JP2005285862A - 配線基板 - Google Patents
配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005285862A JP2005285862A JP2004093849A JP2004093849A JP2005285862A JP 2005285862 A JP2005285862 A JP 2005285862A JP 2004093849 A JP2004093849 A JP 2004093849A JP 2004093849 A JP2004093849 A JP 2004093849A JP 2005285862 A JP2005285862 A JP 2005285862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- epoxy resin
- wiring
- insulating
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【課題】 有機材料から成る絶縁層を用いた配線基板において、特に高温高湿環境下に長時間曝された直後に急激に熱が加わった場合に絶縁不良が発生し易くなるという危険性を有していた。
【解決手段】 絶縁層2は、エポキシ樹脂と、粗化液に溶解する重量平均分子量が10000乃至500000の熱可塑性樹脂と、ガラス転移温度が−60乃至−20℃のエラストマと、無機絶縁粉末とを含有し、破断伸びが5乃至20%であり、直径が0.1乃至6μmで深さが0.1乃至5μmの凹部を表面に100μm2当たり1乃至9個有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 絶縁層2は、エポキシ樹脂と、粗化液に溶解する重量平均分子量が10000乃至500000の熱可塑性樹脂と、ガラス転移温度が−60乃至−20℃のエラストマと、無機絶縁粉末とを含有し、破断伸びが5乃至20%であり、直径が0.1乃至6μmで深さが0.1乃至5μmの凹部を表面に100μm2当たり1乃至9個有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、各種AV機器や家電機器,通信機器,コンピュータやその周辺機器等の電子機器に使用される配線基板に関し、特に熱可塑性樹脂とエラストマを絶縁層の一部に用いた配線基板に関する。
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型、薄型、軽量、高性能、高品質、高信頼性が要求されており、このような電子機器に搭載される半導体集積回路素子等の電子部品も小型、高密度化が要求されるようになってきている。そして、このような高密度化の要求に応えるために、電子部品を搭載する配線基板も、高密度配線化や薄型化が必要となってきている。
従来、高密度配線が可能な配線基板としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁基板上に有機樹脂から成る絶縁層を形成した後、この絶縁層を貫通する貫通孔を穿設し、さらに、無電解めっきおよび電解めっきを順次施すことにより絶縁層の表面に配線導体および貫通孔内部に貫通導体を形成するビルドアップ工法により製作される配線基板が知られている。
このビルドアップ工法により製作される配線基板は、良好な耐熱性、耐熱疲労性等の高信頼性を得るために、絶縁層とその表面にめっきにより形成される配線導体との良好な密着性が重要となっている。
このように、絶縁層と配線導体との間で良好な密着性を得るために、特許文献1では絶縁層の表面を粗化して絶縁層と配線導体との接着面積を増加させることが提案されており、さらに、より良好な密着性を得るために、絶縁層の表面を最大粗さRmaxが0.5乃至10μmの粗化面にすることが提案されている。
このような絶縁層の表面の粗化は、一般には、酸化剤から成る粗化液により絶縁層表面の一部を溶解して除去する方法により行なわれている。ところが、一成分あるいは粗化液に対して耐粗化性の均一な複数の成分から構成されている絶縁層はその表面が比較的均一に粗化されてしまい、絶縁層と配線導体との間で十分な密着強度を有する粗化面を得ることが困難であるという問題点を有していた。
このような問題点を解決するために、耐粗化性の異なる複数の成分を混合した有機樹脂を用いて絶縁層を形成し、この絶縁層から粗化の容易な成分を選択的に除去することにより、絶縁層の表面に配線導体との密着性が良好な粗化面を形成する方法が提案されている。
このような方法としては、例えば、主成分に耐粗化性のエポキシ樹脂を用い、これに粗化液によって粗化され易いアクリロニトリルブタジエンゴムを配合した絶縁層を用いる方法(特許文献2)や、主成分のエポキシ樹脂にエポキシ当量の異なる、すなわち、架橋密度が低く比較的耐粗化性の低いエポキシ樹脂を混合した絶縁層を用いる方法(特許文献3)等が提案されている。
特許第2826206号公報
特開平9−121086号公報
特開平7−331217号公報
しかしながら、絶縁層の表面に密着性の良好な粗化面を形成する方法として、絶縁層の主成分として耐粗化性の良好なエポキシ樹脂を用い、これに粗化液によって粗化され易いアクリロニトリルブタジエンゴムを配合する方法や、主成分のエポキシ樹脂にエポキシ当量の異なる、すなわち、架橋密度が低く比較的耐粗化性の低いエポキシ樹脂を混合する方法では、粗化液が絶縁層の表面だけではなく内部にまで浸入してしまい、絶縁層内部のアクリロニトリルブタジエンゴムや架橋密度の低いエポキシ樹脂の一部をも溶出してしまい、その結果、絶縁層表面において粗化面の凹凸の凹みが極端に深いものや隣接する凹み同士が絶縁層内部でつながってしまったものが形成されてしまい、絶縁層を挟んで上下に位置する配線導体間で十分な間隔を確保することができず、高温高湿環境下に曝された場合に、配線導体間でマイグレーションが生じて配線導体同士が電気的に短絡し易くなるとともに、絶縁層の表面の凹凸が大きいことにより絶縁層の表面の機械的な強度が低下してしまい、この機械的な強度が低い絶縁層の表面とともに配線導体が剥離して断線してしまう危険性が大きかった。さらに、特に配線基板が高温高湿環境下に長時間曝された直後に急激に熱が加わった場合には、絶縁層と配線導体との界面を起点として絶縁層内部に進展するクラックが生じ易く、その結果、絶縁層を挟んで上下に位置する配線導体間で絶縁性が大きく低下してしまうという危険性があった。
したがって、本発明はかかる従来技術の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、高温高湿環境下において配線導体間にマイグレーションが発生したり、あるいは配線導体が絶縁層の粗化された表面とともに剥離したり、さらには高温高湿環境下に長時間曝された直後に急激に熱が加わった場合においても絶縁層と配線導体との間にクラックが発生することがなく、絶縁層と配線導体とが強固に接合され、配線導体の導通信頼性や絶縁層の絶縁信頼性に優れた配線基板を提供することにある。
本発明の配線基板は、エポキシ樹脂と、粗化液に溶解する重量平均分子量が10000乃至500000の熱可塑性樹脂と、ガラス転移温度が−60乃至−20℃のエラストマと、無機絶縁粉末とを含有しており、破断伸びが5乃至20%であり、直径が0.1乃至6μmで深さが0.1乃至5μmの凹部を表面に100μm2当たり1乃至9個有する絶縁層と、配線導体層とが交互に複数層積層されているとともに、前記絶縁層を挟んで上下に位置する前記配線導体層同士が前記絶縁層に設けられた貫通導体により電気的に接続されていることを特徴とするものである。
また、本発明の配線基板は、上記構成において好ましくは、エポキシ樹脂が官能基を3個以上有する多官能エポキシ樹脂を20乃至80質量%、官能基を2個有する2官能エポキシ樹脂を80乃至20質量%含んでいることを特徴とするものである。
さらに、本発明の配線基板は、上記構成において好ましくは、無機絶縁粉末の平均粒子径が0.1乃至2.8μmであり、前記絶縁層中に10乃至70体積%含有されていることを特徴とするものである。
本発明の配線基板は、絶縁層に含有されるエポキシ樹脂の分子が比較的熱運動し易く、さらに、エポキシ樹脂の分子の側鎖や末端に水酸基を多く有することから、絶縁層を複数層形成した場合にエポキシ樹脂の分子が良好に絡み合って絶縁層間の密着性が良好となり、熱が繰り返し加わったり、高温高湿環境下に曝されたりしたとしても絶縁層間で剥離して絶縁不良が発生してしまうことはない。
また、絶縁層には、粗化液に溶解する重量平均分子量が10000乃至500000の熱可塑性樹脂が含有されることから、絶縁層の表面に熱可塑性樹脂が無数の微小な凝集粒となって良好に分散した島状構造が形成され、この絶縁層の表面の熱可塑性樹脂を粗化液で選択的に溶解除去することにより、絶縁層の表面に十分な凹凸を有する粗化面を形成することができる。その結果、絶縁層の表面に配線導体を形成した場合に十分なアンカー効果が得られ、絶縁層と配線導体との密着性を良好なものとすることができる。したがって、熱が繰り返し加わったとしても両者間が剥離して配線導体が断線してしまうということもない。
また、絶縁層にはガラス転移温度が−60乃至−20℃のエラストマが含有されることから、絶縁層の可撓性が優れており、クラックが発生しにくい。
また、絶縁層には無機絶縁粉末が含有されることから、絶縁層の熱膨張係数が小さなものとなり、配線導体との間の熱応力が小さくなる。
さらに、絶縁層がその表面に直径が0.1乃至6μmで深さが0.1乃至5μmの凹部を100μm2当たり1乃至9個有することから、配線導体表面の微細な凹凸と絶縁層とが良好に密着して十分なアンカー効果を発揮することができ、その結果、高温高湿環境下に曝されたとしても両者間で剥離して配線導体が断線してしまうということもない。
また、絶縁層の破断伸びが5乃至20%であることから、絶縁層と配線導体との界面を起点とする絶縁層内部に進展するクラックの発生を抑制することができ、その結果、絶縁層を挟んで上下に位置する配線導体間で絶縁性が低下してしまうこともない。
また、本発明の配線基板は、絶縁層に含有されるエポキシ樹脂が、好ましくは官能基を3個以上有する多官能エポキシ樹脂20乃至80質量%と官能基を2個有する2官能エポキシ樹脂80乃至20質量%とから成る場合、絶縁層が多官能エポキシ樹脂による比較的架橋密度が大きく耐熱性や耐薬品性に優れた性質と、2官能エポキシ樹脂による比較的架橋密度が小さく可撓性に優れた性質とを良好に併せ持つことができる。また、絶縁層が粗化液に浸漬された際に、絶縁層の表面から所定の深さまで粗化液を十分に浸入させ、絶縁層の表面で凝集した熱可塑性樹脂を十分に溶解除去することができることから、絶縁層の表面をより良好に粗面化することができる。
さらに、本発明の配線基板は、絶縁層に含有される無機絶縁粉末の平均粒子径が好ましくは0.1乃至2.8μmであり、絶縁層に10乃至70体積%含有されている場合、絶縁層に配線導体および貫通導体を形成し、また、絶縁層を複数層形成して配線基板を製作する際に、無機絶縁粉末が絶縁層の流動性を抑制し、絶縁層の上下面に平行な方向(層方向)における貫通導体の位置ずれや貫通導体の直径のばらつき、さらには絶縁層の厚みばらつきをも低減することができ、より寸法安定性に優れた配線基板とすることができる。
本発明の配線基板を以下に詳細に説明する。図1は本発明の配線基板を実施するための最良の形態例を示す断面図である。なお、図1は、本発明の配線基板に半導体集積回路素子等の電子部品6を搭載した場合の例を示している。
これらの図において、1は絶縁基板、2は絶縁層、3は配線導体、4および5は貫通導体であり、主にこれらで半導体集積回路素子等の電子部品6が半田バンプ7を介して搭載される本発明の配線基板が構成されている。なお、図1の例では、配線導体3および貫通導体5が形成された絶縁層2を配線導体3および貫通導体4が形成された絶縁基板1の上下面にそれぞれ3層ずつ形成し、さらに最表面にソルダーレジスト層8を形成した例を示している。
絶縁基板1は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板を必要に応じて複数枚積層して成り、その上下面には配線導体3の一部が銅箔およびその上の銅めっきにより形成されている。また、その上面から下面にかけては、内面に円筒状の貫通導体4が形成されているとともに内部が充填物9により充填された複数の貫通孔が形成されており、上下面の配線導体3同士が貫通導体4により互いに電気的に接続されている。
絶縁基板1は、その厚みが50乃至800μmの板状であり、その厚みが50μm未満であると、配線基板の剛性が低下して反りが発生し易くなる傾向があり、また、800μmを超えると配線基板が不要に厚いものとなり、配線基板を軽量化することが困難となる傾向がある。したがって、絶縁基板1の厚みは50乃至800μmであることが好ましい。
また、絶縁基板1は、基板としての物性を損なわない範囲内で弾性率を調整するためのゴム成分や熱安定性を改善するための酸化防止剤、耐光性を改善するための紫外線吸収剤等の光安定剤、難燃性を付与するためのハロゲン系もしくはリン酸系の難燃性剤、アンチモン系化合物やホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、酸化ジルコニウム等の難燃助剤、潤滑性を改善するための高級脂肪酸や高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸金属塩、フルオロカーボン系界面活性剤等の滑剤を含有してもよい。
このような絶縁基板1は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板を必要に応じて複数枚積層するとともに上下から加熱しながらプレスして熱硬化させた後、マイクロドリルやレーザ加工により貫通導体4用の貫通孔を穿孔することによって形成される。
なお、絶縁基板1の上下面に形成された配線導体3は、未硬化の絶縁板の表面に銅箔を予め貼着しておくとともに絶縁板を硬化させて貫通導体4用の貫通孔を穿孔した後、銅箔の表面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを順次施し、しかる後、その銅箔および銅めっきを所定のパターンにエッチングすることにより形成される。また貫通導体4は、貫通導体4用の貫通孔の内面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを順次被着させることによって形成される。さらに、充填物9は貫通導体4の内部に未硬化の熱硬化性樹脂ペーストを充填した後、熱硬化させることによって形成される。
また、絶縁基板1の上下面に形成された絶縁層2は、その表面に銅めっきから成る配線導体3が被着形成されているとともに、その上面から下面にかけて貫通導体5を形成するための貫通孔が形成されており、貫通孔内には上下の配線導体3同士を電気的に接続するための銅めっきから成る貫通導体5が形成されている。
絶縁層2は、エポキシ樹脂と、粗化液に溶解する重量平均分子量が10000乃至500000の熱可塑性樹脂と、ガラス転移温度が−60乃至−20℃のエラストマと、無機絶縁粉末とを含有し、その表面が粗化液により粗化されている。また、破断伸びが5乃至20%であり、直径が0.1乃至6μmで深さが0.1乃至5μmの凹部を表面に100μm2当たり1乃至9個有する。このような絶縁層2は、例えばエポキシ樹脂と、100℃以上の温度でエポキシ樹脂に硬化反応を開始させる硬化材と、粗化液に溶解する重量平均分子量が10000乃至500000の熱可塑性樹脂と、ガラス転移温度が−60乃至−20℃のエラストマと、無機絶縁粉末とを含有する未硬化の絶縁層2を絶縁基板1の表面、あるいは下層の絶縁層2の表面に温度が80乃至130℃、圧力が0.5乃至2MPa、時間が40乃至90秒の条件で加熱加圧して貼着するとともに窒素オーブンを用いて70乃至130℃の温度で1次ベークを行ない、引き続き150乃至200℃の温度で2次ベークを行なうことにより半硬化状態の絶縁層2の表面に熱可塑性樹脂が無数の微小な凝集粒となって良好に分散した島状構造を形成するように熱処理した後、レーザ加工により貫通導体5用の貫通孔を穿孔し、次にその表面および貫通孔内を粗化液により粗化した後、粗化面に配線導体3および貫通導体5を形成し、しかる後、他の絶縁層2とともに150乃至240℃の温度で2乃至6時間ベークして完全硬化することにより形成される。
なお、未硬化の絶縁層2に含有される硬化材が100℃以上の温度でエポキシ樹脂に硬化反応を開始させるものであると、室温付近の温度環境下において未硬化の絶縁層2に良好な保管性が付与される。したがって、未硬化の絶縁層2に含有される硬化材は100℃以上の温度でエポキシ樹脂に硬化反応を開始させるものであることが好ましい。
このような硬化材としては、好適にはメタフェニレンジアミン(反応開始温度130乃至150℃)、ジアミノジフェニルメタン(反応開始温度120乃至180℃)、ジアミノジフェニルスルフォン(反応開始温度110乃至200℃)等の芳香族アミン類、ジシアンジアミド(反応開始温度160乃至180℃)、2,4−ジアミノ−6−(2−メチル−1−イミダゾリルエチル)−1,3,5−トリアジン(反応開始温度110乃至150℃)、2,4−ジアミノ−6−(2−ウンデシル−1−イミダゾリルエチル)−1,3,5−トリアジン(反応開始温度115乃至155℃)等のトリアジン類が用いられる。
なお、反応開始温度が適応すればフェノール系硬化材および硬化促進剤を併用しても良く、例えばフェノール系硬化材として、フェノールノボラック樹脂、オルソクレゾールノボラック樹脂等、また、硬化促進剤として、イミダゾール系化合物、有機スルホン系化合物等の反応開始温度が100乃至200℃の硬化材および硬化促進剤を使用しても良い。
ここで、硬化材の添加量が2質量%よりも小さいと絶縁層2を硬化させた場合に絶縁層2が硬化不足となる傾向があり、また、10質量%を超えると絶縁層2を硬化させた場合に絶縁層2の硬化反応が急激に進んでしまい硬化反応時の収縮で絶縁層2に発生する応力が十分に緩和されないまま硬化されることに起因して絶縁層2内部に残留応力が生じ、絶縁層2が脆くなる危険性がある。したがって、硬化材の添加量はエポキシ樹脂に対して2乃至10質量%であることがより好ましい。
また、絶縁層2に形成された配線導体3および貫通導体5は、粗化された絶縁層2の表面および貫通孔内に無電解銅めっきおよび電解銅めっきをセミアディティブ法により順次施した後、所定のパターンにエッチングすることにより形成される。
また、ソルダーレジスト層8は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、最表層の絶縁層2および配線導体3の上に紫外線硬化性および熱硬化性を有する感光性樹脂ペーストを塗布するとともに最表層の配線導体3の一部を露出させる開口部を有するように露光および現像した後、紫外線硬化および熱硬化させることによって形成される。
そして、本発明の配線基板によれば、その上面に露出する配線導体3の一部に半田等の導体バンプ7を介して半導体集積回路素子等の電子部品6の電極を電気的に接続した後、電子部品6と配線基板との間にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るアンダーフィル10を充填することにより電子部品6が搭載されることとなる。
なお、本発明の配線基板においては、上述したように、絶縁層2がエポキシ樹脂と、粗化液に溶解する重量平均分子量が10000乃至500000の熱可塑性樹脂と、ガラス転移温度が−60乃至−20℃のエラストマと、無機絶縁粉末とを含有し、破断伸びが5乃至20%であり、直径が0.1乃至6μmで深さが0.1乃至5μmの凹部を表面に100μm2当たり1乃至9個有することが重要である。
本発明の配線基板によれば、絶縁層2に含有されるエポキシ樹脂は分子が比較的熱運動し易く、さらに、エポキシ樹脂の分子の側鎖や末端に水酸基を多く有することから、絶縁層2を複数層形成した場合にエポキシ樹脂の分子が良好に絡み合って絶縁層2間の密着性が良好となり、熱が繰り返し加わったり、高温高湿環境下に曝されたりしたとしても絶縁層2間で剥離して絶縁不良が発生してしまうことはない。
このような絶縁層2に含有されるエポキシ樹脂としては、官能基を3個以上有する多官能エポキシ樹脂20乃至80質量%と官能基を2個有する2官能エポキシ樹脂80乃至20質量%とから成るエポキシ樹脂を用いることが好ましい。この場合、絶縁層2は多官能エポキシ樹脂による比較的架橋密度が大きく耐熱性や耐薬品性に優れた性質と、2官能エポキシ樹脂による比較的架橋密度が小さく可撓性に優れた性質とを良好に併せ持つことができる。また、絶縁層2が粗化液に浸漬された際に、絶縁層2の表面から所定の深さまで粗化液を十分に浸入させ、絶縁層2の表面で凝集した熱可塑性樹脂を十分に溶解除去することができ、絶縁層2の表面をより良好に粗面化することができる。
なお、多官能エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が用いられ、また、2官能エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂やビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂等が用いられる。さらに、これらのエポキシ樹脂に難燃性を付与するために臭素化したエポキシ樹脂を用いることも可能である。
ここで、絶縁層2に含有されるエポキシ樹脂の混合物において、多官能エポキシ樹脂の割合が20質量%よりも小さい場合、絶縁層2において架橋密度の大きい部分が極端に少なくなって絶縁層2の耐熱性が低下してしまう傾向がある。また、80質量%を超えると、絶縁層2の架橋密度が大きくなりすぎて絶縁層2が脆くなり耐衝撃性が低下する傾向にある。さらに、2官能エポキシ樹脂の割合が80質量%を超えると絶縁層2の架橋密度が小さくなるため、絶縁層2を粗化液で粗化する際に粗化液が絶縁層2の表面から深く浸入し、絶縁層2の表面で熱可塑性樹脂が過剰に溶解除去されて絶縁層2の表面の強度が弱くなり、配線基板に繰り返し熱が加わると絶縁層2から配線導体3が絶縁層2の粗化された表面とともに剥離して断線し易くなる傾向がある。また、20質量%よりも小さい場合、絶縁層2の可撓性が低下し耐衝撃性が低下し易くなる傾向がある。
また、絶縁層2には粗化液に溶解する重量平均分子量が10000乃至500000の熱可塑性樹脂が含有されることから、絶縁層2を形成する際に絶縁層2の表面に熱可塑性樹脂が無数の微小な凝集粒となって良好に分散した島状構造が形成される。そして、この絶縁層2の表面の熱可塑性樹脂を粗化液で選択的に溶解除去することにより、絶縁層2の表面に十分な凹凸を有する粗化面を形成することができ、その結果、絶縁層2の表面に配線導体3を形成した場合に十分なアンカー効果が得られ、絶縁層2と配線導体3との密着性を良好なものとすることができる。したがって、熱が繰り返し加わったとしても両者間が剥離して配線導体3が断線してしまうということもない。
このような熱可塑性樹脂としては、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリブチレンテレフタラート(PBT)、アジピン酸アルキルエステル等のポリエステル類、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート等のアクリル酸エステル類が好適に用いられる。
ここで、熱可塑性樹脂の重量平均分子量が10000よりも小さいと、絶縁層2の表面に形成される島状構造における熱可塑性樹脂から成る凝集粒の直径が極端に小さくなって、粗化された後の絶縁層2の表面の凹凸が不十分なものとなってしまう傾向がある。また、熱可塑性樹脂の重量平均分子量が500000よりも大きいと、絶縁層2を熱硬化させる際に熱可塑性樹脂の熱運動が抑制されてしまい、絶縁層2の表面に熱可塑性樹脂から成る凝集粒が分散した島状構造を形成するために長時間を要し生産性が低下してしまう。
さらに、絶縁層2に含有される熱可塑性樹脂は、そのガラス転移温度が70乃至140℃であることが好ましい。この場合、絶縁層2を形成する際に、熱可塑性樹脂の流動に起因する絶縁層2の厚みばらつきを低減することができ、より寸法安定性に優れた配線基板とすることができる。ここで、絶縁層2に含有される熱可塑性樹脂のガラス転移温度が70℃よりも低い場合、絶縁層2を熱硬化させる際に、絶縁層2の流動性が極端に大きくなって絶縁層2の表面の配線導体3に位置ずれが発生してしまう危険性が大きくなる。また、140℃を超えると、絶縁層2を形成する際に熱可塑性樹脂に起因した絶縁層2の流動性が不十分となり絶縁層2表面の平坦性が低下してしまう傾向がある。
なお、絶縁層2の表面に熱可塑性樹脂の微小で均一な径の凝集粒が良好に分散した島状構造を形成するには、例えば絶縁基板1の表面や、あるいは、絶縁基板1の上下面に形成した絶縁層2の表面に、未硬化の絶縁層2を形成した後、温度が80乃至130℃、圧力が0.5乃至2MPa、時間が40乃至90秒の条件で加熱プレスを行ない、さらに、窒素オーブンを用いて70乃至130℃の温度で1次ベークを行ない、引き続き150乃至200℃の温度で2次ベークを行なうことが良い。この場合、加熱ブレスの際に熱をかけることにより熱可塑性樹脂の分子の熱運動が活発になり熱可塑性樹脂が良好に分散するとともに、圧力をかけることにより熱可塑性樹脂が凝集して凝集粒を形成しやすくなる。そして加熱プレスの際の温度や圧力が高い程、絶縁層2に形成される熱可塑性樹脂の凝集粒は大きくなる傾向にある。さらに加熱プレスの時間が長くなる程、絶縁層2中に形成される熱可塑性樹脂の凝集粒の数が増加する傾向にある。また、1次ベークの際に加えられる熱により熱可塑性樹脂の分子の熱運動が活発になり熱可塑性樹脂が絶縁層2中に拡散しやすくなる。このとき、1次ベークにおいては圧力がかけられていないことから、熱可塑性樹脂の凝集が進行することはなく、1次ベークの温度が高い程、あるいは時間が長い程、熱可塑性樹脂の分子が絶縁層2中により多く拡散していくことにより熱可塑性樹脂の凝集粒は小さくなる。
そして、上記の条件で形成された絶縁層2の表面を粗化するためには、例えば次に示す方法が好適に採用される。まず、グリコールエーテル等の有機溶剤を約10%と水酸化ナトリウム等のアルカリを約1%とを含んだ溶液を調製し、この溶液中に絶縁層2を5分程度浸漬し絶縁層2の表面を十分に膨潤させる。次に、この表面が膨潤した絶縁層2を過マンガン酸塩類やクロム酸塩類の水溶液から成る粗化液、例えば濃度が約10%の過マンガン酸カリウム溶液に10分程度浸漬することにより、絶縁層2の表面の熱可塑性樹脂を溶解除去する。しかる後、表面の熱可塑性樹脂が除去された絶縁層2を濃度が約5%の硫酸水溶液に5分程度浸漬して絶縁層2の表面を還元する。このようにして、絶縁層2の表面の粗化を行なうことができる。このとき、粗化により絶縁層2の表面に直径が0.1乃至6μmで深さが0.1乃至5μmの凹部を100μm2当たり1乃至9個有する粗化面が形成される。なお、絶縁層2の表面における凹部の直径や深さ、さらに面密度は、絶縁層2の表面に形成される熱可塑性樹脂の凝集粒の大きさや数、および絶縁層2を粗化する際の粗化液の濃度や温度、さらには絶縁層2を粗化液に浸漬する時間と相関関係にあり、熱可塑性樹脂の凝集粒の直径が大きい程、凹部の直径や深さが大きくなり、また粗化液の濃度や温度を高くしたり、粗化の時間を長くしたりする程、凹部の直径や深さが大きくなる。また、熱可塑性樹脂の凝集粒の数が多い程、絶縁層2の表面における凹部の面密度が高くなる。粗化液としては、クロム酸塩類は毒性を有するために、一般的には過マンガン酸塩類が使用され、好適には酸化数が大きく酸化力の強い過マンガン酸カリウムが使用される。
また、絶縁層2にはガラス転移温度が−60乃至−20℃のエラストマが含有されることから、絶縁層2は可撓性が優れ、クラックが発生しにくい。
ここで、絶縁層2に含有されるエラストマのガラス転移温度が−60℃よりも低いと、室温環境下において未硬化の絶縁層2のべとつきが大きくなってしまい、例えば絶縁基板1の表面や、あるいは、絶縁基板1の上下面に形成された絶縁層2の表面に、未硬化の絶縁層2を形成する際の取り扱いが困難となる傾向がある。また、−20℃よりも高いと室温環境下においてエラストマの弾性率が大きくなることから絶縁層2の可撓性が低下してしまい、特に配線基板が高温高湿環境下に長時間曝された直後に急激に熱が加わった場合には、絶縁層2と配線導体3との界面を起点した絶縁層2内部に進展するクラックが生じ易くなる傾向がある。
なお、このようなエラストマとしては、好ましくは、アクリルゴム(ACM)、アクリロニトリル−ブタジエンゴム(NBR)、スチレン−ブタジエン−スチレントリブロックエラストマ(SBS)、スチレン−イソプレン−スチレントリブロックエラストマ(SIS)等が用いられる。
さらに、絶縁層2には無機絶縁粉末が含有されることから、絶縁層2の熱膨張係数が小さなものとなり、配線導体3との間の熱応力が小さくなる。
なお、特に絶縁層2の熱膨張係数を調整するため、および/または絶縁層2の機械的強度を向上させるという観点からは、無機絶縁粉末として酸化アルミニウムや酸化珪素、酸化チタン、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化ジルコニウム、酸化カルシウム、ゼオライト、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、ホウ酸アルミニウム、スズ酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム等が好適に用いられる。
また、無機絶縁粉末の表面はカップリング処理されたものであることが好ましく、この場合、無機絶縁粉末の表面に疎水性を有する官能基が形成されることにより、無機絶縁粉末の表面が絶縁層2のエポキシ樹脂と濡れやすくなって無機絶縁粉末とエポキシ樹脂とが強固に密着し、その結果、後述するように、絶縁層2に配線導体3および貫通導体5を形成し、また、絶縁層2を複数層形成して配線基板を製作する際に、無機絶縁粉末が絶縁層2の流動性を抑制することから、絶縁層2を熱硬化させる際に、絶縁層2の上下面に平行な方向(層方向)における貫通導体5の直径のばらつき、さらには絶縁層2の厚みばらつきをも低減することができ、寸法安定性に優れた配線基板とすることができる。なお、このようなカップリング処理としては、シラン系カップリング処理やチタネート系カップリング処理等が好適に用いられる。
さらに、絶縁層2に含有される無機絶縁粉末は、その平均粒子径が0.1乃至2.8μmであるとともに、絶縁層2に10乃至70体積%含有されていることが好ましい。この場合、絶縁層2に配線導体3および貫通導体5を形成し、さらに絶縁層2を熱硬化させる際に無機絶縁粉末が絶縁層2の流動性を良好に抑制することから、絶縁層2の上下面に平行な方向(層方向)における貫通導体5の位置ずれや貫通導体5の直径のばらつき、さらには絶縁層2の厚みばらつきをも低減することができ、より寸法安定性に優れた配線基板とすることができる。
ここで、無機絶縁粉末の粒子径が0.1μm未満の場合、絶縁層2における無機絶縁粉末の分散性が低下し、絶縁層2の熱膨張係数を均一にすることが困難となる傾向がある。また、2.8μmを超えると、絶縁層2の表面の平坦性が低下する傾向があり、配線導体3のパターンが特に微細なものである場合、配線導体3の厚みばらつきが大きくなる危険性がある。さらに、無機絶縁粉末の含有量が10体積%未満であると、絶縁層2を熱硬化させる際の流動性を抑制することが困難となり、絶縁層2の層方向における貫通導体5の位置ずれや貫通導体5の直径のばらつき、さらには絶縁層2の厚みばらつきが大きくなる傾向がある。また、70体積%を超えると、絶縁層2と配線導体3との良好な密着が無機絶縁粉末により阻害される傾向にあり、その結果、例えば半田リフロー時に絶縁層2同士の界面や絶縁層2と配線導体3との界面で剥離し易くなる危険性がある。
さらに、絶縁層2は、熱安定性を改善するための酸化防止剤、耐光性を改善するための紫外線吸収剤等の光安定剤、難燃性を付加するためのハロゲン系もしくはリン酸系の難燃性剤、アンチモン系化合物やホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、酸化ジルコニウム等の難燃助剤、潤滑性を改善するための高級脂肪酸や高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸金属塩、フルオロカーボン系界面活性剤等の滑剤を含有してもよい。
また、絶縁層2がその表面に直径が0.1乃至6μmで深さが0.1乃至5μmの凹部を100μm2当たり1乃至9個有することから、配線導体3表面の微細な凹凸と絶縁層2とが良好に密着して十分なアンカー効果を発揮することができ、その結果、高温高湿環境下に曝されたとしても両者間で剥離して配線導体3が断線してしまうということもない。
なお、絶縁層2の表面における凹部は、その直径が0.1μm未満であると配線導体3表面の微細な凹凸が絶縁層2の表面の凹部に入り込み難くなり、十分なアンカー効果を発揮することが困難となり、絶縁層2と配線導体3との密着性が低下して両者間で剥離し易くなり、隣接する配線導体3の間の絶縁性が低下してしまう傾向がある。また、6μmを超えると、絶縁層2の表面の平坦性が低下するため絶縁層2を絶縁基板1の表面、あるいは下層の絶縁層2の表面に貼着する際に圧力のばらつきが生じるため、高温高湿環境下に曝された場合、絶縁層2同士の界面で圧力のかかり方が不十分で密着強度が弱い部分から剥離し易くなり、隣接する配線導体3の間で絶縁性が低下してしまう傾向にある。したがって、この凹部の直径は0.1乃至6μmの範囲であることが重要である。
また、絶縁層2の表面における凹部は、その深さが0.1μm未満であると、配線導体3表面の微細な凹凸が絶縁層2の表面の凹部に入り込む深さが小さくなり過ぎて、絶縁層2が配線導体3を拘束することが困難となり、絶縁層2と配線導体3との密着性が低下して両者間で剥離し易くなり、隣接する配線導体3の間で絶縁性が低下してしまう傾向がある。また、5μmを超えると、絶縁層2の表面に配線導体3を形成する際に水分や空気のかみ込みが生じ、高温高湿環境下に長時間曝された場合、隣接した配線導体3間で絶縁性が低下する傾向にある。したがって、この凹部の深さは0.1乃至5μmの範囲であることが重要である。
さらに、絶縁層2の表面における凹部は、その面密度が1個/100μm2未満であると、絶縁層2と配線導体3との間のアンカー効果が小さくなり、絶縁層2と配線導体3との密着性が低下して両者間で剥離し易くなる傾向がある。また、9個/100μm2を超えると、隣り合う凹部同士が極端に近接して絶縁層2の表面の強度が弱くなり、高温高湿環境下に曝されると、この強度の弱い層で剥離し易くなる傾向にある。したがって、この凹部の面密度は100μm2当たり1乃至9個の範囲であることが重要である。
絶縁層2の表面に形成される凹部の直径や深さ、面密度は、前述したように絶縁層2を形成する際の加熱プレスの条件やベークの条件、粗化の条件によって調整可能であり、実用上は例えば絶縁層2を形成する際の加熱プレスの温度と圧力および時間や、ベークにおける条件、特に低温側の1次ベークを行なう際の温度と時間、更には粗化液の濃度や粗化時間を変更することにより所望のものとすることができる。
なお、絶縁層2の表面における凹部の形状は、円柱状や角柱状,円錐状,角錐状,椀状等が挙げられ、凹部の分布状態は、絶縁層2と配線導体3との密着性が均一であるという観点からは一様分布が好ましく、絶縁層2の表面を粗化工程において粗面化する際に、例えば粗化液に浸漬する温度と時間を適宜調整することにより所望の分布,形状とすることができる。また、ここで椀状とは、凹部の断面形状が半円状のものを指す。
また、絶縁層2の表面に形成される凹部は、その分布の面密度や直径,深さは定量可能なものであり、その測定方法としては、測定精度の観点からは、電子顕微鏡や原子間力顕微鏡(AFM)による観察が好ましい。また、ここで分布の面密度とは、測定面に一辺の長さが1乃至100μmである任意の格子をとり、格子内に観察される凹部の個数をその格子の面積で除した値を指し、さらに面積が100μm2当たりの凹部の個数へ換算したものである。格子の形状は、凹部の直径にもよるが、測定精度の観点からは一辺の長さが10乃至70μmの正方格子を用いるのが好適である。
さらに、絶縁層2は破断伸びが5乃至20%であることから、特に高温高湿環境下に長時間曝された直後に急激に熱が加わった際に、絶縁層2と配線導体3との熱膨張係数の差に起因する応力により絶縁層2に大きな歪が生じたとしても、絶縁層2と配線導体3との界面を起点とする絶縁層2内部に進展するクラックの発生を抑制することができ、その結果、絶縁層2を挟んで上下に位置する配線導体3間で絶縁性が低下してしまうこともない。
なお、絶縁層2の破断伸びが5%よりも小さいと、配線基板が高温高湿環境下に長時間曝された直後に急激に熱が加わった際に、絶縁層2と配線導体3との熱膨張係数の差に起因する応力により絶縁層2に大きな歪が生じ、絶縁層2と配線導体3との界面を起点とする絶縁層2内部に進展するクラックが発生し易くなる傾向がある。また、20%よりも大きいと、絶縁層2の架橋密度が小さくなりすぎて絶縁層2の耐熱性や耐薬品性が低下してしまう傾向にある。したがって、絶縁層2の破断伸びは5乃至20%の範囲がよい。ここで、絶縁層2の破断伸びはエラストマの含有量によって調整が可能であり、例えばエラストマの含有率が多いほど破断伸びが大きくなる。ところでここでいう絶縁層2の破断伸びとは、絶縁層2のみを厚さ数10μmで幅5mm、長さ50mmのフィルム状に成形し、配線基板を製作する場合と同じ熱履歴で硬化させた後、125℃の窒素雰囲気中に24時間放置し、次に、温度が30℃で湿度が60%の高温高湿環境下に192時間放置して吸湿させ、しかる後、1mm/分の速度で破断するまで引張り試験を行なったときのフィルムの伸び率を指す。
かくして、本発明の配線基板によれば、高温高湿環境下に曝された場合にも、絶縁層2を挟んで上下に位置する配線導体3の間でマイグレーションが生じ絶縁性が低下したり、あるいは、絶縁層2と配線導体3との界面で剥離して配線導体3が断線したりしてしまうということもなく、さらに、高温高湿環境下に長時間曝された直後に急激に熱が加わった場合においても、絶縁層2と配線導体3との界面を基点とした絶縁層2内部に進展するクラックが生じることもなく、配線導体3の導通信頼性および絶縁信頼性に優れた配線基板を提供することができる。
なお、本発明の配線基板は上述の実施の形態例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を施しても何等差し支えない。例えば、上述の実施の形態では絶縁層2を絶縁基板1の上下面にそれぞれ3層ずつ積層して配線基板を製作したが、1層や2層または4層以上の絶縁層2を絶縁基板1の上下面に積層して配線基板を製作してもよく、あるいは、絶縁基板1の片側面のみに1層以上の絶縁層2を積層して配線基板を製作してもよい。また、絶縁基板1を、液晶ポリマー層の上下面に熱硬化性樹脂と無機絶縁粉末とから成る被覆層を積層した複合樹脂材料や酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料から形成してもよい。
エポキシ樹脂として、多官能エポキシ樹脂であるクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を60質量%、2官能エポキシ樹脂である液状ビスフェノールA型エポキシ20質量%,臭素化ビスフェノールA型エポキシ20質量%の混合物を用い、エポキシ樹脂100質量%に対し硬化材として2,4−ジアミノ−6−(2−メチル−1−イミダゾリルエチル)−1,3,5−トリアジンを4質量%、熱可塑性樹脂として重量平均分子量300000のアジピン酸プロピオンエステルを20質量%、エラストマとしてガラス転移温度が−37℃のアクリルゴムを含有量が12質量%となるように調製した。さらに、この樹脂混合物に対して無機絶縁粉末として平均粒子径が1.2μmの球状溶融シリカを40体積%、溶剤としてメチルエチルケトン(MEK)とジメチルフタレート(DMP)を添加し1時間混合してワニスを準備した。
このワニスをポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム上にドクターブレード法により塗布し、しかる後、これを温度が40℃、時間が35分の条件で乾燥を行ない、PETフィルム上に厚さ40μmの未硬化の絶縁層を形成した。
次に、上記未硬化の絶縁層を形成したPETフィルムを所定の大きさに切断するとともに、ガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させて成る絶縁基板の上下面に真空ラミネータを用いて積層し、PETフィルムを剥離した後、適宜温度で90℃、圧力が1.2MPaの条件で適宜時間だけ加熱プレスを行ない、次に、窒素オーブンを用いて温度が90℃の条件で適宜時間だけ1次ベークを行ない、引き続き温度が175℃の条件で60分間2次ベークすることにより未硬化の絶縁層を半硬化状態に硬化させるとともに絶縁層の表面に熱硬化性樹脂の微小な凝集粒が分散した島状構造を形成させた。
次に、この絶縁層に、UV−YAGレーザにより直径が50μmの貫通孔を所定の配列で形成した後、グリコールエステルを10%と水酸化ナトリウムを約1%含んだ溶液中に5分浸漬させて絶縁層の表面を膨潤させ、次に、過マンガン酸カリウムの10%溶液から成る温度が40℃の粗化液中に10乃至15分間浸漬して絶縁層の表面に分散した熱可塑性樹脂の無数の凝集粒を溶解除去することにより絶縁層の表面に略椀状の凹部を形成した。次に、5%の硫酸水溶液に5分浸漬し絶縁層の表面を還元することで粗面化を完了させ、しかる後、公知のセミアディティブ法により絶縁層の表面に配線導体および貫通孔の内部に貫通導体を形成した。さらに、これらの工程を2回繰り返し、最後に温度が180℃で3時間ベークすることにより絶縁層を完全硬化させ、絶縁層の表面における略椀状の凹部の面密度がそれぞれ異なるテスト基板を得た(試料No.1乃至5)。
なお、これらのテスト基板において、平行に配列した幅が20μmで長さが2cmの櫛歯状の配線導体を10本形成し、隣接する配線導体の中心間距離が40μmとなるようにした(隣接する配線導体の輪郭間距離は20μmである)。
また、絶縁性の評価は、各試料について、温度が130℃、相対湿度が85%の条件で、印加電圧5.5Vの高温バイアス試験を行い、バイアス試験前、および168時間経過後ならびに240時間経過後の隣接する配線導体間の絶縁抵抗を測定し、試験前後の絶縁抵抗の変化量を比較することにより絶縁信頼性を評価した。なお、配線導体は絶縁基板から2番目の絶縁層と3番目の絶縁層との間に形成した。また、絶縁信頼性の良否の判断は、絶縁抵抗が1.0×108Ω以上を良、1.0×108Ω未満を不良と判断した。表1にこれらの評価結果を示す。
表1から、絶縁層表面の凹部の面密度が1.0個/100μm2未満のテスト基板(試料No.1)および面密度が9.0個/100μm2を超えるテスト基板(試料No.5)では、高温バイアス試験168時間後の絶縁抵抗は良好であるものの、240時間後では絶縁抵抗が8.2×107Ω以下と劣化する傾向にあることがわかった。
それらに対し、絶縁層表面の凹部の面密度が1.0乃至9.0個/100μm2である本発明のテスト基板(試料No.2乃至4)では、高温バイアス試験240時間後でも絶縁抵抗が3.5×108Ω以上と大きく、絶縁信頼性において特に優れていることがわかった。
絶縁層表面の凹部の直径や深さを種々の値になるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板の試料No.3と同様の方法により実施例2用のテスト基板を製作した(試料No.6乃至17)。また、絶縁性の評価も実施例1と同様の方法で行なった。表2にこれらの評価結果を示す。
表2から、絶縁層表面の凹部の直径が0.1μm未満のテスト基板(試料No.6)および直径が6μmを超えるテスト基板(試料No.17)では、高温バイアス試験168時間後の絶縁抵抗は良好であるものの、240時間後では絶縁抵抗が7.8×107Ω以下と劣化する傾向にあることがわかった。
また、絶縁層表面の凹部の直径は0.1乃至6μmであるが、深さが0.1μm未満のテスト基板(試料No.10)および深さが5μmを超えるテスト基板(試料No.15)では、高温バイアス試験168時間後の絶縁抵抗は良好であるものの、240時間後では絶縁抵抗が5.1×107Ω以下と劣化する傾向にあることがわかった。
それらに対し、絶縁層表面の凹部の直径が0.1乃至6μmであるとともに、その深さが0.1乃至5μmである本発明のテスト基板(試料No.7乃至9,11乃至14,16)では、高温バイアス試験240時間後でも絶縁抵抗が1.4×108Ω以上と大きく、絶縁信頼性において特に優れていることがわかった。
さらに、絶縁層のエポキシ樹脂に対するエラストマの含有量を種々の値になるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板の試料No.3と同様の方法により実施例3用のテスト基板を製作した(試料No.18乃至22)。
なお、実施例3におけるテスト基板では、直径が4000μmの円形の導体パターンをテスト基板内に絶縁層を挟んで対向するように形成し、窒素オーブンを用いて温度が125℃で24時間の脱水処理をテスト基板に施した後、温度が30℃、相対湿度が65%、印加電圧が5.5Vの条件で192時間の高温高湿環境下に保管した直後に、260℃の半田リフロー試験を所定の回数だけ行ない、テスト基板の外観観察と、上記円形の導体パターン間の絶縁抵抗を測定することにより絶縁信頼性と密着性の評価を行なった。ここで、円形の導体パターンで挟んだ絶縁層は絶縁基板から2番目の絶縁層とし、導体パターンの上下面は絶縁層と接するようにした。なお、半田リフロー試験を所定の回数だけ繰り返した時点で、テスト基板において円形の導体パターンと絶縁層との界面における剥がれに起因したフクレが発生した場合を密着性の不良と判断した。また、絶縁信頼性の良否の判断は、絶縁抵抗が1.0×108Ω以上を良、1.0×108Ω未満を不良とした。
また、絶縁層の破断伸びを評価するために、上記実施例3の各試料用に調整したワニスをPETフィルム上に厚み65μmになるようにドクターブレード法により塗布し、温度が40℃で時間が35分の上記と同じ条件で乾燥を行ない、このシートを温度が90℃、圧力が1.2MPa、時間が60秒の条件で加熱プレスを行ない、長さが50mmで幅が5mmの短冊形状に切り出しPETフィルムを剥がしたうえで、窒素オーブンを用いて温度が90℃の条件で30分ベークを行ない、引き続き温度が175℃の条件で60分ベークした。さらに、これらのサンプルを温度が180℃で3時間ベークすることにより完全硬化させ、次に、窒素オーブンを用いてサンプルを温度が125℃で24時間の脱水処理を施した後、温度が30℃、相対湿度が60%の条件で192時間の高温高湿環境下で保管を行ない、破断伸びを評価するためのサンプルとし、これらのサンプルを1mm/分の速度で破断するまで引張り試験を行なった。表3にこれらの評価結果を示す。
表3より、エラストマの含有量が3質量%のテスト基板(試料No.18)では、半田リフロー試験を3回繰り返してもテスト基板の外観に変化はなかったが、5回繰り返した時点で、テスト基板において円形の導体パターンと絶縁層との界面での剥がれに起因したフクレが発生し、密着性にやや劣る傾向があった。このときの破断伸びは3%であった。
また、エラストマの含有量が26質量%のテスト基板(試料No.22)では、半田リフロー試験を5回繰り返しても外観に変化はなかったものの、絶縁抵抗が6.3×107Ωと低下する傾向にあることがわかった。このときの破断伸びは26%であった。
それらに対し、エラストマの含有量が8乃至20質量%(このときの破断伸びは5乃至20%)である本発明のテスト基板(試料No.19乃至21)では、半田リフロー試験を5回繰り返した時点でもテスト基板の外観に変化はなく、また、絶縁抵抗も1.7×108Ω以上と大きく、密着性および絶縁性において特に優れていることがわかった。
また、絶縁層において粗化液に溶解する熱可塑性樹脂の重量平均分子量を種々の値になるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板の試料No.3と同様の方法により実施例4用のテスト基板を製作した(試料No.23乃至28)。
これらのテスト基板において、幅が10mmで長さが150mmの短冊形状の導体パターンをテスト基板の上下面に形成し、テスト基板を温度が130℃、相対湿度が85%の条件で168時間だけ高温高湿環境下で保管を行なった上で、1mm/秒の速度で長さ方向に導体パターンのピール強度を測定することにより絶縁層と配線導体との密着性を評価した。密着性の良否の判断は、ピール強度が7N/cm以上を良、7N/cm未満を不良と判断した。表4にこれらの評価結果を示す。
表4より、絶縁層の粗化液に溶解する熱可塑性樹脂の重量平均分子量が8500のテスト基板(試料No.23)および重量平均分子量が550000のテスト基板(試料No.28)では、ピール強度が6.6N/cm以下と小さく、絶縁層と配線導体との密着性にやや劣る傾向にあることがわかった。
それらに対し、熱可塑性樹脂の重量平均分子量が10000乃至500000である本発明のテスト基板(試料No.24乃至27)では、ピール強度が7.4N/cm以上と大きく、絶縁層と配線導体との密着性において優れていることがわかった。
また、未硬化の絶縁層におけるエラストマのガラス転移温度を種々の値になるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板の試料No.3用の絶縁層と同様の方法により実施例5用の未硬化の絶縁層を製作した(試料No.29乃至33)。
これらの未硬化の絶縁層を室温付近の温度環境下に24時間保管した後、配線導体および貫通導体が形成された下層の絶縁層上に真空ラミネータを用いて積層した後の積層状態を観察することにより可撓性および加工性を評価した。可撓性の良否の判断は、配線基板の上下面に積層後の未硬化の絶縁層の内部にクラックが観察されることなく、さらに、積層後の未硬化の絶縁層の端面から樹脂がはみ出してべとつきがなく良好に積層されている場合を良、それ以外を不良と判断した。表5にこれらの評価結果を示す。
表5より、エラストマのガラス転移温度が−60℃未満の絶縁層(試料No.29)では、配線基板に積層後の未硬化の絶縁層の内部にクラックは観察されなかったが、端面から樹脂がはみ出してべとつきが生じて異物を付着しやすくなる傾向があり、加工性にやや劣る傾向にあることがわかった。
また、エラストマのガラス転移温度が−20℃を超える絶縁層(試料No.33)では、配線基板に積層後の未硬化の絶縁層の端面から樹脂がはみ出してべとつきが生じることはないものの、絶縁層の内部にクラックが観察され、可撓性にやや劣る傾向にあることがわかった。
それらに対し、エラストマのガラス転移温度が−60乃至−20℃である本発明の絶縁層(試料No.30乃至32)では、配線基板に積層後の未硬化の絶縁層の内部にクラックが観察されることはなく、さらに、これら絶縁層の端面から樹脂がはみ出してべとつきが生じることはなく、可撓性および加工性において特に優れていることがわかった。
さらに、絶縁層におけるエポキシ樹脂を、多官能エポキシ樹脂と2官能エポキシ樹脂とを種々の割合になるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板の試料No.3と同様の方法により実施例6用のテスト基板を製作した(試料No.34乃至39)。
なお、実施例6用のテスト基板は、その内部の絶縁基板から2番目の絶縁層を挟んで上下に位置する配線導体と、これら配線導体を電気的に接続する貫通導体とでジグザク回路を形成したものとした。これらのテスト基板を用いて、温度−55℃の条件で30分(室温から−55℃までの冷却時間が5分、−55℃に保持する時間が20分、−55℃から室温までの昇温時間が5分)、125℃の条件で30分(室温から125℃までの昇温時間が5分、125℃に保持する時間が20分、125℃から室温までの冷却時間が5分)を1サイクルとする温度サイクル試験を行ない、試験前に対する試験後の導通抵抗の変化率により導通信頼性の評価を行なった。導通信頼性の良否の判断は、導通抵抗の試験前に対する変化率が15%未満を良、15%以上を不良とした。その結果を表6に示す。
表6より、多官能エポキシ樹脂の割合が80重量%を超えるテスト基板(試料No.34)および、多官能エポキシ樹脂の割合が20重量%未満のテスト基板(試料No.39)では、温度サイクル試験1000サイクル後での導通抵抗は変化率が13%以下であるが、1500サイクル後で導通抵抗は変化率が18%以上と大きく、導通信頼性にやや劣る傾向があることがわかった。
それらに対して、多官能エポキシ樹脂の割合が20乃至80重量%のテスト基板(試料No.35乃至38)では、いずれも温度サイクル試験1000サイクル後での導通抵抗の変化率は10%以下であり、さらに、1500サイクル後でも導通抵抗の変化率は14%以下となり、導通信頼性において特に優れていることがわかった。
また、絶縁層における球状溶融シリカの平均粒子径と含有量を種々の値となるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板の試料No.3と同様の方法により実施例7用のテスト基板を製作した(試料No.40乃至50)。
なお、これらのテスト基板を温度260℃および280℃の半田浴に20秒間浸漬し、これを5回または10回繰り返した後、テスト基板の外観を観察することにより密着性の評価を行なった。表7にそれらの結果を示す。
表7より、絶縁層における球状溶融シリカの平均粒子径が0.1μm未満のテスト基板(試料No.40)および、2.8μmを超えるテスト基板(試料No.50)では、温度が260℃の半田浴への浸漬を5回繰り返してもテスト基板の外観に変化はなかったが、浸漬を10回繰り返した時点で、絶縁層と配線導体との界面が剥がれてフクレが発生し、密着性にやや劣る傾向があることがわかった。
また、絶縁層における球状溶融シリカの平均粒子径は0.1乃至2.8μmであるが、含有量が10体積%未満のテスト基板(試料No.43)および70体積%を超えるテスト基板(試料No.48)では、温度が280℃の半田浴への浸漬を5回繰り返してもテスト基板の外観に変化は無かったが、温度が280℃の半田浴への浸漬を10回繰り返した時点で、絶縁層と配線導体との界面が剥がれてフクレが発生し、密着性にやや不十分な傾向にあることがわかった。
それらに対して、絶縁層における球状溶融シリカの平均粒子径が0.1乃至2.8μmであるとともに、その含有量が10乃至70体積%であるテスト基板(試料No.41,42,44乃至47,49)では、温度が280℃の半田浴への浸漬を10回繰り返してもテスト基板の外観に変化は無く、密着性において特に優れていることがわかった。
1:絶縁基板
2:絶縁層
3:配線導体
5:貫通導体
2:絶縁層
3:配線導体
5:貫通導体
Claims (3)
- エポキシ樹脂と、粗化液に溶解する重量平均分子量が10000乃至500000の熱可塑性樹脂と、ガラス転移温度が−60乃至−20℃のエラストマと、無機絶縁粉末とを含有しており、破断伸びが5乃至20%であり、直径が0.1乃至6μmで深さが0.1乃至5μmの凹部を表面に100μm2当たり1乃至9個有する絶縁層と、配線導体層とが交互に複数層積層されているとともに、前記絶縁層を挟んで上下に位置する前記配線導体層同士が前記絶縁層に設けられた貫通導体により電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。
- 前記エポキシ樹脂は、官能基を3個以上有する多官能エポキシ樹脂を20乃至80質量%、官能基を2個有する2官能エポキシ樹脂を80乃至20質量%含んでいることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記無機絶縁粉末は、その平均粒子径が0.1乃至2.8μmであり、前記絶縁層中に10乃至70体積%含有されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004093849A JP2005285862A (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004093849A JP2005285862A (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005285862A true JP2005285862A (ja) | 2005-10-13 |
Family
ID=35183953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004093849A Pending JP2005285862A (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005285862A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010267839A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | プリント配線板とビルドアップ多層基板とこれらの製造方法 |
JP2012074606A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Sekisui Chem Co Ltd | プリント配線板用熱硬化性フィルム |
US8866022B2 (en) | 2009-09-02 | 2014-10-21 | Panasonic Corporation | Printed wiring board, build-up multi-layer board, and production method therefor |
-
2004
- 2004-03-26 JP JP2004093849A patent/JP2005285862A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010267839A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | プリント配線板とビルドアップ多層基板とこれらの製造方法 |
US8866022B2 (en) | 2009-09-02 | 2014-10-21 | Panasonic Corporation | Printed wiring board, build-up multi-layer board, and production method therefor |
JP2012074606A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Sekisui Chem Co Ltd | プリント配線板用熱硬化性フィルム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101014517B1 (ko) | 캐리어 장착 프리프레그의 제조방법, 캐리어 장착 프리프레그, 박형 양면판의 제조방법, 박형 양면판, 및 다층 프린트 배선판의 제조방법 | |
KR101103451B1 (ko) | 적층체, 기판의 제조 방법, 기판 및 반도체 장치 | |
JPWO2008087972A1 (ja) | 絶縁樹脂シート積層体、該絶縁樹脂シート積層体を積層してなる多層プリント配線板 | |
WO2010013611A1 (ja) | 無電解銅メッキ方法、プリント配線板、プリント配線板製造方法、半導体装置 | |
JP4273837B2 (ja) | 金属箔付き絶縁シート、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 | |
JP2011099072A (ja) | 樹脂組成物、絶縁層、プリプレグ、積層板、プリント配線板および半導体装置 | |
JP5672694B2 (ja) | 樹脂シート、プリント配線板、および半導体装置 | |
JP4462872B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP2005285862A (ja) | 配線基板 | |
JP2009067852A (ja) | ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置 | |
JP4840303B2 (ja) | ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置 | |
JP2005243862A (ja) | 配線基板 | |
JP2005276858A (ja) | 配線基板 | |
JP2005175265A (ja) | 多層配線板用接着シート及び多層配線板の製造方法 | |
JP3635022B2 (ja) | 接着材およびこれを用いた電子部品モジュール | |
JP4019800B2 (ja) | 絶縁樹脂組成物の製造方法、絶縁樹脂組成物、多層配線板およびその製造方法 | |
JP2001237552A (ja) | 接着材およびこれを用いた電子部品 | |
JP2005186285A (ja) | 絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板 | |
JP2005050884A (ja) | 保護フィルム及び保護フィルム付き絶縁層並びに配線基板の製造方法 | |
JP2004179011A (ja) | 絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板 | |
JP2005153358A (ja) | 保護フィルム付き絶縁層並びに配線基板の製造方法 | |
JP2004082554A (ja) | 絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板 | |
JP2005072398A (ja) | 多層配線基板 | |
JP2004322482A (ja) | 絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板 | |
JP2003218160A (ja) | 絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板 |