TWI357447B - Manufacturing methods for metal clad laminates - Google Patents

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1357447 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於金屬包層層合物之製造方法，其使用包含具有 特結構之銀錯合物之銀塗層組合物於由一絕緣材料製成之材料、 (基材）之一側或二側上形成一導電層並於該導電層之外側電2 金屬（電解金屬電鍍）。 本發明亦係關於金屬包層層合物之製造方法，其藉由當形成“ 導電層時於該等材料上直接印刷該銀塗層組合物而形成_導= 案化層並藉由於該導電圖案化層之外側電鍍金屬而產生— θ 金屬圖案化層。 【先前技術】 由於近些年來整個工業及技術一直快速發展，半導體積體電路 已於包含行動電話、MP3、顯示器等之常見領域中得到顯著發展。 並且’直接裝載小晶片元件及小型化因素電子產品之表面安裝技 術之發展變得愈來愈快。因此，相比硬電路基材，更常使用軟電 路基材’以達成產品之最小化及撓性q年來，印刷電路基材之 重要性使得人mx各種方式製造並廣泛❹諸如銅包層層合物等 金屬包層層合物。 金屬包層層合物係軟電路基材之工業層合物，其常見製作方法 係藉由在金屬薄片上施加各種黏著劑而與絕緣基膜一起層合。舉 例而言’日本公開的專利公開案第PYUNG 8_162734號（1鴨年 6月21日）揭示使用熱塑性聚醯亞胺作為黏著劑之三層金屬包層 層合物之製造m而，其具有—缺點，㈣等層合物因該點 5 1357447 .合層超過10微米而變得較厚且撓性變差，並且僅作為焊料於高溫 下顯不較差性能，此乃因該黏著劑之玻璃態轉變溫度低於3〇〇它。 另一製作二層金屬包層層合物之現有技術係於金屬薄片上塗佈 一聚醯胺酸型樹脂並且於高於3〇〇〇CT熱處理，以產生聚醯亞胺介 電膜。但仍存有一些問題，即於該熱處理期間損失大量水分，並 且體積縮小’導致整個基材變彎並且捲曲起來，降低金屬與絕緣 層之間的黏著力。 , 日本專利公開案第2003-509586號（ 2003年3月Π日）揭示一 .種製造金屬包層廣合物之方法，其藉由賤鍍於絕緣聚冑亞胺膜上 沈積一種以上的金屬，例如Ni、Cu、Ti、Mo、Cr等，以形成主 介面，然後藉由電鍍製作金屬包層層合物。這樣，可獲得不捲曲 產品’乃因《亞胺層之體積未減少並且可根據電㈣件來控制 金屬層之厚度。然而，於電鍍前之濺鍍程序係於真空中進行，導 致難以進行連續製程，製造速度慢，並且價格提高。 另一方面，由於諸如電漿顯示面板（PDP)、液晶顯示器（LCD)、 有機及無機電致發光顯示器（ELD)等平板顯示器之尺寸變得愈 來愈寬且需要高解析度及高品質，故而電路基材上金屬圖案之長 度顯著地增長’並且線路之電阻及電容值亦大大地提高。因此， 顯7^益之作業速度變慢且出現失真。此等問題使得用以形成低電 阻金屬圖案之方法及材料之開發被視為基本技術。 氣作金屬圖案之常用方法係金屬沈積或飛鑛或旋塗含金屬之墨 欠以及層合金屬，然後於經由曝光及顯影之光阻程序後形成所欲 之圖案艇而間接藉由姓刻產生金屬圖案。然而，前述方法具有 6 1357447 一些問題，即其係一複雜的程序，不適於製造多層圖案，並且在 開發用於使基材尺寸最大化之真空沈積裝置上亦受到限制。 美國專利第2006-0062978號揭示一種直接製作圖案之方法，其 藉由將圖案形成之罩幕黏著至諸如矽晶圓等之基材上並藉由濺鍍 形成金屬，但此因需滿足低電阻之長濺鍍時間而降低製作能力。 韓國專利第2005-0061285號揭示一種藉由在使用光催化化合物於 基材上形成潛在圖案後電鍍所欲金屬以製造金屬圖案之方法，但 其亦具有缺點，即潛在圖案之活化時間短並且該連續程序使得缺 陷的比例高。 曰本特許專利公開案第2003-502507號揭示一種在形成催化圖 案化層（其經由微印模壓印於基材之表面）後藉由無電電鍍製作 金屬圖案之方法，但其難以形成均勻之線路。 美國專利第2004-043691號揭示一種藉由喷墨印刷直接形成金 屬墨水圖案之方法，但其難以形成具有高解析度及低電阻之金屬 圖案並且其製造速度慢。 曰本專利公開案第2002-511643號揭示一種於基材上印刷圖案 之電鍍方法。前述圖案使用具有導電顆粒之聚合物材料印刷，此 在該領域内為人所熟知。然而’使用現有技術難以印刷薄而均句 的圖案並且該專利並未提供關於圖案印刷方法之具體解決方案。 【發明内容】 技術目標 - 為解決此等問題，本案發明人於連續實驗後提出本發明。 本發明提供金屬包層層合物之製造方法，其使用具有獨特結構 7 1357447 之銀錯δ物於由一絕緣材料製成之材料膜之一側或兩側形成一導 電層並於該導電層之外側電鑛金屬。本發明亦提供金屬包層層合 物之製造方法，其藉由當形成該導電層時直接於材料上印刷該包 3具有獨特結構之銀錯合物之銀塗層組合物而形成—導電圖案化 層並製造一低電阻金屬圖案化層。 再者本發明供該等金屬包層層合物製造方法，其具有高生 產迷度，可達成大#生產，具有簡單的程序步驟，從而可使缺陷 率最小化’並且生產成本低。 【實施方式】 技術解決方案 本發明係關於金屬包層層合物之製造方法，其藉由使用包含具 有獨特結構之銀錯合物之銀塗層組合物於由—絕緣材料製成之材 料膜之-側或兩側形成-導電層並於該導電層之外側電鑛金屬。 下文對本發明予以更詳細闡述。

如第i圖中所示，由本發明製作之金屬包層層合物由一絕緣材 料（11)、藉由塗佈該銀塗層組合物而形成之_導電層（12)及藉 由電鍵而形成之-金屬㈣層⑴）而組成。第5圖顯示根據^ 發明之另-實例之金屬包層層合物。如第5圖中所示，具有金屬 圖案化層之該金屬包層層合物由下列組成：藉由在絕緣材料（5。 上印刷該銀塗層組合物而形成之—導電層（52)及藉由在前述導 電層之外表面上電鍍形成之一金屬電鍍層（53 前述金屬包層層合物之製造方法包含以下步驟： ⑴藉由在絕緣材料之-側或兩側上施加該銀塗層組合物而形 8 丄妁7447 成一導電層；及 (^)藉由在前述導電層上電鍍金屬而形成—金屬電铲層 从並且，對於本發明，必要時可使用誘發親水性之程^層該 ==職發氩氣、氧氣及氮线減與氧氣、以與氮氣或氣 孔與魏之混合氣體而進行之電麟理，以便其可 與導電層著力。 尤緣材料 步驟（i): • 肖步驟藉由在絕緣材料（η)之一側或兩側上施加銀塗層組合 物而形成一導電層。 本文所用絕緣材料係聚醯亞胺（ΡΙ)、聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚萘二曱酸乙二醇酯（ρΕΝ)、聚醚砜（pES)、尼龍聚 四氟乙稀（PTFE)、聚醚醚酮（PEEK)、聚碳酸酯（pc)、聚芳酯 (PA)等。對於絕緣材料，可使用已於一側或兩側上經電漿處理 或黏著劑底料處理者，但並不僅限於該等種類。 用於形成一導電層（丨2)之銀塗層組合物包含藉由該銀化合物 • (式1 )、胺基曱酸銨（式2)、碳酸銨（式3)、碳酸氫銨（式4) 或其混合物間之反應獲得之銀錯合物。 [式1]

AgnX

[式2]

Ri ί?ΘΘ ,R3 nconh-r4 R2 R5 [式3] 9 1357447 及其衍生物’但並不具體限於前述化合物。 並且心至R0可係選自以下群組：氫、甲基、乙基、丙基、異丙 基、丁基、異丁基、戊基、己基'乙基己基、庚基、辛基、異辛 基、壬基、癸基、十二烷基、十六烷基、十八烷基、二十二烷基、 環丙基、環戊基、環己基、烯丙基、羥基、甲氧基、羥乙基、甲 氧基乙基、2-羥丙基、甲氧基丙基、氰基乙基、乙氧基、丁氧基、 己氧基、曱氧基乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、六亞甲 基亞胺、嗎啉、六氫吡啶、六氫吡嗪、乙二胺、丙二胺、六亞甲 基二胺、三乙二胺、吡咯、咪唑、吡啶、羧曱基、三甲氧基矽烷 基丙基、三乙氧基矽烷基丙基、苯基、曱氧基苯基、氰基苯基、 苯氧基、曱苯基、苄基、及其衍生物，以及諸如聚烯丙基胺、聚 乙烯亞胺等聚合物化合物及其衍生物，但並不具體限於前述化合 物。 作為具體之胺基甲酸敍化合物（式2 )，舉例而言，其可係選自 以下群組之一者或多於二者之混合物：胺基曱酸銨、乙基胺基甲 酸乙基銨、異丙基胺基曱酸異丙基銨、正丁基胺基曱酸正丁基銨、 異丁基胺基曱酸異丁基銨、第三丁基胺基甲酸第三丁基銨、2_乙 基己基胺基甲酸2-乙基己基銨 '十八烷基胺基甲酸十八烷基銨、 2-甲氧基乙基胺基甲酸2-甲氧基乙基銨、2-氰基乙基胺基甲酸2_ 氰基乙基銨、二丁基胺基曱酸二丁基銨、雙十八烷基胺基甲酸雙 十八烷基銨、f基癸基胺基甲酸甲基癸基銨、六亞曱基亞胺胺基 曱S欠/、亞曱基亞胺敍、嗎琳胺基曱酸嗎β林鑌、乙基己基胺基曱酸 吡啶鏽 '異丙基二胺基曱酸三乙二銨、苄基胺基曱酸节基銨、三 1357447 乙氧基矽烷基丙基胺基曱酸三乙氧基矽烷基丙基銨、及其衍生 物。作為具體之碳酸銨化合物（式3)，舉例而言，其可為選自以 下群組之一者或多於二者之混合物：碳酸銨、乙基碳酸乙基銨、 異丙基碳酸異丙基銨、正丁基碳酸正丁基銨、異丁基碳酸異丁基 銨、第三丁基碳酸第三丁基銨、2-乙基己基碳酸2-乙基己基銨、 2-曱氧基乙基碳酸2-曱氧基乙基銨、2-氱基乙基碳酸2-氰基乙基 敍、十八院基碳酸十八烧基敍、二丁基碳酸二丁基敍、雙十八烧 基碳酸雙十八烷基銨、甲基癸基碳酸甲基癸基銨、六亞曱基亞胺 碳酸六亞曱基亞胺銨、嗎啉碳酸嗎啉銨、苄基碳酸苄基銨、三乙 氧基矽烷基丙基碳酸三乙氧基矽烷基丙基銨、異丙基碳酸三乙二 銨、及其衍生物。作為具體之碳酸氫銨化合物（式4)，舉例而言， 其可為選自以下群組之一者或多於二者之混合物：碳酸氫銨、碳 酸氫異丙基銨、碳酸氫第三丁基銨、碳酸氫2-乙基己基銨、碳酸 氫2-甲氧基乙基銨、碳酸氫2-氰基乙基銨、碳酸氫雙十八烷基銨、 碳酸氫吡啶鏽、碳酸氫三乙二銨、及其衍生物。 另一方面，不必一定限制以胺基甲酸銨、碳酸銨或碳酸氫銨為 基質之化合物之種類及其製造方法。舉例而言，美國專利第 4,542,214號（1985年9月17曰）揭示，以胺基曱酸錄為基質之 化合物可自一級胺、二級胺、三級胺或該等化合物之至少多於一 者及二氧化碳製備。若每1莫耳胺添加0.5莫耳水，則可獲得以碳 酸銨為基質之化合物，並且若添加多於1莫耳之水，則可獲得以 碳酸氫銨為基質之化合物。若其在壓力或環境壓力之條件中在存 在或不存在任何特定溶劑下製成，則將使用下列：水；醇，例如 12 1357447 % 曱醇、乙醇、異丙醇及丁醇；二醇，例如乙二醇及丙三醇；乙酸 酯，例如乙酸乙酯、乙酸丁酯及卡必醇乙酸酯；醚，例如二乙醚、 四氫呋喃及二噁烷；酮，例如曱基乙基酮及丙酮；烴，例如己烷 及庚烷；芳族烴，例如苯及曱笨；經齒素取代之溶劑，例如氣仿、 一氣甲烷及四氣化碳；或前述之混合溶劑。至於二氧化碳，其能 以在氣體相中之鼓泡二氧化碳形式或以固體乾冰形式使用。其亦 可於超臨界條件下反應。為製備用於本發明中之胺基甲酸銨、碳 酸銨或碳酸氫銨衍生物，若最終物質結構相同，則較佳使用包含 前述方法之任一方法。換言之，對於製備及其產率，無需必須對 /谷劑、反應溫度、濃度、觸媒等加以限制。 有機銀錯合物可藉由以胺基甲酸銨、碳酸銨或碳酸氫銨為基質 之化合物與銀化合物間之反應製造。舉例而言，該製備採用至少 多於-如式！中所示銀化合物及如式2至4中所示化合物或該等 化^物之錯合物，該等化合物力或環賴力之氮氣條件中在 無冷神在下單獨反應。若使用溶劑，則可使用下列溶劑：水； 醇’例如甲醇、乙醇、異丙醇及丁醇；二醇，例如乙二醇及丙三 醇:乙酸酿，例如乙酸乙醋、乙酸丁酿及卡必醇乙酸醋，·醚，例 乙峻四氫咳喃及二。惡院；酮，例如甲基乙基酮及丙嗣；煙， ^己貌及庚院；芳族化合物’例如苯及甲苯；及經齒素取代之 冷劑例如氣仿、m、四氯化碳，•或前述之混合溶劑。 =本發明之銀錯合物之製造方法揭示於本案發明人之韓國專 申％案第2〇〇6_〇〇應3號卜其具有下式5之結構。 [式5] 13 1357447 AMA]m 為弋2至4之化合物，並且m係介於〇7至25之間。 之；製備導電材料之銀塗層組合物包含前述銀錯合物。本發明 *、 · σ物必要時可包含諸如溶劑、穩定劑、流平劑及膜助劑

專添加劑D 至於穩定劑，舉例而言，包含胺化合物，例如一級胺、二級胺 ^二級胺；以胺基甲酸録、碳酸錄及碳酸氫銨為基質之化合物； 磷化合物，例如膦、亞磷酸酯及磷酸酯；硫化合物，包含硫醇及 硫化物。其由該等化合物或其混合物組成。作為具體之胺化合物， 舉例而言，其可係選自以下群組：曱基胺、乙基胺、正丙基胺、 異丙基胺、正丁基胺、異丁基胺、異戊基胺、正己基胺、2_乙基 己基胺、正庚基胺、正辛基胺、異辛基胺、壬基胺、癸基胺、十 一烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺、二十二烷基胺、環丙基胺、 環戊基胺、環己基胺、烯丙基胺、羥基胺、氫氧化銨、甲氧基胺、 2-乙醇胺、甲氧基乙基胺、2-羥丙基胺、2-羥基-2-曱基丙基胺、曱 氧基丙基胺、氰基乙基胺、乙氧基胺、正丁氧基胺、2_己氧基胺、 甲氧基乙氧基乙基胺'甲氧基乙氧基乙氧基乙基胺、二乙基胺、 二丙基胺、二乙醇胺、六亞曱基亞胺、嗎啉、六氫吡啶、六氫吡 喚、伸乙基二胺、伸丙基二胺、六亞曱基二胺、三伸乙基二胺、 2,2-(伸乙基二氧基）雙乙基胺、三乙基胺、三乙醇胺、吡咯、味峻、 吡啶、胺基乙醛二曱基乙縮亨、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3_胺基 丙基三乙氧基矽烷'苯胺'茴香胺、胺基苄腈、苄基胺及其衍生 物以及諸如聚烯丙基胺或聚乙烯亞胺等聚合物化合物及其衍生 1357447 物。 作為具體之化合物，舉例而言，以胺基曱酸銨為基質之化合物 可係選自以下群組：胺基曱酸銨、乙基胺基曱酸乙基銨、異丙基 胺基甲酸異丙基銨、正丁基胺基曱酸正丁基銨、異丁基胺基甲酸 異丁基銨、第三丁基胺基曱酸第三丁基銨、2-乙基己基胺基曱酸 2-乙基己基銨、十八烷基胺基曱酸十八烷基銨、2-曱氧基乙基胺基 甲酸2-曱氧基乙基銨、2-氰基乙基胺基曱酸2-氰基乙基銨、二丁 基胺基甲酸二丁基銨、雙十八烷基胺基甲酸雙十八烷基銨、甲基 癸基胺基甲酸甲基癸基銨、六亞曱基亞胺胺基曱酸六亞甲基亞胺 銨、嗎啉胺基甲酸嗎啉鑌、乙基己基胺基甲酸吡啶鏽、異丙基二 胺基甲酸三乙二銨、苄基胺基曱酸苄基銨、三乙氧基矽烷基丙基 胺基曱酸三乙氧基矽烷基丙基銨、及其衍生物。以碳酸銨為基質 之化合物係選自以下群組：碳酸銨、乙基碳酸乙基銨、異丙基碳 酸異丙基銨、正丁基碳酸正丁基銨、異丁基碳酸異丁基銨、第三 丁基碳酸第三丁基銨、2-乙基己基碳酸2-乙基己基銨、2-甲氧基乙 基碳酸2-曱氧基乙基銨、2-氰基乙基碳酸2-氰基乙基銨、十八烷 基碳酸十八烷基銨、二丁基碳酸二丁基銨、雙十八烷基碳酸雙十 八烷基銨、申基癸基碳酸甲基癸基銨、六亞曱基亞胺碳酸六亞曱 基亞胺銨、嗎啉碳酸嗎啉銨、节基碳酸苄基銨、三乙氧基矽烷基 丙基碳酸三乙氧基矽烷基丙基銨、異丙基碳酸三乙二銨、及其衍 生物。以碳酸氫銨為基質之化合物係選自以下群組：碳酸氫銨、 碳酸氫異丙基銨、碳酸氫第三丁基銨、碳酸氫2-乙基己基銨、碳 酸氫2-曱氧基乙基銨、碳酸氫2-氰基乙基銨、碳酸氫雙十八烷基 15 1357447 銨、碳酸氫吡啶鑌、碳酸氫三乙二銨、及其衍生物。 並且，磷化合物係由式r3p、（r0)3p、或(ro)3p〇表示，其中「r」 表示碳原子數為1至20之烷基或芳基，例子如三丁基膦、三苯基 膦、亞磷酸三乙基酯、亞磷酸三苯基酯、磷酸二苄基酯、磷酸三 乙基醋等。對於硫化合物’包含丁硫醇、正己硫醇、二乙硫謎、 四氫噻吩、烯丙基二硫醚、2-巯基苯並唑、四氫噻吩、硫代乙醇 酸辛基料。穩定脈用量並無限制，只要其適合於本發明之銀 塗層組合物性質。然而，其較佳與銀化合物具有〇1%至之莫 耳比，更佳為1%至50%。當穩定劑之量超過該範圍時，膜導電性 可能降低。當穩定劑之量小於該範圍時，銀塗層組合物之儲存穩 定性可能降低。並且’對於膜助劑’可使用有機酸及有機酸衍： 物並且其由多於至少一組份之混合物組成。有機酸之實例係乙 酸、丁酸、戊酸、特戊酸、己酸、辛酸、2_乙基_己酸、新癸酸、 月桂酸、硬脂酸、蔡二甲酸、油酸、次亞麻油酸等。有機酸衍生 物包含有機酸銨鹽，例如乙雜、檸檬酸錢、月桂酸録、乳酸錢、 馬來酸銨、草酸銨及鉬酸銨；有機酸金屬鹽，例如草酸鎂、乙酹 金、草酸鈀、2-乙基己酸銀、作銀、新癸酸銀、硬脂酸鈷二 二曱酸錄及萘二甲，其包含諸如下列等金屬：Au、a、

Ni、Co、Pd ' Pt、Ti、v、Mn、Fe、Cr、Zr、恥、m〇、…: Cd ' Ta、Re、0s、Ir、A1、Ga、Ge、In、Sn、外、扑、出、^、 Eu、Ac、Th等。膜助劑之使用量並無限制，但較佳與銀錯入:呈 有（U%至25%之莫耳比。當膜助劑之量超出該範圍時，很難形: 均勻之膜。當膜助劑之量小於該範圍時，膜可能具有裂縫。' 16 1357447 . 並且有時可能需要溶劑來控制銀塗層組合物之黏度或幫助製 備薄膜。可用溶劑可係選自以下群組：水；醇，例如甲醇、乙醇、 異丙m氧基丙醇、丁醇、乙基己基醇及辖品醇（terpine〇1); 醇彳丨如乙一醇及丙二醇，乙酸s旨，例如乙酸乙g旨、乙酸丁g旨、 乙酸f氧基丙醋、卡必醇乙酸醋及乙基卡必醇乙酸醋；鍵，例如 乙一醇單曱醚（methyl cell_丨ve )、乙二醇單丁醚（ cell〇s〇lve)、二乙醚、四氫咬喃及二噁院；酮，例如甲基乙基調、 φ 丙酮、一甲基甲醯胺及1 -甲基-2-吡咯啶酮；烴，例如己烷、庚烷、 十一院、石躐油及礦油精；芳族烴，例如笨 '甲苯及二甲苯丨經 齒素取代之溶劑，例如氯仿、二氣P烷及四氣化碳；乙腈；二甲 基亞硬；或前述之混合溶劑。 至於在該等材料上塗佈該銀塗層組合物之塗佈方法可使用包 含下列之任何方法：刷塗、喷塗、浸塗、輥塗、旋塗、喷墨印刷、 膠版印刷（offset printing )、絲網印刷（screen pdnting )、移印（㈣ printing )、凹版印刷（gravure printing )、彈性版印刷 • Pdnting )、壓印（imPrinting )或理想印刷（Riso Pdnting)等。並 且該塗佈方法係根據材料之形式及品質來選擇。考慮到生產效率 及工作品質，可均勻地塗佈整個材料之輥塗較為合意。對於藉由 在材料上直接印刷該銀塗層組合物而形成導電圖案化層之方法， 可使用旋塗、喷墨印刷、膠版印刷、絲網印刷、移印、凹版印刷、 _彈性版印刷、壓印或理想印刷等。另外，考慮到生產效率、工作 品質及印刷解析度，凹版印刷或膠版印刷更佳。 並且，可使用黏合樹脂來提高銀塗層組合物與材料間之黏著 17 1357447 . 力。本文使用之黏合樹脂為丙烯酸系樹脂，例如，聚丙烯酸或聚 . 丙烯酸樹脂酯；以纖維素為基質之樹脂，例如乙基纖維素、纖維 素醋及硝酸纖維素；以脂肪族化合物或共聚物聚酯為基質之樹 脂；以乙烯為基質之樹脂’例如聚乙烯醇縮丁醛、聚乙酸乙烯酯、 聚乙烯。比洛啶酮；聚醯胺樹脂；聚胺基曱酸酯樹脂；聚醚及脲樹 脂；醇酸樹脂；矽氧樹脂；氟樹脂；以晞烴為基質之樹脂，例如 聚乙烯或聚苯乙烯；熱塑性樹脂，例如以石油及松香為基質之樹 Φ 脂；以環氧化物為基質之樹脂；以不飽和或乙烯基聚酯為基質之 樹脂；以對苯二酸二烯丙酯為基質之樹脂；以苯酚為基質之樹脂； 、以氧雜環丁烷為基質之樹脂；以噁嗪為基質之樹脂；以雙馬來醯 亞胺為基質之樹脂；改性矽氧樹脂，例如矽氧環氧樹脂或矽氧聚 酯；熱固性樹脂，例如以三聚氰胺為基質之樹脂；具有各種uv 或電子束固化結構之以丙烯酸為基質之樹脂；天然聚合物，例如 乙烯-丙烯橡膠（EPR)、苯乙烯-丁二烯橡膠（SBR)、澱粉及明膠。 可選擇δ亥·#之一者或更多者並一起使用。並且，不僅可用有機樹 Φ 脂黏合劑，亦可使用無機黏合劑，例如玻璃樹脂或玻璃粉；矽烷 偶合劑，例如二甲氧基丙基矽烷或乙烯基三乙氧基矽烷；以鈦、 錯或鋁為基質之偶合劑。 因於，在已於材料上塗佈或印刷該銀塗層組合物後，可經由後 處理程序形成-導電層，後處理程序實例為氧化或還原處理；熱 處理；紅外射線；紫外線」電子射線；雷射等。若銀塗層組合物 直接印刷於材料上，則前述導電層形成為導電圖案化層。 對於前述後處理，熱處理可於常見惰性條件下完成，但亦可分 18 1357447 別於空氣、氮氣或一氧化碳；氳氣及空氣；或其他惰性氣體中完 成。熱處理之一般溫度係80至400°C，較佳為90至300°C，更佳 為100至250°C。另外’在前述溫度範圍内之高及低溫下之多於兩 個步驟的熱處理有助於膜具有均勻性。舉例而言，該處理較佳在 80至150°C下進行1至30分鐘，然後於150至300。〇下進行1至 30分鐘。 於是’導電層之厚度係0.005至5微米，較佳0.01至i微米， 更佳0.05至0_5微米。當厚度大於〇.〇〇5微米時，缺點係生產成本 提高。當厚度小於5微米時，無法形成均句之膜，因此當電链時 該金屬電鍍層可能亦不均勻。 並且，導電層之導電率為10ιηΩ至lkQ/□，較佳5〇ιηΩ至 Ω/□，並且更佳10〇1^至1Ω/□。當超過lkn/口時，導電率下 降，當電鍍時會導致缺陷產生。當低於1GmD/□時，生產成本増 加。 步驟（Π):

中製備之導電層上形成—金屬電 此步驟係於電鍍後在步驟（i) 鐘層。 在此步驟中，對其中經由銀塗佈形成—導電層之材料膜進 鍵，然後於該銀導電層上層合經電鑛金屬，以獲得金屬包層層人 物。金屬電錢層之厚度應係】至5〇微米。當厚度小於 口 該等金屬包層層合物上可㈣現針孔，並 、= 時，在高密度金屬線料線寬之精確性可能降低，赶、5〇微未 藉由前述電鑛產生之金屬層之合意材料係導電金屬 1357447 ♦ . 鋁、鎳、銀、金、及鉻、或該等金屬之合金。 . 第2圖顯示一表示本發明金屬包層層合物製造方法之一實例之 流程圖。 卷於膜輥（21)上之基膜（22)穿過轉移輥（23a)而到達塗佈 較（24 )，覆蓋並塗佈該銀塗層組合物。塗佈報（μ )之作用係於 基膜（22)上均勻地塗佈該銀塗層組合物。可依靠該塗佈親之光 滑度及該銀塗層組合物之濃度來控制該導電銀層之厚度。 φ 將其中現已經由該塗佈輥而形成該導電銀層之膜轉移至乾燥爐 .(25) _。乾燥爐（25)之作用係對於塗佈於基膜（22)上之銀 、 塗層組合物進行塑性熱處理。 現在已具有導電性之基膜（22)穿過轉移輥（23b)而到達金屬 電鍍程序，然後於電鑛浴（27)中電鍍。當該銀塗佈表面連接至 陰極（26b)及於電解質中待電鍍至陽極（26c)之金屬時，經由 整流器（26a)供應電流，則位於該銀層上之金屬變為經電鍍的。 然後，於經由轉移輥（23d)轉移至水浴（28)並穿過轉移輥（23〇 鑄到達乾燥器（29)以乾燥其水分後，獲得金屬包層層合物再次 於回卷輥（30)中對其進行捲繞。 第2圖中所示流程圖只是本發明之連續程製程之一實例。上文 所闡述包含二步驟⑴& (ii)之單一製程或其他包含該等二步 驟之各種製程可自由地加以改變。 第6圖顯示一表示根據本發明之金屬包層層合物製造方法之一 實例之流程圖’其中形成一低電阻金屬圖案化層。然而，第6圖 中所示流程圖只是本發明之—實例並且不受本發明之限制。 20 1357斗47 卷於膜辕⑵）上之材料膜（22)穿過轉移報（23a)而到達印 刷槪（31)，覆蓋並印刷該銀塗層組合物。印刷輥（⑴之作用係 於材料膜（22)上均句地塗佈該銀塗層組合物。可依靠該印刷輥 之光滑度及該銀塗層組合物之濃度來控制該導電銀圖案化層之厚 度及線寬》將現在已經由該印刷輥印刷有導電圖案之材料㈣: 至乾燥爐（25)。對印刷於材料膜⑼上之該銀塗層組合物進^ 塑性熱處理，關成-導電圖案化層。如上形成於材料膜之導: 圖案化層作用如陰極（71)並且藉由接觸該電鑛盒而形成_ 電鍍層。然後，於經由轉雜（23d)轉移至水浴（Μ)並 移輕（23f)到達乾燥器（29)以乾燥其水分後，獲得具有— 圖案化層之膜’再次於回卷輕⑽中對其進行捲繞。 第7圖顯示本發明之用於電錢之電錢盒（7g)之剖面圖。 圖中’電鍍盒⑺）之陰極（71a，m)之作用係接觸 導電圖案。為改進撓性，使用諸如橡膠及石夕氧等挽性板⑺ 為陰極（71a，71b) _之材料。電㈣㈤内填充有具衫吸 濕性之海錦（73)。使海綿⑺）接觸陽極（72)及陰極⑺a 7 並且其内部含有用作陽極⑼之—電極棒（79)。該電， 内有一缝H⑻，藉由振絲料航麟隸 ） = «器⑻與電極棒（79 = 緣層，以阻止焊接電流。並且，在上部，放置電鑛溶液儲存写 .77) ’以保持電麟液，電獅液由—幫浦（76)轉移。者 容液通過振111 (75)接觸該導f «時進㈣鍍。— 21 1357夺47 下文根據以下實例對本發明予以更詳細闡述。 - [實例1] 向裝配有授拌器之反應器添加2_乙基己基胺基甲酸2_乙基己基 録（1·53公斤’ 5.G8莫耳）及正丁基胺基甲酸正丁細（！ 33公 斤，6.94莫耳）並添加異丙醇（()95公斤）以使其溶解、然後向 該反應器中添加氧化銀（1公斤，431莫耳），並於室溫下進行反 應。反應最初於該反應溶液之黑色漿液中進行。然而，由於隨時 • 間形成一錯合物，觀察到反應溶液的顏色變淡，最終變成透明。 於反應2小時後，獲得一無色透明溶液。向該溶液中添加分別作 為穩疋劑及黏合樹脂之丨_胺基_2_丙醇（〇丨25公斤）及丙烯酸系樹 月曰VAP MP 200 ( 0.12公斤；由chokwang Paint有限公司製造）。 於攪拌後，使用具有0.45微米孔徑之膜濾器過濾該溶液，得到一 銀塗層組合物。使用一輥-輥塗佈機器用如此獲得之銀塗層組合物 塗佈一聚醯亞胺（PI)膜。然後對該膜進行熱處理，以得到具有 0.3 Ω/□之導電率及〇.2微米之厚度的銀膜。將前文獲得之銀塗佈 ® 膜置於含有濃度為125克/公升之硫酸銅之35。(：浴中。以銅作為陽 極並且以该膜之銀塗佈側作為陰極，施加一電流（3〇安培/平方.公 尺）’同時使該膜之移動速度保持在1〇公尺/分鐘，以製備一具有 10微米厚之鋼箔層之金屬包層層合物。如前所述製備之金屬包層 層合物之初始剝離強度係列於下表1中。同時，形成有—銀膜之 膜及層合有鋼馆之金屬包層層合物之照像圖像分別顯示於第3圖 及第4圖中。 [實例2] 22 1357447 將於實例1令獲得之銀塗佈膜放置於其中含有硫酸鎳（15〇克/ 公升）、氣化鎳（40克/公升）及硼酸（3〇克/公升）之3〇°C浴中。 以鎳作為陽極並且以該膜之銀塗佈側作為陰極，施加一電流（25 女培/平方公尺），同時使該臈之移動速度保持在8公尺/分鐘，來 製備一具有5微米厚之銅箔層之金屬包層層合物。如前所述製備 之金屬包層層合物之初始剝離強度係列於下表丨中。 [實例3] 使用一輥-輥塗佈機器用在前述實例丨中獲得之銀塗層組合物塗 佈一 PET膜。然後對該膜進行熱處理，以得到具有ο ] ◦ /□之導 電率及0.2微米之厚度之銀膜。將如此獲得之導電pET膜放置於 其中含硫義（125克/公升）之坑浴中1鋼作為陽極並且以 該膜之銀塗佈側作為陰極，施加一電流（3〇安培/平方公尺），同 時使該膜之移㈣度簡在1G公尺/分鐘，來製備—具有1〇微米 厚之銅fl層之金屬包層層合物。所得金屬包層層合物之初始剝離 強度係列於下表1中。使如上所製備金屬包層層合物進行光微影 私序以$成具有1 〇微米之線寬及細微米之線間距之網狀圖案。 [實例4]

尺）’同時使該膜之移動速度保持在1G公尺/分鐘，來製備一具有 亚且以έ亥膜之銀塗佈側作為陰極， 。將如此獲得之導電尼龍薄片 )之35。(：浴中'以銅作為陽極 施加一電流（30安培/平方公 23 1357447 10微米厚之銅箔層之金屬包層層合物。如前所述製備之金屬包声 層合物之初始剝離強度係列於下表1中。 [表1]於實例中製備之金屬包層層合物之剝離強疳 實例 剝離強度(N/mm)0 平均剝離強度 第1 第2 第3 1 0.71 0.69 0.69 0.69 2 0.65 0.65 0.64 0.65 3 0.78 0.77 0,78 0.78 4 0.75 0.75 0.74 0.75 n剝離強度：於金屬電鍍後已於室溫下儲存24小時之1〇毫米樣 品之強度，其中該樣品之強度藉由以90度下50毫米/分鐘之速度 剝離樣品來量測。 如於上表1中之結果顯不’該金屬包層層合物中之金屬層之剝 離強度高，表示當藉由電鍍於銀塗佈膜上形成金屬層時，其對基 膜之黏著性極強。 [實例5] 向裝配有搜拌器之反應器中添加2-乙基己基胺基甲酸2-乙基己 基録（1.53公斤’ 5.08莫耳）及正丁基胺基甲酸正丁基銨（133 公斤’ 6·94莫耳）並添加異丙醇（〇 95公斤）以使其溶解。然後 向該反應器中添加氧化銀（1公斤，4.31莫耳），並於室溫下進行 反應。反應最初於該反應溶液之黑色漿液中進行。然而，由於隨 時間形成一錯合物，觀察到反應溶液之顏色變淡，最終變成透明。 於反應2小時後，獲得一無色透明溶液。向該溶液中添加分別作 24 1357447 .為穩定劑及黏合樹脂之1-胺基-2-丙醇（0·125公斤）及丙稀酸系樹 脂VAP ΜΡ 200 ( 〇·12公斤；由Chokwang Paint有限公司製造）。 於搜拌後’使用具有0.45微米孔徑之膜;慮器過濾該溶液，得到黏 度為12Gcp之銀塗層組合物。使用—凹版印刷機用如此獲得之銀 塗層組合物印刷—PET膜，獲得一具有3〇微米之線寬、3〇〇微米 之線間距及0.15微米之厚度之網狀形式。然後使該膜進行13〇<)(： 之熱處理，獲得具有導電性之電波遮罩濾器之圖案。使如此獲得 φ 之圖案與一用於電鍍之電鍍盒（70)接觸》該電鍍盒内含有一包 含濃度為180克/公升之硫酸銅之電解溶液。施加一電流（5〇〇安 培/平方公尺），同時以7公尺/分鐘之膜移動速度運行該系統，製 備電鍍有厚度為10微米之銅之低電阻圖案。所得圖案之顯微圖像 係如第8圖所示。 [實例6] 使用一凹版印刷機用在實例5中獲得之銀塗層組合物印刷一 • PET膜，獲得一具有30微米之線:寬及300微米之線間距之網狀形 ® 式。然後對該膜進行丨3〇。(：之熱處理，獲得一具有導電性之透明圖 案。使如此獲得之圖案與一用於電鍍鎳之電鍍盒（7〇)接觸。於 該電鍍盒内含有一包含硫酸鎳（150克/公升）、氣化鎳（4〇克/公 升）及硼酸（30克/公升）之濃度為120克/公升之電解溶液。施 加—電流（ 500安培/平方公尺），同時以5公尺/分鐘之膜移動速度 -運行該系統，製備電鍍有厚度為7微米之鎳之低電阻圖案。 [實例7] 利用在實例5中獲得之銀塗層組合物，使用一凹版印刷機印刷 25 1357447 • 一 RnD (無線射頻識別 ’ radio frequency identification )標蕺天線 • 圖案，其中該圖案具有Ο.3Ω/□之薄片電阻及〇 2微米之厚度，如 第5圖中所示。使如此獲得之圖案與一用於電鍵銅之電鑛盒接觸， 得到具有0.01 Ω/□之薄片電阻之金屬圖案。該盒内包含一含硫酸 銅（180克/公升）之電解溶液。施加一電流（5〇〇安培/平方公尺）， 同時以7公尺/分鐘之膜移動速度運行該系統，製備一電鍍有銅之 低電阻RFID標籤天線圖案。所得圖案之照像圖像係如第9圖所示。 > [實例8] 向裝配有授拌器之反應器中添加正辛基碳酸氫正辛基铵（345 公斤’ 18.04莫耳）及正丁基碳酸氫正丁基錄（3 19公斤，50.80 莫耳）並添加異丙醇（0.45公斤）及蒸餾水（1公斤）以使其溶解。 然後向該反應器中添加氧化銀（1.6公斤，7.4莫耳），並於室溫下 進行反應。反應最初於該反應溶液之黑色漿液中進行。然而，由 於隨時間形成一錯合物’觀察到反應溶液之顏色變淡，最終變成 透明。於反應4小時後，獲得一無色透明溶液。向該溶液中添加 _ 分別作為穩定劑及黏合樹脂之1 -胺基-2-丙醇（0.3公斤）及丙稀酸系 樹脂VAP MP 200 ( 0.15公斤；由Chokwang Paint有限公司製造）。 於攪拌後’使用具有0.45微米孔徑之膜濾器過濾該溶液，得到一 黏度為18cp之銀塗層組合物。使用如此獲得之銀塗層組合物，利 用彈性版印刷機於一 PET膜上印刷具有0.4Ω/□之薄片電阻及 0.15微米之厚度之RFID標籤天線。使如此獲得之圖案與一用於電 鍍銅之電鍍盒接觸，得到具有0.01 Ω/□之薄片電阻之金屬圖案。 該盒内包含一含硫酸銅（180克/公升）之電解溶液。施加一電流 26 1357447 ( 500安培/平方公尺），同時以7公尺/分鐘之膜移動速度運行該 系統，製備一電鍍有銅之低電阻RFID標籤天線圖案。 產業可利用性 如於上文所闡釋，本發明可提供金屬包層層合物之製造方法， 其使用具有獨特結構之銀錯合物於由一絕緣材料製成之材料之一 側或一側形成一導電層並於該導電層之外側電鍍金屬。 另外’本發明可提供金屬包層層合物之製造方法，其不需要用 於氣體沈積之昂貴裝置並且具有高作業速度以大量生產，製程步 驟簡單，從而可使缺陷率最小化並且生產成本低。此外，本發明 方法之優點在於，該層合金屬層對材料膜之黏著性極佳。 此外，本發明可提供其上面形成有一低電阻金屬圖案化層之金 屬包層層纟物’其特點在於使用具有一獨特結構之銀錯合物於—

並且對該層之外側進行電鍍。 一直接印刷’以形成一導電圖 。根據該本發明方法製備之低電

天線、用 【圖式簡單說明】

27 1357447 第5圖為根據本發明之具有一低電阻金屬圖案之金屬包層層合 物之剖面圖。 第6圖為一表示根據本發明之具有一金屬圖案之金屬包層層合 物製造方法之一實例之流程圖。 第7圖為一本發明之用於電鍍之電鍍盒之剖面圖。 第8圖為一根據本發明之實例5製備之電磁波濾波器。 第9圖為一根據本發明之實例7製備之RFID (無線射頻識別， radio frequency identification)標籤天、線。 【主要元件符號說明】 · 11，51 :材料 12, 52 :導電層 13, 53 :金屬電鍍層 21: 膜輥 22 : 材料膜 23&〜23€:轉移輥 24 : 塗佈輥 25 : 乾燥爐 26 : 電源 26a :整流器 26b :陰極 26c :陽極 27 : 電鍍浴 28 : 水浴 29 : 乾燥器 30 : 回卷輥 31 : 印刷親 70 : 電鍍盒 71a, 71b :陰極 72 : 陽極 73 : 海綿 74 : 絕緣層 75 : 振盪器 76 : 幫浦 77 : 電鍍溶液儲存器 78 : 板 79 : 電極棒 28

Claims (1)

1357447 ” 分正f換頁 第096128937號專利申請案 --- I 中文申請專利範圍替換本0〇〇年8月） ‘- 十、申請專利範圍： . 1. 一種金屬包層層合物之製造方法，包括以下步驟：（i)藉由施 加銀塗層組合物於材料上而形成一導電層，該銀塗層組合物 包含藉由銀化合物（式1 )、胺基甲酸銨（式2)、碳酸銨（式 3)、碳酸氫銨（式4)或其混合物間之反應而獲得之銀錯合 物；以及（Π)藉由電鍍金屬於該導電層上而形成一金屬鍍層， [式1] Agnx ϊ [式2] R"! " Θ ® 戶3 nconh-r4 R5 [式3] R ! φ Θ t 丨 © © 尸4 r2-hnoconh-r5 R； Re [式4] R 广 HNOCOH 於上述式中， X為一選自以下群組之經取代基團：氧、硫、鹵素、氰 基、氰酸根基、碳酸根基、f肖酸根基、亞墙酸根基、硫酸根 基、磷酸根基、硫氰酸根基、氯酸根基、過氯酸根基、四氟 硼酸根基、乙醯丙酮酸根基、羧酸根基、及其衍生物， η為1至4的整數， 29 357447 …… 第096128937號專利申請案 中文申請專利範圍替換本（1〇〇年8月） 一托二讀〗;>、止f換頁 R,至R6為獨立選自以下群組之經取代基團：氫、C1-C30 脂肪族、C1-C30脂環族烷基、C1-C30芳基、C1-C30芳烷基、 經官能基取代之烷基、經官能基取代之芳基、雜環化合物、 聚合物化合物、及其衍生物， (心與R2)或（R4與R5)可藉由使用伸烷基連接而獨立形成 一包含雜原子或不包含雜原子之環。 2. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該等銀 錯合物具有式5之結構， [式5] Ag[A]m > A為如請求項1 _所示式2至4之化合物，且m係介於 0.7至2.5之間。 3. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該銀化 合物為選自以下群組之一者或多於二者之混合物：氧化銀、 硫氰酸銀、氰化銀、氰酸銀、碳酸銀、硝酸銀、亞硝酸銀、 硫酸銀、磷酸銀、過氣酸銀、四氟硼酸銀、乙醯丙酮酸銀、 羧酸銀、乳酸銀、草酸銀、及其衍生物。 4. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中R|至 R6係獨立選自以下群組：氫 '曱基、乙基、丙基、異丙基、 丁基、異丁基、戊基、己基、乙基己基、庚基、辛基、異辛 基、壬基、癸基、十二院基、十六烧基、十八炫基、二十二 烷基、環丙基、環戊基、環己基、烯丙基、羥基、甲氧基、 經乙基、曱氧基乙基、2-經丙基、曱氧基丙基、氰基乙基、 1357447 — ..第096128937號專利申請案 中文申請專利範圍替換本（100年8月） ' 乙氧基'丁氧基、己氧基、甲氧基乙氧基乙基、曱氧基乙氧 * 基乙氧基乙基、六亞曱基亞胺、嗎啉、六氫吡啶、六氫吡嗪、 乙二胺、丙二胺、六亞甲基二胺、三乙二胺、吡咯、咪唑、 吡啶、羧甲基、三曱氧基矽烷基丙基、三乙氧基矽烷基丙基、 苯基、甲氧基苯基、氰基苯基、苯氧基、甲笨基、苄基、聚 烯丙基胺、聚乙烯亞胺、及其衍生物。 5. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該等胺 基甲酸銨化合物（式2)係為選以下群組之一者或多於二者之 混合物：胺基甲酸銨、乙基胺基甲酸乙基銨、異丙基胺基曱 酸異丙基銨、正丁基胺基曱酸正丁基銨、異丁基胺基曱酸異 丁基銨、第三丁基胺基甲酸第三丁基銨、2-乙基己基胺基甲 酸2-乙基己基銨、十八烷基胺基甲酸十八烷基銨、2-曱氧基 乙基胺基甲酸2-甲氧基乙基銨、2-氰基乙基胺基甲酸2-氰基 乙基銨、二丁基胺基曱酸二丁基銨、雙十八烷基胺基曱酸雙 十八烷基銨、甲基癸基胺基甲酸曱基癸基銨、六亞曱基亞胺 胺基甲酸六亞甲基亞胺銨、嗎啉胺基甲酸嗎啉鑌、乙基己基 胺基甲酸吡啶鑌、異丙基二胺基甲酸三乙二銨、节基胺基曱 酸苄基銨、三乙氧基矽烷基丙基胺基曱酸三乙氧基矽烷基丙 基銨、及其衍生物；該等碳酸銨化合物（式3)為選自以下群組 之一者或多於二者之混合物：碳酸銨、乙基碳酸乙基銨、異 丙基碳酸異丙基銨、正丁基碳酸正丁基銨、異丁基碳酸異丁 基銨、第三丁基碳酸第三丁基銨、2-乙基己基碳酸2-乙基己 基銨、2-曱氧基乙基碳酸2-甲氧基乙基銨、2-氰基乙基碳酸 31 1357447 r--------- :i：--------i . 第096128937號專利申請案 卜择％^修正替換貝； .中文申請專利範圍替換本（100年8月） 2-氰基乙基敍、十八烧基碳酸十八烧基敍、二丁基碳酸二丁 基銨、雙十八烷基碳酸雙十八烷基銨、曱基癸基碳酸甲基癸 基銨、六亞曱基亞胺碳酸六亞曱基亞胺銨、嗎啉碳酸嗎啉銨、 苄基碳酸f基銨、三乙氧基矽烷基丙基碳酸三乙氧基矽烷基 丙基銨、異丙基碳酸三乙二銨、及其衍生物；以及該等碳酸 氫銨化合物（式4)為選自以下群組之一者或多於二者之混合 物：碳酸氫銨、碳酸氫異丙基銨、碳酸氫第三丁基銨、碳酸 氮2 -乙基己基敍、碳酸氣2-曱氣基乙基敍、碳酸氮2 -乱基乙 基銨、碳酸氫雙十八烷基銨、碳酸氫吡啶鑌、碳酸氫三乙二 敍、及其衍生物。 6. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該銀塗 層組合物更包含一選自溶劑、穩定劑、流平劑、或膜助劑之 添加劑。 7. 如請求項6所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該等溶 劑為選自以下群組之一者或多於二者之混合物：水、醇、乙 二醇、乙酸酯、醚、酮、脂肪族烴、芳族烴、及經鹵素取代 之烴溶劑。 8. 如請求項6所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該等溶 劑為選自以下群組之一者或多於二者之混合物：水、曱醇、 乙醇、異丙醇、丁醇、乙二醇、丙三醇、乙酸乙酯、乙酸丁 醋、卡必醇乙酸醋、二乙醚、四氫α夫喃、二。惡烧（dioxane )、 曱基乙基酮、丙酮、己烷、庚烷、苯、曱苯、氯仿、二氣曱 炫、四氯化碳、或前述之混合溶劑。 32 1357447 ---第096128937號專利申請案 .月Μ修正替換頁. 中文申請專利範圍替換本（100年8月） 9. 如請求項6所述之金屬包層層合物之製造方法，其中讀等穩 定劑為一種以上之選自以下群組者：胺化合物、式2之胺基 甲酸銨化合物、式3之碳酸銨化合物、式4之碳酸氫銨化合 物、填化合物、或硫化合物， [式2] R，^?Θ® 尸3 nconh-r4 R2 R5 [式3] ©Θ ΙΙ.Θ® 尸4 r2-hnoconh-r5 R； Re [式4] r2-hnocoh R3 ， 在上述式中， Ri至R6為獨立選自以下群組之經取代基團：氫、C1-C30 脂肪族、C1-C30脂環族烷基、C1-C30芳基、C1-C30芳烷基、 經官能基取代之烷基、經官能基取代之芳基、雜環化合物、 聚合物化合物、及其衍生物， (心與R2)或（R4與R5)可藉由使用伸烷基連接而獨立形成 一包含雜原子或不包含雜原子之環。 10.如請求項9所述之金屬包層層合物之製造方法，其中填化合 物係選自以式6、式7、或式8表示之化合物， [式6] 33 1357447 ______ 第096128937號專利申請案 中文申請專利範圍替換本（100年8月） f丨如修正替換頁 R3P， [式7] (RO)3P， [式8] (RO)3PO， 在上述式中，R為選自由碳原子數為1至20之烷基或芳 基之經取代基團。 11. 如請求項9所述之金屬包層層合物之製造方法，其中硫化合 物係選自以下群組：丁硫醇、正己硫醇、二乙硫醚、巯基乙 酸烷基酯、酼基苯並噻唑、或四氫噻吩。 12. 如請求項6所述之金屬包層層合物之製造方法，其中膜助劑 係一種以上之選自以下群組者：有機酸、有機酸銨鹽、或有 機酸金屬鹽。 13. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該材料 係選自以下群組：聚醯亞胺（PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚醚颯（PES)、尼龍、聚 四氟乙烯（PTFE)、聚醚醚酮（PEEK)、聚碳酸酯（PC)、或聚芳 酯(PA) 〇 14. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中塗佈方 法係選自以下群組：刷塗、噴塗、浸塗、輥塗、旋塗、喷墨 印屌|J、膠版印屌1J ( offset printing )、.絲網印屌1J ( screen printing )、 移印（pad printing )、凹版印刷（gravure printing )、彈性版印 刷（flexo printing )、壓印（imprinting )、或理想印刷（Riso 34 1357447 修正替換頁 第096128937號專利申請案 中文申請專利範圍替換本（1〇〇年8月） printing) ° 15. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該銀塗 層組合物更包含黏合樹脂，以提高銀塗層組合物與該等材料 間之黏著力。 16. 如請求項15所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該等黏 合樹脂係為一種以上之選自以下群組者：丙烯酸系樹脂、纖 維素樹脂、聚酯、乙烯樹脂、聚醯胺、聚胺基甲酸酯' 聚醚、 腺樹脂、醇酸樹脂、石夕氧樹脂、氟樹脂、聚烯烴、石油樹脂、 松香、環氧樹脂、不飽和聚酯、對苯二曱酸二烯丙酯樹脂、 笨酚樹脂、氧雜環丁烷樹脂、噁嗪樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、 改性矽氧樹脂、三聚氰胺樹脂、橡膠、天然聚合物、玻璃樹 脂、或玻璃粉。 17. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中於藉由 施加該銀塗層組合物形成一導電層後，更包含後處理製程， 該後處理製程係選自氧化處理、還原處理、熱處理、紅外射 線、紫外輻射、電子射線、或雷射。 18. 如請求項17所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該後處 理製程係於空氣、氮氣、氬氣、一氧化碳、氫氣或彼等之混 合氣體條件下完成。 19. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中一導電 層之厚度及導電率分別係為0.005至5微米（μηι)及ΙΟγπΩ 至 lkQ/II]。 20. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中一鍍金 35 1357447 Γ, . 第096128937號專利申請案 -鬥.. 中文申請專利範圍替換本（1 〇〇年8月） 屬層之厚度係為1至50微米。 21. 如請求項1所述之金屬包層層合物之製造方法，其中一鍍金 屬層之材料係為一種以上之選自以下群組之材料：銅、鋁、 錄、銀、金、鉻、及該等金屬之合金。 22. 如請求項1至21中任一項所述之金屬包層層合物之製造方 法，其中該導電層係為藉由直接於該等材料上印刷該銀塗層 組合物形成之該導電圖案化層。 23. 如請求項22所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該印刷 方法係選自以下群組：喷墨印刷、膠版印刷、絲網印刷、移 印、凹版印刷、彈性版印刷、壓印、或理想印刷。 24. 如請求項22所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該鍍金 屬層係藉由包含接觸該導電圖案化層之陰極及放置於其内部 之陽極之電鍍盒所形成。 25. 如請求項24所述之金屬包層層合物之製造方法，其中該電鍍 盒包含一可支撐電鍍溶液之絕緣海綿，且該海綿接觸該陽極 及陰極。 26. 如請求項25所述之金屬包層層合物之製造方法，其中於該電 鍍盒内部包含一振盪器，用於使該電鍍溶液與該導電圖案之 該陰極接觸。 27. —種金屬包層層合物，其係藉由選自如請求項1至21中任一 項之製造方法所製得。 28. —種金屬包層層合物，其中形成一低電阻金屬圖案化層，其 係藉由如請求項22所述之製造方法所製得。 36 1357447

3 1357447 096128937," .：； ;： (100 ::8 j

第4圖 4