。
8. 表面に回路が形成された基板と、
   前記基板の表面上に形成されたソルダーレジストと、を備える回路基板であって、
   前記ソルダーレジストが、請求項１から５のいずれか１項に記載のソルダーレジスト樹脂組成物からなる樹脂層の硬化物である、回路基板。
9. 請求項８に記載の回路基板であって、
   前記ソルダーレジストの厚みは１μｍ以上５０μｍ以下である、回路基板。

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