TWI355758B - Led semiconductor body and the use of led semicond - Google Patents

Description

1355758 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 LED半導體本體之應 請 102006046039.1 及 示器背光照明上的應 半導體本體而言，輻 時所獲得的電流強度 超出由所使用之材料 的老化效應就可能導 大之光密度的LED半 LED半導體即可達到 用這種具有較大之光 39項的應用方式即可 本發明係一種LED半導體本體及 用。 本專利申請要求享有德國專利申 1 020060 5 1 74 5.8 之優先權。 【先前技術】 在光學上的應用，例如投影或顯 用需要很高的光密度。對一般的led 射產生量是由LED半導體本體在運轉 決定。但是作用層內的電流密度不應 系統決定的最大電流密度，否則過大 致LED半導體本體的使用壽命縮短。 【發明內容】 本發明之目的是提出一種具有較 導體本體。 採用具有申請專利範圍第1項之 這個目的。 本發明之另外一個目的是提出應 密度的LED半導體本體的方式》 採用申請專利範圍第36項至第 達到這個目的。 本發明之其他型態及配置則是由其他附屬項來達成。 本發明的LED半導體本體具有至少一個產生輻射的第 1355758 —作用層及至少一個產生輻射的第二作用層，其中第二作 用層係沿垂直方向堆疊在第一作用層的上方，並與第一作 用層串聯在一起，同時第—作用層及第二作用層經由一個 接觸區形成導電連接。 在本發明中所謂接觸區是指一個具有相對而言較好的 導電性的區域，而且接觸區最好是沒有穿隧接觸（因此也不 會有穿遂接面）。此外，本發明的LED半導體本體之第一作 用層及第二作用層之間的載流子傳輸不需要任何穿遂接 面。這個特點的好處是也可以用很難以磊晶生長方式形成 穿遂接面的材料製造LED半導體本體。雖然也可以將作用 層並聯，以便使穿遂接面成爲多餘，但是並聯的缺點是在 串聯電阻不同的情況下，無法（或是非常困難）將相同的電 流分別注入兩個作用層。本發明的一個優點是可以經由接 觸區在第一作用層及第二作用層之間形成足夠的載流子傳 輸，以及經由串聯的方式將相同的電流注入兩個作用層。 在這個串聯配置中，最好是將作用層的Pn接面配置成 同方向，這樣就可以構成一個Pn-Pn接面構或np-.nP結構。 當然，如果有兩個以上的作用層，則最好是形成ρη-.··-ρη 接面構或ηρ-..·-ηρ結構。 除了簡單的pn接面外，作用層也可以具有一種雙異質 結構、單量子井結構、或是多量子井結構（MQW)。例如專 利 W0 0 1 /3 9282、W0 98/3 1 055、US 5,831，2 77、EP 1 017 1 13、以及US 5,6 84,3 0 9所描述的多量子井結構（MQW) ° 根據本發明的內容’接觸區的配置有兩種最適當的方 -6 ~ · v «η, 1355758 式。其中第一種方式是將接觸區配置在半導體本 緣，第二種方式是將接觸區配置在第一作用層及第 層之間，也就是將接觸區整合到led半導體本體中 由於第一作用層及第二作用層是串聯在一起， 作用層是以同方向配置的情況下’接觸區最好是將 —導電類型的半導體層及一個第二導電類型的半導 接在一起。第一導電類型的半導體層最好是沿垂直 置在第一作用層之後，而第二導電類型的半導體層 垂直方向被設置在第一導電類型的半導體層及第二 之間。例如第一導電類型的半導體層可以是一個p 的半導體層，而第二導電類型的半導體層則是一個 雜的半導體層。另外一種可行方式是，第一導電類 導體層可以是一個η型摻雜的半導體層，而第二導 的半導體層則是一個Ρ型摻雜的半導體層。這是由 之ρη接面的配置方式決定的。 爲了改善接觸區位於側緣之半導體本體的載 輸，第一導電類型的半導體層及第二導電類型的半 可以形成一個穿遂接面，除了接觸區外，這個穿遂 有助於載流子傳輸。在這種情況下，第一導電類型 體層及第二導電類型的半導體層最好都是高摻雜的 根據一種有利的實施方式，第一導電類型的半 具有一個未被半導體材料覆蓋住的第一露空區。此 二導電類型的半導體層最好具有一個未被半導體材 住的第二露空區。尤其是第二導電類型的半導體層 體的側 二作用 〇 因此在 一個第 體層連 方向設 則是沿 作用層 型摻雜 η型摻 型的半 電類型 作用層 流子傳 導體層 接面也 的半導 〇 導體層 外，第 料覆蓋 可以突 1355758 出於半導體本體的其餘部分之外，而第一導電類型的半導 體層則是突出於第二導電類型的半導體層之外。這樣半導 體本體在第一作用層及第二作用層之間的斷面上至少可以 在一個側緣形成階梯狀。此處要指出的是，LED半導體本 體具有一個由複數個層構成的層序列，而且這些層中至少 有一部分含有一種半導體材料。在本發明中，所謂未被半 導體材料覆蓋住的露空區是指沒有被層序列中的層含有的 半導體材料覆蓋住的區域。 根據一種特別有利的變化方式，接觸區的範圍從第一 露空區延伸到第二露空區。接觸區可以是一個接觸層。例 如接觸層至少可以將第一露空區及第二露空區部分覆蓋 住。 最好是依據與接觸區形成導電連接的層的橫向導電率 決定接觸區的尺寸’或是應以何種材料製作接觸區。例如， 由於P型摻雜的GaN層的橫向導電率相當低，因此在這種 情況下，應將接觸區的面積製作得相當大，或是使接觸區 含有一種導電率相當高的材料。 根據本發明之LED半導體本體的一種有利的實施方 式’接觸區含有一種金屬材料。這種接觸區的特徵是具有 相當好的導電率。這種接觸區可以使第一作用層及第二作 用層之間的載流子傳輸變得更容易。 根據本發明之LED半導體本體的一種變化方式或改良 方式’接觸區是由一種透明導電氧化物（TC〇: Transparent Conductive Oxides)構成，例如氧化銦、氧化錫氧化銦錫 1355758 (ITO)、或氧化鋅。由於含有TCO的接觸區可以讓輻射穿 透’因此在接觸·區下方產生的輻射可以穿過接觸區輸出到 半導體本體之外。 根據一種有利的實施方式，第一作用層及第二作用層 是以單片結構的方式被整合在半導體本體中。因此可以在 一個共同的製造步驟中製造出第一作用層及第二作用層。 根據一種有利的實施方式，本發明的半導體本體是一 種薄膜半導體本體。如果半導體本體是由預先製作好的層 堆疊所組成，則各單一層堆疊可以是薄膜半導體本體。薄 膜半導體本體至少具有下列特徵中的一種： -在產生輻射的磊晶層序列面對載體元件的那個主平 面上設置或形成一個反射層，這個反射層至少能夠將一部 分在磊晶層序列內產生的電磁輻射反射回去； -磊晶層序列的厚度小於或等於20μπι，尤其是在2μιη 至ΙΟμιη之間；以及 嘉晶層序列至少含有一個半導體層，這個半導體層 至少有一個面具有一個混合結構，在理想情況下，這個混 合結構能夠在磊晶生長的磊晶層序列內形成近似各態遍歷 的光線分佈，也就是說這個混合結構具有一種最大可能的 各態遍歷隨機散射性能。 在 I. S chnitzer et al ·，A p p 1 · P hy s · L e 11. 6 3 (1 6)，（ 1 9 9 3 年 10月18曰，2174-2176頁）中有關於薄膜發光二極體晶片之 基本原理的說明。 薄膜發光二極體晶片近似於一個朗伯特表面輻射源， 1-355758 因此特別適合被應用在投影機中。 如前面所述’接觸區的第二種配置 置在第一作用層及第二作用層之間’也 到LED半導體本體中。 根據一種有利的實施方式’半導體 層堆疊及一個第二層堆疊’其中第—層 層，第二層堆疊具有第二作用層。在這 觸區最好是被埋在第一層堆疊及第二層 除了第一作用層外，第一層堆疊還 類型的半導體層。除了第二作用層外， 一個第二導電類型的半導體層。最好是 分別製造出第一層堆疊及第二層堆疊。 導體本體，可以將這兩片晶圓以使第一 層及第二導電類型的半導體層彼此面對 起。 根據另外一種有利的實施方式，接 導電類型的半導體層及第二導電類型的 此在這種實施方式中，.接觸區是位於半 線路徑上，不像第一種配置方式是將接 本體的主要射線路徑之外。 根據一種有利的實施方式，接觸區 根據另外一種有利的實施方式，接 第一區及一個第二區。第二區最好是可 以是可導電的，也可以是電絕緣的。例 方式是將接觸區配 就是將接觸區整合 本體具有一個第一 堆疊具有第一作用 種實施方式中，接 堆疊之間。 具有一個第一導電 第二層堆疊還具有 由兩片單一的晶圓 爲了製造本發明的 導電類型的半導體 面的方式接合在一 觸區係設置在第一 半導體層之間。因 導體本體的主要射 觸區設置在半導體 是一個接觸層。 觸區至少具有一個 導電的。第一區可 如可以將接觸區的 -10- 1355758 第二區製作成接觸墊或長條狀的接觸接片，而第 由—種將第二區環繞住的材料所構成。第二區形 堆疊及第二層堆疊之間的導電連接。第二區可以 金屬材料。最好是將第二區設置在第一層堆疊或 疊面對對方的那一個表面上。另外一種可行的方 個層堆疊都至少具有一個第二區，同時在將兩個 在一起時，使每兩個第二區都彼此面對對方。 接觸區含有一種可以讓第一作用層及/或第 產生之輻射穿透的材料。這樣就不必擔心位於主 徑上的接觸區會造成過大的輻射損失。 接觸區可以含有一種TCO。此外，接觸區也 一種黏著劑。 此外，可以在第一導電類型的半導體層上設 一連接層，以及在第二導電類型的半導體層上設 二連接層。這兩個連接層可以進一步改善層堆疊 流子傳輸。這兩個連接層最好都含有可以讓輻射 以導電的材料，例如TCO。最好是將接觸區設置 接層及第二連接層之間。 此外，最好是經由接觸區在第一層堆疊及第 之間形成機械連接。 第一作用層及第二作用層產生的輻射最好是 的波長。這樣做的好處是可以產生比一般的LED 體更多的輻射量。 LED半導體本體的主要輻射最好是在垂直方 ~區則是 成第一層 含有一種 第二層堆 式是每一 層堆疊疊 二作用層 要射線路 可以含有 置一個第 置一個第 之間的載 穿透且可 在第一連 二層堆疊 具有相同 半導體本 向上，而 -11- •V \ 1355758 且最好是在集中在一個相當窄之立體角內的範圍內，以提 高光密度。光密度是半導體本體及立體角元件之單位發射 面積的光學效能。 第一作用層產生的輻射最好是穿透第二作用層，尤其 是在有搭配一個將作用層產生的輻射在垂直方向上反射回 去的反射層的情況下，這種作法更爲有利。因爲在這種情 況下’作用層吸收到從另外一個作用層反射過來的輻射並 不會對總輻射造成不利的影響，但如果作用層產生的輻射 波長並不相同，就會對總輻射造成不利的影體。 根據一種變化方式，在半導體本體的兩個作用層中至 少有一個作用層含有 AlnGamllli.n-mP，其中 OSnS 1， 1，n + mg 1。 ' 根據另外一種變化方式，在半導體本體的兩個作用層 中至少有—個作用層含有六丨11(33111111|_11_1^5，其中0$11$卜 根據一種變化方式，在半導體本體的兩個作用層中至 少有一個作用層含有 AlnGamIni-n_mN，其中 〇客η$ι, O^mSl，n + mSl〇 本發明的LED半導體本體很適合應用在輻射發射組件 上，因會這樣不但可以提高輻射發射組件發出的光密度， 而且還能夠進一步縮小輻射發射組件的體積。 此外，本發明的LED半導體本體（或是具有本發明之 LED半導體本體的輻射發射組件）也可以應用在—般照 明、背光照明（例如顯示器的背光照明）、以及投影機。 -12- 1T-. ^5758 【實施方式】 以下配合第1圖至第4圖的實施例對本發明的特徵、 優點、以及改進方式做進一步的說明。 在第1圖顯示的第一實施例中，led半導體本體（1)具 有一個產生輻射的第一作用層（2)及一個產生輻射的第二 作用層（3)，這兩個作用層是在垂直方向上相疊在一起’也 就是在平行於作用層的輻射方向且垂直於作用層之主延伸 方向的方向上相疊在一起。在第一作用層（2)及第二作用層 (3) 之間設有一個第一導電類型的半導體層（5)，例如一個p 型導電半導體層，以及一個第二導電類型的半導體層（6)， 例如一個η型導電半導體層。 在LED半導體本體（1)中設置兩個作用層（2, 3)的好處 是可以提高所產生的總輻射。由於具有兩個作用層的LED 半導體本體（1)的尺寸只比僅具有一個作用層的LED半導 體本體大一點點，而且LED半導體本體（1)的斷面積與作用 層的數量並無任何關係，因此可以使光密度大幅提高。 半導體本體（1)具有一個使半.導體層（5)及半導體層（6) 導電連接的接觸區（4)。最好是將半導體本體（1)的至少一個 側緣加工成使半導體層（5)及半導體層（6)的一部分露空的 狀態，以形成一個未被半導體材料覆蓋住的第一露空區（9) 及一個未被半導體材料覆蓋住的第二露空區（10)。接觸區 (4) 的範圍從第一露空區（9)延伸到第二露空區（10)，並至少 將二者覆蓋住一部分。接觸區（4)可以含有一種金屬、一種 金屬化合物 '或是一種可以讓輻射穿透的氧化物（TCO)，例 < 3 ) -13- 1355758 如 ITO 〇 此外’爲了改善導電連接，可以提高兩個半導體層（5， 6)的摻雜濃度’以便在運轉時形成一個接面電阻較低且效 率更高的穿遂接面。 半導體本體（1)具有一個沿垂直方向設置在第—作用 層（2)及第二作用層（3)之前的背面接點（7)。此外，本導體 本體（1)還具有一個沿垂直方向設置在第一作用層（2)及第 二作用層（3)之後的背面接點（8)。因此形成一個可以垂直導 體的組件，這個組件的特徵爲在LED半導體本體（1)內部的 電流分佈相當均勻。 此外，可以將LED半導體本體（1)的背面接點（7)的那 一個面設置在一個承載元件（圖式中未繪出）上。承載元件 最好是含有一種導電材料。例如LED半導體本體（1)可以是 —種薄膜半導體。在這種情況下，LED半導體本體（1)是先 在一片不同於承載元件的生長基板上生長出來，然後再被 安裝在承載元件上，例如以焊接 '鍵合、或是黏合等方式 安裝，接著最好是將生長基板從LED半導體本體上去除 掉。同時背面接點（7)也可以作爲反射層將照射在承載元件 上的輻射朝垂直方向反射回去，也就是朝LED半導體本體 (1)的輻射輸出耦合面的方向反射回去。 在第1圖顯示的實施例中，第一作用層（2)及第二作用 層（3)是以單片結構的方式被整合在半導體本體（1)中。反 之，第2圖顯示的實施例是由一個含有第一作用層（2)的第 —層堆疊（I)及一個含有第二作用層（3)的第二層堆疊（II)結 -14- 1355758 合在一起而形成LED半導體本體（1)。第2圖中的箭頭代表 將第一層堆疊（I)及第二層堆疊（II)結合在一起的製造步 驟。 在層堆疊（I)上有一個接觸層，在層堆疊（I)及層堆疊 (II)結合在一起後，這個接觸層就成爲接觸區（4)。另外一 個可行的方式是將接觸層設置在層堆疊（II)上。接觸區（4) 被整合在LED半導體本體（1)的第一作用層（2)及第二作用 層（3)之間。接觸層含有一種導電材料。此外，接觸層可以 讓第一作用層（2)及/或第二作用層（3)產生的輻射穿透。接 觸層最好是含有一種黏著劑，以便經由接觸層使第一層堆 疊（I)及第二層堆疊（II)結合在一起。 可以將背面接點（7)設置在第一層堆疊（I)，以及將正面 接點（8)設置在第二層堆疊（II)上。設置接點的動作可以在 兩個層堆疊（I，II)結合之前或之後進行。 在第3圖顯示的實施例中，LED半導體本體（1)也是具 有兩個層堆疊（I，II)，而且位於兩個層堆疊（I，II)之間的 接觸區（4)被整合到LED半導體本體（1)中。接觸區（4)具有 —個第一區（4 a)及複數個第二區（4b)。第二區（4b)被埋在第 —區（4 a)中。第二區（4b)最好是可導電的。第一區（4a)可以 是可導電的，也可以是電絕緣的。如第3圖所示，可以將 第二區（4b)製作成接觸墊，其中—個第二區（4 b)是設置在第 —層堆疊（I)上’另外一個第二區（4b)則是設置在第二層堆 疊（Π)上。兩個層堆疊（1，π)是以使兩個第二區（4b)彼此面 對面接觸的方式結合在—起。經由第二區（4 b)兩個層堆疊 -15- 1355758 (I’ π)彼此形成導電連接》此外，作用層（2，3)及接觸區（4) 配置方式使作用層（2，3)串聯在一起。 兩個層堆疊（I，II)可以經由第二區（4b)結合在一起。 另外第一區（4a)也可以含有黏合劑，以形成兩個層堆疊（1， II)之間的機械連接。第一區（4a)最好是可以讓第一作用層 (2)及/或第二作用層（3)產生的輻射穿透。 第4圖顯示的LED半導譯本體（1)具有一個第—層堆疊 (I)及一個沿垂直方向位於第一層堆疊（I)之後的第二層堆 疊（II)。接觸區（4)設置在第一層堆疊（I)及第二層堆疊（11) 之間。接觸區（4)具有一個第一區（4a)及一個第二區（4bp 第一區（4 a)及第二區（4b)設置在一個第一連接層（4c)及一 個第二連接層（4d)之間。第一連接層（4 c)及第二連接層（4d) 最好是能夠改善兩個層堆疊（I，II)之間的載流子傳輸。例 如連接層（4c，4 d)可以含有一種可以讓輻射穿透的導電氧 化物（TCO)，例如ITO。最好是在兩個層堆疊（I，II)結合在 —起之前，先將連接層（4c，4 d)分別設置在其所屬的層堆 疊上。第一連接層（4c)或第二連接層（4d)還帶有一個製作成 接觸墊或接觸接片的第二區（4b)。第二區（4 b)含有一種低電 阻的材料（最好是金屬），因此電流很容易通過接觸區（4)。 第一區（4 a)最好含有一種黏著劑，以便層堆疊（I ’ II)可以經 由第一區（4a)形成機械連接。 本發明的範圍並非僅限於以上所舉的實施方式。每一 種新的特徵及兩種或兩種以上的特徵的所有組合方式（尤 其是申請專利範圍中提及的特徵的所有組合方式）均屬於 -16- ·> Λ. 1355758 本發明的範圍，即使這些特徵或特徵的組合方式未在本說 明書之說明部分或實施方式中被明確指出。 【簡單圖式說明】 第1圖：本發明之LED半導體本體的第一實施例的斷 面示意圖。 第2圖：本發明之LED半導體本體的第二實施例的斷 面示意圖。

第3圖：本發明之LED半導體本體的第三實施例的斷 面示意圖。 第4圖：本發明之LED半導體本體的第四實施例的斷 面示意圖。 [ 主要元件 符 號 說 明 ] 1 LED 半 導 體 本體 2 第 一 作 用 層 3 第 二 作 用 層 4 接 觸 1品- 4 a 第 一 Inn 4b 第 二 丨品- 4 c 連 接 層 4d 連 接 層 5 第 一 半 導 體 層 6 第 二 半 導 體. 層 7 背 面 接 點 8 正 面 接 點 -17- 1355758 9 第一露空區 10 第二露空區 I，II 層堆疊

-18- ./

Claims (1)

1. Ϊ355.758 <· » 修正本 条〇961351〇4邊「LED半導體本體及LED半導體本體之應 用」專利案 (201 1年6月23日修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種LED半導體牢體（1)，具有至少一個產生輻射的第一 作用層（2)及至少一個產生幅射的第二作用層（3)，宜中第 二作用層（3)係沿垂直方向堆疊在第一作用層（2)的上 方，並與第一作用層（2)串聯在一起， ® 其中，第一作用層（2)及第二作用層（3)經由—接觸區（4) 形成導電連接； - 第一導電類型的半導體層（5)係沿垂直方向設置在第一 . 作用層（2)之後； 第二導電類型的半導體層（6)係設置在第一導電類型的 半導體層（5)及第二作用層之間（3); 第一導電類型的半導體層（5)具有一未被半導體材料覆 蓋住的第一露空區（9) » • 2.如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，接 觸區（4)設置在LED半導體本體（1)的一側緣上。 3. 如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，第 —導電類型的半導體層（5)及第二導電類型的半導體層 (6)形成一穿遂接面。 4. 如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，此 外，第二導電類型的半導體層（6)具有一未被半導體材料 覆蓋住的第二露空區（10)。 1355758 , - 修正本 ' 5 .如申請專利範圍第4項的LED半導體本體（1 )，其中，接 觸區（4)的範圍從第一露空區（9)延伸到第二露空區（10)。 6. 如申請專利範圍第5項的LED半導體本體（1)，其中，接 觸區（4)是一接觸層。 7. 如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，接 觸區（4)含有一種金屬材料。 8. 如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，接 觸區（4)含有一種TCO。 • 9.如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，第 一作用層（2)及第二作用層（3)是以單片結構的方式被整 - 合在半導體本體（1)中。 .10.如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，是 一種薄膜半導體本體。 1 1 .如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1 )，其中，位 於第一作用層（2)及第二作用層（3)之間的接觸區（4)被整 合到LED半導體本體（1)中。 ® 12.如申請專利範圍第11項的LED半導體本體（1)，其中， 第一層堆疊（I)具有第一作用層（2)，第二層堆疊（II)具有 第二作用層（3)。 1 3.如申請專利範圍第1 1項的LED半導體本體（1)，其中， 層堆疊（I，Π)都是薄膜半導體本體。 14.如申請專利範圍第12項的LED半導體本體（1)，其中， 除了第一作用層（2)外，第一層堆疊（I)還具有一第一導電 類型的半導體層（5);除了第二作用層（3)外，第二層堆疊 1355758 修正本 (II)還具有一第二導電類型的半導體層（6)。 I5·如申請專利範圍第14項的LED半導體本體（1)，其中， 將接觸區（4)設置在第一導電類型的半導體靥（5)及第二 導電類型的半導體層（6)之間。 16. 如申請專利範圍第1 1項的LED半導體本體（1)，其中， 接觸區（4)是一接觸層。 17. 如申請專利範圍第11項的LED半導體本體（1)，其中， 接觸區（4)至少具有一個第一區（4a)及至少個胃一g (4b) ° 18. 如申請專利範圍第17項的LED半導體本體（1)，其中， 第二區（4b)可以導電。 19_如申請專利範圍第18項的LED半導體本體（1)，其中， 第二區（4b)含有一種金屬材料。 2〇.如申請專利範圍第11項的LED半導體本體（1)，其中， 接觸區（4)含有一種可以讓第—作用層（2)及/或第二作用 層（3)產生的輻射穿透的材料。 2 1 .如申請專利範圍第20項的LED半導體本體（1)，其中， 接觸區（4)含有一種TCO。 22. 如申請專利範圍第n項的LED半導體本體（1)，其中， 接觸區（4)含有一種黏著劑。 23. 如申請專利範圍第14項的LED半導體本體（1)，其中， 在第一導電類型的半導體層（5)上設置一第—連接層 (4 c)’以及在第二導電類型的半導體層（6)上設置—第二 連接層（4d)。 1355758 修正本 24·如申請專利範圍第23項的LED半導體本體（1)，其中， 接觸區（4)設置在第一連接層（4C)及第二連接層（4d)之間。 25·如申請專利範圍第23項的LED半導體本體（丨），其中， 第一連接層（4 c)及第二連接層（4d)都含有一種tc〇〇 26. 如申請專利範圍第12項的LED半導體本體（〗），其中， 第一層堆疊（I)及第—層堆疊（II)經由接觸區（4)形成機械 連接。 27. 如申請專利範圍第1項的LED半導體·本體（1)，其中，第 一作用層（2)及第二作用層（3)產生之輻射具有相同的波 長。 28. 如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，主 要輻射發生在垂直方向上。 2 9.如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，第 —作用層（2)產生的輻射穿透第二作用層（3)。 3〇·如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，在 半導體本體（1)的兩個作用層（2,3)中至少有一個作用層 (2.3) 含有人111〇3„11|11-„-«»?’其中〇芸11‘1，〇$111$1， n + m ^ 1。 3 1 .如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（1)，其中，在 半導體本體（1)的兩個作用層（2,3)中至少有一個作用層 (2.3) 含有 AUGanJm-n-mAs，其中 〇$ 1 ’ 1， n + m $ 1 » 32.如申請專利範圍第1項的LED半導體本體（i)’其中，在 半導體本體（1)的兩個作用層（2,3)中至少有一個作用層 1355758 修正本 (2,3)含有八111〇3„11111.11.„^，其中 〇SnSl，〇SmSl， n + m S 1。 33.—種應用方式，其將一種如申請專利範圍第1項的LED 半導體本體（1)應用於輻射發射組件。 3 4.—種應用方式，其將一種如申請專利範圍第1項的LED 半導體本體（1)應用於一般照明場合。 35. —種應用方式，其將一種如申請專利範圍第1項的LED 半導體本體（1)應用於背光照明，例如顯示器的背光照明。 36. —種應用方式，其將一種如申請專利範圍第1項的LED 半導體本體（1)應用於投影機。