TWI279608B - Liquid crystal display capable of reducing amount of return light to TFT and manufacturing method therefor - Google Patents

Description

1279608 五、發明說明（1) 發明背景 本發明與使用薄膜電晶體之主動矩陣式 製造方法有關。 成日日頌不器及其 近年來，主動矩陣式顯示器已成為LCD(液晶顯示哭）顯 :方法之主流。—主動矩陣式LCD包含兩片基底與夹η於該 1基底之間的液晶，其中符合矩陣形狀之像素及連 切換器之像素電極的切換器乃製於_基底 、 =極乃製於另一片基底之上。在這種組成之LCD裏顯示 器=因供給顯示信號至該像素電極及其相反電極之間而受 j衫嚮。更具體地，藉著供給顯示電壓，夾於兩電極之 =液晶定位狀態會改變，因而控制了這些液晶所傳輸之光 里而達到顯示的目的。 =切換器而言，使用了非線性元件如薄膜電晶體（於下· 稱為TFTs)，二極體及相關元件。就其它元件而言， 使用能與LCD驅動電路整合且反應速度快的多晶^tfTs。 然而，在主動矩陣式LCD裏，即使經由限制入射光的方向 截取直接照射至TFT的光，通過未製作光戴取膜部份的光 在某些情況下會反射至TFT側面而成為製於LCD外之光學部 份（透鏡’極化器，反射鏡等）或LCD内面或類似物所造成 的反射。特別在LCD用於投射型式之_示器時，為了放射 極強光予放大之投射影像’有許多光量反射STFT侧邊（反 射光）’導致因反射光而造成TFTs相當大的特性退化，這 是一個問題。 在這些情况下’為了解决這些及其它問題，已提出一種

第5頁 1279608_ 五、發明說明（2) 光截取膜製於有多晶矽TFT之TFT基底面之上，或製於對應 於製有TFT之位置的相反基底面上之區域上的架構（例如， 曰本專利公開發佈HE I 6 -1 3 8483 )。就這種LCD而言，已提 供一種LCD，其中多晶矽單層乃作為透明基底上之光截取 膜’設定該多晶矽單層之膜厚度使得反射光因干擾效應而 得以截取。然而，在LCD内，因該多晶矽罩層本身所載取 ‘ 的光量不足且難以控制獲得所需之光截取性能之膜厚度， 存在無法獲得足夠之光載取效應的問題。 因此，提供另一種LCD，如圖5所示，其中一金屬薄膜乃 作為透明基底上之光截取膜。該LCD，如圖5所示，有一製 修 於透明基底51上的叙膜52，一製於該透明基底51與該短膜 52上的透明絕綠膜54，一製於透明絕緣膜54之上對應該钽 膜52之TF 丁用多晶矽層55，一製於該透明絕膜54與TFT用多 晶石夕層55之上的閘絕緣膜56，一製於閘絕緣膜56上對應一 般T F T用多晶石夕層5 5中央部份之閘電極5 7，一製於閘絕緣 、 膜56與閘電極57上之第一交錯層絕緣膜58，製於該TFT用-多曰曰石夕層5 5兩侧與該第一交錯層絕緣膜5 8上的τ f 了用金屬 父互連接59, 60，一製於該第一交錯層絕緣膜與該TF 丁用 金屬父互連接59, 60上的第二交錯層絕緣膜η，以及一製 於a亥第二交錯層絕緣膜61之上且部份連接至該丁^用金屬 ⑩ 交互連接60的像素電極62。藉由金屬薄膜（鈕膜52)作為透 明基底51上之光截取薄膜，得以避免因反射至TFTs之光 (反射光）所造成的特性退化。 然而，在圖5.所示之LCD裏，因為只用一金屬薄膜（鈕膜

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於該金屬薄膜52上 。所以，產生之後 及由金屬薄膜52所 光入射至該TFT上的 52)作為光截取層，該金屬薄膜52與製 邛之#透明絕緣膜54之間的黏著性不佳 TFT衣f王内之南溫處理所導致膜脫落以 反射進入該TFT與該金屬薄獏52之間的 問題。 發明概述 =此，本發明之一目的乃提供一藉由減低入射至該tfts ^反射光量而能夠避免TFTs特性退化，且避免高製程溫度 %膜脫落之液晶顯示器及其製造方法。 一為了達到上述的目的，本發明之一觀點為提供一液晶顯 示器，包含：一透明基底；一製於該透明基底之上的透明 絕緣膜；一製於該透明絕緣膜上之半導體薄膜電晶體；以 及一製於該透明基底與透明絕緣膜之間對應於半導體薄膜 電晶體之區域上的光戴取膜，其中該光截取膜有一製於該 透明基底上的矽化物所組成之第一薄膜，以及一由^半^ 體所組成的第二薄膜用以覆蓋至少該第一薄膜之上部。 在本架構之LCD晨’因為該光載取膜包含石夕化物所製成 的第一薄膜與沉積於至少該第一薄膜上部之半導體所製成 的第二薄膜，可以更有效地截取反射至該了!?！'侧面之光（反 射光），如同與多晶石夕單層所造成之光截取效應比較一 般。而且，與金屬單層組成之光截取膜比較，改良了石夕化 物組成的第一薄膜與透明基底之間的黏著性，而半導體所 組成之第二薄膜與製於第二薄膜上部的透明絕緣膜之間的 黏著性亦得以改良。矽化物組成之第一薄膜與至少沉積於

第7頁 1279608 五、發明說明（4) ' 第一薄膜上部之半導體所組成之第二薄膜之間亦有良好的 黏著性。另外’因為半導體所組成之第二薄膜乃製於至少 石夕化物所組成之第一薄膜之上部，進入該^了與該光截取/ 膜之間的反射光可由半導體所組成之第二薄膜所吸收，因 而抑制了反射。所以，藉由有效地載取入射sTFTs的反射 光’可製作出能夠避免^。特性退化且更能防止高製 π 度時膜脫落之LCD。 ~王酿 在發明之一具體實施例中，第一薄膜是由高熔點 化物所組成。 屬矽 根據本具體實施例<LCD，藉由使用具有高熔點金屬 質之石夕化物作為第一薄膜，可改良光截取膜之熱阻，且 別地，可於TFT製程之熱處理中的高製程溫度下製造邝丁二 因此，可得到具良好特性iTFT。 。 在發明之一具體實施例中，該第二薄膜由矽系列 或鍺系列半導體所紐成。 等體 根據本具體實施例之LCD，藉由使用基於矽之半導 基於鍺之半導體作為該第二薄膜之半導體材質，進—牛2 良第二薄膜與製於至少第二薄膜上部的透明絕緣膜，二 氧化物或矽氮化物，之黏著性。 #碎 在本發明之一具體實施例中，該光截取膜進一步包含— 由透明基底與矽化物所組成之第一薄膜之間之半 成的第三薄膜。 腥所組 根據本具體實施例iLCD，藉由製作透明基底與矽化物 所組成之第一薄膜之間之半導體所組成之第三薄獏，得以

第8頁 J279608 五、發明說明（5)- 改良介於光截取膜與透明基底之間的黏著性。 f本發明之一具體實施例中，半導體所組成之第二薄膜 覆蓋矽化物所組成之第一薄膜之一側面部份。 根據本具體實施例之LCD，因為該半導體薄膜亦由矽化 物所組成之第一薄膜之一侧面部份所組成，可防止雜質因 TFT製程之熱擴散而混入TFT用之多晶矽層侧面。因此，可 防止因攙雜用的雜質所產生TFTs之特性退化。 在一具體實施例中，該半導體薄膜電晶體為一多晶矽薄 膜電晶體。 在一具體實施例中，該透明絕緣膜為一矽氧化膜或矽氮 化膜。 在本發明之一觀點中，提供一種製造液晶顯示器之方、 法，包含如下步驟： 於透明基底上製作一石夕化物所組成之第一薄膜，在該透 明基底上，製作一具有半導體薄膜電晶體之半導體層； 於至少矽化物所組成之第一薄膜上部製造一由半導體所 組成的第二薄膜； 於透明基底上與半導體所組成之第二薄膜上製作一透明 絕緣膜；以及 於對應矽化物所組成之第一薄膜之透明絕緣膜上的區域 製作一具有半導體薄膜電晶體之半導體層。 根據本架構之LCD製造方法，因為矽膜之熔點約為1400 °C且矽化物的熔點為1 3 0 〇〜1 5 0 0 °(：或更高，不僅在使用原 始背光時，在使用放射如投影所使用之鹵化燈（ha 1 ide

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~—--—.— 五、發明說明（6) lamps)之強光燈時亦可得到足夠的埶阻 ^ 外，藉由使用這樣一個光戴取架構、警光戴取。另 程最高溫度落於9〇〇〜1 20 0。(：範圍古㈤ I現一個具有製 光截取獏與透明絕緣膜之間的任==二，理而不會產生 散而導致特性退化變得可能。因、1或不因任何熱擴 高製程溫度，且可獲得具良好特性之。製程可實施於 在一具體實施例中，半導體薄膜電晶體 電晶體且半導體層為一多晶矽層。 為一多曰曰矽薄膜 具體實施例進一步包含在製作箆 基底上之半導體所組成之第三Πί膜製作透明 於透明基底與第一薄膜之間Ζ膜之步驟’該第三薄膜置 在一具體實施例中，第三薄膜由 圖示簡述 导暝由多曰曰石夕所組成。 - 斗tΓ將由下述之詳細說明與附圖而得以完整地瞭解， 附γ堇七、作描述用途而不侷限本發明，其中： 圖1為根據本發明第一具體實施例之LCD的TFT基底主部 份剖面圖； 一 圖2A ’ 2B ’ 2C，2D ’ 2E及2F為LCD之TFT基底製程圖示； ®3為根據本發明第二具體實例之LCD的TFT基底主部份 剖面圖；

圖 4 A ，4 R A ’ 4C，4D，4E及4F為LCD之TFT基底製程圖示； β及 圖5為根據先前技藝之LCD的TFT基底剖面圖。 詳細發明說明

第10頁 1279608 五、發明說明（7) 在下文中’將藉由具體實施例及其附圖詳細敘述本發明 之LCD及製造方法。 (第一具體實施例） 圖1表示本發明第一具體實施例LCD所使用之TFt基底的 主部份剖面圖。該LCD之TFT基底，如圖i所示，包含一製 於透明基底2之上的第一，第三薄膜2b，2a所組成之光截取 薄膜1 ’ 一製於該光截取薄膜2上部作為第二薄膜的多晶矽 膜3 ’ 一製於該透明基底1上與該多晶矽膜3上的透明絕緣 膜4 ’ 一製於透明絕緣膜4上對應該光截取薄膜2區域的TFT 用多晶矽層5，一製於該透明絕緣膜4上與該TFT用之多晶 石夕層5之上的閘絕緣膜6，一製於閘絕緣膜β上對應τ f τ用之 多晶石夕層5之一般中央部份區域的閘電極7，一製於閘絕緣 膜6上與閘電極7上的第一交錯層絕緣膜8，分別製於第一 父錯層絕緣膜8上與T F Τ用多晶石夕層5兩侧區域上的丁 ρ Τ用金 屬交互連接9, 10，一製於第一交錯層絕緣膜8上與1^丁用金 屬交互連接9, 10上的第二交錯層絕緣膜丨丨以及一製於第二 交錯層絕緣膜11上且部份連接至TFT用金屬交互連接1〇的 像素電極12。該光截取薄膜2與該多晶矽膜3構成一光截取 膜72。 底下將參考圖2A — 2F說明具有此架構之lcd的TFT基底製 造方法。 首先，如圖2A所示，在例如一石英基底，一高失真點玻 璃基底1或類似物所供給之透明基底上，作為第三薄膜之 多晶矽膜2a乃以CVD(化學氣相沉積法）製程製作出約為

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五、發明說明（8) —_ 5二Γ金的二厚产。另外，在多晶矽膜〜上，製作出具有高 —笼趙屬材質鎢（w)之矽化物且膜厚度約為100㈣作為第 薄膜之矽化物膜2b。 nm作為第 TFT接如圖2B所示’ #由照相平版印刷製程於將製作 製作承Λ石夕層5上之區域製作一覆蓋物（未示）。在別於已 復盍物之區域内，經由具基於氟之氣體電漿之乾蝕 j移除該多晶矽膜2a與該矽化膜2b。之後，執行95〇

Wit製:Γ 一由作為第三薄膜之多晶㈣2a之膜 片/、作為第一薄膜之矽化物膜2b所組成之光截取薄膜 、。因為該多晶矽膜2a之熔點約為丨4〇〇 t：且該矽化物膜之 熔點約為1 3 0 0〜1 50 0 t或更高，該光截取薄膜2有足夠的熱 阻抗以及足夠的光截取，不僅是在原始背光使用時，當使 用如投影用之鹵化燈所發射之強光燈時亦是如此。藉由使 用=此之光截取架構，使得執行具製程溫度為9 0 0〜1 2 0 0 °C 之咼溫熱處理製程變得可能。 接著’如圖2C所示，於光截取薄膜2製於其上之整片透 明基底1上製造作為第二薄膜且膜厚度為5〇 之多晶矽膜 之後’如圖2 D所示，藉由照相平版印刷及乾蝕刻製程使 多晶石夕膜3恰好覆置於光截取薄膜2上。 接著，如圖2E所示，透明基底1上置有光截取薄膜2且多 晶石夕膜3置於光截取薄膜2上，具有膜厚度約380 nm之透明 絕緣膜4覆蓋整個透明基底1並能在下一步驟電氣隔離TFT 用多晶碎層5。.

第12頁 1279608 五、發明說明（9) 接著，如圖2F所示，在整個透明絕緣膜4上，使用SiH4 或S 以LPCVD(低壓化學氣相沉積法）製程沉積具有膜厚 度約65 nm的非結晶矽，然後實施結晶化製程以製作了!^用 多晶石夕層5 〇 在上述步驟之後，如同一般LCD之TFT基底製造方法一 般，製作閘絕緣膜6，閘電極7，TFT用之金屬交互連結 9，1 0，像素電極1 2以及示於圖1之其它部份。 如上所述，在透明基底1與TFT用多晶矽層5之間，自矽

化物膜2b製作光截取膜72作為由矽化物所組成的薄膜，且 由半導體所組成作為第二薄膜之多晶矽膜3沉積於矽化物 膜2b之上。結果能更有效地截取反射至TFT部份的光（反射 光），如同與使用多晶矽單層之光截取效應比較一般。另 外，與由金屬單層製作之光截取膜比較，矽化物膜2b與沉 積於矽化物膜2b上部之多晶矽膜3之間有更好的黏著性， =得以改良多晶石夕膜3與製於其上的透明絕緣膜4之間的黏 著f生除此之外，因為多晶矽膜3乃製於矽化物膜2 b的上 部，射入TFT用多晶石夕層$盘f 夕曰曰與先截取膜72之間的反射光能夠 由夕日日石夕膜3所吸收，因而抑制了反射。 藉著而熔點金屬材質矽化物製造作為

^ ，一·々取这丨尸句禾一溥膜之矽 ΐ而Λ之=FTs製程熱處理之高製程溫度中製造 TFT 而付到具良好特性之TFTs。 而且藉由使用多晶矽膜3作為第二薄膜，因A 緣膜4乃製於多晶矽膜3卜卹& /导膘因為透明 緣膜4之間的黏著上^改良了光截取膜72與透日;

1279608 ^^-----— —__^_ 五、發明說明（10) ---- 並且，藉著製造由透明基底丨與作為第一薄膜之矽化物 祺2b之間的半導體所組成作為第三薄膜之多晶矽膜h，得 乂進步改良透明基底1與光戴取膜7 2之間的黏著性。因 此、’當之後TFT製程之製程溫度為9〇(rc之高溫或更高時， 可以避免膜脫落的發生，如同將具有高熔點之金屬直接製 於透明基底1上的情況一樣。 並且’藉著最佳化作為第二薄膜之多晶矽膜3之厚度而 使光反射藉由干擾效應予以消除，如同製於其上部之透明 絕緣膜4 一般，能避免反射光入射至71?7。因此，可改良^ 因於TFTs開路漏電流之TFT特性退化問題。 (第二具體實施例） 、圖3表不用於本發明第二具體實施例LCD iTFT基底主部、 份剖面圖。除了光截取膜82外，本LCD 2TFT基底與第一具 體實施例LCD之TFT基底有相同的架構。 LCD之TFT基底，如圖3所示，包含一製於透明基底21上 由第一、第三薄膜22b，22a所組成之光截取薄膜22，一覆 蓋光截取薄膜2 2上部與側部作為第二薄膜之多晶矽膜2 3， 一製於透明基底21上與多晶矽膜23上的透明絕緣膜24，一 製於透明紀緣膜2 4,上對應光截取薄膜2 2區域之τ F T用多晶 石夕層25，一製於透明絕緣膜24上與TFT用多晶矽層25上的 閘絕緣膜26，——製於閘絕緣膜26上對應TFT用多晶矽層25 一般中央部份區域的閘電極2 7。一製於閘絕緣膜2 6上與閘 電極27上的第一交錯層絕緣膜28，一分別製於第一交錯層 絕緣膜28與TFT用多晶矽層25兩侧區域的TFT用金屬交互連

第14頁 1279608 _____ 五、發明說明（11) 接29, 30，一製於第一交錯層絕緣膜28上與TFT用金屬交互 連接2 9, 30上的第二交錯層絕緣膜31，以及一製於第二交 錯層絕緣膜31上且部份連接至TFT用金屬交互連接30之像 素電極32。該光截取薄膜22與該多晶矽膜23構成一光載取 膜82。 底下將參照圖4A —4F敘述具有此種架構之LCD之TFT基底 製造方法。 首先，如圖4A所示，在例如石英基底，一高失真點玻璃 基底或類似物所供給之一透明基底1 (原=>1)上，一作為第 二薄膜之多晶石夕膜22a以CVD製程製出約50 nm的膜厚度。 另外，在多晶矽膜22a上，製作一厚度約為1〇〇 nm由具高 熔點的金屬材質鎢（W)矽化物所組成作為第一薄膜之矽化、 物膜22b。 接著，如圖4B所示，以照相平版印刷製程在圖4E所示 TFT用多晶矽層25之區域上製有一覆蓋物（未示）。以具有 基於氟之氣態電漿移除別於已製作覆蓋物於其上的多晶矽 膜22a與石夕化物膜22b之區域。之後，藉由實施950 °C之高 溫製程，製造出由多晶矽膜22a與矽化物膜22b之膜薄片所 組成的光截取薄膜2 2。因為該多晶矽膜2 2 a之熔點約為 1 40 0 °c且該矽化物膜22b的熔點約為130 〇_ 1 50 0。(：或更高， 該光截取膜2 2不僅在使用原始背光時，即使在使用類似投 影用之鹵化物燈所放射之燈光時亦有足夠的熱阻抗以及足 夠的光截取。藉由使用這種光截取架構，實施具900 —12〇〇 C製程溫度之高溫熱處理製程變成一種可能的事。

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五、發明說明（12) 再來’如圖4C所示，於本莽 明基底21上製作膜:乂 if取濤膜22製於其上之整片透 膜23。 >膜厚度、以5G nm料第：薄膜之多晶石夕 圖4D所示，藉由照相平版印刷 作多晶石夕媒23以覆蓋光截取薄膜22之上部與侧面。m ,ϊ二如圖4E所示，透明基底21上置有光截取薄膜22且 S曰曰矽膜23置於光截取薄膜22上，具有膜厚度約38〇 H絕Λ膜24覆蓋整個透明基底21並能在下一步驟電氣隔 離TFT用多晶石夕層2 5。 .然後，如圖4F所示，在整片透明絕緣膜24上，藉由使用 S1H4或Si2He分解物之LPCVD製程沉積一膜厚度約為65 nm的 非結晶石夕。接下來，實施結晶化製程以製作出TFT用多晶、 矽層25。 在上述步驟之後，藉由一般LCD之TFT基底之相同製造方 法’製造出閘絕緣膜26，閘電極27，TFT用金屬交互連接 29, 30 ’像素電極32及示於圖3之其它部份。 此LCD與第一具體實施例之LCD有相同的效應。除此之 外，於作為第一薄膜之矽化物膜2 2b之侧面部份製造作為 第二薄獏之多晶矽膜23，可避免因之後於TFT製程内之熱 擴散自矽化物膜22b所衍生之雜質混入TFT用之多晶矽層 25。因此，可防止因攙雜之雜質所導致之TFTs特性退化。 在第一，第二具體實施例中，使用鐫作為石夕化物膜 2 b，2 2 b之高熔點金屬材質以成為第一薄膜。然而，不侷限 於此，高熔點金屬材質可為钽（Ta)，鈦（Ti )，鉬（Mo)，鉻

第16頁 1279608 五、發明說明（13) (、Cr)，鎳（Ni )或類似材質。另外，當製程溫度不高時，該 第一薄膜可由非高熔點材質所組成。 而且，在第一，第二具體實施例中，於多晶矽膜3，2 3使 用多晶矽（Poly-Si)作為第二薄膜以及於多晶矽膜2a，22a 使用多晶石夕（Poly-Si)作為第三薄膜。然而，不侷限於 此，該第二，第三薄膜可使用非結晶矽（a —Si)，微小結晶 矽（/zc-Si)，多鍺（P〇ly 一 Ge)，非結晶鍺（a — Ge)，p〇ly S i xGex糸列或具有相似效應之化合物之半導體薄膜來作 成。另外，該第二，第三薄膜可由使用根據透明基底，透 明絕緣膜，及其類似物之半導體來提供，而不偃限於si系 列，Ge系列之半導體。 另外，在第一，第二具體實施例中，作為由半導體所組 成之第二薄膜之多晶矽層2a, 22a乃製於透明基底1，21與由 石夕化物所組成之第一薄膜2b，22b之間。然而，第三薄膜可 以不用。 如上述，根據本發明之LCD，因為由半導體所組成之第 二薄膜乃製於矽化物所組成之第一薄膜上部及/或侧面以 覆蓋這些部份，可更有效地截取反射至^了表面之光（反射 光）。因此’可以得到TFT特性上非常好的改良效應，亦可 改良如交錯干擾之類顯示等級的問題。另外，能解決膜脫 落或自金屬單層入射至TFT之反射光之類的麻煩，這些麻 煩發生於當金屬單詹用作光截取膜時。再來，因熱擴散使 雜質（金屬單層之材質）攙雜進入TFT用之多晶石夕層所導致 TFTs特性退化的問題亦得以簡化解決。

O:\65\65295.ptd 第17頁 1279608 __ 五、發明說明（14) 接著，根據本發明LCD之製造方法，可製造出用於傳輸 LCD具小尺寸，高清晰度與高孔徑率之TFT基底。 本發明經此敘述可以清楚地得知經由改變許多方式而得 到相同的結果。這些改變不違背本發明之精神與範疇，且 所由這種本行人士所明瞭的修改皆包含於下述申請專利範 圍之範疇。 參考編號： 1，2 1 :透明基底 2，2 2 :光截取薄膜 3，2 3 :半導體薄膜， 4，2 4 :透明絕緣膜， 5, 25 : TFT用之多晶矽層， 1 6, 26 :閘絕緣膜， 7，2 7 :閘電極， 8，2 8 ··第一交錯層絕緣膜， 9，10，29，30 : TFT用之金屬交互連接， 11，3 1 :第二交錯絕緣膜， 12, 32 :像素電極。

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Claims (1)

1279608 ^^.-7 ' 案號89114111_年月曰 修正_ 六、t讀熹利範圍 ' 1 · 一種液晶顯示^器，包含：一透明基底，一製於該透明 基底上之透明絕緣膜；一製於該透明絕緣膜上之半導體薄 膜電晶體；以及一製作於該透明基底與該透明絕緣膜之間 對應該半導體薄膜電晶體區域的光截取膜；其中 該光截取膜具有一製於該透明基底上之矽化物所組成的 第一薄膜，與用來覆蓋至少該第一薄膜上部之半導體所組 成的第二薄膜； 該第一薄膜由一高熔點金屬矽化物所組成；及 該第二薄膜由s i系列半導體或Ge系列半導體所組成。 2.如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該光截取 膜進一步包含一製於該透明基底與矽化物所組成之該第一 薄膜之間的半導體所組成的第三薄膜。 3 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中半導體所 組成之該第二薄膜覆蓋矽化物所組成之該第一薄膜之一表 面部份。 4.如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該半導體 薄膜電晶體為一多晶矽薄膜電晶體。 5 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該透明絕 緣膜為一石夕氧化物或砍氮化物。 6 · —種製造液晶顯示器的方法，包含如下步驟： 於透明基底上之區域製造一矽化物所組成之第一薄 膜，半導體薄膜電晶體之半導體層將製於該透明基底； 至少於矽化物所組成之該第一薄膜上部製作一半導體 所組成之第二薄膜；

O:\65\65295-940606.ptc 第20頁 1279608 _案號89114111_年月曰 修正__ 六、申請專利範圍 於該透明基底上與半導體所組成之該第二薄膜上製作 一透明絕緣膜；以及 於該透明絕緣膜上對應矽化物所組成之該第一薄膜的 區域上製作該半導體薄膜電晶體之半導體層； 其中該半導薄膜電晶體為一多晶矽薄膜電晶體且該半 導體層為一多晶矽層。 7. 如申請專利範圍第6項之製造液晶顯示器的方法，進 一步包含在製作第一薄膜之前製作透明基底上半導體所組 成之第三薄膜的步驟，該第三薄膜係置於透明基底與第一 薄膜之間。 8. 如申請專利範圍第6項之製造液晶顯示器的方法，其 中該第三薄膜係由多晶矽所組成。

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