JP6413437B2 - 配線基板の製造方法、および半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は配線基板の製造方法、および半導体パッケージの製造方法に関する。
半導体パッケージにおいては、耐久性の向上が求められている。半導体パッケージの信頼性を確保するためには、たとえば特許文献１のように配線基板の耐久性を向上させる技術があり、このように半導体パッケージを構成する個々の部品ごとの検討が行われていた。一方、本発明者は、このような個々の部品ごとの検討では限界があり、より高いレベルの性能を得るためには不十分であることを見出した。そして、部品の枠を越えて鋭意検討した結果、配線基板のソルダーレジストと、封止樹脂との密着性を高めることが重要であるということを新たに見出した。
しかし、さらに検討を進める中で、耐久性の高い半導体パッケージを歩留まり良く製造することは難しかった。
しかし、さらに検討を進める中で、耐久性の高い半導体パッケージを歩留まり良く製造することは難しかった。
配線基板には、上に種々のパーツが搭載され、一括封止されてパッケージが製造される。
本発明は、耐久性に優れたパッケージを歩留まり良く実現できる配線基板を提供するものである。
本発明によれば、
少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理し、
前記プラズマ処理する工程後における前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５μｍ以下とする、配線基板の製造方法
が提供される。
少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理し、
前記プラズマ処理する工程後における前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５μｍ以下とする、配線基板の製造方法
が提供される。
本発明によれば、
少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程と、
前記絶縁性樹脂膜上に半導体素子を配設する工程と、
露出した、前記絶縁性樹脂膜および前記半導体素子を封止樹脂で覆うよう封止する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理し、
前記プラズマ処理する工程後における前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５μｍ以下とする、半導体パッケージの製造方法
が提供される。
少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程と、
前記絶縁性樹脂膜上に半導体素子を配設する工程と、
露出した、前記絶縁性樹脂膜および前記半導体素子を封止樹脂で覆うよう封止する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理し、
前記プラズマ処理する工程後における前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５μｍ以下とする、半導体パッケージの製造方法
が提供される。
本発明によれば、耐久性に優れたパッケージを歩留まり良く実現できる配線基板が提供される。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図１は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。図２は本実施形態に係る配線基板２０の構造の一例を示す模式図である。図３は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す模式図である。
本実施形態に係る配線基板の製造方法は、コア基板２２を準備する工程（Ｓ１０２）、導電体パターン２４上に絶縁性樹脂膜１０を積層する工程（Ｓ１０４）、開口部を形成する工程（Ｓ１０６）、デスミア処理する工程（Ｓ１０８）、めっき膜２４６を形成する工程（Ｓ１１０）、およびプラズマ処理する工程（Ｓ１１２）をこの順に含む。コア基板２２を準備する工程（Ｓ１０２）では少なくともひとつの表面に導電体パターン２４を有するコア基板２２を準備する。開口部を形成する工程（Ｓ１０６）では、絶縁性樹脂膜１０の所定の領域に導電体パターン２４の一部を露出させる開口部２８を形成する。デスミア処理する工程（Ｓ１０８）では、絶縁性樹脂膜１０の表面及び開口部２８をデスミア処理する。めっき膜２４６を形成する工程（Ｓ１１０）では、開口部２８にめっき膜２４６を形成する。プラズマ処理する工程（Ｓ１１２）では、絶縁性樹脂膜１０およびめっき膜２４６の表面をプラズマ処理する。開口部を形成する工程（Ｓ１０６）は、絶縁性樹脂膜１０のうち、開口部２８とする領域にレーザー光を照射する工程を含む。プラズマ処理する工程（Ｓ１１２）では、絶縁性樹脂膜１０をエッチングすることなくプラズマ処理する。以下に詳細に説明する。
本実施形態に係る配線基板の製造方法は、コア基板２２を準備する工程（Ｓ１０２）、導電体パターン２４上に絶縁性樹脂膜１０を積層する工程（Ｓ１０４）、開口部を形成する工程（Ｓ１０６）、デスミア処理する工程（Ｓ１０８）、めっき膜２４６を形成する工程（Ｓ１１０）、およびプラズマ処理する工程（Ｓ１１２）をこの順に含む。コア基板２２を準備する工程（Ｓ１０２）では少なくともひとつの表面に導電体パターン２４を有するコア基板２２を準備する。開口部を形成する工程（Ｓ１０６）では、絶縁性樹脂膜１０の所定の領域に導電体パターン２４の一部を露出させる開口部２８を形成する。デスミア処理する工程（Ｓ１０８）では、絶縁性樹脂膜１０の表面及び開口部２８をデスミア処理する。めっき膜２４６を形成する工程（Ｓ１１０）では、開口部２８にめっき膜２４６を形成する。プラズマ処理する工程（Ｓ１１２）では、絶縁性樹脂膜１０およびめっき膜２４６の表面をプラズマ処理する。開口部を形成する工程（Ｓ１０６）は、絶縁性樹脂膜１０のうち、開口部２８とする領域にレーザー光を照射する工程を含む。プラズマ処理する工程（Ｓ１１２）では、絶縁性樹脂膜１０をエッチングすることなくプラズマ処理する。以下に詳細に説明する。
本実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、開口部を形成した後、デスミア処理、めっき膜形成、プラズマ処理をこの順に行うことなどによる複合的な効果で、封止剤（封止樹脂）との密着性に優れる配線基板を歩留まり良く製造できる。理由は定かではないが、配線基板の表面の化学状態や、形態が、適切になるためと考えられる。
本実施形態に係る配線基板の製造方法によって得られる配線基板２０は、コア基板２２、導電体パターン２４、および絶縁性樹脂膜１０を備える。導電体パターン２４は、コア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。絶縁性樹脂膜１０は、配線基板２０の最外層であり、導電体パターン２４上に設けられている。絶縁性樹脂膜１０には、たとえば複数の開口部２８が設けられており、少なくとも１つの開口部２８内には、導電体パターン２４の導電部の一部が位置している。
コア基板２２は少なくとも１つの絶縁層を含む基板である。コア基板２２が備える絶縁層はたとえば繊維基材に樹脂組成物を含浸してなる樹脂基材である。
コア基板２２は熱硬化性樹脂からなるものとすることができる。コア基板２２はリジッドな基板でも良いし、フレキシブルな基板でも良い。コア基板２２の厚さは、とくに限定されないが、たとえば１０μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。
コア基板２２は熱硬化性樹脂からなるものとすることができる。コア基板２２はリジッドな基板でも良いし、フレキシブルな基板でも良い。コア基板２２の厚さは、とくに限定されないが、たとえば１０μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。
また、コア基板２２は、１つの絶縁層のみを有し、その片面のみに導電体パターン２４が形成された片面板でも良いし、１つの層のみを有し、その表裏面の両方に導電体パターン２４が設けられた両面板でも良いし、２層以上の絶縁層を有する多層板でもよい。コア基板２２が多層板である場合、コア基板２２内には２つの絶縁層に挟まれた配線層が一層以上形成される。
また、コア基板２２が両面板もしくは多層板である場合、コア基板２２の１つの表面（最外面）に設けられた導電体パターン２４は、反対側の表面（最外面）に設けられた導電体パターン２４やコア基板２２の内部に設けられた配線層と、少なくとも一部の絶縁層を貫通するスルーホールを介して互いに電気的に接続されている。
また、コア基板２２が両面板もしくは多層板である場合、コア基板２２の１つの表面（最外面）に設けられた導電体パターン２４は、反対側の表面（最外面）に設けられた導電体パターン２４やコア基板２２の内部に設けられた配線層と、少なくとも一部の絶縁層を貫通するスルーホールを介して互いに電気的に接続されている。
コア基板２２のおもて面と裏面の少なくとも一方の表面（最外面）には、導電体パターン２４が設けられている。導電体パターン２４はたとえばコア基板２２に積層された銅膜を選択エッチングして形成されたパターンである。導電体パターン２４は、導電部としてランド２４４とライン２４２とを含む。ランド２４４は主に、配線基板２０に実装される素子や部品と導電体パターン２４とを電気的に接続する接続部であり、たとえば導電体パターン２４の他の部分もしくはコア基板２２内の配線層に接続された、円形や四角形の部分である。なお、ランド２４４の中心には電子部品の端子等を挿入するホールが設けられていても良い。そして、ライン２４２は主に、ランド２４４同士を互いに電気的に接続する線状の部分である。
配線基板２０において、導電体パターン２４上には、絶縁性樹脂膜１０が積層されている。絶縁性樹脂膜１０はたとえばソルダーレジストである。絶縁性樹脂膜１０には、主にランド２４４が設けられた領域に開口部が設けられており、ランド２４４は絶縁性樹脂膜１０に被覆されていない。すなわち、ランド２４４の上には絶縁性樹脂膜１０が設けられておらず、ランド２４４が露出している。なお、ランド２４４の上には、たとえばニッケルおよび金のめっき膜や半田のめっき膜などの導電膜が積層されていてもよい。ただし、絶縁性樹脂膜１０にはさらにランド２４４以外の部分に開口部が設けられていても良いし、ライン２４２の一部を露出させるような開口部があってもよい。また、ランド２４４の全てが開口部に位置する必要は無く、絶縁性樹脂膜１０に覆われたランド２４４があってもよい。
プラズマ処理する工程（Ｓ１１２）の後において、得られる配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０は、その表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上であることが好ましく、０．２５μｍ以上であることがより好ましい。また、Ｒａは０．５０μｍ以下とすることが好ましく、０．４０μｍ以下とすることがより好ましい。算術平均粗さＲａはＪＩＳ−Ｂ０６０１に準拠して測定することができる。Ｒａが上記下限以上、上限以下であることによって、温度変化による、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂との密着性の変動が小さく、安定した耐久性が得られる。また、Ｒａが上記上限以下であれば、絶縁性樹脂膜１０上に液状封止樹脂の転写を行う場合に、高いパターニング精度が得られる。よって、トランスファー成形などに限らず、プロセスの選択自由度に優れる。たとえばパターニング精度が十分得られない場合、絶縁性樹脂膜上の不要な部分に封止樹脂が形成されてしまい、パッケージが不良となるため、塗布法や転写法での封止樹脂の成形ができない。従って、Ｒａが上記上限以下、下限以上であることにより、パターニング精度との耐久性の性能バランスの良い配線基板を実現できる。また、上記上限以上、下限以下であることにより、高温下での密着性の低下が確実に抑制される。
絶縁性樹脂膜１０のＴｇは、たとえば１５０℃以上であることが好ましい。これにより、絶縁性樹脂膜１０の耐熱性および耐リフロー性の向上等を図ることが可能となる。一方で、上記Ｔｇの上限値は、とくに限定されないが、たとえば２８０℃とすることができる。
絶縁性樹脂膜１０の２５℃における貯蔵弾性率は１ＧＰａ以上であることが好ましく、５ＧＰａ以上であることがより好ましい。また、２０ＧＰａ以下であることが好ましい。上記上限以下、下限以上であれば、耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０をより確実に実現できる。また、当該貯蔵弾性率が上記下限以上であれば、反りなどに対する耐性に優れる配線基板が得られる。
本実施形態において、上記貯蔵弾性率および上記Ｔｇは、たとえば動的粘弾性測定装置を用いて周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件で動的粘弾性試験を行うことにより得られる測定結果から、算出することができる。動的粘弾性測定装置としては、とくに限定されないが、たとえばＴＡインスツルメント社製、ＤＭＡ９８３を用いることができる。
絶縁性樹脂膜１０の線熱膨張率は、Ｔｇ以下において、１０ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。また、５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。上記上限以下、下限以上であれば、耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０をより確実に実現できる。
本実施形態においては、たとえば熱機械測定装置を用いて昇温速度１０℃／分の条件で測定することにより得られる線膨張係数の、２５〜５０℃における平均を算出して、これをＴｇ以下における上記線膨張率とすることができる。
本実施形態においては、たとえば熱機械測定装置を用いて昇温速度１０℃／分の条件で測定することにより得られる線膨張係数の、２５〜５０℃における平均を算出して、これをＴｇ以下における上記線膨張率とすることができる。
なお、本実施形態では、たとえば後述する熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含まれる各成分の種類や配合量、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の調製方法等を適切に選択することにより、上記貯蔵弾性率、上記Ｔｇ、および上記線熱膨張率を制御することが可能である。
配線基板２０はたとえばインターポーザもしくはマザーボードとして用いることができる。
パッケージや電子装置の製造のためには、配線基板上に封止樹脂を形成する。上述のような配線基板２０を用いたパッケージ等の完成品においては、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との間の高い密着性を、歩留まり良く確保できる。よって、耐久性、耐湿性に優れ、信頼性の高いパッケージや電子装置を安定して製造することができる。なお、パッケージとは、配線基板上に種々のパーツが搭載され、たとえば封止樹脂で一括封止されたものをいう。半導体パッケージはパッケージの一例であり、パッケージには、一括封止されたＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）等も含む。
次に、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２について説明する。
図４は本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の構造の一例を示す断面模式図である。
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２は、配線基板２０、半導体素子６０、および封止樹脂４０を備える。半導体素子６０は配線基板２０上に配設されている。封止樹脂４０は、配線基板２０の少なくともひとつの面および半導体素子６０を覆っている。配線基板２０は、コア基板２２、導電体パターン２４、および絶縁性樹脂膜１０を備える。導電体パターン２４はコア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。絶縁性樹脂膜１０は、配線基板２０の最外層であり、導電体パターン２４上に設けられている。絶縁性樹脂膜１０には、複数の開口部２８が設けられており、少なくとも１つの開口部２８内には、導電体パターン２４の導電部の一部が位置している。以下に詳細に説明する。
図４は本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の構造の一例を示す断面模式図である。
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２は、配線基板２０、半導体素子６０、および封止樹脂４０を備える。半導体素子６０は配線基板２０上に配設されている。封止樹脂４０は、配線基板２０の少なくともひとつの面および半導体素子６０を覆っている。配線基板２０は、コア基板２２、導電体パターン２４、および絶縁性樹脂膜１０を備える。導電体パターン２４はコア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。絶縁性樹脂膜１０は、配線基板２０の最外層であり、導電体パターン２４上に設けられている。絶縁性樹脂膜１０には、複数の開口部２８が設けられており、少なくとも１つの開口部２８内には、導電体パターン２４の導電部の一部が位置している。以下に詳細に説明する。
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、上述した配線基板２０の一方の面（以下では「上面」と呼ぶ）の絶縁性樹脂膜１０の上に、少なくとも１つの半導体素子６０が配設されている。半導体パッケージ１０２において、配線基板２０はたとえばインターポーザであり、半導体素子６０はたとえば半導体ウエハから切り出されたＬＳＩチップである。また、配線基板２０の上面には半導体素子６０に加えて、たとえば抵抗や容量として機能する電子部品などがさらに配設されていてもよい。半導体素子６０はダイアタッチ材６２を介して絶縁性樹脂膜１０の上に固定されている。
半導体素子６０にはその表面に電気的な接続パッド（不図示）が設けられており、接続パッドはたとえば半導体素子６０の内部に作り込まれた回路に接続されている。配線基板２０に設けられた導電体パターン２４の一部分であるランド２４４は、絶縁性樹脂膜１０の開口部２８に設けられている。そして、ランド２４４と、半導体素子６０の接続パッドとは、ボンディングワイヤ５０によって接続されている。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、ランド２４４の上にめっき膜２４６がさらに設けられており、ランド２４４はめっき膜２４６を介してボンディングワイヤ５０に接続されている。また、ボンディングワイヤ５０で接続される代わりにリード線や半田により接続されていても良い。
封止樹脂４０は、配線基板２０の上面の表面に露出した絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２と、めっき膜２４６と、半導体素子６０のうちダイアタッチ材６２で配線基板２０と接合された面以外の面と、ボンディングワイヤ５０とを覆っている。なお、封止樹脂４０は配線基板２０の半導体素子６０が設けられた面の全面を覆っていても良いし、当該面の一部を露出させて覆っていても良い。
半導体パッケージ１０２の配線基板２０には、上面とは反対側の面（以下では「下面」と呼ぶ）にさらに複数の開口部２８と、開口部２８の内部のランド２４４が設けられている。そして、それぞれのランド２４４はめっき膜２４６に覆われ、さらにめっき膜２４６を覆う半田ボール３０が設けられている。
ここでは、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、これに限定されず、ワイヤボンディングやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続されるパッケージでもよい。
ここでは、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、これに限定されず、ワイヤボンディングやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続されるパッケージでもよい。
半導体パッケージ１０２において、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０との間の、２５℃におけるせん断強度をＳ１としたとき、Ｓ１は１５Ｎ／ｍｍ２以上であることが好ましく、２９Ｎ／ｍｍ２以上であることがより好ましい。上記下限以上であれば、密着性に優れ、半導体パッケージの耐久性がより確実に向上する。
半導体パッケージ１０２において、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０との間の、２６０℃におけるせん断強度をＳ２としたとき、Ｓ２は８Ｎ／ｍｍ２以上であることが好ましい。上記下限以上であれば、半導体パッケージの耐久性がより確実に向上する。高温環境下での使用や、回路動作における発熱で半導体パッケージの温度が上がっても高い密着性が保たれるからである。
さらに、半導体パッケージ１０２において、Ｓ２／Ｓ１は０．１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。また、Ｓ２／Ｓ１は０．９以下とすることができる。Ｓ２／Ｓ１が上記下限以上であれば、半導体パッケージの耐久性がより確実に向上する。高温下での密着性の低下が効果的に抑制されるからである。
各温度におけるせん断強度はたとえばせん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて測定することができる。
各温度におけるせん断強度はたとえばせん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて測定することができる。
次に、本実施形態に係る電子装置７０について説明する。
図５は、本実施形態に係る電子装置７０の構造の一例を示す断面模式図である。
本実施形態に係る電子装置７０は、半導体パッケージ１０２を備える。半導体パッケージ１０２は、配線基板２０、半導体素子６０、および封止樹脂４０を備える。半導体素子６０は配線基板２０上に配設されている。封止樹脂４０は、配線基板２０の少なくともひとつの面および半導体素子６０を覆っている。配線基板２０は、コア基板２２、導電体パターン２４、および絶縁性樹脂膜１０を備える。導電体パターン２４は、コア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。絶縁性樹脂膜１０は配線基板２０の最外層であり、導電体パターン２４上に設けられている。絶縁性樹脂膜１０には、複数の開口部２８が設けられている。少なくとも１つの開口部２８内には、導電体パターン２４の導電部の一部が位置している。以下に詳細に説明する。
図５は、本実施形態に係る電子装置７０の構造の一例を示す断面模式図である。
本実施形態に係る電子装置７０は、半導体パッケージ１０２を備える。半導体パッケージ１０２は、配線基板２０、半導体素子６０、および封止樹脂４０を備える。半導体素子６０は配線基板２０上に配設されている。封止樹脂４０は、配線基板２０の少なくともひとつの面および半導体素子６０を覆っている。配線基板２０は、コア基板２２、導電体パターン２４、および絶縁性樹脂膜１０を備える。導電体パターン２４は、コア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。絶縁性樹脂膜１０は配線基板２０の最外層であり、導電体パターン２４上に設けられている。絶縁性樹脂膜１０には、複数の開口部２８が設けられている。少なくとも１つの開口部２８内には、導電体パターン２４の導電部の一部が位置している。以下に詳細に説明する。
電子装置７０では、配線基板であるマザーボード７１０上に少なくとも１つの半導体パッケージ１０２が配設されている。マザーボード７１０は、上述した配線基板２０であっても良いし、異なる配線基板であっても良い。半導体パッケージ１０２は、上述した配線基板２０を含む半導体パッケージ１０２である。マザーボード７１０上には、半導体パッケージ１０２に加えてコネクタ、抵抗、容量などの必要な電子部品７２０が１つ以上配設されていても良い。
マザーボード７１０上に配設された半導体パッケージ１０２や、その他の電子部品７２０などは、半田ボール３０によって、マザーボード７１０の導電体パターン７１２のうち露出した導電部７１４に接続されている。半導体パッケージ１０２や電子部品７２０はマザーボード７１０に設けられた導電体パターン７１２により互いに接続され、電子回路を構成する。
本実施形態に係る配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０について以下に説明する。
図６は、本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０のプラズマ処理する工程（Ｓ１１２）後の表面形態の例を模式的に示す断面図である。
絶縁性樹脂膜１０はフィラー１２０を含むことが好ましい。また、フィラー１２０はシリカを含むことが好ましい。本図では、フィラー１２０が球状シリカである例を示している。
図６は、本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０のプラズマ処理する工程（Ｓ１１２）後の表面形態の例を模式的に示す断面図である。
絶縁性樹脂膜１０はフィラー１２０を含むことが好ましい。また、フィラー１２０はシリカを含むことが好ましい。本図では、フィラー１２０が球状シリカである例を示している。
本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０のプラズマ処理する工程（Ｓ１１２）後の表面１３０には、本図のようにフィラー１２０の一部分が突出した突出部が存在することが好ましい。詳しくは、絶縁性樹脂膜１０の表面１３０では、少なくとも１つのフィラー１２０の、一部分が絶縁性樹脂膜１０に埋設され、他部分が露出して突出していることが好ましい。
また、本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０の当該表面１３０には、フィラー１２０が離脱して形成されたクレーター状の凹部１１０が設けられていることが好ましい。凹部１１０は、絶縁性樹脂膜１０に含まれるフィラーと同じ曲率半径の曲面からなる。凹部１１０の深さは特に制限されないが、主にフィラーの半径以下である。
また、当該表面１３０には、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０とのいずれか一方のみが存在しても良いが、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０がいずれも存在することがより好ましい。このような表面形態とすることで、より確実に耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０を得られる。
また、本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０の当該表面１３０には、フィラー１２０が離脱して形成されたクレーター状の凹部１１０が設けられていることが好ましい。凹部１１０は、絶縁性樹脂膜１０に含まれるフィラーと同じ曲率半径の曲面からなる。凹部１１０の深さは特に制限されないが、主にフィラーの半径以下である。
また、当該表面１３０には、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０とのいずれか一方のみが存在しても良いが、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０がいずれも存在することがより好ましい。このような表面形態とすることで、より確実に耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０を得られる。
本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０はたとえば以下の様な熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）からなるものとすることができるが、特に限定されない。
（エポキシ樹脂（Ａ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は主にエポキシ樹脂（Ａ）を含むことができる。エポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、絶縁性樹脂膜１０の低線膨張化および高弾性率化を図ることもできる。また、配線基板２０の剛性を向上させて作業性の向上に寄与することや、半導体パッケージ１０２における耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。なお、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、３官能以上のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は主にエポキシ樹脂（Ａ）を含むことができる。エポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、絶縁性樹脂膜１０の低線膨張化および高弾性率化を図ることもできる。また、配線基板２０の剛性を向上させて作業性の向上に寄与することや、半導体パッケージ１０２における耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。なお、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、３官能以上のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
本実施形態においては、以下の式（１）に示すエポキシ樹脂をエポキシ樹脂（Ａ）として含むことが、好ましい態様の一例として挙げられる。
エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性の向上に寄与することができる。一方で、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。なお、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分とは、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。以下、本明細書において同様である。
（フィラー（Ｂ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、フィラー（Ｂ）を含むことが好ましい。フィラー（Ｂ）としてはたとえば球状シリカ、および破砕シリカが挙げられる。絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、球状シリカを含むことがより好ましい。また、フィラー（Ｂ）は、たとえば溶融シリカである。フィラー（Ｂ）はフィラー１２０として絶縁性樹脂膜１０に含まれることとなる。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、フィラー（Ｂ）を含むことが好ましい。フィラー（Ｂ）としてはたとえば球状シリカ、および破砕シリカが挙げられる。絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、球状シリカを含むことがより好ましい。また、フィラー（Ｂ）は、たとえば溶融シリカである。フィラー（Ｂ）はフィラー１２０として絶縁性樹脂膜１０に含まれることとなる。
フィラー（Ｂ）として、平均粒径が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である微粒子シリカを熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含むことがより好ましい。これにより、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させることができる。平均粒径が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である微粒子シリカと、平均粒径が１００ｎｍ超過のシリカをともに熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含むことが、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させるうえで好ましい態様の一例として挙げられる。
なお、フィラー（Ｂ）の平均粒径は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）を用いて測定することが可能である。
なお、フィラー（Ｂ）の平均粒径は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）を用いて測定することが可能である。
フィラー（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましい。フィラー（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる絶縁性樹脂膜１０の耐熱性や耐湿性を効果的に向上させることができる。また、絶縁性樹脂膜１０を低線膨張化および高弾性率化させ、得られる半導体パッケージ１０２の反り低減に寄与することも可能である。一方で、フィラー（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して９５質量％以下であることが好ましく、８５質量％以下であることがより好ましい。フィラー（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させることが可能となる。
（シアネート樹脂（Ｃ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえばシアネート樹脂（Ｃ）を含むことができる。これにより、絶縁性樹脂膜１０について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
シアネート樹脂（Ｃ）は、たとえばノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、絶縁性樹脂膜１０の低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえばシアネート樹脂（Ｃ）を含むことができる。これにより、絶縁性樹脂膜１０について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
シアネート樹脂（Ｃ）は、たとえばノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、絶縁性樹脂膜１０の低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０のより効果的な低線膨張化、高弾性率化を図ることができる。また、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性の向上に寄与することができる。一方で、シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。
（硬化促進剤（Ｄ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば硬化促進剤（Ｄ）を含むことができる。これにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性を向上させることができる。硬化促進剤（Ｄ）としては、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化反応を促進させるものを用いることができ、その種類はとくに限定されない。本実施形態においては、硬化促進剤（Ｄ）として、たとえばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、オニウム塩化合物を含むことがより好ましい。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば硬化促進剤（Ｄ）を含むことができる。これにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性を向上させることができる。硬化促進剤（Ｄ）としては、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化反応を促進させるものを用いることができ、その種類はとくに限定されない。本実施形態においては、硬化促進剤（Ｄ）として、たとえばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、オニウム塩化合物を含むことがより好ましい。
硬化促進剤（Ｄ）として用いられるオニウム塩化合物は、とくに限定されないが、たとえば下記一般式（２）で表される化合物を用いることができる。
硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して０．１質量％以上であることが好ましく、０．３質量％以上であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性をより効果的に向上させることができる。一方で、硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の保存性を向上させることができる。
（Ｅ）着色剤
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば着色剤（Ｅ）を含むことができる。着色剤（Ｅ）は、たとえば緑、赤、青、黄、および黒等の染料、顔料、および色素から選択される一種または二種以上を含む。これらの中でも、開口部の視認性等を向上させる観点から、緑色の着色剤を含むことがより好ましく、緑色染料を含むことがとくに好ましい。緑色の着色剤としては、たとえばアントラキノン系、フタロシアニン系、およびペリレン系等の公知の着色剤を一種または二種以上含むことができる。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば着色剤（Ｅ）を含むことができる。着色剤（Ｅ）は、たとえば緑、赤、青、黄、および黒等の染料、顔料、および色素から選択される一種または二種以上を含む。これらの中でも、開口部の視認性等を向上させる観点から、緑色の着色剤を含むことがより好ましく、緑色染料を含むことがとくに好ましい。緑色の着色剤としては、たとえばアントラキノン系、フタロシアニン系、およびペリレン系等の公知の着色剤を一種または二種以上含むことができる。
着色剤（Ｅ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる絶縁性樹脂膜１０の開口部の視認性や隠蔽性をより効果的に向上させることができる。一方で、着色剤（Ｅ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して５質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性等をより効果的に向上させることが可能となる。
（その他の成分）
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、硬化剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。カップリング剤としては、たとえばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。硬化剤としては、たとえばフェノール樹脂、ナフトール型ノボラック樹脂等が挙げられる。感光剤としては、たとえば感光性ジアゾキノン化合物が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）はほかに、基板と絶縁性樹脂膜との密着性向上、および封止樹脂と絶縁性樹脂膜との密着性向上の観点から、ポリビニルアセタール樹脂を含んでも良い。ポリビニルアセタール樹脂としてはたとえばポリビニルブチラール樹脂やポリビニルアセトアセタール樹脂などが挙げられる。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、硬化剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。カップリング剤としては、たとえばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。硬化剤としては、たとえばフェノール樹脂、ナフトール型ノボラック樹脂等が挙げられる。感光剤としては、たとえば感光性ジアゾキノン化合物が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）はほかに、基板と絶縁性樹脂膜との密着性向上、および封止樹脂と絶縁性樹脂膜との密着性向上の観点から、ポリビニルアセタール樹脂を含んでも良い。ポリビニルアセタール樹脂としてはたとえばポリビニルブチラール樹脂やポリビニルアセトアセタール樹脂などが挙げられる。
（溶剤）
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば溶剤を含むことができる。溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば溶剤を含むことができる。溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）がワニス状である場合において、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の固形分含有量は、たとえば３０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上７０質量％以下であることがより好ましい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れた熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）が得られる。なお、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば上述の各成分を、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）はほかに、たとえばガラス繊維基材等の繊維基材や紙基材を含んでもよい。これにより、剛性を向上させることができ、配線基板の反りが抑えられる。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）がフィルム状である場合には、上記動的粘弾性試験における熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる樹脂膜として、このフィルム状熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）をそのまま用いることができる。一方で、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）がワニス状である場合には、このワニス状熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を成膜して得られた熱硬化性樹脂膜に対し、溶剤除去処理を行ったものを、上記動的粘弾性試験における熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる樹脂膜として使用することができる。この溶剤除去処理は、熱硬化性樹脂膜の溶剤含有率が熱硬化性樹脂膜全体に対して５質量％以下となる条件で行われる。また、処理後の熱硬化性樹脂膜は、１７０℃、２分の熱処理前後における重量変化率が５質量％以下となる。本実施形態においては、たとえば１００〜１６０℃、５分〜６０分の条件で溶剤除去処理を行うことができる。
次に、キャリア付樹脂膜１００について説明する。
図７は、本実施形態に係るキャリア付樹脂膜１００の一例を示す断面図である。キャリア付樹脂膜１００は、絶縁性樹脂膜１０を形成するのに用いられる。本図に示すように、キャリア付樹脂膜１００は、たとえばキャリア基材１２と、キャリア基材１２上に設けられた絶縁性樹脂膜１０と、を備える。絶縁性樹脂膜１０は、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される。このため、上述したように、キャリア付樹脂膜１００を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０を備える半導体パッケージ等の信頼性を向上させることができる。
図７は、本実施形態に係るキャリア付樹脂膜１００の一例を示す断面図である。キャリア付樹脂膜１００は、絶縁性樹脂膜１０を形成するのに用いられる。本図に示すように、キャリア付樹脂膜１００は、たとえばキャリア基材１２と、キャリア基材１２上に設けられた絶縁性樹脂膜１０と、を備える。絶縁性樹脂膜１０は、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される。このため、上述したように、キャリア付樹脂膜１００を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０を備える半導体パッケージ等の信頼性を向上させることができる。
キャリア付樹脂膜１００は、たとえばキャリア基材１２上にワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を塗布して塗布膜を形成した後、当該塗布膜に対して溶剤除去処理を行うことによって絶縁性樹脂膜１０を形成することにより製造することができる。溶剤除去処理は、たとえば塗布膜の溶剤含有率が塗布膜全体に対して５質量％以下となる条件で行われる。また、処理後の塗布膜は、たとえば１７０℃、２分の熱処理前後における重量変化率が５質量％以下となる。キャリア基材１２は、とくに限定されないが、たとえばＰＥＴ（Ｐｏｌｙ ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）や銅箔により構成される。また、絶縁性樹脂膜１０の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば５μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。これにより、ソルダーレジストの形成に適した絶縁性樹脂膜１０を実現することができる。
次に、図１および図３を参照して、配線基板２０の製造方法について詳しく説明する。
本実施形態に係る配線基板の製造方法は、コア基板２２を準備する工程（Ｓ１０２）、絶縁性樹脂膜１０を積層する工程（Ｓ１０４）、開口部を形成する工程（Ｓ１０６）、デスミア処理する工程（Ｓ１０８）、めっき膜２４６を形成する工程（Ｓ１１０）、およびプラズマ処理する工程（Ｓ１１２）をこの順で含む。
本実施形態に係る配線基板の製造方法は、コア基板２２を準備する工程（Ｓ１０２）、絶縁性樹脂膜１０を積層する工程（Ｓ１０４）、開口部を形成する工程（Ｓ１０６）、デスミア処理する工程（Ｓ１０８）、めっき膜２４６を形成する工程（Ｓ１１０）、およびプラズマ処理する工程（Ｓ１１２）をこの順で含む。
まず、コア基板２２を準備する工程（Ｓ１０２）では、図３（ａ）のように表裏の少なくとも一方の最外面に導電体パターン２４が設けられたコア基板２２を準備する。次いで、絶縁性樹脂膜１０を積層する工程（Ｓ１０４）では、コア基板２２の導電体パターン２４上に絶縁性樹脂膜１０を積層する。本工程では、まず図３（ｂ）のようにコア基板２２の導電体パターン２４が設けられた面上に、絶縁性樹脂膜１０がコア基板２２と対向するようキャリア付樹脂膜１００を貼付する。キャリア付樹脂膜１００の貼付は、たとえばキャリア付樹脂膜１００を導電体パターン２４上に積層した後、これを真空加熱加圧成形することにより行うことができる。次いで、キャリア基材１２を、絶縁性樹脂膜１０から剥離する。これにより、コア基板２２に、導電体パターン２４を覆うように、絶縁性樹脂膜１０が形成されることとなる。なお、キャリア付樹脂膜１００を用いて絶縁性樹脂膜１０を積層する代わりに、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を導電体パターン２４上に塗布し、乾燥させて絶縁性樹脂膜１０を積層しても良い。
次いで、開口部を形成する工程（Ｓ１０６）では、図３（ｃ）のように導電体パターン２４上の絶縁性樹脂膜１０の所定の位置に開口部２８を設ける。開口部２８は主に導電体パターン２４のランド２４４を露出させるように形成する。開口部２８の形成方法としてはレーザー加工法を用いることができる。
レーザー加工法では、導電体パターン２４上に残存した絶縁性樹脂膜１０を熱硬化させた後、開口部２８を設けたい領域に直接レーザー光を照射し、レーザー光のエネルギーで絶縁性樹脂膜１０を部分的に除去する。この場合、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は感光剤を含む必要が無く、光の透過性にも制限が無いため、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の組成に自由度が増す。そのため、露光現像法を用いる場合よりも、たとえばフィラー（Ｂ）の含有量を必要に応じて増やすことができ、低熱膨張率化、高剛性化、高密着性化を図ることができる。
次いで、デスミア処理する工程（Ｓ１０８）では、開口部２８の形成などで生じたスミアを除去する。デスミア処理の方法は特に限定されないが、たとえば、以下の様に行うことができる。まず、導電体パターン２４や絶縁性樹脂膜１０を積層したコア基板２２を、有機溶剤を含む膨潤液に浸漬し、次いでアルカリ性過マンガン酸塩水溶液に浸漬して処理する。過マンガン酸塩としてはたとえば過マンガン酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等を用いることができる。過マンガン酸塩として過マンガン酸カリウムを用いる場合、浸漬させる過マンガン酸カリウム水溶液の温度は、４５℃以上であることが好ましく、９５℃以下であることが好ましい。過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間は２分以上が好ましく、２０分以下が好ましい。温度および浸漬時間が、それぞれ上記上限以下、下限以上であれば、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０との密着性をより確実に向上させることができる。
デスミア処理する工程では、上記の湿式のデスミア処理のみを行うことができるが、上記の湿式の処理に代えて、もしくは加えて、デスミア処理としてプラズマ照射を行っても良い。このとき、処理ガスとしてはたとえばアルゴンガス、Ｏ２ガス、Ｏ３ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、ＮＯガス、ＮＯ２ガス、またはフッ素系ガスを用いることができる。ここでもプラズマの条件は、後述するプラズマ処理する工程（Ｓ１１２）と同様とすることができる。
次いで、めっき膜２４６を形成する工程（Ｓ１１０）では、開口部２８に露出した導電体パターン２４の導電部を覆うようにめっき膜２４６を形成する。めっき膜２４６は、たとえば半田めっき膜や、錫めっき膜や、ニッケルめっき膜の上に金めっき膜を積層した２層構造のめっき膜とすることができる。また、めっき膜２４６の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば２μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。これにより、ランド２４４部分を、配線基板２０を用いた実装工程においてワイヤボンディングや半田付けに適した接続部とすることができる。
めっき処理の方法は、特に限定されないが、たとえば、電解めっき法または無電解めっき法を用いることができる。無電解めっき法を用いる場合、次の様にめっき膜２４６を形成することが出来る。なお、ここではニッケルと金の２層からなるめっき膜２４６を形成する例について説明するが、これに限定されない。まず、ニッケルめっき膜を形成する。無電解ニッケルめっきを行う場合、めっき液に導電体パターン２４や絶縁性樹脂膜１０を積層したコア基板２２を浸漬する。このことで、開口部２８に露出した導電体パターン２４の導電部の上に、ニッケルめっき膜を形成できる。めっき液は、ニッケル鉛、および還元剤としてたとえば次亜リン酸塩を含んだものを用いることができる。続いて、ニッケルめっき膜の上に無電解金めっきを行う。無電解金めっきの方法は特に限定されないが、たとえば金イオンと下地金属のイオンとの置換により行う置換金めっきで行うことができる。
次いで、プラズマ処理する工程（Ｓ１１２）では、絶縁性樹脂膜１０の表面を、プラズマ処理する。プラズマ処理では、たとえば処理ガスとして、アルゴンガス、酸化性ガス、またはフッ素系ガスを用いることができる。酸化性ガスとしてはＯ２ガス、Ｏ３ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、ＮＯガス、ＮＯ２ガスなどが挙げられる。本実施形態におけるプラズマ処理の条件は特に限定されないが、アッシング処理のほか、不活性ガス由来のプラズマに接触させる処理であってよい。なお、絶縁性樹脂膜１０のエッチングを伴うプラズマ処理でないことが好ましい。ただしここで、エッチングを伴うプラズマ処理とは、処理対象にバイアス電圧を印加し、かつエッチングガスを処理ガスとして用いるプラズマ処理をいう。つまり、本実施形態に係るプラズマ処理は、処理対象にバイアス電圧を印加せずに行うプラズマ処理、または非反応性ガスを用いて行うプラズマ処理であることが好ましい。なお、処理対象にバイアス電圧を印加しない構成とは、本実施形態において、コア基板２２の導電体パターン２４およびめっき膜２４６のいずれにもバイアス電圧を印加しない構成である。また、プラズマ処理中にコア基板２２を固定するプラズマ処理装置の試料台等にもバイアス電圧を印加しない。なお、絶縁性樹脂膜１０に含まれるフィラーの露出度を上げることのない程度に、本工程（Ｓ１１２）のプラズマ処理によってわずかに絶縁性樹脂膜１０の表面が削られても良い。プラズマ処理時間は３０秒以上であることが好ましく、１分以上であることがより好ましい。一方、当該時間は１０分以下であることが好ましく、５分以下であることがより好ましい。上記下限以上、上限以下であれば、パッケージの耐久性をより確実に向上させることができる。
以上の様にして図２の様な本実施形態に係る配線基板２０が得られる。
以上の様にして図２の様な本実施形態に係る配線基板２０が得られる。
上記のように製造した配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０の表面では、図６のように、少なくともひとつのフィラー１２０の、一部分が絶縁性樹脂膜１０に埋設され、他部分が突出していることが好ましい。
また、製造した配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０の表面には、フィラー１２０が離脱して形成されたクレーター状の凹部１１０が形成されていることが好ましい。
また、製造した配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０の表面には、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０とのいずれか一方のみが存在しても良いが、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０がいずれも存在することがより好ましい。このような絶縁性樹脂膜１０の表面形態とすることで、耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０をより確実に実現できる。
また、製造した配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０の表面には、フィラー１２０が離脱して形成されたクレーター状の凹部１１０が形成されていることが好ましい。
また、製造した配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０の表面には、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０とのいずれか一方のみが存在しても良いが、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０がいずれも存在することがより好ましい。このような絶縁性樹脂膜１０の表面形態とすることで、耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０をより確実に実現できる。
上述のフィラー（Ｂ）の含有条件、デスミア処理の条件、めっき処理の条件、プラズマ処理の条件などを複合的に適宜調整することにより、絶縁性樹脂膜１０の表面を上記のような形態にすることができる。
次に、図４に例示した半導体パッケージ１０２の、製造方法について説明する。
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の製造方法は、コア基板２２を準備する工程、絶縁性樹脂膜１０を積層する工程、開口部を形成する工程、デスミア処理する工程、めっき膜２４６を形成する工程、プラズマ処理する工程、半導体素子６０を配設する工程、および封止する工程をこの順に含む。コア基板２２を準備する工程では、少なくともひとつの表面に導電体パターン２４を有するコア基板２２を準備する。絶縁性樹脂膜１０を積層する工程では、導電体パターン２４の上に絶縁性樹脂膜１０を積層する。開口部を形成する工程では、絶縁性樹脂膜１０の所定の領域に導電体パターン２４の一部を露出させる開口部２８を形成する。デスミア処理する工程では、絶縁性樹脂膜１０の表面および開口部２８をデスミア処理する。めっき膜２４６を形成する工程では、開口部２８にめっき膜２４６を形成する。プラズマ処理する工程では、絶縁性樹脂膜１０およびめっき膜２４６の表面をプラズマ処理する。半導体素子６０を配設する工程では、絶縁性樹脂膜１０上に半導体素子６０を配設する。封止する工程では、露出した、絶縁性樹脂膜１０および半導体素子６０を、封止樹脂で覆うよう封止する。開口部を形成する工程は、絶縁性樹脂膜１０のうち、開口部２８とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、プラズマ処理する工程では、絶縁性樹脂膜１０をエッチングすることなくプラズマ処理する。
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の製造方法は、コア基板２２を準備する工程、絶縁性樹脂膜１０を積層する工程、開口部を形成する工程、デスミア処理する工程、めっき膜２４６を形成する工程、プラズマ処理する工程、半導体素子６０を配設する工程、および封止する工程をこの順に含む。コア基板２２を準備する工程では、少なくともひとつの表面に導電体パターン２４を有するコア基板２２を準備する。絶縁性樹脂膜１０を積層する工程では、導電体パターン２４の上に絶縁性樹脂膜１０を積層する。開口部を形成する工程では、絶縁性樹脂膜１０の所定の領域に導電体パターン２４の一部を露出させる開口部２８を形成する。デスミア処理する工程では、絶縁性樹脂膜１０の表面および開口部２８をデスミア処理する。めっき膜２４６を形成する工程では、開口部２８にめっき膜２４６を形成する。プラズマ処理する工程では、絶縁性樹脂膜１０およびめっき膜２４６の表面をプラズマ処理する。半導体素子６０を配設する工程では、絶縁性樹脂膜１０上に半導体素子６０を配設する。封止する工程では、露出した、絶縁性樹脂膜１０および半導体素子６０を、封止樹脂で覆うよう封止する。開口部を形成する工程は、絶縁性樹脂膜１０のうち、開口部２８とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、プラズマ処理する工程では、絶縁性樹脂膜１０をエッチングすることなくプラズマ処理する。
まず、上述した配線基板２０の製造方法と同様にして、コア基板２２を準備する工程、絶縁性樹脂膜１０を積層する工程、開口部を形成する工程、デスミア処理する工程、めっき膜２４６を形成する工程、およびプラズマ処理する工程を順に行い、配線基板２０を準備する。
次いで、半導体素子６０を配設する工程では、準備した配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０の上に、半導体素子６０を配設する。このときたとえば、ダイアタッチ材６２を介して半導体素子６０を配線基板２０上に搭載する。半導体素子６０と配線基板２０を接続するボンディングワイヤ５０は、たとえば配線基板２０の上面の開口部２８に露出した導電体パターン２４へボンディングする。次いで、封止する工程では、配線基板２０の上面、半導体素子６０、およびボンディングワイヤ５０を封止樹脂４０によって封止する。封止樹脂４０としてはたとえばエポキシ樹脂組成物を用いることができる。封止樹脂４０でモールドする方法としては、トランスファー成形法、射出成形法、転写法、塗布法などを用いることができる。封止樹脂４０をたとえば１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより硬化させる。
また、配線基板２０に外部接続端子である半田ボール３０が設けられる例においては、たとえば下面側の開口部２８に露出した導電体パターン２４上に、半田ボール３０を形成する。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、半導体パッケージ１０２はこれに限定されず、ワイヤボンディングやＴＡＢ接続されるパッケージでもよい。
図５に例示した電子装置７０は上述のように得られた半導体パッケージ１０２をマザーボード７１０上にその他の電子部品７２０と共に実装することで得られる。半導体パッケージ１０２および電子部品７２０は接続部７１６や半田ボール３０などの接続端子をそれぞれ１つ以上有し、接続端子において、マザーボード７１０の導電体パターン７１２のうち露出した導電部７１４に電気的に接続される。接続端子と導電部７１４との接続は、たとえば次の様に行うことができる。まず、マザーボード７１０の露出した導電部７１４の必要箇所に、半田ペーストを印刷する。ここで、半導体パッケージ１０２が半田ボール３０を有する場合は、半田ボール３０を接続する導電部７１４には半田ペーストの印刷は不要である。次いで、マザーボード７１０上の所定の位置に電子部品７２０および半導体パッケージ１０２を配置する。その後、半導体パッケージ１０２や電子部品７２０を乗せたマザーボード７１０をリフロー炉に導入し、リフロー処理（加熱処理）する。リフロー処理により印刷された半田ペーストや半田ボール３０が溶かされ、その後冷却することで、半導体パッケージ１０２および電子部品７２０がそれぞれマザーボード７１０に半田づけされる。
本実施形態に係る電子装置７０の製造方法は、加熱処理工程を含む。加熱処理はたとえばリフロー処理である。たとえば半導体パッケージ１０２がワイヤボンディングでマザーボード７１０に接続されるパッケージである場合にも、電子部品７２０を表面実装するために加熱処理が行われうる。よって、加熱処理を経た後においても、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０の間の接合強度が十分高ければ、より確実にパッケージの耐久性を向上させることができる。
また、電子装置７０は高湿度下で使用されることがある。その様な場合にも、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０の間の接合強度が十分高ければ、より確実にパッケージの耐久性を向上させることができる。
そして、電子装置７０に含まれる半導体パッケージ１０２が耐久性、耐湿性に優れることにより、信頼性の高い電子装置７０を得ることができる。なお、電子装置７０はさらに封止樹脂で一括封止してもよい。マザーボード７１０が、上述した配線基板２０であって、電子装置７０が一括封止されている場合、電子装置７０をパッケージとして製造しうる。
次に、本実施形態の作用および効果について説明する。
本実施形態に係る配線基板の製造方法によって、耐久性に優れたパッケージを歩留まり良く実現できる配線基板を得られる。本実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、パッケージにおける封止樹脂との密着性に優れる配線基板を歩留まり良く製造することができる。
本実施形態に係る配線基板の製造方法によって、耐久性に優れたパッケージを歩留まり良く実現できる配線基板を得られる。本実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、パッケージにおける封止樹脂との密着性に優れる配線基板を歩留まり良く製造することができる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理する、配線基板の製造方法。
２． １．に記載の配線基板の製造方法において、
前記プラズマ処理する工程では、前記コア基板の前記導電パターンおよび前記めっき膜のいずれにもバイアス電圧を印加しない、配線基板の製造方法。
３． １．または２．に記載の配線基板の製造方法において、
前記プラズマ処理する工程では、酸化性ガスまたはアルゴンガスによるプラズマ処理を行う、配線基板の製造方法。
４． １．から３．のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法において、
前記プラズマ処理する工程後における前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５μｍ以下とする、配線基板の製造方法。
５． １．から４．のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法において、
前記デスミア処理する工程では、前記コア基板を、膨潤液に浸漬した後、４５℃以上９５℃以下の過マンガン酸カリウム水溶液に浸漬させる、配線基板の製造方法。
６． １．から５．のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜の線熱膨張率は、Ｔｇ以下において１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である、配線基板の製造方法。
７． 少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程と、
前記絶縁性樹脂膜上に半導体素子を配設する工程と、
露出した、前記絶縁性樹脂膜および前記半導体素子を封止樹脂で覆うよう封止する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理する、半導体パッケージの製造方法。
８． ７．に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜と、前記封止樹脂との間の、２５℃におけるせん断強度をＳ １ としたとき、Ｓ １ を１５Ｎ／ｍｍ ２ 以上とする、半導体パッケージの製造方法。
９． ７．または８．に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜と、前記封止樹脂との間の、２６０℃におけるせん断強度をＳ ２ としたとき、Ｓ ２ ／Ｓ １ を０．１以上０．９以下とする、半導体パッケージの製造方法。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理する、配線基板の製造方法。
２． １．に記載の配線基板の製造方法において、
前記プラズマ処理する工程では、前記コア基板の前記導電パターンおよび前記めっき膜のいずれにもバイアス電圧を印加しない、配線基板の製造方法。
３． １．または２．に記載の配線基板の製造方法において、
前記プラズマ処理する工程では、酸化性ガスまたはアルゴンガスによるプラズマ処理を行う、配線基板の製造方法。
４． １．から３．のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法において、
前記プラズマ処理する工程後における前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５μｍ以下とする、配線基板の製造方法。
５． １．から４．のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法において、
前記デスミア処理する工程では、前記コア基板を、膨潤液に浸漬した後、４５℃以上９５℃以下の過マンガン酸カリウム水溶液に浸漬させる、配線基板の製造方法。
６． １．から５．のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜の線熱膨張率は、Ｔｇ以下において１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である、配線基板の製造方法。
７． 少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程と、
前記絶縁性樹脂膜上に半導体素子を配設する工程と、
露出した、前記絶縁性樹脂膜および前記半導体素子を封止樹脂で覆うよう封止する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理する、半導体パッケージの製造方法。
８． ７．に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜と、前記封止樹脂との間の、２５℃におけるせん断強度をＳ １ としたとき、Ｓ １ を１５Ｎ／ｍｍ ２ 以上とする、半導体パッケージの製造方法。
９． ７．または８．に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜と、前記封止樹脂との間の、２６０℃におけるせん断強度をＳ ２ としたとき、Ｓ ２ ／Ｓ １ を０．１以上０．９以下とする、半導体パッケージの製造方法。
次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
［１］熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）の調整
エポキシ樹脂としてナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−５０００）９．５質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ１）（株式会社アドマテックス製、アドマナノ、平均粒径０．０５μｍ）１２．４質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ２）（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１μｍ）６５．７質量％、着色剤として緑色染料（日本化薬株式会社製、Ｋａｙａｓｅｔ Ｇｒｅｅｎ）０．３質量％、シアネート樹脂としてフェノールノボラック型シアネートエステル樹脂（ＬＯＮＺＡ社製、ＰＴ−３０）１０．６質量％、カップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．３質量％、レベリング剤としてアクリル系樹脂（ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨ製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）０．２質量％に、硬化促進剤として２フェニル４メチル５ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＨＺ）１．０質量％を添加して、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌し、不揮発分が６５質量％となるように調整し、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）を得た。
［１］熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）の調整
エポキシ樹脂としてナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−５０００）９．５質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ１）（株式会社アドマテックス製、アドマナノ、平均粒径０．０５μｍ）１２．４質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ２）（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１μｍ）６５．７質量％、着色剤として緑色染料（日本化薬株式会社製、Ｋａｙａｓｅｔ Ｇｒｅｅｎ）０．３質量％、シアネート樹脂としてフェノールノボラック型シアネートエステル樹脂（ＬＯＮＺＡ社製、ＰＴ−３０）１０．６質量％、カップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．３質量％、レベリング剤としてアクリル系樹脂（ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨ製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）０．２質量％に、硬化促進剤として２フェニル４メチル５ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＨＺ）１．０質量％を添加して、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌し、不揮発分が６５質量％となるように調整し、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）を得た。
［２］キャリア付樹脂膜の作製
次に、キャリア基材および絶縁性樹脂膜からなるキャリア付き樹脂膜を作製した。ＰＥＴフィルム（ユニチカ株式会社製、ＴＲ１Ｔ、厚さ３８μｍ）をキャリア基材とし、コンマコーターを用いて乾燥後の絶縁性樹脂膜が２０μｍとなるようにキャリア基材上に上記［１］で得られた熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）を塗工し、これを２枚、絶縁性樹脂膜同士が向かい合うように貼り合わせた後に片面のキャリア基材を剥離し、１６０℃の乾燥装置で６０分間乾燥して、キャリア付樹脂膜１を作製した。
次に、キャリア基材および絶縁性樹脂膜からなるキャリア付き樹脂膜を作製した。ＰＥＴフィルム（ユニチカ株式会社製、ＴＲ１Ｔ、厚さ３８μｍ）をキャリア基材とし、コンマコーターを用いて乾燥後の絶縁性樹脂膜が２０μｍとなるようにキャリア基材上に上記［１］で得られた熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）を塗工し、これを２枚、絶縁性樹脂膜同士が向かい合うように貼り合わせた後に片面のキャリア基材を剥離し、１６０℃の乾燥装置で６０分間乾燥して、キャリア付樹脂膜１を作製した。
［３］絶縁性樹脂膜の評価
上記［２］で得られたキャリア付樹脂膜１のキャリア基材を剥離し、キャリア基材を除去した絶縁性樹脂膜からなる６ｍｍ×２５ｍｍの試験片を作製した。この試験片について、動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント社製、ＤＭＡ９８３）を用いて貯蔵弾性率を測定した。さらに、５℃／分（周波数１Ｈｚ）で昇温し、ｔａｎδのピーク位置をＴｇとした。絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で１５ＧＰａであり、Ｔｇは２６０℃であった。
上記［２］で得られたキャリア付樹脂膜１のキャリア基材を剥離し、キャリア基材を除去した絶縁性樹脂膜からなる６ｍｍ×２５ｍｍの試験片を作製した。この試験片について、動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント社製、ＤＭＡ９８３）を用いて貯蔵弾性率を測定した。さらに、５℃／分（周波数１Ｈｚ）で昇温し、ｔａｎδのピーク位置をＴｇとした。絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で１５ＧＰａであり、Ｔｇは２６０℃であった。
次に、絶縁性樹脂膜の線熱膨張率を測定した。上記［２］で得られたキャリア付樹脂膜１からキャリア基材であるＰＥＴフィルムを剥離したものを２枚積層して、厚さ８０μｍの樹脂シートを作製した。次いで、当該樹脂シートを、２００℃、１時間で熱処理した後、幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚さ９０μｍに切り出して試験片とした。この試験片に対し、熱機械測定装置（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて、昇温速度１０℃／分の条件で線熱膨張率の測定を行った。次いで、２５〜５０℃における測定結果の平均を算出し、これをＴｇ以下における線熱膨張率（ｐｐｍ／℃）とした。本実施例において、Ｔｇ以下での線熱膨張率は１５ｐｐｍ／℃であった。
［４］ラミネート
基板として、銅張積層板（住友ベークライト株式会社製、ＬαＺ４７８５ＧＳ−Ｂ）の銅表面を粗化処理したものを用意した。以下では、基板の銅箔が張られた面側を上面側とする。基板の上面に上記［２］で得られたキャリア付樹脂膜１を重ね合わせた。このとき、キャリア付樹脂膜１のうち、絶縁性樹脂膜側の面を基板に対向させた。これを真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させた。キャリア付樹脂膜１のキャリア基材であるＰＥＴフィルムを剥離した後、基板を熱風乾燥装置にて１６０℃で６０分間加熱し、さらに２００℃で６０分間加熱して硬化させた。
基板として、銅張積層板（住友ベークライト株式会社製、ＬαＺ４７８５ＧＳ−Ｂ）の銅表面を粗化処理したものを用意した。以下では、基板の銅箔が張られた面側を上面側とする。基板の上面に上記［２］で得られたキャリア付樹脂膜１を重ね合わせた。このとき、キャリア付樹脂膜１のうち、絶縁性樹脂膜側の面を基板に対向させた。これを真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させた。キャリア付樹脂膜１のキャリア基材であるＰＥＴフィルムを剥離した後、基板を熱風乾燥装置にて１６０℃で６０分間加熱し、さらに２００℃で６０分間加熱して硬化させた。
［５］開口の形成
次に、銅箔の一部が露出するように、炭酸レーザーを照射することにより、基板上の絶縁性樹脂膜に開口を形成した。
次に、銅箔の一部が露出するように、炭酸レーザーを照射することにより、基板上の絶縁性樹脂膜に開口を形成した。
［６］デスミア処理
次に、基板を６０℃の膨潤液（アトテック社製、スウェリングディップ セキュリガント Ｐ）に５分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテック社製、コンセントレート コンパクト ＣＰ）に５分浸漬後、中和し、さらにＯ２ガスによるプラズマ照射を５分間行うことで、デスミア処理を行った。このとき、基板にバイアス電圧は印加しなかった。
次に、基板を６０℃の膨潤液（アトテック社製、スウェリングディップ セキュリガント Ｐ）に５分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテック社製、コンセントレート コンパクト ＣＰ）に５分浸漬後、中和し、さらにＯ２ガスによるプラズマ照射を５分間行うことで、デスミア処理を行った。このとき、基板にバイアス電圧は印加しなかった。
［７］めっき処理
次に、銅箔の露出部にめっき層を形成した。具体的には、無電解ニッケルめっき層３μｍを形成し、さらにその上に無電解金めっき層０．１μｍを形成した。
次に、銅箔の露出部にめっき層を形成した。具体的には、無電解ニッケルめっき層３μｍを形成し、さらにその上に無電解金めっき層０．１μｍを形成した。
［８］プラズマ処理
次に、絶縁性樹脂膜およびめっき層の形成された基板の上面をプラズマ処理して、積層基板１を得た。プラズマ処理の条件は以下の通りとした。このとき基板にバイアス電圧は印加しなかった。
真空度：２０Ｐａ
処理ガス：アルゴンガス
ガス流量：２００ｓｃｃｍ
電力：２００Ｗ
時間：２ｍｉｎ
次に、絶縁性樹脂膜およびめっき層の形成された基板の上面をプラズマ処理して、積層基板１を得た。プラズマ処理の条件は以下の通りとした。このとき基板にバイアス電圧は印加しなかった。
真空度：２０Ｐａ
処理ガス：アルゴンガス
ガス流量：２００ｓｃｃｍ
電力：２００Ｗ
時間：２ｍｉｎ
［９］絶縁性樹脂膜表面の評価
上記［８］で得た積層基板１における絶縁性樹脂膜の表面を走査型電子顕微鏡で観察した。図８は走査型電子顕微鏡で観察した本実施例に係る絶縁性樹脂膜表面の形態を示す図である。フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
上記［８］で得た積層基板１における絶縁性樹脂膜の表面を走査型電子顕微鏡で観察した。図８は走査型電子顕微鏡で観察した本実施例に係る絶縁性樹脂膜表面の形態を示す図である。フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
［１０］表面粗さの測定
上記［８］で得た積層基板１における絶縁性樹脂膜の表面粗さを、レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用いて測定した。その結果、算術平均粗さＲａは０．１５μｍ、十点平均粗さＲｚは１．７３μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１８μｍであった。
上記［８］で得た積層基板１における絶縁性樹脂膜の表面粗さを、レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用いて測定した。その結果、算術平均粗さＲａは０．１５μｍ、十点平均粗さＲｚは１．７３μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１８μｍであった。
［１１］密着性の評価
上記［８］で得た積層基板１の絶縁性樹脂膜の表面に封止樹脂としてエポキシ樹脂（住友ベークライト株式会社製、ＥＭＥ−Ｇ７６０ＳＷ）を積層し、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との間のせん断強度を測定した。測定のためにまず、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で、絶縁性樹脂膜上に、封止樹脂からなる２ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍの密着強度試験片を１０個成形した。その後、１７５℃で４時間加熱して封止樹脂を硬化させた後、せん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて、硬化した封止樹脂と絶縁性樹脂膜との間のせん断強度を測定した。２５℃におけるせん断強度Ｓ１と、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２を測定した。なお、１０個の試験片を測定した平均値をせん断強度とした。２５℃におけるせん断強度Ｓ１が２９Ｎ／ｍｍ２以上の場合を◎、１５Ｎ／ｍｍ２以上２９Ｎ／ｍｍ２未満の場合を○、１５Ｎ／ｍｍ２未満の場合を×として評価した。また、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２が８Ｎ／ｍｍ２以上の場合を○、８Ｎ／ｍｍ２未満の場合を×として評価した。また、Ｓ１の変動係数およびＳ２の変動係数を求めた。測定結果から、本実施例において、２５℃における密着性は◎、２６０℃における密着性は○と評価した。Ｓ１の変動係数は０．０４、Ｓ２の変動係数は０．１５であった。また、得られた結果からＳ２／Ｓ１を算出したところ、０．２９であった。
上記［８］で得た積層基板１の絶縁性樹脂膜の表面に封止樹脂としてエポキシ樹脂（住友ベークライト株式会社製、ＥＭＥ−Ｇ７６０ＳＷ）を積層し、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との間のせん断強度を測定した。測定のためにまず、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で、絶縁性樹脂膜上に、封止樹脂からなる２ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍの密着強度試験片を１０個成形した。その後、１７５℃で４時間加熱して封止樹脂を硬化させた後、せん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて、硬化した封止樹脂と絶縁性樹脂膜との間のせん断強度を測定した。２５℃におけるせん断強度Ｓ１と、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２を測定した。なお、１０個の試験片を測定した平均値をせん断強度とした。２５℃におけるせん断強度Ｓ１が２９Ｎ／ｍｍ２以上の場合を◎、１５Ｎ／ｍｍ２以上２９Ｎ／ｍｍ２未満の場合を○、１５Ｎ／ｍｍ２未満の場合を×として評価した。また、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２が８Ｎ／ｍｍ２以上の場合を○、８Ｎ／ｍｍ２未満の場合を×として評価した。また、Ｓ１の変動係数およびＳ２の変動係数を求めた。測定結果から、本実施例において、２５℃における密着性は◎、２６０℃における密着性は○と評価した。Ｓ１の変動係数は０．０４、Ｓ２の変動係数は０．１５であった。また、得られた結果からＳ２／Ｓ１を算出したところ、０．２９であった。
［１２］熱処理後の密着性の評価
上記［１１］と同様に密着強度試験片の形成、硬化をした後、せん断強度を測定する前に、熱処理（リフロー）を行った。熱処理後に、２５℃で測定したせん断強度の平均値を、せん断強度Ｓ３とする。熱処理として具体的には、積層基板１をリフロー装置により２６０℃ピークで３回処理した。せん断強度の測定は、上記［１１］と同様に行った。せん断強度Ｓ３が２９Ｎ／ｍｍ２以上の場合を◎、１５Ｎ／ｍｍ２以上２９Ｎ／ｍｍ２未満の場合を○、１５Ｎ／ｍｍ２未満の場合を×として評価した。測定の結果から、本実施例において、熱処理後の密着性は◎と評価した。
上記［１１］と同様に密着強度試験片の形成、硬化をした後、せん断強度を測定する前に、熱処理（リフロー）を行った。熱処理後に、２５℃で測定したせん断強度の平均値を、せん断強度Ｓ３とする。熱処理として具体的には、積層基板１をリフロー装置により２６０℃ピークで３回処理した。せん断強度の測定は、上記［１１］と同様に行った。せん断強度Ｓ３が２９Ｎ／ｍｍ２以上の場合を◎、１５Ｎ／ｍｍ２以上２９Ｎ／ｍｍ２未満の場合を○、１５Ｎ／ｍｍ２未満の場合を×として評価した。測定の結果から、本実施例において、熱処理後の密着性は◎と評価した。
［１３］熱処理および吸湿処理後の密着性の評価
上記［１１］と同様に試験片の形成、硬化をした後、せん断強度を測定する前に、熱処理および吸湿処理この順に行った。熱処理および吸湿処理後に、２５℃で測定したせん断強度の平均値を、せん断強度Ｓ４とする。熱処理は、上記［１２］と同様に行った。吸湿処理は具体的には８５℃、６０％ＲＨの環境に１６８時間置いた。せん断強度Ｓ４が８Ｎ／ｍｍ２以上の場合を○、８Ｎ／ｍｍ２未満の場合を×として評価した。測定の結果から、本実施例において、熱処理および吸湿処理後の密着性は○と評価した。
上記［１１］と同様に試験片の形成、硬化をした後、せん断強度を測定する前に、熱処理および吸湿処理この順に行った。熱処理および吸湿処理後に、２５℃で測定したせん断強度の平均値を、せん断強度Ｓ４とする。熱処理は、上記［１２］と同様に行った。吸湿処理は具体的には８５℃、６０％ＲＨの環境に１６８時間置いた。せん断強度Ｓ４が８Ｎ／ｍｍ２以上の場合を○、８Ｎ／ｍｍ２未満の場合を×として評価した。測定の結果から、本実施例において、熱処理および吸湿処理後の密着性は○と評価した。
（実施例２）
上記［８］において、アルゴンガスの代わりに酸素ガスを用いてプラズマ処理を行った以外は実施例１と同様にして、積層基板２を得た。積層基板２について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板２の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板２の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、十点平均粗さＲｚは１．８μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１７μｍであった。
積層基板２において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０５、Ｓ２の変動係数は０．１１であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３３であった。
上記［８］において、アルゴンガスの代わりに酸素ガスを用いてプラズマ処理を行った以外は実施例１と同様にして、積層基板２を得た。積層基板２について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板２の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板２の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、十点平均粗さＲｚは１．８μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１７μｍであった。
積層基板２において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０５、Ｓ２の変動係数は０．１１であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３３であった。
（実施例３）
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間を２分とした以外は実施例１と同様にして、積層基板３を得た。積層基板３について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板３の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板３の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１μｍ、十点平均粗さＲｚは１．１μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１２μｍであった。
積層基板３において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０７、Ｓ２の変動係数は０．０９であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３２であった。
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間を２分とした以外は実施例１と同様にして、積層基板３を得た。積層基板３について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板３の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板３の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１μｍ、十点平均粗さＲｚは１．１μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１２μｍであった。
積層基板３において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０７、Ｓ２の変動係数は０．０９であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３２であった。
（実施例４）
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間を２０分とした以外は実施例１と同様にして、積層基板４を得た。積層基板４について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板４の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板４の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．３１μｍ、十点平均粗さＲｚは３．４μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．３４μｍであった。
絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０４、Ｓ２の変動係数は０．１０であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３６であった。
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間を２０分とした以外は実施例１と同様にして、積層基板４を得た。積層基板４について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板４の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板４の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．３１μｍ、十点平均粗さＲｚは３．４μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．３４μｍであった。
絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０４、Ｓ２の変動係数は０．１０であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３６であった。
（実施例５）
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液の温度を４５℃とした以外は実施例１と同様にして、積層基板５を得た。積層基板５について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板５の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板５の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１μｍ、十点平均粗さＲｚは１．２μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１３μｍであった。
積層基板５において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０２、Ｓ２の変動係数は０．１３であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３１であった。
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液の温度を４５℃とした以外は実施例１と同様にして、積層基板５を得た。積層基板５について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板５の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板５の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１μｍ、十点平均粗さＲｚは１．２μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１３μｍであった。
積層基板５において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０２、Ｓ２の変動係数は０．１３であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３１であった。
（実施例６）
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液の温度を９５℃とした以外は実施例１と同様にして、積層基板６を得た。積層基板６について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板６の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板６の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．３８μｍ、十点平均粗さＲｚは３．７μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．４０μｍであった。
積層基板６において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０３、Ｓ２の変動係数は０．１４であり、Ｓ２／Ｓ１は０．４０であった。
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液の温度を９５℃とした以外は実施例１と同様にして、積層基板６を得た。積層基板６について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板６の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板６の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．３８μｍ、十点平均粗さＲｚは３．７μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．４０μｍであった。
積層基板６において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０３、Ｓ２の変動係数は０．１４であり、Ｓ２／Ｓ１は０．４０であった。
（実施例７）
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）の代わりに、以下の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ２）を使用した以外は、実施例１と同様の方法で積層基板７を作製した。積層基板７について、実施例１と同様に各評価を行った。
エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、８２８）８．３質量％、ナフトール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−４０３２）１１．７質量％、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の固形分６０％のシクロヘキサノン溶液（ＤＩＣ株式会社製、Ｎ６６５ Ｈ６０）２２．４質量％、フェノキシ樹脂の固形分３０％のシクロヘキサノン溶液（三菱化学株式会社製、ＹＸ−８１００ ＢＨ３０）３．３質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ２）（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１μｍ）３６．３質量％、カップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．９質量％、着色剤として緑色染料（日本化薬株式会社製、Ｋａｙａｓｅｔ Ｇｒｅｅｎ）０．３質量％、レベリング剤としてアクリル系樹脂（ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨ製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）０．６質量％に、硬化促進剤として２フェニル４メチル５ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＨＺ）０．５質量％、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂の固形分６０％のシクロヘキサノン溶液（ＤＩＣ株式会社製、ＴＤ−２１３１ Ｈ６０）１５．７質量％を添加して熱硬化性樹脂組成物（Ｐ２）を調整した。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）の代わりに、以下の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ２）を使用した以外は、実施例１と同様の方法で積層基板７を作製した。積層基板７について、実施例１と同様に各評価を行った。
エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、８２８）８．３質量％、ナフトール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−４０３２）１１．７質量％、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の固形分６０％のシクロヘキサノン溶液（ＤＩＣ株式会社製、Ｎ６６５ Ｈ６０）２２．４質量％、フェノキシ樹脂の固形分３０％のシクロヘキサノン溶液（三菱化学株式会社製、ＹＸ−８１００ ＢＨ３０）３．３質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ２）（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１μｍ）３６．３質量％、カップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．９質量％、着色剤として緑色染料（日本化薬株式会社製、Ｋａｙａｓｅｔ Ｇｒｅｅｎ）０．３質量％、レベリング剤としてアクリル系樹脂（ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨ製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）０．６質量％に、硬化促進剤として２フェニル４メチル５ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＨＺ）０．５質量％、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂の固形分６０％のシクロヘキサノン溶液（ＤＩＣ株式会社製、ＴＤ−２１３１ Ｈ６０）１５．７質量％を添加して熱硬化性樹脂組成物（Ｐ２）を調整した。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ２）を用いて実施例１と同様の方法で得たキャリア付樹脂膜２について、実施例１と同様に評価を行った。
絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で４ＧＰａ、Ｔｇは１５０℃、Ｔｇ以下での線熱膨張率は４５ｐｐｍ／℃であった。
積層基板７の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板７の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．２μｍ、十点平均粗さＲｚは２．２μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．２２μｍであった。
積層基板７において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０５、Ｓ２の変動係数は０．１２であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３２であった。
絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で４ＧＰａ、Ｔｇは１５０℃、Ｔｇ以下での線熱膨張率は４５ｐｐｍ／℃であった。
積層基板７の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板７の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．２μｍ、十点平均粗さＲｚは２．２μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．２２μｍであった。
積層基板７において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０５、Ｓ２の変動係数は０．１２であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３２であった。
（実施例８）
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）の代わりに、以下の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ３）を使用した以外は、実施例１と同様の方法で積層基板８を作製した。積層基板８について、実施例１と同様に各評価を行った。
エポキシ樹脂としてナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−５０００）８．５質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、８２８）８．５質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ２）（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１μｍ）６５．７質量％、ポリビニルアセタール樹脂としてポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業株式会社製、ＫＳ−５Ｚ）１．４質量％、着色剤として緑色染料（日本化薬株式会社製、Ｋａｙａｓｅｔ Ｇｒｅｅｎ）０．３質量％、カップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．９質量％、レベリング剤としてアクリル系樹脂（ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨ製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）０．６質量％に、硬化促進剤として２フェニル４メチル５ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＨＺ）０．５質量％、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂の固形分６０％のシクロヘキサノン溶液（ＤＩＣ株式会社製、ＴＤ−２１３１ Ｈ６０）５．１質量％、ナフトール型ノボラック樹脂（日本化薬株式会社製、ＣＢＮ）８．５質量％を添加して熱硬化性樹脂組成物（Ｐ３）を調整した。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）の代わりに、以下の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ３）を使用した以外は、実施例１と同様の方法で積層基板８を作製した。積層基板８について、実施例１と同様に各評価を行った。
エポキシ樹脂としてナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−５０００）８．５質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、８２８）８．５質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ２）（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１μｍ）６５．７質量％、ポリビニルアセタール樹脂としてポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業株式会社製、ＫＳ−５Ｚ）１．４質量％、着色剤として緑色染料（日本化薬株式会社製、Ｋａｙａｓｅｔ Ｇｒｅｅｎ）０．３質量％、カップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．９質量％、レベリング剤としてアクリル系樹脂（ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨ製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）０．６質量％に、硬化促進剤として２フェニル４メチル５ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＨＺ）０．５質量％、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂の固形分６０％のシクロヘキサノン溶液（ＤＩＣ株式会社製、ＴＤ−２１３１ Ｈ６０）５．１質量％、ナフトール型ノボラック樹脂（日本化薬株式会社製、ＣＢＮ）８．５質量％を添加して熱硬化性樹脂組成物（Ｐ３）を調整した。
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ３）を用いて実施例１と同様の方法で得たキャリア付樹脂膜３について、実施例１と同様に評価を行った。
絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で８ＧＰａ、Ｔｇは１９０℃、Ｔｇ以下での線熱膨張率は２５ｐｐｍ／℃であった。
積層基板８の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板８の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．２μｍ、十点平均粗さＲｚは２．１μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．２３μｍであった。
積層基板８において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０９、Ｓ２の変動係数は０．１４であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３３であった。
絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で８ＧＰａ、Ｔｇは１９０℃、Ｔｇ以下での線熱膨張率は２５ｐｐｍ／℃であった。
積層基板８の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板８の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．２μｍ、十点平均粗さＲｚは２．１μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．２３μｍであった。
積層基板８において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０９、Ｓ２の変動係数は０．１４であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３３であった。
（実施例９）
キャリア付樹脂膜１の代わりに、キャリア付樹脂膜４として味の素ファインテクノ社株式会社製、ＡＢＦ−ＧＸ１３を使用し、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間を２分とした以外は、実施例１と同様の方法で積層基板９を作製した。
キャリア付樹脂膜１の代わりに、キャリア付樹脂膜４として味の素ファインテクノ社株式会社製、ＡＢＦ−ＧＸ１３を使用し、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間を２分とした以外は、実施例１と同様の方法で積層基板９を作製した。
キャリア付樹脂膜４について、実施例１と同様に評価を行った。
絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で４ＧＰａ、Ｔｇは１９０℃、Ｔｇ以下での線熱膨張率は４５ｐｐｍ／℃であった。
また、積層基板９について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板９の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板９の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．２μｍ、十点平均粗さＲｚは２．３μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．２１μｍであった。
積層基板９において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０６、Ｓ２の変動係数は０．１５であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３５であった。
絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で４ＧＰａ、Ｔｇは１９０℃、Ｔｇ以下での線熱膨張率は４５ｐｐｍ／℃であった。
また、積層基板９について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板９の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板９の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．２μｍ、十点平均粗さＲｚは２．３μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．２１μｍであった。
積層基板９において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において○と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０６、Ｓ２の変動係数は０．１５であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３５であった。
（比較例１）
上記［６］のデスミア処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして、積層基板１０を得た。積層基板１０について、実施例１と同様に各評価を行った。
図９は走査型電子顕微鏡で観察した本比較例に係る絶縁性樹脂膜表面の形態を示す図である。積層基板１０の絶縁性樹脂膜の表面には、フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が見られなかった。フィラーは全体が絶縁性樹脂膜中に埋まっていた。
積層基板１０の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．０７μｍ、十点平均粗さＲｚは０．７５μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．０９μｍであった。
積層基板１０において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において×と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．１７、Ｓ２の変動係数は０．２３であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３２であった。
上記［６］のデスミア処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして、積層基板１０を得た。積層基板１０について、実施例１と同様に各評価を行った。
図９は走査型電子顕微鏡で観察した本比較例に係る絶縁性樹脂膜表面の形態を示す図である。積層基板１０の絶縁性樹脂膜の表面には、フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が見られなかった。フィラーは全体が絶縁性樹脂膜中に埋まっていた。
積層基板１０の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．０７μｍ、十点平均粗さＲｚは０．７５μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．０９μｍであった。
積層基板１０において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において○、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において×と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．１７、Ｓ２の変動係数は０．２３であり、Ｓ２／Ｓ１は０．３２であった。
（比較例２）
上記［８］のプラズマ処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして、積層基板１１を得た。積層基板１１について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板１１の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１０と同様、フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が見られなかった。フィラーは全体が絶縁性樹脂膜中に埋まっていた。
積層基板１１の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１３μｍ、十点平均粗さＲｚは１．６３μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１７μｍであった。
積層基板１１において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において×、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において×と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．１５、Ｓ２の変動係数は０．１８であり、Ｓ２／Ｓ１は０．２３であった。
上記［８］のプラズマ処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして、積層基板１１を得た。積層基板１１について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板１１の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１０と同様、フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が見られなかった。フィラーは全体が絶縁性樹脂膜中に埋まっていた。
積層基板１１の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１３μｍ、十点平均粗さＲｚは１．６３μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１７μｍであった。
積層基板１１において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において◎、２６０℃において×、熱処理後において◎、熱処理および吸湿処理後において×と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．１５、Ｓ２の変動係数は０．１８であり、Ｓ２／Ｓ１は０．２３であった。
（比較例３）
上記［６］のデスミア処理および上記［８］のプラズマ処理をいずれも行わなかった以外は実施例１と同様にして、積層基板１２を得た。積層基板１２について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板１２の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１０と同様、フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が見られなかった。フィラーは全体が絶縁性樹脂膜中に埋まっていた。
積層基板１２の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．０６μｍ、十点平均粗さＲｚは０．８５μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１１μｍであった。
積層基板１２において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において×、２６０℃において×、熱処理後において×、熱処理および吸湿処理後において×と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０８、Ｓ２の変動係数は０．２４であり、Ｓ２／Ｓ１は０．２３であった。
上記［６］のデスミア処理および上記［８］のプラズマ処理をいずれも行わなかった以外は実施例１と同様にして、積層基板１２を得た。積層基板１２について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板１２の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１０と同様、フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が見られなかった。フィラーは全体が絶縁性樹脂膜中に埋まっていた。
積層基板１２の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．０６μｍ、十点平均粗さＲｚは０．８５μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１１μｍであった。
積層基板１２において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性は、２５℃において×、２６０℃において×、熱処理後において×、熱処理および吸湿処理後において×と評価された。また、Ｓ１の変動係数は０．０８、Ｓ２の変動係数は０．２４であり、Ｓ２／Ｓ１は０．２３であった。
以上の条件および評価結果を表１および表２に示す。
実施例１から実施例９は、２５℃における絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性が高く、なおかつせん断強度Ｓ１の変動係数が小さかった。すなわち、歩留まり良く耐久性に優れるパッケージを実現できる配線基板が得られることが確認できた。それに対し、比較例１および比較例２は、２５℃における密着性は良好であったものの、変動係数が高かった。すなわち、歩留まりが悪かった。比較例３は、せん断強度Ｓ１の変動係数が小さく、すなわち性能ばらつきは小さかったものの、密着性が低かった。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
１０ 絶縁性樹脂膜
１００ キャリア付樹脂膜
１０２ 半導体パッケージ
１１０ 凹部
１２ キャリア基材
１２０ フィラー
１３０ 表面
２０ 配線基板
２２ コア基板
２４ 導電体パターン
２４２ ライン
２４４ ランド
２４６ めっき膜
２８ 開口部
３０ 半田ボール
４０ 封止樹脂
５０ ボンディングワイヤ
６０ 半導体素子
６２ ダイアタッチ材
７０ 電子装置
７１０ マザーボード
７１２ 導電体パターン
７１４ 導電部
７１６ 接続部
７２０ 電子部品
１００ キャリア付樹脂膜
１０２ 半導体パッケージ
１１０ 凹部
１２ キャリア基材
１２０ フィラー
１３０ 表面
２０ 配線基板
２２ コア基板
２４ 導電体パターン
２４２ ライン
２４４ ランド
２４６ めっき膜
２８ 開口部
３０ 半田ボール
４０ 封止樹脂
５０ ボンディングワイヤ
６０ 半導体素子
６２ ダイアタッチ材
７０ 電子装置
７１０ マザーボード
７１２ 導電体パターン
７１４ 導電部
７１６ 接続部
７２０ 電子部品
Claims (8)
- 少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理し、
前記プラズマ処理する工程後における前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５μｍ以下とする、配線基板の製造方法。 - 請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記プラズマ処理する工程では、前記コア基板の前記導電パターンおよび前記めっき膜のいずれにもバイアス電圧を印加しない、配線基板の製造方法。 - 請求項１または２に記載の配線基板の製造方法において、
前記プラズマ処理する工程では、酸化性ガスまたはアルゴンガスによるプラズマ処理を行う、配線基板の製造方法。 - 請求項１から３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
前記デスミア処理する工程では、前記コア基板を、膨潤液に浸漬した後、４５℃以上９５℃以下の過マンガン酸カリウム水溶液に浸漬させる、配線基板の製造方法。 - 請求項１から４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜の線熱膨張率は、Ｔｇ以下において１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である、配線基板の製造方法。 - 少なくとも１つの表面に導電パターンを有するコア基板を準備する工程と、
前記導電パターン上に絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面および前記開口部をデスミア処理する工程と、
前記開口部にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜および前記めっき膜の表面をプラズマ処理する工程と、
前記絶縁性樹脂膜上に半導体素子を配設する工程と、
露出した、前記絶縁性樹脂膜および前記半導体素子を封止樹脂で覆うよう封止する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記プラズマ処理する工程では、前記絶縁性樹脂膜をエッチングすることなくプラズマ処理し、
前記プラズマ処理する工程後における前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５μｍ以下とする、半導体パッケージの製造方法。 - 請求項６に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜と、前記封止樹脂との間の、２５℃におけるせん断強度をＳ１としたとき、Ｓ１を１５Ｎ／ｍｍ２以上とする、半導体パッケージの製造方法。 - 請求項６または７に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜と、前記封止樹脂との間の、２６０℃におけるせん断強度をＳ２としたとき、Ｓ２／Ｓ１を０．１以上０．９以下とする、半導体パッケージの製造方法。
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