TWI335624B - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

Description

1335624 I年月曰修正替換貝丨

Lqq q ί ο.,, I 九、發明說明： t發明所屬之技術領域】 相關申請案的交互引述 此美國非臨時專利申請案基於35 U.S.C. §119、主張於 5 2006年7月12日提申的韓國專利申請案案號2006-65374之 優先權，其等之全部内容於此被併入作為參考資料。 發明領域 本發明係有關於基材處理裝置。更特別地，本發明係 針對於一種基材處理裝置，其中化學品或氣體係被供應至 10 —種基材的一個頂部表面以清潔並乾燥該基材，以及利用 該基材處理裝置之一種基材處理方法。 【先前技術3 發明背景 於製造半導體裝置中’細微圖案的排列係藉由以下方 15 式做到：重複地沈積和姓刻一個絕緣層與一種金屬材料， 塗覆和顯影光租，以及移除雜灰。在此等製程期間產生的 粒子係用一種利用去離子水(DI水）或化學品的濕式清潔製 程予以移除。 一般而言，一種清潔和乾燥裝置包括被提供來夾住一 2〇 種晶圓的一種晶圓夾盤。當由該晶圓夾盤所夾住的一種晶 圓係藉由一個馬達予以旋轉時，DI水或一種化學品係被供 應至該晶圓的一個表面。由於該晶圓的一種旋轉動力，該 被供應的DI水或者化學品於該晶圓的整個表面展開以執行 一種清潔和乾燥製程。 5 日修正替換頁 於此—單一晶圓型的清潔和乾燥裝置中，一個晶圓係 利用DI水予以沖洗以及該經沖洗的 晶圓係利用N2氣體予以 乾燥。 然而，隨著近來直徑更大的晶圓以及一種晶圓的圖案 5更細微之㈣，DI水可能未完全地被移除(未被乾燥）。因一 曰曰圓破清潔和乾燥同時暴露於空氣中，外在環境對於該晶 圓具有一種报大的效應以造成該晶圓的不良乾燥。 【明内容_】 發明概要 1〇 本發明的例示實施例係針對於一種基材處理裝置。於 一個例示實施例中，該基材處理裝置可以包括：帶有一種 夾盤之一種基材承载單元，一種基材被裝载於該夾盤上； 一種底部室（bottom chamber)，其具有一個開著的頂部且被 裝配以圍繞該夾盤的周邊；一種被裝配要打開或關閉該底 15部室的頂部之頂部室，藉此該基材的一種乾燥處理被執 行，同時該基材係與外部隔離；以及一種間接的注射噴嘴， 其被安裝在該頂部室且被裝配以向上地注射乾燥流體，藉 此該乾燥流體係被間接地注射至該基材。 一個上部空間可以被形成於該頂部室的内部中。兮上 20部空間可以包括一種具有一種環形的邊緣部件與一種自今 邊緣部件延伸的中央部件，以及該間接的注射嘴嘴係被安 裝在該邊緣部件以朝該中央部件注射。該中央部件係高於 該邊緣部件是較佳的。並且，一個下部空間可以被形成於 該頂部室的内部之該上部空間的下方，以及—個突出壁可 1335624 I Wf#替換， 以被配置介於該下部空間和該邊緣部件之間，以及一個中 心孔徑可以被形成介於該中央部件和該下部空間之間，藉 此於該中央部件中的乾燥流體流向該下部空間。 該突出壁的一個頂部表面可以包括一個向上地傾斜朝 5 向該中央部件之導引面（guide surface)，以及該突出壁的一 個底部表面具有一個向下地傾斜朝向該基材的一個邊緣之 導引面。 於另一個例示實施例中，該基材處理裝置可以包括： 一種具有一種夾盤的基材承載單元，一種基材係被裝載於 10 該夾盤上；一室（chamber)，其中該基材的承載單元的該夾 盤被配置於其中且被提供以界定一個密閉的空間，藉此該 基材的乾燥處理被執行，同時該基材被密封與外部隔離； 以及一種間接的注射喷嘴，其被裝配以向上地注射乾燥流 體朝向該室的中央，藉此該乾燥流體係被非直接的注射至 15 該基材的一個表面。 於又另一個例示實施例中，該基材處理裝置可以包 括：一種具有一種夾盤的基材承載單元，一種基材係被裝 載於該夾盤上；一種底部室，其具有一個開著的頂部且被 裝配以圍繞該夾盤的周邊；以及一種頂部室，其被裝配以 20 密封該底部室的頂部，藉此該基材的一種乾燥處理係於一 個被密封與外部的空氣隔離之空間中被執行。 本發明的例示實施例之係針對於一種基材處理方法。 於一個例示實施例中，該基材處理方法可以包括：裝載一 種基材於一種被配置於一種底部室之内的夾盤上；供應一 7 1335624 種匕學品至該被裝載的基材以化學處理該基材；以及利用 自一種被安裝在一頂部室之間接的注射喷嘴所間接注射的 乾燥流體予以乾燥該經化學處理的基材，同時該頂部室密 封該底部室之開著的頂部。 5 圖式簡單說明 第1圖闡明一種如本發明之基材處理裝置； 第2圖闡明於第1圖中圖示的該基材處理裝置之一種部 分開啟的底部室； 第3圖闡明於第1圖中圖示的該基材處理裝置之一種完 10 全開啟的底部室； 第4圖闡明一種頂部室； 第5圖闡明自第1圖中圖示的該頂部室的第一喷嘴注射 的乾燥流體之流動； 第6圖是一流程圖，其闡明一種如本發明之基材處理方 15 法。 t實施方式3 較佳實施例之詳細說明 本發明現在將在下文中參照附圖予以更完整地說明， 其中本發明的較佳實施例被顯示。然而，本發明可以以許 20 多不同的形式予以實施以及不應被解釋成被限制於文中提 出的該等實施例。而是，此等實施例係被提供藉此此揭示 將更完全和完整，以及將充分地表達本發明的範疇給那些 本技藝中具有技藝者。相同的號碼始終意指相同的元件。 第1圖闡明一種如本發明之基材處理裝置100。第2和3 p, ^ 年月日修A替換頁 :和:地闡明該基材處理裝置刚的—個部分開啟的底部 m個疋全開啟的底部室。該基材處理裝置100係被裝配 材⑼ 、冲洗，以及乾燥一種基材W，同時旋轉該基 參見第1-3圖，該基材處理裝置i⑻包括—種基材承載 早几11 Π 喑，一種底部室120，一種頂部室130，和一種化學品 、嘴早元160 ’以及一個減壓單元17〇。 該基材承載單元11()係縣m—種製程期間支撐 ^ 該基材承載單元110包括—種夾盤112，轉軸 4 ’ —種旋轉構件116 ’ 一種起重構件117，以及一種後部 噴嘴部件118。 該夾盤112係被配置於該底部室12〇的内部之一個空間 中。該夾盤112具有該基材w係被裝載於其上的—個頂部表 面U2a’以支標該基材w與該頂部表面收隔開之支樓接腳 Uh，以及被提供來固定該基材w之夾盤接腳u3b。該基 材w係藉由料切接腳113抒以切，“與該夹盤⑴ 的该等頂部表面112a隔開。該等夾盤接腳丨丨儿係被提供以 在製程期間夾住該基材W的邊緣之一部分。 該轉軸114係被耦合至該夾盤112的一個中央較低部 件。該轉軸114係以一種中空的軸的形式被提供以傳送該旋 轉構件116的一種旋轉動力至該夾盤112。縱然未被詳細 地闡明’該旋轉構件116可以包括一種被裝配以產生—種 旋轉動力之驅動部件（例如，馬達），一種被提供以傳送該 旋轉動力至該轉軸114之皮帶，以及一種動力傳輸部件（例 9 1335624 -----___ 如，鏈）。 該起重構件117係被提供以升高或降下該夾盤112,藉 此該底部室120的内部，該失盤112的一相對高度隨著流體 的種類（或處理製程）而變化。憑著該起重構件117，該夾盤 5 112係依據流體的種類（或處理製程）而行進至對應至第一、 第二和第三抽吸導管122a、122b，和122c的高度的位置。 該等導管122a、122b，和122c稍後將更詳盡地予以說明。 如上說明的，該底部室120係被固定的，以及該夾盤112係 依據清潔、沖洗，和乾燥處理（或使用的流體的種類）而被升 10 高或降下。然而，可能該夾盤112係被固定的以及該底部室 120被升高或被降下。 該後部喷嘴部件118係被提供於選擇性地注射用於清 潔和乾燥處理的流體至該基材W的底部。該後部噴嘴部件 118包括一種供應管118a和一種喷嘴118b。該供應管118a， 15 該流體的一種流動通路，係通過該轉軸114的一個中空區 段，以及該噴嘴118b係被安裝於該夹盤112的頂部表面之中 央上。該喷嘴118b係被連接至該供應管118a以被暴露至該 夾盤112的一種中央部件，注射用於清潔和乾燥處理的流體 至該基材W的一種後部表面以清潔並乾燥該基材W的後部 20 表面。該供應管118a可以是以該轉軸114内部的一個預定管 的形式界定之一個預定管或一個空的空間。由於該基材W 的旋轉，自該喷嘴118b注射的流體容易地自該基材W的後 部表面的中央被分散至邊緣。 該底部室120具有一個開著的頂部以及被裝配以圍繞 10 該失盤112的周邊。該底部室12G包括多級的第―、第二和 第一環七的導官！22a、丨挪，和丨瓜。此等導管122&、i22b， 和122c係被提供藉此喷灑於該旋轉式基材w上之流體流入 1底部室12G包括—個被連接—條真空線174 之排出和4以強制⑽心氣。漏极線(未顯*)係被連接 該底部室120以回收一種化學品。 參見第1、4’和5圖，該頂部室130包括—個上部杯132， 一種間接的注射喷嘴140，以及一種交換驅動部件138。該 上部杯m係被提供以打開或關_底部室12Q的頂部。該 間接的注时嘴140㈣裝在該上部杯132㈣接地注射乾 燥流體至該騎。該交換_部件138_該上部杯132以 打開或關閉該底部室132的頂部。 該上部杯132具有足以覆蓋該底部室12〇的頂部之大 小。該上部杯132包括一個上部空間134，—個中心孔徑 135，-種導引面136，-種突出壁137以及—個下部空間 139。該上部㈣Π41個具有—種邊緣部件⑽和一種 中央部件134b之傘形的㈣。該邊緣部件⑽係被供應 以-個環形以及該中央部件丨34b係自該邊緣部件丨3心延 伸。該間接的注射喷嘴係被安裝於該邊緣部件13如上。 該中央部件134b係被提供至較該邊緣部件13扣更高的位 置。該上部空間m具有-種通路134c，其係傾斜:以導 引自該間接的注射喷嘴140注射的該乾燥流體至其之中 央部件134b。 該間接的注射喷嘴140係被料在該上部空間134的該 邊緣部件134a以被配置成一種環形。該間接的注射喷嘴140 具有複數個以規則的間隔隔開的注射孔142 ^該等注射孔 142係被形成要向上地注射乾燥流體。該乾燥流體在經由該 間接的注射噴嘴140的該等注射孔142注射之後，其係沿著 a亥上部空間134流動朝向該上部空間的該中央部件i34b(該 上部杯132的中央）。 在該上部空間134的該中央部件13仆收集的該乾燥流 體係經由該中心孔徑135而被排至一個下部空間139。該突 出壁137係被配置於該下部空間139和該邊緣部件 134a 之 間’自該間接的注射喷嘴14G注射之乾驗體流動至該處。 該突出壁13 7作用為賴該基材w不受自該間接的注射喷 嘴140落下的外來的物質影響。該巾心孔徑135係被形成於 該中央部件134b和下部空間139之間。該突出壁137的頂部 表面具有-種導引面137a，其係向上地傾斜朝向該中央部 件134b，以及上部杯132的底部表面具有一種導引面136， 其係向下地歸㈣於該失油2上移_縣材之一邊 緣。 ’主思到該乾燥流體可以包括有機溶劑(ιρΑ)和氮 ()氣，、可以在範圍自攝氏3〇至度的溫度下予以 加熱。 如上4明的’该間接的注射喷嘴皮用來間接地注 射乾燥流體至一種基材。因而，維持層流(―) 皮徹底地，轉以及錄燥流體的—濃度分佈係較利用一種 的擺動喷嘴更均句地被維持。特別地，該間接的注射 1335624 喷嘴140係被配置於該上部空間134的該邊緣部件（一^ —-- 内凹的空間）134a以預防自該間接的注射噴嘴14〇之該等注 射孔142落下之外來的物質不掉落至該基材上。 該上部杯132的該導引面136係自其之中央至其之邊緣 5向下地傾斜。經由該中心孔徑135予以排掉的乾燥流體係藉 由s亥導引面136導引以逐漸地自該基材的中央擴散至邊 緣。因而，該導引面136作用為預防該乾燥流體的密度不在 該基材的邊緣下降。該上部杯132的該導引面丨36係被提供 以界定該處理空間139,其在高度上自該基材的中央至邊緣 10 變得狹窄。 因為該處理空間139係自其之中央至其邊緣下降，自一 種基材的中央至邊緣流動之該乾燥流體的密度在該處理空 間139的邊緣係更咼於其之十央。另外，因該乾燥流體係逐 漸地擴散以自該基材的中央流動至邊緣，其係均勻地被供 15 應至該基材的整個表面。 特別地，因作用為流體的一個流動通路之該處理空間 139在該基材的邊緣比其之中央變得更狹窄，該乾燥流體在 該基材的邊緣比其之中央流動得更快。因此，提高移除剩 餘在該基材的表面上的粒子之效力以及乾燥水分的效力是 20 可能的。 該頂部室130係被提供以被配置於該上部杯丨32的旁邊 之一種密封構件133，其係與該底部室12〇接觸。該密封構 件133係被提供以密封一個空間，一種基材於該空間中被處 理。 13 1335624

r— — -ίΑΜ，換頁I 一種減壓構件170係被提供以減壓藉由該頂部和底部 至120和130彼此耦合而形成之一個密封的處理空間139。該 減壓構件17 G包括—個真空幫浦i 7 2和—條真空線i 7 4，該真 空線具有被連接至該真空幫浦172之—端以及被連接至該 5底部室120的該排出皡124之另一端。 如上说明的，該基材處理裝置1〇〇具有如下的結構特 徵：該基材w的該處理空間139係藉由該上部室13〇而與外 部隔離，以及該隔離的處理空間（密閉的空間）“a，，可以被減 壓至具有低於大氣壓力的壓力。依據該等結構特徵，由外 10部的環境造成的影響可以被減弱’以及在一種基材乾燥製 程期間，一種基材可以被更快地乾燥。 縱然未被闡明於圖示中，該底部室120和該基材承戴單 元110的該夾盤112係被裝配以相對或分別地被提高。縱然 該底部室120和該夾盤112被升高或被降下，一種基材w 15以被裝載於該夾盤112上或者該經處理的基材w可以自* 夾盤112被卸下。 20 參見第1和3圖’該化學品喷嘴單元160係被裝配以注射 清潔流體和沖洗流體至該基材W的一個頂部表面。該化$ 品喷嘴單元160包括一種喷嘴162，其係藉著一種喷嘴移動 構件164而於一直線向上或向下地移動或者自該基材力的 中心頂部旋轉式地移動至該底部室120的外部。該噴嘴移動 構件164包括該喷嘴162被耦合至該處的—種水平支承 166,以及被連接至該水平支承166且憑著一個馬達（未顯示） 而可旋轉的一種垂直支承168。 14 1335624 一 月《曰,修許換頁 注射孔的數目和被供應的流體之種類以及該等&烈已8- H— 的空間可以依據清潔和乾燥一種基材的方法而變化。舉例 而言’用於清潔一種基材的流體可以是去離子水(DI水)和氫 氟酸(HF)的混合溶液，DI水或者氨溶液和過氧化氮水溶液 5的混合溶液，以及乾燥一種基材的流體可以是異丙醇蒸汽 (IPA蒸汽)和氮氣的混合氣體或者氮氣。 如於第5圖中闡明的，一個上部杯132的邊緣和一種基 材係以範圍自0.5至2公分的間隔予以隔開以預防自該基材 * 散射的水粒子和乾燥流體彈回一種底部室的壁上。 10 一種利用前述的基材處理裝置之基材清潔和乾燥的方 a 法現在將如下予以更詳盡地說明。 -， 第6圖是一流程圖，其闡明一種如本發明之基材處理方 法。 參見第1-6圖，一種基材w係通過一種底部室丨2〇之開 15著的頂部而被裝載於一種夾盤112上(S110)。該基材w係由 φ 夾盤接腳113b夾住，同時由支撐接腳113a予以支撐。該基 材w憑著該旋轉構件116的操作而與該夾盤112 一起旋轉。 該旋轉的基材w係經由一種化學品噴嘴單元16〇之一個喷 嘴162注射的流體予以清潔和沖洗（見第3圖）(§12〇)。 20 在該基材评被清潔和沖洗之後，該基材W的-種乾燥 處理被執msm)。·祕理餘—種高私低於大氣壓 力的一個壓力下予以執行以預防該基材…的表面上之水潰 的產生。 現在，該乾燥處理被更詳盡地說明。該底部室12〇的頂 15 1335624 -------1 lmm . 年月日修正替換頁 ^-αο, ο. 12—— 部憑著一個上部杯132而予以密封（S132)。由該頂部室13〇 和該底部室120所密封的一個下部空間139係藉著一個減壓 單元170予以減壓以具有一個低於一個大氣壓力的壓力 (S134)。當該下部空間139被減壓以具有一個低於一個大氣 5壓力的壓力時，該基材W係藉著經由一種間接的注射喷嘴 140間接地注射的乾燥流體而予以乾燥（S136)。該乾燥流 體可以是在該下部空間139的減壓之前、經由該間接的注 射喷嘴140而予以供應（當該頂部室13〇移動以密封該底 部室120時，自該點）。該間接的注射喷嘴14〇係被配置於 鲁 10 —個上部空間134的該邊緣部件134a以及一個注射孔142 係面向上以預防自該注射孔142落下的外來的物質造成 ~ 的基材污染。 該乾燥流體在通過該間接的注射喷嘴14〇之該等注射 孔142注射之後，沿著該上部空間134而被收集至該上部空 15間134的該中央部件13仆(該上部杯132的頂部）。被收集的乾 燥流體係通過一種中心孔徑135而被排至該下部空間139。 _ 被排掉的乾燥流體流動以更快且均勻地乾燥該基材w的表 面，然而自該基材W的中央逐漸地擴散至邊緣。 於本發明中，一種基材w的頂部和底部表面可以在同 2〇時地被清潔和乾燥。清潔和乾燥該基材_底部表面係以 如下方式做到，藉由通過一種後部噴嘴部件15〇的一種喷嘴 152而供應如被供應至該基材w的頂部之相同的流體至該 基材W的底部表面，然而旋轉該基材⑼。 設若該基材W的乾燥結束，該頂部室13〇的該上部杯 16

132破提尚至於第2圖中閣明的位置，在移動至第3圖中^ 的位置之前，以打開該底部室120(S140)的頂部。在一種不 動的位置時，該基材W係自該夾盤112卸下(S150)。 本發明可以被應用至利用液相（或氣相）流體予以處理 …種基材的全部的裝置。雖然一種旋轉式清潔裝置已經被 °兒明於該本發明的實施例中，本發明可以被應用至-種旋 轉式餘刻裝置。 總而言之，本發明具有如下的優點：（1)一種基材被很 也乾燥，（2)乾燥流體係被間接地注入至一種基材以完 全地維持一種層流以及均勻地維持該乾燥流體之濃度分 佈’（3)—種基材在一種乾燥處理期間被保護不受外部的 ’可染物影響；（4)由外部的環境造成的影響在一種乾燥處 理期間被減弱；（5)—種基材被預防不與空氣接觸；以及 (6)被供應以乾燥一種基材的流體之濃度與溫度上的變 異被降低。 縱然本發明已經以有關該於附圖中闡明的本發明的實 施例予以說明，本發明不被限制於該處。各種取代、修飾 和改變可以被達成而不背離本發明的範疇和精神，此對那 些本技藝中具有技藝者將是明顯的。 【«式簡單說明】 第1圖闡明一種如本發明之基材處理裝置； 第2圖闡明於第1圖中圖示的該基材處理裝置之一種部 分開啟的底部室； 第3圖闡明於第1圖中圖示的該基材處理裝置之一種完 1335624 年月日修正替換頁 〇〇-8rU2_,_ 全開啟的底部室； 第4圖闡明一種頂部室； 第5圖闡明自第1圖中圖示的該頂部室的第一噴嘴注射 的乾燥流體之流動； 5 第6圖是一流程圖，其闡明一種如本發明之基材處理方 法。 【主要元件符號說明】 100…基材處理裝置 118a…供應管 110···基材承載單元 118b, 152···喷嘴 112…夾盤 122a…第一抽吸導管 112a…夾盤之頂部表面 122b…第二抽吸導管 W…紐 122c…第三抽吸導管 120…底部室 124…排出埠 130…頂部室 174…真空線 160···化學品喷嘴單元 132…上部杯 170…減壓單元/構件 140…間接的注射喷嘴 113a…支撐接腳 138…交換驅動部件 113b…爽盤接腳 134···上部空間 114…轉轴 135…中心孑 116…旋轉構件 136,137a…導引面 117…起重構件 137…突出壁 118,150···後部喷嘴部件 139…下部/處理空間

18 1335624 un正替換頁 134a…邊緣部件 134b…中央部件 134c._.通路 133…密封構件 172…真空幫浦 142···注射孔 162…喷嘴 164…喷嘴移動構件 166…水平支承 168…垂直支承

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Claims (1)

1335624 年月日修正替換頁 〇θ··8_1》' I 十、申請專利範圍： 1. 一種基材處理裝置，其包含： 一帶有一夾盤之基材承載單元，一基材被裝載於該 夾盤上； 5 一底部室，其具有一個開著的頂部且被裝配以圍繞 該夾盤的周邊； 一被裝配以打開或關閉該底部室的頂部之頂部 室，藉此用於該基材的乾燥處理被執行，同時該基材係 與外部隔離；以及 I 10 一間接的注射喷嘴，其被安裝在該頂部室且被裝配 以向上地注射乾燥流體，使得該乾燥流體被間接地注射 k 至該基材。 … 2. 如申請專利範圍第1項之基材處理裝置，其中一個上部 . 空間係被形成於該頂部室的内部中，該上部空間具有帶 15 有環形的一邊緣部件與自該邊緣部件延伸的一中央部 件，以及該間接的注射喷嘴係被安裝在該邊緣部件以朝 φ 該中央部件注射。 3. 如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該中央部 件係高於該邊緣部件。 20 4.如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中一個下部 空間係被形成於該頂部室的内部中之該上部空間的下 方，且其中一個突出壁係被配置為介於該下部空間和該 邊緣部件之間，其中一個中心孔徑係被形成為介於該中 央部件和該下部空間之間，使得該中央部件内的乾燥流 20 1335624 kV沒替換頁 體流向該下部空間。 ^ 5.如申請專利範圍第4項之基材處理裝置，其中該突出壁 的一頂部表面具有向上地朝向該中央部件傾斜之一導 引面。 5 6.如申請專利範圍第4項之基材處理裝置，其中該上部室 的一底部表面具有向下地朝向該基材的一邊緣傾斜之 一導引面。 7.如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該上部空 間係被形成為傘形。 10 8.如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該頂部室 係以範圍自〇·5至2公分的間隔與該基材的該邊緣隔開以 預防自該基材散射的該乾燥流體和水粒子彈回該底部 室的壁上。 9. 如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該底部室 15 包括複數個以多級（multi-steps)方式配置的環形的抽吸 導管以抽吸空氣和被散射於該基材上的化學品。 10. 如申請專利範圍第9項之基材處理裝置，其中該夾盤係 依據該等抽吸導管的高度而被升高或者被降下。 11. 如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該夾盤包 20 含承載單元，該等承載單元係被裝配以支撐一向上隔開 的基材。 12·如申請專利範圍第11項之基材處理裝置，其進一步包 含： 被安裝在該夾盤之一後部噴嘴部件以注射清潔流 21 日发替換頁 體和乾燥流體至該基材的一後部表面 叫& 奴基材處理裝置，其中該乾烨法 體包括異丙醇或者氮氣。 …κ 14. 一種基材處理方法，其包含·· 裝載一基材於被配置於-底部室之夾盤上. 材;：化學品至該被裝載的基材以化學處理該基 注射的錢缝、乾料㈣㈣嘴所間接 邱Μ龄h 處_歸，同時該頂 :制底°Ρ室之開著的頂部，其中該乾燥流體包括 異丙醇或者氮氣。 15.：：^專利卿第Μ項之純處财法，其中在該頂部 t底部室之前，該頂部室的該内部係被維持在乾 燥流體的氛圍^ 16=申3月專利辄圍第14項之基材處理方法其中該乾燥該 基材包含： 自°玄頂°卩至的邊緣注射該乾燥流體朝向中央； 、k幵/成於4頂部室的中央之__中心孔徑而排掉 在該頂:室的中央收集的該乾燥流體；以及 乾燥e玄基材，同時自該基材的中央逐漸地擴散被排 掉的乾燥流體至邊緣。 17· 一種基材處理裝置，其包含： 一具有一夾盤的基材承載單元，一基材係被裝載於 該失盤上； 1335624 月㉛換頁 一底部室，其具有一個開著的頂部且被裝配以圍繞 該炎盤的周邊；以及 一頂部室，其被裝配以密封該底部室的該頂部，使 得用於該基材的乾燥處理係於一個被密封與外部的空 氣隔離之空間中執行。 18.如申請專利範圍第17項之基材處理裝置，其進一步包 含： 一間接的注射喷嘴，其被安裝在該頂部室且被裝配 以注射乾燥流體朝向該頂部室的中央，使得該乾燥流體 10 被間接地注射至該基材，其中該乾燥流體包括異丙醇或 者氮氣。 19. 如申請專利範圍第18項之基材處理裝置，其中該頂部室 進一步具有一中心孔徑，通過該中心孔徑、經由該間接 的注射噴嘴注射的收集於中心之該乾燥流體被排掉，以 15 及一用於引導該乾燥流體之導引面，使得該乾燥流體逐 漸地自該基材的中央擴散而流動至邊緣。 20. 如申請專利範圍第18項之基材處理裝置，其中該頂部室 進一步具有一個突出壁，其係被配置以保護該基材不受 自該間接的注射喷嘴滴下的外來物質影響。 23 1335624 第6圖

1335624 (一） 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 110…基材承載單元 122b…第二抽吸導管 112…炎盤 122c…第三抽吸導管 112a…爽盤之頂部表面 124…排出埠 W…基材 174…真空線 120…底部室 132…上部杯 130···頂部室 140…間接的注射喷嘴 160…化學品噴嘴單元 138…交換驅動部件 170…減壓單元/構件 134···上部空間 113a…支撐接腳 135…中心孔徑 113b…夾盤接腳 136, 137a…導引面 114…轉轴 137…突出壁 116···旋轉構件 139…下部/處理空間 117···起重構件 172…真空幫浦 118…後部喷嘴部件 162…噴嘴 118a…供應管 166…水平支承 118b…噴嘴 122a…第一抽吸導管 168…垂直支承 八、本案若有化學式時， 請揭示最能顯示發明特徵的化學式：