JP2017010992A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザー研削の後の樹脂層において樹脂残渣を好適に除去することが可能な、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持フィルム１１２上に半硬化又は未硬化状態の熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を形成する工程、能動面１２６ａ、及び、能動面１２６ａとは反対側の受動面１２６ｂを有する半導体素子１２６の能動面１２６ａと仮固定層１２４とが当接するように半導体素子１２６を仮固定する工程、半導体素子１２６を熱硬化性樹脂組成物層（ａ）で封止した後に熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を硬化することにより、半導体素子１２６の受動面１２６ｂを覆う絶縁層１１４ａを形成する工程、並びに、支持フィルム１１２及び絶縁層１１４ａをレーザーにより研削し、仮固定層１２４にまで至る開口部１２８を設ける工程、を備える、半導体装置の製造方法。
【選択図】図８

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。本発明は、より詳しくは、小型化及び薄型化の要求が高いウェハレベルの半導体装置及びその製造方法に関する。

電子機器の高機能化に伴って、半導体装置の小型化及び薄型化が進んでいる。近年、半導体装置の軽薄短小化は留まるところを知らず、半導体素子とほぼ同じ大きさのチップサイズパッケージや、半導体装置の上に半導体装置を積むパッケージ・オン・パッケージといった実装形態も盛んに行われており、今後、ますます半導体装置の小型化及び薄型化が進むと予想される。このチップサイズパッケージの一形態として、ウェハレベルでパッケージ作製されたウェハレベルチップサイズパッケージが、極めて小型の半導体装置を実現する技術として注目されている。

ところで、ウェハレベルチップサイズパッケージ等のウェハレベル半導体装置は、ウェハ上に再配線層を形成し、はんだボール等の外部接続用端子を設けた後、ダイシングによって個片化することで得られる。このような方法において、端子数が数１０ピンから１００ピン程度の場合は、ウェハ上にはんだボール等の外部接続用端子を設けることが可能である。

しかしながら、半導体素子の微細化が進展し、端子数が１００ピン以上に増加してくると、ウェハ上のみに再配線層を形成し、外部接続用端子を設けることが難しくなる。無理に外部接続用端子を設けた場合、端子間のピッチが狭くなると共に、端子の高さが低くなり、半導体装置を実装した後の接続信頼性の確保が難しくなる。このため、半導体素子の微細化、すなわち外部接続用端子数の増加への対応が求められている。

このような背景から、近年、ウェハを所定サイズに個片化して半導体素子を得た後、半導体素子を再配置することで、半導体素子の外側にも外部接続用端子を設けることができる半導体装置の開発が進められている（例えば下記特許文献１〜３参照）。特許文献１〜３に記載されている半導体装置は、ウェハを所定サイズに個片化して半導体素子を得た後、半導体素子を再配置するため、ウェハ上に再配線するよりも再配線領域を広く確保することができ、半導体素子の多ピン化に対応することが可能となる。

他方で、小型化及び薄型化された半導体素子の加工性の向上を図る観点から、複数の半導体素子をプラスチックで封止した成型体を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。

次に、図１〜５を用いて、従来の半導体装置の製造方法の一例について説明する。図１〜５は、従来の半導体装置の製造方法を模式的に示す端面図である。図５（ｓ）に示す半導体装置５０ａ，５０ｂは、半導体素子の再配置、封止、再配線層の形成、配線の形成、ビア形成、外部接続用端子の形成、及び、個片化等の工程を経て得られる。

まず、支持体１０の片側の面に仮固定用フィルムを貼り合わせて、支持体１０上に仮固定層１２を形成する（図１（ａ）参照）。次いで、半導体素子１４の能動面（表面：回路が形成された面）１４ａが仮固定層１２に当接するように、複数の半導体素子１４を所定の間隔で再配置する（図１（ｂ）参照）。次いで、半導体素子１４を覆うように熱硬化性樹脂等の封止材１６で封止し、必要に応じて硬化処理を行う（図１（ｃ）参照）。次いで、ホットプレート等で加熱することにより、支持体１０及び仮固定層１２を剥離し、半導体素子１４の能動面１４ａを露出させる（図１（ｄ）及び図１（ｅ）参照）。

次いで、半導体素子１４の能動面１４ａ及び封止材１６上に、スピンコート等により感光性樹脂組成物層１８を形成する（図２（ｆ）参照）。次いで、形成された感光性樹脂組成物層１８の所定の箇所を露光処理及び現像処理した後、オーブン等で後硬化して絶縁層１８ａを形成する（図２（ｇ）参照）。次いで、スパッタ等によりシード層２０を形成する（図２（ｈ）参照）。次いで、シード層２０上にラミネート等により回路形成用レジストを形成した後、所定の箇所を露光処理及び現像処理することによりレジストパターン２２を形成する（図２（ｉ）参照）。次いで、電気めっき法により配線パターン２４を形成する（図２（ｊ）参照）。

次いで、剥離液によりレジストパターン２２を除去する（図３（ｋ）参照）。次いで、シード層２０の一部をエッチングにより除去する（図３（ｌ）参照）。次いで、再度、スピンコート等により感光性樹脂組成物層を形成し、所定の箇所を露光処理及び現像処理した後、オーブン等で後硬化することにより絶縁層２６を形成する（図３（ｍ）参照）。次いで、封止材１６から配線パターン２４にまで至る開口部（ビア）２８をレーザー研削により設けた後、デスミア洗浄を行い、さらに、感光性樹脂組成物層を硬化して得られる絶縁層３０を封止材１６上に形成する（図３（ｎ）参照）。

次いで、無電解めっき等により、開口部２８の内壁及び絶縁層３０の表面上にシード層３２を形成する（図４（ｏ）参照）。次いで、電気めっき等により開口部２８をめっき層（銅層等）３４で充填する（図４（ｐ）参照）。次いで、配線パターン３６を形成した後、感光性樹脂組成物層を硬化して得られる絶縁層３８を形成する（図４（ｑ）参照）。

次いで、はんだボール４０をリフロー搭載する（図５（ｒ）参照）。最後に、ダイシングによって個片化することで半導体装置５０ａ，５０ｂを作製することができる（図５（ｓ）参照）。

特開２００４−１４７８９号公報 特開２００１−２４４３７２号公報 特開２００１−１２７０９５号公報 米国特許出願公開第２００７／２０５５１３号明細書

上記の方法で得られた半導体装置は、小型化及び薄型化が可能であるため、高機能化及び多機能化が進むスマートフォン、タブレット端末等の電子機器に用いることができる。しかしながら、熱硬化性樹脂組成物等を硬化して得られる層（封止材）にレーザー研削で開口部を設けることにより、開口部の端部に樹脂残渣が残り、凹凸が形成されてしまうという問題点がある。凹凸が形成されたままその後の感光性樹脂組成物層を形成した際、感光性樹脂組成物層に段差が生じ、微細な配線パターンが形成できないという問題点がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、レーザー研削の後の樹脂層において樹脂残渣を好適に除去することが可能な、半導体装置の製造方法、及び、当該製造方法により得られる半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は、（Ｉ）支持フィルム上に半硬化又は未硬化状態の熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を形成する工程、（ＩＩ）能動面、及び、当該能動面とは反対側の受動面を有する半導体素子の前記能動面と仮固定層とが当接するように半導体素子を仮固定する工程、（ＩＩＩ）前記半導体素子を前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）で封止した後に前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を硬化することにより、前記半導体素子の前記受動面を覆う絶縁層（Ａ）を形成する工程、並びに、（ＩＶ）前記支持フィルム及び前記絶縁層（Ａ）をレーザーにより研削し、前記仮固定層にまで至る開口部を設ける工程、を備える、半導体装置の製造方法を提供する。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、支持フィルムを絶縁層（Ａ）に付着させたままレーザー研削を行うことにより、絶縁層（Ａ）の開口部に樹脂残渣を残さずに半導体装置を製造することができる。

前記支持フィルムの厚みは、１０〜１００μｍであることが好ましい。前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚みは、３０〜３００μｍであることが好ましい。前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上を含む樹脂と、最大粒径が２０μｍ以下かつ平均粒径が５μｍ以下である無機フィラーと、を含有することが好ましい。

本発明の半導体装置の製造方法は、（Ｖ）前記支持フィルムが除去された状態において前記開口部の内壁及び前記絶縁層（Ａ）上にシード層を形成する工程、 （ＶＩ）前記シード層上にレジストパターンを形成する工程、（ＶＩＩ）前記開口部をめっき層により充填する工程、（ＶＩＩＩ）前記レジストパターンを除去した後、前記シード層における前記絶縁層（Ａ）上の部分を除去する工程、（ＩＸ）前記めっき層にまで至る開口部を有する絶縁層（Ｂ）を前記絶縁層（Ａ）上に形成する工程、（Ｘ）前記絶縁層（Ｂ）の前記開口部の内壁及び前記絶縁層（Ｂ）上にシード層を形成する工程、（ＸＩ）前記シード層上にレジストパターンを形成した後に、前記シード層における前記レジストパターンから露出する部分上に配線パターンを形成する工程、（ＸＩＩ）前記レジストパターンと、前記シード層における前記配線パターンから露出する部分とを除去する工程、（ＸＩＩＩ）前記配線パターン及び前記絶縁層（Ｂ）上に、前記配線パターンにまで至る開口部を有する絶縁層（Ｃ）を形成する工程、（ＸＩＶ）前記仮固定層を除去し、前記半導体素子の前記能動面を露出させる工程、（ＸＶ）前記工程（ＸＩＶ）の後、前記半導体素子の前記能動面側に、前記能動面にまで至る開口部を有する絶縁層（Ｄ）と、前記絶縁層（Ｄ）に積層されていると共に前記絶縁層（Ｄ）の前記開口部を介して前記半導体素子の前記能動面に導通する配線パターンと、当該配線パターンにまで至る開口部を有する絶縁層（Ｅ）と、を形成する工程、並びに、（ＸＶＩ）前記絶縁層（Ｅ）の前記開口部に外部接続用端子を形成する工程、を更に備えていてもよい。

本発明は、前記半導体装置の製造方法により得られる、半導体装置を提供する。

本発明によれば、レーザー研削の後の樹脂層において樹脂残渣を好適に除去することが可能な、半導体装置の製造方法、及び、当該製造方法により得られる半導体装置を提供することができる。

従来の半導体装置の製造方法を模式的に示す端面図である。 図１の続きを模式的に示す端面図である。 図２の続きを模式的に示す端面図である。 図３の続きを模式的に示す端面図である。 図４の続きを模式的に示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す端面図である。 図６の続きを模式的に示す端面図である。 図７の続きを模式的に示す端面図である。 図８の続きを模式的に示す端面図である。 図９の続きを模式的に示す端面図である。 図１０の続きを模式的に示す端面図である。 図１１の続きを模式的に示す端面図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

＜半導体装置製造用部材＞
本実施形態の半導体装置製造用部材は、少なくとも、支持フィルムと、当該支持フィルムに積層された熱硬化性樹脂組成物層（ａ）と、を備える。本実施形態の半導体装置製造用部材は、半導体素子の封止に用いられる半導体装置製造用部材である。

本実施形態の半導体装置製造用部材としては、例えば、後述する図６（ｂ）に示される半導体装置製造用部材１１０が挙げられる。半導体装置製造用部材１１０は、支持フィルム１１２と、支持フィルム１１２に積層された熱硬化性樹脂組成物層（ａ）１１４と、を備える。

（支持フィルム）
半導体装置製造用部材の支持フィルムとしては、一般的に樹脂フィルムの塗工時に用いられるフィルムを用いることができる。例えば、市販のポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、「ＰＥＴフィルム」ともいう）等の公知のフィルムを使用することができる。支持フィルムの厚みＴ１（図６（ａ））は、図８（ｇ）において、支持フィルムから仮固定層にまで至る開口部を設けることが可能な厚みであればよく、好ましくは１０〜１００μｍ、より好ましくは１５〜７５μｍである。

（熱硬化性樹脂組成物層（ａ））
熱硬化性樹脂組成物層（ａ）は、熱硬化性樹脂組成物から構成される層（熱硬化性樹脂組成物を層形成してなる層）であり、支持フィルム面上に形成される層である。熱硬化性樹脂組成物層（ａ）中の熱硬化性樹脂は、半導体素子を封止後に後硬化する観点から、半硬化又は未硬化であることが好ましい。

なお、本明細書において、「半硬化」とは、ＪＩＳ Ｋ ６８００「接着剤・接着用語」に定義されているようなＢ−ステージ（熱硬化性樹脂組成物の硬化中間体。この状態での樹脂は、加熱すると軟化し、ある種の溶剤に触れると膨潤するが、完全に溶融又は溶解することはない）状態を意味し、「未硬化」とは、前記溶剤に実質的に熱硬化性樹脂の全部が溶解する状態を意味する。

熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚み（半導体素子の封止前の厚み、図６（ｂ）の厚みＴ２）は、半導体素子を好適に封止できる厚みであり、好ましくは３０〜４００μｍ、より好ましくは５０〜３５０μｍ、さらに好ましくは７５〜３００μｍである。熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚みを３００μｍ以下とすることにより、薄型の半導体装置に好適である。熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚みを３０μｍ以上とすることにより、封止後の熱硬化性樹脂組成物層（後述する熱硬化性樹脂組成物層（ｂ））を均一に形成することができ、半導体素子の受動面側の平滑性を向上させることができる。

以下、本実施形態の半導体装置製造用部材の熱硬化性樹脂組成物層（ａ）に好適に用いられる熱硬化性樹脂組成物についてさらに説明する。

［熱硬化性樹脂組成物］
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、樹脂成分及び無機フィラーを含有することができる。

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上である。本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、半導体装置の低反り化効果及び薄型化効果をより効果的に発現させる観点から、エポキシ樹脂を含有することが好ましく、エポキシ樹脂とエポキシ樹脂用硬化剤とを含有することがより好ましい。また、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、アクリル樹脂、酸変性エポキシアクリレート、酸含有ウレタン樹脂等のカルボン酸含有樹脂を含有していてもよい。

熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を構成する熱硬化性樹脂組成物としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上を含む樹脂成分（樹脂）と、最大粒径が２０μｍ以下かつ平均粒径が５μｍ以下である無機フィラーと、を含有する熱硬化性樹脂組成物が好ましい。

〔樹脂成分〕
｛エポキシ樹脂｝
エポキシ樹脂としては、例えば、１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；ノボラックフェノール型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ビキシレノールジグリシジルエーテル等のビキシレノール型エポキシ樹脂；水添ビスフェノールＡグリシジルエーテル等の水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；及び、それらの二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

市販のエポキシ樹脂としては、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ４７００」（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製「ＮＣ−７０００」（ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のナフタレン型エポキシ樹脂；日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノールエポキシ樹脂）等の、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ（株）製「エピクロンＨＰ−７２００Ｈ」（ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂；日本化薬（株）製「ＮＣ−３０００Ｈ」（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；ＤＩＣ（株）製「エピクロンＮ６６０」、「エピクロンＮ６９０」、日本化薬（株）製「ＥＯＣＮ−１０４Ｓ」等のノボラック型エポキシ樹脂；日産化学工業（株）製「ＴＥＰＩＣ」等のトリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート；ＤＩＣ（株）製「エピクロン８６０」、「エピクロン９００−ＩＭ」、「エピクロンＥＸＡ―４８１６」、「エピクロンＥＸＡ−４８２２」、旭チバ（株）製「アラルダイトＡＥＲ２８０」、新日鐵化学（株）製「エポトートＹＤ−１３４」、三菱化学（株）製「ＪＥＲ８３４」、「ＪＥＲ８７２」、住友化学（株）製「ＥＬＡ−１３４」等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ＤＩＣ（株）製「エピクロンＨＰ−４０３２」等のナフタレン型エポキシ樹脂；ＤＩＣ（株）製「エピクロンＮ−７４０」等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂；フェノールとサリチルアルデヒドの縮合物のエポキシ樹脂；日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ−５００シリーズ」などが挙げられる。

上記エポキシ樹脂の中でも、銅との密着性、及び、絶縁性に優れる観点から、日本化薬（株）製「ＮＣ−３０００Ｈ」（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が好ましく、また、架橋密度が高く、高Ｔｇが得られる観点から、日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ−５００シリーズ」が好ましい。

熱硬化性樹脂組成物層（ａ）中のエポキシ樹脂の含有量は、無機フィラーを除く樹脂成分１００質量部に対して、好ましくは３０〜９０質量部、より好ましくは４０〜８０質量部、さらに好ましくは５０〜８０質量部である。

熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂用硬化剤を併用することが好ましく、必要に応じて硬化促進剤を組み合わせて使用してもよい。エポキシ樹脂と組み合わせる硬化剤としては、従来公知のエポキシ樹脂用硬化剤を用いることができる。

エポキシ樹脂用硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、酸無水物、脂肪族アミン、脂環族ポリアミン、芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド、グアニジン類等が挙げられる。具体的には、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、トリメチレンビス（４−アミノベンゾエート）、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、９，９’−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン等が挙げられる。エポキシ樹脂用硬化剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エポキシ樹脂用硬化剤として、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物に好適に用いられる、後述するフェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂を用いてもよく、半導体装置の低反り化効果及び薄型化効果をより効果的に発現させる観点から、ポリアミドイミド樹脂又は熱硬化性ポリイミド樹脂をエポキシ樹脂用硬化剤として用いることが好ましい。

熱硬化性樹脂組成物中のエポキシ樹脂用硬化剤の含有量は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂用硬化剤の種類に応じて適宜決定すればよいが、半導体装置の低反り化効果及び薄型化効果をより効果的に発現させる観点から、無機フィラーを除く樹脂成分１００質量部に対して、好ましくは５〜５０質量部、より好ましくは１０〜４０質量部である。

エポキシ樹脂と組み合わせる硬化促進剤としては、従来公知の硬化促進剤を用いることができる。具体的には、イミダゾール化合物又はそのエポキシアダクト若しくはマイクロカプセル化物；ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（４．５．０）ウンデセン−７）又はその誘導体等の複素環式化合物；第３級アミン化合物；トリフェニルホスフィン等の有機フォスフィン化合物；テトラフェニルホスフォニウム塩、テトラフェニルボレート塩等のオニウム塩化合物などが挙げられる。硬化促進剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

｛フェノール樹脂｝
フェノール樹脂としては、例えば、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール樹脂が挙げられる。フェノール樹脂としては、特に制限されないが、例えば、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及び置換又は非置換のビフェノール等の１分子中に２個のフェノール性水酸基を有する化合物、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ベンズアルデヒド型フェノールとアラルキル型フェノールとの共重合型フェノール樹脂、パラキシリレン及び／又はメタキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、並びに、これらの２種以上を共重合して得られるフェノール樹脂などが挙げられる。フェノール樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

フェノール樹脂は、従来公知のフェノール樹脂用硬化剤と併用して用いてもよく、エポキシ樹脂用硬化剤として用いてもよい。

｛シアネート樹脂｝
シアネート樹脂としては、例えば、１分子中に２個以上のイソシアネート基を有する化合物が挙げられる。シアネート樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビス（４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３−エチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−シアネートフェニル）メタン、１，１−ビス（４−シアネートフェニル）エタン、２，２−ビス（４−シアネートフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−シアネートフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ジ（４−シアネートフェニル）エーテル、ジ（４−シアネートフェニル）チオエーテル、４，４−ジシアネート−ジフェニル等が挙げられる。シアネート樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

｛ポリアミドイミド樹脂｝
ポリアミドイミド樹脂は、分子骨格中にアミド結合とイミド結合とを有する樹脂であり、例えば、１分子中にカルボキシル基及びカルボン酸無水物の両者を有する化合物とジイソシアネート化合物とを反応させることにより得られるもの、及び、イミド基を有するジカルボン酸化合物とジイソシアネート化合物とを反応させることにより得られるもの等が挙げられる。

イミド基を有するジカルボン酸化合物は、例えば、ジアミン化合物と、無水トリメリット酸等のトリカルボン酸化合物とを反応させることにより得ることができる。イミド基を有するジカルボン酸化合物の製造に用いられるジアミン化合物としては、例えば、（４，４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルメタンが好ましく挙げられ、硬化物の物性を調整する観点から、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル等のフェノール性水酸基を有するジアミン化合物を用いてもよい。

ジイソシアネート化合物としては、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートが好ましく挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂としては、例えば、東洋紡績（株）製「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」、「バイロマックスＨＲ１２Ｎ２」、「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」等が商業的に入手可能である。

｛熱硬化性ポリイミド樹脂｝
熱硬化性ポリイミド樹脂としては、分子構造中に少なくとも２個の不飽和Ｎ−置換マレイミド基を有するビスマレイミド化合物を含有することが好ましい。具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ’−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（１，３−フェニレン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−［１，３−（２−メチルフェニレン）］ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−［１，３−（４−メチルフェニレン）］ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（１，４−フェニレン）ビスマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）エーテル、ビス（４−マレイミドフェニル）スルホン、ビス（４−マレイミドフェニル）スルフィド、ビス（４−マレイミドフェニル）ケトン、ビス（４−マレイミドシクロヘキシル）メタン、１，４−ビス（４−マレイミドフェニル）シクロヘキサン、１，４−ビス（マレイミドメチル）シクロヘキサン、１，４−ビス（マレイミドメチル）ベンゼン、１，３−ビス（４−マレイミドフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−マレイミドフェノキシ）ベンゼン、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、４，４−ビス（３−マレイミドフェノキシ）ビフェニル、４，４−ビス（４−マレイミドフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］ケトン、２，２’−ビス（４−マレイミドフェニル）ジスルフィド、ビス（４−マレイミドフェニル）ジスルフィド、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］エーテル、１，４−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、ポリフェニルメタンマレイミド等が挙げられる。マレイミド化合物は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

上記マレイミド化合物の重合触媒としては、公知のビスマレイミド樹脂用の重合触媒を使用することができ、例えば、イミダゾール類、第３級アミン類、第４級アンモニウム塩類、三弗化ホウ素アミン錯体、オルガノフォスフィン類、オルガノホスホニウム塩等のイオン触媒；ヒドロペルオキシド等の有機過酸化物；アゾイソブチロニトリル等のアゾ化合物等のラジカル重合開始剤などが挙げられる。

重合触媒の添加量は、目的に応じて適宜決定すればよいが、マレイミド樹脂組成物の安定性に優れる観点から、樹脂成分１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３．０質量部である。

熱硬化性ポリイミド樹脂は、エポキシ樹脂用硬化剤としても好ましく用いられる。エポキシ樹脂用硬化剤として好適に用いられる熱硬化性ポリイミド樹脂としては、好ましくは上記マレイミド化合物とジアミン化合物との反応物、より好ましくは上記マレイミド化合物とジアミン化合物と酸性置換基を有するアミン化合物との反応物である。

上記反応物の製造に用いられるジアミン化合物としては、例えば、芳香族アミン類であるｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ベンジジン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノ−３，３’−ビフェニルジオール及びグアナミン化合物類であるベンゾグアナミン等が好ましく挙げられる。

また、上記反応物の製造に用いられる酸性置換基を有するアミン化合物としては、例えば、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、ｏ−アミノフェノール、ｐ−アミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸、ｏ−アミノ安息香酸、ｏ−アミノベンゼンスルホン酸、ｍ−アミノベンゼンスルホン酸、ｐ−アミノベンゼンスルホン酸、３，５−ジヒドロキシアニリン、３，５−ジカルボキシアニリン等が好ましく挙げられる。

〔無機フィラー〕
無機フィラーとしては、従来公知の無機フィラーを使用することができ、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素及び窒化アルミニウム等の粒子、並びに、銅、錫、亜鉛、ニッケル、銀、パラジウム、アルミニウム、鉄、コバルト、金及び白金等の金属粒子（金属粉体等）などが挙げられる。無機フィラーは、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物において無機フィラーの最大粒径は、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは１μｍ以下である。

また、無機フィラーの平均粒径は、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以下、特に好ましくは３００ｎｍ以下、極めて好ましくは１００ｎｍ以下である。

無機フィラーの最大粒径及び平均粒径を上記範囲内とすることにより、デスミア処理後の表面を平滑にすることができる。

無機フィラーの最大粒径及び平均粒径は、小さいものほど好ましいが、生産性及び入手容易性の観点から、最大粒径は、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上であり、平均粒径は、好ましくは２ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上である。

なお、ここでいう無機フィラーの最大粒径及び平均粒径は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ−ＥＸ１５０」（日機装（株）製）又はレーザ回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ−３１００」（日機装（株）製）を用いて測定した値を意味する。

熱硬化性樹脂組成物中の無機フィラーの含有量は、半導体装置の低反り化効果及び薄型化効果をより効果的に発現させる観点から、樹脂成分１００質量部に対して、好ましくは０〜９０質量部、より好ましくは１０〜７０質量部、さらに好ましくは２０〜４０質量部である。

無機フィラーとしてシリカを用いる場合、一次粒径のまま凝集することなく樹脂成分中に分散させる観点から、シランカップリング剤により表面処理したシリカを用いることが好ましい。

シランカップリング剤としては、一般的に入手可能なものを用いることができ、例えば、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシラン等が使用可能である。

具体的な化合物名としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−ドデシルメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルシラノール、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、ｎ−オクチルジメチルクロロシラン、テトラエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド、ビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィド、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジアリルジメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

［熱硬化性樹脂組成物の製造方法］
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の製造方法は、特に限定されないが、例えば、上記樹脂成分、無機フィラー等を、公知の撹拌機、混合機等を用いて混合することにより製造することができる。

熱硬化性樹脂組成物は、後に塗工等を行う観点から、液状の熱硬化性樹脂組成物又は熱硬化性樹脂組成物溶液（以下、「樹脂ワニス」ともいう）として得ることが好ましい。樹脂ワニスを得る方法としては、例えば、各成分を公知の撹拌機等により溶媒に溶解又は分散する方法、又は、予め各成分を溶融混合することにより得られた熱硬化性樹脂組成物を溶媒に溶解若しくは分散させる方法等が挙げられる。溶媒としては、樹脂成分を溶解することができ、かつ、無機フィラーを分散させることができる溶媒であれば特に限定されないが、例えば、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が挙げられる。

＜半導体装置製造用部材の製造方法＞
図６を用いて本実施形態の半導体装置製造用部材の製造方法を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、支持フィルム１１２を準備する。支持フィルム１１２は、一方の主面１１２ａ、及び、主面１１２ａとは反対側の主面１１２ｂを有している。

次いで、図４（ｂ）に示すように、支持フィルム１１２の主面１１２ｂ上に熱硬化性樹脂組成物層（熱硬化性樹脂組成物層（ａ））１１４を形成することにより半導体装置製造用部材１１０が得られる。

本実施形態の半導体装置製造用部材は、例えば、本実施形態で用いられる熱硬化性樹脂組成物を支持フィルム上に塗布した後に乾燥して熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を形成することにより製造することができる。例えば、本実施形態の半導体装置製造用部材は、支持フィルム上に、公知のコーター等を用いて液状の熱硬化性樹脂組成物又は樹脂ワニスを塗布し、次いで、乾燥機等により乾燥することにより製造することができる。塗布の方法としては、公知のコーターによる塗布、印刷法による塗布等が挙げられる。コーターの方式は、特に限定されるものではなく、ダイ、コンマ、ディップ、スピン等が使用できる。

乾燥条件は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物を未硬化又は半硬化の状態で維持しつつ溶媒を除去する観点から、乾燥温度としては、好ましくは５０〜１５０℃、乾燥時間としては、好ましくは１〜３０分である。乾燥機としては、ホットプレート、乾燥炉等を用いることができる。

また、本実施形態の半導体装置製造用部材には、熱硬化性樹脂組成物層（ａ）への埃等の付着を抑制する観点から、ポリエチレンフィルム等の保護フィルムを貼着してもよい。

＜半導体装置の製造方法＞
以下、本実施形態の半導体装置製造用部材の代表的な使用方法として、本実施形態の半導体装置の製造方法について、図７〜１２を用いて説明する。

まず、図７（ｃ）に示すように、支持体１２２及び仮固定層１２４を準備し、支持体１２２上に仮固定層１２４を配置する。次いで、図７（ｄ）に示すように、仮固定層１２４上に、半導体素子１２６の能動面（表面：回路が形成された面。回路面）１２６ａが仮固定層１２４と当接するように複数の半導体素子１２６を所定の間隔で貼着する。半導体素子１２６は、能動面１２６ａ、及び、能動面１２６ａとは反対側の受動面１２６ｂを有している。次いで、図７（ｅ）に示すように、図６（ａ）〜（ｂ）を経て得られた半導体装置製造用部材１１０の熱硬化性樹脂組成物層１１４により、受動面１２６ｂを含む半導体素子１２６の全体を封止する。次いで、図７（ｆ）に示すように、熱硬化性樹脂組成物層１１４の硬化処理を行い、熱硬化性樹脂組成物層１１４を硬化してなる絶縁層（絶縁層（Ａ））１１４ａを形成する。半導体素子１２６の大きさに制限はなく、半導体素子としては、例えば、シリコンウェハを個片化して得られる半導体チップ、及び、シリコンウェハが挙げられる。半導体素子１２６の厚みＴ３は、例えば、２０〜１００μｍである。

その後、図８（ｇ）に示すように、支持フィルム１１２と絶縁層１１４ａをレーザーにより研削し、積層方向において支持フィルム１１２の表面から仮固定層１２４にまで至る開口部１２８を設ける。次いで、図８（ｈ）に示すように、支持フィルム１１２を絶縁層１１４ａから剥離する。次いで、デスミア処理により開口部１２８の底部の残渣を除去する。次いで、図８（ｉ）に示すように、絶縁層１１４ａの表面及び開口部１２８の内壁上にシード層１３０を形成する。

その後、図９（ｊ）に示すように、シード層１３０における絶縁層１１４ａ上の部分の上に、感光性樹脂組成物を用いてレジストパターン１３２を形成する。次いで、図９（ｋ）に示すように、めっき法（電気めっき法（電解めっき法）等）により開口部１２８をめっき層（銅層）１３４により充填する。次いで、図９（ｌ）に示すように、レジストパターン１３２を剥離する。次いで、図９（ｍ）に示すように、絶縁層１１４ａの表面上に感光性樹脂組成物層（ｂ）１３６を形成する。

その後、図１０（ｎ）に示すように、感光性樹脂組成物層１３６の露光・現像処理を行い、感光性樹脂組成物層１３６に開口部１３８を形成し、めっき層１３４の頭出しを行う。次いで、図１０（ｏ）に示すように、感光性樹脂組成物層１３６の硬化処理を行い、感光性樹脂組成物層１３６を硬化してなる絶縁層（絶縁層（Ｂ））１３６ａを形成する。次いで、図１０（ｐ）に示すように、絶縁層１３６ａの表面及び開口部１３８の内壁上にシード層１４０を形成する。次いで、図１０（ｑ）に示すように、感光性樹脂組成物を用いてレジストパターン１４２をシード層１４０の表面に形成した後、電気めっきにより、シード層１４０におけるレジストパターン１４２から露出する部分の上、及び、開口部１３８の内部に、めっき層１３４からレジストパターン１４２にまで至る配線パターン１４４を形成する。

その後、図１１（ｒ）に示すように、シード層１４０の一部（シード層１４０における配線パターン１４４から露出する部分）、及び、レジストパターン１４２を除去する。次いで、図１１（ｓ）に示すように、配線パターン１４４の一部が露出するように配線パターン１４４を覆う絶縁層（絶縁層（Ｃ））１４６を形成する。次いで、図１１（ｔ）に示すように、支持体１２２及び仮固定層１２４を剥離する。

その後、図１２（ｕ）に示すように、半導体素子１２６の能動面１２６ａ側に、図８（ｉ）から図１１（ｔ）までの方法と同様の方法により、シード層１４８の形成、感光性樹脂組成物による絶縁層１５０，１５２の形成、配線パターン１５４の形成を行う。絶縁層１５２には、配線パターン１５４の一部が露出する開口部１５６が形成されている。次いで、図１２（ｖ）に示すように、配線パターン１５４における開口部１５６から露出した部分にめっきを施してめっき層１５８を形成する。次いで、図１２（ｗ）に示すように、外部接続用端子１６０を形成する。最後に、図１２（ｘ）に示すように、ダイシングによって個片化することで半導体装置１７０ａ，１７０ｂを得ることができる。

なお、本実施形態の半導体装置は、図１２（ｘ）のダイシングを行う前の積層体であってもよい。また、本実施形態では、仮固定層１２４に積層された一つの半導体素子１２６に対して封止等の後続の工程を行って半導体装置を製造してもよい。

本実施形態の半導体装置の製造方法は、例えば、下記工程（Ｉ）〜（ＸＶＩ）を備えている。
（Ｉ）支持フィルム上に半硬化又は未硬化状態の熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を形成する工程
（ＩＩ）能動面、及び、当該能動面とは反対側の受動面を有する半導体素子の前記能動面と仮固定層とが当接するように半導体素子を仮固定する工程
（ＩＩＩ）前記半導体素子を前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）で封止した後に前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を硬化することにより、前記半導体素子の前記受動面を覆う絶縁層（Ａ）（第一の絶縁層）を形成する工程
（ＩＶ）前記支持フィルム及び前記絶縁層（Ａ）をレーザーにより研削し、前記仮固定層にまで至る開口部を設ける工程
（Ｖ）前記支持フィルムが除去された状態において前記開口部の内壁及び前記絶縁層（Ａ）の表面上にシード層を形成する工程
（ＶＩ）前記シード層上にレジストパターンを形成する工程
（ＶＩＩ）前記開口部をめっき層により充填する工程
（ＶＩＩＩ）前記レジストパターンを除去した後、前記シード層における前記絶縁層（Ａ）上の部分を除去する工程
（ＩＸ）前記めっき層にまで至る開口部を有する絶縁層（Ｂ）（第二の絶縁層）を前記絶縁層（Ａ）上に形成する工程
（Ｘ）前記絶縁層（Ｂ）の前記開口部の内壁及び前記絶縁層（Ｂ）上にシード層を形成する工程
（ＸＩ）前記シード層上にレジストパターンを形成した後に、前記シード層における前記レジストパターンから露出する部分上に配線パターンを形成する工程
（ＸＩＩ）前記レジストパターンと、前記シード層における前記配線パターンから露出する部分とを除去する工程
（ＸＩＩＩ）前記配線パターン及び前記絶縁層（Ｂ）上に、前記配線パターンにまで至る開口部を有する絶縁層（Ｃ）（第三の絶縁層）を形成する工程
（ＸＩＶ）前記仮固定層を除去し、前記半導体素子の前記能動面を露出させる工程
（ＸＶ）前記工程（ＸＩＶ）の後、前記半導体素子の前記能動面側に、前記能動面にまで至る開口部を有する絶縁層（Ｄ）（第四の絶縁層）と、前記絶縁層（Ｄ）の前記開口部を介して前記半導体素子の前記能動面に導通する配線パターンと、当該配線パターンにまで至る開口部を有する絶縁層（Ｅ）（第五の絶縁層）と、を形成する工程
（ＸＶＩ）前記絶縁層（Ｅ）の前記開口部に外部接続用端子を形成する工程

本実施形態の半導体装置の製造方法では、支持フィルムを熱硬化性樹脂組成物層（ａ）に付着させたままレーザー研削を行い、レーザー研削後に支持フィルムを除去することにより、熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の開口部に樹脂残渣を残さずに半導体装置を製造することができる。これによって、半導体装置を歩留まり良く製造することができる。本実施形態の半導体装置の製造方法は、薄型化が進むウェハレベル半導体装置の形態において特に好適である。

本実施形態の半導体装置の製造方法は、工程（ＸＶＩ）の後に、工程（ＸＶＩ）で得られた積層体を個片化する工程を備えていてもよい。また、本実施形態の半導体装置の製造方法は、工程（Ｖ）の前に、支持フィルム１１２を絶縁層１１４ａから剥離する工程を備えていてもよい。本実施形態の半導体装置の製造方法は、工程（ＩＶ）及び工程（Ｖ）の間に、デスミア処理を行う工程を備えていてもよい。

以下、図６〜１２を用いて、図１２（ｘ）に示す半導体装置１７０ａ，１７０ｂの製造方法における各工程の一例についてさらに説明する。

（工程（Ｉ））
工程（Ｉ）は、図６（ｂ）に示すように、支持フィルム１１２上に半硬化又は未硬化状態の熱硬化性樹脂組成物層（熱硬化性樹脂組成物層（ａ））１１４を形成する工程である。熱硬化性樹脂組成物層１１４を得るための熱硬化性樹脂組成物は、液状及びフィルム状のいずれであってよい。熱硬化性樹脂組成物層１１４は、熱硬化性樹脂組成物が液状の場合は、印刷機を用いて液状の熱硬化性樹脂組成物を塗布して形成することができ、熱硬化性樹脂組成物がフィルム状の場合は、ロールラミネータ、真空ラミネータ等を用いてフィルム状の熱硬化性樹脂組成物を貼り付けて形成することができる。

（工程（ＩＩ））
工程（ＩＩ）は、図７（ｄ）に示すように、仮固定層１２４が設けられた支持体１２２に半導体素子１２６の能動面１２６ａを一つ以上、仮固定層１２４と半導体素子１２６の能動面１２６ａとが貼り合わさるように仮固定する工程である。

［支持体］
支持体１２２としては、特に限定されないが、熱による寸法変化が小さいＳＵＳ板、シリコンウェハ、ガラスクロスに樹脂を含浸させたガラスクロス入りコア基材等が好ましい。また、支持体１２２の厚みは、特に限定されないが、好ましくは０．４〜３．０ｍｍ、より好ましくは０．５〜３．０ｍｍである。支持体１２２の厚みが０．４ｍｍ以上であると、変形を抑制することができ、３．０ｍｍ以下であると、質量（例えば、ＳＵＳ板を用いた場合の質量）が大きくなり過ぎずハンドリングが良好になる。

［仮固定層］
仮固定層１２４としては、一般的に半導体装置の製造に用いられる仮固定用フィルム等を用いることができる。仮固定用フィルムとしては、例えば、紫外線照射を行うことによって接着力が低下する紫外線剥離フィルム、特定の薬液によって溶解する固定フィルム、加熱処理によって接着力が低下する熱剥離シート等が挙げられ、作業性、安全性及び環境保全の観点から、熱剥離シートが好ましい。

（工程（ＩＩＩ））
工程（ＩＩＩ）は、図７（ｅ）及び図７（ｆ）に示すように、仮固定された半導体素子１２６を、支持フィルム１１２付きの熱硬化性樹脂組成物層１１４で封止し、後硬化することによって、半導体素子１２６の受動面１２６ｂ側を覆う絶縁層１１４ａを形成する工程である。封止方法は、市販の真空ラミネータ等を用いることができる。封止温度は、好ましくは１２０〜１７０℃、より好ましくは１３０〜１６０℃である。封止圧力は、好ましくは０．３〜３ＭＰａ、より好ましくは０．５〜２ＭＰａである。

絶縁層１１４ａの厚みは、好ましくは３０〜１５０μｍ、より好ましくは５０〜１２０μｍ、さらに好ましくは７５〜１００μｍである。絶縁層１１４ａの厚みを３０μｍ以上とすることで、絶縁層１１４ａの表面を平滑に封止することができ、絶縁層１１４ａの厚みを１５０μｍ以下とすることで、薄型の半導体装置に好適である。熱硬化条件は、使用する樹脂の種類に応じて適宜決定すればよいが、硬化反応を充分進行させる観点、及び、生産性を向上させる観点から、硬化温度は、好ましくは８０〜２３０℃、より好ましくは１００〜２００℃、さらに好ましくは１４０〜２００℃であり、硬化時間は、好ましくは５〜１８０分、より好ましくは１０〜１２０分、さらに好ましくは３０〜８０分である。

（工程（ＩＶ））
工程（ＩＶ）は、図８（ｇ）に示すように、支持フィルム１１２と絶縁層１１４ａをレーザーにより研削し、積層方向において支持フィルム１１２の表面から仮固定層１２４にまで至る開口部１２８を設ける工程である。開口部１２８は、炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等のレーザー加工によって形成することができる。開口部１２８の直径Ｄ１は、開口部内をめっきで充填可能な大きさであればよく、例えば３０〜１００μｍである。開口部１２８の直径Ｄ１を３０μｍ以上とすることで、めっき時に開口部内を未充填部分無く金属（銅等）で充填することができ、１００μｍ以下とすることで、微細な貫通電極を形成することができる。

（工程（Ｖ））
工程（Ｖ）は、図８（ｉ）に示すように、支持フィルム１１２が除去された状態において、開口部１２８の内部及び表面部と、絶縁層１１４ａとの上に、シード層１３０を形成する工程である。シード層１３０は、金属（銅（Ｃｕ）等）によって開口部１２８を充填する際の基層となる導電性薄膜であり、無電解銅めっき法、スパッタ法等により好適に形成することができる。スパッタ法による場合、金属（銅等）を蒸着する前にＴｉを蒸着する等、形成層を種々選択することができる。シード層１３０の厚みは、特に限定されないが、通常は０．１〜２．０μｍである。

（工程（ＶＩ））
工程（ＶＩ）は、図９（ｊ）に示すように、シード層１３０上に回路形成用レジストパターンを形成した後に露光・現像処理を施すことによって、開口部１２８が露出する開口を有するレジストパターン１３２を設ける工程である。

回路形成用レジストとしては、回路形成用レジストとして用いられている公知のレジスト材料を用いることができ、液状及びフィルム状のいずれであってよい。回路形成用レジストは、レジスト材料が液状の場合は、印刷機を用いて液状のレジスト材料を塗布して形成することができ、レジスト材料がフィルム状の場合は、ロールラミネータ、真空ラミネータ等を用いてフィルム状のレジスト材料を貼り付けて形成することができる。

露光処理は、形成された回路形成用レジストに対して、マスクパターンを通して活性光線を照射することにより、回路形成用レジストの所定部分を露光し、露光部の回路形成用レジストを光硬化させる処理である。当該露光処理に次いで、露光部以外の回路形成用レジストを除去する現像処理を施すことにより、再配線用のレジストパターン１３２を形成することができる。

露光処理における活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができ、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の、紫外線を有効に放射するものを好適に使用できる。また、直接描画方式のダイレクトレーザ露光を用いてもよい。

露光量は、使用する装置、及び、回路形成用レジストの組成等によって異なるが、好ましくは１０〜６００ｍＪ／ｃｍ^２、より好ましくは２０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２である。露光量が１０ｍＪ／ｃｍ^２以上であると、光硬化の進行が充分となり安定してレジストパターンを形成することができ、６００ｍＪ／ｃｍ^２以下であると、光硬化が過剰に進行することを抑制することができ、回路形成用レジストにおける開口部の開口形状を安定して得ることができる。

現像処理に用いる現像液としては、例えば、２０〜５０℃の炭酸ナトリウムの希薄溶液（１〜５質量％水溶液）等のアルカリ現像液が用いられる。現像方法は、特に限定されず、前記現像液を用いて、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッピング等の公知の方法により行うことができる。

（工程（ＶＩＩ））
工程（ＶＩＩ）は、図９（ｋ）に示すように、開口部１２８をめっき法（銅めっき等）によって金属（銅等）で充填する工程である。電気めっきは、従来公知の方法により行えばよい。

（工程（ＶＩＩＩ））
工程（ＶＩＩＩ）は、図９（ｌ）に示すように、レジストパターン１３２を剥離し、シード層１３０の一部を除去することで絶縁層１１４ａを露出させる工程である。レジストパターン１３２の剥離に用いる剥離液や、シード層１３０を除去する工程で用いるエッチング液は、従来公知のものを使用すればよい。

（工程（ＩＸ））
工程（ＩＸ）は、図９（ｍ）、図１０（ｎ）及び図１０（ｏ）に示すように、絶縁層１１４ａ上に感光性樹脂組成物層１３６を形成し、めっき層（銅めっき層等）１３４の上部を開口した後、感光性樹脂組成物層１３６の後硬化を行い、感光性樹脂組成物層１３６を硬化してなる絶縁層１３６ａを形成する工程である。

露光処理における活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができ、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の、紫外線を有効に放射するものを好適に使用できる。また、直接描画方式のダイレクトレーザ露光を用いてもよい。

露光量は、使用する装置、及び、感光性樹脂組成物の組成等によって異なるが、好ましくは１０〜６００ｍＪ／ｃｍ^２、より好ましくは２０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２である。露光量が１０ｍＪ／ｃｍ^２以上であると、光硬化の進行が充分となり安定して開口部を形成することができ、６００ｍＪ／ｃｍ^２以下であると、光硬化が過剰に進行することを抑制することができ、感光性樹脂組成物層における開口部の開口形状を安定して得ることができる。

現像処理に用いる現像液としては、例えば、２０〜５０℃のテトラメチルアンモニウムの希薄溶液（２．３８質量％水溶液）等のアルカリ現像液が用いられる。現像方法は、特に限定されず、前記現像液を用いて、パドル、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッピング等の公知の方法により行うことができる。

後硬化条件は、使用する樹脂の種類に応じて適宜決定すればよいが、硬化反応を充分進行させる観点、及び、生産性を向上させる観点から、硬化温度は、特に限定するものではないが、好ましくは１７０〜２３０℃、より好ましくは１８０〜２２０℃、さらに好ましくは１９０〜２１０℃であり、硬化時間についても特に限定するものではないが、好ましくは６０〜３００分、より好ましくは１２０〜２４０分、さらに好ましくは１４０〜２００分である。

絶縁層１３６ａの厚みは、好ましくは５〜２００μｍ、より好ましくは１０〜１００μｍである。絶縁層１３６ａの厚みが５μｍ以上であると、平滑性が良好な絶縁層を形成することができ、２００μｍ以下であると、得られる半導体装置を薄型にできる。

（工程（Ｘ））
工程（Ｘ）は、図１０（ｐ）に示すように、絶縁層１３６ａの表面及び開口部１３８の内壁上に、シード層１４０を形成する工程である。シード層１４０の形成方法及び厚みについては工程（Ｖ）と同様である。

（工程（ＸＩ））
工程（ＸＩ）は、図１０（ｑ）に示すように、シード層１４０上に、レジストパターン（回路形成用パターン）１４２を形成した後に配線パターン１４４を形成する工程である。レジストパターンの形成方法は、工程（ＶＩ）と同様である。また、配線パターンの形成方法は、工程（ＶＩＩ）と同様である。

（工程（ＸＩＩ））
工程（ＸＩＩ）は、図１１（ｒ）に示すように、レジストパターン１４２及びシード層１４０の一部（配線パターンが設けられている部分以外の部分）を除去する工程である。レジストパターン１４２及びシード層１４０の一部の除去方法は、工程（ＶＩＩＩ）と同様である。

（工程（ＸＩＩＩ））
工程（ＸＩＩＩ）は、図１１（ｓ）に示すように、絶縁層１３６ａ及び配線パターン１４４上に、積層方向において絶縁層１４６の表面から配線パターン１４４にまで至る開口部を有する絶縁層１４６を形成する工程である。絶縁層１４６は、絶縁層１３６ａの形成方法と同様に行うことができる。

（工程（ＸＩＶ））
工程（ＸＩＶ）は、図１１（ｔ）に示すように、仮固定層１２４及び支持体１２２を除去し、半導体素子１２６の能動面１２６ａを露出させる工程である。

剥離方法としては、特に限定されないが、仮固定層１２４として熱剥離シートを用いた場合は、例えば、所定温度に設定されたホットプレート上に載せて加熱する方法により、剥離することができる。加熱する温度は、用いる熱剥離シートに応じて適宜決定すればよい。

（工程（ＸＶ））
工程（ＸＶ）は、図１２（ｕ）及び図１２（ｖ）に示すように、工程（ＩＸ）から（ＸＩＩＩ）と同様の方法により、半導体素子１２６の能動面１２６ａ側に、絶縁層１５０、絶縁層１５２及び配線パターン１５４を形成し、絶縁層１５２の開口部１５６から露出した配線パターン１５４上にめっき層（無電解ニッケルめっきと金めっき）１５８を形成する工程である。

絶縁層１５０は、積層方向において絶縁層１５０の表面から半導体素子１２６の能動面１２６ａにまで至る開口部を有している。配線パターン１５４は、絶縁層１５０の表面の一部に配置されていると共に、絶縁層１５０の前記開口部の内部に充填されている。配線パターン１５４は、半導体素子１２６の能動面１２６ａに導通している。絶縁層１５２は、積層方向において絶縁層１５２の表面から配線パターン１５４にまで至る開口部１５６を有している。

ニッケルめっきの厚みは、好ましくは１〜１０μｍであり、金めっきの厚みは、好ましくは０．０１〜１．０μｍ、より好ましくは０．０５〜０．１５μｍである。

（工程（ＸＶＩ））
工程（ＸＶＩ）は、図１２（ｗ）に示すように、外部接続用端子１６０としての導電材料を形成する工程である。導電材料は、特に限定されるものではないが、環境保全の観点から、Ｓｎ−Ａｇ系や、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等のはんだを使用することが好ましい。また、回路形成用レジストを用いて、Ｃｕポストを形成してもよい。

（工程（ＸＶＩＩ））
工程（ＸＶＩＩ）は、図１２（ｘ）に示すように、ダイサーを用いたダイシングによって個片化することで半導体装置１７０ａ，１７０ｂを得ることができる。

以上、本発明の半導体装置の製造方法等の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。

＜支持体及び仮固定層の準備＞
まず、図７（ｃ）に示すように、支持体１２２として直径２２０ｍｍ、厚み１．５ｍｍのＳＵＳ板を準備した。次に、ラミネータを用いて仮固定用フィルム（日東電工（株）製、商品名：リバアルファＮｏ．３１９５Ｖ）をＳＵＳ板の片側に貼り付け、ＳＵＳ板上に仮固定層１２４を形成した。なお、ＳＵＳ板からはみ出した仮固定用フィルムについては、カッターナイフで切り離した。

＜熱硬化性樹脂組成物の製造＞
［熱硬化性樹脂組成物Ａの製造］
熱硬化性樹脂組成物Ａを製造するにあたり、まず、硬化剤（Ａ−１）を調製した。
温度計、撹拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積２リットルの反応容器に、ビス（４−アミノフェニル）スルホン２６．４０ｇと、２，２’−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン４８４．５０ｇと、ｐ−アミノ安息香酸２９．１０ｇと、ジメチルアセトアミド３６０．００ｇとを入れ、１４０℃で５時間反応させて、分子主鎖中にスルホン基を有し、酸性置換基と不飽和Ｎ−置換マレイミド基とを有する硬化剤（Ａ−１）の溶液を得た。

次に、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ）７０質量部と、上記で得られた硬化剤（Ａ−１）を固形分で３０質量部と、ビニルシランで処理したシリカフィラー（平均粒径：５０ｎｍ）を樹脂成分１００質量部に対して３０質量部とを配合して、ビーズミル（アシザワファインテック（株）製、商品名：スターミルＬＭＺ）を用い、周速１２ｍ／ｓにて３時間分散して、熱硬化性樹脂組成物Ａの溶液を得た。

なお、シリカフィラーの分散状態については、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ−ＥＸ１５０」（日機装（株）製）、レーザ回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ−３１００」（日機装（株）製）を併用して測定し、平均粒径が５０ｎｍ、最大粒径が１μｍ以下であることを確認した。

［熱硬化性樹脂組成物Ｂの製造］
熱硬化性樹脂組成物Ｂを製造するにあたり、まず、硬化剤（Ａ−２）を調製した。
ジアミン化合物として（４，４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルメタン（新日本理化（株）製、商品名：ワンダミンＨＭ（ＷＨＭ））５２．７ｇ、反応性官能基を有するジアミンとして３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル６ｇ、トリカルボン酸無水物として無水トリメリット酸１０８ｇ、及び、非プロトン性極性溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン１２８１ｇをフラスコに入れ、フラスコ内の温度を８０℃に設定して３０分間撹拌した。撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン１９２ｇをさらに添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に昇温して２．５時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水及びトルエンを除去しながら、フラスコ内の温度を１８０℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。フラスコ内の溶液を６０℃まで冷却した後、長鎖炭化水素鎖骨格（炭素原子数約５０）を有するジカルボン酸として水添α，ω−ポリブタジエンジカルボン酸（日本曹達（株）製、商品名：ＣＩ−１０００）３０９．５ｇを入れ、１０分間撹拌した。撹拌終了後、ジイソシアネートとして４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート１１９．７ｇを添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に上昇させて２時間反応させ、硬化剤（Ａ−２）の溶液として、ポリアミドイミド樹脂溶液を得た。

このポリアミドイミド樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ４７，０００であった。ポリアミドイミド１分子あたりの平均反応性官能基数Ｎは４．４であった。

次に、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ）７０質量部と、上記で得られた硬化剤（Ａ−２）を固形分で３０質量部と、ビニルシランで処理したシリカフィラー（平均粒径：５０ｎｍ）を樹脂成分１００質量部に対して３０質量部とを配合して、ビーズミル（アシザワファインテック（株）製、商品名：スターミルＬＭＺ）を用い、周速１２ｍ／ｓにて３時間分散して、熱硬化性樹脂組成物Ｂの溶液を得た。

熱硬化性樹脂組成物Ｂ中のシリカフィラーの分散状態を熱硬化性樹脂組成物Ａと同様の方法により分析し、平均粒径が５０ｎｍ、最大粒径が１μｍ以下であることを確認した。

［熱硬化性樹脂組成物Ｃの製造］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名：エピクロンＮ６６０）７０質量部と、硬化剤としてフェノキシ樹脂（新日鉄化学（株）製、商品名：ＹＰ−５５）１０質量部及びメラミン変性フェノールノボラック樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名：ＬＡ７０５４）２０質量部と、硫酸バリウム粒子（平均粒径：３００ｎｍ）を樹脂成分１００質量部に対して１０質量部と、ビニルシランで処理したシリカフィラー（平均粒径：５０ｎｍ）を樹脂成分１００質量部に対して３０質量部とを配合して、ビーズミル（アシザワファインテック（株）製、商品名：スターミルＬＭＺ）を用い、周速１２ｍ／ｓにて３時間分散して、熱硬化性樹脂組成物Ｃの溶液を得た。

熱硬化性樹脂組成物Ｃ中の硫酸バリウム粒子及びシリカフィラーの分散状態を熱硬化性樹脂組成物Ａと同様の方法により確認し、硫酸バリウム粒子の最大粒径が２μｍ以下であり、シリカフィラーの最大粒径が１μｍ以下であることを確認した。

＜半導体装置製造用部材の製造＞
熱硬化性樹脂組成物Ａ〜Ｃの溶液を、支持フィルムであるＰＥＴフィルムα（帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：Ａ−２４、３８μｍ厚）及びＰＥＴフィルムβ（王子エフテックス（株）製、商品名：２５ＲＬ−０７ＮＳ、２５μｍ厚）のそれぞれの上に、乾燥後の厚みが表１及び表２に示す厚みＴ（ａ１）になるように均一に塗布して熱硬化性樹脂組成物層（ａ１）を得た。その後、熱風対流式乾燥機を用いて１００℃で約１０分間乾燥することによって、半導体装置製造用部材として熱硬化性樹脂フィルムを得た。

次いで、熱硬化性樹脂フィルムに埃等が付着しないように、ポリエチレンフィルム（タマポリ（株）製、商品名：ＮＦ−１５）を保護フィルムとして貼り合わせ、保護フィルム付の熱硬化性樹脂フィルムＦ１〜Ｆ１４を得た。熱硬化性樹脂フィルムの詳細を表１及び表２に示す。

＜ラミネート成形物の作製＞
（実施例１〜２８）
まず、図７（ｄ）に示すように、表３〜表６に示す厚みＴ３を有する７．３ｍｍ×７．３ｍｍの半導体素子１２６を、支持体１２２に貼り付けた仮固定層（仮固定用フィルム）１２４と、半導体素子１２６の能動面１２６ａとが当接するように格子状に配置した。

半導体素子１２６の搭載数は２９３個、ピッチは縦方向、横方向ともに９．６ｍｍとした。半導体素子１２６の配置にはダイソーター（キヤノンマシナリー（株）製、商品名：ＣＡＰ３５００）を用いた。配置時の荷重は半導体素子１個あたり１ｋｇｆとした。

次に、図７（ｅ）に示すように、熱硬化性樹脂組成物層（ａ１）を用いて、半導体素子１２６を覆うように封止し、表３〜表６に示す厚みＴ（ａ２）を有する熱硬化性樹脂組成物層（ａ２）を形成した。封止は真空ラミネータ（名機製作所（株）製、商品名：ＭＶＬＰ−５００）を用いて行った。ラミネート温度は１４０℃、ラミネート時間は１分間、ラミネート圧力は０．５ＭＰａとした。次いで、熱硬化（１４０℃、２時間）を行い、熱硬化性樹脂組成物層（ａ２）を硬化してなる絶縁層（Ａ）を形成することによりラミネート成形物を作製した（図７（ｆ）参照）。

その後、図８（ｇ）に示すように、支持フィルム１１２の表面から仮固定層１２４にまで至る開口部１２８をレーザー照射により形成した。形成に用いたレーザーは（ビアメカニクス（株）社製、商品名：ＬＣ−２Ｆ２１Ｂ／１Ｃ）を用いた。レーザーショット数は１回、レーザー照射時間は９０μ秒、レーザー照射強度は３．９Ｗ及び５．３Ｗとした。表３〜表６にレーザー照射条件を示す。その後、支持フィルム１１２であるＰＥＴフィルムを剥離した。次いで、表７に示す条件でデスミア処理を施した。

（比較例１〜７）
表８に示す各部材及び条件を用いた、及び、支持フィルム１１２を剥離してから表８のレーザー照射条件でレーザー照射を行ったこと以外は実施例１〜２８と同様にして、ラミネート成形物を作製した後にレーザー照射及びデスミア処理を行った。

＜評価＞
（ラミネート成形性（埋め込み性））
ラミネート成形物を目視で観察して、以下の基準に基づいて評価した。評価結果を表３〜表６及び表８に示す。
○：半導体素子間に充分に樹脂が埋め込まれており、未充填部がない。
×：半導体素子間に未充填部がある。

（レーザー開口部形成性）
デスミア処理後の絶縁層１１４ａの開口部（レーザー開口部）１２８を走査型電子顕微鏡（日本電子（株）社製、商品名：ＪＣＭ−５０００）で観察し、以下の基準に基づいて評価した。評価結果を表３〜表６及び表８に示す。
○：開口端部の凹凸が５μｍ未満である。
×：開口端部の凹凸が５μｍ以上である。

＜半導体装置の製造＞
実施例１〜２８のラミネート成形物に対して上記のレーザー照射及びデスミア処理を施した積層体を用いて、以下のとおり半導体装置を製造した。まず、図８（ｉ）に示すように、スパッタ法により、絶縁層１１４ａの表面及び開口部１２８の内壁上に１μｍの厚みのシード層１３０を形成した。

次いで、回路形成用レジスト（日立化成（株）製、商品名：Ｐｈｏｔｅｃ ＲＹ−３５２５）をロールラミネータでシード層１３０上に貼着した。パターンを形成したフォトツールを回路形成用レジストに密着させ、露光機（（株）オーク製作所製、ＥＸＭ−１２０１型）を使用して、１００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギー量で露光を行った。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、９０秒間スプレー現像を行い、回路形成用のレジストパターン１３２を形成した（図９（ｊ））。

次に、図９（ｋ）に示すように、電気めっき法により、開口部１２８を銅のめっき層１３４で充填した。次いで、図９（ｌ）に示すように、剥離液によりレジストパターン１３２を剥離した後、絶縁層１１４ａ上に露出しているシード層１３０をエッチング液により除去した。次いで、図９（ｍ）に示すように、絶縁層１１４ａ上に感光性樹脂組成物層（感光性樹脂組成物層（ｂ））１３６を形成した。形成には、スピンコーター（ミカサ（株）製、商品名：Ｏｐｔｉｃｏａｔ ＭＳ−Ａ２００）を用いた。形成条件は、回転数１５００ｒｐｍ、回転時間３０秒とした。

次いで、図１０（ｎ）に示すように、感光性樹脂組成物層１３６の露光・現像を行い、めっき層（めっき銅層）１３４にまで至る開口部１３８を設けた。その後、図１０（ｏ）に示すように、感光性樹脂組成物層１３６の熱硬化を行い、感光性樹脂組成物層１３６を硬化してなる絶縁層１３６ａを形成した。その後、図１０（ｐ）に示すように、スパッタ法により、絶縁層１３６ａの表面及び開口部１３８の内壁上に１μｍの厚みのシード層１４０を形成した。

その後、図１０（ｑ）に示すように、レジストパターン１３２の形成方法と同様の方法でレジストパターン１４２を形成した後、電気めっき法により、シード層１４０上に、５μｍの厚みの銅の配線パターン１４４を形成した。次いで、図１１（ｒ）に示すように、剥離液によりレジストパターン１４２を剥離した後、絶縁層１３６ａ上に露出しているシード層１４０をエッチング液により除去した。

その後、絶縁層１３６ａ上に感光性樹脂組成物層を形成した。形成には、スピンコーター（ミカサ（株）製、商品名：Ｏｐｔｉｃｏａｔ ＭＳ−Ａ２００）を用いた。形成条件は、回転数１５００ｒｐｍ、回転時間３０秒とした。次いで、図１１（ｓ）に示すように、感光性樹脂組成物層の露光・現像を行い、配線パターン１４４にまで至る開口部を設けた。その後、感光性樹脂組成物層の熱硬化を行い、感光性樹脂組成物層を硬化してなる絶縁層１４６を形成した。

その後、図１１（ｔ）に示すように、支持体１２２及び仮固定層１２４を２００℃のホットプレート上で剥離した。

次いで、図１２（ｕ）に示すように、半導体素子１２６の能動面１２６ａ側に、絶縁層１３６ａ、配線パターン１４４及び絶縁層１４６の形成方法と同様の方法で絶縁層１５０，１５２及び配線パターン１５４を形成した。

その後、図１２（ｖ）に示すように、市販の無電解ニッケル／金めっき液を用いて、ニッケルめっき厚３μｍ、金めっき厚０．１μｍとなるように配線パターン１５４上にめっき処理を行って、めっき層１５８を形成した。次いで、図１２（ｗ）に示すように、めっき層１５８上に、外部接続用端子１６０としてＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだボールをリフロー搭載した。次いで、図１２（ｘ）に示すように、ダイシング（ブレード幅０．３ｍｍ）により９．３ｍｍ×９．３ｍｍの大きさに個片化し、半導体装置１７０ａ，１７０ｂを得た。

本発明の半導体装置の製造方法は、ウェハレベル半導体装置に好適に用いられる他、パッケージ・オン・パッケージの再配線プロセス等、小型化及び薄型化が必要な全ての半導体装置、部品内蔵基板に適用することができる。

１０，１２２…支持体、１２，１２４…仮固定層、１４，１２６…半導体素子、１４ａ，１２６ａ…能動面、１６…封止材、１８，１３６…感光性樹脂組成物層、１８ａ，２６，３０，３８，１１４ａ，１３６ａ，１４６，１５０，１５２…絶縁層、２０，３２，１３０，１４０，１４８…シード層、２２，１３２，１４２…レジストパターン、２４，３６，１４４，１５４…配線パターン、２８，１２８，１３８，１５６…開口部、３４，１３４，１５８…めっき層、４０…はんだボール、５０ａ，５０ｂ，１７０ａ，１７０ｂ…半導体装置、１１０…半導体装置製造用部材、１１２…支持フィルム、１１２ａ，１１２ｂ…主面、１１４…熱硬化性樹脂組成物層、１２６ｂ…受動面、１６０…外部接続用端子、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３…厚み、Ｄ１…直径。

Claims (6)

1. （Ｉ）支持フィルム上に半硬化又は未硬化状態の熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を形成する工程、
   （ＩＩ）能動面、及び、当該能動面とは反対側の受動面を有する半導体素子の前記能動面と仮固定層とが当接するように半導体素子を仮固定する工程、
   （ＩＩＩ）前記半導体素子を前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）で封止した後に前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を硬化することにより、前記半導体素子の前記受動面を覆う絶縁層（Ａ）を形成する工程、並びに、
   （ＩＶ）前記支持フィルム及び前記絶縁層（Ａ）をレーザーにより研削し、前記仮固定層にまで至る開口部を設ける工程、を備える、半導体装置の製造方法。
2. 前記支持フィルムの厚みが１０〜１００μｍである、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚みが３０〜３００μｍである、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上を含む樹脂と、最大粒径が２０μｍ以下かつ平均粒径が５μｍ以下である無機フィラーと、を含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. （Ｖ）前記支持フィルムが除去された状態において前記開口部の内壁及び前記絶縁層（Ａ）上にシード層を形成する工程、
   （ＶＩ）前記シード層上にレジストパターンを形成する工程、
   （ＶＩＩ）前記開口部をめっき層により充填する工程、
   （ＶＩＩＩ）前記レジストパターンを除去した後、前記シード層における前記絶縁層（Ａ）上の部分を除去する工程、
   （ＩＸ）前記めっき層にまで至る開口部を有する絶縁層（Ｂ）を前記絶縁層（Ａ）上に形成する工程、
   （Ｘ）前記絶縁層（Ｂ）の前記開口部の内壁及び前記絶縁層（Ｂ）上にシード層を形成する工程、
   （ＸＩ）前記シード層上にレジストパターンを形成した後に、前記シード層における前記レジストパターンから露出する部分上に配線パターンを形成する工程、
   （ＸＩＩ）前記レジストパターンと、前記シード層における前記配線パターンから露出する部分とを除去する工程、
   （ＸＩＩＩ）前記配線パターン及び前記絶縁層（Ｂ）上に、前記配線パターンにまで至る開口部を有する絶縁層（Ｃ）を形成する工程、
   （ＸＩＶ）前記仮固定層を除去し、前記半導体素子の前記能動面を露出させる工程、
   （ＸＶ）前記工程（ＸＩＶ）の後、前記半導体素子の前記能動面側に、前記能動面にまで至る開口部を有する絶縁層（Ｄ）と、前記絶縁層（Ｄ）に積層されていると共に前記絶縁層（Ｄ）の前記開口部を介して前記半導体素子の前記能動面に導通する配線パターンと、当該配線パターンにまで至る開口部を有する絶縁層（Ｅ）と、を形成する工程、並びに、
   （ＸＶＩ）前記絶縁層（Ｅ）の前記開口部に外部接続用端子を形成する工程、を更に備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法により得られる、半導体装置。

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