JP2008088280A - プリプレグ、回路基板および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明の目的は、薄膜化に対応することが可能であり、かつプリプレグの両面に異なる弾性率を付与することができるプリプレグを提供することにある。また、本発明の目的は、上記プリプレグを有する回路基板および半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明のプリプレグは、シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層をと有し、第１樹脂層上に導体層を形成して使用されるプリプレグであって、前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物が異なっており、前記第１樹脂層の熱硬化後の弾性率が２０℃において４ＧＰａ以上であることを特徴とする。本発明の回路基板は、上記に記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の回路基板を有することを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】 本発明のプリプレグは、シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層をと有し、第１樹脂層上に導体層を形成して使用されるプリプレグであって、前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物が異なっており、前記第１樹脂層の熱硬化後の弾性率が２０℃において４ＧＰａ以上であることを特徴とする。本発明の回路基板は、上記に記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の回路基板を有することを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、プリプレグ、回路基板および半導体装置に関する。
回路基板は、一般にガラス繊維基材等に熱硬化性樹脂を含浸して得られるプリプレグを複数枚積層して加熱、加圧することにより形成されている。そしてプリプレグは、厚さ５０〜２００μｍ程度のガラス繊維基材等を熱硬化性樹脂組成物のワニスに浸漬する方法等によって得られる（例えば、特許文献１参照）。
プリプレグを形成する熱硬化性樹脂は、実装信頼性を高めるために高弾性率であることが望まれる一方で、回路配線との応力を緩和するために低弾性率であることが要求される場合があった。しかし、ガラス繊維基材等に熱硬化性樹脂組成物のワニスを含浸する従来の方法で得られるプリプレグは、同じ熱硬化性樹脂組成物で形成されるものであり、両方の要求を満足することは困難であった。
しかし、近年の電子部品・電子機器等の小型化・薄膜化等に伴って、それに用いられる回路基板等にもさらなる小型化・薄膜化が要求されている。このような要求に対応するために、回路基板を構成するプリプレグの薄膜化も検討されているが、プリプレグを薄膜化した場合には、より一層、一方の面を高弾性率、他方の面を低弾性率にすることが困難であった。
本発明の目的は、薄膜化に対応することが可能であり、かつプリプレグの両面に異なる用途、機能、性能または特性等を付与することができるプリプレグを提供することにある。
また、本発明の目的は、上記プリプレグを有する回路基板および半導体装置を提供することにある。
また、本発明の目的は、上記プリプレグを有する回路基板および半導体装置を提供することにある。
このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１） シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層とを有するプリプレグであって、
前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物とが異なっており、前記第１樹脂層の積層後の弾性率が２０℃において、４ＧＰａ以上であることを特徴するプリプレグ。
（２）前記第１樹脂層の厚さが、１〜１５μｍである（１）に記載のプリプレグ。
（３）前記第１樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含むものである（１）〜（２）に記載のプリプレグ。
（４）前記熱硬化性樹脂は、シアネート樹脂を含むものである（３）に記載のプリプレグ。
（５）前記シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂を含むものである上記（４）に記載のプリプレグ。
（６）前記第１樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである（１）〜（５）のいずれかに記載のプリプレグ。
（７）前記硬化剤が、イミダゾール系化合物を含むものである（６）に記載のプリプレグ。
（８）前記第１樹脂組成物は、さらに前記熱硬化性樹脂と種類の異なる第２樹脂を含むものである上記（１）〜（７）のいずれかに記載のプリプレグ。
（９）前記第２樹脂は、フェノキシ系樹脂を含むものである（８）に記載のプリプレグ。
（１０）前記第１樹脂層の厚さは、前記第２樹脂層の厚さよりも薄いものである（１）〜（９）のいずれかに記載のプリプレグ。
（１１）前記（１）〜（１０）のいずれかに記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする回路基板。
（１２）前記（１１）に記載の回路基板を有することを特徴とする半導体装置。
（１） シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層とを有するプリプレグであって、
前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物とが異なっており、前記第１樹脂層の積層後の弾性率が２０℃において、４ＧＰａ以上であることを特徴するプリプレグ。
（２）前記第１樹脂層の厚さが、１〜１５μｍである（１）に記載のプリプレグ。
（３）前記第１樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含むものである（１）〜（２）に記載のプリプレグ。
（４）前記熱硬化性樹脂は、シアネート樹脂を含むものである（３）に記載のプリプレグ。
（５）前記シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂を含むものである上記（４）に記載のプリプレグ。
（６）前記第１樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである（１）〜（５）のいずれかに記載のプリプレグ。
（７）前記硬化剤が、イミダゾール系化合物を含むものである（６）に記載のプリプレグ。
（８）前記第１樹脂組成物は、さらに前記熱硬化性樹脂と種類の異なる第２樹脂を含むものである上記（１）〜（７）のいずれかに記載のプリプレグ。
（９）前記第２樹脂は、フェノキシ系樹脂を含むものである（８）に記載のプリプレグ。
（１０）前記第１樹脂層の厚さは、前記第２樹脂層の厚さよりも薄いものである（１）〜（９）のいずれかに記載のプリプレグ。
（１１）前記（１）〜（１０）のいずれかに記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする回路基板。
（１２）前記（１１）に記載の回路基板を有することを特徴とする半導体装置。
本発明により、熱硬化性樹脂組成物のガラス繊維機材等への含浸性プルプレグの厚み精度に優れるとともに、実装信頼性に優れるキャリア付きプリプレグを簡易に製造することができる。本発明のキャリア付きプリプレグは、高密度化、薄型化を要求される多層プリント配線板の製造に好適に用いられるものである。
以下、本発明のプリプレグ、回路基板および半導体装置について説明する。
本発明のプリプレグは、シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層とを有するプリプレグであって、前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物が異なっており、前記第１樹脂層の熱硬化後の弾性率が２０℃において４ＧＰａ以上であることを特徴とする。
また、本発明の回路基板は、上記に記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の回路基板を有することを特徴とする。
本発明のプリプレグは、シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層とを有するプリプレグであって、前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物が異なっており、前記第１樹脂層の熱硬化後の弾性率が２０℃において４ＧＰａ以上であることを特徴とする。
また、本発明の回路基板は、上記に記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の回路基板を有することを特徴とする。
まず、プリプレグの好適な実施形態について図面に基づいて説明する。
図１は、本発明のプリプレグの一例を示す断面図である。
プリプレグ１０は、シート状基材１のコア層１１と、コア層１１の一方面側に形成される第１樹脂層２および他方の面側に形成される第２樹脂層３と有し、第１樹脂層２を構成する第１樹脂組成物と、第２樹脂層３を構成する第２樹脂組成物が異なっており、前記第１樹脂層の熱硬化後の弾性率が２０℃において４ＧＰａ以上であることを特徴とする。
これにより各層に要求される特性を維持した状態でプリプレグ全体の厚さを薄くすることもできる。図１で例示されるプリプレグ１０では、例えば、第１樹脂層２上に（図１上側）に導体層を形成し、回路基板の表層部分ではさらにワイヤ接続や半田バンプ実装がされる。そのため、実装が行われるような回路基板の表層部分に用いられるプリプレグにおいては高弾性率の絶縁樹脂層が要求されることから、第１樹脂層２を用いることで実装信頼性に優れるように設計される。また、第２樹脂層３は、第１樹脂層２と異なる特性等が要求されるために、それを満足するように設計される。以下、各層について説明する。
図１は、本発明のプリプレグの一例を示す断面図である。
プリプレグ１０は、シート状基材１のコア層１１と、コア層１１の一方面側に形成される第１樹脂層２および他方の面側に形成される第２樹脂層３と有し、第１樹脂層２を構成する第１樹脂組成物と、第２樹脂層３を構成する第２樹脂組成物が異なっており、前記第１樹脂層の熱硬化後の弾性率が２０℃において４ＧＰａ以上であることを特徴とする。
これにより各層に要求される特性を維持した状態でプリプレグ全体の厚さを薄くすることもできる。図１で例示されるプリプレグ１０では、例えば、第１樹脂層２上に（図１上側）に導体層を形成し、回路基板の表層部分ではさらにワイヤ接続や半田バンプ実装がされる。そのため、実装が行われるような回路基板の表層部分に用いられるプリプレグにおいては高弾性率の絶縁樹脂層が要求されることから、第１樹脂層２を用いることで実装信頼性に優れるように設計される。また、第２樹脂層３は、第１樹脂層２と異なる特性等が要求されるために、それを満足するように設計される。以下、各層について説明する。
（コア層）
コア層１１は、主としてシート状基材１で構成されている。コア層１１は、プリプレグ１０の強度を向上する機能を有している。
このコア層１１は、シート状基材１単独で構成されていても良いし、シート状基材１に上記の第１樹脂層２および第２樹脂層３の一部が含浸していても良い。
コア層１１は、主としてシート状基材１で構成されている。コア層１１は、プリプレグ１０の強度を向上する機能を有している。
このコア層１１は、シート状基材１単独で構成されていても良いし、シート状基材１に上記の第１樹脂層２および第２樹脂層３の一部が含浸していても良い。
このようなシート状基材１としては、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等の繊維基材、ポリエステル、ポリイミド等の樹脂フィルム等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグ１０の弾性率を高くすることができる。また、プリプレグ１０の熱膨張係数を小さくすることができる。
このようなガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えばＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等が挙げられる。これらの中でもＥガラス、Ｓガラス、または、Ｔガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の高弾性化を達成することができ、熱膨張係数も小さくすることができる。
シート状基材（繊維基材）の厚さは、特に限定されないが、薄いプリプレグを得る場合には３０μｍ以下が好ましく、特に２５μｍ以下が好ましく、最も１０〜２０μｍが好ましい。シート状基材１の厚さが前記範囲内であると、後述する回路基板の薄膜化と強度とのバランスに優れる。さらには層間接続の加工性や信頼性にも優れる。
（第１樹脂層）
図１に例示すように第１樹脂層２は、コア層１１の一方面側（図１上側）に形成されている。
第１樹脂層２は、第１樹脂組成物で構成されており、バンプを実装するためのパッドの位置精度確保や、半導体素子実装において生じるバンプへの応力ひずみの低減など、実装信頼性を確保することが必要とされる。この実装信頼性のために、第１樹脂層の樹脂組成物が高弾性率であることが好ましい。具体的には、弾性率としては２０℃において４ＧＰａが好ましく、さらに実装中に高温にさらされるためと推察されるが、２５０℃において４００ＭＰａ以上の高弾性率であることが好ましい。
図１に例示すように第１樹脂層２は、コア層１１の一方面側（図１上側）に形成されている。
第１樹脂層２は、第１樹脂組成物で構成されており、バンプを実装するためのパッドの位置精度確保や、半導体素子実装において生じるバンプへの応力ひずみの低減など、実装信頼性を確保することが必要とされる。この実装信頼性のために、第１樹脂層の樹脂組成物が高弾性率であることが好ましい。具体的には、弾性率としては２０℃において４ＧＰａが好ましく、さらに実装中に高温にさらされるためと推察されるが、２５０℃において４００ＭＰａ以上の高弾性率であることが好ましい。
このような実装温度において高弾性率である第１樹脂組成物は、例えば熱硬化性樹脂、硬化剤、無機充填材等を含んでいる。
実装温度領域で高弾性率である樹脂組成物にするには、高架橋密度硬化物を形成するような熱硬化性樹脂を用いる方法、無機充填物を高割合で充填する方法、無機充填物として弾性率の高い無機充填物を用いる方法等が挙げられる。
弾性率の高い熱硬化性樹脂としては、例えばユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂およびビスフェノールＳとビスフェノールＦとの共重合エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、特に、シアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）、が好ましい。これにより、プリプレグ１０の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、プリプレグ１０の電気特性（低誘電率、低誘電正接）等にも優れる。
前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による弾性率向上と、第１樹脂組成物等の難燃性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、プリプレグ１０を薄膜化（厚さ３５μｍ以下）した場合であってもプリプレグ１０に優れた剛性を付与することができる。特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。
前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。
前記式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、プリプレグ１０を作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ１０同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、プリプレグの成形性が低下する場合がある。
前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
なお、前記シアネート樹脂としては、これをプレポリマー化したものも用いることができる。すなわち、前記シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、前記シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
前記プレポリマーとは、通常、前記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。
前記プレポリマーとしては、特に限定されないが、例えば３量化率が２０〜５０重量％であるものを用いることができる。この３量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて求めることができる。
また、硬化剤を併用する場合には、上述の高弾性率である熱硬化性樹脂以外に、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。
好ましくはフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂で、さらに好ましくは、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂である。前記フェノール樹脂はシアネートの硬化促進作用を有するため、硬化時間の短縮につながる。またビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂はシアネート樹脂と反応し、密着性、耐熱性、低吸湿性等優れた性能を発揮する場合がある。
好ましくはフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂で、さらに好ましくは、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂である。前記フェノール樹脂はシアネートの硬化促進作用を有するため、硬化時間の短縮につながる。またビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂はシアネート樹脂と反応し、密着性、耐熱性、低吸湿性等優れた性能を発揮する場合がある。
前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第１樹脂組成物全体の５〜５０重量％が好ましく、特に１０〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の強度が低下する場合がある。
硬化剤としては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドルキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール系化合物が挙げられる。これらの中でも、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基およびシアノアルキル基の中から選ばれる官能基を２個以上有しているイミダゾール系化合物が好ましく、特に２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。このようなイミダゾール系化合物の使用により、樹脂組成物の耐熱性を向上させることができると共に、この樹脂組成物で形成される樹脂層に低熱膨張性、低吸水性を付与することができる。
また、前述の熱硬化性樹脂を用いる場合は、上述の硬化剤以外に、例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等を用いることができる。
前記硬化剤の含有量は、特に限定されないが、前記第１樹脂組成物全体の０．０１〜３重量％が好ましく、特に０．１〜１重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の保存性が低下する場合がある。
なお、高弾性率である前記熱硬化性樹脂と、前記硬化剤を併用することが、実装信頼性を向上する効果により優れる点で好ましい。
また、前記第１樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、プリプレグ１０を高弾性率化することができる。さらに、プリプレグの低熱膨張化を向上することもできる。
前記無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が高弾性、低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材１への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。
前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１〜５．０μｍが好ましく、特に０．２〜２．０μｍが好ましい。無機充填材の粒径が前記下限値未満であるとワニスの粘度が高くなるため、プリプレグ１０作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、前記上限値を超えると、ワニス中で無機充填剤の沈降等の現象が起こる場合がある。無機充填材の平均粒径を前記範囲内とすることで、無機充填材の使用による効果は、両者のバランスに優れるものとなる。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定することができる。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定することができる。
更に平均粒子径５．０μｍ以下の球状シリカ（特に球状溶融シリカ）が好ましく、特に平均粒子径０．０１〜２．０μｍ、最も０．１〜０．５μｍの球状溶融シリカが好ましい。これにより、無機充填剤の充填性を向上させることができる。さらに、緻密な粗化状態とすることができ、高密度回路形成が容易となる。また、さらに高速信号の伝送に適した回路形成を可能とすることができる。
前記第１樹脂組成物に用いる無機充填材は、特に限定されないが、後述する第２樹脂組成物に用いる無機充填材よりも平均粒子径が小さいほうが好ましい。これにより、緻密な粗化状態を形成するのが容易となる。
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記第１樹脂組成物全体の２０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。無機充填材の含有量が前記下限値未満であると、無機充填材による高弾性、低熱膨脹性、低吸水性を付与する効果が低下する場合がある。また、前記上限値を超えると、樹脂組成物の流動性の低下により成形性が低下する場合がある。前記無機充填材の含有量を前記範囲内とすることで、無機充填材の使用による効果は、両者のバランスに優れるものとなる。
前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を用いることが好ましい。前記エポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。
前記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（II）で示すことができる。
前記式（II）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原因となる場合がある。
前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第１樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に２〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜２０，０００が好ましく、特に８００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えるとプリプレグ１０作製時、基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
また、前記第１樹脂組成物に導体層との密着性が向上するような成分（樹脂等を含む）を添加しても良い。例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、導体層を構成する金属との密着性を向上させるカップリング剤等が挙げられる。
前記フェノキシ樹脂としては、例えばビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種類有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
前記フェノキシ樹脂としては、例えばビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種類有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
これらの中でも、ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いることができる。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができると共に、ビスフェノールＳ骨格により、多層プリント配線板を製造する際のメッキ金属の付着性を向上させることができる。
また、ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いることもできる。これにより、多層プリント配線板の製造時に内層回路基板への密着性をさらに向上させることができる。
さらに、前記ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂と、ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂とを、併用することが好ましい。これにより、これらの特性をバランスよく発現させることができる。
前記ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂（１）と、前記ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂（２）とを併用する場合、その併用比率（重量）としては特に限定されないが、例えば、（１）：（２）＝２：８〜９：１とすることができる。
前記フェノキシ樹脂の分子量、特に限定されないが、重量平均分子量が５，０００〜７０，０００であることが好ましく、特に１０，０００〜６０，０００が好ましい。前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量が前記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でない場合がある。一方、前記上限値を超えると、フェノキシ樹脂の溶解性が低下する場合がある。前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
フェノキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１〜４０重量％であることが好ましく、特に５〜３０重量％が好ましい。前記フェノキシ樹脂の含有量が前記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でないことがある。一方、前記上限値を超えると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、低熱膨張性を付与する効果が低下することがある。フェノキシ樹脂の含有量を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
前記第１樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。前記カップリング剤は、前記熱硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、シート状基材１に対して熱硬化性樹脂および無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
前記カップリング剤としては、例えばエポキシシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アミノシランカップリング剤、及び、シリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用すること好ましい。これにより、樹脂と無機充填材との界面の濡れ性を特に高めることができ、耐熱性をより向上させることができる。
前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３重量部であることが好ましく、特に０．１〜２重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると無機充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下する場合がある。カップリング剤の含有量を前記範囲内とすることで、カップリング剤の使用による効果は両者のバランスに優れる。
また、前記第１樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて消泡剤、レベリング剤、顔料、酸化防止剤等の添加剤を含有することができる。
このような第１樹脂組成物で構成されている第１樹脂層２の厚さは、特に限定されないが、１〜１５μｍが好ましく、特に２〜１０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特にプリプレグ全体の厚さを薄くすることができる。これにより回路基板の薄型化、半導体装置の小型化を行うことができ、また、メカニカルドリル、レーザドリル加工性や電気特性にも優れた基板特性を発現することができる。
このような第１樹脂層２に上に形成される導体層としては、例えば銅箔、アルミ箔等の金属箔、メッキ銅等が挙げられる。これらの中でもメッキ銅が好ましい。これにより、微細な回路を容易に形成することができる。
（第２樹脂層）
図１に示すように第２樹脂層３は、コア層１１の他方面側（図１下側）に形成されている。このような第２樹脂層３は、前記第１樹脂組成物と異なる第２樹脂組成物で構成されており、第１樹脂層２と異なる特性（例えば回路埋め込み性等）等を有するように設計されている、ここで、異なる樹脂組成物とは、それぞれの樹脂組成物を構成する樹脂、充填材等の種類、樹脂、充填材等の含有量、樹脂の分子量等の少なくとも１つが異なるものであれば良い。第２樹脂層３では、埋め込みを行う層の導体部との応力を緩和し、回路基板の反りを抑制するために、低弾性率を有する樹脂組成物であることが望ましく、特に、実装時において導体部との応力を緩和する必要性があるため、実装温度である２５０℃において０．１ＭＰａ以下であることが望ましい。前記弾性率以上であると埋め込みを行う層の胴体部との応力を緩和し、反りを抑制する効果が十分でなくなる。第２樹脂層を前記弾性率範囲とすることにより、バランス良く回路基板の特性を発現することができる。
第２樹脂組成物は、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、無機充填剤、硬化促進剤等を含んでいる。
図１に示すように第２樹脂層３は、コア層１１の他方面側（図１下側）に形成されている。このような第２樹脂層３は、前記第１樹脂組成物と異なる第２樹脂組成物で構成されており、第１樹脂層２と異なる特性（例えば回路埋め込み性等）等を有するように設計されている、ここで、異なる樹脂組成物とは、それぞれの樹脂組成物を構成する樹脂、充填材等の種類、樹脂、充填材等の含有量、樹脂の分子量等の少なくとも１つが異なるものであれば良い。第２樹脂層３では、埋め込みを行う層の導体部との応力を緩和し、回路基板の反りを抑制するために、低弾性率を有する樹脂組成物であることが望ましく、特に、実装時において導体部との応力を緩和する必要性があるため、実装温度である２５０℃において０．１ＭＰａ以下であることが望ましい。前記弾性率以上であると埋め込みを行う層の胴体部との応力を緩和し、反りを抑制する効果が十分でなくなる。第２樹脂層を前記弾性率範囲とすることにより、バランス良く回路基板の特性を発現することができる。
第２樹脂組成物は、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、無機充填剤、硬化促進剤等を含んでいる。
前記熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂等があげられる。フェノキシ樹脂としては、例えばビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種類有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。これらフェノキシ樹脂を用いることにより、低弾性率化を図ることができる。
これらのフェノキシ樹脂の中でも、ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いることができる。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができると共に、ビスフェノールＳ骨格により、多層プリント配線板を製造する際のメッキ金属の付着性を向上させることができる。
また、ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いることもできる。これにより、多層プリント配線板の製造時に内層回路基板への密着性をさらに向上させることができる。
さらに、前記ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂と、ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂とを、併用することが好ましい。これにより、これらの特性をバランスよく発現させることができる。
前記ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂（１）と、前記ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂（２）とを併用する場合、その併用比率（重量）としては特に限定されないが、例えば、（１）：（２）＝２：８〜９：１とすることができる。
前記フェノキシ樹脂の分子量、特に限定されないが、重量平均分子量が５，０００〜７０，０００であることが好ましく、特に１０，０００〜６０，０００が好ましい。前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量が前記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でない場合がある。一方、前記上限値を超えると、フェノキシ樹脂の溶解性が低下する場合がある。前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
フェノキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１〜６０重量％であることが好ましく、特に５〜５０重量％が好ましい。前記フェノキシ樹脂の含有量が前記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でないことがある。一方、前記上限値を超えると、相対的に熱硬化性樹脂の含有量が少なくなるため、低熱膨張性を付与する効果が低下することがある。フェノキシ樹脂の含有量を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。
これらの中でもアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。
これらの中でもアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。
前記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（II）で示すことができる。
前記式（II）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原因となる場合がある。
前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第２樹脂組成物全体の１〜６０重量％が好ましく、特に２〜５０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると相対的に熱可塑性樹脂成分が多くなるため成形性が悪化する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜２０，０００が好ましく、特に８００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えるとプリプレグ１０作製時、基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
前記第２樹脂組成物は、特に限定されないが、無機充填剤を用いてもよい。これにより、プリプレグ１０を薄膜化（厚さ３５μｍ以下）にしても強度に優れることができる。
前記無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材１への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。
前記無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材１への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。
前記第２樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いてもよい。前記カップリング剤は、前記熱硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、シート状基材１に対して熱硬化性樹脂および無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。
前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。
前記カップリング剤の添加量は、前記無機充填材の表面積に依存するので特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３重量部が好ましく、特に０．１〜２重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると無機充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下する場合がある。
前記第２樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を用いても良い。前記硬化促進剤としては公知の物を用いることが出来る。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。
前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、前記第２樹脂組成物全体の０．０５〜５重量％が好ましく、特に０．１〜２重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の保存性が低下する場合がある。
このような第２樹脂層３の厚さは、接合される内層回路の厚さに依存するために特に限定されないが、図２及び下記式１）で示されるｔ２の厚さが０．１〜１０μｍとなることが好ましく、特に１〜８μｍとなることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に内層回路の埋め込み性に優れ、かつ全体の厚さを薄くすることができる。
式１） Ｂ＝ｔ１×（１−Ｓ／１００）＋ｔ２
ここで、第２樹脂層３の厚さをＢ［μｍ］とし、内層回路４の厚さをｔ１［μｍ］およびその残銅率をＳとし、図２の内層回路４の上端部４１から第２樹脂層３の上端部３１までの厚さをｔ２とする。
式１） Ｂ＝ｔ１×（１−Ｓ／１００）＋ｔ２
ここで、第２樹脂層３の厚さをＢ［μｍ］とし、内層回路４の厚さをｔ１［μｍ］およびその残銅率をＳとし、図２の内層回路４の上端部４１から第２樹脂層３の上端部３１までの厚さをｔ２とする。
次に、このようなプリプレグ１０は、例えば第１樹脂組成物をキャリアフィルムに塗布したキャリア材料２ａおよび第２樹脂組成物をキャリアフィルムに塗布したキャリア材料３ａを製造し、これらのキャリア材料２ａ、３ａをシート状基材１にラミネートした後、キャリアフィルムを剥離する方法により、プリプレグ１０の両面で各樹脂層を構成する樹脂組成物が異なるプリプレグ１０を得ることができる。
ここで、予め樹脂組成物がキャリアフィルムに塗布されたキャリア材料２ａ、３ａを製造し、このキャリア材料２ａ、３ａをシート状基材１にラミネートした後、キャリアフィルムを剥離する方法について、図３を用いて具体的に説明する。図３は、本発明のプリプレグを製造する工程の一例を示す工程図である。
まず、上述したような第１樹脂組成物で構成された第１樹脂層２を有するキャリア材料２ａおよび上述したような第２樹脂組成物で構成された第２樹脂層３を有するキャリア材料３ａを用意する。
キャリア材料２ａ、３ａは、例えばキャリアフィルムに第１樹脂組成物、第２樹脂組成物のワニスを塗工する方法等により得ることができる。
まず、上述したような第１樹脂組成物で構成された第１樹脂層２を有するキャリア材料２ａおよび上述したような第２樹脂組成物で構成された第２樹脂層３を有するキャリア材料３ａを用意する。
キャリア材料２ａ、３ａは、例えばキャリアフィルムに第１樹脂組成物、第２樹脂組成物のワニスを塗工する方法等により得ることができる。
次に、真空ラミネート装置８を用いて、減圧下でシート状基材１の両面からキャリア材料２ａおよび３ａを重ね合わせてラミネートロール８１で接合する。減圧下で接合することにより、シート状基材１の内部または各キャリア材料２ａ、３ａとシート状基材１との接合部位に非充填部分が存在しても、これを減圧ボイドあるいは実質的な真空ボイドとすることができる。ゆえに、最終的に得られるプリプレグ１０に発生するボイドを低減することができる。なぜなら、減圧ボイドまたは真空ボイドは、後述する加熱処理で消し去ることができるからである。このような減圧下でシート状基材１とキャリア材料２ａ、３ａとを接合する他の装置としては、例えば真空ボックス装置等を用いることができる。
次に、シート状基材１と各キャリア材料２ａ、３ａとを接合した後、熱風乾燥装置９で各キャリア材料２ａ、３ａを構成する樹脂組成物の溶融温度以上の温度で加熱処理する。これにより、前記減圧下での接合工程で発生していた減圧ボイド等をほぼ消し去ることができる。
前記加熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置等を用いて実施することができる。
前記加熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置等を用いて実施することができる。
上述の方法によると、厚さ２５μｍ以下のシート状基材１を用いてもプリプレグ１０を容易に得ることができるようになる。従来のプリプレグの製造方法（例えば通常の塗工装置を用いて、シート状基材を樹脂ワニスに浸漬含浸・乾燥させる方法）では、厚さが３０μｍ以下のシート状基材に樹脂材料を担持してプリプレグを得るのが困難であった。すなわち、厚さが薄いシート状基材を熱硬化性樹脂に浸漬して多数の搬送ロールを通したり、シート状基材に含浸させる樹脂材料の量を調整したりする際に、シート状基材に応力が作用し、シート状基材の目が開いてしまったり（拡大してしまったり）、引き取る際にシート状基材が切断してしまったりする場合があった。
これに対して、上述の方法では、厚さが２５μｍ以下のシート状基材１に対してもキャリア材料２ａ、３ａを担持することができ、それによって通常の厚さのプリプレグ１０に加えて、厚さが３５μｍ以下のプリプレグ１０を容易に得ることができるものである。また、回路基板を成形した後のプリプレグ１０の厚さが導体回路層間で３５μｍ以下にもできるものである。導体回路層間の厚さを３５μｍ以下にできると、最終的に得られる回路基板の厚さを薄くすることができる。
これに対して、上述の方法では、厚さが２５μｍ以下のシート状基材１に対してもキャリア材料２ａ、３ａを担持することができ、それによって通常の厚さのプリプレグ１０に加えて、厚さが３５μｍ以下のプリプレグ１０を容易に得ることができるものである。また、回路基板を成形した後のプリプレグ１０の厚さが導体回路層間で３５μｍ以下にもできるものである。導体回路層間の厚さを３５μｍ以下にできると、最終的に得られる回路基板の厚さを薄くすることができる。
また、このようなプリプレグ１０を得る他の方法としては、例えばシート状基材１の片面に粘度の低い樹脂ワニスに浸漬し、乾燥して第１樹脂層２を形成し、さらに、他の樹脂ワニスに浸漬して第２樹脂層３を形成することにより、プリプレグ１０を得ることもできる。
このようにして得られるプリプレグ１０は、図２に示すように、シート状基材１がプリプレグ１０の厚さ方向に対して偏在していても良い。これにより、回路パターンに応じて樹脂量を調整することができる。
ここで、主としてシート状基材１で構成されるコア層１１が、プリプレグ１０の厚さ方向に対して偏在している状態を図４に基づいて説明する。図４（ａ）、（ｂ）は、コア層１１がプリプレグ１０に対して偏在している状態を模式的に示す断面図である。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、プリプレグ１０の厚さ方向の中心線Ａ−Ａに対して、コア層１１（シート状基材１）の中心がずれて配置されていることを意味する。図４（ａ）では、コア層１１（シート状基材１）の下側（図４中下側）の面が、プリプレグ１０の下側（図４中下側）の面とほぼ一致するようになっている。図４（ｂ）では、コア層１１が中心線Ａ−Ａと、プリプレグ１０の下側（図４中下側）の面との間に配置されている。なお、コア層１１が中心線Ａ−Ａに一部重なるようになっていても良い。
このようなプリプレグ１０の面方向の熱膨張係数は、特に限定されないが、１６ｐｐｍ以下であることが好ましく、特に５〜１４ｐｐｍであることが好ましい。熱膨張係数が前記範囲内であると、繰り返しの熱衝撃に対する耐クラック性を向上することができる。
前記面方向の熱膨張係数は、例えばＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して評価することができる。
前記面方向の熱膨張係数は、例えばＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して評価することができる。
また、このようなプリプレグ１０の厚さは、特に限定されないが、２０〜８０μｍであることが好ましく、特に３０〜６０μｍであることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、最終的に得られる回路基板の厚さを特に薄くすることができる。
次に、回路基板および半導体装置について説明する。
図５に示すように、回路基板１００は、コア基板１０１と、コア回路基板１０１の上側（図５中の上側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）と、コア回路基板１０１の下側（図５中の下側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ）と、で構成されている。コア基板１０１とプリプレグ１０ａおよび１０ｂとの間、各プリプレグ間（１０ａと１０ｂ、１０ｂと１０ｃ、１０ｄと１０ｅおよび１０ｅと１０ｆ）には、所定の回路配線部４２が形成されている。また、プリプレグ１０ｃおよび１０ｆの表面には、パッド部５が設けられている。このようなプリプレグ１０ａ〜１０ｆの少なくとも１０ａ、１０ｆ（好ましくは全部）に上述した厚さ３５μｍ以下のプリプレグ１０を用いることが好ましい。これにより、回路基板１００の厚さを薄くすることができる。
各回路配線部４２は、各プリプレグ１０ａ〜１０ｆを貫通して設けられたフィルドビア部６を介して電気的に接続されている。
図５に示すように、回路基板１００は、コア基板１０１と、コア回路基板１０１の上側（図５中の上側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）と、コア回路基板１０１の下側（図５中の下側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ）と、で構成されている。コア基板１０１とプリプレグ１０ａおよび１０ｂとの間、各プリプレグ間（１０ａと１０ｂ、１０ｂと１０ｃ、１０ｄと１０ｅおよび１０ｅと１０ｆ）には、所定の回路配線部４２が形成されている。また、プリプレグ１０ｃおよび１０ｆの表面には、パッド部５が設けられている。このようなプリプレグ１０ａ〜１０ｆの少なくとも１０ａ、１０ｆ（好ましくは全部）に上述した厚さ３５μｍ以下のプリプレグ１０を用いることが好ましい。これにより、回路基板１００の厚さを薄くすることができる。
各回路配線部４２は、各プリプレグ１０ａ〜１０ｆを貫通して設けられたフィルドビア部６を介して電気的に接続されている。
回路基板１００を構成する各プリプレグ１０ａ〜１０ｆは、回路配線部４２（導体層）が形成される側（各プリプレグ１０ａ〜１０ｃの図５中上側と、１０ｄ〜１０ｆの図５中下側）の第１樹脂層２を構成する第１樹脂組成物と、反対側の第２樹脂層３を構成する第２樹脂組成物が異なっている。第１樹脂層２を構成する第１樹脂組成物は、高弾性率な樹脂組成になっている。また、第２樹脂層３を構成する第２樹脂組成物は、回路配線部４２の埋め込み性を向上し、埋め込みを行う回路の導体との応力を緩和するような組成になっている。さらに第２樹脂層３により、低熱膨張化が図れるような組成になっている。
さらに、第１樹脂層２の厚さを導体層との密着性を得るために必要最低限な厚さとし、第２樹脂層３の厚さを回路配線部の埋め込みに必要最低限な厚さとなるように調整することにより、回路基板１００の厚さを薄くすることもできるようになっている。
さらに、第１樹脂層２の厚さを導体層との密着性を得るために必要最低限な厚さとし、第２樹脂層３の厚さを回路配線部の埋め込みに必要最低限な厚さとなるように調整することにより、回路基板１００の厚さを薄くすることもできるようになっている。
また、図５に示すような回路基板１００に、半導体素子７のバンプ７１と回路基板１００のパッド部５とを接続して半導体素子７を搭載することにより半導体装置２００を得ることができる（図６）。このような半導体装置７は、回路基板１００を構成する各プリプレグ１０ａ〜１０ｆを構成する第１樹脂層２および第２樹脂層３の厚さを最適な厚さに調整できるので、プリプレグ１０全体の厚さを最適なものとすることができ、要求される特性に必要な最低限の厚さの半導体装置２００を得ることができる。
図５および図６では、６層の回路基板について説明したが、本発明の回路基板はこれに限定されず、３層、４層、５層等、または７層、８層等の多層回路基板にも好適に用いることができる。
また、本発明の回路基板１００では、上述したような第１樹脂層２を構成する第１樹脂組成物と第２樹脂層３を構成する第２樹脂組成物とが異なるプリプレグ１０と、従来から用いられていたプリプレグとを併用しても構わない。
また、本発明の回路基板１００では、上述したような第１樹脂層２を構成する第１樹脂組成物と第２樹脂層３を構成する第２樹脂組成物とが異なるプリプレグ１０と、従来から用いられていたプリプレグとを併用しても構わない。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず、プリプレグの実施例について説明する。
（実施例１）
１．第１樹脂層のワニスの調製
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）２４重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２４重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）重量平均分子量４００００）１２重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．４重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）４０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量％を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
１．第１樹脂層のワニスの調製
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）２４重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２４重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）重量平均分子量４００００）１２重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．４重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）４０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量％を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
２．第２樹脂層のワニスの調製
熱硬化性樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）４０重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）３０重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．５重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、カップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）を、０．２重量％をメチルエチルケトンに常温で溶解し、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０重量％を添加し、高速攪拌機を用いて１０分間攪拌して第２樹脂層のワニスを調製した。
熱硬化性樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）４０重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）３０重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．５重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、カップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）を、０．２重量％をメチルエチルケトンに常温で溶解し、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０重量％を添加し、高速攪拌機を用いて１０分間攪拌して第２樹脂層のワニスを調製した。
２．キャリア材料の製造
キャリアフィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステル社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍｍ、幅４８０ｍｍ）を用い、上述の第１樹脂層のワニスをコンマコーター装置で塗工し、１７０℃の乾燥装置で３分間乾燥させ、厚さ８μｍ、幅４１０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料２ａ（最終的に第１樹脂層を形成）を得た。
また、同様の方法で塗工する第２樹脂層のワニスの量を調整して、厚さ１５μｍ、幅３６０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料３ａ（最終的に第２樹脂層を形成）を得た。
キャリアフィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステル社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍｍ、幅４８０ｍｍ）を用い、上述の第１樹脂層のワニスをコンマコーター装置で塗工し、１７０℃の乾燥装置で３分間乾燥させ、厚さ８μｍ、幅４１０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料２ａ（最終的に第１樹脂層を形成）を得た。
また、同様の方法で塗工する第２樹脂層のワニスの量を調整して、厚さ１５μｍ、幅３６０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料３ａ（最終的に第２樹脂層を形成）を得た。
３．プリプレグの製造
繊維基材としてガラス織布（クロスタイプ♯１０１５、幅３６０ｍｍ、厚さ１５μｍ、坪量１７ｇ／ｍ2）を用い、図３に示す真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプリプレグを製造した。
具体的には、ガラス織布の両面に前記キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａがガラス織布の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、１３３０Ｐａの減圧条件下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラス織布の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａの樹脂層を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス織布の幅方向寸法の外側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａの樹脂層同士を接合した。
次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ３０μｍ（第１樹脂層：４μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：１１μｍ）のプリプレグを得た。
繊維基材としてガラス織布（クロスタイプ♯１０１５、幅３６０ｍｍ、厚さ１５μｍ、坪量１７ｇ／ｍ2）を用い、図３に示す真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプリプレグを製造した。
具体的には、ガラス織布の両面に前記キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａがガラス織布の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、１３３０Ｐａの減圧条件下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラス織布の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａの樹脂層を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス織布の幅方向寸法の外側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａの樹脂層同士を接合した。
次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ３０μｍ（第１樹脂層：４μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：１１μｍ）のプリプレグを得た。
（実施例２）
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）２８重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２８重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）１４重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．３重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）２８重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２８重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）１４重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．３重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
（実施例３）
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）１２重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）１２重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）６重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチル」）０．２重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）７０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）１２重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）１２重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）６重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチル」）０．２重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）７０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
（実施例４）
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）５重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２５重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．５重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）７０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）５重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２５重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．５重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）７０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
（実施例５）
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）５０重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２０重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）１０重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．３重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）２０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）５０重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２０重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）１０重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．３重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）２０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
（実施例６）
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）１１重量％、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬社製、ＧＰＨ−１０３、水酸基当量２３０）９重量部、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．２重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）８０重量％とカップリング剤０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）１１重量％、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬社製、ＧＰＨ−１０３、水酸基当量２３０）９重量部、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．２重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）８０重量％とカップリング剤０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
（比較例１）
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）４０重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）３０重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．５重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）４０重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）３０重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．５重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
（比較例２）
第２樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、比較例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）６重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）６重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）４８重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．４重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）４０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
第２樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、比較例１と同様にした。
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）６重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）６重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）４８重量％、硬化触媒としてイミダゾール系化合物（四国化成工業社製・商品名２PHZ「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．４重量％をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）４０重量％とカップリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
（比較例３）
第１樹脂層を実施例１の第２樹脂層、第２樹脂層を実施例１の第１樹脂層にした以外は実施例１と同様にした。
第１樹脂層を実施例１の第２樹脂層、第２樹脂層を実施例１の第１樹脂層にした以外は実施例１と同様にした。
各実施例および比較例で得られた第１および、第２樹脂組成物、およびプリプレグについて、以下の評価を行なった。評価内容を項目と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．第１樹脂層の熱膨張係数
プリプレグの面方向の熱膨張係数は、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して測定した。
１．第１樹脂層の熱膨張係数
プリプレグの面方向の熱膨張係数は、ＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して測定した。
２．第１樹脂層、第２樹脂層の弾性率
各樹脂層の樹脂組成物を硬化させてレジン板を作製し、ＤＭＡ（ＴＡインスツルメント社製 ＤＭＡ９８３）の共鳴周波数ズリモードを用いて、昇温速度５℃／分の条件で測定した。
各樹脂層の樹脂組成物を硬化させてレジン板を作製し、ＤＭＡ（ＴＡインスツルメント社製 ＤＭＡ９８３）の共鳴周波数ズリモードを用いて、昇温速度５℃／分の条件で測定した。
３．実装信頼性
３００個のバンプを介して半導体素子と回路基板を接続するデイジーチェーン型の評価用半導体装置を１０個作製した。その際の、接続部不良の有無を評価した。
３００個のバンプを介して半導体素子と回路基板を接続するデイジーチェーン型の評価用半導体装置を１０個作製した。その際の、接続部不良の有無を評価した。
４．接続信頼性（温度サイクル（ＴＣ）試験）
上述の評価用半導体装置の導通を確認後、−５０℃で１０分、１２５℃で１０分を１サイクルとする温度サイクル（ＴＣ）試験を実施した。ＴＣ試験１０００サイクル後の断線不良有無を評価した。
上述の評価用半導体装置の導通を確認後、−５０℃で１０分、１２５℃で１０分を１サイクルとする温度サイクル（ＴＣ）試験を実施した。ＴＣ試験１０００サイクル後の断線不良有無を評価した。
表１の結果のとおり、実施例１〜６は実装信頼性、接続信頼性共に良好であったが、第一樹脂層の20℃における弾性率が低い比較例１は、実装信頼性が劣る結果となり、第二樹脂層の250℃における弾性率が高い比較例２は、接続信頼性が劣る結果となった。また第一樹脂層の20℃における弾性率が低く、第二樹脂層の250℃における弾性率が高い比較例３は、実装信頼性と接続信頼性において、共に不良が発生した。
本発明のプリプレグ、該プリプレグを用いた積層板、該積層板よりなる半導体装置に好適に用いることができるため、さまざまな半導体装置に組み込むことができる。
１ シート状基材
１１ コア層
２ 第１樹脂層
２ａ キャリア材料
３ 第２樹脂層
３ａ キャリア材料
３１ 第２樹脂層の上端部
４ 内層回路
４１ 内層回路の上端部
４２ 回路配線部
５ パッド部
６ フィルドビア部
７ 半導体素子
７１ バンプ
８ 真空ラミネート装置
８１ ラミネートロール
９ 熱風乾燥装置
１０ プリプレグ
１０ａ プリプレグ
１０ｂ プリプレグ
１０ｃ プリプレグ
１０ｄ プリプレグ
１０ｅ プリプレグ
１０ｆ プリプレグ
１００ 回路基板
１０１ コア基板
２００ 半導体装置
１１ コア層
２ 第１樹脂層
２ａ キャリア材料
３ 第２樹脂層
３ａ キャリア材料
３１ 第２樹脂層の上端部
４ 内層回路
４１ 内層回路の上端部
４２ 回路配線部
５ パッド部
６ フィルドビア部
７ 半導体素子
７１ バンプ
８ 真空ラミネート装置
８１ ラミネートロール
９ 熱風乾燥装置
１０ プリプレグ
１０ａ プリプレグ
１０ｂ プリプレグ
１０ｃ プリプレグ
１０ｄ プリプレグ
１０ｅ プリプレグ
１０ｆ プリプレグ
１００ 回路基板
１０１ コア基板
２００ 半導体装置
Claims (12)
- シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層とを有するプリプレグであって、
前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物とが異なっており、前記第１樹脂層の熱硬化後の弾性率が２０℃において４ＧＰａ以上であることを特徴とするプリプレグ。 - 前記第１樹脂層の厚さが、１〜１５μｍである請求項１に記載のプリプレグ。
- 前記第１樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含むものである請求項１または２に記載のプリプレグ。
- 前記熱硬化性樹脂は、シアネート樹脂を含むものである請求項３に記載のプリプレグ。
- 前記シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂を含むものである請求項４に記載のプリプレグ。
- 前記第１樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである請求項１〜５のいずれかに記載のプリプレグ。
- 前記硬化剤が、イミダゾール系化合物である請求項６に記載のプリプレグ。
- 前記第１樹脂組成物は、さらに前記熱硬化性樹脂と種類の異なる第２樹脂を含むものである請求項１〜７のいずれかに記載のプリプレグ。
- 前記第２樹脂は、フェノキシ系樹脂を含むものである請求項８に記載のプリプレグ。
- 前記第１樹脂層の厚さは、前記第２樹脂層の厚さよりも薄いものである請求項１〜９のいずれかに記載のプリプレグ。
- 請求項１〜１０のいずれかに記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする回路基板。
- 請求項１１に記載の回路基板を有することを特徴とする半導体装置。
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Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| JP2011054666A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Cmk Corp | 多層プリント配線板及び両面プリント配線板 |
| JP2011171719A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-09-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリプレグの積層方法、プリント配線板の製造方法およびプリプレグのロール |
| CN102311614A (zh) * | 2011-04-03 | 2012-01-11 | 广东生益科技股份有限公司 | 树脂组合物及使用其制作的半固化片 |
| JP2016219848A (ja) * | 2011-06-17 | 2016-12-22 | 住友ベークライト株式会社 | プリント配線板および製造方法 |
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| JP2018166207A (ja) * | 2012-06-22 | 2018-10-25 | 株式会社ニコン | 基板、撮像ユニットおよび撮像装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03139531A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | 着色プリプレグシート |
| JPH08258162A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 複雑構造体の一体成形法 |
| JP2003313324A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 基材入りｂステージ樹脂組成物シートの製造方法 |
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2006
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03139531A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | 着色プリプレグシート |
| JPH08258162A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 複雑構造体の一体成形法 |
| JP2003313324A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 基材入りｂステージ樹脂組成物シートの製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011054666A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Cmk Corp | 多層プリント配線板及び両面プリント配線板 |
| JP2011171719A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-09-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリプレグの積層方法、プリント配線板の製造方法およびプリプレグのロール |
| CN102311614A (zh) * | 2011-04-03 | 2012-01-11 | 广东生益科技股份有限公司 | 树脂组合物及使用其制作的半固化片 |
| JP2016219848A (ja) * | 2011-06-17 | 2016-12-22 | 住友ベークライト株式会社 | プリント配線板および製造方法 |
| JP2018166207A (ja) * | 2012-06-22 | 2018-10-25 | 株式会社ニコン | 基板、撮像ユニットおよび撮像装置 |
| KR20170039118A (ko) | 2014-07-29 | 2017-04-10 | 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 | 수지 함유 시트, 및 그것을 사용한 구조체 및 배선판 |
| KR20170082569A (ko) | 2014-11-04 | 2017-07-14 | 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 | 수지 함유 시트, 및 그것을 사용한 구조체 및 배선판 |
| US10047202B2 (en) | 2014-11-04 | 2018-08-14 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Resin-containing sheet, and structure and wiring board using same |
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