JP2001033771A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその製造方法

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JP2001033771A JP11204587A JP20458799A JP2001033771A JP 2001033771 A JP2001033771 A JP 2001033771A JP 11204587 A JP11204587 A JP 11204587A JP 20458799 A JP20458799 A JP 20458799A JP 2001033771 A JP2001033771 A JP 2001033771A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＦＴに入射する戻り光の光量を低減して、
ＴＦＴの特性劣化を防止できる液晶表示装置およびその
製造方法を提供することにある。 【解決手段】 透明基板１上に形成されたシリサイド膜
とそのシリサイド膜の上部を覆うように形成されたポリ
シリコン膜とで遮光性薄膜２を形成し、遮光性薄膜２の
上部を覆うようにポリシリコン膜３を形成する。そうし
て、上記遮光性薄膜２およびポリシリコン膜３で遮光膜
を構成することによって、その遮光膜上に透明絶縁膜４
を介して形成されたＴＦＴ用ポリシリコン層５への遮光
効果を向上でき、ＴＦＴ製造過程において十分な耐熱性
および密着性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜トランジス
タ基板を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】近
年、液晶表示装置においては、アクティブマトリクス型
の表示が主流である。このアクテイブマトリクス型の液
晶表示装置は、２つの基板と、その両基板に挟まれた液
晶とから構成されており、一方の基板に、マトリクス状
に配置された画素に対応して形成されたスイッチング素
子と、そのスイッチング素子に接続された画素電極とを
形成し、他方の基板に対向電極を形成している。上記構
成の液晶表示装置において、画素電極と対向電極との間
に表示信号を印加することにより表示を行う。具体的に
は、表示電圧を印加することにより、両電極に挟まれた
液晶の配向状態を変化させて、この液晶を透過する光量
を制御することによって表示を行う。
【０００３】上記スイッチング素子には、薄膜トランジ
スタ(以下、ＴＦＴという)やダイオード等の非線形素子
が用いられている。中でも、液晶表示装置の駆動回路と
一体形成が可能で、かつ、応答速度の速いポリシリコン
ＴＦＴが通常用いられている。しかしながら、上記アク
ティブマトリクス型の液晶表示装置では、光の入射方向
を限定して、直接ＴＦＴに当たる光を遮光しても、遮光
膜が形成されていない部分を通り抜けた光が、液晶表示
装置の外部に形成されている光学部分(レンズ,偏光板お
よびミラー等)または液晶表示装置の内壁等に反射され
て、ＴＦＴ側に戻ってくることがある。特に、プロジェ
クション型の表示装置に用いられる液晶表示装置の場合
には、画像を拡大投影するために非常に強い光が照射さ
れるため、ＴＦＴ側に戻ってくる光(戻り光)の量も多
く、この戻り光によるＴＦＴの特性劣化が著しいという
問題がある。
【０００４】そこで、そのような問題点を解決するため
に、ポリシリコンＴＦＴが形成されているＴＦＴ基板
側、または対向基板側のＴＦＴ形成位置に対応する領域
に遮光膜を形成する構造が提案されている(特開平６−
１３８４８３号公報等)。その液晶表示装置の１つとし
て、透明基板上に遮光膜としてポリシリコン単層を形成
し、そのポリシリコン単層の膜厚を干渉効果により戻り
光を遮光するように設定したものがある。しかしなが
ら、上記液晶表示装置では、ポリシリコン単層そのもの
の遮光性が十分でない上に必要な遮光性能を得るための
膜厚制御が難しいため、遮光効果が十分に得られないと
いう問題がある。
【０００５】そこで、もう１つの液晶表示装置として、
図５に示すように、透明基板上に遮光膜として金属薄膜
を形成したものがある。この液晶表示装置は、図５に示
すように、透明基板５１上に形成されたタンタル膜５２
と、上記透明基板５１上およびタンタル膜５２上に形成
された透明絶縁膜５４と、上記透明絶縁膜５４上のタン
タル膜５２に対応する領域に形成されたＴＦＴ用ポリシ
リコン層５５と、上記透明絶縁膜５４上およびＴＦＴ用
ポリシリコン層５５上に形成されたゲート絶縁膜５６
と、上記ゲート絶縁膜５６上のＴＦＴ用ポリシリコン層
５５の略中央部に対応する領域に形成されたゲート電極
５７と、上記ゲート絶縁膜５６上およびゲート電極５７
上に形成された第一層間絶縁膜５８と、上記第一層間絶
縁膜５８上およびＴＦＴ用ポリシリコン層５５の両側の
領域上に夫々形成されたＴＦＴ用金属配線５９,６０
と、上記第一層間絶縁膜５８上およびＴＦＴ用金属配線
５９,６０上に形成された第二層間絶縁膜６１と、上記
第二層間絶縁膜６１上に形成され、ＴＦＴ用金属配線６
０に一部が接続された画素電極６２とを有している。上
記透明基板５１上に遮光性薄膜として金属薄膜(タンタ
ル膜５２)を形成することによって、ＴＦＴ側に戻って
くる光(戻り光)によるＴＦＴ特性劣化を防止する。
【０００６】しかしながら、図５に示す液晶表示装置で
は、遮光層として金属薄膜(タンタル膜５２)のみを用い
ているので、金属薄膜とその金属薄膜の上部に形成する
透明絶縁膜との密着性が悪く、その後のＴＦＴ製造過程
の高温熱処理によって膜剥がれが起こるという問題や、
ＴＦＴと金属薄膜との間に入射した光が金属薄膜により
反射してＴＦＴに入射するという問題がある。
【０００７】そこで、この発明の目的は、ＴＦＴに入射
する戻り光の光量を低減して、ＴＦＴの特性劣化を防止
できると共に、高いプロセス温度でも膜剥がれを防止で
きる液晶表示装置およびその製造方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の液晶表示装置は、透明基板と、上記透明
基板上に形成された透明絶縁膜と、上記透明絶縁膜上に
形成されたポリシリコンＴＦＴと、上記透明基板と上記
透明絶縁膜との間の上記ポリシリコンＴＦＴに対応する
領域に形成された遮光膜とを備えた液晶表示装置におい
て、上記遮光膜は、上記透明基板上に形成されたシリサ
イドからなる第１の薄膜と、その第１の薄膜の少なくと
も上部を覆うように形成された半導体からなる第２の薄
膜とを有することを特徴としている。
【０００９】上記構成の液晶表示装置によれば、上記透
明基板とポリシリコンＴＦＴとの間に、シリサイドから
なる第１の薄膜とその第１の薄膜の少なくとも上部に堆
積した半導体からなる第２の薄膜とで上記遮光膜を形成
しているので、ポリシリコン単層での遮光効果に比べ
て、ＴＦＴ側に戻ってくる光(戻り光)をより一層効果的
に遮光する。また、金属単層の遮光膜に比べて、シリサ
イドからなる第１の薄膜と透明基板との密着性が向上す
ると共に、上記半導体からなる第２の薄膜とその上部に
形成される透明絶縁膜との密着性が向上する。さらに、
シリサイドからなる第１の薄膜とその第１の薄膜の少な
くとも上部に堆積した半導体からなる第２の薄膜との密
着性もよい。また、上記シリサイドからなる第１の薄膜
の少なくとも上部に上記半導体からなる第２の薄膜を形
成しているので、ＴＦＴと遮光膜との間に入り込んだ戻
り光を上記半導体からなる第２の薄膜で吸収し、反射を
抑制する。このようにして、ＴＦＴに入射する戻り光を
効果的に遮光することによりＴＦＴの特性劣化を防止で
きると共に、高いプロセス温度でも膜剥がれを防止でき
る液晶表示装置を実現できる。
【００１０】また、一実施形態の液晶表示装置は、上記
第１の薄膜が高融点金属シリサイドからなることを特徴
とする。
【００１１】上記実施形態の液晶表示装置によれば、上
記第１の薄膜に高融点金属材料を有するシリサイドを用
いることによって、上記遮光膜の耐熱性が向上し、特
に、後のＴＦＴ製造過程での熱処理において高いプロセ
ス温度でＴＦＴを製造でき、特性の良好なＴＦＴが得ら
れる。
【００１２】また、一実施形態の液晶表示装置は、請求
項１または２に記載の液晶表示装置において、上記第２
の薄膜がＳi系半導体またはＧe系半導体からなることを
特徴とする。
【００１３】上記実施形態の液晶表示装置によれば、上
記第２の薄膜の半導体材料としてＳi系半導体またはＧe
系半導体を用いることによって、第２の薄膜の少なくと
も上部に形成されるシリコン酸化膜,シリコン窒化膜等
の透明絶縁膜との密着性がさらに向上する。
【００１４】また、一実施形態の液晶表示装置は、上記
遮光膜は、上記透明基板と上記シリサイドからなる第１
の薄膜との間に形成された半導体からなる第３の薄膜を
有することを特徴とする。
【００１５】上記実施形態の液晶表示装置によれば、上
記透明基板とシリサイドからなる第１の薄膜との間に半
導体からなる第３の薄膜を形成することによって、上記
遮光膜と透明基板との密着性が向上する。
【００１６】また、一実施形態の液晶表示装置は、上記
半導体からなる第２の薄膜は、上記シリサイドからなる
第１の薄膜の側部を覆うことを特徴とする。
【００１７】上記実施形態の液晶表示装置によれば、上
記シリサイドからなる第１の薄膜の側部にも半導体薄膜
を形成したことによって、ＴＦＴ製造過程での熱拡散に
より不純物がＴＦＴ用ポリシリコン層側に混入するのを
防ぎ、不純物混入によるＴＦＴ特性の悪化を防止でき
る。
【００１８】また、この発明の液晶表示装置の製造方法
は、ポリシリコン薄膜トランジスタのポリシリコン層が
形成されるべき透明基板上の領域にシリサイドからなる
第１の薄膜を形成する工程と、上記シリサイドからなる
第１の薄膜の少なくとも上部に半導体からなる第２の薄
膜を形成する工程と、上記透明基板上および上記半導体
からなる第２の薄膜上に透明絶縁膜を形成する工程と、
上記透明絶縁膜上の上記シリサイドからなる第１の薄膜
に対応する領域に上記ポリシリコン薄膜トランジスタの
ポリシリコン層を形成する工程とを有することを特徴と
している。
【００１９】上記構成の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、シリコン膜の融点は約１４００℃であり、シリサイ
ド膜の融点は１３００〜１５００℃またはそれ以上であ
るため、通常のバックライトは勿論、プロジェクション
用のハライドランプのような強力な光を発するランプを
用いても、十分な耐熱性と遮光性が得られる。また、こ
のような遮光構造を用いることによって、遮光膜と透明
絶縁膜との間の膜剥がれや遮光性材料の熱拡散によるＴ
ＦＴの特性劣化なしに、プロセス最高温度を９００〜１
２００℃の範囲で高温熱処理を行うことができ、ＴＦＴ
製造工程を高いプロセス温度で行え、特性の良好なＴＦ
Ｔが得られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の液晶表示装置お
よびその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明
する。
【００２１】（第１実施形態）図１にこの発明の第１実
施形態の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の要部断
面図を示している。この液晶表示装置用のＴＦＴ基板
は、図１に示すように、透明基板１上に形成された第
１,第３の薄膜としての遮光性薄膜２と、上記遮光性薄
膜２の上部に形成された第２の薄膜としてのポリシリコ
ン膜３と、上記透明基板１上およびポリシリコン膜３上
に形成された透明絶縁膜４と、上記透明絶縁膜４上の遮
光性薄膜２に対応する領域に形成されたＴＦＴ用ポリシ
リコン層５と、上記透明絶縁膜４上およびＴＦＴ用ポリ
シリコン層５上に形成されたゲート絶縁膜６と、上記ゲ
ート絶縁膜６上のＴＦＴ用ポリシリコン層５の略中央部
に対応する領域に形成されたゲート電極７と、上記ゲー
ト絶縁膜６上およびゲート電極７上に形成された第一層
間絶縁膜８と、上記第一層間絶縁膜８上およびＴＦＴ用
ポリシリコン層５の両側の領域上に夫々形成されたＴＦ
Ｔ用金属配線９,１０と、上記第一層間絶縁膜８上およ
びＴＦＴ用金属配線９,１０上に形成された第二層間絶
縁膜１１と、上記第二層間絶縁膜１１上に形成され、Ｔ
ＦＴ用金属配線１０に一部が接続された画素電極１２と
を有している。上記遮光性薄膜２とポリシリコン膜３と
で遮光膜を形成している。
【００２２】上記構造を有する液晶表示装置用のＴＦＴ
基板の製造方法を図２(a)〜(f)に従って説明する。
【００２３】まず、図２(a)に示すように、例えば石英
基板、高歪点ガラス基板等からなる透明基板１上に、Ｃ
ＶＤ法により第３の薄膜としてのポリシリコン膜２aを
５０ｎｍ程度の膜厚で形成する。さらに、上記ポリシリ
コン膜２a上に、高融点金属材料であるタングステン
(Ｗ)を有する第１の薄膜としてのシリサイド膜２bを１
００ｎｍ程度の膜厚で形成する。
【００２４】次に、図２(b)に示すように、ＴＦＴ用ポ
リシリコン層５が形成されるべき領域にフォトリソグラ
フィ法で保護膜(図示せず)をつける。その保護膜が形成
された領域以外のポリシリコン膜２aおよびシリサイド
膜２bをフロン系ガスプラズマによるドライエッチング
法により除去した後、９５０℃の高温にて処理を行っ
て、ポリシリコン膜２a,シリサイド膜２bの積層膜で構
成された遮光性薄膜２を形成する。上記ポリシリコン膜
２aの融点は約１４００℃、シリサイド膜２bの融点は１
３００〜１５００℃またはそれ以上であるため、通常の
バックライトは勿論、プロジェクション用のハライドラ
ンプのような強力な光を発するランプを用いても十分な
耐熱性を有すると共に、十分な遮光性を有している。こ
のような遮光構造を用いることによって、プロセス温度
９００〜１２００℃という高温熱処理を行うプロセスを
構築することが可能になる。
【００２５】次に、図２(ｃ)に示すように、上記遮光性
薄膜２が形成された透明基板１上の全面に第２の薄膜と
してのポリシリコン膜３を５０ｎｍ程度の膜厚で形成す
る。
【００２６】その後、図２(ｄ)に示すように、上記フォ
トリソグラフィ法およびドライエッチング法によりポリ
シリコン膜３を遮光性薄膜２の直上にオーバーラップす
るように堆積させる。
【００２７】次に、図２(ｅ)に示すように、遮光性薄膜
２とポリシリコン膜３とがオーバーラップするように構
成された透明基板１上の全面に、後工程で形成されるＴ
ＦＴ用ポリシリコン層５が電気的に絶縁されるように、
透明絶縁膜４を３８０ｎｍ程度の膜厚で形成する。
【００２８】次に、図２(f)に示すように、透明絶縁膜
４上の全面に、ＳiＨ4またはＳi2Ｈ6の分解によるＬＰ
ＣＶＤ(低圧化学気相成長)法により、アモルファスシリ
コン膜を６５ｎｍ程度の膜厚で形成した後に、結晶化処
理を行ってＴＦＴ用ポリシリコン層５を形成する。
【００２９】以降は、通常の液晶表示装置用のＴＦＴ基
板の製造方法と同様にして、ゲート絶縁膜６、ゲート電
極７、ＴＦＴ用金属配線９,１０および画素電極１２等
を形成する。
【００３０】このように、上記透明基板１とＴＦＴ用ポ
リシリコン層５との間に、シリサイドからなる第１の薄
膜としてのシリサイド膜２bおよびそのシリサイド膜２b
の上部に堆積した半導体からなる第２の薄膜としてのポ
リシリコン膜３で遮光膜を形成しているので、ポリシリ
コン単層での遮光効果に比べて、ＴＦＴ側に戻ってくる
光(戻り光)をより一層効果的に遮光することができる。
また、金属単層の遮光膜に比べて、シリサイド膜２bと
そのシリサイド膜２bの上部に堆積したポリシリコン膜
３との密着性がよく、さらにポリシリコン膜３とその上
部に形成される透明絶縁膜４との密着性が向上する。ま
た、上記シリサイド膜２b上部にポリシリコン膜３を形
成しているので、ＴＦＴ用ポリシリコン層５と遮光膜と
の間に入り込んだ戻り光をポリシリコン膜３で吸収し、
反射を抑制できる。
【００３１】また、上記第１の薄膜としてのシリサイド
膜２bに高融点金属材料シリサイドを用いることによっ
て、その後のＴＦＴ製造過程での熱処理において高いプ
ロセス温度でＴＦＴを形成でき、特性の良好なＴＦＴが
得られる。
【００３２】また、上記第２の薄膜としてのポリシリコ
ン膜３を用いることによって、そのポリシリコン膜３の
上部に形成される透明絶縁膜４との密着性が向上する。
【００３３】また、上記透明基板１と第１の薄膜として
のシリサイド膜２bとの間に半導体からなる第３の薄膜
としてのポリシリコン膜２aを形成することによって、
透明基板１と遮光膜との密着性がより向上する。したが
って、その後のＴＦＴ製造過程においてプロセス温度が
９００℃以上の高温とした場合、透明基板１上に直接高
融点金属材料を有するシリサイド膜を形成したときに比
べて、さらに膜剥がれが起こるのを防止できる。
【００３４】また、上記第２の薄膜としてのポリシリコ
ン膜２aの膜厚をその上部に形成される透明絶縁膜４と
の干渉効果により光の反射を打ち消すように最適化する
ことによって、ＴＦＴに反射光が入射するのを防ぎ、Ｔ
ＦＴのオフ時のリーク電流による特性を悪化させるとい
う問題を改善することができる。
【００３５】（第２実施形態）図３にこの発明の第２実
施形態の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の要部断
面図を示している。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、
遮光膜を除いて第１実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基
板と同一の構成をしている。
【００３６】上記液晶表示装置用のＴＦＴ基板は、図３
に示すように、透明基板２１上に形成された第１,第３
の薄膜としての遮光性薄膜２２と、上記遮光性薄膜２２
の上部および側部を覆うように形成された第２の薄膜と
してのポリシリコン膜２３と、上記透明基板２１上およ
びポリシリコン膜２３上に形成された透明絶縁膜２４
と、上記透明絶縁膜２４上の遮光性薄膜２２に対応する
領域に形成されたＴＦＴ用ポリシリコン層２５と、上記
透明絶縁膜２４上およびＴＦＴ用ポリシリコン層２５上
に形成されたゲート絶縁膜２６と、上記ゲート絶縁膜２
６上のＴＦＴ用ポリシリコン層２５の略中央部に対応す
る領域に形成されたゲート電極２７と、上記ゲート絶縁
膜２６上およびゲート電極２７上に形成された第一層間
絶縁膜２８と、上記第一層間絶縁膜２８上およびＴＦＴ
用ポリシリコン層２５の両側の領域上に夫々形成された
ＴＦＴ用金属配線２９,３０と、上記第一層間絶縁膜２
８上およびＴＦＴ用金属配線２９,３０上に形成された
第二層間絶縁膜３１と、上記第二層間絶縁膜３１上に形
成され、ＴＦＴ用金属配線３０に一部が接続された画素
電極３２とを有している。上記遮光性薄膜２２とポリシ
リコン膜２３とで遮光膜を形成している。
【００３７】上記構造を有する液晶表示装置用のＴＦＴ
基板の製造方法を図４(a)〜(f)に従って説明する。
【００３８】まず、図４(a)に示すように、例えば石英
基板、高歪点ガラス基板等からなる透明な基板１上にＣ
ＶＤ法により、第３の薄膜としてのポリシリコン膜２２
aを５０ｎｍ程度の膜厚で形成する。さらにポリシリコ
ン膜２２a上に、高融点金属材料としてタングステン
(Ｗ)を有する第１の薄膜としてのシリサイド膜２２bを
１００ｎｍ程度の膜厚で形成する。
【００３９】次に、図４(b)に示すように、ＴＦＴ用ポ
リシリコン層５が形成されるべき領域にフォトリソグラ
フィ法で保護膜(図示せず)を形成し、その保護膜が形成
された領域以外のポリシリコン膜２２aおよびシリサイ
ド膜２２bをフロン系ガスプラズマによるドライエッチ
ング法で除去した後、９５０℃の高温にて処理を行っ
て、ポリシリコン膜２２aおよびシリサイド膜２２bの積
層膜で構成された遮光性薄膜２２を形成する。上記ポリ
シリコン膜２２aの融点は約１４００℃、シリサイド膜
２２bの融点は１３００〜１５００℃またはそれ以上で
あるため、通常のバックライトは勿論、プロジェクショ
ン用のハライドランプのような強力な光を発するランプ
を用いても十分な耐熱性を有すると共に、十分な遮光性
を有している。このような遮光構造を用いることによっ
て、プロセス温度９００〜１２００℃という高温熱処理
を行うプロセスを構築することが可能になる。
【００４０】次に、図４(ｃ)に示すように、上記遮光性
薄膜２２が形成された透明基板２１上の全面に第２の薄
膜としてのポリシリコン膜２３を５０ｎｍ程度の膜厚で
形成する。
【００４１】その後、図４(ｄ)に示すように、上記フォ
トリソグラフィ法およびドライエッチング法によりポリ
シリコン膜２３を遮光性薄膜２２の側部を覆うように形
成する。
【００４２】次に、図４(ｅ)に示すように、遮光性薄膜
２２とポリシリコン膜２３とがオーバーラップするよう
に構成された透明基板２１上の全面に、後工程で形成さ
れるＴＦＴ用ポリシリコン層２５が電気的に絶縁される
ように透明絶縁膜２４を３８０ｎｍ程度の膜厚で形成す
る。
【００４３】次に、図４(f)に示すように、透明絶縁膜
２４上の全面に、ＳiＨ4またはＳi2Ｈ6の分解によるＬ
ＰＣＶＤ法により、アモルファスシリコン膜を６５ｎｍ
程度の膜厚で形成した後に、結晶化処理を行ってＴＦＴ
用ポリシリコン層２５を形成する。
【００４４】以降は、通常の液晶表示装置用のＴＦＴ基
板の製造方法と同様にして、ゲート絶縁膜２６、ゲート
電極２７、ＴＦＴ用金属配線２９,３０および画素電極
３２等を形成する。
【００４５】上記液晶表示装置は、第１実施形態の液晶
表示装置と同様の効果を有すると共に、上記第１の薄膜
としてのシリサイド膜２２bの側部にも第２の薄膜とし
てのポリシリコン膜２３を形成することによって、後の
ＴＦＴ製造過程において熱拡散によってシリサイド膜２
２bからの不純物がＴＦＴ用ポリシリコン層に混入する
のを防ぎ、不純物混入によるＴＦＴの特性悪化を防止す
ることができる。
【００４６】上記第１,第２実施形態では、第１の薄膜
としてのシリサイド膜２b,２２bの高融点金属材料とし
てタングステン(Ｗ)を用いたが、高融点金属材料はこれ
に限らず、タンタル(Ｔa),チタン(Ｔi),モリブデン(Ｍ
o),クロム(Ｃr)またはニッケル(Ｎi)等を用いてもよ
い。なお、プロセス温度があまり高くない場合は、第１
の薄膜は、高融点金属でなくともよい。
【００４７】また、上記第１,第２実施形態では、第２
の薄膜としてのポリシリコン膜３,２３および第３の薄
膜としてのポリシリコン膜２a,２２aにポリシリコン(Ｐ
ｏｌｙ−Ｓi)を用いたが、第２,第３の薄膜はこれに限
らず、アモルファスシリコン(ａ−Ｓi)、微結晶シリコ
ン(μｃ−Ｓi)、ポリゲルマニウム(Ｐｏｌｙ−Ｇe)、ア
モルファスゲルマニウム(ａ−Ｇe)、ポリＳi−ｘＧeｘ
系、アモルファスＳi−ｘＧeｘ系等の半導体薄膜を用い
ても同等の効果が得られる。なお、第２,第３の薄膜
は、Ｓi系,Ｇe系半導体に限らず、透明基板,透明絶縁膜
等に応じて他の半導体を適宜用いてもよい。
【００４８】さらに、上記第１,第２実施形態では、上
記透明基板１,２１とシリサイドからなる第１の薄膜２b
(２２b)との間に半導体からなる第３の薄膜としてポリ
シリコン層２a(２２a)を形成したが、第３の薄膜はなく
ともよい。
【００４９】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の液
晶表示装置によれば、シリサイドからなる第１の薄膜の
上部(さらには側部)に半導体からなる第２の薄膜を覆う
ように形成することによって、ＴＦＴ側に戻ってくる光
(戻り光)をより効果的に遮光できるので、ＴＦＴ特性の
改善効果が著しく、クロストーク等の表示品位に関する
課題も改善できる。また、遮光膜に金属単層を用いたと
きのような膜剥がれや金属単層からの反射光のＴＦＴへ
の入射といった不具合を解決できる。さらに、熱拡散に
より不純物(金属単層の材料)がＴＦＴ用ポリシリコン層
に混入して、ＴＦＴの特性が劣化するという問題も容易
に解決できる。
【００５０】また、この発明の液晶表示装置の製造方法
によれば、小型高精細かつ高開口率の透過型液晶表示装
置用のＴＦＴ基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１はこの発明の第１実施形態の液晶表示装
置のＴＦＴ基板の要部断面図である。
【図２】 図２(a)〜(f)は上記液晶表示装置のＴＦＴ基
板の製造工程を示す図である。
【図３】 図３はこの発明の第２実施形態の液晶表示装
置のＴＦＴ基板の要部断面図である。
【図４】 図４(a)〜(f)は上記液晶表示装置のＴＦＴ基
板の製造工程を示す図である。
【図５】 図５は従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板の断
面図である。
【符号の説明】
１,２１…透明基板、 ２,２２…遮光性薄膜、 ３,２３…半導体薄膜、 ４,２４…透明絶縁膜、 ５,２５…ＴＦＴ用ポリシリコン層、 ６,２６…ゲート絶縁膜、 ７,２７…ゲート電極、 ８,２８…第１層間絶縁膜、 ９,１０,２９,３０…ＴＦＴ用金属配線、 １１,３１…第２層間絶縁膜、 １２,３２…画素電極。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA34Z FB06 FB09 LA17 LA18 2H092 JB52 MA01 MA07 MA18 NA25 5F110 AA06 AA30 BB01 CC01 DD02 DD03 DD07 GG02 GG13 GG25 GG47 HM18 NN03 NN42 NN45 NN48 NN55 PP00

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板と、上記透明基板上に形成され
    た透明絶縁膜と、上記透明絶縁膜上に形成されたポリシ
    リコン薄膜トランジスタと、上記透明基板と上記透明絶
    縁膜との間の上記ポリシリコン薄膜トランジスタに対応
    する領域に形成された遮光膜とを備えた液晶表示装置に
    おいて、 上記遮光膜は、上記透明基板上に形成されたシリサイド
    からなる第１の薄膜と、その第１の薄膜の少なくとも上
    部を覆うように形成された半導体からなる第２の薄膜と
    を有することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の液晶表示装置におい
    て、上記第１の薄膜が高融点金属シリサイドからなるこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の液晶表示装置
    において、上記第２の薄膜がＳi系半導体またはＧe系半
    導体からなることを特徴とする液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
    液晶表示装置において、上記遮光膜は、上記透明基板と
    上記シリサイドからなる第１の薄膜との間に形成された
    半導体からなる第３の薄膜を有することを特徴とする液
    晶表示装置。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１つに記載の
    液晶表示装置において、上記半導体からなる第２の薄膜
    は、上記シリサイドからなる第１の薄膜の側部を覆うこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 ポリシリコン薄膜トランジスタのポリシ
    リコン層が形成されるべき透明基板上の領域にシリサイ
    ドからなる第１の薄膜を形成する工程と、 上記シリサイドからなる第１の薄膜の少なくとも上部に
    半導体からなる第２の薄膜を形成する工程と、 上記透明基板上および上記半導体からなる第２の薄膜上
    に透明絶縁膜を形成する工程と、 上記透明絶縁膜上の上記シリサイドからなる第１の薄膜
    に対応する領域に上記ポリシリコン薄膜トランジスタの
    ポリシリコン層を形成する工程とを有することを特徴と
    する液晶表示装置の製造方法。
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