CN106814498B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示装置及其制造方法，属于液晶显示技术领域。显示装置包括背光模组和显示面板，显示面板包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板，背光模组包括背光源和反射片，背光源设置在反射片与阵列基板之间；阵列基板包括第一衬底基板以及设置在第一衬底基板靠近彩膜基板的一侧的反射图形，彩膜基板包括第二衬底基板以及设置在第二衬底基板靠近阵列基板的一侧的黑矩阵图形，黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖；其中，背光源发射出的光线在反射图形与反射片之间反射后，能够通过黑矩阵图形的开口区域从彩膜基板射出。本发明解决了显示面板的透光率较低的问题，提高了显示面板的透光率。本发明用于液晶显示装置。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
随着液晶显示技术的不断发展，液晶显示装置广泛应用于显示领域，液晶显示装置通常可以包括薄膜晶体管液晶显示器(英文：Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay；简称：TFT-LCD)。
相关技术中，液晶显示装置包括显示面板和背光模组，显示面板包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。其中，彩膜基板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的黑矩阵(英文：Black Matrix；简称：BM)图形和彩色滤光层，彩色滤光层包括多个彩色滤光单元，黑矩阵图形包括多个黑矩阵，任意相邻的两个黑矩阵之间具有一个开口区域，每个开口区域内设置有一个彩色滤光单元；背光模组包括背光源，背光源发射出的光线能够依次经过阵列基板、液晶层和彩膜基板，并从彩膜基板射出。背光源发射出的光线在经过彩膜基板时，到达彩色滤光单元的光线被彩色滤光单元滤光产生彩色光线并从彩膜基板射出，到达黑矩阵的光线则被黑矩阵吸收而无法从彩膜基板射出。
在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：由于到达黑矩阵的光线无法从彩膜基板射出，因此显示面板的透光率较低。
发明内容
为了解决显示面板的透光率较低的问题，本发明提供一种显示装置及其制造方法。所述技术方案如下：
第一方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括背光模组和显示面板，
所述显示面板包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板，所述背光模组包括背光源和反射片，所述背光源设置在所述反射片与所述阵列基板之间；
所述阵列基板包括第一衬底基板以及设置在所述第一衬底基板靠近所述彩膜基板的一侧的反射图形，所述彩膜基板包括第二衬底基板以及设置在所述第二衬底基板靠近所述阵列基板的一侧的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述阵列基板上的正投影将所述反射图形覆盖；
其中，所述背光源发射出的光线在所述反射图形与所述反射片之间反射后，能够通过所述黑矩阵图形的开口区域从所述彩膜基板射出。
可选地，所述反射图形包括金属反射图形，所述阵列基板还包括金属图形，所述反射图形与所述金属图形位于同一层。
可选地，所述反射图形与所述金属图形通过一次构图工艺形成。
可选地，所述金属图形包括栅极金属图形、公共电极线金属图形和源漏极金属图形中的任意一种。
可选地，所述金属图形包括源漏极金属图形，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，且所述源极包括延伸图形，所述反射图形包括空白反射图形和所述延伸图形；
所述阵列基板还包括：栅极金属图形和公共电极线金属图形，所述空白反射图形在所述第一衬底基板上的正投影位于所述栅极金属图形在所述第一衬底基板上的正投影与所述公共电极线金属图形在所述第一衬底基板上的正投影之间。
第二方面，提供一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
将阵列基板和彩膜基板对盒成型，得到显示面板，所述阵列基板包括第一衬底基板以及形成在所述第一衬底基板靠近所述彩膜基板的一侧的反射图形，所述彩膜基板包括第二衬底基板以及形成在所述第二衬底基板靠近所述阵列基板的一侧的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述阵列基板上的正投影将所述反射图形覆盖；
形成背光模组，所述背光模组包括背光源和反射片；
将所述背光模组设置在所述显示面板的阵列基板所在侧，使所述背光源位于所述反射片与所述阵列基板之间；
其中，所述背光源发射出的光线在所述反射图形与所述反射片之间反射后，能够通过所述黑矩阵图形的开口区域从所述彩膜基板射出。
可选地，在所述将阵列基板和彩膜基板对盒成型之前，所述方法还包括：分别形成所述阵列基板和所述彩膜基板。
可选地，所述反射图形包括金属反射图形，所述阵列基板还包括金属图形，形成阵列基板，包括：
在所述第一衬底基板上形成金属膜层；
通过一次构图工艺对所述金属膜层进行处理，得到第一金属图形层，所述第一金属图形层包括所述反射图形和所述金属图形。
可选地，所述金属图形包括栅极金属图形、公共电极线金属图形和源漏极金属图形中的任意一种。
可选地，所述金属图形包括源漏极金属图形，所述阵列基板还包括：栅极金属图形和公共电极线金属图形，形成阵列基板，包括：
在所述第一衬底基板上形成第二金属图形层，所述第二金属图形层包括栅极金属图形和公共电极线金属图形；
在形成有所述第二金属图形层的第一衬底基板上形成所述第一金属图形层，所述第一金属图形层包括所述反射图形和所述源漏极金属图形，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述源极包括延伸图形，所述反射图形包括空白反射图形和所述延伸图形，所述空白反射图形在所述第一衬底基板上的正投影位于所述栅极金属图形在所述第一衬底基板上的正投影与所述公共电极线金属图形在所述第一衬底基板上的正投影之间。
本发明提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明提供的显示装置及其制造方法，由于阵列基板包括反射图形，黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖，背光源发射出的光线在反射图形与反射片之间反射后，能够通过黑矩阵图形的开口区域从彩膜基板射出，因此，可以避免黑矩阵对光线进行吸收，解决了相关技术中由于黑矩阵吸收光线导致的显示面板的透光率较低的问题，提高了显示面板的透光率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1-1是相关技术提供的一种显示装置的结构示意图；
图1-2是相关技术提供的一种阵列基板的俯视图；
图1-3是相关技术提供的包括图1-2所示的阵列基板的显示面板的区域分布示意图；
图1-4是相关技术提供的另一种阵列基板的俯视图；
图1-5是相关技术提供的包括图1-4所示的阵列基板的显示面板的区域分布示意图；
图2-1是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图2-2是本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图；
图2-3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2-4是图2-3所示的阵列基板的俯视图；
图2-5是本发明实施例提供的包括图2-3所示的阵列基板的显示面板的区域分布示意图；
图2-6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图2-7是图2-6所示的阵列基板的俯视图；
图2-8是本发明实施例提供的包括图2-6所示的阵列基板的显示面板的区域分布示意图；
图3是一种理想的显示面板的透光率计算的示意图；
图4是另一种理想的显示面板的透光率计算的示意图；
图5是相关技术提供的一种显示面板的透光率计算的示意图；
图6是本发明实施例提供的一种显示面板的透光率计算的示意图；
图7是本发明实施例提供的一种显示装置的制造方法的方法流程图；
图8-1是本发明实施例提供的另一种显示装置的制造方法的方法流程图；
图8-2是本发明实施例提供的一种在第一衬底基板上形成第二金属图形层后的结构示意图；
图8-3是本发明实施例提供的一种在形成有第二金属图形层的第一衬底基板上形成公共电极层后的结构示意图；
图8-4是本发明实施例提供的一种在形成有公共电极层的第一衬底基板上形成栅绝缘层后的结构示意图；
图8-5是本发明实施例提供的一种在形成有栅绝缘层的第一衬底基板上形成有源层后的结构示意图；
图8-6是本发明实施例提供的一种在形成有有源层的第一衬底基板上形成第一金属图形层后的结构示意图；
图8-7是本发明实施例提供的一种在形成有第一金属图形层的第一衬底基板上形成PVX层后的结构示意图；
图8-8是本发明实施例提供的一种在第二衬底基板上形成黑矩阵图形后的结构示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1-1，其示出了相关技术提供的一种显示装置0的结构示意图，其中，该图1-1示出的是显示装置0的分解图。参见图1-1，该显示装置0包括：显示面板01和背光模组02。
其中，显示面板01包括对盒成型的阵列基板011和彩膜基板012，以及位于阵列基板011和彩膜基板012之间的液晶层013。彩膜基板012包括衬底基板0121以及依次形成在衬底基板0121上的黑矩阵图形(图1-1中未标出)和彩色滤光层(图1-1中未标出)，黑矩阵图形包括多个黑矩阵0122，任意相邻的两个黑矩阵0122之间具有一个开口区域(图1-1中未标出)，彩色滤光层包括多个彩色滤光单元0123，每个开口区域内设置有一个彩色滤光单元0123。
其中，背光模组02包括灯管组021、导光板(英文：Light Guide Plate；简称：LGP)022、反射片023、扩散片024、棱镜片025和保护片026，导光板022可以包括网点面(图1-1中未标出)和出光面(图1-1中未标出)，灯管组021设置在导光板022的侧面，反射片023设置在导光板022的网点面所在侧，扩散片024、棱镜片025和保护片026依次设置在导光板022的出光面所在侧。
其中，显示面板01可以为高级超维转换(英文：ADvanced Super DimensionSwitch；简称：ADS)型显示面板或高开口率高级超维场转换(英文：High opening rateAdvanced-Super Dimensional Switching；简称：HADS)型显示面板。当显示面板01为ADS型显示面板时，阵列基板011的俯视图可以如图1-2所示，显示面板01的区域分布示意图可以如图1-3所示，当显示面板01为HADS型显示面板时，阵列基板011的俯视图可以如图1-4所示，显示面板01的区域分布示意图可以如图1-5所示。其中，无论显示面板01为何种显示面板，阵列基板011均可以包括栅线、数据线、源漏极金属图形等金属图形，阵列基板011的具体结构请参考相关技术，这里不再赘述。参见图1-3，ADS型显示面板包括透光区域P1、反光区域P2和遮光区域P3，透光区域P1可以与彩膜基板(图1-3中未示出)上的黑矩阵图形的开口区域对应，反光区域P2可以与阵列基板(图1-3中未示出)上的金属图形对应，遮光区域P3可以与彩膜基板上的黑矩阵图形中未与金属图形对应的区域对应；参见图1-5，HADS型显示面板包括透光区域P4、反光区域P5和遮光区域P6，透光区域P4可以与彩膜基板(图1-5中未示出)上的黑矩阵图形的开口区域对应，反光区域P2可以与阵列基板(图1-5中未示出)上的金属图形对应，遮光区域P3可以与彩膜基板上的黑矩阵图形中未与金属图形对应的区域对应。但是，参见图1-3和图1-5，相关技术中，显示面板01的遮光区域(遮光区域P3和遮光区域P6)的面积较大，导致显示面板01的透光率较低，具体地，请参考图1-1，显示装置0在工作时，灯管组021发射出的光线经过导光板022导光后从导光板022的出光面射出，并依次通过扩散片024、棱镜片025和保护片026射入显示面板01，然后依次通过阵列基板011、液晶层013和彩膜基板012，从彩膜基板012的衬底基板0121射出。光线在经过彩膜基板012时，彩色滤光单元0123能够对光线进行滤色形成彩色光线，黑矩阵0122(对应遮光区域)能够对光线进行吸收避免显示装置0漏光。但是，由于黑矩阵0122对光线的吸收，射入黑矩阵0122的光线无法从黑矩阵0122射出，并且由于遮光区域的面积较大，因此，显示面板01的透光率较低，背光效率也较低，业界显示面板的透光率最高也达不到10％。此外，光线在显示装置0内需要经过复杂的光路才能从显示面板01上射出，大部分的光线在不断反射和散射过程中被各个膜层吸收，只有一小部分光线能够从显示面板01射出，这也使得显示面板01的透光率较低。
请参考图2-1，其示出了本发明实施例提供的一种显示装置1的结构示意图，其中，该图2-1示出的是显示装置1的分解图。参见图2-1，该显示装置1包括：显示面板2和背光模组3。
显示面板2包括对盒成型的阵列基板21和彩膜基板22，背光模组3包括背光源31和反射片32，背光源31设置在反射片32与阵列基板21之间。
阵列基板21包括第一衬底基板211以及设置在第一衬底基板211靠近彩膜基板22的一侧的反射图形212，彩膜基板22包括第二衬底基板221以及设置在第二衬底基板221靠近阵列基板21的一侧的黑矩阵图形222，黑矩阵图形222在阵列基板21上的正投影将反射图形212覆盖。
其中，背光源31发射出的光线在反射图形212与反射片32之间反射后，能够通过黑矩阵图形222的开口区域A从彩膜基板22射出。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置，由于阵列基板包括反射图形，黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖，背光源发射出的光线在反射图形与反射片之间反射后，能够通过黑矩阵图形的开口区域从彩膜基板射出，因此，可以避免黑矩阵对光线进行吸收，解决了相关技术中由于黑矩阵吸收光线导致的显示面板的透光率较低的问题，提高了显示面板的透光率。
可选地，请参考图2-2，其示出了本发明实施例提供的另一种显示装置1的结构示意图，参见图2-2，显示面板2还包括位于阵列基板21和彩膜基板22之间的液晶层23。彩膜基板22还包括彩色滤光层，彩色滤光层包括多个彩色滤光单元223，黑矩阵图形222的每个开口区域内设置有一个彩色滤光单元223。在本发明实施例中，多个彩色滤光单元223具体可以包括红色(英文：Red；简称：R)滤光单元、绿色(英文：Green；简称：G)滤光单元和蓝色(英文：Blue；简称：B)滤光单元，红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元的个数均为多个，需要说明的是，本发明实施例是以多个彩色滤光单元223包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元为例进行说明的，实际应用中，多个彩色滤光单元223还可以包括其他颜色的滤光单元，本发明实施例对此不作限定。
可选地，背光源31可以为直下式背光源或者侧入式背光源，本发明实施例以背光源31为侧入式背光源为例进行说明，如图2-2所示，背光源31包括灯管组311和导光板312，灯管组311可以为有机发光二极管(英文：Light Emtting Diode；简称：LED)灯管组，灯管组311设置在导光板312的侧面，其中，导光板312的板面可以为矩形结构，导光板312的四周都可以设置灯管组311，导光板312包括网点面M和出光面N，网点面M设置有凸起结构(图2-2中未标出)，凸起结构可以对光线进行反射，使进入导光板312的多条呈不同走向的散射光线交汇，有效提高导光板312的出光面N的亮度，反射片32设置在导光板312的网点面M所在侧。如图2-2所示，背光模组3还包括扩散片33、棱镜片34和保护片35，扩散片33、棱镜片34和保护片35均设置在导光板312的出光面N所在侧，且扩散片33、棱镜片34和保护片35依次远离导光板312；其中，扩散片33可以对从导光板312的出光面N射出的光线进行调整，使得通过扩散片33的光线更加均匀，提高光线的质量；棱镜片34的上表面均匀而整齐的覆盖着一层棱镜结构，棱镜片34可以改善光线的角度，将从扩散片33射出的向各个角度发散的光线汇聚到轴向角度上，在不增加总光通量的情况下可以提高轴向亮度；保护片35用于保护棱镜片34以及分布在棱镜片34下方的扩散片33和导光板312等。其中，扩散片33、棱镜片34和保护片35的具体结构可参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。
可选地，在本发明实施例中，反射图形212包括金属反射图形，阵列基板21还包括金属图形(图2-1和图2-2中均未示出)，反射图形212可以与金属图形位于同一层，且反射图形212与金属图形通过一次构图工艺形成，这样不需额外增加构图工艺就可以形成反射图形212。其中，金属图形可以包括栅极金属图形(图2-1和图2-2中均未示出)、公共电极线金属图形(图2-1和图2-2中均未示出)和源漏极金属图形(图2-1和图2-2中均未示出)中的任意一种。在本发明实施例中，金属图形和金属反射图形均采用金属材料形成。
可选地，本发明实施例以金属图形包括源漏极金属图形为例进行说明，此时，反射图形212与源漏极金属图形位于同一层，源漏极金属图形可以包括源极(图2-1和图2-2中均未示出)和漏极(图2-1和图2-2中均未示出)，且源极包括延伸图形(图2-1和图2-2中均未示出)，反射图形212包括空白(英文：Dummy)反射图形(图2-1和图2-2中均未示出)和延伸图形(图2-1和图2-2中均未示出)；阵列基板还包括栅极金属图形和公共电极线金属图形，空白反射图形在第一衬底基板211上的正投影位于栅极金属图形在第一衬底基板211上的正投影与公共电极线金属图形在第一衬底基板211上的正投影之间。需要说明的是，在显示装置工作的过程中，该空白反射图形没有电学信号输入，因此，将其命名为空白反射图形，本发明实施例对此不作限定。
可选地，显示面板2可以为ADS型、HADS型、扭曲向列(英文：Twist Nematic；简称：TN)型、横向电场效应(英文：In Plane Switch；简称：IPS)型等模式的显示面板。本发明实施例以显示面板2为ADS型显示面板和HADS型显示面板为例进行说明。
图2-3是本发明实施例提供的一种阵列基板21的结构示意图，图2-4是图2-3所示的阵列基板21的俯视图，其中，该图2-3和图2-4所示的阵列基板21可以为ADS型显示面板的阵列基板，参见图2-3和图2-4，阵列基板21包括：第一衬底基板211以及依次形成在第一衬底基板211上的第二金属图形层213、公共电极层214、栅绝缘层215、有源层216、第一金属图形层(图2-3和图2-4中未标出)、钝化(英文：Passivation；简称：PVX)层218和像素电极层219。第二金属图形层213包括栅极金属图形2131和公共电极线金属图形2132，公共电极层214可以包括公共电极(图2-3和图2-4中未标出)，第一金属图形层包括源漏极金属图形(图2-3和图2-4中未标出)和反射图形212，其中，源漏极金属图形包括源极2171和漏极2172，且源极2171包括延伸图形2173，反射图形212包括空白反射图形2121和延伸图形2173，空白反射图形2121在第一衬底基板211上的正投影位于栅极金属图形2131在第一衬底基板211上的正投影与公共电极线金属图形2132在第一衬底基板211上的正投影之间。其中，栅极金属图形包括栅极，栅极、源极2171和漏极2172可以组成薄膜晶体管(英文：Thin FilmTransistor；简称：TFT)，像素电极层219可以包括像素电极(图2-3和图2-4中均未标出)，像素电极可以为梳状结构且像素电极可以与源极2171连接(图2-3和图2-4中均未标出)。需要说明的是，在图2-3中，空白反射图形2121在第一衬底基板211上的正投影的一部分位于栅极金属图形2131在第一衬底基板211上的正投影与公共电极线金属图形2132在第一衬底基板211上的正投影之间，另一部分与公共电极线金属图形2132在第一衬底基板211上的正投影重合。其中，图2-3和图2-4仅仅是示例性的，并不能用于限制本发明，且图2-4仅仅是示例性的示出了阵列基板21包括反射图形212，并未示出阵列基板21的层级结构，阵列基板21的层级结构具体可以参考图2-3。请参考图2-5，其示出了本发明实施例提供的包括图2-3所示的阵列基板21的显示面板2的区域分布示意图，该显示面板2可以为55英尺(英文：inch)电视(英文：Television；简称：TV)的ADS型显示面板，参见图2-5，显示面板2包括透光区域Q1、反光区域Q2和遮光区域Q3，透光区域Q1可以与彩膜基板(图2-5中未示出)上的黑矩阵图形的开口区域对应，反光区域Q2可以与阵列基板(图2-5中未示出)上的金属图形和反射图形对应，遮光区域Q3可以与彩膜基板上的黑矩阵图形中未与金属图形和反射图形对应的区域对应，本发明实施例对此不作限定。
图2-6是本发明实施例提供的另一种阵列基板21的结构示意图，图2-7是图2-6所示的阵列基板21的俯视图，其中，该图2-6和图2-7所示的阵列基板21可以为HADS型显示面板的阵列基板，参见图2-6和图2-7，阵列基板21包括：第一衬底基板211以及依次形成在第一衬底基板211上的第二金属图形层213、栅绝缘层215、有源层216、第一金属图形层(图2-6和图2-7中未标出)、像素电极层219、PVX层218和公共电极层214。第二金属图形层213包括栅极金属图形2131和公共电极线金属图形2132，公共电极层214可以包括公共电极(图2-6和图2-7中未标出)，第一金属图形层包括源漏极金属图形(图2-6和图2-7中未标出)和反射图形212，其中，源漏极金属图形包括源极2171和漏极2172，且源极2171包括延伸图形2173，反射图形212包括空白反射图形2121和延伸图形2173，空白反射图形2121在第一衬底基板211上的正投影位于栅极金属图形2131在第一衬底基板211上的正投影与公共电极线金属图形2132在第一衬底基板211上的正投影之间。其中，栅极金属图形2131包括栅极，栅极、源极2171和漏极2172可以组成TFT，像素电极层219可以包括像素电极(图2-6和图2-7中均未标出)，像素电极可以与源极2171连接。需要说明的是，在图2-6中，空白反射图形2121在第一衬底基板211上的正投影的一部分位于栅极金属图形2131在第一衬底基板211上的正投影与公共电极线金属图形2132在第一衬底基板211上的正投影之间，另一部分与公共电极线金属图形2132在第一衬底基板211上的正投影重合。其中，图2-6和图2-7仅仅是示例性的，并不能用于限制本发明，且图2-7仅仅是示例性的示出了阵列基板21包括反射图形212，并未示出阵列基板21的层级结构，阵列基板21的层级结构具体可以参考图2-6。请参考图2-8，其示出了本发明实施例提供的包括图2-6所示的阵列基板21的显示面板2的区域分布示意图，该显示面板2可以为13.3inch笔记本(英文：NoteBook；简称：NB)的HADS型显示面板，参见图2-8，显示面板2包括透光区域Q4、反光区域Q5和遮光区域Q6，透光区域Q4可以与彩膜基板(图2-8中未示出)上的黑矩阵图形的开口区域对应，反光区域Q5可以与阵列基板(图2-8中未示出)上的金属图形和反射图形对应，遮光区域Q6可以与彩膜基板上的黑矩阵图形中未与金属图形和反射图形对应的区域对应，本发明实施例对此不作限定。
其中，在图2-3和图2-6所示的阵列基板21中，第二金属图形层213可以采用金属Mo(中文：钼)、金属Cu(中文：铜)、金属Al(中文：铝)及其合金材料并通过一次构图工艺形成；公共电极层214可以采用氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxide；简称：ITO)、氧化铟锌(英文：Indium Zinc Oxide；简称：IZO)等金属氧化物通过一次构图工艺形成；栅绝缘层215可以采用氧化硅、SiNx(中文：氮化硅)、氧化铝、SiO，(中文：二氧化硅)或其混合材料等无机材料形成；有源层216可以采用非晶硅(例如，n+非晶硅，英文：n+a-Si)、多晶硅、铟镓锌氧化物(英文：Indium Gallium Zinc Oxide；简称：IGZO)等材料并通过一次构图工艺形成；第一金属图形层可以采用金属Mo、金属Cu、金属Al及其合金材料并通过一次构图工艺形成；PVX层218可以采用SiO2或者SiNx形成；像素电极层219可以采用ITO、IZO等金属氧化物并通过一次构图工艺形成。其中，上述各个功能层的具体形成材料和形成过程还可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。
需要说明的是，在图2-3和图2-6所示的阵列基板21中，延伸图形2173需要与黑矩阵在阵列基板21上的正投影的边缘、数据线、栅线等保持一定的距离，以确保不会产生工艺不良，且延伸图形2173的边缘可以与黑矩阵在阵列基板21上的正投影的边缘平行，以保证延伸图形2173最大覆盖黑矩阵在阵列基板上的正投影区域，延伸图形2173与其他电极没有交叠，不会增加阵列基板21的寄生电容，不会给显示面板带来不良风险；空白反射图形2121可以位于栅极金属图形2131和公共电极线金属图形2132之间的空隙中，且空白反射图形2121与公共电极线金属图形2132形成一定的交叠，以保证存在工艺波动时能对光线进行反射；空白反射图形2121需要与公共电极线金属图形2132保持一定的距离，以保证工艺波动时不会交叠形成寄生电容，影响Gate(中文：栅线)信号延迟。空白反射图形2121的设置使得空白反射图形2121与公共电极层214之间形成寄生电容，但是由于公共电极在显示时被给予直流信号，而空白反射图形2121电位悬空，两者所产生的寄生电容不会对COM(公共电极)信号产生任何影响。相关技术中，黑矩阵在阵列基板上的正投影的边缘与TFT之间的部分的面积通常较大以防止隔垫物(英文：Photo Spacer；简称：PS)划伤阵列基板导致显示装置漏光，本发明实施例中，通过在该部位设置空白反射图形2121进行遮挡，可以提高反射面积，为提升背光效率做贡献。
图1-3是相关技术提供的ADS型显示面板的区域分布示意图，图2-5是本发明实施例提供的ADS型显示面板的区域分布示意图，对比图1-3和图2-5对比图1-3和图2-5可以看出，本发明实施例提供的显示面板2的反光区域Q2的面积较大，遮光区域Q3的面积较小，这样一来，光线可以经过反光区域Q2的反射最终从显示面板2的透光区域Q1射出，提高显示面板2的透光率，进而提高背光效率。实践证明，图1-3所示的ADS型显示面板的背光效率约为77.5％(百分之77.5)，图2-5所示的ADS型显示面板(增加反射图形)的背光效率约为81.8％，背光效率提升了5.5％。即，在背光源亮度不变的情况下，透过显示面板的光强可以提升5.5％左右。图1-5是相关技术提供的HADS型显示面板的区域分布示意图，图2-8是本发明实施例提供的HADS型显示面板的区域分布示意图，对比图1-5和图2-8可以看出，本发明实施例提供的显示面板的反光区域Q5的面积较大，遮光区域Q6的面积较小，这样一来，光线可以经过反光区域Q5的反射最终从显示面板2的透光区域Q4射出，提高显示面板2的透光率，进而提高背光效率。实践证明，图1-5所示的HADS型显示面板的背光效率约为83.8％，图2-8所示的ADS型显示面板(增加反射图形)的背光效率约为87.7％，背光效率提升了4.7％。即，在背光源亮度不变的情况下，透过显示面板的光强可以提升4.7％左右。本发明实施例中，无论是ADS型显示面板还是HADS型显示面板，反射图形均设置在阵列基板上且黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖，这样既不会改变像素的冗余区域(阵列基板和彩膜基板对盒时为了防止显示装置漏光而在阵列基板和彩膜基板上预留的区域)，也不会增加像素的寄生电容，因此不会增加任何风险。
本发明实施例提供的显示装置可以提高显示面板的透光率，提高背光效率。关于本发明实施例提高显示面板的透光率、提高背光效率的具体解释可以参考图3至图6及其描述。
请参考图3，其示出了一种理想情况下显示面板的透光率计算示意图，这里借助图1-1所示的显示装置0例进行说明，参见图3，从背光模组02射出的光线进入显示面板(图3中未标出)后，在经过彩膜基板(图3中未标出)时，彩色滤光单元0123对光线进行滤色后，光线从彩色滤光单元0123射出，黑矩阵0122对光线进行吸收导致光线无法从黑矩阵0122射出，假设黑矩阵0122对光线的吸收率为100％，彩色滤光单元的透光率为100％，则黑矩阵0122在彩膜基板上的面积占比将直接影响彩膜基板的透光率，进而影响显示面板的透光率。如图3所示，假设黑矩阵0122的宽度为a，彩色滤光单元的宽度为b，则显示面板的透光率可以为b/(a+b)，此时，背光模组02的背光线效率也为b/(a+b)。
请参考图4，其示出了另一种理想情况下显示面板的透光率计算示意图，这里仍借助图1-1所示的显示装置0例进行说明，参见图4，假设在黑矩阵所在位置或黑矩阵下方布满金属层0122A(图1-1以在黑矩阵所在位置布满金属层为例)，从背光模组02射出的光线进入显示面板(图4中未标出)后，在经过彩膜基板(图4中未标出)时，彩色滤光单元0123对光线进行滤色后，光线从彩色滤光单元0123射出，金属层对光线进行反射，使光线到达背光模组02的反射片，光线在金属层和反射片之间反射后，最终从彩色滤光单元0123射出，假设金属层和反射片的反射率均为100％，则被金属层反射回背光模组02的光线将被重新利用，则最终显示面板的透光率可以为100％，此时，背光模组02的背光线效率也可以为100％。
请参考图5，其示出了相关技术提供的显示面板的透光率计算示意图，参见图5，阵列基板011上设置有栅线、数据线、源漏极金属图形等金属图形(图5中未标出)，金属图形具有透光区域，假设该透光区域的宽度为c，从背光模组02射出的光线进入显示面板(图5中未标出)后，在经过阵列基板011时，金属图形能够对光线进行反射，使光线射入背光模组02的反射层，并经过反射层的反射从阵列基板011射入彩膜基板，光线在经过彩膜基板时，彩色滤光单元0123对光线进行滤色后，光线从彩色滤光单元0123射出，黑矩阵0122对光线进行吸收导致光线无法从黑矩阵0122射出，假设黑矩阵0122对光线的吸收率为100％，彩色滤光单元的透光率为100％，金属图形对光线的反射率为100％，且假设黑矩阵0122的宽度为a，彩色滤光单元的宽度为b，则显示面板的透光率可以为(a+b-c)/(a+b)，此时，背光模组02的背光线效率也为(a+b-c)/(a+b)，相比于图3所示，图5所示的显示面板的透光率得到了提高。
本发明实施例提供的显示装置，可以通过尽可能减小公式(a+b-c)/(a+b)中的c来提高显示面板的透光率。具体地，请参考图6，其示出了本发明实施例提供的显示面板的透光率计算示意图，参见图6，阵列基板21上设置有反射图形212和金属图形(图6中未标出)，金属图形具有透光区域，假设该透光区域的宽度为c，反射图形212设置在金属图形的透光区域中，黑矩阵222在阵列基板21上的正投影将反射图形221覆盖，从背光模组3射出的光线进入显示面板(图6中未标出)后，在经过阵列基板21时，金属图形和反射图形221能够对光线进行反射，使光线射入背光模组3的反射层，并经过反射层的反射从阵列基板21射入彩膜基板，光线在经过彩膜基板时，彩色滤光单元223对光线进行滤色后，光线从彩色滤光单元223射出，黑矩阵222对光线进行吸收导致光线无法从黑矩阵222射出，假设黑矩阵0122对光线的吸收率为100％，彩色滤光单元的透光率为100％，反射图形212和金属图形对光线的反射率为100％，且假设黑矩阵0122的宽度为a，彩色滤光单元的宽度为b，则显示面板的透光率可以大于(a+b-c)/(a+b)，此时，背光模组02的背光线效率也大于(a+b-c)/(a+b)，相比于图5所示，图6所示的显示面板的透光率得到了提高，也即是，本发明实施例通过设置反射图形212，提高了显示面板的透光率。
需要说明的是，以上关于图3至图5的描述中，黑矩阵0122对光线的吸收率为100％、反射图形212和金属图形对光线的反射率为100％以及彩色滤光单元的透光率为100％仅仅是假设的，实际应用中会稍有偏差，但是无论吸收率是否为100％，反射率是否为100％，透光率是否为100％，本发明实施例提供的显示装置均会提高显示面板的透光率，提升背光效率，例如，当反射图形212和金属图形对光线的反射率为90％时，本发明实施例提供的显示装置仍然会有4％的背光效率增益。本发明实施例对所有显示模式和工艺制程的显示装置均有效，不同的显示装置的增益效果会随具体像素设计差异而不同，但总的来说都能在不提升成本的基础上均可以提升背光源的光学效率。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置，由于阵列基板包括反射图形，黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖，背光源发射出的光线在反射图形与反射片之间反射后，能够通过黑矩阵图形的开口区域从彩膜基板射出，因此，可以避免黑矩阵对光线进行吸收，解决了相关技术中由于黑矩阵吸收光线导致的显示面板的透光率较低的问题，提高了显示面板的透光率。
本发明实施例提供的显示装置，通过在阵列基板上设置反射图形，提高了阵列基板对光线的反射率，减少了彩膜基板对光线的吸收率，进而提高了背光源的利用率，降低了背光源的功耗，且可以提高显示装置的亮度。
提高显示面板的透光率一直是业界不断努力的方向，其中典型的改善方法有两点，一是提升各个材料膜层的透光率，减少光的损耗；二是提升阵列基板的像素开口率，直接提升显示面板的透过率。本发明实施例通过在阵列基板上设置反射图形，间接提高了显示面板的透光率，提升了背光源的利用率。
本发明实施例提供的显示装置可以应用于下文的方法，本发明实施例中显示装置的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
请参考图7，其示出了本发明实施例提供的一种显示装置的制造方法的方法流程图，该显示装置的制造方法可以用于制造图2-1或图2-2所示的显示装置。参见图7，该方法包括：
步骤101、将阵列基板和彩膜基板对盒成型，得到显示面板，阵列基板包括第一衬底基板以及形成在第一衬底基板靠近彩膜基板的一侧的反射图形，彩膜基板包括第二衬底基板以及形成在第二衬底基板靠近阵列基板的一侧的黑矩阵图形，黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖。
步骤102、形成背光模组，背光模组包括背光源和反射片。
步骤103、将背光模组设置在显示面板的阵列基板所在侧，使背光源位于反射片与阵列基板之间。
其中，背光源发射出的光线在反射图形与反射片之间反射后，能够通过黑矩阵图形的开口区域从彩膜基板射出。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置的制造方法，由于阵列基板包括反射图形，黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖，背光源发射出的光线在反射图形与反射片之间反射后，能够通过黑矩阵图形的开口区域从彩膜基板射出，因此，可以避免黑矩阵对光线进行吸收，解决了相关技术中由于黑矩阵吸收光线导致的显示面板的透光率较低的问题，提高了显示面板的透光率。
进一步地，在步骤101之前，该方法还包括：分别形成阵列基板和彩膜基板。
可选地，反射图形包括金属反射图形，阵列基板还包括金属图形，形成阵列基板，包括：
在第一衬底基板上形成金属膜层；
通过一次构图工艺对金属膜层进行处理，得到第一金属图形层，第一金属图形层包括反射图形和金属图形。
可选地，金属图形包括栅极金属图形、公共电极线金属图形和源漏极金属图形中的任意一种。
可选地，金属图形包括源漏极金属图形，阵列基板还包括：栅极金属图形和公共电极线金属图形，形成阵列基板，包括：
在第一衬底基板上形成第二金属图形层，第二金属图形层包括栅极金属图形和公共电极线金属图形；
在形成有第二金属图形层的第一衬底基板上形成第一金属图形层，第一金属图形层包括反射图形和源漏极金属图形，源漏极金属图形包括源极和漏极，且源极包括延伸图形，反射图形包括空白反射图形和延伸图形，空白反射图形在第一衬底基板上的正投影位于栅极金属图形在第一衬底基板上的正投影与公共电极线金属图形在第一衬底基板上的正投影之间。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再一一赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置的制造方法，由于阵列基板包括反射图形，黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖，背光源发射出的光线在反射图形与反射片之间反射后，能够通过黑矩阵图形的开口区域从彩膜基板射出，因此，可以避免黑矩阵对光线进行吸收，解决了相关技术中由于黑矩阵吸收光线导致的显示面板的透光率较低的问题，提高了显示面板的透光率。
请参考图8-1，其示出了本发明实施例提供的另一种显示装置的制造方法的方法流程图，该显示装置的制造方法可以用于制造图2-1或图2-2所示的显示装置，本实施例以制造图2-2所示的显示装置，且以阵列基板为图2-3所示的阵列基板21为例进行说明。参见图8-1，该方法包括：
步骤201、形成阵列基板，阵列基板包括第一衬底基板以及形成在第一衬底基板上的反射图形。
如图2-3所示，阵列基板21包括第一衬底基板211以及依次形成在第一衬底基板211上的第二金属图形层213、公共电极层214、栅绝缘层215、有源层216、第一金属图形层(图2-3中未标出)、PVX层218和像素电极层219。因此，形成阵列基板包括：在第一衬底基板211上形成第二金属图形层213；在形成有第二金属图形层213的第一衬底基板211上形成公共电极层214；在形成有公共电极层214的第一衬底基板211上形成栅绝缘层215；在形成有栅绝缘层215的第一衬底基板211上形成有源层216；在形成有有源层216的第一衬底基板211上形成第一金属图形层，第一金属图形层包括反射图形；在形成有第一金属图形层的第一衬底基板211上形成PVX层218；在形成有PVX层218的第一衬底基板211上形成像素电极层219。
请参考图8-2，其示出了本发明实施例提供的一种在第一衬底基板211上形成第二金属图形层213后的结构示意图，参见图8-2，第二金属图形层213包括栅极金属图形2131和公共电极线金属图形2132。其中，第一衬底基板211可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。第二金属图形层213可以采用金属Mo、金属Cu、金属Al及其合金材料制造而成，第二金属图形层213的厚度可以根据实际需要设置。示例地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)等方法在第一衬底基板211上沉积一层具有一定厚度的金属Mo，得到金属Mo材质层，然后通过一次构图工艺对金属Mo材质层进行处理得到第二金属图形层213。其中，一次构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，因此，通过一次构图工艺对金属Mo材质层进行处理得到第二金属图形层213可以包括：在金属Mo材质层上涂覆一层具有一定厚度的光刻胶得到光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对金属Mo材质层上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，之后剥离非曝光区的光刻胶，金属Mo材质层上与非曝光区对应的区域形成第二金属图形层213。需要说明的是，本发明实施例是以采用正性光刻胶形成第二金属图形层213为例进行说明的，实际应用中，还可以采用负性光刻胶形成第二金属图形层213，本发明实施例对此不作限定。
请参考图8-3，其示出了本发明实施例提供的一种在形成有第二金属图形层213的第一衬底基板211上形成公共电极层214后的结构示意图，参见图8-3，公共电极层214可以包括公共电极(图8-3中未标出)，公共电极与公共电极线金属图形2132接触。其中，公共电极层214可以采用ITO、IZO等金属氧化物制造而成，公共电极层214的厚度可以根据实际需要设置。示例地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第二金属图形层213的第一衬底基板211上沉积一层具有一定厚度的ITO材料得到ITO材质层，然后通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理得到公共电极层214。通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理的过程可以参考通过一次构图工艺对金属Mo材质层进行处理的过程，本发明实施例在此不再赘述。
请参考图8-4，其示出了本发明实施例提供的一种在形成有公共电极层214的第一衬底基板211上形成栅绝缘层215后的结构示意图。其中，栅绝缘层215可以采用氧化硅、SiNx、氧化铝、SiO2或其混合材料等无机材料制造而成，栅绝缘层215的厚度可以根据实际需要设置。示例地，可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有公共电极层214的第一衬底基板211上沉积一层具有一定厚度的SiO2材料得到SiO2材质层，然后进行烘烤处理形成栅绝缘层215。实际应用中，当栅绝缘层215包括图形时，还可以通过构图工艺对SiO2材质层进行处理得到栅绝缘层215，本发明实施例对此不作限定。
请参考图8-5，其示出了本发明实施例提供的一种在形成有栅绝缘层215的第一衬底基板211上形成有源层216后的结构示意图。其中，有源层216可以采用非晶硅(例如n+a-Si)、多晶硅、IGZO等材料制造而成，有源层216的厚度可以根据实际需要设置，本发明实施例对此不作限定。示例地，可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有栅绝缘层215的第一衬底基板211上沉积一层具有一定厚度的n+a-Si材料得到n+a-Si材质层，然后通过一次构图工艺对n+a-Si材质层进行处理得到有源层216。其中，通过一次构图工艺对n+a-Si材质层进行处理的过程可以参考通过一次构图工艺对金属Mo材质层进行处理的过程，本发明实施例在此不再赘述。
请参考图8-6，其示出了本发明实施例提供的一种在形成有有源层216的第一衬底基板211上形成第一金属图形层后的结构示意图，参见图8-6，第一金属图形层包括反射图形和金属图形，金属图形具体可以为源漏极金属图形，源漏极金属图形包括源极2171和漏极2172，且源极2171包括延伸图形2173，反射图形包括空白反射图形2121和延伸图形2173，空白反射图形2121在第一衬底基板211上的正投影位于栅极金属图形2131在第一衬底基板211上的正投影与公共电极线金属图形2132在第一衬底基板211上的正投影之间。需要说明的是，在图8-6中，空白反射图形2121在第一衬底基板211上的正投影的一部分位于栅极金属图形2131在第一衬底基板211上的正投影与公共电极线金属图形2132在第一衬底基板211上的正投影之间，另一部分与公共电极线金属图形2132在第一衬底基板211上的正投影重合。其中，第一金属图形层可以采用金属Mo、金属Cu、金属Al及其合金材料制造而成，第一金属图形层的厚度可以根据实际需要设置。示例地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有有源层216的第一衬底基板211上沉积一层具有一定厚度的金属材料得到金属膜层，然后通过一次构图工艺对金属膜层进行处理得到第一金属图形层。金属材料可以为金属Mo、金属Cu、金属Al及其合金材料，通过一次构图工艺对金属膜层进行处理的过程可以参考通过一次构图工艺对金属Mo材质层进行处理的过程，本发明实施例在此不再赘述。
请参考图8-7，其示出了本发明实施例提供的一种在形成有第一金属图形层的第一衬底基板211上形成PVX层218后的结构示意图，其中，该PVX层218可以采用SiO2或者SiNx形成，PVX层218的厚度可以根据实际需要设置，本发明实施例对此不作限定。在本发明实施例中，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有第一金属图形层的第一衬底基板211上沉积一层具有一定厚度的SiO2材料得到PVX层218。
其中，在形成有PVX层218的第一衬底基板211上形成像素电极层219后的结构示意图可以参考图2-3，像素电极层219可以包括像素电极，像素电极可以与源极2171接触且像素电极可以为梳状结构，像素电极层219可以采用ITO、IZO等金属氧化物材料制造而成，像素电极层219的厚度可以根据实际需要设置。示例地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有PVX层218的第一衬底基板211上沉积一层具有一定厚度的ITO材料得到ITO材质层，然后通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理得到像素电极层219，本发明实施例在此不再赘述。
步骤202、形成彩膜基板，彩膜基板包括第二衬底基板以及形成在第二衬底基板上的黑矩阵图形。
如图2-2所示，彩膜基板22包括第二衬底基板221以及依次形成在第二衬底基板221上的黑矩阵图形和彩色滤光层，因此，形成彩膜基板包括在第二衬底基板221上形成黑矩阵图形，在形成有黑矩阵图形的第二衬底基板221上形成彩色滤光层。
请参考图8-8，其示出了本发明实施例提供的一种在第二衬底基板221上形成黑矩阵图形后的结构示意图，参见图8-8，黑矩阵图形包括多个黑矩阵222，任意相邻的两个黑矩阵222之间具有一个开口区域。其中，第二衬底基板221可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板。黑矩阵图形可以采用黑色树脂材料制造而成，黑矩阵图形的厚度可以根据实际需要设置。示例地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在第二衬底基板221上沉积一层具有一定厚度的黑色树脂材料得到黑色树脂材质层，然后通过一次构图工艺对黑色树脂材质层进行处理得到黑矩阵图形。
其中，在形成有黑矩阵图形的第二衬底基板221上形成彩色滤光层后的结构示意图可以参考图2-2，参见图2-2，彩色滤光层包括多个彩色滤光单元223，黑矩阵图形222的每个开口区域内设置有一个彩色滤光单元223。
需要说明的是，本发明实施例所示的彩膜基板22仅仅是示例性的，彩膜基板22的具体结构可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。
步骤203、将第一衬底基板形成有反射图形的一面与第二衬底基板形成有黑矩阵图形的一面相对设置，使阵列基板和彩膜基板对盒成型，得到显示面板，黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖。
其中，将第一衬底基板211形成有反射图形212的一面与第二衬底基板221形成有黑矩阵图形222的一面相对设置后的示意图可以参考图2-2，将阵列基板21和彩膜基板22对盒成型的具体实现过程可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。但是需要注意的是，本发明实施例在将阵列基板21和彩膜基板22对盒成型时，需要保证黑矩阵图形222在阵列基板21上的正投影将反射图形212覆盖。
需要说明的是，如图2-2所示，阵列基板21与彩膜基板22之间还具有液晶层23，因此，在将阵列基板21与彩膜基板22对盒成型之前，可以先在阵列基板21或彩膜基板22上形成液晶层23，然后将阵列基板21与彩膜基板22对盒成型，本发明实施例对此不作限定。
步骤204、形成背光模组，背光模组包括背光源和反射片。
如图2-2所示，背光模组包括背光源31、反射片32、扩散片33、棱镜片34和保护片35，且背光源31包括灯管组311和导光板312，因此，形成背光模组可以包括分别制造灯管组311、导光板312、反射片32、扩散片33、棱镜片34和保护片35，然后将灯管组311设置在导光板312的四周，将反射片32设置在导光板312的网点面M所在侧，将扩散片33、棱镜片34和保护片35依次设置在导光板312的出光面N所在侧，且使扩散片33、棱镜片34和保护片35依次远离导光板312。其中，制造灯管组311、导光板312、反射片32、扩散片33、棱镜片34和保护片35的过程可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。
步骤205、将背光模组设置在显示面板的阵列基板所在侧，使背光源位于反射片与阵列基板之间。
可选地，可以采用模组固定件将背光模组3固定在显示面板2的阵列基板所在侧，将背光模组3固定在显示面板2的阵列基板所在侧之后，背光模组3与显示面板2的位置关系可以参考图2-2，模组固定件具体可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。
需要说明的是，本发明实施例是以制造图2-2所示的显示装置，且以阵列基板21为图2-3所示的阵列基板21为例进行说明，当阵列基板为图2-6所示的阵列基板时，在形成阵列基板21时，可以在第一衬底基板211上形成第二金属图形层213；在形成有第二金属图形层213的第一衬底基板211上形成栅绝缘层215；在形成有栅绝缘层215的第一衬底基板211上形成有源层216；在形成有有源层216的第一衬底基板211上形成第一金属图形层，第一金属图形层包括反射图形；在形成有第一金属图形层的第一衬底基板211上形成像素电极层219；在形成有像素电极层219的第一衬底基板211上形成PVX层218；在形成有PVX层218的第一衬底基板211上形成公共电极层214，各层的具体形成过程可以参考本实施例，本发明实施例在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置的制造方法，由于阵列基板包括反射图形，黑矩阵图形在阵列基板上的正投影将反射图形覆盖，背光源发射出的光线在反射图形与反射片之间反射后，能够通过黑矩阵图形的开口区域从彩膜基板射出，因此，可以避免黑矩阵对光线进行吸收，解决了相关技术中由于黑矩阵吸收光线导致的显示面板的透光率较低的问题，提高了显示面板的透光率。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光线盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括背光模组和显示面板，
所述显示面板包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板，所述背光模组包括背光源和反射片，所述背光源设置在所述反射片与所述阵列基板之间；
所述阵列基板包括第一衬底基板以及设置在所述第一衬底基板靠近所述彩膜基板的一侧的反射图形，所述彩膜基板包括第二衬底基板以及设置在所述第二衬底基板靠近所述阵列基板的一侧的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述阵列基板上的正投影将所述反射图形覆盖；
其中，所述背光源发射出的光线在所述反射图形与所述反射片之间反射后，能够通过所述黑矩阵图形的开口区域从所述彩膜基板射出；
所述反射图形包括金属反射图形，所述阵列基板还包括金属图形，所述反射图形与所述金属图形位于同一层，且所述反射图形与所述金属图形通过一次构图工艺形成；
所述金属图形包括源漏极金属图形，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，且所述源极包括延伸图形，所述反射图形包括空白反射图形和所述延伸图形；
所述阵列基板还包括：栅极金属图形和公共电极线金属图形，所述空白反射图形在所述第一衬底基板上的正投影位于所述栅极金属图形在所述第一衬底基板上的正投影与所述公共电极线金属图形在所述第一衬底基板上的正投影之间。
2.一种显示装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
将阵列基板和彩膜基板对盒成型，得到显示面板，所述阵列基板包括第一衬底基板以及形成在所述第一衬底基板靠近所述彩膜基板的一侧的反射图形，所述彩膜基板包括第二衬底基板以及形成在所述第二衬底基板靠近所述阵列基板的一侧的黑矩阵图形，所述黑矩阵图形在所述阵列基板上的正投影将所述反射图形覆盖；
形成背光模组，所述背光模组包括背光源和反射片；
将所述背光模组设置在所述显示面板的阵列基板所在侧，使所述背光源位于所述反射片与所述阵列基板之间；
其中，所述背光源发射出的光线在所述反射图形与所述反射片之间反射后，能够通过所述黑矩阵图形的开口区域从所述彩膜基板射出；
所述反射图形包括金属反射图形，所述阵列基板还包括金属图形，形成阵列基板，包括：
在所述第一衬底基板上形成金属膜层，通过一次构图工艺对所述金属膜层进行处理，得到第一金属图形层，所述第一金属图形层包括所述反射图形和所述金属图形；
所述金属图形包括源漏极金属图形，所述阵列基板还包括：栅极金属图形和公共电极线金属图形，形成阵列基板，包括：
在所述第一衬底基板上形成第二金属图形层，所述第二金属图形层包括栅极金属图形和公共电极线金属图形；
在形成有所述第二金属图形层的第一衬底基板上形成所述第一金属图形层，所述第一金属图形层包括所述反射图形和所述源漏极金属图形，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述源极包括延伸图形，所述反射图形包括空白反射图形和所述延伸图形，所述空白反射图形在所述第一衬底基板上的正投影位于所述栅极金属图形在所述第一衬底基板上的正投影与所述公共电极线金属图形在所述第一衬底基板上的正投影之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述将阵列基板和彩膜基板对盒成型之前，所述方法还包括：分别形成所述阵列基板和所述彩膜基板。
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