TWI365917B - A1-based alloy sputtering target and process for producing the same - Google Patents
A1-based alloy sputtering target and process for producing the sameInfo
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- C22C21/00—Alloys based on aluminium
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- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006313505A JP2008127623A (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200902738A TW200902738A (en) | 2009-01-16 |
TWI365917B true TWI365917B (en) | 2012-06-11 |
Family
ID=38917707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096142872A TWI365917B (en) | 2006-11-20 | 2007-11-13 | A1-based alloy sputtering target and process for producing the same |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080223718A1 (zh) |
EP (1) | EP1932940A1 (zh) |
JP (1) | JP2008127623A (zh) |
KR (2) | KR20080045631A (zh) |
CN (1) | CN101220458B (zh) |
TW (1) | TWI365917B (zh) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940385B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
JP4330517B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2009-09-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金薄膜およびCu合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ |
JP4579709B2 (ja) | 2005-02-15 | 2010-11-10 | 株式会社神戸製鋼所 | Al−Ni−希土類元素合金スパッタリングターゲット |
JP4117001B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット |
JP4542008B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2010-09-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス |
US7683370B2 (en) * | 2005-08-17 | 2010-03-23 | Kobe Steel, Ltd. | Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices |
JP4283818B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2009-06-24 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | ローミング制御装置、移動通信端末、移動通信システム及びローミング制御方法 |
US7781767B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-24 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor substrate and display device |
JP2008098611A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Kobe Steel Ltd | 表示装置 |
JP4280277B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2009-06-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスの製法 |
KR101043508B1 (ko) | 2006-10-13 | 2011-06-23 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 박막 트랜지스터 기판 및 표시 디바이스 |
JP4170367B2 (ja) | 2006-11-30 | 2008-10-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス用Al合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット |
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JP4469913B2 (ja) | 2008-01-16 | 2010-06-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス |
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JP5139134B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-02-06 | 株式会社コベルコ科研 | Al−Ni−La−Cu系Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP5475260B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-04-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置 |
US8422207B2 (en) * | 2008-04-23 | 2013-04-16 | Kobe Steel, Ltd. | Al alloy film for display device, display device, and sputtering target |
JP5584436B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2014-09-03 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
JP2010065317A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 |
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JP4567091B1 (ja) | 2009-01-16 | 2010-10-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示装置用Cu合金膜および表示装置 |
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JP5723171B2 (ja) | 2011-02-04 | 2015-05-27 | 株式会社神戸製鋼所 | Al基合金スパッタリングターゲット |
JP2012180540A (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Kobe Steel Ltd | 表示装置および半導体装置用Al合金膜 |
JP5524905B2 (ja) | 2011-05-17 | 2014-06-18 | 株式会社神戸製鋼所 | パワー半導体素子用Al合金膜 |
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US9745792B2 (en) | 2015-03-20 | 2017-08-29 | Cardinal Cg Company | Nickel-aluminum blocker film multiple cavity controlled transmission coating |
US9469566B2 (en) | 2015-03-20 | 2016-10-18 | Cardinal Cg Company | Nickel-aluminum blocker film low-emissivity coatings |
US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
KR102329426B1 (ko) * | 2020-01-03 | 2021-11-24 | 와이엠씨 주식회사 | 배선전극용 합금 조성물 및 그의 제조방법 |
KR102329427B1 (ko) * | 2020-01-03 | 2021-11-24 | 와이엠씨 주식회사 | 배선전극용 합금 조성물 및 그의 제조방법 |
CN111926297A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-11-13 | 爱发科电子材料(苏州)有限公司 | 一种铝及铝合金靶材坯料的制作方法 |
CN113125481A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-16 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种AlSc溅射靶材EBSD样品的制样方法 |
Family Cites Families (30)
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---|---|---|---|---|
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JPH06128737A (ja) | 1992-10-20 | 1994-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット |
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JPH11293454A (ja) | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Hitachi Metals Ltd | Al系スパッタリング用ターゲット材及びその製造方法 |
JP2001279433A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Hitachi Metals Ltd | 異常放電発生数が少ない純Alターゲットの製造方法 |
JP4783525B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-09-28 | 株式会社アルバック | 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット |
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JP2006073337A (ja) | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Advantest Corp | バイモルフ素子の製造方法 |
JP4330517B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2009-09-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金薄膜およびCu合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ |
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-
2006
- 2006-11-20 JP JP2006313505A patent/JP2008127623A/ja not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-10-31 US US11/931,336 patent/US20080223718A1/en not_active Abandoned
- 2007-11-13 TW TW096142872A patent/TWI365917B/zh active
- 2007-11-14 EP EP07022151A patent/EP1932940A1/en not_active Withdrawn
- 2007-11-19 KR KR1020070117758A patent/KR20080045631A/ko active Application Filing
- 2007-11-20 CN CN2007101932198A patent/CN101220458B/zh active Active
-
2010
- 2010-06-23 KR KR1020100059636A patent/KR20100080890A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1932940A1 (en) | 2008-06-18 |
KR20080045631A (ko) | 2008-05-23 |
CN101220458A (zh) | 2008-07-16 |
TW200902738A (en) | 2009-01-16 |
KR20100080890A (ko) | 2010-07-13 |
CN101220458B (zh) | 2010-09-22 |
JP2008127623A (ja) | 2008-06-05 |
US20080223718A1 (en) | 2008-09-18 |
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