TWI353009B - Method for holding semiconductor wafer - Google Patents
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Description
1353009 修正本 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於屬半導體晶圓切割處理之前的步驟,透 過黏著帶使半導體晶圓貼附保持於環形框的技術。 【先前技術】 在從半導體晶圓切出半導體晶片的步驟中,執行以下 之處理。將半導體晶圓貼附保持於已貼附在環形框的黏著 φ 帶(切割帶)而形成固定框,將此固定框帶入切割步驟,對 被貼附.支撐的半導體晶圓施予切·割處理及晶片分斷處理。 ' 保持在環形框的半導體晶圓,係在其保持前被硏磨背 • 面而薄型化。伴隨此薄型化,留下半導體晶圓之外周部分 以形成環狀凸部’而不會有硏磨時之加工應力蓄積於半導 體晶圓致產生彎曲,或在操作時使半導體晶圓破損的情形 發生。利用此環狀凸部來保持著半導體晶圓之剛性(參照曰 本國特開2007 - 1 035 82號公報)。 • 近年來,由於電子機器之小型化、高密度封裝等之需 要而使晶圓薄型化進行著。因此,被極薄型化成數十 的半導體晶圓’係形成容易因翹曲而產生破裂或缺口。且 在各種之處理步驟及操作中,有半導體晶圓之破損之危險 性變高。將這樣的被薄型化半導體晶圓透過支撐用之黏著 帶’貼附保持於環形框時,亦有破損之危·險性變越高的問 題。 特別是’在硏磨半導體晶圓時所殘留的環狀凸部,必 需在切割處理前予以去除。因此,具有所謂的在去除環狀 1353009 修正本 凸部時之加工應力、或在背面硏磨加工時積蓄於晶圓的應 力,在去除環狀凸部的中途作用於被薄型化的半導體晶圓 而使其損傷的問題。 【發明内容】 本發明之主要目的在於提供一種藉由支撐用之黏著帶 將半導體晶圓貼附保持於環形框,而得以抑制伴隨半導體 晶圓之薄型化的破損的半導體晶圓之保持方法。 φ 本發明爲達成這樣的目的而採取以下的構成。 —種藉由黏著帶將半導體晶圓貼附保持在·環形框的半 • 導體晶圓之保持方法,前述方法包含以下過程: • 保護帶貼附過程,將保護帶貼附於被施予圖案形成處 理的半導體晶圓之表面,並沿著晶圓外形切斷; 背面硏磨過程,對貼附有前述保護帶之半導體晶圓之 背面,以外周部殘留爲環狀地施予背面硏磨處理; 保護帶剝離過程,從藉背面硏磨而在背面外周部位形 φ 成有環狀凸部之半導體晶圓的表面剝離前述保護帶; 保持帶貼附過程,在前述保護帶已被剝離的半導體晶 圓之整個表面、及置半導體晶圓於中央而被裝塡的環形框 之整個表面,貼附保持帶; 環狀凸部去除過程,去除被貼附保持於前述保持帶的 半導體晶圓之環狀凸部; 黏著帶貼附過程,在藉去除前述環狀凸部而形成扁平 的半導體晶圓之整個背面、及環形框之整個背面,貼附黏 著帶; 135.3009 修正本 保持帶剝離過程,將在環形框之整個表面、及半導體 晶圓之整個表面所貼附的前述保持帶剝離。 按本發明之半導體晶圓之保持方法,在截至圖案形成 步驟,係可處理具有規定之剛性的厚度之半導體晶圓。又 在大應力容易作用的背面硏磨步驟中,能在既以外周部之 環狀凸部補強的高剛性狀態下處理半導體晶圓。 形成有環狀凸部的半導體晶圚,在經過其.後之各步驟 • 而去除補強用之環狀凸部。亦即,可以僅使半導體晶圓之 薄形主部藉由黏著帶將半導體晶圓保持於環狀框,所以不 ' 致於使加工應力作用於半導體晶圓,可以仍舊持有剛性來 • 操作。又能正確且容易地執行薄半導體晶圓主部之切割處 理及晶片分斷處理。 此外,在環狀凸部去除過程,例如,亦可將被貼附保 持於保持帶的半導體晶圓之背面硏磨區域之外周部位切成 環狀,以將該部位從黏著帶剝離去除。 • 又,在別的方法方面,亦可將被貼附保持在保持帶的 半導體晶圓之背面硏磨區域之外周部位,硏磨去除直到背 面硏磨高度爲止。 再者’在切斷去除環狀凸部之情況,保持帶係以使用 紫外線硬化型之黏著帶,在切斷去除環狀凸部前,對環狀 凸部之保持帶貼附面照射紫外線者爲宜。 依此方法,由於是使黏著帶之黏著層硬化以降低黏接 力’所以能容易剝離去除切斷部位。因而,在剝離切斷部 位時’可讓造成黏著帶變形的情形受到抑制,所以能抑制 1353009 修正本 不必要的應力作用於黏著帶所保持的半導體晶圓以避免破 損。 此外,於上述方法,形成有環狀凸部之半導體晶圓, 係以藉由具有直徑較該環狀凸部的內徑還小之吸附凸部的 吸附台來吸附保持環狀凸部的內側之扁平凹部並貼附各種 帶者爲宜。 更佳爲,在貼附各種帶時,保持非貼附面側之環狀凸 φ 部之扁平面。 依此方法,半導體晶圓及環形框係被以平坦的狀態保 持。因此,貼附輥之按壓變成均等,各種帶之貼附可確實 • 地執行。 '【實施方式】 根據圖式來說明有關本發明的半導體晶圓之保持方法 的順序。 在此成爲處理對象的半導體晶圓w(以下簡稱爲「晶圓 # w/),乃如第1圖所示,係整面具有厚度數百之狀態 ,其表面a被施作有電路圖案之形成處理。 〔保護帶貼附步驟〕》 如第1圖所示,已進行過圖案形成處理後的晶圓W以 表面a朝上被載置吸附保持於夾盤1後,被轉動的貼附輥2 所按壓的保護帶PT係被貼附於晶圓W表面a的整面。
在結束對晶圓W進行帶之貼附時,在上方待機的圓板 型之切刀3下降,刺插於保護帶PT。此切刀3係邊接觸於 晶圓外周緣邊滑接而作旋轉移動。依此動作而使保護帶PT 1353009 修正本 沿著晶圓外形被切斷》 〔背面硏磨步驟〕 如第2圖所示,表面a貼附有保護帶pt的晶圓W被 搬入背面硏磨裝置。此時,晶圓W係以背面b朝上的姿勢 被載置保持於夾盤台4。在此狀態,從上方利用未圖示的 旋轉磨石進行背面硏磨》 此時,使外周部在徑向大留殘約2mm左右地被硏磨。 ^ 因.此,加工成在晶圓W之朝上的背面b形成扁平凹部c, 同時沿著其外周殘留有環狀凸部d的形狀(參照第13圖)。 此扁平凹部c之晶圓厚度被硏磨加工成數十ern,同時在此 • 扁平凹部c之區域的相對面的表面a包含有電路圖案全體 。形成在背面外周的環狀凸部d,係作爲提高晶圓W之剛 性的環狀肋來發揮作用。因此,抑止操作或於以後的處理 步驟之晶圓W的撓性變形。 〔保護帶剝離步驟〕 # 如第3圖所示,已進行過背面硏磨步驟的晶圓W,係 在接受依濺鍍的金屬沉積等之應力去除處理後,被上下反 轉而載置保持於夾盤台5。此時,將較環狀凸部d之內徑 還小的夾盤台5之扁平凸部插入晶圓W之環狀凸部內,將 其背面b吸附保持。其後,邊按壓貼附輥6邊轉動使強黏 著性之剝離帶Τ1貼附於保護帶ΡΤ之上》 如第4圖所示,在結束剝離帶Τ1之貼附時,依剝離輥 7之轉動而捲取回收剝離帶Τ1。此時,貼合於剝離帶Τ1的 保護帶ΡΤ,係與剝離帶Τ1 一體被捲取而從晶圓W之表面 -10- 1353009 修正本 a剝離。 〔保持帶貼附步驟〕 如第5圖所示,已剝離保護帶PT的晶圓w被搬入固 定件裝置’在夾盤台8之中央部以表面a朝上的姿勢被載 置保持。此夾盤台8以如圍繞晶圓W般地被供給裝塡環形 框f。晶圓W及環形框f係被設置成其上面形成平坦。在 此狀態’一邊按壓貼附輥9 一邊轉動於此等之上。依此, φ 紫外線硬化型之保持帶ST係被貼附環形框f之整個上面、 及晶圓W之整個表面a。 貼附一結束時,在環形框上方待機的圓板型之切刀10 下降並被按壓於保持帶ST,其後,切刀10於環形框f之中 心周圍旋轉移動。依此,切刀10,係以較環形框f之內徑 稍大的徑將保持帶ST切成圓形,其結果,晶圓W係成爲 透過保持帶ST而貼附保持於環形框f的狀態。 〔環狀凸部去除步驟〕 • 保持著晶圓W的環形框f被搬出,而如第6圖所示, 以上下反轉的姿勢被載置保持於夾盤台11。在台上方有圓 板型之旋轉磨石12待機著。當環形框f及晶圓W之定位保 持一經確認,旋轉磨石1 2係下降與晶圓接觸。此旋轉磨石 1 2係在扁平凹部c之外周端附近,亦即,沿著環狀凸部d 之內周作旋轉移動。依此,留下保持帶ST而僅晶圓W之 扁平凹部c被切成圓形。 其次,如第7圖所示,旋轉磨石12上升退避,同時裝 備於夾盤台內的紫外線燈13被點亮,紫外線從下方朝比旋 -11 - 1353009 修正本 轉磨石12之切斷部位還外周側之保持帶ST照射。藉此以 減低保持帶ST之黏著力,比切斷部還外側部分,亦即,環 狀凸部d與保持帶之接著力係降低。其後,被切離的環狀 凸部d,使用具備吸附噴嘴的機器手臂等適宜之操作手段 搬出並去除。依此,形成環形框f之中央貼附保持有晶圓 W之薄扁平主部的狀態。 〔切割帶貼附步驟〕 φ 如第8圖所示,保持著晶圓W之薄扁平主部的環形框 f被上下反轉,以環形框f及晶圓W之背面b朝上的姿勢 •被載置保持於夾盤台11。當環形框f及晶圓W被保持時, 切割帶DT被供給於此等之上,一邊按壓貼附輥14於此切 割帶DT之非黏著面上一邊轉動。依此,切割帶DT被貼附 環形框f之整個背面、及晶圓W之整個背面b。此外,切 割帶DT係相當於本發明之黏著帶。 其次,於環形框f上方待機的圓板型之切刀15下降而 • 按壓於切割帶DT。其後,切刀15係於環形框f之中心周 圍旋轉移動,以稍比環形框f之內徑還大的徑將切割帶DT 切成圓形。依此,薄且扁平的晶圓W係藉由保持帶ST及 切割帶DT而形成被環形框f所保持的中間固定件體。 〔保持帶剝離步驟〕 如第9圖所示,藉由保持帶ST及切割帶DT而在環形 框f保持著的晶圓W之中間固定件體,係被搬出並載置於 僅接住並支撐環形框f之外周部的環狀台16。其後,點亮 被組裝入環狀台中心的紫外線燈17,對保持帶ST之全面 -12- 1353009 修正本 照射紫外線。依此,保持帶st之黏著力被降低。 其次,如第1 0圖所示,受到紫外線照射的中間固定件 體在被搬出之後,被上下反轉並載置保持於夾盤台18。晶 圓W及環形框f,係被設置成其朝上的表面a會變成平坦 。剝離帶T2被供給於此等之上,貼附輥19邊按壓邊轉動 於此剝離帶T2之非黏著面上。依此,剝離帶T2被貼附於 保持帶ST之上。 φ 其後,剝離帶T2係依剝離輥20之轉動移動而被捲取 回收。貼合在剝離帶T2的保持帶ST,係與剝離帶T2 —體 被捲取,自環形框f及晶圓W之表面a被剝離。亦即,如 • 第1 1圖所示,晶圓W係形成僅藉由切割帶DT而由背面b 貼附保持於環形框f的狀態。 經過以上之步驟,如第12圖所示,可獲得藉由切割帶 DT將晶圓W貼附保持於環形框f,同時使形成有圖案的表 面a露出的固定框MF。因此,可直接將固定框MF搬入切 • 割裝置施予切割處理或晶片分斷處理。 亦即,晶圓W在去除環狀凸部d時是透過保持帶保持 於環形框f,所以沒有僅利用已去除環狀凸部d的扁平主部 進行操作。因此,可以避免在背面硏磨處理時及環狀凸部 去除處理時,不必要的加工應力僅會作用於具有剛性的晶 圓W之扁平主部,使具有電路圖案的扁平凹部c破損。 本發明係不限制於上述之實施例者,亦可作其次之變 形來實施。 作爲上述實施例中之環狀凸部去除步驟,係如第14圖 -13- 1353009 修正本 所示,把被貼附保持於保持帶ST的晶圓W之背面硏磨區 域之外周部位,硏磨到背面硏磨高度L以降低環狀凸部。 藉此,亦可執行晶圓W之扁平化處理。 本發明在不逸脫其思想或本質下能以其他具體的形態 來實施,因此,作爲表示發明之範圍者’不是以上之說明 ,而是應參照附加的申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示保護帶貼附步驟的要部縱剖面圖。 第’2圖係結束背面硏磨步驟的雯部縱剖面圖。 第3圖係表示保護帶剝離步驟之前半的要部縱剖面圖 〇 第4圖係表示保護帶剝離歩驟之後半的要部縱剖面圖 〇 第5圖係表示保持帶貼附步驟的要部縱剖面圖。 第6圖係表示環狀凸部去除步驟之前半的要部縱剖面 圖。 第7圖係表示環狀凸部去除步驟之後半的要部縱剖面 圖。 第8圖係表示切割帶貼附步驟之要部縱剖面圖。 第9圖係表示保持帶剝離步驟之前半要部縱剖面圖。 第10圖係表示保持帶剝離步驟之後半要部縱剖面圖。 第11圖係結束保持帶剝離步驟的要部縱剖面圖。 第1 2圖係完成的固定框之斜視圖。 第13圖係結束背面硏磨步驟的半導體晶圓之斜視圖。 -14- 1353009 修正本 第14圖係表示環狀凸部除去步驟之其他實施例要部 縱剖面圖。 【主要元件符號說明】
1 ' 4 、 5 、 8 、 11、 18 夾 盤 台 2、 6 、 9 、 14 、 19 貼 附 輥 3、 10 ' 15 切 刀 12 旋 轉 石 13 、17 紫 外 線 燈 16 環 狀 台 20 剝 離 輥 W 晶 圓 a 表 面 b 背 面 c 扁 平 凹 部 d 環 狀 凸 部 f 環 形 框 PT 保 護 帶 ST 保 持 帶 T1 、T2 剝 離 帶 DT 切 割 帶 MF 固 定 框 -15-
Claims (1)
1353009 修正本 第97118991號「半導體晶圓的保持方法」專利案 (201 1年2月21日修正) 十、申請專利範園: 1. —種半導體晶圓之保持方法,係透過黏著帶將半導體晶 圓貼附保持於環形框,該方法包含: 將保護帶貼附於被施予圖案形成處理的半導體晶圓 之表面,然後沿著半導體晶圓外形切斷該保護帶; 對貼附有前述保護帶之半導體晶圓之背面實施背面 硏磨,同時以環狀的方式保持外周部未經硏磨; 從藉背面硏磨而在背面外周部位形成有環狀凸部之 半導體晶圓的表面剝離前述保護帶: 在前述保護帶已被剝離的半導體晶圓之整個表面、 及於中央裝塡半導體晶圓的環形框之整個表面,貼附保 持帶; 去除被貼附保持於前述保持帶的半導體晶圓之環狀 凸部; 在藉去除前述環狀凸部而形成扁Φ的半導體晶圓之 整個背面、及環形框之整個背面,貼附黏著帶; 將在環形框之整個表面、及半導體晶圓之整個表面 所貼附的前述保持帶剝離。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保持方法,其中: 在前述環狀凸部去除過程中,將被貼附保持於保持 帶的半導體晶圓之背面硏磨區域的外周部位切斷爲環 狀,並從黏著帶剝離去除該外周部位。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓之保持方法,其中: 1353009 修正本 前述保持帶係紫外線硬化型之黏著帶,且在切斷去 除前述環狀凸部之前,對前述環狀凸部之保持帶貼附面 照射紫外線。 4·如申請專利範圍第〗項之半導體晶圓之保持方法,其中: 在前述環狀凸部去除過程中,將被貼附保持於保持 帶的半導體晶圓之背面硏磨區域的外周部位:硏磨去除 至背面硏磨後的厚度之高度》 5. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保持方法,其中: 在前述保護帶剝離過程中,藉由具有直徑較半導體 晶圓之環狀凸部的內徑還小之吸附用凸部的吸附台來吸 附保持環狀凸部的內側之扁平凹部,然後在此狀態下, 一邊利用貼附輥按壓被捲繞於該貼附輥而供給的剝離帶 之非黏著面,一邊使該貼附輥在晶圓表面之保護帶上轉 動而貼附剝離帶,同時將剝離帶及保護帶一體地剝離。 6. 如申請專利範圍第5項之半導體晶圓之保持方法,其中: 在前述保護帶剝離過程中,在貼附剝離帶時保持获 貼附面側之環狀凸部的扁平面。 7 .如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保持方法,其中: 藉由具有直徑較半導體晶圓之環狀凸部的內徑還小 之吸附用凸部的吸附台來吸附保持環狀凸部的內側之扁 平凹部,並在此狀態下,一邊利用貼附輥按壓被捲繞於 該貼附輥而供給的保持帶之非黏著面,一邊使該貼附輥 在晶圓表面上之保持帶轉動而貼附該保持帶。 8.如申請專利範圍第7項之半導體晶圓之保持方法,其中: 在前述保持帶貼附過程中,在貼附保持帶時保持非 •2- 1354009 修正本 貼附面側之環狀凸部的扁平面。 9.如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保持方法,其中: 在前述保持帶剝離過程中,將貼附有黏著帶之半導 體晶圓的背面、及環形框的背面側吸附保持,然後貼附 剝離帶,同時在半導體晶圓的表面及環形框的表面彼此 齊平的狀態下將該保持帶與該剝離帶一體地剝離。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保持方法,其 更包含: 在剝離前述保持帶之前’對該保持帶照射紫外線。 -3-
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US9293304B2 (en) * | 2013-12-17 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma thermal shield for heat dissipation in plasma chamber |
JP2015177040A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
US8912075B1 (en) * | 2014-04-29 | 2014-12-16 | Applied Materials, Inc. | Wafer edge warp supression for thin wafer supported by tape frame |
JP6385131B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-09-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6479532B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-03-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5998271B1 (ja) * | 2015-12-28 | 2016-09-28 | 株式会社Ak電子 | リング状補強部除去装置 |
TWI588880B (zh) * | 2016-06-28 | 2017-06-21 | 昇陽國際半導體股份有限公司 | 晶圓薄化製程 |
JP6770443B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2020-10-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体ウェハ |
JP6820099B2 (ja) * | 2017-05-10 | 2021-01-27 | リンテック株式会社 | 離間装置および離間方法 |
JP2020088334A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社ディスコ | テープ貼り装置 |
US20200321236A1 (en) * | 2019-04-02 | 2020-10-08 | Semiconductor Components Industries, Llc | Edge ring removal methods |
KR102068738B1 (ko) * | 2019-11-28 | 2020-02-11 | 에스피반도체통신(주) | 웨이퍼용 림부 제거장치 |
KR102409260B1 (ko) * | 2020-05-19 | 2022-06-17 | 주식회사 에이엘티 | 타이코 웨이퍼 링 제거장치 및 타이코 웨이퍼 링 제거방법 |
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JP2001044142A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Seiko Instruments Inc | シリコンウエハの切断方法 |
JP4475772B2 (ja) * | 2000-08-08 | 2010-06-09 | 日東電工株式会社 | 保護テープ貼付け方法および保護テープ貼付け装置 |
JP3612317B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2005-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3880397B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-02-14 | 日東電工株式会社 | 保護テープの貼付・剥離方法 |
JP4471563B2 (ja) | 2002-10-25 | 2010-06-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
JP4318471B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2009-08-26 | 日東電工株式会社 | 保護テープの貼付・剥離方法 |
JP2004304133A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Lintec Corp | ウェハ処理装置 |
JP2006049591A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハに貼着された接着フィルムの破断方法および破断装置 |
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JP2007019379A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2007088038A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Lintec Corp | 貼替装置及び貼替方法 |
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