JP4983190B2 - プリプレグ、回路基板および半導体装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の目的は、上記プリプレグを有する回路基板および半導体装置を提供することにある。
(1) シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第1樹脂層およ
び他方面側に形成される第2樹脂層とを有するプリプレグであって、
前記第1樹脂層を構成する第1樹脂組成物と、前記第2樹脂層を構成する第2樹脂組成
物とが異なっており、
250℃における前記第1樹脂層の熱硬化後の弾性率が前記第2樹脂層の熱硬化後の弾性率よりも高く、前記第1樹脂層の熱硬化後の弾性率が20℃において4GPa以上であり、
前記第1樹脂組成物はシアネート樹脂を含むものであり、
前記第2樹脂組成物はフェノキシ系樹脂を含むものである
ことを特徴とするプリプレグ。
(2) 前記第1樹脂層の厚さが、1〜15μmである(1)に記載のプリプレグ。
(3) 前記シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂を含むものである上記(
1)又は(2)に記載のプリプレグ。
(4) 前記第1樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである(1)ないし(3)の
いずれか1項に記載のプリプレグ。
(5) 前記硬化剤が、イミダゾール系化合物を含むものである(4)に記載のプリプ
レグ。
(6) 前記第1樹脂組成物は、さらに前記シアネート樹脂と種類の異なる第2樹脂を
含むものである上記(1)ないし(5)のいずれか1項に記載のプリプレグ。
(7) 前記第1樹脂層の厚さは、前記第2樹脂層の厚さよりも薄いものである(1)
ないし(6)のいずれか1項に記載のプリプレグ。
(8) 前記(1)ないし(7)のいずれか1項に記載のプリプレグを積層して得られ
ることを特徴とする回路基板。
(9) 前記(8)に記載の回路基板を有することを特徴とする半導体装置。
本発明のプリプレグは、シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第1樹脂層および他方面側に形成される第2樹脂層とを有するプリプレグであって、前記第1樹脂層を構成する第1樹脂組成物と、前記第2樹脂層を構成する第2樹脂組成物が異なっており、前記第1樹脂層の熱硬化後の弾性率が20℃において4GPa以上であることを特徴とする。
また、本発明の回路基板は、上記に記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の回路基板を有することを特徴とする。
図1は、本発明のプリプレグの一例を示す断面図である。
プリプレグ10は、シート状基材1のコア層11と、コア層11の一方面側に形成される第1樹脂層2および他方の面側に形成される第2樹脂層3と有し、第1樹脂層2を構成する第1樹脂組成物と、第2樹脂層3を構成する第2樹脂組成物が異なっており、前記第1樹脂層の熱硬化後の弾性率が20℃において4GPa以上であることを特徴とする。
これにより各層に要求される特性を維持した状態でプリプレグ全体の厚さを薄くすることもできる。図1で例示されるプリプレグ10では、例えば、第1樹脂層2上に(図1上側)に導体層を形成し、回路基板の表層部分ではさらにワイヤ接続や半田バンプ実装がされる。そのため、実装が行われるような回路基板の表層部分に用いられるプリプレグにおいては高弾性率の絶縁樹脂層が要求されることから、第1樹脂層2を用いることで実装信頼性に優れるように設計される。また、第2樹脂層3は、第1樹脂層2と異なる特性等が要求されるために、それを満足するように設計される。以下、各層について説明する。
コア層11は、主としてシート状基材1で構成されている。コア層11は、プリプレグ10の強度を向上する機能を有している。
このコア層11は、シート状基材1単独で構成されていても良いし、シート状基材1に上記の第1樹脂層2および第2樹脂層3の一部が含浸していても良い。
図1に例示すように第1樹脂層2は、コア層11の一方面側(図1上側)に形成されている。
第1樹脂層2は、第1樹脂組成物で構成されており、バンプを実装するためのパッドの位置精度確保や、半導体素子実装において生じるバンプへの応力ひずみの低減など、実装信頼性を確保することが必要とされる。この実装信頼性のために、第1樹脂層の樹脂組成物が高弾性率であることが好ましい。具体的には、弾性率としては20℃において4GPaが好ましく、さらに実装中に高温にさらされるためと推察されるが、250℃において400MPa以上の高弾性率であることが好ましい。
好ましくはフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂で、さらに好ましくは、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂である。前記フェノール樹脂はシアネートの硬化促進作用を有するため、硬化時間の短縮につながる。またビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂はシアネート樹脂と反応し、密着性、耐熱性、低吸湿性等優れた性能を発揮する場合がある。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計(HORIBA製、LA−500)により測定することができる。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばGPCで測定することができる。
前記フェノキシ樹脂としては、例えばビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種類有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
図1に示すように第2樹脂層3は、コア層11の他方面側(図1下側)に形成されている。このような第2樹脂層3は、前記第1樹脂組成物と異なる第2樹脂組成物で構成されており、第1樹脂層2と異なる特性(例えば回路埋め込み性等)等を有するように設計されている、ここで、異なる樹脂組成物とは、それぞれの樹脂組成物を構成する樹脂、充填材等の種類、樹脂、充填材等の含有量、樹脂の分子量等の少なくとも1つが異なるものであれば良い。第2樹脂層3では、埋め込みを行う層の導体部との応力を緩和し、回路基板の反りを抑制するために、低弾性率を有する樹脂組成物であることが望ましく、特に、実装時において導体部との応力を緩和する必要性があるため、実装温度である250℃において0.1MPa以下であることが望ましい。前記弾性率以上であると埋め込みを行う層の胴体部との応力を緩和し、反りを抑制する効果が十分でなくなる。第2樹脂層を前記弾性率範囲とすることにより、バランス良く回路基板の特性を発現することができる。
第2樹脂組成物は、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、無機充填剤、硬化促進剤等を含んでいる。
これらの中でもアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばGPCで測定することができる。
前記無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好ましく、溶融シリカ(特に球状溶融シリカ)が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材1への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。
前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。
式1) B=t1×(1−S/100)+t2
ここで、第2樹脂層3の厚さをB[μm]とし、内層回路4の厚さをt1[μm]およびその残銅率をSとし、図2の内層回路4の上端部41から第2樹脂層3の上端部31までの厚さをt2とする。
まず、上述したような第1樹脂組成物で構成された第1樹脂層2を有するキャリア材料2aおよび上述したような第2樹脂組成物で構成された第2樹脂層3を有するキャリア材料3aを用意する。
キャリア材料2a、3aは、例えばキャリアフィルムに第1樹脂組成物、第2樹脂組成物のワニスを塗工する方法等により得ることができる。
前記加熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置等を用いて実施することができる。
これに対して、上述の方法では、厚さが25μm以下のシート状基材1に対してもキャリア材料2a、3aを担持することができ、それによって通常の厚さのプリプレグ10に加えて、厚さが35μm以下のプリプレグ10を容易に得ることができるものである。また、回路基板を成形した後のプリプレグ10の厚さが導体回路層間で35μm以下にもできるものである。導体回路層間の厚さを35μm以下にできると、最終的に得られる回路基板の厚さを薄くすることができる。
前記面方向の熱膨張係数は、例えばTMA装置(TAインスツルメント社製)を用いて、10℃/分で昇温して評価することができる。
図5に示すように、回路基板100は、コア基板101と、コア回路基板101の上側(図5中の上側)に設けられた3層のプリプレグ(10a、10b、10c)と、コア回路基板101の下側(図5中の下側)に設けられた3層のプリプレグ(10d、10e、10f)と、で構成されている。コア基板101とプリプレグ10aおよび10bとの間、各プリプレグ間(10aと10b、10bと10c、10dと10eおよび10eと10f)には、所定の回路配線部42が形成されている。また、プリプレグ10cおよび10fの表面には、パッド部5が設けられている。このようなプリプレグ10a〜10fの少なくとも10a、10f(好ましくは全部)に上述した厚さ35μm以下のプリプレグ10を用いることが好ましい。これにより、回路基板100の厚さを薄くすることができる。
各回路配線部42は、各プリプレグ10a〜10fを貫通して設けられたフィルドビア部6を介して電気的に接続されている。
さらに、第1樹脂層2の厚さを導体層との密着性を得るために必要最低限な厚さとし、第2樹脂層3の厚さを回路配線部の埋め込みに必要最低限な厚さとなるように調整することにより、回路基板100の厚さを薄くすることもできるようになっている。
また、本発明の回路基板100では、上述したような第1樹脂層2を構成する第1樹脂組成物と第2樹脂層3を構成する第2樹脂組成物とが異なるプリプレグ10と、従来から用いられていたプリプレグとを併用しても構わない。
1.第1樹脂層のワニスの調製
シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセット PT−30、重量平均分子量約2,600)24重量%、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000、エポキシ当量275)24重量%、フェノキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート4275」、重量平均分子量60000)重量平均分子量40000)12重量%、硬化触媒としてイミダゾール系化合物(四国化成工業社製・商品名2PHZ「2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール」)0.4重量%をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製・「SO−25R」、平均粒径0.5μm)40重量%とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー社製、A−187)0.2重量%を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
熱硬化性樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000、エポキシ当量275)40重量%、フェノキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート4275」、重量平均分子量60000)30重量%、硬化触媒としてイミダゾール系化合物(四国化成工業社製・商品名2PHZ「2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール」)0.5重量%をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、カップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー社製、A−187)を、0.2重量%をメチルエチルケトンに常温で溶解し、無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製・「SO−25R」、平均粒径0.5μm)30重量%を添加し、高速攪拌機を用いて10分間攪拌して第2樹脂層のワニスを調製した。
キャリアフィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステル社製、SFB−38、厚さ38μmm、幅480mm)を用い、上述の第1樹脂層のワニスをコンマコーター装置で塗工し、170℃の乾燥装置で3分間乾燥させ、厚さ8μm、幅410mmの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料2a(最終的に第1樹脂層を形成)を得た。
また、同様の方法で塗工する第2樹脂層のワニスの量を調整して、厚さ15μm、幅360mmの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料3a(最終的に第2樹脂層を形成)を得た。
繊維基材としてガラス織布(クロスタイプ♯1015、幅360mm、厚さ15μm、坪量17g/m2)を用い、図3に示す真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプリプレグを製造した。
具体的には、ガラス織布の両面に前記キャリア材料2aおよびキャリア材料3aがガラス織布の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、1330Paの減圧条件下で、80℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラス織布の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料2aおよびキャリア材料3aの樹脂層を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス織布の幅方向寸法の外側領域においては、キャリア材料2aおよびキャリア材料3aの樹脂層同士を接合した。
次いで、上記接合したものを、120℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を2分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ30μm(第1樹脂層:4μm、繊維基材:15μm、第2樹脂層:11μm)のプリプレグを得た。
第1樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセット PT−30、重量平均分子量約2,600)28重量%、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000、エポキシ当量275)28重量%、フェノキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート4275」、重量平均分子量60000)14重量%、硬化触媒としてイミダゾール系化合物(四国化成工業社製・商品名2PHZ「2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール」)0.3重量%をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製・「SO−25R」、平均粒径0.5μm)30重量%とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー社製、A−187)0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
第1樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセット PT−30、重量平均分子量約2,600)12重量%、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000、エポキシ当量275)12重量%、フェノキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート4275」、重量平均分子量60000)6重量%、硬化触媒としてイミダゾール系化合物(四国化成工業社製・商品名2PHZ「2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチル」)0.2重量%をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製・「SO−25R」、平均粒径0.5μm)70重量%とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー社製、A−187)0.4重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
第1樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセット PT−30、重量平均分子量約2,600)5重量%、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000、エポキシ当量275)25重量%、硬化触媒としてイミダゾール系化合物(四国化成工業社製・商品名2PHZ「2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール」)0.5重量%をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製・「SO−25R」、平均粒径0.5μm)70重量%とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー社製、A−187)0.4重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
第1樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセット PT−30、重量平均分子量約2,600)50重量%、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000、エポキシ当量275)20重量%、フェノキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート4275」、重量平均分子量60000)10重量%、硬化触媒としてイミダゾール系化合物(四国化成工業社製・商品名2PHZ「2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール」)0.3重量%をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製・「SO−25R」、平均粒径0.5μm)20重量%とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー社製、A−187)0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
第1樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000、エポキシ当量275)11重量%、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂(日本化薬社製、GPH−103、水酸基当量230)9重量部、硬化触媒としてイミダゾール系化合物(四国化成工業社製・商品名2PHZ「2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチ
ルイミダゾール」)0.2重量%をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製・「SO−25R」、平均粒径0.5μm)80重量%とカップリング剤0.4重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
第1樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000、エポキシ当量275)40重量%、フェノキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート4275」、重量平均分子量60000)30重量%、硬化触媒としてイミダゾール系化合物(四国化成工業社製・商品名2PHZ「2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール」)0.5重量%をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製・「SO−25R」、平均粒径0.5μm)30重量%とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー社製、A−187)0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
第2樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、比較例1と同様にした。
シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセット PT−30、重量平均分子量約2,600)6重量%、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000、エポキシ当量275)6重量%、フェノキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート4275」、重量平均分子量60000)48重量%、硬化触媒としてイミダゾール系化合物(四国化成工業社製・商品名2PHZ「2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール」)0.4重量%をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ(アドマテックス社製・「SO−25R」、平均粒径0.5μm)40重量%とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤(日本ユニカー社製、A−187)0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
第1樹脂層を実施例1の第2樹脂層、第2樹脂層を実施例1の第1樹脂層にした以外は実施例1と同様にした。
1.第1樹脂層の熱膨張係数
プリプレグの面方向の熱膨張係数は、TMA装置(TAインスツルメント社製)を用いて、10℃/分で昇温して測定した。
各樹脂層の樹脂組成物を硬化させてレジン板を作製し、DMA(TAインスツルメント社製 DMA983)の共鳴周波数ズリモードを用いて、昇温速度5℃/分の条件で測定した。
300個のバンプを介して半導体素子と回路基板を接続するデイジーチェーン型の評価用半導体装置を10個作製した。その際の、接続部不良の有無を評価した。
上述の評価用半導体装置の導通を確認後、−50℃で10分、125℃で10分を1サイクルとする温度サイクル(TC)試験を実施した。TC試験1000サイクル後の断線不良有無を評価した。
11 コア層
2 第1樹脂層
2a キャリア材料
3 第2樹脂層
3a キャリア材料
31 第2樹脂層の上端部
4 内層回路
41 内層回路の上端部
42 回路配線部
5 パッド部
6 フィルドビア部
7 半導体素子
71 バンプ
8 真空ラミネート装置
81 ラミネートロール
9 熱風乾燥装置
10 プリプレグ
10a プリプレグ
10b プリプレグ
10c プリプレグ
10d プリプレグ
10e プリプレグ
10f プリプレグ
100 回路基板
101 コア基板
200 半導体装置
Claims (9)
- シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第1樹脂層および他方面
側に形成される第2樹脂層とを有するプリプレグであって、
前記第1樹脂層を構成する第1樹脂組成物と、前記第2樹脂層を構成する第2樹脂組成
物とが異なっており、
250℃における前記第1樹脂層の熱硬化後の弾性率が前記第2樹脂層の熱硬化後の弾性率よりも高く、前記第1樹脂層の熱硬化後の弾性率が20℃において4GPa以上であり、
前記第1樹脂組成物はシアネート樹脂を含むものであり、
前記第2樹脂組成物はフェノキシ系樹脂を含むものである
ことを特徴とするプリプレグ。 - 前記第1樹脂層の厚さが、1〜15μmである請求項1に記載のプリプレグ。
- 前記シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂を含むものである請求項1又は2
に記載のプリプレグ。 - 前記第1樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである請求項1ないし3のいずれか1
項に記載のプリプレグ。 - 前記硬化剤が、イミダゾール系化合物である請求項4に記載のプリプレグ。
- 前記第1樹脂組成物は、さらに前記シアネート樹脂と種類の異なる第2樹脂を含むもの
である請求項1ないし5のいずれか1項に記載のプリプレグ。 - 前記第1樹脂層の厚さは、前記第2樹脂層の厚さよりも薄いものである請求項1ないし
6のいずれか1項に記載のプリプレグ。 - 請求項1ないし7のいずれか1項に記載のプリプレグを積層して得られることを特徴と
する回路基板。 - 請求項8に記載の回路基板を有することを特徴とする半導体装置。
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