TWI298985B - Method for manufacturing functional film and method for manufacturing thin film transistor - Google Patents

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TWI298985B TW094133781A TW94133781A TWI298985B TW I298985 B TWI298985 B TW I298985B TW 094133781 A TW094133781 A TW 094133781A TW 94133781 A TW94133781 A TW 94133781A TW I298985 B TWI298985 B TW I298985B
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Description

!298985 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於功能膜之製造方法及薄膜電晶體之製造方 法。 【先前技術】 在製造使用於液晶裝置等之光電裝置之開關元件之薄膜 電晶體（TFT)之際，在形成電極或配線等之步驟中，例如 使用微影照相法。事先利用濺射法、CVD等既有之成膜方 法形成功能膜後，在基板上塗敷稱為光阻之感光材料，照 射電路圖案而顯影後，依照光阻圖案蝕刻功能膜，即可形 成機能薄膜之電路圖案。利用此等一連串之微影照相法之 機旎薄膜之形成、圖案化在成膜處理及蝕刻處理時，需要 真空裝置等大規模之設備與複雜之步驟，且材料使用效率 也只有數。/。程度，其幾乎大部分都不得不廢棄，故不僅製 造成本高昂，生產性亦低。 對此，有人提出使用由液體噴出頭喷出液滴狀之液滴噴 出法（即所謂喷墨法），在基板上形成功能膜之圖案（薄膜圖 案）之方法（例如參照專利文獻1)。在此方法中，將分散著 金屬微粒子等之導電性微粒子之功能液之薄膜圖案用墨汁 直接圖案塗敷於基板上，其後，施行熱處理及雷射照射而 將其變換成薄膜之導電膜圖案。依據此方法，不需要心 之成膜處理、微影照相及餘刻步驟，可大幅簡化製程，且 具有也可減少元材料之用量，提高生產性之優點。 [專利文獻1]日本特開2003_317945號公報 104347.doc 1298985 [發明所欲解決之問題] 在專利文獻1所揭示之技術中，係形成對處# & x對應於希望形成 之功能薄膜圖案之堤岸，將功能液噴出於該堤岸間後： 其烘乾而獲得薄膜圖案。在此，欲使用主體 ' ^ 蔽材枓之溶點較 高（例如1000°C以上），且微粒子化引起之忮赴τ攸 〜〈熔點下降小之金 屬微粒子（例如ITO或Ni等）作為溶質之功能 7月匕/從墨汁，利用
上述喷墨法形成薄膜圖案，形成薄膜電晶體之情形，有時 會發生如以下之問題。 具體上，在非晶質石夕TFT之製程中，為防止燒結於非晶 質矽中之氫之脫離，有必要將功能液墨汁之煅燒溫度設定 於約250。(：以下《但，在使用上述高熔點金屬微粒子作為 溶質之功能液墨汁中，即使欲以250t以下之烺燒溫度獲 得功能膜，也不能使微粒子間發生熔附並進行燒結，故膜 表面之平坦性及膜之細緻性極端地不良，除不能獲得希望 之膜特性外，也會造成上層之功能膜，例如閘極絕緣膜等 之層間絕緣膜之耐壓不良、或導電膜間之接觸不良及與基 板（底層膜）之密接強度不良等之原因。 本發明係鑑於上述情況而研發者，其目的在於提供不受 般燒溫度影響’也就是說，即使將煅燒溫度設定於低溫之 情形’其膜表面之平坦性及膜之細緻性亦甚良好，可充分 確保希望之膜特性之功能膜之製造方法、及利用該功能膜 之製造方法之薄膜電晶體之製造方法。 【發明内容】 為達成上述之目的，本發明之功能膜之製造方法之特徵 I04347.doc 1298985 在於包含將含有主體熔點為90(TC以上且粒徑為3〇 nm〜 15〇 nm時之之熔點為255。〇以上之金屬及金屬氧化物材料 作為溶質之第1墨汁配置於基板上之步驟；及在所配置之 第1墨汁上，配置含有金屬有機鹽作為溶質之第2墨汁之步 驟者。
依據此種方法，在煅燒以高熔點金屬微粒子作為溶質之 第1墨汁而形成高熔點金屬膜（第i功能膜）之情形，即使將 其锻燒溫度設定於低溫（例如250t)之情形，所得之機能膜 之表面平坦性及細緻性亦甚良好。此係由於在第！墨汁上 配置含有金屬有機鹽作為溶質之第2墨汁之故。也就是 說，本發明之功能膜可在低溫锻燒所形成之高㈣金屬膜 ^形成金屬有機鹽構成之金屬有機㈣（第2功能膜）所獲 寸彳由於口亥至屬有機鹽產生金屬及金屬氧化物之金屬有 ::::解’皿度屬於相對低溫，故可藉煅燒而形成細緻之 膜’其多口果，可择媒/尾g a 又侍k異之功能膜之表面平坦性。又， 得之多孔質之功能膜，渗透塗敷量最適化 性。 亦可同時獲得與基板（底層膜）之高度之密接 又’為將金屬有機赜福士、 金屬膜之表層側，執:各+驟至。鹽膜配置於高炫點 或般燒後，置第2墨 具體上將弟1墨汁烘乾 成紅墨汁與第2墨汁，將Λ也可以分別不相溶之溶劑構 墨汁與第2墨汁相溶而將^汁整批锻燒。且假使使第1 屬有機鹽之含有率戍各十整批煅燒之情形，需將金 4谷墨汁之塗敷量設定成務必使第2墨 104347.doc 1298985 汁中之金屬有機_ 蜀有钺鹽之分解後之金屬重量多於第1墨汁中所 έ之微粒子之金屬重量。 作為構成第1墨汁之金屬材料（高炼點金屬材料），例如 可使用鎳、龜、鈦、釦 卜 I、鎢、鉬、氧化銦、氧化錫、銦錫 氧化物、銦鋅氯π & . ^ 片 氣物、含函素之氧化錫、及金、銀、銅之 氧化物中之一種。χ，作為構成第2墨汁之金屬有機鹽，
:使用構成則述金屬材料之金屬之有機鹽。使用此種材 料，可解決如上述之問題。 又’作為刖述第2墨汁’除前述金屬有機鹽以外，可使 用含有填料及黏合劑所組成之墨汁。此情形，可提高所得 之功能膜之表面平扭柯芬 ^ 一 卞一 ^及細緻性，且可獲得與基板（底層 膜）之高度之密接性。 料，作為前述第2墨汁，除前述金屬有機鹽以外，含 有由前述金屬材料組成之粒徑為LB —之粒子所組 成之墨汁。且作為金屬有機鹽與微粒子之比率，金屬有機 鹽分解後之金屬重量多於所含有之金屬粒子之重量更為理 想°此情形’也可提高所得之功能膜之表面平坦性及細緻 採用《亥第2墨汁之情形，可獲得高炫點金屬膜與 金屬有機鹽甚至於與基板（底層膜）之良好之密接性。 作為配置前述第1墨汁及前述第2墨汁之方法，例如可採 用利用液滴噴出裝置之液滴編。此外，也可採用利用 毛細管現象之CAP塗敷法。 其次，為解決上述之問題，本發明之薄膜電晶體之製造 方法之特徵在於包含利用上述功能膜之製造方法形成導電 104347.doc 1298985 膜之步驟。依據此種方法，可形成表面平坦性及細緻性優 /、之功忐膜，其結果，可展現如設計所述之膜特性。因 此，本發明之製造方法所獲得之薄膜電晶體之可靠性優 :、：難以發生在該導電膜上之層間絕緣膜之耐壓不良、或 導电膜間之接觸$良及肖基板(底層膜)之密接強度良 等。 【實施方式】 以下，參照圖式說明本發明之實施型態…在各圖式 中，為使各層及各構件成為在圖式上可辨識程度之大小， 在各層及各構件使縮小比例尺各異。 首先，說明有關本發明之功能膜之製造方法之_實施型 態^以下所示之製造方法中’其特徵在於形成堤岸，在 該堤岸所包圍之區域，才采用利用液滴噴出裝置之液滴喷出 法形成配線圖案（功能膜）。以下，依照各步驟詳細加以說 • 纟實施型態之配線圖案（功能膜）之形成方法係在將第】
配線圖案用墨汁配晉於Ljr- , yA “配置於基板上後，配置第2配線圖案用墨 /係由HMDS膜形成步驟、堤岸形成步驟、殘㈣理# 驟（親液化處理步驟）、撥液化處理步驟、第W㈣置步 驟、弟1烘乾步驟、第2材料配置步驟、第2供乾步驟 锻燒步驟所概略構成。以下，依照各步驟詳細加以說明。 (HMDS膜形成步驟） 首先，如圖I⑷所示，準備玻璃等之基板卜 上形成刪叫六歹基二石夕氮嫁）32。此職嶋32係用於 104347.doc 1298985 提高基板p與堤岸31(參照圖1(b))之密接性，例如係利用將 HMDS變成蒸氣狀*使其附著於對象物之方峰刪處理） 所形成。 (堤岸形成步驟） 堤岸係具有作為分隔構件之機能之構件，堤岸之形成可 =微影照相法或印刷法等任意方法形成。例如，使用微 〜<、、、相法之情形’以自旋式塗敷法、噴霧塗敷法、輕式塗 敷法、口模式塗敷法、浸潰塗敷法等特定方法，如圖叫 所不’在基板P上配合特定高度塗敷有機系感光材料3 i， 在其上塗敷光阻層。而，配合堤岸形狀設置遮罩而將光阻 曝光•顯影，藉以留下配合堤岸形狀之光阻，最後施行蚀 刻而除去遮罩以外之部分之堤岸材料。又，也可採用下層 為無機物或有機物’對功能液顯示親液性之材料，上層為 有機物，顯示撥液性之材料所構成之2層以上 曰
部)。 V 綠利用如以上之方法，以包圍如圖1⑷所示之預備形成配 線圖案之區域(例如10 _寬)之周邊方式形成堤岸B、B， 开/成k厗間（配線圖案形成區域4。 作為形成堤岸B之有機材料，既可使用對液體材料原本 ^不撥液性之材料’亦可使用如後所述’可施行利用電漿 处理之撥液化以改善與底層基板之密接性，且容易施行利 ==照相之圖案化之絕緣有機材料。例如，可使用丙稀 乂夂“ ' «亞胺㈣、聚烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂 分子材料。 ° 104347.doc 1298985 (HMDS膜圖案化步驟） 在基板p切賴岸赠，接著，㈣以彻之HMDS 臈32(堤岸B、B間之底部），如圖2⑷所示，將觸 :案化。具體上’對形成堤“之基板p，以堤❹作為遮 ，例如以2.5%氫氟酸水溶液施以餘刻處理，以韻刻 HMDS臈32。藉此，使基板p露出於堤岸b、b間之底部。 (殘渣處理步驟（親液化處理步驟）） 其次’為除去在堤岸間34之堤岸形成時之光阻(有機物） 殘造’對基板P施行殘邊處理。作為殘邊處理，可選擇藉 照射紫外線以施行殘潰處理之紫外線(uv)照射處理及在乂 氣氣體環境中以氧作為處理氣體之〇2電漿處理等。在此， 實施02電漿處理。 具體上，對基板P，由電聚放電電極照射電激狀態之 乳^為02電漿處理之條件，例如：電聚功率50 w〜胸 W、氧氣流量 50 ml/min〜lftft mi/ · mm loo ml/min、對電漿放電電極之 基體P之板輸送速度0.5 mm/sec〜1G職“、基體溫度7代〜 9〇°C。又’基板p為玻璃基板之情形，由於其表面對配線 圖案形成材料已具有親液性，故如本實施型態般為處理殘 2施以處理或紫外線照射處理時，可提高露出於 士疋序間3 4之底部之基板p之親液性。 (撥液化處理步驟） 接著，對堤岸B施行撥液彳卜# 從化處理，對其表面賦予撥液 性。作為撥液化處理，例如可淼闽丨”卜 上上 J戈J才木用以四氟曱烷為處理氣體 之電漿處理法（CF4電漿處理法、。+攸# 心！床）。CF4電漿處理之條件例如 104347.doc 1298985 係電梁功率50 w〜1000 W、四氟曱烷氣流量50 ml/min〜 100 ml/min、對電漿放電電極之基體輸送速度〇.5 mm/sec〜 1020 mm/sec、基體溫度70t：〜9〇t。又，作為處理氣體， 並不限定四氟甲烷（四氟化碳），也可使用其他氟烴系氣 體。 施行此種撥液化處理，在堤岸B，可將氟基導入構成堤 岸之樹脂中，故可對基板P賦予高的撥液性。又，作為上 φ 述親液化處理之〇2電漿處理固然可在形成堤岸B前執行， 但丙烯酸樹脂及聚醯亞胺樹脂等具有在執行利用〇2電漿之 前處理時更容易被氟化（撥液化）之性質，故最好在形成堤 岸B後執行〇2電漿處理。又，對堤岸B之撥液化處理雖會 對先前之親液化處理之基板p表面多少有影響，尤其基板p 由玻璃等所構成之情形，仍不會發生撥液化處理引起之氣 基之導入現象，因此，不會損及基板P之親液性，即濕潤 擴散性。又，堤岸B由於利用具有撥液性之材料（例如具有 籲氟基之樹脂材料）所形成，故亦可省略其撥液化處理。 (第1材料配置步驟） -人★圖2(b)所不，作為第！材料，將第工配線圖案用 墨汁（功能液）配置於露出於堤岸間34之基板P。在此，使 用具備液滴噴出頭1之液滴噴出裝置噴出液滴X1，構成該 液滴X1之墨汁係使用高炫點金屬之微粒子作為溶質之配線 圖案用墨汁。 又，作為液滴噴出條件， ng/d〇t、墨汁速度（噴出速度）5 例如，可利用墨汁重量4 m/sec〜7 m/sec執行。又，喷 104347.doc 1298985 出液滴之氣體環境最好設定於溫度60°C以下、濕度80。/〇以
下。藉此，液滴噴出頭丨之噴嘴不會阻塞而可穩定地施行 液滴喷出。
在此材料配置步驟中，如圖2(b)所示，液滴噴出頭工噴 出配線圖案用墨汁幻作為液滴，將該液滴配置於露出於堤 岸間34之基板p。此時’露出於堤岸間34之基板p被堤岸b 所包圍，故可阻止配線圖案用墨汁χι擴散至特定位置以 外。又，因堤岸B之表面被賦予撥液性，故即使被噴出之 配線圖案用墨汁X1之—部分附在堤岸U，也由於堤岸B 之表面呈現撥液性而可由堤岸6將其撥開而落入堤岸間 3二。更由於露出於堤岸間34之基板p被賦予親液性，故被 賣出之配線圖案用墨汁χι容易在露出於堤岸間％之基板p 擴政因此，如圖2(c)所示，可將配線圖案用墨汁幻均 勻地配置於堤岸間34之延伸方向。 f實施型態所採用之配線圖案形成用墨汁(功能膜)係由 使高炼點金屬材料之導電性微粒子分散於分散媒中之分散 液所組成。在A ’作為導電性微粒+，例如使用熔點9〇代 以上且粒徑30 nm〜150 nm之情形之溶點2饥以上之全屬 材料，微粒子。具體上，係使用錄、盆、鈦、组、鶴、 鉬、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、含•素 之氧化錫、及金、銀、銅之氧化物中之一種。又，此等導 電性微粒子為提高分散性，也可在表面塗敷有機物等使 用。 另一方面，作為分散劑， 只要屬於可使上述導電性微粒 104347.doc 13 1298985 子刀政，且不引起凝聚之沐 才枓，並無特別限定。例如，除 了水以外，可例示曱醇、 乙8子、丙醇、丁醇等醇類、η-庚 烷、η-辛烷、癸烷、十一 显 一元、四癸烷、甲苯、二甲苯、甲 二4、暗煤1、二戊烯、四氫化萘、十氫化萘、環 己基本4碳化氫系化合物、《乙二醇二W —、7 — η于一Ο 甲乙醚、二乙二醇二甲醚 醚、乙 ^1 _ 一 乙'一醇二乙 、一乙一醇二甲乙峻、12 -田 ，2—一甲乳基乙烷、雙（2-甲氧 基乙)m燒等之鍵系化合物、以及碳酸丙婦醋、 r-丁内醋、N-甲基_2,錢酮、二甲替甲醯胺、二甲亞 颯、環己酮等極性化合物。此等之中，在導電性微粒子之 1性與分散液之敎性、及適用於液滴噴出法（喷墨法） 之谷易度之點上’以水、醇類、碳化氫系化合物、醚系化 合物較理想’作為更理想之分散媒，可列舉水、碳化氫系 化合物。 上述導電性微粒子之分散液之表面張力最好在G.G2 N/m 以上0.G7 N/m以下之範圍内。利用液滴噴出法喷出液滴之 際’表面張力不足〇·()2 N/m時’墨汁組成物對喷嘴面之濕 潤性會增大，&容易發生彎自飛行現象。超過〇 〇7編 時，在喷嘴前端之彎月面之形狀不穩定，故噴出量及噴出 時間之控制較為困難。為調整表面張力，只要在上述分散 劑中，在不大幅降低與基板之接觸角之範圍内，微量添加 氟系、矽系、非離子系等表面張力調節劑即可。非離子系 表面張力調節劑有助於改良液體對基板之濕潤性，改良膜 之調平性，防止膜產生微細之凹凸等。上述表面張力調節 104347.doc 14 1298985 劑必要時也可合古 J各有酉子、醚、酯、酮等有機化合物。 上述分散液之黏度最好在1 mPa.s以上50 mPa.WT。使 、噴出法噴出液狀材料作為液滴之際，黏度小於 1 mPa、S時’噴嘴週邊部容易被墨汁之流出所污染，又，黏 又；才50 mPa · s之情形，在噴嘴孔之阻塞頻度會增高， 不僅難以圓滑地噴出液滴，液滴之噴出量也會減少。 _ 2 1對液滴噴出裝置，說明其概略構成。圖4係表 不液滴賀出裴置j j之招 ^ ^之概略構成之立體圖。液滴喷出裝㈣ 係〆、備液滴噴出頭！、χ轴方向驅動轴4、γ轴方 =制裝置CONT、工作台7、潔淨機構8、基台9、二 二作台7係利用此液滴噴出裝置U支持被配置液體材料 (配：圖案用墨汁)之基板P’具有將基板p固定於基準位置 之未圖示之固定機構。 頭液使：出頭1係具有多數噴嘴之多喷嘴型之液滴喷出 出頭丨之下:度方向與x軸方向一致。多數噴嘴係在液滴噴 mr’以一定間隔排列設置。由液滴噴出頭1之喷 線圖案用墨汁。 導電性微粒子之配 動方向驅動車由4連接X轴方向雜動馬達2。又軸方向驅 動馬達2係步進馬達等，者 _供應時，使X二 ^ 门騙動軸4鉍轉。X軸方向驅動 疋時’.方向驅動轴4旋轉時’液滴噴出 万向移動。 104347.doc 1298985 有γ:方向導動轴5係被固定成不對基台9移動。工作台7具 :向驅動馬達3αγ軸方向驅動馬達 寺’當Υ細古Α上 之驅動信號由控制裝置CONT被供應時， 使工作台7向y軸方向移動。 =裝置CONT係供應液滴之嘴出控制用之電屋至液滴 動r=:广將控制液滴喷出頭〗之球方向之移動之驅 γ轴方^ϋ供應至X轴方向驅動馬達2，將控制工作台7之 3。肖之移動之驅動脈衝信號供應至丫軸方向驅動馬達 備於潔淨液滴喷出頭i。在潔淨機構s，具 馬遠之π 向之驅動馬達。藉此Y軸方向之驅動 機驅動’使潔淨機構沿著γ轴方向導動轴5移動。潔淨 機構8之移動也受控制裝置c〇NT控制。 用料火熱處理基板p之裝置’施行 置於基板P上之液體材料所含之溶劑之蒸發及供乾。此 力電《通及切斷也受控制蓑置卿τ控制。 液滴噴出裝置1J係一面相對掃描液滴嘴出頭i與支持芙 板P之工作σ 7面對基板p在液滴噴出頭工之排二 於X軸方向之多數喷嘴噴出液滴。 田排列 圖圖5係說明利用壓電方式之液體材料之噴出原理之模式 在圖5中，與收容液體材料（配線圖案用墨汁、機能 之至21_Η妾地配置壓電元件22。經由含有收 料之材料箱之液體材料供應系統23將液體材料供應至= 104347.doc -16- 1298985 室21 °壓電元件22係被連接於驅動電路24，經由此驅動電 路24將電壓施加至壓電元件22，使壓電元件22變形，藉以 使液體室2 1變形，由喷嘴25噴出液體材料。此情形，使施 加笔麼之值發生變化，藉以控制壓電元件22之變形量，且 藉改變施加電壓之頻率控制壓電元件22之變形速度。遷電 方式之液滴噴出不對材料加熱，故具有對材料組成不造成 影響之優點。 (第1烘乾步驟） 特定量之配線圖案用墨汁X1喷出至基板p後，為除去分 散媒，必要時施行烘乾處理。此烘乾處理例如除了加熱基 板之通吊之熱板、電爐等之處理外，也可利用燈退火施 订。在此，作為使用於燈退火之光之光源，並無特別限 定但可使用紅外線燈、氙燈、YAG雷射、氬雷射、二氧 化碳雷射、XeF、XeC1、XeBr、KrF、KrC1、ArF、等 之準分子雷射等作為光源。此等光源一般使用輸出i〇 w以 上5000 W以下之範圍之光源，但在本實施型態中，只要 100 W以上1000貿以下之範圍即已充分。 而，藉此中間供乾步驟，如圖3⑷所示，可在堤岸間34 =基板PJi ’形成上述高炫點金屬材料構成之第丨配線圖案 (第力月匕膜）Y1。又，在即使不除去配線圖案用墨汁灯之 刀政媒配線圖案用墨汁χι與其他種類之配線圖案用墨汁 相混合之情形，也可省略中間烘乾步驟。 (第2材料配置步驟） 其次’如圖3(b)所示，作為笙 邗為弟2材料，將第2配線圖案用 104347.doc I298985 ^、、+ / (功咸液）X2配置於堤岸間3 4之第i配線圓案γ丨上。 與第1材料配置步驟同樣地，如圖4所示，利用液滴噴 出骏置IJ噴出液滴Χ2，構成該液滴χ2之墨汁係使用高熔點 *屬之有機鹽作為溶質之配線圖案用墨汁。 作為此種有機鹽，可例示上述之高熔點金屬之有機鹽， J如氯化物、曱酸化鹽、乙酸化鹽、乙醯丙酮化鹽、乙基 已黾鹽、螯合劑、配位化合物等，具體上，例如氣化銦、 曱酸銦、乙酸銦、乙醯丙酮銦、乙基己酸銦、氯化錫、甲 酉文锡、乙酸錫、乙醯丙酮錫、乙基己酸錫等。另一方面， 作為分散劑，只要屬於可使上述有機鹽分散，且不引起凝 才料並無特別限疋，可適宜地使用在第1材料配置 步驟所使用之溶劑。 又可使第2配線圖案用墨汁Χ2適宜地含有填料及黏合 劑所組成之墨汁。例如，除了乙稀系石夕烧麵合劑以外，也 可使其含有氨基系、環氧系、甲基丙烯醯氧基系、巯基 ，、酮亞胺系、陽離子系、、氨基系等之耦合劑。此外，也 Ζ使其含有纖維素系、矽氧烷系、矽油等之黏合劑。使其 含有此種添加劑時’可提高所形成之第2配線圖案與第這 線圖案Υ1甚至於與基板（底層膜）之密接性。另外，在第2 配線圖案用墨汁Χ2中，也可使其含有粒徑30 nm〜150 nm 程度之微粒子，此情形也可提高與第1配線圖案以甚至於 與基板（底層膜）之密接性。 (第2烘乾步驟） 塗敷如上述之第2配線圖案用墨汁幻後，為除去分散 I04347.doc -18- 1298985 媒，必要時施行烘乾處理。而，藉此烘乾處理使第2配線 -圖案用墨汁X2變成第2配線圖案Υ2β又，烘乾方法可利用 . 與形成上述第1配線圖案時相同之方法執行。 而，藉此中間烘乾步驟，如圖3(c)所示，可在堤岸間Μ 之第1配線圖案Υ1上，形成上述金屬有機鹽構成之第2配線 圖案（第2功能膜）Υ2。 (煅燒步驟） φ 噴出步驟後之烘乾膜為了改善微粒子間之電氣的接觸， 有必要完全除去分散媒，同時有必要使金屬有機鹽熱分 解，產生金屬或金屬氧化物。因此，對噴出步驟後之基 板，施以熱處理及/或光處理作為煅燒步驟。熱處理及/ = 光處理通常在大氣中施行，但也可依需要，在含氮、氬、 乳等惰性氣體環境中施行。熱處理及/或光處理之處理溫 度ft考慮分散媒之沸點（蒸氣壓）、環境氣體之種類及壓 力、微粒子之分散性及氧化性等熱的動態、金屬有機鹽之 _ 減化學的分解動態、甚至於基板之耐熱溫度及薄膜電晶 體之特性偏移等之後再適宜地加以決定。 利用如以上之步驟，可形成如圖3(c)所示之功能膜33。 在本貫施型態中，由於在高熔點金屬材料構成之第丨配線 圖案Y1上，配置金屬有機鹽構成之第2配線圖案¥2，故不 .受煅燒溫度影響，所得之功能膜33之表面平坦性、細緻性 及與基板（底層膜）之密接性非常地高。 具to上，不形成金屬有機鹽構成之第2配線圖案，而 以250°C之烺燒獲得第1配線圖案¥1之情形，功能膜中空心 104347.doc 1Π 1298985 部較多，表面平坦性也極差。對此，如本實施型態般，在 第1配線圖案Y1上形成第2配線圖案Y2，而以250°C之煅燒 獲得功能膜之情形，連結於膜中之空心部已消失，表面平 坦性也相當良好。
更具體地，作為比較例，將ITO微粒子之分散液塗敷於 玻璃基板上，而以2 5 0 C煅燒之情形，從膜上面可觀察到 連結於膜中之空心部，膜表面之平均粗度11111狀為15〇 nm 以上。另一方面，作為實施例，塗敷IT〇微粒子之分散液 後，再塗敷含有ΙΤΟ有機鹽及纖維素系之黏合劑之分散 液而以2 5 〇 c緞燒之情形，從膜上面觀察時，連結於膜 中之空心部已消失，膜表面之平均粗度尺以以為i〇〇 左 右。作為另一實施例，塗IUT0微粒子之分散液後，再塗 敷含有銦有機鹽及錫有機鹽之分散液，而以25〇t加以煅 燒之情形’從膜上面觀察時，連結於膜中之空心部已消 失’膜表面之平均粗度尺111以為5〇11111以下。 如以上之功能膜之製造方法可採用於構成薄膜電晶體之 電極或配線之步驟。具體上，在形成閉極電極之步驟、形 成源極電極或汲極電極之步驟、甚至於形成源極配線等之 配線之步驟，可採用上述功能膜之製造方法。 尤其’在使用非晶質矽作為主動層之薄膜電晶體中，為 防止燒結於非晶質石夕中之氣之脫離，有必要將電極或配線 :锻燒溫度設定於約250t以下。因Λ，在製造此種薄膜 =體之際’採m力能膜之製造方法，可提高膜表面 平坦性及細緻性’其結果’可獲得希望之臈特性，難以 104347.doc -20- 1298985 發生閘極絕緣膜等之層間絕緣膜之耐壓不良、及導電膜間 之接觸不良等。 又’在上述實施型態中，為配置液滴（功能液），採用利 用液滴喷出裝置之液滴喷出法，但作為其他之方法，例如 也可採用如圖6所示之Cap塗敷法。Cap塗敷法係利用毛細 笞見象之成膜法，將狹缝7 1插入塗敷液7 〇，在該狀態使塗 敷液面上升時，會在狹縫71之上端產生溢液部72。使基板
P接觸於此溢液部72,並使使基板p平行移動時，即可將塗 敷液70塗敷於基板p面。 2 ’在本實施型態中’係同時施行^配線圖案之鍛燒 與第2配線圖案之煅燒，但也可在將第丨墨汁烘乾•煅燒 後’再配置第2墨汁。此情形，可提高所形成之第旧線^ 案之第2材料配置步驟中對溶劑（分散媒）之穩定性。 【圖式簡單說明】 Μ 1 ° 形成步驟之剖 形成步驟之剖 圖lUHc)係表示本實施型態之配線圖案 面模式圖。 圖2(aHc)係表示接續在圖丨後之配線圖案 面模式圖。 ’、 圖3(aHC)係表示接續在圖2後之配線 面模式圖。 。^成步驟之名 圖4係液滴噴出裝置之概略立體圖。 圖5係說明利用壓電方式之液狀體 圖。 < ⑤出原理之模5 圖6係說明Cap塗敷法用之剖面模式圖 104347.doc 1298985 【主要元件符號說明】 p 基板 XI 第1配線圖案用墨汁（第1墨汁） X2 第2配線圖案用墨汁（第2墨汁） 參 104347.doc -22-

Claims (1)

  1. /^/ >p_i日修(更)正替 換頁 * Ι298·53378ΐ號專利申請案 k 中文申請專利範圍替換本(96年1月） 十、申請專利範圍： 一種功能膜之製造方法，其特徵在於包含將含有主體炼 點為9〇η：以上且練為3G nm〜15G⑽時之㈣為阶 以上之金屬及金屬氧化物材料作為溶質之第1墨汁配置 於基板上之步驟；及在所配置之η墨汁上，配置含有 金屬有機鹽作為溶質之第2墨汁之步驟者。
    如請求们之功能膜之製造方法，其中包含在將前述糾 墨汁配置於基板上後’除去該第汁之溶劑而形成第【 功能膜之步驟，在所形成之第丨功能膜上配置前述第2墨 汁0 3·如請求項_之功能膜之製造方法，其中前述金屬材料 係鎳、龜、敛、钽、鶊、翻、氧化銦、氧化錫、姻錫氧 化物、銦辞氧化物、含齒素之氧化錫、及金、銀、銅之 氧化物中之一種者。 4·如請求項1或2之功能膜之製造方法，其中前述金屬有機 鹽係由含前述金屬材料之有機物所組成者。 5·如請求項1或2之功能膜之製造方法，其中在前述第2墨 汁中’除前述金屬有機鹽以外，含有填料及黏合劑。 6·如請求項1或2之功能膜之掣造方法，其中在前述第2墨 汁中’除前述金屬有機鹽以外，含有由前述金屬材料組 成之粒徑為30 nm〜150 nm之粒子。 7.如請求項1或2之功能膜之製造方法，其中在前述第2墨 /十中’除前述金屬有機鹽以外，含有由前述金屬材料組 成之粒#為4〇 nm〜i50 nm之粒子，且金屬有機鹽分解後 104347-960123.doc 1298985 之金屬重量多於所含有之金屬粒子之重量。 ‘ 8·如明求項丨或2之功能膜之製造方法，其中以利用液滴喷 • 出破置之液滴喷出法配置前述第〗墨汁及前述第2墨汁。 9·如請求項1或2之功能膜之製造方法，其中以利用毛細管 現象之CAP塗敷法配置前述第丨墨汁及前述第2墨汁。 • 1 0·種溥膜電晶體之製造方法，其特徵在於包含利用如請 求項1至9中任一項之方法形成導電膜之步驟者。
    104347-960123.doc
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