TWI355080B - - Google Patents
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Description
1355080 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於適合於使用在薄膜電晶體液晶顯示裝 (Thin F1i m Transistor Liquid Crystal Display)之製 所使用之薄膜電晶體基板（以下稱為T F T基板）之灰階罩 之製造方法。 【先前技術】 TFT-LCD當與CRT(陰極射線管）比較時，具有容易成為 型和低消耗電力之優點，所以現在急速地朝向商品化 步。TFT-LCD所具有之概略構造是在被排列成為短陣狀 各個圖素，排列T F T，在此種構造之T F T基板，與各個 素對應地，使排列有紅色、綠色和藍色之圖素圖案之彩 濾光片，重疊在液晶相之下。在 TFT-LCD，製造步驟數 多，即使只是TFT基板，製造時亦需使用5〜6片之光罩 在此種狀況下，提案有使用4片之光罩進行TFT基板 製造方法，亦即利用2種膜厚之光抗蝕劑圖案之方法用 減少光刻步驟數。 例如，在專利文獻1中所揭示者其所具有之步驟使用 在源極電極和汲極電極之間（通道部）具有第1厚度之光 蝕劑；具有比第1厚度厚之第2厚度之光抗蝕劑；和具 比第1厚度薄之第3厚度（包含厚度為零）之光抗蝕劑。 另外，在專利文獻1，用以形成具有該2種膜厚之光 蝕-劑圖案之方法，揭示有2種方法，亦即，（1 )使用具有 光部、遮光部和半透光部之灰階罩幕方法，和（2 )利用抗 312XP/發明說明書(補件)/94-11 /94123347 置 造 幕 薄 進 之 圖 色 變 〇 之 來 抗 有 抗 透 Ί虫 5 1355080 劑之逆流使抗蝕劑變形之方法。 上述之灰階罩幕是利用比使用有罩幕之曝光裝置之解像 度小之圖案，例如利用缝隙或格子形態之圖案，用來形成 半透光部，或是設置半透光膜，用來調節光之照射量之方 法，在半透光膜之情況，不完全除去遮光性鉻層，而是使 其殘留一定之厚度，用來減少通過該部份射入之光之照射 量。 圖 9 ( a )之實例是以與源極電極和 >及極電極對應之區域 φ 作為遮光部 2 0 4，以與該等之間之通道部對應之區域作為 縫隙形狀之半透光部2 0 3，圖9 ( b )之實例是利用半透光膜 形成與上述通道部對應之區域。 專利文獻1所記載之以與通道部對應之區域作為半透光 部之灰階罩幕，稱為先前技術例1。 另外一方面，TFT基板之製造方法之另一實例，例如， 被揭示在專利文獻2，所使用之TFT基板之製造方法組合 有使用灰階罩幕之方法和利用逆流使抗蝕劑變形之方法之 Φ雙方。 下面使用圖1 0來說明被記載在專利文獻2之方法之一實 例。 如圖1 0 ( a )所示，在玻璃基板1 0 1上形成閘電極1 0 2，在 玻璃基板1 0 1上，形成覆蓋閘電極1 0 2之閘絕緣膜1 0 3， 在閘絕緣膜 1 0 3上，順序地沈積和疊層矽膜 1 0 4，η4矽膜 105和金屬膜106。 其次，在金屬膜1 0 6上塗佈正型之光抗蝕劑，用來形成 6 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-11 /94123347 1355080 抗蝕劑膜1 0 7，如圖1 0 ( b )所示，經由灰階罩 劑膜1 0 7照射曝光之光。圖1 1是灰階罩幕之 部2 0 4形成對應到鄰接源極電極和汲極電極 通道部之區域，源極電極和汲極電極之其餘 部2 0 3形成，在源極電極和汲極電極之間之 部2 0 5形成。 其次，當對曝光後之正型之光抗蝕劑進行 蝕劑圖案1 0 7 a部份大多不會溶解，成為殘留 φ 案107b部份具有某種程度之溶解，其他之部 成為變無。其結果如圖 10(c)所示，可以同 厚之厚抗蝕劑圖案 1 0 7 a，和膜厚較薄之3 107b。 其次，以厚抗蚀劑圖案1 0 7 a和薄抗#劑g 罩幕，進行蝕刻，如圖1 0 ( d )所示，在矽膜 阻性接觸層1 0 5 a、1 0 5 b和源極電極1 0 6 a，汲 在形成電阻性接觸層105a、105b之後，利 β蝕劑圖案1 0 7 a和薄抗蝕劑圖案1 0 7 b逆流。寿1 有機樹脂之各個抗蝕劑圖案在矽膜1 0 4之平 阻性接觸層 1 0 5 a和電阻性接觸層 1 0 5 b之 上，連接厚抗蝕劑圖案1 0 7 a和薄抗蝕劑圖I 1 0 ( e )和圖1 2之平面圖所示，形成逆流抗蝕 另外，圖10(e)表示圖12之X-X剖面。 其次，以逆流抗蝕劑圖案1 0 8作為罩幕， 膜1 0 4，除去逆流抗蝕劑圖案1 0 8，藉以獲得 312XP/發明說明書(補件)/94-1 ] /94123347 幕2 0 1對抗蝕 平面圖。遮光 之對向部份之 部份由半透光 通道部由透光 顯影時，厚抗 ，薄抗姓劑圖 份全部溶解， 時形成膜厚較 I抗蝕劑圖案 I案107b作為 1 04上形成電 極電極1 0 6 b。 用加熱使厚抗 J用此種方式， 面擴散，在電 間之矽膜 1 0 4 营1 0 7 b ，如圖 劑圖案]0 8。 姓刻和除去石夕 在半導體島上 7 1355080 形成有電阻性接觸層1 0 5 a、1 0 5 b和源極電極1 0 6 a ^汲極 電極1 Ο 6 b之狀態（圖中未顯示）。然後，形成鈍化膜，在源 極電極 1 0 6 a，汲極電極1 0 6 b上分別形成接觸孔，藉以形 成在該等之接觸孔底部連接到源極電極 106a之圖素電 極，和連接到汲極電極l〇6b之端子部電極（圖中未顯示）。 下面使用圖1 3來說明專利文獻2之另一實例。 在本實例中，在形成電阻性接觸層1 〇 5 a、1 0 5 b和源極電 極 106a，汲極電極106b之後，例如曝露在氧電衆大氣， φ 用來對各個抗蝕劑圖案進行電漿處理，如圖 1 3 ( a )所示， 用以除去薄抗蝕劑圖案1 0 7 b。 其次，在殘留有厚抗蝕劑圖案1 0 7 a之狀態，利用加熱， 使該等逆流。利用此種方式，使有機樹脂之各個抗蝕劑圊 案，在石夕膜1 0 4平面擴散，在電阻性接觸層1 0 5 a和電阻性 接觸層1 0 5 b之間之矽膜1 0 4上，接觸兩側之厚抗蝕劑圖案 1 07a °
其結果如圖1 3 ( b )和圖1 4之平面圖所示，在以形成有被 電阻性接觸層1 0 5 a和電阻性接觸層1 0 5 b包夾之通道之位 置為中心之區域，形成逆流抗蝕劑圊案 1 0 9。逆流抗蝕劑 圖案1 0 9形成所具有之幅度大於源極電極1 0 6 a，汲極電極 106b。另外，圖13(b)表示圖14之Y-Y剖面。 然後，以逆流抗蝕劑圖案1 0 9和未被逆流抗蝕劑圖案1 0 9 覆蓋之區域之源極電極1 0 6 a，汲極電極1 0 6 b作為罩幕， 對矽膜 1 0 4進行乾式蝕刻，用來形成半導體島（圖中未顯 示 8 312XP/發明說明書(補件)/94-11 /94123347
1355080 然後，與上述之實例同樣地，形成鈍化膜，在源極電 1 0 6 a，汲極電極1 0 6 b上分別形成接觸孔，在該等之接觸 底部，形成連接到源極電極1 〇 6 a之圖素電極，和連接到 極電極106b之端子部電極（圖中未顯示）。 專利文獻2所記載之除了源極電極和汲極電極之對向 份外之區域成為半透光部之灰階罩幕稱為先前技術例2 [專利文獻1 ] 日本專利特開2 0 0 0 - 1 6 5 8 8 6號公報 [專利文獻2 ] 日本專利特開2 0 0 2 - 2 6 1 0 7 8號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 如上述先前技術例2所記載之方式，除了源極電極和 極電極之對向部份外之區域成為半透光部，此種灰階罩 因為半透光部之佔用面積變大，所以利用比使用罩幕之 光裝置之解像度小之微細圊案形成半透光部，不能獲得 廣範圍之高精細度之微細圖案，在半透光部，均一之透 率分布會劣化為其問題。 另外一方面，在由上述之微細圖案構成半透光部之情 時，因為用以形成遮光部之遮光性鉻膜形成微細圖案狀 所以半透光部之形成和遮光部之形成，可以以1次之光 步驟（描繪、抗蝕劑顯影、蝕刻）進行，但是在使半透光 成為半透光膜之情況，半透光部之形成和遮光部之形成 要使用不同之光刻步驟。依照此種方式，在進行2次之 繪時，進行第2次之描繪用來獲得對準，成為與第1次 描繪不會發生圖案偏差，但是對準精確度具有一定之 312XP/發明說明書(補件)/94-1〗/94123347 極 孔 汲 部 汲 幕 曝 寬 過 況 > 刻 部 需 描 之 限 9 1355080 度，要完全沒有對準偏差會有困難。因此，在以半透光部 作為半透光膜之情況時，由於2次描繪之對準偏差等之理 由，會發生不能獲得良好之圖案之情況為其問題。 圖1 5是平面圖，用來表示先前技術例2之灰階罩幕之半 透光部2 0 3和遮光部2 0 4之發生位置偏差之實例。依照該 實例之方式，當半透光部在X方向左右發生位置偏差之情 況時，與通道部對應之透光部 205 之幅度會與設計值不 同，當T F T基板之特性發生變化時會產生問題。因此不能 φ 夠獲得可以以良好之精確度形成對TFT特別重要之通道部 之灰階罩幕為其問題。 本發明針對上述之問題，其目的是提供灰階罩幕，在上 述先前技術例2之灰階罩幕，亦即，在薄膜電晶體基板具 有：上述厚抗蝕劑圖案形成部，形成在與源極電極和汲極 電極對應之圖案之源極電極和汲極電極之對向部份；上述 薄抗蝕劑圖案形成部，形成在源極電極和汲極電極之厚抗 蝕劑圖案形成部以外之部份；和上述無抗蝕劑區域形成 β部，形成在包含有與通道部對應之部份之其他區域；使用 在薄膜電晶體基板之製造步驟，其中具有使至少由上述厚 抗蝕劑圖案形成部所形成之厚抗蝕劑圖案變形之步驟；可 以提供半透光部之透過率分布良好，而且與通道部對應之 圖案之圖案精確度良好之灰階罩幕。 另外，本發明之目的是提供灰階罩幕之製造方法，在上 述先前技術例2之灰階罩幕，亦即，在薄膜電晶體基板具 有：上述厚抗蝕劑圖案形成部，形成在與源極電極和汲極 10 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-11/94123347 1355080 電極對應之圖案之源極電極和汲極電極之對向部份；上 薄抗蝕劑圖案形成部，形成在源極電極和汲極電極之厚 蝕劑圖案形成部以外之部份；和上述無抗蝕劑區域形 部，形成在包含有與通道部對應之部份之其他區域；使 在薄膜電晶體基板之製造步驟，其中具有使至少由上述 抗蝕劑圖案形成部所形成之厚抗蝕劑圖案變形之步驟； 以提供半透光部之透過率分布良好，而且與通道部對應 圖案之圖案精確度良好之灰階罩幕之製造方法。 φ (解決問題之手段） 用以解決上述課題之本發明具有下面所述之構造。 (構造 1 ) 一種灰階罩幕，係在被轉印基板上，具有厚 蝕劑圖案形成部、薄抗蝕劑圖案形成部和無抗蝕劑區域 成部，用來形成厚抗蝕劑圖案，薄抗蝕劑圖案，和無抗 劑區域，上述薄抗蝕劑圖案形成部由半透光部構成，厚 蝕劑圖案和無抗蝕劑區域形成部，分別由依照被轉印基 上之抗蝕劑之正型或負型所決定之遮光部或透光部構成 ®其特徵在於：上述灰階罩幕具有：上述厚抗蝕劑圖案形 部，其形成在與薄膜電晶體基板之源極電極和汲極電極 應之圖案之源極電極和汲極電極之對向部份；上述薄抗 劑圖案形成部，其形成在源極電極和汲極電極之厚抗蝕 圖案形成部以外之部份；和上述無抗蝕劑區域形成部， 形成在包含有與通道部對應之部份之其他區域；且使用 至少具有由上述厚抗蝕劑圖案形成部所形成之厚抗蝕劑 案變形之步驟的薄膜電晶體基板之製造步驟中者；上述 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 述 抗 成 用 厚 可 之 抗 形 抗 板 » 成 對 蚀 劑 其 在 圖 半 11 1355080 透光部形成有半透光膜，上述遮光部形成有遮光膜，上 厚抗蝕劑圖案形成部係上述源極電極和汲極電極之對向 份，至少在通道部側空出所希望之餘裕（margin)區域。 (構造2)如構造1之灰階罩幕，其中上述遮光部至少 含半透光膜和疊層在其上之遮光膜。 (構造3 )如構造1之灰階罩幕，其中上述遮光部至少 含遮光膜和疊層在其上之半透光膜。 (構造 4 ) 一種灰階罩幕之製造方法，係在被轉印基 φ 上，具有厚抗蝕劑圖案形成部、薄抗蝕劑圖案形成部和 抗蝕劑區域形成部，用來形成厚抗蝕劑圖案，薄抗蝕劑 案，和無抗蝕劑區域，上述薄抗蝕劑圖案形成部由半透 部構成，厚抗触劑圖案和無抗姓劑區域形成部，分別由 照被轉印基板上之抗蝕劑之正型或負型所決定之遮光部 透光部構成；其特徵在於：上述灰階罩幕具有：上述厚 蝕劑圖案形成部，其形成在與薄膜電晶體基板之源極電 和汲極電極對應之圖案之源極電極和汲極電極之對向 Φ份；上述薄抗蝕劑圖案形成部，其形成在源極電極和汲 電極之厚抗蝕劑圖案形成部以外之部份；和上述無抗蝕 區域形成部，其形成在包含有與通道部對應之部份之其 區域；且使用在至少具有由上述厚抗蝕劑圖案形成部所 成之厚抗蝕劑圖案變形之步驟的薄膜電晶體基板之製造 驟中者；且具有如下步驟：準備步驟，其準備在透明基板 至少疊層有半透光膜和遮光膜之罩幕毛胚（mask blank) 遮光膜圖案形成步驟，其包含之步驟係在用以形成遮光 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 述 部 包 包 板 無 圖 光 依 或 抗 極 部 極 劑 他 形 步 上 膜 12 1355080 圖案之第1抗蝕劑膜上描繪及顯影第1描繪圖案，用來 成第1抗蝕劑圖案，以該第1抗蝕劑圓案作為罩幕對遮 膜進行蝕刻；和半透光膜圖案形成步驟，其包含之步驟 在用以形成半透光膜圖案之第2抗蝕劑膜上描繪及顯影 2描繪圖案，用來形成第2抗蝕劑圖案，以該第2抗蝕 圖案作為罩幕，對半透光膜進行蝕刻；上述第1描繪圖 係上述源極電極和汲極電極之對向部份，且至少在通道 側形成與空出所希望之餘裕區域之位置對應之厚抗蝕劑 φ 案形成部的圖案，上述第2描繪圖案係與上述源極電極 汲極電極對應之圖案。 (構造5 )如構造4之灰階罩幕之製造方法，其中，在 述罩幕毛胚之半透光膜和遮光膜之間，設置在利用蝕刻 去遮光膜時用來保護半透光膜之緩衝膜。 (構造 6 ) —種灰階罩幕之製造方法，係在被轉印基 上，具有厚抗蝕劑圖案形成部、薄抗蝕劑圖案形成部和 抗蝕劑區域形成部，用來形成厚抗蝕劑圖案，薄抗蝕劑 Φ案，和無抗蝕劑區域，上述薄抗蝕劑圖案形成部由半透 部構成，厚抗蝕劑圖案和無抗蝕劑區域形成部，分別由 照被轉印基板上之抗蝕劑之正型或負型所決定之遮光部 遮光部構成；其特徵在於：上述灰階罩幕具有：上述厚 蝕劑圖案形成部，其形成在與薄膜電晶體基板之源極電 和汲極電極對應之圖案之源極電極和汲極電極之對向 份；上述薄抗蝕劑圖案形成部，其形成在源極電極和汲 電極之厚抗蝕劑圖案形成部以外之部份；和上述無抗蚀 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 形 光 係 第 劑 案 部 圖 和 上 除 板 無 圖 光 依 或 抗 極 部 極 劑 13 1355080
區域形成部，其形成在包含有與通道部對應之部份之其他 區域；且使用在至少由上述厚抗蝕劑圓案形成部所形成之 厚抗蝕劑圖案變形之步驟的薄膜電晶體基板之製造步驟中 者；且具有如下步驟：準備步驟，其準備在透明基板上至 少形成有透過率之膜厚相關性之遮光膜的罩幕毛胚；遮光 膜圖案形成步驟，其包含之步驟係在用以形成遮光膜圖案 之第1抗蝕劑膜上描繪及顯影第1描繪圖案，用來形成第 1抗蝕劑圖案，以該第1抗蝕劑圖案作為罩幕對遮光膜進 行蝕刻；和半透光膜圖案形成步驟，其包含之步驟係在用 以形成半透光膜圖案之第2抗蝕劑膜上描繪及顯影第2描 繪圖案，用來形成第2抗蝕劑圖案，以該第2抗蝕劑圖案 作為罩幕以使遮光膜成為所希望之透過率之方式，對膜厚 進行蝕刻；上述第1描繪圖案係上述源極電極和汲極電極 之對向部份，且至少在通道部側形成與空出所希望之餘裕 區域之位置對應之厚抗蝕劑圖案形成部的圖案，上述第 2 描繪圖案係與上述源極電極和汲極電極對應之圖案。 (構造 7 ) —種灰階罩幕之製造方法，係在被轉印基板 上，具有厚抗蝕劑圖案形成部、薄抗蝕劑圖案形成部和無 抗蝕劑區域形成部，用來形成厚抗蝕劑圖案，薄抗蝕劑圖 案，和無抗蝕劑區域，上述薄抗蝕劑圖案形成部由半透光 部構成，厚抗蝕劑圖案和無抗蝕劑區域形成部，分別由依 照被轉印基板上之抗蝕劑之正型或負型所決定之遮光部或 透光部構成；其特徵在於：上述灰階罩幕具有：上述厚抗 蝕劑圖案形成部，其形成在與薄膜電晶體基板之源極電極 14 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 1355080 和汲極電極對應之圖案之源極電極和汲極電極之對向 份；上述薄抗蝕劑圖案形成部，其形成在源極電極和汲 電極之厚抗蝕劑圖案形成部以外之部份；和上述無抗蝕 區域形成部，其形成在包含有與通道部對應之部份之其 區域；且使用在至少由上述厚抗蝕劑圖案形成部所形成 厚抗蝕劑圖案變形之步驟的薄膜電晶體基板之製造步驟 者；且具有如下步驟：準備步驟，其準備在透明基板上 少形成有遮光膜之罩幕毛胚；遮光部圊案形成步驟，其 φ 含之步驟係在用以形成遮光膜圖案之第1抗蝕劑膜上描 及顯影第1描繪圖案，用來形成第1抗蝕劑圖案，以該 1 抗蝕劑圖案作為罩幕對遮光膜進行蝕刻；半透光膜形 步驟，其在形成有上述遮光部之透明基板上形成半透 膜；和半透光膜圖案形成步驟，其接著包含之步驟係為 形成半透光膜圖案，在形成於上述半透光膜上之第2抗 劑膜上描繪及顯影第2描繪圖案，用來形成第2抗蝕劑 案，以該第2抗蝕劑圖案作為罩幕對半透光膜進行蝕刻 ®上述第 1 描繪圊案係上述源極電極和汲極電極之對向 份，且至少在通道部側形成與空出所希望之餘裕區域之 置對應之厚抗蝕劑圖案形成部的圖案，上述第2描繪圖 係與上述源極電極和汲極電極對應之圖案。 (發明效果） 依照本發明之灰階罩幕時，可以提供灰階罩幕，在薄 電晶體基板具有：上述厚抗蝕劑圖案形成部，形成在與 極電極和汲極電極對應之圖案之源極電極和汲極電極之 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 部 極 劑 他 之 中 至 包 繪 第 成 光 了 圖 t 部 位 案 膜 源 對 15 1355080
向部份；上述薄抗蝕劑圖案形成部，形成在源極電極和汲 極電極之厚抗蝕劑圖案形成部以外之部份；和上述無抗蝕 劑區域形成部，形成在包含有與通道部對應之部份之其他 區域；使用在薄膜電晶體基板之製造步驟，其中具有使至 少由上述厚抗蝕劑圖案形成部所形成之厚抗蝕劑圖案變形 之步驟；經由使半透光部形成半透光膜，用來使半透光部 之透過率分布變為良好，而且經由使半透光部成為半透光 膜，會成為問題之2次描繪之對準偏差所造成之與通道部 對應之圖案之圖案精確度之劣化問題，在上述源極電極和 汲極電極之對向部份，經由至少在通道側空出所希望之餘 裕區域，作為厚抗蝕劑圖案形成部，可以用來抑制該劣化 之問題。 另外，依照本發明之灰階罩幕之製造方法時，可以提供 灰階罩幕之製造方法，在薄膜電晶體基板具有：上述厚抗 蝕劑圖案形成部，形成在與源極電極和汲極電極對應之圖 案之源極電極和汲極電極之對向部份；上述薄抗蝕劑圖案 形成部，形成在源極電極和汲極電極之厚抗蝕劑圖案形成 部以外之部份；和上述無抗蝕劑區域形成部，形成在包含 有與通道部對應之部份之其他區域；使用在薄膜電晶體基 板之製造步驟，其中具有使至少由上述厚抗蝕劑圖案形成 部所形成之厚抗蝕劑圖案變形之步驟；經由使光透光部形 成半透光膜，用來使半透光部之透過率分布變為良好，而 且經由使半透光部以半透光膜形成，會成為問題之2次描 繪之對準偏差所造成之與通道部對應之圖案之圖案精確度 16 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 1355080 之劣化問題，在上述源極電極和汲極電極之對向部份，經 由至少在通道側空出所希望之餘裕區域，形成厚抗蝕劑圖 案形成部作為遮光部，可以用來抑制該劣化之問題。 【實施方式】 下面以實施形態用來詳細地說明本發明。另外，在以下 之實施形態中，以被轉印基板上之抗蝕劑使用正型之抗蝕 劑為前提，用來說明以厚抗蝕劑圖案形成部作為遮光部， 無抗蝕劑區域形成部作為透光部之灰階罩幕。
(實施形態1 ) 圖1是剖面圖，用來表示本發明之一實施形態之灰階罩 幕之TFT基板之源極電極和汲極電極附近之圖案，圖2是 其平面圖。 如圖1和圖2所示，在實施形態1中，在石英等之透明 基板11上，具有：半透光膜圖案12a，形成在與源極電極 和汲極電極對應之區域；和遮光膜圖案 1 3 a，形成在與源 極電極和汲極電極之對向部份對應之區域，而且在與通道 部對應之透光部1 7側，空出所希望之餘裕區域1 8，形成 在上述半透光膜圖案12a之上。亦即，遮光膜圖案13a之 與半透光膜圖案12a疊層之部份成為遮光部，遮光部以外 之形成有半透光膜之區域成為半透光部，未形成有半透明 光膜12a和遮光膜13a之區域成為透光部。 下面使用圖3來說明製造上述灰階罩幕之方法。 本實施形態所使用之罩幕毛胚1 4如圖3 ( a )所示，在由 石英等構成之主表面大小為450mmx550min之大型透明基板 17 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 1355080 1 1上，順序地形成半透光膜1 2和遮光膜1 3。 此處之遮光膜13之材質最好是以薄膜可以獲得高遮光 性者，例如可以使用C r、S i、W、A1等。另外，遮光膜1 3 亦可以使用在表面或表面和背面具有例如由上述金屬之氧 化物構成之防止反射層。另外，半透光膜1 2之材質，在以 薄膜使透光部之透過率成為100%之情況，最好可以獲得透 過率5 0 %程度之半透光性，例如可以使用C r化合物（C r之 氧化物、氮化物、氧氮化物、氟化物等），Μ 〇 S i、S i、W、 φ Α1等。Si、W、A1等之材質是利用其膜厚可以獲得高遮光 性或半透光性之材質。另外，所形成之罩幕之遮光部因為 成為半透光膜12和遮光膜13之疊層，所以即使在遮光膜 單獨使用，遮光性不足，在配合半透光膜之情況亦可以獲 得遮光性。另外，此處之透過率是指使用灰階罩幕之例如 大型LCD用曝光機曝光之光之波長之透過率。另外，半透 光膜之透過率並不需要完全限定在50 %程度。半透光部之 透過性設定在何種程度是設計上之問題。
另外，對於上述遮光膜13和半透光膜12之材質之組合， 最好使膜之蝕刻特性互異，在一方之膜之蝕刻環境，另外 一方之膜具有耐性。例如，在以C r形成遮光膜1 3，以Μ 〇 S i 形成半透光膜12之情況，因為使用氣系氣體對Cr遮光膜 進行乾式蝕刻，或使用混合有硝酸鈽銨和過氧化鹽之稀釋 之姓刻液進行濕式姓刻，在與底層之Μ 〇 S i半透光膜之間， 獲得高蝕刻選擇比，所以大多不會對Μ 〇 S i半透光膜造成損 害，可以只蝕刻Cr遮光膜和加以除去。另外，上述遮光膜 18 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 1355080 13和半透光膜12成膜在基板上時最好具有良好之密著性。 上述罩幕毛胚14之獲得是在透明基板11上順序地形成 半透光膜12和遮光膜13，但是成膜方法亦可以適當地選 用蒸著法、濺散法、CVD(化學式氣相成長）法等適於膜種之 方法。另外，對於膜厚沒有特別之限制，但是需要以能夠 獲得良好之遮光性或半透光性之方式，以最佳化之膜厚形 成。
其次，在該罩幕毛胚上，例如塗佈電子射線或雷射描繪 用之正型抗蝕劑，進行烘烤，形成第1抗蝕劑膜1 5用以形 成遮光膜圖案（參照圖3 ( b ))。其次，使用電子射線描繪機 或雷射描繪機等進行描繪。描繪資料（第1描繪資料）如圖 1所示，在源極電極和汲極電極之對向部份，具有在通道 部側與空出所希望之餘裕區域之位置對應之遮光膜圖案 1 3 a之圖案。在描繪後使其顯影，在罩幕毛胚上形成與遮 光部對應之第1抗蝕劑圖案1 5 a (參照圖3 ( c ))。另外，該 餘裕區域最好考慮到2次描繪之對準精確度，離開通道部 側之幅度大於假定之對準偏差，在本實施形態之情況，最 好成為0.1~l//m程度之幅度之餘裕區域。 其次，以所形成之抗蝕劑圖案1 5 a作為罩幕，對遮光膜 1 3進行乾式蝕刻，用來形成與遮光部對應之遮光膜圖案 1 3 a (參照圖3 ( c ))。在遮光膜1 3由C r系材料構成之情況 時，可以使用氣氣之乾式蝕刻。與遮光部對應之區域以外 之區域，利用遮光膜1 3之蝕刻可以使底層之半透光膜1 2 成為露出之狀態。殘留之抗蝕劑圖案1 5 a可以以使用氧之 19 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347
1355080 灰化或濃硫酸等加以除去（參照圖3 ( d ))。 其次，再度在全面塗佈上述抗蝕劑，用來形成第2抗 劑膜1 6 (參照圖3 ( e ))。然後進行第2次之描繪。這時之 繪資料（第2描繪資料）成為與圖1所示之源極電極和汲 電極對應之圖案資料。在描繪後使其顯影，用來形成抗 劑圖案1 6 a藉以形成半透光圖案（參照圖3 ( f ))。 另外，在使用有本實施形態之灰階罩幕之T F T基板製 步驟，與先前技術例2之灰階罩幕同樣地，因為以指定 間隔在閘電極上形成源極電極和汲極電極，所以需要閘 極與源極和汲極電極之對準，因此需要在罩幕上設置與 電極之對準有關之標記（曝光時之位置對準標記，位置精 度確認用標記等）。在此種情況，因為使被源極電極和汲 電極包夾之通道部，與閘電極正確地進行位置對準非常 要，所以與形成在源極電極和汲極電極之最靠近通道部 之薄膜圖案相關之標記，最好設在光罩之圖案區域外。 本發明中，形成在源極電極和汲極電極之最靠近通道部 之薄膜圖案，成為半透光膜圖案。因此，在本實施形態中 在上述步驟，在用以形成半透光膜圖案之描繪資料（第Σ 描繪資料），包含有用來與閘電極之對準具有關係之標記 與半光膜圖案之形成同樣地，亦進行標記之形成，在以 之步驟，與半透光膜圖案同樣地，可以形成以半透光膜 成之標記圖案。 其次，以所形成之抗蝕劑圖案1 6 a作為罩幕，利用蝕 除去成為透光部之區域之半透光膜12。利用此種方式， 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-1丨/94123347 -ϋ 描 極 姓 造 之 電 閘 確 極 重 側 在 側 下 形 刻 畫 20 1355080 分半透光部和透光部，形成半透光部和透光部 3(g))。然後，使用氧灰化等除去殘留之抗蝕ί 圖 3(h))。 依照上述之方式可以完成本實施形態之圖1 罩幕I 0。 圖4之實例是在利用第1描繪圖案之描繪， 繪圖案之描繪，發生對準偏差之情況之實例， 第2描繪圖案對第1描繪圖案成為偏向X方向 φ例，圖4 (b)表示第2描繪圖案對第1描繪圖赛 方向右側之實例。如該等之圖所示，在本實施 罩幕中，因為在通道部側設置餘裕區域，用來 圖案1 3 a，所以即使發生對準偏差亦可以使與 之圖案尺寸精確度不會劣化。 因此，依照本實施態樣時，因為可以以高精与 特性上重要之參數，所以可以提供高品質之灰 '另外，本發明之灰階罩幕之遮光部因為使用 ® 2之製造方法，所以利用遮光部所形成抗蝕劑 被逆流，所以遮光部之位置即使與先前技術例 之位置有多少不同時，亦不會有任何問題。 另外，在本實施形態中，所使用之罩幕毛胚 透光膜1 2和遮光膜1 3之間形成有緩衝膜。亦 光膜1 2和遮光膜1 3之間，設置具有作為蝕刻 能之緩衝膜，用來在第1次之光刻步驟，當利 未形成有抗蝕劑圖案之區域之遮光膜時，可以 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94】23347 (參照圓 Η圖案（參照 所示之灰階 利用第2描 圖4 ( a )表示 左側之實 '成為偏向X 形態之灰階 形成遮光膜 通道部對應 :度形成TFT 階罩幕。 先前技術例 圖案，因為 之灰階罩幕 亦可以在半 即，在半透 阻擋膜之功 用蝕刻除去 防止下層之 21 1355080 半透光膜之減膜等之損害。依照此種方式，因為設有緩衝 膜，所以遮光膜1 3和半透光膜1 2之構成可以利用蝕刻特 性相似之材質，例如相同材料之膜或主要成分相同之材料 之膜等。另外，緩衝膜之材質可以選自對蝕刻遮光膜1 3 之環境具有耐性之材質。另外，在需要除去半透光部之緩 衝膜之情況時，要求利用乾式蝕刻等之方法不會對底層之 半透過膜12造成損害之可以除去之材質。緩衝膜可以使用 例如SiCh或S0G(Spin On Glass)等。該等之材質在以Cr φ 系材料構成遮光膜之情況時，與遮光膜之間可以取得高蝕 刻選擇比。另外，該等之材質之透過性良好，即使介入在 半透光部，因為不會損及其透過特性，所以亦可以不除去。 另外，罩幕毛胚不是使用疊層有半透光膜和遮光膜者， 而是使用具有透過率和膜厚之相關性之遮光膜者，對遮光 膜進行蝕刻使半透光膜露出之步驟（參照圖3 ( c ))，亦可以 替換成為以使遮光膜成為所希望之透過率之方式，蝕刻膜 厚之步驟。 ® (實施形態2) 實施形態2是以與實施形態1不同之方法，製造與實施 形態1同樣之灰階罩幕。 下面使用圖5說明其方法。 設置實施形態1所使用之罩幕毛胚1 4 (參照圖5 ( a ))。 其次，在罩幕毛胚1 4上塗佈例如電子射線或雷射描繪用 之正型抗蝕劑，進行烘烤，形成抗蝕劑膜1 6藉以形成半透 光膜圖案（參照圖5 ( b))。其次，使用電子射線描繪機或雷 22 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 1355080 射描繪機等，進行描繪。描繪資料（第1描繪資料）如圖1 所示，成為與源極電極和汲極電極對應之圖案資料。在描 繪後使其進行顯影，在罩幕毛胚上形成抗蝕劑圖案1 6 a (參 照圖5(c))。 另外，對於與閘電極之對準具有關係之標記之形成，在 上述之步驟，在用以形成半透光膜圖案之描繪資料（第1 描繪資料），包含有與閘電極之對準具有關係之標記，其次 在後續之遮光膜之蝕刻和半透光膜之蝕刻時，可以形成標 φ 記圖案。另外，形成有標記圓案之半透光膜上之遮光膜， 最好在後面所述之形成遮光膜圖案之步驟不被除去，成為 殘留，用來使檢測敏感度高於由半透光膜構成之標記。以 所形成之抗蝕劑圖案1 6 a作為罩幕，對遮光膜1 3進行蝕 刻，然後蝕刻半透光膜1 2 (參照圖5 ( d ))。使用氧之灰化或 濃硫酸等，除去殘留之抗蝕劑圖案1 6 a。 其次，再度在全面塗佈上述抗蝕劑，用以形成抗蝕劑膜 1 5 (參照圖5 ( e ))。然後，進行第2次之描繪。這時之描繪 β資料（第2描繪資料），成為在源極電極和汲極電極之對向 部份，與在通道部側空出有所希望之餘裕區域之位置對應 之遮光膜圖案1 3 a之圖案資料。在描繪後使其顯影，用來 形成抗蝕劑圖案1 5 b藉以形成遮光膜圖案（參照圖5 ( f))。 另外，該餘裕區域之幅度與實施形態1相同。 其次，以所形成之抗蝕劑圖案1 5 b作為罩幕，利用乾式 蝕刻除去露出之半透光膜上之遮光膜。利用此種方式晝分 遮光部和半透光部，用來形成半透光部和遮光部（參照圖 23 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 1355080 5(g))。另外，使用氧灰化等除去殘留之抗蝕劑圖案（參照 圖 5(h))。 在本實施形態中，與實施形態1同樣地，因為可以以高 精確度形成TFT特性上重要之圖案，所以可以提供高品質 之灰階罩幕。 另外，在本實施形態中，與實施形態1同樣地，可以使 用在半透光膜12和遮光膜13之間形成有緩衝膜之罩幕毛 胚。
另外，罩幕毛胚不是使用疊層有半透光膜和遮光膜者， 而是使用形成有透過率和膜厚具有相關性之遮光膜者，對 遮光膜進行蝕刻使半透光膜露出之步驟（參照圖5 ( c ))，可 以替換成蝕刻膜厚使遮光膜成為所希望之透過率之步驟。 (實施形態3 ) 實施形態3是灰階罩幕2 0，實施形態1之灰階罩幕是在 半透光膜圖案12a上形成遮光膜圓案13a，遮光部由半透 光膜和其上之遮光膜形成，與此相對地，如圖6所示，在 遮光膜圖案13a上形成半透光膜圖案12a，遮光部由遮光 膜和其上之半透光膜形成。另外，本實施形態之灰階罩幕 20之平面圖是在遮光部使遮光膜圖案13a和半透光膜圖案 12a之上下成為逆轉，除此之外因為與圖2相同，所以其 說明加以省略。 以下使用圖7來說明本實施形態之灰階罩幕2 0之製造方 法0 在本實施形態中，首先如圖7 ( a )所示，使用與實施形態 24 312XP/發明說明書(補件)/94-】1/94123347 1355080
1同樣之在透明基板1 1上形成有遮光膜1 3之罩I 在該罩幕毛胚上，例如塗佈雷射或電子射線描 型抗蝕劑，進行烘烤，用來形成第1抗蝕劑膜15 遮光膜圖案（參照圖7 ( b ))。其次，使用電子射線 雷射描繪機等進行描繪，描繪資料（苐1描繪資S 部1 3 a之圖案資料，如圓2所示，在源極電極和 之對向部分，對應到在通道部側空出所希望之餘 位置。在描繪後使其顯影，在罩幕毛胚上形成與 φ 應之第1抗蝕劑圖案1 5 a。另外，該餘裕區域之 施形態1相同。 其次，以所形成之第1抗蝕劑圖案1 5 a作為罩 光膜1 3進行濕式或乾式蝕刻，用來形成與遮光部 案1 3 a (參照圖7 ( c ))。在遮光膜1 3由C r系材料 況時，濕式蝕刻例如可以使用混合有硝鈽銨和超 (superoxide)鹽之被稀釋之姓刻液等，乾式姓刻 包含有Cl2 + 〇2等之氯系氣體之乾式蝕刻氣體。殘 β劑圖案1 5 a可以使用氧之灰化或濃硫酸等，進行P 圖 7(d) ) 〇 其次，在全面形成半透明膜1 2 (參照圖7 ( e ))。 半透光膜12上塗佈抗蝕劑，用來形成第2抗蝕j 以形成半透光膜圖案（參照圖7 ( f ))。然後，進行 描繪。這時之描繪資料（第2描繪資料）是與圖1 極電極和汲極電極對應之圖案資料。在描繪後使 至少形成與半透光部對應之第2抗蝕劑圓案1 6 a 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-11/94〗23347 ^毛胚24。 繪用之正 藉以形成 描繪機或 β )是遮光 汲極電極 裕區域之 遮光部對 幅度與實 幕，對遮 對應之圖 構成之情 氧化 可以使用 留之抗蝕 余去（參照 其次，在 到膜1 6藉 第2次之 所示之源 其顯影， (參照圖 25
1355080 7(g))。 另外，對於與閘電極之對準有關之標記之形成是在 步驟，在用以形成半透光膜圖案之描繪資料（第2描； 料），包含與閘電極之對準有關之標記1在半透光膜圖 形成之同時，進行標記之形成，在其以後之步驟，與 光膜圖案同樣地，可以形成由半透光膜形成之標記圖 其次，以所形成之第2抗蝕劑圖案1 6 a作為罩幕， 濕式蝕刻或乾式蝕刻除去成為透光部之區域之半透光 1 2。利用此種方式，半透光部被畫分成透光部，用來 半透光部和透光部。另外，殘留之抗蝕劑圖案使用氧 等加以除去（參照圖7 ( h ))。 在本實施形態中，亦與實施形態1同樣地，因為可 高精確度形成TFT特性上重要之圖案，所以可以提供 質之灰階罩幕。 (實施形態4 ) 在實施形態4中，如圖8所示，考慮到Y方向之對 差，在遮光部之Y方向側之與透光部之境界部亦設置 區域1 9。該餘裕區域1 9之幅度與實施形態1之通道 之餘裕區域1 8之幅度相同。利用此種構造，即使在Y 產生對準偏差之情況，亦可以防止遮光膜比源極電極 極電極之設計圖案突出。 【圖式簡單說明】 圖1是實施形態1之灰階罩幕之剖面圖。 圖2是實施形態1之灰階罩幕之平面圖。 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94 ] 23347 上述 r資 案之 半透 案。 利用 膜 形成 灰化 以以 1=3品 準偏 餘裕 穿側 方向 和汲 26
1355080 圖3 ( a )〜（h )是實施形態1之灰階罩幕之 圖4 ( a )、（ b )用來表示實施形態1之效聋 圖5 ( a ) ~ ( h )是實施形態2之灰階罩幕之 圖6是實施形態3之灰階罩幕之平面圖 圖7 ( a ) ~ ( h )是實施形態3之灰階罩幕之 圖8是實施形態4之灰階罩幕之平面圖 圖9 ( a )、（ b )是先前技術之灰階罩幕之斗 圖10(a)~(e)是先前技術之TFT基板之靠 圖1 1是先前技術之灰階罩幕之平面圖。 圖1 2是先前技術之製造階段之T F T基板 圖13(a)、（b)是先前技術之TFT基板之 圖1 4是先前技術之製造階段之T F T基板 圖1 5表示先前技術之灰階罩幕之問題。 【主要元件符號說明】 10 灰階罩幕 11 透明基板 半透光膜 12a 半透光膜圖案 13 遮光膜 13a 遮光膜圖案 14 罩幕毛胚 1 5、1 5 a、1 5 b 第1抗蝕劑膜 1 6、1 6 a第2抗蝕劑膜 17 透光部 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 製造步驟圊。 ：〇 製造步驟圖。 e 製造步驟圖。 〇 •面圖。 [造步驟圖。 之平面圖。 製造步驟圖。 之平面圖。 27 1355080 1 8、1 9 餘裕區域 20 灰階罩幕 2 4 罩幕毛胚
312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 28
Claims (1)
- 1355080 十、申請專利範圍： 1 . 一種灰階罩幕，係在被轉印基板上，具有厚抗蝕劑 案形成部、薄抗蝕劑圖案形成部和無抗蝕劑區域形成部 用來形成厚抗蝕劑圖案，薄抗蝕劑圖案，和無抗蝕劑區友 上述薄抗蝕劑圊案形成部由半透光部構成，厚抗蝕劑圖 和無抗蝕劑區域形成部，分別由依照被轉印基板上之抗 劑之正型或負型所決定之遮光部或透光部構成；其特徵 於： 上述灰階罩幕具有：上述厚抗蝕劑圖案形成部，其形 在與薄膜電晶體基板之源極電極和汲極電極對應之圖案 源極電極和汲極電極之對向部份；上述薄抗蝕劑圖案形 部，其形成在源極電極和汲極電極之厚抗蝕劑圖案形成 以外之部份；和上述無抗蝕劑區域形成部，其形成在包 有與通道部對應之部份之其他區域；且使用在至少具有 上述厚抗蝕劑圖案形成部所形成之厚抗蝕劑圖案變形之 驟的薄膜電晶體基板之製造步驟中者； 上述半透光部形成有半透光膜，上述遮光部形成有遮 膜，上述厚抗蝕劑圖案形成部係上述源極電極和汲極電 之對向部份，至少在通道部側空出所希望之餘裕（m a r g i 區域。 2. 如申請專利範圍第1項之灰階罩幕，其中上述遮光 至少包含半透光膜和疊層在其上之遮光膜。 3. 如申請專利範圍第1項之灰階罩幕，其中上述遮光 至少包含遮光膜和疊層在其上之半透光膜。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-11/94123347 圖 • j 案 在 成 之 成 部 含 由 步 光 極 η ) 部 部 29 1355080 4. 一種灰階罩幕之製造方 厚抗蝕劑圖案形成部、薄抗 域形成部，用來形成厚抗蝕 抗蝕劑區域，上述薄抗蝕劑 厚抗姓劑圖案和無抗#劑區 基板上之抗蝕劑之正型或負 成；其特徵在於： 上述灰階罩幕具有：上述 在與薄膜電晶體基板之源極 源極電極和汲極電極之對向 部，其形成在源極電極和汲 以外之部份；和上述無抗姓 有與通道部對應之部份之其 上述厚抗蝕劑圖案形成部所 驟的薄膜電晶體基板之製造 具有如下步驟： ® 準備步驟，其準備在透明 遮光膜之罩幕毛胚（mask bl 遮光膜圖案形成步驟，其 膜圖案之第1抗蝕劑膜上描 形成第1抗蝕劑圖案，以該 光膜進行蝕刻；和 半透光膜圖案形成步驟， 透光膜圓案之第2抗蝕劑膜 法，係在被轉印基板上，具有 蝕劑圖案形成部和無抗蝕劑區 劑圖案，薄抗姓劑圖案，和無 圖案形成部由半透光部構成， 域形成部，分別由依照被轉印 型所決定之遮光部或透光部構 厚抗蝕劑圖案形成部，其形成 電極和汲極電極對應之圖案之 部份；上述薄抗蝕劑圖案形成 極電極之厚抗蝕劑圖案形成部 劑區域形成部，其形成在包含 他區域；且使用在至少具有由 形成之厚抗蝕劑圖案變形之步 步驟中者；且 基板上至少疊層有半透光膜和 a n k )； 包含之步驟係在用以形成遮光 繪及顯影第1描繪圖案，用來 第1抗蝕劑圖案作為罩幕對遮 其包含之步驟係在用以形成半 上描繪及顯影第2描繪圖案， 30 312XP/發明說明書(補件)/94-11/941233471355080 用來形成第2抗蝕劑圖案，以該第2抗蝕劑圖案作為罩 對半透光膜進行蝕刻； 上述第1描繪圖案係上述源極電極和汲極電極之對向 份，且至少在通道部側形成與空出所希望之餘裕區域之 置對應之厚抗蝕劑圖案形成部的圖案，上述第2描繪圖 係與上述源極電極和汲極電極對應之圖案。 5. 如申請專利範圍第 4項之灰階罩幕之製造方法， 中，在上述罩幕毛胚之半透光膜和遮光膜之間，設置在 用蝕刻除去遮光膜時用來保護半透光膜之緩衝膜。 6. —種灰階罩幕之製造方法，係在被轉印基板上，具 厚抗蝕劑圖案形成部、薄抗蝕劑圖案形成部和無抗蝕劑 域形成部，用來形成厚抗蝕劑圖案，薄抗蝕劑圖案，和 抗蝕劑區域，上述薄抗蝕劑圖案形成部由半透光部構成 厚抗蝕劑圖案和無抗蝕劑區域形成部，分別由依照被轉 基板上之抗蝕劑之正型或負型所決定之遮光部或遮光部 成；其特徵在於： 上述灰階罩幕具有：上述厚抗蝕劑圖案形成部，其形 在與薄膜電晶體基板之源極電極和汲極電極對應之圖案 源極電極和汲極電極之對向部份；上述薄抗蝕劑圖案形 部，其形成在源極電極和汲極電極之厚抗蝕劑圖案形成 以外之部份；和上述無抗蝕劑區域形成部，其形成在包 有與通道部對應之部份之其他區域；且使用在至少由上 厚抗蝕劑圖案形成部所形成之厚抗蝕劑圖案變形之步驟 薄膜電晶體基板之製造步驟中者；且 312XP/發明說明書(補件)/94-11/94123347 幕 部 位 案 其 利 有 1¾ 無 ) 印 構 成 之 成 部 含 述 的 31 1355080 具有如下步驟： 準備步驟，其準備在透明基板上至少形成有透過率之膜 厚相關性之遮光膜的罩幕毛胚； 遮光膜圖案形成步驟，其包含之步驟係在用以形成遮光 膜圖案之第1抗蝕劑膜上描繪及顯影第1描繪圖案，用來 '形成第1抗蝕劑圖案，以該第1抗蝕劑圖案作為罩幕對遮 光膜進行蝕刻；和 半透光膜圖案形成步驟，其包含之步驟係在用以形成半 φ 透光膜圖案之第2抗蝕劑膜上描繪及顯影第2描繪圖案， 用來形成第2抗蝕劑圖案，以該第2抗蝕劑圖案作為罩幕 以使遮光膜成為所希望之透過率之方式，對膜厚進行蝕刻； 上述第1描繪圖案係上述源極電極和汲極電極之對向部 份，且至少在通道部側形成與空出所希望之餘裕區域之位 置對應之厚抗蝕劑圖案形成部的圖案，上述第2描繪圖案 係與上述源極電極和汲極電極對應之圖案。 7 . —種灰階罩幕之製造方法，係在被轉印基板上，具有 ®厚抗蝕劑圖案形成部、薄抗蝕劑圖案形成部和無抗蝕劑區 域形成部，用來形成厚抗蝕劑圖案，薄抗蝕劑圖案，和無 抗蝕劑區域，上述薄抗蝕劑圖案形成部由半透光部構成， 厚抗蝕劑圖案和無抗蝕劑區域形成部，分別由依照被轉印 基板上之抗蝕劑之正型或負型所決定之遮光部或透光部構 成；其特徵在於： 上述灰階罩幕具有：上述厚抗蝕劑圖案形成部，其形成 在與薄膜電晶體基板之源極電極和汲極電極對應之圖案之 32 312XP/發明說明書(補件)/94-1丨/94123347 1355080 源極電極和汲極電極之對向部份；上述薄抗蝕劑圖案形成 部，其形成在源極電極和汲極電極之厚抗蝕劑圖案形成部 以外之部份；和上述無抗蝕劑區域形成部，其形成在包含 有與通道部對應之部份之其他區域；且使用在至少由上述 厚抗蝕劑圖案形成部所形成之厚抗蝕劑圖案變形之步驟的 薄膜電晶體基板之製造步驟中者；且 具有如下步驟： 準備步驟，其準備在透明基板上至少形成有遮光膜之罩 幕毛胚 遮光部圖案形成步驟，其包含之步驟係在用以形成遮光 膜圖案之第1抗蝕劑膜上描繪及顯影第1描繪圖案，用來 形成第1抗蝕劑圊案，以該第1抗蝕劑圖案作為罩幕對遮 光膜進行蝕刻； 半透光膜形成步驟，其在形成有上述遮光部之透明基板 上形成半透光膜；和 半透光膜圖案形成步驟，其接著包含之步驟係為了形成 ®半透光膜圖案，在形成於上述半透光膜上之第2抗蝕劑膜 上描繪及顯影第2描繪圖案，用來形成第2抗蝕劑圖案， 以該第2抗蝕劑圖案作為罩幕對半透光膜進行蝕刻； 上述第1描繪圖案係上述源極電極和汲極電極之對向部 份，且至少在通道部側形成與空出所希望之餘裕區域之位 置對應之厚抗蝕劑圖案形成部的圖案，上述第2描繪圖案 係與上述源極電極和汲極電極對應之圖案。 33 312XP/發明說明書(補件)/94-l 1/9412334?
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