TWI308992B - Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device - Google Patents

Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device Download PDF

Info

Publication number
TWI308992B
TWI308992B TW093118065A TW93118065A TWI308992B TW I308992 B TWI308992 B TW I308992B TW 093118065 A TW093118065 A TW 093118065A TW 93118065 A TW93118065 A TW 93118065A TW I308992 B TWI308992 B TW I308992B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
resin composition
photosensitive resin
film
positive photosensitive
Prior art date
Application number
TW093118065A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200502688A (en
Inventor
Banba Toshio
Ikeda Takuji
Yano Tatsuya
Hirano Takashi
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co filed Critical Sumitomo Bakelite Co
Publication of TW200502688A publication Critical patent/TW200502688A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI308992B publication Critical patent/TWI308992B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0223Iminoquinonediazides; Para-quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0048Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/008Azides
    • G03F7/012Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0125Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the macromolecular azides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

1308992 ^年b月乃曰修(更$替換頁 JUN 2 3 200B 替換頁 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於正型感光性樹脂組成物、使用該組成物之 圖案狀樹脂膜之製造方法,使用該組成物之半導體裝置及 顯示元件、暨此半導體裝置及顯示元件之製造方法。 【先前技術】
以往,於半導體元件之表面保護膜、層間絕緣膜係使用 耐熱性優良或具有卓越電氣特性、機械特性等之聚醯亞胺 樹脂,但近年經由半導體元件之高積體化、大型化、半導 體裝置之薄型化、小型化,經由焊錫迴流移行至表面裝配 物等,對於耐熱周期性、耐熱衝擊性等之特性具有顯著提 高之要求,進而變成需要高性能的樹脂。 另一方面,對於賦予聚醯亞胺樹脂本身感光性的技術, 可列舉例如下述式(2)所示之感光性聚醯亞胺樹脂。 严3
HjC=C- 〇〇 〇 I II II C\ /C- 0_ CHf CH「(T C - CHj ,R‘a CH,
CHj-O-C C-NH-R^-NH- rc 0 0 0 (R.: R-: ⑵ ) 若使用此樹脂則可令圖案作成的步驟部分簡化,具有縮 短步驟及提高產率之效果,但在顯像時必須令 N -曱基-2 -吡咯烷酮等之溶劑以喷霧狀喷霧,故於安全性、操作性上 6 93118065 1308992 具有問題。 於是,最近開發出可經鹼性水溶液顯像之正型感光性樹 脂組成物。例如,於日本專利特公平1 - 4 6 8 6 2號公報中揭 示由為基質樹脂之聚苯並ge坐前驅體(precursor)與為感光 材料之重氮跟化合物所構成的正型感光性樹脂組成物。此 係具有高对熱性、優良之電氣特性、微細加工性,且.不僅 有可做為晶圓塗層用亦具有可做為層間絕緣用的可能性。 此正型感光性樹脂組成物之顯像機制係未曝光部之重氮醌 化合物為不溶於鹼水溶液,但經由曝光則重氮醌化合物將 發生化學變化,變成可溶於鹼水溶液中。利用此曝光部與 未曝光部之溶解性差,經由溶解除去曝光部則可作成僅有 未曝光部的塗膜圖案。 【發明内容】 使用此些感光性樹脂組成物時,特別重要的是感光性樹 脂組成物的靈敏度。若為低靈敏度,則曝光時間變長且處 理量降低。於是,欲提高感光性樹脂組成物之靈敏度,例 如,若添加許多感光劑等,則雖變成高靈敏度,但有時於 顯像後之圖案的末端部分發生所謂浮渣的顯像殘留。 又,此些感光性樹脂在圖案加工後,加熱且硬化,但硬 化後的著色往往變成問題。若著色濃則辨識性降低,發生 無法組裝半導體的問題。 更且,此些感光性樹脂組成物硬化後之膜吸水率亦為重 要。於半導體之信賴性評估中,有在高溫高濕下的試驗, 於使用做為半導體之表面保護膜或層間絕緣膜時,要求此 7 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992
JUN 2 3 2008 替換頁 些膜為低吸水性。 又,此些感光性樹脂雖在石夕晶圓上已被圖案化,但近年, 隨著晶圓的大口徑化發展,膜厚均勻性亦被重視。塗佈後 之膜厚均勻性固然重要,而特別重要者為顯像後之膜厚均 勻性。 本發明係鑑於上述問題點,其第一目的係在於提供高靈 敏度、且無浮渣可圖案化的正型感光性樹脂組成物、使用 該組成物之圖案狀樹脂膜的製造方法,使用該組成物之半 導體裝置及顯示元件、暨其半導體裝置及顯示元件的製造 方法。 本發明之第二目的係在於提供高靈敏度、且無浮渣可圖 案化、硬化後之膜為低著色、更且為低吸水之正型感光性 樹脂組成物、使用該組成物之圖案狀樹脂膜的製造方法、 使用該組成物之半導體裝置及顯示元件、暨其半導體裝置 及顯示元件之製造方法。 又,本發明之第三目的係在於提供高靈敏度、且無浮渣 可圖案化、膜厚均勻性優良之正型感光性樹脂組成物、使 用該組成物之圖案狀樹脂膜的製造方法、使用該組成物之 半導體裝置及顯示元件,暨其半導體裝置及顯示元件的製 造方法。 本發明之第一態樣(a s p e c t :側面)係提供含有驗可溶性 樹脂(A )、重氮醌化合物(B )、不含有酚性羥基且含有-C Η 2 Ο Η 基之化合物(C )所構成的正型感光性樹脂組成物、使用該組 成物之圖案狀樹脂膜的製造方法、使用該組成物之半導體 8
93118065 1308992 裝置及顯示元件、暨其半導體裝置及顯示元件的製造方法。 本發明之第一態樣係可達成本發明之第一及第二目的。 第一態樣中之圖案狀樹脂膜的製造方法係具有令上述第 一態樣之正型感光性樹脂組成物於基板上塗佈形成組成物 層的步驟、與對該組成物層照射活性能量線且與顯像液接 觸形成圖案的步驟、與將該組成物加熱的步驟為其特徵。 第一態樣中之半導體裝置及顯示元件係使用上述第一態 樣之正型感光性樹脂組成物所製作而成為其特徵。 第一態樣中之半導體裝置及顯示元件的製造方法係令上 述第一態樣之正型感光性樹脂組成物於半導體元件或顯示 元件用構材上塗佈成加熱後之膜厚為0 . 1〜5 0 // m,且預烘 烤、曝光、顯像、加熱而取得為其特徵。 又,本發明之第二態樣係提供含有鹼可溶性樹脂(A )、重 氮醌化合物(B )、二種以上之混合溶劑(D )所構成的正型感 光性樹脂組成物,混合溶劑(D )為含有r - 丁内酯及丙二醇 單烧醚,7 -丁内酯及丙二醇單烧醚之合計量為溶劑總量的 7 0重量%以上為其特徵的正型感光性樹脂組成物、使用該 組成物之圖案狀樹脂膜的製造方法、使用該組成物之半導 體裝置及顯示元件、暨其半導體裝置及顯示元件的製造方 法。 本發明之第二態樣係可達成本發明之第一及第三目的。 第二態樣中之圖案狀樹脂膜的製造方法係具有令上述 第二態樣之正型感光性樹脂組成物於基板上塗佈形成組成 物層的步驟。與對該組成物層照射活性能量線且與顯像液 9 312/發明說明書(補件)/93-09/93118〇65 1308992 JUN 2 3 2000 替換頁 接觸形成圖案的步驟、與將該組成物加熱的步驟為其特徵。 第二態樣中之半導體裝置及顯示元件係使用上述第二 態樣之正型感光性樹脂組成物所製作而成為其特徵。 第二態樣中之半導體裝置及顯示元件的製造方法係令 上述第二態樣之正型感光性樹脂組成物於半導體元件或顯 示元件用構材上塗佈成加熱後之膜厚為0.1〜50μιη,且預 烘烤、曝光、顯像、加熱而取得為其特徵。 【實施方式】 本發明所用之鹼可溶性樹脂(A )係於主鏈或側鏈具有羥 基、羧基、或磺酸基的樹脂。鹼可溶性樹脂(A)為聚苯并哼 唑構造、聚苯并唑前驅體構造、聚醯亞胺構造、聚醯亞 胺前驅體構造或聚醯胺酸酯構造,可列舉於主鏈或側鏈具 有羥基、羧基、或磺酸基的樹脂、曱酚型酚醛清漆樹脂、 聚羥基苯乙烯等。其中,以含有聚苯并哼唑構造、聚苯并 哼唑前驅體構造、聚醯亞胺構造、聚醯亞胺前驅體構造、 及聚醯胺酸酯構造中選取一種以上之構造的樹脂為隹,特 別 由最終加熱後之耐熱性觀點而言,以含有一般式(1 ) 所示構造的聚醯胺樹脂為佳 ΝΗ > 一 R-X(- ΝΉ C— ο 2)η1 R -γ ΝΗ1 ζ- ΝΗ Η Λα - - ΊΝ ci ο 2)nL R——Y (™ CI ο ⑴ 四價有機基 93118065 10 1308992 Μ 3日修(更)正替換頁 _____ —— —. JUN 2 3 2000 瞽換頁 Υ:二〜六價有機基 羥基、-0-R3、m為0〜2之整數,且可為相同或相異 R2:經基、缓基、_0-R3、~COO_R3、η為0〜4之整數’且可 為相同或相異 R 3:碳數1〜1 5個之有機基 (但,R >為非羥基時,R 2至少一者必須為羧基。又,R 2為 非羧基時,R i至少一者必須為羥基) Z :
—R4 —Si —Ο —Si —R5
I I r7 R7 (R4、R5:二價有機基、 r6、r7:—價有機基且可為相同或相異) a、b為表示莫耳分率,a + b = 100莫耳% a = 60〜1 00莫耳% b = 0〜40莫耳% 含有一般式(1 )所示構造之聚醯胺樹脂中的 X係表示二 〜四價有機基,Ri係經基或- O- R3,m係 0〜2之整數。各 個R〖可為相同或相異。一般式(1 )中之Y係表示二〜六價 有機基,R2係經基、缓基、-〇-R3或-C00_R3,η係0〜4之 整數。各個R 2可為相同或相異。此處,R 3係碳數1〜1 5個 11
93118065 1308992 识修(更}正替^ jun 2 3 zoos
i - — —.…^—— —— ....J 之有機基。但,Ri為非羥基時,R2至少一者必須為羧基, 又,R2為非羧基時,L至少一者必須為羥基。 含有一般式(1 )所示構造之聚醯胺樹脂係例如可令具有 X構造之二胺或雙(胺基酚),2, 4 -二胺基酚等中選出之化 合物、及視需要所配合之具有Z構造的聚矽氧二胺,與其 有Y構造之四羧酸酐、偏苯三酸酐、二羧酸或二羧醯二氣、 二羧酸衍生物、羥基二羧酸、羥基二羧酸衍生物等中選出 之化合物反應而取得。還有,於二羧酸之情形中為了提高 反應產率等,亦可使用令 1-羥基-1,2,3 -苯并三唑等預先 反應的活性S旨型之二叛酸衍生物。
於含有一般式(1 )所示構造之聚醯胺樹脂中,做為X取代 基的-0-R3、做為Y取代基的- 0- R3、- COO-R3係在調節羥基、 羧基對於鹼水溶液之溶解性的目的下,視需要令羥基、羧 基以碳數1〜1 5個之有機基R 3予以保護之基。R 3之例可列 舉曱醯基、甲基、乙基、丙基、異丙基、第三丁基、第三 丁氧幾基、苯基、节基、四氫D夫喃基、四氫D比喃基等。 令此聚醯胺樹脂以約2 5 0〜4 0 0 °C加熱且脫水閉環,以聚 醯亞胺、或聚苯并哼唑、或兩者共聚合之型式取得耐熱性 樹脂。 本發明之含有一般式(1 )所示構造之聚醯胺構造的 X係 可列舉例如下列物質,但並非限定於此。 12 93118065 1308992
式中 A 係 _CH2_、 _C(CH3)2-、 _0_、 _S-、 _S〇2-、 -CO-、 _ N H C 0 ~ ' _C(CF3)2-、或單鍵。
r8係表示烷基、烷酯基、鹵原子内選出之一者,且可分 別為相同或相異。r = 0〜2之整數。 又,R9係表示氫原子、烷基、烷酯基、鹵原子中選出之 一者。 其中特佳者為選自下列者,且亦可使用二種以上。
1308992
ο
(R,。係表示烷基、烷酯基、鹵原子内選出之一者,且可 分別為相同或相異。r = 0〜2之整數) 又,含有一般式(1 )所示構造之聚醯胺樹脂的 Y係可列 舉例如下列物質,但並非限定於此。
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 14 1308992
(式中 A:-CH2-' -C(CH3)2-、-0-、-S-、-S〇2-、-CO-、-NHCO-、 -C(CF3)2-、或單鍵。 R U係表示烷基、鹵原子内選出之一者,且可分別為相同或 相異。 r = 0〜2之整數) 其中特佳者為如下所選出者,且亦可使用二種以上。
cf3 15 312/發明說明書(補件)/93-09/93】18065 1308992
(Rl2係表示烧基、_原子内選出之一者,且可分別為相 或相異。r = 0〜2之整數) 又,於本發明中,由保存性之觀點而言,期望將終端 以封鎖(c a p)。於封鎖上可將具有至少一個烯基或炔基之 肪族基或具有環式化合物基之衍生物,對一般式(1 )所示 聚醯胺終端以酸衍生物或胺衍生物型式導入。具體而言 例如,令具有X構造之二胺或雙(胺基酚)、2,4 -二胺基 等中選出之化合物、及視需要所配合之具有Z構造的聚 氧二胺、與具有Y構造之四羧酸酐、偏苯三酸酐、二羧 或二羧醯二氯 '二羧酸衍生物、羥基二羧酸、羥基二羧 衍生物等中選出之化合物反應而取得之含有一般式(1 ) 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 同 予 脂 之 酚 矽 酸 酸 所 16 1308992 示構造之聚醢胺樹脂合成後,令該聚醯胺樹脂中所含之終 端的胺基,使用具有至少一個烯基或炔基之脂肪族基或含 有環式化合物基之酸酐或酸衍生物為以酿胺基型式予以封 鎖為佳。起因於與胺基反應後之具有至少一個烯基或炔基 之脂肪族基或含有環式化合物基之酸酐或酸衍生物之基可 列舉例如下列基,但並非限定於此。
HCII HC /c- h3c — h2c — c h3c — h2c —c. J. 'C - OHII 0 Η H h3c-c 二c- H2C -c Η Η II H3c-C 二 c- H2C -c
、C - OHII 0
h3c-cec- h2c 1 H3c-c三 C- h2c -C 〆(:- C-OHIIo C-OHIIo hc/H2C-〇\c^C·
hc、h2c-o/C\c-ohIIo Η H H3C—C— C-H,C—〇— H2C —〇 Η H h3c-c= c-h2c-o- H2c -O —C-^-C-CH — HO-C II o 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065
1308992
又,封鎖終端之化合物亦可使用二種以上。又,並 定於上述方法,亦可令該聚醯胺樹脂中所含之終端之 使用具有至少一個烯基或炔基之脂肪族基或含有環式 物基之胺衍生物為以醯胺基型式予以封鎖。 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 非限 酸, 化合 18 1308992 更且’視需要所使用之含有一般式(1 )所示構造之聚聽胺 樹脂的Z係可列舉例如下列者,但並非限定於此。 (CH2)3——Si ~0 ~Si— (CH2)3 CH, CH3 CH, I I 3 (CH2)4— Si-O—Si—(CH2)4 CH, CH,
CHI 3 CH,
I (CH2)3—~ Si — 0 — S丨i —(CH2)3 c6h5 c6h5 (CH2)3— S, —O -Si — (CH2) c6h5 c6h5
其中特佳者為選自下列者。 3 ] 2/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 ch3 ch,
I I —(叫一S丨i—〇1—(CH2)3 — ch3 ch3
又,z亦可使用二種以上。 含有一般式(1 )所示構造之聚醯胺樹脂之 z係例如對於 矽晶圓般之基板,特別需要優良密合性的情況中使用,其 使用比例b係最大至40莫耳%為佳。使用比例b若超過40 莫耳%,則樹脂的溶解性明顯降低,且發生顯像殘留(浮 潰),令圖案加工變難。 本發明所使用之重氮醌化合物(B )係具有 1,2 -苯醌二疊 氮化物或具有1,2 -萘醌二疊氮化物構造的化合物,為根據 美國專利說明書第2 7 7 2 9 7 5號、第2 7 9 7 2 1 3號、第3 6 6 9 6 5 8 號的公知物質。例如,可列舉下述物質。 20 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992
,各化合物中分別至少一個為
0 0
其中,特佳者為酚化合物與1,2 -萘醌-2-疊氮基-5-磺酸 或1,2 -萘醌-2 -疊氮基-4 -磺酸的酯類。其可列舉例如下述 物質,但並非限定於此。其等亦可使用二種以上。 21 312/發明說明書(補件)/93-09/93118〇65 1308992
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 22 1308992
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 24 1308992
,各化合物中分別至少一個為
本發明所用之重氮醌化合物(B )的配合量係相對於 溶性樹脂(A) 1 0 0重量份以1〜5 0重量份為佳。若低於 量份則無法取得良好的圖案,若超過5 0重量份則靈敏 大幅降低。 本發明之第一態樣中所用之含有-CH2〇H基的化合4 係不含有酚性羥基為其特徵。若使用不含有酚性羥基 有-C Η 2 0 Η的化合物(C ),則可取得高靈敏度、無浮渣 圖案化、硬化後之膜為低著色、更且低吸水的感光性 組成物。 上述化合物(C)係具有芳香環,且以於該芳香環直接 -CH2〇H基為佳。芳香環可列舉例如苯、萘、蔥等之芳 烴類、吡咯、吡啶等之雜芳香環等。上述化合物(C)係 聯苯、三聯苯等之具有芳香環彼此結合之骨架,亦可 苯基曱烷等之於二價以上之有機基具有結合芳香環 架。 312/發明說明書(補件)/93-09/931〗8065 驗可 1重 度會 7(C) 且含 且可 樹脂 結合 香族 可為 如二 的骨 25 1308992 又,上述化合物(C )係以具有二個以上-C Η2 0 Η基為特佳。 本發明之化合物(C )可列舉例如下列者,但並非限定於 此。還有,於下述式中,Rl3係表示氫原子 '烧基、院氧基、 羧基、酯基之任一者。
312/發明說明書(補件)/93-09/93118〇65 26 1308992 R 13 HOH2 丨
CH.OH ΗΟΗ2αΑ /CH2OH H〇H; R,
ch2oh ch3 CH, CH3 Rl3 HOH2 丨
ch2ch3R13 CH2OH h〇H2C^^/CH2OH C(CH3)3 (jHCH2CH3 CH3 HOH2 丨
x>
h3c^J^ch2oh
CHoOH HOH2 丨
R 13 hoh2g
CH,OH
hoh2 丨
CH,OH
HOH,C\ /CH2OH hoh2c
CH,OH
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 27 1308992
HOH
hoh2c ch3 ch3 ch2oh
HOH2G^ /CH2OH
h3 ch3 ^η3 R 13 HOH-
CH^ /CH,OH ch3 R 13
^-13 hoh2c
广 r]3 R13 ^13 H
CH2OH
干13 HOH2C^L/CH
CH CH3 R】3
CH2OH CH〇 CH, CH, HOH-
Ή, CH9OH
R
ch3 ch3 CH Rl3 R,3 尽13
CH3 hoh2c-< )-ch
CH,OH
HOH
ch3 ch3 CH; 尽13 R.3 尽13
HOH2C
CH,OH
HOH2 HO
CH,
CH2OH OH CH, 31 r發明說明書(補件)/93-09/93 n 8〇65 28 1308992
R, HOH-
CH,OH
CH3 CH.OH R, HOH-
CH,OH CH2OCH3
R 13 HOH,
ch2oh R 13
HOH^^r^CH2OH hoh2c^_^ r ch2oh R13~^^ )-ch2-^ ^Ri3 HOH〆 ~^ch2oh
HOH
HOH.C/ CH3 ,ch2oh hoh2c^ ch2oh 一 rI3 R13^^ ch2oh ΗΟΗ2σ" cf3 八 ch2oh ch2oh
hoh2c
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 29 1308992 於本發明中,不含有酚性羥基且含有-CH2〇H基 (C )的配合量係相對於鹼可溶性樹脂(A ) 1 0 0重量 1 0 0重量份為佳,以5〜5 0重量份之範圍更佳。 本發明第一態樣中使用不含有酚性羥基且含有 之化合物(C)的正型感光性樹脂組成物係在氧濃 以下、以320 °C、60分鐘之下,硬化之膜厚 長500nm之穿透率為40 %以上為佳,該穿透率若i 則透明性不夠充分,為不佳。 於本發明中,將配合成分於溶劑中溶解,以清漆 狀供使用。 本發明之第一態樣所使用的溶劑係可列舉有 ^ 吡咯烷酮、7 - 丁内酯、N , N -二甲基乙醯胺、二曱 二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二 醚、丙二醇單曱基醚、二丙二醇單曱基醚、丙二 醚醋酸酯、乳酸曱酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、1 丁二醇醋酸酯、1,3 -丁二醇-3-單曱醚、丙酮酸曱 酸乙酯、甲基-3 -曱氧基丙酸酯等,其可單獨或渴 另一方面,本發明之第二態樣中所使用之溶劑 上的混合溶劑(D ),此混合溶劑(D )係含有7 - 丁内 醇單烷醚者,7 -丁内酯及丙二醇單烷醚的合計量 量的70重量%以上。 γ - 丁内酯係對鹼可溶性樹脂、感光性重氮 劑,於本發明之第二態樣中為必要成分。本發明 樣所用的丙二醇單烷醚係作用為提高塗佈均勻性 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 之化合物 份以 1〜 -CH2〇H 基 度 10 ppm 薄膜的波 k 滿 4 0 % 5 (varnish) -曱基_2_ 基亞硬、 醇二丁基 醇單甲基 P 基-1,3- 酉旨、丙酮 ,合使用。 係二種以 西旨及丙二 為溶劑總 醌的良溶 之第二態 與減低浮 30 1308992 渣。丙二醇單烷醚可適當使用丙二醇單曱基醚、丙二醇單 乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚。其中,更佳 為丙二醇單曱基醚。丙二醇單烷醚係以使用總溶劑之 80 重量%以下為佳。若超過8 0重量%則塗佈後之膜厚均勻性反 而降低,有時由組成物引起感光性重氮s昆的析出等。 於混合溶劑(D)中,r -丁内酯與丙二醇單烷醚的配合比 例係以重量比1 : 9〜9 : 1為佳,以2 : 8〜8 : 2更佳。 本發明之第二態樣中,由達成高靈敏度之觀點而言,混 合溶劑(D )除了為7 - 丁内酯及丙二醇單烷醚以外,更且, 含有T - 丁内酯及丙二醇單烷醚以外之偶極矩為 3 . 5德拜 以上之溶劑為更佳。 上述偶極矩3 . 5德拜以上的溶劑可使用例如N -曱基-2 -°比咯烷酮、二甲基亞砜、環丁砜、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二曱基乙醯胺' ε -己内酯、乙腈、丙烯腈、苄腈、丁腈、 丁烯醛、碳酸乙二酯、曱醯胺、異丁腈、曱基丙烯腈、Ν-曱基乙醯胺、4 -甲基丁腈、Ν -甲基曱醯胺、戊腈、戊烷乙 月青、丙月l(propanenitrile)、丙月t(propionenitrile)、 2-吡咯烷酮、1 , 3 -二甲基-2 -咪唑,但並限定於此。其中較佳 為N -甲基-2-吡咯烷酮、二曱基亞颯、環丁砜。 上述偶極矩 3 . 5德拜以上之溶劑係使用總溶劑之3 0重 量%以下。若超過3 0重量%則易發生浮渣。又,偶極矩3. 5 德拜以上之溶劑係可使用一種或二種以上。 於本發明中,上述混合溶劑(D )係適當使用令感光性樹 脂組成物成為清漆狀者,其配合量並無特別限定。通常, 31 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 上述混合溶劑(D )的配合量係相對於鹼可溶性樹脂(A ) 1 0 0 重量份以1 Ο 0〜2 Ο Ο 0重量份之範圍。 又,於本發明之第二態樣中,為了進而作成高靈敏度, 故亦可併用上述不含有酚性羥基且含有- CH2〇H基的化合物 (C )或具有酚性羥基的化合物。其中,由可取得高靈敏度、 無浮渣且可圖案化、硬化後之膜為低著色、且為低吸水之 感光性樹脂組成物方面而言,於本發明之第二態樣中,亦 以進一步併用不含有上述酚性羥基且含有-CH2〇H基的化合 物(C )為佳。 另一方面,具有酚性羥基之化合物可列舉下述者等,但 並非限定於此。
CH,
Η〇-^δ)~<o)-〇h
Η〇-^(δ)- CH 2 0H -〇] HO—9H 0H OH OH CH;
32 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992
312/發明說明書(補件)/93-〇9/93118〇65 33 1308992
HI
H
H OH
Hc \ 3 /Hc
Ho H
H OH
CH:
CH: CHrC-CH, CHrC-CH, chch3 chch3
I I ch2ch3 ch2ch3 34 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992
35 1308992
312/發明說明書(補件)/93-〇9/93118〇65 36 1308992 HO HO 其中較
OH
具有酚 (A) 100 於本 整劑、 於本 不含有 之混合 為含有 單烧醚 正型感 案化、 性經基之化合物的配合量係相對於鹼可溶性樹脂 重量份以1〜3 0重量份為佳。 發明之正型感光性樹脂組成物中,視需要可添加平 石夕院偶合劑等之添加劑。 發明中,含有鹼可溶性樹脂(A )、重氮醌化合物(B)、 酚性羥基且含有-C Η 2 0 Η基的化合物(C )、二種以上 溶劑(D )所構成的正型感光性組成物,混合溶劑(D ) 7-丁内酯及丙二醇單烷醚者,7 -丁内酯及丙二醇 之合計量為溶劑總量之約7 0重量%以上為其特徵的 光性樹脂組成物係可取得高靈敏度、無浮渣且可圖 硬化後之膜為低著色、更且為低吸水、且、膜厚均 37 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 勻性優良之正型的感光性樹脂組成物。 本發明之正型感光性樹脂組成物的使用方法係首先令 組成物塗佈至適當的支撐體,例如,矽晶圓、陶瓷基板 鋁基板等。塗佈量係在半導體裝置之情況下,加熱後之 終膜厚為0 . 1〜5 0 // m、更佳為加熱後之最終膜厚為0 . 1 3 0 μ m。膜厚若未滿 0 . 1 // m,則難以充分發揮做為半導 元件之保護表面膜的功能,若超過 5 0 // m,則不僅難取 微細之加工圖案,且加工上耗費時間令處理量降低。塗 方法為使用自旋器的旋轉塗佈、使用喷霧塗層器的噴霧 佈、浸潰、印刷、輥塗佈等。 其次,於 6 0〜1 3 0 °C下預烘烤令塗膜乾燥,形成組成 層後,對指定的圖案形狀照射活性能量線。活性能量線 電磁波或放射線或具有此中間性質之能量線的總稱, 如,可使用X射線、電子射線、紫外線、可見光線等, 以200〜500nm之波長者為佳。 其次亦可進行後烘烤處理。進行後烘烤處理的溫度係 〜1 5 0 °C、時間為以1 0秒鐘至3 0分鐘之間實施。加熱係 使用熱板、或簡單烤爐、擴散爐等。 經由令未照射部與顯像液接觸並且溶解除去,則可形 浮雕(r e 1 i e f )圖型。顯像液可適當使用氫氧化鈉、氫氧 鉀、碳酸鈉、秒酸納、偏梦酸納、氨水等之無機驗類、 胺、正丙胺等之一級胺類、二乙胺、二正丙胺等之二級 類、三乙胺、甲基二乙胺等之三級胺類、二曱基乙醇胺 三乙醇胺等之醇胺類、氫氧化四曱基銨、氫氧化四乙基 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 該 、 最 體 得 佈 塗 物 係 例 但 60 可 成 化 乙 胺 、 銨 38 JUN 2 3 2008 替換頁 1308992 修(更)正替換更 等之四級銨鹽等之鹼類的水溶液、及於其中添加適當量之 曱醇、乙醇等之醇類等之水溶性有機溶劑或界面活性劑的 水溶液。顯像方法可為喷霧、攪拌、浸潰、超音波等之方 式。 其次,將顯像形成物的浮雕圖案予以洗滌。洗滌液可使 用離子交換水或蒸餾水。
其次若進行加熱處理,則鹼可溶性樹脂(A )為在含有聚苯 并哼唑構造、聚苯并哼唑前驅體構造、聚醯亞胺構造、聚 醯亞胺前驅體構造、及聚醯胺酸酯構造中選出一種以上之 構造的樹脂時,形成哼唑類及/或醯亞胺環,且取得富具耐 熱性之最終圖案。 於本發明中,經由使用上述本發明的感光性樹脂組成 物,則可於基板上,具有可形成圖案之高性能之樹脂膜的 特徵。其特徵的最大活用用途例係可列舉半導體裝置及顯 示元件。
半導體裝置中使用上述感光性樹脂組成物之樹脂膜的具 體用途例可列舉,於半導體元件上所形成的鈍化膜、缓衝 塗佈膜、於半導體元件上所形成之電路上所形成的層間絕 緣膜等。 又,於顯示元件中使用上述感光性樹脂組成物之樹脂膜 的具體用途例為 TFT(Thin Film Transistor)元件用層間 絕緣膜、TFT元件用平坦化膜、彩色濾光片用平坦化膜、 MVA(Multi-domain Vertical Alignment)型液晶顯示裝置 用突起、液晶顯示裝置用液晶定向膜、有機EL元件用陰極 39 93118065 1308992 間隔壁、有機EL元件用絕緣膜。其使用方法係根據半導體 用途,以上述方法於顯示元件用構材上之形成上述樹脂膜 等之指定位置,形成經圖案化之感光性樹脂組成物之硬化 物所構成的層。於顯示體裝置用途,特別對於層間絕緣膜 或平坦化膜,要求高透明性,於形成此感光性樹脂組成物 之硬化物所構成之層時,經由如實施例所述般導入後曝光 步驟,則可取得透明性優良的樹脂膜,於實用上為非常喜 好。 本發明之半導體裝置及顯示元件係除了使用前述感光性 組成物所製作,且具備前述組成物之硬化物所構成之層以 外並無特別限制,可採取各式各樣的構造,且可根據公知 的製造方法予以製造。 其中,將本發明之感光性樹脂組成物使用於半導體裝置 的應用例之一,為使用圖面說明對於具有凸起物之半導體 裝置的應用。圖1係本發明之具有凸起物之半導體裝置之 塾部分的放大剖面圖。如圖1所示般,石夕晶圓1為於輸出 入功率用之A1墊2上形成鈍化膜3,且於其鈍化膜3形成 裸孔。更且,於其上形成本發明之感光性樹脂組成物之硬 化物所構成的絕緣保護膜(缓衝塗佈膜)4,進而,令金屬 (Cr、Ti等)膜5為與A1墊2接續般形成,其金屬膜5為 由裸孔僅在焊料凸起物9周邊殘留且被蝕刻,使得各墊間 絕緣。於經絕緣之墊上以鍍層等方法作成金屬配線 6,並 於其上形成本發明之感光性樹脂組成物的硬化物所構成的 絕緣膜 7,於經由光加工所形成之裸孔上形成障礙金屬 8 40 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 和焊錫凸起物 9。使用本發明之感光性樹脂組成物所形成 的膜係無浮渣且可圖案化、低著色且低吸水,或者膜厚為 均勻,故可提供高信賴性的半導體裝置。 本發明之感光性樹脂組成物係不僅於半導體及顯示元件 用途,於做為多層電路之層間絕緣或可撓式貼銅板之覆蓋 塗層、防焊光阻膜或液晶定向膜等亦為有用。 如上述,若根據本發明之第一態樣,則可提供高靈敏度、 無浮渣且可圖案化、硬化後之膜為低著色、更且為低吸水 之正型的感光性樹脂組成物,使用該組成物之圖案狀樹脂 膜的製造方法、使用該組成物之半導體裝置及顯示元件、 及、此半導體裝置及顯示元件的製造方法。 又,若根據本發明之第二態樣,則可提供高靈敏度、無 浮渣且可圖案化、膜厚均勻性之優良的正型感光性樹脂組 成物、使用該組成物之圖案狀樹脂膜的製造方法、使用該 組成物之半導體裝置及顯示元件、及、此半導體裝置及顯 示元件的製造方法。 實施例 實施例系列I :本發明第一態樣的實施例 < <實施例I - 1 > > [聚醯胺樹脂的合成] 將對苯二甲酸0 . 9莫耳與間苯二甲酸0 莫耳與1 -羥基 -1,2 , 3 -苯并三唑 2莫耳反應所得之二羧酸衍生物 3 6 0 . 4 克(0.9 莫耳)與六氟-2 ,2 -雙(3 -胺基-4 -羥苯基)丙烷 3 6 6 . 3克(1莫耳),投入具備溫度計、攪拌機、原料投入口、 41 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 乾燥氮氣導入管之四口分離式燒瓶中,加入 N _曱基-2 -吼 咯烷酮3 0 0 0克令其溶解。其後使用油浴於7 5 °C中反應1 2 小時。 其次加入於N -曱基-2 -吡咯烷酮5 0 0克中溶解的5 -冰片 烯-2, 3 -二羧酸酐32.8克(0.2莫耳),再攪拌12小時令反 應終了。將反應混合物過濾後,將反應混合物投入水/曱醇 =3 / 1 (容積比)之溶液中且取得沈澱物。濾集並以水充分洗 淨後,於真空下乾燥,取得一般式(1 )所示、X為下述式 X - 1、Y為下述式Y - 1及Y - 2之混合物,且a = 1 0 0、b = 0的 目的聚醯胺樹脂(P A - 1 )。 [正型感光性樹脂組成物的製作] 將所合成之聚醯胺樹脂(P A - 1 ) 1 0 0克、下述構造之重氮 萘醌化合物(S-l)20克、下述構造之不含有酚性羥基且含 有-CH2〇H基之化合物克溶解於7 - 丁内酯後,以 0 . 2 // m之氟樹脂製濾紙過濾,取得感光性樹脂組成物。 [特性評估] 將此正型感光性樹脂組成物於矽晶圓上使用旋塗器塗佈 後,以熱板於1 2 0 °C下乾燥3分鐘,取得膜厚約5以m的塗 膜。對此塗膜透過凸版印刷(股)製光罩(測試圖案(T e s t Chart)No.l:將寬 0.88〜50#m之殘留圖案及抽出圖案予 以描繪),使用尼康(N i k ο η )(股)製之 i射線步進機 NSR4425i,由曝光量100mJ/cm2增至20mJ/cm2進行曝光。 其次於2 . 3 8 %之氫氧化四曱基銨水溶液中浸潰3 0秒鐘令曝 光部溶解除去後,以純水洗滌3 0秒鐘。其結果,可確認以 42 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 曝光量260mJ/cm2形成圖案,且解析度為5#m。 更且,以:淨化爐於1 5 0 °C / 3 0分鐘、3 5 Ot / 6 0分鐘、氮 氣環境下加熱,進行硬化。其次將所得之硬化膜於3 %之氟 化氫水中浸潰,將膜由矽晶圓上進行剝離。所得之膜以純 水充分洗淨後,歷6 0 °C / 5小時以烤爐乾燥。所得薄膜以分 光光度計測量波長5 0 0 n m的穿透率時,換算成膜厚5 # m, 為高透明之62%。 進一步令所得之膜以5 0 °C乾燥2 4小時後,以保持在2 3 °C之純水中浸潰乾燥後之膜的方法(根據 J I S - K 7 2 0 9 )測量 吸水率時,吸水率係低至0 . 2 8 %。 < <實施例I - 2 > > 除了使用1 5克Μ - 2代替實施例I - 1中之不含有酚性羥基 且含有_ C Η 2 0 Η基的化.合物Μ - 1以外’同實施例I _ 1處理取 得正型感光性樹脂組成物,且進行與實施例I - 1同樣之評 估。 < <實施例I - 3 > > 除了使用2 5克S - 2代替實施例I - 1中之重氮萘醌化合物 (S - 1 )以外,同實施例 I - 1處理取得正型感光性樹脂組成 物,且進行與實施例I - 1同樣之評估。 < <實施例I - 4 > > 於實施例 I - 1中之聚醯胺樹脂的合成中,使用二苯醚 -4,4 ’ -二羧酸1莫耳代替對苯二甲酸0. 9莫耳和間苯二曱 酸0.1莫耳,合成一般式(1)所示、X為下述式Χ-1、Υ為 下述式Υ-3、a=100、b = 0所構成的聚酿胺樹脂(ΡΑ-2)。其 43 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 月$日
jil:-替換I JUN 2 3 2008 替換頁 他為同實施例I -1處理取得正型感光性樹脂組成物,且進 行與實施例I - 1同樣之評估。 < <實施例I - 5 > > 將4, 4’-羥基二酞酸酐17.1克(0.055莫耳)和2 -曱基 -2 -丙醇1 3 · 0克(0 . 1 1 0莫耳)和吡啶1 0 · 9克(0 . 1 3 8莫耳) 裝入具備溫度計、攪拌機、原料投入口 、乾燥氮氣導入管 之四口分離式燒瓶中,加入N -甲基-2 -吡咯烷酮1 5 0克令 其溶解。於此反應溶液中將1 -羥基-1,2 , 3 -苯并三唑1 4 · 9 克(0 . 1 1 0莫耳)與N -甲基-2 -吡咯烷酮3 0克共同滴下後, 將二環己基碳化二醯亞胺2 2 · 7克(0 . 1 1 0莫耳)與N -曱基 -2 -吡咯烷酮5 0克共同滴下,並於室溫下反應一晚。 其後,於此反應溶液中將二苯醚-4,4 ’ -二羧酸1莫耳與 1 -羥基-1,2,3 -苯并三唑 2莫耳反應所得之二羧酸衍生物 (活性酯)2 7 · 1克(0 . 0 5 5莫耳)和六氟-2,2 -雙(3 -胺基-4 -羥苯基)丙烷44.7克(0.122莫耳)與N -甲基-2-吡咯烷酮 7 0克共同添加,且於室溫下攪拌2小時。其後除了使用油 浴以7 5 °C反應1 2小時以外同實施例I - 1反應,合成一般 式(1)所示、X為下述式X-l、Y為下述式Y-3及Y-4之混 合物、a = 1 0 0、b = 0之聚醯胺樹脂(P A - 3 )。其他為與實施例 I - 1處理取得正型感光性樹脂組成物,且進行與實施例I - 1 同樣之評估。 〈〈實施例I - 6 > > 將六氟-2, 2 -雙(3 -胺基-4-羥苯基)丙烷22.0克(0.06莫 耳)於N -甲基-2 - °比咯烷酮1 0 0克中溶解後,令N -甲基-2 - 44
93118065 1308992 吼咯烷酮8 0克中溶解的偏苯三酸氣2 5 . 3克(0 . 1 2莫耳)一 邊於 5 °C下冷卻一邊加入。更且加入°比°定 1 1 · 4 克(0 · 1 4 4 莫耳),並於2 0°C以下攪拌3小時。其次,加入4, 4 ’ -二胺 基二苯醚1 2 · 0克(0 · 0 6莫耳)後,於室溫下反應5小時。 其次將内溫升溫至8 5 °C ,並攪拌3小時。反應終了後,將 過濾之濾液投入水/曱醇二5 / 1 (容積比)且取得沈澱物。將其 濾集並以水充分洗淨後,於真空下乾燥,取得式(1)所示、 X為下述式X-1及Χ·2、Y為下述式 Y-5、a=100、b = 0所 構成的目的聚醯胺樹脂(PA-4)。其他為同實施例 1-1處理 取得正型感光性樹脂組成物,且進行與實施例I - 1同樣之 例施酚性例施造H例 。 較 實有光 較實構0施 估比 於含感 比於述H2實 評 v 不成 < 下-C與
入作 用有行 加,。 使含進 45 312/發明說明書(補件)/93-09/9311S065 1308992
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 46 1308992 S-2:
Μ- 1 : hoh2c: ^^ch2oh CH3〇-^>-CH2—(〇- 〇ch3
HOH^ ^CH2OH M-2 :
hoh2c CH2OH HOH2C/
HOH HO
CH
CH2OH 2-0-0H ^ch2oh 實施例I -1〜I - 6、比較例I - 1〜I - 2之配合量示於表I - 1, 及評估結果示於表1-2。 47
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 表I-l 配合量 驗可溶性樹脂 重氮萘醌 化合物(B) 含有-CH2OH之化合物 (c) l〇〇g 胺 酸 (g) (8) 實施例1-1 PA-1 X-l Y-l,Y-2 S-l 20 M-l 10 實施例1-2 PA-1 X-l Y-l,Y-2 S-l 20 M-2 15 實施例1-3 PA-1 X-l Y-l,Y-2 S-2 25 M-l 10 實施例1-4 PA-2 X-l Y-3 S-l 20 M-l 10 實施例1-5 PA-3 X-l Y-3,Y-4 S-l 20 M-l 10 實施例1-6 PA-4 X-l、X-2 Y-5 S-l 20 M-l 10 比較例1-1 PA-1 X-l Y-l,Y-2 S-l 20 無 比較例1_2 PA-1 X-l Y-l,Y-2 S-l 20 M-3 10 表1-2 特性 靈敏度 (mJ/cm2) 解析度 (U m) 浮渣之有無 穿透率 (%) 吸水率 (%) 實施例I-l 260 5 無 62 0.28 實施例1-2 240 3 無 66 0.29 實施例1-3 280 5 無 58 0.30 實施例1-4 260 5 無 60 0.55 實施例1-5 280 3 無 59 0.55 實施例1-6 280 5 無 57 0.59 比較例1-1 320 10 有 39 0.28 比較例1-2 300 7 無 35 0.61 不具有不含有酚性羥基且含有-ch2oh基之化合物(C)的 比較例I -1係靈敏度低,且發生浮渣,相對地,本發明之 實施例係高靈敏度,且無浮渣並可圖案化。更且,本發明 為穿透率高且低著色,解析度亦高。 若將鹼可溶性樹脂(A)與重氮醌化合物(B )相同的實施例 I -1及I - 2,與比較例I - 1及I - 2相比較,則使用含有酚性 經基之化合物的比較例 I - 2係較比較例 I - 1之靈敏度有若 干提高且無浮渣之發生,但顯然較使用不含有酚性羥基且 含有-C Η 2 Ο Η基之化合物(C )的實施例1及2的吸水性及穿 48 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992
L 」 JUH 2 3 20G8 替换頁 透性差 < <實施例I - 7 > > [顯示元件之製作與特性評估] 於玻璃基板上將ITO膜沈積形成後,以使用光阻之通常 的光微影法將此ITO膜分割成條紋狀。於其上,塗佈實施 例I - 1所得之正型感光性樹脂組成物,形成厚度約2 // m的 樹脂層。其次,使用平行曝光機(光源:高壓水銀燈)以曝光 強度25mW/cm2透過玻璃罩進行曝光1 0秒鐘。其後,將樹 脂層於2.3 8 %氫氧化四曱基銨水溶液中浸潰顯像2 0秒鐘, 則可令各條紋上之ITO邊緣以外的部分露出,進行加工成 僅於ITO之邊緣部與ITO之被除去部分上形成樹脂層般。 其後,對樹脂層整體使用曝光時所用的平行曝光機,以曝 光強度25mW/cm2進行後曝光40秒鐘後,使用熱風循環式 乾燥器且於空氣中以2 5 0 °C進行加熱硬化1小時。 於 此基板上,於1 X 1 (Γ4 P a以下之減壓下,沈積銅酞菁做
為正穴注入層、雙-N -乙基咔唑做為正穴輪送層後,將做為 發光層之 N,N’-二苯基-N,N’-間-甲苯醯基-4,4'-二胺基 -1,1 '-聯苯、做為電子注入層之三(8 -羥基喹啉)鋁以此順序 沈積。更且,於其上將做為第二電極的鋁層予以沈積形成 後,以使用光阻之通常的光微影法,將此鋁層依垂直上述 ITO膜條紋之方向上之條紋狀般予以分割。將所得之基板 減壓乾燥後,使用環氧系接黏劑將封合用玻璃板予以接 黏,作成顯示元件。將此顯示元件於8 0 °C下處理2 5 0小時 後,於兩電極加以電壓依序進行驅動,元件無任何問題地 49 93118065 1308992 發光。 實施例系列11 ;本發明之第二態樣的實施例 < <實施例11 - 1 > > [聚醯胺樹脂之合成] 將二苯醚-4,4’ -二羧酸 4.13克(0.016莫耳)、和卜羥基 -1 , 2,3 -苯并三唑4 · 3 2克(0 · 0 3 2莫耳)反應所得之二羧酸衍 生物的混合物(0 _ 0 1 6莫耳)與六氟-2,2 -雙(3 -胺基-4 -羥苯基) 丙烷7 · 3 3克(0 · 0 2 0莫耳)投入具備溫度計、攪拌機、原料 投入口、乾燥氮氣導入管之四口分離式燒瓶中,並加入N-曱基-2 -吼咯烷酮5 7 · 0克令其溶解。其後使用油溶以7 5 °C 反應1 2小時。其次加入於N -曱基-2 -吼咯烷酮7克中溶解 的5-冰片烯-2,3 -二羧酸酐1.31克(0.008莫耳),再攪拌12 小時令反應終了。將反應混合物過濾後,將反應混合物投 入水/曱醇=3 /1 (容積比)之溶液中,濾集沈澱物且以水充分 洗淨後,於真空下乾燥,取得目的之聚醯胺樹脂(A -1)。 [樹脂組成物之製作] 將所合成之聚醯胺樹脂(A -1 ) 1 0克、具有下述構造之感 光性重氮醌(B-l)2克,於7-丁内酯/丙二醇甲醚/ N-甲基 -2 - °比D各炫酮=5 0 / 2 0 / 3 0 (重量比)之混合溶液 2 0克中溶解 後,以0 . 2 # m之氟樹脂製濾紙過濾,取得正型感光性樹脂 組成物。 [顯像性評估] 將此正型感光性樹脂組成物使用旋塗器於8吋矽晶圓上 塗佈後,以熱板於1 2 0 °C下乾燥4分鐘,取得膜厚約1 0 # m 50 312/發明說明書(補件)/93 -09/93118065 1308992 的塗膜。所得塗膜之膜厚,於8吋晶圓之面内9點(參照圖 2 )測量膜厚時,膜厚之範圍(最大值-最小值)為 0· 0 6 // m(良好)。對此塗膜透過凸版印刷(股)製光罩(Test Chart Ν ο . 1 :將寬 0 · 8 8〜5 0 μ m之殘留圖案及抽出圖案予以描 繪),使用尼康(股)製i射線步進機NSR-4425i,由曝光量 100mJ/cm2逐步增至10mJ/cm2。其次,令2.38%之氫氧化四 曱基銨水溶液中顯像時之膜邊緣為 1 . 5 # m般調整顯像時 間,且將曝光部溶解除去後,以純水洗滌3 0秒鐘。觀察圖 案時,以曝光量 2 9 0 m J / c m2,確認無浮渣且可令圖案良好 開口 。其次,進行未曝光部之膜厚測量時,膜厚之範圍係 0 · 1 1 # m (良好)。 <<實施例 11_2〜11-10>> 使用實施例I I - 1所合成的聚醯胺樹脂(A - 1 ),且使用表 1記載之溶劑代替實施例I I - 1之[樹脂組成物之製作]中所 使用的 7 - 丁内酯/丙二醇甲醚/N-甲基-2 -吡咯烷酮 =5 / 2 / 3,且同實施例I I - 1取得正型感光性樹脂組成物,並 同實施例I I - 1進行評估。 < <實施例I I - 1 1 > > [聚醯胺樹脂之合成] 將4, 4’-羥基二酞酸酐17. 06克(0.055莫耳)和2 -甲基 -2 -丙醇8 _ 1 5克(0 · 1 1 0莫耳)和吼啶1 0 · 9克(0 · 1 3 8莫耳) 投入具備温度計、攪拌機、原料投入口 、乾燥氮氣導入管 的四口分離式燒瓶中,並加入N -曱基-2 -咄π各烧酮1 5 0克 令其溶解。於此反應溶液中將 1 -羥基-1 , 2,3 -苯并三唑 51 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 JUN 2 3 2908 替換頁 1308992 月巧曰降更)正替換頁^
14. 9克(0.110莫耳)與N -曱基-2-吡咯烷酮30克共同滴下 後,將二環己基碳化二醯亞胺2 2 · 7克(0 . 1 1 0莫耳)與N -曱基-2 -吡咯烷酮5 0克共同滴下,並於室溫下反應一晚。 其後,於此反應溶液中將二苯醚- 4,4’ -二羧酸1莫耳與1-羥基-1,2, 3 -苯并三唑2莫耳反應所得之二羧酸衍生物(活 性酯)2 7 . 1克(0 0 5 5莫耳)與六氟-2,2 -雙(3 -胺基-4 -羥苯 基)丙烷44. 7克(0.122莫耳)與N-甲基-2-吡咯烷酮70克 共同添加,且於室溫下攪拌2小時。其後使用油浴以7 5 °C 反應1 2小時。 其次加入於N -曱基-2 -吡咯烷酮2 0克中溶解的5 -冰片烯 -2 ,3 -二羧酸酐3.94克(0.024莫耳),再攪拌12小時令反 應終了。其他同實施例I I - 1進行再沈澱、精製,合成目的 之聚醯胺樹脂(A - 2 )。 [樹脂組成物之製作、顯像性評估]
將合成之聚醯胺樹脂(A - 2 ) 1 0克、具有下述構造之感光 性重氮醌(B-2)2克於r - 丁内酯/丙二醇甲醚/N -甲基-2-吡咯烷酮=5 0 / 2 0 / 3 0之混合溶液2 0克中溶解後,以0 . 2 // m 之氟樹脂製濾紙過濾,取得正型感光性樹脂組成物。將此 正型感光性樹脂組成物同實施例I I - 1進行評估。塗佈後之 膜厚範圍為 0. 0 8 # m。進行曝光、顯像時,以曝光量 3 0 0 m J / c m2,確認無浮渣且可令圖案良好開口。更且進行未 曝光部之膜厚測量時,膜厚之範圍為0 . 1 2 /z m (良好)。 < < 比較例 I I - 1、I I - 4 > > 使用表I I - 1記載之溶劑代替實施例 I I - 1所使用的T- 52 93118065 1308992 丁内酯/丙二醇曱醚/N -曱基-2-吡咯烷酮= 5/ 2/ 3,且同實施 例I I - 1進行評估。評估結果示於表II - 2。
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 53 1308992 表 I I-l 聚釅胺樹脂 溶劑1 溶劑2 溶劑3 溶劑4 溶劑混合比 (重量比) 實施例11 _ 1 A-1 GBL PGME NMP — 5:2:3 實施例11-2 A-1 GBL PGME NMP — 2:6:2 實施例Π _ 3 A-1 ~ GBL PGME NMP — 4:5:1 實施例11-4 A-1 GBL PGEE NMP — 5:3:2 實施例11-5 A-1 GBL PGME DMSO — 2:5:3 實施例11-6 A-1 GBL PGME DMSO — 5:3:1 實施例II-7 A-1 GBL PGME NMP DMSO 5:3:1:1 實施例Π-8 A-1 GBL PGME 環丁颯 — 5:3:1 實施例11-9 A-1 GBL PGME 一 — 5:5 實施例11 -10 A-1 GBL PGME — — 3:7 實施例11-11 A-2 GBL PGME NMP — 5:2:3 比較例II-1 A-1 GBL — — — — 比較例11-2 A-1 NMP 一 — — ~ 比較例II-3 A-1 DMS0 一 — — — 比較例Π-4 A-1 GBL 2-庚酮 — 一 5:5 比較例11_ 5 A-1 GBL PGME NMP — 3:2:5 GBL:7-丁内酯(4_1D) PGME :丙二醇單甲醚(2· 3D) PGEE :丙二醇單乙醚(2.1D) N Μ P : N -甲基-2 - 0比 0各完酮(4 · 1 D ) DMSO :二曱基亞颯(4· 3D) 2-庚酮(2. 6D) 環丁砜(4 · 8 D ) 此處,括號内為表示溶劑之偶極矩值。偶極矩係參考溶 劑手冊(講談社)、LANGE’ S HANDBOOK OF CHEMISTRY(McGRW-HILL BOOK COMPANY)。又,上述文獻中 無記載者係使用 WinMOPAC 3.0(富士通(股))計算最適構 造,且使用此時之偶極矩值。 54 312/發明說明書(補件)/93-09/93 ]】8065 1308992 表 I I -2 靈敏度 膜厚 之 範 圍( U m) 浮渣之有無 (m J / c m2) 塗佈後 顯像後 實 施 例 II- 1 290 0 . 06 0. 11 無 實 施 例 II - -2 290 0. 0 6 0. 12 無 實 施 例 II - -3 300 0.08 0. 15 無 實 施 例 II - -4 290 0. 07 0.14 無 實 施 例 II - 5 280 0.05 0.11 無 實 施 例 II - -6 300 0.06 0.14 無 實 施 例 II - -7 280 0.08 0.15 無 實 施 例 II - -8 280 0.09 0. 15 無 實 施 例 II - -9 320 0.06 0. 22 無 實 施 例 II- 10 330 0. 07 0. 19 無 實 施 例 II- 11 30 0 0.08 0. 12 無 比 較 例 II - 1 350 0.32 0.65 無 比 較 例 II - -2 280 0. 55 0. 98 有 比 較 例 II - -3 290 0. 68 1 . 02 有 比 較 例 II - -4 390 0. 06 0.15 無 比 較 例 II - -5 280 0.11 0.25 有 本 發 明第 二 態樣之實 施例 係 高 靈敏度、 無浮渣且可 化、且塗佈後及顯像後之膜厚均勻性優良。混合溶劑(D) 為T - 丁内醋及丙二醇單烧喊之合計量為溶劑總量的7 〇重 量%以上,而於含有r-丁内酯及丙二醇單烷醚以外之偶極 矩為3. 5德拜以上之溶劑時,靈敏度更高,且膜厚均勻性 優良方面亦變為明顯。 < <實施例I I -〗2 > > [顯示元件之製作與特性評估] 於玻璃基板上將ITO膜沈積形成後,以使用光阻之通常 的光微影法將此ITO膜分割成條紋狀。於其上,塗佈實施 例 11 - 1所得之正型感光性樹脂組成物,形成厚度約 2 # m 的樹脂層。其次,使用平行曝光機(光源:高壓水銀燈)以曝 光強度2 5 m W / c m2透過玻璃罩進行曝光1 0秒鐘。其後將樹 55 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 脂層於2.3 8 %氫氧化四曱基銨水溶液中浸潰顯像2 0秒鐘, 則可令各條紋上之ΙΤΟ邊緣以外的部分露出,進行加工成 僅於ΙΤΟ之邊緣部與ΙΤΟ之被除去部分上形成樹脂層般。 其後,對樹脂層整體使用曝光時所用的平行曝光機,以曝 光強度2 5 m W / c m2進行後曝光4 0秒鐘後,使用熱風循環式 乾燥器且於空氣中以2 5 0 °C進行加熱硬化1小時。 於此基板上,於 lxl(T4Pa以下之減壓下,沈積銅酞箐 做為正穴注入層、雙-N -乙基咔唑做為正穴輸送層後,將做 為發光層之 N,N’-二苯基-N,N'-間-甲苯醯基-4,4’-二胺基 -1,1 '-聯苯、做為電子注入層之三(8 -羥基喳啉)鋁以此順序 沈積。更且,於其上將做為第二電極的鋁層予以沈積形成 後,以使用光阻之通常的光微影法,將此鋁層依垂直上述 ITO膜條紋之方向上之條紋狀般予以分割。將所得之基板 減壓乾燥後,使用環氧系接黏劑將封合用玻璃板予以接 黏,作成顯示元件。將此顯示元件於8 0 °C下處理2 5 0小時 後,於兩電極加以電壓依序進行驅動,元件無任何問題地 發光。 雖然於上述僅詳細描述本發明之部分的模範具體例,但 熟悉本技術者在不離開本發明之新的教示和優點下,當可 對其模範具體例作各種修改。因此,所有此類修改均應被 包含於本發明之範圍中。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之具有凸起處之半導體裝置的墊部分的放 大剖面圖。 56 312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 1308992 圖2係8吋晶圓之膜厚的測定處所圖。 (元件符號說明) 1 矽晶圓 2 A 1墊 3 鈍化膜 4 緩衝塗佈膜 5 金屬(Cr, Ti等)膜 6 配線(A 1, C u等)
7 絕緣膜 8 障礙金屬 9 銲錫凸起物 11 8吋晶圓 12 測量處所(9處) 13 缺口
312/發明說明書(補件)/93-09/93118065 57

Claims (1)

1308992 丨f;年A月?3日修(更)正替換
侧2 3麵 替換享 拾、申請專利範圍: 1. 一種正型感光性樹脂組成物,其特徵為含有:鹼可溶 性樹脂(A ),係含有選自聚苯并哼唑構造、聚苯并哼唑前驅 體構造、聚醯亞胺構造、聚醯亞胺前驅體構造及聚醯胺酸 酯構造的一種以上構造,並於主鏈或側鏈具有羥基、羧基 或磺酸基;重氮醌化合物(B ),係具有 1,2 -苯醌二疊氮化 物構造或 1,2 -萘醌二疊氮化物構造;與化合物(C ),係不 含有酚性羥基且含有 2個以上-CH2〇H基,並具有與上述 -CH2〇H基直接結合之1個以上之芳香環。 2. 如申請專利範圍第1項之正型感光性樹脂組成物,其 中,鹼可溶性樹脂(A )為含有一般式(1 )所示構造的聚醯胺 樹脂
(R> (R2)n ~~(-NH—X—NH — C—Y——Z —NH- 0 Ο C—Y— I! O
X :二〜四價有機基 γ :二〜六價有機基 Ri:經基、m為0〜2之整數’且可為相同或相異 Rz:經基、缓基、-0-R3、_C00_R3’ η為0〜4之整數’且可 為相同或相異 R 3 :碳數1〜1 5個之有機基 (但,R!為非羥基時,R 2至少一者必須為羧基,又,R 2為 非羧基時,Ri至少一者必須為羥基) 93118065 58 1308992 日更J正替抆.W z : —R4 —Si —〇 —Si —R5 I I R7 R7 (r4、r5 :二價有機基 r6、r7:—價有機基且可為相同或相異) a、b為表示莫耳分率,a + b=100莫耳% a = 6 0〜1 0 0莫耳% b = 0〜4 0莫耳% ° 3 .如申請專利範圍第1項之正型感光性樹脂組成 中,令正型感光性樹脂組成物於氧濃度1 0 p p m以下、 °C、6 0分鐘下進行硬化之5 # m膜厚之薄膜之波長 的穿透率為40%以上。 4. 一種正型感光性樹脂組成物,為含有下述者: 性樹脂(A ),係含有選自聚苯并哼唑構造、聚苯并哼 體構造、聚醯亞胺構造、聚醯亞胺前驅體構造及聚 酯構造的一種以上構造,並於主鏈或側鏈具有羥基 或磺酸基;重氮醌化合物(B ),係具有 1,2 -苯醌二 物構造或1 , 2 -萘醌二疊化物構造;與二種以上之混 (D );其中,混合溶劑(D )為含有r - 丁内酯及丙二 醚,且7 - 丁内酯及丙二醇單烷醚之合計量為溶劑 7 0重量%以上。 93118065 物,其 約320 5 0 0 nm 驗可溶 唑前驅 醯胺酸 、羧基 疊氮化 合溶劑 單烷 量之 59 1308992 月3日修ί更丨正替換蒼 .如申請專利範圍第4項之正型感光性樹脂組成物,其 中,混合溶劑(D )為再含有7 内酯及丙二醇單烷醚以外 之偶極矩為3 . 5德拜以上的溶劑。 6 .如申請專利範圍第4項之正型感光性樹脂組成物,其 丙 中,丙二醇單烷醚為由丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚 二醇單丙醚及丙二醇單丁醚所組成群中選出。 7. 如申請專利範圍第5項之正型感光性樹脂組成物,其 中,上述偶極矩為3. 5德拜以上之溶劑為由Ν -甲基吡咯烷 酮、二甲基亞颯及環丁颯所組成群中選出。 8. 如申請專利範圍第4項之正型感光性樹脂組成物,其 中,鹼可溶性樹脂(A )為下述一般式〇)所示之構造 (Ri)m (R2)n (R2)n -c- II 0 •KH- (-NH—X—NH — C—Y—C —Z II ' a 0 0 X :二〜四價有機基 Y :二〜六價有機基 Ri:羥基、-0-R3,m為0〜2之整數,且可為相同或相異 尺2:經基、叛基、_0-R3、-COO-R3’ η為0〜4之整數’且可 為相同或相異 R 3 :碳數1〜1 5個之有機基 (但,R!為非羥基時,R 2至少一者必須為羧基,又,R 2為 非羧基時,R!至少一者必須為羥基) Ζ : 60 93118065 1308992
—R4 —Si —0 —Si —R5 I I R7 R7 (R 4、R 5 :二價有機基 r6、r7:—價有機基且可為相同或相異) a、b為表示莫耳分率,a + b=100莫耳% a = 6 0〜1 0 0莫耳% b = 0〜4 0莫耳%。 9. 一種圖案狀樹脂膜之製造方法,其特徵為,具有令申 請專利範圍第1項之正型感光性樹脂組成物於基板上塗佈 以形成組成物層的步驟、對該組成物層照射活性能量線且 與顯像液接觸形成圖案的步驟、以及將該組成物加熱的步 驟。 I 0. —種圖案狀樹脂膜之製造方法,其特徵為具有令申 請專利範圍第4項之正型感光性樹脂組成物於基板上塗佈 以形成組成物層的步驟、對該組成物層照射活性能量線且 與顯像液接觸形成圖案的步驟、以及將該組成物加熱的步 驟。 II . 一種半導體裝置,其特徵為,使用申請專利範圍第1 項之正型感光性樹脂組成物製作而成。 1 2. —種半導體裝置,其特徵為,使用申請專利範圍第4 項之正型感光性樹脂組成物製作而成。 1 3. —種顯示元件,其特徵為,使用申請專利範圍第 1 61 93118065 1308992 月兮曰修(更}正替換頁 項之正型感光性樹脂組成物製作而成。 1 4. 一種顯示元件,其特徵為,使用申請專利範圍第 4 項之正型感光性樹脂組成物製作而成。 15. —種半導體裝置之製造方法,其特徵為,令申請專 利範圍第1項之正型感光性樹脂組成物於半導體元件上以 加熱後之膜厚為0.1〜50#m般塗佈,並且予以預烘烤、曝 光、顯像、加熱而取得。 16. —種半導體裝置之製造方法,其特徵為,令申請專 利範圍第4項之正型感光性樹脂組成物於半導體元件上以 加熱後之膜厚為0.1〜50/zm般塗佈,並且予以預烘烤、曝 光、顯像、加熱而取得。 1 7. —種顯示元件之製造方法,其特徵為,令申請專利 範圍第1項之正型感光性樹脂組成物於顯示元件用構材上 以加熱後之膜厚為0. 1〜5 0 # m般塗佈,並且予以預烘烤、 曝光、顯像、加熱而取得。 1 8 . —種顯示元件之製造方法,其特徵為,令申請專利 範圍第4項之正型感光性樹脂組成物於顯示元件用構材上 以加熱後之膜厚為0 . 1〜5 0 # m般塗佈,並且予以預烘烤、 曝光、顯像、加熱而取得。 62 93118065
TW093118065A 2003-06-23 2004-06-23 Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device TWI308992B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003178408 2003-06-23
JP2003367316 2003-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200502688A TW200502688A (en) 2005-01-16
TWI308992B true TWI308992B (en) 2009-04-21

Family

ID=33422186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093118065A TWI308992B (en) 2003-06-23 2004-06-23 Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7238455B2 (zh)
EP (2) EP2381308B1 (zh)
KR (2) KR101059137B1 (zh)
CN (1) CN1573546B (zh)
SG (1) SG125127A1 (zh)
TW (1) TWI308992B (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5532200B2 (ja) * 2006-10-24 2014-06-25 住友ベークライト株式会社 ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子
KR101067056B1 (ko) * 2006-11-15 2011-09-22 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 감광성 수지 조성물, 절연막, 보호막 및 전자기기
JP4245074B1 (ja) * 2008-01-11 2009-03-25 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。
KR100914064B1 (ko) * 2008-03-19 2009-08-28 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
CN102016718B (zh) * 2008-05-07 2013-10-16 住友电木株式会社 正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜和绝缘膜以及使用它们的半导体装置和显示装置
WO2009145227A1 (ja) * 2008-05-29 2009-12-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物
EP2309329B1 (en) * 2008-07-22 2014-04-02 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-type photosensitive resin composition, cured film and its use as protective film, as insulating film, in semiconductor device and display device
EP2345933A4 (en) 2008-10-20 2013-01-23 Sumitomo Bakelite Co POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR SPRAY COATING AND PROCESS FOR PRODUCING THROUGH ELECTRODE USING THE SAME
KR101225957B1 (ko) * 2009-04-03 2013-01-24 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101247624B1 (ko) * 2009-04-08 2013-03-29 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101200140B1 (ko) * 2009-08-31 2012-11-12 금호석유화학 주식회사 포지티브형 감광성 조성물
KR101333698B1 (ko) 2009-11-10 2013-11-27 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR20120066923A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 제일모직주식회사 신규 페놀 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101423539B1 (ko) 2010-12-20 2014-07-25 삼성전자 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR20130035779A (ko) * 2011-09-30 2013-04-09 코오롱인더스트리 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물,이로부터 형성된 절연막 및 유기발광소자
KR101432603B1 (ko) * 2011-12-29 2014-08-21 제일모직주식회사 감광성 노볼락 수지, 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 이를 포함하는 반도체 소자
KR101636861B1 (ko) 2012-12-28 2016-07-06 제일모직 주식회사 표시장치 절연막용 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 표시장치 절연막 및 표시장치
EP2840123B1 (de) * 2013-08-23 2018-04-18 Ewald Dörken Ag Verwendung eines quellschweissmittels
CN106715597B (zh) * 2014-10-06 2022-03-01 东丽株式会社 树脂组合物、耐热性树脂膜的制造方法及显示装置
JP6658548B2 (ja) * 2015-01-23 2020-03-04 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、パターン硬化膜及び電子部品
WO2018021331A1 (ja) 2016-07-27 2018-02-01 東レ株式会社 樹脂組成物
KR20200037018A (ko) 2018-09-28 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치
CN113075862A (zh) * 2021-03-03 2021-07-06 长春人造树脂厂股份有限公司 抗蚀刻组合物

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE539175A (zh) 1954-08-20
US2772975A (en) 1955-07-08 1956-12-04 Geo Wiedemann Brewing Co Inc Injecting of hops in the brewing of beer
US3669658A (en) 1969-06-11 1972-06-13 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive printing plate
DE2931297A1 (de) 1979-08-01 1981-02-19 Siemens Ag Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen
US4931381A (en) * 1985-08-12 1990-06-05 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment
DE3662952D1 (en) * 1985-08-12 1989-05-24 Hoechst Celanese Corp Process for obtaining negative images from positive photoresists
EP0224680B1 (en) * 1985-12-05 1992-01-15 International Business Machines Corporation Diazoquinone sensitized polyamic acid based photoresist compositions having reduced dissolution rates in alkaline developers
JPH0743501B2 (ja) * 1986-04-24 1995-05-15 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版
JPS6446862A (en) 1987-08-18 1989-02-21 Fujitsu Ltd Bus controller
DE3835737A1 (de) * 1988-10-20 1990-04-26 Ciba Geigy Ag Positiv-fotoresists mit erhoehter thermischer stabilitaet
US5229246A (en) * 1990-02-20 1993-07-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photographic materials containing polysaccharides
JPH049852A (ja) * 1990-04-27 1992-01-14 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US5229245A (en) * 1991-07-26 1993-07-20 Industrial Technology Research Institute Positively working photosensitive composition
JP3039048B2 (ja) * 1991-11-01 2000-05-08 住友化学工業株式会社 ポジ型感放射線性レジスト組成物
US5296332A (en) * 1991-11-22 1994-03-22 International Business Machines Corporation Crosslinkable aqueous developable photoresist compositions and method for use thereof
JP2787531B2 (ja) * 1993-02-17 1998-08-20 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜
US5624781A (en) * 1993-05-28 1997-04-29 Kansai Paint Co., Ltd. Positive type anionic electrodeposition photo-resist composition and process for pattern formation using said composition
EP0632003B1 (en) * 1993-06-30 1998-01-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Novel phenol compounds containing methoxymethyl group or hydroxymethyl group
TW502135B (en) * 1996-05-13 2002-09-11 Sumitomo Bakelite Co Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same
US6207356B1 (en) * 1996-12-31 2001-03-27 Sumitomo Bakelite Company Limited Method for the pattern-processing of photosensitive resin composition
EP0908308A1 (en) * 1997-10-06 1999-04-14 Bayer Corporation Positive working radiation sensitive compositions containing a large proportion of carbon black which are laser imageable
JP3383564B2 (ja) * 1997-12-26 2003-03-04 株式会社東芝 パターン形成方法および感光性組成物
EP1096316A4 (en) * 1998-04-15 2001-07-04 Asahi Chemical Ind POSITIVELY WORKING RESIST COMPOSITION
JPH11312675A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3640290B2 (ja) * 1998-10-02 2005-04-20 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた表示素子用基材
JP3667184B2 (ja) * 1999-02-26 2005-07-06 住友ベークライト株式会社 半導体装置
JP4408984B2 (ja) * 1999-04-21 2010-02-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 芳香族ポリヒドロキシアミド
JP3931486B2 (ja) * 1999-06-24 2007-06-13 住友化学株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4154086B2 (ja) 1999-07-29 2008-09-24 日立化成工業株式会社 感光性重合体組成物、パターンの製造法及び電子部品
JP2001194796A (ja) 1999-10-29 2001-07-19 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
JP2001264968A (ja) * 2000-03-23 2001-09-28 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP3442049B2 (ja) * 2000-03-29 2003-09-02 住友ベークライト株式会社 耐熱性樹脂前駆体、耐熱性樹脂及び絶縁膜並びに半導体装置
DE60142844D1 (de) * 2000-10-31 2010-09-30 Intel Corp Positive lichtempfindliche harzzusammensetzung, prozess zu ihrer herstellung und halbleiterbauelemente
JP4082041B2 (ja) 2001-02-26 2008-04-30 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂前駆体組成物及びそれを用いた電子部品ならびに表示装置
JP3995962B2 (ja) * 2001-03-26 2007-10-24 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
KR20030043702A (ko) * 2001-11-26 2003-06-02 간사이 페인트 가부시키가이샤 폴리벤족사졸 전구체 및 그것을 이용하는 피복용 조성물
TW200300772A (en) * 2001-12-11 2003-06-16 Kaneka Corp Polyimide precursor, manufacturing method thereof, and resin composition using polyimide precursor
JP4333219B2 (ja) * 2002-05-29 2009-09-16 東レ株式会社 感光性樹脂組成物および耐熱性樹脂膜の製造方法
TWI288296B (en) * 2002-05-29 2007-10-11 Toray Industries Optically sensitive resin composition and heat durable resin film

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110027740A (ko) 2011-03-16
EP2381308B1 (en) 2015-07-29
TW200502688A (en) 2005-01-16
US20040259020A1 (en) 2004-12-23
CN1573546A (zh) 2005-02-02
CN1573546B (zh) 2010-06-23
EP1491952A3 (en) 2007-07-25
KR101059137B1 (ko) 2011-08-25
KR20050000351A (ko) 2005-01-03
US20050266334A1 (en) 2005-12-01
EP1491952A2 (en) 2004-12-29
EP1491952B1 (en) 2015-10-07
EP2381308A2 (en) 2011-10-26
EP2381308A3 (en) 2012-03-21
SG125127A1 (en) 2006-09-29
US7238455B2 (en) 2007-07-03
US7361445B2 (en) 2008-04-22
KR101072953B1 (ko) 2011-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI308992B (en) Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device
JP5626546B2 (ja) ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子
JPWO2008102890A1 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置
TW200947124A (en) Positive photosensitive resin composition, cured film, protection film and insulation film, and semiconductor device and display device therewith
KR20050016162A (ko) 폴리아미드 수지, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴상수지막의 제조 방법, 반도체 장치, 표시 소자, 및 반도체장치와 표시 소자의 제조 방법
JP4600644B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP2006126354A (ja) 感光性樹脂組成物及びパターン形成樹脂層の製造方法、並びに該感光性樹脂組成物を含む半導体装置及び表示素子
JP2005266189A (ja) 感光性樹脂組成物並びにそれを用いた半導体装置及び表示素子
JP4379153B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置または表示素子
JP2005062405A (ja) アルカリ可溶性感光性樹脂組成物及び樹脂層の形成方法
JP4325159B2 (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
JP2005060389A (ja) フェノール化合物、ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP4581511B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP4517723B2 (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子
JP2002341527A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
KR20110039441A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치
JP2005266420A (ja) 感光性樹脂組成物並びにそれを用いた半導体装置及び表示素子
JP3801379B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP4197213B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP4517792B2 (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP5691645B2 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置、および表示体装置
JP2005227654A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2009108074A (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置
KR20100014093A (ko) 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시 장치
JP2010282218A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示装置の製造方法