JP4651929B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4651929B2 JP4651929B2 JP2003378471A JP2003378471A JP4651929B2 JP 4651929 B2 JP4651929 B2 JP 4651929B2 JP 2003378471 A JP2003378471 A JP 2003378471A JP 2003378471 A JP2003378471 A JP 2003378471A JP 4651929 B2 JP4651929 B2 JP 4651929B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 80
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 116
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 101
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 70
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 64
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 57
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 33
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 29
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 28
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 25
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 24
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 23
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 18
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 202
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 37
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 33
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 33
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-N methane trihydrofluoride Chemical compound C.F.F.F UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Description
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関するものであり、更に詳細には、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金（Ａｌ合金）を用いた配線、電極の製造工程において、ＡｌやＡｌ合金の耐腐食性を向上させる技術に関するものである。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子に用いた液晶表示装置では、走査線や信号線に配線遅延が生じると、書き込みやクロストーク等の問題が生じる。特に大型高精細の液晶表示装置では、この問題を回避するため、走査線や信号線に低抵抗配線が用いられる。低抵抗配線としては、ＡｌまたはＡｌ合金が広く用いられるが、半導体層や透明導電膜とのオーミックコンタクトを確保するため、通常高融点金属を積層し、例えば、高融点金属（上層）／Ａｌ（下層）の２層配線や高融点金属／Ａｌ／高融点金属の３層配線が用いられる。
また製造コストを下げるためにプロセス短縮する場合、これらの積層配線を１回のフォトプロセスで形成することが求められる。この場合、Ａｌ（合金）膜の側面が直接表面に出ている構造になる。
信号線に高融点金属／Ａｌ（合金）／高融点金属の３層積層配線を用いた逆スタガ型ＴＦＴにおいて、チャネルエッチングや半導体層のエッチングは、通常ＳＦ6やＣＨＦ3等のフッ素系ガスやＣｌ2やＨＣｌ等の塩素系ガス、あるいは、これらの混合ガスを用いたドライエッチングで行われる。ところが、Ａｌ（合金）膜の側面が直接表面に出ているため、このドライエッチングガスの影響を受け、Ａｌが腐食するという問題がある。この現象は、フッ素系ガスや塩素系ガスとＡｌ（合金）膜が反応してフッ化Ａｌや塩化Ａｌができたり、また、フッ素系ガスや塩素系ガスが残留した基板を大気中に取り出すと、大気中の水分との反応によりフッ酸や塩酸ができ、これらによりＡｌ（合金）膜が侵食されると考えられる。
従って、このようなＡｌ腐食を防止する液晶表示装置の製造方法が求められていた。
従って、このようなＡｌ腐食を防止する液晶表示装置の製造方法が求められていた。
従来、異種金属材料の組み合せによる局部電池腐食を防止する方法として、例えば、特許文献１には、ソース、ドレイン電極、信号線が高融点金属、Ａｌ、高融点金属で形成された液晶表示装置の製造方法において、Ａｌと高融点金属の界面及び側面に酸化膜を形成することにより、レジスト剥離工程等で発生するＡｌと高融点金属間の局部電池腐食を防止する技術が開示されている。この場合、Ａｌ側面の酸化膜はプラズマ酸化や陽極酸化、各種ＣＶＤ、ＰＶＤにより形成することが述べられている。
特開平８−６２６２８号公報（第５頁、図１、３、４）
特開昭６３−２７６２４２公報（第７、８頁の表）
前述した特許文献１では、Ａｌの側面にプラズマ酸化や陽極酸化、各種ＣＶＤ、ＰＶＤにより酸化膜を形成することが述べられているが、何れも製造工程が増加する。さらに、プラズマ酸化では、短時間で十分な膜厚の酸化膜が得ることが困難である。実施例で述べられている数ｎｍ程度の薄い酸化膜では、後工程のドライエッチング時にエッチングガスの侵入を防止できず、Ａｌの腐食を防止することができない。また、陽極酸化では、十分な膜厚の酸化膜は得られるが、ソース、ドレイン電極や信号線の側面を陽極酸化するためには、陽極酸化可能な高融点金属を選択する必要がある。実施例で述べられているＭｏは陽極酸化ができない（例えば、特許文献２参照）。また、ＣＶＤやＰＶＤでは、成膜工程以外に少なくともエッチバックする工程が必要になると考えられ、製造工程が複雑になる。
本発明の目的は、半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の耐腐食性を改善した液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明の液晶表示装置の第１の製造方法は、基板上に半導体層及び高融点金属膜とアルミニウム又はアルミニウム合金膜との積層金属膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法であって、前記積層金属膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記フォトレジストパターンの内側になるように前記積層金属膜をサイドエッチングさせて前記積層金属膜パターンを形成する工程と、前記アルミニウム又はアルミニウム合金膜の露出している部分に保護膜を形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記半導体層の一部または全部をフッ素系又は塩素系ガスを含むガスでドライエッチングする工程と、前記フォトレジストを剥離除去する工程とを具備し、前記ドライエッチング後、前記基板を収納するチャンバーの真空引きを行い前記基板上に残留する前記エッチングガスを除去し、その後に前記基板をプラズマ処理して前記基板上にさらに残留する前記エッチングガスを除去することを特徴とする。なお、プラズマ処理は、Ｏ2、Ｎ2、Ｈ2、Ｈｅのいずれかのガスで行うことができる。
上記本発明の液晶表示装置の第１の製造方法の好ましい態様では、前記積層金属膜パターンの形成をウェットエッチングにより行い、さらに前記ウェットエッチング後の水洗を温水洗により行うことにより、前記保護膜を形成する。
本発明の液晶表示装置の第１の製造方法において、前記高融点金属膜は、モリブデンまたはモリブデンを主体とする合金であることも好ましい態様である。
本発明の液晶表示装置の第２の製造方法は、基板上に半導体層及び高融点金属膜とアルミニウム又はアルミニウム合金膜との積層金属膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法であって、前記積層金属膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記積層金属膜をエッチングして前記積層金属膜パターンを形成する工程と、前記フォトレジストを剥離除去する工程と、前記アルミニウム又はアルミニウム合金膜の露出している部分に保護膜を形成する工程と、前記積層金属膜をマスクとして前記半導体層の一部または全部をフッ素系又は塩素系ガスを含むガスでドライエッチングする工程とを具備し、前記ドライエッチング後、前記基板を収納するチャンバーの真空引きを行い前記基板上に残留する前記エッチングガスを除去し、その後に前記基板をプラズマ処理して前記基板上にさらに残留する前記エッチングガスを除去することを特徴とする。なお、プラズマ処理は、Ｏ2、Ｎ2、Ｈ2、Ｈｅのいずれかのガスで行うことができる。
本発明の液晶表示装置の第２の製造方法の好ましい態様では、前記フォトレジストの剥離除去をウェット剥離により行い、さらに前記ウェット剥離後の水洗を温水洗により行うことにより、前記保護膜を形成する。
本発明の液晶表示装置の製造方法によると、半導体層のエッチングやチャネルエッチング時に基板に付着した塩素系ガスやフッ素系ガスを効率よく除去でき、Ａｌ（合金）膜の腐食を抑制することができる。
以下、本発明の液晶表示装置の製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の液晶表示装置に使用する薄膜トランジスタアレイ基板（ＴＦＴ基板）の構成を示す概念図である。
図１は本発明の液晶表示装置に使用する薄膜トランジスタアレイ基板（ＴＦＴ基板）の構成を示す概念図である。
図１に示すように、ＴＦＴ基板１０には、透明絶縁性基板上に複数の走査線１１と複数の信号線１２とがほぼ直交して配設され、その交点近傍にこれらに接続されるスイッチング素子の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３が設けられ、これらがマトリクス状に配置されている。また、走査線１１の端部にはアドレス信号を入力する走査線端子１４が、信号線１２の端部にはデータ信号を入力する信号線端子１５がそれぞれ設けられている。
次に、本発明の液晶表示装置の第１の実施形態の構成について説明する。
図２は、本発明の液晶表示装置の製造方法の第１の実施形態に使用するＴＦＴ基板の１画素部の平面図であり、図３〜５は本発明の液晶表示装置の製造方法において用いられるＴＦＴ基板の製造工程順の製造工程断面図を図示したものである。ここで、製造工程断面図は、ＴＦＴ部及び画素部（図２のＡ−Ａ線）、信号線端子部（図１のＢ−Ｂ線）及び走査線端子部（図１のＣ−Ｃ線）に沿って切断したときのものである。なお、第１の実施形態は５枚のマスクを用いて製造される逆スタガチャネルエッチ型ＴＦＴ基板を有する液晶表示装置の例である。
図２及び図４（ｂ）に示したＴＦＴ基板は、透明絶縁性基板２０上にゲート電極２１と、ゲート電極２１に接続する走査線１１と、前段の走査線を共有する蓄積容量電極３１と、遮光層３２と、走査線端子１４の端子部金属膜３３とが形成されており、ゲート電極２１上にはゲート絶縁膜２２が設けられ、ゲート絶縁膜２２上にゲート電極２１と対向して半導体層２３が設けられ、半導体層２３上にソース電極２４及びドレイン電極２５が分離されて形成されている。また、ソース電極２４と、ドレイン電極２５と、ゲート絶縁膜２２上に設けられたドレイン電極２５に接続する信号線１２と、信号線端子１５の端子部金属膜３４との上にはパッシベーション膜２６が設けられており、パッシベーション膜２６の一部に画素部コンタクトホール３５と端子部コンタクトホール３６が設けられている。
このコンタクトホール３５、３６を介して、ソース電極２４に接続する画素電極２７と端子部金属膜３３、３４に接続する接続電極３７が設けられている。ここで、蓄積容量電極３１と画素電極２７との間で保持容量が形成されている。
このコンタクトホール３５、３６を介して、ソース電極２４に接続する画素電極２７と端子部金属膜３３、３４に接続する接続電極３７が設けられている。ここで、蓄積容量電極３１と画素電極２７との間で保持容量が形成されている。
また、図４（ｂ）に示すように、本発明の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板においては、ソース電極２４及びドレイン電極２５、信号線１２、信号線端子の端子部金属膜３４は、Ａｌ（合金）層を上下から高融点金属層が挟む積層構造となっており、Ａｌ（合金）層の側面には保護膜３８が形成されている。
次に、本発明の液晶表示装置の第１の実施形態の製造方法について説明する。本発明の第１の実施形態の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の製造方法は、（ａ）透明絶縁性基板上にゲート電極及び走査線を形成する工程、（ｂ）ゲート絶縁膜、半導体層を形成する工程、（ｃ）ソース、ドレイン電極及び信号線を形成する工程、（ｄ）パッシベーション膜、コンタクトホールを形成する工程、（ｅ）画素電極を形成する工程を含む。ここで（ｃ）の工程において、ソース、ドレイン電極及び信号線をＡｌ（合金）層を上下から高融点金属層が挟む３層積層構造に形成し、Ａｌ（合金）層の側面に保護膜を形成すること、チャネル形成時のドライエッチング後に同一真空中で真空引きすることを特徴としている。
図３〜図５に示すように、まず、厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスからなる透明絶縁性基板２０上に、スパッタにより厚さ約２００ｎｍのＡｌまたはＡｌ合金層と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ゲート電極２１、走査線（図示せず）、蓄積容量電極（図示せず）、遮光層（図示せず）、走査線端子の端子部金属膜３３を形成する（図３（ａ））。ここで、Ａｌ合金としてはアルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）合金等が、高融点金属としてはクロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の何れか及びこれらの何れかの合金、あるいはこれらの窒化物等が選択される。エッチングは、これらのＡｌ（合金）と高融点金属の種類に応じて、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うか、若しくはウェットエッチングとドライエッチングを併用して行ってもよい。
次に、プラズマＣＶＤにより厚さ約４００ｎｍのシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜２２と厚さ約２００ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ型）層２８と厚さ約３０ｎｍのリンをドープしたＮ型アモルファスシリコン（ｎ+型ａ−Ｓｉ）層２９とを順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、半導体層２３を形成する（図３（ｂ））。
次に、スパッタにより厚さ約５０ｎｍの高融点金属層と厚さ２００ｎｍのＡｌまたはＡｌ合金層と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層を順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ソース電極２４、ドレイン電極２５、信号線１２、信号線端子の端子部金属膜３４を形成する。このエッチングは、ドライエッチングを用いてもよいが、Ａｌ（合金）膜のコロージョン防止処理が必要になるため、ウェットエッチングで行うことが望ましい。従って、Ａｌ合金材料や高融点金属材料は透明絶縁性基板やゲート絶縁膜に対して選択性があり、残渣を生じないエッチング液でエッチングできる材料を選択する。例えば、Ｃｒ（合金）の場合は、第２硝酸セリウムアンモニウムと硝酸、Ｍｏ（合金）の場合は、燐酸と硝酸と酢酸、Ｗ（合金）の場合は、過酸化水素水でエッチングできる。特に、Ｍｏ（合金）は、Ａｌ（合金）と同じエッチング液でエッチングできるので好都合である。
ここで本実施形態の大きな特徴の一つ目として、ウェットエッチングにより信号線金属膜をマスクであるフォトレジストの端部から０．５〜１μｍ程度サイドエッチさせる。さらに、大きな特徴の二つ目として、エッチング後の水洗を４０℃〜５０℃の温水で行い、Ａｌ（合金）膜の側壁にＡｌ（合金）の酸化膜または水酸化膜からなる保護膜３８を形成する。保護膜３８の横方向の厚さは、温水の温度によって異なるが、２００〜３００ｎｍ程度である。
次に、ソース電極２４とドレイン電極２５との間のｎ+型ａ−Ｓｉ層２９をエッチングして除去した後、フォトレジストを剥離除去する（図３（ｃ））。このエッチングは、例えば、６フッ化硫黄（ＳＦ6）と塩素（ＨＣｌ）とヘリウム（Ｈｅ）との混合ガスによるエッチングや３フッ化メタン（ＣＨＦ3）と酸素（Ｏ2）とヘリウム（Ｈｅ）の混合ガスとＳＦ6とＨＣｌとＨｅの混合ガス、あるいは、ＣＨＦ3とＯ2とＨｅの混合ガスとＳＦ6とＣＨＦ3とＨｅの混合ガスによる２ステップエッチング等、フッ素系ガス又はフッ素系ガスと塩素系ガスにより行われるが、フッ素系ガスだけで行う方がより望ましい。エッチングはプラズマエッチング（ＰＥモード）でもリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥモード）でもどちらで行ってもよい。これらのいずれかのガスを用いたエッチングに際して、Ａｌ（合金）膜の側壁に保護膜３８が形成されているため、Ａｌ（合金）膜が直接エッチングガスのプラズマに曝されることがない。また、信号線金属膜がフォトレジストの端部から後退して影になっているので、Ａｌ（合金）膜の側壁がエッチングガスのプラズマに曝される機会を格段に減らすことができる。
引き続き、上記ドライエッチング後、同一チャンバー内で真空引きを行う。真空引きは、チャンバー容積及びポンプ能力により変動するが、チャンバー容積：１２０リットル、ポンプ能力：２５Ｐａ前後で１００Ｐａ・ｌ(リットル)／秒の場合、１２０秒以上行う。望ましくは、同条件下の場合、２４０秒以上が望ましい。また、基板裏面に付着したエッチングガスをも除去できるようにするため、基板を電極から離して真空引きを行う。
さらに、上記真空引きプロセスの後、同一真空中で酸素（Ｏ2）、窒素（Ｎ2）、水素（Ｈ2）、ヘリウム（Ｈｅ）の何れかのガスでプラズマ処理を行う。このプラズマ処理を行うことで、真空引きで完全に除去しきれなかった残留弗素、残留塩素成分を置換することができる。
残留弗素、残留塩素成分が除去されずにそのまま大気中に搬送される場合、基板に付着したＦやＣｌが大気中の水分と反応しＨＦやＨＣｌとなりＡｌ（合金）膜を腐食させてしまうが、以上のような手法を用いることにより、Ａｌ（合金）膜がエッチングガスのプラズマに曝されることがなく、また、基板に付着したＦやＣｌを除去できるため、Ａｌの腐食を防止することができる（後述する）。
また、上記ドライエッチング後の真空引きプロセスやプラズマ処理は、ドライエッチング後同一真空中で連続して行うが、これとは別に、大気開放後水洗やウェット剥離等の洗浄処理を行うことにより、残留弗素、残留塩素成分を除去することもできる（上記実施形態では、フォトレジストの剥離除去工程が該当）。この場合は、大気開放時基板に付着したＦやＣｌが大気中の水分と反応しＨＦやＨＣｌとなる前に、速やかに洗浄処理を行う必要がある。
従って、この洗浄処理は同時に複数の基板の処理を行うことができ、基板の裏面も洗浄できるバッチ方式が望ましく、ドライエッチング後の大気開放後１０分以内に行うことが望ましい。（後述する）。
従って、この洗浄処理は同時に複数の基板の処理を行うことができ、基板の裏面も洗浄できるバッチ方式が望ましく、ドライエッチング後の大気開放後１０分以内に行うことが望ましい。（後述する）。
なお、ここでは、信号線金属膜のウェットエッチング後の水洗時に、温水洗により保護膜を形成する例を述べたが、フォトレジストの剥離後の水洗時に、同様に温水洗を行ってもよい。この場合は、上述したチャネル形成のドライエッチングは、ソース、ドレイン電極の金属膜をマスクとして行うことになる。
次に、プラズマＣＶＤにより厚さ約２００ｎｍのシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２６を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、画素部コンタクトホール３５及び端子部コンタクトホール３６を開口する（図４（ａ））。
次に、スパッタにより厚さ約５０ｎｍのインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化膜（ＩＺＯ）からなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、画素電極２７及び端子部の接続電極３７を形成し、約２７０℃の温度でアニールして、ＴＦＴ基板を完成する。（図４（ｂ））。
次に、上記ＴＦＴ基板１０の上に、印刷により厚さ約５０ｎｍの配向膜４１を形成し、約２２０℃の温度で焼成し、配向処理を行う。
一方、ＴＦＴ基板１０に対向して対向基板４０が形成される。対向基板４０は、厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスからなる透明絶縁性基板５０、透明絶縁性基板５０上に設けられＴＦＴ基板１０の各画素領域に対応するカラーフィルタ４２、ＴＦＴ部を含む画素領域の周辺部に対応するブラックマトリクス４３、これらを覆うＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極４４を有する。ＴＦＴ基板１０及び対向基板４０の最上層に、印刷により厚さ５０ｎｍの配向膜４１を形成し、約２２０℃の温度で焼成し、配向処理を行う。これらのＴＦＴ基板１０と対向基板４０とをエポキシ系樹脂接着剤からなるシール４５及びプラスチック粒子等からなる面内スペーサー（図示せず）を介して、各々の膜面が対向するようにして所定間隔に重ね合わせる。その後、ＴＦＴ基板１０と対向基板４０との間に液晶
４６を注入し、液晶４６を注入したシール４５の空間部（図示せず）をＵＶ硬化型アクリレート系樹脂からなる封孔材（図示せず）で密閉する。最後に、ＴＦＴ基板１０と対向基板４０の膜面とは反対側の面に、それぞれ偏向板４７を貼って、液晶表示パネルを完成する（図５）。
４６を注入し、液晶４６を注入したシール４５の空間部（図示せず）をＵＶ硬化型アクリレート系樹脂からなる封孔材（図示せず）で密閉する。最後に、ＴＦＴ基板１０と対向基板４０の膜面とは反対側の面に、それぞれ偏向板４７を貼って、液晶表示パネルを完成する（図５）。
この後、図示してないが、走査線端子１４と信号線端子１５上に駆動回路に接続するテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）を圧接し、液晶表示装置を完成する。
次に、本発明の液晶表示装置の第２の実施形態の構成について説明する。
図６は第２の実施形態に使用するＴＦＴ基板の１画素部の平面図であり、図７〜１０は本実施形態において用いられるＴＦＴ基板の製造工程順の製造工程断面図を図示したものである。ここで、製造工程断面図は、ＴＦＴ部及び画素部（図６のＡ−Ａ線）、信号線端子部（図１のＢ−Ｂ線）及び走査線端子部（図１のＣ−Ｃ線）に沿って切断したときの断面図である。なお、第２の実施形態は４枚のマスクを用いて製造される逆スタガチャネルエッチ型ＴＦＴ基板を有する液晶表示装置の例である。
図６及び図８（ｂ）に示したＴＦＴ基板は、透明絶縁性基板２０上にゲート電極２１と、ゲート電極２１に接続する走査線１１と、前段の走査線を共有する蓄積容量電極３１と、遮光層３２と、走査線端子１４の端子部金属膜３３とを有する。ゲート電極２１上にはゲート絶縁膜２２が設けられており、ゲート絶縁膜２２上にゲート電極２１と対向して半導体層２３が設けられ、半導体層２３上にソース電極２４及びドレイン電極２５が分離されて形成されている。
ここで第１の実施形態と異なるのは、ソース電極２４及びドレイン電極２５が半導体層２３上に形成され、それぞれの端面が一致していることである。また、ソース電極２４と、ドレイン電極２５と、ゲート絶縁膜２２上に設けられたドレイン電極２５に接続する信号線１２と、信号線端子１５の端子部金属膜３４の上にはパッシベーション膜２６が設けられており、パッシベーション膜２６の一部に画素部コンタクトホール３５と端子部コンタクトホール３６が設けられている。このコンタクトホール３５、３６を介して、ソース電極２４に接続する画素電極２７と端子部金属膜３３、３４に接続する接続電極３７が設けられている。また、蓄積容量電極３１と画素電極２７との間で保持容量が形成されている。
さらに図８（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶表示装置の製造方法に用いられるＴＦＴ基板においては、ソース電極２４及びドレイン電極２５、信号線１２、信号線端子の端子部金属膜３４は、下層から高融点金属層、Ａｌ（合金）層、高融点金属層を積層させた積層構造からなっており、Ａｌ（合金）層の側面には保護膜３８が形成されている。
次に、本発明の液晶表示装置の製造方法の第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態に用いられるＴＦＴ基板の製造方法は、（ａ）透明絶縁性基板上にゲート電極及び走査線を形成する工程、（ｂ）ゲート絶縁膜、ソース、ドレイン電極及び信号線、半導体層を形成する工程、（ｃ）パッシベーション膜、コンタクトホールを形成する工程、（ｄ）画素電極を形成する工程を含む。ここで（ｂ）の工程において、ソース、ドレイン電極及び信号線を高融点金属層とＡｌ（合金）層と高融点金属層との３層構造に形成し、Ａｌ（合金）層の側面に保護膜を形成すること、半導体層及びチャネル形成時のドライエッチング後に同一真空中で真空引きすることを特徴としている。
まず、厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスからなる透明絶縁性基板２０上に、スパッタにより厚さ約２００ｎｍのＡｌ（合金）層と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ゲート電極２１、走査線（図示せず）、蓄積容量電極（図示せず）、遮光層（図示せず）、走査線端子の端子部層金属膜３３を形成する（図７（ａ））。ここで、Ａｌ（合金）と高融点金属の種類及びエッチング方法は、第１の実施形態と同様である。
次に、プラズマＣＶＤにより厚さ約４００ｎｍのシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜２２と厚さ約２００ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層２８と厚さ約３０ｎｍのリンをドープしたＮ型アモルファスシリコン（ｎ+型ａ−Ｓｉ）層２９とを順次成膜し、さらに、スパッタにより厚さ約５０ｎｍの高融点金属層と厚さ２００ｎｍのＡｌ（合金）層と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層を順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ソース電極２４、ドレイン電極２５、信号線１２、信号線端子の端子部金属膜３４と半導体層２３を一括して形成する（図７（ｂ））。
本実施形態では、第１の実施形態と異なり、ソース、ドレイン電極と半導体層の形成を１工程で行う。この方法を図９、図１０を用いて説明する。図９、１０は、図７（ｂ）の工程を説明する断面図である。
ゲート絶縁膜２２、ａ−Ｓｉ層２８及びｎ+型ａ−Ｓｉ層２９からなる３層膜上に積層された高融点金属層１、Ａｌ（合金）層２、高融点金属層３の３層膜４上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行い、フォトレジスト５１を所定のパターンで階段形状にパターニングする。このとき、露光はハーフトーンマスク又はグレートーンマスクを用い、フォトレジスト５１は、ソース、ドレイン電極となる部分でチャネル領域に面する領域上だけ厚く形成し、ソース、ドレイン電極となる部分でその他の領域、信号線及び信号線端子の端子部金属膜となる部分の上には薄く形成する（図９（ａ））。
次に、このフォトレジスト５１をマスクとして高融点金属層３、Ａｌ（合金）層２、高融点金属層１の３層膜４をエッチングする（図９（ｂ））。エッチング方法は、第１の実施形態と同様に、ウェットエッチングで行い、フォトレジスト５１の端面からサイドエッチさせる。さらに、エッチング後の水洗を４０℃〜５０℃の温水で行い、Ａｌ（合金）膜２の側壁にＡｌ（合金）の酸化膜または水酸化膜からなる保護膜３８を形成する。
次に、Ｏ2プラズマ処理を行い、フォトレジスト５１を全体的にアッシングして、上記の薄い部分を除去する（図１０（ａ））。
次に、Ｎメチル２ピロリドン（ＮＭＰ）のような有機溶剤の蒸気で残ったフォトレジスト５２をリフローした後、このフォトレジスト５３とソース、ドレイン電極、信号線及び信号線端子の端子部金属膜をマスクにして、ｎ +型ａ−Ｓｉ層２９及びａ−Ｓｉ層２８をエッチングする（図１０（ｂ））。エッチング方法は、例えば、ＳＦ6とＨＣｌとＨｅの混合ガスによるエッチングや、ＣＨＦ3とＯ2とＨｅの混合ガスとＳＦ6とＨＣｌとＨｅの混合ガス、あるいは、ＣＨＦ3とＯ2とＨｅの混合ガスとＳＦ6とＣＨＦ3とＨｅの混合ガスによる２ステップエッチング等、フッ素系ガス又はフッ素系ガスと塩素系ガスにより行われるが、フッ素系ガスだけで行う方がより望ましい。このエッチングはＲＩＥで行なわれる。また、エッチング後、第１の実施形態のチャネル部分のｎ+型ａ−Ｓｉ層のエッチングと同様に、同一真空中で基板を電極から離した状態で真空引きを行い、さらに、Ｏ2、Ｎ2、Ｈ2、Ｈｅの何れかのガスでプラズマ処理を行う。
引き続き、第１の実施形態と同様に、速やかにフォトレジスト５３をウェット剥離で除去した後、ソース電極２４とドレイン電極２５をマスクとして、電極間のｎ+型ａ−Ｓｉ層２９をエッチング除去する。このようにして、ソース電極２４、ドレイン電極２５、信号線１２及び信号線端子の端子部金属膜３４及び半導体層２３を形成する（図１０（ｃ））。チャネル部分のｎ+型ａ−Ｓｉ層のエッチング方法、エッチング後の真空引き、プラズマ処理については、第１の実施形態と同様である。また、ｎ+型ａ−Ｓｉ層のエッチング後、第１の実施形態でのウェット剥離処理と同様に、速やかに水洗処理を行う。以上のような手法を用いることにより、Ａｌ（合金）膜がエッチングガスのプラズマに曝されることがなく、また、基板に付着したＦやＣｌを除去できるため、Ａｌの腐食を防止することができる。
なお、ここでは、ソース、ドレイン電極の金属膜をマスクにしてチャネル形成のドライエッチング行う例を示したが、信号線金属膜をウェットエッチングし、温水洗した後、引き続き、図９（ｂ）の状態でフォトレジストをマスクにして、チャネル形成のためのエッチングを行ってもよい。この場合は、この後に図１０（ａ）以降の工程が続くことになる（但し、図１０（ａ）、（ｂ）では、チャネルは既に形成されている）。
次に、プラズマＣＶＤにより厚さ約２００ｎｍのシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２６を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、画素部コンタクトホール３５及び端子部コンタクトホール３６を開口する（図８（ａ））。
次に、スパッタにより厚さ約５０ｎｍのＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、画素電極２７及び端子部の接続電極３７を形成し、約２７０℃の温度でアニールして、ＴＦＴ基板を完成する（図８（ｂ））。
この後、第１の実施形態と同様にして、液晶表示装置を完成する。
この後、第１の実施形態と同様にして、液晶表示装置を完成する。
次に、本発明の液晶表示装置の第３の実施形態の構成について説明する。
図６は第３の実施形態に使用するＴＦＴ基板の１画素部の平面図であり、図７、８、図１１、１２は本実施形態の液晶表示装置において用いられるＴＦＴ基板の製造工程順の製造工程断面図を図示したものである。ここで図１１、１２は、ＴＦＴ部及び画素部（図６のＡ−Ａ線）、信号線端子部（図１のＢ−Ｂ線）及び走査線端子部（図１のＣ−Ｃ線）に沿って切って図示した断面図であり、本実施形態の液晶表示装置において用いられるＴＦＴ基板の製造工程を図示したものである。なお、第３の実施形態は４枚のマスクを用いて製造される逆スタガチャネルエッチ型ＴＦＴ基板を有する液晶表示装置の別の例である。第３の実施形態は、第２の実施形態のＴＦＴ基板の製造方法の第２工程を変更したものであり、構成は第２の実施形態と全く同じである。
次に、本発明の液晶表示装置の製造方法の第３の実施形態について説明する。
第３の実施形態に用いられるＴＦＴ基板の製造方法は、第２の実施形態と同様に、（ａ）透明絶縁性基板上にゲート電極及び走査線を形成する工程、（ｂ）ゲート絶縁膜、ソース、ドレイン電極及び信号線、半導体層を形成する工程、（ｃ）パッシベーション膜、コンタクトホールを形成する工程、（ｄ）画素電極を形成する工程を含む。ここで（ｂ）の工程において、ソース、ドレイン電極及び信号線を高融点金属層とＡｌ（合金）層と高融点金属層との３層構造に形成し、Ａｌ（合金）層の側面に保護膜を形成すること、半導体層及びチャネル形成時のドライエッチング後に同一真空中で真空引きすることを特徴としている。
第２工程（工程（ｂ））以外の製造方法は、第２の実施形態と全く同じであるので、第２工程だけ説明する。図１１〜図１２は、第３の実施形態の図７（ｂ）の工程を説明する断面図である。
ゲート絶縁膜２２、ａ−Ｓｉ層２８及びｎ+型ａ−Ｓｉ層２９からなる３層膜上に積層された高融点金属層１、Ａｌ（合金）層２、高融点金属層３の３層膜４上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行い、フォトレジスト５４を所定のパターンで階段形状にパターニングする。このとき、露光はハーフトーンマスク又はグレートーンマスクを用い、フォトレジスト５４は、チャネルとなる領域のみ薄く形成し、ソース、ドレイン電極となる部分、信号線及び信号線端子の端子部金属膜となる部分の上には厚く形成する（図１１（ａ））。
次に、このフォトレジスト５４をマスクとして高融点金属層３、Ａｌ（合金）層２、高融点金属層１の３層膜４をエッチングし、引き続き、ｎ+型ａ−Ｓｉ層２９及びａ−Ｓｉ層２８をエッチングする（図１１（ｂ））。信号線金属膜のエッチング方法は、第１の実施形態と同様に、ウェットエッチングで行い、フォトレジスト５４の端面からサイドエッチさせる。さらに、エッチング後の水洗を４０℃〜５０℃の温水で行い、Ａｌ（合金）膜２の側壁にＡｌ（合金）の酸化膜または水酸化膜からなる保護膜３８を形成する。また、半導体層２３のエッチング方法は、第２の実施形態と同様であり、エッチング後、同一真空中で基板を電極から離した状態で真空引きを行い、さらに、Ｏ2、Ｎ2、Ｈ2、Ｈｅの何れかのガスでプラズマ処理を行う。
次に、Ｏ2プラズマ処理を行い、フォトレジスト５４を全体的にアッシングして、上記の薄い部分を除去する（図１２（ａ））。このＯ2プラズマ処理は、半導体層のエッチング後、同一真空中で連続して行うことが望ましい。半導体層のエッチング後、大気開放する場合は、速やかに水洗処理を行う。
次に、フォトレジスト５５をマスクとして、チャネルとなる部分の高融点金属層３、Ａｌ（合金）層２、高融点金属層１の３層膜をエッチングし、引き続き、チャネル部分のｎ+型ａ−Ｓｉ層２９をエッチング除去する（図１２（ｂ））。チャネルとなる部分の信号線金属膜のエッチング方法は、第１の実施形態と同様であり、ウェットエッチングで行い、フォトレジスト５５の端面からサイドエッチさせる。さらに、エッチング後の水洗を４０℃〜５０℃の温水で行い、Ａｌ（合金）膜２の側壁にＡｌ（合金）の酸化膜または水酸化膜からなる保護膜３８を形成する。チャネル部分のｎ+型ａ−Ｓｉ層のエッチング方法、エッチング後の真空引き、プラズマ処理については、第１の実施形態と同様である。
引き続き、第１の実施形態と同様に、速やかにフォトレジスト５５をウェット剥離で除去し、ソース電極２４、ドレイン電極２５、信号線１２及び信号線端子の端子部金属膜３４及び半導体層２３を形成する（図１２（ｃ））。この後、第２の実施形態と同様に、パッシベーション膜、コンタクトホールを形成し、さらに画素電極を形成するが、本実施形態では図８において、信号線金属膜の端面と半導体層の端面は正確には一致しておらず、図１２（ｃ）のように階段状になっている。
以上のような手法を用いることにより、Ａｌ（合金）膜がエッチングガスのプラズマに曝されることがなく、また、基板に付着したＦやＣｌを除去できるため、Ａｌの腐食を防止することができる。
なお、ここでは、チャネルとなる部分の信号線金属膜のウェットエッチング後の水洗時に、温水洗により保護膜を形成する例を述べたが、フォトレジストの剥離後の水洗時に、同様に温水洗を行ってもよい。この場合は、上述したチャネル形成のドライエッチングは、ソース、ドレイン電極の金属膜をマスクとして行うことになる。
次に、本発明の液晶表示装置の製造方法の第４の実施形態の構成について説明する。
図１３は第４の実施形態に使用するＴＦＴ基板の１画素部の平面図であり、図１４、１５は本実施形態において用いられるＴＦＴ基板の製造工程順の製造工程断面図を図示したものである。図１４、１５はＴＦＴ部及び画素部（図１３のＡ−Ａ線）、信号線端子部（図１のＢ−Ｂ線）及び走査線端子部（図１のＣ−Ｃ線）に沿って切って図示した断面図であり、本実施形態の液晶表示装置において用いられるＴＦＴ基板の製造工程を図示したものである。なお、第４の実施形態は５枚のマスクを用いて製造される逆スタガチャネル保護型ＴＦＴ基板を有する液晶表示装置の例である。
図１３及び図１５（ｂ）に示したＴＦＴ基板は、透明絶縁性基板２０上のゲート電極２１、ゲート電極２１に接続する走査線１１、前段の走査線を共有する蓄積容量電極３１、遮光層３２、走査線端子１４の端子部金属膜３３とを有する。ゲート電極２１上にはゲート絶縁膜２２が設けられており、ゲート絶縁膜２２上にゲート電極２１と対向して半導体層２３とチャネル保護膜６１が設けられ、この上にソース電極２４及びドレイン電極２５が分離されて形成されている。チャネル保護膜が形成されていることが第２の実施形態と異なる。また、ソース電極２４と、ドレイン電極２５と、ゲート絶縁膜２２上に設けられたドレイン電極２５に接続する信号線１２と、信号線端子１５の端子部金属膜３４の上にはパッシベーション膜２６が設けられており、パッシベーション膜２６の一部に画素部コンタクトホール３５と端子部コンタクトホール３６が設けられている。このコンタクトホール３５、３６を介して、ソース電極２４に接続する画素電極２７と端子部金属膜３３、３４に接続する接続電極３７が設けられている。ここで、蓄積容量電極３１と画素電極２７との間で保持容量が形成されている。
また、図１５（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板においては、ソース電極２４及びドレイン電極２５、信号線１２、信号線端子の端子部金属膜３４は、下層から高融点金属層とＡｌ（合金）層と高融点金属層との積層構造からなっており、Ａｌ（合金）層の側面には保護膜３８が形成されている。
次に、本発明の液晶表示装置の製造方法の第４の実施形態について説明する。
第４の実施形態に用いられるＴＦＴ基板の製造方法は、（ａ）透明絶縁性基板上にゲート電極及び走査線を形成する工程、（ｂ）ゲート絶縁膜、ａ−Ｓｉ層、チャネル保護膜を形成する工程、（ｃ）ソース、ドレイン電極及び信号線、半導体層を形成する工程、（ｄ）パッシベーション膜、コンタクトホールを形成する工程、（ｅ）画素電極を形成する工程を含む。ここで（ｃ）の工程において、ソース、ドレイン電極及び信号線を高融点金属層とＡｌ（合金）層と高融点金属層との３層構造に形成し、Ａｌ（合金）層の側面に保護膜を形成すること、半導体層及びチャネル形成時のドライエッチング後に同一真空中で真空引きすることを特徴としている。
図１４〜図１５に示すように、まず、厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスからなる透明絶縁性基板２０上に、スパッタにより厚さ約２００ｎｍのＡｌ（合金）層と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ゲート電極２１、走査線（図示せず）、蓄積容量電極（図示せず）、遮光層（図示せず）、走査線端子の端子部金属膜３３を形成する（図１４（ａ））。ここで、Ａｌ（合金）と高融点金属の種類及びエッチング方法は、第１の実施形態と同様である。
次に、プラズマＣＶＤにより厚さ約４００ｎｍのシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜２２と厚さ約８０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層２８と厚さ約１００ｎｍのシリコン窒化膜とを順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ゲート電極２１に対向して、チャネル保護膜６１を形成する（図１４（ｂ））。
次に、プラズマＣＶＤにより厚さ約３０ｎｍのリンをドープしたＮ型アモルファスシリコン（ｎ+型ａ−Ｓｉ）層２９と、さらに、スパッタにより厚さ約５０ｎｍの高融点金属層と厚さ２００ｎｍのＡｌ（合金）層と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層とを順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ソース電極２４、ドレイン電極２５、信号線１２、信号線端子の端子部金属膜３４と半導体層２３を形成する（図１４（ｃ））。このエッチングは、フォトレジストをマスクとして高融点金属層、Ａｌ（合金）層、高融点金属層の３層膜をエッチングし、引き続き、ｎ+型ａ−Ｓｉ層２９及びａ−Ｓｉ層２８をエッチングする。信号線金属膜のエッチング方法は、第１の実施形態と同様に、ウェットエッチングで行い、フォトレジストの端面からサイドエッチさせる。さらに、エッチング後の水洗を４０℃〜５０℃の温水で行い、Ａｌ（合金）膜の側壁にＡｌ（合金）の酸化膜または水酸化膜からなる保護膜３８を形成する。また、半導体層のエッチング方法は、第２の実施形態と同様であり、エッチング後、同一真空中で基板を電極から離した状態で真空引きを行い、さらに、Ｏ2、Ｎ2、Ｈ2、Ｈｅの何れかのガスでプラズマ処理を行う。半導体層２３のエッチング時に、同時にチャネル部分のｎ+型ａ−Ｓｉ層２９もエッチング除去する。引き続き、第１の実施形態と同様に、速やかにフォトレジストをウェット剥離で除去する。
以上のような手法を用いることにより、Ａｌ（合金）膜がエッチングガスのプラズマに曝されることがなく、また、基板に付着したＦやＣｌを除去できるため、Ａｌの腐食を防止することができる。
なお、ここでは、信号線金属膜のウェットエッチング後の水洗時に、温水洗により保護膜を形成する例を述べたが、フォトレジストの剥離後の水洗時に、同様に温水洗を行ってもよい。この場合は、上述したチャネル及び半導体層形成のドライエッチングは、ソース、ドレイン電極の金属膜をマスクとして行うことになる。
次に、プラズマＣＶＤにより厚さ約２００ｎｍのシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２６を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、画素部コンタクトホール３５及び端子部コンタクトホール３６を開口する（図１５（ａ））。
次に、スパッタにより厚さ約５０ｎｍのＩＴＯまたＩＺＯからなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、画素電極２７及び端子部の接続電極３７を形成し、約２７０℃の温度でアニールして、ＴＦＴ基板を完成する（図１５（ｂ））。
この後、第１の実施形態と同様にして、液晶表示装置を完成する。
次に、本発明の根拠になるデータについて、実験結果に基づいて説明する。
表１は、第１の実施形態のＴＦＴ基板のサンプルについて、チャネル部ｎ+型ａ−Ｓｉ
層ドライエッチングの際における、マスクとなるフォトレジストの有無、信号線Ａｌ側面の保護処理（温水洗による酸化、水酸化処理）の有無、及び、エッチングガスの種類と、信号線Ａｌ腐食の発生状況との関係を調べた結果をまとめて示している。各サンプルは、Ｃｌ2／Ｏ2によるドライエッチング、ＣＨＦ 3／Ｈｅ／Ｏ2と、ＳＦ6／ＨＣｌ／Ｈｅとによる２ステップエッチング、又は、ＣＨＦ 3／Ｈｅ／Ｏ2と、ＳＦ6／ＣＨＦ3／Ｈｅによる２ステップエッチングによるドライエッチングを行った。このエッチング後の真空引き、及び、Ｏ2プラズマ処理は行わずに、そのまま大気中に取り出した。信号線Ａｌ腐食は、ドライエッチング後に基板をチャンバから取り出し、大気中に約１時間放置した後に、光学顕微鏡で観察した。なお、表２及び表３を含めて、表中の記号は以下の通りである。
××：Ａｌ腐食が大量に発生。
×：Ａｌ腐食が発生。
△：Ａｌ腐食が僅かに発生。
○：Ａｌ腐食は発生しない。
層ドライエッチングの際における、マスクとなるフォトレジストの有無、信号線Ａｌ側面の保護処理（温水洗による酸化、水酸化処理）の有無、及び、エッチングガスの種類と、信号線Ａｌ腐食の発生状況との関係を調べた結果をまとめて示している。各サンプルは、Ｃｌ2／Ｏ2によるドライエッチング、ＣＨＦ 3／Ｈｅ／Ｏ2と、ＳＦ6／ＨＣｌ／Ｈｅとによる２ステップエッチング、又は、ＣＨＦ 3／Ｈｅ／Ｏ2と、ＳＦ6／ＣＨＦ3／Ｈｅによる２ステップエッチングによるドライエッチングを行った。このエッチング後の真空引き、及び、Ｏ2プラズマ処理は行わずに、そのまま大気中に取り出した。信号線Ａｌ腐食は、ドライエッチング後に基板をチャンバから取り出し、大気中に約１時間放置した後に、光学顕微鏡で観察した。なお、表２及び表３を含めて、表中の記号は以下の通りである。
××：Ａｌ腐食が大量に発生。
×：Ａｌ腐食が発生。
△：Ａｌ腐食が僅かに発生。
○：Ａｌ腐食は発生しない。
表２は、同様に、第１の実施形態のＴＦＴ基板のサンプルについて、チャネル部ｎ+型ａ−Ｓｉ層ドライエッチングの際に、そのエッチング後の真空引き時間、及び、その後のＯ2プラズマ処理時間と、信号線Ａｌ腐食の発生状況との関係をまとめて示している。表２のサンプルは、フォトレジスト無しで、かつ信号線Ａｌ側面の保護処理を行わない状態で、ＣＨＦ3／Ｈｅ／Ｏ2とＳＦ6／ＨＣｌ／Ｈｅとで２ステップでエッチングを行ったものである。信号線Ａｌ腐食は、ドライエッチング後の基板取出し後、大気中に約１時間放置した後、光学顕微鏡で観察した。
表３は、同様に、第１の実施形態のＴＦＴ基板のサンプルについて、チャネル部ｎ+型ａ−Ｓｉ層ドライエッチング後に基板が大気開放されてから、洗浄処理（ウェット剥離）されるまでの経過時間と、信号線Ａｌ腐食の発生状況との関係を調べた結果を示している。各サンプルは、信号線Ａｌ側面の保護処理を行わない状態で、ＣＨＦ3／Ｈｅ／Ｏ2とＳＦ6／ＨＣｌ／Ｈｅとによる２ステップエッチングを行ったものであり、エッチング後の真空引き、Ｏ2プラズマ処理は行っていない。信号線Ａｌ腐食は、フォトレジストマスクのウエット剥離後に、光学顕微鏡で観察した。
上記実験によって、塩素系ガス（Ｃｌ2、ＨＣｌ）はフッ素系ガス（ＣＨＦ3）よりＡｌ腐食が発生しやすいこと、塩素系ガスを使用しなくても、Ａｌ腐食は発生することを確認した。これらのＡｌ腐食は、フォトレジスト有の状態でエッチングしたり、Ａｌ側面の保護処理を行うことによりかなり抑制され、両者を同時に行うことにより防止できることがわかった。さらに、エッチング後の真空引き時間が長いほど、Ｏ2処理時間が長いほどＡｌ腐食に対して効果があり、また同様に、エッチング後洗浄処理までの放置時間が短いほど、Ａｌ腐食に対して効果があることがわかった。
従って、Ａｌ腐食の対策として、信号線のＡｌ側面をエッチングガスのプラズマに曝さないことと、基板に残留するエッチングガスのＣｌ、Ｆ成分を除去、置換することが重要であり、これらの対策を組み合わせることにより、Ａｌ腐食の改善効果がさらに増すことを確認した。
なお、前述した実施形態ではツイスティドネマティック（ＴＮ）型の液晶表示装置に適用した例を示したが、本発明はインプレインスイッチング（ＩＰＳ）型の液晶表示装置に適用できることは言うまでもない。ＩＰＳ型液晶表示装置では、通常画素電極は金属膜で形成されるが、実施形態に示したようなＴＦＴ基板では、端子部の接続電極や、共通配線の結束、保護トランジスタ部のゲート層とドレイン層との層変換のためにパッシベーション膜上の透明導電膜を使用するため、製造工程フローとしては、ＴＮ型もＩＰＳ型も全く同じになるためである。また、ＩＰＳ型の液晶表示装置でも、開口率向上のため、パッシベーション膜上に透明導電膜で画素電極と共通電極を形成する技術があり、本発明は、このような液晶表示装置にも適用できることは明白である。
また、前述した実施形態では、Ａｌ側面の保護処理を温水洗により行う例を示したが、工程数が一工程増えるが、酸素や窒素等のプラズマ処理を行い、Ａｌの酸化膜や窒化膜を形成してもよい。但し、この場合は、等方的なＰＥモードでプラズマ処理を行い、保護膜の横方向の厚さを少なくとも１００ｎｍ以上に形成する必要がある。保護膜の横方向の厚さが数十ｎｍ程度以下では、ドライエッチングガスが膜の欠陥部分から内部に容易に侵入して、保護効果が十分でないためである。
また、前述した実施形態では、信号線が高融点金属／Ａｌ（合金）／高融点金属の３層の積層配線に適用した例を示したが、Ａｌ（合金）／高融点金属の２層配線にも適用可能である。この場合は、画素電極を信号線より下側に形成するＴＦＴ構造を採用すればよい。
また、前述した実施形態では、ａ−ＳｉＴＦＴの例を示したが、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴにも適用できることは言うまでもない。
以上説明したように、本発明の好適な実施態様によれば、信号線やソース、ドレイン電極を形成後、信号線やソース、ドレイン電極の側部に露出したＡｌ（合金）膜の側面をＡｌ（合金）の酸化膜や水酸化膜からなる保護膜により保護するため、その後の半導体層のエッチングやチャネルエッチング時に塩素系ガスやフッ素系ガスに起因するＡｌ（合金）膜の腐食を抑制することができる。さらに、信号線やソース、ドレイン電極の金属膜がエッチングマスクであるフォトレジストから後退しているため、半導体層のエッチングやチャネルエッチング時に塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合金）膜の腐食を抑制することができる。
また、半導体層エッチング、チャネルエッチング工程において、ドライエッチング終了後、同一真空中で真空引きを行い、さらに、Ｏ2、Ｎ2、Ｈ2、Ｈｅの何れかガスでプラズマ処理することにより、基板上に残留しているフッ素系ガス、塩素系ガスを除去、置換するので、半導体層のエッチングやチャネルエッチング時に基板に付着した塩素系ガスやフッ素系ガスを効率よく除去でき、Ａｌ（合金）膜の腐食を抑制することができる。
また、半導体層エッチング、チャネルエッチング工程において、ドライエッチング終了後、洗浄処理までの時間を１０分以内とすることにより、基板に残留しているフッ素系ガス、塩素系ガスを除去するので、半導体層のエッチングやチャネルエッチング時に基板に付着した塩素系ガスやフッ素系ガスを除去でき、Ａｌ（合金）膜の腐食を抑制することができる。
また、半導体層エッチング、チャネルエッチング工程において、ドライエッチング終了後、洗浄処理までの時間を１０分以内とすることにより、基板に残留しているフッ素系ガス、塩素系ガスを除去するので、半導体層のエッチングやチャネルエッチング時に基板に付着した塩素系ガスやフッ素系ガスを除去でき、Ａｌ（合金）膜の腐食を抑制することができる。
１、３ 高融点金属層
２ Ａｌ（合金）層
４ ３層膜
１０ ＴＦＴ基板
１１ 走査線
１２ 信号線
１３ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１４ 走査線端子
１５ 信号線端子
２０、５０ 透明絶縁性基板
２１ ゲート電極
２２ ゲート絶縁膜
２３ 半導体層
２４ ソース電極
２５ ドレイン電極
２６ パッシベーション膜
２７ 画素電極
２８ アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ型）層
２９ Ｎ型アモルファスシリコン（ｎ+型ａ−Ｓｉ）層
３１ 蓄積容量電極
３２ 遮光層
３３、３４ 端子部金属膜
３５ 画素部コンタクトホール
３６ 端子部コンタクトホール
３７ 接続電極
３８ 保護膜
４０ 対向基板
４１ 配向膜
４２ カラーフィルタ
４３ ブラックマトリクス
４４ 共通電極
４５ シール
４６ 液晶
４７ 偏向板
５１、５２、５３、５４、５５ フォトレジスト
６１ チャネル保護膜
２ Ａｌ（合金）層
４ ３層膜
１０ ＴＦＴ基板
１１ 走査線
１２ 信号線
１３ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１４ 走査線端子
１５ 信号線端子
２０、５０ 透明絶縁性基板
２１ ゲート電極
２２ ゲート絶縁膜
２３ 半導体層
２４ ソース電極
２５ ドレイン電極
２６ パッシベーション膜
２７ 画素電極
２８ アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ型）層
２９ Ｎ型アモルファスシリコン（ｎ+型ａ−Ｓｉ）層
３１ 蓄積容量電極
３２ 遮光層
３３、３４ 端子部金属膜
３５ 画素部コンタクトホール
３６ 端子部コンタクトホール
３７ 接続電極
３８ 保護膜
４０ 対向基板
４１ 配向膜
４２ カラーフィルタ
４３ ブラックマトリクス
４４ 共通電極
４５ シール
４６ 液晶
４７ 偏向板
５１、５２、５３、５４、５５ フォトレジスト
６１ チャネル保護膜
Claims (6)
- 基板上に半導体層及び高融点金属膜とアルミニウム又はアルミニウム合金膜との積層金属膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法であって、前記積層金属膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記フォトレジストパターンの内側になるように前記積層金属膜をサイドエッチングさせて前記積層金属膜パターンを形成する工程と、前記アルミニウム又はアルミニウム合金膜の露出している部分に保護膜を形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記半導体層の一部または全部をフッ素系又は塩素系ガスを含むガスでドライエッチングする工程と、前記フォトレジストを剥離除去する工程とを具備し、前記ドライエッチング後、前記基板を収納するチャンバーの真空引きを行い前記基板上に残留する前記エッチングガスを除去し、その後に前記基板をプラズマ処理して前記基板上にさらに残留する前記エッチングガスを除去することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 前記積層金属膜パターンの形成をウェットエッチングにより行い、さらに前記ウェットエッチング後の水洗を温水洗により行うことにより、前記保護膜を形成することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記高融点金属膜は、モリブデンまたはモリブデンを主体とする合金であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
- 基板上に半導体層及び高融点金属膜とアルミニウム又はアルミニウム合金膜との積層金属膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法であって、前記積層金属膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記積層金属膜をエッチングして前記積層金属膜パターンを形成する工程と、前記フォトレジストを剥離除去する工程と、前記アルミニウム又はアルミニウム合金膜の露出している部分に保護膜を形成する工程と、前記積層金属膜をマスクとして前記半導体層の一部または全部をフッ素系又は塩素系ガスを含むガスでドライエッチングする工程とを具備し、前記ドライエッチング後、前記基板を収納するチャンバーの真空引きを行い前記基板上に残留する前記エッチングガスを除去し、その後に前記基板をプラズマ処理して前記基板上にさらに残留する前記エッチングガスを除去することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 前記フォトレジストの剥離除去をウェット剥離により行い、さらに前記ウェット剥離後の水洗を温水洗により行うことにより、前記保護膜を形成することを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記プラズマ処理は、Ｏ2、Ｎ2、Ｈ2、Ｈｅのいずれかのガスで行う、
ことを特徴とする請求項１又は４に記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003378471A JP4651929B2 (ja) | 2002-11-15 | 2003-11-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002332484 | 2002-11-15 | ||
| JP2003378471A JP4651929B2 (ja) | 2002-11-15 | 2003-11-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007208117A Division JP4747139B2 (ja) | 2002-11-15 | 2007-08-09 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004177946A JP2004177946A (ja) | 2004-06-24 |
| JP4651929B2 true JP4651929B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=32716250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003378471A Expired - Lifetime JP4651929B2 (ja) | 2002-11-15 | 2003-11-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4651929B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4339232B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2009-10-07 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | アクテイブマトリクス型表示装置用フォトマスク及びその製造方法 |
| JP4309331B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2009-08-05 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 表示装置の製造方法及びパターン形成方法 |
| KR101189271B1 (ko) * | 2005-07-12 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP5087825B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2012-12-05 | カシオ計算機株式会社 | アクティブ基板の製造方法 |
| KR101174429B1 (ko) | 2006-01-24 | 2012-08-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 이를 포함한 액정표시 장치 |
| JP2007206134A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Epson Imaging Devices Corp | アクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
| JP2007273827A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用ｔｆｔ素子の製造方法 |
| KR101232061B1 (ko) * | 2006-04-24 | 2013-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선의 제조 방법 및 표시 기판의 제조 방법 |
| JP5038047B2 (ja) * | 2006-10-14 | 2012-10-03 | 友達光電股▲ふん▼有限公司 | 液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
| TWI352430B (en) | 2006-10-14 | 2011-11-11 | Au Optronics Corp | Lcd tft array substrate and fabricating method the |
| US8349671B2 (en) | 2007-09-03 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods for manufacturing thin film transistor and display device |
| KR101446249B1 (ko) | 2007-12-03 | 2014-10-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제조방법 |
| WO2009104446A1 (ja) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法、表示装置の製造方法 |
| WO2009130841A1 (ja) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| CN101685229B (zh) * | 2008-09-25 | 2012-02-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器阵列基板的制造方法 |
| TWI634642B (zh) * | 2009-08-07 | 2018-09-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| KR101682078B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2016-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
| US9178071B2 (en) * | 2010-09-13 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN102254861B (zh) * | 2011-08-11 | 2014-01-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法 |
| KR20130043063A (ko) * | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR101976212B1 (ko) * | 2011-10-24 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| JP2020145358A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713180A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JP3413000B2 (ja) * | 1996-01-25 | 2003-06-03 | 株式会社東芝 | アクティブマトリックス液晶パネル |
| JP4187819B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2008-11-26 | シャープ株式会社 | 薄膜装置の製造方法 |
| JP3221373B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2001-10-22 | 日本電気株式会社 | 積層配線のパターニング方法 |
| JP3356159B2 (ja) * | 1999-05-20 | 2002-12-09 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2002129362A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Casio Comput Co Ltd | クロムパターンの形成方法および液晶表示装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-11-07 JP JP2003378471A patent/JP4651929B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004177946A (ja) | 2004-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4651929B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| US7517464B2 (en) | Method for manufacturing an LCD device | |
| JP4920140B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US7554207B2 (en) | Method of forming a lamination film pattern and improved lamination film pattern | |
| US6707513B2 (en) | Active matrix substrate and manufacturing method thereof | |
| US6872603B2 (en) | Method for forming interconnections including multi-layer metal film stack for improving corrosion and heat resistances | |
| US20080096332A1 (en) | Method of manufacturing a thin-film transistor substrate | |
| JP4076164B2 (ja) | アクティブマトリックス基板の製造方法 | |
| JP4747139B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP5411236B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP4892830B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP5087825B2 (ja) | アクティブ基板の製造方法 | |
| JP4667846B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 | |
| JP3169322B2 (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 | |
| JP2002189226A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP5707725B2 (ja) | 薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法 | |
| JP4572096B2 (ja) | 積層金属膜パターン形成方法 | |
| JP4742295B2 (ja) | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 | |
| JP4248987B2 (ja) | アレイ基板の製造方法 | |
| JPH09232585A (ja) | 陽極酸化膜を有する電子デバイス、および陽極酸化膜のエッ チング方法 | |
| JP2008242086A (ja) | 電気光学装置製造方法 | |
| JP4353282B2 (ja) | 電気光学装置 | |
| JPH04213427A (ja) | 多層金属膜電極配線の製造方法 | |
| JP2000133637A (ja) | 薄膜素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041202 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070402 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070614 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070809 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080703 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080825 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090327 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090507 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090717 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100222 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100806 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101105 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101215 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4651929 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |