JP2003046019A - 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高温多湿下やヒートサイクル条件下において
も充填樹脂層にクラック等が発生せず、半導体素子を内
蔵した信頼性に優れる多層プリント配線板を提供する。 【解決手段】 半導体素子２０が内蔵または収納されて
いる基板３０上に、層間樹脂絶縁層５０と導体回路５８
とが順次形成され、上記半導体素子２０と導体回路３
０、および、上下の導体回路がバイアホール６０を介し
て接続されてなる多層プリント配線板であって、上記基
板３０には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含
む樹脂組成物により形成された充填樹脂層３４を介して
半導体素子２０が内蔵または収納されていることを特徴
とする多層プリント配線板。
も充填樹脂層にクラック等が発生せず、半導体素子を内
蔵した信頼性に優れる多層プリント配線板を提供する。 【解決手段】 半導体素子２０が内蔵または収納されて
いる基板３０上に、層間樹脂絶縁層５０と導体回路５８
とが順次形成され、上記半導体素子２０と導体回路３
０、および、上下の導体回路がバイアホール６０を介し
て接続されてなる多層プリント配線板であって、上記基
板３０には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含
む樹脂組成物により形成された充填樹脂層３４を介して
半導体素子２０が内蔵または収納されていることを特徴
とする多層プリント配線板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板および多層プリント配線板の製造方法に関し、特にＩ
Ｃチップ等の半導体素子が内蔵された多層プリント配線
板および多層プリント配線板の製造方法に関する。
板および多層プリント配線板の製造方法に関し、特にＩ
Ｃチップ等の半導体素子が内蔵された多層プリント配線
板および多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣチップ等の半導体素子とプリ
ント配線板とは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ(Tape
Automated Bonding)、フリップチップボンディング等の
実装方法を用いて電気的に接続しており、これらの方法
で実装した半導体素子は、プリント配線板を介して駆動
させていた。
ント配線板とは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ(Tape
Automated Bonding)、フリップチップボンディング等の
実装方法を用いて電気的に接続しており、これらの方法
で実装した半導体素子は、プリント配線板を介して駆動
させていた。
【０００３】これらの実装方法では、ＩＣチップ等とプ
リント配線板との間を接続用のリード部品（ワイヤー、
リード、バンプ）を介して電気的に接続しており、その
ため、これらの各リード部品が、切断されたり、腐食さ
れたりしてしまうとＩＣチップとプリント配線板との間
の接続が遮断されたり、ＩＣチップの誤作動の原因とな
ってしまうことがあった。
リント配線板との間を接続用のリード部品（ワイヤー、
リード、バンプ）を介して電気的に接続しており、その
ため、これらの各リード部品が、切断されたり、腐食さ
れたりしてしまうとＩＣチップとプリント配線板との間
の接続が遮断されたり、ＩＣチップの誤作動の原因とな
ってしまうことがあった。
【０００４】また、それぞれの実装方式では、ＩＣチッ
プやリード部品を保護するためにエポキシ樹脂等の樹脂
によって封止を行っており、この樹脂が充填時に気泡を
含有していると、その気泡が起点となって、リード部品
の破壊やＩＣパッドの腐食、信頼性の低下を招いてしま
うことがあった。また、熱可塑性樹脂等による封止を行
う場合には、それぞれの部品に合わせて樹脂充填用プラ
ンジャー、金型等を作製する必要があり、熱硬化性樹脂
による封止を行う場合には、リード部品、ソルダーレジ
ストなどの材質等を考慮して樹脂を選定しなくてはなら
ず、コストが高くなる原因になっていた。
プやリード部品を保護するためにエポキシ樹脂等の樹脂
によって封止を行っており、この樹脂が充填時に気泡を
含有していると、その気泡が起点となって、リード部品
の破壊やＩＣパッドの腐食、信頼性の低下を招いてしま
うことがあった。また、熱可塑性樹脂等による封止を行
う場合には、それぞれの部品に合わせて樹脂充填用プラ
ンジャー、金型等を作製する必要があり、熱硬化性樹脂
による封止を行う場合には、リード部品、ソルダーレジ
ストなどの材質等を考慮して樹脂を選定しなくてはなら
ず、コストが高くなる原因になっていた。
【０００５】そこで、近年、このような問題点を解決す
るために、ＩＣチップ等の半導体素子を基板に内蔵また
は収納した多層プリント配線板が開示されている。特開
平９−３２１４０８号公報では、ダイパッド上にスタッ
ドバンプを形成した半導体素子が基板に埋め込まれ、バ
イアホールを介して、該スタッドバンプと上層の導体回
路とが電気的に接続された多層プリント配線板が開示さ
れている。しかしながら、この多層プリント配線板で
は、スタッドバンプの形状がタマネギ状であり、その高
さにバラツキがあることに起因して、基板上に形成され
た層間絶縁層は厚さが均一でなく、その表面が平坦にな
らないことがあり、この場合には、バイアホールを介し
た電気的接続に接続不良が発生することがあった。ま
た、この多層プリント配線板は、その構造上、バイアホ
ール用開口を一括形成することができず、生産性の劣る
ものであった。
るために、ＩＣチップ等の半導体素子を基板に内蔵また
は収納した多層プリント配線板が開示されている。特開
平９−３２１４０８号公報では、ダイパッド上にスタッ
ドバンプを形成した半導体素子が基板に埋め込まれ、バ
イアホールを介して、該スタッドバンプと上層の導体回
路とが電気的に接続された多層プリント配線板が開示さ
れている。しかしながら、この多層プリント配線板で
は、スタッドバンプの形状がタマネギ状であり、その高
さにバラツキがあることに起因して、基板上に形成され
た層間絶縁層は厚さが均一でなく、その表面が平坦にな
らないことがあり、この場合には、バイアホールを介し
た電気的接続に接続不良が発生することがあった。ま
た、この多層プリント配線板は、その構造上、バイアホ
ール用開口を一括形成することができず、生産性の劣る
ものであった。
【０００６】また、特開平１０−２５６４２９号公報で
は、セラミック基板に半導体素子が収納され、該半導体
素子がフリップチップにより導体回路と電気的に接続さ
れた多層配線板が開示されている。この多層配線板で用
いられているアルミナや窒化アルミニウム等を材料とす
るセラミック基板は、外形加工性に劣るため半導体素子
の納まりがよくない。そのため、半導体素子のパッドの
高さが不均一になり、パッドと導体回路との間で接続不
良が発生することがあった。
は、セラミック基板に半導体素子が収納され、該半導体
素子がフリップチップにより導体回路と電気的に接続さ
れた多層配線板が開示されている。この多層配線板で用
いられているアルミナや窒化アルミニウム等を材料とす
るセラミック基板は、外形加工性に劣るため半導体素子
の納まりがよくない。そのため、半導体素子のパッドの
高さが不均一になり、パッドと導体回路との間で接続不
良が発生することがあった。
【０００７】また、特開平１１−１２６９７８号公報で
は、基板に空隙部が形成され、この空隙部に半導体素子
が収納された多層プリント配線板が開示されている。し
かしながら、このように半導体素子を内蔵した多層プリ
ント配線板であっても、該半導体素子と導体回路とを半
田、ＴＡＢ、ワイヤーボンディング等のリード部品を介
して接続した場合には、上述の問題点を解決することが
出来なかった。また、基板の空隙部に半導体素子を収納
した際に、該半導体素子と基板との間に空隙が存在する
場合には、半導体素子の位置ずれが発生しやすく、接続
信頼性の低下につながることがあった。
は、基板に空隙部が形成され、この空隙部に半導体素子
が収納された多層プリント配線板が開示されている。し
かしながら、このように半導体素子を内蔵した多層プリ
ント配線板であっても、該半導体素子と導体回路とを半
田、ＴＡＢ、ワイヤーボンディング等のリード部品を介
して接続した場合には、上述の問題点を解決することが
出来なかった。また、基板の空隙部に半導体素子を収納
した際に、該半導体素子と基板との間に空隙が存在する
場合には、半導体素子の位置ずれが発生しやすく、接続
信頼性の低下につながることがあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、このような問
題点を解決するため、本出願人によって、リード部品を
介さずに、ＩＣチップ等の半導体素子と直接電気的接続
を行うことができる多層プリント配線板として、基板に
設けられた開口部、貫通孔またはザグリ部にＩＣチップ
等が内蔵または収容され、さらに、該基板上に層間樹脂
絶縁層と導体回路とが積層され、該ＩＣチップと導体回
路の間や、層間樹脂絶縁層を介した上下の導体回路間が
バイアホールを介して電気的に接続された多層プリント
配線板が提案されている。
題点を解決するため、本出願人によって、リード部品を
介さずに、ＩＣチップ等の半導体素子と直接電気的接続
を行うことができる多層プリント配線板として、基板に
設けられた開口部、貫通孔またはザグリ部にＩＣチップ
等が内蔵または収容され、さらに、該基板上に層間樹脂
絶縁層と導体回路とが積層され、該ＩＣチップと導体回
路の間や、層間樹脂絶縁層を介した上下の導体回路間が
バイアホールを介して電気的に接続された多層プリント
配線板が提案されている。
【０００９】このようにＩＣチップ等を内蔵した多層プ
リント配線板では、ＩＣチップ等と多層プリント配線板
との接続に、リード部品や封止樹脂が用いられていない
ため、その接続信頼性は優れたものとなり、多層プリン
ト配線板を製造する際にＩＣチップを実装することがで
きるためコストも安くなる。
リント配線板では、ＩＣチップ等と多層プリント配線板
との接続に、リード部品や封止樹脂が用いられていない
ため、その接続信頼性は優れたものとなり、多層プリン
ト配線板を製造する際にＩＣチップを実装することがで
きるためコストも安くなる。
【００１０】このような構成からなる多層プリント配線
板は、上述したように、接続信頼性に優れたものである
ものの、過酷な条件下、即ち、高温多湿下や、ヒートサ
イクル条件下においては、半導体素子と基板や層間樹脂
絶縁層との間で剥離が発生したり、基板に内蔵または収
納されていた半導体素子が基板から浮き上がってしまう
現象（以下、本明細書では、このような現象をポップコ
ーン現象ともいう）が発生したりし、これが接続不良や
信頼性の低下を招くことがあった。また、本発明者等に
よる検討の結果、このような不都合の発生は、下記の要
因によるものではないかと考えられる。
板は、上述したように、接続信頼性に優れたものである
ものの、過酷な条件下、即ち、高温多湿下や、ヒートサ
イクル条件下においては、半導体素子と基板や層間樹脂
絶縁層との間で剥離が発生したり、基板に内蔵または収
納されていた半導体素子が基板から浮き上がってしまう
現象（以下、本明細書では、このような現象をポップコ
ーン現象ともいう）が発生したりし、これが接続不良や
信頼性の低下を招くことがあった。また、本発明者等に
よる検討の結果、このような不都合の発生は、下記の要
因によるものではないかと考えられる。
【００１１】即ち、半導体素子が内蔵または収納された
多層プリント配線板においては、通常、半導体素子は、
樹脂層（接着剤層）を介して、基板に設けられた凹部に
内蔵または収納されているが、従来の多層プリント配線
板では、この樹脂層に水分が含まれているため、上述し
た不都合が発生するのではないかと考えられる。このよ
うに樹脂層に水分が含まれていると、高温多湿下やヒー
トサイクル条件下において、この水分が、膨張、収縮
し、上記した剥離や、ポップコーン現象の発生につなが
る。また、樹脂層に水分が含まれていると、該樹脂層に
別の要因で、小さな剥離やクラックが発生した際に、こ
の剥離やクラックが大きく成長してしまう。
多層プリント配線板においては、通常、半導体素子は、
樹脂層（接着剤層）を介して、基板に設けられた凹部に
内蔵または収納されているが、従来の多層プリント配線
板では、この樹脂層に水分が含まれているため、上述し
た不都合が発生するのではないかと考えられる。このよ
うに樹脂層に水分が含まれていると、高温多湿下やヒー
トサイクル条件下において、この水分が、膨張、収縮
し、上記した剥離や、ポップコーン現象の発生につなが
る。また、樹脂層に水分が含まれていると、該樹脂層に
別の要因で、小さな剥離やクラックが発生した際に、こ
の剥離やクラックが大きく成長してしまう。
【００１２】また、上記樹脂層を形成する際、即ち、樹
脂組成物に硬化処理を施す際に、水分が樹脂組成物の表
層部に存在し、そのまま硬化反応が進行すると、その水
分が存在していた部分には、凹部が形成されてしまうこ
とがあり、このように、樹脂層の表層部が平滑でないこ
とも、上記した剥離や、ポップコーン現象の発生につな
がると考えられる。
脂組成物に硬化処理を施す際に、水分が樹脂組成物の表
層部に存在し、そのまま硬化反応が進行すると、その水
分が存在していた部分には、凹部が形成されてしまうこ
とがあり、このように、樹脂層の表層部が平滑でないこ
とも、上記した剥離や、ポップコーン現象の発生につな
がると考えられる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】そこで、発明者らは、こ
のような問題を解消するために鋭意検討した結果、樹脂
層における水分の存在は、樹脂層形成時（樹脂組成物に
硬化処理時）の副生成物に起因するものであり、熱硬化
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用い
て樹脂層を形成することにより、水分を含まない樹脂層
を形成することができることを見出し、本発明の多層プ
リント配線板および多層プリント配線板の製造方法を完
成した。
のような問題を解消するために鋭意検討した結果、樹脂
層における水分の存在は、樹脂層形成時（樹脂組成物に
硬化処理時）の副生成物に起因するものであり、熱硬化
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用い
て樹脂層を形成することにより、水分を含まない樹脂層
を形成することができることを見出し、本発明の多層プ
リント配線板および多層プリント配線板の製造方法を完
成した。
【００１４】即ち、本発明の多層プリント配線板は、半
導体素子が内蔵または収納されている基板上に、層間樹
脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導体素子
と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを
介して接続されてなる多層プリント配線板であって、上
記基板には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含
む樹脂組成物により形成された充填樹脂層を介して半導
体素子が内蔵または収納されていることを特徴とする。
導体素子が内蔵または収納されている基板上に、層間樹
脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導体素子
と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを
介して接続されてなる多層プリント配線板であって、上
記基板には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含
む樹脂組成物により形成された充填樹脂層を介して半導
体素子が内蔵または収納されていることを特徴とする。
【００１５】本発明の多層プリント配線板において、上
記樹脂組成物は、さらに粒子を含むものであることが望
ましく、上記粒子は、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子の
うちの少なくとも１種であることが望ましい。
記樹脂組成物は、さらに粒子を含むものであることが望
ましく、上記粒子は、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子の
うちの少なくとも１種であることが望ましい。
【００１６】また、上記多層プリント配線板において、
上記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無水物、２官能性
酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少なくとも１種
であることが望ましい。
上記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無水物、２官能性
酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少なくとも１種
であることが望ましい。
【００１７】また、上記多層プリント配線板において、
上記半導体素子のパッド部分には、トランジション層が
形成されていることが望ましい。
上記半導体素子のパッド部分には、トランジション層が
形成されていることが望ましい。
【００１８】本発明の多層プリント配線板の製造方法
は、半導体素子が内蔵または収納されている基板上に、
層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導
体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホ
ールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造
方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）の工程を
経ることを特徴とする。 （ａ）基板に半導体素子を内蔵または収納するための凹
部を形成する凹部形成工程、（ｂ）上記凹部内に熱硬化
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を塗布
することにより塗布層を形成する樹脂組成物塗布工程、
（ｃ）上記塗布層を形成した凹部に半導体素子を内蔵ま
たは収納する半導体素子内蔵工程、および、（ｄ）上記
樹脂組成物に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充
填樹脂層形成工程。
は、半導体素子が内蔵または収納されている基板上に、
層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導
体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホ
ールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造
方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）の工程を
経ることを特徴とする。 （ａ）基板に半導体素子を内蔵または収納するための凹
部を形成する凹部形成工程、（ｂ）上記凹部内に熱硬化
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を塗布
することにより塗布層を形成する樹脂組成物塗布工程、
（ｃ）上記塗布層を形成した凹部に半導体素子を内蔵ま
たは収納する半導体素子内蔵工程、および、（ｄ）上記
樹脂組成物に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充
填樹脂層形成工程。
【００１９】また、本発明の多層プリント配線板の製造
方法では、上記半導体素子内蔵工程においてパッド部分
にトランジション層が形成されている半導体素子を内蔵
もしくは収納するか、または、上記充填樹脂層形成工程
の後、半導体素子のパッド部分にトランジション層を形
成するトランジション層形成工程を行うこと望ましい。
方法では、上記半導体素子内蔵工程においてパッド部分
にトランジション層が形成されている半導体素子を内蔵
もしくは収納するか、または、上記充填樹脂層形成工程
の後、半導体素子のパッド部分にトランジション層を形
成するトランジション層形成工程を行うこと望ましい。
【００２０】また、上記多層プリント配線板の製造方法
では、上記樹脂組成物は、さらに粒子を含むものである
ことが望ましく、上記粒子は、樹脂粒子、無機粒子、金
属粒子のうちの少なくとも１種であることが望ましい。
では、上記樹脂組成物は、さらに粒子を含むものである
ことが望ましく、上記粒子は、樹脂粒子、無機粒子、金
属粒子のうちの少なくとも１種であることが望ましい。
【００２１】また、上記多層プリント配線板の製造方法
において、上記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無水
物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少
なくとも１種であることが望ましい。
において、上記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無水
物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少
なくとも１種であることが望ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板は、
半導体素子が内蔵または収納されている（以下、単に内
蔵されているともいう）基板上に、層間樹脂絶縁層と導
体回路とが順次形成され、上記半導体素子と導体回路、
および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続さ
れてなる多層プリント配線板であって、上記基板には、
熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物
により形成された充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵
または収納されていることを特徴とする。
半導体素子が内蔵または収納されている（以下、単に内
蔵されているともいう）基板上に、層間樹脂絶縁層と導
体回路とが順次形成され、上記半導体素子と導体回路、
および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続さ
れてなる多層プリント配線板であって、上記基板には、
熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物
により形成された充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵
または収納されていることを特徴とする。
【００２３】本発明の多層プリント配線板では、熱硬化
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により
形成された充填樹脂層を介して半導体素子が基板に内蔵
されているため、以下の理由により信頼性に優れる。即
ち、本発明の多層プリント配線板においては、充填樹脂
層が、硬化剤として酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物
を用いて形成されており、該樹脂組成物では、硬化処理
時に副生成物として水が生じることがほとんどなく、そ
のため、高温多湿下や、ヒートサイクル試験条件下にお
いても、充填樹脂層（樹脂組成物）中の水分の存在に起
因する不都合が発生しない。
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により
形成された充填樹脂層を介して半導体素子が基板に内蔵
されているため、以下の理由により信頼性に優れる。即
ち、本発明の多層プリント配線板においては、充填樹脂
層が、硬化剤として酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物
を用いて形成されており、該樹脂組成物では、硬化処理
時に副生成物として水が生じることがほとんどなく、そ
のため、高温多湿下や、ヒートサイクル試験条件下にお
いても、充填樹脂層（樹脂組成物）中の水分の存在に起
因する不都合が発生しない。
【００２４】本発明の多層プリント配線板では、熱硬化
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用い
て充填樹脂層が形成されている。上記熱硬化性樹脂とし
ては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイ
ミド樹脂、オレフィン樹脂、シリコン樹脂等が挙げられ
る。
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用い
て充填樹脂層が形成されている。上記熱硬化性樹脂とし
ては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイ
ミド樹脂、オレフィン樹脂、シリコン樹脂等が挙げられ
る。
【００２５】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポ
キシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する
芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリ
シジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げ
られる。これらは単独で用いてもよく、２種以上併用し
てもよい。それにより耐熱性等に優れたものとなる。
ゾールノボラック型樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポ
キシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する
芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリ
シジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げ
られる。これらは単独で用いてもよく、２種以上併用し
てもよい。それにより耐熱性等に優れたものとなる。
【００２６】上記酸無水物系硬化剤としては、１官能性
酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のう
ちの少なくとも１種が望ましい。上記１官能性酸無水物
としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロフタル
酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル
酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、無水メチルナジック
酸、ドデシル無水コハク酸、無水クロレンディック酸等
が挙げられる。
酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のう
ちの少なくとも１種が望ましい。上記１官能性酸無水物
としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロフタル
酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル
酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、無水メチルナジック
酸、ドデシル無水コハク酸、無水クロレンディック酸等
が挙げられる。
【００２７】また、上記２官能性酸無水物としては、無
水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無
水物、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメー
ト）、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物等
が挙げられる。また、遊離酸酸無水物としては、例え
ば、無水ピロメリット酸、ポリアゼライン酸無水物等が
挙げられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用い
てもよいし、２種以上併用してもよい。また、これらの
酸無水物からなる共融混合変性物を用いてもよい。
水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無
水物、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメー
ト）、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物等
が挙げられる。また、遊離酸酸無水物としては、例え
ば、無水ピロメリット酸、ポリアゼライン酸無水物等が
挙げられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用い
てもよいし、２種以上併用してもよい。また、これらの
酸無水物からなる共融混合変性物を用いてもよい。
【００２８】また、上記硬化剤の含有量は、樹脂成分１
００重量部に対して、０．５〜２０重量部が望ましい。
硬化剤の配合量が０．５重量部未満では、樹脂組成物を
硬化して充填樹脂層を形成した際に、硬化が不充分であ
るため充填樹脂層が柔らかく、半導体素子を確実に固定
することができないことがあり、一方、２０重量部を超
えると、信頼性に優れる充填樹脂層を形成することがで
きないことがある。
００重量部に対して、０．５〜２０重量部が望ましい。
硬化剤の配合量が０．５重量部未満では、樹脂組成物を
硬化して充填樹脂層を形成した際に、硬化が不充分であ
るため充填樹脂層が柔らかく、半導体素子を確実に固定
することができないことがあり、一方、２０重量部を超
えると、信頼性に優れる充填樹脂層を形成することがで
きないことがある。
【００２９】また、上記樹脂組成物には、粒子が含まれ
ていることが望ましい。このような粒子を含む樹脂組成
物を用いて形成した充填樹脂層では、粒子の配合量を調
整することにより、熱膨張係数を調整することができる
ため、半導体素子、基板、層間樹脂絶縁層等との間で熱
膨張係数の整合を図ることができ、クラックの発生、基
板や半導体素子との間での剥離の発生を抑制することが
できる。
ていることが望ましい。このような粒子を含む樹脂組成
物を用いて形成した充填樹脂層では、粒子の配合量を調
整することにより、熱膨張係数を調整することができる
ため、半導体素子、基板、層間樹脂絶縁層等との間で熱
膨張係数の整合を図ることができ、クラックの発生、基
板や半導体素子との間での剥離の発生を抑制することが
できる。
【００３０】上記粒子としては、樹脂粒子、無機粒子お
よび金属粒子のうちの少なくとも１種が望ましい。上記
樹脂粒子としては、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹
脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
フェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビ
スマレイミド−トリアジン樹脂、ポリエーテルスルフォ
ン等からなるものが挙げられる。これらは、単独で用い
てもよく、２種以上併用してもよい。
よび金属粒子のうちの少なくとも１種が望ましい。上記
樹脂粒子としては、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹
脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
フェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビ
スマレイミド−トリアジン樹脂、ポリエーテルスルフォ
ン等からなるものが挙げられる。これらは、単独で用い
てもよく、２種以上併用してもよい。
【００３１】また、上記樹脂粒子としては、ゴムからな
る粒子を用いてもよい。具体的には、例えば、ポリブタ
ジエンゴム；エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）ア
クリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム；
カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・
ブタジエンゴム等からなるものが挙げられる。ゴムから
なる粒子を用いることにより、硬化時の硬化収縮による
応力を緩和することができる。これらは、単独で用いて
もよく、２種以上併用してもよい。
る粒子を用いてもよい。具体的には、例えば、ポリブタ
ジエンゴム；エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）ア
クリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム；
カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・
ブタジエンゴム等からなるものが挙げられる。ゴムから
なる粒子を用いることにより、硬化時の硬化収縮による
応力を緩和することができる。これらは、単独で用いて
もよく、２種以上併用してもよい。
【００３２】上記無機粒子としては、例えば、アルミ
ナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸
カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；
炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウ
ム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等から
なるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよい
し、２種以上併用してもよい。
ナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸
カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；
炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウ
ム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等から
なるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよい
し、２種以上併用してもよい。
【００３３】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛、マグネシウム、カルシウム、ケイ素等から
なるものが挙げられる。これらは、単独で用いてもよ
く、２種以上併用してもよい。また、上記金属粒子は、
絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆され
ていてもよい。また、２種以上の粒子を併用する場合、
粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組
み合わせが望ましい。
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛、マグネシウム、カルシウム、ケイ素等から
なるものが挙げられる。これらは、単独で用いてもよ
く、２種以上併用してもよい。また、上記金属粒子は、
絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆され
ていてもよい。また、２種以上の粒子を併用する場合、
粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組
み合わせが望ましい。
【００３４】上記粒子の形状は特に限定されず、球状、
破砕状等が挙げられる。上記粒子の平均粒径は特に限定
されないが、０．０１〜５μｍが望ましい。また、この
範囲の粒径で、異なる粒径を有する粒子を併用してもよ
い。例えば、平均粒径が０．１〜０．５μｍの粒子と平
均粒径が１〜３μｍの粒子を併用する等である。また、
上記粒子の上記樹脂組成物中の含有量は、３０〜８０重
量％が望ましい。
破砕状等が挙げられる。上記粒子の平均粒径は特に限定
されないが、０．０１〜５μｍが望ましい。また、この
範囲の粒径で、異なる粒径を有する粒子を併用してもよ
い。例えば、平均粒径が０．１〜０．５μｍの粒子と平
均粒径が１〜３μｍの粒子を併用する等である。また、
上記粒子の上記樹脂組成物中の含有量は、３０〜８０重
量％が望ましい。
【００３５】また、上記充填樹脂層中に粒子が含まれて
いる場合、該粒子は充填樹脂層中に均一に分散している
ことが望ましい。粒子の分散が不均一であると、充填樹
脂層内でその特性（熱膨張係数等）にバラツキが生じ、
その結果、充填樹脂層内の一部に応力が集中し、該充填
樹脂層でクラックが発生したり、充填樹脂層と、半導体
素子、基板、層間樹脂絶縁層等との間で剥離が発生した
りする原因となることがあるからである。
いる場合、該粒子は充填樹脂層中に均一に分散している
ことが望ましい。粒子の分散が不均一であると、充填樹
脂層内でその特性（熱膨張係数等）にバラツキが生じ、
その結果、充填樹脂層内の一部に応力が集中し、該充填
樹脂層でクラックが発生したり、充填樹脂層と、半導体
素子、基板、層間樹脂絶縁層等との間で剥離が発生した
りする原因となることがあるからである。
【００３６】また、上記樹脂組成物は、樹脂成分として
熱硬化性樹脂を含んでいるが、上記熱硬化性樹脂に代え
て、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹
脂、感光性樹脂等を含んでいてもよい。また、これらの
樹脂と上記熱硬化性樹脂とを併用してもよい。上記熱可
塑性樹脂としては、例えば、ポリスルフォン（ＰＳ
Ｆ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニ
レンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイ
ド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、
ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フェノキシ樹脂、フッ素
樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよい
し、２種以上併用しても良い。
熱硬化性樹脂を含んでいるが、上記熱硬化性樹脂に代え
て、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹
脂、感光性樹脂等を含んでいてもよい。また、これらの
樹脂と上記熱硬化性樹脂とを併用してもよい。上記熱可
塑性樹脂としては、例えば、ポリスルフォン（ＰＳ
Ｆ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニ
レンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイ
ド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、
ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フェノキシ樹脂、フッ素
樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよい
し、２種以上併用しても良い。
【００３７】上記熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂
としては、例えば、熱硬化性樹脂の熱硬化基（例えば、
エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメタクリル酸やア
クリル酸等を反応させ、アクリル基を付与したもの等が
挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以
上併用しても良い。また、上記感光性樹脂としては、例
えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
としては、例えば、熱硬化性樹脂の熱硬化基（例えば、
エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメタクリル酸やア
クリル酸等を反応させ、アクリル基を付与したもの等が
挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以
上併用しても良い。また、上記感光性樹脂としては、例
えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
【００３８】また、上記樹脂組成物には、その他の添加
剤として無機フィラーや有機フィラーが配合されていて
もよい。上記無機フィラーとしては、例えば、シリカ、
アルミナ、ドロマイト等からなるものが挙げられ、上記
有機フィラーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアクリル
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メ
ラニン樹脂、オレフィン系樹脂等からなるものが挙げら
れる。これらのフィラー等を配合させることにより、熱
膨張係数の整合や、耐熱性、耐薬品性等の向上を図るこ
とができ、より信頼性に優れる多層プリント配線板とな
る。
剤として無機フィラーや有機フィラーが配合されていて
もよい。上記無機フィラーとしては、例えば、シリカ、
アルミナ、ドロマイト等からなるものが挙げられ、上記
有機フィラーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアクリル
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メ
ラニン樹脂、オレフィン系樹脂等からなるものが挙げら
れる。これらのフィラー等を配合させることにより、熱
膨張係数の整合や、耐熱性、耐薬品性等の向上を図るこ
とができ、より信頼性に優れる多層プリント配線板とな
る。
【００３９】また、上記樹脂組成物は、必要に応じて、
溶剤等を含有していてもよい。上記溶剤としては、例え
ば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブア
セテート、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が
挙げられる。
溶剤等を含有していてもよい。上記溶剤としては、例え
ば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブア
セテート、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が
挙げられる。
【００４０】また、本発明の多層プリント配線板では、
上記充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵されている基
板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、
上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路が
バイアホールを介して接続されている。
上記充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵されている基
板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、
上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路が
バイアホールを介して接続されている。
【００４１】上記基板としては、一般的にプリント配線
板で使用される樹脂基板等を用いることができ、具体例
としては、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノー
ル樹脂等にガラスエポキシ樹脂等の補強材や心材を含浸
させた樹脂からなる基板や、エポキシ樹脂を含浸させた
プリプレグを積層した基板等が挙げられる。また、両面
銅張積層板、片面板、金属膜を有さない樹脂板、樹脂フ
ィルム等を用いてもよい。また、上記基板には、半導体
素子を内蔵するための凹部が設けられており、該凹部内
には、上記充填樹脂層を介して上記半導体素子が内蔵さ
れている。
板で使用される樹脂基板等を用いることができ、具体例
としては、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノー
ル樹脂等にガラスエポキシ樹脂等の補強材や心材を含浸
させた樹脂からなる基板や、エポキシ樹脂を含浸させた
プリプレグを積層した基板等が挙げられる。また、両面
銅張積層板、片面板、金属膜を有さない樹脂板、樹脂フ
ィルム等を用いてもよい。また、上記基板には、半導体
素子を内蔵するための凹部が設けられており、該凹部内
には、上記充填樹脂層を介して上記半導体素子が内蔵さ
れている。
【００４２】また、上記基板に内蔵された半導体素子
は、そのパッド部分にトランジション層が形成されてい
ることが望ましい。上記トランジション層とは、半導体
素子に配設されたパッドを拡径するために設けられた導
体層であり、その形成目的は、以下に述べるような半導
体素子のパッド部分に発生する種々の不具合を解消する
ことにある。
は、そのパッド部分にトランジション層が形成されてい
ることが望ましい。上記トランジション層とは、半導体
素子に配設されたパッドを拡径するために設けられた導
体層であり、その形成目的は、以下に述べるような半導
体素子のパッド部分に発生する種々の不具合を解消する
ことにある。
【００４３】即ち、通常、バイアホール用開口の開口径
は６０〜８０μｍであるのに対し、半導体素子のパッド
部分は、その径が４０μｍ程度であり、そのため、上記
パッドとバイアホールとを直接接続した場合には、パッ
ド径が小さいことに起因して、バイアホールの位置ずれ
が発生し、これが導通不良や断線の原因となることがあ
った。しかしながら、上記トランジション層を形成した
場合には、該トランジション層の水平方向の径（以下、
単に直径という）がパッドの径に比べて大きいため、バ
イアホールとの接続を確実に行うことができる。また、
上記多層プリント配線板を製造する際には、酸や酸化
剤、エッチング液等を使用することがあるため、これら
酸等と半導体素子のパッドとが接触した際に、パッドの
変色や溶解が発生することがあるが、トランジション層
を形成することにより、半導体素子のパッドと上記酸等
とが直接接触することを防止することができる。また、
バイアホール用開口をレーザ処理により形成する場合に
は、半導体素子のパッドをレーザ光から保護することが
できる。
は６０〜８０μｍであるのに対し、半導体素子のパッド
部分は、その径が４０μｍ程度であり、そのため、上記
パッドとバイアホールとを直接接続した場合には、パッ
ド径が小さいことに起因して、バイアホールの位置ずれ
が発生し、これが導通不良や断線の原因となることがあ
った。しかしながら、上記トランジション層を形成した
場合には、該トランジション層の水平方向の径（以下、
単に直径という）がパッドの径に比べて大きいため、バ
イアホールとの接続を確実に行うことができる。また、
上記多層プリント配線板を製造する際には、酸や酸化
剤、エッチング液等を使用することがあるため、これら
酸等と半導体素子のパッドとが接触した際に、パッドの
変色や溶解が発生することがあるが、トランジション層
を形成することにより、半導体素子のパッドと上記酸等
とが直接接触することを防止することができる。また、
バイアホール用開口をレーザ処理により形成する場合に
は、半導体素子のパッドをレーザ光から保護することが
できる。
【００４４】上記トランジション層の直径は特に限定さ
れず、バイアホール用開口の開口径等を考慮して適宜選
択すればよく、バイアホール用開口の開口径と同程度の
６０〜８０μｍが望ましい。
れず、バイアホール用開口の開口径等を考慮して適宜選
択すればよく、バイアホール用開口の開口径と同程度の
６０〜８０μｍが望ましい。
【００４５】上記トランジション層の材質としては、
銅、クロム、ニッケル、亜鉛、金、銀、スズ、鉄等が挙
げられる。これらのなかでは、その上層に形成される導
体回路（バイアホール）の材質と同様のものが望まし
く、通常、導体回路の材質は銅であるため銅が望まし
い。また、上記トランジション層は、一層からなるもの
であっても良いし、二層以上の複数層からなるものであ
ってもよいが、二層以上の複数層からなるものが望まし
い。
銅、クロム、ニッケル、亜鉛、金、銀、スズ、鉄等が挙
げられる。これらのなかでは、その上層に形成される導
体回路（バイアホール）の材質と同様のものが望まし
く、通常、導体回路の材質は銅であるため銅が望まし
い。また、上記トランジション層は、一層からなるもの
であっても良いし、二層以上の複数層からなるものであ
ってもよいが、二層以上の複数層からなるものが望まし
い。
【００４６】上記トランジション層の厚さは、１〜３５
μｍが望ましい。上記トランジション層の厚さが３５μ
ｍを超えると、その形状がアンダーカット形状になるこ
とがあり、ＩＣチップとバイアホールとの接続信頼性の
低下に繋がる原因となることがある。なお、上記トラン
ジション層を形成する方法については、後に本発明の製
造方法を説明する際に詳述する。
μｍが望ましい。上記トランジション層の厚さが３５μ
ｍを超えると、その形状がアンダーカット形状になるこ
とがあり、ＩＣチップとバイアホールとの接続信頼性の
低下に繋がる原因となることがある。なお、上記トラン
ジション層を形成する方法については、後に本発明の製
造方法を説明する際に詳述する。
【００４７】また、上記基板上に積層形成される層間樹
脂絶縁層は、例えば、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合
体、熱硬化性樹脂と感光性樹脂との樹脂複合体等を含む
樹脂組成物により形成されている。
脂絶縁層は、例えば、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合
体、熱硬化性樹脂と感光性樹脂との樹脂複合体等を含む
樹脂組成物により形成されている。
【００４８】上記熱硬化性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィ
ン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられ
る。
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィ
ン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられ
る。
【００４９】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。
【００５０】上記ポリオレフィン系樹脂としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。
ば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。
【００５１】上記感光性樹脂としては、例えば、アクリ
ル樹脂等が挙げられる。また、上記した熱硬化性樹脂に
感光性を付与したものも感光性樹脂として用いることが
できる。具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂の熱硬
化基（例えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメ
タクリル酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付
与したもの等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂として
は、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォ
ン、ポリスルフォン等挙げられる。
ル樹脂等が挙げられる。また、上記した熱硬化性樹脂に
感光性を付与したものも感光性樹脂として用いることが
できる。具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂の熱硬
化基（例えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメ
タクリル酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付
与したもの等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂として
は、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォ
ン、ポリスルフォン等挙げられる。
【００５２】上記熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂
複合体としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂と上記
した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。なかで
も、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂および／またはフ
ェノール樹脂を含み、熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹
脂および／またはポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）を
含むものが望ましい。また、上記感光性樹脂と熱可塑性
樹脂との複合体としては、例えば、上記した感光性樹脂
と上記した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。
複合体としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂と上記
した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。なかで
も、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂および／またはフ
ェノール樹脂を含み、熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹
脂および／またはポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）を
含むものが望ましい。また、上記感光性樹脂と熱可塑性
樹脂との複合体としては、例えば、上記した感光性樹脂
と上記した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。
【００５３】また、上記樹脂組成物の一例としては、粗
化面形成用樹脂組成物も挙げられる。上記粗化面形成用
樹脂組成物としては、例えば、酸、アルカリおよび酸化
剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して
難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に対して可溶性の物質が分散されたもの等が挙
げられる。なお、上記「難溶性」および「可溶性」とい
う語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対
的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相
対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
化面形成用樹脂組成物も挙げられる。上記粗化面形成用
樹脂組成物としては、例えば、酸、アルカリおよび酸化
剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して
難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に対して可溶性の物質が分散されたもの等が挙
げられる。なお、上記「難溶性」および「可溶性」とい
う語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対
的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相
対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００５４】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層
間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際
に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例え
ば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が
挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。バイア
ホール用開口を形成する際に、露光現像処理により開口
を形成することができるからである。
間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際
に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例え
ば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が
挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。バイア
ホール用開口を形成する際に、露光現像処理により開口
を形成することができるからである。
【００５５】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、これら
の熱硬化性樹脂に感光性を付与した樹脂、即ち、メタク
リル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アク
リル化反応させた樹脂を用いてもよい。具体的には、エ
ポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望ましく、さら
に、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、これら
の熱硬化性樹脂に感光性を付与した樹脂、即ち、メタク
リル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アク
リル化反応させた樹脂を用いてもよい。具体的には、エ
ポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望ましく、さら
に、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。
【００５６】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェ
ノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以
上併用してもよい。
ノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以
上併用してもよい。
【００５７】上記可溶性の物質としては、例えば、無機
粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および
液相ゴム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよ
いし、２種以上併用してもよい。
粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および
液相ゴム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよ
いし、２種以上併用してもよい。
【００５８】上記無機粒子としては、例えば、アルミ
ナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸
カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；
炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウ
ム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等が挙
げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併
用してもよい。上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去
することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去する
ことができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイ
トはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
ナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸
カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；
炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウ
ム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等が挙
げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併
用してもよい。上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去
することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去する
ことができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイ
トはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【００５９】上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリック
スよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、
具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独
で用いてもよく、２種以上併用してもよい。なお、上記
樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。
硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックス
を溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合さ
れてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解
除去することができないからである。
樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリック
スよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、
具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独
で用いてもよく、２種以上併用してもよい。なお、上記
樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。
硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックス
を溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合さ
れてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解
除去することができないからである。
【００６０】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いても
よく、２種以上併用してもよい。また、上記金属粒子
は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆
されていてもよい。
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いても
よく、２種以上併用してもよい。また、上記金属粒子
は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆
されていてもよい。
【００６１】また、上記導体回路や、該導体回路を電気
的に接続するバイアホールとしては、例えば、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ、これらの合金等からなるもの
が挙げられる。
的に接続するバイアホールとしては、例えば、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ、これらの合金等からなるもの
が挙げられる。
【００６２】上記多層プリント配線板においては、通
常、最外層に半田バンプ形成用開口を有するソルダーレ
ジスト層が形成されており、上記半田バンプ形成用開口
には半田バンプが形成されている。また、上記半田バン
プ形成用開口に設けられた半田層を介して導電性接続ピ
ンが配設されていることもある。このような場合、半田
バンプや導電性接続ピン等の外部接続端子の形成位置
は、半導体素子の直上以外の領域であることが望まし
い。この理由は、以下の通りである。
常、最外層に半田バンプ形成用開口を有するソルダーレ
ジスト層が形成されており、上記半田バンプ形成用開口
には半田バンプが形成されている。また、上記半田バン
プ形成用開口に設けられた半田層を介して導電性接続ピ
ンが配設されていることもある。このような場合、半田
バンプや導電性接続ピン等の外部接続端子の形成位置
は、半導体素子の直上以外の領域であることが望まし
い。この理由は、以下の通りである。
【００６３】即ち、多層プリント配線板において、外部
接続端子の周囲で剥離やクラックが発生する場合、その
原因は、半導体素子、ソルダーレジスト層、層間樹脂絶
縁層および外部基板の熱膨張係数の差にあることが多
い。具体的には、セラミックからなる半導体素子および
外部基板は、熱膨張係数が小さく、熱膨張による伸びが
小さいのに対し、樹脂からなる層間樹脂絶縁層およびソ
ルダーレジスト層は、半導体素子および外部基板と比較
して熱膨張係数が大きく、熱膨張による伸びが大きいた
め、この熱膨張係数の差に起因して外部接続端子の周囲
などに応力が集中し、剥離やクラックの発生の原因とな
る。
接続端子の周囲で剥離やクラックが発生する場合、その
原因は、半導体素子、ソルダーレジスト層、層間樹脂絶
縁層および外部基板の熱膨張係数の差にあることが多
い。具体的には、セラミックからなる半導体素子および
外部基板は、熱膨張係数が小さく、熱膨張による伸びが
小さいのに対し、樹脂からなる層間樹脂絶縁層およびソ
ルダーレジスト層は、半導体素子および外部基板と比較
して熱膨張係数が大きく、熱膨張による伸びが大きいた
め、この熱膨張係数の差に起因して外部接続端子の周囲
などに応力が集中し、剥離やクラックの発生の原因とな
る。
【００６４】従って、半導体素子の内蔵されていない基
板上の領域に外部接続端子を配設することによって、熱
膨張を小さくすることができ、半田バンプや導電性接続
ピン等の外部接続端子の周囲などに発生する剥離、クラ
ック等を防止することができる。その結果、外部接続端
子の脱落や位置ズレが防止され、信頼性に優れる多層プ
リント配線板となる。このような構成からなる本発明の
多層プリント配線板は、後述する本発明の多層プリント
配線板の製造方法により製造することができる。
板上の領域に外部接続端子を配設することによって、熱
膨張を小さくすることができ、半田バンプや導電性接続
ピン等の外部接続端子の周囲などに発生する剥離、クラ
ック等を防止することができる。その結果、外部接続端
子の脱落や位置ズレが防止され、信頼性に優れる多層プ
リント配線板となる。このような構成からなる本発明の
多層プリント配線板は、後述する本発明の多層プリント
配線板の製造方法により製造することができる。
【００６５】次に、本発明の多層プリント配線板の製造
方法について説明する。本発明の多層プリント配線板の
製造方法は、半導体素子が内蔵または収納されている基
板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、
上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路が
バイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線
板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）
の工程を経ることを特徴とする。 （ａ）基板に半導体素子を内蔵または収納するための凹
部を形成する凹部形成工程、（ｂ）上記凹部内に熱硬化
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を塗布
することにより塗布層を形成する樹脂組成物塗布工程、
（ｃ）上記塗布層を形成した凹部に半導体素子を内蔵す
る半導体素子内蔵工程、および、（ｄ）上記樹脂組成物
に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充填樹脂層形
成工程。
方法について説明する。本発明の多層プリント配線板の
製造方法は、半導体素子が内蔵または収納されている基
板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、
上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路が
バイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線
板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）
の工程を経ることを特徴とする。 （ａ）基板に半導体素子を内蔵または収納するための凹
部を形成する凹部形成工程、（ｂ）上記凹部内に熱硬化
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を塗布
することにより塗布層を形成する樹脂組成物塗布工程、
（ｃ）上記塗布層を形成した凹部に半導体素子を内蔵す
る半導体素子内蔵工程、および、（ｄ）上記樹脂組成物
に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充填樹脂層形
成工程。
【００６６】本発明の多層プリント配線板の製造方法で
は、充填樹脂層の形成に、硬化剤として酸無水物系硬化
剤を含む樹脂組成物を用いており、該樹脂組成物を用い
た充填樹脂層の形成では、硬化処理時に副生成物として
水をほとんど生じない。従って、高温多湿下やヒートサ
イクル条件下においても不都合の発生しない信頼性に優
れる多層プリント配線板を製造することができる。
は、充填樹脂層の形成に、硬化剤として酸無水物系硬化
剤を含む樹脂組成物を用いており、該樹脂組成物を用い
た充填樹脂層の形成では、硬化処理時に副生成物として
水をほとんど生じない。従って、高温多湿下やヒートサ
イクル条件下においても不都合の発生しない信頼性に優
れる多層プリント配線板を製造することができる。
【００６７】以下、まず、上記（ａ）〜（ｄ）の工程、
即ち、充填樹脂層を介して半導体素子を内蔵した基板を
作製する方法について説明し、その後、この基板上に導
体回路、層間樹脂絶縁層等を形成し、多層プリント配線
板とする方法について説明する。
即ち、充填樹脂層を介して半導体素子を内蔵した基板を
作製する方法について説明し、その後、この基板上に導
体回路、層間樹脂絶縁層等を形成し、多層プリント配線
板とする方法について説明する。
【００６８】本発明の製造方法では、まず、上記（ａ）
の工程、即ち、基板に半導体素子を内蔵または収納する
ための凹部を形成する凹部形成工程を行う。具体的に
は、まず、上記したガラスエポキシ樹脂やＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂等からなる基板の片面にザク
リ加工等により凹部を形成する。また、上記ザクリ加工
を用いる方法に代えて、貫通孔を有する基板と貫通孔を
有さない基板とを貼り合わせることにより半導体素子を
内蔵するための凹部を形成してもよい。なお、この場
合、基板同士は接着剤を用いて貼り合わせればよい。
の工程、即ち、基板に半導体素子を内蔵または収納する
ための凹部を形成する凹部形成工程を行う。具体的に
は、まず、上記したガラスエポキシ樹脂やＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂等からなる基板の片面にザク
リ加工等により凹部を形成する。また、上記ザクリ加工
を用いる方法に代えて、貫通孔を有する基板と貫通孔を
有さない基板とを貼り合わせることにより半導体素子を
内蔵するための凹部を形成してもよい。なお、この場
合、基板同士は接着剤を用いて貼り合わせればよい。
【００６９】次に、上記（ｂ）の工程、即ち、上記凹部
内に熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組
成物を塗布することにより塗布層を形成する樹脂組成物
塗布工程を行う。上記樹脂組成物の塗布は、例えば、印
刷機等を用いて行う。また、ポッティングにより行って
もよい。
内に熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組
成物を塗布することにより塗布層を形成する樹脂組成物
塗布工程を行う。上記樹脂組成物の塗布は、例えば、印
刷機等を用いて行う。また、ポッティングにより行って
もよい。
【００７０】上記酸無水物系硬化剤は、上述したように
１官能性酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無
水物のうちの少なくとも１種であることが望ましい。こ
のような酸無水物を含む樹脂組成物を用いて充填樹脂層
を形成する場合には、硬化処理時に副生成物として水が
発生せず、後工程を経て形成した充填樹脂層には、水分
が含まれないからである。
１官能性酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無
水物のうちの少なくとも１種であることが望ましい。こ
のような酸無水物を含む樹脂組成物を用いて充填樹脂層
を形成する場合には、硬化処理時に副生成物として水が
発生せず、後工程を経て形成した充填樹脂層には、水分
が含まれないからである。
【００７１】また、この工程で塗布する樹脂組成物は、
粒子を含むものであることが望ましい。粒子を含む樹脂
組成物を用いて塗布層を形成し、さらに、後工程を経
て、充填樹脂層を形成する場合、この工程で予め粒子の
配合量を調整しておくことにより、半導体素子や基板等
と熱膨張係数を整合させた充填樹脂層を形成することが
できるからである。また、上記粒子は、樹脂粒子、無機
粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種であること
が望ましい。
粒子を含むものであることが望ましい。粒子を含む樹脂
組成物を用いて塗布層を形成し、さらに、後工程を経
て、充填樹脂層を形成する場合、この工程で予め粒子の
配合量を調整しておくことにより、半導体素子や基板等
と熱膨張係数を整合させた充填樹脂層を形成することが
できるからである。また、上記粒子は、樹脂粒子、無機
粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種であること
が望ましい。
【００７２】次に、上記（ｃ）の工程、即ち、上記塗布
層を形成した凹部に半導体素子を内蔵または収納する半
導体素子内蔵工程を行う。この工程では、半導体素子を
上記塗布層の上に載置した後、半導体素子の上面を押す
か、または、叩くことにより半導体素子を基板に設けた
凹部内に完全に内蔵する。これにより基板表面をほぼ平
滑にすることができる。また、この際、塗布層（樹脂組
成物）の一部が凹部から押し出され、半導体素子の上面
や基板の上面に付着することがあるが、後述するよう
に、半導体素子の上面を含む基板の上面には、樹脂層を
形成した後、レーザ処理等によりバイアホール用開口を
形成するため、半導体素子とバイアホールとの接続に悪
影響を与えることはない。
層を形成した凹部に半導体素子を内蔵または収納する半
導体素子内蔵工程を行う。この工程では、半導体素子を
上記塗布層の上に載置した後、半導体素子の上面を押す
か、または、叩くことにより半導体素子を基板に設けた
凹部内に完全に内蔵する。これにより基板表面をほぼ平
滑にすることができる。また、この際、塗布層（樹脂組
成物）の一部が凹部から押し出され、半導体素子の上面
や基板の上面に付着することがあるが、後述するよう
に、半導体素子の上面を含む基板の上面には、樹脂層を
形成した後、レーザ処理等によりバイアホール用開口を
形成するため、半導体素子とバイアホールとの接続に悪
影響を与えることはない。
【００７３】また、この工程で内蔵する半導体素子は、
パッド部分にトランジション層が形成されているものが
望ましい。トランジション層が形成された半導体素子で
は、後工程で、エッチング液、酸、酸化剤等を用いる際
に、エッチング液等から半導体素子のパッドを保護する
ことができる。また、後工程で、バイアホール用開口を
レーザ処理により形成する場合は、上記パッドをレーザ
光から保護することができる。加えて、パッド上にトラ
ンジション層が形成されている場合は、アニール処理や
熱硬化処理においても、パッドの変色や溶解等が発生す
るおそれがない。
パッド部分にトランジション層が形成されているものが
望ましい。トランジション層が形成された半導体素子で
は、後工程で、エッチング液、酸、酸化剤等を用いる際
に、エッチング液等から半導体素子のパッドを保護する
ことができる。また、後工程で、バイアホール用開口を
レーザ処理により形成する場合は、上記パッドをレーザ
光から保護することができる。加えて、パッド上にトラ
ンジション層が形成されている場合は、アニール処理や
熱硬化処理においても、パッドの変色や溶解等が発生す
るおそれがない。
【００７４】なお、上記トランジション層が形成された
半導体素子は、例えば、下記（i）〜（vi）工程を経る
ことにより作製することができる。そこで、トランジシ
ョン層が形成された半導体素子を作製する方法について
図面を参照しながら説明する。図１〜３は、それぞれ、
トランジション層が形成された半導体素子を作製する工
程の一部を模式的に示す断面図である。
半導体素子は、例えば、下記（i）〜（vi）工程を経る
ことにより作製することができる。そこで、トランジシ
ョン層が形成された半導体素子を作製する方法について
図面を参照しながら説明する。図１〜３は、それぞれ、
トランジション層が形成された半導体素子を作製する工
程の一部を模式的に示す断面図である。
【００７５】（i）まず、シリコンウエハ２０Ａを出発
材料とし（図１（Ａ）参照）、定法により配線およびパ
ッド２２を形成する（図１（Ｂ）参照）。 （ii）次に、パッド２２および配線の上に、パッシベー
ション膜２４を形成し、パッド２２上に開口２４ａを設
ける（図１（Ｃ）参照）。
材料とし（図１（Ａ）参照）、定法により配線およびパ
ッド２２を形成する（図１（Ｂ）参照）。 （ii）次に、パッド２２および配線の上に、パッシベー
ション膜２４を形成し、パッド２２上に開口２４ａを設
ける（図１（Ｃ）参照）。
【００７６】（iii）次に、パッド２２およびパッシベ
ーション膜２４を形成したシリコンウエハ２０Ａ上の全
面に、蒸着、スパッタリング、無電解めっき処理等によ
り、導電性の金属膜（薄膜層）３３を形成する（図２
（Ａ）参照）。
ーション膜２４を形成したシリコンウエハ２０Ａ上の全
面に、蒸着、スパッタリング、無電解めっき処理等によ
り、導電性の金属膜（薄膜層）３３を形成する（図２
（Ａ）参照）。
【００７７】上記薄膜層の材質としては、例えば、ス
ズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、
銀、銅等が挙げられる。これらの金属を用いた場合に
は、パッド部分の保護膜としての役割を果たすととも
に、電気特性を劣化させることがない。また、上記薄膜
層は、１層からなるものであってもよいし、２層以上か
らなるものであってもよい。
ズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、
銀、銅等が挙げられる。これらの金属を用いた場合に
は、パッド部分の保護膜としての役割を果たすととも
に、電気特性を劣化させることがない。また、上記薄膜
層は、１層からなるものであってもよいし、２層以上か
らなるものであってもよい。
【００７８】上記薄膜層が１層からなる場合、該薄膜層
は、蒸着やスパッタリングにより形成することが望まし
く、上記薄膜層が２層以上からなる場合、最下層を蒸着
やスパッタリングにより形成し、上層を無電解めっき処
理、蒸着、スパッタリング等により形成することが望ま
しい。また、２層からなる薄膜層を形成する場合、下層
と上層の材質の組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニ
ッケル、チタン−銅、または、チタン−ニッケルの組み
合わせが望ましい。金属との接合性や電気伝達性という
点で優れるからである。また、半導体素子のパッドの材
質がアルミニウムである場合には、下層の材質と亜鉛、
クロムまたはニッケルとし、上層の材質を銅とすること
も望ましい。
は、蒸着やスパッタリングにより形成することが望まし
く、上記薄膜層が２層以上からなる場合、最下層を蒸着
やスパッタリングにより形成し、上層を無電解めっき処
理、蒸着、スパッタリング等により形成することが望ま
しい。また、２層からなる薄膜層を形成する場合、下層
と上層の材質の組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニ
ッケル、チタン−銅、または、チタン−ニッケルの組み
合わせが望ましい。金属との接合性や電気伝達性という
点で優れるからである。また、半導体素子のパッドの材
質がアルミニウムである場合には、下層の材質と亜鉛、
クロムまたはニッケルとし、上層の材質を銅とすること
も望ましい。
【００７９】上記薄膜層の厚さは、該薄膜層が１層から
なる場合、０．００１〜２μmが望ましい。上記厚さが
０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面に薄膜
層を形成することができないことがあり、一方、２μm
を超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてしまうこ
とがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．０μm
である。
なる場合、０．００１〜２μmが望ましい。上記厚さが
０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面に薄膜
層を形成することができないことがあり、一方、２μm
を超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてしまうこ
とがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．０μm
である。
【００８０】また、上記薄膜層が２層からなる場合、そ
の下層の厚さは、０．００１〜２μmが望ましい。上記
厚さが０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面
に薄膜層を形成することができないことがあり、一方、
２μmを超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてし
まうことがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．
０μmである。また、上層の厚さは、０．０１〜５μmが
望ましく、０．１〜３μmがより望ましい。
の下層の厚さは、０．００１〜２μmが望ましい。上記
厚さが０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面
に薄膜層を形成することができないことがあり、一方、
２μmを超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてし
まうことがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．
０μmである。また、上層の厚さは、０．０１〜５μmが
望ましく、０．１〜３μmがより望ましい。
【００８１】（iv）次に、薄膜層３３上にめっきレジス
ト３５を形成し、さらに、めっきレジスト３５非形成部
分に電解めっきを施すことにより電解めっき層３７を形
成する（図２（Ｂ）参照）。上記レジストは、液状レジ
スト、感光性レジスト、ドライフィルム等からなる層を
薄膜層３３上に形成した後、露光、現像処理を施すこと
により形成することができる。
ト３５を形成し、さらに、めっきレジスト３５非形成部
分に電解めっきを施すことにより電解めっき層３７を形
成する（図２（Ｂ）参照）。上記レジストは、液状レジ
スト、感光性レジスト、ドライフィルム等からなる層を
薄膜層３３上に形成した後、露光、現像処理を施すこと
により形成することができる。
【００８２】上記電解めっき層の材質としては、例え
ば、銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄等が挙げられる。
これらなかでは、電気特性および経済性に優れ、さら
に、後述するようにバイアホールの材質が、通常、銅で
ある点から銅が望ましい。また、上記電解めっき層の厚
さは、１〜２０μmが望ましい。
ば、銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄等が挙げられる。
これらなかでは、電気特性および経済性に優れ、さら
に、後述するようにバイアホールの材質が、通常、銅で
ある点から銅が望ましい。また、上記電解めっき層の厚
さは、１〜２０μmが望ましい。
【００８３】（v）次に、めっきレジスト３５をアルカ
リ溶液等で剥離除去し、さらに、めっきレジスト３５下
に存在した薄膜層３３をエッチング除去することにより
半導体素子のパッド２２にトランジション層３８を形成
する（図２（Ｃ）参照）。なお、上記エッチング除去
は、硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第
二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液を用いて行えばよ
い。
リ溶液等で剥離除去し、さらに、めっきレジスト３５下
に存在した薄膜層３３をエッチング除去することにより
半導体素子のパッド２２にトランジション層３８を形成
する（図２（Ｃ）参照）。なお、上記エッチング除去
は、硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第
二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液を用いて行えばよ
い。
【００８４】また、この工程では、トランジション層３
８を形成した後、必要に応じて、トランジション層３８
の表面を粗化面３８αとしてもよい（図３（Ａ）参
照）。トランジション層の表面を粗化面とすることによ
り、後工程で形成する層間樹脂絶縁層との密着性が向上
するからである。なお、粗化面の形成は、エッチング処
理、無電解めっき処理、酸化還元処理等を用いて行えば
よい。
８を形成した後、必要に応じて、トランジション層３８
の表面を粗化面３８αとしてもよい（図３（Ａ）参
照）。トランジション層の表面を粗化面とすることによ
り、後工程で形成する層間樹脂絶縁層との密着性が向上
するからである。なお、粗化面の形成は、エッチング処
理、無電解めっき処理、酸化還元処理等を用いて行えば
よい。
【００８５】また、このような（iv）および（v）の工
程を経る方法、即ち、薄膜層上にめっきレジストを形成
し、その後、電解めっき処理と、めっきレジストおよび
薄膜層の除去とを行う方法に代えて、下記の方法を用い
てトランジション層を形成してもよい。
程を経る方法、即ち、薄膜層上にめっきレジストを形成
し、その後、電解めっき処理と、めっきレジストおよび
薄膜層の除去とを行う方法に代えて、下記の方法を用い
てトランジション層を形成してもよい。
【００８６】即ち、薄膜層を形成した後、該薄膜層上の
全面に電解めっき層を形成し、さらに、該電解めっき層
上にエッチングレジストを形成した後、電解めっき層お
よび薄膜層のエッチング除去を行うことによりトランジ
ション層を形成してもよい。ここで、電解めっき層は、
上記（iv）の工程で用いた方法と同様の方法で形成する
ことができ、その望ましい材質や厚さは、上記（iv）の
工程で形成する電解めっき層と同様である。
全面に電解めっき層を形成し、さらに、該電解めっき層
上にエッチングレジストを形成した後、電解めっき層お
よび薄膜層のエッチング除去を行うことによりトランジ
ション層を形成してもよい。ここで、電解めっき層は、
上記（iv）の工程で用いた方法と同様の方法で形成する
ことができ、その望ましい材質や厚さは、上記（iv）の
工程で形成する電解めっき層と同様である。
【００８７】また、上記エッチングレジストの形成は、
液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等から
なる層を電解めっき層上に形成した後、露光、現像処理
を施すことにより行うことができる。また、電解めっき
層および薄膜層のエッチング除去は、硫酸−過酸化水素
水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等
のエッチング液を用いて行うことができる。
液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等から
なる層を電解めっき層上に形成した後、露光、現像処理
を施すことにより行うことができる。また、電解めっき
層および薄膜層のエッチング除去は、硫酸−過酸化水素
水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等
のエッチング液を用いて行うことができる。
【００８８】（vi）次に、トランジション層３８が形成
されたシリコンウエハ２０Ａを、ダイシング等により個
片に分割し、パッド２２上にトランジション層３８が形
成された半導体素子２０とする（図３（Ｂ）参照）。な
お、この工程では、分割後、半導体素子２０の動作確認
や電気検査を行ってもよい。この場合、パッド上には、
パッド部分よりもその径が大きいトランジション層が形
成されているため、プローブピンが当てやすく、検査の
精度が高くなっている。
されたシリコンウエハ２０Ａを、ダイシング等により個
片に分割し、パッド２２上にトランジション層３８が形
成された半導体素子２０とする（図３（Ｂ）参照）。な
お、この工程では、分割後、半導体素子２０の動作確認
や電気検査を行ってもよい。この場合、パッド上には、
パッド部分よりもその径が大きいトランジション層が形
成されているため、プローブピンが当てやすく、検査の
精度が高くなっている。
【００８９】また、この半導体素子内蔵工程では、半導
体素子を内蔵する前に、該半導体素子の壁面に洗浄処理
を施しておくことが望ましい。半導体素子の壁面に異物
が付着していることがあるからである。上記洗浄処理と
しては、紫外線／オゾン洗浄が望ましい。半導体素子の
パッドやトランジション層に悪影響を及ぼすことなく、
半導体素子の壁面を洗浄することができるからである。
また、上記紫外線／オゾン洗浄の処理条件は特に限定さ
れず、例えば、２５４ｎｍ光の強度２０〜７０ｍＷ／ｃ
ｍ２、オゾン濃度５０〜２００ｖｏｌｐｐｍ、照射時間
２〜２０分、半導体素子温度５０〜３００℃の条件で行
うことができる。上記紫外線／オゾン洗浄は、高濃度の
オゾン雰囲気下で行ってもよい。
体素子を内蔵する前に、該半導体素子の壁面に洗浄処理
を施しておくことが望ましい。半導体素子の壁面に異物
が付着していることがあるからである。上記洗浄処理と
しては、紫外線／オゾン洗浄が望ましい。半導体素子の
パッドやトランジション層に悪影響を及ぼすことなく、
半導体素子の壁面を洗浄することができるからである。
また、上記紫外線／オゾン洗浄の処理条件は特に限定さ
れず、例えば、２５４ｎｍ光の強度２０〜７０ｍＷ／ｃ
ｍ２、オゾン濃度５０〜２００ｖｏｌｐｐｍ、照射時間
２〜２０分、半導体素子温度５０〜３００℃の条件で行
うことができる。上記紫外線／オゾン洗浄は、高濃度の
オゾン雰囲気下で行ってもよい。
【００９０】次に、上記（ｄ）の工程、即ち、上記樹脂
組成物に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充填樹
脂層形成工程を行う。なお、上記硬化処理を行う際の加
熱温度は特に限定されず、上記樹脂組成物の組成を考慮
して適宜選択すればよく、通常は、８０〜２００℃程度
である。また、加熱時間も特に限定されないが、通常、
３０分〜２４時間程度である。なお、上記硬化処理は、
各温度区間で一定時間保った後、温度を上昇させるステ
ップキュアにより行ってもよい。
組成物に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充填樹
脂層形成工程を行う。なお、上記硬化処理を行う際の加
熱温度は特に限定されず、上記樹脂組成物の組成を考慮
して適宜選択すればよく、通常は、８０〜２００℃程度
である。また、加熱時間も特に限定されないが、通常、
３０分〜２４時間程度である。なお、上記硬化処理は、
各温度区間で一定時間保った後、温度を上昇させるステ
ップキュアにより行ってもよい。
【００９１】このような（ａ）〜（ｄ）の工程を経るこ
とにより、充填樹脂層を介して半導体素子を内蔵した基
板を作製することができる。また、上記（ｃ）の工程に
おいて、パッド部分にトランジション層が形成されてい
ない半導体素子を内臓した場合には、上記（ｄ）の工程
の後、半導体素子のパッド部分にトランジション層を形
成するトランジション層形成工程を行うことが望まし
い。
とにより、充填樹脂層を介して半導体素子を内蔵した基
板を作製することができる。また、上記（ｃ）の工程に
おいて、パッド部分にトランジション層が形成されてい
ない半導体素子を内臓した場合には、上記（ｄ）の工程
の後、半導体素子のパッド部分にトランジション層を形
成するトランジション層形成工程を行うことが望まし
い。
【００９２】上記トランジション層形成工程は、例え
ば、下記（i）〜（iii）の工程を経ることにより行うこ
とができる。即ち、（i）まず、半導体素子を内蔵した
基板の上面（半導体素子の上面を含む）に、蒸着、スパ
ッタリング、無電解めっき処理等により、導電性の金属
膜（薄膜層）を形成する。
ば、下記（i）〜（iii）の工程を経ることにより行うこ
とができる。即ち、（i）まず、半導体素子を内蔵した
基板の上面（半導体素子の上面を含む）に、蒸着、スパ
ッタリング、無電解めっき処理等により、導電性の金属
膜（薄膜層）を形成する。
【００９３】上記薄膜層の材質としては、例えば、ス
ズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、
銀、銅等が挙げられる。これらの金属を用いた場合に
は、パッド部分の保護膜としての役割を果たすととも
に、電気特性を劣化させることがない。また、上記薄膜
層は、１層からなるものであってもよいし、２層以上か
らなるものであってもよい。
ズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、
銀、銅等が挙げられる。これらの金属を用いた場合に
は、パッド部分の保護膜としての役割を果たすととも
に、電気特性を劣化させることがない。また、上記薄膜
層は、１層からなるものであってもよいし、２層以上か
らなるものであってもよい。
【００９４】上記薄膜層が１層からなる場合、該薄膜層
は、物理的な蒸着により形成することか望ましく、上記
薄膜層が２層以上からなる場合、最下層を蒸着やスパッ
タリングにより形成し、上層を無電解めっき処理、蒸
着、スパッタリング等により形成することが望ましい。
また、２層からなる薄膜層を形成する場合、下層と上層
の材質の組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニッケ
ル、チタン−銅、または、チタン−ニッケルの組み合わ
せが望ましい。金属との接合性や電気伝達性という点で
優れるからである。また、半導体素子のパッドの材質が
アルミニウムである場合には、下層の材質を亜鉛、クロ
ムまたはニッケルとし、上層の材質を銅とすることも望
ましい。
は、物理的な蒸着により形成することか望ましく、上記
薄膜層が２層以上からなる場合、最下層を蒸着やスパッ
タリングにより形成し、上層を無電解めっき処理、蒸
着、スパッタリング等により形成することが望ましい。
また、２層からなる薄膜層を形成する場合、下層と上層
の材質の組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニッケ
ル、チタン−銅、または、チタン−ニッケルの組み合わ
せが望ましい。金属との接合性や電気伝達性という点で
優れるからである。また、半導体素子のパッドの材質が
アルミニウムである場合には、下層の材質を亜鉛、クロ
ムまたはニッケルとし、上層の材質を銅とすることも望
ましい。
【００９５】上記薄膜層の厚さは、該薄膜層が１層から
なる場合、０．００１〜２μmが望ましい。上記厚さが
０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面に薄膜
層を形成することができないことがあり、一方、２μm
を超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてしまうこ
とがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．０μm
である。
なる場合、０．００１〜２μmが望ましい。上記厚さが
０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面に薄膜
層を形成することができないことがあり、一方、２μm
を超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてしまうこ
とがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．０μm
である。
【００９６】また、上記薄膜層が２層からなる場合、そ
の下層の厚さは、０．００１〜２μmが望ましい。上記
厚さが０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面
に薄膜層を形成することができないことがあり、一方、
２μmを超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてし
まうことがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．
０μmである。また、上層の厚さは、０．０１〜５μmが
望ましく、０．１〜３μmがより望ましい。
の下層の厚さは、０．００１〜２μmが望ましい。上記
厚さが０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面
に薄膜層を形成することができないことがあり、一方、
２μmを超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてし
まうことがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．
０μmである。また、上層の厚さは、０．０１〜５μmが
望ましく、０．１〜３μmがより望ましい。
【００９７】（ii）次に、薄膜層上にレジストを形成
し、さらに、該レジスト非形成部分に電解めっきを施す
ことにより電解めっき層を形成する。上記レジストは、
液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等から
なる層を薄膜層上に形成した後、露光、現像処理を施す
ことにより形成することができる。
し、さらに、該レジスト非形成部分に電解めっきを施す
ことにより電解めっき層を形成する。上記レジストは、
液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等から
なる層を薄膜層上に形成した後、露光、現像処理を施す
ことにより形成することができる。
【００９８】上記電解めっき層の材質としては、例え
ば、銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄等が挙げられる。
これらなかでは、電気特性および経済性に優れ、さら
に、後述するようにバイアホールの材質が、通常、銅で
ある点から銅が望ましい。また、上記電解めっき層の厚
さは、１〜２０μmが望ましい。
ば、銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄等が挙げられる。
これらなかでは、電気特性および経済性に優れ、さら
に、後述するようにバイアホールの材質が、通常、銅で
ある点から銅が望ましい。また、上記電解めっき層の厚
さは、１〜２０μmが望ましい。
【００９９】（iii）次に、めっきレジストをアルカリ
溶液等で剥離除去し、さらに、めっきレジスト下に存在
した薄膜層をエッチング除去することにより半導体素子
のパッド部分にトランジション層を形成する。なお、上
記エッチング除去は、硫酸−過酸化水素水、塩化第二
鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング
液を用いて行えばよい。
溶液等で剥離除去し、さらに、めっきレジスト下に存在
した薄膜層をエッチング除去することにより半導体素子
のパッド部分にトランジション層を形成する。なお、上
記エッチング除去は、硫酸−過酸化水素水、塩化第二
鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング
液を用いて行えばよい。
【０１００】また、この工程では、トランジション層を
形成した後、必要に応じて、トランジション層の表面を
粗化面としてもよい。トランジション層の表面を粗化面
とすることにより、後工程で形成する層間樹脂絶縁層と
の密着性が向上するからである。なお、粗化面の形成
は、エッチング処理、無電解めっき処理、酸化還元処理
等を用いて行えばよい。
形成した後、必要に応じて、トランジション層の表面を
粗化面としてもよい。トランジション層の表面を粗化面
とすることにより、後工程で形成する層間樹脂絶縁層と
の密着性が向上するからである。なお、粗化面の形成
は、エッチング処理、無電解めっき処理、酸化還元処理
等を用いて行えばよい。
【０１０１】また、このような（ii）および（iii）の
工程を経る方法、即ち、薄膜層上にめっきレジストを形
成し、その後、電解めっき処理と、めっきレジストおよ
び薄膜層の除去とを行う方法に代えて、下記の方法を用
いてトランジション層を形成してもよい。
工程を経る方法、即ち、薄膜層上にめっきレジストを形
成し、その後、電解めっき処理と、めっきレジストおよ
び薄膜層の除去とを行う方法に代えて、下記の方法を用
いてトランジション層を形成してもよい。
【０１０２】即ち、薄膜層を形成した後、該薄膜層上の
全面に電解めっき層を形成し、さらに、該電解めっき層
上にエッチングレジストを形成した後、電解めっき層お
よび薄膜層のエッチング除去を行うことによりトランジ
ション層を形成してもよい。ここで、上記電解めっき層
は、上記（ii）の工程で用いた方法と同様の方法で形成
することができ、その望ましい材質や厚さは、上記（i
i）の工程で形成する電解めっき層と同様である。
全面に電解めっき層を形成し、さらに、該電解めっき層
上にエッチングレジストを形成した後、電解めっき層お
よび薄膜層のエッチング除去を行うことによりトランジ
ション層を形成してもよい。ここで、上記電解めっき層
は、上記（ii）の工程で用いた方法と同様の方法で形成
することができ、その望ましい材質や厚さは、上記（i
i）の工程で形成する電解めっき層と同様である。
【０１０３】また、上記エッチングレジストの形成は、
液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等から
なる層を電解めっき層上に形成した後、露光、現像処理
を施すことにより行うことができる。また、電解めっき
層および薄膜層のエッチング除去は、硫酸−過酸化水素
水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等
のエッチング液を用いて行うことができる。
液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等から
なる層を電解めっき層上に形成した後、露光、現像処理
を施すことにより行うことができる。また、電解めっき
層および薄膜層のエッチング除去は、硫酸−過酸化水素
水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等
のエッチング液を用いて行うことができる。
【０１０４】次に、上述した工程を経て半導体素子を内
蔵した基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを順次形
成するとともに、上記半導体素子と導体回路、および、
上下の導体回路をバイアホールを介して接続する方法に
ついて説明する。
蔵した基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを順次形
成するとともに、上記半導体素子と導体回路、および、
上下の導体回路をバイアホールを介して接続する方法に
ついて説明する。
【０１０５】（１）まず、半導体素子を内蔵した基板上
に、熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層
を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を
形成する。上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロー
ルコーター、カーテンコーター等により塗布して成形し
てもよく、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱
圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィル
ムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを
貼付してもよい。
に、熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層
を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を
形成する。上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロー
ルコーター、カーテンコーター等により塗布して成形し
てもよく、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱
圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィル
ムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを
貼付してもよい。
【０１０６】半硬化の樹脂フィルムを熱圧着する場合、
その具体的な方法としては、例えば、温度５０〜１５０
℃まで昇温しながら、圧力５ｋｇ／ｃｍ２、真空度１０
ｍｍＨｇで真空圧着ラミネートする方法等が挙げられ
る。また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状
に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成する
ことが望ましい。
その具体的な方法としては、例えば、温度５０〜１５０
℃まで昇温しながら、圧力５ｋｇ／ｃｍ２、真空度１０
ｍｍＨｇで真空圧着ラミネートする方法等が挙げられ
る。また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状
に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成する
ことが望ましい。
【０１０７】（２）次に、その材料として熱硬化性樹脂
や、熱硬化性樹脂を含む樹脂複合体を用いた層間樹脂絶
縁層を形成する場合には、未硬化（半硬化）の樹脂層に
硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成
し、層間樹脂絶縁層とする。上記バイアホール用開口
は、レーザ処理により形成することが望ましい。上記レ
ーザ処理は、上記硬化処理前に行ってもよいし、硬化処
理後に行ってもよい。また、感光性樹脂や、感光性樹脂
を含む樹脂複合体からなる層間樹脂絶縁層を形成する場
合には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホー
ル用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像
処理は、上記硬化処理前に行う。
や、熱硬化性樹脂を含む樹脂複合体を用いた層間樹脂絶
縁層を形成する場合には、未硬化（半硬化）の樹脂層に
硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成
し、層間樹脂絶縁層とする。上記バイアホール用開口
は、レーザ処理により形成することが望ましい。上記レ
ーザ処理は、上記硬化処理前に行ってもよいし、硬化処
理後に行ってもよい。また、感光性樹脂や、感光性樹脂
を含む樹脂複合体からなる層間樹脂絶縁層を形成する場
合には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホー
ル用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像
処理は、上記硬化処理前に行う。
【０１０８】また、その材料として熱可塑性樹脂を用い
た層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を
形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。
た層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を
形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。
【０１０９】このとき、使用するレーザとしては、例え
ば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、Ｙ
ＡＧレーザ等が挙げられる。これらは、形成するバイア
ホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。
ば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、Ｙ
ＡＧレーザ等が挙げられる。これらは、形成するバイア
ホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。
【０１１０】上記バイアホール用開口を形成する場合、
マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによ
るレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホ
ール用開口を形成することができる。また、短パルスの
炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成す
ると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対
するダメージが小さい。
マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによ
るレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホ
ール用開口を形成することができる。また、短パルスの
炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成す
ると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対
するダメージが小さい。
【０１１１】また、光学系レンズとマスクとを介してレ
ーザ光を照射する場合には、一度に多数のバイアホール
用開口を形成することができる。光学系レンズとマスク
とを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が
同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することがで
きるからである。
ーザ光を照射する場合には、一度に多数のバイアホール
用開口を形成することができる。光学系レンズとマスク
とを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が
同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することがで
きるからである。
【０１１２】（３）次に、バイアホール用開口の内壁を
含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要に応じて、酸または
酸化剤を用いて粗化面を形成する。なお、この粗化面
は、層間樹脂絶縁層と後述する工程で形成する薄膜導体
層との密着性を高めるために形成するものであり、層間
樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場
合には形成しなくてもよい。
含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要に応じて、酸または
酸化剤を用いて粗化面を形成する。なお、この粗化面
は、層間樹脂絶縁層と後述する工程で形成する薄膜導体
層との密着性を高めるために形成するものであり、層間
樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場
合には形成しなくてもよい。
【０１１３】上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン
酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム
酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガ
ン酸塩等が挙げられる。また、粗化面を形成した後に
は、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂
絶縁層の表面を中和することが望ましい。次工程に、酸
や酸化剤の影響を与えないようにすることができるから
である。また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を
用いて行ってもよい。
酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム
酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガ
ン酸塩等が挙げられる。また、粗化面を形成した後に
は、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂
絶縁層の表面を中和することが望ましい。次工程に、酸
や酸化剤の影響を与えないようにすることができるから
である。また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を
用いて行ってもよい。
【０１１４】（４）次に、バイアホール用開口を設けた
層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。上記薄
膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の
方法を用いて形成することができる。なお、無電解めっ
きにより薄膜導体層を形成する場合には、被めっき表面
に、予め、触媒を付与しておく。上記触媒としては、例
えば、塩化パラジウム等が挙げられる。
層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。上記薄
膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の
方法を用いて形成することができる。なお、無電解めっ
きにより薄膜導体層を形成する場合には、被めっき表面
に、予め、触媒を付与しておく。上記触媒としては、例
えば、塩化パラジウム等が挙げられる。
【０１１５】上記薄膜導体層の厚さは特に限定されない
が、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成する場合に
は、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングや
蒸着により形成する場合には、０．１〜１．０μｍが望
ましい。なお、上記薄膜導体層は、１層からなるもので
あってもよいし、２層以上からなるものであってもよ
い。
が、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成する場合に
は、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングや
蒸着により形成する場合には、０．１〜１．０μｍが望
ましい。なお、上記薄膜導体層は、１層からなるもので
あってもよいし、２層以上からなるものであってもよ
い。
【０１１６】（５）次に、上記薄膜導体層上の一部にド
ライフィルム等を用いてめっきレジストを形成し、その
後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを
行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形
成する。
ライフィルム等を用いてめっきレジストを形成し、その
後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを
行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形
成する。
【０１１７】また、この工程で形成する電気めっき層
は、バイアホール用開口を完全に充填するものであって
もよい。これによりバイアホールの形状をフィールドビ
ア形状とすることができる。なお、フィールドビア形状
のバイアホール、一旦、その上面に窪みを有する電解め
っき層を形成した後、この窪みに導電性ペーストを充填
したり、一旦、その上面に窪みを有する電解めっき層を
形成した後、その窪みに樹脂充填材等を充填し、さら
に、その上に蓋めっき層を形成したりすることにより形
成してもよい。
は、バイアホール用開口を完全に充填するものであって
もよい。これによりバイアホールの形状をフィールドビ
ア形状とすることができる。なお、フィールドビア形状
のバイアホール、一旦、その上面に窪みを有する電解め
っき層を形成した後、この窪みに導電性ペーストを充填
したり、一旦、その上面に窪みを有する電解めっき層を
形成した後、その窪みに樹脂充填材等を充填し、さら
に、その上に蓋めっき層を形成したりすることにより形
成してもよい。
【０１１８】（６）次に、めっきレジストを剥離し、め
っきレジストの下に存在していた薄膜導体層をエッチン
グにより除去し、独立した導体回路とする。エッチング
液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸
アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第
二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液として
第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用いてもよい。
っきレジストの下に存在していた薄膜導体層をエッチン
グにより除去し、独立した導体回路とする。エッチング
液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸
アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第
二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液として
第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用いてもよい。
【０１１９】また、上記（５）および（６）に記載した
方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路
を形成してもよい。即ち、上記薄膜導体層上の全面に電
解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にド
ライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、そ
の後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層お
よび薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エ
ッチングレジストを剥離することにより独立した導体回
路を形成してもよい。
方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路
を形成してもよい。即ち、上記薄膜導体層上の全面に電
解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にド
ライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、そ
の後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層お
よび薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エ
ッチングレジストを剥離することにより独立した導体回
路を形成してもよい。
【０１２０】また、独立した導体回路を形成した後に
は、必要に応じて、導体回路の表面に粗化面を形成す
る。上記粗化面の形成は、例えば、エッチング処理、黒
化還元処理、めっき処理等により行うことができる。
は、必要に応じて、導体回路の表面に粗化面を形成す
る。上記粗化面の形成は、例えば、エッチング処理、黒
化還元処理、めっき処理等により行うことができる。
【０１２１】（７）この後、上記（１）〜（６）の工程
を１回または２回以上繰り返すことにより、層間樹脂絶
縁層上に最上層の導体回路が形成された基板を作製す
る。なお、上記（１）〜（６）の工程を何回繰り返すか
は、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すれば
よい。
を１回または２回以上繰り返すことにより、層間樹脂絶
縁層上に最上層の導体回路が形成された基板を作製す
る。なお、上記（１）〜（６）の工程を何回繰り返すか
は、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すれば
よい。
【０１２２】（８）次に、最上層の導体回路を含む基板
上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレ
ジスト層を形成する。具体的には、未硬化のソルダーレ
ジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により
塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組
成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理に
より半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に応
じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層を
形成する。
上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレ
ジスト層を形成する。具体的には、未硬化のソルダーレ
ジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により
塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組
成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理に
より半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に応
じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層を
形成する。
【０１２３】上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素
樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成す
ることができる
フェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素
樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成す
ることができる
【０１２４】また、上記以外のソルダーレジスト組成物
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メ
タ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メ
タ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０
００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されて
いることが望ましい。また、上記ソルダーレジスト組成
物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていても
よい。また、ソルダーレジスト組成物として、市販のソ
ルダーレジスト組成物を使用してもよい。
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メ
タ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メ
タ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０
００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されて
いることが望ましい。また、上記ソルダーレジスト組成
物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていても
よい。また、ソルダーレジスト組成物として、市販のソ
ルダーレジスト組成物を使用してもよい。
【０１２５】上記半田バンプ形成用開口を形成する際に
用いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を
形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられ
る。また、この工程で形成する半田バンプ形成用開口の
形成位置は、半導体素子の直上以外の領域であることが
望ましい。
用いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を
形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられ
る。また、この工程で形成する半田バンプ形成用開口の
形成位置は、半導体素子の直上以外の領域であることが
望ましい。
【０１２６】（９）次に、上記半田バンプ形成用開口の
底面に露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田
パッドを形成する。上記半田パッドは、ニッケル、パラ
ジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回
路表面を被覆することにより形成することができる。具
体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パ
ラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形
成することが望ましい。また、上記半田パッドは、例え
ば、めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成すること
ができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れ
るという点からめっきが望ましい。
底面に露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田
パッドを形成する。上記半田パッドは、ニッケル、パラ
ジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回
路表面を被覆することにより形成することができる。具
体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パ
ラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形
成することが望ましい。また、上記半田パッドは、例え
ば、めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成すること
ができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れ
るという点からめっきが望ましい。
【０１２７】（１０）次に、上記半田バンプ形成用開口
に半田ペーストを充填し、リフロー処理を施したり、半
田ペースト充填した後、導電性ピンを取り付け、さらに
リフロー処理を施したりすることにより半田バンプやＢ
ＧＡ(Ball Grid Array) 、ＰＧＡ（Pin Grid Array) を
形成する。なお、製品認識文字などを形成するための文
字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素
や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
このような工程を経ることにより本発明の多層プリント
配線板を製造することができる。
に半田ペーストを充填し、リフロー処理を施したり、半
田ペースト充填した後、導電性ピンを取り付け、さらに
リフロー処理を施したりすることにより半田バンプやＢ
ＧＡ(Ball Grid Array) 、ＰＧＡ（Pin Grid Array) を
形成する。なお、製品認識文字などを形成するための文
字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素
や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
このような工程を経ることにより本発明の多層プリント
配線板を製造することができる。
【０１２８】
【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【０１２９】（実施例１）
Ａ．半導体素子の製造
（１）まず、シリコンウエハ２０Ａを出発材料とし（図
１（Ａ）参照）、定法により配線およびパッド２２を形
成した（図１（Ｂ）参照）。 （２）次に、パッド２２および配線の上に、パッシベー
ション膜２４を形成し、パッド２２上に開口２４ａを設
けた（図１（Ｃ）参照）。
１（Ａ）参照）、定法により配線およびパッド２２を形
成した（図１（Ｂ）参照）。 （２）次に、パッド２２および配線の上に、パッシベー
ション膜２４を形成し、パッド２２上に開口２４ａを設
けた（図１（Ｃ）参照）。
【０１３０】（３）次に、パッド２２およびパッシベー
ション膜２４を形成したシリコンウエハ２０Ａ上の全面
に、スパッタリングにより、クロムと銅とからなる厚さ
０．５μｍの薄膜層３３を形成した（図２（Ａ）参
照）。
ション膜２４を形成したシリコンウエハ２０Ａ上の全面
に、スパッタリングにより、クロムと銅とからなる厚さ
０．５μｍの薄膜層３３を形成した（図２（Ａ）参
照）。
【０１３１】（４）次に、薄膜層３３上に、市販のドラ
イフィルムを用いてめっきレジスト３５を形成し、さら
に、めっきレジスト３５非形成部分に、電解銅めっきを
施すことにより厚さ１５μｍの電解めっき層３７を形成
した（図２（Ｂ）参照）。
イフィルムを用いてめっきレジスト３５を形成し、さら
に、めっきレジスト３５非形成部分に、電解銅めっきを
施すことにより厚さ１５μｍの電解めっき層３７を形成
した（図２（Ｂ）参照）。
【０１３２】（５）次に、めっきレジスト３５をアルカ
リ溶液で剥離除去し、さらに、めっきレジスト３５下に
存在した薄膜層３３を硫酸と過酸化水素水とからなるエ
ッチング液を用いて除去することにより半導体素子のパ
ッド２２上に直径６０μｍのトランジション層３８を形
成した（図２（Ｃ）参照）。
リ溶液で剥離除去し、さらに、めっきレジスト３５下に
存在した薄膜層３３を硫酸と過酸化水素水とからなるエ
ッチング液を用いて除去することにより半導体素子のパ
ッド２２上に直径６０μｍのトランジション層３８を形
成した（図２（Ｃ）参照）。
【０１３３】さらに、トランジション層３８を形成した
半導体素子にエッチング液を吹き付け、トランジション
層３８の表面を粗化面３８αとした（図３（Ａ）参
照）。なお、エッチング液としては、イミダゾール銅
（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化
カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合
したものを用いた。
半導体素子にエッチング液を吹き付け、トランジション
層３８の表面を粗化面３８αとした（図３（Ａ）参
照）。なお、エッチング液としては、イミダゾール銅
（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化
カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合
したものを用いた。
【０１３４】（６）次に、シリコンウエハ２０Ａを、ダ
イシング等により個片に分割し、パッド２２上にトラン
ジション層３８が形成された半導体素子２０を作製した
（図３（Ｂ）参照）。
イシング等により個片に分割し、パッド２２上にトラン
ジション層３８が形成された半導体素子２０を作製した
（図３（Ｂ）参照）。
【０１３５】Ｂ．層間樹脂絶縁層形成用樹脂フィルムの
作製 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加し樹
脂複合体の溶液を調製した。得られた樹脂複合体の溶液
を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５
０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した
後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、
層間樹脂絶縁層形成用樹脂フィルムを作製した。
作製 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加し樹
脂複合体の溶液を調製した。得られた樹脂複合体の溶液
を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５
０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した
後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、
層間樹脂絶縁層形成用樹脂フィルムを作製した。
【０１３６】Ｃ．ＩＣ内蔵多層プリント配線板の製造
（１）まず、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含
浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア基
板）３０を出発材料とした（図４（Ａ）参照）。次に、
コア基板３０の片面に、ザクリ加工により半導体素子収
納用の凹部３２を形成した（図４（Ｂ）参照）。
浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア基
板）３０を出発材料とした（図４（Ａ）参照）。次に、
コア基板３０の片面に、ザクリ加工により半導体素子収
納用の凹部３２を形成した（図４（Ｂ）参照）。
【０１３７】（２）次に、凹部３２内に、充填樹脂層形
成用樹脂組成物を印刷機を用いて塗布し、塗布層３４′
を形成した（図４（Ｃ）参照）。ここで、充填樹脂層形
成用樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂としてエポキシ
樹脂４５重量％、酸無水物系硬化剤としてテトラヒドロ
無水フタル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子
４０重量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂
組成物を用いた。
成用樹脂組成物を印刷機を用いて塗布し、塗布層３４′
を形成した（図４（Ｃ）参照）。ここで、充填樹脂層形
成用樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂としてエポキシ
樹脂４５重量％、酸無水物系硬化剤としてテトラヒドロ
無水フタル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子
４０重量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂
組成物を用いた。
【０１３８】（３）次に、上記Ａで作製した半導体素子
２０を凹部３２上に載置し、その上面を押すことによ
り、半導体素子２０を凹部３２内に収納し、その後、硬
化処理を施すことにより半導体素子２０を充填樹脂層３
４を介して凹部３２内に完全に内蔵した（図４（Ｄ）参
照）。なお、硬化処理は、１００℃で１時間および１５
０℃で２時間の条件で行った。
２０を凹部３２上に載置し、その上面を押すことによ
り、半導体素子２０を凹部３２内に収納し、その後、硬
化処理を施すことにより半導体素子２０を充填樹脂層３
４を介して凹部３２内に完全に内蔵した（図４（Ｄ）参
照）。なお、硬化処理は、１００℃で１時間および１５
０℃で２時間の条件で行った。
【０１３９】（４）次に、半導体素子を内蔵した基板３
０上に、上記Ｂで作製したフィルムを、以下の方法によ
り真空ラミネータ装置を用いて張り付けることにより樹
脂複合体フィルム層５０′を形成した（図５（Ａ）参
照）。即ち、樹脂フィルムを上記基板上に載置し、真空
度７５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間
６０秒の条件で張り付け、その後、１００℃で３０分、
１５０度で１時間熱硬化させた。
０上に、上記Ｂで作製したフィルムを、以下の方法によ
り真空ラミネータ装置を用いて張り付けることにより樹
脂複合体フィルム層５０′を形成した（図５（Ａ）参
照）。即ち、樹脂フィルムを上記基板上に載置し、真空
度７５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間
６０秒の条件で張り付け、その後、１００℃で３０分、
１５０度で１時間熱硬化させた。
【０１４０】（５）次に、樹脂フィルム層５０′上に、
貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍ
のＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップ
ハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の
径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂複合体フィルム
層５０′に、直径６０μｍのバイアホール用開口４８を
形成し、層間樹脂絶縁層５０とした（図５（Ｂ）参
照）。
貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍ
のＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップ
ハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の
径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂複合体フィルム
層５０′に、直径６０μｍのバイアホール用開口４８を
形成し、層間樹脂絶縁層５０とした（図５（Ｂ）参
照）。
【０１４１】（６）層間樹脂絶縁層５０を形成した基板
を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１９
分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール
用開口４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に粗
化面５０αを形成した（図５（Ｃ）参照）。
を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１９
分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール
用開口４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に粗
化面５０αを形成した（図５（Ｃ）参照）。
【０１４２】（７）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０の
表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹
脂絶縁層５０の表面（バイアホール用開口４８の内壁面
を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、層
間樹脂絶縁層５０を形成した基板を塩化パラジウム（Ｐ
ｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒
溶液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることによ
り触媒を付与した。
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０の
表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹
脂絶縁層５０の表面（バイアホール用開口４８の内壁面
を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、層
間樹脂絶縁層５０を形成した基板を塩化パラジウム（Ｐ
ｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒
溶液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることによ
り触媒を付与した。
【０１４３】（８）次に、以下の組成の無電解銅めっき
液中に、層間樹脂絶縁層５０を形成した基板を浸漬し、
層間樹脂絶縁層５０の表面（バイアホール用開口４８の
内壁面を含む）に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層
５２を形成した（図６（Ａ）参照）。 ［無電解めっき水溶液］ ＮｉＳＯ４ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ ［無電解めっき条件］ 液温度３４℃で４０分
液中に、層間樹脂絶縁層５０を形成した基板を浸漬し、
層間樹脂絶縁層５０の表面（バイアホール用開口４８の
内壁面を含む）に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層
５２を形成した（図６（Ａ）参照）。 ［無電解めっき水溶液］ ＮｉＳＯ４ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ ［無電解めっき条件］ 液温度３４℃で４０分
【０１４４】（９）次に、市販の感光性ドライフィルム
を薄膜導体層５２に張り付け、マスクを載置して１００
ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％の炭酸ナトリウム水溶
液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレ
ジスト５４を形成した（図６（Ｂ）参照）。その後、薄
膜導体層５２をめっきリードとして下記の条件で電解銅
めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に厚さ１８
μｍの電解銅めっき層５６を形成した（図６（Ｃ）参
照）。
を薄膜導体層５２に張り付け、マスクを載置して１００
ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％の炭酸ナトリウム水溶
液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレ
ジスト５４を形成した（図６（Ｂ）参照）。その後、薄
膜導体層５２をめっきリードとして下記の条件で電解銅
めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に厚さ１８
μｍの電解銅めっき層５６を形成した（図６（Ｃ）参
照）。
【０１４５】〔電解銅めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ２
時間 ６５分
温度 ２２℃±２℃
【０１４６】（１０）次に、めっきレジスト５４を５％
ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下に存在
していた薄膜導体層５２をエッチングにて溶解除去し、
薄膜導体層５２と電解めっき層５６からなる厚さ１５μ
ｍの導体回路５８およびバイアホール６０を形成した
（図７（Ａ）参照）。その後、導体回路５８（バイアホ
ール６０を含む）を形成した基板にエッチング液をスプ
レイで吹きつけ、導体回路５８の表面に粗化面５８αを
形成した（図７（Ｂ）参照）。ここで、エッチング液と
しては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリ
コール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン
交換水７８重量部を混合したものを使用した。
ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下に存在
していた薄膜導体層５２をエッチングにて溶解除去し、
薄膜導体層５２と電解めっき層５６からなる厚さ１５μ
ｍの導体回路５８およびバイアホール６０を形成した
（図７（Ａ）参照）。その後、導体回路５８（バイアホ
ール６０を含む）を形成した基板にエッチング液をスプ
レイで吹きつけ、導体回路５８の表面に粗化面５８αを
形成した（図７（Ｂ）参照）。ここで、エッチング液と
しては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリ
コール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン
交換水７８重量部を混合したものを使用した。
【０１４７】（１１）次に、（４）〜（１０）の工程を
２回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層
５０および導体回路５８（バイアホール６０を含む）を
形成した（図７（Ｃ）参照）。
２回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層
５０および導体回路５８（バイアホール６０を含む）を
形成した（図７（Ｃ）参照）。
【０１４８】（１２）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社
製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合は
ローターＮｏ．４、６６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合は
ローターＮｏ．３によった。
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社
製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合は
ローターＮｏ．４、６６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合は
ローターＮｏ．３によった。
【０１４９】（１３）次に、基板３０に、上記ソルダー
レジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２
０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った
後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクを密着載置し、１００
０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光した後、ＤＭＴＧ溶液で
現像処理することにより、２００μｍの直径の開口７１
を有するソルダーレジスト層７０を形成した（図８
（Ａ）参照）。
レジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２
０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った
後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクを密着載置し、１００
０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光した後、ＤＭＴＧ溶液で
現像処理することにより、２００μｍの直径の開口７１
を有するソルダーレジスト層７０を形成した（図８
（Ａ）参照）。
【０１５０】（１４）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏ
ｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍ
ｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍ
ｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき
液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッ
ケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シ
アン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエ
ン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜
リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含
む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬し
て、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金め
っき層７４を形成することで、導体回路５８に半田パッ
ド７５を形成した（図８（Ｂ）参照）。
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏ
ｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍ
ｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍ
ｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき
液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッ
ケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シ
アン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエ
ン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜
リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含
む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬し
て、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金め
っき層７４を形成することで、導体回路５８に半田パッ
ド７５を形成した（図８（Ｂ）参照）。
【０１５１】（１５）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成し
た。これにより、半導体素子２０を内蔵し、半田バンプ
７６を有する多層プリント配線板１０を得た（図９参
照）。なお、本実施例で製造した多層プリント配線板１
０では、半導体素子の直上の領域（図９中、Ｒ１の領
域）には、半田バンプが形成されておらず、これ以外の
領域（図９中、Ｒ２の領域）に半田バンプが形成されて
いる。
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成し
た。これにより、半導体素子２０を内蔵し、半田バンプ
７６を有する多層プリント配線板１０を得た（図９参
照）。なお、本実施例で製造した多層プリント配線板１
０では、半導体素子の直上の領域（図９中、Ｒ１の領
域）には、半田バンプが形成されておらず、これ以外の
領域（図９中、Ｒ２の領域）に半田バンプが形成されて
いる。
【０１５２】（実施例２）実施例１のＣの（２）の工程
において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂４５重量
％、酸無水物系硬化剤としてメチルテトラヒドロ無水フ
タル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子４０重
量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂組成物
を用い、（３）の工程で、１００℃で２時間および１５
０℃で５時間の条件で硬化処理を行った以外は実施例１
と同様にして多層プリント配線板を製造した。
において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂４５重量
％、酸無水物系硬化剤としてメチルテトラヒドロ無水フ
タル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子４０重
量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂組成物
を用い、（３）の工程で、１００℃で２時間および１５
０℃で５時間の条件で硬化処理を行った以外は実施例１
と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１５３】（実施例３）
Ａ．半導体素子の製造
実施例１のＡにおいて、（３）〜（５）の工程を行わな
かった以外は、実施例１のＡと同様にして、パッド上に
トランジション層を有さない半導体素子を作製した。
かった以外は、実施例１のＡと同様にして、パッド上に
トランジション層を有さない半導体素子を作製した。
【０１５４】Ｂ．層間樹脂絶縁層形成用フィルムの作製
実施例１のＢと同様の方法により行った。
【０１５５】Ｃ．ＩＣ内蔵多層プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８μｍのビスマレイミドトリアジン樹脂
基板（コア基板）１３０を出発材料とした（図１０
（Ａ）参照）。次に、コア基板１３０の片面に、ザクリ
加工により半導体素子収納用の凹部１３２を形成した
（図１０（Ｂ）参照）。
基板（コア基板）１３０を出発材料とした（図１０
（Ａ）参照）。次に、コア基板１３０の片面に、ザクリ
加工により半導体素子収納用の凹部１３２を形成した
（図１０（Ｂ）参照）。
【０１５６】（２）次に、凹部１３２内に、充填樹脂層
形成用樹脂組成物を印刷機を用いて塗布し、塗布層１３
４′を形成した（図１０（Ｃ）参照）。ここで、充填樹
脂層形成用樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂としてエ
ポキシ樹脂４５重量％、酸無水物系硬化剤としてテトラ
ヒドロ無水フタル酸５重量％、および、粒子としてシリ
カ粒子４０重量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合し
た樹脂組成物を用いた。
形成用樹脂組成物を印刷機を用いて塗布し、塗布層１３
４′を形成した（図１０（Ｃ）参照）。ここで、充填樹
脂層形成用樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂としてエ
ポキシ樹脂４５重量％、酸無水物系硬化剤としてテトラ
ヒドロ無水フタル酸５重量％、および、粒子としてシリ
カ粒子４０重量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合し
た樹脂組成物を用いた。
【０１５７】（３）次に、半導体素子１２０を凹部１３
２上に載置し、その上面を押すことにより、半導体素子
１２０を凹部１３２内に収納し、その後、硬化処理を施
すことにより半導体素子１２０を充填樹脂層１３４を介
して凹部１３２内に完全に内蔵した（図１１（Ａ）参
照）。なお、硬化処理は、１００℃で１時間および１５
０℃で２時間の条件で行った。
２上に載置し、その上面を押すことにより、半導体素子
１２０を凹部１３２内に収納し、その後、硬化処理を施
すことにより半導体素子１２０を充填樹脂層１３４を介
して凹部１３２内に完全に内蔵した（図１１（Ａ）参
照）。なお、硬化処理は、１００℃で１時間および１５
０℃で２時間の条件で行った。
【０１５８】（４）次に、Ｚｎをターゲットにしたスパ
ッタリングを、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４
０を用い、ガス圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００
Ｗ、時間５分間の条件で行い、半導体素子１２０を内蔵
したコア基板１３０の全面に厚さ０．１μｍのＺｎ膜を
形成し、さらに、Ｚｎ膜上に無電解銅めっきにより厚さ
０．７μｍの無電解銅めっき膜を形成することにより、
亜鉛と銅とからなる薄膜層１３３を形成した（図１１
（Ｂ）参照）。
ッタリングを、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４
０を用い、ガス圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００
Ｗ、時間５分間の条件で行い、半導体素子１２０を内蔵
したコア基板１３０の全面に厚さ０．１μｍのＺｎ膜を
形成し、さらに、Ｚｎ膜上に無電解銅めっきにより厚さ
０．７μｍの無電解銅めっき膜を形成することにより、
亜鉛と銅とからなる薄膜層１３３を形成した（図１１
（Ｂ）参照）。
【０１５９】（５）次に、薄膜層１３３上に、感光性ド
ライフィルムを張りつけ、その後、該感光性ドライフィ
ルム上に、パッド１２２に対応するパターンが形成され
たマスクを載置し、露光・現像処理を施すことにより、
パッド１２２の上部に開口を有するめっきレジスト１３
５を形成した。さらに、めっきレジスト１３５非形成部
に、以下の条件で電解銅めっきを施して電解銅めっき層
１３７を設けた（図１１（Ｃ）参照）。
ライフィルムを張りつけ、その後、該感光性ドライフィ
ルム上に、パッド１２２に対応するパターンが形成され
たマスクを載置し、露光・現像処理を施すことにより、
パッド１２２の上部に開口を有するめっきレジスト１３
５を形成した。さらに、めっきレジスト１３５非形成部
に、以下の条件で電解銅めっきを施して電解銅めっき層
１３７を設けた（図１１（Ｃ）参照）。
【０１６０】〔電解銅めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ２
時間 ６５分
温度 ２２℃±２℃
【０１６１】（６）さらに、めっきレジスト１３５を除
去した後、めっきレジスト１３５下の薄膜層１３３をエ
ッチングにより除去することにより、ＩＣチップのパッ
ド１２２上に直径６０μｍのトランジション層１３８を
形成した（図１２（Ａ）参照）。なお、エッチング液と
しては、硫酸と過酸化水素との混合液を用いた。
去した後、めっきレジスト１３５下の薄膜層１３３をエ
ッチングにより除去することにより、ＩＣチップのパッ
ド１２２上に直径６０μｍのトランジション層１３８を
形成した（図１２（Ａ）参照）。なお、エッチング液と
しては、硫酸と過酸化水素との混合液を用いた。
【０１６２】（７）次に、トランジション層１３８を形
成したコア基板１３０にエッチング液をスプレイで吹き
つけ、トランジション層１３８の表面に粗化面（図示せ
ず）を形成した。ここで、エッチング液としては、イミ
ダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重
量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重
量部を混合したものを使用した。
成したコア基板１３０にエッチング液をスプレイで吹き
つけ、トランジション層１３８の表面に粗化面（図示せ
ず）を形成した。ここで、エッチング液としては、イミ
ダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重
量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重
量部を混合したものを使用した。
【０１６３】（８）次に、半導体素子１２０を内蔵した
コア基板１３０上に、Ｂで作製した樹脂フィルムを、以
下の方法により真空ラミネータ装置を用いて張り付ける
ことにより樹脂複合体フィルム層１５０′を形成した
（図１２（Ｂ）参照）。即ち、樹脂フィルムを上記基板
上に載置し、真空度７５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度
８０℃、圧着時間６０秒の条件で張り付け、その後、１
００℃で３０分、１５０度で１時間熱硬化させた。
コア基板１３０上に、Ｂで作製した樹脂フィルムを、以
下の方法により真空ラミネータ装置を用いて張り付ける
ことにより樹脂複合体フィルム層１５０′を形成した
（図１２（Ｂ）参照）。即ち、樹脂フィルムを上記基板
上に載置し、真空度７５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度
８０℃、圧着時間６０秒の条件で張り付け、その後、１
００℃で３０分、１５０度で１時間熱硬化させた。
【０１６４】（９）次いで、樹脂複合体フィルム層１５
０′上に、貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１
０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍ
ｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスク
の貫通孔の径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂複合
体フィルム層１５０′に、直径６０μｍのバイアホール
用開口１４８を形成し、層間樹脂絶縁層１５０とした
（図１２（Ｃ）参照）。
０′上に、貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１
０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍ
ｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスク
の貫通孔の径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂複合
体フィルム層１５０′に、直径６０μｍのバイアホール
用開口１４８を形成し、層間樹脂絶縁層１５０とした
（図１２（Ｃ）参照）。
【０１６５】（１０）さらに、層間樹脂絶縁層１５０を
形成した基板を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃
の溶液に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、
バイアホール用開口１４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層
１５０の表面に粗化面（図示せず）を形成した。
形成した基板を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃
の溶液に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、
バイアホール用開口１４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層
１５０の表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１６６】（１１）次に、上記処理を終えた基板を、
中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗化面を形成した層間樹脂絶縁層１５０の表面
に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与すること
により、層間樹脂絶縁層１５０の表面およびバイアホー
ル用開口１４８の内壁面に触媒核を付着させた。
中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗化面を形成した層間樹脂絶縁層１５０の表面
に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与すること
により、層間樹脂絶縁層１５０の表面およびバイアホー
ル用開口１４８の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１６７】（１２）続いて、以下の組成の無電解銅め
っき水溶液中に基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層１５０
の表面全体（バイアホール用開口１４８の内壁面を含
む）に厚さ０．６〜０．９μｍの銅からなる薄膜導体層
１５２を形成した（図１３（Ａ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分
っき水溶液中に基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層１５０
の表面全体（バイアホール用開口１４８の内壁面を含
む）に厚さ０．６〜０．９μｍの銅からなる薄膜導体層
１５２を形成した（図１３（Ａ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分
【０１６８】（１３）次に、薄膜導体層１５２上の一部
にドライフィルムを用いてめっきレジスト１５４を形成
した（図１３（Ｂ）参照）。その後、薄膜導体層１５２
をめっきリードとして上記（５）と同様の条件で電解銅
めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解銅め
っき層１５６を形成した（図１３（Ｃ）参照）。
にドライフィルムを用いてめっきレジスト１５４を形成
した（図１３（Ｂ）参照）。その後、薄膜導体層１５２
をめっきリードとして上記（５）と同様の条件で電解銅
めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解銅め
っき層１５６を形成した（図１３（Ｃ）参照）。
【０１６９】（１４）次に、めっきレジスト１５４を５
％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下に存
在していた薄膜導体層１５２をエッチングにて溶解除去
し、薄膜導体層１５２と電解めっき層１５６からなる厚
さ１５μｍの導体回路１５８およびバイアホール１６０
を形成した（図１４（Ａ）参照）。その後、導体回路１
５８（バイアホール６０を含む）を形成した基板にエッ
チング液をスプレイで吹きつけ、導体回路１５８表面に
粗化面（図示せず）を形成した。エッチング液として
は、上記（７）の工程で、トランジション層の表面に粗
化面を形成する際に使用したエッチング液と同様のもの
を用いた。
％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下に存
在していた薄膜導体層１５２をエッチングにて溶解除去
し、薄膜導体層１５２と電解めっき層１５６からなる厚
さ１５μｍの導体回路１５８およびバイアホール１６０
を形成した（図１４（Ａ）参照）。その後、導体回路１
５８（バイアホール６０を含む）を形成した基板にエッ
チング液をスプレイで吹きつけ、導体回路１５８表面に
粗化面（図示せず）を形成した。エッチング液として
は、上記（７）の工程で、トランジション層の表面に粗
化面を形成する際に使用したエッチング液と同様のもの
を用いた。
【０１７０】（１５）次に、（８）〜（１４）の工程を
２回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層
１５０および導体回路１５８（バイアホール１６０を含
む）を形成した（図１４（Ｂ）参照）。
２回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層
１５０および導体回路１５８（バイアホール１６０を含
む）を形成した（図１４（Ｂ）参照）。
【０１７１】（１６）次に、実施例１の（１２）の工程
と同様にしてソルダーレジスト組成物を得た。さらに、
最外層に導体回路１５８の形成されたコア基板１３０
に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗
布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾
燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部の
パターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを密着
載置し、さらに、１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開
口１７１を有するソルダーレジスト層１７０を形成した
（図１５（Ａ）参照）。
と同様にしてソルダーレジスト組成物を得た。さらに、
最外層に導体回路１５８の形成されたコア基板１３０
に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗
布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾
燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部の
パターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを密着
載置し、さらに、１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開
口１７１を有するソルダーレジスト層１７０を形成した
（図１５（Ａ）参照）。
【０１７２】（１７）次に、ソルダーレジスト層１７０
を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍ
ｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１
ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１
ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっ
き液に２０分間浸漬して、開口部１７１に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層１７２を形成した。さらに、その基板
を、シアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／
ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／
ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／
ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ
／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層１７２上に厚さ０．０３
μｍの金めっき層１７４を形成することで、導体回路１
５８に半田パッドを形成した。
を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍ
ｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１
ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１
ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっ
き液に２０分間浸漬して、開口部１７１に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層１７２を形成した。さらに、その基板
を、シアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／
ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／
ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／
ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ
／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層１７２上に厚さ０．０３
μｍの金めっき層１７４を形成することで、導体回路１
５８に半田パッドを形成した。
【０１７３】（１８）この後、ソルダーレジスト層１７
０の開口部１７１に、はんだペーストを印刷して、２０
０℃でリフローすることにより、半田バンプ１７６を形
成する。これにより、半導体素子１２０を内蔵し、半田
バンプ１７６を有する多層プリント配線板を得た（図１
５（Ｂ）参照）。
０の開口部１７１に、はんだペーストを印刷して、２０
０℃でリフローすることにより、半田バンプ１７６を形
成する。これにより、半導体素子１２０を内蔵し、半田
バンプ１７６を有する多層プリント配線板を得た（図１
５（Ｂ）参照）。
【０１７４】（実施例４）実施例３のＣの（２）の工程
において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂４５重量
％、酸無水物系硬化剤としてメチルテトラヒドロ無水フ
タル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子４０重
量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂組成物
を用い、（３）の工程で、１００℃で２時間および１５
０℃で５時間の条件で硬化処理を行った以外は実施例３
と同様にして多層プリント配線板を製造した。
において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂４５重量
％、酸無水物系硬化剤としてメチルテトラヒドロ無水フ
タル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子４０重
量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂組成物
を用い、（３）の工程で、１００℃で２時間および１５
０℃で５時間の条件で硬化処理を行った以外は実施例３
と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１７５】（比較例１）実施例１のＣの（２）の工程
において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂５３重量
％、硬化剤としてポリアミン系硬化剤であるジエチレン
トリアミン（ＤＥＴＡ）４重量％、ならびに、粒子とし
てシリカ粒子２１．５重量％およびアルミナ粒子２１．
５重量％を均一に混合した樹脂組成物を用い、（３）の
工程で、１００℃で３０分の条件で硬化処理を行った以
外は実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造し
た。
において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂５３重量
％、硬化剤としてポリアミン系硬化剤であるジエチレン
トリアミン（ＤＥＴＡ）４重量％、ならびに、粒子とし
てシリカ粒子２１．５重量％およびアルミナ粒子２１．
５重量％を均一に混合した樹脂組成物を用い、（３）の
工程で、１００℃で３０分の条件で硬化処理を行った以
外は実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造し
た。
【０１７６】（比較例２）実施例１のＣの（２）の工程
において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂６０重量
％、硬化剤としてフェノールノボラック系硬化剤５重量
％、および、粒子としてアルミナ粒子３５重量％を均一
に混合した樹脂組成物を用い、（３）の工程で、１００
℃で１時間および１８０℃で２時間の条件で硬化処理を
行った以外は実施例１と同様にして多層プリント配線板
を製造した。
において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂６０重量
％、硬化剤としてフェノールノボラック系硬化剤５重量
％、および、粒子としてアルミナ粒子３５重量％を均一
に混合した樹脂組成物を用い、（３）の工程で、１００
℃で１時間および１８０℃で２時間の条件で硬化処理を
行った以外は実施例１と同様にして多層プリント配線板
を製造した。
【０１７７】このようにして製造した実施例１〜４およ
び比較例１〜２の多層プリント配線板について、信頼性
試験およびヒートサイクル試験を行い、これらの試験前
後における充填樹脂層の形状、半導体素子の内蔵状態、
および、短絡、断線等の発生の有無を評価した。なお、
これらの評価は、下記の評価方法を用いて行った。
び比較例１〜２の多層プリント配線板について、信頼性
試験およびヒートサイクル試験を行い、これらの試験前
後における充填樹脂層の形状、半導体素子の内蔵状態、
および、短絡、断線等の発生の有無を評価した。なお、
これらの評価は、下記の評価方法を用いて行った。
【０１７８】評価方法
（１）信頼性試験
得られた多層プリント配線板を相対湿度８５％、温度８
５℃の雰囲気下、１０００時間放置する条件で行った。
５℃の雰囲気下、１０００時間放置する条件で行った。
【０１７９】（２）ヒートサイクル試験
得られた多層プリント配線板を、−６５℃の雰囲気下に
３分間維持した後、１３０℃の雰囲気下に３分間維持す
るサイクルを１０００回繰り返した。
３分間維持した後、１３０℃の雰囲気下に３分間維持す
るサイクルを１０００回繰り返した。
【０１８０】（３）充填樹脂層の形状、および、半導体
素子の内蔵状態の評価 得られた多層プリント配線板を、半導体素子を通るよう
にカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察した。 （４）短絡、断線等の発生の有無の評価 得られたＩＣチップ内蔵多層プリント配線板の導通試験
を行い、モニターに表示された結果から短絡、断線等の
発生の有無を評価した。
素子の内蔵状態の評価 得られた多層プリント配線板を、半導体素子を通るよう
にカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察した。 （４）短絡、断線等の発生の有無の評価 得られたＩＣチップ内蔵多層プリント配線板の導通試験
を行い、モニターに表示された結果から短絡、断線等の
発生の有無を評価した。
【０１８１】上記評価の結果、実施例１〜４の多層プリ
ント配線板では、信頼性試験前後、および、ヒートサイ
クル試験前後において、充填樹脂層やその周囲の基板、
層間樹脂絶縁層において、クラックは発生しておらず、
充填樹脂層と基板や層間樹脂絶縁層との間での剥離の発
生も観察されなかった。また、上記多層プリント配線板
では、ポップコーン現象も観察されず、半導体素子は基
板内に完全に内蔵されており、また、導通試験におい
て、短絡や断線の発生は観察されなかった。
ント配線板では、信頼性試験前後、および、ヒートサイ
クル試験前後において、充填樹脂層やその周囲の基板、
層間樹脂絶縁層において、クラックは発生しておらず、
充填樹脂層と基板や層間樹脂絶縁層との間での剥離の発
生も観察されなかった。また、上記多層プリント配線板
では、ポップコーン現象も観察されず、半導体素子は基
板内に完全に内蔵されており、また、導通試験におい
て、短絡や断線の発生は観察されなかった。
【０１８２】なお、実施例１および２の多層プリント配
線板では、半田バンプの周囲で剥離やクラックの発生は
観察されず、実施例３および４の多層プリント配線板で
は、半田バンプの周囲で小さなクラックの発生が観察さ
れたものの、製品の性能に影響をおよぼすほどのもので
はなかった。
線板では、半田バンプの周囲で剥離やクラックの発生は
観察されず、実施例３および４の多層プリント配線板で
は、半田バンプの周囲で小さなクラックの発生が観察さ
れたものの、製品の性能に影響をおよぼすほどのもので
はなかった。
【０１８３】一方、比較例１および２の多層プリント配
線板では、信頼性試験後、および、ヒートサイクル試験
後において、充填樹脂層の一部にクラックが発生してお
り、また、充填樹脂層と基板や層間樹脂絶縁層との間で
の剥離が発生している部分があった。さらに、上記多層
プリント配線板では、信頼性試験後、および、ヒートサ
イクル試験後にポップコーン現象や、短絡や断線に起因
する導通不良が発生しているものがあった。
線板では、信頼性試験後、および、ヒートサイクル試験
後において、充填樹脂層の一部にクラックが発生してお
り、また、充填樹脂層と基板や層間樹脂絶縁層との間で
の剥離が発生している部分があった。さらに、上記多層
プリント配線板では、信頼性試験後、および、ヒートサ
イクル試験後にポップコーン現象や、短絡や断線に起因
する導通不良が発生しているものがあった。
【０１８４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層プリ
ント配線板では、充填樹脂層が、硬化剤として酸無水物
系硬化剤を含む樹脂組成物を用いて形成されており、該
樹脂組成物では、硬化処理時に副生成物として水を生じ
ることがほとんどなく、そのため、高温多湿下やヒート
サイクル条件下においても、充填樹脂層の中の水分の存
在に起因する不都合が発生せず、信頼性に優れる。ま
た、上記多層プリント配線板では、半導体素子が内蔵さ
れており、半導体素子と多層プリント配線板との接続に
リード部品や封止樹脂は用いられていないため、信頼性
に優れる。
ント配線板では、充填樹脂層が、硬化剤として酸無水物
系硬化剤を含む樹脂組成物を用いて形成されており、該
樹脂組成物では、硬化処理時に副生成物として水を生じ
ることがほとんどなく、そのため、高温多湿下やヒート
サイクル条件下においても、充填樹脂層の中の水分の存
在に起因する不都合が発生せず、信頼性に優れる。ま
た、上記多層プリント配線板では、半導体素子が内蔵さ
れており、半導体素子と多層プリント配線板との接続に
リード部品や封止樹脂は用いられていないため、信頼性
に優れる。
【０１８５】また、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、充填樹脂層の形成に、硬化剤として酸無水物系
硬化剤を含む樹脂組成物を用いており、該樹脂組成物を
用いた充填樹脂層の形成では、硬化処理時に副生成物と
して水をほとんど生じないため、高温多湿下やヒートサ
イクル条件下においても不都合の発生しない信頼性に優
れる多層プリント配線板を製造することができる。ま
た、本発明の製造方法では、製造時に半導体素子を実装
するため、経済的に有利である。
方法は、充填樹脂層の形成に、硬化剤として酸無水物系
硬化剤を含む樹脂組成物を用いており、該樹脂組成物を
用いた充填樹脂層の形成では、硬化処理時に副生成物と
して水をほとんど生じないため、高温多湿下やヒートサ
イクル条件下においても不都合の発生しない信頼性に優
れる多層プリント配線板を製造することができる。ま
た、本発明の製造方法では、製造時に半導体素子を実装
するため、経済的に有利である。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、トランジション層が形成さ
れた半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断
面図である。
れた半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断
面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、トランジション層が形成さ
れた半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断
面図である。
れた半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断
面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｂ）は、トランジション層が形成さ
れた半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断
面図である。
れた半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断
面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図８】（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図９】本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程
の一部を模式的に示す断面図である。
の一部を模式的に示す断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図１１】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図１３】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図１４】（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
【図１５】（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。
２０、１２０ 半導体素子
２４、１２４ パッド
３０、１３０ 基板
３４、１３４ 充填樹脂層
３８、１３８ トランジション層
５０、１５０ 層間樹脂絶縁層
５８、１５８ 導体回路
６０、１６０ バイアホール
７０、１７０ ソルダーレジスト層
７６、１７６ 半田バンプ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｆ
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体素子が内蔵または収納されている
基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成さ
れ、前記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回
路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント
配線板であって、前記基板には、熱硬化性樹脂および酸
無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により形成された充填
樹脂層を介して半導体素子が内蔵または収納されている
ことを特徴とする多層プリント配線板。 - 【請求項２】 前記樹脂組成物は、粒子を含む請求項１
に記載の多層プリント配線板。 - 【請求項３】 前記粒子は、樹脂粒子、無機粒子および
金属粒子のうちの少なくとも１種である請求項２に記載
の多層プリント配線板。 - 【請求項４】 前記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無
水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの
少なくとも１種である請求項１〜３のいずれか１に記載
の多層プリント配線板。 - 【請求項５】 前記半導体素子のパッド部分にはトラン
ジション層が形成されている請求項１〜４のいずれか１
に記載の多層プリント配線板。 - 【請求項６】 半導体素子が内蔵または収納されている
基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成さ
れ、前記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回
路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント
配線板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜
（ｄ）の工程を経ることを特徴とする多層プリント配線
板の製造方法。 （ａ）基板に半導体素子を内蔵または収納するための凹
部を形成する凹部形成工程、（ｂ）前記凹部内に熱硬化
性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を塗布
することにより塗布層を形成する樹脂組成物塗布工程、
（ｃ）前記塗布層を形成した凹部に半導体素子を内蔵ま
たは収納する半導体素子内蔵工程、および、（ｄ）前記
樹脂組成物に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充
填樹脂層形成工程。 - 【請求項７】 前記半導体素子内蔵工程において、パッ
ド部分にトランジション層が形成されている半導体素子
を内蔵または収納する請求項６に記載の多層プリント配
線板の製造方法。 - 【請求項８】 前記充填樹脂層形成工程の後、半導体素
子のパッド部分にトランジション層を形成するトランジ
ション層形成工程を行う請求項６に記載の多層プリント
配線板の製造方法。 - 【請求項９】 前記樹脂組成物は、粒子を含む請求項６
〜８のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項１０】 前記粒子は、樹脂粒子、無機粒子およ
び金属粒子のうちの少なくとも１種である請求項９に記
載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸
無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうち
の少なくとも１種である請求項６〜１０のいずれか１に
記載の多層プリント配線板の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
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-
2001
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039094A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Dt Circuit Technology Co Ltd | 半導体チップ内蔵配線板、半導体チップ内蔵配線板の製造方法 |
| KR101519038B1 (ko) | 2007-01-17 | 2015-05-11 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 프린팅기반 어셈블리에 의해 제조되는 광학 시스템 |
| JP2008270777A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 部品内蔵配線基板の製造方法 |
| US8450843B2 (en) | 2007-10-12 | 2013-05-28 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for designing the same |
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