TWI340182B - Epitaxial wafer and method for production of epitaxial wafer - Google Patents

Epitaxial wafer and method for production of epitaxial wafer

Info

Publication number
TWI340182B
TWI340182B TW096100947A TW96100947A TWI340182B TW I340182 B TWI340182 B TW I340182B TW 096100947 A TW096100947 A TW 096100947A TW 96100947 A TW96100947 A TW 96100947A TW I340182 B TWI340182 B TW I340182B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
epitaxial wafer
production
epitaxial
wafer
Prior art date
Application number
TW096100947A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200728523A (en
Inventor
Katsuhiko Nakai
Koji Fukuhara
Original Assignee
Siltronic Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic Ag filed Critical Siltronic Ag
Publication of TW200728523A publication Critical patent/TW200728523A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI340182B publication Critical patent/TWI340182B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
TW096100947A 2006-01-12 2007-01-10 Epitaxial wafer and method for production of epitaxial wafer TWI340182B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006005237A JP4805681B2 (ja) 2006-01-12 2006-01-12 エピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200728523A TW200728523A (en) 2007-08-01
TWI340182B true TWI340182B (en) 2011-04-11

Family

ID=37909439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096100947A TWI340182B (en) 2006-01-12 2007-01-10 Epitaxial wafer and method for production of epitaxial wafer

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7875115B2 (zh)
EP (1) EP1811066B1 (zh)
JP (1) JP4805681B2 (zh)
KR (1) KR100871626B1 (zh)
CN (1) CN101024895B (zh)
SG (1) SG134246A1 (zh)
TW (1) TWI340182B (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5121139B2 (ja) * 2005-12-27 2013-01-16 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト アニールウエハの製造方法
JP4805681B2 (ja) * 2006-01-12 2011-11-02 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト エピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法
DE102008046617B4 (de) * 2008-09-10 2016-02-04 Siltronic Ag Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren für deren Herstellung
WO2010109873A1 (ja) 2009-03-25 2010-09-30 株式会社Sumco シリコンウェーハおよびその製造方法
JP5544859B2 (ja) * 2009-12-15 2014-07-09 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
US8455756B2 (en) * 2010-02-19 2013-06-04 Translucent, Inc. High efficiency solar cell using IIIB material transition layers
DE102010040860A1 (de) * 2010-09-16 2012-03-22 Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg Schichtsystem aus einem siliziumbasierten Träger und einer direkt auf dem Träger aufgebrachten Heterostruktur
JP2012142455A (ja) * 2010-12-29 2012-07-26 Siltronic Ag アニールウエハの製造方法
JP5606976B2 (ja) * 2011-03-25 2014-10-15 三菱マテリアル株式会社 シリコンインゴット製造装置、シリコンインゴットの製造方法
KR101303422B1 (ko) * 2011-03-28 2013-09-05 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼
JP5440564B2 (ja) * 2011-07-14 2014-03-12 信越半導体株式会社 結晶欠陥の検出方法
JP5580376B2 (ja) * 2012-08-27 2014-08-27 株式会社三共 遊技機
CN103094316B (zh) * 2013-01-25 2016-01-20 浙江大学 一种具有高金属吸杂能力的n/n+硅外延片及其制备方法
JP6020342B2 (ja) 2013-05-10 2016-11-02 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
WO2014192662A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 京セラ株式会社 シリコンインゴットの製造方法およびシリコンインゴット
JP5811218B2 (ja) * 2014-03-18 2015-11-11 株式会社Sumco シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP6447351B2 (ja) 2015-05-08 2019-01-09 株式会社Sumco シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ
JP6950639B2 (ja) * 2018-07-20 2021-10-13 株式会社Sumco シリコン単結晶の炭素濃度測定方法及び装置
CN109827891A (zh) * 2019-02-01 2019-05-31 天津中环领先材料技术有限公司 一种基于sp1颗粒测试仪的cop检测方法
CN113703411B (zh) * 2021-08-31 2022-08-30 亚洲硅业(青海)股份有限公司 多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444246A (en) * 1992-09-30 1995-08-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Determining carbon concentration in silicon single crystal by FT-IR
JPH1050715A (ja) 1996-07-29 1998-02-20 Sumitomo Sitix Corp シリコンウェーハとその製造方法
WO1998005063A1 (fr) * 1996-07-29 1998-02-05 Sumitomo Sitix Corporation Plaquette epitaxiale en silicium et son procede de fabrication
DE19637182A1 (de) * 1996-09-12 1998-03-19 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte
US6042646A (en) * 1997-01-29 2000-03-28 Komatsu Electric Metals Co., Ltd. Simple method for detecting temperature distributions in single crystals and method for manufacturing silicon single crystals by employing the simple method
JPH10242153A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Hitachi Ltd 半導体ウエハ、半導体ウエハの製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
JPH1179889A (ja) * 1997-07-09 1999-03-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
KR100395181B1 (ko) * 1997-08-26 2003-08-21 미츠비시 스미토모 실리콘 주식회사 고품질 실리콘 단결정 및 그 제조방법
TW589415B (en) * 1998-03-09 2004-06-01 Shinetsu Handotai Kk Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer
JP2885240B1 (ja) * 1998-03-16 1999-04-19 日本電気株式会社 半導体結晶育成装置および育成方法
DE19983188T1 (de) * 1998-05-01 2001-05-10 Nippon Steel Corp Siliziumhalbleitersubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1035236A4 (en) * 1998-08-31 2007-01-10 Shinetsu Handotai Kk MONOCRYSTALLINE SILICON PLATE, EPITAXIC SILICON PLATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
US6284384B1 (en) * 1998-12-09 2001-09-04 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
JP3988307B2 (ja) * 1999-03-26 2007-10-10 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ
JP3903643B2 (ja) 1999-05-19 2007-04-11 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
US20020142170A1 (en) * 1999-07-28 2002-10-03 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer
JP3589119B2 (ja) 1999-10-07 2004-11-17 三菱住友シリコン株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法
US6517632B2 (en) * 2000-01-17 2003-02-11 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Method of fabricating a single crystal ingot and method of fabricating a silicon wafer
JP2001199794A (ja) * 2000-01-17 2001-07-24 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶インゴット、その製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP4080657B2 (ja) * 2000-01-18 2008-04-23 コバレントマテリアル株式会社 シリコン単結晶インゴットの製造方法
WO2001055485A1 (fr) * 2000-01-25 2001-08-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Plaquette de silicium, procede de determination de la condition dans laquelle est produit un monocristal de silicium et procede de production d'une plaquette de silicium
KR100792773B1 (ko) * 2000-04-14 2008-01-11 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 실리콘웨이퍼, 실리콘에피텍셜웨이퍼, 어닐웨이퍼 및이들의 제조방법
JP4718668B2 (ja) * 2000-06-26 2011-07-06 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2002064102A (ja) * 2000-08-15 2002-02-28 Wacker Nsce Corp シリコン単結晶基板並びにエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法
JP4615785B2 (ja) * 2000-09-01 2011-01-19 シルトロニック・ジャパン株式会社 窒素添加基板を用いたエピ層欠陥のないエピタキシャルウエハの製造方法
JP2002201091A (ja) * 2000-09-01 2002-07-16 Wacker Nsce Corp 窒素および炭素添加基板を用いたエピ層欠陥のないエピウエハの製造方法
US6547875B1 (en) * 2000-09-25 2003-04-15 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Epitaxial wafer and a method for manufacturing the same
JP3994665B2 (ja) * 2000-12-28 2007-10-24 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶の製造方法
KR100708789B1 (ko) * 2001-01-02 2007-04-19 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. 향상된 게이트 산화물 완전도를 가지는 단결정 실리콘을준비하는 공정
JP4126879B2 (ja) * 2001-02-19 2008-07-30 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2003059932A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶ウエハの製造方法およびシリコン単結晶ウエハ
US6673147B2 (en) * 2001-12-06 2004-01-06 Seh America, Inc. High resistivity silicon wafer having electrically inactive dopant and method of producing same
JP4465141B2 (ja) 2002-01-25 2010-05-19 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
US8021483B2 (en) * 2002-02-20 2011-09-20 Hemlock Semiconductor Corporation Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods
JP4570317B2 (ja) * 2002-08-29 2010-10-27 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶とエピタキシャルウェーハ並びにそれらの製造方法
JP4699675B2 (ja) * 2002-10-08 2011-06-15 信越半導体株式会社 アニールウェーハの製造方法
DE10250822B4 (de) * 2002-10-31 2006-09-28 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung eines mit leichtflüchtigem Fremdstoff dotierten Einkristalls aus Silicium
TWI265217B (en) * 2002-11-14 2006-11-01 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Method and device for manufacturing silicon wafer, method for manufacturing silicon single crystal, and device for pulling up silicon single crystal
JPWO2004083496A1 (ja) * 2003-02-25 2006-06-22 株式会社Sumco シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法
JP4854917B2 (ja) * 2003-03-18 2012-01-18 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウェーハ及びその製造方法
US7014704B2 (en) * 2003-06-06 2006-03-21 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Method for growing silicon single crystal
JP4507690B2 (ja) * 2004-05-10 2010-07-21 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶
EP1780781B1 (en) * 2004-06-30 2019-08-07 SUMCO Corporation Process for producing silicon wafer
JP4604889B2 (ja) * 2005-05-25 2011-01-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法
KR100654354B1 (ko) * 2005-07-25 2006-12-08 삼성전자주식회사 게더링 기능을 가지는 저결함 에피택셜 반도체 기판, 이를이용한 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP4983161B2 (ja) * 2005-10-24 2012-07-25 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン半導体基板およびその製造方法
JPWO2007055187A1 (ja) * 2005-11-14 2009-04-30 出光興産株式会社 金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5121139B2 (ja) * 2005-12-27 2013-01-16 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト アニールウエハの製造方法
JP4805681B2 (ja) * 2006-01-12 2011-11-02 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト エピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法
DE102007027111B4 (de) * 2006-10-04 2011-12-08 Siltronic Ag Siliciumscheibe mit guter intrinsischer Getterfähigkeit und Verfahren zu ihrer Herstellung
KR100827028B1 (ko) * 2006-10-17 2008-05-02 주식회사 실트론 쵸크랄스키법을 이용한 반도체 단결정 제조 방법, 및 이방법에 의해 제조된 반도체 단결정 잉곳 및 웨이퍼
JP4853237B2 (ja) * 2006-11-06 2012-01-11 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
US7438880B2 (en) * 2006-12-20 2008-10-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Production of high purity ultrafine metal carbide particles
JP2008230958A (ja) * 2007-02-22 2008-10-02 Tokuyama Corp ＢａＬｉＦ３単結晶体の製造方法
JP5104437B2 (ja) * 2008-03-18 2012-12-19 株式会社Ｓｕｍｃｏ 炭素ドープ単結晶製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007186376A (ja) 2007-07-26
TW200728523A (en) 2007-08-01
US7875115B2 (en) 2011-01-25
SG134246A1 (en) 2007-08-29
CN101024895A (zh) 2007-08-29
KR100871626B1 (ko) 2008-12-02
EP1811066B1 (en) 2013-04-17
US20070178668A1 (en) 2007-08-02
CN101024895B (zh) 2010-11-17
EP1811066A3 (en) 2010-07-28
KR20070075349A (ko) 2007-07-18
EP1811066A2 (en) 2007-07-25
JP4805681B2 (ja) 2011-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI340182B (en) Epitaxial wafer and method for production of epitaxial wafer
EP2313919A4 (en) TRANCHE THROUGH INTERCONNECTION HOLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
HK1118379A1 (en) Semiconductor component and method of manufacture
TWI365508B (en) Manufacturing method of semiconductor device
EP2514857A4 (en) SiC EPITAXIAL GALETTE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
EP2412849A4 (en) SILICON PLATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
EP2031103A4 (en) PROCESS FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND GALLIUM NITRIDE GALLERY
EP2472568A4 (en) Silicon carbide epitaxial wafer and manufacturing method therefor
EP1988193A4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER
TWI365235B (en) Method for manufacturing epitaxial wafer
HK1144124A1 (en) Semiconductor component and method of manufacture
ZA200711016B (en) Method for production of 1-alkyl-3-phenyluracils
HK1144492A1 (zh) 半導體元件及製造方法
EP2122670A4 (en) METHOD FOR DISCONNECTING SEMICONDUCTOR CHIPS
TWI347379B (en) Silicon wafer and method for producing same
EP2072070A4 (en) SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
EP2366194A4 (en) SEMICONDUCTOR WAFERS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
EP1953808A4 (en) PROCESS FOR PRODUCING EPITAXIAL WAFER AND EPITAXIAL WAFER
HK1141138A1 (zh) 半導體元件及製造方法
GB0605360D0 (en) Method of manufacture
HK1131696A1 (en) Semiconductor component and method of manufacture
EP2033739A4 (en) PROCESS FOR PRODUCING PLATE
HK1125739A1 (en) Semiconductor component and method of manufacture
EP2090358A4 (en) PROCESS FOR PRODUCING MICROCAPSULE
EP2446485A4 (en) EPITAXIAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME