KR101303422B1 - 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼 - Google Patents

단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼 Download PDF

Info

Publication number
KR101303422B1
KR101303422B1 KR1020110027632A KR20110027632A KR101303422B1 KR 101303422 B1 KR101303422 B1 KR 101303422B1 KR 1020110027632 A KR1020110027632 A KR 1020110027632A KR 20110027632 A KR20110027632 A KR 20110027632A KR 101303422 B1 KR101303422 B1 KR 101303422B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
single crystal
region
crystal ingot
wafer
ingot
Prior art date
Application number
KR1020110027632A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120109865A (ko
Inventor
김상희
황정하
최영규
심복철
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020110027632A priority Critical patent/KR101303422B1/ko
Priority to CN2012800166909A priority patent/CN103459682A/zh
Priority to US13/821,007 priority patent/US20140015108A1/en
Priority to DE112012001486.3T priority patent/DE112012001486T5/de
Priority to PCT/KR2012/001992 priority patent/WO2012134092A2/en
Priority to JP2014502450A priority patent/JP2014509584A/ja
Publication of KR20120109865A publication Critical patent/KR20120109865A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101303422B1 publication Critical patent/KR101303422B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers

Abstract

실시예는 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼에 관한 것이다.
실시예에 따른 단결정 잉곳 제조방법은 챔버 내의 도가니에서 실리콘 융액을 형성하는 단계; 상기 실리콘 융액으로부터 단결정 잉곳을 성장하는 단계;를 포함하며, 상기 챔버의 압력을 90 Torr 내지 500 Torr로 제어할 수 있다.

Description

단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼{Method for Manufacturing Single Crystal Ingot and Single Crystal Ingot, Wafer manufactured by the same}
실시예는 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼에 관한 것이다.
반도체를 제조하기 위해서는 웨이퍼를 제조해야하고, 웨이퍼의 제조를 위해서는 먼저 단결정 실리콘을 잉곳(ingot) 형태로 성장시켜야 하는데, 이를 위해 초크랄스키(czochralski, CZ) 법이 적용될 수 있다.
종래기술에 의하면, N형 고농도 도핑된 단결정 잉곳(N-type Heavily Doped Crystal Ingot)에 있어서, 비저항을 맞추기 위해 투입하는 도펀트(Dopant)는 실리콘(Si)보다 융점이 낮은 저융점의 휘발성이 있는 특성이 있어 고농도로 도핑(doping)하여 결정 성장하는 것이 특히 까다로운 실정이다.
이러한 특성으로 인해 면내 RRG(Radial Resistivity Gradient)가 높은 수준인데, 이는 잉곳 외주면에 접한 에지(Edge)가 센터(Center) 대비 도펀트(Dopant)의 휘발이 더 크게 일어나면서 발생되며 이에 따라 에지(Edge)가 센터(Center)보다 비저항(Resistivity: RES)이 높게 되어 동일 조건으로 성장된 P형 고농도 도핑된 잉곳(P-type Heavily Doped Crystal Ingot)보다 RRG가 나쁜 특성을 보이게 된다.
이에 따라 종래기술에 의하면 제조규격(Spec)을 만족을 하나 전체적으로 RRG가 높고 분포가 균일하지 않아 유니포머티(Uniformity)가 좋지 않다.
특히 최근 시장이 커진 전력 소자(Power Device)의 경우 RRG 특성, 즉 면내 RES 특성에 대한 중요성을 간과하거나 또는, RRG 유니포머티의 중요성을 인식한다고 하더라도 RRG의 유니포머티를 확보하지 못하고 있는 실정이다.
실시예는 RRG 특성, 즉 웨이퍼(Wafer) 면내 RES 값이 균일한 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 RRG가 5% 이내로 제어되어 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑된(N-type Doping) 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 단결정 잉곳 제조방법은 챔버 내의 도가니에서 실리콘 융액을 형성하는 단계; 상기 실리콘 융액으로부터 단결정 잉곳을 성장하는 단계;를 포함하며, 상기 챔버의 압력을 90 Torr 내지 500 Torr로 제어할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 웨이퍼는 RRG(Radial Resistivity Gradient)가 5% 이내로 제어될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 단결정 잉곳은 RRG(Radial Resistivity Gradient)가 5% 이내로 제어될 수 있다.
실시예에 의하면, 웨이퍼(Wafer) 면내 RES 값의 유니포머티(Uniformity)가 3% 이내로 제어된 고농도 N형 도핑(N-type Doping)된 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 특히 RRG가 5% 이내로 제어되어 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑된(N-type Doping) 단결정 잉곳 및 웨이퍼를 성장시킬 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 비저항을 맞추기 위해 투입하는 도펀트(Dopant) 가 실리콘(Si) 보다 융점이 낮은 저융점의 휘발성이 있는 특성이 있는 N형(N-type) 결정 성장에 있어서, 특히 5×1017 atoms/cc 이상인 고농도로 도핑(doping)하는 제품을 RRG 5% 이내, 유니포머티(Uniformity)가 3% 이내로 제어된 고농도 N형 도핑(N-type Doping) 잉곳 및 웨이퍼와, 그 제조 방법을 제공하여 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑(N-type Doping) 결정 및 웨이퍼를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 단결정 제조방법이 적용되는 단결정 성장장치 예시도.
도 2는 실시예 적용시 웨이퍼 면내 RES 분포 예시도.
도 3은 비교예의 웨이퍼 면내 RES 분포 예시도.
도 4는 실시예 적용시 웨이퍼 면내 RES 분포의 도식화 예시도.
도 5는 비교예의 웨이퍼 면내 RES 분포의 도식화 예시도.
도 6은 실시예에서 실리콘 융액과 잉곳 간의 계면(interface) 곡면(L)의 예시도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면 등이 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 "상" 또는 "아래"에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 단결정 제조방법이 적용되는 단결정 성장장치 예시도이다.
실시예에 따른 실리콘 단결정 성장장치(100)는 챔버(111), 석영 도가니(112), 히터(121), 인상수단(128) 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 따른 단결정 잉곳성장장치는 챔버(111) 내부에 핫존(hot zone) 구조물로서, 실리콘 융액(SM)이 담기는 석영 도가니(112) 및 도가니의 외연 하부 일부를 감싸 지지하는 흑연 도가니(114)가 장착되고, 흑연 도가니의 하부에 하중을 지지하기 위한 지지구조체(116)가 놓여 지고, 지지 구조체(116)는 회전 구동장치(미도시)에 축합되어 회전 및 승강하는 페데스탈(pedestal)(118)에 결합될 수 있다.
상기 챔버(111)는 반도체 등의 전자부품 소재로 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer)용 단결정 잉곳(Ingot)을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다.
상기 흑연 도가니(114)의 외연에는 단결정 잉곳(IG)성장에 필요한 열에너지를 복사열로 공급하는 열원인 히터(121)가 에워싸고 있고, 히터의 외연으로 히터의 열이 챔버(111) 측면으로 방출되지 않도록 열을 차폐하기 위해 측면 단열시스템(radiation shield)(미도시)이 에워싸고 있다.
상기 히터(121)의 하부로 히터의 열이 챔버 하부로 방출되지 않도록 하부 단열시스템(미도시)이 장착될 수 있다.
상기 측면 단열시스템의 상부에는 히터의 열이 챔버 상부로 방출되지 않도록 열을 차폐하는 상부 단열시스템(미도시)이 장착될 수 있다.
그리고, 상부 단열시스템에는 단결정 잉곳(IG)과 석영 도가니(112)사이에 단결정 잉곳을 에워싸도록 형성되어 실리콘 융액(SM)에서 방출되는 열을 차단하고, 또한 성장된 실리콘 잉곳의 냉각을 위해 실리콘 융액에서 방출되어 실리콘 잉곳으로 전달되는 복사열을 차단하여 냉각 구동력을 증대시키는 기능을 가진 열 쉴드(122)가 장착될 수 있다.
상기 챔버(111)의 상부에는 실리콘 융액(SM)에 인상수단(128)으로 연결된 종자 결정을 디핑시키고, 소정의 속도로 회전시키면서 인상시켜 잉곳을 성장시키는 인상 구동장치가 설치되고, 챔버의 내부에 아르곤(Ar) 또는 네온(Ne) 등의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급관(미도시)이 형성될 수 있다.
그리고, 챔버(111)의 하부에는 가스 공급관에서 공급된 불활성 가스를 진공으로 펌핑하여 배기시키도록 도시되지 않은 진공 배기관계에 연결 형성된 진공 배기관(미도시)이 형성될 수 있다.
여기서, 진공 배기관의 진공 펌핑력에 가스 공급관에서 챔버의 내부로 공급되는 불활성 가스는 하향 유동흐름(down flow)을 가지게 된다.
실시예는 실리콘 단결정 잉곳 성장을 위한 제조방법으로는 단결정인 종자결정(seed crystal)을 실리콘 융액(SM)에 담근 후 천천히 끌어올리면서 결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Czochralsk:CZ)법을 채용할 수 있다.
이 방법에 따르면, 먼저, 종자결정으로부터 가늘고 긴 결정을 성장시키는 네킹(necking)공정을 거치고 나면, 결정을 직경방향으로 성장시켜 목표직경으로 만드는 숄더링(shouldering)공정을 거치며, 이후에는 일정한 직경을 갖는 결정으로 성장시키는 바디그로잉(body growing)공정을 거치며, 일정한 길이만큼 바디그로잉이 진행된 후에는 결정의 직경을 서서히 감소시켜 결국 용융 실리콘과 분리하는 테일링(tailing)공정을 거쳐 단결정 성장이 마무리된다.
실시예는 RRG 특성, 즉 웨이퍼(Wafer) 면내 RES 값이 균일한 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 RRG가 0% 초과 5% 이내로 제어되어 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑된(N-type Doping) 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼를 제공하고자 한다.
도 2는 실시예 적용시 웨이퍼 면내 RES 분포 예시도이며, 도 3은 비교예의 웨이퍼 면내 RES 분포 예시도이다.
예를 들어, 도 2 및 도 3은 4-포인트 프로브(point probe)로 면내 RES 값을 측정한 예이나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2와 같이, 실시예에 따른 단결정 잉곳 및 웨이퍼의 면내 RES 분포를 보면 보라색 원(110) 크기가 도 3의 보라색 원(10)의 크기보다 더 넓은 것을 확인할 수 있다.
이는 실시예의 중심부의 비저항 값이 더 넓은 면적으로 균일하다는 것을 의미한다. 또한 에지(Edge) 부위도 동일 색상(동일 RES)간 간격이 균일한 것을 확인 할 수 있다. 이는 면내 RES 분포 또한 균일하다는 것을 의미한다.
실시예에 의하면, 웨이퍼(Wafer) 면내 RES 값의 유니포머티(Uniformity)가 0% 초과 3% 이내로 제어된 고농도 N형 도핑(N-type Doping)된 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 특히 RRG가 0% 초과 5% 이내로 제어되어 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑된(N-type Doping) 단결정 잉곳 및 웨이퍼를 성장시킬 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 비저항을 맞추기 위해 투입하는 도펀트(Dopant) 가 실리콘(Si) 보다 융점이 낮은 저융점의 휘발성이 있는 특성이 있는 N형(N-type) 결정 성장에 있어서, 특히 5×1017 atoms/cc 이상인 고농도로 도핑(doping)하는 제품을 RRG 0% 초과 5% 이내, 유니포머티(Uniformity)가 0% 초과 3% 이내로 제어된 고농도 N형 도핑(N-type Doping) 잉곳 및 웨이퍼와, 그 제조 방법을 제공하여 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑(N-type Doping) 결정 및 웨이퍼를 제공할 수 있다.
도 4는 실시예 적용시 웨이퍼 면내 RES 분포의 도식화 예시도이며, 도 5는 비교예의 웨이퍼 면내 RES 분포의 도식화 예시도이다.
실시예에 따른 웨이퍼 및 단결정 잉곳의 성장축 방향에 수직한 방향의 단면은 센터(Center)와 0Ω-cm 초과 0.0001Ω-cm 이내 저항(RES) 값을 가지는 제 1영역(110)과, 상기 제 1영역(110)보다는 0.0001Ω-cm 높은 제2 영역(120) 및 상기 제2 영역(120)보다 0.0001Ω-cm 높은 제3 영역(130)을 포함할 수 있다. 또한, 실시예는 상기 제3 영역(130)보다 높은 RES 값을 가지는 제4 영역(140)을 포함할 수 있다.
실시예는 제1 영역(110)의 웨이퍼 표면적이 약 31% 인 반면, 비교예는 제1 영역(10)이 약 22%에 불과하였다. 비교예는 제1 영역(10)보다 RES 값이 높은 제2 영역(20), 제2 영역(120) 보다 RES 값이 높은 제3 영역(30), 제3 영역(30)보다 RES 값이 높은 제4 영역(40)을 구비할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 상기 제1 영역(110), 상기 제2 영역(120) 및 상기 제3 영역(130)의 합계 영역이 상기 단면 전체면적에 대해 약 76% 이상인 반면, 비교예는 71% 에 그친다.
실시예와 비교예의 샘플을 PSD(Power Supply Device)에 적용하여 수율을 파악하였다. 두 종류 제조 규격(Spec)에는 모두 만족하는 수준이나, 실시예 샘플은 약 99.4%의 수율이나 비교예 샘플은 약 98.9% 로 약 0.5%의 수율 차이가 발생되었다. 특히 제4 영역(140)에서 차이가 크게 발생되었다.
실시예에 의하면, 웨이퍼(Wafer) 면내 RES 값의 유니포머티(Uniformity)가 0% 초과 3% 이내로 제어된 고농도 N형 도핑(N-type Doping)된 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 특히 RRG가 0% 초과 5% 이내로 제어되어 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑된(N-type Doping) 단결정 잉곳 및 웨이퍼를 성장시킬 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 비저항을 맞추기 위해 투입하는 도펀트(Dopant) 가 실리콘(Si) 보다 융점이 낮은 저융점의 휘발성이 있는 특성이 있는 N형(N-type) 결정 성장에 있어서, 특히 5×1017 atoms/cc 이상인 고농도로 도핑(doping)하는 제품을 RRG 0% 초과 5% 이내, 유니포머티(Uniformity)가 0% 초과 3% 이내로 제어된 고농도 N형 도핑(N-type Doping) 잉곳 및 웨이퍼와, 그 제조 방법을 제공하여 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑(N-type Doping) 결정 및 웨이퍼를 제공할 수 있다.
실시예에 의하면 매번 영역별 면적을 구하기 어려워 이를 통상적인 RRG와 유니포머티(uniformity) 값으로도 표현하였으며, 이 경우 모두 고객사 제조규격(Spec)에 모두 만족은 하나 더 높은 수율을 위해서는 RRG가 0% 초과 5% 이내, 유니포머티(uniformity)0가 0% 초과 3% 이내인 것이 전력소자(Power Device) 수율에 큰 영향을 줄 수 있다.
비저항값 RRG 수율(평균) 유니포머티 영역별 면적
실시예 0.00286Ωcm 5% 99.4% 2.8% 제1영역: 31~33%
제1 영역 ~제3영역: 76~78%
비교예 0.00279Ωcm 9% 98.9% 4.1% 제1영역: 22~25%
제1 영역~제3영역: 71~73%
단, 유니포머티(Uniformity)=((Max value-Min value)/Max value) × 100%
RRG = ((Avg 4 point -Center 1 point )/Center 1 point) × 100 %, Edge: 10mm
실시예는 단결정 성장 시 에지(Edge) 외주면(제3 영역(130) 및 제4 영역(140), 특히 제4 영역(140))의 도펀트(dopant) 휘발을 억제하기 위해 챔버 내 압력을 90 Torr 내지 500 Torr로 제어할 수 있다.
챔버의 압력이 90 Torr 미만의 경우 잉곳 외주부에서 도펀트의 휘발에 의해 비저항이 증가하게 되며, 챔버의 압력을 500 Torr 이하로 제어해야 CZ법에 따라 잉곳 성장시 산화물 배출이 잘 될 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 도 6과 같이 중심부인 제1 영역(110)의 면적을 최대한 확보하기 위해 실리콘 융액(SM)와 잉곳(IG) 간의 인터페이스(interface) 곡면(L)을 3mm 내지 10mm로 제어할 수 있다.
실시예에 의하면, 웨이퍼(Wafer) 면내 RES 값의 유니포머티(Uniformity)가 3% 이내로 제어된 고농도 N형 도핑(N-type Doping)된 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼를 제공할 수 있다.
삭제
또한, 실시예에 의하면 특히 RRG가 0% 초과 5% 이내로 제어되어 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑된(N-type Doping) 단결정 잉곳 및 웨이퍼를 성장시킬 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 비저항을 맞추기 위해 투입하는 도펀트(Dopant) 가 실리콘(Si) 보다 융점이 낮은 저융점의 휘발성이 있는 특성이 있는 N형(N-type) 결정 성장에 있어서, 특히 5×1017 atoms/cc 이상인 고농도로 도핑(doping)하는 제품을 RRG 0% 초과 5% 이내, 유니포머티(Uniformity)가 0% 초과 3% 이내로 제어된 고농도 N형 도핑(N-type Doping) 잉곳 및 웨이퍼와, 그 제조 방법을 제공하여 수율 향상 및 고품질의 고농도 N형 도핑(N-type Doping) 결정 및 웨이퍼를 제공할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 챔버 내의 도가니에서 실리콘 융액을 형성하는 단계;
    상기 실리콘 융액으로부터 단결정 잉곳을 성장하는 단계;를 포함하며,
    상기 실리콘 융액을 형성하는 단계는,
    상기 실리콘 융액에 N 형 도펀트(N-type dopant)를 5×1017 atoms/cc 이상으로 도핑하는 단계를 포함하고,
    상기 챔버의 압력을 90 Torr 내지 500 Torr로 제어하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 실리콘 융액과 상기 단결정 잉곳의 인터페이스(interface)를 3mm 내지 10mm로 제어하는 단결정 잉곳 제조방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 실리콘 웨이퍼의 센터를 포함하고, 0Ω-cm 초과 0.0001Ω-cm 이하의 저항(RES) 값을 가지는 제 1 영역;
    상기 제 1영역보다는 0.0001Ω-cm 높은 제 2영역; 및
    상기 제 2영역보다 0.0001Ω-cm 높은 제 3영역; 을 포함하고,
    상기 제1 영역은 상기 실리콘 웨이퍼의 전체면적에 대해 31% 이상 33% 이하이고,
    상기 실리콘 웨이퍼는 RRG(Radial Resistivity Gradient)가 0% 초과 5% 이하로 제어되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 유니포머티(Uniformity)가 0% 초과 3% 이내로 제어된 실리콘 웨이퍼.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역의 합계 영역이 상기 웨이퍼의 전체면적에 대해 76% 이상 78%이하인 실리콘 웨이퍼.
  10. 단결정 잉곳의 성장축 방향에 수직한 방향의 단면에 대해,
    상기 단면의 센터를 포함하고, 0Ω-cm 초과 0.0001Ω-cm 이하의 저항(RES) 값을 가지는 제 1 영역;
    상기 제 1영역보다는 0.0001Ω-cm 높은 제 2영역; 및
    상기 제 2영역보다 0.0001Ω-cm 높은 제 3영역; 을 포함하고,
    상기 제1 영역은 상기 단면 전체면적에 대해 31% 이상 33% 이하이고,
    상기 단결정 잉곳은 RRG(Radial Resistivity Gradient)가 0% 초과 5% 이하로 제어되는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역의 합계 영역이 상기 단면 전체면적에 대해 76% 이상 78% 이하인 단결정 잉곳.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 단결정 잉곳의 단면 내 유니포머티(Uniformity)가 0% 초과 3% 이내로 제어되는 단결정 잉곳.
KR1020110027632A 2011-03-28 2011-03-28 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼 KR101303422B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110027632A KR101303422B1 (ko) 2011-03-28 2011-03-28 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼
CN2012800166909A CN103459682A (zh) 2011-03-28 2012-03-20 制造单晶锭的方法、单晶锭和由该单晶锭制造的晶片
US13/821,007 US20140015108A1 (en) 2011-03-28 2012-03-20 Method of manufacturing single crystal ingot, and single crystal ingot and wafer manufactured thereby
DE112012001486.3T DE112012001486T5 (de) 2011-03-28 2012-03-20 Verfahren zur Herstellung eines Einkristallingots und hierdurch hergestellter Einkristallingot und Wafer
PCT/KR2012/001992 WO2012134092A2 (en) 2011-03-28 2012-03-20 Method of manufacturing single crystal ingot, and single crystal ingot and wafer manufactured thereby
JP2014502450A JP2014509584A (ja) 2011-03-28 2012-03-20 単結晶インゴットの製造方法およびこれによって製造された単結晶インゴットとウェハ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110027632A KR101303422B1 (ko) 2011-03-28 2011-03-28 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120109865A KR20120109865A (ko) 2012-10-09
KR101303422B1 true KR101303422B1 (ko) 2013-09-05

Family

ID=46932062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110027632A KR101303422B1 (ko) 2011-03-28 2011-03-28 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140015108A1 (ko)
JP (1) JP2014509584A (ko)
KR (1) KR101303422B1 (ko)
CN (1) CN103459682A (ko)
DE (1) DE112012001486T5 (ko)
WO (1) WO2012134092A2 (ko)

Families Citing this family (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
US11414778B2 (en) * 2019-07-29 2022-08-16 Globalwafers Co., Ltd. Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010031575A (ko) * 1998-08-31 2001-04-16 와다 다다시 실리콘 단결정 웨이퍼, 에피택셜 실리콘 웨이퍼와 그제조방법
JP2008280212A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶の製造方法
KR20090034465A (ko) * 2007-10-04 2009-04-08 주식회사 실트론 실리콘 잉곳 성장방법
KR20100092174A (ko) * 2009-02-12 2010-08-20 주식회사 실트론 비저항 특성이 균일한 단결정 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 단결정

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03137091A (ja) * 1989-10-19 1991-06-11 Hitachi Cable Ltd 半導体単結晶の製造方法
JP2795030B2 (ja) * 1992-01-29 1998-09-10 信越半導体株式会社 単結晶シリコン棒の製造方法
JPH07277870A (ja) * 1994-03-31 1995-10-24 Sumitomo Sitix Corp 結晶成長方法および装置
JP3783495B2 (ja) * 1999-11-30 2006-06-07 株式会社Ｓｕｍｃｏ 高品質シリコン単結晶の製造方法
JP4433865B2 (ja) * 2004-04-27 2010-03-17 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の製造方法
JP4484599B2 (ja) * 2004-07-05 2010-06-16 コバレントマテリアル株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP4805681B2 (ja) * 2006-01-12 2011-11-02 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト エピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法
JP4631717B2 (ja) * 2006-01-19 2011-02-16 株式会社Ｓｕｍｃｏ Ｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハ及びｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP4760729B2 (ja) * 2006-02-21 2011-08-31 株式会社Ｓｕｍｃｏ Ｉｇｂｔ用のシリコン単結晶ウェーハ及びｉｇｂｔ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP2008087981A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 ドーパントの注入方法及びｎ型シリコン単結晶
DE112007001701B4 (de) * 2006-07-20 2018-03-15 Sumco Techxiv Corp. Verfahren zur Injektion von Dotierstoff, Dotiervorrichtung und Ziehvorrichtung
JP5302556B2 (ja) * 2008-03-11 2013-10-02 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法
WO2010021272A1 (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコンインゴット、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法、並びにシリコンインゴット
EP2249392B1 (en) * 2009-04-29 2020-05-20 ABB Power Grids Switzerland AG Reverse-conducting semiconductor device
JP5399212B2 (ja) * 2009-11-16 2014-01-29 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP2012038973A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Siltronic Ag シリコンウエハ及びその製造方法
US8507358B2 (en) * 2010-08-27 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite wafer semiconductor
JP5764937B2 (ja) * 2011-01-24 2015-08-19 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウェーハの製造方法
US20130049178A1 (en) * 2011-08-25 2013-02-28 Aeroflex Colorado Springs Inc. Wafer structure for electronic integrated circuit manufacturing
KR101390797B1 (ko) * 2012-01-05 2014-05-02 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 성장 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010031575A (ko) * 1998-08-31 2001-04-16 와다 다다시 실리콘 단결정 웨이퍼, 에피택셜 실리콘 웨이퍼와 그제조방법
JP2008280212A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶の製造方法
KR20090034465A (ko) * 2007-10-04 2009-04-08 주식회사 실트론 실리콘 잉곳 성장방법
KR20100092174A (ko) * 2009-02-12 2010-08-20 주식회사 실트론 비저항 특성이 균일한 단결정 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 단결정

Also Published As

Publication number Publication date
CN103459682A (zh) 2013-12-18
KR20120109865A (ko) 2012-10-09
DE112012001486T5 (de) 2014-02-20
US20140015108A1 (en) 2014-01-16
WO2012134092A2 (en) 2012-10-04
JP2014509584A (ja) 2014-04-21
WO2012134092A3 (en) 2012-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101303422B1 (ko) 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼
KR100847112B1 (ko) Ｉｇｂｔ용 실리콘 단결정 웨이퍼 및 ｉｇｂｔ용 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법
KR100928885B1 (ko) Ｉｇｂｔ용의 실리콘 단결정 웨이퍼 및 ｉｇｂｔ용의실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법
KR101522480B1 (ko) 실리콘 단결정 제조 방법, 실리콘 단결정, 및 웨이퍼
US11702760B2 (en) N-type silicon single crystal production method, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer, and epitaxial silicon wafer
TWI468564B (zh) 矽單晶基材及其製造方法
KR101680213B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법
TWI699464B (zh) 化合物半導體及化合物半導體單晶之製造方法
JP2018083754A (ja) 化合物半導体ウエハ、および光電変換素子
TWI691624B (zh) n型矽單結晶的製造方法
KR101020429B1 (ko) 비저항 특성이 균일한 단결정 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 단결정
KR101193678B1 (ko) 대구경 단결정 잉곳 제조방법
KR101205616B1 (ko) 단결정 잉곳 제조방법
KR101625431B1 (ko) 쵸크랄스키법을 이용한 실리콘 단결정의 성장 방법 및 실리콘 단결정 잉곳
JP5805843B2 (ja) シリコン単結晶基板およびその製造方法
KR101252923B1 (ko) 챔버의 하부 단열장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치
KR101261689B1 (ko) 단결정 성장용 도핑시스템 및 이를 구비하는 단결정 잉곳 성장장치
KR101472354B1 (ko) 실리콘 단결정의 성장 방법 및 실리콘 단결정 잉곳
KR20140104677A (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160629

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170626

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180627

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190624

Year of fee payment: 7