JP5200405B2 - 多層配線板及び半導体パッケージ - Google Patents

Description

本発明は、多層配線板及び半導体パッケージに関するものである。

近年、電子機器の軽薄短小化や高機能化が急速度に進展しており、電子機器内に使用される半導体集積回路においても、小型化、高集積化が進行している。そのため、従来の半導体パッケージに比べて、集積回路の配線ピン数が増大するのに対し、実装面積やパッケージ面積は逆に小さくなるといったジレンマがある。このような状況の中で従来のパッケージ方式とは異なる、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ ＧｒｉｄＡｒｒａｙ）方式、さらにはＣＳＰ（
Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）方式などの、実装密度の高いパッケージ方式が提案されている。

これらの半導体パッケージ方式のうち特に高速化が要求される分野では、強度が高いガラスクロスを含有するコア基板とビルドアップ材料よりなる多層配線板が用いられる。（例えば、特許文献１参照。）
この方法では、樹脂や無機充填剤からなるビルドアップ材料は、強度が低く、熱膨張係数が大きいため、ビルドアップ層を補強する理由で、ガラス繊維基材含有の厚いコア層（例えば０．８ｍｍ厚）を用いる必要がある。そのため、数十ＧＨｚで動作する際、コア層スルーホールのインダクタンスの影響が大きく、高速周波数に対応できなくなるといった問題がある。また、コア層を０．２ｍｍ厚と薄くした場合に、コア材の強度も弱く、ビルドアップ層の熱膨張係数が大きく、強度も弱いため、半導体装置実装時の多層配線板・半導体パッケージ反り変動量が大きく、実装歩留まりが低下するといった問題があった。

一方、ビルドアップ材料とし、液晶ポリエステル不織布基材熱硬化性樹脂組成物を用いた多層プリント配線板がある。（例えば、特許文献２参照。）この場合、ビルドアップ層として、低膨張の液晶ポリエステル不織布を含有することで半導体パッケージの反りを低減できるがコア層の導体回路がエッチング方法により形成されるため、回路幅／回路間隔が５０μｍ／５０μｍ程度の細線が限界となる。よって、微細配線が形成できず高速周波数に対応できないといった問題がある。また、ガラス繊維を有するコア層とビルドアップ層の誘電特性が異なり高速信号対応が難しい恐れがある。

上記のガラスクロス含有のコア層を用いない、薄型化可能な多層配線板として、全層または一部が液晶ポリマー織布に絶縁樹脂を含浸させたプリプレグで構成された半導体装置用パッケージが開示されている。（例えば、特許文献３参照。）この方法では厚いコア層を用いる必要がなく高周波対応が可能となる。しかしながら、液晶ポリマー織布はガラスクロスと比較して強度が弱く、薄くなるほど多層配線板の強度が低く、多層配線板や半導体パッケージの反りの問題が出てくる恐れがある。
また、この特許文献にはスティフナーを用いた片面ビルドアップ構造が開示されている。片面ビルドアップ構造では、各ビルドアップ層の熱履歴が異なり各層異なる硬化収縮、樹脂特性を有する可能性があり、両面積層方式と比較して多層配線板の反りが大きくなる恐れがある。

特開２０００−３１６４２ 特開平１１−１６３２０８ 特開２００４−３５６５６９

上述のように従来技術では、薄型、電気信号高速化に対応する多層配線板や該多層配線板を用いた半導体パッケージの反りと強度の問題が十分に解決されていない。
そこで、本発明は、薄型で、電気信号高速化に対応する低線膨張率、高弾性率を有する多層配線板及び半導体パッケージを提供することを目的の一つとする。
ここまで

前記の目的は、下記［１］〜［８］に記載の本発明により達成される。
［１］ 繊維基材を含有するコア層及びビルドアップ層、並びに導体回路を有する多層配線板であって、
前記コア層が電気めっき回路形成可能なコア層であり、
前記ビルドアップ層が、第１樹脂層、第２樹脂層及び繊維基材含有層を少なくとも有し、第１樹脂層と第２樹脂層との間に繊維基材含有層が介設されてなることを特徴とする多層配線板。
［２］ 前記ビルドアップ層と前記コア層の厚みの比（ビルドアップ層厚み／コア層厚み）が０．７以上１．１以下である上記［１］に記載の多層配線板。
［３］ 前記第１樹脂層の厚みＢ１と前記第２樹脂層の厚みＢ２との比Ｂ２／Ｂ１が、０＜Ｂ２／Ｂ１≦１を満たすものである、上記［１］又は［２］に記載の多層配線板。
［４］ 前記繊維基材含有層を構成する繊維基材は、ガラス繊維である上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の多層配線板。
［５］ 前記繊維基材含有層を構成する繊維基材は、線膨張係数（ＣＴＥ）が６ｐｐｍ以下のガラス繊維基材である、上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の多層配線板。
［６］ 前記コア層の繊維基材は、線膨張係数（ＣＴＥ）が６ｐｐｍ以下のガラス繊維である、上記［１］〜［５］のいずれか１項記載の多層配線板。
［７］ 上記［１］〜［６］のいずれか１項に記載の多層配線板を有することを特徴とする半導体パッケージ。

本発明によれば、繊維基材を含有するコア層及びビルドアップ層、並びに導体回路を有する多層配線板であって、前記コア層が電気めっき回路形成可能なコア層であり、前記ビルドアップ層が、第１樹脂層、第２樹脂層及び繊維基材含有層を少なくとも有し、第１樹脂層と第２樹脂層との間に繊維基材含有層が介設されてなる多層配線板が提供される。本発明の多層配線板に用いるコア層は繊維基材を含有し、電気めっき回路形成可能である。これにより高弾性率、低膨張で、エッチング法では達成できない微細配線形成が可能となる。また本発明の多層配線板に用いるビルドアップ層は、第１樹脂層、第２樹脂層及び繊維基材含有層を少なくとも有し、第１樹脂層と第２樹脂層との間に繊維基材含有層が介設されてなるため、高弾性率で低膨張である。このため本発明の多層配線板は反りと強度に優れる。

本発明の好ましい態様によれば、ビルドアップ層とコア層の厚みの比（ビルドアップ層厚み／コア層厚み）が０．７以上１．１以下である。これにより、コア層スルーホールのインダクタンスの影響が低減され、全体の多層配線板の厚みも低減できる。

また、本発明の好ましい態様によれば、ビルドアップ層の第１樹脂層の厚みＢ１と第２樹脂層の厚みＢ２との比Ｂ２／Ｂ１が、０＜Ｂ２／Ｂ１≦１を満たす。すなわち、繊維基材含有層は、ビルドアップ層の厚み方向に対して偏在している。内層の回路パターンによって必要とされる樹脂量が異なる場合、樹脂がはみ出したり、回路を埋める樹脂が不足したりすることがある。本発明のビルドアップ層は、このような場合にも、繊維基材含有層の厚み方向の位置を変化させ、第１樹脂層と第２樹脂層の厚みを適宜調整することにより
、回路を充分に埋め込むことができ、また不要な樹脂のはみ出しを防ぐことができる。

さらに、本発明の好ましい態様によれば、ビルドアップ層の繊維基材含有層を構成する繊維基材は、ガラス繊維である。これにより、有機不織布等と比較し、格段に高弾性率化できる。また、繊維基材含有層を構成する繊維基材は、線膨張係数（ＣＴＥ）が６ｐｐｍ以下のガラス繊維基材である。さらに、コア層の繊維基材は、線膨張係数（ＣＴＥ）が６ｐｐｍ以下のガラス繊維である。これによりコア層、ビルドアップ層を低膨張化可能である。

以下、本発明の多層配線板及び半導体パッケージの実施形態について詳細に説明する。
本発明の多層配線板は、繊維基材を含有するコア層及びビルドアップ層、並びに導体回路を有する多層配線板であって、前記コア層が電気めっき回路形成可能なコア層であり、前記ビルドアップ層が、第１樹脂層、第２樹脂層及び繊維基材含有層を少なくとも有し、第１樹脂層と第２樹脂層との間に繊維基材含有層が介設されてなることを特徴とする。

本発明の多層配線板に用いるコア層は、上記の通り繊維基材を含有し、電気めっき回路形成可能なコア層である。これにより高弾性率、低膨張で、エッチング法では達成できない微細配線形成が可能となる。また本発明の多層配線板に用いるビルドアップ層は、上記の通り第１樹脂層、第２樹脂層及び繊維基材含有層を少なくとも有し、第１樹脂層と第２樹脂層との間に繊維基材含有層が介設されてなるため、高弾性率で低膨張である。このため本発明の多層配線板は反りと強度に優れる。このような多層配線板により強度が高く、低膨張率な半導体パッケージが得られる。

以下、本発明の多層配線板の好ましい実施形態について図面を参照しながら説明する。
本発明の多層配線板に用いるコア層は、繊維基材を含有し、電気めっき回路形成可能なコア層である。従来のコア層に用いられるプリプレグは、銅箔と重ね合わせプレスする仕様であり無電解めっき、電解めっきで微細回路を形成することができない。
電気めっきで微細回路成可能なコア層は、例えば、従来のビルドアップ層で使用する過マンガン酸系デスミア液で微細粗化形成可能な樹脂をガラス繊維基材に含浸・塗布することで得ることができる。この場合、下記で説明するビルドアップ層と同様な樹脂組成物、製造方法で電気めっき回路形成可能なコア層を得ることができる。
また、公知の支持基材付きピーラブル銅箔を従来のプリプレグとプレス積層し、極薄銅箔（例えば、１．５μｍ厚）付き両面コア基板を得て、極薄銅箔を全面エッチングすることで微細粗化を有するコア層を得ることができ、電気めっきで微細配線形成可能となる。

図１は、本発明の多層配線板に用いるビルドアップ層の一例を模式的に示した概略断面図である。図１に示されるように、第１樹脂層２１と第２樹脂層２２との間に繊維基材含有層１が介設され、本発明の多層配線板に用いるビルドアップ層１０を構成している。

本発明において、ビルドアップ層の第１樹脂層の厚みＢ１と第２樹脂層の厚みＢ２との比（Ｂ２／Ｂ１）が、０＜Ｂ２／Ｂ１≦１を満たすことが好ましい。これにより、回路パターンに応じて第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２の樹脂量を調整することができ、それにより回路の埋め込みを十分に行うことができ、余分な樹脂のはみ出しを防止することができる。また、この比（Ｂ２／Ｂ１）は、０．５以下であることが好ましく、特に０．２〜０．４であることがより好ましい。この比（Ｂ２／Ｂ１）が、上記範囲内であると、特に繊維基材含有層の波打ちを低減することができ、それによってビルドアップ層の平坦性をより向上させることができる。

なお、本発明に用いるビルドアップ層１０は、第１樹脂層、第２樹脂層及び繊維基材含
有層以外に他の構成要素を有していてもよい。例えば、第１樹脂層及び／又は第２樹脂層の表面に異物の付着や傷を防ぐためにカバーフィルムを有していてもよい。または、ビルドアップ材料に用いられる基材を第１樹脂層又は第２樹脂層のいずれかの表面またはその両方に有していてもよい。

以下、本発明に用いるビルドアップ層に含まれる各層について説明する。
（１）第１樹脂層、第２樹脂層
まず、本発明に用いるビルドアップ層を構成する第１樹脂層及び第２樹脂層について説明する。
本発明において、第１樹脂層及び第２樹脂層は、例えば、樹脂組成物をフィルム状に成形してなる樹脂の層である。ビルドアップ材料の使用時には、熱などによって、第１樹脂層及び第２樹脂層に含まれる樹脂成分が溶融して配線板の回路の凹凸を埋め込み、その後硬化させることによって、配線板の表面に形成することができる。
本発明に用いるビルドアップ層において、第１樹脂層及び第２樹脂層を構成する樹脂組成物は、上記のような機能を有するものであれば特に限定されないが、低線膨張率及び高弾性率を有し、熱衝撃性の信頼性に優れたものであることが好ましい。

本発明に用いる熱硬化性樹脂としては、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等のシアネート樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂；ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂；不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。本発明においては、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。また、同じ種類の樹脂の異なる重量平均分子量を有するものを併用してもよい。さらに、上記の１種類または２種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。前記熱硬化性樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の５０〜１００重量％であることが好ましい。さらに好ましくは６０〜９０重量％である。上記範囲内であると回路埋め込み時の溶融性が向上する。

これらの中でも、特にシアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。シアネート樹脂を用いることにより、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂は、電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度等にも優れる。

（ａ）シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマー
本発明で用いる樹脂組成物は、シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有することが好ましい。これにより、難燃性を向上させることができる。
シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの入手方法としては特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。

シアネート樹脂の種類としては特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。
これらの中でも、ノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度の増加により耐熱性を向上させることができるとともに、難燃性をさらに向上させることができる。ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。
なお、ノボラック型シアネート樹脂は、例えばノボラック型フェノール樹脂と、塩化シアン、臭化シアン等の化合物とを反応させることにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。

ここでノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、一般式（１）で示されるものを用いることができる。

一般式（１）で示されるノボラック型シアネート樹脂の重量平均分子量としては特に限定されないが、５００〜４，５００とすることができ、好ましくは６００〜３，０００である。重量平均分子量を前記の範囲とすることで、機械的強度が低下せず、また硬化速度の低下もないビルドアップ層が得られる。

なお、シアネート樹脂としては、これをプレポリマー化したものも用いることができる。すなわち、シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
ここでプレポリマーとは、通常、シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。
ここでプレポリマーとしては特に限定されないが、例えば、３量化率が２０〜５０重量％であるものを用いることができる。この３量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて求めることができる。

本発明において、シアネート樹脂の含有量は、特に限定されない。シアネート樹脂が有する前記特性を効果的に発現させるという観点からシアネート樹脂の含有量は、樹脂組成物全体の５〜５０重量％とすることが好ましく、より好ましくは１０〜４０重量％である。ここで、シアネート樹脂の含有量を前記の範囲とすることで、架橋密度が高くならない
ために耐湿性と高耐熱性とに優れるビルドアップ層が得られる。

（ｂ）実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂
本発明で用いる樹脂組成物では、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂を含有することが好ましい。これにより、該ビルドアップ層を実装時等でガラス転移温度以上の高温にした場合であってもハロゲン原子による回路腐食がなく、実装後の信頼性が向上する。ここで「実質的にハロゲン原子を含まない」とは、ハロゲン原子による回路腐食がなく、実装後の信頼性に影響がない程度でハロゲン原子が微量含まれていてもよく、好ましくは、含まないことである。

前記エポキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、難燃性、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
ここで、アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂を指し、例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば一般式（２）で示されるものを用いることができる。

一般式（２）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂のｎは、１〜１０とすることが好ましく、より好ましくは２〜５である。ｎを前記の範囲とすることで、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が結晶化しにくく、汎用溶媒に対する溶解性の低下が少なく取り扱い性が容易であり、流動性、成形性に優れるビルドアップ層が得られる。

前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、４，０００以下であることが好ましい。さらに好ましくは５００〜４，０００であり、特に好ましくは８００〜３，０００である。前記範囲とすることで、タック性のない半田耐熱性に優れるビルドアップ層が得られる。

前記エポキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の５〜５０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１０〜４０重量％である。
エポキシ樹脂の含有量を前記の範囲とすることで、吸湿半田耐熱性、密着性、低熱膨張性に優れるビルドアップ層が得られる。

（ｃ）実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂
本発明で用いる樹脂組成物では、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂を含有することが好ましい。これにより、当該ビルドアップ層を導体回路が設けられた絶縁層に加熱圧着した際に密着性が向上し、また前記ビルドアップ層の外部接続用半田ボールが搭載され前記導体回路と相対する位置に、開孔部を設ける際にレーザーにより開孔し、樹
脂残渣（スミア）を除去するがその際に、フェノキシ樹脂を含有することで樹脂残渣を除去しやすくなる。ここで「実質的にハロゲン原子を含まない」とは、ハロゲン原子による回路腐食がなく、実装後の信頼性に影響がない程度でハロゲン原子が微量含まれていてもよく、好ましくは、含まないことである。

前記フェノキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造を有するフェノキシ樹脂を用いることもできる。
これらの中でも、ビフェニル骨格と、ビスフェノールＳ骨格とを有するものを用いることができる。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができる。
また、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するものを用いることができる。これにより、多層プリント配線板の製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。
また、ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するものと、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するものとを、併用することができる。これにより、前記特性をバランスよく発現させることができる。
ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するもの（１）と、ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するもの（２）とを併用する場合、その併用比率としては特に限定されないが、例えば、（１）：（２）＝２：８〜９：１とすることができる。

前記フェノキシ樹脂の分子量としては特に限定されないが、重量平均分子量が５０００〜７００００であるものを用いることが好ましく、５０００〜５００００であることがより好ましい。さらに好ましくは１００００〜４００００である。フェノキシ樹脂の重量平均分子量を前記の範囲とすることで、製膜性が向上し、溶解性の良好な樹脂組成物となる。
前記フェノキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜４０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは５〜３０重量％である。フェノキシ樹脂の含有量を前記範囲とすることで、製膜性が向上し、低熱膨張性を維持することができる樹脂組成物が得られる。

（ｄ）イミダゾール化合物
本発明で用いる樹脂組成物では、硬化剤としてイミダゾール化合物を含有することが好ましい。これにより、ビルドアップ層の絶縁性を低下させることなく、シアネート樹脂やエポキシ樹脂の反応を促進することができる。
イミダゾール化合物としては特に限定されないが、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールなどを挙げることができる。
これらの中でも、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基、及び、シアノアルキル基の中から選ばれる官能基を２個以上有しているイミダゾール化合物が好ましく、特に２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。このようなイミダゾール化合物の使用により、ビルドアップ層の耐熱性を向上させることができるとともに、低熱膨張性、低吸水性を付与することができる。
イミダゾール化合物の含有量としては特に限定されないが、シアネート樹脂とエポキシ樹脂との合計に対して、０．０５〜５重量％とすることが好ましく、より好ましくは０．
１〜５重量％、さらに好ましくは０．１〜３重量％である。これにより、特にビルドアップ層の耐熱性を向上させることができる。

（ｅ）その他
上記第１樹脂層及び第２樹脂層を構成する樹脂組成物は、無機充填材、カップリング剤及び着色剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

本発明で用いる樹脂組成物は、無機充填材を含有してもよい。これにより、低熱膨張性及び難燃性の向上を図ることができる。また、シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマー（特にノボラック型シアネート樹脂）と無機充填材との組合せにより、弾性率を向上させることができる。
無機充填材としては特に限定されないが、例えば、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ等が挙げられる。これらの中でもシリカが好ましく、特に溶融シリカが低膨張性に優れる点で好ましい。
溶融シリカの形状としては、破砕状、球状があるが、球状のものが好ましい。このような形状の溶融シリカの使用により、樹脂組成物中における配合量を多くすることができ、その場合でも良好な流動性を付与することができる。
無機充填材の平均粒径としては特に限定されないが、０．０１〜５μｍであることが好ましい。さらに好ましくは０．２〜２μｍである。
無機充填材の平均粒径を前記範囲とすることで、樹脂組成物ワニスの調整時の作業性が向上し、無機充填材の沈降を抑制することができる。
無機充填材の含有量として特に限定されないが、樹脂組成物全体の２０〜７０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは３０〜６０重量％である。
無機充填材の含有量を前記範囲とすることで、低熱膨脹性、低吸水性に優れ、流動性、成形性が良好なビルドアップ層が得られる。

本発明で用いる樹脂組成物では、さらにカップリング剤を含有させてもよい。カップリング剤を使用することにより、樹脂と無機充填材との界面の濡れ性を向上させることができるので、耐熱性、特に吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
カップリング剤としては特に限定されないが、エポキシシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アミノシランカップリング剤、及び、シリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用すること好ましい。これにより、樹脂と無機充填材との界面の濡れ性を特に高めることができ、耐熱性をより向上させることができる。
カップリング剤の含有量としては特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３重量部であることが好ましい。カップリング剤の含有量を前記範囲とすることで、無機充填材を被覆して耐熱性を向上させ、ビルドアップ層の曲げ強度が良好なものが得られる。

本発明で用いる樹脂組成物では、着色剤を必要に応じて添加することができる。着色剤の色は、回路検査のためのＡＯＩ認識性、回路形成時のエッチングマスクの露光時に紫外線が反対面に透過しないような特性を有していれば特に限定されない。しいていえば、薄型のコア材に適用されている黒色が好ましい。
また着色剤が樹脂組成物中に含まれる割合としては樹脂組成物中の０．０１重量％〜１０重量％が好ましく、さらに好ましくは０．１重量％〜３重量％である。前記範囲内であると色合いがよく耐熱性、物理的特性への影響が少ない。

本発明で用いる樹脂組成物は、上述した成分のほか、必要に応じて、消泡剤、レベリング剤などの添加剤を含有することができる。

本発明に用いるビルドアップ層において、第１樹脂層を構成する樹脂組成物と、第２樹脂層を構成する樹脂組成物とは、同一でもよいし、異なっていてもよい。第１樹脂層と第２樹脂層とで異なる樹脂組成物を使用する場合、例えば、使用する樹脂の種類や使用量を変えてもよいし、無機充填材等の添加剤の種類や使用量を変えてもよい。第１樹脂層と第２樹脂層とで組成の異なる樹脂組成物を使用することができると、要求される性能に応じた樹脂層の設計が可能となり、樹脂選択の幅を広げることができるという利点がある。例えば、内層回路に面する樹脂層は、埋め込み性を考慮して柔軟な組成にし、反対側の面は表面粗化性を考慮して均一な粗化が可能な組成にするなど、ビルドアップ層の両面で異なる機能を付与することができる。

本発明に用いるビルドアップ層において、第１樹脂層の厚みは、特に限定されるものではないが、第２樹脂層の厚みよりも厚いことが好ましく、第１樹脂層により埋め込まれる回路層が埋め込めるものであればよい。例えば、埋め込まれる回路層の厚みをＴ、第１樹脂層の厚みをｔとした場合の（Ｔ／ｔ）が、０．３≦（Ｔ／ｔ）≦１．５が好ましく、より好ましくは、０．５≦（Ｔ／ｔ）≦１である。一般的に、回路の埋め込みを十分に行うために、内層回路に面する樹脂層の厚みを厚くすることが好ましい。

（２）繊維基材含有層
次に、本発明に用いるビルドアップ層の繊維基材含有層について説明する。
本発明に用いるビルドアップ層において、繊維基材含有層は、繊維基材に樹脂材料が含浸されてなる層であり、これを有することによって本発明に用いるビルドアップ層の低線膨張率、高弾性を達成ができる。
繊維基材含有層に用いる繊維基材としては、ガラス繊維基材が好ましい。上記のような繊維基材を樹脂層間に介設させることにより、本発明に用いるビルドアップ層よりなる多層配線板の反りを防止することができる。
本発明に用いる繊維基材としては、ガラス繊布、ガラス不繊布等を挙げることができる。中でもガラス繊布が好ましい。また、前記ガラス繊維基材は、密着性を向上させるためカップリング剤で表面処理されたものであってもよい。例えば、アミノシランカップリング処理、ビニルシランカップリング処理、カチオニックシランカップリング処理等があるが、エポキシシランカップリング処理が樹脂組成物をガラス繊維基材に含浸するため適している。
エポキシシランカップリング剤で処理されたガラス繊維基材を用いることによりシアネート樹脂との密着性を向上することができる。

本発明に用いる繊維基材は、例えば、ガラス繊維基材の場合には、坪量（１ｍ^２あたりの繊維基材の重量）が４〜２４ｇ／ｍ^２のものであることが好ましく、より好ましくは８〜２０ｇ／ｍ^２、さらに好ましくは１２〜１８ｇ／ｍ^２である。
上記ガラス繊維基材の中でも、本発明においては、特に、線膨張係数（CTE: Coefficient of Thermal Expansion）が６ｐｐｍ以下のガラス繊維基材であることが好ましく、３
．５ｐｐｍ以下のガラス繊維基材であることがより好ましい。上記のような線膨張係数を有するガラス繊維基材を用いることにより、本発明に用いるビルドアップ層よりなる多層配線板、該多層配線板を用いた半導体パッケージの反りをより効果的に抑制することができる。

さらに、本発明に用いるガラス繊維基材は、ヤング率が６２〜１００ＧＰａであることが好ましく、より好ましくは６５〜９２ＧＰａ、さらに好ましくは８６〜９２ＧＰａである。ガラス繊維基材のヤング率が上記の範囲であると、例えば半導体実装時のリフロー熱による配線板の変形を効果的に抑制することができるので、電子部品の接続信頼性が向上する。
また、本発明に用いるガラス繊維基材は、１ＭＨｚでの誘電率が３．８〜７．０である
ことが好ましく、より好ましくは４．７〜７．０、さらに好ましくは５．４〜６．８である。ガラス繊維基材の誘電率が上記の範囲であると、ビルドアップ層の誘電率が低減でき、高速信号を用いた半導体パッケージに好適である。
上記のような線膨張係数、ヤング率及び誘電率を有するガラス繊維基材として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、ＮＥガラス、Ｔガラスなどが好適に用いられる。

本発明に用いる繊維基材の厚みは、５〜３５μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜２０μｍ、さらに好ましくは１４〜１５μｍである。また、繊維基材の使用枚数は、一枚に限らず、薄い繊維基材を複数枚重ねて使用することも可能である。なお、繊維基材を複数枚重ねて使用する場合は、その合計の厚みが上記の範囲を満たせばよい。
特に本発明においては、厚み１０〜１５μｍ、坪量８〜１８ｇ／ｍ^２であるガラス織布を用いることが好ましい。このようなガラス織布を用いることにより、より効果的に半導体パッケージの反りを防止することができる。

本発明に用いるビルドアップ層において、繊維基材含有層は、上記の繊維基材に第１樹脂層及び第２樹脂層を構成する樹脂組成物が含浸されてなる層であるが、通常、繊維基材含有層の厚みは、繊維基材の厚みと考えることができる。繊維基材含有層の厚みは、特に限定されないが、５〜３５μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜２０μｍ、さらに好ましくは１４〜１５μｍである。

本発明に用いるビルドアップ層は、ガラス繊維基材などの繊維基材に樹脂組成物を含浸させてなる繊維基材含有層を有することにより、低線膨張率、高弾性率に優れ、薄型の多層配線板、該多層配線板に半導体チップを搭載した半導体パッケージにおいて、反りが少なく、耐熱性、熱衝撃性の信頼性に優れるものが得られる。中でも、ガラス繊維基材に樹脂組成物を含浸させてなる繊維基材含有層を有することにより、高強度、低吸水、低熱膨張を達成することができる。

本発明に用いるビルドアップ層の製造方法としては、例えば、樹脂組成物を有機溶剤に溶解させて樹脂組成物ワニスを得、これを繊維基材に含浸・塗布する方法が挙げられる。
本発明で用いられる樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤に溶かして樹脂組成物ワニスを調製し、繊維基材を前記樹脂組成物ワニスに繊維基材を浸漬する方法、該樹脂組成物ワニスを各種コーターにより繊維基材に塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法、支持基材付き樹脂層をラミネートする方法等が挙げられる。これらの中でも、繊維基材を樹脂組成物ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、繊維基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上させることができる。なお、繊維基材を樹脂組成物ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。

特に、繊維基材の厚さが０．０４５ｍｍ以下の場合、繊維基材の両面からフィルム状の樹脂層でラミネートする方法が好ましい。これにより、繊維基材に対する樹脂組成物の含浸量を自在に調節でき、ビルドアップ層の成形性を向上できる。なお、フィルム状の樹脂層をラミネートする場合、真空のラミネート装置等を用いることがより好ましい。

具体的に、繊維基材を含む樹脂層を製造する方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
図２は、ビルドアップ層２を製造する工程の一例を示す工程図である。ここで、予めキャリア材料５ａ、５ｂを製造し、このキャリア材料５ａ、５ｂを繊維基材１１にラミネートした後、キャリアフィルムを剥離する方法について、具体的に説明する。

予め第一の樹脂組成物をキャリアフィルムに塗布したキャリア材料５ａと、第二の樹脂
組成物を別のキャリアフィルムに塗布したキャリア材料５ｂとを製造する。次に、真空ラミネート装置６を用いて、減圧下で繊維基材の両面からキャリア材料５ａおよび５ｂを重ね合わせてラミネートロール６１で接合する。このように減圧下で接合することにより、繊維基材１１の内部またはキャリア材料５ａ、５ｂの樹脂層と繊維基材１１との接合部位に非充填部分が存在しても、これを減圧ボイドまたは実質的な真空ボイドとすることができる。このため最終的に得られるビルドアップ層２に発生するボイドを低減することができる。減圧ボイドまたは真空ボイドは、後述する加熱処理で消し去ることができるからである。このような減圧下で繊維基材１１とキャリア材料５ａ、５ｂとを接合する他の装置としては、例えば真空ボックス装置等を用いることができる。

次に、繊維基材１１とキャリア材料５ａ、５ｂとを接合した後、熱風乾燥装置６２でキャリア材料に塗布された樹脂の溶融温度以上の温度で加熱処理する。これにより、前記減圧下での接合工程で発生していた減圧ボイド等をほぼ消し去ることができる。加熱処理する他の方法としては、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置等を用いて実施することができる。
キャリア材料５ａ、５ｂを繊維基材１１にラミネートした後、キャリアフィルムを剥離する。この方法により、繊維基材１１に樹脂層が担持され、繊維基材１１に樹脂が含浸されてなる繊維機材を含むビルドアップ層２を得ることができる。

また、繊維基材を樹脂組成物ワニスに浸漬する場合、樹脂組成物ワニスに用いられる溶剤は、前記樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。

前記樹脂組成物ワニスの固形分は、特に限定されないが、４０〜８０重量％が好ましく、特に５０〜６５重量％ が好ましい。これにより、樹脂組成物ワニスの繊維基材への含
浸性をさらに向上させることができる。前記繊維基材に前記樹脂組成物を含浸させ、所定温度、例えば８０〜２００℃等で乾燥させることによりビルドアップ層の樹脂層を得ることができる。

例えば、シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、イミダゾール化合物、並びに無機充填材を、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、カルビトールアセテート及びセロソルブアセテート等の有機溶剤に溶解させ、必要に応じて、前記添加剤を添加後、室温で２〜５時間攪拌することで樹脂組成物ワニスを得ることができる。また、無機充填材は、シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、に溶解することができる樹脂に、予め分散させておくか、有機溶剤に分散させておくことが好ましい。

ここで用いる有機溶剤としては、アセトン、メタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−（メトキシメトキシ）エタノール、２−ブトキシエタノール、２−（イソペンチルオキシ）エタノール、２−（ヘキシルオキシ）エタノール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、液体ポリエチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、液体ポリプロピレングリコール、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。中でもメチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、カルビトールアセテート及びセルソルブアセテート等が好ましい。
予め、無機充填材を分散させておくことにより、２次凝集を防止することができ、ビルドアップ層において無機充填材が不均一に分散することがなくなるため、レーザー照射後、残渣もなく、良好な開孔を行うことができる。ここで、さらに、粒径が微細な無機充填材を用いて分散させることがより好ましい。

次に、得られた樹脂組成物ワニスを繊維基材に含浸・塗布することによってビルドアップ層を得ることができる。
例えば、樹脂組成物ワニスをＰＥＴフィルム等の基材上に、通常１〜６０μｍ程度の厚みで塗布し、６０〜１８０℃程度の温度で、５〜１０分間程度の熱処理を行うことにより、樹脂組成物ワニス中の溶剤を除去して、固形化又はプレポリマー化した樹脂組成物として、真空プレスやラミネータ等で繊維基材を２枚の樹脂組成物で挟みプレスすることで厚みをより精度よく制御したビルドアップ層を得ることができる。

前記のようにして得られた本発明に用いるビルドアップ層は、現行の繊維基材を有さないビルドアップ層に比べ、弾性率が高く、特に面内方向の膨張率が顕著に低下しており、薄型の多層配線板に好適に用いられる。

本発明に用いるコア層においては、上記ビルドアップ層と同様に作製することができる。本発明の多層配線板において、ビルドアップ層と記コア層の厚みの比（ビルドアップ層厚み／コア層厚み）が０．７以上１．１以下であることが好ましい。ここで、好ましくは、０．８〜１、さらに好ましくは０．９〜１である。上記範囲内であると数十ＧＨｚで動作する際、コア層スルーホールのインダクタンスの影響が少なく、高周波電気信号対応可能となり、さらに多層配線板の厚みを薄くすることができる。
電気信号のインピーダンス制御が容易となるよう、ビルドアップ層とコア層の厚みが実質同じであることがより好ましい。また、ビルドアップ層とコア層の誘電特性が実質同じであることがより好ましい。これにより、高周波に対応した回路設計が容易となり、設計工数を大幅に短縮できる。
コア層、ビルドアップ層の厚さについては、１０〜８０μｍが好ましく、さらに好ましいくは、２０〜６０μｍである。上記範囲内であると多層配線板の厚みを薄くでき、高速信号対応可能となる。

＜多層配線板の製造方法について＞
次に、繊維基材を含有する電気めっき回路形成可能なコア層と、第１樹脂層、第２樹脂層及び繊維基材含有層を少なくとも有し、第１樹脂層と第２樹脂層との間に繊維基材含有層が介設されてなるビルドアップ層、を用いた多層配線板について説明する。
まず、繊維基材を含有するコア層にレーザー等でスルーホールを形成し、コア層表面を過マンガン酸系デスミア液等で微細粗化処理して、無電解めっき、電解めっきの公知の方法で微細配線を形成する。コア表面の粗化量は、微細配線形成可能であれば特に限定されないが、表面粗度（Ｒａ）で０．０５〜０．７μｍが好ましく、より好ましくは０．１〜０．５μｍ、さらに好ましくは０．２〜０．４μｍが好ましい。上記範囲内であると電気めっき回路との良好なピール強度を確保でき、微細配線が形成可能である。また、コア層が薄くハンドリング困難な場合は、ロール上のコア材料を用意して、フレキシブルプリント配線板で実施されるＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ方式で微細配線を形成しコア層を得ることが可能となる。
得られた回路付きコア層に前記ビルドアップ層を前記コア層の両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるものである。具体的には、上記ビルドアップ層とコア層とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度６０〜１６０℃、圧力０．２〜５ＭＰａ、好ましくは０．５〜２ＭＰａで実施することができる。
加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、温度１４０〜２６０℃、時間３０〜６００分間で実施する。電気めっき回路との密着性を向上するため、一旦ハーフキュア状態の硬化で留めていても良い。開孔部を形成する。例えば、炭酸ガスレーザー、３次高調波ＵＶ−ＹＡＧレーザー、４次高調波ＵＶ−ＹＡＧレーザー及びエキシマレーザー等を使用することができる。これらのレーザー開孔後、過マンガン酸塩溶液（デスミアの薬液）に侵し、開孔部の樹脂残渣（スミア）を除去することが好ましい
次に、過マンガン酸系デスミア液等で、レーザー開孔部の樹脂残渣（スミア）除去、ビルドアップ層表面の微細粗化処理を行う。その後、公知の方法で無電解めっき、電解めっきを行い微細配線を形成する。
ビルドアップ層２層目以降は、１層目と同様にして形成し、多層配線板を形成できる。

＜半導体パッケージについて＞
次に、図３におけるフリップチップ半導体パッケージについて説明する。
本発明の一実施形態では、多層配線板１００の半導体チップ接続用電極面と半導体チップ２００の電極面をフリップチップ接合する接合工程と、上記多層配線板１００と上記半導体チップ２００との間に封止樹脂組成物４００を注入してアンダーフィル部を形成する封止工程を具備する。
上記注入工程は、多層配線板１００と半導体チップ２００をフリップチップ接合した封止樹脂組成物４００を充填する前の半導体パッケージと、封止樹脂組成物４００とを加熱しながら、半導体チップ２００の側縁部に封止樹脂組成物４００を塗布し、毛細管現象により隙間へ行き渡らせるものであり、生産サイクルを短縮させる目的から、半導体パッケージを傾斜させたり、圧力差を利用して注入を加速させたりするなどの方法を併用してもよい。
上記注入工程が終了した後に、半導体チップ２００の側縁部に封止樹脂組成物４００を塗布しフィレット部形状を任意の形状に調整しても良い。
このようにして封止樹脂組成物４００が充填・塗布されたところで、１００℃〜１７０℃の温度範囲で１〜１２時間加熱を行い、封止樹脂組成物４００を硬化させる。ここで、硬化の温度プロファイルを変更してもよく、例えば、１００℃１時間加熱した後にひきつづき１５０℃２時間加熱するような段階的に温度を変化させながら加熱硬化を行ってもよい。

本発明は、上記のようにして得られる半導体パッケージも含むものである。繊維基材を含有する電気めっき回路形成可能なコア層及びビルドアップ層、並びに導体回路を有する多層配線板であって、ビルドアップ層が、第１樹脂層、第２樹脂層及び繊維基材含有層を少なくとも有し、第１樹脂層と第２樹脂層との間に繊維基材含有層が介設されてなる多層配線板を用いることで、半導体パッケージの反りを効果的に抑制することができる。
本発明の多層配線板を用いることにより、半導体パッケージの小型化・薄型化及び高集積化の要求にも対応することができる。
本発明の多層配線板の具体的な半導体パッケージ適用例としては、例えば、ＢＧＡ基板、ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）基板、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ
Ｐａｃｋａｇｅ）用のＴｏｐ、Ｂｏｔｔｏｍ基板、フリップチップＢＧＡ基板などが挙げられ、特にフリップチップＢＧＡ基板、ＰＯＰ Ｂｏｔｔｏｍ基板等に好適に用いられる

以下、本発明を実施例及び比較例を用いて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例で用いた液状樹脂組成物の原料は以下の通りである。
（１）シアネート樹脂１：ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、「プリマ
セット ＰＴ−３０」、Ｍｗ約７００）
（２）エポキシ樹脂：ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、「ＮＣ−３０００」、エポキシ当量２７５）
（３）フェノキシ樹脂１／ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・「ＹＸ−８１００Ｈ３０」、重量平均分子量３００００）
（４）フェノキシ樹脂２／ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）
（５）硬化促進剤／イミダゾール化合物：四国化成工業社製・「１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール」
（６）無機充填材１：球状溶融シリカ（アドマテックス社製、「ＳＯ−２５Ｒ」、平均
粒径０．５μｍ）
（７）カップリング剤：エポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、「Ａ−
１８７」）

（実施例１）
１．樹脂組成物ワニスの調整
以下、各成分の配合量は固形分基準である。
シアネート樹脂１を２５重量部、エポキシ樹脂を２５重量部、フェノキシ樹脂１を５重量部、フェノキシ樹脂２を５重量部用い、これらを常温でメチルエチルケトンに溶解した。 次いで、無機充填材１を３９重量部、カップリング剤を０．２重量部添加し、硬化促進剤を０．４重量部を添加して高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌混合して樹脂組成物ワニス１を調製した。

２．絶縁樹脂層付きキャリアの製造
キャリアとして厚み３５μｍ、幅４８０ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステル社製・ダイヤホイル）を用いた。
上記キャリアに、上記で得られた樹脂組成物ワニス１をコンマコーター装置で塗工し、１５０℃の乾燥装置で３分間乾燥させ、厚さ１６．５μｍ、幅４１０ｍｍの絶縁樹脂層を、幅方向においてキャリアの中心に位置するように形成した。この絶縁樹脂層側に、保護フィルム（ポリエチレン）をラミネートして、絶縁樹脂層付きキャリアを製造した。

３．ビルドアップ材の製造
繊維布としてガラス織布（ユニチカグラスファイバー社製・「Ｅ０２Ｚ−ＳＫ」、幅３６０ｍｍ、坪量１７ｇ／ｍ２）を用いた。
また、上記で得られた絶縁樹脂層付きキャリアを、第一及び第二の絶縁樹脂層付きキャリアとして用いた。
図２に示した形態の装置を用いて、第一及び第二の絶縁樹脂層付きキャリアの保護フィルムをはがしながら、絶縁樹脂層付きキャリアの絶縁樹脂層側を繊維布の両面側に
、繊維布が幅方向においてキャリアの中心に位置するようにそれぞれ重ね合わせ、７５０Ｔｏｒｒの減圧条件下で、８０℃のラミネートロール２４を用いて接合した。
ここで、繊維布の幅方向寸法の内側領域においては、第一及び第二の絶縁樹脂層付きキャリアの絶縁樹脂層側を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、繊維布の幅方向寸法の外側領域においては、第一及び第二の絶縁樹脂層付きキャリアの絶縁樹脂層どうしを接合した。
次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ４０μｍ（第１樹脂層：１２．５μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：１２．５μｍ）のビルドアップ材１を得た。

４．コア材の製造
３．で得られたビルドアップ材のキャリアを剥離してコア材１として用いた。

［実施例１Ａ］
１．多層配線板の製造
コア材１を１８０℃、３０分熱処理してハーフキュアした。
次に、ＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス（株）製：ＬＧ−２Ｇ２１２）で８０μｍのスルーホールビアを形成した。
コア層のビアのデスミア除去と、コア層表面の微細粗化形成のため、主成分がモノエチルブチルアルコールの溶液（（株）ロームアンドハース電子材料製、ＭＬＢコンディショナー）に液温８０℃、５分間浸漬し、ついで、酸化性粗化液である過マンガン酸カリウムを主成分とする溶液（（株）ロームアンドハース電子材料製、ＭＬＢプロモーター）に液温８０℃、２０分間浸漬し、ついで、マンガン残渣洗浄のため、硫酸溶液（（株）ロームアンドハース電子材料製、ＭＬＢニュートライザー）で、液温４０℃、５分間浸漬し、さらに水洗及び湯洗を行った。
次に、無電解銅めっき液（（株）アトテック製 プリントガントＭＳＫ−ＤＫシリーズ）を用いて、厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を形成した。次に１５０℃／３０分で熱処理を行った。続いて、２００℃、６０分でコア層を硬化した。
次に、ドライフィルムレジスト（東京応化工業（株）製：ＡＲ−３２０、膜厚２０μｍ）を支持基材の両面へロールラミネートし、所定のパターン形成用マスクを用いて露光・現像し、回路幅／回路間隔が３０μｍ／３０μｍの微細配線形成に必要なめっきレジストを形成した。
その上に電解銅めっきにより、銅めっき層を１０μｍ形成して、導体回路層を得た。その後、めっきレジストを剥離し露出した無電解銅めっき層を、ソフトエッチング液（（株）荏原電産製 ＳＡＣ）で除去して、無電解銅めっき層と電解銅めっき層からなる導体回路層を両面に形成した。

次に、導体回路層の表面に粗化液（アトテックジャパン（株）製：ボンドフィルム）により、９０秒浸漬処理した。２４０×２４０ｍｍ角のコア層を得た。
次にビルドアップ材１を２４０×２４０ｍｍ角に裁断し、前記コア層の両面へ真空プレス（（株）名機製作所製 ＭＶＬＰ−５００／６００−IIＡ）にて、１回目が、温度１００℃、圧力０．５ＭＰａ、２回目が１００℃、１．０ＭＰａの条件で形成し、１８０℃、３０分間加熱したのち、ＰＥＴフィルムを剥がしビルドアップ層とした。
次に、ＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス（株）製：ＬＧ−２Ｇ２１２）で８０μｍのスルーホールビアを形成した。
ビルドアップ層のビアのデスミア除去と、ビルドアップ層表面の微細粗化形成のため、主成分がモノエチルブチルアルコールの溶液（（株）ロームアンドハース電子材料製、ＭＬＢコンディショナー）に液温８０℃、５分間浸漬し、ついで、酸化性粗化液である過マンガン酸カリウムを主成分とする溶液（（株）ロームアンドハース電子材料製、ＭＬＢプロモーター）に液温８０℃、２０分間浸漬し、ついで、マンガン残渣洗浄のため、硫酸溶液（（株）ロームアンドハース電子材料製、ＭＬＢニュートライザー）で、液温４０℃、５分間浸漬し、さらに水洗及び湯洗を行った。
次に、無電解銅めっき液（（株）アトテック製 プリントガントＭＳＫ−ＤＫシリーズ）を用いて、厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を形成した。次に１５０℃／３０分で熱処理を行った。続いて、２００℃、６０分でビルドアップ層を硬化した。
次に、ドライフィルムレジスト（東京応化工業（株）製：ＡＲ−３２０、膜厚２０μｍ）を支持基材の両面へロールラミネートし、所定のパターン形成用マスクを用いて露光・現像し、回路幅／回路間隔が３０μｍ／３０μｍの微細配線形成に必要なめっきレジストを形成した。
その上に電解銅めっきにより、銅めっき層を１０μｍ形成して、導体回路層を得た。その後、めっきレジストを剥離し露出した無電解銅めっき層を、ソフトエッチング液（（株）荏原電産製 ＳＡＣ）で除去して、無電解銅めっき層と電解銅めっき層からなる導体回路層１２を両面に形成した。
次に、導体回路層の表面に粗化液（アトテックジャパン（株）製：ボンドフィルム）により、９０秒浸漬処理した。

上記と同様にしてビルドアップ層、導体回路層をもう１層積層した。
その後、導体回路層の表面に粗化液（アトテックジャパン（株）製：ボンドフィルム）により、９０秒浸漬処理して、導体回路層の表面を粗化し、多層配線板のマスキングされていない面へスクリーン印刷機（ミノグループ（株）製、フォース２５２５）でソルダーレジスト層（太陽インキ製造（株）製、ＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ７０３）を印刷し、導体回路が露出するように、所定のマスクで露光し、現像、キュアを行い、導体回路上のソルダーレジスト層厚さが１２μｍとなるように形成した。
次に、ソルダーレジスト層から露出した導体回路層上へ、無電解ニッケルめっき層３μｍと、さらにその上へ、無電解金めっき層０．１μｍとからなるめっき層を形成し、その後マスキングテープを剥がし、ルーター加工機により切断し、コア層の両面にビルドアップ層が各２層積層した多層配線板（４２．５ｍｍ×４２．５ｍｍ基板）を得た。

２．半導体パッケージの製造
この多層配線板に鉛フリー半田バンプを形成した１５ｍｍ×２０ｍｍの半導体チップを搭載し、封止樹脂（住友ベークライト株式会社製 ＣＲＰ−４１５２Ｄ１）を用いて封止し、半導体パッケージとした。以下の評価を行った。

［半導体パッケージ反り］
反り量の測定は、温度可変レーザー三次元測定機（ＬＳ２２０−ＭＴ１００、（株）ティーテック製）を用い、測定エリア４０ｍｍ×４０ｍｍ、測定ピッチ４ｍｍ（Ｘ，Ｙ両方向とも）、２５℃条件下で行った。なお、レーザー反射を確実に検出するため半導体パッケージの半導体が搭載されていない面を黒色マジックで塗った。得られた反りデータは、最小２乗法により傾き補正を行い、最高値と最小値との差を反り量と定義した。反りの値は２００μｍ以下であった。

［熱衝撃性試験］
半導体パッケージを、１２５℃で２４時間、乾燥処理を行い、ＪＥＤＥＣ ＬＥＶＥＬ３処理に従い３０℃／６０％相対湿度の恒温恒湿槽に入れ、１６８時間放置した。その後、ＩＲリフロー（Ｎ_２フロー中）に３回通し、−５５℃と１２５℃の槽が瞬時に入れ替わる装置（ＥＳＰＥＣ製ＴＨＥＲＭＡＬ ＳＨＯＣＫ ＣＨＡＭＢＥＲ ＴＳＡ−１０１Ｓ）に投入し１２５℃３０分後、−５５℃３０分を１サイクルとし、５００サイクル後までの導通試験、剥離観察を行った。導通試験では半導体チップが搭載された配線板の外周部に設けられた導通測定用パッドを導通試験機（ＨＩＯＫＩ：Ｘ＝ＹＣ Ｈｉｇｈｔｅｓｔｅｒ１１１ ６）により接合不良の有無を評価した。結果、５００サイクル後でも導通抵抗変化率は±１０％以下であり良好であった。

［回路埋め込み性］
半導体パッケージの断面研磨し、顕微鏡で観察して樹脂層の埋め込み性を評価した。結果、ボイドが観察されず埋め込み性は良好であった。

［線膨張係数］
常圧ラミネーターを用い、絶縁層を２枚積層して、８０μｍ厚の絶縁層を作製し、２００℃、２時間で硬化した樹脂硬化物を得た。得られた樹脂硬化物から４ｍｍ×２０ｍｍの評
価用試料を採取し、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して測定した。α１は、ガラス転移温度以下の線膨張係数である。
［引張り弾性率］
常圧ラミネーターを用い、絶縁層を２枚積層して、８０μｍ厚の絶縁層を作製し、２００℃、２時間で硬化した樹脂硬化物を得た。得られた樹脂硬化物を引張モードで荷重フルスケール２０ｋｇｆ、速度５ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定した。結果、引張り弾性率は１２ＧＰａであり、従来のビルドアップ材（例えば、ＡＢＦＧ−Ｘ１３、引張り弾性率４ＧＰａ）と比較して高弾性であった。

本発明の多層配線板は、弾性率が高く線膨張係数も低く、熱衝撃性、反りに優れることから、各種半導体パッケージのインターポーザなどに利用できる。を２枚積層して、８０μｍ厚の絶縁層を作製し、２００℃、２時間で硬化した樹脂硬化物を得た。得られた樹脂硬化物から４ｍｍ×２０ｍｍの評価用試料を採取し、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して測定した。α１は、ガラス転移温度以下の線膨張係数である。結果α１は１６ｐｐｍであり、従来のビルドアップ材（例えば、ＡＢＦＧ−Ｘ１３、α１：４６ｐｐｍ）と比較して低膨張率であった。

本発明のビルドアップ層の一例を模式的に示した概略断面図である。 本発明のビルドアップ層を製造する工程の一例を示す工程図である。 本発明のフリップチップ半導体パッケージ一例を模式的に示した概略断面図である。

符号の説明

１ 繊維基材含有層
１０ ビルドアップ層
２１ 第１樹脂層
２２ 第２樹脂層
５ａ キャリア材料
５ｂ キャリア材料
１１ 繊維基材
６ 真空ラミネート装置
６１ ラミネートロール
６２ 熱風乾燥装置
１００ 多層配線板
２００ 半導体チップ
３００ 半田ボール
４００ 封止樹脂組成物

Claims (7)

1. 繊維基材を含有する絶縁基板からなるコア基板及びビルドアップ層、並びに導体回路を有する多層配線板であって、
   前記コア基板がその表面に、銅箔を介さず、無電解めっき及び電気めっきにより微細回路を形成可能なコア基板であり、
   前記ビルドアップ層が、第１樹脂層、第２樹脂層及び繊維基材含有層を少なくとも有し、第１樹脂層と第２樹脂層との間に繊維基材含有層が介設されてなることを特徴とする多層配線板。
2. 前記ビルドアップ層と前記コア基板の厚みの比（ビルドアップ層厚み／コア層厚み）が０．７以上１．１以下である請求項１記載の多層配線板。
3. 前記第１樹脂層の厚みＢ１と前記第２樹脂層の厚みＢ２との比Ｂ２／Ｂ１が、０＜Ｂ２／Ｂ１≦１を満たすものである、請求項１又は２記載の多層配線板。
4. 前記繊維基材含有層を構成する繊維基材は、ガラス繊維である請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線板。
5. 前記繊維基材含有層を構成する繊維基材は、線膨張係数（ＣＴＥ）が６ｐｐｍ以下のガラス繊維基材である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線板。
6. 前記コア基板の繊維基材は、線膨張係数（ＣＴＥ）が６ｐｐｍ以下のガラス繊維である、請求項１〜５のいずれか１項記載の多層配線板。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の多層配線板を有することを特徴とする半導体パッケージ。