CN109634052A - 光罩及光罩的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种光罩，包括：半透膜层；遮光层，设置在所述半透膜层上，露出部分所述半透膜层以作为沟道形成区；所述沟道形成区中的半透膜层包括弧形膜层和非弧形膜层，所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。本发明中，弧形膜层的厚度大于非弧形膜层的厚度，增大了弧形膜层的透光量，有效地降低了弧形膜层出现失焦的几率，提升工艺良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种光罩及光罩的制作方法。
背景技术
在阵列基板制造中通常需使用五至六个光罩，由于光刻工艺昂贵而会增加液晶显示器的制造成本，因此有必要减少使用的掩膜数量，而减少使用的掩膜数量的方法一般为配合半透型光罩对光阻胶层进行曝光显影，形成不同厚度的光刻胶层，以减少一个光罩。
但上述方法应用在实际生产过程中，由于光线具有一定的散射作用，在保证与沟道形成区的非弧形区域相对应的光阻胶层能顺利完成半透曝光时，沟道形成区的弧形区域会存在一定几率的失焦，导致与沟道形成区的弧形区域相对应的光阻胶层无法顺利完成半透曝光，使得该处的光阻胶层被完全留下，致使生产流程结束后，源极和漏极被连接在一起，薄膜晶体管失去开关作用。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种光罩及光罩的制作方法，能降低与沟道形成区的弧形区域相对应的光阻胶层进行曝光时发生失焦的几率，提升工艺良率。
一种光罩，包括：
半透膜层；
遮光层，设置在所述半透膜层上，露出部分所述半透膜层以作为沟道形成区；
所述沟道形成区中的半透膜层包括弧形膜层和非弧形膜层，所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。
在其中一个实施例中，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和第二遮光层分别位于所述沟道形成区的两侧。
在其中一个实施例中，所述第一遮光层与所述第二遮光层分别对应源极形成区和漏极形成区。
在其中一个实施例中，所述弧形膜层的外边缘向所述第一遮光层方向延伸，使所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。
在其中一个实施例中，所述沟道形成区的横截面为U形。
上述光罩，弧形膜层的厚度大于非弧形膜层的厚度，增大了弧形膜层的透光量，有效地降低了弧形膜层出现失焦的几率，提升工艺良率。
基于上述发明构思，提出一种光罩，包括：
半透膜层；
遮光层，设置在所述半透膜层上，露出部分所述半透膜层以作为沟道形成区；
所述沟道形成区中的半透膜层包括弧形膜层和非弧形膜层，所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度；
其中，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和所述第二遮光层分别位于所述沟道形成区的两侧；
所述第一遮光层与所述第二遮光层分别对应源极形成区和漏极形成区；
所述弧形膜层的外边缘向所述第一遮光层方向延伸，使所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度；
所述沟道形成区的横截面为U形。
上述光罩，弧形膜层的厚度大于非弧形膜层的厚度，增大了弧形膜层的透光量，有效地降低了弧形膜层出现失焦的几率，提升工艺良率。
基于上述发明构思，提出一种光罩的制作方法，包括：
在基板上设置半透膜层；
在半透膜层上设置遮光层，露出部分所述半透膜层以作为沟道形成区；
其中，将沟道形成区中的半透膜层划分为弧形膜层和非弧形膜层，并使所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。
在其中一个实施例中，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，将所述第一遮光层和所述第二遮光层分别设置在所述沟道形成区的两侧。
在其中一个实施例中，令所述第一遮光层与所述第二遮光层分别对应源极形成区和漏极形成区。
在其中一个实施例中，将所述弧形膜层的外边缘向所述第一遮光层方向延伸，使所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。
在其中一个实施例中，设置所述沟道形成区的横截面为U形。
上述光罩的制作方法，光罩中弧形膜层的厚度大于非弧形膜层的厚度，增大了弧形膜层的透光量，有效地降低了弧形膜层出现失焦的几率，提升工艺良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例中的平面结构示意图；
图2为图1中半透膜层的平面结构示意图；
图3为图1中A-A’处的剖视图；
图4为一个实施例中的流程图；
图5为一个实施例中的剖面结构示意图；
图6为一个实施例中的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
一种光罩，如图1-3所示，包括：
半透膜层110；
遮光层，设置在半透膜层110上，露出部分半透膜层110以作为沟道形成区；
沟道形成区中的半透膜层110包括弧形膜层111和非弧形膜层112，弧形膜层111的厚度大于非弧形膜层112的厚度。
由于弧形膜层111与非弧形膜层112相邻，在保证非弧形膜层112相对应的光阻胶层能顺利完成半透曝光时，光线的散射作用会对弧形膜层111的半透曝光效果造成影响，弧形膜层111有一定的几率会失焦。使弧形膜层111的厚度大于该非弧形膜层112的厚度，增大了弧形膜层111的透光量，减轻了来自非弧形膜层112的光线的影响，从而有效地降低弧形膜层111出现失焦的几率，提升了工艺良率。
在一个实施例中，继续参照图1-3，遮光层包括第一遮光层121和第二遮光层122，第一遮光层121和第二遮光层122分别位于沟道形成区的两侧。
其中，沟道形成区的横截面为U形，第一遮光层121与第二遮光层122分别位于沟道形成区的外侧和内侧，分别作为源极形成区和漏极形成区。
具体地，弧形膜层111的外边缘可以向第一遮光层121方向延伸，使弧形膜层111的厚度大于非弧形膜层112的厚度；也可以向第二遮光层122方向延伸，使弧形膜层111的厚度大于非弧形膜层112的厚度。在本实施例中，弧形膜层111的外边缘向第一遮光层121方向延伸，即通过半透膜层110进行半透曝光的光阻胶层中，与弧形膜层111相对应的光阻胶层的外边缘向源极形成区方向延伸，拓宽了该处的沟道。
上述光罩，弧形膜层111的厚度大于非弧形膜层112的厚度，增大了弧形膜层111的透光量，有效地降低了弧形膜层111出现失焦的几率，提升工艺良率。
在一个实施例中，如图3所示，该光罩还包括：
基板100；
半透膜层110设置在该基板100上，并露出部分基板100作为全透光区；
第一遮光层121和第二遮光层122分别位于沟道形成区的外侧和内侧，分别作为对应源极形成区和漏极形成区。
其中，该基板100为透明基板。
在阵列基板制作过程中，可配合该光罩对光阻胶层进行曝光显影处理，此时，光罩中，设置第一遮光层121和第二遮光层122的区域即为遮光区，第一遮光层121和第二遮光层122露出的半透膜层110的区域即为半透光区，半透膜层110露出的部分基板100的区域为全透光区。其中，半透光区中包括弧形半透光区域和非弧形半透光区域，弧形半透光区域的透光宽度大于非弧形半透光区域的透光宽度。
在阵列基板制作过程中，配合该光罩对光阻胶层进行曝光显影处理后，与全透光区相对应的光阻胶层被液化，与遮光区相对应的光阻胶层被全部留下，与半透光区相对应的光阻胶层被液化掉一部分，该处光阻胶层的厚度降低。由于弧形半透光区域的透光宽度大于非弧形半透光区域的透光宽度，在保证非弧形半透光区域相对应的光阻胶层能顺利完成半透曝光时，弧形半透光区域中亦不容易因光线的散射特性而出现失焦的现象，提升了工艺良率。
该光罩的具体应用如下：
如图5所示，阵列基板包括基板510、栅极金属层520、栅极绝缘层530、非硅晶层540、导电层550、源漏极金属层560和光阻胶层570从下往上顺序设置。
配合光罩580对光阻胶层570进行曝光显影处理时，其中光罩580包括第一遮光区581、第二遮光区582、半透光区583和全透光区584。
如图6所示，配合光罩580对光阻胶层570进行曝光显影处理后，与全透光区584位置相对应的光阻胶层570被完全液化，露出了该处的光阻胶层570下的源漏极金属层560；与第一遮光区581和第二遮光区582位置相对应的光阻胶层570被完全留下；与半透光区583位置相对应的光阻胶层570被液化掉一部分，该处的光阻胶层570的厚度降低了，但未露出源漏极金属层560。
上述光罩，弧形膜层111的厚度大于非弧形膜层112的厚度，增大了弧形膜层111的透光量，有效地降低了弧形膜层111出现失焦的几率，使利用该光罩进行曝光显影后的光阻胶层能正常使用，不影响后续的工艺，提升工艺良率。
基于上述发明构思，提出一种光罩的制作方法，如图4所示，包括：
S401、在基板上设置半透膜层；
S402、在半透膜层上设置遮光层，露出部分所述半透膜层以作为沟道形成区；其中，将沟道形成区中的半透膜层划分为弧形膜层和非弧形膜层，并使所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。
如图1-3所示，由于弧形膜层111与非弧形膜层112相邻，在保证非弧形膜层112相对应的光阻胶层能顺利完成半透曝光时，光线的散射作用会对弧形膜层111的半透曝光效果造成影响，弧形膜层111有一定的几率会失焦。使弧形膜层111的厚度大于该非弧形膜层112的厚度，增大了弧形膜层111的透光量，减轻了来自非弧形膜层112的光线的影响，从而有效地降低弧形膜层111出现失焦的几率，提升了工艺良率。
在其中一个实施例中，继续参照图1-4，遮光层包括第一遮光层121和第二遮光层122，在步骤S402中，将所述第一遮光层121和所述第二遮光层122分别设置在所述沟道形成区的两侧，使所述沟道形成区的横截面为U形，第一遮光层121和第二遮光层122分别位于沟道形成区的外侧和内侧，分别作为源极形成区和漏极形成区。
其中，弧形膜层111的外边缘可以向第一遮光层121方向延伸，使弧形膜层111的厚度大于非弧形膜层112的厚度；也可以向第二遮光层122方向延伸，使弧形膜层111的厚度大于非弧形膜层112的厚度。在本实施例中，将所述弧形膜层111的外边缘向所述第一遮光层121方向延伸，即通过半透膜层110进行半透曝光的光阻胶层中，与弧形膜层111相对应的光阻胶层的外边缘向源极形成区方向延伸，拓宽了该处的沟道。
上述光罩的制作方法，弧形膜层111的厚度大于非弧形膜层112的厚度，增大了弧形膜层111的透光量，有效地降低了弧形膜层111出现失焦的几率，提升工艺良率。
在一个实施例中，继续参照图1-4，步骤S401中，在基板100上设置半透膜层110时，露出部分基板100作为全透光区，其中，该基板100为透明基板。
在阵列基板制作过程中，可配合该光罩对光阻胶层进行曝光显影处理，此时，光罩中，设置第一遮光层121和第二遮光层122的区域即为遮光区，第一遮光层121和第二遮光层122露出的半透膜层110的区域即为半透光区，半透膜层110露出的部分基板100的区域为全透光区。其中，半透光区中包括弧形半透光区域和非弧形半透光区域，弧形半透光区域的透光宽度大于非弧形半透光区域的透光宽度。
在阵列基板制作过程中，配合该光罩对光阻胶层进行曝光显影处理后，与全透光区相对应的光阻胶层被液化，与遮光区相对应的光阻胶层被全部留下，与半透光区相对应的光阻胶层被液化掉一部分，该处光阻胶层的厚度降低。由于弧形半透光区域的透光宽度大于非弧形半透光区域的透光宽度，在保证非弧形半透光区域相对应的光阻胶层能顺利完成半透曝光时，弧形半透光区域中亦不容易因光线的散射特性而出现失焦的现象，提升了工艺良率。
该光罩的具体应用如下：
如图5所示，阵列基板包括基板510、栅极金属层520、栅极绝缘层530、非硅晶层540、导电层550、源漏极金属层560和光阻胶层570从下往上顺序设置。
配合光罩580对光阻胶层570进行曝光显影处理时，其中光罩580包括第一遮光区581、第二遮光区582、半透光区583和全透光区584。
如图6所示，配合光罩580对光阻胶层570进行曝光显影处理后，与全透光区584位置相对应的光阻胶层570被完全液化，露出了该处的光阻胶层570下的源漏极金属层560；与第一遮光区581和第二遮光区582位置相对应的光阻胶层570被完全留下；与半透光区583位置相对应的光阻胶层570被液化掉一部分，该处的光阻胶层570的厚度降低了，但未露出源漏极金属层560。
上述光罩的制作方法，弧形膜层111的厚度大于非弧形膜层112的厚度，增大了弧形膜层111的透光量，有效地降低了弧形膜层111出现失焦的几率，使利用该光罩进行曝光显影后的光阻胶层能正常使用，不影响后续的工艺，提升工艺良率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种光罩，其特征在于，包括：
半透膜层；
遮光层，设置在所述半透膜层上，露出部分所述半透膜层以作为沟道形成区；
所述沟道形成区中的半透膜层包括弧形膜层和非弧形膜层，所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。
2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和所述第二遮光层分别位于所述沟道形成区的两侧。
3.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述第一遮光层与所述第二遮光层分别对应源极形成区和漏极形成区。
4.根据权利要求3所述的光罩，其特征在于，所述弧形膜层的外边缘向所述第一遮光层方向延伸，使所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。
5.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述沟道形成区的横截面为U形。
6.一种光罩，其特征在于，包括：
半透膜层；
遮光层，设置在所述半透膜层上，露出部分所述半透膜层以作为沟道形成区；
所述沟道形成区中的半透膜层包括弧形膜层和非弧形膜层，所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度；
其中，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和所述第二遮光层分别位于所述沟道形成区的两侧；
所述第一遮光层与所述第二遮光层分别对应源极形成区和漏极形成区；
所述弧形膜层的外边缘向所述第一遮光层方向延伸，使所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度；
所述沟道形成区的横截面为U形。
7.一种光罩的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上设置半透膜层；
在半透膜层上设置遮光层，露出部分所述半透膜层以作为沟道形成区；
其中，将沟道形成区中的半透膜层划分为弧形膜层和非弧形膜层，并使所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。
8.根据权利要求7所述的光罩的制作方法，其特征在于，所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，将所述第一遮光层和所述第二遮光层分别设置在所述沟道形成区的两侧。
9.根据权利要求8所述的光罩的制作方法，其特征在于，令所述第一遮光层与所述第二遮光层分别对应源极形成区和漏极形成区。
10.根据权利要求9所述的光罩的制作方法，其特征在于，将所述弧形膜层的外边缘向所述第一遮光层方向延伸，使所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190416 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |