1305943 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於例如對半導體晶圓或LCD基板（液晶顯 示器用玻璃基板）等之基板進行阻劑液塗敷處理或曝光後 之顯像處理等之基板處理系統及基板處理方法。 【先前技術】 > 於半導體晶圓或LCD基板（液晶顯示器用玻璃基板 )等之製程中，對被處理體之基板形成特定之膜之後，塗 敷處理液之光阻劑（以下稱阻劑）形成阻劑膜之後，對應 於電路圖案進行阻劑膜之曝光，藉由稱爲顯像處理之微影 成像技術形成電路圖案。於該微影成像技術，基板經由只 要工程之洗淨處理—脫水烘乾—疏水化處理—阻劑塗敷— 前段烘乾—曝光θ顯像前烘乾β顯像—後段烘乾之一連串 處理而於阻劑層形成特定之電路圖案。 > 上述處理之進行通常使用，在進行阻劑塗敷或顯像之 塗敷顯像裝置，接續曝光裝置的阻劑圖案形成裝置。此種 裝置揭示於例如專利文獻1，於該裝置，如圖1 0所示，收 納有多數晶圓W的載具10被搬入載具區塊1Α之載具平 台1 1，載具1 0內之晶圓W藉由收付臂1 2被收付於處理 區塊1Β，之後被搬送至處理區塊1Β內之塗敷單元13Α， 進行阻劑塗敷，之後介由介面區塊1C被搬送至曝光裝置 1 D。 曝光處理後之晶圓W再度回至處理區塊1Β於顯像單 ’1305943 元13B進行顯像處理’回至原來之載具ι〇內。圖中之擱 板單元14a〜14c具備：在塗敷單元13A或顯像單元13B 之處理前後對晶圓W進行特定加熱處理或冷卻處理的加 熱單元及冷卻單元或收付平台等。其中，晶圓W，係藉由 處理區塊1B內設置之2個搬送手段15A、15B，於塗敷單 元13A、顯像單元13B與擱板單元14 (14a〜14c)之各部 等之處理區塊1B內’搬送於晶圓w被放置之模組間。 φ 但是，晶圓W被進行上述處理時，係依據預先設定 以何種時序、被搬送至哪一處理單元之搬送程序而被搬送 。該搬送程序依以下方式作成：例如藉由2個搬送手段 15A、15B依序搬送至進行晶圓w之曝光處理前之處理的 單元後，收付於介面區塊1C後，由介面區塊1C受取將曝 光處理後之晶圓W，依序搬送至進行曝光處理後之處理的 單元。如上述說明，搬送手段ΙδΑ、15B循環處理區塊1B 內1周而執行1個搬送週期，於每一搬送週期將載具10 φ 排出之新晶圓W搬送至處理區塊1B內。 專利文獻1:特開2004 — 193597號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 於上述搬送程序係針對進行處理之各晶圓W之各個 預先決定搬送之單元之順序。但是，同一單元內或跨越多 數單元可以進行同一處理的同構造之模組被搭載多數個時 ，實際上由那一模組搬送至那一模組通常並未被固定分配 1305943 。例如’關於塗敷單元13A至擱板單元14a〜14c之晶圓 W搬送，分別搭載有進行塗敷處理或加熱處理的多數模組 時’彼等塗敷處理或加熱處理模組間之搬送之具體分配通 常未被進行，其理由爲，爲提升作業效率，因而塗敷模組 之處理結束後之晶圓W，係由多數熱處理模組之中空的模 組依序被搬入，亦即採取彈性分配。 依據該彈性分配方法，例如熱處理後晶圓W因爲塗 敷處理引起不良（膜厚異常等）時，難以界定該晶圓W 由那一塗敷模組被搬送。亦即，存在著難以界定具有不良 情況之搬送源模組的問題。另外，進行上述彈性之晶圓搬 送時，有可能搬送臂之移動距離變長，晶圓之處理數量大 時，搬送作業變爲無效率，亦即存在作業效率低之問題。 本發明係爲解決上述問題，目的在於提供一種具備多 數個模組之基板處理系統，該模組係對多數基板進行涵蓋 多數工程之葉片式處理之同時，於連續處理工程之中進行 各個處理者，於基板發生不良時，容易界定引起該不良的 處理裝置，而且基板之處理片數大量時可抑制作業效率之 降低的基板處理系統及基板處理方法。 (用以解決課題的手段） 爲解決上述問題，本發明之基板處理系統係具備多數 個模組，該模組爲對多數基板進行涵蓋多數工程之葉片式 處理之同時，於連續處理工程之中進行各個處理者；其特 徵爲：具備：基板搬送手段，將上述基板自搬送源模組搬 1305943 ‘ 送至搬送對象模組；及控制手段，依據用於決定搬送源與 搬送對象之模組分配方法的至少2個搬送模態之任一，而 控制上述基板搬送手段；上述控制手段，於上述基板之處 理工程中，接受上述搬送模態之切換指令時，係由執行中 之搬送模態切換爲其他之搬送模態，依據切換之搬送模態 ，將基板搬送至上述基板搬送手段。 又，較好是’至少上述搬送模態之一爲，1個或多數 搬送源模組所對應之1個或多數搬送對象模組在特定條件 下預先以固定方式被分配之模態。較好是，上述特定條件 之一爲，搬送源之模組起之搬送距離爲更短的模組。 又’較好是，至少上述搬送模態之一爲，由空的搬送 對象之模組起優先搬送的分配模態。 爲解決上述問題，本發明之基板處理方法於基板處理 系統被執行者，該基板處理系統具備多數個模組，該模組 對多數基板進行涵蓋多數工程之葉片式處理之同時，於連 續處理工程之中進行各個處理者：其特徵爲：執行以下步 驟：依據用於決定搬送源與搬送對象之模組分配方法的至 少2個搬送模態之任一，而搬送上述基板的步驟；及於上 述基板之處理工程中，接受上述搬送模態之切換指令時， 由執行中之搬送模態切換爲其他之搬送模態，依據切換之 搬送模態，而搬送基板的步驟。 又，較好是，至少上述搬送模態之一爲，1個或多 數搬送源模組所對應之1個或多數搬送對象模組在特定條 件下預先以固定方式被分配之模態。較好是，上述特定條 -8- 1305943 件之一爲，搬送源之模組起之搬送距離爲更短的模組。 又，較好是，至少上述搬送模態之一爲，由空的搬送 對象之模組起優先搬送的分配模態。 依據上述構成，例如作爲基板之搬送模態，執行以由 空的搬送對象之模組起優先搬送而被分配的彈性模態時， 於搬送對象之任一模組發生不良時，藉由切換爲搬送源與 搬送對象被預先固定分配之搬送模態，則容易界定發生不 > 良之搬送源模組。此情況下，可停止該發生不良之模組之 稼動，藉由回復彈性模態可繼續進行對多數基板之處理。 又，作爲基本之搬送模態，執行彈性模態時，處理之 基板片數多時，藉由切換爲搬送源與搬送對象被預先固定 分配之搬送模態’則可以將各基板之搬送路徑固定爲短路 徑，可抑制作業效率之降低。 【實施方式】 以下依據圖面說明本發明實施形態。 圖1-圖3爲本發明之基板處理系統及基板處理方法 適用之阻劑圖案形成裝置之全體構成圖。圖1爲COT層 處理部之平面圖。圖2爲槪略斜視圖。圖3爲槪略側視圖 〇 該阻劑圖案形成裝置1 0 0，如圖2所示，具備··載具 區塊S 1 ’用於搬出入以密閉式收納有多數基板之晶圓w 的載具20;處理區塊S2’由多數、例如5個單位區塊B1 〜B 5以縱配列構成；介面區塊S 3 ;及曝光裝置S 4。 1305943 於前述載具區塊si設有：可載置多數載具20的載置 台2 1 ;由該載置台2 1觀察、設於前方壁面的開關部22 ; 介由開關部22，由載具20取出晶圓W之作爲搬送手段的 傳送臂C。該傳送臂C構成爲，可於後述處理區塊S2之 收付平台TRS 1、2、一 F之間進行晶圓W之收付的方式， 可自由進退、可自由升降、可於垂直軸周圍自由旋轉、可 於載具20支配列方向自由移動。 於載具區塊S 1之深側連接以筐體24包圍周圍的處理 區塊S2。如圖2、3所示，此例之處理區塊S2係下段側 之2段爲進行顯像處理用的第1及第2單位區塊（DEV層 )B 1、B2。作爲塗敷膜形成用之單位區塊，分配有：於阻 劑膜上層側形成抗反射膜用的第3單位區塊（TCT層）B3 ，進行阻劑液之塗敷處理的第4單位區塊（COT層）B4， 及於阻劑膜下層側形成抗反射膜用的第5單位區塊（BCT 層）B 5。 說明處理區塊S2之第1〜第5單位區塊B1〜B5之構 成。彼等單位區塊B 1〜B5具備：對晶圓W塗敷藥液的液 體處理單元，及於上述液體處理單元進行處理之前處理及 後處理之進行用各種加熱、冷卻系之處理單元，及於上述 液體處理單元與加熱、冷卻系之處理單元間進行晶圓W 之收付用的專用之基板搬送手段的主臂部A 1〜A5。 此例中，彼等單位區塊B 1〜B5以大略同樣佈局構成 ，因此以圖1之COT層B4加以說明。於該COT層B4之 大略中央，於圖中γ軸方向形成晶圓W之搬送區域R1用 -10-
、1305943 於連接載具區塊si與介面區塊S3。 於搬送區域R1之由載具區塊S1側觀察到的兩 由前方側（載具區塊S1側）朝向深部側的右側， 述液體處理單元而設置塗敷單元31，其具備阻劑塗 用之多數（例如3個）塗敷模組；於塗敷單元31 側設置收納單元4D構成退避用第1基板收納部。 單元4D具備多數載置平台，可收納和單位區塊B42 W之收納片數對應之片數之晶圓W。 又，在由COT層B4之前方側朝向深部側的右個 側，依序設置多段化之加熱、冷卻系單元的5個擱| U1〜U5，構成爲將塗敷單元3 1進行之處理的前處 處理之進行用各種單元積層多段、例如2段。如此貝 述搬送區域R1被區隔，例如於該被區隔之搬送區域‘ 出洗淨空氣使排氣而抑制該區域內之微粒之浮游。 於上述前處理及後處理之進行用各種單元中，传 4之斜視圖所示，包含：阻劑塗敷前調整晶圓W至， 度的冷卻單元（COL4 )，阻劑塗敷後進行晶圓W二 處理的稱爲前段烘乾單元等之加熱單元（CHP4 )， 擇性曝光晶圓W之邊緣部的周緣曝光裝置（WEE) | 又，冷卻單元（COL4 )或加熱單元（CHP4 )笔 模組分別收納於處理容器5 1內，擱板單元U 1〜U5 爲將處理容器51積層2段而成，在面臨各處理容器 搬送區域R1的面形成晶圓搬出入口 52。 COT層以外之擱板單元之模組構成如圖5所示 卜在 :爲上 〔處理 :深部 Μ欠納 晶圓 !1之左 ί單元 !及後 J，上 R1噴 U如圖 ί定溫 L加熱 僅選 F ° 5之各 構成 51之 ’圖5 -11 - 1305943 爲擱板單元U1〜U5由搬送區域R1側看到之圖。如圖示 ，TCT層B3爲和COT層B4同樣構成，BCT層B5亦爲和 COT層B4大略同樣構成，於DEV層Bl、B2，具備：對 曝光後之晶圓W進行加熱處理的稱爲後段曝光烘乾單元 等之加熱單元（PEB1、PEB2 )，於加熱單元（PEB1、 PEB2 )處理後調整晶圓W至特定溫度的冷卻單元（COL1 ' COL2)，及對顯像處理後之晶圓W使飛濺水分進行加 熱處理的稱爲後段供乾單元等之加熱單元（posti、 POST2)。 加熱單元（CHP3 〜5、POST1、2、PEB1、2)，係例 如圖1所示，具備加熱板53，及兼作爲搬送臂的的冷卻板 5 4。亦即，可於1個模組進行加熱處理及冷卻處理，例如 於COT層B4，冷卻板54可構成爲，進行主臂部A4與加 熱板53之間之晶圓W之收付。又，冷卻單元（COL1〜5 )可用例如具備水冷式冷卻板構成之裝置。 又，圖5所示構成爲彼等處理單兀之佈局之一例，該 佈局僅爲一例，處理單元不限定於加熱單元（CHP、PEB ' POST)、冷卻單元（COL)、周緣曝光裝置（WEE)。 例如於塗敷膜形成用單位區塊B 3〜B 5之任一設置用於提 升阻劑液與晶圓W之密接性而於Η M DS環境中進行氣體 處理的疏水化處理單元（ADH )亦可。設置其他處理單元 (ADH )亦可。於實際裝置考慮各處理單元之處理時間等 而決定單元之設置數。 於COT層，如上述說明，於搬送區域R1設置主臂部 -12-
' 1305943 A4，該主臂部A4構成爲’可於COT層B4之全部模 放置晶圓w之處）、例如擱板單元U1〜U5之各處理 、塗敷單元31、收納單元4D、後述之擱板單元U0 板單元U 7之各部之間進行晶圓W之收付，因此構成 自由進退、可自由升降、可於垂直軸周圍自由旋轉、 Y軸方向自由移動。 具體言之爲，如圖4所示，主臂部A4具備2個 101、102可支撐晶圓 W之背面側周緣區域，彼等 101、102構成爲可沿基台103互爲獨立自由進退。 該基台103構成爲，藉由旋轉機構104可於垂道 圍自由旋轉之同時，藉由移動機構105可沿著面對支 板單元U1〜U5的台部106之搬送區域的面上被安裝 軸軌條107，於Y軸方向自由移動，而且可沿著升降 108自由升降。如上述說明，臂部101、102構成爲用 進退、可自由升降、可於垂直軸周圍自由旋轉、可於 方向自由移動，可於擱板單元U1〜U7之各收付平台 〜TRS 1 0、液體處理單元、收納單元4之間進行晶圓 收付。 搬送區域R1之鄰接載具區塊S1的區域，成爲第 圓收付區域R2，如圖1、3所示，於該區域R2，在偈 C及主臂部A4可取用位置設置擱板單元U6之同時， 1所示，具備第1收付臂部D1可對擱板單元U6進f W之收付。 如圖1〜圖3所示，擱板單元U6，以可於各單 組（ 單元 與擱 爲可 可於 臂部 臂部 軸周 撐擱 之Υ 軌條 自由 Υ軸 TRS 1 W之 1晶 送臂 如圖 晶圓 區塊 -13- '1305943* B 1〜B 5之主臂部A 1〜A 5之間進行晶圓W之收付的方式 ，此例中於各單位區塊B 1〜B5具備1個以上、例如2個 之第1收付平台TRS1〜TRS5。該第1收付臂部D1構成 爲可自由進退 '可自由升降，可對各第1收付平台TRS1 〜TRS5進行晶圓W之收付。 第1及第2單位區塊B1〜B2之第1收付平台TRS1〜 TRS2，此例中構成爲可於傳送臂C之間進行晶圓W之收 付。又，此例中第2單位區塊B2具備例如2個之第1收 付平台TRS — F，該第1收付平台TRS — F亦可設於第1單 位區塊B 1。不另外設置該收付平台TRS — F，由傳送臂C 將晶圓W搬入處理區塊S2時，使用第1收付平台TRS 1 〜TRS2進行亦可。 搬送區域R1之鄰接介面區塊S3的區域，成爲第2晶 圓收付區域R3，如圖1、3所示，於該區域R3’在主臂部 A4可到達之位置設有擱板單元U7之同時’如圖1所示’ 具備對該擱板單元U7進行晶圓W之收付的第2收付臂部 D2。 如圖1~圖3所示，擱板單元U7，以可於各單位區塊 B 1〜B 5之主臂部A 1〜A 5之間進行晶圓W之收付的方式 ，此例中於各單位區塊B 1〜B 5具備1個以上、例如2個 之第2收付平台TRS6〜TRS 1 0。該第2收付臂部D2構成 爲可自由進退、可自由升降，可對各收付平台TRS 6〜 TRS10進行晶圓W之收付。 如上述說明，本實施形態中’係於各單位區塊B 1〜 -14- 1305943 * B5之間，藉由第1收付臂部D1及第2收付臂部D2，分 別介由第1收付平台TRS1〜TRS5與TRS — F、第2收付 平台TRS6〜TRS10，構成爲可自由進行晶圓W之收付。 又，如圖1及2所示，於處理區塊S2之擱板單元U7 之深部側，介由介面區塊S3連接曝光裝置S4。於介面區 塊S3具備對處理區塊S2之擱板單元U7及曝光裝置S4進 行晶圓W之收付的介面臂部B。該介面臂部B構成存在於 處理區塊S2與曝光裝置S4之間的晶圓W之搬送手段， 此例中，如圖3所示，以可對各單位區塊B1〜B4之第2 收付平台TRS6〜9進行晶圓W之收付的方式，構成爲可 自由進退、可自由升降、可於垂直軸周圍自由旋轉。又， 該介面臂部B，亦可構成爲，對全部單位區塊B1〜B5之 第2收付平台TRS6〜10進行晶圓W之收付。 以下針對在該阻劑圖案形成裝置1 0 0以葉片式處理之 晶圓W之流程，以於阻劑膜上下分別形成抗反射膜爲例 予以說明。首先，載具20由外部被搬入載具區塊S1，藉 由傳送臂C由該載具20內取出晶圓W。晶圓W由傳送臂 C被傳遞至擱板單元U6之第1收付平台TRS—F，之後， 爲藉由第1收付臂部D1將晶圓W傳遞至BCT層B5，介 由擱板單元U6之第1收付平台TRS被傳遞至BCT層B5 之主臂部A5。之後’於BCT層B5，藉由主臂部A5依序 搬送至冷卻單元（COL5)—第1抗反射膜形成單元（未 圖示）—加熱單元（CHP5)—擱板單元U7之第2收付平 台TRS10，形成第1抗反射膜。 -15- •1305943 之後，第2收付平台TRS10之晶圓W藉由第2收付 臂部D2搬送至擱板單元U7之第2收付平台TRS9，晶圓 w傳遞至COT層B4之後，被傳遞至COT層B4之主臂部 A4。於COT層B4 ’藉由主臂部A4依序搬送至冷卻單元 (COL4) —·塗敷單元31~»加熱單元（CHP4)擱板單元 U6之第1收付平台TRS4’於第1抗反射膜上層形成阻劑 膜。 之後’第1收付平台TRS4之晶圓w，藉由第1收付 臂部D1搬送至第1收付平台TRS3，晶圓W傳遞至TCT 層B3，被傳遞至TCT層B3之主臂部A3。於TCT層B3， 藉由主臂部A3依序搬送至冷卻單元（COL3)—第2抗反 射膜形成單元（未圖示）—加熱單元（CHP3)—周緣曝 光裝置（WEE)—擱板單元U7之第2收付平台TRS8，於 阻劑膜上層形成第2抗反射膜。之後，第2收付平台 TRS8之晶圓W，藉由介面臂部B搬送至曝光裝置S4，於 此進行特定之曝光處理。 曝光處理後之晶圓W，藉由介面臂部B搬送至擱板單 元U7之第2收付平台TRS6 ( TRS7 )，俾能使晶圓W傳 遞至DEV層B1 (DEV層B2)，該平台TRS6(TRS7)上 之晶圓W被受取於DEV層B 1 ( DEV層B2 )之主臂部A1 (主臂部A2 ) ’於DEV層B1 ( DEV層B2 )，依序搬送 至加熱單元（PEB1(PEB2))—冷卻單元（C0L1(C0L2 ))—顯像單元（未圖示）—加熱單元（POST1 (POST2 ))，進行特定之顯像處理。顯像處理後之晶圓W，被搬 -16- 1305943 送至擱板單元U6之第1收付平台TRSl (TRS2)，俾能 使晶圓W傳遞至傳送臂C，藉由傳送臂c回復至載具區塊 S1載置之原來之載具20。 以下針對該阻劑圖案形成裝置1 0 0之搬送控制予以說 明。如圖1所示，該阻劑圖案形成裝置1 〇 〇具備之搬送臂 部（基板搬送手段），亦即例如第1收付臂部D1、第2 收付臂部D2、主臂部A4、傳送臂C、介面臂部B等之動 作，係藉由電腦構成之控制部6 (控制手段）予以控制。 如圖6之方塊圖所示，於控制部6，係於記憶手段6A 記錄例如搬送順序主程式6 1，及固定分配資訊6 2。於此 ’搬送順序主程式6 1爲進行阻劑圖案形成裝置丨〇 〇具備 之搬送臂之控制，執行晶圓W搬送的程式，而以何種處 理順序進行搬送則由外部輸入之搬送處理程序予以決定。 該搬送順序主程式6 1，係採用彈性模態作爲搬送源與 搬送對象之模組分配方法之基本模態，彈性模態係指，於 連續處理工程中’具備多數進行各個工程處理的模組時， 使搬送源模組之處理結束後的晶圓W，優先搬送至空的搬 送對象模組的搬送模態，亦即，依據該模態，爲能縮小搬 送之等待時間’在晶圓之處理片數非大量時可以期待作業 效率之提升。 又’固定分配資訊62爲，由外部輸入之上述搬送處 理程序資訊，及各模組之配置資訊作成的資訊，搬送源模 組對應之搬送對象模組於特定條件下預先被固定分配的資 訊。 -17- •1305943 具體言之爲’在由塗敷模組至加熱模組之搬送中，假 設塗敷模組有3台，加熱模組有6台，於上述固定分配資 訊62之中預先對各塗敷模組固定分配例如2台之加熱模 組，分配條件較好是搬送距離變爲越短之對應關係之分配 。結果，晶圓W由各塗敷模組被搬送至分配之2台加熱 模組之中任一。 又，此例中對1台塗敷模組分配2台之加熱模組，依 | 據搬送源與搬送對象之各個模組而決定個別對應之模組數 之比率。 又，該固定分配資訊62，使用於搬送順序設爲固定分 配模態時。亦即，固定分配模態係指，針對各晶圓 W，1 個或多數搬送源模組對應之1個或多數搬送對象模組於特 定條件下預先被固定分配的搬送模態。 於該固定分配模態執行時，例如藉由外部對控制部6 輸入模態切換指令，使固定分配資訊62連結於搬送順序 | 主程式6 1而切換爲彈性模態予以執行。 以下更具體說明搬送源與搬送對象模組之分配例，於 本實施形態中，於COT層B4，塗敷單元3 1具有例如3台 塗敷模組，擱板單元U 1〜U5具有6台加熱單元（加熱模 組）CHP4。於塗敷單元3 1之任一模組被施予塗敷處理的 晶圓W，藉由主臂部A4被搬送至任一加熱單元CHP4之 模組。依據圖7 - 9說明該情況下之搬送源與搬送對象模 組之分配例。圖7爲搬送模態之選擇動作之流程圖。圖8 爲彈性模態之搬送源與搬送對象之模組分配例。圖9爲固 -18- 1305943 定分配模態之搬送源與搬送對象之模組分配例 如圖8、9所示，塗敷單元3 1爲搭載有3 模組SP1〜S3者，加熱單元CHP4爲搭載有6 模組CHP4A〜CHP4F者。處理之晶圓W之片婁 於圖8、9，於晶圓W上爲方便而依據搬送至I 之順序附加編號。 首先，控制部6針對各晶圓W之處理工 號被決定的搬送處理程序資訊予以讀取（圖7 )，之後，讀取模組配置資訊（圖7之步驟 配置資訊爲，表示各模組設於那一位置的資訊 敷單元31之塗敷處理模組SP1〜S3之各個配 加熱處理模組CHP4A〜CHP4F之各個配置資訊 之後，控制部6依據步驟S 1、S 2讀取的 固定分配資訊6 2 (圖7之步驟S 3 )。如上述 定分配資訊62爲搬送源之塗敷處理模組SP 1， 對象之加熱處理模組CHP4A〜CHP4F之對應 之資訊。 之後，控制部6依據步驟S1讀取的搬送 送順序主程式6 1，藉由基本模態之彈性模態開 W之搬送（圖7之步驟S4 )。於該彈性模態 圖8所示，係於塗敷單元31之模組SP1〜S3 處理被執行之順序進行晶圓W對加熱處理單元 送，此時CHP4A〜CHP4F之中未稼動之模組 動距離較短的模組優先被進行搬送。 台塗敷處理 台加熱處理 ί[爲21片， i敷單元31 程之順序編 之步驟S 1 S2)。模組 ，此例爲塗 置資訊，及 〇 資訊，作成 說明，該固 - S3與搬送 預先被固定 程序執行搬 始執行晶圓 執行時，如 ，依據塗敷 CHP4之搬 、搬送之移 -19- * 1305943 於搬送順序主程式61執行中，搬送順序之模態切換 指令被輸入時（圖7之步驟S 5 )，程式將搬送順序由彈 性模態切換爲固定分配模態，繼續執行基板之搬送（圖7 之步驟S6 )。該固定分配模態依據固定分配資訊62被執 行時，例如圖 9所示，SP1處理之晶圓 W至CHP4A或 CHP4B，SP2處理之晶圓W至CHP4C或CHP4D，SP3處 理之晶圓W至CHP4E或CHP4F之搬送必定被執行。 p 另外，於步驟S5，模態切換指令未被輸入，全部晶 圓W之搬送結束時（圖7之步驟S 7 )，結束搬送作業。 步驟S 5之搬送順序之模態切換指令，被檢測出例如 塗敷處理引起之晶圓上不良位置（膜厚異常等）時，以該 情況作爲觸發予以輸入。此乃爲容易界定具有該不良原因 之塗敷模組之故。亦即，於彈性模態難以界定加熱處理之 晶圓W由S1〜SP 3之那一個塗敷模組被搬送，藉由切換 爲固定分配模態可以固定晶圓W之搬送路徑，可以容易 ϋ 界定發生該不良之塗敷模組。 又，於步驟S 7，在全部晶圓W之搬送未結束期間’ 可以再度輸入模態切換指令回復至彈性模態。亦即，藉由 固定分配模態界定發生該不良之塗敷模組後，可以僅停止 該模組之稼動，藉由使用以外之塗敷模組，可於彈性模態 繼續處理。 又，於彈性模態，處理之基板數量多時，因基板有可 能增長搬送路徑，或降低作業效率。但藉由切換爲固定分 配模態，可以將各基板之搬送路徑固定爲短路徑’可抑制 -20- *1305943 作業效率之降低。 如上述說明，依據本實施形態，藉由構成可切換爲， 以空的模組、搬送路徑較短之模組予以優先搬送的彈性模 態’及將搬送源模組對應之搬送對象模組預先固定分配的 固定分配模態，則於模組發生不良時，藉由固定分配模態 容易界定該模組，之後可再度切換爲彈性模態繼續處理。 又，於彈性模態，處理之基板數量爲大量時，藉由切 換爲固定分配模態，可以將搬送路徑固定爲短路徑，可抑 制作業效率之降低。 又，於上述實施形態中，以彈性模態作爲基本模態予 以說明，但亦可以固定分配模態作爲基本模態。 又，於上述實施形態中，以塗敷單元3 1與加熱單元 (CHP4 )間之搬送順序予以說明，但本發明之基板處理 方法不限定於此，亦適用於其他處理模組間之搬送順序。 又，於上述實施形態中，以半導體晶圓作爲被處理基 板予以說明，但本發明之基板不限定於半導體晶圓，亦可 爲LCD基板、CD基板、玻璃基板、光罩、印刷基板等。 (產業上可利用性） 本發明適用於處理半導體晶圓等基板的阻劑圖案形成 裝置，可用於半導體製造業界、電子裝置製造業界等。 (發明效果） 依據本發明可以獲得具備多數個模組之基板處理系統 -21 - 1305943 * 及基板處理方法，該模組係對多數基板進行涵蓋多數工程 之葉片式處理之同時，於連續處理工程之中進行各個處理 者，於基板發生不良時，容易界定引起該不良的處理裝置 ，而且基板之處理片數大量時可抑制作業效率之降低。 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明之基板處理系統及基板處理方法適用之 阻劑圖案形成裝置之平面圖。 圖2爲本發明之基板處理系統及基板處理方法適用之 阻劑圖案形成裝置之槪略斜視圖。 圖3爲本發明之基板處理系統及基板處理方法適用之 阻劑圖案形成裝置之槪略側視圖。 圖4爲圖1 一圖3之阻劑圖案形成裝置具備之COT層 之擱板單元之構成與塗敷單元間之配置關係圖。 圖5爲擱板單元之模組之模式圖。 圖6爲控制部之記憶手段構成例之方塊圖。 圖7爲搬送模態之選擇動作之流程圖。 圖8爲彈性模態之搬送源與搬送對象之模組分配例。 圖9爲固定分配模態之搬送源與搬送對象之模組分配 例。 圖1 0爲習知阻劑圖案形成裝置之全體構成平面圖。 【主要元件之符號說明】 4 D :收納單元 -22- * 1305943 6 :控制部 2 0 :載具 21 :載置台 22 :開關部 24 :筐體 3 1 :塗敷單元 5 1 :處理容器 5 2 :晶圓搬出入口 5 3 :加熱板 54 :冷卻板 100 :阻劑圖案形成裝置 10 1: 10 2 :臂部 103 :基台 1 0 4 :旋轉機構 105 :移動機構 106 :台部 1 〇 7 : Y軸軌條 108 :升降軌條 A1〜A5:主臂部（基板搬送手段） B :介面臂部（基板搬送手段） C :傳送臂（基板搬送手段） D1 :第1收付臂部（基板搬送手段） D2 :第2收付臂部（基板搬送手段） U1〜U7 :擱板單元 -23 - '1305943 R1〜R3:搬送區域 B 1〜B 5 :單位區塊 S 1 :載具區塊 S 2 :處理區塊 53 :介面區塊 54 :曝光裝置 W :晶圚（基板）
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