JP2003318515A - 膜パターンの形成方法及び膜パターン形成装置、デバイスの製造方法及び製造装置、デバイス及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望の撥液性を維持したまま、基板と膜パタ
ーンとの密着力を向上できる膜パターンの形成方法を提
供する。 【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、基板
上にフルオロアルキルシランからなる自己組織化膜を形
成するＦＡＳ処理工程Ｓ８と、ＦＡＳ処理が施された基
板の撥液性を低下する撥液性低下処理工程Ｓ１０と、撥
液性低下処理が施された基板上に液滴を吐出する液滴吐
出工程Ｓ１１とを有する。更に、撥液性低下処理を施す
前と後での撥液性低下処理条件に応じた基板と液滴との
接触角の変化量を予め求める工程Ｓ５と、求めた結果に
基づいて撥液性低下処理条件を設定する工程Ｓ９とを有
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に膜パター
ンを形成する膜パターンの形成方法及び装置、膜パター
ンを備えたデバイスの製造方法及び装置、並びにデバイ
ス及び電子機器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体集積回路など微細な配
線パターン（膜パターン）を有するデバイスの製造方法
としてフォトリソグラフィー法が多用されているが、特
開平１１−２７４６７１号公報、特開２０００−２１６
３３０号公報などに開示されているように、液滴吐出方
式を用いたデバイスの製造方法が注目されている。上記
公報に開示されている技術は、基板上のパターン形成領
域にパターン形成用材料を含んだ液体材料からなる液滴
を液滴吐出ヘッドから吐出することにより基板上に材料
を配置し、配線パターンを形成するものであり、少量多
種生産に対応可能である点などにおいて大変有効であ
る。

【０００３】液滴吐出方式で基板上にパターンを形成す
る際、基板に対して撥液処理及び親液処理を行い、基板
と吐出された液滴との接触角を制御することが行われて
いる。撥液処理及び親液処理を行って接触角を制御する
ことにより、パターン形状（パターン線幅）やパターン
形成位置が制御される。例えば、撥液処理が行われた基
板上では液滴の接触角が高くなるため、線幅が小さく、
膜厚が厚いパターンが形成される。撥液処理としてはＣ
Ｆ４プラズマ処理やＦＡＳ処理が知られており、親液処
理としてはＯ２プラズマ処理や紫外線（ＵＶ）照射処理
が知られている。ＦＡＳ処理は、基板上にフルオロアル
キルシランからなる自己組織化膜を形成することによ
り、基板に撥液性を付与する処理である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、撥液処理と
して基板にＦＡＳ処理を施した場合、ＦＡＳ処理を施さ
れた基板とこの基板上に形成された膜パターンとが剥離
しやすくなるといった問題が生じるようになった。これ
は、ＦＡＳ処理することにより基板表面に配置されたフ
ルオロアルキル基が、吐出された液滴（膜パターン）と
基板との密着力を低下するためである。ＦＡＳ処理条件
を調整し、基板上のフルオロアルキル基の数を減らすこ
とにより密着力を向上することが考えられるが、フルオ
ロアルキル基の数が少なすぎて撥液性が十分に得られな
いと、吐出した液滴が基板上で濡れ広がるため微細な膜
パターンを形成できない。また、従来、ＦＡＳ処理条件
を調整することのみにより基板上のフルオロアルキル基
の数を微調整することは困難であった。

【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、所望の撥液性を維持したまま、基板と膜パター
ンとの密着力を向上できる膜パターンの形成方法及び形
成装置、この膜パターンの形成方法及び形成装置を用い
たデバイスの製造方法及び製造装置、並びにデバイス及
び電子機器を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の膜パターンの形成方法は、基板上に設定さ
れたパターン形成領域に対して所定の材料を含む液体材
料からなる液滴を吐出し、前記パターン形成領域に膜パ
ターンを形成する膜パターンの形成方法において、前記
基板上にフルオロアルキルシランからなる自己組織化膜
を形成するＦＡＳ処理工程と、前記ＦＡＳ処理が施され
た前記基板の撥液性を低下する撥液性低下処理工程と、
前記撥液性低下処理が施された前記基板上に前記液滴を
吐出する液滴吐出工程とを有し、前記撥液性低下処理を
施す前と後での該撥液性低下処理条件に応じた前記基板
と前記液滴との接触角の変化量を予め求め、前記求めた
結果に基づいて前記撥液性低下処理条件を設定し、該設
定条件に基づいて前記撥液性低下処理工程を行うことを
特徴とする。

【０００７】また、本発明の膜パターン形成装置は、基
板上に設定されたパターン形成領域に対して所定の材料
を含む液体材料からなる液滴を吐出可能な液滴吐出装置
を備えた膜パターン形成装置において、前記基板上にフ
ルオロアルキルシランからなる自己組織化膜を形成する
ＦＡＳ処理装置と、前記ＦＡＳ処理が施された前記基板
の撥液性を低下する撥液性低下処理装置と、前記撥液性
低下処理を施す前と後での該撥液性低下処理条件に応じ
た前記基板と前記液滴との接触角の変化量に関する情報
が予め記憶されている記憶装置と、前記記憶装置に記憶
されている前記変化量に関する情報に基づいて前記撥液
性低下処理条件を設定し、該設定条件に基づいて前記撥
液性低下処理装置を制御する制御装置とを備えることを
特徴とする。

【０００８】本発明によれば、基板に対してＦＡＳ処理
を施すことにより、基板に撥液性が付与される。そし
て、ＦＡＳ処理が施された基板に対して撥液性を低下さ
せる撥液性低下処理を施すことにより、基板上のフルオ
ロアルキル基が低減されるので、基板に吐出された液滴
（膜パターン）と基板との密着力を向上できる。ここ
で、撥液性低下処理条件は、例えば実験的に予め求めら
れている、基板に撥液性低下処理を施す前と後での基板
と液滴との接触角の変化量に基づいて設定されるので、
撥液性低下処理後も所望の接触角で基板に液滴を配置で
きる。したがって、基板に対する密着力を維持しつつ所
望の形状（線幅）を有するパターンを基板上に形成でき
る。

【０００９】本発明の膜パターンの形成方法において、
前記撥液性低下処理を施す前の前記基板と前記液滴との
接触角と、前記撥液性低下処理を施した後の前記基板と
前記液滴との接触角との差が、予め設定された設定値以
下となるように、前記撥液性低下処理条件を設定する構
成が採用される。これにより、前記設定値を小さくする
ことで撥液性低下処理の前と後とでの接触角をほぼ同じ
値に維持できるので、所望の形状（線幅）を有するパタ
ーンを形成できる。

【００１０】本発明の膜パターンの形成方法において、
前記撥液性低下処理を施した後の前記基板と前記液滴と
の密着力が、予め設定した設定値以上となるように、前
記撥液性低下処理条件を設定する構成が採用される。こ
れにより、例えば、異なる撥液性低下処理条件でも、接
触角が大きく変化しない範囲においてより高い密着力を
得られる処理条件を選択できる。

【００１１】本発明の膜パターンの形成方法において、
前記撥液性低下処理は前記基板に対する紫外線照射処理
を含む構成が採用される。また、本発明の膜パターン形
成装置において、前記撥液性低下処理装置は紫外線照射
装置を含む構成が採用される。これにより、基板に紫外
線（ＵＶ）を照射するだけといった簡易な構成で、ＦＡ
Ｓ処理で付与された撥液性を低下できる。

【００１２】本発明の膜パターンの形成方法において、
紫外線照射時間を調整することにより前記接触角を制御
する構成が採用される。また、前記制御装置は、前記紫
外線照射装置の照射時間を制御する構成が採用される。
これにより、紫外線照射時間を調整するだけといった簡
易な構成で、基板と液滴との接触角を調整できる。

【００１３】本発明の膜パターンの形成方法において、
前記紫外線照射時間と前記接触角との関係を予め求め、
該求めた結果に基づいて、前記照射時間を設定する構成
が採用される。すなわち、紫外線照射時間と接触角との
関係を例えば実験的に予め求めておき、この求めた結果
に基づいて紫外線照射時間を設定することにより、紫外
線照射処理後において基板と液滴との接触角を所望の値
にしつつ、基板と液滴（膜パターン）との密着力を向上
できる。

【００１４】本発明の膜パターンの形成方法において、
前記紫外線照射後の前記基板と前記液滴との密着力が、
予め設定した設定値以上となるように、前記照射時間を
設定する構成が採用される。これにより、例えば、異な
る紫外線照射時間でも、接触角が大きく変化しない範囲
においてより高い密着力を得られる照射時間を選択でき
る。

【００１５】本発明の膜パターンの形成方法において、
前記基板上における単位面積当たりの紫外線照射量を調
整することにより前記接触角を制御する構成が採用され
る。すなわち、接触角の調整（撥液性の調整）、ひいて
は密着力の調整は、紫外線照射の照射時間の調整の他
に、単位面積当たりの紫外線照射量を調整することによ
っても行うことができる。更に、照射する紫外線の波長
を調整することによっても接触角の調整を行うことがで
きる。

【００１６】本発明のデバイスの製造方法は、基板上に
所定の膜パターンを形成する膜パターン工程を有するデ
バイスの製造方法において、前記膜パターン形成工程
は、前記基板上にフルオロアルキルシランからなる自己
組織化膜を形成するＦＡＳ処理工程と、前記ＦＡＳ処理
が施された前記基板の撥液性を低下する撥液性低下処理
工程と、前記撥液性低下処理が施された前記基板上に前
記液滴を吐出する液滴吐出工程とを有し、前記撥液性低
下処理を施す前と後での該撥液性低下処理条件に応じた
前記基板と前記液滴との接触角の変化量を予め求め、前
記求めた結果に基づいて前記撥液性低下処理条件を設定
し、該設定条件に基づいて前記撥液性低下処理工程を行
うことを特徴とする。また、本発明のデバイス製造装置
は、膜パターンを備えたデバイス製造装置において、上
記記載の膜パターン製造装置を備えることを特徴とす
る。

【００１７】本発明によれば、上記記載の膜パターンの
形成方法あるいは形成装置により膜パターンを形成する
ので、基板との密着力に優れ、且つ所望の形状（線幅）
を有する膜パターンを備えたデバイスを製造できる。

【００１８】本発明のデバイスは、上記記載のデバイス
製造装置により製造されたことを特徴とする。本発明に
よれば、基板との密着力に優れ、且つ所望の形状（線
幅）を有する膜パターンを備えたデバイスが提供され
る。ここで、本発明におけるデバイスは、所定の膜パタ
ーンを有する素子及び装置を含む。

【００１９】本発明の電子機器は、上記記載のデバイス
を有することを特徴とする。本発明によれば、優れた性
能を有する電子機器が提供される。

【００２０】ここで、上記液滴吐出装置（インクジェッ
ト装置）の吐出方式としては、圧電体素子の体積変化に
より液体材料を吐出させるピエゾジェット方式であって
も、熱の印加により急激に蒸気が発生することにより液
体材料の液滴を吐出させる方式であってもよい。

【００２１】液体材料（流動体）とは、液滴吐出ヘッド
（インクジェットヘッド）の吐出ノズルから吐出可能
（滴下可能）な粘度を備えた媒体をいう。水性であると
油性であるとを問わない。ノズル等から吐出可能な流動
性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入して
いても全体として流動体であればよい。また、液体材料
に含まれる材料は、溶媒中に微粒子として分散されたも
のの他に、融点以上に加熱されて溶解されたものでもよ
く、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加し
たものであってもよい。また、基板はフラット基板のほ
か、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン形成
面の硬度が硬い必要はなく、ガラスやプラスチック、金
属以外に、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有するものの
表面であってもよい。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明において、液滴吐出法と
は、液滴を所望の領域に吐出することにより、被吐出物
を含む所望パターンを形成する方法であり、インクジェ
ット法と呼ぶこともある。但し、この場合、吐出する液
滴は、印刷物に用いられる所謂インクではなく、デバイ
スを構成する材料物質を含む液状体であり、この材料物
質は、例えばデバイスを構成する導電物質又は絶縁物質
として機能し得る物質を含むものである。さらに、液滴
吐出とは、吐出時に噴霧されるものに限らず、液状体の
１滴１滴が連続するように吐出される場合も含む。以
下、本発明の膜パターン形成装置及びデバイスの製造装
置について図面を参照しながら説明する。図１は、本発
明のデバイスの製造装置としての膜パターン形成装置の
一実施形態を示す概略構成図である。図１に示すよう
に、パターン形成装置ＳＹＳは、基板Ｐ上にフルオロア
ルキルシラン（ＦＡＳ）からなる自己組織化膜を形成す
るＦＡＳ処理装置Ｆと、基板Ｐに対して紫外光（ＵＶ）
を照射する紫外線照射装置（撥液性低下処理装置）Ｕ
と、基板Ｐに設定されたパターン形成領域に対して液体
材料からなる液滴を吐出する液滴吐出装置（インクジェ
ット装置）ＩＪとを備えている。

【００２３】自己組織化膜（自己組織化単分子膜：ＳＡ
Ｍ（Self Assembled Monolayer)）とは、基板の表層原
子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とか
らなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を
有する化合物を配向させて形成された膜である。この自
己組織化膜は単分子を配向させて形成されているので、
膜厚が極めて薄く、しかも、分子レベルで均一な膜とな
る。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜
の表面に均一でしかも優れた撥液性を付与することがで
きる。

【００２４】図２は、上記の高い配向性を有する化合物
として、フルオロアルキルシラン（ＦＡＳ）を用いた場
合の基板Ｐの表面状態を示す模式図である。図２に示す
ように、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するよう
に化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、
膜の表面に均一な撥液性が付与される。このような自己
組織化膜を形成する化合物であるＦＡＳとしては、ヘプ
タデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルト
リエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，
２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカ
フルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロ
ロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒ
ドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−
１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラ
ン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオ
クチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメ
トキシシラン等が挙げられる。使用に際しては、一つの
化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合
物を組み合わせて使用してもよい。

【００２５】ＦＡＳは、一般に構造式Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ
（４−ｎ）で表される。ここで、ｎは１以上３以下の整
数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子
などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基
であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）yの（ここ
でｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整
数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合
している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも
良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基
は加水分解によりシラノールを形成して、基板Ｐの下地
のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板Ｐと
結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基
を有するため、基板Ｐの下地表面を濡れない（表面エネ
ルギーが低い、撥液性が高い）表面に改質する。

【００２６】図３は、ＦＡＳ処理装置Ｆの概略構成図で
ある。ＦＡＳ処理装置Ｆは基板ＰにＦＡＳからなる自己
組織化膜を形成し、撥液性を付与する。図３に示すよう
に、ＦＡＳ処理装置Ｆは、チャンバ１と、チャンバ１内
に設けられ、基板Ｐを保持する基板ホルダ２と、液相状
態のＦＡＳ（液体ＦＡＳ）を収容する容器３とを備えて
いる。基板ホルダ２は基板Ｐ上のパターン形成領域以外
の部分を保持する。そして、室温環境下で、チャンバ１
内に基板Ｐと液体ＦＡＳを収容した容器３とを放置して
おくことにより、容器３内の液体ＦＡＳが容器３の開口
部３ａからチャンバ１に気相となって放出され、例えば
２〜３日程度で、基板Ｐ上にＦＡＳからなる自己組織化
膜が成膜される。また、チャンバ１全体を１００℃程度
に維持することにより、３時間程度で基板Ｐ上に自己組
織化膜が成膜される。なお、自己組織化膜を形成する前
に、基板Ｐ表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄
したりして、前処理を施すことが望ましい。

【００２７】図４は、ＦＡＳ処理が施された基板Ｐに対
して紫外光を照射する紫外線照射装置Ｕを示す模式図で
ある。図４に示すように、紫外線照射装置Ｕは、所定の
波長を有する紫外光（ＵＶ）を射出可能な紫外線射出部
１１と、基板Ｐを支持するステージ１２とを備えてい
る。紫外線射出部１１から射出された紫外光はステージ
１２に支持されている基板Ｐに照射される。ステージ１
２にはステージ駆動部１３が設けられており、ステージ
駆動部１３は基板Ｐを支持したステージ１２を所定方向
に走査する。紫外線照射装置Ｕは、所定方向に基板Ｐを
走査しつつ紫外線射出部１１から紫外光を射出すること
により、基板Ｐの少なくともパターン形成領域に対して
紫外光を照射する。基板Ｐが小さい場合は、基板Ｐを走
査せずに紫外光を照射してもよい。もちろん、紫外線射
出部１１を移動しつつ基板Ｐに紫外光を照射してもよ
い。ＦＡＳ処理により撥液性を付与された基板Ｐに対し
て紫外光を照射することにより、基板Ｐの撥液性は低下
する。ここで、紫外線照射装置Ｕは、基板Ｐの表面に対
して一様に紫外光を照射することも可能であるし、所定
のパターンを有するマスクＭを介して基板Ｐに紫外光を
照射することも可能である。マスクＭを介して基板Ｐに
紫外光を照射することにより、基板Ｐ上にはパターニン
グされた撥液性低下部（撥液性低下領域）が設定され
る。

【００２８】紫外線照射装置Ｕ（紫外線射出部１１）の
照射動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。制御装
置ＣＯＮＴは、紫外線照射条件を設定し、この設定条件
に基づいて紫外線照射装置Ｕの照射動作を制御する。こ
こで、設定可能な紫外線照射条件は、基板Ｐに対する紫
外光の照射時間、基板Ｐの単位面積当たりに対する照射
量（光量）、及び照射する紫外光の波長のうち少なくと
も１つであり、制御装置ＣＯＮＴはこれらの条件のうち
少なくとも１つに基づいて照射動作を制御する。ここ
で、制御装置ＣＯＮＴは、後述するように、紫外線照射
処理を施す前と後での紫外線照射条件に応じた基板Ｐと
液滴との接触角の変化量に関する情報に基づいて、紫外
線照射条件を設定し、この設定した照射条件に基づい
て、紫外線照射装置Uを用いて基板Ｐに紫外光を照射す
る。この基板Ｐと液滴との接触角の変化量に関する情報
は予め記憶装置Ｒに記憶されており、制御装置ＣＯＮＴ
は記憶装置Ｒに記憶されている前記情報に基づいて照射
条件を設定する。

【００２９】図５は、液滴吐出装置（インクジェット装
置）ＩＪを示す概略斜視図である。図５において、イン
クジェット装置ＩＪは、インクジェットヘッド２１と、
Ｙ軸方向駆動軸２４と、Ｘ軸方向ガイド軸２５と、ステ
ージ２７と、クリーニング機構２８と、基台２９と、ヒ
ータ３５とを備えている。インクジェット装置ＩＪの動
作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

【００３０】ステージ２７は、このインクジェット装置
ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支
持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図
示の固定機構を備えている。

【００３１】インクジェットヘッド２１は、複数の吐出
ノズルを備えたマルチノズルタイプのインクジェットヘ
ッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。
複数の吐出ノズルは、インクジェットヘッド２１の下面
にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。インク
ジェットヘッド２１の吐出ノズルからは、ステージ２７
に支持されている基板Ｐに対して、例えば導電性微粒子
を含むインク（液体材料）が吐出される。なお、ここで
用いられる導電性微粒子（所定の材料）は、例えば金、
銀、銅、鉄、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれ
かを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導
体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子
は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコー
ティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面に
コーティングするコーティング材としては、例えばキシ
レン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられ
る。

【００３２】Ｙ軸方向駆動軸２４にはＹ軸方向駆動モー
タ２２が接続されている。Ｙ軸方向駆動モータ２２はス
テッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸
方向の駆動信号が供給されると、Ｙ軸方向駆動軸２４を
回転する。Ｙ軸方向駆動軸２４が回転すると、インクジ
ェットヘッド２１はＹ軸方向に移動する。

【００３３】Ｘ軸方向ガイド軸２５は、基台２９に対し
て動かないように固定されている。ステージ２７はＸ軸
方向駆動モータ２３を備えている。Ｘ軸方向駆動モータ
２３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴ
からＸ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ２７
をＸ軸方向に移動する。

【００３４】制御装置ＣＯＮＴは、インクジェットヘッ
ド２１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｙ
軸方向駆動モータ２２にインクジェットヘッド２１のＹ
軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｘ軸方向駆
動モータ２３にステージ２７のＸ軸方向の移動を制御す
る駆動パルス信号を供給する。

【００３５】クリーニング機構２８は、インクジェット
ヘッド２１をクリーニングするものである。クリーニン
グ機構２８には、図示しないＸ軸方向の駆動モータが備
えられている。このＸ軸方向の駆動モータの駆動によ
り、クリーニング機構は、Ｘ軸方向ガイド軸２５に沿っ
て移動する。クリーニング機構２８の移動も制御装置Ｃ
ＯＮＴにより制御される。

【００３６】ヒータ３５は、ここではランプアニールに
より基板Ｐを熱処理する装置であり、基板Ｐ上に塗布さ
れた液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。こ
のヒータ３５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴ
により制御される。

【００３７】本実施形態において、インクジェット装置
ＩＪは基板Ｐ上に配線パターン（膜パターン）を形成す
る。したがって、インクには、配線パターン形成用材料
である導電性微粒子（金属微粒子）が含まれている。イ
ンクは、金属微粒子を所定の溶媒及びバインダー樹脂を
用いてペースト化したものである。金属微粒子として
は、本実施形態では例えば、金、銀、銅、鉄等が挙げら
れる。金属微粒子の粒径は５〜１００ｎｍであることが
好ましく、可能な限り小さい（例えば５〜７ｎｍ）こと
が好ましい。インクジェットヘッド２１から基板Ｐに吐
出された液体材料は、ヒータ３５で熱処理されることに
より導電性膜に変換（成膜）される。

【００３８】インクジェット装置ＩＪは、インクジェッ
トヘッド２１と基板Ｐを支持するステージ２７とを相対
的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。本実施
形態では、走査方向はＸ軸方向であり、非走査方向はＹ
軸方向である。したがって、インクジェットヘッド２１
の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔
で並んで設けられている。

【００３９】次に、上述した膜パターン形成装置ＳＹＳ
を用いて基板Ｐに配線パターンを形成する方法につい
て、図６を参照しながら説明する。基板Ｐ上に配線パタ
ーンを形成するに際し、制御装置ＣＯＮＴは、まず、Ｆ
ＡＳ処理装置Ｆを用いてテスト用基板Ｐｔに対してＦＡ
Ｓ処理を施す（ステップＳ１）。次いで、制御装置ＣＯ
ＮＴは、ＦＡＳ処理が施されたテスト用基板Ｐｔに対す
る紫外線照射時間（ＵＶ照射時間）を設定する（ステッ
プＳ２）。次いで、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ２
で設定したＵＶ照射時間に基づいて、ＦＡＳ処理が施さ
れたテスト用基板Ｐｔに対して紫外光（ＵＶ）を照射す
る（ステップＳ３）。次いで、制御装置ＣＯＮＴは、Ｕ
Ｖ照射処理が施されたテスト用基板Ｐｔに対して、液滴
吐出装置ＩＪより液滴を吐出する（ステップＳ４）。次
いで、テスト用基板Ｐｔと吐出された液滴との接触角θ
が測定される（ステップＳ５）。接触角θは、図７
（ａ）の模式図に示すように、液滴の自由表面が基板Ｐ
（Ｐｔ）に接する場所において液滴の液面と基板の表面
とのなす角度である。なお、接触角θは、液体材料に含
まれる金属微粒子（所定の材料）の種類や形体、あるい
は用いられる溶媒、更には基板の表面状態に応じて変化
する。

【００４０】次いで、制御装置ＣＯＮＴは、上記ステッ
プＳ１〜Ｓ５の一連の動作が所定回数に達したかどうか
を判別する（ステップＳ６）。そして、所定回数に達し
ていないと判断したら、制御装置ＣＯＮＴはステップＳ
１に戻る。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、ＵＶ照射時
間をそれぞれ異なる値に設定し、この設定した複数のＵ
Ｖ照射時間のそれぞれに基づいて、上記ステップＳ１〜
Ｓ５の一連の動作を行う。これにより、図７（ｂ）に示
すように、複数のＵＶ照射時間ｔのそれぞれと接触角θ
との関係が求められる。なお、図７（ｂ）は、ステップ
Ｓ６における所定回数を１０回に設定したときのＵＶ照
射時間のそれぞれと接触角θとの関係をプロットした図
である。

【００４１】ここで、ステップＳ２において設定するＵ
Ｖ照射時間は０も含まれる。すなわち、ＵＶ照射処理が
施されないテスト用基板Ｐｔと液滴との接触角θも測定
される。したがって、制御装置ＣＯＮＴは、このＵＶ照
射時間ｔ＝０におけるテスト用基板Ｐｔと液滴との接触
角θ０を基準として、ＵＶ照射時間ｔと接触角θの変化
量との関係を求めることができる。

【００４２】ＵＶ照射処理は、基板の撥液性を低下する
処理である。したがって、ＵＶ照射時間を長くすること
により基板の撥液性は低下され、これに伴って基板と液
滴との接触角は小さくなる。しかしながら、ＵＶ照射時
間と接触角の低下量とは比例せず、図７（ｂ）に示すよ
うに、ある時間範囲内ＴＲにおいては接触角θは大きく
変化せず、ＵＶ照射時間ｔが所定時間ｔ１以上になった
ときに、接触角θが低下し始める。

【００４３】ステップＳ６において、ステップＳ１〜Ｓ
５の処理が所定回数に達したと判断したら、制御装置Ｃ
ＯＮＴは前記複数（１０回）の照射時間条件とそのとき
の接触角の測定値とに基づいて、ＵＶ照射時間と接触角
との関係（図７（ｂ）のラインＬ参照）を例えば数値計
算を用いて導出する。そして、導出されたＵＶ照射時間
と接触角との関係が記憶装置Ｒに記憶される（ステップ
Ｓ７）。

【００４４】記憶装置ＣＯＮＴに、ＵＶ照射時間と接触
角（接触角の変化量）との関係が記憶されたら、デバイ
ス形成用の基板Ｐに上にフルオロアルキルシランからな
る自己組織化膜を形成するＦＡＳ処理工程が行われる
（ステップＳ８）。これにより、基板Ｐに撥液性が付与
される。

【００４５】次いで、制御装置ＣＯＮＴは、記憶装置Ｒ
に記憶されている、ＵＶ照射時間と接触角との関係に基
づいて、基板Ｐに対するＵＶ照射時間を設定する（ステ
ップＳ９）。ここで、制御装置ＣＯＮＴは、ＵＶ照射処
理（撥液性低下処理）を施す前の基板と液滴との接触角
（すなわち、照射時間０における接触角θ０）と、ＵＶ
照射処理を施した後の基板と液滴との接触角θｓとの差
δ（図７（ｂ）参照）が、予め設定された設定値以下と
なるように、ＵＶ照射時間（撥液性低下処理条件）ｔｓ
を設定する。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ＵＶ照
射処理を行っても基板Ｐの撥液性を維持するために、照
射時間ｔ＝０における接触角θ０と、ＵＶ照射処理を施
した後の基板Ｐと液滴との接触角θｓとがほぼ同じ値に
なるように、図７（ｂ）に示したようなＵＶ照射時間と
接触角との関係に基づいてＵＶ照射時間ｔｓを設定す
る。接触角θをＵＶ照射前と後とで大きく変化させない
ようにすることにより、基板Ｐ上に吐出された液滴は濡
れ拡がらず、所望の線幅を有する配線パターンが形成さ
れる。

【００４６】ここで、ＵＶ照射時間を長くする程、基板
Ｐと液滴（配線パターン）との密着力は向上する。した
がって、制御装置ＣＯＮＴは、予め設定してある所望の
密着力が得られるように、ＵＶ照射時間ｔｓを設定す
る。本実施形態において、制御装置ＣＯＮＴは、接触角
θ０との差δが所定値以下（すなわち、接触角θ０に対
する変化量が所定量以下）であり、且つ、所定の密着力
を得るために、ＵＶ照射時間をｔ＝ｔｓに設定する。

【００４７】次いで、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ
９で設定したＵＶ照射時間ｔｓに基づいて、基板Ｐに対
するＵＶ照射処理を行う（ステップＳ１０）。基板Ｐ
は、所望の撥液性を維持しつつ、次の工程で吐出される
液滴を変換後の膜との密着力を向上する。

【００４８】次いで、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ
１０でＵＶ照射処理が施された基板Ｐに対して、インク
ジェット装置ＩＪを用いて液滴を吐出する（ステップＳ
１１）。基板Ｐ上に吐出された液滴は、基板Ｐと所望の
接触角を維持される。

【００４９】以上説明したように、ＦＡＳ処理で撥液性
を付与された基板Ｐに対して撥液性を低下させるＵＶ照
射処理を施したことにより、基板Ｐ上のフルオロアルキ
ル基が低減されるので、基板Ｐに吐出された液滴と基板
Ｐとの密着力を向上できる。そして、このときのＵＶ照
射時間は、予め求めておいた、基板ＰにＵＶ照射処理を
施す前と後での液滴との接触角θの変化量に基づいて設
定されるので、ＵＶ照射処理後も所望の接触角θで基板
Ｐに液滴を配置できる。このように、基板Ｐに対する密
着力を維持しつつ所望の形状（線幅）を有するパターン
を基板Ｐ上に形成できる。

【００５０】なお、上記実施形態では、基板Ｐの撥液性
を制御するために基板Ｐに対するＵＶ照射時間を調整し
ているが、基板Ｐ上における単位面積当たりのＵＶ照射
量を調整することにより、撥液性の制御、ひいては接触
角θの制御を行うようにしてもよい。更に、照射するＵ
Ｖの波長を調整することにより基板Ｐの撥液性を制御す
るようにしてもよい。

【００５１】上記実施形態では、撥液性低下処理として
ＵＶ照射処理が行われる構成であるが、基板Ｐに対して
Ｏ２プラズマ処理を行うことにより、基板Ｐの撥液性を
低下するようにしてもよい。

【００５２】＜実験例１＞複数のスライドガラス基板に
波長２５８ｎｍの紫外光を１０分間照射し表面の洗浄を
行った後、これら基板を１０ｍｌの液体ＦＡＳとともに
チャンバ内に収容し、室温で７２時間放置し、ＦＡＳ処
理を行った。そして、ＦＡＳ処理が施された複数の基板
に対して、波長２５８ｎｍの紫外光をそれぞれ異なる時
間照射した。そして、水系の溶媒に金属微粒子を含有さ
せた液体材料（以下、「水系液体材料」と称する）、及
び有機溶剤系の溶媒に金属微粒子を含有させた液体材料
（以下、「溶剤系液体材料」と称する）を作成し、これ
ら水系液体材料及び溶剤系液体材料のそれぞれを前記基
板に吐出し、静的接触角、前進接触角、及び後退接触角
のそれぞれを測定した。図８に接触角とＵＶ照射時間と
の関係を示す。図８（ａ）は、液体材料として水系液体
材料を使用した場合の接触角とＵＶ照射時間との関係を
示すグラフであり、図８（ｂ）は、液体材料として溶剤
系液体材料を使用した場合の接触角とＵＶ照射時間との
関係を示すグラフである。

【００５３】ここで、静的接触角とは、図９（ａ）に示
すように、静止液体の自由表面が水平な基板表面に接す
る場所において液面と基板表面とのなす角である。前進
接触角とは、例えば、図９（ｂ）に示すように、傾斜基
板上で下方に滑落移動する液体において、傾斜する基板
表面のうち傾斜前方側（傾斜下方側）における液面と基
板表面とのなす角である。後退接触角とは、例えば、傾
斜基板上で下方に滑落移動する液体において、傾斜する
基板表面のうち傾斜後方側（傾斜上方側）における液面
と基板表面とのなす角である。

【００５４】水系液体材料には、銀微粒子分散液を用い
た。銀微粒子分散液は、以下のようにして調整した。ま
ず、硝酸銀９０ｍｇを水５００ｍｌに溶解し、１００℃
に加熱し、攪拌しながら更に１％濃度のクエン酸ナトリ
ウム水溶液１０ｍｌを加え、そのまま８０分間沸騰させ
た。これによって凝集を防止するためのクエン酸で周囲
を覆われた銀コロイドを溶液中に分散した液体材料が得
られた。この銀コロイドの平均粒径は３０ｎｍで、分散
液の粘度は５ｃｐで、表面張力は２２ｍＮ／ｍであっ
た。溶剤系液体材料には、直径１０ｎｍの金微粒子をト
ルエン中に分散した金微粒子分散液（真空冶金社製、商
品名「パーフェクトゴールド」）にキシレンを添加し、
その粘度を８ｃｐ、表面張力を２４ｍＮ／ｍとした液体
材料を用いた。

【００５５】図８（ａ）に示すように、液体材料が水系
液体材料である場合、基板に対するＵＶ照射時間が短く
ても、基板と液体材料の液滴との接触角は大きく変化す
る。一方、図８（ｂ）に示すように、液体材料が溶剤系
液体材料である場合、ＵＶ照射時間がある所定の範囲で
は、基板と液体材料の液滴との接触角は大きく変化しな
い。また、水系液体材料及び溶剤系液体材料のそれぞれ
において、後退接触角のほうが前進及び静的接触角に比
べてＵＶ照射時間が短い時点から低下しはじめ、水系液
体材料及び溶剤系液体材料の双方とも、前進及び静的接
触角のＵＶ照射時間に関する低下率はほぼ同じである。

【００５６】以上のように、ＵＶ照射時間を調整するこ
とにより、水系及び溶剤系液体材料の双方とも、前進及
び静的接触角は後退接触角に比べて先に低下せず、特に
溶剤系液体材料の場合、前進及び静的接触角は、所定の
ＵＶ照射時間範囲においてほぼ一定値となるので、この
前進及び静的接触角がほぼ一定値に維持される時間範囲
内において基板Ｐに対するＵＶ照射を行うことにより、
基板Ｐ上に吐出された液滴形状（パターン線幅）を所定
形状に維持しつつ基板と液滴との密着性を向上できる。

【００５７】＜比較例１＞上記実験例１と同様、スライ
ドガラス基板に対してＦＡＳ処理を行い、このＦＡＳ処
理が施された基板に対して、上記実験例１と同じ溶剤系
液体材料（金微粒子分散液）からなる液滴をインクジェ
ット装置ＩＪを用いて吐出し、配線パターンを形成し
た。吐出液滴の体積が１０ｐｌとなる吐出波形を用いて
吐出したところ、基板着弾後の液滴の直径は３６μｍで
あった。まず、１回目の吐出工程として、液滴が互いに
離れるようにドット間隔５０μｍで吐出し、長さ２ｃｍ
のラインパターンを２０本描画した。そして、基板をホ
ットプレートにより１００℃で５分間熱処理し、液滴の
溶媒成分を除いた。次に、２回目の吐出工程として、１
回目の吐出工程同様、ドット間隔５０μｍで、１回目の
吐出工程によるドットとドットとの中間位置に液滴が着
弾するように吐出を行い、全てのドットが繋がったライ
ンを形成した。この後、この基板をホットプレートによ
り３００℃で３０分間熱処理し、溶媒成分を除いて金か
らなるラインパターンに変換した。このラインパターン
の比抵抗は、５×１０−６Ωｃｍであった。以上の工程
により得た２０本の金からなるラインパターンに関し
て、３Ｍ社製メンディングテープにより剥離試験を行っ
たところ、全ラインパターンが剥離した。

【００５８】＜実験例２＞上記実験例１と同様の方法で
基板に対するＦＡＳ処理を行った後、このＦＡＳ処理を
施した基板に対して２５８ｎｍの紫外光を２０秒間照射
した。そして、このＵＶ照射処理が施された基板に対し
て、上記実験例１で使用した溶剤系液体材料（金微粒子
分散液）からなる液滴を、比較例１同様、インクジェッ
ト装置ＩＪを用いて吐出し、ラインパターンを形成し
た。吐出液滴の体積が１０ｐｌとなる吐出波形を用いて
吐出を行ったところ、基板着弾後の液滴の直径は比較例
１の場合と同じ３６μｍであった。すなわち、ＵＶ照射
を行うことで液滴の濡れ拡がり具合、すなわち接触角が
大きく変化することがなかった。比較例１と同じ方法
で、２０本のラインパターンを形成し、３Ｍ社製メンデ
ィングテープにより剥離試験を行ったところ、全ライン
パターンの約８０％が剥離した。

【００５９】＜実験例３＞上記実験例１と同様の方法で
基板に対するＦＡＳ処理を行った後、２５８ｎｍの紫外
光を１００秒間照射した。そして、このＵＶ照射処理が
施された基板に対して、上記実験例１で使用した溶剤系
液体材料（金微粒子分散液）からなる液滴を、比較例１
で使用したインクジェット装置ＩＪを用いて吐出し、ラ
インパターンを形成した。吐出液滴の体積が１０ｐｌと
なる吐出波形を用いて吐出を行ったところ、基板着弾後
の液滴の直径は比較例１の場合とほぼ同じ４０μｍであ
った。比較例１と同じ方法で、２０本のラインパターン
を形成し、３Ｍ社製メンディングテープにより剥離試験
を行ったところ、全ラインパターンの約４０％が剥離し
た。

【００６０】＜実験例４＞上記実験例１と同様の方法で
基板に対するＦＡＳ処理を行った後、２５８ｎｍの紫外
光を、３０秒間、６０秒間、９０秒間、１２０秒間、１
５０秒間、１８０秒間のそれぞれの照射時間で照射し
た。そして、このＵＶ照射処理が施された基板のそれぞ
れに対して、上記実験例１で使用した溶剤系液体材料
（金微粒子分散液）、及び水系液体材料（銀微粒子分散
液）からなる液滴を、比較例１で使用したインクジェッ
ト装置ＩＪを用いて吐出し、ラインパターンを形成し
た。比較例１の方法と同様、１回目の吐出工程では液滴
を互いに離して着弾させ、２回目の吐出工程では１回目
の吐出工程で形成されたドットとドットとの中間位置に
液滴を着弾させ、基板のそれぞれにおいて金からなるラ
インパターン及び銀からなるラインパターンを２０本ず
つ形成した。そして、これらラインパターンに関して３
Ｍ社製メンディングテープにより剥離試験を行った。

【００６１】図１０に、吐出する液滴として金微粒子分
散液（溶剤系液体材料）及び銀微粒子分散液（水系液体
材料）からなる液滴を用いた場合の、ＵＶ照射時間と剥
離率及び形成されたパターン線幅との関係を示す。図１
０に示すように、ＵＶ照射時間が長くなるほど、金微粒
子分散液及び銀微粒子分散液からなるラインパターンの
双方とも、基板に対する密着力が向上して剥離率が低下
する。また、ＵＶ照射時間が長くなるほど、基板の撥液
性が低下して接触角が小さくなり（液滴が濡れ拡がりや
すくなり）、金微粒子分散液及び銀微粒子分散液からな
るラインパターンのそれぞれの線幅は太くなる。ここ
で、溶剤系液体材料である金微粒子分散液からなるパタ
ーン線幅は、ＵＶ照射時間が長くなっても大きく変化し
ないが、水系液体材料である銀微粒子分散液からなるパ
ターン線幅は、ＵＶ照射時間が長くなることに伴って大
きく変化する。

【００６２】上記実施形態では、本発明の膜パターンの
形成方法を、回路基板の導電膜配線や半導体の実装配線
等の配線パターンを形成する場合を一例に説明したが、
これに限らず、例えば、有機エレクトロルミネッセンス
装置、液晶表示装置、あるいはプラズマ表示装置等の電
気光学装置をはじめとする各種デバイスの材料層や配線
パターンを製造する場合についても適用可能である。

【００６３】上記実施形態のデバイスの製造方法で製造
した膜パターンを有するデバイスの一例として、有機エ
レクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置を備えた電子
機器の例について説明する。図１１は、携帯電話の一例
を示した斜視図である。図１１において、符号１０００
は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ
表示装置を用いた表示部を示している。図１２は、腕時
計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２にお
いて、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は
上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１３は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装
置の一例を示した斜視図である。図１３において、符号
１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードな
どの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１
２０６は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示し
ている。図１１〜図１３に示す電子機器は、上記実施形
態の表示装置（デバイス）を備えているので、表示品位
に優れ、明るい画面の表示部を備えた電子機器を実現で
きる。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、ＦＡＳ処理により
撥液性が付与された基板に対して撥液性を低下させる撥
液性低下処理を施すことにより、基板に吐出された液滴
と基板との密着力を向上できる。そして、撥液性低下処
理条件は、基板に撥液性低下処理を施す前と後での液滴
との接触角の予め求められている変化量に基づいて設定
されるので、撥液性低下処理後も所望の接触角で基板に
液滴を配置できる。したがって、基板に対する密着力を
維持しつつ所望の形状（線幅）を有するパターンを基板
上に形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のパターン形成装置の一実施形態を示す
概略構成図である。

【図２】ＦＡＳ処理が施された基板表面を模式的に示す
図である。

【図３】ＦＡＳ処理装置の概略構成図である。

【図４】ＵＶ照射装置の概略構成図である。

【図５】インクジェット装置の概略構成図である。

【図６】本発明のパターンの形成方法を説明するための
フローチャート図である。

【図７】記憶装置に記憶する撥液性低下処理条件に応じ
た基板と液滴との接触角の変化量に関する情報を説明す
るための図である。

【図８】ＵＶ照射時間と接触角との関係を求めるための
実験結果を示す図である。

【図９】前進、後退、及び静的接触角を説明するための
図である。

【図１０】ＵＶ照射時間とパターン線幅及び剥離率との
関係を求める実験結果を示す図である。

【図１１】本発明のデバイスが搭載された電子機器を示
す図である。

【図１２】本発明のデバイスが搭載された電子機器を示
す図である。

【図１３】本発明のデバイスが搭載された電子機器を示
す図である。

【符号の説明】

ＣＯＮＴ 制御装置 Ｆ ＦＡＳ処理装置 ＩＪ インクジェット装置（液滴吐出装置） Ｒ 記憶装置 ＳＹＳ 膜パターン形成装置 Ｕ ＵＶ照射装置（紫外線照射装置、撥液性低下処理
装置）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀧口 宏志 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB18 DB03 FA01 4M104 AA10 BB04 BB05 BB07 BB08 BB09 BB36 DD22 DD51 HH08 5E343 AA12 AA26 AA40 BB25 BB72 CC63 DD12 ER18 FF05 GG02 GG08 5F033 GG04 HH00 HH07 HH11 HH13 HH14 HH16 HH40 PP26 QQ00 QQ53 SS21

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に設定されたパターン形成領域に
   対して所定の材料を含む液体材料からなる液滴を吐出
   し、前記パターン形成領域に膜パターンを形成する膜パ
   ターンの形成方法において、 前記基板上にフルオロアルキルシランからなる自己組織
   化膜を形成するＦＡＳ処理工程と、 前記ＦＡＳ処理が施された前記基板の撥液性を低下する
   撥液性低下処理工程と、 前記撥液性低下処理が施された前記基板上に前記液滴を
   吐出する液滴吐出工程とを有し、 前記撥液性低下処理を施す前と後での該撥液性低下処理
   条件に応じた前記基板と前記液滴との接触角の変化量を
   予め求め、 前記求めた結果に基づいて前記撥液性低下処理条件を設
   定し、該設定条件に基づいて前記撥液性低下処理工程を
   行うことを特徴とする膜パターンの形成方法。
2. 【請求項２】 前記撥液性低下処理を施す前の前記基板
   と前記液滴との接触角と、前記撥液性低下処理を施した
   後の前記基板と前記液滴との接触角との差が、予め設定
   された設定値以下となるように、前記撥液性低下処理条
   件を設定することを特徴とする請求項１記載の膜パター
   ンの形成方法。
3. 【請求項３】 前記撥液性低下処理を施した後の前記基
   板と前記液滴との密着力が、予め設定した設定値以上と
   なるように、前記撥液性低下処理条件を設定することを
   特徴とする請求項１又は２記載の膜パターンの形成方
   法。
4. 【請求項４】 前記撥液性低下処理は前記基板に対する
   紫外線照射処理を含むことを特徴とする請求項１〜３の
   いずれか一項記載の膜パターンの形成方法。
5. 【請求項５】 紫外線照射時間を調整することにより前
   記接触角を制御することを特徴とする請求項４記載の膜
   パターンの形成方法。
6. 【請求項６】 前記紫外線照射時間と前記接触角との関
   係を予め求め、該求めた結果に基づいて、前記照射時間
   を設定することを特徴とする請求項４又は５記載の膜パ
   ターンの形成方法。
7. 【請求項７】 前記紫外線照射後の前記基板と前記液滴
   との密着力が、予め設定した設定値以上となるように、
   前記照射時間を設定することを特徴とする請求項４〜６
   のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法。
8. 【請求項８】 前記基板上における単位面積当たりの紫
   外線照射量を調整することにより前記接触角を制御する
   ことを特徴とする請求項４記載の膜パターンの形成方
   法。
9. 【請求項９】 基板上に設定されたパターン形成領域に
   対して所定の材料を含む液体材料からなる液滴を吐出可
   能な液滴吐出装置を備えた膜パターン形成装置におい
   て、 前記基板上にフルオロアルキルシランからなる自己組織
   化膜を形成するＦＡＳ処理装置と、 前記ＦＡＳ処理が施された前記基板の撥液性を低下する
   撥液性低下処理装置と、 前記撥液性低下処理を施す前と後での該撥液性低下処理
   条件に応じた前記基板と前記液滴との接触角の変化量に
   関する情報が予め記憶されている記憶装置と、 前記記憶装置に記憶されている前記変化量に関する情報
   に基づいて前記撥液性低下処理条件を設定し、該設定条
   件に基づいて前記撥液性低下処理装置を制御する制御装
   置とを備えることを特徴とする膜パターン形成装置。
10. 【請求項１０】 前記撥液性低下処理装置は紫外線照射
    装置を含むことを特徴とする請求項９記載の膜パターン
    形成装置。
11. 【請求項１１】 前記制御装置は、前記紫外線照射装置
    の照射時間を制御することを特徴とする請求項１０記載
    の膜パターン形成装置。
12. 【請求項１２】 基板上に所定の膜パターンを形成する
    膜パターン工程を有するデバイスの製造方法において、 前記膜パターン形成工程は、前記基板上にフルオロアル
    キルシランからなる自己組織化膜を形成するＦＡＳ処理
    工程と、 前記ＦＡＳ処理が施された前記基板の撥液性を低下する
    撥液性低下処理工程と、 前記撥液性低下処理が施された前記基板上に前記液滴を
    吐出する液滴吐出工程とを有し、 前記撥液性低下処理を施す前と後での該撥液性低下処理
    条件に応じた前記基板と前記液滴との接触角の変化量を
    予め求め、 前記求めた結果に基づいて前記撥液性低下処理条件を設
    定し、該設定条件に基づいて前記撥液性低下処理工程を
    行うことを特徴とするデバイスの製造方法。
13. 【請求項１３】 膜パターンを備えたデバイスの製造装
    置において、 請求項９〜請求項１１のいずれか一項記載の膜パターン
    製造装置を備えることを特徴とするデバイスの製造装
    置。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載のデバイスの製造装置
    により製造されたことを特徴とするデバイス。
15. 【請求項１５】 請求項１４記載のデバイスを有するこ
    とを特徴とする電子機器。