1311686 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光罩’尤其是，關於液晶顯示裝置、電致發光(EL) 顯示裝置等主動矩陣(active matrix)型顯示裝置之製造方法使用的 半階(Half-Tone)光罩，以及半階光罩之製造方法。 【先刖技術】 已知有使抗蝕劑圖案軟熔’使用軟熔抗蝕劑圖案(refl〇Wresist pattern)來減少光微影製程之液晶顯示裝置(LCD)製造方法。半階光 罩，^軟熔抗蝕劑圖案之前之原本抗蝕劑製作使用的技術揭示於 專!!公開公報第2GG2_34483Q號(以下，稱為專利文獻U。抗 贿有!:熱處理軟絲藥液溶解軟熔，後者雖會由於軟熔 離二斜者為佳，·1'與基底層之緊黏性良好，能將彼此分 2 ===軟_合體，戦合_祕綱案。因 時，前使用之TFT(薄膜電晶體，ThinFilmTransistor) 不用圖案經軟卿成的雜抗·圖案能於 電極上部之Γ-驗將源紐歧雜下部及閘 號配線越自汲電極延伸之信 部進行，以往it連接之信號端子下 線下部之a~Si層穷化，# TPTH案$，由於TFT區域及信號配 變的比汲電極及源電極寬度或^4配^^i下部之a—si寬度 又，由於信號配線下部的a—s声二H間之寄生電容會增加。 極間之寄生電容會增加。，賴配職晝素電 :傳送及_速度造“利加’不僅對LCD之中 旦素電極，而發生顯示斑。 θ 彳5唬線之電位容易傳到 就抑制信號配線下部 呙
Sl層寬度擴開之方法而言，已知有 1311686 使構成TFT之汲電極、源電極、 化所使用餘_案_厚，在柄、金屬膜圖案 電極之輯的抗誠，使以对極及源 軟溶’則在薄膜抗抗1 ,r⑽化時能抑制a-si層圖 化除ΐί=ρί1=之方法，有人揭示於軟炫前使抗餘劑表面灰 之:使膜厚變薄靖 a-S# ^化之方、纟H τ之區域形成軟熔抗伽細案，達成 線下^島a 專獻1中圖12〜圖15)。於此情形，魏 H Λ ^细汲配線職祕刻島化，因此，汲配線 。丨之a-Si層寬度不會擴開而能與配線職之寬度相同。 專利文獻1中，雖可減少ktft區域及信號配線 ;二上二士包谷，但是，並未提及關於信號配線之引出配線、信 ^子部中所含寄生電容之問題，尤其是也未提及a—si層如 化0 專利文獻1之中，為了要使成為TFT之汲電極、源電極、汲 •配線(信號配線)之金屬膜在圖案化時使用之抗蝕劑圖案膜厚方 2 ^於成為汲電極及源電極之區域較成為汲配線(信號配線)區域者 • ，也就是欲部份地控制抗蝕劑遮罩之膜厚，揭示了一種曝光 , 製程使用之光罩’係使用由遮光部及至少將透射光量分2階段控 制之半透明部圖案構成。 但是’並未提及關於包含信號配線之引出配線、信號端子部 在内，是使用何種圖案之光罩。 又’未揭示關於用以形成膜厚圖案及膜薄圖案之抗蝕劑遮罩 之由遮光部與半透明部所構成光罩之製造方法。 1311686 【發明内容】 發明目的： 罩用提=光罩及光罩之製造方法，該光 信號端子_^;;;^帥^!?製程增加，又能將包含 解決問題之方式：日島&抑制整體寄生電容增加。 ϊ:ίΓ月，可得到一種光罩，係使用於在包含. 為S:金屬膜侧而形心為 _袁之金ίί=金屬電極及信號配線與信號端子金屬電ΐ之
形成軟炫抗餘劑之|y A 述金屬膜圖案上及前述案軟炼而使位在前 極與源電極之間的區域 ^位置，並以至少填埋該汲電 形成半導濟良^方式形成軟炫抗餘劑； 層钱刻，於汲電^、^極„抗钱劑作為圖案將該半導體 出線之下部形成半導體^.°、域配線、信號端子金屬電極、引 形成透明絶緣保護膜之絮 及該間絶緣膜 之露出區域;及 形成於包含該金屬圖案之區诚 形成晝素電極之，j链 而形成晝素電極;等製▲之顯1 j曰月、，緣保護膜上形成導電性膜 中抗蝕劑圖案之形成；“、、不、置之製造方法或圖案形成方法之 該光罩具有： 遮光部圖案，對應於前 半透明部圖案，對摩於及源电極-部份的形狀； 述信號配線、信號端子^g 電極及源電極其他之部份、前 光罩除前述半透日出線之形狀。 ~’尚可得到用部。 I3ll686 形成金屬膜圖案之製程，构以方錄給宜4 閑配線、閘絶緣膜、半緣，上所形成閘電極及 金屬膜侧而形成成献電極、源電極、 弓丨出線之金屬^案Γ 1極及彳§#u配線與信號端子金屬電極之 述金屬極劑圖案軟溶而使位在前 極與源電極之間區域之^形成贿抗_韻至少填埋舰電 4 m下部形成半導體島;等製程之_形成^子之^;^ 該光罩具有： S部，對應於前述沒電極及源電極-部份的形狀· 叙線、錢端子金屬電極、引出線之I、他之礼、別杜 為iot=之光罩較佳為，半透明部面積相對於遮光部之面積， 3為主成分的半透明細彡成，遮光 J透 :=ir=分之膜而成之多層= 上以。化物ίίίζ為，半透明部由形成於透明基板 成。逍職上進步宜層以絡為主成分之膜而成之多層膜形 上之 膜上隔著中間膜’進一觸以路;主==2 9 1311686 成。 一中間膜由氧化石夕、氮化石夕、顏 氧化錯、氧化鈕、氧化鉬、氧化鈕羊4 π、氧化銓、 ::氟化氧化鉻、氧化錫、氧化銦、氧:銦;化氟化 成之膜❹種組合之混合卿成。乳化銦錫、減鋅中之-構 為主:分透 構成。 °或乳化氮化鉻為主成分之第2膜 依照本發明，可得到一 4 造方法或抗__之形成方▲方法，為顯示裝置之製 形成在透明基板上之遮上的製造方法，包含··於 1抗姓劑®案作為遮罩案之製程;以前述第 ，製程猶述第基板，形成遮光 基板上形成半透明膜之製於2、^後於別述遮光部及露出之 案之製程;及，將前述第2抗韻=幸=二上形成第2抗蝕劑圖 膜，，前述透明基板，形成半透Θ明部刻前述半透明 膜之具體構成為，遮光膜由 5:壬 成分之薄臈構成。 、、D、虱化路、或、氟化鉻為主 又，另一具體構成為，遮氺 由以鉻 '氮化鉻、或氟化 成=„板上之順序， 氣化鉻、或氟化氧化鉻為主===，及以氧化鉻、氧化 分之薄膜構成。 十透紙由以氧化鉻或氧化氮化絡為主成 又’半透明卿成之成 成時之位置對準基準圖案上係遮敝弟2抗蝕劑圖案形 案上不形成半透明膜。一，、周邊上，使得該位置對準基準圖 此外，貫施方法也可為，於敕 於第2抗钱劑圖案形成前。板進行形成半透明膜，並 對準基準圖案上及其周邊去弟2抗蝕劑圖案形成時位置 坆上之+透明膜的製程。 10 1311686 由厚膜之及遮光膜的疊層構造，ίΐ ⑦半透明膜，前⑵;露 杬钱，而形成遮光部圖案之製程。巾衣往，及除去則述厚膜 薄膜抗侧之除去以電漿灰化進行。 再顯ί進=其他實施_，前述_抗_之除去以抗钱劑之 洪烤;者抗s;:;:前述薄膜陶之除去以抗_ 抗程包含’對形成於前述遮光膜上之 變，抗嶋二照子束或光束掃描，並改 Ιϊϊ'ϊίί ϊί可藉，子束或光束多次掃描以進行。 人知描匕各.於既疋區域給予固定昭射晉夕窜·！ j 及於，定區域改變照射量之第2掃描。…、射里之弟1掃描， f = 1掃描與前述第2掃描之掃描區域可包含 方式照Γ 1掃描與前述第2掃描之掃描區域^複之 發明之效果： 本發明之中，使用之光罩具有:對應於 开^大之遮光㈣案，及龍於汲電極騎馳極一部份 線、信號端子金屬電極、引出線形狀之半透：卩^刀、域配 電極及閉配線、眺緣膜、半導體 子、心極-部份、源電極—部份之區域形成膜厚較薄之 1311686 圖案，而於汲電極及源電極彼此相之 距離區域，形成膜厚較厚之抗餞劑圖案。义閘電極寬之短 然後，藉由蝕刻金屬層、接觸層，並 能將半導體層島化。因而，形成有薄抗：圖亥;圖案軟熔， 鱗、錢端子、对極之—部份3 號配線、 即使經過姐過程，亦㈣止抗 卩、:部份之區 J蓋在其表面，能夠抑制半導體層島層流出並 '因此: 巧膜:=。 · 之寄生電容增加’且能抑制信號配線ίϋίίΐϊΐί 響極而發生顯示斑。 &心电位得導至晝素電 【實施方式i 其-人，參知、圖式説明本發明之實施形態。 中典型的LCD顯示裝置。 丨早3^、、頁不裝置之 圖1顯示應用本發明之LCD顯示梦罟夕TPT且α ^ 份，玻璃基板1上各配置多種排列成矩陣狀之晝素土2板== ，排列掃描㈣G、於縱方向平行排狀錢配—線素⑽。掃 _與形成在基板1側面之閘端子5以閘引出 配線6Π)與形成在基板i上方之信號端子7以 == ^ 〇 210 1% TFT 〇 *4 610與TFT之汲電極連接，也稱為汲配線。 U虎配線 • ® 2顯τπ-區之晝素2平面示意圖，由掃 610包圍祕置tft部9、晝錢極η。。於掃描線21。 閉電極20施加選擇信號之狀態，對信號配線6 ==之 則抓，啟，並經過没電極61、源電極62對畫素電極仏 信號電壓。 圖3顯示可應用本發明之TFT基板之—晝素之抓部及其配 12 1311686 之平號端子之細部’同圖(a)為1個信號端子 <十囟圖，同圖(b)為其B_B剖面圖。 、、pf，圖3，於TFT部9，半導體島41G上配置有接觸層51 ' /私極61、接觸層52及源電極62，於半導體島 ^=?2。。源_由形成=二二 -與掃描線(閘配於以^ (汲配線}⑽相同之金屬層g金屬層/“極61由與信號配線 拉總Ϊ照圖4，於信號端子部7，絶緣膜30上配置有半導體島410、 ί Γ上信號端子金屬電極)63、保護^ 供盘外^ 孔之金屬層63上形成透明導電膜100,而形成 ϋ 連信號端子。並且’半導體島410之寬产盘接 6;、接:5ί : ^保護膜80為止之疊層構造相同，且金屬Ϊ 在不形成;觸孔°信號引出配線 =與信號端子之配;=，=== 糊f 示本發明之光罩’圖17⑻為tft部附近之圖宰 A柘5〇ί !·為域端子附近之圖案59〇_2。圖17⑻中，光罩之玻璃 跡_。遮光膜购、_52t對遮光膜 明膜上’以顯影處理所形成之區域。半透 明腰510-1、51〇_2同樣地，為對應於 —千還 _圖案73、74的部分(半透明部），前者在“膜之 13 1311686 ίϊίϊϊί於信號配線(汲配、_G(圖7⑻)。因此，半透明膜圖 H過照射抗兹劑、顯影處理，形成薄膜抗韻劑圖案。 杰古主17(b)之彳§號端子附近，在光罩之玻璃基板500上形 於德今 ί騎51G·3、51(M。半透鶴®案51G_3係用以形成 學^·Ξ _抗姉顧，半透明膜圖案测之光 索二i、7/m圖ia之抗钱劑70並顯影處理，能產生薄膜抗餘劑圖 ^屮Hi透明膜圖案51〇_4係用於在連接信號端子之信^ 引出配線上形成薄膜抗蝕劑圖案。 半透明部之面積相對於遮光部之面積，為10%以 上者2效姻顯示裝置之顯示區域之觀點，為較佳的。 2明部之透射係數相對於曝光光，較佳為10%〜50%。 法。用圖17所示半階光罩’製造LCD顯示裝置之方 酉1 仏ίΐΐ二藉由使用本發明之半階光罩，於構成信號 區娀來趙^、彳5唬端子、汲電極一部份、源電極一部份之 5起▲、㈣二巧劑圖·，於汲電極及源電極彼此相對之各端 寬度各別之端部而延伸的短距離之各區域，形成 並射遮蔽該抗__而賴金屬層、接觸層， 禮崎、信制崎、信號端子、汲電極之一 面带^ ^份的區域，即使經過軟炫過程，也能以抗餘 二半一二务±!违劑端部流出至半導體層而覆蓋在其表面， 於體層島化時能抑制島之半導體膜面積擴開。 板之示LCD之TFT部附近及信號端子中胃基 影枯二3 =域在玻璃基板1G之金屬層上使關知之光微 (未圖示〔該5】2由0(f5⑻)。形成閘電極20同時也形成閘配線 屬層由鋁、鉬、鉻或以該等為主成分之合金等構成， 由100〜500mn之厚度而形成。圖5⑻之構造中， 火、、之閘絶緣膜30、非晶石夕(a-nSi)構成之半導體層 1311686 40、高雜質濃度之n+非晶矽(a-n+Si)構成的歐姆接觸(〇hmic c〇ntact) 層50，利用電漿化學氣相沉積法(CVD，Chemical Vapor Deposition) 分別疊層為400nm、300nm、50nm左右之厚度，再形成25〇nm之 Cr/Al合金等金屬膜60(圖5(b))。 其次，塗佈正型抗蝕劑，加熱至80〜10(rc除去抗蝕劑中之溶 劑成分’形成抗蝕劑膜70 (圖5(c))。其次，於抗钱劑照射既定圖 案形狀之遮罩的光學像，於抗蝕劑形成潛像(latemimage)。光罩之 既定圖案如後詳述者，由遮罩基板上之遮光部、半透明部、全透 - 射部形成。藉由該種光罩之光學像，抗_膜7G於遮光部之光學 像區域不受到光關，於半透類之光學像區域在抗侧表面淺 層部分形成潛像’於全透射部之光學像區域，潛像跨越到抗 光之抗_浸泡於鹼性溶液等顯影液進行 1頁衫，使被,¾光而感光之區域溶解，未受到統射之區域留下。 藉此，對應於遮光部形成約2/zm之厚膜抗蝕劑71、72， 半透明部J成約0.2〜。.7_之薄膜抗_ 73 ):'、 巧㈣程所形成叠層構造之信號端子部 中’，於心唬鈿子部沒有閘配線，故其剖面 之金屬層。圖6⑻中抗·膜7〇之輕=對f於閘電極 部形成，若經曝光、顯影，則對由+透明部與全透射 %，其他區域不殘留抗賴圖6(by^ 3膜咖 來自具有對應於配線寬形狀(的半以 薄層抗钱細。 1丨㈣之枯祕光，形成
圖7顯示接續TFT部附近之®I 有抗姓劑圖案之構造，以抗姓劑圖案作為g。、^圖之形成 金屬膜6G之露出部分，其次_其下之、㈣H仃乾式戶刻至 現為止(圖7⑻、（b))。藉此，形成 丄’ a-n= 40出 形狀的汲電極6!、汲配線_及接觸狀（輪廓〕限定 62及接觸層52。又，祕刻使接觸‘開為5Ϊ及地％形^原^ 15 1311686 ΙΓ電开i成號端子部’如圖7⑻所示，藉由_過程， 作获q 接觸層53關於被抗蝕劑圖案76形狀限制而形成之 开^。又，—生以抗_膜形狀_形狀之金屬膜及接觸層 又，;圖⑻之平面圖，省略了玻璃基板10、閘絶緣膜30。 ΐ極w歐姆接觸(。地_㈣層51、52、汲電極6卜源 窀極2成為於抗蝕劑遮罩圖案中看不見的狀態。 遠其Ϊ 8 ίΪί續的過程。於以抗鋪遮罩“之圖7之狀態， Ϊ ί^ ίί於有機溶劑之溶液蒸氣’進行藥液溶解軟炫處 1县、ίϊ果使用_或丙二醇單乙基醚，則αι〜3分鐘左右之 ίϊ軟滲透於抗·之狀態，抗_溶解而 劑絲而於厚層抗侧膜區域’抗侧 為薄層，故由於表面張力，未顯示於横方向ϊ開 l i TFT部附近，抗㈣鮮觀娜成錄抗钱劑 侍號引出配線之軟熔抗钱劑遮罩狀態與信號端子部相同。 η ίΐ ’於圖8之狀態，以軟溶抗·遮罩75、77為圖宰，將 抗钱劑遮罩之區域的半_層進行反應性離子餘刻，、 =„ 3〇表面同時形成半導體島彻(圖9(b)及(c))。就 ，島而言，於對應於厚膜之姆抗_之區域，形成超越、及搞 寬、源電極寬而於横方向擴開之半導體島，對應於薄軟勒 之部分，半導體島面積與薄抗·實質姻。以此方式== 的平面圖及剖面職圖9⑻及(b)，信號端子部之1面圖為 其次，將圖9之軟熔抗蝕劑遮罩75、77剝離，於敕 成石夕氮化膜或石夕氧化膜保護膜80。形成有保護膜之狀能， 部附近如圖10(a)，關於信號端子部如圖1〇(|；))所示構造上丁 於圖10之狀態，在保護膜80之上塗佈抗蝕劑9〇&對 62上部及仏號端子部之金屬電極63上部之抗蝕劑進行曝光而^頁 16 I311686 =除去轉區域之祕劑，戦0 n(献(顺 遮罩90。使用該抗钱劑遮罩蝕刻保護膜8〇 (圖i = 步，剝離除去抗钱劑遮罩，分別作為接觸孔81〇及 雜面_氧化_(™)構成之透明導電^ 圖 其次，於整面上塗佈抗蝕劑膜，使用光微影技 及⑼所示抗_· 12〇。使_絲舰紐着去m) =遮罩之區_透明導電膜，再剝離除去抗蝕劑遮罩，‘ 旦素電極110(圖16⑻及⑽及信號端子部透明電極携(圖16⑷）。 因此，抗姓劑遮罩120形成於畫素電極11〇與1 孔區域及與錄電紅綱_树的輯 ^ 觸孔區域及該等附近，於其他部分未形成。乜唬而子邛之接 # 式完成之TFT基板上塗佈配向_ignment fllm〇 處理基板，及形成有彩色濾、光片、黑色矩陣、透明電極、 對ΐ基板二使對向基板與TFT基板保持既定間隔而充 填液Ba材料，侍到縱向電場型之液晶顯示裝置。 21 圖’戶斤示對應於TFT附近之光罩區域 之製作過程，圖20及圖21對應於圖17(b)所示對應 ίϊΐϊ子附近之光罩區域590-2之光罩之製作過程、分別為c-c 製作過程。圖式顯示的關係，分開來晝，並分 別况明，但係以相同的過程製作。 圖18(a)之中’係於玻璃基板嶋上將遮光膜副成膜。遮光 鉻、氮化鉻或氟化鉻為主成分之_所構成。遮光膜也可 ^層膜。例如，可使驗透板上顧之順序為，以絡、氮 ίϊΐΐ化^主成分之薄膜，及以氧化鉻、氧化氮化鉻或氟化 iii為域分之賴的疊層膜。於已成膜之遮光膜㈣表面塗 光抗钱劑或電子束抗|續63〇，於其上配置遮罩㈣，照射電子 17 1311686 束或雷射光束使抗蝕劑感光。遮光區域65卜6 6光。°糾雌相㈣紅電子核魏Ϊ73於 之第⑽顯=理=;一 刻未被遮蔽部分之私膜露出玻璃表面Γ形:怎姓 622(圖18(c))後，除去抗姓劑。 7戚遮先膜圖木62；1、 除去紐劑後，於具有遮光臈圖案62 透明膜616(圖19(a))。半透明膜使用以氧化路或氧3S 分之薄膜。半透明膜之形成於整面基板m為^ 安/為於域半透鶴之成膜製程巾，遮蔽形成第2 ======_上及細，俾使上 次’應用第2微影製程。於半透明膜616上塗佈抗蝕， :遮罩而後曝光並顯影，形成第^ 」6〇(圖19⑷)。該抗餘劑遮罩係用於在半透明膜616上形成所望 案’具有該半透簡®案之雜，麵置在半剌 Θ ίίΐίί，對於遮光膜圖案62卜622之位置對準可通過相對 ^對準先為透明之抗_ _觀察遮光膜以進行。又，形^ 圖案_凸，如果*是平整地在抗__表面而是浮 來的和·候，也可相對於該凹凸形狀做對準。 ^圖，)之抗姓劑圖案作為遮罩，姓刻半透明膜至露出 ^板表㈣止(圖19⑹)。之後，將抗餘劑遮罩剥離，得到如圖 2透明膜611、612及遮光膜621、622、玻璃基板露出之 透明部構成的光罩。 < 該光罩中，遮光膜與半透明膜重疊的部分係作為遮光部之 用，只有存在半透明膜之部分作為半透明部之功能。 圖20及圖21顯不以和圖18及圖19為相同過程所形成信號 18 1311686 端子附近之鮮區_過程。圖2G之(a)、（b)、⑻及ffl 2 (b)、（c)、（d)、（e)分別為對應於圖18之⑻、（b)、⑻及圖19之 ⑻、（c)、（d)、（e)各圖所示過程’其詳細的説明省略，只做簡單的 敛述。 圖20之(a)中，信號端子附近之光罩區域之製作時，於遮罩 650通過相同強度之電子束或雷射光束，於抗鋪㈣照射電子 束。經顯影處理則抗蝕劑被除去，殘留下遮光膜62〇 (圖2〇(b))。 其次，蝕刻遮光膜，露出玻璃基板表面(圖2〇(c))。之後，將半透 明膜616成膜(圖21(a))，並塗佈抗蝕劑66〇(圖21(b))，進行第2 微影·，形成抗鋪遮罩665(圖21(c))。使用該抗餘劑遮罩，將 攀半透明膜蝕刻為與抗蝕劑遮罩相同形狀(圖21(d))。其次，將抗蝕 劑遮罩665剝離，得到具有半透明膜圖案615之信號端子附近的 光罩區域(圖21(e))。該半透明膜圖案615作為半透明部之功能。 其次，使用圖22、圖23、圖24及圖25說明本發明另一實施 例之光罩及其製造方法。 、 圖22及圖23顯示對應於圖π⑻所示TFT附近之光罩區域 590-1的製作過程，圖24及圖25顯示對應於圖i7(b)所示信號端 子附近之光罩區域590-2的製作過程，分別為c_c剖面及D—j^剖 面之製作過程。由於圖式顯示的關係，係以分開的圖説明，但係 φ 相同之過程所製作。 一 於該實施例中，由於與之前的實施例(圖18〜圖2n屏盖 . 面類似，故使用相同的參照符號。 曰冓方 如果參照圖22(a)、圖24(a) ’塗佈市售之抗餘劑63〇(東京應化 .工業(Tokyo OhkaKogyo Co. Ltd)製，ip—3500)約 380nm 於;;的 空白遮罩上，該空白遮罩為在經光學研磨之合成石英基板⑼〇上 形成約lOOnm鉻遮光膜620者，於加熱至120°C之加熱板烘烤15 分鐘之後，以光罩用雷射描晝裝置(麥依庫羅尼克公司製丨〇〇〇 一TFT3) ’描晝所望之遮光膜圖案。在此描晝之圖案為^以形成遮 光區域之圖案。 “、 19 1311686 &其次，以專用的顯影劑(東京應化工業公司製：^_3)顯影，得 到第1抗钱劑圖案633、634(圖22(b)、圖24(b))。 其次，以抗蝕劑圖案633、634作為蝕刻用遮罩，將鉻膜62〇 餘刻(圖22(c)、圖24(c))，再將殘留的抗钱劑圖案剝膜，以得到所 望的遮光膜圖案。又，鉻膜之蝕刻使用市售之硝酸鈽系濕式蝕刻 劑(INCTEC Inc•製MR—ES)。鉻膜之钱刻時間約為秒。 其次，對以該方式所得到含遮光膜圖案之基板，進行遮光膜 圖案尺寸檢查、圖案缺陷檢查，及視需要做圖案修正，並充份清 洗後’將半透明膜氧化鉻膜616以濺鍍法成膜(圖23(a)、圖25(a))。 氧化鉻膜之膜厚定為約3〇nm，透射係數定為約40%(波長:436nm)。 其次，於其上，再度塗佈市售之光抗蝕劑66〇(東京應化工業 公司製 ip-3500)約 380nm(圖 23(b)、圖 25(b))，於加熱至 12(rc^ 加熱板上烘烤15分鐘。 … 接著，再次以雷射描晝裝置(麥依庫羅尼克公司製 I^U000-TFT3)描晝形成半透明區域部之圖案，以專用顯影 (東京應化工業公司製NMD3)顯影，得到第2抗_圖幸(圖” 位置對準於已形成之遮光膜圖案，而形成半透明膜圖案。 其次’以該第2抗餘劑圖案作為遮罩，以市售之 =刻劑(INCTECIne.製MR—ES)綱半透賴，得到 二f 23(d)、圖25(d))。在此，蝕刻僅對半透明膜進 剎 使遮光顧案儘可能不被侧。氧化鉻膜掏 ，後，將殘留的抗蝕義臈(圖23(e)、圖25(e))，經 寸檢_、缺陷檢鱗檢查製程，並視需要，進行 ° 由所望遮光部與半透明部構成之遮罩。 一 >正，侍到 其次，使用圖26、圖27、圖28及圖29，對於太 實施例之光罩及其製造方法加以説明。 、X月又另一 圖26及圖27顯示對應於圖17⑻所示TFT附近之光罩區域 20 1311686 590-1之製作過程’圖28及圖29顯示對應於圖17(b)所示信號端 子附近之光罩區域590-2之製作過程，分別為C-C剖面及D-D剖 面之製作過程。由於圖式顯示的關係，以分開的圖加以説明，但 係以相同的過程所製作。 於圖26(a)中，於在玻璃基板500上成膜半透明膜51〇 (膜厚： 約5〜50mn)、遮光膜520(濃厚:約50〜150nm)之空白遮罩表面塗 佈約1/zm膜厚之光抗蝕劑或電子束抗蝕劑53〇。 空白遮罩之中，半透明膜為以钽為主成分之膜，遮光膜以鉻 ，主成分。因此，產生的光罩為，半透明部為以鈕作為主成分之 半透明膜，遮光部為於鈕之半透明膜上形成以鉻為主成之膜 層膜。 、 、就其他構成，也可以半透明膜使用以鉬矽化物為主成分之半 透月膜遮光膜使用以絡為主成分之膜。於此情形，產生之光罩 為，半透卿為以辦化物為域分之膜，遮光部為在财化物 之半透明膜上形成以鉻為主成分之膜之多層膜。 又，也可以半透明膜使用以鉻為主成分之半透 ，用，中間層之膜與在其上疊層以鉻為主成分之膜。、於 点八夕，罩為，半透明部為以鉻作為主成分之臈或以鉻為主 ^刀之膜與中間層膜之疊層，遮光部為以鉻之半透明膜 膜及以鉻為域分之膜，卿紅多層膜。 、 曰 氧化二間？ϋ吏用ί、氮化矽、氮化氧化矽、氧化鋁、氧化铪、 二=，.旦、氧化銦、氧化组石夕化物、氧化錮矽化物、氣化 化鉻、氧化錫、氧化銦、氧化銦錫、氧化鋅】中:-構成之膜，或多種組合之混合膜。 f，、甲之 或士H於半透膜上之以鉻為主成分的膜’也可由以氣化执 ；^成。ϋ1膜’及以氧化鉻或氧化氮化鉻為主成分之^ 2 i 變化對照射電子束。使電子束強度於抗钱劑膜面方向 又化成為厚抗餘劑遮罩之部分，電子束強度定為零，亦即= 21 1311686 ，。於成為薄抗餘劑遮罩之部分，自抗钱劑 ΪίΞίοΠ:糊感光，經微影處理後，照射電ΐ束ί产 乃子束，強度為使抗 又’也可將電子束照射改為使用雷射n尽度而感先。 度加以調變，使抗侧感光。 I仍將二間的強 子束或雷射光束曝光後，進行 抗^罩4象蝴彻、532、無梅_，所構成之 出、庶ίί 灰化’除去薄膜抗姓劑，露 53^、534(Ή 27Γ U之。其結果為，殘留厚度減少的抗1虫劑 533 ' 534(圖27(a))。以殘留的抗蝕劑作為遮罩，钱 出之遮光膜，露出半透明膜(圖27(b))。之後將殘抗钱 ^ 得到TFT附近之光罩圖案。 田J德綱離， 針巾’遮細與半透賴重疊的部分，作用為遮光部， 僅存在半透明膜之部分，作為半透明部之功能。 圖28及圖29顯示與圖26及圖27以相同過程形成之 子附近的光罩區域過程。圖28之(a)、（b)、（e)及圖29之⑹ 各對應於® 26之⑻、⑻、⑻及圖27之⑻、（b)各騎 詳細説明省略，僅簡單地敘述。 /、 圖28之(a)中，於#號端子附近之光罩區域，由於不需庶 部，故在抗蝕劑530沒有電子束照射不到的區域。電子束在^ 部弱，兩側部強。照射該種強度後，進行顯影處理則形成薄膜之 抗蝕劑圖案535(圖28(b))。以抗蝕劑圖案535作為遮罩，餘刻使i 下部留下遮光膜525、半透麵515(® 28⑻）。其次，除去抗钱劑 22 1311686 535 (圖29(a))。而後，蝕刻遮光膜525， 29(b))。半透明膜圖案515作為半透明部^ $透月膜515 (圖 如上述實施形態之説明，可得知本 於及電極及源電極-部份形由於為具有:對應 J其他部分、信號配線、信號端子4電5對電 ，者，故使用該光罩能在構成信號配線狀之半透 ⑺、176)，在汲電極及源電的抗㈣圖案 寬各端部延狀紐_各_形成^卩起超過閘電極 ，等抗_圖案作為遮罩，侧金屬層之=^^、72)。 抗钕劑圖案軟熔之軟熔減_案⑺、79接觸層，並以將該等 層島化_。亦即，齡塗佈餘劑、軌半導體 形成遮罩’侧金屬層、接觸層形成金屬層影製程 用將該遮罩軟熔之軟熔遮罩，進—步^二並利 半導體層，能以-光微影製程形成2種=:、接觸層下部之 圖案不需要做特別的位置對準。形成右’而^軟溶遮罩 配線、信號引出線、信號4膜=劑=之由信號 份構成的區域，即倾過軟關程也由於抗部 =止抗钱劑流出半導體層並覆蓋在其表面ς Ξ島=r信輪線、信號端子各區：巧: 前之抗蝕劑遮罩圖案蝕刻金屬層、接觸芦 守瑕層、,，及以軟熔 2用抗_遮罩_ _金屬卿/金^ 是’ 軟溶，以軟熔遮罩關金屬層下之接觸層 =將该遮罩 蝕劑，並蝕刻除去通道部之接觸層。 _ _後，除去抗 上述實施形態對於將本發明光罩應用在縱 顯示裝置做了詳細的説明，但本發明不限定於該等 1311686 ίϊίϊί法亦可應用在反射型LCD顯示裝置或電致發光顯示裝 【圖式簡單說明】 意圖圖1係頒不本發明所應用L CD顯示裝置之TF τ裝載絲的示 圖2係顯示圖1中，一區之晝素2的平面示音图。 圖。 、P同圖⑻及(b)各表不平面圖及⑻之A-A線剖面 號端$之，面示圖所示信號端子之細節，關⑻為1個信 ^面圖，同圖(b)為其B_B線剖面圖。 層過^剖ϋ係顯示在⑽之抓部附近之㈣基板上的疊 圖 圖 ()(b)係顯示在錢端子巾咖基板上之疊層過程剖面 面圖】剖(2)係顯示接續TFT部附近之圖5(d)及圖6(b)過程的平 ® S〜((CC)):'J示接續圖7之過程的平面圖及剖面圖。 圖10(a)、(b);J:接8之過程的平面圖及剖面圖。 圖11(a)、⑹位f不接續圖9之過程之剖面圖。 圖12(a)、不接、，圖10之過程之剖面圖。 圖13(a)、（bV^、f示接續圖11之過程之剖面圖。 圖吨）、b 示，圖12之過程之剖面圖。 圖15(a)、⑹佐f不接續圖13之過程之剖面圖。 圖16⑻〜示接續圖14之過程之剖面圖。 圖17(a)、（bv^不接續圖15之過程之平面圖及剖面圖。 圖18(a)〜⑻係^顯不本發明實施形態之光罩平面圖。 〜頌示說明本發明第1實施例之光罩之製造方法 24 1311686 過程ΐΐί面、圖，係關於在TFT附近使用之光罩區域。 田a (e)係顯示接續圖18之過程之剖面圖。 ⑻係顯示圖18之光罩之製造方法過程中關於信5虎^ 子附近之先罩區域剖面圖。 Ξ =H(e)係顯示接續圖20之過程之剖面圖。 < 以Ht)係顯示說明本發明之第2實施例之光罩之戴遠方 法過私的桶圖，係、TFT附近使狀光罩區域。 Π(巧〜(e)係顯示接續圖22之過程的剖面圖。 外ϋίίΐ顯示圖22之光罩之製造方法之過程，#JI於信 號細子附近之光罩區域剖面圖。 ϊ 〜(e)係顯示接續圖24之過程之剖面圖。 面^aH=顯示說明本發明第3實施例之光罩製造方法過 w係關於在TFT附近使用之光罩區域。 二係顯示接續圖26之過程之剖面圖。 田^係顯示圖26之半階光罩製造方法之迅山 子附近所使用光罩區域之剖面圖。 之過私在化•而 圖29(a)、（b)軸示接咖π之過程之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1〜玻璃基板 2〜晝素 5〜閘端子 6〜閘引出配線 7〜信號端子
8〜信號引出配線 9 〜TFT 10〜玻璃基板 20〜問電極 30〜閘絕緣膜 25 1311686 31〜通道 40〜半導體層 50〜接觸層 51〜接觸層 52〜接觸層 53〜接觸層 60〜金屬膜 61〜汲電極 62〜源電極 63〜信號端子金屬電極 _ 70〜抗I虫劑 71〜厚膜抗蝕劑 72〜厚膜抗蝕劑 73〜薄膜抗蝕劑 74〜薄膜抗蝕劑 75〜軟熔抗蝕劑圖案 76〜薄膜抗姓劑 77〜軟熔抗蝕劑圖案 80〜保護膜 • 90〜抗ϋ劑 100〜透明導電膜 110〜晝素電極 ‘ 120〜抗蝕劑遮罩 - 13 0~信號端子部透明電極 210〜閘配線(掃描線） 410〜半導體島（島） 500〜玻璃基板 510〜半透明膜 510-1〜半透明部 26 1311686 510-2〜半透明部 510-3〜半透明部 510-4〜半透明部 515〜半透明膜 520〜遮光膜 520-1〜遮光部 520-2〜遮光部 521〜半透明部 522〜半透明部 525〜遮光膜 I# 530〜電子束抗蝕劑 5 31〜薄膜厚之抗餘劑 532〜薄膜厚之抗蝕劑 533〜厚膜抗蝕劑 534〜厚膜抗蝕劑 535〜抗蝕劑圖案 590-1〜半階光罩對應於TFT附近之區域 590-2〜半階光罩對應於信號端子附近之區域 600〜玻璃基板 ^ 610〜信號配線(汲配線） 611〜半透明膜 612〜半透明膜 ‘ 615〜半透明膜圖案 - 616〜半透明膜 620〜遮光膜 621〜遮光部 622〜遮光部 630〜抗#劑 63 3〜抗#劑 27 1311686 634〜抗钱劑 650〜遮罩 651〜遮光區域 652〜遮光區域 653〜透射區域 654〜透射區域 655〜透射區域 660〜抗j虫劑 665〜抗钱劑遮罩 810〜接觸孔 820〜接觸孔 900〜TFT基板