TWI337391B - - Google Patents

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Ϊ337391 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體裝置及使用其之記憶卡 【先前技術】 〜 二NAND型快閃記憶體等之半導體記憶卡，小型化與 问谷里化正急速地進展。例如，sdTM記憶卡之卡尺寸存在 有-般之卡尺寸、迷你sdtm卡尺寸、微sd^

寻三種，且在微SD，亦要求高容量化。在謀求小型化之 記憶卡之高容量化方面，檢討不必將内建例如記憶體元件 或控制器元件等之半導心件之半導體裝置收納於如基卡 (base card)之盒體（case)，而以其本身構成記憶卡，而 分已進行實用化。 在製造小型記憶卡之際，首先準備將複數個記憶卡之來 成區域配置成矩陣狀之電路基板框架（f_e)作為電路基 板。藉由電解電錢等將外部連接端子形成於電路基板框架 之各卡形成區域之後，㈣面側㈣半導體元件。接著， 將半導體元件與電路基板予以電性連接之後，以將安裝於 ，數個卡形成區域之半導體元❹峰:欠㈣之方式，、將 密封樹脂鑄模成形於電路基板框架之背面。 藉由將電路基板框架與密封樹脂—同與卡形成區域對碑 加以切割’批次製作複數個記憶卡。於記億卡之外周，係 設有顯示裝配於卡槽（card sl〇t)之際之卡之前後或表背之 方向之缺口部或縮窄部等（請參考例如日本特開2005-339496號公報）。在將半導體裝置收納於盒體所構成之記 D9293.doc 憶卡中，缺口部或縮窄部等 詈置姊邮祕 成於盒體。在以半導體铲 I卓體所構成之無盒體之記 千导體裝 〜卡中’須將缺口部哎缔窄邻 荨形成於半導體裝置本身。 丨次細乍邓 在將電路基板框架切割之際， 削（blade dieing)加工。由 /係應“速之刀刃切 „ v 於缺口部或縮窄部具有包含曲峻 部分之複雜之形狀，因此 曲線 ,wflt . λ 乃榀讨應用雷射加工或水啃射 (water Jet)加工。然而，此 凡^耵 77 +TT ΑΙ λ 4加工方法具有切割速度較刀 刃切削加工慢之弱點。若 ^ ^ Μ ^ , 、射加工或水噴射加工應用於 外形整體之切割，則盔、土 則無法避免電路基板框架之切割 加工效率之降低。 者曲線刀相車父於直線部分必須以低速進行切割， 加工效率更為降低。對曲 …“ 對曲線β分之加工有效之雷射加工與 7 、"工之中，雷射加工切割效率雖較水噴射加工高， 惟於低速之切割時冷卻效率會降低，因此在切割部分之發 熱之影響即成為問題。由於切割時之發熱之影響，而會有 產因為佈線間之絕緣性之降低或構成電路基板之阻劑 或芯材之碳化所產生之短路，甚至容易導致半導體 元件之特性劣化之問題。 【發明内容】 本發明之態樣之半導體裝置’其特徵在於包含：基板， 其具有第1主面及與前述第1主面相反側之第2主面，且包 3 °又於外形之至少—邊之曲線部；半導體S件，其安裝於 則述基板之前述第1主面及前述第2主面之至少一方；及佈 線網’其设於前述基板之前述第1主面及前述第2主面之至 H9293.doc 且自具有削迷曲線部之邊起 吳之距離較自其他邊起 之距離更為遠離。 本發明之另一態樣之半導體 卞导胆裝置，其特徵在於包含：基 板’其具有第丨主面及與前 月J it第1主面相反側之第2主面， 且包含设於外形之至少一邊 , 遭之曲線部，外部連接端子，豆 形成於前述基板之前述第 .Α 主面，第1佈線網，其設於前述 Ή則遮第1主面之除前述外部連接端子之形成區域外 品域且自具有則述曲線部之邊起之距離較自其他邊起 之距離更為遠離；第2佈線，^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 八D又於則述基板之前述第2 主面’且自具有前述曲線.夕，息如^ 琛冲之邊起之距離較自其他邊起之 距離更為遠離；及半導體 等體7C件’其安裝於前述基板之前述 第2主面。 本發明之態樣之兮ρ檢丰 ^4. β ，"卡，其特徵在於包含：基板，其具 有第1主面及與俞试笛， 第主面相反側之第2主面，且包含設 於外形之至少一邊夕Α从如 + # 線。卩，外部連接端子，其形成於前 述基板之前述第1主面. 、 ’第1佈線網，其設於前述基板之前 述第1主面之除前述外部 建接·k子之形成區域外之區域， 且自具有前述曲線部之邊 ^ 土 丨^邊起之距離較自其他邊起之距離更 為遠離：絕緣層，並 义 〃、復盍則述第1佈線網之方式形成於 刖述基板之前述第}主 上’第2佈線網，其設於前述基板 之前述第2主面，且自 八有則述曲線部之邊起之距離較自 其他邊起之距離串id ..# 為遂離，半導體記憶元件’其安裝於前 述基板之前述第2主而. ^ _ ’及在封樹脂層，其以密封前述半 導體記憶元件之方々犯上、 二形成於前述基板之前述第2主面上。 II9293.doc 1337391 【實施方式】 =下’參照圖式說明用以實施本發明之形態。圖】、圖2 二係顯不本發明之實施形態之半導體裝置之構成之 圖’圖1係為半導 、置之°彳面圖，圖2係為俯視圓（頂視 圖）’圖3係背面圖β卜笪一 .^ 此4圖所不之半導體裝置1係用以構 6己憶卡者，且僅於半導體裝置1作為例如微sdtm規格之

記憶卡(微’卡)使用者。半導體裝置1係具有兼具端子 形成基板與元件安裝基板之電路基板2。 電路基板2係於例如絕緣性樹脂基板之内部或表面設有 佈線網者，具體而言可應用使用有玻填環氧樹脂或訂樹脂 (bismaleimide triazine樹脂）等之印刷電路基板。電路基板2 係包含構成端子形成面之第i主面2a、及構成元件安裝面 之第2主面2b。電路基板2係具有概略矩形狀之外形。一方 之短邊3 A係相當於將記憶卡插入於卡槽之際之前端部側。 另一方之短邊3B係相當於記憶卡之後方部側。

於電路基板2之一方之長邊4A係設有缺口部5及縮窄部 ό ’俾顯示記憶卡之前後或表背之方向。缺口部5係以短邊 3Α之寬度較短邊3Β之寬度狭窄之方式，將短邊从與長邊 4 A之角部及從該處連續延伸之長邊4 A之一部分作出缺口 而形成。縮窄部6係將長邊4 A之一部分作出缺口成大致梯 形狀而使之縮窄者》缺口部5或縮窄部6係將電路基板2之 外形作成複雜之形狀外，該等本身之形狀亦具有包含曲線 部分之複雜之形狀。 電路基板2之長邊4 Α係具有缺口部5或縮窄部6，此等係 M9293.doc 1337391 力具有曲線部作為形狀之—部分。再者，電路基板2之各角 。陶為曲線狀(R形狀)。在此雖將缺口部5與縮窄㈣ 開说明’惟此等係可通稱作為將構成電路基板以外形之 邊之一部分作成缺口之部分。半導體裝置1係於使用具有 此種缺口部分之電路基板2時為有效。再者

係於使用具有曲線狀之角部7之電路基板2時為有效。、 在電路基板2之第1主面2a係形成有作為記憶卡之輸出入 端子之外部連接端子8。再者，在電路基板2之第i主面2a 係於除外部連接端子8之形成區域外之區域形成有第1佈線 網9。第1佈線網9係由使用有絕緣性之接著密封或接著膠 帶等之絕緣層10所覆蓋，且藉此予以絕緣。第丨佈線網9係 形成為自設有缺口部5或縮窄部6之長邊4A起之距離1較

自其他邊起之距離更為遠離。 亦即，第1佈線網9係以自具有缺口部5或縮窄部6之長邊 4A起之距離L11較自短邊3B起之距離[丨2或自長邊仙之距 離L13起更大之方式（lu>l12，lu>l13)形成。另外，與 自長邊4A起之距離L11相較之距離，係設為自第丨佈線網9 接近之短邊3B或長邊4B起之距離L12、L13 ’且設為不包 括自外部連接端子8之形成區域所夾介之短邊3A起之距 離0 再者，第1佈線網9在自賦予有r形狀之電路基板2之角部 7起之距離方面’亦與自具有缺口部5或縮窄部6之長邊4A 起之距離LI 1同樣，較自其他邊起之距離（例如L12、Ln) 更遠離。如此’第1佈線網9係以自具有根據缺口部5或縮 119293.doc 1337391 窄部6之曲線部之長邊4八起之距離LU、另外自電路基板2 之曲線狀之角部（具有R形狀之角部）7起之距離，較自其他 邊3B、4B起之距離（例如LI2' Ln)更為遠離之方式形成。 在電路基板2之第2主面2b係設有具有打線接合（wire bonding)時之連接墊（pad)等之第2佈線網u。圖4係顯示第 2佈線網11之構成例。第2佈線網丨丨與第】佈線網9相同，係 形成為自具有缺口部5或縮窄部6之長邊4A起之距離L21較 自其他邊起之距離，亦即較自短邊3A、短邊3B及長邊4B 起之距離更為遠離。 第2佈線網11係具有藉由電解電鍍形成外部連接端子8等 之際之鎮導線12。鍵導線12係朝向除包含缺口部$或縮窄 部6之長邊4A以外之其他邊’例如短邊3B或長邊4B而拉 出。在圖4中，由於鍍導線12係被拉出直到短邊3B或長邊 4B ’因此從短邊3B及長邊4B到第2佈線網11之距離成為 零。因此’第2佈線網11係形成為自長邊4 A起之距離L2 1較 自短邊3A起之距離L22或自短邊3B及長邊4B起之距離（實 際上為零）更為遠離。 再者，第2佈線網11在自賦予有R形狀之電路基板2之角 部7起之距離方面，亦與自具有缺口部5或縮窄部6之長邊 4A起之距離L21同樣，較自其他邊起之距離（例如L22)更遠 離形成。如此，第2佈線網11係以自具有根據缺口部5或縮 窄部6之曲線部之長邊4A起之距離L21、另外自電路基板2 之曲線狀之角部（具有R形狀之角部）7起之距離，較自其他 邊3A、3B、4B起之距離更為遠離之方式形成。 H9293.doc 1337391 在短邊3B或長邊4B係拉出有第2佈線網11。相對於此， 在包含缺口部5或縮窄部6之長邊4A與第2佈線網11之間係 設有不形成佈線之區域（非佈線區域X) 非佈線區域X亦設 於曲線狀之角部7與第2佈線網11之間。如後所述，非佈線 區域X係應用雷射加工而對應設置於要外形加工之部分。 亦即’在電路基板2之應用雷射加工而要外形加工之部分 (長邊4A或各角部7)與第2佈線網11之間係設定有非佈線區 域X。第1佈線網9亦相同。 鍍導線12係於對於電路基板2施以電解電鍍處理並形成 外部連接端子8等之後’如圖5所示，藉由蝕刻處理等將存 在於短邊3B或長邊4B附近之部分予以去除亦可。此時， 鍵導線12係與其他佈線相同，將存在於從構成電路基板2 之外形之各邊（短邊3B或長邊4B等）僅遠離特定之距離之位 置。即使在此種情形’第2佈線網11亦形成為自長邊4A起 之距離L21較自短邊3A、短邊3B及長邊4B起之各距離更遠 離。 再者’使自第1及第2佈線網9、11之長邊4A或角部7之距 離’較自其他邊3A、3B、4B之距離更為遠離，另外又於 第1及第2佈線網11與長邊4A或角部7之間設置虛設（du mmy)佈線亦為有效。圖6係顯示電路基板2之設於第2主面 2b之虛設佈線2〇之一例。在電路基板2之第2主面孔中，於 具有根據缺口部5或縮窄部6之曲線部之長邊4A或曲線狀之 角部7與第2佈線網11之間係設有虛設佈線2〇。 虛設佈線20並非具有作為電性佈線之功能者，而是用以 119293.doc 12 1337391 防止因為雷射加工時之發熱之缺失（基板材料之碳化等）對 於第2佈線網11造成影響者β虛設佈線2 0係獨立於第2佈線 網11而存在。將長邊4Α或角部7進行雷射加工之際，即使 力工σ卩位之基板材料碳化，此碳化狀態亦會於虛設佈線2 〇 被阻止。因此，基板材料之碳化對於第2佈線網丨1造成不 良影響之情形將更確實被抑制。虛設佈線2〇亦可同樣形成 於電路基板2之第1主面2a。虛設佈線20亦可配置於各種雷 射加工部位與佈線網之間，此時亦抑制對於佈線網之不良 影響。 在電路基板2之第2主面2b係安裝有第1及第2半導體元件 13、。第1半導體元件】3係為NAND型快閃記憶體等之半 導體記憶元件。半導體記憶元件13係經由省略圖式之接著 劑層而接著於電路基板2之第2主面2b。+導體記憶元件]3 之安裝數並不以1個為限，亦可是2個或超過2個以上。第2 半導體7L件14係為例如控制器元件。控制器元件14係疊層 於半導體記憶元件13上，經由省略圖式之接著劑層而^ 著。 半導體記憶元件】3或控制器元件】4之各電極塾（未圖示） 係分別經由接合線15、1 6而與設於第2佈線網】丨之連接墊 電性連接。第2佈線網U係經由電路基板2之省略圖式之内 部佈線（貫通孔等）而電性連接於外部連接端子8或第丨佈線 網9。在安裝有半導體記憶元件13或控制器元件】4之電路 基板2之第2主面孔係_形成有環氧樹脂等之密封樹脂層 1 7。半導體/記憶元件! 3或控制器元件】4係藉由密封樹脂層 II9293.doc • 13- 1337391 17密封。 藉由毪封樹脂層〗7將 導體咛严-从 》女裝於電路基板2之第2主面2b之半 导體5己.fe兀件丨3或控 道駚地* 制益兀件14予以一體密封，以構成半 導體裝置（記憶卡y。 ^ 如後所咩述，密封樹脂層17係批次鑄 才吴成形於複數個電路美 _ " 4封树月日層17係與電路基板2 :切广在密封樹脂層17係形成與電路基板2相同形 赋予：5或化窄部6。密封樹脂層17之各角部亦相同，

” ·路基板2之角部7相同之曲線形狀形狀）。 在密封樹脂層Π之前端側（短邊从側）係設有將密封樹脂 與電路基板2之一部分傾#切削之傾斜部Μ ’俾使記 憶卡之插拔容易。傾斜部18係設於記憶卡之表面側（電路 基板2之第i表面2_)。纟密封樹脂層17之後方側（短邊π 側）係設有將密封樹脂隆起一部分所形成之把手部Μ。把 手部19係設於記憶卡之背面側（電路基板2之第2表面孔 側）。 此實施形態之半導體裳置丨係為不使用如基卡之半導體 裝置之收納盒體，而以其單體構成記憶卡（例如微) 者。半導體裝置1係為絕緣層1 〇及密封樹脂層丨7露出於外 邛之無盒體之記憶卡。因此，於半導體裝置丨本身設有用 以顯不記憶卡之前後或表背之方向等之缺口部5或縮窄部 6。缺、口部5或縮窄部6係在將密封樹脂層π鋒模成形於電 路-基板.2之第2主面2b側之後，藉由將電路基板2與密封樹 月曰層1 7 —同切割而形成。 缺口部5或縮窄部6之一部分係由曲線所構成，難以藉由 119293.doc -14 - 刀刃切削進仃加工。因此，缺口部5或縮窄部6係例如應用 雷射加工而切割加工。雷射加工亦可應用於具有缺口部5 或縮窄部6之長邊4A整體之加工。此時，曲線部分相較於 直線部分須以低速進行切割。因此，雷射加工時之冷卻效 率降低，會有在切割部分之發熱之影響之虞。 在此實施形態之半導體裝置丨中，係使自具有缺口部5或 縮窄部6等之曲線部之邊（在此係為長邊4A)到第1及第2佈 線網9、11之距離，較自其他邊起之距離更遠離。因此， 可抑制雷射加工時之發熱對於佈線網9、〗丨或半導體元件 1 3、14造成之不良影響。具體而言，可抑制因為雷射加工 時之基板材料之碳化而導致之佈線網9、π之絕緣性之降 低或短路、因為雷射加工時之發熱所導致之半導體元件 1 3、14之特性劣化。至於其他邊則由於使直到佈線網9、 11之距離充分接近，因此佈線區域被充分確保。 關於曲線狀之角部7，亦與自長邊4A起之距離L11、L 1 2 相同’使直到第1及第2佈線網9、11之距離充分遠離。因 此’可抑制將角部7雷射加工之際之發熱之影響。為了可 重現性良好地抑制雷射加工時之發熱之影響，係以將從要 雷射加工之邊（雷射加工部位）到佈線網9、11之距離設為 0.5 mm以上為佳6亦即，非佈線區域X之形狀係以設為寬 度0.5 mm以上為佳。在此實施形態中，係將從長邊4a或角 部7到第1及第2佈線網9、11之距離分別設為0.5 mm以上。 苐2佈線網11係具有鍍導線12。鍍導線12係需延伸至電 路基板2之邊。在此實施形態中，鍍導線12係朝向除包含 M9293.doc 15 1337391 缺口部5或縮窄部6之長邊4A之外其他邊（短邊3B及長邊4B) 而拉出。因此’不會有雷射加工時之發熱對鍍導線1 2造成 不良影響之虞。如後所述，由於具有直線形狀之短邊3 A、 3 B或長邊4B係藉由刀刃切削進行切割加工，因此加工時 不會有受到發熱之影響之虞。

再者’藉由將虛設佈線2 0設於具有根據缺口部5或縮窄 部6之曲線部之邊（長邊4A)或曲線狀之角部7與第1及第2佈 線網9、11之間’即可更為確實抑制雷射加工時之發熱對 佈線網9、11造成之影響。虛設佈線2〇係對於基板材料因 為雷射加工時之發熱而碳化所導致之佈線網9、11之絕緣 性之降低或短路等之防止為有效。 依據此實施形態之半導體裝置】，即可抑制因為以雷射 加工進行曲線部分加工之際之發熱之影響而使佈線網9、 11内之佈線間之絕緣性降低、或短路產生。再者，由於半

導體7°件13 '】4係安裝於第2佈線網11内之零件裝設區 或因此與第2佈線網11同樣會有發熱之影響之虞。在此 實知形‘悲中係藉由將第2佈線網丨〗從雷射切割部予以充分 遠離即可抑制半導體元件13、14之發熱所導致之特性劣 化。藉由此等，即可提高半導體裝p或使用 之製造良率或可靠性。 Ά己隱卡 成：二：實施形態之半導體裝置1雖對於由其單體所構 之記憶卡為有效，惟不應排除使用 :著:使將伽:收納於盒體而構成二 之j里化或阿在'度化而於半導體裝置形成 H9293.doc -16· 缺口部分或曲線部分之情形。在此種情形’實施形態之半 導體裝置1亦可應用。 接著說明上述之丰也丨 _ 導體裝置1之製程。首先，如圖7A所 準備具有複數個裝置形成區域（記憶卡形Μ域）21之 4基板框架22。複數個裝置形成區域21係分別與電路基 板2對應。應用電解電錄於電路基板框架22之各裝置形成 品域2 1 21以形成外部連接端子8 ^此時，連接墊等亦 視需要藉由電解電鑛形成。外部連接端子8係形成於電路 基板框架22之第1主面22a側。 接著如圖7B所不，於電路基板框架22之第2主面&側安 裝半導體5己憶兀件13。半導體記憶元件】3係分別安裝於各 裝：形成：域21、21...。對半導體記憶元件"施以打線 接〇 ’且藉由接合線（b〇nding wire)l5將半導體記憶元件I] 電極與裝置形成區域2 1 (各電路基板2)之佈線網予以電性 連接。再者，於半導體記憶元件13上安裝控制器元件“之 後’經由接合線16將控制器元件14之電極與裝置形成區域 2 1 (各電路基板2)之佈線網予以電性連接。 ^ 士圓7C所示，將密封樹脂23鑄模成形於電路基板 框架22之第2主面22b側。在樹脂鎮模步驟卜係以將分別 ^裝於複數個裝置形成區域21之半導體記憶元件13及控制 為凡件14予以批次密封之方式，利用轉移㈣（了咖如 漏山％)工法等將批次覆蓋電路基板框架22之第2主面22b 之雄封樹脂23加以鎮模成形。把手部19係藉由將密封樹脂 Μ之一部分隆起，而於密封樹脂23之鑄模成形時同時形 M9293.doc 1337391 成。 將電路基板框架22送至切割步驟’且將電路基板框架22 與密封樹脂23一同切割。藉此’以製作具有已個別片化之 電路基板2之半導體裝置丨。在電路基板框架22之切割步驟 中，首先如圖8A所示，將裝置形成區域21之外周予以直線 眭切割。對於直線部之切割係應用切割速度較快之刀刀切 削。符號24係顯示藉由刀刃切削之切割線。電路基板2之 紐邊3A、SB或長邊4B除各角部7以外，均僅藉由刀刀切削 進仃加工。因此，即使到佈線網9、11之距離較短，亦無 須考慮發熱之影響。 接著’如圖8B所示，藉由雷射加工將缺口部5或縮窄部6 進行切割加工形成，同時將各角部7加工為R形狀。如前所 述，雖藉由雷射加工將曲線部加工時會有發熱之影響之 虞，然而在此由於係使自長邊4A或角部7到佈線網9、11之 距離充分遠離，因此可抑制因為切割時之發熱之影響所導 致佈線間之絕緣性之降低或短路。藉由應用虛設佈線，即 可更確實抑制佈線間之絕緣性之降低或短路。再者，可抑 制安裝於第2佈線網"之元件裝設區域之半導體元件Η、 14之特性劣化。 刀刃切削加工與雷射加工之順序亦可相反。亦即，如圖 9A所示，將具有裝置形成區域幻之缺口部5或縮窄部6之長 邊从與各角部7進行雷射加工。圖中，實線部分係顯示藉 由雷射加工之切割部位。於進行長邊4八之加工之際雷射 加工雖可僅應用於缺口部5或縮窄部6之形成，惟可藉由將 H9293.doc -18- 1337391 包含該等之長邊4A整體進行雷射加工而提升加工效率 邊4 A係包含兩端之自部7;佳ώ 知之角”進仃雷射加工。之後，如圖9Β所 不’將裳置形成區域21之短邊3Α、+反电 瓊JA 3B或長邊4B進行刀刀 切削以製作半導體裝置〗。 依據此實施形態之半導體裝χι之製程，於直線部之切 割係應用切割速度較快之刀刃切削，且僅於包含曲線部之 缺口部5或縮窄部6、及角部7之加工應用雷射加工。因 此，相較於藉由f射加工將電路基板2之外周Μ體切判之 情形’可提高切割步驟之加工效率。再加上由於針對長邊 4A或角部7係使到佈線網9、"之距離充分遠離，因此可抑 制佈線間之絕緣性之降低或短路、半導體元件13、Μ之特 性劣化。因此，可以較佳效率及良率製作具有優異可靠性 之半導體裝置1。 另外，本發明之半導體裝置並不以上述實施形態為限， 亦可適用於在用以構成電路基板之外形之至少一邊設有曲

線部之各種半導體裝置。本發明並不以記憶卡用之半導體 裝置為限。此外，本發明之半導體裝置或記憶卡之具體結 構’、要是滿足本發明之基本構成者，則亦可作各種變 形。再者，實施形態在本發明之技術思想之範圍内可作擴 張或變更，經擴張、變更之實施形態亦包含於本發明之技 術範圍。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明之實施形態之半導體裝置之構成之剖 面圖。 119293.doc -19- 圖2係為圖1所示之半導體裝置之俯視圖。 圖3係為圖1所示之半導體裝置之背面圖。 圖4係顯示設於圖1所千夕田，、，W ^ ’、之用以構成半導體裝置之電路基 反之第2主面側之第2佈線網之—例之圖。 圖5係顯示設於圖】所示之用以構成半導體裝置之電路基 板之第2主面側m網之另—例之圖。 圖6係顯示⑸所示之用以構成半導體裝置之電路基板之 另一例之围。 :^圖職㈣係顯示㈣示之半導體 步驟之圖。 衣1卞 電 圖8A圖係顯示圖1所示之半導體裝 路基板框架之切割步驟之俯視圖。 置之製作步驟之 置之製作步驟之 圖9A及圖9B係顯示圖"斤示之半導體裝 電路基板框架之另一切割步驟之俯視圖。 【主要元件符號說明】 1 半導體裝置 2 電路基板 2a, 22a 第1主面 2b, 22b 第2主面 3AS 3B 短邊 4A, 4B 長邊 5 缺口部 6 縮窄部 7 角部 il9293.doc •20· 1337391

8 外部連接端子 9 第1佈線網 10 絕緣層 11 第2佈線網 12 鍍導線 13 第1半導體元件，半導體記憶元件 14 第2半導體元件，控制器元件 15, 16 接合線 17 密封樹脂層 18 傾斜部 19 把手部 20 虛設佈線 21 裝置形成區域（記憶卡形成區域） 22 電路基板框架 23 密封樹脂 24 切割線 Lll, L12, L13, L21，距離 L22 X 非佈線區域 119293.doc -21 -

Claims (1)

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第096110836號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(99年9月） 十、申請專利範圍： 1 · 一種半導體裝置，其包含： 電路板’其具有形成有第1佈線網之第1主面及與前述 第1主面相反側之形成有第2佈線網之第2主面，且包含 設於外形之至少一邊上之曲線部； 半導體元件’其安裝於前述電路板之前述第1主面及 刖述第2主面之至少一方，且具有電極墊；及連接線， 其將前述第1或第2佈線網與前述半導體元件之前述電極 墊電性連接；且 自m述電珞板之具有前述曲線部之邊起到前述第1佈 線網之距離係大於自前述電路板之其他邊之至少—邊起 到則述第1佈線網之距離，自前述電路板之具有前述曲 線部之邊起到前述第2佈線網之距離係大於自前述電路 板之其他邊之至少一邊起到前述第2佈線網之距離。 2·如請求項I之半導體裝置，其中 自前述電路板之具有前述曲線部之邊起到前述第1佈 線網及前述第2佈線網之距離係〇 5 mm以上。 3‘如請求項1之半導體裝置，其中 前述電路包含設於具有#述曲，線部之邊的缺口部 分。 如請求項1之半導體裝置，其中 路板包含曲線狀之角部’且自前述曲線 第佈I!述第1佈線網之距離係大於自其他邊起到前述 ，之距離，自前述曲線狀之角部起到前述第义钸 119293-990903.doc /jyi ',Q 線網之距離係大於自其 離。 “他邊起到别述第2佈線網之距 5.如請求項1之半導體裝置，其中 前述第1佈線網或第2佈線網 ‘ .+.甘a * 匕3 朝向別述電路板之 月’J述其他邊拉出之線路哕 路之終端位在與前述其他 邊有距離之部位上。 6·如請求項5之半導體裝置，其中 前述線路係鍍導線，且蕻ά+ a 猎由對則述電路板施行錢膜後 移除该鍍導線鄰近在前述盆他邊 j他遭之部分，而使前述鍍導 線之終端位在與前述其他邊有距離之部位上。 7. 一種半導體裝置，其包含： 電路板’其具有形成有第！佈線網之第i主面及與前述 第1主面相反側之形成有第2佈線網之第2主面，且包含 設於外形之至少一邊的曲線部； 已3 外邻連接端子，其形成於前述電路板之前述第1主面 上形成有第1佈線網之區域除外之區域； 半導體元件，其安裝於前述電路板之前述第2主面， 且具有電極墊；及 連接線，其將前述第2佈線網與前述半導體元件之前 述電極墊電性連接；且 & 自前述電路板之具有前述曲線部之邊起到前述第】佈 線網之距離係大於自前述電路板之其他邊之至 二 ^ 遺起 到前述第1佈線網之距離，自前述電路板之具有前述曲 線部之邊起到前述第2佈線網之距離係大於自前逑電路 119293-990903.doc 8. 板之其他邊之至少—邊❹丨前述第2Γίϊ 如請求項7之半導體裝置，其中 自别j電路板之具有前述曲線部之邊起到前述第1佈 線網及前述第2佈線網之距離係〇 5 mm以上。 9. 10 11. 12. 13. 如請求項7之半導體裝置，其中 前述電路板包含設於具有前述曲線部之邊的 分。 如請求項7之半導體裝置，其中 前述電路板包含曲線狀之角部，且自前述曲線狀之角 部起到前述第1佈線網之距離係大於自其他邊起到前述 第！佈線網之距離，自前述曲線狀之角部起到前述第⑽ 線網之距離係大於自其他邊起到前述第2佈線 離。 如請求項7之半導體裝置，其中 前述第2佈線網包含一朝向前述電路板之前述其他邊 拉出之線路，該線路之終端位在與前述其他邊有距離之 部位上。 如請求項11之半導體裝置，其中 前述線路係鍍導線，且藉由對前述電路板施行鑛㈣ 移除該鍍導線鄰近在前述其他邊之部分，而使前述鍵導 線之終端位在與前述其他邊有距離之部位上。 一種記憶卡，其包含： 走電路板’其具有形成有第！佈線網之第i主面及與前述 第1主面相反側之形成有第2佈線網之第2主面且包含 119293-990903.doc

.矽.I — ,.，J ·. ' . · »又於外形之至少一 g之曲線部； 外部連接端子，其形成於前述電路板之前述第1主面 上形成有第1佈線網之區域除外之區域； 、邑、’泉層，其以覆蓋前述第1佈線網孓方式形成於前述 電路板之前述第1主面上； 半導體記憶元件，其安裝於前述電路板之前述第2主 面’且具有電極墊； 連接線，其將前述第2佈線網與前述半導體記憶元件 之蝻述電極塾電性連接；及 密封樹脂層，其以密封前述半導體記憶元件之方式形 成於前述電路板之前述第2主面上；且 自月述電路板之具有前述曲線部之邊起到前述第^佈 線網之距離係大於自前述電路板之其他邊之至少—邊起 到岫述第1佈線網之距離，自前述電路板之具有前述曲 線部之邊起到前述第2佈線網之距離係大於自前述電路 板之其他邊之至少一邊起到前述第2佈線網之距離。 14·如請求項13之記憶卡，其中 進而包含安裝於前述電路板之前述第2主面之控制器 元件。 15 ·如請求項13之記憶卡，其中 自則述電路板之具有前述曲線部之邊起到前述第i佈 線網及前述第2佈線網之距離係〇.5 mm以上。 16.如請求項1 3之記憶卡，其中 前述電路板包含設於具有前述曲線部之邊之缺口部 119293-990903.doc 17·如請求項13之记憶卡，其中 如述電路板包含曲線狀之角部，且自前述曲線狀之角 部起到前述第1佈線網之距離係大於自其他邊起到前述 ^ 1佈線網之距離，自前述曲線狀之角部起到前述第2佈 、泉周之距離係大於自其他邊起到前述第2佈線網之距 離。 18·如請求項13之記憶卡，其中 則述第2佈線網包含一朝向前述電路板之前述其他邊 妆出之線路’該線路之終端位在與前述其他邊有距離之 部位上。 19. 如請求項18之記憶卡，其中 〗述線路係鍍導線，且藉由對前述電路板施行鍍膜後 移除該料線鄰近在前述其他邊之部分，而使前述鍵導 線之终端位在與前述其他邊有距離之部位上。 20. 如請求項13之記憶卡其中 如述電路板之前述也Ar7 ρ & 4曲線部係由雷射光束加工形成，且 位於該曲線部之板材料係經碳化β 119293-990903.doc