TWI292772B - Anisotropic conductive film forming composition - Google Patents

Description

1292772 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [〇〇〇1]本發明一般係關於一種非等向（anisotropic)性 導電薄膜之形成成分。 【先前技術】 [0002] 近來，非等方性導電薄膜係被廣泛地用以電連 丨接電子元件。-非等方性導電薄膜包括分散於由彈性絕緣 材質製成之薄膜中的導電粒子。一非等方性導電薄膜血型 10地係被夾置於二電極之間。當足多句的壓力從一電極❹向 另-電極時’則可經由薄膜中的導電粒子而形成電連接。 [0003] -非等方性導電薄膜之形成成分，典型地係由 導電顆粒與-絕緣樹脂所構成。絕緣樹脂一般係包括並使 用-熱固性樹脂’例如環氧（ep()xy)樹脂以及丙烯（acryl)樹 15脂。環氧熱固性樹輯於不同的表面均有優良的黏附強 度，以及優秀的财熱性與耐濕性。然而，環氧樹脂需要高 固化溫度以及長固化時間。另一方面，丙浠熱固性樹脂包 括有低（固化）溫度以及短（固化）時間。然而，丙稀樹 脂之黏附強度、耐熱性或耐濕性均不佳。 【發明内容】 [0004]本發明之一面向係提供一種非等方性導電薄 膜之形成成分。此成分包括至少—聚合物其包括有一含有 一矽烷基（silane group)之聚合物其包括有一矽烷基；至少 5 1292772 一可聚合之化合物；以及複數個導電顆粒。此至少一聚合 物可實質上不含有一經基。此至少一聚合物可包括一熱固 性聚合物。此至少一聚合物可包括一彈性聚合物以及一填 充聚合物。此彈性聚合物與此填充聚合物之至少一者可包 5 括此含碎烧基之聚合物。

[0005]在此成分之總重量中可包括含量為約5 wt%至 約80 wt%之此彈性聚合物，以及含量為約10 wt%至60 wt% 之此薄膜形成聚合物。在此成分中，此彈性聚合物可包括 選自下列群組之一者以上，此群組包括：以丙烯腈 10 -(acrylonitrile)、丁二稀-(butadiene)、苯乙烯-(styrene)、丙 浠-(acryl)、聚氨醋-(urethane)、聚酿胺-(polyamide)、浠烴 (olefin)、以及聚石夕氧烧-(silicone)為基礎之彈性聚合物。 此至少一聚合物可包括一不帶有一石夕烧基之聚合物。此含 矽烷基聚合物之含量可佔此成分總重量之約5 wt%至約80 15 wt%。此含石夕烧基聚合物之含量可佔此成分總重量之約10

wt%至約60 wt%。當此含石夕烧基聚合物受到一紅外線光譜 儀測試時，於3200〜3600CHT1的範圍内並不顯示一明顯峰 值0 [0006]在上述成分中，此至少一可聚合之化合物可包 20 括一以丙稀酸甲酯（(meth)acrylate)為基礎之單體或寡聚體 (oligomer)。此以丙烯酸曱酯為基礎之單體或寡聚體可包括 一矽烷基。此至少一可聚合之化合物可包括下列之至少一 者：一交聯劑（cross-linking agent)、以及一聚合反應促進 劑。此交聯劑可包括一含矽烷基之單體或寡聚體。以此成 6 1292772 分之總重量為基準時，此交聯劑之含量係為約10 wt%至約 80 wt%，且此聚合反應促進劑之含量係為約0.5 wt%至約50 wt% 〇 [0007] 在此成分中，此導電顆粒可包括金屬球，其含 量係為此成分總重量之約0.01 wt%至3 0 wt%。此成分可更 包括一熱固性起始劑（initiator)。此熱固性起始劑可包括一 以過氧化物（peroxide)為基礎之固化劑（curing agent)、或一 以偶氮化合物（azo)為基礎之固化劑。此成分可為液相。

[0008] 在此成分中，此矽烷基可以下列化學式1_1表 10 示： 化學式1-1

Ra -Si-Rb Rc 在此化學式中，每一 Ra，Rb，Rc均可為選自一群組包括： 氫、C1-C5烧氧基（alkoxy)、丙稀氧基（acryloxy)、胺基 15 (amine)、以及鹵素（halogen)。 [0009]此至少一聚合物可包括一由化學式2所表示之 彈性聚合物： 化學式2

7 1292772 化學式2中之此雙鍵型橡膠可選自一群組包括以丙烯腈 -(acrylonitrile)、丁二稀-(butadiene)、苯乙烯-(styrene)、丙 煉-(acryl)、異戊二稀-(isoprene)、聚氨醋-(urethane)、聚醯 胺-(polyamide)、稀烴-(olefin)、以及聚石夕氧烧-(silicone)為 基礎之彈性聚合物。每一 a、b、c可為一介於20至約100之 整數，且η係為一整數介於1至約5。其中每一 Ri、R2、及R3 可為一以下列化學式3-1、3-2、或3-3所代表之取代基： 化學式3-1

0R? NH-R〇~**Si-**OR7 OR, Ο o or7 …·C-〇--CH2CH-CH2〇--R4Si**'〇R7 0R7 10 4匕學式3_2 ORr

o:c I O ,NH-R「#—0R7 or7 OR? -0 ~CH2 C H-CH2 -R4，Si-〇R7 〇^NH OR7R7 Re-k\-〇Rr QR7

化學式3-3 o or7 -o-o-m-RA-k-〇Ry ORv 其中每一 R4、R5、及心可為苯基（phenyl)、聯苯基（biphenyl)、 15 或萘（naphthalene)、或以鹵素取代或未取代且為直鍊或支鍊 之C1-C5烷基。R7可為甲基、乙基、丙基、或異丙基。 [0010]在此成分中，此含矽烷基聚合物可以化學式4 來表示： 8 1292772 化學式4

R12*GH2-CH V OR

r16-or19 在此化學式中，每一Ru及R12可為一取代基其係由一經取代 或未取代之酚的一或二個羥基脫氫（dehydr〇genate)而得。每 Rll及R!2可經由此被脫氣之經基之氧原子而連接至一鄰 近礙原子；每一 Ri3及尺^可為由化學式5所代表之一取代基： 化學式5 〇 or19 ~C-NH~R16-Si-0Ri9 R15可為由化學式6所代表之一取代基： 4匕學式6 一〇 - C DR19 每一 a及b可為介於1至約100之整數，且η係為1、2或3。每 一 Ri6、Ri7、及 Ri8可為苯基（phenyl)、聯苯基（biphenyl)、 9 1292772 萘（naphthalene)、或以鹵素取代或未取代且為直鍊或支鍊之 C1-C5烷基；以及R19可為曱基、乙基、丙基、或異丙基。

10 15

[0011]在此成分中，此經取代或未取代之酚可選自一 群組包括：對苯二紛（hydroquinone)、2_溴對苯二盼 (2-bromohydroquinone)、間苯二齡（resorcinol)、兒苯紛 (catechol)、雙紛A(bisphenol A)、雙紛F(bisphenol F)、雙紛 AD(bisphenol AD)、雙紛S(bisphenol S)、4,4’-二經基聯苯 (4,4’-dihyroxybiphenyl)、以及二（4-經基苯基）醚 (bis(4-hydroxyphenyl)ether)，且上述化合物係經一個以上之 取代基所取代。此經取代之酚可被一個以上選自下列群組 之取代基取代之，該群組包括：直鍊或支鍊之C1-C5烷基、 經鹵素取代之直鍊或支鍊C1-C5烷基、氮取代之直鍊或支鍊 C1-C5烷基、芳香基、鹵素取代之芳香基、氮取代之芳香基、 經甲基（methylol)、鹵素取代之經甲基、氮取代之經甲基、 烯丙基（allyl)、S素取代之烯丙基、氮取代之烯丙基、脂環 基（alicyclic)、鹵素取代之脂環基、氮取代之脂環基、直鍊 或支鍊之C1-C5烧氧基羰基（alkoxycarbonyl)、i素取代之直 鍊或支鍊之ChC5烷氧基羰基、以及氮取代之直鍊或支鍊之 C1-C5烷氧基羰基。此酚可選自一群組包括雙酚A、雙酚F、 雙酚AD、以及雙酚S取代基，且其中此些雙酚類中非苯環 之一個以上的碳原子係被選自以下群組之一取代基所取 代：直鍊或支鍊之C1-C5烷基、烯丙基、脂環基、或直鍊或 支鍊之C1-C5烷氧基羰基。 20 1292772 [0012]在此成分中，此至少一可聚合之化合物可以化 學式7表示： 化學式7

R 22 5 在此化學式中，q可為1、2、或3。R21可為苯基、聯苯基、 三苯基（triphenyl)、萘、或鹵素取代或未取代之直鍊或支鍊 之C1-C5烷基。R22可為如化學式8-1、8-2、或8-3所代表之 一取代基： 化學式8-1 OR27 /NH-RcSi—OR27 0"? ‘ 0R27 o o ?r27 C…ο ·〇Η2 CH -CH2 ο…R27+i…_〇R27 化學式8-2

OR27 I o:c I Ο OR27 OR 27 , ,r27 —OCH20h - CH2N—R2iSi - OR27 0R27 ° NH OR27 R26〜Si—OR27 27

OR 11 1292772 化學式n 9 ?只 27 一O - GHNH- R2f3i—〇R27 OR27 每一 R24、R25及R26可為苯基、聯苯基、三苯基、萘、或鹵 素取代或未取代之直鍊或支鍊之C卜C5烷基；以及R27可為 曱基、乙基、丙基、或異丙基。 合物其包括有一重量平均分子量介於約5〇〇至約5,〇〇〇,〇〇〇 之間。此至少一聚合物可包括一含矽烧基之填充聚合物其 包括有一重量平均分子量介於約500至約300,000之間。 10

[0013]在此成分中，此至少 [0014] 本發明之另一面向係提供一種製造一電子裝 置之方法。此方法包括：提供一電子裝置之一中間產物其 匕括有第一導電部分；提供如上所述之非等方性導電薄 膜形成成分；將此成分與此中間產物之第一導電部分接 觸；以及使此非等方性導電薄膜形成成分中之可聚合之化 合物進行聚合反應，以形成與第_導電部分接觸之一非等 方性導電薄膜。此中間產物可更包括一第二導電部分，且 其：此方法於聚合反應之前更包括將此成分與此中間產物 之第二導電部分接觸。此非等方性保電薄膜可實質上不包 =經基。當此非等方性導電薄膜受到―紅外線光 试時，於3200〜3600 cm-1之 r m 2 一 、 之乾圍内並不顯示明顯一峰值。 [0015] 纟發明之又一面向係提供一種以上 造之電子裝置。 ^刀次版 12 20 1292772 [0016]本發明之又一面向係提供一種電子裝置包 括··一非等方性導電薄膜；以及至少一導電性部^其係: 此非等方性導電薄膜接觸；其中此非等方性導電薄膜係包 括一含矽烷基之聚合物，其含量係佔非等方性導電薄膜之 5總重量之約5 wt%至約80 wt%。在此電子裝置中，此含有一 f燒基之聚合物之含量，可佔此非等方性導電薄膜之總重 罝之約10 wt%至約60 wt%。在此電子裝置中，當此電子裝 卜置之非等方性導電薄膜受到一紅外線光譜儀測試時，於 3200〜3600 cm-i之範圍内並不顯示一明顯峰值。 ^ 17]本發明之又一面向係提供一非等方性導電薄 +、开乂成成刀包括一彈性聚合物、一含石夕烧基之薄膜形 成劑、一自由基（radical)可聚合之熱固性起始劑、第一以甲 基丙烯酯（(meth)aCrylate)為基礎之單體或寡聚體、第二以甲 基丙烯酉旨為基礎之單體或寡聚體、導電顆粒、以及一有機 15 溶劑。 【實施方式】 [0018] 本發明之各種面向以及特徵將藉由下列說明 而更加明顯。 [0019] |發明一實例之一非等方性導電薄膜包括一 絕緣聚合物，且在此聚合物中分散有複數個導電顆粒。此 ^例之此非等方性導電薄膜係用以電連接電子元件。在— 貫例中’此非等方性導電薄膜係被置於二電極之間。當-充分的壓力係施加於—電極並朝向另—電極時，則透過在 13 1292772 。此薄膜在各種不同的電 連接方式。 薄膜中的導電顆粒可建立電連接 子裝置中可應用於各種不同之電

10 15

[0020]根據本發明之-實例，_非等方性導電薄膜之 形成成分包括至少-聚合物其包括有一含有一矽烷基之聚 合物其包括有一矽烷基；至少一可聚合之化合物；以及複 數個導電顆粒。此至少-含钱基之聚合物係包括一個以 上的石夕烧基。減成分所形叙料方性薄膜顯示了高剝 離強度（peel strength)以及低接觸電阻（electrical c〇ntact resistance)。發明人所熟知之非等方性薄膜形成成分，包括 一非聚合物化合物其包括有一矽烷基。此含矽烷基化合物 係用作為交聯劑，以增加所生成薄膜之黏附強度。然而， 此含矽烷基之非聚合物化合物包括有一低分子量，並於乾 燥及/或鬲溫固化製程中揮發。此大幅降低了所生成之非等 方性導電薄膜、與供此薄膜生長於其上之導電表面之間的 黏性。 [0021 ]在薄膜形成成分中所使用之此至少一聚合物 所包含之此矽烷基，可以下列化學式1-1所表示： 化學式1-1

Ra •Si-Rb

Rc 20 在此化學式中，每一Ra，Rb，Rc係選自氫、C1-C5烷氧基、 丙烯醯基、胺基、或_素。此矽烷基可以一介於此聚合物 之一團基（moiety)與一帶有一個以上活性取代基之有機石夕 烧（organosilane)化合物之間的反應，而引入此聚合物中。 1292772 此活性取代基可為一胺基、一環氧基、或一異氰酸基 (isocyanate)。在下列的敘述中，以胺基_、環氧基-或異氰酉 1 基-為基礎之矽烷基，均指涉為有機矽烷化合物其分別包括 • 有至少一胺基、環氧基、或異氰酸基。 _ 5 [〇〇22]在一實例中，此薄膜形成成分可包括此至少一 含矽烷基之聚合物，其含量係為此成分總重量之約5 wt%至 約80 wt%。在另一實例中，此含矽烷基之聚合物之含量係 為此成分總重量之約10 wt%至約60 wt%，選擇性地係為約 15 wt%至約 45 wt%。 1〇 [〇〇23]在一實例中，此至少一含矽烷基之聚合物可為 一彈性聚合物及/或一填充聚合物。在一實例中，此至少一 可聚合之化合物可為一交聯劑及/或一聚合反應促進劑。在 一實例中，此交聯劑可同時包括有一矽烷基。在一實例中， 此薄膜形成成分可包括一溶劑，且其係為液態。在某些實 15例中，此非等方性導電薄膜成分可更包括如聚合反應抑制 劑、抗氧化劑等添加物。 _ [0024]在一實例中，此成分包括約5加％至約 之彈性聚合物、約10 wt%至約60 wt%之一含矽烷基填充 聚合物、約l〇wt%至約80wt%之一交聯劑、約〇·5 wt%至約 20 50 Wt/G之一聚合反應促進劑、約0.1 wt%至約15 Wt%之一熱 口 1*生I始劑、約〇 〇1 wt%至約wt%之導電顆粒與適量之 有機/合诏。在下列的實例中，以wt%表示之含量均係相較於 此成分總重量。 25 彈性聚合物 15 1292772 括在某些實例中’此非等方性導電薄膜成分可包 :無性聚合物。此彈性聚合物提供了彈性至所生成之非 2性導電薄膜。此彈性聚合物可為一帶有一叛基或一環 ，基之橡膠。此彈性聚合物係如以㈣腈、丁二烯_、苯乙 、丙稀聚氨醋_、聚醯胺_、稀煙_、以及聚石夕氧烧-為 土礎之橡膠。在—實例中’此彈性聚合物並不帶有我基。 另實例中，此彈性聚合物帶有一矽烷基。在此彈性聚

10 :物中所帶有之；^絲係以如以上所述之化學式η所表 不。在特定實财，此料基可為如—以環氧基或以氨基 為基礎之石夕燒基。 [0026]在貫例中，此含石夕烧基之彈性聚合物係以下 列之化學式2所表示： 化學式2

15 [0027]在化學式2中，此雙鍵型橡膠係為丙烯腈_、丁 二烯-、苯乙烯-、丙烯_、異戊二烯_、聚氨酯·、聚醯胺_、 烯烴-、以及聚矽氧烷-橡膠，或一複合橡膠其包括一個以上 之上述橡膠。每一a、b、及c係為介於約20至約100之間之 正數。η係為介於1至5之整數。此外，每一心、r〗、及1係 20 獨立地為一以下列化學式3-1、3_2、或3-3所代表之取代基 1292772 化學式3-1 0R? NH*~R5~~Si—OR? 0=：(? 0R? 0 O OR7 •C …ο-ch2 0h.ch2 0“R4·和…or7 or7 化學式3-2 o 二 c_ 1 〇 or7 ,NH~R§—今 i—OR7 GR7 OR7 o-ch2 CH*~CH2N-

r4-宁 i 一 OR7 OR? 0 m or7 Rg - Si—OR? 0R7 5 化學式3-3 〇 -o-c-nh~r4-

or7 I *Si—OR7 0RV

[0028] 在上述之化學式3-1至3-3之中，每一R4、R5、 及R6係獨立地為以鹵素取代或未取代且為直鍊或支鍊之一 C1-C5烷基、或為一芳香基。此經取代之烷基可為以鹵素取 10 代者。此芳香基可選自苯基、聯苯基、三苯基、以及萘基。 R7係為一甲基、一乙基、一丙基、或一異丙基。 [0029] 此彈性聚合物可包括有一重量平均分子量介 於約500至約5,000,000之間。在其他實例中此彈性聚合物之 重量平均分子量係介於約1〇,〇〇〇至約3,000,000之間，選擇 15 性地介於約20,000至約1，000,000之間。此外，此彈性聚合 物之含量可佔此成分總重量之約5 wt%至約8 0 wt%。在其他 實例中，此薄膜形成成分之總重量中，此彈性聚合物之含 量係為約10 wt%至約60 wt%，選擇性地為15 wt%至約45%。 17

10

1292772 人协在"~實例中’此含錢基之彈性聚合物可以一 二：::Γ橡膠之間之反應而製倩。此繼炫 ==化合物其包括有如化學式M所示之料基。此有 機矽烷可以下列之化學式1_2所表示： 化學式1-2

Ra

Rd- Si - Rb Rc 在此化學式中’每一 Ra Rb R r π么 π- _ ，KD，Kc可為一虱原子、一C1-C5烷 氧基、-丙稀醯基、-胺基、或—鹵素原子。Ra,Rb，Rw 被水解或化學鍵結至-無機材料如三氧化石夕。Ra，Rb，Rw 帶有電荷而顯示對於一無機材料之親和力。Rd可為一有機 取代基其》?r有-可與-聚合物生成化學鍵結之活性取代 基。此活性取代基可為一環氧基、一胺基、或一異氰酸基。 Rd可為，例如，一直鍊或支鍊之C1_C5烷基或一被一個以上 之反應取代基所取代之芳香基。此烷基可進一步經齒素取 代。此芳香基可為苯基、聯苯基、三苯基、或萘基。 [003 1]在一實例中，此有機矽烷可為一以環氧基或胺 基為基礎之矽烷。一以環氧基為基礎之矽烷可被用以與一 樹脂之一羧基反應，而形成一帶矽烷基之彈性體。一以胺 基為基礎之矽烷可備用以與一橡膠中的環氧基反應。以環 氧基為基礎之矽烷之範例包括，γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基 矽烷（γ-glycidoxypropyltrimethy silane)、γ-環氧丙氧基三乙 氧基石夕烧（γ-glycidoxytriethoxy silane)、γ·環氧丙氧基丙基 甲基二乙氧基石夕烧（γ-glycidoxypropylmethyldiethoxy 20 1292772 silane)、γ-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基石夕烧 (γ-glycidoxypropylmethyldimethoxy silane)、2-(3,4-環氧環 己基） 乙 基三甲 氧 基矽烷

10 15

20 (2-(3?4-epoxycyclohexy)-ethyltrimethoxy silane)、以及 2-(3,4-環氧環己基）乙基三乙氧基矽烷 (2-(3,4-epoxycyclohexy)-ethyltriethoxy silane) 〇 [0032]以胺基為基礎之矽烷之範例包括，N-丙烯醯基 -2-羥基丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷 (N-acryloxy-2-hydroxypropyl-3-aminopropyltrimethoxy silane)、N-(3-曱基丙烯醯基-2-羥基丙基）-3-胺基丙基三乙 氧基 石夕烧(N-(3-methacryloxy-2-hydroxypropyl)-3-aminopropyltriethoxy silane)、γ-胺基丙基三乙氧基石夕烧 (γ-aminopropyltriethoxy silane)、γ-胺基丙基三甲氧基石夕烧 (γ-aminopropyltrimethoxy silane)、γ-胺基丙基甲基二乙氧基 石夕烧（γ-aminopropylmethyldiethoxy silane)、γ·胺基丙基曱基 二甲氧基石夕烧（γ-aminopropylmethyldimethoxy silane)、 N-[3-(三甲氧基矽烷基）丙基]乙烯基二胺 (N-[3-(trimethoxysily)propyl]ethylenediamine)、N-β-(胺基 乙基）-γ-胺基丙基三乙氧基石夕烧 (N-P-(aminoethyl)-γ-aminopropyltriethoxy silane)、二乙烯基三胺基丙基三曱 氧基石夕烧（diethylenetriaminopropyltrimethoxy silane)、二乙 醯基三胺 基丙基三乙氧 基矽烷 (diethylenetriaminopropyltriethoxy silane)、二乙稀機三胺基 丙 基甲基 二甲氧 基矽烷 19 1292772 (diethylenetriaminopropylmethyldimethoxy silane)、環己基 胺基丙基三曱氧基石夕烧（cyclohexylaminopropyltrimethoxy silane)、 己基二胺基甲基二乙氧基矽烷 (hexanediaminomethyldiethoxy silane)、苯胺基甲基三乙氧 5 基石夕烧（anilinomethyltriethoxy silane)、苯胺基甲基三甲氧 基石夕烧（anilinomethyltrimethoxy silane)、以及甲基胺基丙基 三甲氧基石夕烧（methylaminopropyltrimethoxy silane) 0 填充聚合物（薄膜形成劑） [0033]在一實例中，此非等方性導電薄膜形成成分係 包括至少一填充聚合物。此填充聚合物形成此薄膜之形 體，且帶有彈性與否皆可。在一實例中，此填充聚合物可 為一含矽烷基之聚合物。在一實例中，此含矽烷基之聚合 物係為一苯氧（phenoxy)樹脂其帶有一石夕烧基。 [0034]在一實例中，此含矽烷基之填充聚合物係以下 列之化學式4所表示： 化學式4

1292772 [0035]在此化學式中，每一a&b係為介於1至約100之 整數，且η係為介於1至3之整數。每一 Rn與R12係為一從一 帶有一個以上羥基之酚中所衍生而來。每一 Ri!與R12係為一 經取代或未取代之酚，於其一個或二個羥基進行脫氫 (dehydrogenated)後之形式。每一Rn與R12係經由經基被脫 水後之氧原子而連接至一相鄰之碳原子。此酚可選自對苯 二 盼(hydroquinone) 、 2-漠 對苯 二酉分

(2-bromohydroquinone)、間苯二紛（resorcinol)、兒苯紛 (catechol)、雙盼A(bisphenolA)、雙齡F(bisphenolF)、雙紛 10 AD(bisphenol AD)、雙紛 S(bisphenol S)、4,4’·二經基聯苯 (4,4’-dihyroxybiphenyl)、或二（4-經基苯基）醚 (bis(4-hydroxyphenyl)ether) 〇 每一 Ri !與 R12係以下歹,J 之一個 以上之取代基所取代··直鍊或支鍊之C1-C5烷基、經鹵素取 代之直鍊或支鍊C1-C5烷基、氮取代之直鍊或支鍊C1-C5烷 15 基、芳香基、經甲基（methylol)、稀丙基（allyl)、脂環基 (alicyclic)、直鍊或支鍊之C1-C5烷氧基羰基 (alkoxycarbonyl)、或上述之取代基其以至少一鹵素原子或 一含氮取代基所取代。當此酚係選自酚A、雙酚F、雙酚AD、 以及雙酚S時，此些雙酚類中一個以上的非苯環碳原子可以 20 下列群組中之取代基所取代：直鍊或支鍊之C1-C5烷基、烯 丙基、脂環基、或直鍊或支鍊之C1-C5烷氧基羰基。 [0036]例如，Rn與R12之取代或未取代之酚可包括： 4,4’-(1-甲基乙二烯）雙[2-甲基酚](4,4’-(l-methylethylidene)bis[2-methylphenol])、4,4’_亞甲基雙[2- 21 1292772 曱基紛](4,4’-methylenebis[2-methylphenol])、4,4’-(l-甲基 亞乙基） 雙 [2-(1- 甲基 乙基）

10 15

20 紛](4,4’-(l-methylethylidene)bis[2-(l-methylethyl)phenol]) 、4,4’-(l-甲基亞乙基）雙[2-(1,1-甲基丙基）酚] (4,4’-(l-methylethylidene)bis[2-(l，l，methylpropyl)phenol]) 、4,4’-(l-甲基亞乙基）雙[2-(1,1-二甲基乙基）酚] (4,4’-(l-methylethylidene)bis[2-(l, l-dimethylethyl)phenol]) 、四甲基雙酉分A(tetramethylbisphenol A)、四甲基雙盼 F(tetramethylbisphenol F)、4,4’-甲烯雙[2,6-雙（1，1·二曱基 乙基）紛](4,4’-methylenebis[2,6-bis(l，l-dimethylethyl) phenol])、4,4’-(l-曱基亞乙基）雙[2,6-雙（1，1-二甲基乙基） i^](4,4’-(l-methylethylidene)bis[2,6-di(l，l-dimethylethyl)p henol])、4,4’-(l-甲基亞乙基）雙[2-(2-丙烯基） 酉分](4,4’-(1 -methylethylidene)bis[2-(2-propenyl)phenol])、 4-4’- 亞 甲基雙 [2-(2- 丙烯基 ） 酉分](4,4’-methylenebis[2-(2-propenyl)phenol])、4,4’-(1_ 甲基 亞乙基） 雙 [2-(1- 苯基 乙基） 酉分](4,4’_(l-methylethylidene)bis[2-(l-phenylethyl)phenol]) 、3,3’-二甲基[1，Γ-二苯基]-4,4’-二醇 (3,3’-dimethyl[l，l’-biphenyl]-4,4’-diol)、3,3’，5,5，-四甲基 -[1，Γ- 二苯基 ]-4,4’- 二 醇 (3,3’，5,5’-tetramethyl-[l，1 ’-biphenyl]_4,4’-diol)、3,3’，5,5 四 ·第三 丁基-[1，1、二苯基]-4,4’- 二醇 (3,3 ’，5,5 ’-tetra-t-butyl-[l，1 ’-biphenyl]-4,4’-diol)、3,3 雙（2-丙烯基 ）-[1，1’_ 二苯基 >4,4’- 二 醇 22 25 1292772 (3,3’-bis(2_propenyl)-[l，l’-biphenyl]-4,4’-diol)、4,4’-(l-曱 基亞 乙基）雙 [2- 曱基 -6- 羥甲基 紛](4,4’-(l-methylethylidene)bis[2-methyl-6-hydroxymethy lphenol])、四曱醇基雙盼 A(tetramethylolbisphenol A)、 5 3,3’，5,5，-四（羥甲基 Η1，Γ-二苯基）·4,4’_ 二醇 (3?3 %555 ,-tetrakis(hydroxymethyl)-( 151?-biphenyl )-4,4^(1101 )、4,4’-(l-甲基亞乙基）雙 [2- 苯基 酉分](4,4’-(l-methylethylidene)bis[2-phenylphenol])、4,4’-(1-甲基亞 乙基）雙 [2- 環己基 10 驗](4,4’-(l-methylethylidene)bis[2-cyclohexylphenol])、 4,4’- 亞 甲基雙 （2- 環己基 -5- 曱 基 紛 ）（4,4’-methylenebis(2-cyclohexyl-5-methylphenol)) 、 4,4’·(1·甲基亞丙基雙驗（4,4’-(l-methylpropylidene) bisphenol) 、 4,4’-(l- 曱基亞庚基） 雙紛 15

20 (4,4’-(l_methylheptylidene)bisphenol)、4,4’-(l-甲基亞辛基） 雙紛（4,4’-(1-methyloctylidene) bisphenol)、4，4’-(1，3_二甲基 亞丁基）雙紛（4,4’-(l，3-dimethylbutylidene) bisphenol)、 4,4’-(2-乙基亞己基）雙盼（4,4’-(2-ethylhexylidene) bisphenol) 、 4,4’-(2_ 甲基亞 丙基） 雙酚 (4,4’-(2-methylpropylidene) bisphenol)、4,4’-3-亞丙基雙酉分 (4,4’-3-propylidene bisphenol)、4,4’·(1-乙基亞丙基）雙盼 (4,4’-(l-ethylpropylidene) bisphenol)、4,4’-(3-甲基亞 丁基） 雙酉分（4,4’-(3-methylbutylidene) bisphenol)、4,4’-(1-苯基雅 乙基）雙酉分（4，4’-(l-phenylethylidene) bisphenol)、4，4’_(苯基 亞甲基）雙紛（4,4’-(phenylmethylene) bisphenol)、4,4’-(二苯 23 25 1292772

10 15

20 基亞甲基）雙紛（4,4’-(diphenylmethylene) bisphenol)、 4,4’-[l-(4-硝基苯基）亞乙基] 雙酚 (4,4’-[l-(4-nitrophenyl)ethylidene] bisphenol)、4,4’·[ 1 - (4-胺基苯基）亞乙基]雙紛（4,4’-[l-(4-aminophenyl)ethylidene] bisphenol) 、 4,4’-[(4-溴苯基）亞甲基]雙盼 (4,4’-[(4-bromophenyl)methylene] bisphenol)、4,4’·[(4-氯苯 基）亞甲基]雙盼（4,4’-[(4-chlorophenyl)methylene] bisphenol) 、 4,4’-[(4-氟苯基）亞甲基]雙紛 (4,4’-[(4-fluorophenyl)methylene] bisphenol)、4,4’-(2-甲基 亞丙基）雙[3-甲基-6-(l，l-二甲基乙基） 紛](4,4’_(2-methylpropylidene)bis[3-methyl-6-( 1，1 -dimethy lethyl)phenol])、4,4’-(l-乙基亞丙基）雙[2-甲基 紛](4,4’-(l-ethylpropylidene)bis[2-methylphenol])、4,4’-(1-苯基亞乙基）雙[2-曱基紛](4,4’_(l_phenylethylidene) bis[2-methylphenol])、4,4，-(苯基亞甲基）雙-2,3,5-三甲基酚 (4,4’-(phenylmethylene)bis-2,3,5-trimethylphenol)、4,4’-(1-苯基亞乙基）雙 R-(l，l-二甲基乙基） 紛](4,4’_(1 -phenylethylidene)bis[2-(l，1 -dimethylethyl)phen 〇1])、4,4’-(l-曱基亞丙基）雙[2-環己基-5-曱基 酉分](4,4’·( 1 -methylpropylidene)bis[2-cyclohexyl-5-methylph enol]) 、 4,4’-(l-苯基亞乙基）雙[2-苯基 紛](4,4’-(l-phenylethylidene)bis[2-phenylphenol])、4,4’_ 亞 丁基雙 [3-甲基-6-(1,1-二甲基乙基） S^](4,4’-butylidenebis[3_methyl_6-(l，l-dimethylethyl)pheno 24 1292772 1])、4·羥基-α-(4·羥基苯基-α-甲基苯乙炔甲酯

10 15

20 (4-hydroxy-a-(4-hydroxyphenyl-a-methylbenzene acetylene methylester)、4-經基-α_(4-經基苯基_α-甲基苯乙炔乙酉旨 (4-hydroxy-a-(4-hydroxyphenyl-a-methylbenzeneacetylenee thylester)、4-經基-α-(4-經基苯基）苯乙炔丁酉旨 (4-hydroxy-a-(4-hydroxyphenyl)benzeneacetylenebutylester) 、四漠雙紛 A(tetrabromo bisphenol A)、四溴雙紛 F(tetrabromo bisphenol F)、四漠雙驗 AD(tetrabromo bisphenol AD)、4,4’_(1-甲基亞乙基）雙[2,6-二氯 紛](4,4’-(l-methylethylene)bis[2,6-dichlorophenol])、 4,4’-(l- 甲基亞 乙基）雙 [2- 氯 酉分](4,4’-(l-methylethylidene)bis[2-chlorophenol])、4,4-(1-甲基亞 乙基）雙 氣 -6- 曱基 紛](4,4-( l-methylethylidene)bis[2-chloro-6-methylphenol]) 、4,4’_ 亞甲基雙[2_ IL 盼](4,4’-methylenebis [2-fluorophenol]) 、 4,4’_ 亞甲基雙[2,6-二氟 紛](4,4’-methylenebis [2,6-difluorophenol])、4,4’·異亞丙基 [2-氟紛](4,4’-isopropylidenebis [2-fluorophenol])、3,3’-二 氟-[1，1，-二苯基]-4,4，-:，（3,3，-difluoro-[l，l，-diphenyl]· 4,4，-diol)、3,3’，5,5’·四氟-[1，1，·二苯基]·4,4’_ 二醇 (3,3’，5,5’-tetrafluoro-[l，l’-biphenyl]-4,4’-diol)、4,4’-(苯基 亞甲基）雙[2-氟紛](4,4’-(phenylmethylene)bis[2-fluorophenol])、4,4’-(4_ 氟苯基）亞甲基雙[2-氟 @分](4，4’-(4 _fluorophenyl)methylenebis [2-fluorophenol])、 4,4’-(氟亞曱基）雙[2,6-二氟紛](4,4’-(fluoromethylene)bis 25 25 1292772 [2,6-difluorophenol])、4,4’-(4-氟苯基）亞甲基雙[2,6-二氟 紛](4,4’-(4-fluorophenyl)methylenebis [2,6_difluorophenol])、 4,4’-( 二苯基 亞甲基）雙 [2- 氟 盼](4,4’-(diphenylmethylene)bis[2_fluorophenol])、4,4’_(二 5 苯基亞 甲基） 雙 R，6- 二 氟

10 15

20 紛](4,4’_(diphenylmethylene)bis[2,6-difluorophenol])、 4,4’-(1_ 甲基 乙烯）雙 [2- 硝基 盼](4,4’·(1-methylethylene)bis[2-nitrophenol])、 1，4·萘二 醇（l，4-naphthalenediol)、1，5·萘二醇（l，5_naphthalenediol)、 1，6·萘二醇（l，6-naphthalenediol) 、 1，7-萘二醇 (l，7-naphthalenediol)、2,7_萘二醇（2,7- naphthalenediol)、 4,4’-二經基二苯基醚（4,4’_dihydroxydiphenylether)、雙（4-經基苯基）曱基酮（bis(4-hydroxyphenyl)methanone)、4,4’-環 亞己基雙紛（4,4’-cyclohexylidenebisphenol)、4,4’-環亞己基 雙[2-曱基盼](4,4’-cyclohexylidenebis [2-methylphenol])、 4,4’·環亞戊基雙紛l(4,4’-cyclopentylidenebisphenol)、4,4’-環亞戊基雙[2-甲基紛](4,4’-cyclopentylidenebis [2-methylphenol]) 、4,4’·環亞己基雙[2,6·二甲基 盼](4,4’-cyclohexylidene [2,6-dimethylphenol])、4,4’·環亞 己基雙[2-(1，1-二甲基乙基）紛](4,4’-cyclohexylidenebis [2-(l，l-dimethylethyl)phenol])、4,4’-環亞己基雙[2_環己基 驗](4,4’-cyclohexylidenebis [2-cyclohexylphenol]) 4,4’-(l，2-亞乙基）雙紛（4,4’-(l，2_ethanediyl) bisphenol)、 4,4’_ 環亞己雙基[2-苯基盼](4,4’-cyclohexylidenebis 26 1292772 5

10 15

20 [2_phenylphenol])、4,4’-[l，4-亞苯基雙（1-甲基亞乙基）]雙[2-甲基紛](4,4’-[l，4-phenylenebis (l-methylethylidene)]bis [2-methylphenol])、4,4’-[1，3·亞苯基雙（1-甲基亞乙基）]雙 盼 （4,4’-[1，3-phenylenebis (1 -methylethylidene)] bisphenol)、4,4’-[1，4_亞苯基雙（1-甲基亞乙基）]雙酚 (4,4’_[1，4-phenylenebis(l-methylethylidene)]bisphenol) 、 4,4’-[l，4-亞苯基雙（1-曱基亞乙基）]雙[2-曱基-6-羥基甲基 酉分](4,4’·[1，4-phenylenebis(l-methylethylidene)]bis[2-meth yl-6-hydroxymethylphenol])、4·[1-[4-(4·經基-3-曱基苯 基）-4-曱基環己基]-1-曱基乙基]-2-甲基酚 (4·[ 1 _[4-(4-hydroxy-3-methylphenyl)-4_methylcyclohexyl]_ 1 -methylethyl]-2-methylphenol)、4-[l-(4-經基·3,5_二曱基苯 基）-4-曱基環己基]-1-甲基乙基）-2,6-二曱基酚 (4-[l-(4-hydroxy-3?5-dimethylphenyl)-4-methylcyclohexyl]-l-methylethyl)-2,6-dimethylphenol)、4,4’-(1，2-亞乙基）雙 [2,6-二-(1，1-二甲基乙基）盼](4,4’-(l，2-ethanediyl)bis [2,6-di-(l，l-dimethylethyl)phenol])、4,4，-(二甲基亞矽烷基） 雙紛（4,4’-(dimethylsilylene) bisphenol)、1，3_雙（p-經基苯 基）-1，1，3,3-四甲基二石夕氧烧基（l，3_bis(p-hydroxyphenyl)_ 1，1，3,3-tetramethyldisiloxane)、或一石夕寡聚體其二端均帶有 p-基苯基等。 [0037]此外，此Rn及R12之經取代或未取代之酚，可 為一紛酸（phenolic)取代基其係藉由將一直鍊或支鍊之 C1-C5烷基、一芳香基、一羥甲基、或一烯丙基，引入2,2’· 亞甲基雙紛（2,2’-methylidenebisphenol)、2,2’ -甲基亞乙基雙 27 25 1292772

10 15

20 齡（2,2’-methylethylidenebisphenol)、或 2,2’·亞乙基雙盼中 而獲得。此酚酸取代基包括如：2,2’-亞曱基雙[4-曱基 盼](2,2’-methylidenebis[4-methylphenol])、2,2’-亞乙基雙 [4-甲基盼](2,2’-ethylidenebis[4-methylphenol])、2,2’-亞甲 基雙[4,6-二 甲基驗](2,2’-methylidenebis[4,6-dimethylphenol])、2,2’-(l-曱基亞乙基）雙[4,6·二甲基 紛](2,2’-(l-methylethylidene)bis [4,6-dimethylphenol])、 2,2’-(l-甲基亞乙基）雙[4-第二-丁基 紛](2,2’-(l-methylethylidene)bis [4-sec_butylphenol])、2,2’-亞甲基雙[6-(1，1·二甲基乙機）-4-甲基 紛]( 2,2’-methylidenebis [6-(1 ? 1 -dimethylethy 1)-4-methylphenol])、2,2’-亞乙基雙[4,6-二（1，1-二甲基乙基） 酉分](2,2’-ethylidenebis [4,6-di(l，l-dimethylethyl)phenol])、 2,2’_ 亞甲基雙[4-壬基盼](2,2’-methylidenebis [4-nonylphenol])、2,2’-亞曱基雙[3 -甲基-4,6-二-(1，1-二甲基 乙基）紛](2,29-methylidenebis [3-methyl-4 56-di-(l ? 1 -dimethylethyl)phenol])、2,2’-(2-甲基亞丙基）雙[2,4-二甲基 紛](2,2’-(2-methylpropylidene)bis[2,4_dimethylphenol])、 2,2’-亞 乙基雙 [4-(1，1- 二曱基乙基） ](252,-ethylidenebis[4-(l,l-dimethylethyl)phenol]) " 2529-亞甲基雙（2,4-二-第三丁基-5-甲基酚）（2,2’-methylidenebis (2,4-di-t-butyl-5-methylphenol))、2,2’-亞甲基雙（4-苯基 盼）(2,2’-methylidenebis (4-phenylphenol))、2,2’·亞曱基雙 [4-曱基·6_ 經基甲基盼](2,2’_methylidenebis 28 1292772 [4-methyl-6-hydroxymethylphenol]) 、 2,2’-亞甲基雙 [6-(2-prophenyl)酉分](2,2’，methylenebis [6，（2-prophenyl) phenol])等。 [0038] 每一 R13及R14係為以下列化學式5所表示之一 5 取代基： 化學式5 0 0R19 -C 一 NH - R16 — Si—0Ri9 0Rl9 [0039] R15係為一以下列化學式6所表示之取代基： 化學式6 ‘19 OR.

0=C i 0 I NH—R17_Si_〇R, OR. 19 •19

OR 19 -O-CH2GH-CH2-N—Ri8~Si-〇Ri9 〇Rl9

NH OR 19

Rf 甲一 OR 〇Rl9 '19 [0040] 在化學式5及6中，每一R16、R17及R17係獨立 地為一經鹵素取代或未取代之C1-C5烷基、或為一芳香基。 此烷基可為支鍊或直鍊。此芳香基可選自苯基、聯苯基、 三苯基、以及萘。Ri 9係為一曱基、一乙基、一丙基、或一 異丙基。 [0041] 此含矽烷基填充聚合物包括一重量平均分子 量介於約500至約300,000。在其他實例中，此填充聚合物之 29 15 1292772 重量平均分子量係介於約10,000至約250,000之間，選擇性 地介於約15,000至約200,000之間。在某些實例中，此填充 聚合物可為二種以上不同聚合物之混合物。此薄膜形成成 分之總重量中，可包括此填充聚合物之含量約10 wt%至約 5 60 wt%。在其他實例中，此填充物係佔此薄膜形成成分之 總重量的約15 wt%至約45 wt%，選擇性地為約20 wt%至約 40 wt% 〇

10 15

[0042] 此含矽烷基之填充聚合物，可藉由一有機矽烷 與一帶有經基或環氧基之苯氧（phenoxy)樹脂之間的反應而 製備得。例如，此填充聚合物可藉由一異氰酸^夕烧與一帶 有羥基之苯氧樹脂反應而合成。一以異氰酸為基礎之矽烷 係與羥基有非常高的反應性。另外，一以胺基為基礎之矽 烷可與一帶有環氧基之苯氧樹脂反應。 [0043] 以異氰酸為基礎之矽烷範例包括3_異氰酸基 丙基三乙氧基石夕烧（3_isocyanatopropyltriethoxy silane)、以 及 3- 異氰酸丙基三曱氧基矽烷 (3-isocyanatopropyltrimethoxy silane)。以胺基為基礎之石夕 烷範例包括，N-丙烯醯基-2-羥基丙基-3-胺基丙基三甲氧基 石夕烧 (N»acryloxy-2-hydroxypropyl-3-aminopropyltrimethoxy silane)、N-(3-甲基丙烯醯基-2·羥基丙基）-3-胺基丙基三乙 氧基 石夕烧(N-(3-methacryloxy-2-hydroxypropyl)-3-aminopropyltriethoxy silane)、γ_胺基丙基三乙氧基石夕烧 (γ-aminopropyltriethoxy silane)、γ-胺基丙基三甲氧基石夕烧 (γ-aminopropyltrimethoxy silane)、γ-胺基丙基甲基二乙氧基 20 1292772

10 15

石夕嫁（γ-aminopropylmethyldiethoxy silane)、γ-胺基丙基甲基 二甲氧基石夕烧（γ-aminopropylmethyldimethoxy silane)、 N-[3-(三甲氧基矽烷基）丙基]乙烯二胺 (N-[3-(trimethoxysily)propyl]ethylenediamine)、Ν-β-(胺基 乙基）-γ·胺基丙基三乙氧基矽烷（Ν-β-(aminoethyl)-Y-aminopropyltriethoxy silane)、二乙浠三胺基 丙基三甲氧基石夕烧（diethylenetriaminopropyltrimethoxy silane)、二乙烯三胺基丙基三乙氧基矽烷 (diethylenetriaminopropyltriethoxy silane)、二乙稀三胺基丙 基曱基 二甲氧 基矽烷 (diethylenetriaminopropylmethyldimethoxy silane)、環己基 胺基丙基三甲氧基石夕烧（cyclohexylaminopropyltrimethoxy silane)、 己烷二胺基甲基二乙氧基矽烷 (hexanediaminomethyldiethoxy silane)、苯胺甲基三乙氧基 石夕烧（anilinomethyltriethoxy silane)、苯胺甲基三甲氧基石夕 烧）anilinomethyltrimethoxy silane)、以及曱基胺基丙基三曱 氧基石夕烧（methylaminopropyltrimethoxy silane) 〇 交聯C麴合）劑 20 [0044]根據本發明之實施例，一非等方性導電薄膜形 成成分包括一交聯劑（cross-linking agent)做為一可聚合之 化合物。在某些實例中，一以甲基丙浠酸（(meth)acrylate) 為基礎之單體或寡聚體係用作為一交聯劑。其亦可包括一 矽烷基。 31 1292772 [0045]在一實例中 示： 員~ T，此交聯 糸以下列化學式7所表 化學式7 0 H^C—C~*C~〇~

™R 21 22 q 在化學式7中’ r21係為經取代或未取 烷基或芳香基。此經取代之 支^束或直鍊C1-C5 八 < 庇基可為經鹵素取代者。此芳 香基可選自苯基、聯苯基、三苯基、以及萘基。q係為一整 數’ 1、2、或3，並隨R21之結構而改變。 [0046] R22係為如下列化學式8-1、8_2或8-3所表示： 化學式8-1 〒托27 NH …R “一 Si—OR27

W ά«27 f 9 ?R27 --〇-〇·-〇Η2〇Η-〇Η2 or27 化學式8-2 32 27 271292772 ?R- 0:C I O ^o-ch2ch-gh

NH-R25~Si — OR or27 cfc*· 27

OR

N——R24-Si—OR

OR27 NH OR27 \ I R^Si^OR 27

OR 27 化學式8-3

o or27 II 丨 一〇-C 一NH-R2ip*S 卜 OR27 6r27 5 [0047] 在化學式8-1至8-3中，每一 R24、R25及R26係獨 立地為一經取代或未取代、直鍊或支鍊之C1-C5烷基或一芳 香基。此經取代之烷基可為經i素取代者。此芳香基可選 自苯基、聯苯基、三苯基、以及萘。係為一甲基、一乙基、 一丙基、或一異丙基。 [0048] 此以甲基丙烯酸為基礎之單體包括，例如帶有 一羥基之甲基丙烯酸類，例如曱基丙烯酸2-羥基乙酯 (2_hydroxyethyl(meth)acrylate)、甲基丙烯酸 2-經基丙酉旨 (2-hydroxypropyl (meth)acrylate)、甲基丙浠酸 2-經基 丁酉旨 (2-hydroxybutyl (meth)acrylate)、甲基丙稀酸2-經基3-丙烯 醯基丙酉旨（2-hydroxy-3-acroyloxy propyl (meth)acrylate)、甲 基丙烯酸 1-經基 丁酉旨（1-hydroxybutyl (meth)acrylate)、單甲 基丙稀酸聚己内醋多元醇醋（polycaprolactone polyol mono(meth)acrylate)、曱基丙烯酸2-經基3-苯氧基丙酉旨 33 15 1292772

15 (2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth)acrylate)、丙稀酸2-經 基 3-苯氧基丙酉旨（2-hydroxy 3-phenoxy propyl acrylate)、臨 苯二曱酸2-丙烯醯基氧乙基-2-羥基乙酯 (2-acryloyloxyethyl 2-hydroxy ethyl phthalate)、以及以二甲 基丙烯酸為基礎之雙紛 A(di(meth)acry late-based bisphenol A )(例如：EB-600，購自 SK-UCB，Korea)等。此以甲基 丙烯酸為基礎之單體包括，例如帶有一環氧基之甲基丙烯 酸類，例如曱基丙烯酸2,3-環氧丙醋（glycidyl (meth)acrylate)、曱基丙烯酸甲基2,3-環氧丙酉旨 (methylglycidyl (meth)acrylate)、帶有脂環環氧基（alicyclic epoxy)之甲基丙烯酸（例如從Daicel，Inc.購得之M100或 A200)。此以甲基丙烯酸為基礎之單體可同時包括帶有一羧 基之甲基丙烯酸類，例如2·甲基丙烯醯基氧乙基六氫鄰苯 二曱酸（2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalate)、2-甲基 丙烯醯基氧乙基丁二酸（2-methacryloyloxyethylsuccinate) 等。 [0049] 此以曱基丙烯酸為基礎之寡聚體係為一化合 物其包括有複數個重複單元，這些重複單元係以一個以上 之以丙烯酸曱酯為基礎之單體而構成，且此寡聚體在起始 20 反應之後可進行聚合反應。 [0050] 在一實例中，此非等方性導電薄膜形成成分可 包括此以甲基丙烯酸為基礎之單體或寡聚體，其含量係佔 此成分總重量之約10 wt%至約80 wt%。在其他實例中，此 以甲基丙烯酸為基礎之單體或寡聚體之含量，係佔此薄膜 34 1292772 形成成分總重篁之約20 wt%至約60 wt%，選擇性地為約％ wt%至約 50 wt%。 [0051] 此含矽烷基之交聯劑，可藉由將一有機矽烷與 一帶有至少一胺基、環氧基、以及一羧基之以甲基丙烯酸 5 為基礎之單體或募聚體進行化學反應而獲得。此有機石夕烧 可為一以胺基、環氧基或異氰酸為基礎之石夕烧。一以胺芙 為基礎之矽烷，可與此以甲基丙烯酸為基礎之單體或募聚 物之一 ί衣氧基反應。一以環氧基為基礎之石夕烧，可與此以 甲基丙烯酸為基礎之單體或寡聚物之一羧基反應。一以異 10 氰酸為基礎之矽烷，可與此以甲基丙烯酸為基礎之單體或 寡聚物之一羥基反應。以胺基、環氧基、以及異氰酸為基 礎之矽烷之範例，係與上述彈性聚合物與填充聚合物中所 列者相同。 15 聚合反應促進劑 [0052] 在某些實例中，此薄膜形成成分可包括特定添 加物，包括一聚合反應促進劑，其為一可聚合之化合物。 此聚合反應促進劑之添加係用以促進介於一個以上之聚合 物與此交聯劑之間的聚合反應。此外，此促進劑可包括有 2〇 一個以上之功能，例如調整此成分之黏度並調整固化密度。 [0053] 在一實例中，此促進劑可為一以甲基丙烯酸為 基礎之單體。做為一聚合反應促進劑之此以甲基丙烯酸為 基礎之單體範例包括，新戊二醇單甲基丙烯酸 (neopentylglycolmono(meth)acrylate)、1，6-己二醇單甲基丙 25 稀酸（l，6-hexanediolmono(meth)acrylate)、異戊四醇五甲基 35 1292772

10 15

20 丙晞酸（pentaerythritolpenta(meth)acrylate)、二異戊四醇五 甲基丙烯酸（dipentaerythritolpenta(meth)acrylate)、甘油二 甲基丙稀酸（glycerindi(meth)acrylate)、四氫吱喃二曱基丙 稀酸（tetrahydrofurfuryl(meth)acrylate)、甲基丙烯酸異癸酉旨 (isodecyl(meth)acrylate)、甲基丙浠酸2·(2-乙氧基乙氧基） 乙自旨（2-(2-ethoxyethoxy)ethyl (meth)acrylate)、曱基丙稀酸 硬脂酉旨（stearyl (meth)acrylate)、曱基丙稀酸十二酉旨 (lauryl(meth)acrylate)、甲基丙烯酸2-苯氧基乙酯 (2-phenoxyethyl(meth)acrylate) Λ 曱基丙浠酸異冰片酉旨 (isobornyl(meth)acrylate)、甲基丙烯酸三癸醋 (tridecyl(meth)acrylate)、乙氧基化壬基紛甲基丙烯酸 (ethoxylated nonylphenol(meth)acrylate)、乙浠二醇二甲基 丙烯酸（ethyleneglycoldi(meth)acrylate)、二乙浠二醇二曱基 丙晞酸（diethyleneglycoldi(meth)acrylate)、三乙稀二醇二曱 基丙烯酸（triethyleneglycoldi(meth)acrylate)、四乙浠二醇二 甲基丙烯酸（tetraethyleneglycoldi(meth)acrylate)、聚乙稀二 醇二甲基丙晞酸（polyethyleneglycoldi(meth)acrylate)、1，6-己二醇二甲基丙稀酸（l，6-hexanedioldi(meth)acry late)、1，3-丁 烯二醇 二甲基 丙烯酸 (l，3_butyleneglycoldi(meth)acrylate)、三丙浠二醇二甲基丙 稀酸（tripropyleneglycoldi(meth)acrylate)、乙氧基化雙盼 AD 甲基丙浠酸（ethoxylated bisphenol-AD (meth)acrylate)、環 己烷 二甲醇 二甲基 丙烯酸 (cyclohexanedimethanoldi(meth)acrylate)、苯氧四乙浠二醇 36 1292772 甲基丙烯酸（phenoxytetraethyleneglycol(meth)acrylate)、構 酸2-羥基乙基甲基丙烯醯基氧乙酯 (2-hydroxyethylmethacryloyloxyethyl phosphate)、填酸2-曱 基丙烯醯基氧乙酉旨（2-methacryloyloxyethyl phosphate)、二 曱醇基三環癸稀二曱基丙烯酸（dimethylol tricyclo decene di(meth)acrylate)、六丙烯酸二異戊四醇酉旨（dipentaerythritol hexaacrylate) 丙浠酸三甲基丙烧苯酸酉旨

10 (trimethylpropanebenzoate acrylate)、以及上述之混合物。 此薄膜形成成分可包括此聚合反應促進劑丙烯酸曱酯單體 之含量，佔此成分總重量之約0.5 wt%至約50 wt%。在其他 實例中，此聚合反應促進劑以丙烯酸甲酯為基礎之單體， 係佔此薄膜形成成分總重量之約1 wt%至約30 wt%，選擇性 地係為約3 wt%至約20 wt°/〇。 15 導電顆粒 [0054]此非等方性導電薄膜包括複數個導電顆粒。此 些導電顆粒可由數種不同物質所製成，例如銘、金、銀、 鎳、銅等金屬，不同金屬之合金，銲錫，碳等。在某些實 例中，此些導電顆粒可為彼覆有一導電材料之無機或有機 20 顆粒。此導電披覆材料可為導電金屬包括金、銀等。在另 一實例中，此披覆有金屬之導電顆粒係進一步披覆有一絕 緣材料。在一實例中，此平均粒徑可介於約2至約30μηι之 間。熟習此項技藝者可依據電路之尺寸而選擇適當之粒 徑。在一實例中，此薄膜形成成分中可包括此導電顆粒至 25 一含量，其係佔此薄膜形成成分之總重量之約〇.〇1 wt%至 37 1292772 約3 0 wt%。在其他實例中，此導電顆粒之含量係佔此薄膜 形成成分之約0.5 wt%至約20 wt%，選擇性地約1 wt%至約 15 wt% 〇 熱固性起始劑

10

20 [0055]此薄膜形成成分可同時包括一熱固性起始劑 做為一可聚合之化合物。此起始劑係為一可聚合之熱固性 聚合反應起始劑，例如一^過氧化物或含氮化合物。以過氧 化物為基礎之起始劑包括過氧十二酸第三丁酯 (t-butylperoxylaurate)、己酸_1，1，3,3·四甲基丁 基過氧-2 -乙 酉旨（l，l，3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate)、2,5-二甲基-2,5-二（2-乙基己醛基過氧）己烷 (2,5-dimethyl-2,5-di(2-ethylhexanoylperoxy)hexane)、己酸 -1- 環己基 -1-甲基乙基過氧 -2- 乙酯 (l-cyclohexyl_l-methylethylperoxy-2-ethylhexanoate)、2,5-二甲基-2,5-二（間甲基苯甲醯過氧）己烷 (2,5-dimethyl-2,5-di(m-toluoylperoxy)hexane)、單碳酸第三 丁基過氧異丙酉旨（t-butylperoxyisopropylmonocarbonate)、單 碳酸第三丁 基過氧 -2- 乙基 己酉旨 (t-butylperoxy-2_ethylhexylmonocarbonate)、過氧苯酸第三 己酉旨（t-hexylperoxybenzoate)、過氧乙酸第三丁酉旨 (t-butylperoxyacetate)、α，α’-雙（第三丁基過氧）二異丙基苯 (a，a’-bis(t-butylperoxy)diisopropylbenzene)、過氧化二異丙 苯（dicumylperoxide)、2,5-二甲基-2,5-二（第三丁基過氧）己 烧（2,5-dimethyl_2,5-di(t-butylperoxy)hexane)、過氧化第三 38 25 1292772

10 15

20 丁基異丙苯（t_butylcumylperoxide)、過氧癸酸第三丁西旨 (t-butylperoxyneodecanoate)、己酸第三丁 基過氧-2-乙酉旨 (t-hexylperoxy-2-ethylhexanoate)、己酸第三丁基過氧-2-2-乙酉旨（t-butylperoxy_2-2-ethylhexanoate)、過氧異丁酸第三丁 酉旨（t-butylperoxyisobutyrate)、1，1·雙（第三丁基過氧）環己烧 (l，l-bis(t-butylperoxy)cyclohexane)、單石炭酸第三己基過氧 異丙酉旨（t-hexylperoxyisopropylmonocarbonate)、己酸第三丁 基過氧 -3,5,5- 三甲酯 (t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoate)、過氧新戊酸第三 丁酉旨（t-butylperoxypivalate)、碳酸異丙苯基過氧新癸醋 (cumylperoxyneodecanoate)、二異丙基苯過氧化氫 (diisopropylbenzenehydroperoxide)、異丙苯過氧化氣 (cumenehydroperoxide)、過氧化異丁烧（isobutylperoxide)、 過氧化2,4_二氯苯甲龜（2,4_dichlorobenzoylperoxide)、過氧 化3,5,5-三曱基己醯（3,5,5_trimethylhexanoylperoxide)、過氧 化辛酸 （octanoylperoxide)、 過氧化十二醯 (lauroylperoxide)、過氧化硬脂醢（stearoylperoxide)、過氧 化琥珀酸（succinic peroxide)、 過氧化苯甲醯 (benzoylperoxide)、過氧化3,5,5-三曱基己醯 (3,5,5-trimethylhexanoylperoxide)、過氧化辛酸 (octanoylperoxide)、 苯甲 醢基過 氧甲苯 (benzoylperoxytoluene)、過氧化苯曱醢（benzoylperoxide)、 過氧 新癸酸 1，1，3,3- 四甲 基丁酯 (l，l，3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate)、過氧新癸酸 39 1292772

10 15

環己基 -1- 甲 基乙酯 (l-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate)、過氧二碳 酸二正丙醋（di-n_propylperoxydicarbonate)、過氧碳酸二異 丙酷（diisopropylperoxycarbonate)、過氧二碳酸雙（4-第三丁 5 基環己醋）(bis(4-t_butylcyclohexyl)peroxydicarbonate)、過氧 二 碳酸二 -2- 乙 氧基甲 氧酯 (di-2-ethoxymethoxyperoxydicarbonate)、二石炭酸二（2-乙基 己基過氧）酉旨（di(2-ethylhexylperoxy)dicarbonate)、過氧二碳 酸二曱氧基 丁酉旨（dimethoxybutylperoxydicarbonate)、二碳酸 二（3-曱基 3-曱氧基丁基過氧）酯 (di(3-methyl_3-methoxybutylperoxy)dicarbonate)、1，1-雙（第 三己 基過氧 ）_3,3,5_ 三曱基環己烷 (l，l-bis(t-hexylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexane)、1，1-雙 (第 三己基 過氧） 環己烷 (l，l_bis(t_hexylperoxy)cyclohexane)、1，1-雙（第三 丁基過 氧）_3,3,5_ 三甲基環己烧（1，1-1^8(1>131^3^1卩61>〇乂丫)-3,3,5-trimethylcyclohexane)、1，1-(第三丁 基過氧）環十二烧 (l，l-(t-butylperoxy)cyclododecane)、2,2·雙（第三丁基過氧） 癸燒（2,2-bis(t-butylperoxy)decane)、過氧化第三丁基三甲基 石夕燒（t-butyltrimethylsilylperoxide)、過氧化雙（第三丁基）二 甲機石夕烧（bis(t-butyl)dimethylsilylperoxide)、過氧化第三丁 基三稀丙基石夕烧（t-butyltriallylsilylperoxide)、過氧化雙（第 三丁基）二稀丙基石夕烧（bis(t_butyl)diallylsilylperoxide)、過 20 1292772 氧化三（第三 丁基）烯丙 基矽烷 (tris(t-butyl)allylsilylperoxide)等。

10 15

20 [0056] 可使用做為一熱固性起始劑之以偶氮為基礎 之起始劑，包括2,2’-偶氮雙（4-曱氧基-2,4-二甲基正戊 腈）（2,2’-azobis(4-methoxy-2,4-dimethyl valeronitrile))、二 甲基 2,2’-偶氮雙（2-甲基丙酸）（dimethyl 2,2’-azobis (2-methylpropionate))、2,2’-偶氮雙（N-環己基-2-甲基丙酉篮 胺）（2,2’-azobis (N-cycloexyl-2-methylpropionamide))、2,2-偶氮雙（2,4-二曱基正戊腈）(2,2-azobis (2,4-dimethyl valeronitrile)) 、 2,2’-偶 氮 雙（2-甲基丁 腈）(2,2’-azobis(2-methylbutyronitrile))、2,2’_偶氮雙[Ν·(2· 丙烯基）-2-甲基丙醯胺](2,2，_&7〇1^8|^-(2吁1*(^61^1)-2-methylpropionamide])、2,2’-偶氮雙（N- 丁基-2-曱基丙醯 胺）(2,2’-azobis(N-butyl-2-methylpropionamide))、2,2’-偶氮 雙[N-(2-丙烯基）-2-甲基丙醯胺](2,2’-azobis [N-(2-propenyl)-2-methylpropionamide])、1，1’-偶氮雙（環己 烧-1-腈）（l，l’-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile))、1·[(氰 -1-甲基乙基）偶氮]甲醯胺（l-[(cyano-l-methylethyl)azo] formamide)等。 [0057] 在一實例中，此熱固性起始劑之成分係佔此薄 膜形成成分之總重量之約〇. 1 wt%至約15 wt%。在其他實例 中，此可聚合之熱固性起始劑之含量係佔此薄膜形成成分 之總重量之約0.3 wt%至約10 wt%，選擇性地約0.6 wt%至約 5 wt% 〇 41 25 1292772 溶劑

10 15

20 [0058]在一實例中，此成分係處於一相（phase)中使得 各成分與一溶劑混合。此溶劑可為一有機溶劑。此有機溶 劑降低了此非等方性導電薄膜形成成分之黏度，允許容易 的薄膜製備。此有機溶劑可為，但不限於，甲苯（toluene)、 二甲苯（xylene)、丙二醇單曱基醚醋酸（propyleneglycol monomethyl ether acetate)、苯、丙酮、甲基乙基酮、四氳 咬 喃 （tetrahydrofuran) 、 二曱 基曱酸 (dimethylformaldehyde)、環己酮（cyclohexanone)等。在一實 例中，此有機溶劑之含量係佔此成分總重量之約5 wt%至約 70 wt% 〇 其他添加物 [0059] 此外，此薄膜形成成分可包括其他添加物如一 聚合反應抑制劑、一抗氧化劑等。在一實例中，此添加物 之含量可佔此成分總重量之約0.01 wt%至約10 wt%。在其 他實例中，此添加物之含量係佔此薄膜形成成分之總重量 之約0.05 wt%至5 wt%，選擇性地為約0 · 1 wt%至約3 wt%。 [0060] 此聚合反應抑制劑可防止在如儲存或運送此 薄膜形成成分時，此薄膜形成成分中發生不必要的聚合反 應。使用於此薄膜形成成分中的聚合反應抑制劑可包括如 對苯二紛（hydroquinone)、對苯二紛單甲基醚 (hydroquinonemonomethylether) 、 對 苯二酮 (parabenzoquinone)、phenotiazine、以及上述化合物中二者 以上之混合物。此抗氧化劑防止此成分中之各成分因為受 42 25 1292772 熱而引起之氧化反應。抗氧化劑之範例包括一支鍊盼之抗 氧化劑、以及一經基肉桂酸（hydroxyl cinnamate)抗氧化 劑。此等抗氧化劑提供此成分熱穩定性以及抗氧化力。用 於此薄膜形成成分中的抗氧化劑範例包括如：四_(亞曱基 5 -(3,5-二第三丁基_4_氫肉桂酸）甲烧. (tetrakis-(methylene-(3,5-di-terbutyl-4-hydrocinnamate)methane)、3,5-雙（1，1_二甲基乙基）_4_羥基 本丙酉夂硫醇 _2，1_ 乙一基酯（3,5-bis(l，l-dimethylethyl)_ ► 4-hydroxybenzenepropanoic acid thioldi-2,1-ethanediyl 10 eSter)、十八烧基3,5_二-第三丁基·4-羥基氫肉桂酸 (octadecyl 3,5-di-t-butyM_hydr〇xyhydr〇Cinnamate)(購自

Cibageigy) 、 2,6·二 i-第三 丁基-鄰曱酚 (2,6-di-t-butyl-p-methylphenol)、以及上述化合物中二者以 上之混合物。 15 形成非等方性導雷薄膜 [〇〇61]此非等方性導電薄膜可經由聚合反應及/或熱 固程序而形成。在-實施例中，此非等方性導電薄膜形成 成分係首先施加至一電子元件或一電子裝置之中間產物之 20 一電極（一導電材料之一表面）。接著，另一電子元件之 -電極導電材料之-表面）係置於此成分之上，並僅 接觸此薄膜形成成分而不接觸其他電子元件之電極。 [_2]在施加此薄膜形成成分於二電極間之後，此成 分係受到加熱以熟化特定聚合物及/或聚合此可聚合之化 25合物。根據-實例’當此薄膜形成成分係加埶至一起始田 43 1292772 度時’此熱固性聚合反應起始劑係被活化，並成為一自由 基。此自由基與一可聚合之化合物反應並於二者之間形成 鍵結。由此自由基反應而獲得之化合物亦同時為一自由 基，並與其他可聚合之化合物反應而使得聚合反應得以繼 5 續。所形成之自由基化合物亦可能與一經由一連串自由基 反應而形成之聚合物反應。當大部分的產物自由基化合物 參與上述之聚合反應程序時，亦會與在薄膜形成成分中之 聚合物反應，並於其間形成交互連結。 1 在某些實例中，聚合反應之溫度係介於約1〇〇〇c至約 10 300°C。在另一實例中，此溫度係介於約150〇c至約2〇〇它。 溫度及時間則視所產生薄膜之理想性質而定。熟習該項技 藝者可視所選定之聚合物與可聚合之化合物，而選擇聚合 反應/熟化之適當條件。 [0063]與僅在可聚合之小化合物但不在聚合物中帶 15有矽烷矽烷基之非等方性薄膜形成成分不同的是，可在加 熱製程中維持由矽烷基所提供之黏附強度，因為鍵結至聚 合物之矽烷基不會被蒸發。 复土装置 2〇 [0064]本發明之另一面向係提供一種製造一電子裝 置之方法。此方法包括··提供一電子裝置之一中間產物其 包括有-第-導電部分；提供如上所述之非等方性導電薄 膑形成成分；將此成分與此中間產物之第一導電部分 觸；以及使此非等方性導電薄膜形成成分中之可聚合之 Μ合物進行聚合反應，以形成與第一導電部分接觸之:非等 44 1292772 方性導電薄膜。此中間產物可更包括—第二導電部分，且 其:此方法於聚合反應之前更包括將此成分與此中間產物 之第一導電部分接觸。此非等方性保電薄膜可實質上不包 5 15 20 括:經基。當此非等方性導電薄膜受到一紅外線光譜儀測 柄’於3200〜3600 cm'範圍内並不顯示明顯—峰值。本 發明之另-面向係提供一電子裝置其包括有一非等方性導 電薄膜。在一實例中，此非等方性薄膜係由上述之薄膜形 成成分所構成。此電子裝置之非等方性導電薄膜包括一含 石夕烧基之聚合物，其含量係伯此非等方性導電薄膜之總重 量之約5Wt%至約80wt%。在其他實例中’此含石夕烧基之聚 合物之含量係佔此非等方性導電薄膜之總重量之H) wt%至 60 wt% 〇 [0065]此電子裝置可包括，但不限於，消費性電子產 品、電子電路元件、消費電子產品之元件、電子測試設備 等。此消費性電子產品可包括，但不限於，行動電話、電 話:電視、電腦螢幕、電腦、手持電腦、個人數位助理(PDA)、 =爐、冰相、音響系統、卡式錄音機或放音機、Ο·播 放&、CD播放盗、錄放影機、咐播放器、收音機、攝錄 影機、照相機、數位照相機、可攜式記憶晶片、洗衣機、 供乾機、洗衣/烘乾兩用機、影印機、傳真機、掃描器、多 功能周邊裝置等。 [0066]本發明可藉由下列範例之說明而獲得更佳的 瞭解，但本發明之範疇並不因此而受限。 25 製備例1 45 1292772 [0067]提供一 3公升之圓柱狀燒瓶以及一攪拌棒。此 燒杯内裝有溶解於丙二醇單曱基醋酸（pwpylenegiyc01 monomethyl acetate)溶液中的雙齡A及F型苯氧系樹月曰 (E-1256，構自 Japan Epoxy Resins Co·，Ltd)共 270克’包括 有30 wt%之固體、0.1克之十二酸正丁酯（n_butyllaurate)做 為一介於羥基與異氰酸酯間之反應之催化劑、以及5克之3-

10 異氰酸 基丙基 三乙氧 基矽烷 (3-isocyanatopropyltriethoxysilane)做為一異氰酸石夕烧。此 混合物係於75°C下進行攪拌8小時。反應之終止點係經一紅 外線光譜儀確認於3200〜3600 cnT1之範圍内並無一羥基之 峰值、以及於2000〜2270 cm·1之範圍内並無一異氰酸之峰 值，並確認於1580〜1650 cm·1之範圍内包括一第一胺基之峰 值。於反應完成後所殘存之過量矽烷會在後續形成薄膜之 過程中被蒸發。 15 製備例2

20 [0068]帶有一攪拌棒之一 3公升圓柱狀燒瓶係裝有 270克之溶解於甲苯溶液之以丙稀猜丁二稀（acryi〇nitrile butadiene)為基礎之天然橡膠（N-34，購自Zeon Corp.， Japan)、含有30 wt%之固體内容物、200克之溶解於丙烯 二醇單甲基乙酸溶液中之雙酚A及F型苯氧樹脂（E-4275，購 自 Japan Epoxy Resins Co.，Ltd·)、150克之一雙功能且以 isocyanourate為基礎之丙烯酸酯其帶有一羥基（M-215，購自 Toe Gosei Co·，Ltd·，Japan)、260克之雙酚A環氧丙烯酸酯其 帶有一羥基（EB-600，購自 SK-UCB，Korea)、0.1 克之 46 25 1292772

10 n-butyltinlaurate其係作為一經基與一異氰酸自旨間之反應催 化劑、0_02克之對苯二酉分單曱基醚（hydroquinone monomethylether)其係作為一自由基抑制劑、以及100克之 丙烯二醇單甲基醚醋酸酯其係做為一溶劑。所產生之反應 混合物中係加入 5 克之 3-glycidoxypropyltriethoxysilane作 為環氧矽烷、以及15克之3-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷做 為一異氰酸酯矽烷。接著，此混合物係於70°C下攪拌8小 時。反應之終止點係經一紅外線光譜儀確認於3200〜3600 crtT1之範圍内並無一羥基之峰值、於2500〜3000 cm·1之範圍 内並無一羧基之峰值、以及於2000〜2270 cm·1之範圍内並無 一異氰酸之峰值，並確認於1580〜1650 cm-1之範圍内包括一 第一胺基之峰值。於反應完成後所殘存之過量石夕烧會在後 續形成薄膜之過程中被蒸發。 15 製備例3

20 [0069]帶有一攪拌棒之一3公升圓柱狀燒瓶係裝有 230克之溶解於甲苯溶液之丙烯橡膠（AT-4000，購自Sam Won Co·，Korea)、其含有30 wt%之固體内容物、70克之溶 解於甲苯溶液中之以環氧基為基礎之丙烯橡膠 (SG-80DHR，構自 Nagase ChemteX Corp·，Japan)、其含有 25 wt%之固體内容物、50克之苯氧樹脂其係做為一雙酚型 聚醋混合物之薄膜形成劑（PKHM-301，購自InChem Industry)並溶解於一環己酮溶液中、其包括有20 wt%之固 體内容物、50克之溶解於丙烯二醇單甲基乙酸溶液中之雙 紛 A及 F 型苯氧樹脂（E-4275，購自 Japan Epoxy Resins Co·， 47 25 1292772

Ltd·)其包括有一高分子量、其包括有30 wt%之固體内容 物、150克之一雙功能且以isocyanourate為基礎之丙烯酸酉旨 其帶有一經基（M，215，購自 Toe Gosei Co·，Ltd·，Japan)、260 克之雙酚A環氧丙烯酸酯其帶有一羥基（EB-600，購自 SK-UCB，Korea)、0.1克之n_butyltinlaurate其係作為一經基 與一異氰酸酯間之反應催化劑、0.02克之對苯二酚單甲基醚 (hydroquinone monomethylether)其係作為一自由基抑制 劑、以及100克之丙烯二醇單甲基醚醋酸酯其係做為一溶 劑。所產生之反應混合物中係加入5克之 10 3-glycidoxypropyltriethoxysilane作為環氧石夕烧、以及 15 克 之3 -異氣酸基丙基二乙氧基秒烧做為一異氮酸g旨砍烧，並 於70°C下攪;拌8小時。反應之終止點係經一紅外線光譜儀確 認於32 00〜3 600 cm·1之範圍内並無一經基之峰值、於 2500〜3000 cnT1之範圍内並無一叛基之峰值、以及於 15 2000〜2270 cm-1之範圍内並無一異氰酸之峰值，並確認於 1580〜1650 cm·1之範圍内包括一第一胺基之峰值。於反應完 成後所殘存之過量矽烷會在後續形成薄膜之過程中被蒸 發0 20 製備例4 [0070]帶有一攪拌棒之一3公升圓柱狀燒瓶係裝有 230克之溶解於丙烯二醇單曱基乙酸酯溶液之天然橡膠 (DN-003，購自 Zeon Corp·，Japan)、其含有 30 wt%之固 體内容物、溶解於四氫呋喃溶液之支鍊鄰甲酚環氧型樹脂 25 做為一薄膜形成劑（YDCN-500-90g，購自 Kukdo Chemicals， 48 1292772

10 15

Korea)、其包括有25 wt%之固體内容物、150克之溶解於丙 浠二醇單甲基乙酸酯溶液中之以芴型（fluorene)環氧樹脂做 為一薄膜形成劑（BPEFG，購自 Osaka Gas Co_，Ltd.，Japan)、 其含有30 wt%之固體内容物、150克之一雙功能且以 isocyanourate為基礎之丙稀酸S旨其帶有一經基（M-21 5，購自 Toe Gosei Co.，Ltd·，Japan)、260克之雙紛A環氧丙烯酸S旨其 帶有一羥基（EB-600，購自SK-UCB，Korea)、0.02克之對苯 二紛單曱基醚（hydroquinone monomethylether)其係作為一 自由基抑制劑、以及100克之丙烯二醇單曱基醚醋酸酯其係 做為一溶劑。所產生之反應混合物中係加入5克之γ-氨基丙 基三甲氧基石夕烧（γ-aminopropyltrimethoxysilane)作為胺基 矽烷、以及15克之3·異氰酸基丙基三乙氧基矽烷做為一異 氰酸酯矽烷，並於70°C下攪拌8小時。反應之終止點係經一 紅外線光譜儀確認於900〜950 cnT1之範圍内並無一環氧基 之峰值。於反應完成後所殘存之過量矽烷會在後續形成薄 膜之過程中被蒸發。 比鮫製備例1 [0071]為了與製備例2做比較，此反應步驟中係省略 20 加入石夕烧、以及加入n-butyltinlaurate作為一經基與一異氰 酸酯間之反應催化劑等二步驟。此外，僅加入少量之矽烷 耦合劑。此成分係以如下方式配製。帶有一攪拌棒之一 3公 升圓柱狀燒瓶中係裝有270克之溶解於甲苯溶液之之天然 橡膠（N-34，購自 Zeon Corp·，Japan)、其含有 30 wt% 之固 25 體内容物、200克之溶解於丙烯二醇單甲基乙酸溶液中之苯 49 1292772 氧樹脂做為一薄膜形成劑（E-4275，講自Japan Epoxy Resins Co.，Ltd.)、150克之一雙功能且以isocyanourate為基礎之丙 烯酸酯其帶有一羥基（M-215，購自Toe Gosei Co.，Ltd·， Japan)、260克之雙酚A型環氧丙烯酸酯其帶有一羥基 (EB-600，購自SK-UCB，Korea)、0.02克之對苯二酚單曱基 醚（hydroquinone monomethylether)其係作為一聚合反應抑 制劑、以及100克之丙烯二醇單甲基醚醋酸酯其係做為一溶 劑。此混合物係於室溫下（25°c)攪拌30分鐘。

10 比較製備例2 [0072]為了與製備例3做比較，此反應步驟中係省略 加入石夕烧、以及加入n-butyltinlaurate作為一經基與一異氰 酸酯間之反應催化劑等二步驟。此外，僅加入少量之矽烷 耦合劑。此成分係以如下方式配製。帶有一攪拌棒之一3公 15 升圓柱狀燒瓶係裝有230克之溶解於甲苯溶液之丙烯橡膠 (AT-4000，購自 Sam Won Co·，Korea)、其含有 30 wt%之 固體内容物、70克之溶解於甲苯溶液中之以環氧基為基礎 之丙稀橡膠（SG-80DHR，購自 Nagase ChemteX Corp·， Japan)、50克之苯氧樹脂其係做為一雙酚型聚酯混合物之薄 20 膜形成劑（PKHM-301，購自InChem Industry)並溶解於一環 己酮溶液中、其包括有20 wt%之固體内容物、50克之溶解 於丙烯二醇單甲基乙酸溶液中之苯氧樹脂（E-4275，購自 Japan Epoxy Resins Co·，Ltd·)、其包括有 30 wt%之固體内容 物、150克之一雙功能且以isocyanourate為基礎之丙烯酸酯 25 其帶有一經基（M-215，購自 Toe Gosei Co·, Ltd·，Japan)、260 50 1292772 克之雙酚A型環氧丙烯酸酯其帶有一羥基（EB-600，購自 SK-UCB，Korea)、0.02克之對苯二酚單曱基醚（hydroquinone monomethylether)其係作為一自由基抑制劑、以及100克之 丙烯二醇單甲基醚醋酸酯其係做為一溶劑。此混合物係於 5 室溫下（25°C)攪拌30分鐘。 比鮫盤備例3 [0073]為了與製備例4做比較，且為了防止一矽烷耦 1 合劑之反應，此反應步驟中係省略使用一矽烷及一取代基 10 之步驟。此外，僅加入少量之矽烷耦合劑。帶有一攪拌棒 之一 3公升圓柱狀燒瓶係裝有230克之溶解於丙烯二醇單甲 基乙酸酉旨溶液之天然橡膠（DN_003，購自Zeon Corp·， Japan)、其含有30 wt%之固體内容物、溶解於四氫呋喃溶 液之支鍊鄰甲酚環氧型樹脂做為一薄膜形成劑 15 (YDCN-500-90P，購自 Kukdo Chemicals，Korea)、其包括有 25 wt%之固體内容物、150克之溶解於丙烯二醇單甲基乙酸 酯溶液中之以芴型（fluorine)環氧樹脂做為一薄膜形成劑 (BPEFG，購自 Osaka Gas Co.，Ltd·，Japan)、其含有 30 wt% 之固體内容物、150克之一雙功能且以isocyanourate為基礎 20 之丙烯酸酯其帶有一羥基（M-215，購自Toe Gosei Co·，Ltd·， Japan)、260克之雙酚A環氧丙烯酸酯其帶有一羥基 (EB-600，購自SK-UCB，Korea)、0_02克之對苯二酚單曱基 醚（hydroquinone monomethylether)其係作為一聚合反應抑 制劑、以及100克之丙烯二醇單甲基醚醋酸酯其係做為一溶 25 劑。此混合物係於室溫下（25°C)攪拌30分鐘。 51 1292772 實施例1

10 15

[0074] — 300克之可分散容器中係裝入30克之從製備 例1中所獲得之成分、60克之溶解於甲苯溶液之之天然橡膠 (N-34，購自Zeon Corp·，Japan)其含有30 wt%之固體内容 物、20克之雙酚型環氧丙烯酸酯（EB-600，購自SK-UCB， Korea)、10克之三功能且以isocyanourate為基礎之丙烯酸酯 (NK-ESTER A-9300,購自 Shin_Nakamura Chemical Co.，Ltd·， Japan)、2克之2-經基乙基曱代丙浠醯基氧乙基填酸酯 (2-hydroxyethylmethacryloyloxyethyl phosphate)、2 克之 2-甲代丙浠醢基氧乙基鱗酸酉旨（2-methacryloyloxyethyl phosphate)做為一自由基可聚合以丙浠酸自旨為基礎之第二 單體、〇_5克之細粉型過氧化苯甲醯（benzoyl peroxide)、0.2 克之過氧化十二烷、以及1.5克之導電顆粒其包括有以 benzoguanine為基礎之聚合物顆粒其外部彼覆有鎳及金、且 其粒徑係為4μ m(購自NCI)。此混合物接著在室溫下（25 °C)進行攪拌20分鐘。此攪拌步驟係以一不至於破壞導電顆 粒之速率進行。 20 實施例2 [0075] — 300克之可分散容器中係裝入90克之從製備 例2中所獲得之樹脂、2克之2-羥基乙基甲代丙烯醯基氧乙 基填 酸酯 （2-hydroxyethylmethacryloyloxyethyl phosphate)、2克之2-曱代丙烯醯基氧乙基磷酸酯 25 (2-methacryloyloxyethyl phosphate)做為一自由基可聚合 52 1292772 之丙稀酸醋單體、0.5克之細粉型過氧化苯甲酸（benzoyl peroxide)、0.2克之過氧化十二烧、以及1·5克之導電顆粒其 包括有以benzoguanine為基礎之聚合物顆粒其外部彼覆有 鎳及金、且其粒徑係為4μ m (購自NCI )。此混合物接著 5 在室溫下（25°C )進行攪拌20分鐘。此攪拌步驟係以一不至於 破壞導電顆粒之速率進行。 實施例3

10 15

[0076] — 300克之可分散容器中係裝入90克之從製備 例3中所獲得之樹脂、2克之2-羥基乙基甲代丙烯醯基氧乙 基填 酸醋 (2-hydroxyethylmethacryloyloxy ethyl phosphate)、2克之2·甲代丙烯酿基氧乙基鱗酸酉旨 (2-methacryloyloxyethyl phosphate)做為一自由基可聚合之 丙稀酸S旨單體、0.5克之細粉型過氧化苯甲醯（benzoyl peroxide)、0.2克之過氧化十二烧、以及1.5克之導電顆粒其 包括有以benzoguanine為基礎之聚合物顆粒其外部彼覆有 鎳及金、且其粒徑係為4μ m (購自NCI )。此混合物接著 在室溫下（25°C )進行攪拌20分鐘。此攪拌步驟係以一不至於 破壞導電顆粒之速率進行。 20 實施例4 [0077] — 300克之可分散容器中係裝入90克之從製備 例4中所獲得之樹脂、2克之2-羥基乙基甲代丙烯醯基氧乙 基 石粦 酸 酉旨 (2-hydroxyethylmethacryloyloxy ethyl 25 phosphate)、2克之2-甲代丙稀驢基氧乙基石粦酸酉旨 53 1292772 (2-methacryloyloxyethyl phosphate)做為一自由基可聚合之 丙烯酸酯單體、0.5克之細粉型過氧化苯甲醯（benzoyl peroxide)、0.2克之過氧化十二烧、以及1.5克之導電顆粒其 包括有以benzoguanine為基礎之聚合物顆粒其外部披覆有 5 鎳及金、且其粒徑係為4μ m (購自NCI )。此混合物接著 在室溫下（25°C )進行攪拌20分鐘。此攪拌步驟係以一不至於 破壞導電顆粒之速率進行。

比較例1 10 [0078] — 300克之可分散容器中係裝入90克之從比較 製備例1中所獲得之樹脂、2克之2-羥基乙基甲代丙烯醯基 氧乙基石粦酸酉旨（2-hydroxyethylmethacryloyloxyethyl phosphate)、2克之2-曱代丙豨醯基氧乙基石粦酸酯 (2_methacryloyloxyethyl phosphate)做為一自由基可聚合 15 之丙稀酸酯單體、0.5克之細粉型過氧化苯甲醯（benzoyl peroxide)、0.2克之過氧化十二烧、0.5克之3 -甲代丙烯氧丙 基三甲氧基石夕烧（3，methacryloxypropyltrimethoxysilane)做 為一自由基可聚合矽烷耦合劑、以及1.5克之導電顆粒其包 括有以benzoguanine為基礎之聚合物顆粒其外部彼覆有鎳 20 及金、且其粒徑係為4μ m (購自NCI )。此混合物接著 在室溫下（25°C )進行攪拌20分鐘。此攪拌步驟係以一不至於 破壞導電顆粒之速率進行。 比較例2 54 1292772

10 [0079] — 300克之可分散容器中係裝入90克之從比較 製備例2中所獲得之樹脂、2克之2-羥基乙基甲代丙烯醯基 氧乙基鱗酸醋（2_hydroxyethylmethacryloyloxyethyl phosphate)、2克之2-甲代丙烯醯基氧乙基磷酸酯 (2-methacryloyloxyethyl phosphate)做為一自由基可聚合 之丙烯酸酯單體、0.5克之細粉型過氧化苯甲醯（benzoyl peroxide)、0.2克之過氧化十二烷、0.5克之3-甲代丙烯氧丙 基三甲氧基石夕烧（3-methacryloxypropyltrimethoxysilane)做 為一自由基可聚合矽烷耦合劑、以及1.5克之導電顆粒其包 括有以benzoguanine為基礎之聚合物顆粒其外部彼覆有鎳 及金、且其粒徑係為4μ m (購自NCI )。此混合物接著 在室溫下（25°C )進行攪拌20分鐘。此攪拌步驟係以一不至於 破壞導電顆粒之速率進行。 15 比較例3 [0080] — 300克之可分散容器中係裝入90克之從比較 製備例3中所獲得之樹脂、2克之2-羥基乙基曱代丙烯醯基 氧乙基攝酸酉旨（2_hydroxyethylmethacryloyloxyethyl phosphate)、2克之2-甲代丙稀醯基氧乙基填酸酉旨 20 (2-methacryloyloxyethyl phosphate)做為一自由基可聚合 之丙烯酸酯單體、0.5克之細粉型過氧化苯甲醯（benzoyl peroxide)、0.2克之過氧化十二烧、0.5克之3 -甲代丙浠氧丙 基三甲氧基石夕烧（3-methacryloxypropyltrimethoxysilane)做 為一自由基可聚合矽烷耦合劑、以及1·5克之導電顆粒其包 25 括有以benzoguanine為基礎之聚合物顆粒其外部披覆有鎳 55 1292772 及金、且其粒徑係為4μ m (購自NCI )。此混合物接著 在室溫下（25°C )進行攪拌20分鐘。此攪拌步驟係以一不至於 破壞導電顆粒之速率進行。 5 性導電薄膜夕物裡性質 [0081]為了分析從實施例1〜4以及比較例ι〜3中所製 備之非等方性導電薄膜形成成分所形成之薄膜的可靠度， 每一薄膜係置於室溫（25。〇下一小時。以線距為55μηι、厚 > 度為12μηχ且線寬為4〇μηι之30 mm X 30 mm之氧化銦錫 10 (IT0, Indium Tin Oxide)以及薄膜覆晶（COF，Chip-〇n Films) 來測量每一薄膜之90。剝離強度下之可靠度。同時，接觸電 阻之可靠度亦針對一銅電路而使用與上述IT0相同尺寸之 IT0、以及線距為65μηι、厚度為且線寬為3〇μιη之捲 ▼式封裝（TCP，Tape Carrier Package)來測量。上述的兩測 15 試中’係分別製備並測量10個樣本於暫時鍵結條件160°C下 進行一秒鐘，以及鍵結條件180°C下進行5秒鐘，壓力為3 MPa。此外’此可靠度測試包括一濕度溫度測試以及一熱 衝擊測試此濕度測試係於85°C與85%相對濕度下進行1 〇〇〇 小日此熱衝擊測試係於溫度從-4〇它至8〇它重複進行1〇〇〇 2〇 ★。此外’亦測量在可靠度測試之後的平均剝離強度。結 果係如下表1所示。同時，亦測量在可靠度測試之後的平均 接觸電阻。結果係如下表2所示。 表1 56 1292772 性質（單 初始剝離強 濕度溫度測試之 熱衝擊測試後之剝 位:gf/cm) 度 後之剝離強度 離強度 實施例1 760 920 890 實施例2 835 1120 1027 實施例3 932 1320 1274 實施例4 724 1087 980 比較例1 833 534 432 比較例2 975 432 352 比較例3 750 360 242

[0082]如表1所示，實施例1至4中之薄膜成分顯示了 在可靠度測試後較高的剝離強度。雖然本發明並不受任何 理論所限制，然而此結果可解釋為薄膜中存在著大量鍵結 5 至ITO玻璃表面及如銅線等無機材質之表面的矽烷基。

性質(單位： 初始接觸電阻 濕度溫度測試後之 熱衝擊測試後之接 ohm) 接觸電阻 觸電阻 Ex. 1 1.0 2.7 2.3 Ex. 2 1.2 2.5 2.7 Ex. 3 1.4 2.5 3.0 Ex. 4 0.9 2.3 3.5 C. Ex. 1 1.2 3.7 5.6 C. Ex. 2 1.3 4.3 7.4 57 1292772 i〇〇83]如表2所示，實施例丨至4中之薄臈成分顯示了 在可靠度測試後較低的接觸電阻。雖然本發明並不受任何 理論所限制，然而此結果可能導因於提供導電性之導電顆 粒，由於在此㈣方性導電薄財料之㉟合結構而致使 其即使在可靠度測試之後變形程度依然較低。因此，本發

10 明實施例中之非等方性導電薄膜，即便是在潮濕及/或高溫 條件下依然相當可靠。 [0084]上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本 發明所主張之權利範圍自應以巾請專利範圍所述為準，而 非僅限於上述實例。

58

Claims (1)

1292772 °4年G月rv日修g6正本 十、申請專利範圍： h 一種形成非等方性（anisotropic)導電膜之成分，包 括： I ’ t合物其包括有一含有一石夕烧基（silane group) 5之聚合物其包括有一矽烷基； I’可聚合之化合物；以及 複數個導電顆粒。 I 2·如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該至少一 聚合物係實質上不含有一羥基（hydroxyl)。 10 3_如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該至少一 聚合物係包括有一熱固性聚合物。 4.如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該至少一 xjX ό物係包括有一彈性（eiast〇meric)聚合物以及一填充聚 合物’且其中該彈性聚合物以及該填充聚合物之至少一者 15 係包括該含有一石夕烧基之聚合物。 5 _如申請專利範圍第4項所述之成分，其中相對於該 ί 成分之總重量，其包括有該彈性聚合物約5 wt%至80 wt%、 以及該形成膜之聚合物約1 〇 至約6〇 wt%。 6·如申請專利範圍第4項所述之成分，其中該彈性聚 2〇 合物包括一個以上選自一群組包括：以丙烯腈 -(acrylonitrile)、丁二烯-(butadiene)、苯乙稀-(styrene)、丙 烯-(acryl)、聚氨酉旨-(urethane)、聚酸胺-(polyamide)、烯烴 -(olefin)、以及聚矽氧烷_(silicone)為基礎之彈性聚合物。 59 1292772 聚合:：:：專Λ範圍第1項所述之成分，其中該至少-?:二合物其不含有，基邱_)。 基聚合物之含量，係佔該成分其中該含㈣ wt〇/。。 、、心重里之約5 wt%至約80 人物 專利範圍第1項所述之成分，其中該含石夕烧 基^口物之^ ’係佔該成分之總重量之約i〇㈣ wt% 〇 1G.如巾請專利範圍第丨項所述之成分，其中，當該含 1〇夕/丨土^聚〇物又到—紅外線光譜儀測試時，於3200〜3600 cm之範圍内並不顯示一明顯峰值。 11_如申請專利範圍第丨項所述之成分，其中該至少一 可聚合之化合物係包括一以曱基丙烯酸酯(㈣帅巧㈣ 為基礎之單體或募聚體（oligomer)。 15 丨2·如申請專利範圍第11項所述之成分，其中該以曱基 丙烯酸酯為基礎之單體或寡聚體係包括一矽烷基。 B·如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該至少一 可聚合之化合物係包括下列之至少一者：一交聯劑 (cross-linking agent)、以及一聚合反應促進劑。 20 14_如申請專利範圍第13項所述之成分，其中該交聯劑 係包括一含矽烷基之單體或募聚體。 15·如申請專利範圍第13項所述之成分，其中以該成分 之總重量為基準時，該交聯劑之含量係為其約10 wt%至約 1292772 80 wt% ’且該聚合反應促進劑之含量係為其約〇·5 wt%至約 50 wt%。 16.如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該些複數 個導電顆粒係包括金屬球，其含量係為該成分總重量之約 5 0.01 wt〇/〇至 30 wt〇/〇。 17·如申請專利範圍第1項所述之成分，其更包括有一 熱固性起始劑（initiator)。 18·如申請專利範圍第17項所述之成分，其中該熱固性 起始劑係包括一以過氧化物（per〇xide)為基礎之熟化劑 10 (curing agent)、或一以偶氮化合物（azo)為基礎之熟化劑。 19·如申請專利範圍第丨項所述之成分，其中該成分係 為液相。 20·如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該石夕烧基 係以下列化學式1-1代表： 15 化學式1-1 Ra -Si-Rb Rc 其中每一該Ra，Rb，Rc均係選自一群組包括：氫、C1_C5 烷氧基（alkoxy)、丙烯氧基（acryl〇xy)、胺基（amine)、以及 鹵素（halogen) 〇 20 21 ·如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該至少一 聚合物係包括一以化學式2所代表之彈性聚合物： 化學式2 61 1292772 r

η

其中於該化學式2中之該雙鍵型橡膠係選自一群組包 括··以丙稀腈-(acrylonitrile)、丁二烯-(butadiene)、苯乙稀 -(styrene)、丙浠-(acryl)、異戊二稀-(isoprene)、聚氨西旨 -(urethane)、聚酸胺-(polyamide)、稀烴-(olefin)、以及聚石夕 氧烷-(silicone)為基礎之彈性聚合物； 其中每一該a、b、c係為一介於20至約100之整數，且η 係為一整數介於1至約5 ; 其中每一該Ri、R2、及R3係為一以下列化學式3-1、 10 3-2、或3-3所代表之取代基： 化學式3-1 0R?

^NH-R^-SHOR? OR, ο ο or7 …CH - CH2 〇" R4 宁卜—OR? 0R7 化學式3-2 or7 OR7 0：r9 OR? 〇 〇R7 —0-CH2 CH~CH2 N—R4-Si-~OR7 nA 0^7 0 NH OR7 R6-Si-〇R7 OR7 15 化學式3-3 62 1292772 〇 or7 一 0~C-NH - R44卜OR7 ORy 其中每一該R4、Rs、及尺6係為苯基（phenyl)、聯苯基 (biphenyl)、或萘（naphthalene)、或以鹵素取代或未取代且 為直鍊或支鍊之C1-C5烧基；以及 其中該R?係為甲基、乙基、丙基、或異丙基。 22.如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該含有一 石夕烧基之聚合物係以化學式4所代表： 化學式4 or13

OR ‘14 15 10 其中每一該Rn及R12係為一取代基其係由一經取代或 未取代之紛之-或二個經基，經脫氮（dehydrogenate)而得； • 其中每一該Rl 1及R12係經由該被脫氫之羥基之氧原子 而連接至一鄰近碳原子； 其中每一該心3及14係為由化學式5所代表之一取代 15 基： 化學式5 韻 Η-R16f〇R19 0Rl9 63 1292772 其中R15係為由化學式6所代表之一取代基： 化學式6 •19 OR 〇=C 〇 ,ΝΗ—R17 — Si—〇R- OR 19 19 OR ‘19 一O—CH2 CH—CH2_——R18-早i—〇R19 ^ OR19 m or19 19 R16—Si—OR OR

19 10

15 其中每一該a及b係為介於1至約100之整數，且n係為 1、2或 3 ; 其中每一該R16、R17、及R18係為苯基（phenyl)、聯苯基 (biphenyl)、或萘（naphthalene)、或以鹵素取代或未取代且 為直鍊或支鍊之C1-C5烷基；以及 其中R19係為曱基、乙基、丙基、或異丙基。 23.如申請專利範圍第22項所述之成分，其中該經取代 或未取代之酚係選自一群組包括：對苯二酚 (hydroquinone)、2-溴對苯二盼（2-bromohydroquinone)、間 苯二盼（resorcinol)、兒苯紛（catechol)、雙盼 A(bisphenol A)、雙自分 F(bisphenol F)、雙紛 AD(bisphenol AD)、雙酉分 S(bisphenol S)、4,4’-二經基聯苯（4,4’_dihyroxybiphenyl)、 以及二（4-經基苯基）醚（bis(4-hydroxyphenyl)ether)，且上述 化合物係經一個以上之取代基所取代。 24.如申請專利範圍第22項所述之成分，其中該經取代 之酚係以一個以上選自下列群組之取代基取代之，該群組 64 1292772 包括：直鍊或支鍊之C1-C5烧基、經鹵素取代之直鍊或支鍊 C1-C5烷基、氮取代之直鍊或支鍊C1-C5烷基、芳香基、_ 素取代之芳香基、氮取代之芳香基、羥甲基（methylol)、鹵 素取代之羥甲基、氮取代之羥甲基、烯丙基（allyl)、鹵素取 5 代之烯丙基、氮取代之烯丙基、脂環基（alicyclic)、鹵素取 代之脂壞基、氮取代之脂環基、直鍊或支鍊之C1-C5烧氧基 羰基（alkoxycarbonyl)、i素取代之直鍊或支鍊之ci_C5烷氧 基羰基、以及氮取代之直鍊或支鍊之C1-C5烷氧基羰基。 1 25·如申請專利範圍第22項所述之成分，其中該酚係選 10 自一群組包括雙酚A、雙酚F、雙酚AD、以及雙酚S取代基， 且其中該些雙酚類中非苯環之一個以上之碳原子係被選自 以下群組之一取代基所取代：直鍊或支鍊之Ci_C5烷基、烯 丙基、脂環基、或直鍊或支鍊之C1-C5烷氧基羰基。 26.如申請專利範圍第丨項所述之成分，其中該至少一 15 可聚合之化合物係由化學式7所表示： 化學式7

0 21 22 其中q係為1、2、或3 ; 其中Ru係為苯基、聯苯基、三苯基（hiphenyU、萘、 2〇 或函素取代或未取代之直鍊或支鍊之C1-C5烷基； 65 1292772 基： 其中r22係為如化學式8_卜8_2、或8_3所代表之一取代 化學式8- $27 /NH …R2g*·’一 QR27 9 〇r279 〇r27 〇〇 ·0Η2 CH〜CH2 o 卜 OR OR 0- 9 27 v27 化學式8-2 OR27 一,N_「今卜 OR0气 0r27 〇 OR . ,27 - CH2 R2fSi—〇r27 OR， _r27 OR 27 _26-早卜 〇R27 27 化學式8-3 G •O-C-NH-R OR27 ^Si- OR 24早卜OR27 27 其中每一該R24、R25及R26係為苯基、聯苯基、三苯基、 10 萘、或鹵素取代或未取代之直鍊或支鍊之C1-C5烧基；以及 其中R27係為曱基、乙基、丙基、或異丙基。 66 1292772 27.如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該至少一 聚合物包括一彈性聚合物其包括有一重量平均分子量介於 約500至約5,000,000之間。 28·如申請專利範圍第1項所述之成分，其中該至少一 聚合物包括一含矽烷基之填充聚合物其包括有一重量平均 分子量介於約500至約300,000之間。 29· —種製造一電子裝置之方法，包括： 提供-電子裝置之-中間產物#包括有—第一導電部 分； 提供如申請專利範圍^項所述之該非等方 膜形成成分； 將該成分與該中間產物之該第一導電部分接觸；以及 物進使等方性導電薄膜形成成分中之該可聚合之化合 15 20 方性導電薄膜。 導電部分接觸之-非等 3〇_如申請專利範圍第29項所述 物更包括一第二導電部分，且 ；產 前更包括將該成分與該中間產物之該第方^合反應之 3 1.如申請專利範圍第29項 導I部分接觸。 性導電薄膜係實質上不包括一經基。$法’其中該非等方 32.如申請專利範圍第29項所述 等：性導電薄膜受到一紅外線光 :’其中’當該非 cm 1之範圍内並不顯示—明顯峰值。時，於3200〜3600 67 1292772 3 種Μ如由往击 之電子装置。 ” 1範圍第29項所述之方法所製造 34. 一種電子裝置，包括 一非等方性導電薄膜；以及 性導電_觸； 其含量係佔該非等方性導電薄：之聚合物， 80 wt〇/〇 〇 …膜之總重里之約5 wt%至約 35.如申請專利範圍第34項所述之電子裝置，其中該含 10有-石夕烧基之聚合物之含量，係佔該非等方性導電薄膜之 總重量之約10 wt%至約60 wt%。 3 6 ·如申请專利範圍第3 4項所述之電子裝置，其中，當 該電子裝置之該非等方性導電薄膜受到一紅外線光譜儀測 試時，於3200〜3600 cm·1之範圍内並不顯示一明顯峰值。 15

68