KR100832002B1

KR100832002B1 - 저저항 금속 패턴 형성방법

Info

Publication number: KR100832002B1
Application number: KR1020060074388A
Authority: KR
Inventors: 조현남; 엄성용; 정광춘
Original assignee: 주식회사 잉크테크
Priority date: 2006-08-07
Filing date: 2006-08-07
Publication date: 2008-05-23
Also published as: KR20080013207A

Abstract

본 발명은 저저항 금속패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절연체로 이루어진 기재에 특수한 구조를 가지는 은 착체 화합물을 함유한 은 잉크조성물을 직접적으로 인쇄하여 도전성 패턴을 형성하고 상기 층의 외측에 금속을 전해도금하여 저저항 금속패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.

은 코팅, 금속패턴, 전해도금

Description

저저항 금속 패턴 형성방법{A method of forming a metal pattern with low resistance}

도 1은 본 발명에 따른 저저항 패턴 형성시 단면도.

도 2는 본 발명에 따른 저저항 패턴 형성방법의 일실시예를 나타내는 공정도.

도 3는 본 발명의 전기 전해도금을 실행하기 위한 도금카트리지의 단면도.

도 4는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 전자파필터.

도5는 본 발명의 실시예 3에 따라 제조된 라디오주파수인식안테나.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>

11 : 기재 12 : 도전성 패턴층 13 : 금속도금층

21 : 필름롤 22 : 기재필름 23a~23d : 이송롤

24 : 인쇄롤 25 : 소성로 26 : 수세조

27 : 건조로 28 : 되감기롤 30 : 도금 카트리지

31a,31b : 음극 32 : 양극 33 : 스펀지

34 : 절연층 35 : 진동자 36 : 펌프

37 : 도금액저장소 38 : 플레이트 39 : 전극봉

본 발명은 저저항 금속패턴 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 절연체로 이루어진 기재에 특수한 구조를 가지는 은 착체 화합물을 이용하여 직접적으로 인쇄하여 도전성 패턴을 형성하고 상기 층의 외측에 금속을 전해도금하는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이(PDP), 액정디스플레이(LCD), 유기 및 무기 ELD(Electro Luminescent Display)등의 평판디스플레이의 화면적이 넓어지고 고해상도, 고화질화가 요구되면서 회로기판에 금속패턴의 길이가 현저히 증가하고 배선의 저항과 캐패시턴스(capacitance)값이 급격히 상승하면서 디스플레이의 구동속도가 떨어지며 왜곡현상이 나타나는 문제가 발생하고 있다. 이러한 문제점으로 인하여 저저항의 금속패턴을 형성하기 위한 공정 개발 및 재료의 개발이 요소기술로서 인식되고 있는 실정이다.

일반적으로 금속패턴을 형성하기 위해 사용되는 방법은 패턴을 형성하기 위해 금속을 증착 및 스퍼터링(Sputtering)하거나 금속이 포함되어 있는 잉크를 스핀코팅(Spinc-coating)하여 금속을 적층시킨 후 노광 및 현상을 통한 포토레지스트(Photo Resist) 공정을 거쳐 원하는 패턴을 형성한 후 에칭을 통하여 간접적으로 제조하는 방법이 있으나 상기의 방법은 공정이 복잡하고 다층의 패턴을 형성하기에는 적합하지 않으며 기판의 크기의 대형화에 따른 진공증착 장비 개발의 한계 등 여러 가지 문제점 있다.

미합중국특허 제 2006-0062978호에는 실리콘웨이퍼와 같은 기판에 패턴이 형성된 마스크를 밀착시킨 후 스퍼터링에 의해 금속을 성막함으로서 직접적으로 패턴을 형성하는 방법이 있으나 낮은 저항을 만족하기 위해서는 스퍼터링 시간이 길게 되어 생산능력이 저하되는 문제점이 있고 대한민국 특허 제 2005-0061285호는 기판에 광촉매 화합물을 이용하여 잠재적 패턴을 형성한 후 원하는 금속으로 도금 처리하여 금속패턴을 형성하는 방법을 기술하고 있으나 잠재적 패턴의 활성 시간이 짧으며 연속공정에 따는 불량율이 높은 단점이 있다.

일본공개특허 제 2003-502507호에는 기판의 표면 위에 마이크로스탬프(Micro stamp)를 통하여 프레스되는 촉매 패턴층을 형성한 후 무전해 도금하여 금속패턴을 형성하는 방법이 있으나 배선을 균일하게 형성하기에 어려운 문제가 있다.

미합중국특허 제 2004-043691호에는 금속잉크를 잉크젯 프린팅을 통하여 직접적으로 패턴을 형성하는 방법이 기재되어있으나 높은 해상도 및 낮은 저항을 가지는 금속패턴을 형성하기가 어려우며 생산속도가 느린 문제점이 있다.

일본공표특허 제 2002-511643 호에는 기판에의 인쇄패턴을 도금하는 방법에 대하여 기재되어 있으며, 상기 패턴은 주지의 기술인 도전성 입자를 가진 고분자 재료를 이용하여 인쇄된다고 기술되어 있으나, 종래의 기술로는 패턴을 얇고 균일하게 인쇄하기는 어려우며, 상기 특허에서도 패턴을 인쇄하는 방법의 구체적인 해결수단을 제공하지 못하고 있다.

상기의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명자들은 거듭되는 실험으로 성공적으로 본 발명에 도달하게 되었다.

본 발명은 저저항 금속패턴 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 절연체로 이루어진 기재에 특수한 구조를 가지는 은 착체 화합물을 함유하는 은 잉크 조성물을 직접적으로 인쇄하여 도전성 패턴층을 형성하고 상기 도전성 패턴층의 외측에 금속을 전해도금하는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법을 제공하는 것이다.

또한 본 발명은 생산속도가 현저히 빨라 대량생산이 가능하며 연속적인 공정으로 단순하여 불량률이 적으며 제조단가가 저렴한 저저항 금속패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 저저항 금속패턴 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 절연체로 이루어진 기재에 직접적으로 인쇄하여 도전성 패턴층을 형성한 후 상기 도전성 패턴층의 외측에 금속을 전해도금하는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성하는 방법으로, 이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 의해 제조되는 저저항 패턴 형성은 절연성 기재(11)에, 은 잉크를 프린팅하여 형성되는 도전성 패턴층(12), 상기 도전성 패턴층의 외측에 전해도금되어 형성되는 금속 도금층(13)으로 구성되어 있다.

상기의 저저항 패턴 형성방법은 크게

(i)절연성 기재에 은 잉크 조성물을 인쇄하여 균일한 두께의 도전성 패턴층을 형성하는 단계;

(ii)상기 도전성 패턴층에 금속을 전해도금 하여 금속 도금층을 형성하여 저항을 낮추는 단계;

로 이루어진다.

(i) 단계:

절연성 기재(11)에 은 잉크 조성물을 인쇄하여 도전성 패턴층을 형성하는 단계이다.

상기 절연성 기재는 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET), 폴리에텔렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 나일론(Nylon), 폴리테트라플로우로에틸렌(PTFE), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트 (PC), 폴리아릴레이트(PA) 등의 플라스틱류, 종이 또는 세라믹 등이 사용될 수 있고, 또한, 상기 절연성 기재는 플라즈마 처리를 하거나, 접착 프라이머를 단면 또는 양면 처리된 것을 사용할 수 있으며, 이에 한정되지 않음은 물론이다.

도전성 패턴층(12)을 형성하기 위한 은 잉크 조성물은 하기 화학식 1로 표시 되는 은 화합물과, 화학식 2의 암모늄카바메이트계 화합물, 화학식 3의 암모늄카보네이트계 화합물, 화학식 4의 암모늄바이카보네이트계 화합물 또는 이의 혼합물을 반응시켜 얻어지는 은 착체 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

[상기 화학식에서,

X는 산소, 황, 할로겐, 시아노, 시아네이트, 카보네이트, 니트레이트, 나이트라이트, 설페이트, 포스페이트, 티오시아네이트, 클로레이트, 퍼클로레이트, 테트라플로로 보레이트, 아세틸아세토네이트 ,카복실레이트 및 그들의 유도체로부터 선택되는 치환기이며,

n은 1∼4의 정수이고, R₁ 내지 R₆는 서로 독립적으로 수소, C₁-C₃₀의 지방족이나 지환족 알킬기 또는 아릴이나 이들의 혼합인 아랄킬(aralkyl)기, 관능기가 치환된 알킬 및 아릴기 그리고 헤테로고리 화합물과 고분자화합물 및 그 유도체로부터 선택되는 치환기이며, R₁과 R₂ 또는 R₄와 R₅는 서로 독립적으로 헤테로 원자가 포함되거나 포함되지 않은 알킬렌으로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.]

상기 화학식 1의 화합물을 구체적으로 예를 들면, 산화 은, 티오시아네이트화 은, 황화 은, 염화 은, 시안화 은, 시아네이트화 은, 탄산 은, 질산 은, 아질산 은, 황산 은, 인산 은, 과염소산화 은, 사불소보레이트화 은, 아세틸아세토네이트화 은, 초산 은, 젖산 은, 옥살산 은 및 그 유도체 등을 들 수 있는데 이에 한정되는 것은 아니다.

그리고 R₁ 내지 R₆는 구체적으로 예를 들면, 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 아밀, 헥실, 에틸헥실, 헵틸, 옥틸, 이소옥틸, 노닐, 데실, 도데실, 헥사데실, 옥타데실, 도코데실, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 알릴, 히드록시, 메톡시, 히드록시에틸, 메톡시에틸, 2-히드록시 프로필, 메톡시프로필, 시아노에틸, 에톡시, 부톡시, 헥실옥시, 메톡시에톡시에틸, 메톡시에톡시에톡시에틸, 헥사메틸렌이민, 모폴린, 피페리딘, 피페라진, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 피롤, 이미다졸, 피리딘, 카르복시메틸, 트리메톡시실릴프로필, 트리에톡시실릴프로필, 페닐, 메톡시페닐, 시아노페닐, 페녹시, 톨릴, 벤질 및 그 유도체, 그리고 폴리알릴아민이나 폴리에틸렌 이민과 같은 고분자 화합물 및 그들의 유도체에서 선택될 수 있는데 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.

화합물로서 구체적으로 예를 들면, 상기 화학식 2의 암모늄 카바메이트계 화합물은 암모늄 카바메이트(ammonium carbamate), 에틸암모늄 에틸카바메이트, 이소프로필암모늄 이소프로필카바메이트, n-부틸암모늄 n-부틸카바메이트, 이소부틸암모늄 이소부틸카바메이트, t-부틸암모늄 t-부틸카바메이트, 2-에틸헥실암모늄 2-에틸헥실카바메이트, 옥타데실암모늄 옥타데실카바메이트, 2-메톡시에틸암모늄 2-메톡시에틸카바메이트, 2-시아노에틸암모늄 2-시아노에틸카바메이트, 디부틸암모늄 디부틸카바메이트, 디옥타데실암모늄 디옥타데실카바메이트, 메틸데실암모늄 메틸데실카바메이트, 헥사메틸렌이민암모늄 헥사메틸렌이민카바메이트, 모폴리늄 모폴린카바메이트, 피리디늄 에틸헥실카바메이트, 트리에틸렌디아미늄 이소프로필바이카바메이트, 벤질암모늄 벤질카바메이트, 트리에톡시실릴프로필암모늄 트리에톡시실릴프로필카바메이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 예로 들 수 있고, 상기 화학식 3의 암모늄 카보네이트계 화합물은 암모늄 카보네이트(ammonium carbonate), 에틸암모늄 에틸카보네이트, 이소프로필암모늄 이소프로필카보네이트, n-부틸암모늄 n-부틸카보네이트, 이소부틸암모늄 이소부틸카보네이트, t-부틸암모늄 t-부틸카보네이트, 2-에틸헥실암모늄 2-에틸헥실카보네이트, 2-메톡시에틸암모늄 2-메톡시에틸카보네이트, 2-시아노에틸암모늄 2-시아노에틸카보네이트, 옥타데실암모늄 옥타데실카보네이트, 디부틸암모늄 디부틸카보네이트, 디옥타데실암모늄 디옥타데실카보네이트, 메틸데실암모늄 메틸데실 카보네이트, 헥사메틸렌이민암모늄 헥사메틸렌이민카보네이트, 모폴린암모늄 모폴린카보네이트, 벤질암모늄 벤질카보네이트, 트리에톡시실릴프로필암모늄 트리에톡시실릴프로필카보네이트, 트리에틸렌디아미늄 이소프로필카보네이트, 및 그 유도체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물이 예시될 수 있으며, 상기 화학식 4의 암모늄 바이카보네이트계 화합물을 구체적으로 예를 들면 암모늄 바이카보네이트(ammonium bicarbonate), 이소프로필암모늄 바이카보네이트, , t-부틸암모늄 바이카보네이트, 2-에틸헥실암모늄 바이카보네이트, 2-메톡시에틸암모늄 바이카보네이트, 2-시아노에틸암모늄 바이카보네이트, 디옥타데실암모늄 바이카보네이트, 피리디늄 바이카보네이트, 트리에틸렌디아미늄 바이카보네이트 및 그 유도체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물이 포함된다.

한편, 상기의 암모늄 카바메이트계, 암모늄 카보네이트계 또는 암모늄 바이카보네이트계 화합물의 종류 및 제조방법은 특별히 제한할 필요는 없다. 예를 들면, 미국 특허 제 4,542,214호(1985. 9. 17)에서는 1차 아민, 2차 아민, 3차 아민 또는 최소한 1개 이상의 이들 혼합물과 이산화탄소로부터 암모늄 카바메이트계 화합물을 제조할 수 있다고 기술하고 있으며, 상기 아민 1몰당 물 0.5몰을 더 첨가하면 암모늄 카보네이트계 화합물이 얻어지고, 물 1몰 이상을 첨가하는 경우에는 암모늄 바이카보네이트계 화합물을 얻을 수 있다. 이때 상압 또는 가압상태에서 특별한 용매 없이 제조할 수 있으며, 용매를 사용하는 경우 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올과 같은 알코올류, 에틸렌글리콜, 글리세린과 같은 글리콜류, 에 틸아세테이트, 부틸아세테이트, 카비톨아세테이트와 같은 아세테이트류, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산과 같은 에테르류, 메틸에틸케톤, 아세톤과 같은 케톤류, 헥산, 헵탄과 같은 탄화수소계, 벤젠, 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소계, 그리고 클로로포름이나 메틸렌클로라이드, 카본테트라클로라이드와 같은 할로겐 치환 용매 또는 이들의 혼합용매 등을 들 수 있고, 이산화탄소는 기상상태에서 버블링(bubbling)하거나 고체상 드라이아이스를 사용할 수 있으며 초임계(supercritical) 상태에서도 반응할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 암모늄 카바메이트계, 암모늄 카보네이트계 또는 암모늄 바이카보네이트계 유도체의 제조에는 상기의 방법 이외에도, 최종 물질의 구조가 같다면 공지의 어떠한 방법을 사용하여도 무방하다. 즉, 제조를 위한 용매, 반응 온도, 농도 또는 촉매 등을 특별히 한정할 필요는 없으며, 제조 수율에도 무방하다.

이렇게 제조된 암모늄 카바메이트계, 암모늄 카보네이트계 또는 암모늄 바이카보네이트계 화합물과, 은 화합물을 반응시켜 유기 은 착체 화합물을 제조할 수 있다. 예를 들면, 화학식 1에 나타낸 바와 같은 최소한 1개 이상의 은 화합물과, 화학식 2 내지 4에 나타낸 바와 같은 화합물 또는 이들의 혼합물을 질소 분위기의 상압 또는 가압상태에서 용매 없이 직접 반응시킬 수 있으며, 용매를 사용하는 경우 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올과 같은 알코올류, 에틸렌글리콜, 글리세린과 같은 글리콜류, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 카비톨아세테이트와 같은 아세테이트류, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산과 같은 에테르류, 메틸에틸케톤, 아세톤과 같은 케톤류, 헥산, 헵탄과 같은 탄화수소계, 벤젠, 톨루엔과 같은 방향족, 그리고 클로로포름이나 메틸렌클로라이드, 카본테트라클로라이드와 같은 할로겐 치환 용매 또는 이들의 혼합용매 등을 사용할 수 있다.

본 발명에 따른 은 착체 화합물은 본원 발명자들에 의해 출원된 특허출원 제10-2006-0011083호에 그 제조방법이 기재되어 있으며, 하기 화학식 5의 구조로 인식된다.

[화학식 5]

Ag[A]_m

[A는 화학식 2 내지 화학식 4 화합물이며, m은 0.7 내지 2.5이다.]

본 발명에서 절연성 기재에 도전성 패턴을 부여하기 위해 사용되는 은 잉크 조성물은 상기의 은착체 화합물을 포함하며 필요에 따라서 이미 공지된 사실인 용매, 안정제, 레벨링제(leveling agent) 및 박막보조제와 같은 첨가제 등을 본 발명의 은 잉크 조성물의 구성원으로 포함시킬 수 있다.

한편, 상기 안정제로서 예를 들면, 1차 아민, 2차 아민 또는 3차 아민과 같은 아민 화합물이나, 상기의 암모늄 카바메이트, 암모늄 카보네이트, 암모늄 바이카보네이트계 화합물, 또는 포스핀(phosphine)이나 포스파이트(phosphite)나 포스페이트(phosphate)와 같은 인 화합물, 티올(thiol)이나 설파이드(sulfide)와 같은 황 화합물 및 이들의 혼합물로부터 선택된다. 즉, 구체적으로 예를 들면 아민화합 물로는 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, 이소아밀아민, n-헥실아민, 2-에틸헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, 이소옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 도코데실아민, 시클로프로필아민, 시클로펜틸아민, 시클로헥실아민, 알릴아민, 히드록시아민, 암모늄하이드록사이드, 메톡시아민, 2-에탄올아민, 메톡시에틸아민, 2-히드록시 프로필아민, 2-히드록시-2-메틸프로필아민, 메톡시프로필아민, 시아노에틸아민, 에톡시아민, n-부톡시아민, 2-헥실옥시아민, 메톡시에톡시에틸아민, 메톡시에톡시에톡시에틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디에탄올아민, 헥사메틸렌이민, 모폴린, 피페리딘, 피페라진, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 2,2-(에틸렌디옥시)비스에틸아민, 트리에틸아민, 트리에탄올아민, 피롤, 이미다졸, 피리딘, 아미노아세트알데히드 디메틸 아세탈, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 아닐린, 아니시딘, 아미노벤조니트릴, 벤질아민 및 그 유도체, 그리고 폴리알릴아민이나 폴리에틸렌이민과 같은 고분자 화합물 및 그 유도체 등과 같은 아민 화합물을 들 수 있다.

암모늄 카바메이트계 화합물을 구체적으로 예를 들면, 암모늄 카바메이트(ammonium carbamate), 에틸암모늄 에틸카바메이트, 이소프로필암모늄 이소프로필카바메이트, n-부틸암모늄 n-부틸카바메이트, 이소부틸암모늄 이소부틸카바메이트, t-부틸암모늄 t-부틸카바메이트, 2-에틸헥실암모늄 2-에틸헥실카바메이트, 옥타데실암모늄 옥타데실카바메이트, 2-메톡시에틸암모늄 2-메톡시에틸카바메이트, 2-시아노에틸암모늄 2-시아노에틸카바메이트, 디부틸암모늄 디부틸카바메이트, 디 옥타데실암모늄 디옥타데실카바메이트, 메틸데실암모늄 메틸데실카바메이트, 헥사메틸렌이민암모늄 헥사메틸렌이민카바메이트, 모폴리늄 모폴린카바메이트, 피리디늄 에틸헥실카바메이트, 트리에틸렌디아미늄 이소프로필바이카바메이트, 벤질암모늄 벤질카바메이트, 트리에톡시실릴프로필암모늄 트리에톡시실릴프로필카바메이트 및 그 유도체 등이 있으며, 암모늄 카보네이트계 화합물로는 암모늄 카보네이트(ammonium carbonate), 에틸암모늄 에틸카보네이트, 이소프로필암모늄 이소프로필카보네이트, n-부틸암모늄 n-부틸카보네이트, 이소부틸암모늄 이소부틸카보네이트, t-부틸암모늄 t-부틸카보네이트, 2-에틸헥실암모늄 2-에틸헥실카보네이트, 2-메톡시에틸암모늄 2-메톡시에틸카보네이트, 2-시아노에틸암모늄 2-시아노에틸카보네이트, 옥타데실암모늄 옥타데실카보네이트, 디부틸암모늄 디부틸카보네이트, 디옥타데실암모늄 디옥타데실카보네이트, 메틸데실암모늄 메틸데실카보네이트, 헥사메틸렌이민암모늄 헥사메틸렌이민카보네이트, 모폴린암모늄 모폴린카보네이트, 벤질암모늄 벤질카보네이트, 트리에톡시실릴프로필암모늄 트리에톡시실릴프로필카보네이트, 트리에틸렌디아미늄 이소프로필카보네이트 및 그 유도체를 예로 들 수 있고, 암모늄 바이카보네이트계 화합물을 구체적으로 예를 들면 암모늄 바이카보네이트(ammonium bicarbonate), 이소프로필암모늄 바이카보네이트, , t-부틸암모늄 바이카보네이트, 2-에틸헥실암모늄 바이카보네이트, 2-메톡시에틸암모늄 바이카보네이트, 2-시아노에틸암모늄 바이카보네이트, 디옥타데실암모늄 바이카보네이트, 피리디늄 바이카보네이트, 트리에틸렌디아미늄 바이카보네이트 및 그 유도체 등을 들 수 있다.

또한 인 화합물로는 일반식 R₃P, (RO)₃ P 또는(RO)₃ PO으로 나타내지는 인화합물로서 여기에서 R은 탄소수 1~20의 알킬 또는 아릴기를 나타내고 대표적으로 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리에틸포스파이트, 트리페닐포스파이트, 다이벤질포스페이트, 트리에틸포스페이트, 등을 들 수 있다. 그리고 황 화합물로서 예를들면, 부탄티올, n-헥산티올, 디에틸 설파이드, 테트라히드로티오펜, 알릴다이설파이드, 머켑토벤조티아졸, 알킬머켑토아세테이트, 테트라하이드로티오펜, 옥틸티오글리콜레이트 등이 있다. 이러한 안정제의 사용량은 본 발명의 잉크 특성에 부합되는 한 특별히 제한할 필요는 없다. 그러나 그 함량이 은 화합물에 대하여 몰비로 0.1% ~ 90%가 좋으며 보다 바람직하게는 1% ~ 50%이다. 이 범위를 넘는 경우 박막의 전도도의 저하가 생길 수 있고, 이하의 경우 잉크의 저장 안정성이 떨어질 수 있다. 또한, 박막보조제는 유기산 및 유기산유도체가 사용될 수 있으며 최소한 1개 이상의 이들 혼합물로 구성된다. 그 예로는 초산, 부티릭산(butyric acid), 발레릭산(Valeric acid), 피발릭산(Pivalic acid), 헥산산, 옥타노익산, 2-에칠-헥산산, 네오데카노익산(neodecanoic acid), 라우릭산(Lauric acid), 스테아릭산, 나프탈릭산, 올레인산, 리놀렌산 등의 유기산이 사용될 수 있고, 유기산 유도체로는 초산암모늄염, 구연산암모늄염, 라우릭암모늄염, 락틱산암모늄염, 말레익산암모늄염, 옥살산암모늄염, 몰리브덴산 암모늄염 등의 유기산 암모늄염과 Au, Cu, Zn, Ni, Co, Pd, Pt, Ti, V, Mn, Fe, Cr, Zr, Nb, Mo, W, Ru, Cd, Ta, Re, Os, Ir, Al, Ga, Ge, In, Sn, Sb, Pb, Bi, Sm, Eu, Ac, Th 등과 같은 금속을 포함하는 옥살산 망간, 초 산 금, 옥살산 팔라듐, 2-에틸 헥산산 은, 옥타노익산 은, 네오데카노익산 은, 스테아릭산 코발트, 나프탈릭산 니켈, 나프탈릭산 코발트 등의 유기산금속염이 사용될 수 있다. 상기 박막보조제의 사용량은 특별히 한정하지는 않으나, 은착체 화합물에 대하여 몰비로 0.1% ~ 25%가 바람직하다. 이 범위를 넘는 경우 균일한 박막형성이 어려우며, 그 이하인 경우 박막에 크랙이 발생할 수 있는 문제점이 있다.

그리고 은 잉크 조성물의 점도 조절이나 원활한 박막 형성을 위하여 용매가 필요한 경우가 있는데 이때 사용할 수 있는 용매로는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-메톡시프로판올, 부탄올, 에틸헥실 알코올, 테르피네올과 같은 알코올류, 에틸렌글리콜, 글리세린과 같은 글리콜류, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메톡시프로필아세테이트, 카비톨아세테이트, 에틸카비톨아세테이트와 같은 아세테이트류, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산과 같은 에테르류, 메틸에틸케톤, 아세톤, 디메틸포름아미드, 1-메틸-2-피롤리돈과 같은 케톤류, 헥산, 헵탄, 도데칸, 파라핀 오일, 미네랄 스피릿과 같은 탄화수소계, 벤젠, 톨루엔, 자일렌과 같은 방향족 탄화수소계, 그리고 클로로포름이나 메틸렌클로라이드, 카본테트라클로라이드와 같은 할로겐 치환 용매, 아세토니트릴, 디메틸술폭사이드 또는 이들의 혼합용매 등을 사용할 수 있다.

기재 상에 상기의 은 잉크 조성물을 프린팅하는 방법으로는 그라비아 프린팅, 잉크젯 프린팅, 옵셋 프린팅, 스크린 프린팅, 플렉소 프린팅, 임프린팅 방법을 이용하는 등 어떠한 방법에 의해 프린팅해도 무방하며 이는 기재의 형태 및 재질에 따라 선택적이지만 생산효율 및 작업성, 인쇄 해상도 등을 고려할 때 그라비아 또 는 옵셋프린팅 등이 바람직하다.

또한, 기재에 접착력을 증진시키기 위해 은 잉크 조성물에는 바인더 수지가 사용될 수 있으며 이때 사용할 수 있는 바인더 수지로는 폴리아크릴산 또는 폴리아크릴산 에스테르와 같은 아크릴계 수지, 에틸 셀룰로스, 셀룰로스 에스테르, 셀룰로스 니트레이트와 같은 셀룰로스계 수지, 지방족 또는 공중합 폴리에스테르계 수지, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐피롤리돈과 같은 비닐계 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에테르 및 우레아 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 불소수지, 폴리에틸렌이나 폴리스티렌과 같은 올레핀계 수지, 석유 및 로진계 수지 등과 같은 열가소성 수지나 에폭시계 수지, 불포화 또는 비닐 폴리에스테르계 수지, 디알릴프탈레이트계 수지, 페놀계 수지, 옥세탄(oxetane)계 수지, 옥사진(oxazine)계 수지, 비스말레이미드계 수지, 실리콘 에폭시나 실리콘 폴리에스테르 같은 변성 실리콘계 수지, 멜라민계 수지 등과 같은 열경화성 수지, 자외선 또는 전자선 경화형의 다양한 구조의 아크릴계 수지, 그리고 에틸렌-프로필렌 고무(EPR), 스티렌-부타디엔고무(SBR), 전분, 젤라틴과 같은 천연고분자 등을 한 종류 이상 선택하여 함께 사용 가능하다. 또한 상기의 유기계 수지 바인더뿐만 아니라 글라스 레진이나 글래스 프릿(glass frit)과 같은 무기 바인더나 트리메톡시 프로필 실란이나 비닐 트리에톡시 실란과 같은 실란 커플링제, 또는 티탄계, 지르코늄계 및 알루미늄계 커플링제도 사용할 수 있다.

이와 같이 은 잉크 조성물이 도포된 기재를 후처리 공정을 거쳐, 즉 산화 또는 환원 처리나 열처리, 적외선, 자외선, 전자 선, 레이저 등의 처리를 통하여 도전성 패턴층을 형성시킬 수 있다.

상기의 후처리 공정은 통상의 불활성 분위기 하에서 열처리할 수도 있지만 필요에 의해 공기, 질소, 아르곤, 일산화탄소, 수소 또는 이들의 혼합 가스 조건에서도 처리가 가능하다. 열처리는 보통 80 ~ 400℃ 사이, 바람직하게는 90 ~ 300℃, 보다 바람직하게는 100 ~ 250℃에서 열처리하는 것이 좋다. 부가적으로, 상기 범위 내에서 저온과 고온에서 2단계 이상 가열 처리하는 것도 박막의 균일성을 위해서 좋다. 예를 들면 80 ~ 150℃에서 1 ~ 30분간 처리하고, 150 ~ 300℃에서 1 ~ 30분간 처리하는 것이 좋다.

열처리 후 도전성 패턴의 두께는 0.005 ~ 5미크론 사이, 바람직하게는 0.01 ~ 1미크론, 보다 바람직하게는 0.05 ~ 0.5미크론이 바람직하다. 0.005 미크론 이상일 경우, 제조비용이 증가하는 단점이 있으며, 5 미크론 이하에서는 균일한 박막이 형성되지 않아 전해도금시 도금층이 균일하지 못한 문제가 야기될 수 있다.

또한, 도전성 은 패턴층의 면저항은 10mΩ/□ ~ 1kΩ/□사이, 바람직하게는 50mΩ/□ ~ 10Ω/□, 보다 바람직하게는 0.1Ω/□ ~ 1Ω/□이 바람직하다. 면저항이 1kΩ/□를 초과시 도전성이 낮아 도금시 불량을 야기할 있으며, 10mΩ/□이하로 패턴층을 형성시 제조비용이 증가하는 단점이 있다.

(ii)단계:

본 단계에서는 상기 제 1단계에서 형성된 도전성 패턴층에 전해도금하여 금속 도금층을 형성하는 단계이다.

은 잉크 조성물을 프린팅하여 도전성 패턴층이 형성된 기재를 도금카트리지(30)에 접촉시켜, 상기 패턴에 전해도금 방법으로 금속을 적층시켜 저저항의 금속패턴을 형성하는 단계로 도금된 금속층의 두께는 1 ~ 50미크론이 바람직하며 용도에 따라 두께를 조절할 수 있다. 금속층의 두께가 50 미크론 초과시 선폭의 정밀도가 떨어지거나 두께가 균일하지 못한 단점이 있으며, 1 미크론 미만일 경우 패턴에 핀홀이 발생할 수 있는 문제점이 있다. 상기 전해도금에 의해 생성된 금속도금층의 물질로는 동, 알루미늄, 니켈, 은, 금, 또는 크롬과 같은 도전성의 금속 및 이들의 합금이 사용하는 것이 바람직하다.

도 2에 본 발명에 의한 저저항 패턴 형성방법의 일 실시예를 나타내는 공정도를 도시하였다. 그러나 도 2에 도시되는 공정도는 본 발명의 일례에 불과하며, 이에 본 발명에 한정되는 않는다.

필름롤(21)에 감겨 있는 기재필름(22)이 이송롤(23a)를 거쳐 인쇄롤(24)로 이송되면서 은 잉크 조성물을 도포하여 인쇄된다. 인쇄롤(24)은 은 잉크 조성물 기재필름(22)에 균일하게 인쇄하는 역할을 하며, 도전성 은 패턴층의 두께 및 선폭은 인쇄롤의 가공 및 은 잉크 조성물의 농도에 따라 조절할 수 있다. 인쇄롤을 거쳐 도전성 패턴이 인쇄된 기재필름은 소성로(25)로 이송되며, 기재필름(22)에 인쇄된 은 잉크 조성물이 소성 열처리되어 도전성 패턴층을 형성한다. 상기와 같이 기재필름에 형성된 도전성 패턴층은 전해도금시 음극(31a,31b)의 역할을 하며, 도금카트리지(30)와 접촉하여 금속도금층을 형성한다. 이어서 이송롤(23b)를 거쳐 수세조(26)로 이송되며, 이의 수세과정을 마치고 이송롤(23d)를 거쳐 건조로(27)에서 수분을 건조 후 금속 패턴층이 형성된 필름이 얻어지며, 되감기롤(28)에 되감겨진다.

도3은 본 발명의 전기전해도금을 실행하기 위한 도금카트리지(30)의 측면도를 도시하였다.

도3에 도시한 바와 같이, 도금카트리지(30)의 음극(31a, 31b)은 도전성 패턴과 접촉하는 역할을 하며 유연성을 주기 위해 음극(31a, 31b)의 내부는 고무 및 실리콘과 같은 유연성 재질의 플레이트(38)가 사용된다. 도금카트리지(30)의 내부는 흡습성이 좋은 스펀지(33)가 채워져 있으며, 스펀지(33)는 양극(32) 및 음극(31a, 31b)과 접촉하도록 되어 있고, 스펀지(33)의 내부에는 양극(32)으로 사용되는 전극봉(39)이 있다. 이 전극봉(39)의 내부에는 진동을 일으켜 기재의 도전성 패턴에 접촉하고 있는 음극(31a, 31b)에 도금액을 흘려줄 수 있게 하는 진동자(35)가 위치하고 있으며 이 진동자(35)와 전극봉(39) 사이에는 통전을 방지하기 위해 절연층이 있다. 또한, 상부에는 도금액을 저장할 수 있는 저장소(37)가 있고 이곳에 저장되어 있는 도금액을 이송하기 위해 펌프(36)가 사용되며, 진동자(35)의 진동에 의해 도금 전해액이 도전성 패턴에 접촉하여 도금된다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

[실시예 1]

교반기가 부착된 반응기에 2-에틸헥실암모늄 2-에틸헥실카바메이트 1.53킬로그램(5.08몰)과 n-부틸암모늄 n-부틸카바메이트 1.33킬로그램(6.94몰)을 0.95킬로그램의 이소프로판올에 용해시킨 후 산화 은 1킬로그램(4.31몰)을 첨가하여 상온에서 반응시켰다. 상기 반응용액은 처음에 검은색 현탁액(Slurry)에서 반응이 진행되어 착화합물이 생성됨에 따라 색이 엷어지면서 투명하게 변하는 것을 관찰할 수 있었으며 2시간 반응시킨 결과 무색 투명한 용액을 얻었다. 이 용액에 안정제로 1-아미노2-프로판올을 0.125킬로그램과 바인더수지로 아크릴계 수지인 브이에이피 엠피200(제조사: 조광페인트, VAP MP200) 0.12킬로그램을 첨가하여 교반한 후 0.45미크론의 멤브레인 필터(membrane filter)를 사용하여 필터하여 점도가 120cp인 은 잉크 조성물을 제조하였다. 이와 같이 제조된 은 잉크 조성물을 그라비아인쇄기를 이용하여 페트(PET) 필름에 선폭 30미크론, 선간격 300미크론, 두께가 0.15미크론인 메쉬(mesh)형태로 인쇄한 후, 130℃에서 열처리하여 도전성을 가지는 전자파차폐필터의 패턴을 얻었다. 상기와 같이 얻어진 패턴에 도금카트리지(30)를 접촉시켜 전해도금하였다. 도금카트리지 내부에는 황산구리가 180g/L농도인 전해 용액이 담겨있으며, 전류는 500A/m² 가 인가되었고 필름 이송속도는 7m/min으로 운전하여 구리가 10 미크론 두께로 도금된 저저항의 패턴을 형성하였다. 이와 같이 형성된 패턴의 현미경 사진을 도 4에 도시하였다.

[실시예 2]

실시예 1에서 제조된 은 잉크 조성물을 그라비아 인쇄기를 이용하여 페트(PET) 필름에 선폭 30미크론, 선간격 300미크론의 메쉬(mesh)형태로 인쇄한 후 130℃에서 열처리하여 도전성을 가지는 투명한 패턴을 얻었다. 상기와 같이 얻어진 패턴에 도금카트리지(30)를 접촉시켜 니켈을 전해도금하였다. 도금카트리지 내부에는 황산니켈 150g/L와 염화니켈 40g/L그리고 붕산 30g/L 농도인 용액이 120g/L농도인 전해 용액이 담겨있으며, 전류는 500A/m² 가 인가되었고 필름 이송속도는 5m/min으로 운전하여 니켈이 7 미크론 두께로 도금된 저저항의 패턴을 형성하였다.

[실시예 3]

실시예1에서 제조된 은 잉크 조성물을 그라비아 인쇄기를 이용하여, 도5와 같이, 면저항이 0.3Ω/□이며 두께가 0.2 미크론인 라디오주파수인식안테나(RFID tag antenna)의 패턴을 인쇄하였다. 상기와 같이 제조된 패턴을 도금카트리지에 접촉시켜 구리를 전해도금하여 면저항이 0.01Ω/□인 금속패턴을 형성하였다. 도금카트리지 내부에는 황산구리가 180g/L농도인 전해 용액이 담겨있으며, 전류는 500A/m² 가 인가되었고 필름 이송속도는 7m/min으로 운전하여 구리가 도금된 저저항의 라디오주파수인식안테나 패턴을 형성하였다. 이와 같이 형성된 패턴의 사진을 도 5에 도시하였다.

[실시예 4]

교반기가 부착된 반응기에 n-옥틸암모늄 n-옥틸암모늄바이카보네이트 3.45킬로그램(18.04몰)과 n-부틸암모늄 n-부틸바이카보네이트 3.19킬로그램(50.80몰)을 0.45킬로그램의 이소프로판올과 1킬로그램의 증류수에 용해시킨 후 산화 은 1.6킬로그램(7.4몰)을 첨가하여 상온에서 반응시켰다. 상기 반응용액은 처음에 검은색 현탁액(Slurry)에서 반응이 진행되어 착화합물이 생성됨에 따라 색이 엷어지면서 투명하게 변하는 것을 관찰할 수 있었으며 4시간 반응시킨 결과 무색 투명한 용액을 얻었다. 이 용액에 안정제로 1-아미노-2-프로판올을 0.3 킬로그램과 바인더수지로 아크릴계 수지인 브이에이피 엠피200(제조사: 조광페인트, VAP MP200) 0.15킬로그램을 첨가하여 교반한 후 0.45미크론의 멤브레인 필터(membrane filter)를 사용하여 필터하여 점도가 18cp인 은 잉크 조성물을 제조하였다. 이와 같이 제조된 은 잉크 조성물을 플렉소인쇄기를 이용하여 페트(PET) 필름에 두께가 0.15미크론이며, 면저항이 0.4Ω/□인 라디오주파수인식안테나(RFID tag antenna)의 패턴을 인쇄하였다. 상기와 같이 제조된 패턴을 도금카트리지에 접촉시켜 구리가 전해도금되어 면저항이 0.01Ω/□인 금속 패턴을 형성하였다. 도금카트리지 내부에는 황산구리가 180g/L농도인 전해 용액이 담겨있으며, 전류는 500A/m² 가 인가되었고 인쇄속도는 7m/min으로 운전하여 구리가 도금된 저저항의 라디오주파수인식안테나 패턴을 형성하였다.

상기와 같이, 본 발명은 저저항 금속패턴 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 절연체로 이루어진 기재에 특수한 구조를 가지는 은 착체 화합물을 이용하여 직접적으로 인쇄하여 도전성 패턴을 형성하고 상기 층의 외측에 금속을 전해도금하는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은 고가의 진공증착 장비가 필요하지 않고 작업속도가 빨라 대량생산이 가능하며 공정이 간단하여 불량률이 적고 제조단가가 저렴한 저저항 금속 패턴형성 방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 측면은 상기의 방법으로 제조된 금속패턴에 관한 것으로 라디오주파수인식장치 안테나(RFID tag antenna), 평판디스플레이의 금속배선 및 전자파 차폐필터의 형성등 다양한 전기전자 제품에 적용 가능한 저저항 금속 패턴형성 방법을 제공할 수 있다.

Claims

기재 상에 하기 화학식 1로 표시되는 은 화합물과, 화학식 2의 암모늄카바메이트계 화합물, 화학식 3의 암모늄카보네이트계 화합물, 화학식 4의 암모늄바이카보네이트계 화합물 또는 이의 혼합물을 반응시켜 제조된 은과 암모늄 카바메이트계 화합물 또는 암모늄 카보네이트계 화합물로 이루어진 은 착체 화합물을 포함하는 은 잉크 조성물을 인쇄하여 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 도전성 패턴에 전해도금하여 금속도금층을 적층시켜 저저항의 패턴을 형성하는 단계;

를 포함하는 저저항 금속패턴 형성방법.

[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

[상기 화학식에서,

X는 산소, 황, 할로겐, 시아노, 시아네이트, 카보네이트, 니트레이트, 나이트라이트, 설페이트, 포스페이트, 티오시아네이트, 클로레이트, 퍼클로레이트, 테트라플로로 보레이트, 아세틸아세토네이트 ,카복실레이트 및 그들의 유도체로부터 선택되는 치환기이며,

n은 1∼4의 정수이고, R₁ 내지 R₆는 서로 독립적으로 수소, 지방족 또는 지환족 (C1-C30)알킬기, 아릴기, 아랄킬(aralkyl)기, 관능기가 치환된 (C1-C30)알킬기, 관능기가 치환된 아릴기, 고분자화합물기, 헤테로고리화합물 및 그들의 유도체에서 선택되는 치환기이며, R₁과 R₂ 또는 R₄와 R₅는 서로 독립적으로 헤테로 원자가 포함되거나 포함되지 않은 알킬렌으로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.]
삭제
제 1항에 있어서,

상기 은 화합물은 산화 은, 티오시아네이트화 은, 시안화 은, 시아네이트화 은, 탄산 은, 질산 은, 아질산 은, 황산 은, 인산 은, 과염소산화 은, 사불소보레이트화 은, 아세틸아세토네이트화 은, 초산 은, 젖산 은, 옥살산 은　 및 그 유도체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

R₁ 내지 R₆는 서로 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 아밀, 헥실, 에틸헥실, 헵틸, 옥틸, 이소옥틸, 노닐, 데실, 도데실, 헥사데실, 옥타데실, 도코데실, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 알릴, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 시아노에틸, 메톡시에톡시에틸, 메톡시에톡시에톡시에틸, 헥사메틸렌이민, 모폴린, 피페리딘, 피페라진, 피롤, 이미다졸, 피리딘, 카르복시메틸, 트리메톡시실릴프로필, 트리에톡시실릴프로필, 페닐, 메톡시페닐, 시아노페닐, 톨릴, 벤질, 폴리알릴아민, 폴리에틸렌아민 및 그들의 유도체에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

상기 화학식 2의 암모늄 카바메이트계 화합물은 암모늄 카바메이트(ammonium carbamate), 에틸암모늄 에틸카바메이트, 이소프로필암모늄 이소프로필카바메이트, n-부틸암모늄 n-부틸카바메이트, 이소부틸암모늄 이소부틸카바메이트, t-부틸암모늄 t-부틸카바메이트, 2-에틸헥실암모늄 2-에틸헥실카바메이트, 옥타데실암모늄 옥타데실카바메이트, 2-메톡시에틸암모늄 2-메톡시에틸카바메이트, 2-시아노에틸암모늄 2-시아노에틸카바메이트, 디부틸암모늄 디부틸카바메이트, 디옥타데실암모늄 디옥타데실카바메이트, 메틸데실암모늄 메틸데실카바메이트, 헥사메틸렌이민암모늄 헥사메틸렌이민카바메이트, 모폴리늄 모폴린카바메이트, 피리디늄 에틸헥실카바메이트, 트리에틸렌디아미늄 이소프로필바이카바메이트, 벤질암모늄 벤질카바메이트, 트리에톡시실릴프로필암모늄 트리에톡시실릴프로필카바메이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물이고, 상기 화학식 3의 암모늄 카보네이트계 화합물은 암모늄 카보네이트(ammonium carbonate), 에틸암모늄 에틸카보네이트, 이소프로필암모늄 이소프로필카보네이트, n-부틸암모늄 n-부틸카보네이트, 이소부틸암모늄 이소부틸카보네이트, t-부틸암모늄 t-부틸카보네이트, 2-에틸헥실암모늄 2-에틸헥실카보네이트, 2-메톡시에틸암모늄 2-메톡시에틸카보네 이트, 2-시아노에틸암모늄 2-시아노에틸카보네이트, 옥타데실암모늄 옥타데실카보네이트, 디부틸암모늄 디부틸카보네이트, 디옥타데실암모늄 디옥타데실카보네이트, 메틸데실암모늄 메틸데실카보네이트, 헥사메틸렌이민암모늄 헥사메틸렌이민카보네이트, 모폴린암모늄 모폴린카보네이트, 벤질암모늄 벤질카보네이트, 트리에톡시실릴프로필암모늄 트리에톡시실릴프로필카보네이트, 트리에틸렌디아미늄 이소프로필카보네이트, 및 그 유도체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물이고, 상기 화학식 4의 암모늄 바이카보네이트계 화합물은 암모늄 바이카보네이트(ammonium bicarbonate), 이소프로필암모늄 바이카보네이트, , t-부틸암모늄 바이카보네이트, 2-에틸헥실암모늄 바이카보네이트, 2-메톡시에틸암모늄 바이카보네이트, 2-시아노에틸암모늄 바이카보네이트, 디옥타데실암모늄 바이카보네이트, 피리디늄 바이카보네이트, 트리에틸렌디아미늄 바이카보네이트 및 그 유도체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

은 잉크 조성물은 용매, 안정제, 레벨링제 또는 박막보조제가 단독 또는 혼합되어 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 6항에 있어서,

상기 용매는 물, 알코올, 글리콜, 아세테이트, 에테르, 케톤, 지방족탄화수소, 방향족탄화수소, 할로겐화탄화수소계 용매, 아세토니트릴 또는 디메틸술폭사이드로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 7항에 있어서,

상기 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-메톡시프로판올, 부탄올, 에틸헥실 알코올, 테르피네올, 에틸렌글리콜, 글리세린, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메톡시프로필아세테이트, 카비톨아세테이트, 에틸카비톨아세테이트, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산, 메틸에틸케톤, 아세톤, 디메틸포름아미드, 1-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 헵탄, 도데칸, 파라핀 오일, 미네랄 스피릿, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름, 메틸렌클로라이드, 카본테트라클로라이드, 아세토니트릴, 디메틸술폭사이드 또는 이들의 혼합용매로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 6항에 있어서,

상기 안정제는 아민 화합물, 하기 화학식 2의 암모늄 카바메이트계 화합물, 하기 화학식 3의 암모늄 카보네이트계 화합물, 하기 화학식 4의 암모늄 바이카보네이트계 화합물, 인 화합물 또는 황 화합물로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

[상기 화학식에서, R₁ 내지 R₆는 서로 독립적으로 수소, 지방족 또는 지환족 (C1-C30)알킬기, 아릴기, 아랄킬(aralkyl)기, 관능기가 치환된 (C1-C30)알킬기, 관능기가 치환된 아릴기, 고분자화합물기, 헤테로고리화합물 및 그들의 유도체에서 선택되는 치환기이며, R₁과 R₂ 또는 R₄와 R₅는 서로 독립적으로 헤테로 원자가 포함되거나 포함되지 않은 알킬렌으로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.]
제 9항에 있어서,

인 화합물은 하기 화학식 6, 화학식 7 또는 화학식 8로 표현되는 화합물에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.

[화학식 6]

R₃P

[화학식 7]

(RO)₃ P

[화학식 8]

(RO)-₃PO

[상기 화학식에서 R은 (C1-C20)알킬기, 또는 아릴기에서 선택되는 치환기이다.]
제 9항에 있어서,

황 화합물은 부탄티올, n-헥산티올, 디에틸 설파이드, 머켑토벤조티아졸, 알킬머켑토아세테이트 또는 테트라히드로티오펜에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 6항에 있어서,

박막보조제는 유기산, 유기산 암모늄염, 또는 유기산 금속염으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

기재는 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET), 폴리에텔렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 나일론(Nylon), 폴리테트라플로우로에틸렌(PTFE), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트 (PC) 폴리아릴레이트(PA), 종이, 세라믹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

인쇄방법은 그라비아 프린팅, 잉크젯 프린팅, 옵셋 프린팅, 스크린 프린팅, 임프린팅 또는 플렉소 프린팅 방법에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

은 잉크조성물과 기재의 접착력을 증진시키기 위해 은 잉크 조성물에 바인더 수지가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 15항에 있어서,

바인더 수지는 아크릴 수지, 셀룰로스 수지, 폴리에스테르, 비닐 수지, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리에테르, 우레아 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 불소수지, 폴리올레핀, 석유수지, 로진, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르, 디알릴프탈레이트 수지, 페놀 수지, 옥세탄 수지, 옥사진 수지, 비스말레이미드 수지, 변성 실리콘 수지, 멜라민 수지, 에틸렌-프로필렌 고무(EPR), 스티렌-부타디엔고무(SBR), 천연고분자, 글라스 레진 또는 글래스 프릿으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

은 잉크 조성물을 인쇄하여 도전성 패턴을 형성하는 단계 후에 산화처리, 환원처리, 열처리, 적외선, 자외선, 전자 선 또는 레이저 처리에서 선택되는 후처리 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 저저항 금속패턴 형성방법.
제 17항에 있어서,

상기 후처리 단계는 공기, 질소, 아르곤, 일산화탄소, 수소 또는 이들의 혼합 가스 조건에서 진행시키는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

도전성 패턴층의 두께는 0.005 ~ 5미크론 이며, 면저항은 10mΩ/□ ~ 1kΩ/□인 것을 특징으로 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

상기 금속 도금층의 두께는 1 ~ 50미크론 인 것을 특징으로 저저항 금속패턴 형성방법.
제 1항에 있어서,

상기 전해도금은 도전성 패턴에 접촉하는 음극, 및 내부에 위치한 양극을 포함하는 도금카트리지에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 21항에 있어서,

상기 도금카트리지는 전해도금액을 담지할 수 있는 스펀지를 포함하며, 상기 스펀지는 양극 및 음극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 21항에 있어서,

상기 도금카트리지의 내부에는 도전성 패턴의 음극에 전해도금액이 접촉할 수 있게 하기 위해 진동자가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 저저항 금속패턴 형성방법.
제 20항에 있어서,

금속도금층의 재질은 동, 알루미늄, 니켈, 은, 금 또는 크롬과 이들의 합금에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 저저항 금속패턴 형성방법.
제1항, 또는 제3항 내지 제24항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 저저항 금속패턴 형성방법에 의해 제조되는 저저항 금속패턴.