KR101741340B1 - 이방성 도전 필름 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

이방성 도전 필름은, 제 1 접속층과 그 편면에 형성된 제 2 접속층을 갖는다. 제 1 접속층은, 아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층을 광 라디칼 중합시킨 것이고, 제 2 접속층은, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 것이다. 제 1 접속층의 제 2 접속층측 표면에는, 이방성 도전 접속용의 도전 입자가 단층으로 배열되어 있다.

Description

이방성 도전 필름 및 그 제조 방법{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME}
본 발명은 이방성 도전 필름 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
IC 칩 등의 전자 부품의 실장에 이방성 도전 필름은 널리 사용되고 있으며, 최근에는 고실장 밀도에 대한 적용의 관점에서, 접속 신뢰성이나 절연성의 향상, 입자 포착 효율의 향상, 제조 비용의 저감 등을 목적으로, 이방성 도전 접속용의 도전 입자를 단층으로 절연성 접착층에 배열시킨 2 층 구조의 이방성 도전 필름이 제안되어 있다 (특허문헌 1).
이 2 층 구조의 이방성 도전 필름은, 전사층에 단층 또한 세밀 충전으로 도전 입자를 배열시킨 후, 전사층을 2 축 연신 처리함으로써, 도전 입자가 소정 간격으로 균등하게 배열된 전사층을 형성한 후, 그 전사층 상의 도전 입자를 열경화성 수지와 중합 개시제를 함유하는 절연성 수지층에 전사하고, 그리고 전사된 도전 입자 상에, 열경화성 수지를 함유하지만 중합 개시제를 함유하지 않는 다른 절연성 수지층을 라미네이트함으로써 제조되고 있다 (특허문헌 1).
일본 특허 제4789738호 명세서
그러나, 특허문헌 1 의 2 층 구조의 이방성 도전 필름은, 중합 개시제를 함 하고 있지 않은 절연성 수지층을 사용하고 있기 때문에, 단층으로 소정 간격으로 균등하게 도전 입자를 배열시켰음에도 불구하고, 이방성 도전 접속시의 가열에 의해, 중합 개시제를 함유하고 있지 않은 절연성 수지층에 비교적 큰 수지 흐름이 발생하기 쉽고, 그 흐름에 따라 도전 입자도 흐르기 쉬워지기 때문에, 입자 포착 효율의 저하, 쇼트의 발생, 절연성의 저하 등의 문제가 발생하고 있었다.
본 발명의 목적은, 이상의 종래의 기술의 문제점을 해결하는 것으로, 단층으로 배열된 도전 입자를 갖는 다층 구조의 이방성 도전 필름에 있어서, 양호한 접속 신뢰성, 양호한 절연성, 및 양호한 입자 포착 효율을 실현하는 것이다.
본 발명자는, 광 라디칼 중합형 수지층에 도전 입자를 배열시킨 후에, 자외선을 조사함으로써 도전 입자를 고정화 혹은 임시 고정화하고, 그리고 고정화 혹은 임시 고정화된 도전 입자 상에, 열 또는 광 카티온, 아니온 혹은 라디칼 중합형 수지층을 적층함으로써 얻은 이방성 도전 필름이, 상기 서술한 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 구성인 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 제 1 접속층과 그 편면에 형성된 제 2 접속층을 갖는 이방성 도전 필름으로서,
제 1 접속층이, 아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층을 광 라디칼 중합시킨 것이고,
제 2 접속층이, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 것이며,
제 1 접속층의 제 2 접속층측 표면에, 이방성 도전 접속용의 도전 입자가 단층으로 배열되어 있는 이방성 도전 필름을 제공한다.
또한, 제 2 접속층은, 가열에 의해 중합 반응을 개시하는 열중합 개시제를 사용한 열중합형 수지층인 것이 바람직하지만, 광에 의해 중합 반응을 개시하는 광중합 개시제를 사용한 광중합형 수지층이어도 된다. 열중합 개시제와 광중합 개시제를 병용한 열·광중합형 수지층이도 된다. 여기서, 제 2 접속층은, 제조 상, 열중합 개시제를 사용한 열중합형 수지층에 한정되는 경우가 있다.
본 발명의 이방성 도전 필름은, 제 1 접속층의 타면에, 응력 완화 등의 접합체의 휨 방지를 목적으로, 제 2 접속층과 대략 동일한 구성의 제 3 접속층을 가지고 있어도 된다. 즉, 제 1 접속층의 타면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 갖고 있어도 된다.
또한, 제 3 접속층은, 가열에 의해 중합 반응을 개시하는 열중합 개시제를 사용한 열중합형 수지층인 것이 바람직하지만, 광에 의해 중합 반응을 개시하는 광중합 개시제를 사용한 광중합형 수지층이어도 된다. 열중합 개시제와 광중합 개시제를 병용한 열·광중합형 수지층이어도 된다. 여기서, 제 3 접속층은, 제조상, 열중합 개시제를 사용한 열중합형 수지층에 한정되는 경우가 있다.
또, 본 발명은 상기 서술한 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 제 1 접속층을 1 단계의 광 라디칼 중합 반응으로 형성하는 이하의 공정 (A) ∼ (C), 또는 제 1 접속층을 2 단계의 광 라디칼 중합 반응으로 형성하는 후술하는 공정 (AA) ∼ (DD) 를 갖는 제조 방법을 제공한다.
(제 1 접속층을 1 단계의 광 라디칼 중합 반응으로 형성하는 경우)
공정 (A)
아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층에, 도전 입자를 단층으로 배열시키는 공정 ;
공정 (B)
도전 입자가 배열된 광 라디칼 중합형 수지층에 대해 자외선을 조사함으로써 광 라디칼 중합 반응시켜, 표면에 도전 입자가 고정화된 제 1 접속층을 형성하는 공정 ; 및
공정 (C)
제 1 접속층의 도전 입자측 표면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 2 접속층을 형성하는 공정.
(제 1 접속층을 2 단계의 광 라디칼 중합 반응으로 형성하는 경우)
공정 (AA)
아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층에, 도전 입자를 단층으로 배열시키는 공정 ;
공정 (BB)
도전 입자가 배열된 광 라디칼 중합형 수지층에 대해 자외선을 조사함으로써 광 라디칼 중합 반응시켜, 표면에 도전 입자가 임시 고정화된 임시 제 1 접속층을 형성하는 공정 ;
공정 (CC)
임시 제 1 접속층의 도전 입자측 표면에, 에폭시 화합물과 열 카티온 혹은 열 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 카티온 혹은 열 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 2 접속층을 형성하는 공정 ; 및
공정 (DD)
제 2 접속층과 반대측으로부터 임시 제 1 접속층에 자외선을 조사함으로써 광 라디칼 중합 반응시키고, 임시 제 1 접속층을 본 경화시켜 제 1 접속층을 형성하는 공정.
공정 (CC) 에서 제 2 접속층의 형성시에 사용하는 개시제로서 열중합 개시제로 한정하고 있는 것은, 이방성 도전 필름으로서의 제품 라이프, 접속 및 접속 구조체의 안정성에 악영향이 발생하지 않도록 하기 위함이다. 요컨대, 제 1 접속층을 2 단계로 나누어 조사시키는 경우에는, 그 공정상의 제약으로부터 제 2 접속층은 열중합 개시제로 한정하지 않을 수 없는 경우가 있다. 또한, 2 단계 조사를 연속적으로 실시하는 경우에는, 1 단계와 대략 동일한 공정으로 형성할 수 있기 때문에, 동등한 작용 효과를 기대할 수 있다.
또, 본 발명은 제 1 접속층의 타면에, 제 2 접속층과 동일한 구성의 제 3 접속층을 갖고 있는 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 이상의 공정 (A) ∼ (C) 에 추가하여 공정 (C) 후에, 이하의 공정 (Z) 를 갖는 제조 방법, 또는 이상의 공정 (AA) ∼ (DD) 에 추가하여 공정 (DD) 후에, 이하의 공정 (Z) 를 갖는 제조 방법을 제공한다.
공정 (Z)
제 1 접속층의 도전 입자측의 반대면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 열 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성하는 공정.
또한, 본 발명은 제 1 접속층의 타면에, 제 2 접속층과 대략 동일한 구성의 제 3 접속층을 갖고 있는 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 이상의 공정 (A) ∼ (C) 에 추가하여, 공정 (A) 에 앞서 이하의 공정 (a) 를 갖는 제조 방법, 또는 이상의 공정 (AA) ∼ (DD) 에 추가하여, 공정 (AA) 에 앞서 이하의 공정 (a) 를 갖는 제조 방법을 제공한다.
공정 (a)
아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층의 편면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성하는 공정.
또한, 이 공정 (a) 를 갖는 제조 방법의 공정 (A) 또는 공정 (AA) 에 있어서는, 광 라디칼 중합형 수지층의 타면에 도전 입자를 단층으로 배열시키면 된다.
이와 같은 공정으로 제 3 접속층을 형성하는 경우에는, 상기 서술한 이유로부터 중합 개시제는 열반응에 의한 것으로 한정되는 것이 바람직하다. 그러나, 제 1 접속층을 형성한 후에 제품 라이프나 접속에 악영향을 미치지 않는 방법에 의해, 광중합 개시제를 함유하는 제 2 및 제 3 접속층을 형성하면, 광중합 개시제를 함유한 본 발명의 주지를 따른 이방성 도전 필름을 제조하는 것은 특별히 제한되지는 않는다.
또한, 본 발명의 제 2 접속층 또는 제 3 접속층의 어느 것이 택층으로서 기능하는 양태도 본 발명에 포함된다.
추가로, 본 발명은 상기 서술한 이방성 도전 필름으로 제 1 전자 부품을 제 2 전자 부품에 이방성 도전 접속시킨 접속 구조체를 제공한다.
본 발명의 이방성 도전 필름은, 아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층을 광 라디칼 중합시킨 제 1 접속층과, 그 편면에 형성된, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 2 접속층을 갖고 있고, 또한, 제 1 접속층의 제 2 접속층측 표면에는, 이방성 도전 접속용의 도전 입자가 단층으로 배열되어 있다. 이 때문에, 도전 입자를 제 1 접속층에 확실히 고정화할 수 있고, 게다가, 제 1 접속층에 있어서의 도전 입자의 하방 (뒷측) 의 광 라디칼 중합형 수지층은, 도전 입자의 존재때문에 자외선이 충분히 조사되지 않기 때문에, 상대적으로 경화율이 낮아져, 양호한 밀어넣음성을 나타내고, 결과적으로, 양호한 도통 신뢰성, 절연성, 입자 포착 효율을 실현할 수 있다.
이 접합이 열에 의한 것인 경우에는, 통상적인 이방성 도전 필름의 접속 방법과 동일한 방법이 된다. 광에 의한 것인 경우에는, 접속 툴에 의한 밀어넣기를 반응이 종료될 때까지 실시하면 된다. 이 경우에 있어서도, 접속 툴 등은 수지 유동이나 입자의 밀어넣기를 촉진하기 때문에 가열되어 있는 경우가 많다. 또 열과 광을 병용하는 경우도, 상기와 동일하게 실시하면 된다.
광 반응을 이용하는 이방성 도전 접속의 경우에는, 투광부측으로부터의 광 조사가 된다. 이것이 배선에 의해 저해될 것이 우려되지만, 본 발명은 배선이 협소화 (즉 협피치화) 된 것의 이방 도전 접속에 효과를 발현하는 것이기 때문에, 접속에 견딜 수 있는 광 반응 화합물을 함유한 양태를 포함했다고 해도, 특별히 모순이 생기는 경우는 없다.
도 1 은, 본 발명의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (A) 의 설명도이다.
도 3a 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (B) 의 설명도이다.
도 3b 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (B) 의 설명도이다.
도 4a 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (C) 의 설명도이다.
도 4b 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (C) 의 설명도이다.
도 5 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 6 은, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (AA) 의 설명도이다.
도 7a 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (BB) 의 설명도이다.
도 7b 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (BB) 의 설명도이다.
도 8a 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (CC) 의 설명도이다.
도 8b 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (CC) 의 설명도이다.
도 9a 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (DD) 의 설명도이다.
도 9b 는, 본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 공정 (DD) 의 설명도이다.
＜＜이방성 도전 필름＞＞
이하, 본 발명의 이방성 도전 필름의 일례를 상세하게 설명한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 이방성 도전 필름 (1) 은, 아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층을 광 라디칼 중합시킨 제 1 접속층 (2) 의 편면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 2 접속층 (3) 이 형성된 구조를 갖고 있다. 그리고, 제 1 접속층 (2) 의 제 2 접속층 (3) 측의 표면 (2a) 에는, 이방성 도전 접속을 위해 도전 입자 (4) 가 단층으로 배열, 바람직하게는 균등하게 배열되어 있다. 여기서 균등이란, 도전 입자가 평면 방향으로 배열되어 있는 상태를 의미한다. 이 규칙성은 일정한 간격으로 형성되어도 된다.
＜제 1 접속층 (2)＞
본 발명의 이방성 도전 필름 (1) 을 구성하는 제 1 접속층 (2) 은, 아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층을 광 라디칼 중합시킨 것이기 때문에, 도전 입자를 고정화할 수 있다. 또, 중합되어 있기 때문에, 이방성 도전 접속시에 가열되어도 수지가 흐르기 어려워지기 때문에, 쇼트의 발생을 크게 억제할 수 있고, 따라서 접속 신뢰성과 절연성을 향상시키고, 또한 입자 포착 효율도 향상시킬 수 있다.
(아크릴레이트 화합물)
아크릴레이트 단위가 되는 아크릴레이트 화합물로는, 종래 공지된 광 라디칼 중합형 아크릴레이트를 사용할 수 있다. 예를 들어, 단관능 (메트)아크릴레이트 (여기서, (메트)아크릴레이트에는 아크릴레이트와 메타크릴레이트가 포함된다), 2 관능 이상의 다관능 (메트)아크릴레이트를 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 접착제를 열경화성으로 하기 위해, 아크릴계 모노머의 적어도 일부에 다관능 (메트)아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
단관능 (메트)아크릴레이트로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, i-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, i-부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸부틸(메트)아크릴레이트, n-펜틸(메트)아크릴레이트, n-헥실(메트)아크릴레이트, n-헵틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-부틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 이소펜틸(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 페녹시(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 헥사데실(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 모르폴린-4-일(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 2 관능 (메트)아크릴레이트로는, 비스페놀 F-EO 변성 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A-EO 변성 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메틸올디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디엔(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 3 관능 (메트)아크릴레이트로는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 PO 변성 (메트)아크릴레이트, 이소시아눌산 EO 변성 트리(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 4 관능 이상의 (메트)아크릴레이트로는, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 밖에, 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트도 사용할 수 있다. 구체적으로는, M1100, M1200, M1210, M1600 (이상, 토아 합성 (주)), AH-600, AT-600 (이상, 쿄에이샤 화학 (주)) 등을 들 수 있다.
제 1 접속층 (2) 에 있어서의 아크릴레이트 화합물의 함유량은, 지나치게 적으면 제 2 접속층 (3) 과의 점도 차를 내기 어려워지는 경향이 있고, 지나치게 많으면 경화 수축이 커 작업성이 저하되는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 2 ∼ 70 질량％, 보다 바람직하게는 10 ∼ 50 질량％ 이다.
(광 라디칼 중합 개시제)
광 라디칼 중합 개시제로는, 공지된 광 라디칼 중합 개시제 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 아세토페논계 광중합 개시제, 벤질케탈계 광중합 개시제, 인계 광중합 개시제 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 아세토페논계 광중합 개시제로서, 2-하이드록시-2-시클로헥실아세토페논 (이르가큐어 (IRGACURE) 184, BASF 재팬 (주)), α-하이드록시-α,α´-디메틸아세토페논 (다로큐어 (DAROCUR) 1173, BASF 재팬 (주)), 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 (이르가큐어 (IRGACURE) 651, BASF 재팬 (주)), 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤 (이르가큐어 (IRGACURE) 2959, BASF 재팬 (주)), 2-하이드록시-1-{4-[2-하이드록시-2-메틸-프로피오닐]-벤질}페닐}-2-메틸-프로판-1-온 (이르가큐어 (IRGACURE) 127, BASF 재팬 (주)) 등을 들 수 있다. 벤질케탈계 광중합 개시제로서, 벤조페논, 플루오레논, 디벤조스베론, 4-아미노벤조페논, 4,4´-디아미노벤조페논, 4-하이드록시벤조페논, 4-클로로벤조페논, 4,4´-디클로로벤조페논 등을 들 수 있다. 또, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 (이르가큐어 (IRGACURE) 369, BASF 재팬 (주)) 도 사용할 수 있다. 인계 광중합 개시제로서, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 (이르가큐어 (IRGACURE) 819, BASF 재팬 (주)), (2,4,6-트리메틸벤조일)-디페닐포스핀옥사이드 (다로큐어 (DAROCURE) TPO, BASF 재팬 (주)) 등을 들 수 있다.
광 라디칼 중합 개시제의 사용량은, 아크릴레이트 화합물 100 질량부에 대해, 지나치게 적으면 광 라디칼 중합이 충분히 진행되지 않고, 지나치게 많으면 강성 저하의 원인이 되기 때문에, 바람직하게는 0.1 ∼ 25 질량부, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 15 질량부이다.
(도전 입자)
도전 입자로는, 종래 공지된 이방성 도전 필름에 사용되고 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐 등의 금속 입자, 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다. 2 종 이상을 병용할 수도 있다.
도전 입자의 평균 입경으로는, 지나치게 작으면 배선의 높이의 편차를 흡수할 수 없어 저항이 높아지는 경향이 있고, 지나치게 커도 쇼트의 원인이 되는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 1 ∼ 10 ㎛, 보다 바람직하게는 2 ∼ 6 ㎛ 이다.
이와 같은 도전 입자의 제 1 접속층 (2) 중의 입자량은, 지나치게 적으면 입자 포착수가 저하되어 이방성 도전 접속이 어려워지고, 지나치게 많으면 쇼트될 것이 우려되기 때문에, 바람직하게는 1 평방 ㎜ 당 50 ∼ 50000 개, 보다 바람직하게는 200 ∼ 30000 개이다.
제 1 접속층 (2) 에는, 필요에 따라 페녹시 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리올레핀 수지 등의 막 형성 수지를 병용할 수 있다. 제 2 접속층 및 제 3 접속층에도 동일하게 병용해도 된다.
제 1 접속층 (2) 의 층두께는, 지나치게 얇으면 입자 포착 효율이 저하되는 경향이 있고, 지나치게 두꺼우면 도통 저항이 높아지는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 1.0 ∼ 6.0 ㎛, 보다 바람직하게는 2.0 ∼ 5.0 ㎛ 이다.
제 1 접속층 (2) 에는, 또한, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유시킬 수도 있다. 이 경우, 후술하는 바와 같이, 제 2 접속층 (3) 도 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층으로 하는 것이 바람직하다. 이로써, 층간 박리 강도를 향상시킬 수 있다. 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제에 대해서는, 제 2 접속층 (3) 에서 설명한다.
제 1 접속층 (2) 에 있어서는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (4) 가, 제 2 접속층 (3) 에 파고들어가 있는 (바꾸어 말하면, 도전 입자 (4) 임시 제 1 접속층 (2) 의 표면에 노출되어 있는) 것이 바람직하다. 도전 입자가 모두 제 1 접속층 (2) 에 매몰되어 있으면, 저항 도통이 높아지는 것이 우려되기 때문이다. 파고들어감의 정도는, 지나치게 작으면 입자 포착 효율이 적어지는 경향이 있고, 지나치게 크면 도통 저항이 높아지는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 도전 입자의 평균 입자경의 10 ∼ 90 ％, 보다 바람직하게는 20 ∼ 80 ％ 이다.
또, 제 1 접속층 (2) 에 있어서, 도전 입자 (4) 와 제 1 접속층 (2) 의 최외 표면 (2b) 사이에 위치하는 영역의 제 1 접속층 (2X) 의 경화율이, 서로 인접하는 도전 입자 (4) 사이에 위치하는 영역의 제 1 접속층 (2Y) 의 경화율보다 낮은 것이 바람직하다. 이로써, 이방성 도전 접속의 열압착시에, 제 1 접속층 (2X) 이 배제되기 쉬워지고, 접속 신뢰성이 향상된다. 여기서, 경화율은 비닐기의 감소 비율로 정의되는 수치이며, 제 1 접속층 (2X) 의 경화율은 바람직하게는 40 ∼ 80 ％ 이고, 제 1 접속층 (2Y) 의 경화율은 바람직하게는 70 ∼ 100 ％ 이다.
또한, 제 1 접속층 (2) 의 형성시의 광 라디칼 중합은, 1 단계 (즉, 1 회의 광 조사) 로 실시해도 되지만, 2 단계 (즉, 2 회의 광 조사) 로 실시해도 된다. 이 경우, 2 단계째의 광 조사는, 제 1 접속층 (2) 의 편면에 제 2 접속층 (3) 이 형성된 후에, 산소 함유 분위기 (대기 중) 하에서 제 1 접속층 (2) 의 타면측으로부터 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 라디칼 중합 반응이 산소 저해되고, 미경화 성분의 표면 농도가 높아지고, 택성을 향상시킬 수 있다는 효과를 기대할 수 있다. 또, 경화를 2 단계로 실시함으로써 중합 반응도 복잡화되기 때문에, 수지나 입자의 유동성의 정밀한 제어가 가능해지는 것도 기대할 수 있다.
이와 같은 2 단계의 광 라디칼 중합에 있어서의 제 1 접속층 (2X) 의 제 1 단계에 있어서의 경화율은 바람직하게는 10 ∼ 50 ％ 이고, 제 2 단계에 있어서의 경화율은 바람직하게는 40 ∼ 80 ％ 이며, 제 1 접속층 (2Y) 의 제 1 단계에 있어서의 경화율은 바람직하게는 30 ∼ 90 ％ 이고, 제 2 단계에 있어서의 경화율은 바람직하게는 70 ∼ 100 ％ 이다.
또, 제 1 접속층 (2) 의 형성시의 광 라디칼 중합 반응이 2 단계로 이루어지는 경우, 라디칼 중합 개시제로서 1 종류만 사용할 수도 있지만, 라디칼 반응을 개시하는 파장 대역이 상이한 2 종류의 광 라디칼 중합 개시제를 사용하는 것이 택성 향상을 위해 바람직하다. 예를 들어, LED 광원으로부터의 파장 365 ㎚ 의 광으로 라디칼 반응을 개시하는 이르가큐어 (IRGACURE) 369 (BASF 재팬 (주)) 와, 고압 수은 램프 광원으로부터의 광으로 라디칼 반응을 개시하는 이르가큐어 (IRGACURE) 2959 (BASF 재팬 (주)) 를 병용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 2 종류의 상이한 경화제를 사용함으로써 수지의 결합이 복잡화되기 때문에, 접속시의 수지의 열 유동의 거동을 보다 정밀하게 제어하는 것이 가능해진다. 이것은 이방성 도전 접속의 밀어넣음시에, 입자는 두께 방향으로 가해지는 힘은 받기 쉬워지지만, 면방향으로의 유동은 억제되는, 본 발명의 효과가 보다 발현되기 쉬워진다는 것이다.
또, 제 1 접속층 (2) 의 레오미터로 측정했을 때의 최저 용융 점도는, 제 2 접속층 (3) 의 최저 용융 점도보다 높은 것, 구체적으로는 [제 1 접속층 (2) 의 최저 용융 점도 (mPa·s)]/[제 2 접속층 (3) 의 최저 용융 점도 (mPa·s)] 의 수치가, 바람직하게는 1 ∼ 1000, 보다 바람직하게는 4 ∼ 400 이다. 또한, 각각의 바람직한 최저 용융 점도는, 전자에 대해서는 00 ∼ 100000 mPa·s, 보다 바람직하게는 500 ∼ 50000 mPa·s 이다. 후자에 대해서는 바람직하게는 0.1 ∼ 10000 mPa·s, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 1000 mPa·s 이다.
제 1 접속층 (2) 의 형성은, 광 라디칼 중합성 아크릴레이트와 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층에, 필름 전사법, 금형 전사법, 잉크젯법, 정전 부착법 등의 수법에 의해 도전 입자를 부착시키고, 자외선을 도전 입자측, 그 반대형, 혹은 양측으로부터 조사함으로써 실시할 수 있다. 특히, 자외선을 도전 입자측으로부터만 조사하는 것이, 제 1 접속층 (2X) 의 경화율을 상대적으로 낮게 억제할 수 있는 점에서 바람직하다.
＜제 2 접속층 (3)＞
제 2 접속층 (3) 은, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 것이다. 제 2 접속층 (3) 을 열중합형 수지층으로 형성하는 것은, 제 1 접속층 (2) 을 형성할 때의 자외선 조사에 의해 제 2 접속층 (3) 의 2 중합 반응이 발생하지 않기 때문에, 생산의 간편성 및 품질 안정성 상에서는 바람직하다.
(에폭시 화합물)
제 2 접속층 (3) 이 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층인 경우, 에폭시 화합물로는, 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물 혹은 수지를 바람직하게 들 수 있다. 이들은 액상이어도 되고, 고체상이어도 된다. 구체적으로는, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 헥사하이드로비스페놀 A, 테트라메틸비스페놀 A, 디아릴비스페놀 A, 하이드로퀴논, 카테콜, 레조르신, 크레졸, 테트라브로모비스페놀 A, 트리하이드록시비페닐, 벤조페논, 비스레조르시놀, 비스페놀헥사플루오로아세톤, 테트라메틸비스페놀 A, 테트라메틸비스페놀 F, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 비자일레놀, 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락 등의 다가 페놀과 에피클로르하이드린을 반응시켜 얻어지는 글리시딜에테르, 또는 글리세린, 네오펜틸글리콜, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 티렌글리콜, 헥실렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 지방족 다가 알코올과 에피클로르하이드린을 반응시켜 얻어지는 폴리글리시딜에테르 ; p-옥시벤조산, β-옥시나프토산과 같은 하이드록시카르복실산과 에피클로르하이드린을 반응시켜 얻어지는 글리시딜에테르에스테르, 혹은 프탈산, 메틸프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 테트라하이드로프탈산, 헥사하이드로프탈산, 엔도메틸렌테트라하이드로프탈산, 엔도메틸렌헥사하이드로프탈산, 트리멜리트산, 중합 지방산과 같은 폴리카르복실산으로부터 얻어지는 폴리글리시딜에스테르 ; 아미노페놀, 아미노알킬페놀로부터 얻어지는 글리시딜아미노글리시딜에테르 ; 아미노벤조산으로부터 얻어지는 글리시딜아미노글리시딜에스테르 ; 아닐린, 톨루이딘, 트리브롬아닐린, 자일릴렌디아민, 디아미노시클로헥산, 비스아미노메틸시클로헥산, 4,4´-디아미노디페닐메탄, 4,4´-디아미노디페닐술폰 등으로부터 얻어지는 글리시딜아민 ; 에폭시화폴리올레핀 등의 공지된 에폭시 수지류를 들 수 있다. 또, 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3´,4´-에폭시시클로헥센카르복시레이트 등의 지환식 에폭시 화합물도 사용할 수 있다.
(열 카티온 중합 개시제)
열 카티온 중합 개시제로는, 에폭시 화합물의 열 카티온 중합 개시제로서 공지된 것을 채용할 수 있고, 예를 들어, 열에 의해, 카티온 중합성 화합물을 카티온 중합시킬 수 있는 산을 발생시키는 것으로, 공지된 요오드늄염, 술포늄염, 포스포늄염, 페로센류 등을 사용할 수 있고, 온도에 대해 양호한 잠재성을 나타내는 방향족 술포늄염을 바람직하게 사용할 수 있다. 열 카티온계 중합 개시제의 바람직한 예로는, 디페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로보레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로보레이트를 들 수 있다. 구체적으로는, (주) ADEKA 제조 SP-150, SP-170, CP-66, CP-77 ; 닛폰 소다 (주) 제조 CI-2855, CI-2639 ; 산신 화학 공업 (주) 제조 선에이드 SI-60, SI-80 ; 유니온 카바이드사 제조의 CYRACURE-UVI-6990, UVI-6974 등을 들 수 있다.
열 카티온 중합 개시제의 배합량은, 지나치게 적어도 경화 불량이 되는 경향이 있고, 지나치게 많아도 제품 라이프가 저하하는 경향이 있기 때문에, 에폭시 화합물 100 질량부에 대해, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.
(열 아니온 중합 개시제)
열 아니온 중합 개시제로는, 에폭시 화합물의 열 아니온 중합 개시제로서 공지된 것을 채용할 수 있고, 예를 들어, 열에 의해 아니온 중합성 화합물을 아니온 중합시킬 수 있는 염기를 발생시키는 것으로, 공지된 지방족 아민계 화합물, 방향족 아민계 화합물, 2 급 또는 3 급 아민계 화합물, 이미다졸계 화합물, 폴리메르캅탄계 화합물, 삼불화붕소-아민 착물, 디시안디아미드, 유기산 하이드라지드 등을 사용할 수 있고, 온도에 대해 양호한 잠재성을 나타내는 캡슐화 이미다졸계 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 아사히카세이 이머터리얼즈 (주) 제조 노바 큐어 HX3941HP 등을 들 수 있다.
열 아니온 중합 개시제의 배합량은, 지나치게 적어도 경화 불량이 되는 경향이 있고, 지나치게 많아도 제품 라이프가 저하되는 경향이 있기 때문에, 에폭시 화합물 100 질량부에 대해, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.
(광 카티온 중합 개시제 및 광 아니온 중합 개시제)
에폭시 화합물용의 광 카티온 중합 개시제 또는 광 아니온 중합 개시제로는, 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
(아크릴레이트 화합물)
제 2 접속층 (3) 이 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층인 경우, 아크릴레이트 화합물로는, 제 1 접속층 (2) 에 관하여 설명한 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
(열 라디칼 중합 개시제)
또, 열 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 유기 과산화물이나 아조계 화합물 등을 들 수 있지만, 기포의 원인이 되는 질소를 발생시키지 않는 유기 과산화물을 바람직하게 사용할 수 있다.
유기 과산화물로는, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 시클로헥사논퍼옥사이드, 메틸시클로헥사논퍼옥사이드, 아세틸아세톤퍼옥사이드, 1,1-비스(tert-부틸퍼옥시)3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(tert-부틸퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(tert-헥실퍼옥시)3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(tert-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(tert-부틸퍼옥시)시클로도데칸, 이소부틸퍼옥사이드, 과산화라우로일, 숙신산퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥사이드, 과산화벤조일, 옥타노일퍼옥사이드, 스테아로일퍼옥사이드, 디이소프로필퍼옥시디카르보네이트, 디노르말프로필퍼옥시디카르보네이트, 디-2-에틸헥실퍼옥시디카르보네이트, 디-2-에톡시에틸퍼옥시디카르보네이트, 디-2-메톡시부틸퍼옥시디카르보네이트, 비스-(4-tert-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, (α,α-비스-네오데카노일퍼옥시)디이소프로필벤젠, 퍼옥시네오데칸산쿠밀에스테르, 퍼옥시네오데칸산옥틸에스테르, 퍼옥시네오데칸산헥실에스테르, 퍼옥시네오데칸산-tert-부틸에스테르, 퍼옥시피발산-tert-헥실에스테르, 퍼옥시피발산-tert-부틸에스테르, 2,5-디메틸-2,5-비스(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 퍼옥시-2-에틸헥산산-tert-헥실에스테르, 퍼옥시-2-에틸헥산산-tert-부틸에스테르, 퍼옥시-2-에틸헥산산-tert-부틸에스테르, 퍼옥시-3-메틸프로피온산-tert-부틸에스테르, 퍼옥시라우르산-tert-부틸에스테르, tert-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, tert-헥실퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, tert-부틸퍼옥시이소프로필카르보네이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(벤조일퍼옥시)헥산, 과아세트산-tert-부틸에스테르, 과벤조산-tert-헥실에스테르, 과벤조산-tert-부틸에스테르 등을 들 수 있다. 유기 과산물에 환원제를 첨가하고, 레독스계 중합 개시제로서 사용해도 된다.
아조계 화합물로는, 1,1-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 2,2´-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 2,2´-아조비스부티로니트릴, 2,2´-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2´-아조비스(2,4-디메틸-4-메톡시시발레로니트릴), 2,2´-아조비스(2-아미디노-프로판)염산염, 2,2´-아조비스[2-(5-메틸-2-이미다졸린-2-일)프로판]염산염, 2,2´-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판]염산염, 2,2´-아조비스[2-(5-메틸-2-이미다졸린-2-일)프로판], 2,2´-아조비스[2-메틸-N-(1,1-비스(2-하이드록시메틸)-2-하이드록시에틸)프로피온아미드], 2,2´-아조비스[2-메틸-N-(2-하이드록시에틸)프로피온아미드], 2,2´-아조비스(2-메틸-프로피온아미드)이수염, 4,4´-아조비스(4-시아노-발레르산), 2,2´-아조비스(2-하이드록시메틸프로피오니트릴), 2,2´-아조비스(2-메틸프로피온산)디메틸에스테르(디메틸2,2´-아조비스(2-메틸프로피오네이트)), 시아노-2-프로필아조포름아미드 등을 들 수 있다.
열 라디칼 중합 개시제의 사용량은, 지나치게 적으면 경화 불량이 되고, 지나치게 많으면 제품 라이프의 저하가 되기 때문에, 아크릴레이트 화합물 100 질량부에 대해, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.
(광 라디칼 중합 개시제)
아크릴레이트 화합물용의 광 라디칼 중합 개시제로는, 공지된 광 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다.
광 라디칼 중합 개시제의 사용량은, 지나치게 적으면 경화 불량이 되고, 지나치게 많으면 제품 라이프가 저하되기 때문에, 아크릴레이트 화합물 100 질량부에 대해, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.
(제 3 접속층 (5))
이상, 도 1 의 2 층 구조의 이방성 도전 필름에 대하여 설명했지만, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 접속층 (2) 의 타면에 제 3 접속층 (5) 이 형성되어 있어도 된다. 이로써, 층 전체의 유동성을 보다 정밀하게 제어하는 것이 가능해진다는 효과가 얻어진다. 여기서, 제 3 접속층 (5) 으로는, 전술한 제 2 접속층 (3) 과 동일한 구성으로 해도 된다. 즉, 제 3 접속층 (5) 은, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 것이다.
이와 같은 제 3 접속층 (5) 은, 제 1 접속층의 편면에 제 2 접속층을 형성한 후에, 제 1 접속층의 타면에 형성해도 되고, 제 2 접속층의 형성 전에, 제 1 접속층 혹은 그 전구체인 광 라디칼형 수지층의 타면 (제 2 접속층이 형성되지 않은 면) 에 미리 제 3 접속층을 형성해 두어도 된다.
＜＜이방성 도전 필름의 제조 방법＞＞
본 발명의 이방성 도전 필름의 제조 방법에는, 1 단계의 광 라디칼 중합 반응을 실시하는 제조 방법과, 2 단계의 광 라디칼 중합 반응을 실시하는 제조 방법을 들 수 있다.
＜1 단계의 광 라디칼 중합 반응을 실시하는 제조 방법＞
도 1 (도 4b) 의 이방성 도전 필름을 1 단계로 광 라디칼 중합시켜 제조하는 일례를 설명한다. 이 제조예는, 이하의 공정 (A) ∼ (C) 를 갖는다.
(공정 (A))
도 2 에 나타내는 바와 같이, 필요에 따라 박리 필름 (30) 상에 형성한, 광 라디칼 중합성 아크릴레이트와 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층 (31) 에, 단층으로 도전 입자 (4) 를 배열시킨다. 도전 입자 (4) 의 배열의 수법으로는, 특별히 제한은 없고, 일본 특허 제4789738호의 실시예 1 의 무연신 폴리프로필렌 필름에 2 축 연신 조작을 이용하는 방법이나, 일본 공개특허공보 2010-33793호의 금형을 사용하는 방법 등을 채용할 수 있다. 또한, 배열의 정도로는, 접속 대상의 사이즈, 도통 신뢰성, 절연성, 입자 포착 효율 등을 고려하여, 2 차원적으로 서로 1 ∼ 100 ㎛ 정도 이격되어 배열되는 것이 바람직하다.
(공정 (B))
다음으로, 도 3a 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (4) 가 배열된 광 라디칼 중합형 수지층 (31) 에 대해, 도전 입자측으로부터 자외선 (UV) 을 조사함으로써 광 라디칼 중합 반응시켜, 표면에 도전 입자 (4) 가 고정화된 제 1 접속층 (2) 을 형성한다. 이로써, 도 3b 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (4) 와 제 1 접속층 (2) 의 최외표면 사이에 위치하는 영역의 제 1 접속층 (2X) 의 경화율을, 서로 인접하는 도전 입자 (4) 사에 위치하는 영역의 제 1 접속층 (2Y) 의 경화율보다 낮게 할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 입자의 뒷측의 경화성은 확실하게 낮아져 접합시의 밀어넣기를 용이하게 하고, 또한 입자의 유동을 방지하는 효과도 동시에 구비할 수 있다.
(공정 (C))
다음으로, 도 4a 에 나타내는 바와 같이, 제 1 접속층 (2) 의 도전 입자 (4) 측 표면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층으로 이루어지는 제 2 접속층 (3) 을 형성한다. 구체적인 일례로서, 박리 필름 (40) 에 통상적인 방법에 의해 형성된 제 2 접속층 (3) 을, 제 1 접속층 (2) 의 도전 입자 (4) 측 표면에 놓고, 과대한 열중합이 발생하지 않을 정도로 열압착한다. 그리고 박리 필름 (30 과 40) 을 제거함으로써 도 4b 의 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.
또한, 도 5 의 이방성 도전 필름 (100) 은, 공정 (C) 후에, 이하의 공정 (Z) 를 실시함으로써 얻을 수 있다.
(공정 (Z))
제 1 접속층의 도전 입자측의 반대면에, 바람직하게는 제 2 접속층과 동일하게, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성한다. 이로써 도 5 의 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.
또, 도 5 의 이방성 도전 필름 (100) 은, 공정 (Z) 를 실시하지 않고, 공정 (A) 에 앞서, 이하의 공정 (a) 를 실시함으로써도 얻을 수 있다.
(공정 (a))
아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층의 편면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성하는 공정. 단, 공정 (A) 에 있어서, 광 라디칼 중합형 수지층의 타면에 도전 입자를 단층으로 배열시킨다. 이 공정 (a) 에 이어서, 공정 (A), (B) 및 (C) 를 실시함으로써 도 5 의 이방성 도전 필름 (100) 을 얻을 수 있다.
(2 단계의 광 라디칼 중합 반응을 실시하는 제조 방법)
다음으로, 도 1 (도 4b) 의 이방성 도전 필름을 2 단계로 광 라디칼 중합 시켜 제조하는 일례를 설명한다. 이 제조예는, 이하의 공정 (AA) ∼ (DD) 를 갖는다.
(공정 (AA))
도 6 에 나타내는 바와 같이, 필요에 따라 박리 필름 (30) 상에 형성한, 광 라디칼 중합성 아크릴레이트와 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층 (31) 에, 단층으로 도전 입자 (4) 를 배열시킨다. 도전 입자 (4) 의 배열의 수법으로는, 특별히 제한은 없고, 일본 특허 제4789738호의 실시예 1 의 무연신 폴리프로필렌 필름에 2 축 연신 조작을 이용하는 방법이나, 일본 공개특허공보 2010-33793호의 금형을 사용하는 방법 등을 채용할 수 있다. 또한, 배열의 정도로는, 접속 대상의 사이즈, 도통 신뢰성, 절연성, 입자 포착 효율 등을 고려하여, 2 차원적으로 서로 1 ∼ 100 ㎛ 정도 이격되어 배열되는 것이 바람직하다.
(공정 (BB))
다음으로, 도 7a 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (4) 가 배열된 광 라디칼 중합형 수지층 (31) 에 대해, 도전 입자측으로부터 자외선 (UV) 을 조사함으로써 광 라디칼 중합 반응시켜, 표면에 도전 입자 (4) 가 임시 고정화된 임시 제 1 접속층 (20) 을 형성한다. 이로써, 도 7b 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (4) 와 임시 제 1 접속층 (20) 의 최외표면 사이에 위치하는 영역의 제 1 접속층 (2X) 의 경화율을, 서로 인접하는 도전 입자 (4) 사이에 위치하는 영역의 제 1 접속층 (2Y) 의 경화율보다 낮게 할 수 있다.
(공정 (CC))
다음으로, 도 8a 에 나타내는 바와 같이, 임시 제 1 접속층 (20) 의 도전 입자 (4) 측 표면에, 에폭시 화합물과 열 카티온 혹은 열 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 카티온 혹은 열 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 카티온 혹은 열 아니온 중합형 수지층으로 이루어지는 제 2 접속층 (3) 을 형성한다. 구체적인 일례로서, 박리 필름 (40) 에 통상적인 방법에 의해 형성된 제 2 접속층 (3) 을, 제 1 접속층 (2) 의 도전 입자 (4) 측 표면에 놓고, 과대한 열중합이 발생하지 않을 정도로 열압착한다. 그리고 박리 필름 (30 과 40) 을 제거함으로써 도 8b 의 임시 이방성 도전 필름 (50) 을 얻을 수 있다.
(공정 DD)
다음으로, 도 9a 에 나타내는 바와 같이, 제 2 접속층 (3) 과 반대측으로부터 임시 제 1 접속층 (20) 에 자외선을 조사함으로써 광 라디칼 중합 반응시켜, 임시 제 1 접속층 (20) 을 본 경화시켜 제 1 접속층 (2) 을 형성한다. 이로써, 도 9b 의 이방성 도전 필름 (1) 을 얻을 수 있다.
또한, 2 단계로 광 라디칼 중합시킨 경우, 도 5 의 이방성 도전 필름 (100) 은, 공정 (DD) 후에, 이하의 공정 (Z) 를 실시함으로써 얻을 수 있다.
(공정 (Z))
제 1 접속층의 도전 입자측의 반대면에, 바람직하게는 제 2 접속층과 동일하게, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성한다. 이로써 도 5 의 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.
또, 도 5 의 이방성 도전 필름 (100) 은, 공정 (Z) 를 실시하지 않고, 공정 (AA) 에 앞서, 이하의 공정 (a) 를 실시함으로써도 얻을 수 있다.
(공정 (a))
아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층의 편면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성하는 공정. 단, 공정 (A) 에 있어서, 광 라디칼 중합형 수지층의 타면에 도전 입자를 단층으로 배열시킨다. 이 공정 (a) 에 이어서, 공정 (AA) ∼ (DD) 를 실시함으로써 도 5 의 이방성 도전 필름 (100) 을 얻을 수 있다. 이 경우, 제 2 접속층의 형성시에 사용하는 중합 개시제로서는, 열중합 개시제를 적용하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제의 경우에는, 공정상, 이방성 도전 필름으로서의 제품 라이프, 접속 및 접속 구조체의 안정성에 악영향을 미칠 것이 염려된다.
＜＜접속 구조체＞＞
이와 같이 하여 얻어진 이방성 도전 필름은, IC 칩, IC 모듈 등의 제 1 전자 부품과, 플렉시블 기판, 유리 기판 등의 제 2 전자 부품을 이방성 도전 접속시킬 때 바람직하게 적용할 수 있다. 이와 같이 하여 얻어지는 접속 구조체도 본 발명의 일부이다. 또한, 이방성 도전 필름의 제 1 접속층측을 플렉시블 기판 등의 제 2 전자 부품측에 배치하고, 제 2 접속층측을 IC 칩 등의 제 1 전자 부품측에 배치하는 것이 접속 신뢰성을 높이는 점에서 바람직하다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.
실시예 1 ∼ 6, 비교예 1 ∼ 5
일본 특허 제4789738호의 실시예 1 의 조작, 일본 공개특허공보 2010-33793호의 조작, 또는 일본 공개특허공보 2010-123418호의 조작에 준하여 도전 입자의 배열을 실시함과 함께, 표 1 에 나타내는 배합에 따라 제 1 접속층과 제 2 접속층이 적층된 2 층 구조의 이방성 도전 필름을 제조하였다. 표 1 중, 도전 입자 배열 방법의 「4789738」은 일본 특허 제4789738호의 것이고, 「2010-33793」및 「2010-123418」은, 각각 「일본 공개특허공보 2010-33793호」 및 「일본 공개특허공보 2010-123418호」 의 것이다.
구체적으로는, 먼저, 아크릴레이트 화합물 및 광 라디칼 중합 개시제 등을 아세트산에틸 또는 톨루엔으로 고형분이 50 질량％ 가 되도록 혼합액을 조제하였다. 이 혼합액을, 두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에, 건조 두께가 5 ㎛ 가 되도록 도포하고, 80 ℃ 의 오븐 중에서 5 분간 건조시킴으로써, 제 1 접속층의 전구층인 광 라디칼 중합형 수지층을 형성하였다.
다음으로, 얻어진 광 라디칼 중합형 수지층에 대해, 평균 입자경 4 ㎛ 의 도전 입자 (Ni/Au 도금 수지 입자, AUL704, 세키스이 화학 공업 (주)) 를, 서로 5 ㎛ 이격시켜 단층으로 배열시켰다. 또한, 이 도전 입자측으로부터 광 라디칼 중합형 수지층에 대해, 파장 365 ㎚, 적산 광량 4000 mL/㎠ 의 자외선을 조사함으로써, 표면에 도전 입자가 고정된 제 1 접속층을 형성하였다.
열경화성 수지 및 잠재성 경화제 등을 아세트산에틸 또는 톨루엔으로 고형분이 50 질량％ 가 되도록 혼합액을 조제하였다. 이 혼합액을, 두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에, 건조 두께가 12 ㎛ 가 되도록 도포하고, 80 ℃ 의 오븐 중에서 5 분간 건조시킴으로써, 제 2 접속층을 형성하였다.
이와 같이 하여 얻어진 제 1 접속층과 제 2 접속층을, 도전 입자가 내측이 되도록 라미네이트함으로써 이방성 도전 필름을 얻었다.
얻어진 이방성 도전 필름을 사용하여, 0.5 × 1.8 × 20.0 ㎜ 크기의 IC 칩 (범프 사이즈 30 × 85 ㎛ : 범프 높이 15 ㎛, 범프 피치 50 ㎛) 을, 0.5 × 50 × 30 ㎜ 크기의 코닝사 제조의 유리 배선 기판 (1737F) 에 180 ℃, 80 ㎫, 5 초라는 조건으로 실장하여 접속 구조 샘플체를 얻었다.
얻어진 접속 구조 샘플체에 대하여, 이하에 설명하는 바와 같이, 「최저 용융 점도」, 「실장 입자 포착 효율」, 「도통 신뢰성」및 「절연성」을 시험 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다. 또, 실시예 1 및 비교예 4 의 이방성 도전 필름의 제 1 접속층측의 「택력」을 이하에 설명하는 바와 같이 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
「최저 용융 점도」
접속 구조 샘플체를 구성하는 제 1 접속층 및 제 2 접속층의 각각의 최저 용융 점도를, 회전식 레오미터 (TA Instruments 사) 를 사용하여 승온 속도 10 ℃/분 ; 측정 압력 5 g 일정 ; 사용 측정 플레이트 직경 8 ㎜ 라는 조건으로 측정하였다.
「실장 입자 포착 효율」
“가열·가압 전의 접속 구조 샘플체의 범프 상에 존재하는 이론 입자량” 에 대한 “가열·가압 후 (실제의 실장 후) 의 접속 구조 샘플체의 범프 상에서 실제로 포착되어 있는 입자량” 의 비율을 이하의 수식에 따라 구하였다. 실용상, 50 ％ 이상인 것이 바람직하다.
실장 입자 포착 효율 (％) ＝
{[가열 가압 후의 범프 상의 입자수]/[가열 가압 전의 범프 상의 입자수]} × 100
「도통 신뢰성」
접속 구조 샘플체를, 85 ℃, 85 ％RH 의 고온 고습 환경하에 방치하고, 100 시간 간격으로 꺼내어 도통 저항의 상승을 확인하였다. 도통 저항이 50 Ω 을 초과한 시간을 불량 발생 시간으로 하였다. 실용상, 1000 시간 이상인 것이 바람직하다.
「절연성」
7.5 ㎛ 스페이스의 빗살 TEG 패턴의 쇼트 발생률을 구하였다. 실용상, 100 ppm 이하인 것이 바람직하다.
「택력」
택 시험기 (TACII, (주) 레스카) 를 사용하여 22 ℃ 의 분위기하에서, 프로브 직경 5 ㎜ (스테인리스제 경면, 원주상), 가압 하중 196 kgf, 가압 속도 30 ㎜/min, 박리 속도 5 ㎜/min 의 측정 조건으로, 프로브를 이방성 도전 필름의 제 1 접속층측으로 가압하여 측정하였다. 측정 차트의 피크 강도를 택력 (㎪) 으로 하였다.
Figure 112015004211154-pct00001
표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 6 의 이방성 도전 필름에 대해서는, 실장 입자 포착 효율, 도통 신뢰성, 절연성의 각 평가 항목에 대해서는 모두 실용상 바람직한 결과를 나타내었다.
이에 반해, 비교예 1 의 이방성 도전 필름에 대해서는, 실시예의 제 1 접속층에 상당하는 수지층에 UV 조사를 실시하지 않고, 도전 입자도 랜덤 배열이기 때문에, 실장 입자 포착 효율, 도통 신뢰성 및 절연성에 대하여 문제가 있었다. 비교예 2 의 이방성 도전 필름에 대해서는, 도전 입자가 균등 배열이었지만, UV 조사를 실시하지 않았기 때문에, 실장 입자 포착 효율, 도통 신뢰성에 문제가 있었다. 비교예 3 의 이방성 도전 필름에 대해서는, 비교예 2 의 이방성 도전 필름에 실리카 미립자를 배합하여 점도를 증대시킨 것이기 때문에 절연성은 개선되었지만, 여전히 실장 입자 포착 효율과 도통 신뢰성에 문제가 있었다. 비교예 4 의 이방성 도전 필름에 대해서는, UV 조사를 제 1 접속층의 점착층측으로부터 조사했기 때문에, 도전 입자 하방에 위치하는 영역의 제 1 접속층의 최저 용융 점도가 상승하여 도전 입자의 밀어넣음성이 저하되어, 도통 신뢰성에 문제가 있었다. 비교예 5 의 이방성 도전 필름에 대해서는, UV 조사를 양측으로부터 실시하였기 때문에, 도통 신뢰성에 문제가 있었다.
또한, 실시예 1 및 비교예 4 의 이방성 도전 필름의 택력을 비교하면, 비교예 4 의 이방성 도전 필름 쪽이 약한 택력을 나타내었다. 이것으로부터, 이방성 도전 필름의 제조시에, 제 1 접속층의 도전 입자측으로부터 UV 조사를 하면, 도전 입자의 하방 (뒷측) 에 위치하는 제 1 접속층의 경화율이 상대적으로 낮아져 있는 것을 알 수 있다.
이상으로부터, 제 1 접속층은 광 조사의 수광면에 의해 경화 정도가 표리면에서 상이하고, 바꾸어 말하면, 이 경화 정도의 차이가 발생한 영역에 입자가 존재 하고 있게 된다. 요컨대 두께 방향으로의 이동성에는 문제가 없고 (밀어넣음 가능), 횡 어긋남이 억제되게 (국소적인 유동성 저하에 의한 쇼트 방지) 된다.
산업상 이용가능성
본 발명의 이방성 도전 필름은, 아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층을 광 라디칼 중합시킨 제 1 접속층과, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 2 접속층이 적층된 2 층 구조를 가지고 있고, 또한, 제 1 접속층의 제 2 접속층측 표면에는, 이방성 도전 접속용의 도전 입자가 단층으로 배열되어 있다. 이 때문에, 양호한 도통 신뢰성, 절연성, 입자 포착 효율을 나타낸다. 따라서, IC 칩 등의 전자 부품의 배선 기판에 대한 이방성 도전 접속에 유용하다. 이와 같은 전자 부품의 배선은 협소화가 진행되고 있어, 본 발명은 이와 같은 기술적 진보에 공헌하는 경우에 있어서, 특히 그 효과를 발현하게 된다.
1, 100 : 이방성 도전 필름
2, 2X, 2Y : 제 1 접속층
3 : 제 2 접속층
4 : 도전 입자
5 : 제 3 접속층
30, 40 : 박리 필름
20 : 임시 제 1 접속층
31 : 광 라디칼 중합형 수지층
50 : 임시 이방성 도전 필름

Claims (15)

  1. 제 1 접속층과 그 편면에 형성된 제 2 접속층을 갖는 이방성 도전 필름으로서,
    제 1 접속층이, 아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층을 광 라디칼 중합시킨 것이고,
    제 2 접속층이, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 것이며,
    제 1 접속층의 제 2 접속층측 표면에, 이방성 도전 접속용의 도전 입자가 단층으로 배열되어 있으며,
    제 1 접속층에 있어서, 도전 입자와 제 1 접속층의 최외표면 사이에 위치하는 영역의 제 1 접속층의 경화율이, 서로 인접하는 도전 입자 사이에 위치하는 영역의 제 1 접속층의 경화율보다 낮은, 이방성 도전 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 2 접속층이, 아크릴레이트 화합물과 열 라디칼 중합 개시제와 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는, 이방성 도전 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    제 1 접속층이, 추가로, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제와, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유 하고 있는, 이방성 도전 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    도전 입자가, 제 2 접속층에 파고들어가 있는, 이방성 도전 필름.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    제 1 접속층의 최저 용융 점도가, 제 2 접속층의 최저 용융 점도보다 높은, 이방성 도전 필름.
  7. 제 1 항에 기재된 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 이하의 공정 (A) ∼ (C) :
    공정 (A)
    아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층에, 도전 입자를 단층으로 배열시키는 공정 ;
    공정 (B)
    도전 입자가 배열된 광 라디칼 중합형 수지층에 대해 자외선을 조사함으로써 광 라디칼 중합 반응시켜, 표면에 도전 입자가 고정화된 제 1 접속층을 형성하는 공정 ; 및
    공정 (C)
    제 1 접속층의 도전 입자측 표면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 2 접속층을 형성하는 공정을 갖고,
    공정 (B) 의 자외선 조사가, 광 라디칼 중합형 수지층의 도전 입자가 배열된 측으로부터 실시되는, 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 기재된 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 이하의 공정 (AA) ∼ (DD) :
    공정 (AA)
    아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층에, 도전 입자를 단층으로 배열시키는 공정 ;
    공정 (BB)
    도전 입자가 배열된 광 라디칼 중합형 수지층에 대해 자외선을 조사함으로써 광 라디칼 중합 반응시켜, 표면에 도전 입자가 임시 고정화된 임시 제 1 접속층을 형성하는 공정 ;
    공정 (CC)
    임시 제 1 접속층의 도전 입자측 표면에, 에폭시 화합물과 열 카티온 혹은 열 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 카티온 혹은 열 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 2 접속층을 형성하는 공정 ; 및
    공정 (DD)
    제 2 접속층과 반대측으로부터 임시 제 1 접속층에 자외선을 조사함으로써 광 라디칼 중합 반응시키고, 임시 제 1 접속층을 본 경화시켜 제 1 접속층을 형성하는 공정을 갖고,
    공정 (BB) 의 자외선 조사가, 광 라디칼 중합형 수지층의 도전 입자가 배열 된 측으로부터 실시되는, 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제 7 항에 있어서,
    공정 (C) 후에, 이하의 공정 (Z)
    공정 (Z)
    제 1 접속층의 도전 입자측의 반대면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성하는 공정을 갖는, 제조 방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    공정 (A) 에 앞서, 이하의 공정 (a)
    공정 (a)
    아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층의 편면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성하는 공정을 갖고, 공정 (A) 에 있어서, 광 라디칼 중합형 수지층의 타면에 도전 입자를 단층으로 배열시키는, 제조 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    공정 (DD) 후에,
    이하의 공정 (Z)
    공정 (Z)
    제 1 접속층의 도전 입자측의 반대면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성하는 공정을 갖는, 제조 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    공정 (AA) 에 앞서, 이하의 공정 (a)
    공정 (a)
    아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합형 수지층의 편면에, 에폭시 화합물과 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 카티온 혹은 아니온 중합형 수지층, 또는 아크릴레이트 화합물과 열 또는 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 열 또는 광 라디칼 중합형 수지층으로 이루어지는 제 3 접속층을 형성하는 공정을 갖고, 공정 (AA) 에 있어서, 광 라디칼 중합형 수지층의 타면에 도전 입자를 단층으로 배열시키는, 제조 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름으로 제 1 전자 부품을 제 2 전자 부품에 이방성 도전 접속시킨, 접속 구조체.
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