JP3429125B2 - 位相シフトマスク及びそのマスクを用いたレジストパターンの形成方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びそのマスクを用いたレジストパターンの形成方法Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造におけるリ
ソグラフィ工程に用いられるハーフトーン位相シフトマ
スクの構造及びそのマスクを用いたレジストパターンの
形成方法に関するものである。
ソグラフィ工程に用いられるハーフトーン位相シフトマ
スクの構造及びそのマスクを用いたレジストパターンの
形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示されるようなものがあった。
例えば、以下に示されるようなものがあった。
【０００３】図１２は従来の通常のマスクの断面図であ
る。
る。
【０００４】この図に示すように、マスク基板１上に開
口部３を有する遮光膜２が設けられている。ここで、遮
光膜２としては通常、Ｃｒが用いられている。
口部３を有する遮光膜２が設けられている。ここで、遮
光膜２としては通常、Ｃｒが用いられている。
【０００５】図１３は従来のハーフトーンマスクの断面
図である。
図である。
【０００６】この図に示すマスクは、位相差法の一種で
あるハーフトーン方式の位相シフトマスク（ハーフトー
ンマスク）であり、このマスクを用いることにより、解
像力、ＤＯＦ（焦点深度）を向上させることができる。
この構造ではマスク基板１１上に開口部１３を有する１
０％程度以下の透明率を持たせた薄膜１２が形成されて
おり、開口部１３と薄膜１２の位相差は１８０°となる
ように構成されている。このような薄膜１２としてはＣ
ｒ／ＳｉＯ2 の２層構造（ここで、／は積層状態を示
す。以下、同様）や、あるいはＭｏＳｉ系等の単層膜が
用いられる。
あるハーフトーン方式の位相シフトマスク（ハーフトー
ンマスク）であり、このマスクを用いることにより、解
像力、ＤＯＦ（焦点深度）を向上させることができる。
この構造ではマスク基板１１上に開口部１３を有する１
０％程度以下の透明率を持たせた薄膜１２が形成されて
おり、開口部１３と薄膜１２の位相差は１８０°となる
ように構成されている。このような薄膜１２としてはＣ
ｒ／ＳｉＯ2 の２層構造（ここで、／は積層状態を示
す。以下、同様）や、あるいはＭｏＳｉ系等の単層膜が
用いられる。
【０００７】図１４はこのようなハーフトーンマスクの
光強度プロファイルを示す図であり、図１４（ａ）はそ
のハーフトーンマスクの断面図、図１４（ｂ）はそのハ
ーフトーンマスクによる光強度プロファイルを示す図、
図１４（ｃ）はそのハーフトーンマスクを用いてウエハ
上へ転写した場合の転写後のレジストパターンを示す断
面図である。
光強度プロファイルを示す図であり、図１４（ａ）はそ
のハーフトーンマスクの断面図、図１４（ｂ）はそのハ
ーフトーンマスクによる光強度プロファイルを示す図、
図１４（ｃ）はそのハーフトーンマスクを用いてウエハ
上へ転写した場合の転写後のレジストパターンを示す断
面図である。
【０００８】図１４（ａ）に示すハーフトーンマスク、
すなわち、マスク基板２１に開口部２３を有する１０％
程度以下の透明率を持たせた薄膜２２を形成したハーフ
トーンマスクを用いる。すると、図１４（ｂ）に示すよ
うに、ハーフトーンマスクによる位相差法では、パター
ン形成を行う開口部２３の外側にサイドピーク２６が生
じる。サイドピーク２６は、転写性に影響を及ぼし、サ
イドピーク（Ｉｓｐ）２６とピークインテンシティ（Ｉ
ｐ）２５の比Ｉｓｐ／Ｉｐが大きいと、図１４（ｃ）に
示すように、ウエハ３１上のポジレジスト３２に、サイ
ドピーク２６によりレジスト膜減り３３が生じる。
すなわち、マスク基板２１に開口部２３を有する１０％
程度以下の透明率を持たせた薄膜２２を形成したハーフ
トーンマスクを用いる。すると、図１４（ｂ）に示すよ
うに、ハーフトーンマスクによる位相差法では、パター
ン形成を行う開口部２３の外側にサイドピーク２６が生
じる。サイドピーク２６は、転写性に影響を及ぼし、サ
イドピーク（Ｉｓｐ）２６とピークインテンシティ（Ｉ
ｐ）２５の比Ｉｓｐ／Ｉｐが大きいと、図１４（ｃ）に
示すように、ウエハ３１上のポジレジスト３２に、サイ
ドピーク２６によりレジスト膜減り３３が生じる。
【０００９】なお、サイドピークは透過率、パターンサ
イズ、ピッチによって変わり、例えば、抜きパターンの
場合、透過率は高い程、パターンサイズは大きい程、そ
してピッチは狭い程、サイドピークは上がる。
イズ、ピッチによって変わり、例えば、抜きパターンの
場合、透過率は高い程、パターンサイズは大きい程、そ
してピッチは狭い程、サイドピークは上がる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた方法では、透過率の設定は１種類であり、様々なパ
ターンが存在する場合、効果を持たせたい最も微細なパ
ターンに対して透過率の最適化を行うと、例えば、抜き
パターンにおいては、最適化を行ったパターンよりも大
きいパターンではサイドピークが高くなるため、レジス
ト膜減りが生じるという問題点があった。また、スクラ
イブラインでは２重露光、４重露光による膜減りが生じ
るという問題点もあった。
べた方法では、透過率の設定は１種類であり、様々なパ
ターンが存在する場合、効果を持たせたい最も微細なパ
ターンに対して透過率の最適化を行うと、例えば、抜き
パターンにおいては、最適化を行ったパターンよりも大
きいパターンではサイドピークが高くなるため、レジス
ト膜減りが生じるという問題点があった。また、スクラ
イブラインでは２重露光、４重露光による膜減りが生じ
るという問題点もあった。
【００１１】本発明は、上記問題点を除去し、効果を持
たせたい最も微細なパターンの領域にのみ、ハーフトー
ン方式を適用できるため、大パターンやスクライブライ
ンにおける膜減りを抑えることができる位相シフトマス
ク及びそのマスクを用いたレジストパターンの形成方法
を提供することを目的とする。
たせたい最も微細なパターンの領域にのみ、ハーフトー
ン方式を適用できるため、大パターンやスクライブライ
ンにおける膜減りを抑えることができる位相シフトマス
ク及びそのマスクを用いたレジストパターンの形成方法
を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】（１）位相シフトマスク
において、マスク基板（１０１）上に形成された開口部
（１０３）を有する第１のハーフトーンシフター膜（１
０２）と、前記第１のハーフトーンシフター膜（１０
２）上の一部に前記マスク基板（１０１）上に形成され
た開口部（１０５）を有する第２のハーフトーンシフタ
ー膜（１０４）が形成されることを特徴とする。
において、マスク基板（１０１）上に形成された開口部
（１０３）を有する第１のハーフトーンシフター膜（１
０２）と、前記第１のハーフトーンシフター膜（１０
２）上の一部に前記マスク基板（１０１）上に形成され
た開口部（１０５）を有する第２のハーフトーンシフタ
ー膜（１０４）が形成されることを特徴とする。
【００１３】（２）上記（１）記載の位相シフトマスク
を用いたレジストパターンの形成方法であって、最も微
細なマスクパターンの領域に前記第１のハーフトーンシ
フター膜（１０２）を用い、前記マスクパターンをレジ
ストに転写することを特徴とする。
を用いたレジストパターンの形成方法であって、最も微
細なマスクパターンの領域に前記第１のハーフトーンシ
フター膜（１０２）を用い、前記マスクパターンをレジ
ストに転写することを特徴とする。
【００１４】
【作用】〔Ａ〕位相シフトマスクによれば、マスク基板
（４１）上に形成された開口部（４５）を有するハーフ
トーンシフター膜（４４）と、開口部（４３）を有する
遮光膜（４２）とを有し、前記遮光膜（４２）上の一部
に前記ハーフトーンシフター膜（４４）が形成されるよ
うにしたものである。
（４１）上に形成された開口部（４５）を有するハーフ
トーンシフター膜（４４）と、開口部（４３）を有する
遮光膜（４２）とを有し、前記遮光膜（４２）上の一部
に前記ハーフトーンシフター膜（４４）が形成されるよ
うにしたものである。
【００１５】また、かかる位相シフトマスクの製造方法
によれば、マスク基板（４１）上にエッチングストッパ
ー（４１Ａ）と遮光膜（４２）を順次成膜する工程と、
レジストを塗布し、レジストパターニングを行った後、
前記遮光膜（４２）のウェットエッチングを行い、レジ
ストを除去する工程と、２層構造のハーフトーンシフタ
ー膜となる位相差調整用透明膜（４４Ａ）と透過率調整
用半透明膜（４４Ｂ）を続けて成膜した後、レジストを
塗布し、レジストパターニングを行う工程と、前記透過
率調整用半透明膜（４４Ｂ）のウェットエッチング、前
記位相差調整用透明膜（４４Ａ）のドライエッチング、
レジスト除去する工程とを順に施すようにした。
によれば、マスク基板（４１）上にエッチングストッパ
ー（４１Ａ）と遮光膜（４２）を順次成膜する工程と、
レジストを塗布し、レジストパターニングを行った後、
前記遮光膜（４２）のウェットエッチングを行い、レジ
ストを除去する工程と、２層構造のハーフトーンシフタ
ー膜となる位相差調整用透明膜（４４Ａ）と透過率調整
用半透明膜（４４Ｂ）を続けて成膜した後、レジストを
塗布し、レジストパターニングを行う工程と、前記透過
率調整用半透明膜（４４Ｂ）のウェットエッチング、前
記位相差調整用透明膜（４４Ａ）のドライエッチング、
レジスト除去する工程とを順に施すようにした。
【００１６】したがって、様々なパターンが存在する場
合、ハーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造
を同一のマスク上に設けるようにしたので、効果を持た
せたい最も微細なパターンの領域にのみハーフトーン方
式を適用できるため、大パターンやスクライブラインに
おける膜減りを抑えることができる。
合、ハーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造
を同一のマスク上に設けるようにしたので、効果を持た
せたい最も微細なパターンの領域にのみハーフトーン方
式を適用できるため、大パターンやスクライブラインに
おける膜減りを抑えることができる。
【００１７】また、２種類の構造の境界部ではオーバー
ラップ構造とすることにより、２回露光工程を行う際の
合わせ余裕をとることができ、境界においてハーフトー
ンシフター膜及び遮光帯がない構造をとらないようにす
ることができる。
ラップ構造とすることにより、２回露光工程を行う際の
合わせ余裕をとることができ、境界においてハーフトー
ンシフター膜及び遮光帯がない構造をとらないようにす
ることができる。
【００１８】〔Ｂ〕位相シフトマスクによれば、マスク
基板（５１）上に形成された開口部（５３）を有するハ
ーフトーンシフター膜（５２）と、開口部（５５）を有
する遮光膜（５４）とを有し、前記ハーフトーンシフタ
ー膜（５２）上の一部に前記遮光膜（５４）が形成され
るようにしたので、様々なパターンが存在する場合、ハ
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるので、効果を持たせたい最も微細な
パターンの領域のみハーフトーン方式を適用できるた
め、大パターンやスクライブラインにおける膜減りを抑
えることができる。また、２種類の構造の境界部ではオ
ーバーラップ構造とすることにより、２回露光工程を行
う際の合わせ余裕をとることができ、境界においてハー
フトーンシフター膜及び遮光帯がない構造をとらないよ
うにすることができる。
基板（５１）上に形成された開口部（５３）を有するハ
ーフトーンシフター膜（５２）と、開口部（５５）を有
する遮光膜（５４）とを有し、前記ハーフトーンシフタ
ー膜（５２）上の一部に前記遮光膜（５４）が形成され
るようにしたので、様々なパターンが存在する場合、ハ
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるので、効果を持たせたい最も微細な
パターンの領域のみハーフトーン方式を適用できるた
め、大パターンやスクライブラインにおける膜減りを抑
えることができる。また、２種類の構造の境界部ではオ
ーバーラップ構造とすることにより、２回露光工程を行
う際の合わせ余裕をとることができ、境界においてハー
フトーンシフター膜及び遮光帯がない構造をとらないよ
うにすることができる。
【００１９】〔Ｃ〕位相シフトマスクによれば、マスク
基板（６１）上に形成された開口部（６３）を有するハ
ーフトーンシフター膜（６２）と、このハーフトーンシ
フター膜（６２）上の開口部（６３）のない領域の一部
に半透明膜（６４）とを設けるようにしたので、様々な
パターンが存在する場合、ハーフトーンマスク及び通常
マスクの２種類の構造を同一のマスク上に設けるので、
効果を持たせたい最も微細なパターンの領域のみハーフ
トーン方式を適用できるため、パターン転写しない領域
の透過率を下げることができ、スクライブラインの２重
露光、４重露光部における膜減りを抑えることができ
る。
基板（６１）上に形成された開口部（６３）を有するハ
ーフトーンシフター膜（６２）と、このハーフトーンシ
フター膜（６２）上の開口部（６３）のない領域の一部
に半透明膜（６４）とを設けるようにしたので、様々な
パターンが存在する場合、ハーフトーンマスク及び通常
マスクの２種類の構造を同一のマスク上に設けるので、
効果を持たせたい最も微細なパターンの領域のみハーフ
トーン方式を適用できるため、パターン転写しない領域
の透過率を下げることができ、スクライブラインの２重
露光、４重露光部における膜減りを抑えることができ
る。
【００２０】〔Ｄ〕位相シフトマスクによれば、マスク
基板（７１）上に形成された開口部（７４）を有するハ
ーフトーンシフター膜（７２）と、このハーフトーンシ
フター膜（７２）上の一部に半透明膜（７３）を有し、
この半透明膜（７３）／ハーフトーンシフター膜（７
２）の積層部に開口部（７５）を設けるようにした。
基板（７１）上に形成された開口部（７４）を有するハ
ーフトーンシフター膜（７２）と、このハーフトーンシ
フター膜（７２）上の一部に半透明膜（７３）を有し、
この半透明膜（７３）／ハーフトーンシフター膜（７
２）の積層部に開口部（７５）を設けるようにした。
【００２１】また、かかる位相シフトマスクの製造方法
によれば、マスク基板（７１）上に２層構造のハーフト
ーンシフター膜となる透過率調整用半透明膜（７２Ａ）
と位相差調整用透明膜（７２Ｂ）及び半透明膜（７３）
とを続けて成膜する工程と、レジストパターニングを行
い前記半透明膜（７３）のウェットエッチング、レジス
ト除去により遮光帯を形成する工程と、レジストパター
ニングを行い、前記透過率調整用半透明膜（７２Ａ）と
位相差調整用透明膜（７２Ｂ）のドライエッチング、レ
ジスト除去によりハーフトーン方式のパターンを形成す
る工程とを順に施すようにした。
によれば、マスク基板（７１）上に２層構造のハーフト
ーンシフター膜となる透過率調整用半透明膜（７２Ａ）
と位相差調整用透明膜（７２Ｂ）及び半透明膜（７３）
とを続けて成膜する工程と、レジストパターニングを行
い前記半透明膜（７３）のウェットエッチング、レジス
ト除去により遮光帯を形成する工程と、レジストパター
ニングを行い、前記透過率調整用半透明膜（７２Ａ）と
位相差調整用透明膜（７２Ｂ）のドライエッチング、レ
ジスト除去によりハーフトーン方式のパターンを形成す
る工程とを順に施すようにした。
【００２２】したがって、様々なパターンが存在する場
合、ハーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造
を同一のマスク上に設けるため、効果を持たせたい最も
微細なパターンの領域のみハーフトーン方式を適用でき
るため、大パターンやスクライブラインにおける膜減り
を抑えることができる。
合、ハーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造
を同一のマスク上に設けるため、効果を持たせたい最も
微細なパターンの領域のみハーフトーン方式を適用でき
るため、大パターンやスクライブラインにおける膜減り
を抑えることができる。
【００２３】〔Ｅ〕位相シフトマスクによれば、マスク
基板（８１）上に形成された開口部（８４）を有するハ
ーフトーンシフター膜（８３）と、前記マスク基板（８
１）上に形成された開口部を持たない半透明膜（８２）
を有し、この半透明膜（８２）上に前記ハーフトーンシ
フター膜（８３）を設けるようにしたので、様々なパタ
ーンが存在する場合、ハーフトーンマスク及び通常マス
クの２種類の構造を同一のマスク上に設けるため、効果
を持たせたい最も微細なパターンの領域のみハーフトー
ン方式を適用できるため、パターン転写しない領域の透
過率を下げることができ、スクライブラインの２重露
光、４重露光部における膜減りを抑えることができる。
基板（８１）上に形成された開口部（８４）を有するハ
ーフトーンシフター膜（８３）と、前記マスク基板（８
１）上に形成された開口部を持たない半透明膜（８２）
を有し、この半透明膜（８２）上に前記ハーフトーンシ
フター膜（８３）を設けるようにしたので、様々なパタ
ーンが存在する場合、ハーフトーンマスク及び通常マス
クの２種類の構造を同一のマスク上に設けるため、効果
を持たせたい最も微細なパターンの領域のみハーフトー
ン方式を適用できるため、パターン転写しない領域の透
過率を下げることができ、スクライブラインの２重露
光、４重露光部における膜減りを抑えることができる。
【００２４】〔Ｆ〕また、位相シフトマスクによれば、
マスク基板（９１）上に形成された半透明膜（９２）
と、開口部（９４）を有するハーフトーンシフター膜
（９３）と、前記半透明膜（９２）上にはハーフトーン
シフター膜（９３）が存在し、このハーフトーンシフタ
ー膜（９３）／半透明膜（９２）の構造が開口部（９
５）を有するようにした。
マスク基板（９１）上に形成された半透明膜（９２）
と、開口部（９４）を有するハーフトーンシフター膜
（９３）と、前記半透明膜（９２）上にはハーフトーン
シフター膜（９３）が存在し、このハーフトーンシフタ
ー膜（９３）／半透明膜（９２）の構造が開口部（９
５）を有するようにした。
【００２５】また、かかる位相シフトマスクの製造方法
によれば、マスク基板（９１）上にエッチングストッパ
ー（９１Ａ）と半透明膜（９２）とを成膜した後、レジ
ストパターニングを行う工程と、前記半透明膜（９２）
のウェットエッチング、レジスト除去によりハーフトー
ン方式と通常方式の領域の形成を行う工程と、２層構造
のハーフトーンシフター膜（９３）となる透過率調整用
半透明膜（９３Ｂ）と位相差調整用透明膜（９３Ａ）を
続けて成膜する工程と、レジストパターニングを行い、
前記透過率調整用半透明膜（９３Ｂ）のウェットエッチ
ング、前記位相差調整用透明膜（９３Ａ）のドライエッ
チング、前記半透明膜（９２）のドライエッチング、レ
ジスト除去によりハーフトーン方式と通常方式のパター
ンを形成する工程とを順に施すようにした。
によれば、マスク基板（９１）上にエッチングストッパ
ー（９１Ａ）と半透明膜（９２）とを成膜した後、レジ
ストパターニングを行う工程と、前記半透明膜（９２）
のウェットエッチング、レジスト除去によりハーフトー
ン方式と通常方式の領域の形成を行う工程と、２層構造
のハーフトーンシフター膜（９３）となる透過率調整用
半透明膜（９３Ｂ）と位相差調整用透明膜（９３Ａ）を
続けて成膜する工程と、レジストパターニングを行い、
前記透過率調整用半透明膜（９３Ｂ）のウェットエッチ
ング、前記位相差調整用透明膜（９３Ａ）のドライエッ
チング、前記半透明膜（９２）のドライエッチング、レ
ジスト除去によりハーフトーン方式と通常方式のパター
ンを形成する工程とを順に施すようにした。
【００２６】したがって、様々なパターンが存在する場
合、効果を持たせたい最も微細なパターンの領域のみハ
ーフトーン方式を適用できるため、大パターンやスクラ
イブラインにおける膜減りを抑えることができる。
合、効果を持たせたい最も微細なパターンの領域のみハ
ーフトーン方式を適用できるため、大パターンやスクラ
イブラインにおける膜減りを抑えることができる。
【００２７】〔Ｇ〕本願発明の位相シフトマスクによれ
ば、マスク基板（１０１）上に開口部（１０６）を有す
るハーフトーンシフター膜（１０２）と、開口部（１０
５）を有するハーフトーンシフター膜（１０４）とを有
し、前記ハーフトーンシフター膜（１０２）上の一部に
ハーフトーンシフター膜（１０４）が形成されるように
した。
ば、マスク基板（１０１）上に開口部（１０６）を有す
るハーフトーンシフター膜（１０２）と、開口部（１０
５）を有するハーフトーンシフター膜（１０４）とを有
し、前記ハーフトーンシフター膜（１０２）上の一部に
ハーフトーンシフター膜（１０４）が形成されるように
した。
【００２８】また、かかる位相シフトマスクの製造方法
によれば、マスク基板（１０１）上にエッチングストッ
パー（１０１Ａ）、２層構造のハーフトーンシフター膜
（１０２）となる位相差調整用透明膜（１０２Ａ）と透
過率調整用半透明膜（１０２Ｂ）を続けて成膜する工程
と、レジストパターニングを行い、前記透過率調整用半
透明膜（１０２Ｂ）のウェットエッチング、前記位相差
調整用透明膜（１０２Ａ）のドライエッチング、レジス
ト除去によりハーフトーン方式を形成する工程と、前記
ハーフトーンシフター膜（１０２）の保護膜あるいは位
相差調整用となる透明膜（１０４Ａ）、遮光膜あるいは
透過率調整用となる半透明膜（１０４Ｂ）を続けて成膜
した後、レジストパターニングを行い、前記遮光膜ある
いは透過率調整用となる半透明膜（１０４Ｂ）のウェッ
トエッチング、透明膜（１０４Ａ）のドライエッチン
グ、レジスト除去により通常方式を形成する工程を順に
施すようにした。
によれば、マスク基板（１０１）上にエッチングストッ
パー（１０１Ａ）、２層構造のハーフトーンシフター膜
（１０２）となる位相差調整用透明膜（１０２Ａ）と透
過率調整用半透明膜（１０２Ｂ）を続けて成膜する工程
と、レジストパターニングを行い、前記透過率調整用半
透明膜（１０２Ｂ）のウェットエッチング、前記位相差
調整用透明膜（１０２Ａ）のドライエッチング、レジス
ト除去によりハーフトーン方式を形成する工程と、前記
ハーフトーンシフター膜（１０２）の保護膜あるいは位
相差調整用となる透明膜（１０４Ａ）、遮光膜あるいは
透過率調整用となる半透明膜（１０４Ｂ）を続けて成膜
した後、レジストパターニングを行い、前記遮光膜ある
いは透過率調整用となる半透明膜（１０４Ｂ）のウェッ
トエッチング、透明膜（１０４Ａ）のドライエッチン
グ、レジスト除去により通常方式を形成する工程を順に
施すようにした。
【００２９】したがって、様々なパターンが存在する場
合、透過率設定が２種類できるため効果を持たせたい最
も微細なパターンで最適な透過率設定ができるととも
に、他のパターンでも異なる透過率によるハーフトーン
方式を適用できる。また、２種類の構造の境界部ではオ
ーバーラップ構造とすることにより、２回露光工程を行
う際の合わせ余裕をとることができ、境界においてハー
フトーンシフター膜及び遮光帯がない構造をとらないよ
うにすることができる。
合、透過率設定が２種類できるため効果を持たせたい最
も微細なパターンで最適な透過率設定ができるととも
に、他のパターンでも異なる透過率によるハーフトーン
方式を適用できる。また、２種類の構造の境界部ではオ
ーバーラップ構造とすることにより、２回露光工程を行
う際の合わせ余裕をとることができ、境界においてハー
フトーンシフター膜及び遮光帯がない構造をとらないよ
うにすることができる。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００３１】図１は本発明の第１実施例を示すハーフト
ーンマスクの概略断面図であり、ここではエッチングス
トッパー等細かな点については示されていない。図２は
そのようなハーフトーンマスクの製造工程断面図であ
る。
ーンマスクの概略断面図であり、ここではエッチングス
トッパー等細かな点については示されていない。図２は
そのようなハーフトーンマスクの製造工程断面図であ
る。
【００３２】図１に示すように、マスク基板４１上に、
開口部４３を有する遮光膜４２が形成されており、その
遮光膜４２上の一部に重なるようにハーフトーンシフタ
ー膜４４が存在し、このハーフトーンシフター膜４４に
は開口部４５が形成されている。
開口部４３を有する遮光膜４２が形成されており、その
遮光膜４２上の一部に重なるようにハーフトーンシフタ
ー膜４４が存在し、このハーフトーンシフター膜４４に
は開口部４５が形成されている。
【００３３】以下、そのようなハーフトーンマスクの製
造方法について図２を参照しながら説明する。ここで
は、ハーフトーンシフター膜としてＣｒ／ＳｉＯ2 の２
層構造を用いる。
造方法について図２を参照しながら説明する。ここで
は、ハーフトーンシフター膜としてＣｒ／ＳｉＯ2 の２
層構造を用いる。
【００３４】（１）まず、図２（ａ）に示すように、マ
スク基板４１上に、ＩＴＯ、ネサガラス等のエッチング
ストッパー４１Ａ及び遮光膜としてＣｒ４２を成膜後、
レジストを塗布し、電子ビーム描画等によりレジストパ
ターニングを行い、レジストパターン４２Ｒを形成す
る。
スク基板４１上に、ＩＴＯ、ネサガラス等のエッチング
ストッパー４１Ａ及び遮光膜としてＣｒ４２を成膜後、
レジストを塗布し、電子ビーム描画等によりレジストパ
ターニングを行い、レジストパターン４２Ｒを形成す
る。
【００３５】（２）次に、図２（ｂ）に示すように、硝
酸第二セリウムアンモニウムによりＣｒ４２のウェット
エッチングを行い、Ｃｒ４２の開口部４３を形成後、ア
ッシングによりレジストパターン４２Ｒ〔図２（ａ）参
照〕を除去する。これにより、通常方式の遮光膜パター
ン４２Ａが形成される。
酸第二セリウムアンモニウムによりＣｒ４２のウェット
エッチングを行い、Ｃｒ４２の開口部４３を形成後、ア
ッシングによりレジストパターン４２Ｒ〔図２（ａ）参
照〕を除去する。これにより、通常方式の遮光膜パター
ン４２Ａが形成される。
【００３６】（３）次に、図２（ｃ）に示すように、ハ
ーフトーンシフター膜として位相差調整用の透明膜とし
てのＳｉＯ2 膜４４Ａと、透過率調整用の半透明膜Ｃｒ
４４Ｂを、所望の透過率で基板との位相差が１８０°と
なるような膜厚でスパッタにより成膜し、電子ビーム描
画等によりレジストパターニングを行い、レジストパタ
ーン４４Ｒを形成する。
ーフトーンシフター膜として位相差調整用の透明膜とし
てのＳｉＯ2 膜４４Ａと、透過率調整用の半透明膜Ｃｒ
４４Ｂを、所望の透過率で基板との位相差が１８０°と
なるような膜厚でスパッタにより成膜し、電子ビーム描
画等によりレジストパターニングを行い、レジストパタ
ーン４４Ｒを形成する。
【００３７】（４）次に、図２（ｄ）に示すように、硝
酸第二セリウムアンモニウムによるＣｒ４４Ｂのウェッ
トエッチングと、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスによるＳｉＯ
2 膜４４Ａのドライエッチングを続けて行った後、開口
部４５を形成し、アッシングによりレジストパターン４
４Ｒを除去し、ハーフトーン方式のパターンが形成され
る。Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスを用いることにより、Ｓｉ
Ｏ2 膜４４ＡとＣｒ４４Ｂ及びエッチングストッパー４
１Ａとの選択比は確保される。
酸第二セリウムアンモニウムによるＣｒ４４Ｂのウェッ
トエッチングと、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスによるＳｉＯ
2 膜４４Ａのドライエッチングを続けて行った後、開口
部４５を形成し、アッシングによりレジストパターン４
４Ｒを除去し、ハーフトーン方式のパターンが形成され
る。Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスを用いることにより、Ｓｉ
Ｏ2 膜４４ＡとＣｒ４４Ｂ及びエッチングストッパー４
１Ａとの選択比は確保される。
【００３８】図３は本発明の第２実施例を示すハーフト
ーンマスクの概略断面図である。
ーンマスクの概略断面図である。
【００３９】この図に示すように、マスク基板５１上
に、開口部５３を有するハーフトーンシフター膜５２
と、開口部５５を有する遮光膜５４があり、そのハーフ
トーンシフター膜５２上の一部に遮光膜Ｃｒ５４が存在
している。
に、開口部５３を有するハーフトーンシフター膜５２
と、開口部５５を有する遮光膜５４があり、そのハーフ
トーンシフター膜５２上の一部に遮光膜Ｃｒ５４が存在
している。
【００４０】図４は本発明の第３実施例を示すハーフト
ーンマスクの概略断面図である。
ーンマスクの概略断面図である。
【００４１】この図に示すように、マスク基板６１上に
開口部６３を有するハーフトーンシフター膜６２があ
り、このハーフトーンシフター膜６２上の開口部のない
領域の一部に半透明膜（Ｃｒ）６４が存在している。
開口部６３を有するハーフトーンシフター膜６２があ
り、このハーフトーンシフター膜６２上の開口部のない
領域の一部に半透明膜（Ｃｒ）６４が存在している。
【００４２】図５は本発明の第４実施例を示すハーフト
ーンマスクの概略断面図、図６はそのようなハーフトー
ンマスクの製造工程断面図である。
ーンマスクの概略断面図、図６はそのようなハーフトー
ンマスクの製造工程断面図である。
【００４３】図５に示すように、マスク基板７１上に、
開口部７４を有するハーフトーンシフター膜７２があ
り、このハーフトーンシフター膜７２上の一部に半透明
膜（Ｃｒ）７３が存在し、この半透明膜７３／ハーフト
ーンシフター膜７２の積層部に開口部７５を形成してい
る。
開口部７４を有するハーフトーンシフター膜７２があ
り、このハーフトーンシフター膜７２上の一部に半透明
膜（Ｃｒ）７３が存在し、この半透明膜７３／ハーフト
ーンシフター膜７２の積層部に開口部７５を形成してい
る。
【００４４】以下、そのようなハーフトーンマスクの製
造方法について図６を参照しながら説明する。ここで、
ハーフトーンシフター膜として、ＳｉＯ2 ／Ｃｒの２層
構造を用いる。
造方法について図６を参照しながら説明する。ここで、
ハーフトーンシフター膜として、ＳｉＯ2 ／Ｃｒの２層
構造を用いる。
【００４５】（１）まず、図６（ａ）に示すように、マ
スク基板７１上に、ハーフトーンシフター膜として透過
率調整用の半透明膜Ｃｒ７２Ａと、位相差調整用の透明
膜としてのＳｉＯ2 膜７２Ｂとを、所望の透過率で基板
との位相差が１８０°となるような膜厚でスパッタによ
り成膜し、さらに、半透明膜としてＣｒ７３を成膜後、
電子ビーム描画によりレジストパターニングを行い、レ
ジストパターン７３Ｒ１を形成する。
スク基板７１上に、ハーフトーンシフター膜として透過
率調整用の半透明膜Ｃｒ７２Ａと、位相差調整用の透明
膜としてのＳｉＯ2 膜７２Ｂとを、所望の透過率で基板
との位相差が１８０°となるような膜厚でスパッタによ
り成膜し、さらに、半透明膜としてＣｒ７３を成膜後、
電子ビーム描画によりレジストパターニングを行い、レ
ジストパターン７３Ｒ１を形成する。
【００４６】（２）次に、図６（ｂ）に示すように、硝
酸第二セリウムアンモニウムによりＣｒ７３のウェット
エッチングを行った後、アッシングによりレジストパタ
ーン７３Ｒ１〔図６（ａ）参照〕を除去し、ハーフトー
ン方式と通常方式の領域を形成する。
酸第二セリウムアンモニウムによりＣｒ７３のウェット
エッチングを行った後、アッシングによりレジストパタ
ーン７３Ｒ１〔図６（ａ）参照〕を除去し、ハーフトー
ン方式と通常方式の領域を形成する。
【００４７】（３）次に、図６（ｃ）に示すように、メ
インパターンを形成するために、電子ビーム描画等によ
りレジストパターニングを行い、レジストパターン７３
Ｒ２を形成する。
インパターンを形成するために、電子ビーム描画等によ
りレジストパターニングを行い、レジストパターン７３
Ｒ２を形成する。
【００４８】（４）次に、図６（ｄ）に示すように、硝
酸第二セリウムアンモニウムによりＣｒ７３のウェット
エッチングを行った後（第４実施例の場合のみ）、Ｃ2
Ｆ6＋ＣＨＦ3 ガスによるＳｉＯ2 膜７２Ｂのドライエ
ッチングと、ＣＦ4 ＋Ｏ2 によるＣｒ７２Ａのドライエ
ッチングを続けて行い、開口部７４と７５とを形成す
る。その後、アッシングによりレジストパターン７３Ｒ
２を除去する。Ｃ2 Ｆ6＋ＣＨＦ3 ガスを用いることに
より、ＳｉＯ2 膜７２ＢとＣｒ７２Ａとの選択比は確保
される。
酸第二セリウムアンモニウムによりＣｒ７３のウェット
エッチングを行った後（第４実施例の場合のみ）、Ｃ2
Ｆ6＋ＣＨＦ3 ガスによるＳｉＯ2 膜７２Ｂのドライエ
ッチングと、ＣＦ4 ＋Ｏ2 によるＣｒ７２Ａのドライエ
ッチングを続けて行い、開口部７４と７５とを形成す
る。その後、アッシングによりレジストパターン７３Ｒ
２を除去する。Ｃ2 Ｆ6＋ＣＨＦ3 ガスを用いることに
より、ＳｉＯ2 膜７２ＢとＣｒ７２Ａとの選択比は確保
される。
【００４９】図７は本発明の第５実施例を示すハーフト
ーンマスクの概略断面図である。
ーンマスクの概略断面図である。
【００５０】この図に示すように、マスク基板８１上に
開口部８４を有するハーフトーンシフター膜８３と開口
部を持たない半透明膜（Ｃｒ）８２があり、半透明膜８
２上にはハーフトーンシフター膜８３が存在する。
開口部８４を有するハーフトーンシフター膜８３と開口
部を持たない半透明膜（Ｃｒ）８２があり、半透明膜８
２上にはハーフトーンシフター膜８３が存在する。
【００５１】図８は本発明の第６実施例を示すハーフト
ーンマスクの概略断面図、図９はそのようなハーフトー
ンマスクの製造工程断面図である。
ーンマスクの概略断面図、図９はそのようなハーフトー
ンマスクの製造工程断面図である。
【００５２】図８に示すように、マスク基板９１上に、
半透明膜（Ｃｒ）９２と、開口部９４を有するハーフト
ーンシフター膜９３があり、半透明膜９２上にはハーフ
トーンシフター膜９３が存在し、このハーフトーンシフ
ター膜９３／半透明膜９２の積層部に開口部９５を形成
している。
半透明膜（Ｃｒ）９２と、開口部９４を有するハーフト
ーンシフター膜９３があり、半透明膜９２上にはハーフ
トーンシフター膜９３が存在し、このハーフトーンシフ
ター膜９３／半透明膜９２の積層部に開口部９５を形成
している。
【００５３】以下、そのようなハーフトーンマスクの製
造方法について図９を参照しながら説明する。ここで、
ハーフトーンシフター膜としてＳｉＯ2 ／Ｃｒの２層構
造を用いる。
造方法について図９を参照しながら説明する。ここで、
ハーフトーンシフター膜としてＳｉＯ2 ／Ｃｒの２層構
造を用いる。
【００５４】（１）まず、図９（ａ）に示すように、マ
スク基板９１上に、ＩＴＯ、ネサガラス等のエッチング
ストッパー９１Ａ及び半透明膜としてＣｒ９２を成膜
後、電子ビーム描画等によりレジストパターニングを行
い、レジストパターン９２Ｒを形成する。
スク基板９１上に、ＩＴＯ、ネサガラス等のエッチング
ストッパー９１Ａ及び半透明膜としてＣｒ９２を成膜
後、電子ビーム描画等によりレジストパターニングを行
い、レジストパターン９２Ｒを形成する。
【００５５】（２）次に、図９（ｂ）に示すように、硝
酸第二セリウムアンモニウムによりＣｒ９２のウェット
エッチングを行った後、アッシングによりレジストパタ
ーン９２Ｒ〔図９（ａ）参照〕を除去し、ハーフトーン
方式と通常方式の領域を形成する。
酸第二セリウムアンモニウムによりＣｒ９２のウェット
エッチングを行った後、アッシングによりレジストパタ
ーン９２Ｒ〔図９（ａ）参照〕を除去し、ハーフトーン
方式と通常方式の領域を形成する。
【００５６】（３）次に、図９（ｃ）に示すように、ハ
ーフトーンシフター膜として位相差調整用のＳｉＯ2 膜
９３Ａと透過率調整用の半透明膜Ｃｒ９３Ｂを、所望の
透過率で基板との位相差が１８０°となるような膜厚で
スパッタにより成膜し、メインパターンを形成するため
に、電子ビーム描画等によりレジストパターニングを行
い、レジストパターン９３Ｒを形成する。
ーフトーンシフター膜として位相差調整用のＳｉＯ2 膜
９３Ａと透過率調整用の半透明膜Ｃｒ９３Ｂを、所望の
透過率で基板との位相差が１８０°となるような膜厚で
スパッタにより成膜し、メインパターンを形成するため
に、電子ビーム描画等によりレジストパターニングを行
い、レジストパターン９３Ｒを形成する。
【００５７】（４）次いで、図９（ｄ）に示すように、
硝酸第二セリウムアンモニウムによるＣｒ９３Ｂのウェ
ットエッチングを行った後、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスに
よるＳｉＯ2 膜９３Ａのドライエッチングと、ＣＦ4 ＋
Ｏ2 によるＣｒ９２のドライエッチングを続けて行い、
開口部９４と９５とを形成する。その後、アッシングに
よりレジストパターン９３Ｒ〔図９（ｃ）参照〕を除去
する。ここで、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスを用いることに
より、ＳｉＯ2 膜９３ＡとＣｒ９３Ｂとの選択比は確保
される。
硝酸第二セリウムアンモニウムによるＣｒ９３Ｂのウェ
ットエッチングを行った後、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスに
よるＳｉＯ2 膜９３Ａのドライエッチングと、ＣＦ4 ＋
Ｏ2 によるＣｒ９２のドライエッチングを続けて行い、
開口部９４と９５とを形成する。その後、アッシングに
よりレジストパターン９３Ｒ〔図９（ｃ）参照〕を除去
する。ここで、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスを用いることに
より、ＳｉＯ2 膜９３ＡとＣｒ９３Ｂとの選択比は確保
される。
【００５８】図１０は本発明の第７実施例を示すハーフ
トーンマスクの概略断面図、図１１はそのようなハーフ
トーンマスクの製造工程断面図である。ここでは、ハー
フトーンシフター膜としてＣｒ／ＳｉＯ2 の２層構造を
用いる。
トーンマスクの概略断面図、図１１はそのようなハーフ
トーンマスクの製造工程断面図である。ここでは、ハー
フトーンシフター膜としてＣｒ／ＳｉＯ2 の２層構造を
用いる。
【００５９】この図１０に示すように、マスク基板１０
１上に、開口部１０６を有するハーフトーンシフター膜
１０２と、開口部１０５を有するハーフトーンシフター
膜１０４があり、ハーフトーンシフター膜１０２上の一
部にハーフトーンシフター膜１０４が存在している。
１上に、開口部１０６を有するハーフトーンシフター膜
１０２と、開口部１０５を有するハーフトーンシフター
膜１０４があり、ハーフトーンシフター膜１０２上の一
部にハーフトーンシフター膜１０４が存在している。
【００６０】以下、そのようなハーフトーンマスクの製
造方法について図１１を参照しながら説明する。ここ
で、ハーフトーンシフター膜としてＳｉＯ2 ／Ｃｒの２
層構造を用いる。
造方法について図１１を参照しながら説明する。ここ
で、ハーフトーンシフター膜としてＳｉＯ2 ／Ｃｒの２
層構造を用いる。
【００６１】（１）まず、図１１（ａ）に示すように、
マスク基板１０１上に、ＩＴＯ，ネサガラス等のエッチ
ングストッパー１０１Ａ及びハーフトーンシフター膜と
して位相差調整用のＳｉＯ2 膜１０２Ａと透過率調整用
の半透明膜Ｃｒ１０２Ｂを、所望の透過率で基板との位
相差が１８０°となるような膜厚でスパッタにより成膜
し、電子ビーム描画等によりレジストパターニングを行
い、レジストパターン１０２Ｒを形成する。
マスク基板１０１上に、ＩＴＯ，ネサガラス等のエッチ
ングストッパー１０１Ａ及びハーフトーンシフター膜と
して位相差調整用のＳｉＯ2 膜１０２Ａと透過率調整用
の半透明膜Ｃｒ１０２Ｂを、所望の透過率で基板との位
相差が１８０°となるような膜厚でスパッタにより成膜
し、電子ビーム描画等によりレジストパターニングを行
い、レジストパターン１０２Ｒを形成する。
【００６２】（２）次に、図１１（ｂ）に示すように、
硝酸第二セリウムアンモニウムによるＣｒ１０２Ｂのウ
ェットエッチングと、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 によるＳｉＯ
2 膜１０２Ａのドライエッチングを続けて行い、開口部
１０３を形成した後、アッシングによりレジストパター
ン１０２Ｒ〔図１１（ａ）参照〕を除去する。
硝酸第二セリウムアンモニウムによるＣｒ１０２Ｂのウ
ェットエッチングと、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 によるＳｉＯ
2 膜１０２Ａのドライエッチングを続けて行い、開口部
１０３を形成した後、アッシングによりレジストパター
ン１０２Ｒ〔図１１（ａ）参照〕を除去する。
【００６３】これによりハーフトーン方式のパターンが
形成される。Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスを用いることによ
り、ＳｉＯ2 膜１０２ＡとＣｒ１０２Ｂ及びエッチング
ストッパー１０１Ａとの選択比は確保される。
形成される。Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスを用いることによ
り、ＳｉＯ2 膜１０２ＡとＣｒ１０２Ｂ及びエッチング
ストッパー１０１Ａとの選択比は確保される。
【００６４】（３）次いで、図１１（ｃ）に示すよう
に、ハーフトーンシフター膜として位相差調整用のＳｉ
Ｏ2 膜１０４Ａと、透過率調整用の半透過膜Ｃｒ１０４
Ｂを、所望の透過率で基板との位相差が１８０°となる
ような膜厚でスパッタにより成膜し、電子ビーム描画等
によりレジストパターニングを行い、レジストパターン
１０４Ｒを形成する。
に、ハーフトーンシフター膜として位相差調整用のＳｉ
Ｏ2 膜１０４Ａと、透過率調整用の半透過膜Ｃｒ１０４
Ｂを、所望の透過率で基板との位相差が１８０°となる
ような膜厚でスパッタにより成膜し、電子ビーム描画等
によりレジストパターニングを行い、レジストパターン
１０４Ｒを形成する。
【００６５】（４）次いで、図１１（ｄ）に示すよう
に、ＳｉＯ2 膜１０４Ａ及びＣｒ１０４Ｂはハーフトー
ン方式のパターン形成と同様にして、硝酸第二セリウム
アンモニウムによるＣｒ１０４Ｂのウェットエッチング
と、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスによるＳｉＯ2 膜１０４Ａ
のドライエッチングを続けて行い、開口部１０５と１０
６を形成する。その後、アッシングによりレジストパタ
ーン１０４Ｒ〔図１１（ｃ）参照〕を除去する。
に、ＳｉＯ2 膜１０４Ａ及びＣｒ１０４Ｂはハーフトー
ン方式のパターン形成と同様にして、硝酸第二セリウム
アンモニウムによるＣｒ１０４Ｂのウェットエッチング
と、Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＨＦ3 ガスによるＳｉＯ2 膜１０４Ａ
のドライエッチングを続けて行い、開口部１０５と１０
６を形成する。その後、アッシングによりレジストパタ
ーン１０４Ｒ〔図１１（ｃ）参照〕を除去する。
【００６６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００６７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、以下の
ような効果を奏することができる。
ような効果を奏することができる。
【００６８】〔Ａ〕様々なパターンが存在する場合、ハ
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるようにしたので、効果を持たせたい
最も微細なパターンの領域にのみハーフトーン方式を適
用できるため、大パターンやスクライブラインにおける
膜減りを抑えることができる。
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるようにしたので、効果を持たせたい
最も微細なパターンの領域にのみハーフトーン方式を適
用できるため、大パターンやスクライブラインにおける
膜減りを抑えることができる。
【００６９】また、２種類の構造の境界部ではオーバー
ラップ構造とすることにより、２回露光工程を行う際の
合わせ余裕をとることができ、境界においてハーフトー
ンシフター膜及び遮光膜がない構造をとらないようにす
ることができる。
ラップ構造とすることにより、２回露光工程を行う際の
合わせ余裕をとることができ、境界においてハーフトー
ンシフター膜及び遮光膜がない構造をとらないようにす
ることができる。
【００７０】〔Ｂ〕様々なパターンが存在する場合、ハ
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるため、効果を持たせたい最も微細な
パターンの領域のみハーフトーン方式を適用できるた
め、パターン転写しない領域の透過率を下げることがで
き、スクライブラインの２重露光、４重露光部における
膜減りを抑えることができる。
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるため、効果を持たせたい最も微細な
パターンの領域のみハーフトーン方式を適用できるた
め、パターン転写しない領域の透過率を下げることがで
き、スクライブラインの２重露光、４重露光部における
膜減りを抑えることができる。
【００７１】〔Ｃ〕様々なパターンが存在する場合、ハ
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるため、効果を持たせたい最も微細な
パターンの領域のみハーフトーン方式を適用できるた
め、大パターンやスクライブラインにおける膜減りを抑
えることができる。
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるため、効果を持たせたい最も微細な
パターンの領域のみハーフトーン方式を適用できるた
め、大パターンやスクライブラインにおける膜減りを抑
えることができる。
【００７２】〔Ｄ〕様々なパターンが存在する場合、ハ
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるため、効果を持たせたい最も微細な
パターンの領域のみハーフトーン方式を適用できるた
め、パターン転写しない領域の透過率を下げることがで
き、スクライブラインの２重露光、４重露光部における
膜減りを抑えることができる。
ーフトーンマスク及び通常マスクの２種類の構造を同一
のマスク上に設けるため、効果を持たせたい最も微細な
パターンの領域のみハーフトーン方式を適用できるた
め、パターン転写しない領域の透過率を下げることがで
き、スクライブラインの２重露光、４重露光部における
膜減りを抑えることができる。
【００７３】〔Ｅ〕様々なパターンが存在する場合、効
果を持たせたい最も微細なパターンの領域のみハーフト
ーン方式を適用できるため、大パターンやスクライブラ
インにおける膜減りを抑えることができる。
果を持たせたい最も微細なパターンの領域のみハーフト
ーン方式を適用できるため、大パターンやスクライブラ
インにおける膜減りを抑えることができる。
【００７４】〔Ｆ〕特に、請求項１又は２記載の発明に
よれば、様々なパターンが存在する場合、透過率設定が
２種類できるため効果を持たせたい最も微細なパターン
で最適な透過率設定ができるとともに、他のパターンで
も異なる透過率によるハーフトーン方式を適用できる。
また、２種類の構造の境界部ではオーバーラップ構造と
することにより、２回露光工程を行う際の合わせ余裕を
とることができ、境界においてハーフトーンシフター膜
及び遮光帯がない構造をとらないようにすることができ
る。
よれば、様々なパターンが存在する場合、透過率設定が
２種類できるため効果を持たせたい最も微細なパターン
で最適な透過率設定ができるとともに、他のパターンで
も異なる透過率によるハーフトーン方式を適用できる。
また、２種類の構造の境界部ではオーバーラップ構造と
することにより、２回露光工程を行う際の合わせ余裕を
とることができ、境界においてハーフトーンシフター膜
及び遮光帯がない構造をとらないようにすることができ
る。
【図１】本発明の第１実施例を示すハーフトーンマスク
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すハーフトーンマスク
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示すハーフトーンマスク
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示すハーフトーンマスク
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図５】本発明の第４実施例を示すハーフトーンマスク
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図６】本発明の第４実施例を示すハーフトーンマスク
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
【図７】本発明の第５実施例を示すハーフトーンマスク
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図８】本発明の第６実施例を示すハーフトーンマスク
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図９】本発明の第６実施例を示すハーフトーンマスク
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
【図１０】本発明の第７実施例を示すハーフトーンマス
クの概略断面図である。
クの概略断面図である。
【図１１】本発明の第７実施例を示すハーフトーンマス
クの製造工程断面図である。
クの製造工程断面図である。
【図１２】従来の通常のマスクの断面図である。
【図１３】従来のハーフトーンマスクの断面図である。
【図１４】従来のハーフトーンマスクの光強度プロファ
イルを示す図である。
イルを示す図である。
４１，５１，６１，７１，８１，９１，１０１ マス
ク基板 ４１Ａ，９１Ａ，１０１Ａ エッチングストッパー ４２，５４ 遮光膜（Ｃｒ） ４２Ａ 遮光膜パターン ４２Ｒ，４４Ｒ，７３Ｒ１，７３Ｒ２，９２Ｒ，９３
Ｒ，１０２Ｒ，１０４Ｒレジストパターン ４３，４５，５３，５５，６３，７４，７５，８４，９
４，９５，１０３，１０５，１０６ 開口部 ４４，５２，６２，７２，８３，９３，１０２，１０４
ハーフトーンシフター膜 ４４Ａ，７２Ｂ，９３Ａ，１０２Ａ，１０４Ａ 位相
差調整用の透明膜（ＳｉＯ2 膜） ４４Ｂ，７２Ａ，９３Ｂ，１０２Ｂ，１０４Ｂ 透過
率調整用の半透明膜（Ｃｒ） ６４，７３，８２，９２ 半透明膜（Ｃｒ）
ク基板 ４１Ａ，９１Ａ，１０１Ａ エッチングストッパー ４２，５４ 遮光膜（Ｃｒ） ４２Ａ 遮光膜パターン ４２Ｒ，４４Ｒ，７３Ｒ１，７３Ｒ２，９２Ｒ，９３
Ｒ，１０２Ｒ，１０４Ｒレジストパターン ４３，４５，５３，５５，６３，７４，７５，８４，９
４，９５，１０３，１０５，１０６ 開口部 ４４，５２，６２，７２，８３，９３，１０２，１０４
ハーフトーンシフター膜 ４４Ａ，７２Ｂ，９３Ａ，１０２Ａ，１０４Ａ 位相
差調整用の透明膜（ＳｉＯ2 膜） ４４Ｂ，７２Ａ，９３Ｂ，１０２Ｂ，１０４Ｂ 透過
率調整用の半透明膜（Ｃｒ） ６４，７３，８２，９２ 半透明膜（Ｃｒ）
フロントページの続き
(72)発明者 南 章行
東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電
気工業株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−75361（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−25841（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−297565（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−148864（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−95359（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−337514（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/08
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）マスク基板上に形成された開口部を
有する第１のハーフトーンシフター膜と、 （ｂ）前記第１のハーフトーンシフター膜上の一部に前
記マスク基板上に形成された開口部を有する第２のハー
フトーンシフター膜が形成されることを特徴とする位相
シフトマスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の位相シフトマスクを用い
たレジストパターンの形成方法であって、最も微細なマ
スクパターンの領域に前記第１のハーフトーンシフター
膜を用い、前記マスクパターンをレジストに転写するこ
とを特徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33320495A JP3429125B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 位相シフトマスク及びそのマスクを用いたレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33320495A JP3429125B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 位相シフトマスク及びそのマスクを用いたレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09179287A JPH09179287A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3429125B2 true JP3429125B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=18263485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33320495A Expired - Fee Related JP3429125B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 位相シフトマスク及びそのマスクを用いたレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3429125B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3813562B2 (ja) | 2002-03-15 | 2006-08-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4608882B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2011-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 露光用マスク及びその製造方法、並びに液晶装置の製造方法 |
| JP4521694B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-08-11 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスク及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2006030320A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 |
| JP2006030319A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 |
| JP2007178649A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
| JP4809752B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2011-11-09 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 中間調フォトマスク及びその製造方法 |
| JP5111878B2 (ja) | 2007-01-31 | 2013-01-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009027060A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008134669A (ja) * | 2008-02-25 | 2008-06-12 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JP4834206B2 (ja) * | 2008-10-06 | 2011-12-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスクの製造方法及び被処理体の製造方法 |
| JP2010191310A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの製造方法、及び半導体トランジスタの製造方法 |
| JP5668745B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2015-02-12 | 大日本印刷株式会社 | 階調マスク |
| JP6726553B2 (ja) * | 2015-09-26 | 2020-07-22 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP33320495A patent/JP3429125B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09179287A (ja) | 1997-07-11 |
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