TWI390318B

TWI390318B - 主動矩陣液晶顯示裝置

Info

Publication number: TWI390318B
Application number: TW096127733A
Authority: TW
Inventors: Konno Takayuki; Nishida Shinichi; Suzuki Teruaki; Nogame Yusuke
Original assignee: Nlt Technologies Ltd
Priority date: 2006-08-11
Filing date: 2007-07-30
Publication date: 2013-03-21
Also published as: US7728940B2; US7986390B2; US8411242B2; KR20080070805A; US20110234935A1; KR101419060B1; US20080036930A1; US20100188634A1; JP2008065300A; TW200809368A; KR20080014679A; CN102096260B; KR100934524B1; CN102096260A; CN101122723B; CN101122723A

Description

主動矩陣液晶顯示裝置

【合併參考】

本說明書的根據以及其申請專利範圍係2006年8月11日提出的日本專利申請第2006-219322號和2007年3月9日提出的日本專利申請第2007-060758號的優先權的改良，其揭露內容在此全體合併作為參考。

本發明係關於液晶顯示(LCD)裝置，且特別有關於高開口率和高對比的平面切換(IPS)模式的主動矩陣型的LCD裝置。

具有高對比的扭曲向列(TN)系統被廣泛使用。不過，由於液晶(LC)分子的分子軸藉由垂直電場而上升，TN系統的顯示裝置包括顯著的視角從屬。近年來，由於對於大電視螢幕的需求增加，IPS模式變得很廣泛。IPS模式的顯示裝置中，LC分子的分子軸藉由水平電場在平行基版的平面旋轉以執行顯示。由於IPS模式不包括在分子軸在上升角度上的視角從屬，其視角特性實質上比TN系統的視角特性更有利。

IPS模式的顯示裝置中，畫素電極和共同電極排列成梳齒的形狀，並在畫素電極和共同電極間施加水平電場。因此，電極區對顯示區的比例很大。即，IPS模式的顯示裝置包括低開口率。由於IPS模式的顯示裝置由水平電場驅動，顯示區內的LC分子容易受視訊訊號線路漏出的電場影響，並容易產生垂直串音。

例如，日本專利申請公開公報第2002-323706號(專利文件1)。第35A圖顯示一畫素平面圖，而第35B圖顯示沿著I-I、Ⅱ-Ⅱ、Ⅲ-Ⅲ線的剖面圖。第1金屬層的複數掃描訊號線路3501和與其平行的兩共同訊號線路3502在基板上形成。第1絕緣膜3503在複數掃描訊號線路和複數共同訊號線路上形成。第2金屬層的複數視訊訊號線路3504、薄膜電晶體(TFT)3505和源極電極3506在第1絕緣膜上形成。源極電極3506置於複數畫素兩側，並連接至與源極電極同層的畫素輔助線路3506B。各源極電極3506在重疊複數共同訊號線路3502的區域內形成儲存電容。源極電極3506和複數共同訊號線路3502圖案化為鋸齒狀。

在顯示區的邊緣，鋸齒狀的圖案部分抑制引起LC分子反轉的電場。第2絕緣膜3507在複數視訊訊號線路3504、TFT3505和源極電極3506上形成。透明絕緣膜的第3絕緣膜3508在第2絕緣膜3507上形成。透明電極的畫素電極3509和共同電極3510在第3絕緣膜3508上形成。複數視訊訊號線路3504，在線路寬度方向介由第2絕緣膜3507和第3絕緣膜3508，完全被共同電極3510覆蓋。畫素電極3509和共同電極3510，分別經由接觸窗3511和3512，電氣連接至源極電極3506和複數共同訊號線路3502。

排列成梳齒狀的畫素電極3509和共同電極3510係透明電極。因此，在電極上的區域提供傳導。根據模擬，提供透明電極的傳導增加約8%的有效開口率。由於在複數視訊訊號線路上的區域，在線路寬度方向，完全被共同電極覆蓋，因此可以延伸開口至接近複數視訊訊號線路的區域。因此，在顯示區的邊緣防止液晶分子反轉，且光線利用的效率升高至最大限度。

來自複數視訊訊號線路的漏電場由共同電極擋開。因此，垂直串音降低。又，雖然在複數視訊訊號線路和共同電極間產生負載電容，負載電容不影響顯示裝置的驅動，因為絕緣膜具有低介電質常數。

上述問題的解決方法也揭露於日本專利申請公開公報第2003-207803號(專利文件2)。第37A圖顯示一畫素的平面圖，第37B圖顯示沿著I-I、Ⅱ-Ⅱ、Ⅲ-Ⅲ線的剖面圖。形成第1金屬層的複數掃描訊號線路3701和與其平行的兩共同訊號線路3702。第1絕緣膜3503在複數掃描訊號線路3701和複數共同訊號線路3702上形成。第2金屬層的複數視訊訊號線路3704、TFT3705以及源極電極3706在第1絕緣膜上形成。第37A圖中，雖然在複數畫素的兩側提供源極電極3706，但是源極電極在同一層內不互相連接。各源極電極3706經由接觸窗3711、3713及畫素電極3709而電氣連接。各源極電極3706在重疊複數共同訊號線路3702的區域內形成儲存電容。

源極電極3706和複數共同訊號線路3702圖案化為鋸齒狀。在顯示區的邊緣，鋸齒狀的圖案抑制引起LC分子反轉的電場。第2絕緣膜3707在複數視訊訊號線路3704、TFT3705和源極電極3706上形成。第3絕緣膜3708在第2絕緣膜3707上形成。透明電極的畫素電極3709和共同電極3710在第3絕緣膜3708上形成。複數視訊訊號線路3704，在線路寬度方向介由第2絕緣膜3707和第3絕緣膜3708，完全被共同電極3710覆蓋。畫素電極3709和共同電極3710，分別經由接觸窗3711、3712和3713，電氣連接至源極電極3706和複數共同訊號線路3702。

近年來，具有高解析度的液晶顯示器(LCD)是必須的。在專利文件1中，無法實現高解析度的LCD。第36圖中顯示第2金屬層。當複數視訊訊號線路3604和畫素輔助線路3606B在同一層中變靠近時，外來的微粒等容易引起之間短路。第36B圖顯示一範例，其中兩線路短路。複數視訊訊號線路3604和畫素輔助線路3606B經由漏電通路3606C連接。在此狀態下，畫素電極的電位受視訊訊號線路3604的電位改變影響。漏電通路看起來像是暗螢幕上的亮點，而在亮螢幕上看起來像是暗點。以下，如以上所顯出的缺點稱作”漏電亮點”。近年來，對影像品質的要求提高，特別是，強烈要求無漏電亮點的顯示裝置。

第2專利文件中，配置接觸窗3713，且兩源極電極3706經由畫素電極3709連接。藉由消除同層的畫素輔助線路，降低了同層內複數視訊訊號線路短路。不過，即使在如此的結構中，源極電極和複數視訊訊號線路極容易短路。第38A圖只顯示第2金屬層。因為儲存電容在源極電極3806 和複數共同訊號線路3802之間形成，必須配置源極電極3806比畫素輔助線路更鄰近複數視訊訊號線路3804。第38B圖顯示在同一層形成的視訊訊號線路3804和源極電極3806，造成經由漏電通路3806C的短路。在此結構中，畫素電極的電位受複數視訊訊號線路3804的電位改變影響，產生第1專利所述的漏電亮點。藉由移除畫素輔助線路，同一層的短路與第1專利相較降低至某一程度。不過，未實現大量的降低。

在先前技術的顯示中，顯示裝置藉由在複數共同訊號線路和源極電極之間重疊，形成儲存電容。在此顯示裝置中，複數視訊訊號線路和源極電極間仍然可能短路。因此，先前技術很難增進真實良率。

本發明的主要目的係抑制複數視訊訊號線路和源極電極間的短路，以提供可以實現高良率的橫向電場型的主動矩陣LCD裝置。

根據本發明的一形態，主動矩陣液晶顯示裝置包括：一第1基板；一第2基板，面對第1基板；以及一液晶層，夾在第1基板和第2基板之間。第1基板包括：複數掃描訊號線路；複數共同訊號線路，沿著上述複數掃描訊號線路配置；複數視訊訊號線路，與上述複數掃描訊號線路和上述複數共同訊號線路相交；以及複數畫素。上述複數畫素配置於被上述複數掃描訊號線路和上述複數視訊訊號線路圍繞的一第1區域。上述畫素包括：一薄膜電晶體；上述薄膜電晶體的源極電極，形成於配置複數視訊訊號線路的一層內；畫素電極，連接至上述源極電極；以及共同電極，連接至上述複數共同訊號線路。源極電極包括：一第1部分，重疊上述複數掃描訊號線路；以及一第2部分，連接至上述畫素電極。第2部分位於複數畫素側的視訊訊號線路間的中心部分周圍。在液晶層的液晶分子的分子軸在電場下與上述第1基板幾乎平行的平面中往第1方向旋轉，上述電場幾乎與上述第1基板平行並施加於上述畫素電極和上述共同電極之間。

根據本發明的橫向電場型的主動矩陣LCD裝置，可以得到下述有利的效果。

首先，由於源極和複數視訊訊號線路之間的短路降很低，變得可以生產高良率的高解析度產品。理由如下。位於複數畫素的一側的源極電極和畫素輔助線路兩者形成於一層內，此層不同於設置複數視訊訊號線路的層。位於畫素的另一側以及與複數視訊訊號線路同層的源極電極的區域減少。同一層中的圖案邊緣之間的距離(面對圖案側的間隔)變大。

其次，上述結構中也防止LC分子反轉。在頂層的畫素電極和底層的複數共同訊號線路的畫素電極相交的區域內，在LC層內根據邊緣電場的分子軸旋轉方向和想要的分子軸旋轉方向完全相同。在此區域內產生往前轉方向旋轉分子軸的強電場。因此，即使移除源極電極，新的反轉防止結構防止了LC分子的反轉。

本發明的其它範例特徵和優點由以下結合附圖的詳細說明而更明顯，圖中所有的的參考符號代表相同或相似的元件。

根據附圖，將詳細說明本發明的實施例。

實施例中，IPS模式的一主動矩陣液晶顯示裝置包括TFT的源極電極。TFT的源極電極的形成係在連接至TFT的第1部分、連接至畫素電極的第2部分、以及連接第1部分及第2部分的第3部分。第2部分配置於視訊訊號線路間的幾乎中心部分。源極電極和視訊訊號線路之間的位置關係，由面對至少一部分的複數視訊訊號線路的源極電極的各區域的寬度除以區域和複數視訊訊號線路之間的距離所得到的總值所定義。藉由控制總值，抑制源極電極和複數視訊訊號線路的短路。因此，可以生產高良率的高解析度顯示裝置。畫素電極在基板的正常方向重疊複數共同訊號線路的部分，形成儲存電容。當移除就在畫素電極下方的至少一部分的第2絕緣膜以形成一凹部時，儲存電容形成。上層畫素電極與下層共同訊號線路相交的區域中，LC層內的LC分子的分子軸由一邊緣電場以想要的旋轉方向旋轉。在此區域內，產生前轉的強電場。即使源極電極在此結構內降低，防止了LC分子的反轉。以下，參考附圖詳細說明實施例。

[第一實施例]

參考第1A和1B圖說明第一實施例。第1A圖係顯示LCD裝置的畫素結構的平面圖。第1B圖係第1A圖中沿著Ⅳ-Ⅳ線和V-V線的剖面圖。

如第1A、1B圖所示，LCD裝置的TFT基板包括第1金屬層的複數掃描訊號線路101，以及兩共同訊號線路102。第1絕緣膜103在複數掃描訊號線路101和共同訊號線路102上形成。第2金屬層的複數視訊訊號線路104、TFT105以及源極電極106在第1絕緣膜103上形成。在此，源極電極106包括連接至TFT105的第1部(1)和連接至畫素電極109的第2部(2)。第2部(2)配置於複數畫素兩側的視訊訊號線路104的接近中心處。源極電極106包括第1和第2部分，但其形狀不限於圖中的結構。

第2絕緣膜107在複數視訊訊號線路104、TFT105以及源極電極106上形成。第3透明絕緣膜108在第2絕緣膜107上形成。透明電極的畫素電極109和共同電極110在第3絕緣膜108上形成。複數視訊訊號線路104在線路寬度方向上介由第2絕緣膜107和第3絕緣膜108完全被共同電極110覆蓋。位於配置複數視訊訊號線路104的層內的源極電極106，如第1A圖，只形成於畫素下方。在畫素的上側，在頂層的畫素電極109的寬度增加。複數共同訊號線路102重疊畫素電極109的區域中，形成儲存電容。

畫素電極109和共同電極110，分別經由接觸窗111 和112，電氣連接至源極電極106的第2部2以及複數共同訊號線路102。

相較於習知技術，第一實施例移除形成於畫素的上側以及形成於配置複數視訊訊號線路的層內的源極電極。因此，形成於複數畫素的下層並用於電氣連畫素電極和源極電極的接觸窗是不需要。短路大大降低。

源極電極的第2部和複數視訊訊號線路在同一層。當源極電極的第2部配置於位於畫素兩側的視訊訊號線路之間的接近中心處，其第2部和訊號線路之間的短路可降至最低。結果，可以實現高良率LCD裝置。

過半的儲存電容在畫素電極重疊複數共同訊號線路的部分形成。因此，即使源極電極的區域減少，也可以形成足夠的儲存電容。因此，得到極佳的影像品質。

[第二實施例]

其次，參考第2A和2B圖，說明第二實施例。第2A圖係顯示LCD裝置的第2金屬層的結構平面圖。第2B圖顯示根據習知技術的LCD裝置的第2金屬層的結構平面圖。

第二實施例定義源極電極的區域、源極電極的區域的各寬度、以及區域和相對的視訊訊號線路之間的距離。

如第2A圖所示，關於源極電極206的各區域，其邊緣面對至少複數視訊訊號線路204的部分，Wi代表區域的寬度，Li代表區域和複數視訊訊號線路204的距離。畫素內的Wi/Li的總和(Σ Wi/Li)用作顯示同層中短路電路的頻率的適合參數。Σ Wi/Li的小值表示滿意的情況。當Σ Wi/Li 的值在兩倍的(W0/L0)值以內，而(W0/L0)值係TFT的通道寬度W0除以通道距離L0而得到，源極電極和複數視訊訊號線路之間的短路的頻率變得夠小。在此情況下，得到高良率。

習知技術的顯示裝置中，面板上偵側出三或四個漏電亮點。本實施例中，沒有偵側到漏電亮點。

另一觀點中，想要小的源極電極206區域。當源極電極的總區域係源極電極中的第1部分及第2部分的兩區域的總和的4倍或少於4倍時，源極電極及複數視訊訊號線路之間的短路的頻率變得夠小。因此，得到高良率的顯示裝置。當其總區域係第1部分和第2部分兩區域總和的4部或少於4倍時，產生1或0個漏電亮點。當其總區域係第1部分和第2部分兩區域總和的3倍或少於3倍時，不產生漏電亮點。

其次，詳細說明第二實施例。如第2A圖所示的本實施例的結構中，由於源極電極206的區域很小，參數Σ Wi/Li，即(W1/L1+‥+W5/L5)，也很小。源極電極的總區域約第1部分及第2部分兩區域的總和的2.5倍。參數Σ Wi/Li的值約2.5，幾乎等於W0/L0的值。在此情況下，不產生漏電亮點。

另一方面，第2B圖所示的習知技術的結構中，源極電極206的區域很大。存在很多Wi大的區域和Li小的區域。參數Σ Wi/Li，即(W1/L1+‥+W8/L8)，很大。源極電極的總區域約第1部分及第2部分兩區域的總和的9倍。參數 Σ Wi/Li的值約20，幾乎等於W0/L0的值的8倍。在此情況下，產生4或3個漏電亮點。

因此，根據第二實施例，得到了大大降低短路的畫素結構。

[第三實施例]

其次，參考第3A和3B圖，說明第三實施例。第3A圖係顯示LCD裝置的一畫素結構的平面圖，而第3B圖顯示第3A圖中沿V-V線和Ⅵ-Ⅵ線的剖面圖。不同於第一實施例，在儲存電容形成的區域中，以既定的厚度移除位於就在畫素電極下方的一部分的第3絕緣膜。

第三實施例詳細說明如下。第一實施例中，在底層內複數共同訊號線路和頂層內的畫素電極之間形成儲存電容，。不過，由於第一實施例中複數共同訊號線路和畫素電極之間配置三絕緣膜，用於儲存電容的絕緣膜厚度很大。因此，儲存電容的容量很小。根據本實施例，儲存電容形成的區域中，移除位於就在畫素電極309下方的第3絕緣膜308以形成一凹部。由於電容形成區域內絕緣膜的厚度變薄，形成具有較大容量的儲存電容。

又，以例如CVD(化學氣相沉積)法形成氮化矽膜作為第1絕緣膜303及第2絕緣膜307。之後，壓克力樹脂作成的光敏有機膜用作第3絕緣膜。其次，以曝光及顯影選擇性移除第3絕緣膜308，形成凹部314。壓克力樹脂係低介電質常數。即使共同電極介由絕緣膜在複數視訊訊號線路304上形成，複數視訊訊號線路和共同電極之間的儲存電容的電容值很小。儲存電容不影響驅動複數畫素。

以CVD法形成第3絕緣膜308，以蝕刻可以形成凹部314。位於就在畫素電極309的下方的第3絕緣膜308可以完全移除。可以留下很薄的第3絕緣膜308。

配置於複數視訊訊號線304上的絕緣膜可以只包括形成一層的第2絕緣膜，而且在儲存電容形成區域內，可以移除一部分的第2絕緣膜。

如果配置於複數視訊訊號線路304上的絕緣膜包括三層或三層以上，可以在儲存電容形成區域內移除一層或一層以上的疊層絕緣膜。

因此，根據第三實施例，當形成儲存電容時，短路的頻率可以大大降低。

[第四實施例]

其次，參考第3A、3B圖，說明第四實施例。在實施例中定義凹部邊緣至顯示區的距離。藉由移除位於就在畫素電極下方的第3絕緣膜，形成凹部。顯示區係成對的共同訊號線路302之間的區域。

詳細說明第四實施例。當藉由移除第3緣緣膜308形成的凹部314的邊緣接近顯示區時，產生由於一階梯的輕微漏電。如此的輕微漏電引起黑度水平亮度增加。本實施例中定義從移除第3絕緣膜308所形成的凹部314的邊緣到顯示區的距離。當距離變大時，可以適當地壓抑輕微漏電。如果距離不小於2微米，由於階梯產生的輕微漏電被共同訊號線路302截斷，而且黑度水平亮度不增加。

因此，根據第四實施例，當短路的頻率大大降低時，形成與習知技術相等的儲存電容。因為黑度水平亮度不增加，顯示螢幕的對比增加。

[第五實施例]

其次，參考第4圖，說明第五實施例。畫素上部和下部分別對應第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，而配置於畫素上部和下部的兩共同訊號線路以沿著複數視訊訊號線路配置的連接部電氣連接。

由於畫素的上部和下部的共同訊號線路402以連接部402B電氣連接，減少共同訊號的延遲，且亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。因此，當裝置變大且需要高解析度時，此結構非常有效。在此實施例中，連接部402B沿著複數視訊訊號線路的一側配置，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

因此，根據第五實施例，因為短路的頻率大大降低且減少共同訊號的延遲，得到影像品質的改善及高良率。

[第六實施例]

其次，參考第5圖，說明第六實施例。第2儲存電容形成區內的上層的共同信號線路，在橫切方向上，在複數視訊訊線路與其相交的區域內，不連接至其它線或其它電極。

上層的共同訊號線路經由連接部502B電氣連接至下層的共同訊號線路。複數視訊訊號線路和複數共同訊號線路之間的橫穿的容量變成接近一半。

[第七實施例]

其次，參考第6A、7B圖，說明第七實施例。第6A圖係顯示根據本實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖。第6B圖係顯示不具有反轉防止結構的一畫素結構的平面圖。第7A圖顯示具有本實施例的反轉防止結構的構造中的LC分子的操作。第7B圖顯示不具有反轉防止結構的構造中的LC分子的操作。

如第35A、37A圖所示的習知技術的顯示裝置中，複數共同訊號線路和源極電極兩者都圖案化為鋸齒狀且疊層。如此的結構抑制感應LC分子反轉的電場。以下簡略說明反轉。當不施加電場至LC分子時，LC分子同質地朝向研磨方向，如圖所示。當畫素電極和共同電極之間提供電位差時，第35A圖中在橫向方向施加電場。在此情況下，根據電場和LC分子的起始定位方向之間的關係，LC分子變形以對應電場方向。在圖中所示的範例中，此動作係順時針旋轉。旋轉的方向定義為前轉。LC分子往前轉相反的旋轉方向旋轉定義為反轉。第35A圖中，畫素電極和共同電極的邊緣形成鋸齒狀。因此，在電極邊緣部分，LC分子從LC分子的起始對準起執行前轉的方向上，形成電場。因此，好的LC分子的定位狀態維持在電極邊緣部分。相對地，第1A圖中，因為源極電極的區域很小，不形成與第35A圖相同的結構。例如，第1A圖中，在畫素電極的左上側，從斜左到斜右的方向形成電場。LC分子在此區域內逆時針旋轉。LC分子反轉的範圍在此區域內形成，並產生向錯。向錯降低對比和白色亮度。因此，感應反轉的電場產生的區域定義為在LC層內與想要的LC分子軸的旋轉方向不一致的部分。另一方面，第1A圖中，在畫素電極的右上側，電場的方向是從斜右到斜下。此部分的LC分子內感應順時針旋轉。此部分定義為液晶層內與想要的LC分子軸的旋轉方向一致的部分。在此實施例中，也採取了降低源極電極區域的第一實施例的結構中防止反轉的方法。

如第6A圖中所特別顯示地，在底層的複數共同訊號線路602與頂層的畫素電極609相交的部分(即，圖中虛線所包圍的部分)，畫素電極609傾斜的方向不同於一對共同訊號線路602之間的區域的顯示區內的方向。在複數共同訊號線路602上的區域內，形成反轉防止結構615A，因此LC層內的LC分子軸的旋轉，根據在靠近畫素電極609的邊緣產生的邊緣電場，變成前轉。根據研磨方向，第6A圖中複數畫素的兩側，反轉防止結構615A的傾斜方向變成彼此相反(即，第6A圖的左右側)。

參考第7A和7B圖，說明如此的反轉防止結構。第7B圖中，使LC分子反轉的電場產生的區域位於顯示區邊緣。另一方面，第7A圖中，反轉防止結構715B配置於LC分子反轉的電場產生的區域。反轉防止結構715B包括的結構中，複數共同訊號線路702的邊緣與部分的畫素電極相交，而畫素電極傾斜的方向不同於顯示區內的方向。在複數共同訊號線路702上的區域中，產生用於前轉的邊緣電場。抑制了反轉電場的影響。因此，整個顯示區內，LC分子往前轉。以下，第7A圖所示的反轉防止結構稱作第1反轉防止結構。

因此，根據第七實施例，短路頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，且增加了光使用效率。

[第八實施例]

其次，參考第8圖，說明第八實施例。第8圖係顯示LCD裝置的複數畫素的結構平面圖。在此實施例中，在儲存電容形成的區域內，移除就在畫素電極下方的第3絕緣膜。

特別是，儲存電容在底層的複數共同訊號線路及頂層的畫素電極之間形成。在結構中，因為三絕緣膜位於複數共同訊號線路和畫素電極之間，所以膜厚很厚且因此儲存電容很小。在此實施例中，在儲存電容形成的區域內，藉由移除就在畫素電極809下方的第3絕緣膜，形成凹部814。結果，兩絕緣膜配置於儲存電容形成區。因此，在此區域內形成具有大電容的儲存電容。

氮化矽膜例如以化學氣相沉積(CVD)法形成，作為第1及第2絕緣膜。壓克力樹脂的光敏有機膜用作第3絕緣膜。其次，以曝光及顯影選擇性移除第3絕緣膜，形成凹部814。第3絕緣膜可以以CVD法形成，凹部314可以以蝕刻形成。就在畫素電極809下方的第3絕緣膜可以完全移除或留下很薄。

根據第八實施例，當短路頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，可以形成較大的儲存電容。

[第九實施例]

其次，參考第8圖，說明第九實施例。又，雖然裝置的結構與第八實施例相同，移除就在畫素電極809下方的第3絕緣膜而形成的凹部的邊緣到顯示區的距離在實施例中定義。

當移除第3絕緣膜而形成的凹部814的邊緣接近顯示區時，產生由於一階梯的輕微漏電。此輕微漏電引起黑度水平亮度增加。本實施例中定義從移除第3絕緣膜所形成的凹部814的邊緣到顯示區的距離。當距離大時，可以有效地抑制輕微漏電。如果距離維持不小於2微米，由於階梯的輕微漏電被共同訊號線路802截斷。因此，黑度水平亮度不增加。

根據此實施例，短路頻率大大降低，而且防止整個顯示區內LC分子的反轉。因為形成足夠的儲存電容，黑度水平亮度不增加，顯示裝置的螢幕的對比改善。

[第十實施例]

其次，參考第9圖，說明第十實施例。配置於畫素的上部及下部的兩共同訊號線路，在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，經由沿著複數視訊訊號線路配置的連接部，互相電氣連接。

當畫素的上部及下部的兩共同訊號線路902經由連接部902B連接時，共同訊號的延遲減少且亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。因此，當裝置大且需要高解析度時，此結構非常有效。在此實施例中，當連接部902B沿著複數視訊訊號線路的一側配置時，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

根據第十實施例，因為短路的頻率大大降低且降低共同訊號的延遲，得到影像品質的改善及高良率。

[第十一實施例]

其次，參考第10圖，說明第十一實施例。第10圖係顯示LCD裝置內複數畫素的結構圖。

在此實施例，共同電極1010、畫素電極1009及複數視訊訊號線路1004彎曲形成多領域結構。根據此結構，第1反轉防止結構1015A的方向不同於單一領域的方向。

根據第十一實施例，短路頻率大大降低且防止整個顯示區內LC分子的反轉。形成足夠的儲存電容。在此實施例的顯示裝置中，由於黑度水平亮度不增加，得到高對比。在此實施例的顯示裝置中，即使從斜方向看螢幕，顏色轉變不被多領域結構抑制。

[第十二實施例]

參考第11圖，說明第十二實施例。配置於畫素的上部及下部的兩共同訊號線路，在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，經由沿著複數視訊訊號線路配置的連接部電氣連接。

當畫素的上部及下部的兩共同訊號線路1102經由連接部1102B互相連接時，共同訊號的延遲減少且亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。當裝置大且需要高解析度時，此結構對於高解析度顯示非常有效。在此實施例中，由於連接部1102B沿著複數視訊訊號線路的一側配置，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

根據第十二實施例，短路頻率大大降低且防止整個顯示區內反轉。在此實施例內，形成足夠的儲存電容。此實施例的顯示裝置中，因為黑度水平亮度不增加，得到高對比。即使從斜方向看螢幕，顏色轉變被多領域結構抑制。因為短路大大降低且共同訊號的延遲減少，本實施例的顯示器中得到改善的影像品質和高良率。

[第十三實施例]

其次，參考第12圖，說明第十三實施例。共同電極1210，鄰接在第1反轉防止結構1215A內產生邊緣電場的畫素電極1209的一側，根據畫素電極1209的形狀包括近乎曲柄形。根據共同電極的圍住效果加上邊緣電場的效果，因此得到強反轉防止效果。

因此，根據第十三實施例，短路頻率大大降低，且防止整個顯示區內LC分子反轉，光使用效率增加。

[第十四實施例]

參考第12圖，說明第十四實施例。定義凹部1214的邊緣到顯示區的距離，其中藉由移除就在畫素電極下方的第3絕緣膜而形成凹部1214。

當藉由移除第3絕緣膜而形成的凹部1214的邊緣接近顯示區時，由於一階梯的輕微漏電產生而引起黑度水平亮度增加。在此實施例中，定義藉由移除第3絕緣膜而形成的凹部1214的邊緣到顯示區的距離。當距離大時，有效地抑制輕微漏電。如果距離維持不小於2微米，由於階梯的輕微漏電被共同訊號線路1202截斷，而且黑度水平亮度不增加。

根據第十四實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，可以形成足夠的儲存電容。由於黑度水平亮度不增加，顯示螢幕的對比改善。

[第十五實施例]

其次，參考第13圖，說明第十五實施例。兩共同訊號線路配置於畫素的上部和下部，位於第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，以沿著複數視訊訊號線路配置的連接部1302B電氣連接。

當畫素的上部和下部的兩共同訊號線路1302以連接部1302B電氣連接時，共同訊號的延遲減少，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。當裝置大且需要高解析度時，此結構對於顯示器的高解析度非常有效。在此實施例中，當連接部1302B沿著視訊訊號線路的一側配置時，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

因此，根據第十五實施例，因為短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，光使用效率增加。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，抑制垂直串音，且影像品質改善。

[第十六實施例]

其次，參考第14圖，說明第十六實施例。在此實施例中，共同電極1410、畫素電極1409及複數視訊訊號線路1404在顯示區中央彎曲於形成多領域結構。根據此結構，第1反轉防止結構1415A的方向不同於上述第十三、第十四實施例所述的單一領域的方向。

根據第十六實施例，短路頻率大大降低且防止整個顯示區內LC分子的反轉，光使用效率增加。在此實施例的顯示裝置中，藉由多領域結構，即使從斜方向看螢幕，顏色轉變被抑制。

[第十七實施例]

參考第15圖，說明第十七實施例。兩共同訊號線路配置於畫素上部和下部，位於第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，以沿著複數視訊訊號線路配置的連接部電氣連接。

當畫素的上部和下部的兩共同訊號線路1502經由連接部1502B互相電氣連接時，共同訊號的延遲減少，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。當裝置大且需要高解析度時，此結構對顯示器的高解析度非常有效。在此實施例中，當連接部1502B沿著複數視訊訊號線路的一側配置時，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

根據第十七實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，光使用效率增加。即使從斜方向看螢幕，顏色轉變不被多領域結構抑制。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，抑制垂直串音，且影像品質改善。

[第十入實施例]

參考第16圖，說明第十八實施例。此實施例中，定義在第1反轉防止結構1615A附近產生的邊緣電場操作的方向角度和LC層內LC分子的起始對準方向。

第16圖中，邊緣電場操作的方向和液晶層的起始對準方向之間的角度，即，研磨方向調整為θ。當角度θ為45度時，最強的旋轉力矩施加於接近第1反轉防止結構1615A的LC層內的LC分子，反轉防止效果變高。因此，想要角度θ為45度。不過，由於複數畫素和配置的傾斜，當角度θ不能設為45度時，可以給θ值一容限。當確定角度θ以45度為中心的既定範圍內時，得到實際上足夠的反轉防止效果。當角度θ特別為30度到60度時，得到足夠的反轉防止效果。當角度θ從50度調整到40度時，即使產生例如指壓的干擾，也可以維持穩定的方位。角度θ幾乎與複數共同訊號線路1602的邊緣與傾斜的方向不同於顯示區內的方向的部分的畫素電極1609的邊緣之間的角度一致。

根據第十七實施例，藉由定義以邊緣電場操作的方向形成的角度θ，以及LC層內的LC分子起始對準方向，得到強反轉防止效果。

[第十九實施例]

其次，參考第16圖，說明第十九實施例。在此實施例內定義區域的長度，其中液晶層內由於邊緣電場的液晶分子的分子軸旋轉方向與LC分子的分子軸想要的旋轉方向一致。

上述的長度說明如下。當到共同訊號線路的邊緣的長度d調整至比LC層的厚度長，得到強反轉防止效果。

因此，根據第九實施例，由於定義了角度θ以及上述長度，得到強反轉防止效果。

[第二十實施例]

其次，參考第16圖，說明第二十實施例。複數共同訊號線路的形狀在此實施例中定義。

面對顯示區並決定畫素的顯示區的邊界的複數共同訊號線路的邊緣以直線形成。在先前技術中，共同訊號線路的邊緣包括鋸齒狀，因為反轉防止結構在其上形成。

因此，發射光分散在線路邊緣。

根據第二十實施例，當決定畫素的顯示區的邊界的複數共同訊號線路的邊緣形成簡單的線性形狀時，抑制了線路邊緣內發射光的分散。由於本實施例中複數共同訊號線路不包括鋸齒狀，抑制了發射光的分散，並且特別在黑色顯示中幾乎不破壞線偏光(Linearly polarized light)狀態。由於黑度水平亮度不增加，得到高對比。

[第二十一實施例]

其次，參考第17和18圖，說明第二十一實施例。本實施例的顯示裝置具有不同於上述的第1反轉防止結構的反轉防止結構。第17圖係平面圖，顯示本實施例的LCD裝置的畫素結構，而第18圖係本實施例的反轉防止結構中LC分子的操作顯示圖。

特別地，畫素電極1709兩端的電極寬度對反轉電場產生的一側被製成很厚。畫素電極1709端部的電極寬度被製成厚的大部分的區域，重疊底層的複數共同訊號線路1702。

第18圖顯示藉此結構防止反轉的理由，以及與上述的第1反轉防止結構的不同。第18圖中，接近產生反轉電場的區域，畫素電極1809的寬度厚，畫素電極1809與共同電極1810之間的間隔窄。由於如此的結構，產生強前轉電場，並且抑制反轉電場的操作。第7A圖所示的第1反轉防止結構中，複數共同訊號線路702的邊緣與傾斜的方向不同於顯示區內的方向的部分的畫素電極相交。用於LC分子前轉的邊緣電場，在複數共同訊號線路702和畫素電極709的邊緣之間產生。因此，反轉電場的影響被抑制。第18圖所示的反轉防止結構中，在畫素電極1809和共同電極1810之間產生強前轉電場。以下，第18圖所示的反轉防止結構稱作第2反轉防止結構。

根據第二十一實施例，短路的頻率大大降低，整個顯示區內LC分子的防止反轉效果增加，且光使用效率增加。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。

[第二十二實施例]

其次，參考第17圖，說明第二十二實施例。定義藉由移除就在畫素電極下方的第3絕緣膜所形成的凹部的邊緣到顯示區的距離。

當移除第3絕緣膜所形成的凹部1714的邊緣接近顯示區時，產生由於一階梯的輕微漏電，引起黑度水平亮度增加。因此，在此實施例中，定義藉由移除第3絕緣膜所形成的凹部1714的邊緣到顯示區的距離。當距離大時，輕微漏電被妥善地抑制。如果維持不小於2微米的距離，由於階梯的輕微漏電被共同訊號線路1702截斷，黑度水平亮度不增加。

根據第二十二實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，形成足夠的儲存電容。由於黑度水平亮度不增加，對比改善。

[第二十三實施例]

其次，參考第19圖，說明第二十三實施例。兩共同訊號線路配置於畫素上部和下部，在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，以沿著複數視訊訊號線路配置的連接部1902B電氣連接。

藉由以連接部1902B連接畫素的上部和下部的兩共同訊號線路1902，減少共同訊號的延遲，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。因此，當裝置變大且需要高解析度時，此結構對於高解析度顯示非常有效。在此實施例中，當連接部1902B沿著複數視訊訊號線路的一側配置時，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

因此，根據第二十三實施例，短路頻率大大降低，整個顯示區內LC分子的防止反轉效果增加，且增加了光使用效率。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，且抑制垂直串音，影像品質改善。

[第二十四實施例]

其次，參考第20圖說明，第二十四實施例。共同電極2010、畫素電極2009及複數視訊訊號線路2004在顯示區中央彎曲形成多領域結構。

根據此結構，第2反轉防止結構2015B的方向改變，不同於第二十一和第二十二實施例中所述的單一領域的方向。

根據第二十四實施例，短路頻率大大降低，整個顯示區內LC分子的防止反轉效果增加，且增加了光使用效率。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。即使從斜方向看螢幕，顏色轉變不被多領域結構抑制。

[第二十五實施例]

其次，參考第21圖，說明第二十五實施例。兩共同訊號線路，配置於畫素上部和下部，分別在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，以沿著複數視訊訊號線路配置的連接部電氣連接。

藉由以連接部2102B連接畫素的上部和下部的兩共同訊號線路2102，減少共同訊號的延遲，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。因此，當裝置變大且需要高解析度時，此結構對於高解析度顯示非常有效。在此實施例中，連接部2102B沿著複數視訊訊號線路的一側配置，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

根據第二十五實施例，短路頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉效果增加，且增加了光使用效率。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。即使從斜方向看螢幕，顏色轉變不被多領域結構抑制。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，且抑制垂直串音，影像品質改善。

[第二十六實施例]

其次，參考第22和23圖，說明第二十六實施例。在第2反轉防止結構2215B中，共同電極2210鄰接具有寬邊緣的畫素電極2209，根據畫素電極2209的形狀，共同電極2210變成近乎曲柄形的形狀。在此實施例中，抑制反轉電場的效果變得更高。

參考第23圖，說明此效果的理由。電極邊緣的轉角部分互相接近的區域內，產生強前轉電場。電場在LC分子的起始對準方向施加強旋轉力矩。特別是，LC分子的起始對準方向以及前轉電場操作的方向形成約45度。此實施例中，抑制反轉電場的效果變得更高。

根據第二十六實施例，短路頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子反轉的效果增加，且增加了光使用效率。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。

[第二十七實施例]

其次，參考第22圖，說明第二十七實施例。此實施例中，定義藉由移除就在畫素電極下方的第3絕緣膜而形成的凹部邊緣至顯示區的距離。

詳細說明本實施例。當移除第3絕緣膜而形成的凹部2214接近顯示區時，產生一階梯引起的輕微漏電，引起黑度水平亮度增加。因此，本實施例中定義從移除第3絕緣膜所形成的凹部2214的邊緣到顯示區的距離。當距離大時，可以有效地壓抑輕微漏電。如果距離維持不小於2微米，由於階梯的輕微漏電被複數共同訊號線路1702截斷，黑度水平亮度不增加。

因此，根據第二十七實施例，短路頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，且形成足夠的儲存電容。由於黑度水平亮度不增加，對比改善。

[第二十八實施例]

其次，參考第24圖，說明第二十八實施例。配置於畫素的上部及下部的兩共同訊號線路，在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，經由沿著複數視訊訊號線路配置的連接部電氣連接。

當畫素的上部和下部的共同訊號線路2402以連接部2402B電氣連接時，減少共同訊號的延遲，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。因此，當裝置變大且需要高解析度時，此結構非常有效。在此實施例中，當連接部2402B沿著複數視訊訊號線路的一側配置時，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

因此，根據第二十八實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，且增加了光使用效率。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，且抑制垂直串音，影像品質改善。

[第二十九實施例]

其次，參考第25圖，說明第二十九實施例。共同電極2510、畫素電極2509及複數視訊訊號線路2504在顯示區中央彎曲形成多領域結構。根據此結構，第2反轉防止結構2515B的方向不同於上述第二十六、第二十七實施例中所述的單一領域的方向。

根據第二十九實施例，短路頻率大大降低且防止整個顯示區內LC分子的反轉，光使用效率增加。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。即使從斜方向看螢幕，顏色轉變被多領域結構抑制。

[第三十實施例]

其次，參考第26圖，說明第三十實施例。配置於畫素的上部及下部的兩共同訊號線路，在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，經由沿著複數視訊訊號線路配置的連接部電氣連接。

當畫素的上部和下部的共同訊號線路2602以連接部2602B電氣連接，減少共同訊號的延遲，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。因此，當裝置變大且需要高解析度時，此結構對於高解析度顯示非常有效。在此實施例中，當連接部2602B沿著複數視訊訊號線路的一側配置時，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

因此，根據第二十九實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，且增加了光使用效率。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。即使從斜方向看螢幕，顏色轉變被多領域結構抑制。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，且抑制垂直串音，影像品質改善。

[第三十一實施例]

其次，參考第27圖，說明第三十一實施例。畫素的一側(即，下側)使用第1反轉防止結構2715A，畫素的另一側(即，上側)使用第2反轉防止結構2715B。如此的反轉防止結構的如此結合可以顛倒，且可以根據設計狀態自由設定。

因此，根據第三十一實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，且增加了光使用效率。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。

[第三十二實施例]

其次，參考第27圖，說明第三十二實施例。定義藉由移除就在畫素電極下方的第3絕緣膜而形成的凹部邊緣至顯示區的距離。

當藉由移除第3絕緣膜而形成的凹部2714接近顯示區時，產生一階梯引起的輕微漏電，引起黑度水平亮度增加。因此，本實施例中定義從移除第3絕緣膜所形成的凹部2714的邊緣到顯示區的距離。當距離大時，可以有效地壓抑輕微漏電。如果距離維持不小於2微米，由於階梯的輕微漏電被複數共同訊號線路1702截斷，黑度水平亮度不增加。

因此，根據第三十二實施例，短路頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，且形成足夠的儲存電容。由於黑度水平亮度不增加，對比改善。

[第三十三實施例]

其次，參考第28圖，說明第三十一實施例。兩共同訊號線路配置於畫素上部和下部，在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，經由沿著複數視訊訊號線路配置的連接部電氣連接。

由於畫素的上部和下部的共同訊號線路2802以連接部2802B電氣連接，減少共同訊號的延遲，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構貢獻高解析度顯示。因此，當裝置變大且需要高解析度時，此結構對於高解析度顯示非常有效。在此實施例中，當連接部2802B沿著複數視訊訊號線路的一側配置時，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

因此，根據第三十三實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，且光使用效率增加。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，抑制垂直串音，且影像品質改善。

[第三十四實施例]

其次，參考第29圖，說明第三十四實施例。共同電極2910、畫素電極2909及複數視訊訊號線路2904在顯示區中央彎曲形成多領域結構。根據此結構，第2反轉防止結構2915B的方向不同於上述第二十三實施例中所述的單一領域的方向。

根據第三十四實施例，短路頻率大大降低且防止整個顯示區內LC分子的反轉，光使用效率增加。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。即使從斜方向看螢幕，顏色轉變被多領域結構抑制。

[第三十五實施例]

其次，參考第30圖，說明第三十五實施例。兩共同訊號線路，配置於畫素上部和下部，在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，經由沿著複數視訊訊號線路配置的連接部1902B電氣連接。

當畫素的上部和下部的兩共同訊號線路3002以連接部3002B電氣連接時，減少共同訊號的延遲，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示。因此，當裝置變大且需要高解析度時，此結構對於高解析度顯示非常有效。在此實施例中，當連接部3002B沿著複數視訊訊號線路的一側配置時，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

因此，根據第三十五實施例，因為短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，光使用效率增加。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。在此實施例的顯示裝置中，由於多領域結構，即使從斜方向看螢幕，顏色轉變被抑制。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，抑制垂直串音，且影像品質改善。

[第三十六實施例]

其次，參考第31圖，說明第三十六實施例。在第2反轉防止結構3115B中，鄰接畫素電極3109的共同電極3110包括的形狀不完全沿著畫素電極3109的形狀，但包括其中接近頂端傾斜的形狀。即使改變形狀，抑制反轉電場的效果維持不變，且共同電極3110的形狀可以根據設計狀況自由地形成。當欄寬窄且右角曲柄形的共同電極不容易製成時，根據此實施例的共同電極3110的形狀是有效的。

根據第三十六實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，光使用效率增加。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。

[第三十七實施例]

其次，參考第31圖，說明第三十七實施例。藉由移除位於就在畫素電極下方的第3絕緣膜，形成凹部，定義凹部邊緣至顯示區域的距離。

當藉由移除第3緣緣膜所形成的凹部3114的邊緣接近顯示區時，產生一階梯引起的輕微漏電，引起黑度水平亮度增加。因此，本實施例中，定義從移除第3絕緣膜所形成的凹部3114的邊緣到顯示區的距離。當距離變大時，可以適當地壓抑輕微漏電。如果距離維持不小於2微米，由於階梯的輕微漏電被共同訊號線路1702截斷，而且黑度水平亮度不增加。

根據第三十七實施例，短路頻率大大降低且防止整個顯示區內LC分子的反轉，形成足夠的儲存電容。由於黑度水平亮度不增加，對比改善。

[第三十八實施例]

其次，參考第32圖，說明第三十八實施例。兩共同訊號線路配置於畫素上部和下部，在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，經由沿著複數視訊訊號線路配置的連接部1902B電氣連接。

當畫素的上部和下部的兩共同訊號線路3202以連接部3202B連接時，減少共同訊號的延遲，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示，且當裝置變大且需要高解析度時，此結構對於高解析度顯示非常有效。在此實施例中，當連接部3202B沿著複數視訊訊號線路的一側配置，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

根據第三十八實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，且光使用效率增加。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，抑制垂直串音，且影像品質改善。

[第三十九實施例]

其次，參考第33圖，說明第三十九實施例。共同電極3310、畫素電極3309及複數視訊訊號線路3304在顯示區中央彎曲形成多領域結構。根據此結構，第2反轉防止結構3315B的方向不同於上述第三十六、第三十七實施例中所述的單一領域的方向。

根據第三十九實施例，因為短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，光使用效率增加。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。即使從斜方向看螢幕，顏色轉變被多領域抑制。

[第四十實施例]

其次，參考第34圖，說明第四十實施例。兩共同訊號線路配置於畫素上部和下部，在第1儲存電容形成區和第2儲存電容形成區，經由沿著複數視訊訊號線路配置的連接部1902B電氣連接。

當畫素的上部和下部的兩共同訊號線路3402以連接部3402B連接時，減少共同訊號的延遲，亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致。此結構提供高解析度顯示，且當裝置變大且需要高解析度時，此結構對於高解析度顯示非常有效。在此實施例中，當連接部3402B沿著複數視訊訊號線路的一側配置時，強烈抑制從複數視訊訊號線路到顯示區的漏電場，且抑制垂直串音。

根據第四十實施例，短路的頻率大大降低，防止整個顯示區內LC分子的反轉，且光使用效率增加。指壓的痕跡不留在LC面板的螢幕上。即使從斜方向看螢幕，顏色轉變被多領域抑制。亮度的平面分佈或閃爍水平變得一致，抑制垂直串音，且影像品質改善。

[第四十一實施例]

其次，參考第18和23圖，說明第四十一實施例。定義在畫素電極的兩端具有寬度的區域的邊緣以及複數共同訊號線路的邊緣之間的位置關係。

如第18和23圖所示，為了抑制反轉電場，希望畫素的端點的寬的寬度區域的邊緣，以1微米至4微米，從複數共同訊號線路的邊緣突出。不過，即使當畫素端點的寬的寬度區域的邊緣從共同訊號線路的邊緣回去約1微米時，也防止LC分子的反轉。因此，有關複數共同訊號線路的邊緣，可以在內部1微米到外部4微米的範圍內形成畫素的端點的寬的寬度區域的邊緣。

根據四十一實施例，全顯示區內的LC分子的反轉防止結構包括大的製程容限，以容易對準光罩。

[第四十二實施例]

其次，參考第18和23圖，說明第四十二實施例。此實施例中，定義複數共同訊號線路的形狀。

面對顯示區並定義畫素的顯示區邊界的複數共同訊號線路的邊緣包括直線形狀。在習知技術中，由於形成反轉防止結構，共同訊號線路的邊緣包括鋸齒狀。因此，發射光分散在線路的邊緣。

根據第四十二實施例，由於定義畫素顯示區內的邊界的複數共同訊號線路的邊緣形成簡單線性形狀，在線路邊緣抑制發射光的分散。由於抑制發射光的分散，不會破壞在黑色顯示中的線偏光狀態。又由於黑度水平亮度不增加，得到高對比。

各上述實施例中，說明TFT為開關元件。不過，本發明中，其它的元件，例如薄膜二極體(TFD)，可以用作開關元件。面對TFT基板的基板結構、包括TFT基板、對立的基板及LC層的液晶面板的外部所配置的光學構件的結構、以及照亮LC面板的背光結構等不限於上述，可以使用可利用的技術。

各上述實施例中，第1及2反轉防止結構，與源極電極減少的結構結合。不過，如此的反轉防止結構不一定只適用於源極電極減少的結構。如此的反轉防止結構可以適用於包括複數共同訊號源線路及共同電極和畫素電極在其上的裝置，並可以防止複數畫素端的向錯，以實現高對比。

上述實施例說明的範例中，兩絕緣膜位於複數視訊訊號線路上，以及畫素電極和共同電極在其上。不過上述結構中，可使用一層或一層以上的絕緣膜。

[產業上利用的可能性]

本發明可用於橫向電場型的主動矩陣型LCD裝置，以及使用此LCD裝置作為顯示裝置的任意儀器。

雖然參考實施例以特別顯示和說明本發明，但本發明不限於這些實施例。具有此技術的一般技藝者可了解，在不脫離申請專利範圍所定義的本發明的精神和範圍內，形式和細節可以作各種改變。

101‧‧‧掃描訊號線路

102‧‧‧共同訊號線路

103‧‧‧第1絕緣膜

104‧‧‧視訊訊號線路

105‧‧‧TFT

106‧‧‧源極電極

108‧‧‧第3絕緣膜

109‧‧‧畫素電極

110‧‧‧共同電極

111、112‧‧‧接觸窗

204‧‧‧視訊訊號線路

206‧‧‧源極電極

302‧‧‧共同訊號線路

303‧‧‧第1絕緣膜

304‧‧‧視訊訊號線路

307‧‧‧第2絕緣膜

308‧‧‧第3絕緣膜

309‧‧‧畫素電極

402‧‧‧共同訊號線路

402B‧‧‧連接部

502B‧‧‧連接部

602‧‧‧共同訊號線路

609‧‧‧畫素電極

615A‧‧‧反轉防止結構

702‧‧‧共同訊號線路

715B‧‧‧反轉防止結構

802‧‧‧共同訊號線路

814‧‧‧凹部

902‧‧‧共同訊號線路

902B‧‧‧連接部

1010‧‧‧共同電極

1004‧‧‧視訊訊號線路

1015A‧‧‧第1反轉防止結構

1102‧‧‧共同訊號線路

1102B‧‧‧連接部

1202‧‧‧共同訊號線路

1209‧‧‧畫素電極

1210‧‧‧共同電極

1214‧‧‧凹部

1215A‧‧‧第1反轉防止結構

1302‧‧‧共同訊號線路

1302B‧‧‧連接部

1404‧‧‧視訊訊號線路

1409‧‧‧畫素電極

1410‧‧‧共同電極

1415A‧‧‧第1反轉防止結構

1502‧‧‧共同訊號線路

1502B‧‧‧連接部

1602‧‧‧共同訊號線路

1609‧‧‧畫素電極

1615A‧‧‧第1反轉防止結構

1702‧‧‧共同訊號線路

1709‧‧‧畫素電極

1714‧‧‧凹部

1809‧‧‧畫素電極

1810‧‧‧共同電極

1902‧‧‧共同訊號線路

1902B‧‧‧連接部

2004‧‧‧視訊訊號線路

2009‧‧‧畫素電極

2010‧‧‧共同電極

2015B‧‧‧第2反轉防止結構

2102B‧‧‧連接部

2209‧‧‧畫素電極

2210‧‧‧共同電極

2214‧‧‧凹部

2215B‧‧‧第2反轉防止結構

2402‧‧‧共同訊號線路

2402B‧‧‧連接部

2504‧‧‧視訊訊號線路

2509‧‧‧畫素電極

2510‧‧‧共同電極

2515B‧‧‧第2反轉防止結構

2602‧‧‧共同訊號線路

2602B‧‧‧連接部

2714‧‧‧凹部

2715A‧‧‧第1反轉防止結構

2715B‧‧‧第2反轉防止結構

2802‧‧‧共同訊號線路

2802B‧‧‧連接部

2904‧‧‧視訊訊號線路

2909‧‧‧畫素電極

2910‧‧‧共同電極

2915B‧‧‧第2反轉防止結構

3002‧‧‧共同訊號線路

3002B‧‧‧連接部

3109‧‧‧畫素電極

3110‧‧‧共同電極

3114‧‧‧凹部

3115B‧‧‧第2反轉防止結構

314‧‧‧凹部

3202‧‧‧共同訊號線路

3202B‧‧‧連接部

3304‧‧‧視訊訊號線路

3309‧‧‧畫素電極

3310‧‧‧共同電極

3315B‧‧‧第2反轉防止結構

3402‧‧‧共同訊號線路

3402B‧‧‧連接部

3501‧‧‧訊號線路

3502‧‧‧共同訊號線路

3503‧‧‧第1絕緣膜

3504‧‧‧視訊訊號線路

3505‧‧‧薄膜電晶體(TFT)

3506‧‧‧源極電極

3506B‧‧‧畫素輔助線路

3507‧‧‧第2絕緣膜

3508‧‧‧第3絕緣膜

3509‧‧‧畫素電極

3510‧‧‧共同電極

3604‧‧‧視訊訊號線路

3606B‧‧‧畫素輔助線路

3606C‧‧‧漏電通路

3701‧‧‧掃描訊號線路

3702‧‧‧共同訊號線路

3704‧‧‧視訊訊號線路

3705‧‧‧TFT

3706‧‧‧源極電極

3707‧‧‧第2絕緣膜

3708‧‧‧第3絕緣膜

3709‧‧‧畫素電極

3710‧‧‧共同電極

3711、3713‧‧‧接觸窗

3802‧‧‧共同訊號線路

3804‧‧‧視訊訊號線路

3806‧‧‧源極電極

3806C‧‧‧漏通路

Li‧‧‧區域和複數視訊訊號線路204的距離

Wi‧‧‧區域的寬度

[第1A圖]係顯示根據第一實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第1B圖]係顯示根據第一實施例的LCD裝置在第1A圖中特定部分結構的剖面圖； [第2A圖]係顯示根據第二實施例的LCD裝置的第2金屬層的結構平面圖；[第2B圖]係顯示習知LCD裝置的第2金屬層的結構平面圖；[第3A圖]係顯示根據第三和第四實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第3B圖]係顯示根據第三和第四實施例的LCD裝置在第3A圖中的特定部分結構的剖面圖；[第4圖]係顯示根據第五實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第5圖]係顯示根據第六實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第6A、6B圖]係顯示根據第七實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第7A、7B圖]係顯示根據第七實施例的LCD裝置中防止第1反轉防止結構的結構圖；[第8圖]係顯示根據第八、第九實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第9圖]係顯示根據第十實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第10圖]係顯示根據第十一實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第11圖]係顯示根據第十二實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖； [第12圖]係顯示根據第十三實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第13圖]係顯示根據第十五實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第14圖]係顯示根據第十六實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第15圖]係顯示根據第十七實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第16圖]係顯示根據第十八~二十實施例的LCD裝置中第1反轉防止結構圖；[第17圖]係顯示根據第二十一~二十二實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第18圖]係顯示根據第二十一實施例的LCD裝置中第2反轉防止結構圖；[第19圖]係顯示根據第二十三實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第20圖]係顯示根據第二十四實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第21圖]係顯示根據第二十五實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第22圖]係顯示根據第二十六~二十七實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第23圖]係顯示根據第二十六實施例的LCD裝置中第2反轉防止結構圖； [第24圖]係顯示根據第二十八實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第25圖]係顯示根據第二十九實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第26圖]係顯示根據第三十實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第27圖]係顯示根據第三十一~三十二實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第28圖]係顯示根據第三十三實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第29圖]係顯示根據第三十四實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第30圖]係顯示根據第三十五實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第31圖]係顯示根據第三十六~三十七實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第32圖]係顯示根據第三十八實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第33圖]係顯示根據第三十九實施例的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第34圖]係顯示根據第四十實施例的LCD裝置中第2反轉防止結構附近的平面圖；[第35A圖]係顯示習知技術的LCD裝置的一畫素的結構平面圖； [第35B圖]係顯示習知技術的LCD裝置在第35A圖中的特定部分結構的剖面圖；[第36A圖]係顯示習知技術的LCD裝置的第2金屬層的結構平面圖；[第36B圖]係習知技術的LCD裝置的第2金屬層內產生複數視訊訊號線路和畫素輔助線路的層短路的範例圖；[第37A圖]係顯示另一習知技術的LCD裝置的一畫素的結構平面圖；[第37B圖]係顯示習知技術的LCD裝置在第37A圖中的特定部分結構的剖面圖；[第38A圖]係顯示習知技術的LCD裝置的第2金屬層的結構平面圖；以及[第38B圖]係習知技術的LCD裝置的第2金屬層的同一層內複數視訊訊號線路和源極電極間產生短路的範例圖。