JP5609290B2 - 太陽光反射用ミラー、フィルムミラー及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、耐光性及び耐候性に優れ、太陽光に対して良好な反射率を有するフィルムミラー、その製造方法、及びそれを用いた太陽光反射用ミラーに関するものである。

近年、石油、天然ガス等の化石燃料エネルギーに代わる代替エネルギーとしては現在、石炭エネルギー、バイオマスエネルギー、核エネルギー、並びに風力エネルギー及び太陽エネルギー等の自然エネルギーが検討されているが、化石燃料の代替エネルギーとして最も安定しており、且つ量の多い自然エネルギーは、太陽エネルギーであると考えられる。

しかしながら、太陽エネルギーは非常に有力な代替エネルギーであるものの、これを活用する観点からは、太陽エネルギーのエネルギー密度が低いこと、並びに太陽エネルギーの貯蔵及び移送が困難であることが、問題となると考えられる。

これに対して、太陽エネルギーのエネルギー密度が低いという問題は、巨大な反射装置で太陽エネルギーを集めることによって解決することが提案されている。

反射装置は、太陽光による紫外線や熱、風雨、砂嵐などに晒されるため、従来、ガラス製ミラーが用いられてきた。ガラス製ミラーは環境に対する耐久性が高い反面、輸送時に破損したり、質量が重いために、ミラーを設置する架台の強度を持たせるために、プラントの建設費がかさむといった問題があった。

上記問題を解決するために、ガラス製ミラーを樹脂製反射シートに置き換えることが考えられてきたが（例えば特許文献１参照）、反射層に銀などの金属を用いる場合、樹脂基材は一般的に耐熱温度が低いために、蒸着法のような、生産性の低い真空プロセスの他には、実用上適用できるプロセスがこれまで無かった。

生産性が高いウェットプロセスが適用可能な銀成膜プロセスとして、銀ナノ粒子をインクジェット法などを用いて塗布する方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。しかしながら、銀ナノ粒子を塗布する方法では、成膜時に少なくとも１５０℃以上、時には２５０℃程度の焼成温度が必要になること、成膜後にも銀ナノ粒子周辺に有機成分が残存するため、長期間紫外線に晒されることで、銀反射層が黄色に変化してしまうなどの問題が生じていた。

この問題に対して、銀インクを有機溶媒に可溶性の銀錯体インクが提案されている（特許文献３参照）。この方法においては、銀錯体インクを基材に成膜した後、加熱することで有機分が分解・揮発し、銀膜中に有機分が残存しないことから、紫外線照射などによる黄色変化といった問題が生じにくいといった長所が挙げられる。しかしながら、加熱温度は１３０℃以上が必要であり、汎用性の高い樹脂基材への適用は困難であった。

特開２００５−５９３８２号公報 特開２００４−２７３２０５号公報 特表２００９−５３５６６１号公報

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、銀反射層の正反射率が高く、また経時による正反射率の低下を防止するとともに、軽量で柔軟性があり、製造コストを抑え大面積化・大量生産することのできる耐光性及び耐候性に優れたフィルムミラー、その製造方法、及びそれを用いた太陽光反射用ミラーを提供することである。

本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。

樹脂基材に少なくとも一層の銀反射層を有するフィルムミラーにおいて、加熱焼成後に配位子が気化・脱離しうる銀錯体化合物を用いて該樹脂基材上に塗布膜を形成し、該塗布膜を加熱乾燥した後、赤外線、マイクロ波または超音波を用いて加熱処理することにより該銀反射層が形成されるものであることを特徴とするフィルムミラー。

２．前記フィルムミラーにおいて、前記銀錯体化合物が、アンモニウムカルバメート系またはアンモニウムカーボネート系化合物を銀化合物と反応することにより得られた銀錯体化合物であることを特徴とする前記１に記載のフィルムミラー。

３．前記フィルムミラーにおいて、前記加熱処理が、前記銀錯体化合物の塗布膜に断続的に繰り返す加熱であることにより銀反射層が形成されることを特徴とする、前記１または２に記載のフィルムミラーの製造方法。

４．前記フィルムミラーの製造方法において、前記局所的加熱が、前記銀錯体化合物の塗布膜に赤外線を照射することにより加熱する方法であることを特徴とする、前記３に記載のフィルムミラーの製造方法。

６．前記１または２に記載のフィルムミラーを用いることを特徴とする太陽光反射用ミラー。

本発明により、銀反射層の正反射率が高く、また経時による正反射率の低下を防止するとともに、軽量で柔軟性があり、製造コストを抑え大面積化・大量生産することのできる耐光性及び耐候性に優れたフィルムミラー、その製造方法、及びそれを用いた太陽光反射用ミラーを提供することができた。

以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。

本発明者らは、上記問題・状況を鑑みて、鋭意検討した結果、銀反射層が加熱焼成後に配位子が気化・脱離しうる銀錯体化合物を用いて樹脂基材上に塗布膜を形成し、更に塗布膜を局所的加熱が可能な加熱手段によって銀反射層を形成することにより、正反射率が高く、長期間外部環境に晒された後にも正反射率を高く維持できることを見出し、本発明に至った次第である。

上記方法により形成されたフィルムミラーは、蒸着法のような真空プロセスを用いる方法に比べ、真空プロセスを必要とせず、連続生産適性があることから、製造コストも安価に抑えることができる。

〔フィルムミラーの構成〕
本発明のフィルムミラーは、樹脂基材とその上に少なくとも一層の銀反射層を有し、加熱焼成後に配位子が気化・脱離しうる銀錯体化合物を用いて樹脂基材上に塗布膜を形成し、該塗布膜の局所的加熱において該銀反射層が形成されることを特徴とする。構成層として、樹脂基材、銀反射層の他に、接着層、上部隣接層、等の特別な機能層を設けることも好ましい態様である。

（加熱焼成後に配位子が気化・脱離しうる銀錯体化合物）
加熱焼成後に配位子が気化・脱離しうる銀錯体化合物とは、溶液中では銀が安定に溶解するための配位子を有するが、溶媒を除去し、加熱焼成することによって、配位子が熱分解し、ＣＯ_２や低分子量のアミン化合物となり、気化・脱離し、金属銀のみが残存することのできる銀錯体化合物のことをいう。

このような錯体の例は、公知である特表２００９−５３５６６１号、特表２０１０−５００４７５号等に記載されており、下記一般式（１）で表される銀化合物と、一般式（２）〜（４）で表されるアンモニウムカルバメート系またはアンモニウムカーボネート系化合物とを反応して得られる銀錯体化合物であることが好ましい。

また、本発明の銀錯体化合物は銀コーティング液組成物に含まれ、これを塗布することにより樹脂基板上に本発明に係る錯体を含む塗布膜が形成される。

一般式（１）
Ａｇ_ｎＸ

（一般式（１）〜（４）において、Ｘは、酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、カルボキシレート、及びこれらの誘導体から選択される置換基であり、ｎは、１〜４の整数であって、Ｒ^１〜Ｒ^６は、互いに独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ３０の脂肪族や脂環族アルキル基、アリール基またはアラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基、官能基が置換されたアルキル及びアリール基、ヘテロ環化合物基と高分子化合物及びその誘導体から選択される置換基である。）
一般式（１）の具体例としては例えば、酸化銀、チオシアネート化銀、硫化銀、塩化銀、シアン化銀、シアネート化銀、炭酸銀、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、燐酸銀、過塩素酸銀、四フッ素ボレート化銀、アセチルアセトネート化銀、酢酸銀、乳酸銀、シュウ酸銀及びその誘導体などが挙げられるが、これに限定されるものではない。

また、一般式（２）〜（４）において、Ｒ^１〜Ｒ^６は、具体的に例えば、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、アミル、ヘキシル、エチルヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アリール、ヒドロキシ、メトキシ、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシプロピル、シアノエチル、エトキシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、カルボキシメチル、トリメトキシシリルプロピル、トリエトキシシリルプロピル、フェニル、メトキシフェニル、シアノフェニル、フェノキシ、トリル、ベンジル及びその誘導体、そしてポリアリールアミンやポリエチレンアミンのような高分子化合物及びこれらの誘導体などが挙げられるが、これに限定されるものではない。

一般式（２）〜（４）の化合物例として、具体的に例えば、アンモニウムカルバメート（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｃａｒｂａｍａｔｅ）、アンモニウムカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アンモニウムバイカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｂｉｃａｒｂｏｎａｔｅ）、エチルアンモニウム エチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、ｎ−ブチルアンモニウム ｎ−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウム イソブチルカルバメート、ｔ−ブチルアンモニウム ｔ−ブチルカルバメート、２−エチルヘキシルアンモニウム ２−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウム オクタデシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム ２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム ２−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウム ジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウム メチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミンアンモニウム ヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリニウム モルホリンカルバメート、ピリジウムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウム イソプロピルバイカルバメート、ベンジルアンモニウム ベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウム トリエトキシシリルプロピルカルバメート、エチルアンモニウム エチルカーボネート、イソプロピルアンモニウム イソプロピルカーボネート、イソプロピルアンモニウム バイカーボネート、ｎ−ブチルアンモニウム ｎ−ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウム イソブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウム ｔ−ブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウム バイカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウム ２−エチルヘキシルカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウム バイカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウム ２−メトキシエチルカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウム バイカーボネート、２−シアノエチルアンモニウム ２−シアノエチルカーボネート、２−シアノエチルアンモニウム バイカーボネート、オクタデシルアンモニウム オクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウム ジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウム ジオクタデシルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウム バイカーボネート、メチルデシルアンモニウム メチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミンアンモニウム ヘキサメチレンイミンカーボネート、モルホリンアンモニウム モルホリンカーボネート、ベンジルアンモニウム ベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウム トリエトキシシリルプロピルカーボネート、ピリジウム バイカーボネート、トリエチレンジアミニウム イソプロピルカーボネート、トリエチレンジアミニウム バイカーボネート、及びその誘導体から選択される１種または２種以上の混合物などが挙げられるが、これに限定されるものではない。

一方、上記のアンモニウムカルバメートまたはアンモニウムカーボネート系化合物の種類及び製造方法は、特に制限する必要はない。例えば、米国特許第４，５４２，２１４号では、第１アミン、第２アミン、第３アミン、または少なくとも１つ以上のこれらの混合物と二酸化炭素からアンモニウムカルバメート系化合物が製造できると記述しており、前記アミン１モル当り水０．５モルをさらに添加すると、アンモニウムカーボネート系化合物が得られて、水１モル以上を添加する場合は、アンモニウムバイカーボネート系化合物を得ることができる。この際、常圧または加圧状態で特別な溶媒を使用せずに直接製造するか、溶媒を使用する場合、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテートのようなアセテート類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタンのような炭化水素系、ベンゼン、トルエンのような芳香族、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒またはこれらの混合溶媒などが挙げられて、二酸化炭素は、気相状態でバブリング（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）するか、固体相ドライアイスを使用することができて、超臨界（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ）状態でも反応することができる。本発明で使用されるアンモニウムカルバメートまたはアンモニウムカーボネート誘導体の製造には、上記の方法の他にも、最終物質の構造が同一であれば、公知のいかなる方法を使用してもよい。即ち、製造のための溶媒、反応温度、濃度または触媒などを特に限定する必要はなく、製造収率にも影響しない。

このように製造されたアンモニウムカルバメートまたはアンモニウムカーボネート系化合物と銀化合物とを反応して、有機銀錯体化合物を製造することができる。例えば、一般式（１）に示したような少なくとも一つ以上の銀化合物と、一般式（２）〜（４）に示したような少なくとも一つ以上のアンモニウムカルバメートまたはアンモニウムカーボネート誘導体及びこれらの混合物を、窒素雰囲気の常圧または加圧状態で、溶媒を使用せずに直接反応するか、溶媒を使用する場合、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテートのようなアセテート類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタンのような炭化水素系、ベンゼン、トルエンのような芳香族、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒またはこれらの混合溶媒などを使用することができる。

本発明で使用される銀錯体化合物の製造には、上記の方法の他に、一般式（１）の銀化合物と一つ以上のアミン化合物とが混合された溶液を製造した後、二酸化炭素を反応して、銀錯体化合物を製造することもできる。上記のように、窒素雰囲気の常圧または加圧状態で、溶媒を使用せずに直接反応するか、溶媒を使用して反応することができる。しかしながら、最終物質の構造が同一であれば、公知の如何なる方法を使用してもよい。即ち、製造のための溶媒、反応温度、濃度または触媒の使用有無などを特に限定する必要はなく、製造収率にも影響しない。

本発明で使用される銀錯体化合物は、特表２００８−５３０００１号公報にその製造方法が記載されており、下記一般式（５）の構造で認識される。

一般式（５）
Ａｇ［Ａ］ｍ
（一般式（５）において、Ａは、一般式（２）〜（４）の化合物であり、ｍは、０．５〜１．５である。）
本発明の高反射、高光沢の反射面の形成のために使用される銀コーティング液組成物は、前記の銀錯体化合物を含み、必要に応じて、溶媒、安定剤、レベリング剤（Ｌｅｖｅｌｉｎｇ ａｇｅｎｔ）、薄膜補助剤、還元剤、熱分解反応促進剤の添加剤を、本発明の銀コーティング組成物に含むことができる。

補助剤、還元剤、熱分解反応促進剤の添加剤を、本発明の銀コーティング組成物に含むことができる。

一方、前記安定剤としては例えば、第１アミン、第２アミンまたは第３アミンのようなアミン化合物や、前記アンモニウムカルバメート、アンモニウムカーボネート、アンモニウムバイカーボネート系化合物、またはホスフィン（ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）、ホスファイ（ｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）、ホスフェート（ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）のようなリン化合物、チオール（ｔｈｉｏｌ）やスルフィド（ｓｕｌｆｉｄｅ）のような硫黄化合物と、少なくとも一つ以上のこれらの混合物が挙げられ、アミン化合物としては、具体的に例えば、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、イソアミルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、イソオクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ドコデシルアミン、シクロプロピルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アリールアミン、ヒドロキシアミン、アンモニウムヒドロキシド、メトキシアミン、２−エタノールアミン、メトキシエチルアミン、２−ヒドロキシプロピルアミン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピルアミン、メトキシプロピルアミン、シアノエチルアミン、エトキシアミン、ｎ−ブトキシアミン、２−ヘキシルオキシアミン、メトキシエトキシエチルアミン、メトキシエトキシエトキシエチルアミン、ジメチルアミン、ジプロピルアミン、ジエタノールアミン、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、２，２−（エチレンジオキシ）ビスエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、アミノアセトアルデヒドジメチルアセタル、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、アニリン、アニシジン、アミノベンゾニトリル、ベンジルアミン及びその誘導体、そしてポリアリールアミンやポリエチレンイミンのような高分子化合物及びその誘導体などのようなアミン化合物が挙げられる。

アンモニウムカルバメート、カーボネート、バイカーボネート系化合物として具体的に例えば、アンモニウムカルバメート（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｃａｒｂａｍａｔｅ）、アンモニウムカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アンモニウムバイカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｂｉｃａｒｂｏｎａｔｅ）、エチルアンモニウム エチルカルバメート、イソプロピルアンモニウム イソプロピルカルバメート、ｎ−ブチルアンモニウム ｎ−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウム イソブチルカルバメート、ｔ−ブチルアンモニウム ｔ−ブチルカルバメート、２−エチルヘキシルアンモニウム ２−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウム オクタデシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム ２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム ２−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウム ジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウム ジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウム メチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミンアンモニウム ヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリニウム モルホリンカルバメート、ピリジウムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウム イソプロピルバイカルバメート、ベンジルアンモニウム ベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウム トリエトキシシリルプロピルカルバメート、エチルアンモニウム エチルカーボネート、イソプロピルアンモニウム イソプロピルカーボネート、イソプロピルアンモニウム バイカーボネート、ｎ−ブチルアンモニウム ｎ−ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウム イソブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウム ｔ−ブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウム バイカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウム ２−エチルヘキシルカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウム バイカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウム ２−メトキシエチルカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウム バイカーボネート、２−シアノエチルアンモニウム ２−シアノエチルカーボネート、２−シアノエチルアンモニウム バイカーボネート、オクタデシルアンモニウム オクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウム ジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウム ジオクタデシルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウム バイカーボネート、メチルデシルアンモニウム メチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミンアンモニウム ヘキサメチレンイミンカーボネート、モルホリンアンモニウム モルホリンカーボネート、ベンジルアンモニウム ベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウム トリエトキシシリルプロピルカーボネート、ピリジウム バイカーボネート、トリエチレンジアミニウム イソプロピルカーボネート、トリエチレンジアミニウム バイカーボネート、及びその誘導体などが挙げられる。

また、リン化合物としては、一般式Ｒ_３Ｐ、（ＲＯ）_３Ｐまたは（ＲＯ）_３ＰＯで表されるリン化合物で挙げられる。ここでＲは、炭素数１〜２０のアルキルまたはアリール基を示し、具体的に例えば、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、ジベンジルホスフェート、トリエチルホスフェートなどが挙げられる。

そして、硫黄化合物として、具体的に例えば、ブタンチオール、ｎ−ヘキサンチオール、ジエチルスルフィド、テトラヒドロチオフェン、アリールジスルフィド、２−メルカプトベンゾアゾール、テトラヒドロチオフェン、オクチルチオグリコレートなどが挙げられる。

このような安定剤の使用量は、本発明のインク特性に符合する限り、特に制限する必要はない。しかしながら、その含量は、銀化合物に対し、モル比で０．１％〜９０％が好ましい。

また、薄膜補助剤としては、有機酸及び有機酸誘導体、または少なくとも一つ以上のこれらの混合物が挙げられる。具体的に例えば、酢酸、酪酸（Ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ）、吉草酸（Ｖａｌｅｒｉｃ ａｃｉｄ）、ピバル酸（Ｐｉｖａｌｉｃ ａｃｉｄ）、ヘキサン酸、オクタン酸、２−エチル−ヘキサン酸、ネオデカン酸（Ｎｅｏｄｅｃａｎｏｉｃ ａｃｉｄ）、ラウリン酸（Ｌａｕｒｉｃ ａｃｉｄ）、ステアリン酸、ナフタル酸などの有機酸が挙げられ、有機酸誘導体としては、具体的に例えば、酢酸アンモニウム塩、クエン酸アンモニウム塩、ラウリン酸アンモニウム塩、乳酸アンモニウム塩、マレイン酸アンモニウム塩、シュウ酸アンモニウム塩、モリブデン酸アンモニウム塩などの有機酸アンモニウム塩と、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｃ、Ｔｈなどのような金属を含むシュウ酸マンガン、酢酸金、シュウ酸パラジウム、２−エチルヘキサン酸銀、オクタン酸銀、ネオデカン酸銀、ステアリン酸コバルト、ナフタル酸ニッケル、ナフタル酸コバルトなどの有機酸金属塩が挙げられる。前記薄膜補助剤の使用量は、特に限定されないが、銀錯体化合物に対して、モル比で０．１〜２５％が好ましい。

前記還元剤としては、ルイス酸または弱いブレンステッド酸（ｂｒｏｎｓｔｅｄ ａｃｉｄ）が挙げられ、具体的に例えば、ヒドラジン、ヒドラジンモノハイドレート、アセトヒドラジド、 水酸化ホウ素ナトリウムまたは水酸化ホウ素カリウム、ジメチルアミンボラン、ブチルアミンボランのようなアミン化合物、第１塩化鉄、乳酸鉄のような金属塩、水素、ヨウ化水素、一酸化炭素、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、グリオキサールのようなアルデヒド化合物、ギ酸メチル、ギ酸ブチル、トリエチル−ｏ−ギ酸のようなギ酸化合物、グルコース、アスコルビン酸、ヒドロキノンのような還元性有機化合物を少なくとも一つ以上含むこれらの混合物を挙げることができる。

前記熱分解反応促進剤としては、具体的に例えば、エタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、ブタノールアミン、ヘキサノールアミン、ジメチルエタノールアミンのようなヒドロキシアルキルアミン類、ピペリジン、Ｎ−メチルピペリジン、ピペラジン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルピペラジン、１−アミノ−４メチルピペラジン、ピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、モルホリンのようなアミン化合物、アセトンオキシム、ジメチルグリオキシム、２−ブタノンオキシム、２，３−ブタジオンモノオキシムのようなアルキルオキシム類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールのようなグリコール類、メトキシエチルアミン、エトキシエチルアミン、メトキシプロピルアミンのようなアルコキシアルキルアミン類、メトキシエタノール、メトキシプロパノール、エトキシエタノールのようなアルコキシアルカノール類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、アセトール、ジアセトンアルコールのようなケトンアルコール類、多価フェノール化合物、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ピロール、エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）のような酸化重合性樹脂などが挙げられる。

なお、銀コーティング液組成物の粘度調節や円滑な薄膜形成のために溶媒が必要な場合があるが、この際使用できる溶媒としては、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１−メトキシプロパノール、ブタノール、エチルヘキシルアルコール、テルピネオールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、メトキシプロピルアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテートのようなアセテート類、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、１−メチル−２−ピロリドンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタン、ドデカン、パラフィンオイル、ミネラルスピリットのような炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、またはこれらの混合溶媒などを使用することができる。

（局所的加熱）
本発明では、加熱焼成後に配位子が気化・脱離しうる銀錯体化合物を用いて樹脂基材上に塗布膜を形成し、塗布膜の局所的加熱において銀反射層を形成する。本発明における塗布層の「局所的加熱」とは、樹脂基材を実質的に加熱劣化させることなく、実質的に塗布層を（樹脂基材より１０℃以上、好ましくは２０℃以上高温に）加熱することを意味している。この加熱により、本発明に係る錯体は金属銀に焼成される。このための局所的加熱方法としては、従来公知の種々の方法を採用することができる。例えば、赤外線ヒーターによる加熱、熱風、マイクロ波、超音波加熱、誘導加熱などを、適宜選択することができる。

局所的に加熱するためには、前記加熱手段を支持体とは反対側から適用することが好ましい。一旦金属銀層が形成されると、この層が加熱手段に対して遮蔽効果をもつために、樹脂基材での加熱劣化を少なくすることができる。また、照射を断続的に繰り返す事により、加熱と放熱を制御できるので、樹脂基材への加熱を避ける事が容易となり、平面性に優れた銀反射層の形成が可能になる。更に、銀反射層の形成時に樹脂基材に局所的に加熱することにより、樹脂基材への加熱によるダメージが極小に抑えられ、結果として銀反射層形成後の耐候性や耐光性に対しても、良好な結果を示すことを見出した。

赤外線の断続照射やマイクロ波等の電磁波及び超音波を用いる方法は、この遮蔽効果が大きく、また容易にその強度や、繰り返し照射時間を制御できるので好ましい。

赤外線の照射手段としては、赤外線ランプ、赤外線ヒーター等の照射装置を用いることができる。無機酸化物層を形成することができれば、赤外線照射装置による照射は一回で行われてもよいが、塗布層を局所的に加熱するためには赤外線照射を断続的に繰り返す方法が好ましく用いられる。赤外線照射を断続的に繰り返す方法としては、例えば、赤外線照射装置のオンオフを短時間で繰り返す方法、赤外線照射装置と非照射物との間に遮蔽板を設けて、遮蔽板を動かすことで繰り返し照射する方法、非照射物（樹脂フィルム）の搬送方向の複数個所に赤外線照射装置を設け、非照射物を搬送させることで赤外線照射を繰り返し行う方法などが挙げられる。

マイクロ波は、周波数１ＧＨｚ〜３ＴＨｚ、波長０．１〜３００ｍｍ位のＵＨＦ〜ＥＨＦ帯の総称で、２．４５ＧＨｚの周波数のマイクロ波発生装置が一般的であるが、１〜１００ＧＨｚの周波数のマイクロ波を用いることができる。例えば、２．４５ＧＨｚマイクロ波照射機（四国計測工業（株）製 μ−ｒｅａｃｔｏｒ）、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を照射するマイクロ波発生装置（マグネトロン）等を挙げることができる。

本願において、「超音波」とは、１０ｋＨｚ以上の振動数の弾性振動波（音波）をいう。本発明に係る超音波による加熱方法としては、ホーンの周波数は、５０ｋＨｚ以下の範囲の周波数で、加熱すことが好ましい。

マイクロ波や超音波を用いて塗布層の加熱を行う場合も、赤外線照射と同様に例えば短時間の加熱を断続的に繰り返すことで、樹脂基材の劣化を引き起こすことなく樹脂塗布層のみを局所的に加熱する方法が好ましく用いられる。

筆者らは鋭意検討の結果、熱源に電磁波を用いる場合は赤外線が好ましく、赤外線ヒーターを用いることにおいて、加熱により生成する銀反射層が熱源からの赤外線を遮ることで、樹脂基材への熱源からの熱ダメージを最大限に防止できることを見出した。

（銀反射層）
本発明に係る銀反射層は前記したように加熱焼成後に配位子が気化・脱離しうる銀錯体化合物を用いて樹脂基材上に塗布膜を形成し、該塗布膜の局所的加熱において該銀反射層が形成される。

塗布膜の形成方法としては、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法等、従来公知のコーティング方法が使用できる。

当該銀反射層の厚さは、反射率等の観点から、１０〜２００ｎｍが好ましく、より好ましくは３０〜１５０ｎｍである。

（樹脂基材）
本発明に係る樹脂基材としては、従来公知の種々の樹脂フィルムを用いることができる。例えば、セルロースエステル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリアリレート系フィルム、ポリスルホン（ポリエーテルスルホンも含む）系フィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セルローストリアセテートフィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン系樹脂フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、アクリルフィルム等を挙げることができる。中でも、ポリカーボネート系フィルム、ポリエステル系フィルム、ノルボルネン系樹脂フィルム、及びセルロースエステル系フィルムが好ましい。

特にポリエステル系フィルム、セルロースエステル系フィルムを用いることが好ましく、溶融流延製膜で製造されたフィルムであっても、溶液流延製膜で製造されたフィルムであってもよい。

当該樹脂基材の厚さは、樹脂の種類及び目的等に応じて適切な厚さにすることが好ましい。例えば、一般的には、１０〜３００μｍの範囲内である。好ましくは２０〜２００μｍ、更に好ましくは３０〜１００μｍである。

（上部隣接層）
本発明のフィルムミラーに用いられる上部隣接層は、銀反射層の樹脂基材から遠い側に隣接し、銀の腐食劣化を防ぐとともに、銀反射層の傷防止及び、上部隣接層の外側に形成されるバリア層や傷防止層との接着力向上に寄与するものである。

当該上部隣接層に使用するバインダーとしての樹脂は、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ系樹脂等の単独またはこれらの混合樹脂が使用でき、耐候性の点からポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂が好ましく、さらにイソシアネート等の硬化剤を混合した熱硬化型樹脂とすればより好ましい。

イソシアネートは、ＴＤＩ（トリレンジイソシアネート）系、ＸＤＩ（キシレンジイソシアネート）系、ＭＤＩ（メチレンジイソシアネート）系、ＨＭＤＩ（ヘキサメチレンジイソシアネート）系等の従来から使用されてきた各種イソシアネートが使用可能であるが、耐候性の点から、ＸＤＩ系、ＭＤＩ系、ＨＭＤＩ系のイソシアネートを使用するのが好ましい。

上部隣接層の厚さは、密着性、耐候性等の観点から、０．０１〜３μｍが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。

上部隣接層の形成方法は、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法等、従来公知のコーティング方法が使用できる。

また、上記隣接層には、目的に応じて、後述のような腐食防止剤や紫外線吸収剤を含有させることが好ましい。

（接着層）
接着層は樹脂基材（樹脂フィルム）上に設けて樹脂基材と反射層との接着性を高める機能を有する。該接着層は樹脂からなることが好ましい。従って、当該接着層は、樹脂基材（樹脂フィルム）と金属反射層とを密着する密着性、金属反射層を真空蒸着法等で形成する時の熱にも耐え得る耐熱性、及び金属反射層が本来有する高い反射性能を引き出すための平滑性が必要である。

該接着層に使用するバインダーとしての樹脂は、上記の密着性、耐熱性、及び平滑性の条件を満足するものであれば特に制限はなく、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、塩化ビニル系樹脂、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体系樹脂等の単独またはこれらの混合樹脂が使用でき、耐候性の点からポリエステル系樹脂とメラミン系樹脂の混合樹脂が好ましく、さらにイソシアネート等の硬化剤を混合した熱硬化型樹脂とすればより好ましい。

該接着層の厚さは、密着性、平滑性、反射材の反射率等の観点から、０．０１〜３μｍが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。

該接着層の形成方法は、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法等、従来公知のコーティング方法が使用できる。

また、該接着層には、その目的に応じて、腐食防止剤や紫外線吸収剤を含有させることが好ましい。

（フィルムミラー全体の厚さ）
本発明に係るフィルムミラー全体の厚さは、ミラーがたわみ防止、正反射率、取り扱い性等の観点から、７５〜２５０μｍが好ましく、更に好ましくは９０〜２３０μｍ、更に好ましくは１００〜２２０μｍである。

（太陽光反射用ミラー）
本発明のフィルムミラーは、太陽光を集光する目的において、好ましく使用できる。フィルムミラー単体で太陽光反射用ミラーとして用いることもできるが、より好ましくは、樹脂基材を挟んで銀反射層を有する側と反対側の樹脂基材面に塗設された粘着層を介して、他基材上に、特に金属基材上に、当該フィルムミラーを貼り付けて太陽光反射用ミラーとして用いることである。

太陽光反射用ミラーとして用いる場合、反射鏡の形状を樋状（半円筒状）として、半円の中心部分に内部に流体を有する筒状部材を設け、筒状部材に太陽光を集光させることで内部の流体を加熱し、その熱エネルギーを変換して発電する形態が一形態として挙げられる。また、平板状の反射鏡を複数個所に設置し、それぞれの反射鏡で反射された太陽光を一枚の反射鏡（中央反射鏡）に集光させて、反射鏡により反射して得られた熱エネルギーを発電部で変換することで発電する形態も一形態として挙げられる。特に後者の形態においては、用いられる反射鏡に高い正反射率が求められる為、本発明のフィルムミラーが特に好適に用いられる。

〈粘着層〉
粘着層としては、特に制限されず、例えばドライラミネート剤、ウエットラミネート剤、粘着剤、ヒートシール剤、ホットメルト剤などのいずれもが用いられる。

例えばポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ニトリルゴムなどが用いられる。

ラミネート方法は特に制限されず、例えばロール式で連続的に行うのが経済性及び生産性の点から好ましい。

粘着層の厚さは、粘着効果、乾燥速度等の観点から、通常１〜５０μｍ程度の範囲であることが好ましい。

本発明に適宜採用される本発明のフィルムミラーと貼り合せられる他基材としては、銀反射層層の保護性を付与できるものであればよく、例えば、アクリルフィルム又はシート、ポリカーボネートフィルム又はシート、ポリアリレートフィルム又はシート、ポリエチレンナフタレートフィルム又はシート、ポリエチレンテレフタレートフィルム又はシート、フッ素フィルムなどのプラスチックフィルム又はシート、又は酸化チタン、シリカ、アルミニウム粉、銅粉などを練り込んだ樹脂フィルム又はシート、これらを練り込んだ樹脂をコーティングしたり金属蒸着などの表面加工を施した樹脂フィルム又はシートが用いられる。

貼り合わせフィルム又はシートの厚さは、特に制限はないが通常１２〜２５０μｍの範囲であることが好ましい。

また、これらの他基材は本発明のフィルムミラーと貼り合わせる前に凹部や凸部を設けてから貼り合せてもよく、貼り合せた後で凹部や凸部を有するように成形してもよく、貼り合わせと凹部や凸部を有するように成形することを同時にしてもよいものである。

〈金属基材〉
本発明に係る太陽光反射用ミラーの金属基材としては、鋼板、銅板、アルミニウム板、アルミニウムめっき鋼板、アルミニウム系合金めっき鋼板、銅めっき鋼板、錫めっき鋼板、クロムめっき鋼板、ステンレス鋼板など熱伝導率の高い金属材料を用いることができる。 本発明においては、特に耐食性の良好なめっき鋼板、ステンレス鋼板、アルミニウム板などにすることが好ましい。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。

［比較例１］
基材として、２軸延伸ポリエステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ１００μｍ）を用いた。上記ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、ポリエステル樹脂（ポリエスター ＳＰ−１８１ 日本合成化学製）、メラミン樹脂（スーパーベッカミンＪ−８２０ ＤＩＣ製）、ＴＤＩ系イソシアネート（２，４−トリレンジイソシアネート）、ＨＤＭＩ系イソシアネート（１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート）を樹脂固形分比率で２０：１：１：２に、固形分濃度１０％となるようにトルエン中に混合した樹脂を、グラビアコート法によりコーティングして、厚さ０．１μｍの接着層を形成し、接着層上に、銀反射層として、真空蒸着法により厚さ８０ｎｍの銀反射層を形成し、銀反射層上に、ポリエステル系樹脂とＴＤＩ（トリレンジイソシアネート）系イソシアネートを樹脂固形分比率で１０：２に混合した樹脂を、グラビアコート法によりコーティングして、厚さ３．０μｍの上部隣接層を形成した。

次に、上部隣接層の上からドライラミネーションプロセスにより、透明アクリルフィルム（三菱レイヨン製アクリプレンＨＢＳ０１０Ｐ 厚さ７５μｍ）を貼合した。更に上記ポリエステル樹脂の下部に、重量平均分子量５０万の付加反応型シリコーン系粘着剤１００部に白金系触媒１部を加えて３５質量％トルエン溶液とし、これを厚さ２５μｍのポリエステルフィルムの片面に塗布し、１３０℃で５分間加熱して厚さ３５μｍのシリコーン系粘着層（Ｓｉ系）を形成し比較例１のフィルムミラーを得た。

（太陽光反射用ミラーの作製）
厚さ０．１ｍｍで、たて４ｃｍ×よこ５ｃｍのアルミ板と上記比較例１の反射フィルムのポリエチレンテレフタレートフィルム面側とを、粘着層を介して貼り合せて、太陽光反射用ミラー（Ａ）を得た。同様にして、下記比較例２、３及び実施例のフィルムミラーを用いて、太陽光反射用ミラーをそれぞれ作製した。

［比較例２］
比較例１で得られたサンプルに対して、銀反射層として蒸着の替わりに、市販されている銀の超微粒子分散液（商品名：独立分散超微粒子Ａｇ１Ｔ 真空冶金製）、具体的には、銀超微粒子３５質量部、アルキルアミンとして、ドデシルアミン（分子量１８５．３６、沸点２４８℃）７質量部、有機溶剤として、トルエン５８質量部を含む、平均粒子径３ｎｍの銀超微粒子の分散液を、加熱乾燥後の銀の膜厚が８０ｎｍとなるように塗布した後、ドライオーブンにて両面から均一に加熱１５０℃、１０分間加熱乾燥し、銀反射層を形成したこと以外は、比較例１と同様の方法により、比較例２のサンプルを得た。

また、比較例２のフィルムミラーを用いて、太陽光反射用ミラー（Ｂ）を得た。

［比較例３］
（銀コーティング液組成物Ａ）の調製
攪拌器付き５００ｍｌのシュレンク（Ｓｃｈｌｅｎｋ）フラスコに、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルカルバメート６５．０ｇ（２１５ミリモル）を１５０．０ｇのイソプロパノールに溶解させた後、酸化銀２０．０ｇ（８６．２ミリモル）を添加して、常温で反応した。前記反応溶液は、最初は黒色懸濁液（Ｓｌｕｒｒｙ）で反応が進行され、錯化合物が生成されるにつれて段々色が薄くなり、透明に変わることが観察されて、２時間反応した結果、無色透明な溶液が得られた。この溶液に、安定剤として２−ヒドロキシ−２−メチルプロピルアミン２．５ｇに、溶媒としてｎ−ブタノール８５．０ｇとアミルアルコール５０．０ｇを添加して攪拌した後、０．４５ミクロンのメンブレンフィルタ（ｍｅｍｂｒａｎｅ ｆｉｌｔｅｒ）を使用してフィルタし、熱分析（ＴＧＡ）した結果、銀含量４．８７質量％の銀コーティング液組成物Ａを製造した。

比較例２で得られたサンプルに対して、銀の超微粒子分散液を用いて作製した銀反射層の替わりに、前記銀コーティング液組成物Ａを、加熱乾燥後の銀の膜厚が８０ｎｍとなるように塗布した後、ドライオーブンにて両面から均一に１３０℃、３分間加熱乾燥し、銀反射層を形成したこと以外は、比較例２と同様の方法により、比較例３のサンプルを得た。

また、比較例３のフィルムミラーを用いて、太陽光反射用ミラー（Ｃ）を得た。

［実施例１］
比較例２で得られたサンプルに対して、銀の超微粒子分散液を用いて作製した銀反射層の替わりに、前記銀コーティング液組成物Ａを、加熱乾燥後の銀の膜厚が８０ｎｍとなるように塗布した後、ドライオーブンにて８０℃、３０分加熱乾燥し、更に近赤外線乾燥機（日本電熱（株）製ペイントドライヤーＰＤＨ１０００）を用いて、１ｋＷの出力にて、塗布面から５０ｃｍの距離において、０．５秒間の赤外線照射を１０回繰り返し、実施例１のサンプルを作製した。

また、実施例１のフィルムミラーを用いて、太陽光反射用ミラー（Ｄ）を得た。

［実施例２］
銀コーティング液組成物Ａを、実施例１と同様に銀の膜厚が８０ｎｍとなるように塗布した後、ドライオーブンにて８０℃、３０分加熱乾燥し、更にバッチ式マイクロ波加熱装置（山本ビニター（株）製）を使用し、２４５０ＭＨｚの周波数で３０秒間加熱し、実施例２のサンプルを作製した。

また、実施例２のフィルムミラーを用いて、太陽光反射用ミラー（Ｅ）を得た。

［実施例３］
銀コーティング液組成物Ａを、実施例１と同様に銀の膜厚が８０ｎｍとなるように塗布した後、ドライオーブンにて８０℃、３０分加熱乾燥し、更に市販の超音波発生装置により、１．０５ＭＨｚの周波数帯で１分間、超音波振動を与えることにより、実施例３のサンプルを作製した。

また、実施例３のフィルムミラーを用いて、太陽光反射用ミラー（Ｆ）を得た。

［実施例４］
（銀コーティング液組成物Ｂ）の調製
攪拌器付き５００ｍｌのシュレンク（Ｓｃｈｌｅｎｋ）フラスコに、イソブチルアンモニウムイソブチルカーボネート６０．８ｇ（２９２ミリモル）を１５０．０ｇのイソプロパノールに溶解させた後、酸化銀２０．０ｇ（８６．２ミリモル）を添加して、常温で反応した。前記反応溶液は、最初は黒色懸濁液（Ｓｌｕｒｒｙ）で反応が進行され、錯化合物が生成されるにつれて段々色が薄くなり、透明に変わることが観察されて、２時間反応した結果、無色透明な溶液が得られた。この溶液に、安定剤として２−ヒドロキシ−２−メチルプロピルアミン２．５ｇに、溶媒としてｎ−ブタノール８５．０ｇとアミルアルコール５０．０ｇを添加して攪拌した後、０．４５ミクロンのメンブレンフィルタ（ｍｅｍｂｒａｎｅ ｆｉｌｔｅｒ）を使用してフィルタし、熱分析（ＴＧＡ）した結果、銀含量４．８７質量％の銀コーティング液組成物Ｂを製造した。

実施例１の銀コーティング液組成物Ａの替わりに、銀コーティング液組成物Ｂを用いる以外は、実施例１と同様の方法により、実施例４のサンプルを作製した。

また、実施例４のフィルムミラーを用いて、太陽光反射用ミラー（Ｇ）を得た。

［実施例５］
（銀コーティング液組成物Ｃ）の調製
攪拌器付き５００ｍｌのシュレンク（Ｓｃｈｌｅｎｋ）フラスコに、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルカルバメート３３．８ｇ（１１１．７ミリモル）とイソブチルアンモニウムイソブチルカーボネート３０．４ｇ（１４６ミリモル）を、１６．０ｇのイソプロパノールに溶解させた後、酸化銀２０．０ｇ（８６．２ミリモル）を添加して、常温で反応した。前記反応溶液は、最初は黒色懸濁液（Ｓｌｕｒｒｙ）で反応が進行され、錯化合物が生成されるにつれて段々色が薄くなり、透明に変わることが観察されて、２時間反応した結果、無色透明な溶液が得られた。この溶液に、安定剤として２−ヒドロキシ−２−メチルプロピルアミン２．５ｇを添加して攪拌した後、０．４５ミクロンのメンブレンフィルタ（ｍｅｍｂｒａｎｅ ｆｉｌｔｅｒ）を使用してフィルタし、熱分析（ＴＧＡ）した結果、銀含量２０．５６質量％の銀コーティング液組成物Ｃを製造した。

実施例１の銀コーティング液組成物Ａの替わりに、銀コーティング液組成物Ｃを用いる以外は、実施例１と同様の方法により、実施例５のサンプルを作製した。

また、実施例５のフィルムミラーを用いて、太陽光反射用ミラー（Ｈ）を得た。

［評価］
上記で得た太陽光反射用ミラーについて、下記の方法により正反射率及び耐候性、耐光性の測定をそれぞれ行った。

＜正反射率の測定＞
島津製作所社製の分光光度計「ＵＶ２６５」に、積分球反射付属装置を取り付けたものを改造し、反射面の法線に対して、入射光の入射角を５°となるように調整し、反射角５°の正反射率を測定した。評価は、３５０ｎｍから７００ｎｍまでの平均反射率として測定した。

＜耐候性試験＞
温度８５℃、湿度８５％ＲＨの条件で３０日間放置後のフィルムミラーの正反射率を、上記光線反射率測定と同様の方法により測定し、強制劣化前のフィルムミラーの正反射率と強制劣化後のフィルムミラーの正反射率から、キセノンランプ照射前後における正反射率の低下率を算出し、耐候性を評価した。以下に耐候性試験の評価基準を記す。
５：正反射率の低下率が５％未満
４：正反射率の低下率が５％以上１０％未満
３：正反射率の低下率が１０％以上１５％未満
２：正反射率の低下率が１５％以上２０％未満
１：正反射率の低下率が２０％以上
＜耐光性試験＞
得られたサンプルを岩崎電気製アイスーパーＵＶテスターを用いて、６５℃の環境下で７日間紫外線照射を行ったのち、上記方法により正反射率を測定し、紫外線照射前後における正反射率の低下率を算出し、耐光性を評価した。以下に耐光性試験の評価基準を記す。
５：正反射率の低下率が５％未満
４：正反射率の低下率が５％以上１０％未満
３：正反射率の低下率が１０％以上１５％未満
２：正反射率の低下率が１５％以上２０％未満
１：正反射率の低下率が２０％以上
得られた各種フィルムミラーの内容を下記表１に、評価した結果を下記表２に示す。

なお表１中、銀反射層の欄には銀反射層の形成手段を示した。銀ナノ粒子とは、超微粒子分散液の加熱焼成処理で作成したことを表し、銀錯体インクＡ〜Ｃは銀コーティング組成物Ａ〜Ｃを表１中の加熱手段によって加熱焼成処理を施して銀反射層を形成したことを表す。

表２に示した評価結果から明らかなように本発明に係る実施例の各種特性は、比較例に対して優れていることが分かる。すなわち、本発明の上記手段により、銀反射層の劣化による正反射率の低下を防止するとともに、軽量で柔軟性があり、製造コストを抑え大面積化・大量生産することのできる耐光性、耐候性及び耐傷性に優れ、太陽光に対して良好な正反射率を有するフィルムミラーであり、かつ基材に対して貼合、剥離が容易に行えるために、交換容易なフィルムミラー、その製造方法、及びそれを用いた太陽熱発電用反射装置を提供することができることが分かる。

Claims (5)

1. 樹脂基材に少なくとも一層の銀反射層を有するフィルムミラーにおいて、加熱焼成後に配位子が気化・脱離しうる銀錯体化合物を用いて該樹脂基材上に塗布膜を形成し、該塗布膜を加熱乾燥した後、赤外線、マイクロ波または超音波を用いて加熱処理することにより該銀反射層が形成されるものであることを特徴とするフィルムミラー。
2. 前記フィルムミラーにおいて、前記銀錯体化合物が、アンモニウムカルバメート系またはアンモニウムカーボネート系化合物を銀化合物と反応することにより得られた銀錯体化合物であることを特徴とする請求項１に記載のフィルムミラー。
3. 前記フィルムミラーにおいて、前記加熱処理が、前記銀錯体化合物の塗布膜に断続的に繰り返す加熱であることにより銀反射層が形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載のフィルムミラーの製造方法。
4. 前記フィルムミラーの製造方法において、前記加熱処理が、前記銀錯体化合物の塗布膜に赤外線を照射することにより加熱する方法であることを特徴とする、請求項３に記載のフィルムミラーの製造方法。
5. 請求項１または２に記載のフィルムミラーを用いることを特徴とする太陽光反射用ミラー。