JP3840043B2 - 感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュール - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱性・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュールに関するものであり、特に、実装時の熱履歴や温度サイクル試験（ＴＣＴ）に対する耐熱疲労性および高加速度試験（ＨＡＳＴ）に対する耐湿性等に優れた感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量と共に、高性能・高機能・高品質・高信頼性が要求されるようになってきており、このような電子機器に搭載される電子部品モジュールも小型・高密度化が要求されるようになってきている。このような要求に対して、近年、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスを素材とするセラミック配線基板から、より軽量化・高密度化が可能なガラス繊維とエポキシ樹脂とから成る絶縁基板の表面に低抵抗金属である銅や金等を用いて薄膜形成法により配線導体層を形成した、いわゆるプリント基板が電子部品モジュールに用いられるようになってきている。また、このプリント基板も、より高密度配線化が可能なビルドアップ配線基板へ変わりつつある。
【０００３】
このようなビルドアップ配線基板は、例えば、ガラス繊維とエポキシ樹脂とから成る絶縁基板上に、感光性樹脂液を塗布・乾燥して絶縁層を形成した後にこれに露光・現像により開口を形成し、あるいは熱硬化性樹脂から成るフィルムをラミネートし熱硬化して絶縁層を形成した後にこれにレーザで開口を穿設し、しかる後、絶縁層表面を化学粗化して無電解銅めっき法および電解銅めっき法を用いて銅膜を被着形成することにより、開口内に導体層を形成するとともに絶縁層表面に配線導体層を形成し、さらに、このような絶縁層と配線導体層の形成を繰返すことにより製作される。
【０００４】
また、配線基板の表面には、配線導体層の酸化や腐蝕の防止および配線基板に電子部品を実装する際の熱から絶縁層を保護するために厚みが20〜50μｍのソルダーレジスト層が被着形成されている。このソルダーレジスト層は、一般に配線導体層および絶縁層との密着性が良好な感光性樹脂と、可撓性を有する樹脂とから成り、熱膨張係数を絶縁層や配線導体層の熱膨張係数と整合させるために平均粒径が５〜20μｍ程度の無機絶縁性フィラーを30〜80重量％含有している。
【０００５】
さらに、この配線基板は、配線導体層上のソルダーレジスト層に露光・現像により開口を形成し、開口内の配線導体層に半田等から成る導体バンプを介して電子部品を電気的に接続することにより半導体装置等の電子部品モジュールとなる。
【０００６】
一般に、このような電子部品モジュールに用いられるソルダーレジスト層は、乾燥状態での絶縁抵抗が1011〜1013Ωである。しかしながら、このソルダーレジスト層は、一般に、含有する感光性樹脂がソルダーレジスト層に露光・現像により開口を形成する際の現像性を発現させるために水酸基やカルボキシル基を含有することから、吸水率が高く空気中の水分を徐々に吸収して、この水分がソルダーレジスト層の絶縁抵抗を108Ω以下にまで低下させてしまい配線導体層間を短絡させてしまったり、さらには、この水分が配線導体層を腐食させてしまい、その結果、配線基板の電気信頼性を劣化させてしまうという問題点を有していた。また、ソルダーレジスト層は、含有する感光性樹脂組成物がその製造の精製工程中において除去できない塩素イオン・臭素イオン等のハロゲンイオンやナトリウムイオン等のアルカリイオンなどの不純物イオンを、それぞれ20〜100ｐｐｍ、2〜200ｐｐｍ程度含有しているため、例えば、温度が130℃で相対湿度が85％の高温高湿槽中で5.5Ｖの電圧を長時間印加する高加速度試験（ＨＡＳＴ）を行うと、イオンマイグレーションにより配線導体層間の絶縁抵抗が急激に低下し絶縁破壊を起こし、その結果、電子部品モジュールを電気的に短絡させてしまうという問題点を有していた。
【０００７】
このような問題点を解決するために、ソルダーレジスト層中にアルデヒドやハイドロキノン・ヒドラジン等の還元剤を添加して不純物イオンを還元する方法や、不純物イオンと反応し難溶性金属塩を形成する含イオウ化合物を添加する方法が提案されている。しかしながら、これら還元剤や含イオウ化合物は配線基板に電子部品を実装する際の熱履歴で容易に分解して活性を失うため、不純物イオンの捕捉効果を十分に発揮することができないという問題点を有していた。
【０００８】
そこでこのような問題点を解決するために、樹脂中のナトリウムイオンや塩素イオン・臭素イオン等の不純物イオンを吸着し、イオンマイグレーションの発生を防止する、陰イオンや陽イオン・陰陽両イオンを吸着する無機イオン交換体等の微粒子からなる化学的に安定なイオン吸着剤を添加したソルダーレジスト用の感光性樹脂組成物が提案されている（特開2000-159859号公報参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記提案の感光性樹脂組成物は、樹脂成分と無機イオン交換体粒子との濡れ性が悪いために、無機イオン交換体粒子が凝集し易く、その結果、温度サイクル試験（ＴＣＴ）等の耐熱疲労性試験で発生する応力が無機イオン交換体の凝集個所に集中してクラックを発生させてしまい、その結果、配線導体層に断線が発生し、配線基板の電気的接続の信頼性を低下させてしまうという問題点を有していた。
【００１０】
また、感光性ソルダーレジスト層は、その熱膨張係数を絶縁層や配線導体層の熱膨張係数と整合させるために平均粒径が５〜20μｍの無機絶縁性フィラーを30〜80重量％含有しているが、この無機絶縁性フィラーと樹脂との界面に水分が溜り易いとともにこの界面に沿って不純物イオンが移動し易く、配線基板の薄型化にともなってソルダーレジスト層を５〜20μｍの厚みに薄層化した場合に、感光性ソルダーレジスト層の厚みよりも大きな粒径の無機絶縁性フィラーの粒子がソルダーレジスト層の表裏両面を架橋してしまい、その結果、高加速度試験（ＨＡＳＴ）を行うと、不純物イオンが無機絶縁性フィラーと樹脂との界面に沿って感光性ソルダーレジスト層の表裏両面を容易に移動し、絶縁抵抗が急激に108Ω以下に低下してしまい電気的に短絡してしまうという問題点を有していた。
【００１１】
本発明はかかる従来技術の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、ソルダーレジスト層を薄層化しても、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュールを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の感光性ソルダーレジスト層は、感光性樹脂組成物と、この感光性樹脂組成物中の不純物イオンを捕捉するキレート高分子と、可撓性を付与するエラストマーと、平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーとから成り、温度が85℃で相対湿度が85％の環境中に168時間放置後の絶縁抵抗が1010Ω以上であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層は、感光性樹脂組成物がアクリル変性エポキシ樹脂40〜80重量％と、エポキシ樹脂20〜60重量％とから成るとともに、感光性樹脂組成物に対して、キレート高分子が１〜10重量％、エラストマーが10〜40重量％および無機絶縁性フィラーが５〜20重量％含有されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の配線基板は、絶縁基板の表面に、配線導体層を被着形成するとともに、この配線導体層の一部を覆って上記の感光性ソルダーレジスト層を被着形成したことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の電子部品モジュールは、上記の配線基板の感光性ソルダーレジスト層に、配線導体層を露出させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バンプを介して電子部品の電極を接続したこと特徴とするものである。
【００１６】
本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、感光性樹脂組成物を含有していることから、配線導体層や絶縁層と密着性の良好なソルダーレジスト層とすることができる。また、含有するキレート高分子が陽イオンや陰イオンに配位する官能基を有することから感光性樹脂組成物中のナトリウムイオンや塩素イオン・臭素イオン等の不純物イオンを良好に捕捉するとともにキレート高分子が樹脂からなり感光性樹脂組成物との濡れ性に優れることから感光性樹脂組成物中に均一に分散し効率的に不純物イオンを捕捉でき、その結果、イオンマイグレーションの発生を抑制できる感光性ソルダーレジスト層とすることができる。さらに、キレート高分子は、その熱分解開始温度が300℃以上であることから、配線基板に電子部品を実装する際の熱履歴で分解して活性を失うこともない。また、エラストマーを含有していることから、配線基板に電子部品を実装する際や温度サイクル試験（ＴＣＴ）を行った際の熱応力をエラストマーが良好に吸収し、感光性ソルダーレジスト層にクラックが生じることはなく、その結果、配線導体層が断線することのない電気的な接続信頼性に優れるソルダーレジスト層にすることができる。さらに、平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーを含有するしていることから、感光性ソルダーレジスト層を配線基板の薄型化にともなって５〜20μｍの厚みに薄層化したとしても、無機絶縁性フィラー粒子がソルダーレジスト層の表裏両面を架橋することはなく、その結果、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層とすることができる。
【００１７】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、上記組成で温度が85℃で相対湿度が85％の環境中に168時間放置後の絶縁抵抗を1010Ω以上であるものととしたことから、高温・高湿雰囲気で使用したとしても配線導体層間を短絡させてしまったり、配線導体層を腐蝕させてしまうことのない、良好な耐湿性を有するソルダーレジスト層とすることができる。
【００１８】
さらに本発明の配線基板によれば、絶縁基板の表面に、配線導体層を被着形成するとともに、この絶縁基板の一部を覆って、上記の感光性ソルダーレジスト層を被着形成したことから、感光性ソルダーレジスト層が配線基板に電子部品を実装する際の熱から絶縁層を保護するとともに配線導体層を湿気による酸化や腐蝕から保護することができ、その結果、耐熱性・耐湿性に優れた配線基板とすることができる。
【００１９】
また、本発明の電子部品モジュールによれば、上記配線基板の感光性ソルダーレジスト層に、配線導体層を露出させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バンプを介して電子部品の電極を接続したことから、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた電子部品モジュールとすることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュールについて詳細に説明する。
【００２１】
本発明の感光性ソルダーレジスト層は、感光性樹脂組成物と、この感光性樹脂組成物中の不純物イオンを捕捉するキレート高分子と、可撓性を付与するエラストマーと、平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーとから構成されている。
【００２２】
感光性樹脂組成物は、アクリル変性エポキシ樹脂40〜80重量％とエポキシ樹脂20〜60重量％とから成つている。アクリル変性エポキシ樹脂はカルボン酸や水酸基を有することから配線導体層および絶縁層との密着性を良好とする機能を有し、また、エポキシ樹脂は感光性ソルダーレジスト層の架橋密度を高くし、熱による樹脂の分子切断および樹脂中への水分の浸入を抑制する機能を有する。
【００２３】
アクリル変性エポキシ樹脂は、後述する感光性ソルダーレジスト層に露光・現像により開口を形成する際に樹脂残りやアンダーカットを生じ難くするという観点からは40重量％以上とすることが好ましく、めっき液等の耐薬品性に優れるという観点からは80重量％以下とすることが好ましい。従って、アクリル変性エポキシ樹脂の含有量は40〜80重量％の範囲にすることが好ましい。また、エポキシ樹脂は、その含有量が20重量％より少ないとソルダーレジスト層の架橋密度が低くなり、耐熱性・耐薬品性が低下してしまう傾向があり、60重量％を超えるとソルダーレジスト層の架橋密度が高くなり可撓性が低下して、クラックが発生し易くなる傾向がある。従って、エポキシ樹脂の含有量は40〜80重量％の範囲にすることが好ましい。
【００２４】
このようなアクリル変性エポキシ樹脂としては、アクリル化クレゾールノボラック型エポキシ樹脂やアクリル化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の感光性樹脂が用いられ、露光・現像性の観点からは分子量が数百〜数千程度のものが好ましい。また、エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられ、耐熱性・耐薬品性の観点からは分子量が数百程度のものが好ましい。さらに、感光性樹脂組成物には露光・現像を促進するためにα-アミノケトン系の光重合開始剤とベンゾフェノン系の光増感剤を添加しても良い。
【００２５】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層は、カルボン酸やアミノ基・水酸基等の官能基を有するキレート高分子を含有している。このようなキレート高分子は陽イオンや陰イオンに配位する官能基を有することから感光性樹脂組成物中のナトリウムイオンや塩素イオン・臭素イオン等の不純物イオンを良好に捕捉するとともにキレート高分子が樹脂からなり感光性樹脂組成物との濡れ性に優れることから感光性樹脂組成物中に均一に分散し効率的に不純物イオンを捕捉でき、その結果、イオンマイグレーションの発生を抑制できる感光性ソルダーレジスト層とすることができる。さらに、キレート高分子は、その熱分解開始温度が300℃以上であることから、配線基板に電子部品を実装する際の熱履歴で分解して活性を失うこともない。
【００２６】
キレート高分子の含有量は、感光性樹脂組成物100重量％に対してイオン不純物を効率良く捕捉する観点からは１重量％以上とすることが好ましく、また、分散不良による外観不良を防止するという観点からは10重量％以下とすることが好ましい。従って、キレート高分子の含有量は１〜10重量％の範囲にすることが好ましい。
【００２７】
このようなキレート高分子としては、イミノジ酢酸型スチレン−アクリル酸メチル共重合体やザルコシン型スチレン−アクリル酸メチル共重合体、エタノールアミンスチレン−アクリル酸メチル共重合体、グリシン型スチレン−アクリル酸メチル共重合体、ビニルピリジン−メタクリル酸メチル等が用いられる。なお、感光性樹脂組成物にキレート高分子をより均一に分散させるために、キレート高分子をエポキシ変性させて感光性樹脂組成物と共架橋させても良い。
【００２８】
さらに、本発明の感光性ソルダーレジスト層は、感光性樹脂組成物100重量％に対してエラストマーを10〜40重量％含有している。エラストマーは、配線基板に電子部品を実装する際や温度サイクル試験（ＴＣＴ）を行った際に発生する熱応力を吸収し、感光性ソルダーレジスト層のクラックを防止する機能を有する。
【００２９】
エラストマーの含有量は、感光性ソルダーレジスト層の可撓性を考慮すると10重量％以上とすることが好ましく、また、耐熱性・耐湿性に影響する架橋密度を考慮すると40重量％以下とすることが好ましい。従って、エラストマー含有量は10〜40重量％の範囲にすることが好ましい。
【００３０】
このようなエラストマーとしては、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレントリブロックポリマー（ＳＥＢＳ）やスチレン−エチレン−イソプレン−スチレントリブロックポリマー（ＳＥＰＳ）、ポリエーテル−ポリエステルマルチブロックポリマー、水素添加アクリロニトリル−ブタジエンゴム（ＨＮＢＲ）等が用いられる。
【００３１】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層は平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーを含有している。この無機絶縁性フィラーは感光性ソルダーレジスト層の強度を高めるとともに感光性ソルダーレジスト層の熱膨張係数と絶縁層や配線導体層の熱膨張係数とを整合させる機能を有する。さらに、無機絶縁性フィラーの平均粒径を0.1〜２μｍとしたことから、感光性ソルダーレジスト層を配線基板の薄型化にともなって５〜20μｍの厚みに薄層化したとしても，無機絶縁性フィラー粒子がソルダーレジスト層の表裏両面を架橋することはなく、その結果、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層とすることができる。
【００３２】
無機絶縁性フィラーは，その平均粒径が0.1μｍより小さいと嵩密度が大きくなり感光性ソルダーレジスト層の成形時の粘度が上昇し厚みの制御が困難となる傾向にあり、また、平均粒径が２μｍを超えると感光性ソルダーレジスト層を15μｍ程度の厚みに薄層化した時に、無機絶縁性フィラー粒子が複数個連なってソルダーレジスト層の表裏両面を架橋してしまい、無機絶縁性フィラーと樹脂との界面に沿ってイオンマイグレーションが発生しソルダーレジスト層の絶縁抵抗を低下させてしまい易くなる傾向にある。従って、無機絶縁性フィラーの平均粒径は0.1〜２μｍの範囲にすることが好ましい。
【００３３】
無機絶縁性フィラーの含有量は、感光性ソルダーレジスト層の形成時の平坦性を確保する観点からは５重量％以上とすることが好ましく、露光・現像により開口を形成する際に無機絶縁性フィラー残りを生じ難くするという観点からは20重量％以下とすることが好ましい。従って、無機絶縁性フィラー含有量は感光性樹脂組成物100重量％に対して５〜20重量％の範囲にすることが好ましい。
【００３４】
このような無機絶縁性フィラーとしては、酸化珪素や酸化アルミニウム・窒化アルミニウム・炭化珪素・チタン酸カルシウム・酸化チタン・ゼオライト等の無機絶縁性粒子が用いられ、熱膨張係数の制御の観点から酸化珪素が好ましい。さらに、樹脂との濡れ性を良くするためにシランカップリング剤等で処理を行って用いても良い。
【００３５】
さらに、本発明の感光性ソルダーレジスト層は、上記組成で温度が85℃で相対湿度が85％の環境中に168時間放置後の絶縁抵抗を1010Ω以上であるものとしたことから、高温・高湿雰囲気で使用したとしても配線導体層間を短絡させてしまったり、配線導体層を腐蝕させてしまうことのない、良好な耐湿性を有するソルダーレジスト層とすることができる。
【００３６】
なお、ここで感光性ソルダーレジスト層の絶縁抵抗は、JIS C 6481に記載されている測定方法を用いて測定した。
【００３７】
このような感光性ソルダーレジスト層は、例えば、アクリル変性エポキシ樹脂としてアクリル変性したクレゾールノボラック型エポキシ60重量％と、エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対してキレート高分子として５重量％のイミノジ酢酸型スチレン−アクリル酸メチル共重合体と、エラストマーとして20重量％のＳＥＢＳと、無機絶縁性フィラーとして10重量％の平均粒径が0.1〜２μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加して混練することにより液状ワニスを作成し、これをスクリーン印刷法またはロールコート法を採用することにより所定の絶縁基板上に均一に塗布することにより被着し、さらに乾燥して有機溶剤を除去した後、ＵＶ硬化と熱硬化をすることにより形成される。また、感光性ソルダーレジスト層は液状ワニスを離型フィルム上に塗布して乾燥させたフィルム状感光性ソルダーレジストとして用いても良く、この場合、フィルム状感光性ソルダーレジストは、真空ラミネータを用いることにより絶縁層および配線導体層上に被着される。
【００３８】
かくして本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションのない、耐熱性・耐湿性に優れたソルダーレジスト層とすることができる。
【００３９】
なお、本発明の感光性ソルダーレジスト層は上記の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上記の感光性ソルダーレジスト層に外観検査を容易にするためにフタロシアニングリーン等の有機色素や成形性をより向上させるために高級脂肪酸エステル等の滑剤を含有させることも可能である。
【００４０】
次に、本発明の感光性ソルダーレジスト層を用いた配線基板および電子部品モジュールを添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００４１】
図１は、本発明の感光性ソルダーレジスト層を用いた配線基板に半導体素子等の電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の一例を示す要部断面図である。この図において１は絶縁基板、２は配線導体層、３は感光性ソルダーレジスト層で主にこれらで本発明の配線基板４が構成される。また、５は開口、６は導体バンプ、７は電子部品で主に配線基板４と開口５・導体バンプ６・電子部品７とで本発明の電子部品モジュール８が構成される。なお、本例では絶縁基板１の両面に被着形成した配線導体層２を貫通孔９に穿設した貫通導体10により電気的に接続した例を示している。
【００４２】
絶縁基板１は、ガラスクロス−エポキシ樹脂やガラスクロス−ビスマレイミドトリアジン樹脂、ガラスクロス−ポリフェニレンエーテル、アラミド繊維−エポキシ樹脂等からなり、配線導体層２およびソルダーレジスト層３の支持体として機能する。
【００４３】
また、絶縁基板１の表裏両面には、銅やニッケル・アルミニウム等の金属薄膜から成る配線導体層２が被着形成されている。
【００４４】
配線導体層２は、電子部品７の電気信号を外部電気回路基板（図示せず）に電気的に接続し伝達する導電路として機能し、絶縁基板１の表面側の部位には電子部品７の各電極が導体バンプ６を介して電気的に接続され、裏側の部位には外部電気回路基板の配線導体が半田等の導体バンプ６を介して配線基板４の配線導体層２と電気的に接続される。
【００４５】
このような配線導体層２は、例えば絶縁基板１上に接着材を介して銅から成る金属箔を被着し、その上にドライフィルムレジストでパターン加工を施した後に、配線導体層２となる部分以外の箇所をエッチングして除去することにより形成される。
【００４６】
なお、配線導体層２の厚みは、高速の電気信号を伝達させるという観点からは３μｍ以上であることが好ましく、また、配線導体層２を絶縁基板１に被着形成させる際に配線導体層２に大きな応力を残留させず、配線導体層２を絶縁基板１より剥離させ難くするという観点からは50μｍ以下とすることが好ましい。従って、配線導体層２の厚みは、３〜50μｍの範囲にすることが好ましい。
【００４７】
また、絶縁基板１の表面には、配線導体層２の一部を覆って、感光性ソルダーレジスト層３が被着形成されている。
【００４８】
感光性ソルダーレジスト層３は、配線基板４に電子部品９を実装する際の熱から絶縁基板１を保護するとともに、配線導体層２を湿気による酸化や腐蝕から保護する機能を有する。また、感光性ソルダーレジスト層３は、不純物イオンを良好に捕捉するキレート高分子を含有しているのでイオンマイグレーションの発生を抑制する。さらに、含有する無機絶縁性フィラーの平均粒径を0.1〜２μｍとしたことから感光性ソルダーレジスト層を５〜20μｍに薄層化したとしても無機絶縁性フィラーがソルダーレジスト層の表裏両面を架橋することはなく、その結果、不純物イオンの移動を抑制でき絶縁抵抗が低下するのを防止できる。また、可撓性に優れるエラストマーを含有しているのでＴＣＴを行った際の熱応力によるクラックの発生を防止することも可能となる。
【００４９】
このような感光性ソルダーレジスト層３は、絶縁基板１および配線導体層２上に、例えば、アクリル変性したクレゾールノボラック型エポキシ60重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対してキレート高分子として５重量％のイミノジ酢酸型スチレン−アクリル酸メチル共重合体と、エラストマーとして20重量％のＳＥＢＳと、無機絶縁性フィラーとして10重量％の平均粒径が0.1〜２μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加して昆練することにより液状ワニスを作成し、これをスクリーン印刷またはロールコートにより５〜20μｍの厚みに被着形成し、60〜80℃の温度で数十分間乾燥して有機溶剤を除去した後、ＵＶ照射と加熱処理して硬化することによって形成される。
【００５０】
かくして、本発明の配線基板４は、絶縁基板１の表面に、配線導体層２を被着形成するとともに、この絶縁基板１の一部を覆って、感光性ソルダーレジスト層３を被着形成したことから、感光性ソルダーレジスト層３が配線基板１に電子部品７を実装する際の熱から絶縁層１を保護するとともに配線導体層２を湿気による酸化や腐蝕から保護することができ、その結果、耐熱性・耐湿性に優れた配線基板４となる。
【００５１】
また、本発明の電子部品モジュール８は、感光性ソルダーレジスト層３に配線導体層２を露出させる開口５を設けて、開口５内の配線導体層２に導体バンプ６を介して電子部品７の電極を接続することによって形成される。
【００５２】
開口５は、絶縁基板１および配線導体層２上に、感光性ソルダーレジスト層３を被着し乾燥した後に、ガラスマスクを通して0.3〜0.5Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射して露光を行い、約１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することにより形成される。なお、感光性ソルダーレジスト層３は１〜３Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150〜180℃の温度で１〜３時間加熱することにより硬化される。また、開口５は感光性ソルダーレジスト層３をＵＶ照射と加熱処理して硬化した後に、炭酸ガスレーザの条件を出力５〜７Ａ、パルス幅10〜100μｓに設定し、レーザ光を所定の径のマスクを通して、配線導体層上の感光性ソルダーレジスト層３に１〜３回／孔照射することより形成することもできる。
【００５３】
このような開口５は、その径が通常30〜300μｍであり、径が300μｍより大きいと配線導体層２のピッチが大きなものととなり配線基板４が大きなものとなる傾向があり、また、30μｍより小さいと電気的な接続信頼性が低下する傾向がある。従って、開口５の径は30〜300μｍの大きさにすることが好ましい。
【００５４】
なお、通常であれば、開口４に露出する配線導体層２には、配線導体層２の酸化腐蝕の防止と導体バンプ６との接続を良好にするために配線導体層２の露出する表面にニッケル・金等の良導電性で耐腐蝕性に優れた金属をめっき法により１〜20μｍの厚さに被着することが好ましい。
【００５５】
また、開口５内の配線導体層２の露出する表面には、導体バンプ６が固着形成されている。導体バンプ６は、配線導体層２と電子部品７とを電気的および機械的に接続する機能を有する。
【００５６】
このような導体バンプ６は、金や鉛−錫、錫−亜鉛、錫−銀−ビスマス等の導電性材料から成り、例えば、導電性材料が鉛−錫から成る場合、このペーストを開口５内にスクリーン印刷法で印刷あるいは鉛−錫から成る金属ボールを開口５内に載置した後、リフロー炉を通すことにより開口５内に半円状に固着形成される。
【００５７】
さらに、電子部品７を導体バンプ６に載置し、リフロー炉を通し配線導体層２と電子部品７との各電極とを電気的に接続することにより、本発明の電子部品モジュール８となる。なお、導体バンプ６の保護と電子部品７と配線基板４とを強固に固着するために、電子部品７と配線基板４表層との間に、熱硬化性樹脂とフィラーとから成るアンダーフィル材を注入しても良い。
【００５８】
かくして、本発明の電子部品モジュール８は、イオンマイグレーションの発生を抑制でき、耐湿性に優れる上記の感光性ソルダーレジスト層３に、配線導体層２を露出させる開口５を設けて、この開口５内の配線導体層２に導体バンプ６を介して電子部品７の電極を接続したことことから、感光性ソルダーレジスト層２を５〜20μｍの厚みに薄膜化しても高加速度試験（ＨＡＳＴ）後の絶縁抵抗が1010Ω以上とすることができ、その結果、耐熱性・耐湿性に優れた電子部品モジュール８とすることができる。
【００５９】
なお、本発明の電子部品モジュールは、上記の実施例に限定されるものでなく、例えば、配線基板として絶縁基板上に配線導体層と絶縁層を交互に積層したビルドアップ基板を用いても良い。
【００６０】
図２はこのようなビルドアップ基板に電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の一例を示す要部断面図であり、この図において11は絶縁基板、12はスルーホール、13はスルーホール導体、14は絶縁層、15は配線導体層、16は貫通孔、17は貫通導体、18は感光性ソルダーレジスト層であり、主にこれらで本発明の配線基板20が構成されている。さらに、19は開口、21は導体バンプ、22は電子部品であり、主に配線基板20と開口19・導体バンプ21・電子部品22とで本発明の電子部品モジュール23が構成されている。
【００６１】
この例では、配線基板20は、絶縁基板11の表裏両面に配線導体層15と絶縁層14とを交互に積層し、さらに、感光性ソルダーレジスト層18を被着形成することにより構成されている。
【００６２】
なお、上述の例では電子部品モジュールに搭載される電子部品として半導体素子の例を示したが、抵抗器・キャパシタ・圧電素子等の電子部品を搭載しても良い。さらに、電子部品の作動時に発生する熱を放散するためにスティフナー等の放熱板を配線基板に被着しても良い。
【００６３】
【実施例】
本発明の感光性ソルダーレジスト層とそれを用いた電子部品モジュールの特性を評価するために、以下のようなフィルム状の感光性ソルダーレジストとこれを用いた半導体素子を搭載した電子部品モジュールを作成した。
【００６４】
（実施例１）
アクリル変性したクレゾールノボラック型エポキシ60重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対してキレート高分子として５重量％のイミノジ酢酸型スチレン−アクリル酸メチル共重合体と、エラストマーとして20重量％のＳＥＢＳと、無機絶縁性フィラーとして10重量％の平均粒径が0.1〜２μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加・混練して得た液状ワニスを、離型フィルム上にスクリーン印刷により10μｍの均一な厚さに印刷・塗布し、80℃の温度で30分間乾燥して溶剤を除去することによりフィルム状の感光性ソルダーレジストを形成した。次にフィルム状の感光性ソルダーレジストに１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行って硬化して、その後、離型フィルムを剥離することにより、フィルム状の感光性ソルダーレジストＡを作成した。
【００６５】
このフィルム状の感光性ソルダーレジストＡの絶縁抵抗は、JIS C 6481に記載されているように、まず、フィルム状の感光性ソルダーレジストＡを挟んでその表裏表面に円形電極を形成して評価基板を作成し、これを温度が85℃で相対湿度が85％の雰囲気中に168時間放置し、さらに、表裏表面に円形電極関に500Vの電圧を１分間印加した後に測定することにより求めた。このときのフィルム状の感光性ソルダーレジストＡの絶縁抵抗は５×1011Ωであった。
【００６６】
また、フィルム状の感光性ソルダーレジストＡの不純物イオン濃度は、温度が85℃で相対湿度が85％の雰囲気中に96時間放置後、フィルム状の感光性ソルダーレジストＡを100℃の熱水でイオン抽出した後、抽出液をイオンクロマトグラフィー法を用いて測定して求めた。感光性ソルダーレジスト層Ａの不純物イオン濃度は塩素イオンが3.0ｐｐｍと、ナトリウムイオンが0.5ｐｐｍであった。
【００６７】
次に、絶縁基板および配線導体層上に、上記と同様の組成の液状ワニスを、スクリーン印刷により10μｍの均一な厚さに印刷・塗布し、80℃の温度で30分間乾燥して溶剤を除去することにより感光性ソルダーレジスト層を形成した。また、ガラスマスクを通して0.4Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射し露光を行い、しかる後、約１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することにより直径が50μｍの開口を形成し、さらに、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行うことにより感光性ソルダーレジスト層を硬化した。次に、感光性ソルダーレジスト層の開口部にニッケル・金めっきを順じ施すとともに開口に鉛−錫から成る導体ペーストを印刷後、リフロー炉を通すことにより導体バンプを形成し、そして、導体バンプに半導体素子を載せリフロー炉を通して半導体素子の各電極と導体バンプとを電気的に接続し、最後に、半導体素子と感光性ソルダーレジスト層の隙間にアンダーフィル材を注入することにより電子部品モジュールＡを作成した。
【００６８】
信頼性試験項目は、温度サイクル試験（ＴＣＴ）および高加速度試験（ＨＡＳＴ）で、ＴＣＴではクラックや剥れ等の外観と抵抗値変化率を、ＨＡＳＴではマイグレーションと絶縁抵抗値を評価した。
【００６９】
ＴＣＴは気相冷熱試験機を用い、電子部品モジュールを温度が−55℃および125℃の気相中に各30分間放置し、これを１サイクルとして1500サイクルの条件で行い、抵抗値変化率は試験前後の抵抗値を測定して計算により算出を行った。
【００７０】
ＨＡＳＴは高加速度試験器を用い、電子部品モジュールを温度が130℃で相対湿度が85％の雰囲気中、5.5Ｖの電圧を300時間印加後に、導体バンプのイオンマイグレーションと絶縁抵抗値を測定した。
【００７１】
本発明の電子部品モジュールＡは、ＴＣＴ1500サイクル後でもクラックが発生せず、抵抗値変化率も５％と低い値を示した。また、ＨＡＳＴ300時間後でも、イオンマイグレーションは発生せず、絶縁抵抗も６×1010Ωであった。
【００７２】
（実施例２）
アクリル変性したフェノールノボラック型エポキシ60重量％と、ビスフェノールＦ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対してキレート高分子として５重量％のグリシン型スチレン−アクリル酸メチル共重合体と、エラストマーとして15重量％のＳＥＢＳと、無機絶縁性フィラーとして10重量％の平均粒径が0.1〜２μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加・混合して得た液状ワニスを、離型フィルム上にスクリーン印刷により10μｍの均一な厚さに塗布・乾燥することによりフィルム状の感光性ソルダーレジストを形成し、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行って硬化して、フィルム状の感光性ソルダーレジストＢを作成した。
【００７３】
実施例１と同様の方法により測定した結果、フィルム状の感光性ソルダーレジストＢの絶縁抵抗は３×1011Ωであり、また、フィルム状の感光性ソルダーレジストＢの不純物イオン濃度は、塩素イオンが5.0ｐｐｍで、ナトリウムイオンが0.8ｐｐｍであった。
【００７４】
次に、絶縁基板および配線導体層上に、上記のフィルム状感光性ソルダーレジストＢを80℃の温度で60秒間真空ラミネートを行って被着し、さらに、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行った後に、炭酸ガスレーザーの条件を出力５Ａ、パルス幅100μｓに設定し、レーザー光を所定の径のマスクを通して、配線導体層上の感光性ソルダーレジスト層に２回／孔照射することより直径が50μｍの開口を形成した。しかる後、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行うことにより感光性ソルダーレジスト層を硬化した。また、感光性ソルダーレジスト層の開口部にニッケル・金めっきを順じ施すとともに開口に鉛−錫から成る導体ペーストを印刷後、リフロー炉を通すことにより導体バンプを形成し、そして、導体バンプに半導体素子を載せリフロー炉を通して半導体素子の各電極と導体バンプとを電気的に接続し、最後に、半導体素子と感光性ソルダーレジスト層の隙間にアンダーフィル材を注入することにより電子部品モジュールＢを作成した。
【００７５】
本発明の電子部品モジュールＢは、ＴＣＴ1500サイクル後でもクラックが発生せず、抵抗値変化率も７％と低い値を示した。また、ＨＡＳＴ300時間後でも、イオンマイグレーションが生じず、絶縁抵抗も４×1010Ωであった。
【００７６】
（比較例）
アクリル変性したクレゾールノボラック型エポキシ60重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対して30重量％の平均粒径が３〜10μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加して得た液状ワニスを、スクリーン印刷により離型フィルム上に20μｍの均一な厚さに印刷・塗布し、80℃の温度で30分間乾燥して溶剤を除去することによりフィルム状の感光性ソルダーレジストを形成し、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行って硬化して、フィルム状の感光性ソルダーレジストＣを作成した。
【００７７】
このフィルム状の感光性ソルダーレジストＣの絶縁抵抗は５×107Ωであり、また、感光性ソルダーレジスト層Ｃの不純物イオン濃度は塩素イオンが120 ｐｐｍ、ナトリウムイオンが50 ｐｐｍであった。
【００７８】
次に、絶縁基板および配線導体層上に、上記と同じ組成の液状ワニスを、スクリーン印刷より20μｍの均一な厚さに印刷・塗布し、80℃の温度で30分間乾燥して溶剤を除去することにより感光性ソルダーレジスト層を形成した。さらに、ガラスマスクを通して0.55Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射し露光を行い、しかる後、約１％炭酸ナトリウム水溶液で現像し100μｍの直径の開口を形成し、さらに、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行うことにより感光性ソルダーレジスト層を硬化した。また、感光性ソルダーレジスト層の開口部にニッケル・金めっきを順じ施すとともに開口に鉛−錫から成る導体ペーストを印刷後、リフロー炉を通すことにより導体バンプを形成し、そして、導体バンプに半導体素子を載せリフロー炉を通して半導体素子の各電極と導体バンプとを電気的に接続し、最後に、半導体素子と感光性ソルダーレジスト層の隙間にアンダーフィル材を注入することにより電子部品モジュールＣを作成した。
【００７９】
比較例の電子部品モジュールＣは、ＴＣＴ1000サイクル後でクラックが発生し、抵抗値変化率も30％まで上昇した。また、ＨＡＳＴ200時間後で、イオンマイグレーションが生じ、絶縁抵抗も３×106Ωに低下した。
【００８０】
【発明の効果】
本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、感光性樹脂組成物を含有していることから、配線導体層や絶縁層と密着性の良好なソルダーレジスト層とすることができる。また、含有するキレート高分子が陽イオンや陰イオンに配位する官能基を有することから感光性樹脂組成物中のナトリウムイオンや塩素イオン・臭素イオン等の不純物イオンを良好に捕捉するとともにキレート高分子が樹脂からなり感光性樹脂組成物との濡れ性に優れることから感光性樹脂組成物中に均一に分散し効率的に不純物イオンを捕捉でき、その結果、イオンマイグレーションの発生を抑制できる感光性ソルダーレジスト層とすることができる。さらに、キレート高分子は、その熱分解開始温度が300℃以上であることから、配線基板に電子部品を実装する際の熱履歴で分解して活性を失うこともない。また、エラストマーを含有していることから、配線基板に電子部品を実装する際や温度サイクル試験（ＴＣＴ）を行った際の熱応力をエラストマーが良好に吸収し、感光性ソルダーレジスト層にクラックが生じることはなく、その結果、配線導体層が断線することのない電気的な接続信頼性に優れるソルダーレジスト層にすることができる。さらに、平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーを含有するしていることから、感光性ソルダーレジスト層を配線基板の薄型化にともなって５〜20μｍの厚みに薄層化したとしても，無機絶縁性フィラー粒子がソルダーレジスト層の表裏両面を架橋することはなく、その結果、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層とすることができる。
【００８１】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、上記組成で温度が85℃で相対湿度が85％の環境中に168時間放置後の絶縁抵抗を1010Ω以上であるものとしたことから、高温・高湿雰囲気で使用したとしても配線導体層間を短絡させてしまったり、配線導体層を腐蝕させてしまうことのない、良好な耐湿性を有するソルダーレジスト層とすることができる。
【００８２】
さらに本発明の配線基板によれば、絶縁基板の表面に、配線導体層を被着形成するとともに、この絶縁基板の一部を覆って、上記の感光性ソルダーレジスト層を被着形成したことから、感光性ソルダーレジスト層が配線基板に電子部品を実装する際の熱から絶縁層を保護するとともに配線導体層を湿気による酸化や腐蝕から保護することができ、その結果、耐熱性・耐湿性に優れた配線基板とすることができる。
【００８３】
また、本発明の電子部品モジュールによれば、上記配線基板の感光性ソルダーレジスト層に、配線導体層を露出させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バンプを介して電子部品の電極を接続したことから、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた電子部品モジュールとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板に電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の一例を示す要部断面図である。
【図２】本発明の配線基板に電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の他の例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・絶縁基板
２・・・・・・配線導体層
３・・・・・・感光性ソルダーレジスト層
４・・・・・・配線基板
５・・・・・・開口
６・・・・・・導体バンプ
７・・・・・・電子部品
８・・・・・・電子部品モジュール
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐熱性・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュールに関するものであり、特に、実装時の熱履歴や温度サイクル試験（ＴＣＴ）に対する耐熱疲労性および高加速度試験（ＨＡＳＴ）に対する耐湿性等に優れた感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量と共に、高性能・高機能・高品質・高信頼性が要求されるようになってきており、このような電子機器に搭載される電子部品モジュールも小型・高密度化が要求されるようになってきている。このような要求に対して、近年、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスを素材とするセラミック配線基板から、より軽量化・高密度化が可能なガラス繊維とエポキシ樹脂とから成る絶縁基板の表面に低抵抗金属である銅や金等を用いて薄膜形成法により配線導体層を形成した、いわゆるプリント基板が電子部品モジュールに用いられるようになってきている。また、このプリント基板も、より高密度配線化が可能なビルドアップ配線基板へ変わりつつある。
【０００３】
このようなビルドアップ配線基板は、例えば、ガラス繊維とエポキシ樹脂とから成る絶縁基板上に、感光性樹脂液を塗布・乾燥して絶縁層を形成した後にこれに露光・現像により開口を形成し、あるいは熱硬化性樹脂から成るフィルムをラミネートし熱硬化して絶縁層を形成した後にこれにレーザで開口を穿設し、しかる後、絶縁層表面を化学粗化して無電解銅めっき法および電解銅めっき法を用いて銅膜を被着形成することにより、開口内に導体層を形成するとともに絶縁層表面に配線導体層を形成し、さらに、このような絶縁層と配線導体層の形成を繰返すことにより製作される。
【０００４】
また、配線基板の表面には、配線導体層の酸化や腐蝕の防止および配線基板に電子部品を実装する際の熱から絶縁層を保護するために厚みが20〜50μｍのソルダーレジスト層が被着形成されている。このソルダーレジスト層は、一般に配線導体層および絶縁層との密着性が良好な感光性樹脂と、可撓性を有する樹脂とから成り、熱膨張係数を絶縁層や配線導体層の熱膨張係数と整合させるために平均粒径が５〜20μｍ程度の無機絶縁性フィラーを30〜80重量％含有している。
【０００５】
さらに、この配線基板は、配線導体層上のソルダーレジスト層に露光・現像により開口を形成し、開口内の配線導体層に半田等から成る導体バンプを介して電子部品を電気的に接続することにより半導体装置等の電子部品モジュールとなる。
【０００６】
一般に、このような電子部品モジュールに用いられるソルダーレジスト層は、乾燥状態での絶縁抵抗が1011〜1013Ωである。しかしながら、このソルダーレジスト層は、一般に、含有する感光性樹脂がソルダーレジスト層に露光・現像により開口を形成する際の現像性を発現させるために水酸基やカルボキシル基を含有することから、吸水率が高く空気中の水分を徐々に吸収して、この水分がソルダーレジスト層の絶縁抵抗を108Ω以下にまで低下させてしまい配線導体層間を短絡させてしまったり、さらには、この水分が配線導体層を腐食させてしまい、その結果、配線基板の電気信頼性を劣化させてしまうという問題点を有していた。また、ソルダーレジスト層は、含有する感光性樹脂組成物がその製造の精製工程中において除去できない塩素イオン・臭素イオン等のハロゲンイオンやナトリウムイオン等のアルカリイオンなどの不純物イオンを、それぞれ20〜100ｐｐｍ、2〜200ｐｐｍ程度含有しているため、例えば、温度が130℃で相対湿度が85％の高温高湿槽中で5.5Ｖの電圧を長時間印加する高加速度試験（ＨＡＳＴ）を行うと、イオンマイグレーションにより配線導体層間の絶縁抵抗が急激に低下し絶縁破壊を起こし、その結果、電子部品モジュールを電気的に短絡させてしまうという問題点を有していた。
【０００７】
このような問題点を解決するために、ソルダーレジスト層中にアルデヒドやハイドロキノン・ヒドラジン等の還元剤を添加して不純物イオンを還元する方法や、不純物イオンと反応し難溶性金属塩を形成する含イオウ化合物を添加する方法が提案されている。しかしながら、これら還元剤や含イオウ化合物は配線基板に電子部品を実装する際の熱履歴で容易に分解して活性を失うため、不純物イオンの捕捉効果を十分に発揮することができないという問題点を有していた。
【０００８】
そこでこのような問題点を解決するために、樹脂中のナトリウムイオンや塩素イオン・臭素イオン等の不純物イオンを吸着し、イオンマイグレーションの発生を防止する、陰イオンや陽イオン・陰陽両イオンを吸着する無機イオン交換体等の微粒子からなる化学的に安定なイオン吸着剤を添加したソルダーレジスト用の感光性樹脂組成物が提案されている（特開2000-159859号公報参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記提案の感光性樹脂組成物は、樹脂成分と無機イオン交換体粒子との濡れ性が悪いために、無機イオン交換体粒子が凝集し易く、その結果、温度サイクル試験（ＴＣＴ）等の耐熱疲労性試験で発生する応力が無機イオン交換体の凝集個所に集中してクラックを発生させてしまい、その結果、配線導体層に断線が発生し、配線基板の電気的接続の信頼性を低下させてしまうという問題点を有していた。
【００１０】
また、感光性ソルダーレジスト層は、その熱膨張係数を絶縁層や配線導体層の熱膨張係数と整合させるために平均粒径が５〜20μｍの無機絶縁性フィラーを30〜80重量％含有しているが、この無機絶縁性フィラーと樹脂との界面に水分が溜り易いとともにこの界面に沿って不純物イオンが移動し易く、配線基板の薄型化にともなってソルダーレジスト層を５〜20μｍの厚みに薄層化した場合に、感光性ソルダーレジスト層の厚みよりも大きな粒径の無機絶縁性フィラーの粒子がソルダーレジスト層の表裏両面を架橋してしまい、その結果、高加速度試験（ＨＡＳＴ）を行うと、不純物イオンが無機絶縁性フィラーと樹脂との界面に沿って感光性ソルダーレジスト層の表裏両面を容易に移動し、絶縁抵抗が急激に108Ω以下に低下してしまい電気的に短絡してしまうという問題点を有していた。
【００１１】
本発明はかかる従来技術の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、ソルダーレジスト層を薄層化しても、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュールを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の感光性ソルダーレジスト層は、感光性樹脂組成物と、この感光性樹脂組成物中の不純物イオンを捕捉するキレート高分子と、可撓性を付与するエラストマーと、平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーとから成り、温度が85℃で相対湿度が85％の環境中に168時間放置後の絶縁抵抗が1010Ω以上であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層は、感光性樹脂組成物がアクリル変性エポキシ樹脂40〜80重量％と、エポキシ樹脂20〜60重量％とから成るとともに、感光性樹脂組成物に対して、キレート高分子が１〜10重量％、エラストマーが10〜40重量％および無機絶縁性フィラーが５〜20重量％含有されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の配線基板は、絶縁基板の表面に、配線導体層を被着形成するとともに、この配線導体層の一部を覆って上記の感光性ソルダーレジスト層を被着形成したことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の電子部品モジュールは、上記の配線基板の感光性ソルダーレジスト層に、配線導体層を露出させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バンプを介して電子部品の電極を接続したこと特徴とするものである。
【００１６】
本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、感光性樹脂組成物を含有していることから、配線導体層や絶縁層と密着性の良好なソルダーレジスト層とすることができる。また、含有するキレート高分子が陽イオンや陰イオンに配位する官能基を有することから感光性樹脂組成物中のナトリウムイオンや塩素イオン・臭素イオン等の不純物イオンを良好に捕捉するとともにキレート高分子が樹脂からなり感光性樹脂組成物との濡れ性に優れることから感光性樹脂組成物中に均一に分散し効率的に不純物イオンを捕捉でき、その結果、イオンマイグレーションの発生を抑制できる感光性ソルダーレジスト層とすることができる。さらに、キレート高分子は、その熱分解開始温度が300℃以上であることから、配線基板に電子部品を実装する際の熱履歴で分解して活性を失うこともない。また、エラストマーを含有していることから、配線基板に電子部品を実装する際や温度サイクル試験（ＴＣＴ）を行った際の熱応力をエラストマーが良好に吸収し、感光性ソルダーレジスト層にクラックが生じることはなく、その結果、配線導体層が断線することのない電気的な接続信頼性に優れるソルダーレジスト層にすることができる。さらに、平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーを含有するしていることから、感光性ソルダーレジスト層を配線基板の薄型化にともなって５〜20μｍの厚みに薄層化したとしても、無機絶縁性フィラー粒子がソルダーレジスト層の表裏両面を架橋することはなく、その結果、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層とすることができる。
【００１７】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、上記組成で温度が85℃で相対湿度が85％の環境中に168時間放置後の絶縁抵抗を1010Ω以上であるものととしたことから、高温・高湿雰囲気で使用したとしても配線導体層間を短絡させてしまったり、配線導体層を腐蝕させてしまうことのない、良好な耐湿性を有するソルダーレジスト層とすることができる。
【００１８】
さらに本発明の配線基板によれば、絶縁基板の表面に、配線導体層を被着形成するとともに、この絶縁基板の一部を覆って、上記の感光性ソルダーレジスト層を被着形成したことから、感光性ソルダーレジスト層が配線基板に電子部品を実装する際の熱から絶縁層を保護するとともに配線導体層を湿気による酸化や腐蝕から保護することができ、その結果、耐熱性・耐湿性に優れた配線基板とすることができる。
【００１９】
また、本発明の電子部品モジュールによれば、上記配線基板の感光性ソルダーレジスト層に、配線導体層を露出させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バンプを介して電子部品の電極を接続したことから、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた電子部品モジュールとすることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュールについて詳細に説明する。
【００２１】
本発明の感光性ソルダーレジスト層は、感光性樹脂組成物と、この感光性樹脂組成物中の不純物イオンを捕捉するキレート高分子と、可撓性を付与するエラストマーと、平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーとから構成されている。
【００２２】
感光性樹脂組成物は、アクリル変性エポキシ樹脂40〜80重量％とエポキシ樹脂20〜60重量％とから成つている。アクリル変性エポキシ樹脂はカルボン酸や水酸基を有することから配線導体層および絶縁層との密着性を良好とする機能を有し、また、エポキシ樹脂は感光性ソルダーレジスト層の架橋密度を高くし、熱による樹脂の分子切断および樹脂中への水分の浸入を抑制する機能を有する。
【００２３】
アクリル変性エポキシ樹脂は、後述する感光性ソルダーレジスト層に露光・現像により開口を形成する際に樹脂残りやアンダーカットを生じ難くするという観点からは40重量％以上とすることが好ましく、めっき液等の耐薬品性に優れるという観点からは80重量％以下とすることが好ましい。従って、アクリル変性エポキシ樹脂の含有量は40〜80重量％の範囲にすることが好ましい。また、エポキシ樹脂は、その含有量が20重量％より少ないとソルダーレジスト層の架橋密度が低くなり、耐熱性・耐薬品性が低下してしまう傾向があり、60重量％を超えるとソルダーレジスト層の架橋密度が高くなり可撓性が低下して、クラックが発生し易くなる傾向がある。従って、エポキシ樹脂の含有量は40〜80重量％の範囲にすることが好ましい。
【００２４】
このようなアクリル変性エポキシ樹脂としては、アクリル化クレゾールノボラック型エポキシ樹脂やアクリル化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の感光性樹脂が用いられ、露光・現像性の観点からは分子量が数百〜数千程度のものが好ましい。また、エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられ、耐熱性・耐薬品性の観点からは分子量が数百程度のものが好ましい。さらに、感光性樹脂組成物には露光・現像を促進するためにα-アミノケトン系の光重合開始剤とベンゾフェノン系の光増感剤を添加しても良い。
【００２５】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層は、カルボン酸やアミノ基・水酸基等の官能基を有するキレート高分子を含有している。このようなキレート高分子は陽イオンや陰イオンに配位する官能基を有することから感光性樹脂組成物中のナトリウムイオンや塩素イオン・臭素イオン等の不純物イオンを良好に捕捉するとともにキレート高分子が樹脂からなり感光性樹脂組成物との濡れ性に優れることから感光性樹脂組成物中に均一に分散し効率的に不純物イオンを捕捉でき、その結果、イオンマイグレーションの発生を抑制できる感光性ソルダーレジスト層とすることができる。さらに、キレート高分子は、その熱分解開始温度が300℃以上であることから、配線基板に電子部品を実装する際の熱履歴で分解して活性を失うこともない。
【００２６】
キレート高分子の含有量は、感光性樹脂組成物100重量％に対してイオン不純物を効率良く捕捉する観点からは１重量％以上とすることが好ましく、また、分散不良による外観不良を防止するという観点からは10重量％以下とすることが好ましい。従って、キレート高分子の含有量は１〜10重量％の範囲にすることが好ましい。
【００２７】
このようなキレート高分子としては、イミノジ酢酸型スチレン−アクリル酸メチル共重合体やザルコシン型スチレン−アクリル酸メチル共重合体、エタノールアミンスチレン−アクリル酸メチル共重合体、グリシン型スチレン−アクリル酸メチル共重合体、ビニルピリジン−メタクリル酸メチル等が用いられる。なお、感光性樹脂組成物にキレート高分子をより均一に分散させるために、キレート高分子をエポキシ変性させて感光性樹脂組成物と共架橋させても良い。
【００２８】
さらに、本発明の感光性ソルダーレジスト層は、感光性樹脂組成物100重量％に対してエラストマーを10〜40重量％含有している。エラストマーは、配線基板に電子部品を実装する際や温度サイクル試験（ＴＣＴ）を行った際に発生する熱応力を吸収し、感光性ソルダーレジスト層のクラックを防止する機能を有する。
【００２９】
エラストマーの含有量は、感光性ソルダーレジスト層の可撓性を考慮すると10重量％以上とすることが好ましく、また、耐熱性・耐湿性に影響する架橋密度を考慮すると40重量％以下とすることが好ましい。従って、エラストマー含有量は10〜40重量％の範囲にすることが好ましい。
【００３０】
このようなエラストマーとしては、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレントリブロックポリマー（ＳＥＢＳ）やスチレン−エチレン−イソプレン−スチレントリブロックポリマー（ＳＥＰＳ）、ポリエーテル−ポリエステルマルチブロックポリマー、水素添加アクリロニトリル−ブタジエンゴム（ＨＮＢＲ）等が用いられる。
【００３１】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層は平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーを含有している。この無機絶縁性フィラーは感光性ソルダーレジスト層の強度を高めるとともに感光性ソルダーレジスト層の熱膨張係数と絶縁層や配線導体層の熱膨張係数とを整合させる機能を有する。さらに、無機絶縁性フィラーの平均粒径を0.1〜２μｍとしたことから、感光性ソルダーレジスト層を配線基板の薄型化にともなって５〜20μｍの厚みに薄層化したとしても，無機絶縁性フィラー粒子がソルダーレジスト層の表裏両面を架橋することはなく、その結果、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層とすることができる。
【００３２】
無機絶縁性フィラーは，その平均粒径が0.1μｍより小さいと嵩密度が大きくなり感光性ソルダーレジスト層の成形時の粘度が上昇し厚みの制御が困難となる傾向にあり、また、平均粒径が２μｍを超えると感光性ソルダーレジスト層を15μｍ程度の厚みに薄層化した時に、無機絶縁性フィラー粒子が複数個連なってソルダーレジスト層の表裏両面を架橋してしまい、無機絶縁性フィラーと樹脂との界面に沿ってイオンマイグレーションが発生しソルダーレジスト層の絶縁抵抗を低下させてしまい易くなる傾向にある。従って、無機絶縁性フィラーの平均粒径は0.1〜２μｍの範囲にすることが好ましい。
【００３３】
無機絶縁性フィラーの含有量は、感光性ソルダーレジスト層の形成時の平坦性を確保する観点からは５重量％以上とすることが好ましく、露光・現像により開口を形成する際に無機絶縁性フィラー残りを生じ難くするという観点からは20重量％以下とすることが好ましい。従って、無機絶縁性フィラー含有量は感光性樹脂組成物100重量％に対して５〜20重量％の範囲にすることが好ましい。
【００３４】
このような無機絶縁性フィラーとしては、酸化珪素や酸化アルミニウム・窒化アルミニウム・炭化珪素・チタン酸カルシウム・酸化チタン・ゼオライト等の無機絶縁性粒子が用いられ、熱膨張係数の制御の観点から酸化珪素が好ましい。さらに、樹脂との濡れ性を良くするためにシランカップリング剤等で処理を行って用いても良い。
【００３５】
さらに、本発明の感光性ソルダーレジスト層は、上記組成で温度が85℃で相対湿度が85％の環境中に168時間放置後の絶縁抵抗を1010Ω以上であるものとしたことから、高温・高湿雰囲気で使用したとしても配線導体層間を短絡させてしまったり、配線導体層を腐蝕させてしまうことのない、良好な耐湿性を有するソルダーレジスト層とすることができる。
【００３６】
なお、ここで感光性ソルダーレジスト層の絶縁抵抗は、JIS C 6481に記載されている測定方法を用いて測定した。
【００３７】
このような感光性ソルダーレジスト層は、例えば、アクリル変性エポキシ樹脂としてアクリル変性したクレゾールノボラック型エポキシ60重量％と、エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対してキレート高分子として５重量％のイミノジ酢酸型スチレン−アクリル酸メチル共重合体と、エラストマーとして20重量％のＳＥＢＳと、無機絶縁性フィラーとして10重量％の平均粒径が0.1〜２μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加して混練することにより液状ワニスを作成し、これをスクリーン印刷法またはロールコート法を採用することにより所定の絶縁基板上に均一に塗布することにより被着し、さらに乾燥して有機溶剤を除去した後、ＵＶ硬化と熱硬化をすることにより形成される。また、感光性ソルダーレジスト層は液状ワニスを離型フィルム上に塗布して乾燥させたフィルム状感光性ソルダーレジストとして用いても良く、この場合、フィルム状感光性ソルダーレジストは、真空ラミネータを用いることにより絶縁層および配線導体層上に被着される。
【００３８】
かくして本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションのない、耐熱性・耐湿性に優れたソルダーレジスト層とすることができる。
【００３９】
なお、本発明の感光性ソルダーレジスト層は上記の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上記の感光性ソルダーレジスト層に外観検査を容易にするためにフタロシアニングリーン等の有機色素や成形性をより向上させるために高級脂肪酸エステル等の滑剤を含有させることも可能である。
【００４０】
次に、本発明の感光性ソルダーレジスト層を用いた配線基板および電子部品モジュールを添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００４１】
図１は、本発明の感光性ソルダーレジスト層を用いた配線基板に半導体素子等の電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の一例を示す要部断面図である。この図において１は絶縁基板、２は配線導体層、３は感光性ソルダーレジスト層で主にこれらで本発明の配線基板４が構成される。また、５は開口、６は導体バンプ、７は電子部品で主に配線基板４と開口５・導体バンプ６・電子部品７とで本発明の電子部品モジュール８が構成される。なお、本例では絶縁基板１の両面に被着形成した配線導体層２を貫通孔９に穿設した貫通導体10により電気的に接続した例を示している。
【００４２】
絶縁基板１は、ガラスクロス−エポキシ樹脂やガラスクロス−ビスマレイミドトリアジン樹脂、ガラスクロス−ポリフェニレンエーテル、アラミド繊維−エポキシ樹脂等からなり、配線導体層２およびソルダーレジスト層３の支持体として機能する。
【００４３】
また、絶縁基板１の表裏両面には、銅やニッケル・アルミニウム等の金属薄膜から成る配線導体層２が被着形成されている。
【００４４】
配線導体層２は、電子部品７の電気信号を外部電気回路基板（図示せず）に電気的に接続し伝達する導電路として機能し、絶縁基板１の表面側の部位には電子部品７の各電極が導体バンプ６を介して電気的に接続され、裏側の部位には外部電気回路基板の配線導体が半田等の導体バンプ６を介して配線基板４の配線導体層２と電気的に接続される。
【００４５】
このような配線導体層２は、例えば絶縁基板１上に接着材を介して銅から成る金属箔を被着し、その上にドライフィルムレジストでパターン加工を施した後に、配線導体層２となる部分以外の箇所をエッチングして除去することにより形成される。
【００４６】
なお、配線導体層２の厚みは、高速の電気信号を伝達させるという観点からは３μｍ以上であることが好ましく、また、配線導体層２を絶縁基板１に被着形成させる際に配線導体層２に大きな応力を残留させず、配線導体層２を絶縁基板１より剥離させ難くするという観点からは50μｍ以下とすることが好ましい。従って、配線導体層２の厚みは、３〜50μｍの範囲にすることが好ましい。
【００４７】
また、絶縁基板１の表面には、配線導体層２の一部を覆って、感光性ソルダーレジスト層３が被着形成されている。
【００４８】
感光性ソルダーレジスト層３は、配線基板４に電子部品９を実装する際の熱から絶縁基板１を保護するとともに、配線導体層２を湿気による酸化や腐蝕から保護する機能を有する。また、感光性ソルダーレジスト層３は、不純物イオンを良好に捕捉するキレート高分子を含有しているのでイオンマイグレーションの発生を抑制する。さらに、含有する無機絶縁性フィラーの平均粒径を0.1〜２μｍとしたことから感光性ソルダーレジスト層を５〜20μｍに薄層化したとしても無機絶縁性フィラーがソルダーレジスト層の表裏両面を架橋することはなく、その結果、不純物イオンの移動を抑制でき絶縁抵抗が低下するのを防止できる。また、可撓性に優れるエラストマーを含有しているのでＴＣＴを行った際の熱応力によるクラックの発生を防止することも可能となる。
【００４９】
このような感光性ソルダーレジスト層３は、絶縁基板１および配線導体層２上に、例えば、アクリル変性したクレゾールノボラック型エポキシ60重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対してキレート高分子として５重量％のイミノジ酢酸型スチレン−アクリル酸メチル共重合体と、エラストマーとして20重量％のＳＥＢＳと、無機絶縁性フィラーとして10重量％の平均粒径が0.1〜２μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加して昆練することにより液状ワニスを作成し、これをスクリーン印刷またはロールコートにより５〜20μｍの厚みに被着形成し、60〜80℃の温度で数十分間乾燥して有機溶剤を除去した後、ＵＶ照射と加熱処理して硬化することによって形成される。
【００５０】
かくして、本発明の配線基板４は、絶縁基板１の表面に、配線導体層２を被着形成するとともに、この絶縁基板１の一部を覆って、感光性ソルダーレジスト層３を被着形成したことから、感光性ソルダーレジスト層３が配線基板１に電子部品７を実装する際の熱から絶縁層１を保護するとともに配線導体層２を湿気による酸化や腐蝕から保護することができ、その結果、耐熱性・耐湿性に優れた配線基板４となる。
【００５１】
また、本発明の電子部品モジュール８は、感光性ソルダーレジスト層３に配線導体層２を露出させる開口５を設けて、開口５内の配線導体層２に導体バンプ６を介して電子部品７の電極を接続することによって形成される。
【００５２】
開口５は、絶縁基板１および配線導体層２上に、感光性ソルダーレジスト層３を被着し乾燥した後に、ガラスマスクを通して0.3〜0.5Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射して露光を行い、約１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することにより形成される。なお、感光性ソルダーレジスト層３は１〜３Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150〜180℃の温度で１〜３時間加熱することにより硬化される。また、開口５は感光性ソルダーレジスト層３をＵＶ照射と加熱処理して硬化した後に、炭酸ガスレーザの条件を出力５〜７Ａ、パルス幅10〜100μｓに設定し、レーザ光を所定の径のマスクを通して、配線導体層上の感光性ソルダーレジスト層３に１〜３回／孔照射することより形成することもできる。
【００５３】
このような開口５は、その径が通常30〜300μｍであり、径が300μｍより大きいと配線導体層２のピッチが大きなものととなり配線基板４が大きなものとなる傾向があり、また、30μｍより小さいと電気的な接続信頼性が低下する傾向がある。従って、開口５の径は30〜300μｍの大きさにすることが好ましい。
【００５４】
なお、通常であれば、開口４に露出する配線導体層２には、配線導体層２の酸化腐蝕の防止と導体バンプ６との接続を良好にするために配線導体層２の露出する表面にニッケル・金等の良導電性で耐腐蝕性に優れた金属をめっき法により１〜20μｍの厚さに被着することが好ましい。
【００５５】
また、開口５内の配線導体層２の露出する表面には、導体バンプ６が固着形成されている。導体バンプ６は、配線導体層２と電子部品７とを電気的および機械的に接続する機能を有する。
【００５６】
このような導体バンプ６は、金や鉛−錫、錫−亜鉛、錫−銀−ビスマス等の導電性材料から成り、例えば、導電性材料が鉛−錫から成る場合、このペーストを開口５内にスクリーン印刷法で印刷あるいは鉛−錫から成る金属ボールを開口５内に載置した後、リフロー炉を通すことにより開口５内に半円状に固着形成される。
【００５７】
さらに、電子部品７を導体バンプ６に載置し、リフロー炉を通し配線導体層２と電子部品７との各電極とを電気的に接続することにより、本発明の電子部品モジュール８となる。なお、導体バンプ６の保護と電子部品７と配線基板４とを強固に固着するために、電子部品７と配線基板４表層との間に、熱硬化性樹脂とフィラーとから成るアンダーフィル材を注入しても良い。
【００５８】
かくして、本発明の電子部品モジュール８は、イオンマイグレーションの発生を抑制でき、耐湿性に優れる上記の感光性ソルダーレジスト層３に、配線導体層２を露出させる開口５を設けて、この開口５内の配線導体層２に導体バンプ６を介して電子部品７の電極を接続したことことから、感光性ソルダーレジスト層２を５〜20μｍの厚みに薄膜化しても高加速度試験（ＨＡＳＴ）後の絶縁抵抗が1010Ω以上とすることができ、その結果、耐熱性・耐湿性に優れた電子部品モジュール８とすることができる。
【００５９】
なお、本発明の電子部品モジュールは、上記の実施例に限定されるものでなく、例えば、配線基板として絶縁基板上に配線導体層と絶縁層を交互に積層したビルドアップ基板を用いても良い。
【００６０】
図２はこのようなビルドアップ基板に電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の一例を示す要部断面図であり、この図において11は絶縁基板、12はスルーホール、13はスルーホール導体、14は絶縁層、15は配線導体層、16は貫通孔、17は貫通導体、18は感光性ソルダーレジスト層であり、主にこれらで本発明の配線基板20が構成されている。さらに、19は開口、21は導体バンプ、22は電子部品であり、主に配線基板20と開口19・導体バンプ21・電子部品22とで本発明の電子部品モジュール23が構成されている。
【００６１】
この例では、配線基板20は、絶縁基板11の表裏両面に配線導体層15と絶縁層14とを交互に積層し、さらに、感光性ソルダーレジスト層18を被着形成することにより構成されている。
【００６２】
なお、上述の例では電子部品モジュールに搭載される電子部品として半導体素子の例を示したが、抵抗器・キャパシタ・圧電素子等の電子部品を搭載しても良い。さらに、電子部品の作動時に発生する熱を放散するためにスティフナー等の放熱板を配線基板に被着しても良い。
【００６３】
【実施例】
本発明の感光性ソルダーレジスト層とそれを用いた電子部品モジュールの特性を評価するために、以下のようなフィルム状の感光性ソルダーレジストとこれを用いた半導体素子を搭載した電子部品モジュールを作成した。
【００６４】
（実施例１）
アクリル変性したクレゾールノボラック型エポキシ60重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対してキレート高分子として５重量％のイミノジ酢酸型スチレン−アクリル酸メチル共重合体と、エラストマーとして20重量％のＳＥＢＳと、無機絶縁性フィラーとして10重量％の平均粒径が0.1〜２μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加・混練して得た液状ワニスを、離型フィルム上にスクリーン印刷により10μｍの均一な厚さに印刷・塗布し、80℃の温度で30分間乾燥して溶剤を除去することによりフィルム状の感光性ソルダーレジストを形成した。次にフィルム状の感光性ソルダーレジストに１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行って硬化して、その後、離型フィルムを剥離することにより、フィルム状の感光性ソルダーレジストＡを作成した。
【００６５】
このフィルム状の感光性ソルダーレジストＡの絶縁抵抗は、JIS C 6481に記載されているように、まず、フィルム状の感光性ソルダーレジストＡを挟んでその表裏表面に円形電極を形成して評価基板を作成し、これを温度が85℃で相対湿度が85％の雰囲気中に168時間放置し、さらに、表裏表面に円形電極関に500Vの電圧を１分間印加した後に測定することにより求めた。このときのフィルム状の感光性ソルダーレジストＡの絶縁抵抗は５×1011Ωであった。
【００６６】
また、フィルム状の感光性ソルダーレジストＡの不純物イオン濃度は、温度が85℃で相対湿度が85％の雰囲気中に96時間放置後、フィルム状の感光性ソルダーレジストＡを100℃の熱水でイオン抽出した後、抽出液をイオンクロマトグラフィー法を用いて測定して求めた。感光性ソルダーレジスト層Ａの不純物イオン濃度は塩素イオンが3.0ｐｐｍと、ナトリウムイオンが0.5ｐｐｍであった。
【００６７】
次に、絶縁基板および配線導体層上に、上記と同様の組成の液状ワニスを、スクリーン印刷により10μｍの均一な厚さに印刷・塗布し、80℃の温度で30分間乾燥して溶剤を除去することにより感光性ソルダーレジスト層を形成した。また、ガラスマスクを通して0.4Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射し露光を行い、しかる後、約１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することにより直径が50μｍの開口を形成し、さらに、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行うことにより感光性ソルダーレジスト層を硬化した。次に、感光性ソルダーレジスト層の開口部にニッケル・金めっきを順じ施すとともに開口に鉛−錫から成る導体ペーストを印刷後、リフロー炉を通すことにより導体バンプを形成し、そして、導体バンプに半導体素子を載せリフロー炉を通して半導体素子の各電極と導体バンプとを電気的に接続し、最後に、半導体素子と感光性ソルダーレジスト層の隙間にアンダーフィル材を注入することにより電子部品モジュールＡを作成した。
【００６８】
信頼性試験項目は、温度サイクル試験（ＴＣＴ）および高加速度試験（ＨＡＳＴ）で、ＴＣＴではクラックや剥れ等の外観と抵抗値変化率を、ＨＡＳＴではマイグレーションと絶縁抵抗値を評価した。
【００６９】
ＴＣＴは気相冷熱試験機を用い、電子部品モジュールを温度が−55℃および125℃の気相中に各30分間放置し、これを１サイクルとして1500サイクルの条件で行い、抵抗値変化率は試験前後の抵抗値を測定して計算により算出を行った。
【００７０】
ＨＡＳＴは高加速度試験器を用い、電子部品モジュールを温度が130℃で相対湿度が85％の雰囲気中、5.5Ｖの電圧を300時間印加後に、導体バンプのイオンマイグレーションと絶縁抵抗値を測定した。
【００７１】
本発明の電子部品モジュールＡは、ＴＣＴ1500サイクル後でもクラックが発生せず、抵抗値変化率も５％と低い値を示した。また、ＨＡＳＴ300時間後でも、イオンマイグレーションは発生せず、絶縁抵抗も６×1010Ωであった。
【００７２】
（実施例２）
アクリル変性したフェノールノボラック型エポキシ60重量％と、ビスフェノールＦ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対してキレート高分子として５重量％のグリシン型スチレン−アクリル酸メチル共重合体と、エラストマーとして15重量％のＳＥＢＳと、無機絶縁性フィラーとして10重量％の平均粒径が0.1〜２μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加・混合して得た液状ワニスを、離型フィルム上にスクリーン印刷により10μｍの均一な厚さに塗布・乾燥することによりフィルム状の感光性ソルダーレジストを形成し、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行って硬化して、フィルム状の感光性ソルダーレジストＢを作成した。
【００７３】
実施例１と同様の方法により測定した結果、フィルム状の感光性ソルダーレジストＢの絶縁抵抗は３×1011Ωであり、また、フィルム状の感光性ソルダーレジストＢの不純物イオン濃度は、塩素イオンが5.0ｐｐｍで、ナトリウムイオンが0.8ｐｐｍであった。
【００７４】
次に、絶縁基板および配線導体層上に、上記のフィルム状感光性ソルダーレジストＢを80℃の温度で60秒間真空ラミネートを行って被着し、さらに、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行った後に、炭酸ガスレーザーの条件を出力５Ａ、パルス幅100μｓに設定し、レーザー光を所定の径のマスクを通して、配線導体層上の感光性ソルダーレジスト層に２回／孔照射することより直径が50μｍの開口を形成した。しかる後、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行うことにより感光性ソルダーレジスト層を硬化した。また、感光性ソルダーレジスト層の開口部にニッケル・金めっきを順じ施すとともに開口に鉛−錫から成る導体ペーストを印刷後、リフロー炉を通すことにより導体バンプを形成し、そして、導体バンプに半導体素子を載せリフロー炉を通して半導体素子の各電極と導体バンプとを電気的に接続し、最後に、半導体素子と感光性ソルダーレジスト層の隙間にアンダーフィル材を注入することにより電子部品モジュールＢを作成した。
【００７５】
本発明の電子部品モジュールＢは、ＴＣＴ1500サイクル後でもクラックが発生せず、抵抗値変化率も７％と低い値を示した。また、ＨＡＳＴ300時間後でも、イオンマイグレーションが生じず、絶縁抵抗も４×1010Ωであった。
【００７６】
（比較例）
アクリル変性したクレゾールノボラック型エポキシ60重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ40重量％とから成る感光性樹脂組成物に、これに対して30重量％の平均粒径が３〜10μｍの範囲の酸化珪素と有機溶剤とを添加して得た液状ワニスを、スクリーン印刷により離型フィルム上に20μｍの均一な厚さに印刷・塗布し、80℃の温度で30分間乾燥して溶剤を除去することによりフィルム状の感光性ソルダーレジストを形成し、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行って硬化して、フィルム状の感光性ソルダーレジストＣを作成した。
【００７７】
このフィルム状の感光性ソルダーレジストＣの絶縁抵抗は５×107Ωであり、また、感光性ソルダーレジスト層Ｃの不純物イオン濃度は塩素イオンが120 ｐｐｍ、ナトリウムイオンが50 ｐｐｍであった。
【００７８】
次に、絶縁基板および配線導体層上に、上記と同じ組成の液状ワニスを、スクリーン印刷より20μｍの均一な厚さに印刷・塗布し、80℃の温度で30分間乾燥して溶剤を除去することにより感光性ソルダーレジスト層を形成した。さらに、ガラスマスクを通して0.55Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射し露光を行い、しかる後、約１％炭酸ナトリウム水溶液で現像し100μｍの直径の開口を形成し、さらに、１Ｊ／ｃｍ2のエネルギー量のＵＶ光を照射するとともに150℃の温度で１時間加熱処理を行うことにより感光性ソルダーレジスト層を硬化した。また、感光性ソルダーレジスト層の開口部にニッケル・金めっきを順じ施すとともに開口に鉛−錫から成る導体ペーストを印刷後、リフロー炉を通すことにより導体バンプを形成し、そして、導体バンプに半導体素子を載せリフロー炉を通して半導体素子の各電極と導体バンプとを電気的に接続し、最後に、半導体素子と感光性ソルダーレジスト層の隙間にアンダーフィル材を注入することにより電子部品モジュールＣを作成した。
【００７９】
比較例の電子部品モジュールＣは、ＴＣＴ1000サイクル後でクラックが発生し、抵抗値変化率も30％まで上昇した。また、ＨＡＳＴ200時間後で、イオンマイグレーションが生じ、絶縁抵抗も３×106Ωに低下した。
【００８０】
【発明の効果】
本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、感光性樹脂組成物を含有していることから、配線導体層や絶縁層と密着性の良好なソルダーレジスト層とすることができる。また、含有するキレート高分子が陽イオンや陰イオンに配位する官能基を有することから感光性樹脂組成物中のナトリウムイオンや塩素イオン・臭素イオン等の不純物イオンを良好に捕捉するとともにキレート高分子が樹脂からなり感光性樹脂組成物との濡れ性に優れることから感光性樹脂組成物中に均一に分散し効率的に不純物イオンを捕捉でき、その結果、イオンマイグレーションの発生を抑制できる感光性ソルダーレジスト層とすることができる。さらに、キレート高分子は、その熱分解開始温度が300℃以上であることから、配線基板に電子部品を実装する際の熱履歴で分解して活性を失うこともない。また、エラストマーを含有していることから、配線基板に電子部品を実装する際や温度サイクル試験（ＴＣＴ）を行った際の熱応力をエラストマーが良好に吸収し、感光性ソルダーレジスト層にクラックが生じることはなく、その結果、配線導体層が断線することのない電気的な接続信頼性に優れるソルダーレジスト層にすることができる。さらに、平均粒径が0.1〜２μｍの無機絶縁性フィラーを含有するしていることから、感光性ソルダーレジスト層を配線基板の薄型化にともなって５〜20μｍの厚みに薄層化したとしても，無機絶縁性フィラー粒子がソルダーレジスト層の表裏両面を架橋することはなく、その結果、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた感光性ソルダーレジスト層とすることができる。
【００８１】
また、本発明の感光性ソルダーレジスト層によれば、上記組成で温度が85℃で相対湿度が85％の環境中に168時間放置後の絶縁抵抗を1010Ω以上であるものとしたことから、高温・高湿雰囲気で使用したとしても配線導体層間を短絡させてしまったり、配線導体層を腐蝕させてしまうことのない、良好な耐湿性を有するソルダーレジスト層とすることができる。
【００８２】
さらに本発明の配線基板によれば、絶縁基板の表面に、配線導体層を被着形成するとともに、この絶縁基板の一部を覆って、上記の感光性ソルダーレジスト層を被着形成したことから、感光性ソルダーレジスト層が配線基板に電子部品を実装する際の熱から絶縁層を保護するとともに配線導体層を湿気による酸化や腐蝕から保護することができ、その結果、耐熱性・耐湿性に優れた配線基板とすることができる。
【００８３】
また、本発明の電子部品モジュールによれば、上記配線基板の感光性ソルダーレジスト層に、配線導体層を露出させる開口を設けて、この開口内の配線導体層に導体バンプを介して電子部品の電極を接続したことから、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱・耐湿性に優れた電子部品モジュールとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板に電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の一例を示す要部断面図である。
【図２】本発明の配線基板に電子部品を搭載して成る電子部品モジュールの実施の形態の他の例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・絶縁基板
２・・・・・・配線導体層
３・・・・・・感光性ソルダーレジスト層
４・・・・・・配線基板
５・・・・・・開口
６・・・・・・導体バンプ
７・・・・・・電子部品
８・・・・・・電子部品モジュール
Claims (3)
- 感光性樹脂組成物と、該感光性樹脂組成物中の不純物イオンを捕捉するキレート高分子と、可撓性を付与するエラストマーと、平均粒径が０．１〜２μｍの無機絶縁性フィラーとから成り、温度が８５℃で相対湿度が８５％の環境中に１６８時間放置後の絶縁抵抗が１０10Ω以上である感光性ソルダーレジスト層であって、
前記感光性樹脂組成物がアクリル変性エポキシ樹脂４０〜８０重量％と、エポキシ樹脂２０〜６０重量％とから成るとともに、前記感光性樹脂組成物に対して、前記キレート高分子が１〜１０重量％、前記エラストマーが１０〜４０重量％および前記無機絶縁性フィラーが５〜２０重量％含有されていることを特徴とする感光性ソルダーレジスト層。 - 絶縁基板の表面に、配線導体層を被着形成するとともに、該配線導体層の一部を覆って請求項１記載の感光性ソルダーレジスト層を被着形成したことを特徴とする配線基板。
- 請求項２記載の配線基板の前記感光性ソルダーレジスト層に、前記配線導体層を露出させる開口を設けて、該開口内の配線導体層に導体バンプを介して電子部品の電極を接続したこと特徴とする電子部品モジュール。
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