JP5038047B2 - 液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1Aから図1Dは、本発明の第1実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の製造工程を行うときの状態を示す断面図である。図2A及び図2Bは、液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の異なる製造工程を行うときの状態を示す平面図である。
図3Aから図3Gは、本発明の第2実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の製造工程を行うときの状態を示す断面図である。図4A及び図4Bは、液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の異なる製造工程を行うときの状態を示す平面図である。
図5Aから図5Eは、本発明の第3実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の製造工程を行うときの状態を示す断面図である。図6A及び図6Bは、液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の異なる製造工程を行うときの状態を示す平面図である。
102 透明導電層
102a 画素電極
104 第1のレジスト層
106 走査線トレンチ
106a 薄膜トランジスタ領域
106b 走査線領域
106c 端子領域
108 容量線トレンチ
108b 容量線領域
108c 端子領域
112 第1の金属層
114 誘電体層
116 アモルファスシリコン層
118 不純物ドープトアモルファスシリコン層
118a オーミックコンタクト層
120 第2の金属層
120a ソース/ドレイン電極
120b データ線
120c 上部電極
122 第2のレジスト層
300 基板
302 透明導電層
302a 画素電極
304 犠牲層
306 第1のレジスト層
308 走査線トレンチ
308a 薄膜トランジスタ領域
308b 走査線領域
308c 端子領域
310b 容量線領域
310 容量線トレンチ
310c 端子領域
312 第1の金属層
314 誘電体層
316 アモルファスシリコン層
318 不純物ドープトアモルファスシリコン層
318a オーミックコンタクト層
320 第2の金属層
320a ソース/ドレイン電極
320b データ線
320c 上部電極
322 第2のレジスト層
324 保護層
500 基板
502 透明導電層
502a 画素電極
504 第1のレジスト層
506 走査線トレンチ
506a 薄膜トランジスタ領域
506b 走査線領域
506c 端子領域
508 容量線トレンチ
508b 容量線領域
508c 端子領域
512 第1の金属層
514 誘電体層
516 アモルファスシリコン層
518 不純物ドープトアモルファスシリコン層
518a オーミックコンタクト層
520 第2の金属層
520a ソース/ドレイン電極
520b データ線
520c 上部電極
520d ボンディングパッド
522 第2のレジスト層
524 保護層
Claims (5)
- 基板上に透明導電層を形成する工程と、
前記透明導電層上に第1のレジスト層を形成する工程と、
第1のマスクで前記第1のレジスト層をパターニングした後、前記第1のレジスト層をマスクとして、前記透明導電層及び前記基板をエッチングし、前記第1のレジスト層、前記透明導電層及び前記基板の中に平行かつ交互に配列された少なくとも1つの走査線トレンチ及び少なくとも1つの容量線トレンチを形成する工程とを含み、
前記少なくとも1つの走査線トレンチは、少なくとも1つの薄膜トランジスタ領域、走査線領域及び少なくとも1つの第1の端子領域を有し、前記少なくとも1つの容量線トレンチは、少なくとも1つの容量線領域及び少なくとも1つの第2の端子領域を有し、
さらに、前記少なくとも1つの走査線トレンチと前記少なくとも1つの容量線トレンチの中及び前記少なくとも1つの走査線トレンチと前記少なくとも1つの容量線トレンチの周縁部の前記第1のレジスト層上に、第1の金属層、誘電体層、シリコン層及び不純物ドープトシリコン層を順次形成する工程と、
適当な溶剤を用いて、前記第1のレジスト層、並びに前記第1のレジスト層の上にある各層を剥離する工程と、
前記不純物ドープトシリコン層及び前記透明導電層の上に第2の金属層を形成する工程と、
前記第2の金属層上に第2のレジスト層を形成する工程と、
第2のマスクで前記第2のレジスト層をパターニングした後、前記第2のレジスト層をマスクとして下向きにエッチングを行い、薄膜トランジスタ領域にシリコン層が露出されるまで下向きにエッチングを行って薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極及びその下にあるオーミックコンタクト層を画定し、容量線領域に第1の金属層が露出されるまで下向きにエッチングを行って上部電極及びデータ線を画定し、第1の端子領域及び第2の端子領域に第1の金属層が露出されるまで下向きにエッチングを行う工程と、を含むことを特徴とする、液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 基板上に透明導電層を形成する工程と、
前記透明導電層上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に第1のレジスト層を形成する工程と、
第1のマスクで前記第1のレジスト層をパターニングした後、前記第1のレジスト層をマスクとして、前記犠牲層、前記透明導電層及び前記基板をエッチングし、前記第1のレジスト層、前記犠牲層、前記透明導電層及び前記基板の中に平行かつ交互に配列された少なくとも1つの走査線トレンチ及び少なくとも1つの容量線トレンチを形成する工程とを含み、
前記少なくとも1つの走査線トレンチは、少なくとも1つの薄膜トランジスタ領域、走査線領域及び少なくとも1つの第1の端子領域を有し、前記少なくとも1つの容量線トレンチは、少なくとも1つの容量線領域及び少なくとも1つの第2の端子領域を有し、前記第1の端子領域及び前記第2の端子領域は、前記基板の中のトレンチの深さが末端方向に向かうに従い0に近くなる斜面形状であり、
さらに、前記少なくとも1つの走査線トレンチ及び前記少なくとも1つの容量線トレンチの中と、前記少なくとも1つの走査線トレンチと前記少なくとも1つの容量線トレンチの周縁部の前記第1のレジスト層上とに、第1の金属層、誘電体層、シリコン層及び不純物ドープトシリコン層を順次形成する工程と、
前記走査線トレンチと前記容量線トレンチの側壁に露出しており同じ材料からなる前記犠牲層及び前記誘電体層にサイドエッチングを行い、前記犠牲層及び前記誘電体層の側面のプロファイルを後退させる工程と、
適当な溶剤を用いて、前記第1のレジスト層、並びに前記第1のレジスト層の上にある各層を剥離する工程と、
露出された前記犠牲層、前記透明導電層及び前記不純物ドープトシリコン層の上に第2の金属層を形成する工程と、
前記第2の金属層上に第2のレジスト層を形成する工程と、
第2のマスクで前記第2のレジスト層をパターニングした後、前記第2のレジスト層をマスクとして下向きにエッチングを行い、薄膜トランジスタ領域にシリコン層が露出されるまで下向きにエッチングを行って薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極及びその下にあるオーミックコンタクト層を画定し、さらに前記薄膜トランジスタ領域周囲において第2の金属層、犠牲層及び透明導電層を除去して画素電極を画定し、容量線領域に第1の金属層が露出されるまで下向きにエッチングを行って上部電極及びデータ線を画定し、前記第1の端子領域及び前記第2の端子領域に誘電体層が露出されるまで下向きにエッチングを行い、さらに前記第1の端子領域及び前記第2の端子領域周囲において基板が露出されるまで下向きにエッチングを行う工程と、
露出された各層上に保護層を形成する工程と、
下向きにエッチングを行った後に残存された前記第2のレジスト層及びその上の各層を除去する工程と、
側壁が露出された前記犠牲層、前記誘電体層、並びに前記犠牲層及び前記誘電体層の上にある各層を除去する工程と、を含むことを特徴とする、液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 基板上に透明導電層を形成する工程と、
前記透明導電層上に第1のレジスト層を形成する工程と、
第1のマスクで前記第1のレジスト層をパターニングした後、前記第1のレジスト層をマスクとして、前記透明導電層及び前記基板をエッチングし、前記第1のレジスト層、前記透明導電層及び前記基板の中に平行かつ交互に配列された少なくとも1つの走査線トレンチ及び少なくとも1つの容量線トレンチを形成する工程とを含み、
前記少なくとも1つの走査線トレンチは、少なくとも1つの薄膜トランジスタ領域、走査線領域及び少なくとも1つの第1の端子領域を有し、前記少なくとも1つの容量線トレンチは、少なくとも1つの容量線領域及び少なくとも1つの第2の端子領域を有し、
さらに、前記少なくとも1つの走査線トレンチ及び前記少なくとも1つの容量線トレンチの中及び前記少なくとも1つの走査線トレンチと前記少なくとも1つの容量線トレンチの周縁部の前記第1のレジスト層上に、第1の金属層、誘電体層、シリコン層及び保護層を順次形成する工程と、
適当な溶剤を用いて、前記第1のレジスト層、並びに前記第1のレジスト層の上にある各層を剥離する工程と、
前記透明導電層上及び前記保護層上に第2のレジスト層を形成する工程と、
第2のマスクで前記第2のレジスト層をパターニングした後、前記第2のレジスト層をマスクとして下向きにエッチングを行い、薄膜トランジスタ領域において前記保護層を除去し、前記薄膜トランジスタ領域の周囲の一方においては透明導電層及び一定の深さまでの基板を除去し、さらに前記薄膜トランジスタの周囲の他方において透明導電層を露出させることによって、2つのソース/ドレイン領域を画定し、容量線領域において前記保護層を除去し、前記容量線領域の周囲において透明導電層を露出させることによって、上部電極領域及びデータ線領域を画定し、第1の端子領域及び第2の端子領域について、その中から前記保護層、前記シリコン層及び前記誘電体層を除去し、前記第1の金属層を露出する工程と、
前記ソース/ドレイン領域、前記上部電極領域、前記データ線領域、前記第1の端子領域、前記第2の端子領域及び残存された前記第2のレジスト層の上に、不純物ドープトシリコン層及び第2の金属層を順次形成する工程と、
透明電極層の露出側壁のサイドエッチングを行い、前記透明電極層の側面のプロファイルを後退させる工程と、
残存された前記第2のレジスト層を除去する工程と、を含むことを特徴とする、液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 基板、少なくとも1つの薄膜トランジスタ、少なくとも1つの走査線、少なくとも1つの蓄積容量、少なくとも1つのデータ線及び少なくとも1つの画素電極を備える液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板であって、
請求項1から3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法で製造され、
前記基板は、平行かつ交互に配列された少なくとも1つの走査線トレンチ及び少なくとも1つの容量線トレンチを有し、前記少なくとも1つの走査線トレンチは、少なくとも1つの薄膜トランジスタ領域及び走査線領域を有し、
前記少なくとも1つの薄膜トランジスタは、前記走査線トレンチの前記薄膜トランジスタ領域の中に位置し、
前記少なくとも1つの走査線は、前記走査線トレンチの前記走査線領域の中に位置し、前記薄膜トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記少なくとも1つの蓄積容量は、前記容量線トレンチの中に位置し、
前記少なくとも1つのデータ線は、前記基板上に位置し、前記少なくとも1つの走査線トレンチと前記少なくとも1つの容量線トレンチに渡って配置され、前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極の1つと電気的に接続され、
前記少なくとも1つの画素電極は、前記基板上の前記少なくとも1つのデータ線と前記少なくとも1つの走査線との間に位置し、前記薄膜トランジスタのもう一つのソース/ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする、液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記走査線トレンチ及び前記容量線トレンチの末端領域の中とその周囲の前記基板上とに配置された複数のボンディングパッドをさらに備えることを特徴とする、請求項4に記載の液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板。
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