KR20080103909A - 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 115
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 7
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
표면에 보호 테이프가 접착된 반도체 웨이퍼(W)의 이면에, 외주 부위를 고리 형상으로 남겨 백 그라인드 처리를 실시하는 공정과, 이면 외주 부위에 고리 형상 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼(W)의 표면으로부터 보호 테이프를 박리하는 공정과, 보호 테이프가 박리된 반도체 웨이퍼(W)의 표면과 링 프레임(f)의 표면에 걸쳐 보유 지지 테이프를 접착하는 공정과, 보유 지지 테이프에 접착하여 보유 지지된 반도체 웨이퍼에 있어서의 외주 부위를 고리 형상으로 절단하여 보유 지지 테이프로부터 박리 제거하는 공정과, 편평하게 된 반도체 웨이퍼의 이면과 링 프레임의 이면에 걸쳐 다이싱 테이프를 접착하는 공정과, 링 프레임과 반도체 웨이퍼로부터 보유 지지 테이프를 박리하는 공정을 포함한다.
반도체 웨이퍼, 링 프레임, 다이싱 테이프, 보유 지지 테이프, 보호 테이프
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼를 다이싱 처리하는 전공정으로서, 점착 테이프를 개재하여 반도체 웨이퍼를 링 프레임에 접착하여 보유 지지하는 기술에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩을 잘라내는 공정에 있어서, 이하의 처리가 행해진다. 링 프레임에 접착한 점착 테이프(다이싱 테이프)에 반도체 웨이퍼를 접착하여 보유 지지하여 마운트 프레임을 형성하고, 이 마운트 프레임을 다이싱 공정에 갖고 들어가고, 접착하여 지지된 반도체 웨이퍼에 다이싱 처리 및 칩 분단 처리가 실시된다.
링 프레임에 보유 지지되는 반도체 웨이퍼는 그 보유 지지 전에 이면 연삭되어 박형화된다. 이 박형화에 수반하여 연삭시의 가공 응력이 반도체 웨이퍼에 축적되어 휘어짐을 발생시키거나, 핸들링시에 반도체 웨이퍼를 파손시키지 않도록 반도체 웨이퍼의 외주 부분을 남겨 고리 형상 볼록부를 형성한다. 이 고리 형상 볼록부에 의해 반도체 웨이퍼의 강성을 유지하고 있다(일본 특허 공개 제2007-103582호 공보 참조).
최근, 전자 기기의 소형화, 고밀도 실장 등의 필요로부터 웨이퍼의 박형화가 진행되고 있다. 따라서, 수십 ㎛로 극박형화된 반도체 웨이퍼는 휘어짐에 의한 균열이나 결함이 발생하기 쉽게 되어 있다. 또한, 각종 처리 공정 및 핸들링에 있어서 반도체 웨이퍼의 파손의 우려가 높아지고 있다. 이와 같은 박형화된 반도체 웨이퍼를 지지용의 점착 테이프를 개재하여 링 프레임에 접착하여 보유 지지할 때에 있어서도, 파손의 우려가 한층 높아진다고 하는 등의 문제가 있다.
특히, 반도체 웨이퍼의 연삭시에 남긴 고리 형상 볼록부는 다이싱 처리될 때까지 제거해야 한다. 따라서, 고리 형상 볼록부를 제거할 때의 가공 응력이나, 이면 연삭 가공시에 웨이퍼에 축적되어 있었던 응력이, 고리 형상 볼록부를 제거하자마자 박형화된 반도체 웨이퍼에 작용하여 손상시킨다고 하는 등의 문제가 있다.
본 발명은 반도체 웨이퍼의 박형화에 수반하는 파손을 억제하도록 지지용의 점착 테이프를 개재하여 반도체 웨이퍼를 링 프레임에 접착하여 보유 지지할 수 있는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 하고 있다.
본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해 다음과 같은 구성을 채용한다.
점착 테이프를 개재하여 반도체 웨이퍼를 링 프레임에 접착하여 보유 지지하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법이며, 상기 방법은 이하의,
패턴 형성 처리가 실시된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하여 웨이퍼 외형을 따라 절단하는 보호 테이프 접착 과정과,
상기 보호 테이프가 접착된 반도체 웨이퍼의 이면에, 외주 부위를 고리 형상으로 남겨 백 그라인드 처리를 실시하는 백 그라인드 과정과,
백 그라인드에 의해 이면 외주 부위에 고리 형상 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 상기 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 과정과,
상기 보호 테이프가 박리된 반도체 웨이퍼의 표면과, 반도체 웨이퍼를 중앙에 두고 장전된 링 프레임의 표면에 걸쳐 보유 지지 테이프를 접착하는 보유 지지 테이프 접착 과정과,
상기 보유 지지 테이프에 접착하여 보유 지지된 반도체 웨이퍼의 고리 형상 볼록부를 제거하는 고리 형상 볼록부 제거 과정과,
상기 고리 형상 볼록부의 제거에 의해 편평하게 된 반도체 웨이퍼의 이면과 링 프레임의 이면에 걸쳐 점착 테이프를 접착하는 점착 테이프 접착 과정과,
링 프레임의 표면과 반도체 웨이퍼의 표면에 걸쳐 접착되어 있는 상기 보유 지지 테이프를 박리하는 보유 지지 테이프 박리 과정을 포함한다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법에 따르면, 패턴 형성 공정까지는 소정의 강성을 갖는 두께의 반도체 웨이퍼를 취급할 수 있다. 또한, 큰 응력이 작용하기 쉬운 백 그라인드 공정에서는, 외주부의 고리 형상 볼록부에서 보강된 강성이 높은 상태에서 반도체 웨이퍼를 취급할 수 있다.
고리 형상 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼는, 그 후의 각 공정을 거침으로써 보강용의 고리 형상 볼록부가 제거된다. 즉, 반도체 웨이퍼의 얇은 주요부만을 반 도체 웨이퍼를 링 프레임에 점착 테이프를 개재하여 보유 지지시킬 수 있으므로, 반도체 웨이퍼에 가공 응력이 작용하지 않도록 강성을 갖게 한 상태로 핸드링할 수 있다. 또한, 얇은 반도체 웨이퍼 주요부의 다이싱 처리 및 칩 분단 처리를 적확하고 또한 용이하게 행할 수 있다.
또한, 고리 형상 볼록부 제거 과정에서는, 예를 들어 보유 지지 테이프에 접착하여 보유 지지된 반도체 웨이퍼의 백 그라인드 영역의 외주 부위를 고리 형상으로 절단하고, 당해 부위를 점착 테이프로부터 박리 제거해도 좋다.
또한, 다른 방법으로서, 보유 지지 테이프에 접착하여 보유 지지된 반도체 웨이퍼의 백 그라인드 영역의 외주 부위를 백 그라인드 레벨까지 연삭 제거해도 좋다.
또한, 고리 형상 볼록부를 절단 제거하는 경우, 보유 지지 테이프에 자외선 경화형의 점착 테이프를 사용하고, 고리 형상 볼록부를 절단 제거하기 전에, 고리 형상 볼록부의 보유 지지 테이프 접착면에 자외선을 조사하는 것이 바람직하다.
이 방법에 따르면, 점착 테이프의 점착층을 경화시켜 접착력을 저하시키므로 절단 부위를 용이하게 박리 제거할 수 있다. 따라서, 절단 부위의 박리시에 점착 테이프를 변형시키는 것이 억제되므로, 점착 테이프가 보유 지지되어 있는 반도체 웨이퍼로의 불필요한 응력의 작용이 억제되어 파손을 회피할 수 있다.
또한, 상기 방법에 있어서, 고리 형상 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼는, 당해 고리 형상 볼록부의 내경보다도 작은 직경의 흡착 볼록부를 갖는 흡착 테이블에 의해, 고리 형상 볼록부의 내측의 편평 오목부를 흡착 보유 지지하여, 각종 테이프 를 접착하는 것이 바람직하다.
더욱 바람직하게는, 각종 테이프를 접착할 때 비접착면측의 고리 형상 볼록부의 편평면을 보유 지지한다.
발명을 설명하기 위해 현재 적합하다고 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있으나, 발명이 도시된 바와 같은 구성 및 방책에 한정되는 것이 아닌 것을 이해해야 한다.
이 방법에 따르면, 반도체 웨이퍼나 링 프레임이 평탄한 상태에서 보유 지지된다. 따라서, 접착 롤러의 압박이 균등해져 각종 테이프의 접착을 확실하게 행할 수 있다.
본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법의 순서를 도면을 기초로 하여 설명한다.
여기서 처리 대상으로 되는 반도체 웨이퍼(W)(이하, 단순히「웨이퍼(W)」라 함)는, 도1에 도시하는 바와 같이, 전체면에 걸쳐 두께가 수백 ㎛인 상태이며, 그 표면(a)에 회로 패턴의 형성 처리가 실시되어 있다.
〔보호 테이프 접착 공정〕
도1에 도시하는 바와 같이, 패턴 형성 처리를 거친 웨이퍼(W)는 척 테이블(1)에 표면(a)을 상향으로 하여 적재되어 흡착 보유 지지된 후, 구름 이동하는 접착 롤러(2)에 의해 압박되는 보호 테이프(PT)가 웨이퍼(W)의 표면(a)의 전체면에 접착된다.
웨이퍼(W)로의 테이프 접착이 종료되면, 상방에 대기하고 있었던 원판형의 커터(3)가 하강되어 보호 테이프(PT)에 파고든다. 이 커터(3)는 웨이퍼 외주연에 미끄럼 접촉하면서 선회 이동한다. 이 동작에 의해 보호 테이프(PT)가 웨이퍼 외형을 따라 절단된다.
〔백 그라인드 공정〕
도2에 도시하는 바와 같이, 표면(a)에 보호 테이프(PT)가 접착된 웨이퍼(W)는 백 그라인드 장치에 반입된다. 이때, 웨이퍼(W)는 이면(b)을 상향으로 한 자세로 척 테이블(4)에 적재 보유 지지된다. 이 상태에서, 상방으로부터 도시되어 있지 않은 회전 지석(砥石)에 의해 백 그라인드된다.
이 경우, 외주부를 직경 방향으로 약 2 ㎜ 정도 남겨 연삭된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상향 이면(b)에 편평 오목부(c)가 형성되는 동시에, 그 외주를 따라 고리 형상 볼록부(d)가 잔존된 형상으로 가공된다(도13 참조). 이 편평 오목부(c)의 웨이퍼 두께가 수십 ㎛가 되도록 연삭 가공되는 동시에, 이 편평 오목부(c)의 영역 내의 대향면인 표면(a)에 회로 패턴 전체가 포함된다. 이면 외주에 형성된 고리 형상 볼록부(d)는 웨이퍼(W)의 강성을 높이는 고리 형상 리브로서 기능한다. 따라서, 핸들링이나 이후의 처리 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 휨 변형을 억지한다.
〔보호 테이프 박리 공정〕
도3에 도시하는 바와 같이, 백 그라인드 공정을 거친 웨이퍼(W)는 스퍼터링에 의한 금속의 증착 등의 응력 제거 처리를 받은 후, 상하 반전되어 척 테이블(5) 에 적재 보유 지지된다. 이때, 고리 형상 볼록부(d)의 내경보다 작은 척 테이블(5)의 편평 볼록부(d)를 웨이퍼(W)의 고리 형상 볼록부 내에 삽입하고, 그 이면(b)을 흡착 보유 지지한다. 그 후, 접착 롤러(6)가 압박하면서 구름 이동되어 강점착성의 박리 테이프(T1)가 보호 테이프(PT) 상에 접착된다.
도4에 도시하는 바와 같이, 박리 테이프(T1)의 접착이 종료되면, 박리 롤러(7)의 구름 이동에 의해 박리 테이프(T1)가 감아 걸려 회수된다. 이때, 박리 테이프(T1)에 접합된 보호 테이프(PT)는 박리 테이프(T1)와 일체로 감아 걸려지고, 웨이퍼(W)의 표면(a)으로부터 박리된다.
〔보유 지지 테이프 접착 공정〕
도5에 도시하는 바와 같이, 보호 테이프(PT)가 박리된 웨이퍼(W)는 마운트 장치에 반입되고, 척 테이블(8)의 중앙부에 표면(a)을 상향으로 한 자세로 적재 보유 지지된다. 이 척 테이블(8)에는 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 링 프레임(f)이 공급 장전된다. 웨이퍼(W) 및 링 프레임(f)은 그 상면이 평탄하게 되도록 세트된다. 이 상태에서, 이들 위를 접착 롤러(9)가 압박하면서 구름 이동한다. 이에 의해, 자외선 경화형의 보유 지지 테이프(ST)가 링 프레임(f)의 상면과 웨이퍼(W)의 표면(a)에 걸쳐 접착된다.
접착이 종료되면, 링 프레임의 상방에 대기하고 있었던 원판형의 커터(10)가 하강하여 보유 지지 테이프(ST)에 압박되고, 그 후 커터(10)가 링 프레임(f)의 중심 주위로 선회 이동한다. 이에 의해, 커터 날(10)은 링 프레임(f)의 내경보다 조금 큰 직경으로 보유 지지 테이프(ST)를 원형으로 절단하고, 그 결과 웨이퍼(W)는 보유 지지 테이프(ST)를 개재하여 링 프레임(f)에 접착하여 보유 지지된 상태로 된다.
〔고리 형상 볼록부 제거 공정〕
웨이퍼(W)를 보유 지지한 링 프레임(f)은 반출되고, 도6에 도시하는 바와 같이, 상하 반전한 자세로 척 테이블(11)에 적재 보유 지지된다. 테이블 상방에는 원판형의 회전 지석(12)이 대기하고 있다. 링 프레임(f) 및 웨이퍼(W)의 위치 결정 보유 지지가 확인되면, 회전 지석(12)은 하강하여 웨이퍼(W)에 접촉한다. 이 회전 지석(12)은 편평 오목부(c)의 외주단 근방, 즉 고리 형상 볼록부(d)의 내주를 따라 선회 이동한다. 이에 의해, 보유 지지 테이프(ST)를 남기고 웨이퍼(W)의 편평 오목부(c)만이 원형으로 절단된다.
다음에, 도7에 도시하는 바와 같이, 회전 지석(12)이 상승 퇴피하는 동시에, 척 테이블 내에 장비된 자외선 램프(13)가 점등되고, 회전 지석(12)에 의한 절단 부위보다 외주측의 보유 지지 테이프(ST)에 자외선이 하방으로부터 조사된다. 이에 의해 보유 지지 테이프(ST)의 접착력이 감멸되고, 절단 부위보다 외측 부분, 즉 고리 형상 볼록부(d)와 보유 지지 테이프의 접착력이 저하된다. 그 후, 분리된 고리 형상 볼록부(d)는 흡착 노즐을 구비한 로봇 핸드 등 적절하게 핸들링 수단을 이용하여 반출 제거된다. 이에 의해, 링 프레임(f)의 중앙에 웨이퍼(W)의 얇은 편평 주요부가 접착하여 보유 지지된 상태로 된다.
〔다이싱 테이프 접착 공정〕
도8에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 얇은 편평 주요부를 보유 지지한 링 프레임(f)은 상하 반전되고, 링 프레임(f) 및 웨이퍼(W)의 이면(b)을 상향으로 한 자세로 척 테이블(11)에 적재 보유 지지된다. 링 프레임(f) 및 웨이퍼(W)가 보유 지지되면, 이들 위에 다이싱 테이프(DT)가 공급되고, 이 다이싱 테이프(DT)의 비점착면 상을 접착 롤러(14)가 압박하면서 구름 이동한다. 이에 의해, 다이싱 테이프(DT)가 링 프레임(f)의 이면과 웨이퍼(W)의 이면(b)에 걸쳐 접착된다. 또한, 다이싱 테이프(DT)는 본 발명의 점착 테이프에 상당한다.
다음에, 링 프레임(f)의 상방에 대기하고 있었던 원판형의 커터(15)가 하강하여 다이싱 테이프(DT)에 압박된다. 그 후, 커터(15)가 링 프레임(f)의 중심 주위로 선회 이동하여 링 프레임(f)의 내경보다 조금 큰 직경으로 다이싱 테이프(DT)를 원형으로 절단한다. 이에 의해 얇고 편평한 웨이퍼(W)가 보유 지지 테이프(ST)와 다이싱 테이프(DT)를 개재하여 링 프레임(f)에 보유 지지된 중간 마운트체가 형성된다.
〔보유 지지 테이프 박리 공정〕
도9에 도시하는 바와 같이, 보유 지지 테이프(ST)와 다이싱 테이프(DT)를 개재하여 링 프레임(f)에 웨이퍼(W)를 보유 지지한 중간 마운트체는, 반출되어 링 프레임(f)의 외주부만을 받아내는 링 형상의 테이블(16)에 적재된다. 그 후, 테이블 중심에 조립된 자외선 램프(17)가 점등되고, 보유 지지 테이프(ST)의 전체면에 자외선이 조사된다. 그것에 의해, 보유 지지 테이프(ST)의 접착력이 저하된다.
다음에, 도10에 도시하는 바와 같이, 자외선 조사를 받은 중간 마운트체는 반출된 후, 상하 반전되어 척 테이블(18)에 적재 보유 지지된다. 웨이퍼(W) 및 링 프레임(f)은, 그 상향의 표면(a)이 평탄해지도록 세트된다. 이들 위에 박리 테이프(T2)가 공급되고, 이 박리 테이프(T2)의 비점착면 상을 접착 롤러(19)가 압박하면서 구름 이동한다. 이에 의해, 박리 테이프(T2)가 보유 지지 테이프(ST) 위에 접착된다.
그 후, 박리 롤러(20)의 구름 이동에 의해 박리 테이프(T2)가 감아 걸려 회수된다. 박리 테이프(T2)에 접합된 보유 지지 테이프(ST)는 박리 테이프(T2)와 일체로 감아 걸려지고, 링 프레임(f) 및 웨이퍼(W)의 표면(a)으로부터 박리된다. 즉, 도11에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)는 다이싱 테이프(DT)만을 개재하여 이면(b)으로부터 링 프레임(f)에 접착하여 보유 지지된 상태로 된다.
이상의 공정을 거침으로써, 도12에 도시하는 바와 같이, 다이싱 테이프(DT)를 개재하여 웨이퍼(W)를 링 프레임(f)에 접착하여 보유 지지하는 동시에, 패턴이 형성된 표면(a)을 노출시킨 마운트 프레임(MF)을 얻을 수 있다. 따라서, 마운트 프레임(MF)을 즉시 다이싱 장치에 반입하여 다이싱 처리나 칩 분단 처리를 실시할 수 있다.
즉, 웨이퍼(W)는 고리 형상 볼록부(d)가 제거될 때에 보유 지지 테이프에 의해 링 프레임(f)에 보유 지지되어 있으므로, 고리 형상 볼록부(d)를 제거한 후의 편평 주요부에서만 핸들링되는 일이 없다. 따라서, 백 그라인드 처리시 및 고리 형상 볼록부 제거 처리시에는, 강성을 갖게 한 웨이퍼(W)의 편평 주요부에만 불필요한 가공 응력이 작용하므로, 회로 패턴을 갖는 편평 오목부(c)를 파손시키는 것을 회피할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예의 것에 한정되지 않고, 다음과 같이 변형 실시할 수도 있다.
상기 실시예에 있어서의 고리 형상 볼록부 제거 공정으로서는, 도14에 도시하는 바와 같이, 보유 지지 테이프(ST)에 접착하여 보유 지지된 웨이퍼(W)의 백 그라인드 영역의 외주 부위를 백 그라인드 레벨(L)까지 연삭하여 고리 형상 볼록부(d)를 낮게 한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 편평화 처리를 행할 수도 있다.
본 발명은 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적 형태로 실시할 수 있고, 따라서 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아닌 부가된 클레임을 참조해야 한다.
도1은 보호 테이프 접착 공정을 나타내는 주요부의 종단면도.
도2는 백 그라인드 공정을 끝낸 주요부의 종단면도.
도3은 보호 테이프 박리 공정 전반을 나타내는 주요부의 종단면도.
도4는 보호 테이프 박리 공정 후반을 나타내는 주요부의 종단면도.
도5는 보유 지지 테이프 접착 공정을 나타내는 주요부의 종단면도.
도6은 고리 형상 볼록부 제거 공정 전반을 나타내는 주요부의 종단면도.
도7은 고리 형상 볼록부 제거 공정 후반을 나타내는 주요부의 종단면도.
도8은 다이싱 테이프 접착 공정을 나타내는 주요부의 종단면도.
도9는 보유 지지 테이프 박리 공정 전반을 나타내는 주요부의 종단면도.
도10은 보유 지지 테이프 박리 공정 후반을 나타내는 주요부의 종단면도.
도11은 보유 지지 테이프 박리 공정을 끝낸 주요부의 종단면도.
도12는 완성된 마운트 프레임의 사시도.
도13은 백 그라인드 공정을 끝낸 반도체 웨이퍼의 사시도.
도14는 고리 형상 볼록부 공정의 다른 실시예를 나타내는 주요부의 종단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 4, 5, 8, 11, 18 : 척 테이블
2, 6, 9, 14, 19 : 접착 롤러
3, 10, 15 : 커터
12 : 회전 지석
13 : 자외선 램프
ST : 보유 지지 테이프
f : 링 프레임
W : 웨이퍼
PT : 보호 테이프
DT : 다이싱 테이프
ST : 보유 지지 테이프
Claims (10)
- 점착 테이프를 개재하여 반도체 웨이퍼를 링 프레임에 접착하여 보유 지지하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법이며, 상기 방법은패턴 형성 처리가 실시된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하여 웨이퍼 외형을 따라 절단하는 보호 테이프 접착 과정과,상기 보호 테이프가 접착된 반도체 웨이퍼의 이면에, 외주 부위를 고리 형상으로 남겨 백 그라인드 처리를 실시하는 백 그라인드 과정과,백 그라인드에 의해 이면 외주 부위에 고리 형상 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 상기 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 과정과,상기 보호 테이프가 박리된 반도체 웨이퍼의 표면과, 반도체 웨이퍼를 중앙에 두고 장전된 링 프레임의 표면에 걸쳐 보유 지지 테이프를 접착하는 보유 지지 테이프 접착 과정과,상기 보유 지지 테이프에 접착하여 보유 지지된 반도체 웨이퍼의 고리 형상 볼록부를 제거하는 고리 형상 볼록부 제거 과정과,상기 고리 형상 볼록부의 제거에 의해 편평하게 된 반도체 웨이퍼의 이면과 링 프레임의 이면에 걸쳐 점착 테이프를 접착하는 점착 테이프 접착 과정과,링 프레임의 표면과 반도체 웨이퍼의 표면에 걸쳐 접착되어 있는 상기 보유 지지 테이프를 박리하는 보유 지지 테이프 박리 과정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고리 형상 볼록부 제거 과정은, 보유 지지 테이프에 접착하여 보유 지지된 반도체 웨이퍼의 백 그라인드 영역의 외주 부위를 고리 형상으로 절단하고, 당해 부위를 점착 테이프로부터 박리 제거하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 보유 지지 테이프는 자외선 경화형의 점착 테이프이며,상기 고리 형상 볼록부를 절단 제거하기 전에, 상기 고리 형상 볼록부의 보유 지지 테이프 접착면에 자외선을 조사하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고리 형상 볼록부 제거 과정은, 보유 지지 테이프에 접착하여 보유 지지된 반도체 웨이퍼의 백 그라인드 영역의 외주 부위를 백 그라인드 레벨까지 연삭 제거하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보호 테이프 박리 과정은, 반도체 웨이퍼의 고리 형상 볼록부의 내경보다도 작은 직경의 흡착 볼록부를 갖는 흡착 테이블에 의해, 고리 형상 볼록부의 내측의 편평 오목부를 흡착 보유 지지하고,이 상태에서, 접착 롤러에 감아 걸어 공급되는 박리 테이프의 비점착면을 당해 접착 롤러로 압박하면서 웨이퍼 표면의 보호 테이프 상을 구름 이동시켜 접착하 는 동시에, 박리 테이프와 보호 테이프를 일체로 하여 박리하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 보호 테이프 박리 과정은, 박리 테이프를 접착할 때, 비접착면측의 고리 형상 볼록부의 편평면을 보유 지지하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보유 지지 테이프 접착 과정은, 반도체 웨이퍼의 고리 형상 볼록부의 내경보다도 작은 직경의 흡착 볼록부를 갖는 흡착 테이블에 의해, 고리 형상 볼록부의 내측의 편평 오목부를 흡착 보유 지지하고,이 상태에서, 접착 롤러에 감아 걸어 공급되는 보유 지지 테이프의 비점착면을 당해 접착 롤러로 압박하면서 웨이퍼 표면 상을 구름 이동시켜 접착하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 보유 지지 테이프 접착 과정은, 보유 지지 테이프를 접착할 때, 비접착면측의 고리 형상 볼록부의 편평면을 보유 지지하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보유 지지 테이프 박리 과정은, 점착 테이프가 접착된 반도체 웨이퍼의 이면과 링 프레임의 이면을 흡착 보유 지지하고,반도체 웨이퍼의 표면과 링 프레임의 표면을 평탄하게 한 상태에서 박리 테이프를 접착하는 동시에, 당해 박리 테이프와 일체로 하여 보유 지지 테이프를 박리하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 방법은상기 보유 지지 테이프를 박리하기 전에, 당해 보유 지지 테이프에 자외선을 조사하는 과정을 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007139089A JP5111938B2 (ja) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | 半導体ウエハの保持方法 |
| JPJP-P-2007-00139089 | 2007-05-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080103909A true KR20080103909A (ko) | 2008-11-28 |
| KR101359154B1 KR101359154B1 (ko) | 2014-02-05 |
Family
ID=40072809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080047784A KR101359154B1 (ko) | 2007-05-25 | 2008-05-23 | 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7598120B2 (ko) |
| JP (1) | JP5111938B2 (ko) |
| KR (1) | KR101359154B1 (ko) |
| CN (1) | CN101312118B (ko) |
| TW (1) | TWI353009B (ko) |
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2007
- 2007-05-25 JP JP2007139089A patent/JP5111938B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-25 CN CN200810009366XA patent/CN101312118B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-02 US US12/114,544 patent/US7598120B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-23 KR KR1020080047784A patent/KR101359154B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-05-23 TW TW097118991A patent/TWI353009B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101312118B (zh) | 2011-08-31 |
| US7598120B2 (en) | 2009-10-06 |
| US20080293221A1 (en) | 2008-11-27 |
| JP5111938B2 (ja) | 2013-01-09 |
| CN101312118A (zh) | 2008-11-26 |
| KR101359154B1 (ko) | 2014-02-05 |
| TWI353009B (en) | 2011-11-21 |
| TW200903606A (en) | 2009-01-16 |
| JP2008294287A (ja) | 2008-12-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |