TWI278943B - Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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TWI278943B
TWI278943B TW093108416A TW93108416A TWI278943B TW I278943 B TWI278943 B TW I278943B TW 093108416 A TW093108416 A TW 093108416A TW 93108416 A TW93108416 A TW 93108416A TW I278943 B TWI278943 B TW I278943B
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Tetsuya Kurosawa
Shinya Takyu
Kinya Mochida
Kenichi Watanabe
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Toshiba Corp
Lintec Corp
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Description

1278943 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於半導體製造裝置和製造半導體裝置之 方法。例如，本發明係相關於包含剝除黏附半導體晶圓的 壓敏黏帶之剝除機構的半導體製造裝置，及使用根據本發 明的半導體製造裝置製造半導體裝置之方法。 » 【先前技術】 通常，在半導體裝置^製造處理中，已完成元件形成 的半導體晶圓沿著精密切割線或晶片分割線分割成片狀， 藉以形成複數半導體晶片。在晶片分開處理之前和之後在 半導體晶圓上固定壓敏黏帶（下文中將稱作PSA帶）， 使片狀的半導體晶片成一整體以保持晶圓形狀。例如使用 晶錠搭接器（參照圖2 )將已如此分成複數晶片並且由 PSA帶支撐的半導體晶圓轉移到安裝處理。從PSA帶拾 取自半導體晶圓分出的每一半導體晶片，及經由諸如安裝 到引線框或TAB帶之處理或密封到封裝內之處理等安裝 處理，藉以完成半導體裝置。 當拾取此種個別半導體晶片時，與固定有PSA帶的 表面相反之半導體晶圓表面被固定到固定著晶圓環的另一 PSA帶，然後剝除PSA帶，及晶圓環安裝到拾取裝置以 拾取個別半導體晶片。 圖55爲自日本專利發表先行公開號碼2003 - 1 7 5 1 3揭 示的PSA帶101拾取半導體晶片100時習知拾取裝置的 (2) \ 1278943 必要組件之放大剖面圖。當自固定到晶圓環的PS A帶1 〇 i 拾取和剝除半導體晶片100時，_過PSA帶101自半導 體晶片1 00的後表面側推高（舉起）推赴針腳（或拾取針 )1 0 2 ，及利用P s A帶1 0 1的彈力剝除半導體晶片1 〇 〇 。推力針腳1 02被配置於對臌f於半導體晶片1 〇〇的中央部 位附近之角落部位或位置，及推力針腳1 0 2的基座被裝附 於針腳支架103。 自PSA帶1〇1剝除半導體晶片1〇〇的順序係在其上 固定半導體晶片100的PSA被固定之支持台首先被移動 ’使得被拾取的半導寧晶片100將位在推力針腳102上方 。接著，例如執行偵測被剝除的半導體晶片1 00之位置及 識別無缺陷/缺陷產昂之標誌偵測，及利用真空吸取備用 支架104的內部部位以使PSA帶101可被吸取及固定到 備用支架1 04的上表面上。在此狀態中，安裝著推力針腳 102的針腳支架103被舉起自備用支架104的上表面突出 推力針腳102並且透過PSA帶101自後表面側舉起半導 體晶片100。舉起的半導體晶片100由吸取夾頭105支托 並且供應到安裝處理。 近年來極希望較薄的半導體晶片具有內建在細薄卡狀 封裝的半導體晶片，及藉由拋光、硏磨、及蝕刻半導體晶 圓的後表面將半導體晶片的厚度減至100//Π1或更少。 參照圖56A到57B將更詳細說明當半導體晶片的厚 度被如此減至1 # m或更少時會發生的破裂問題。 由於如上述半導體晶片的厚度變得非常小，所以即使 -0 - (3) 1278943
半導體晶片100的外周圍部位（尤其是角落部位）自PSA 帶1〇1脫離，半導體晶片100在如圖56A所示一般剝除 之前在凹部位會彎曲，因爲剝除P S A帶1 0 1的速度小於 舉起推力針腳102的速度，犮最後會如圖56B 一般破裂，。 % 另外，如圖57A所示，若半導體晶片1 00的後表面側透 過PSA帶101以推力針腳1〇2舉起，則在只被剝除的角 落部位與推力針腳1〇2接觸的半導體晶片丨00之部位出現 破裂，或推力針腳1 02如圖5 7B —般穿過，導致晶片破裂 一。若半導體晶片的厚度是l〇〇//m或更多，則此種現象將 較少出現，因爲半導體晶片的強度（厚度方p )高於黏附 到PSA帶101的半導體晶片1〇〇。 若如此減少半導體晶片的厚度，則減少半導體晶片的 偏向強度。而且，利用剝除PSA帶的習知機構和方法及 用以拾取半導體晶片的習知裝置和方法無法避免諸如裂痕 及碎屑等品質退化和生產率的降低。因此，不僅希望改良 此種機構，而且也希望改良製造包含上述機構的半/導體裝 置之裝置和方法。 尤其是，當膠黏劑、膠黏片、或膠黏薄膜黏附到半導 體晶片的後表面或元件形成表面時，在剝除期間負載較高 ，更容易發生破裂，導致半導體裝置的品質退化及生產率 降低之問題。 【發明內容】 根據本發明的第一觀點，設置有半導體製造裝置，包 (4) 1278943 含： 剝除機構，用以自半導體晶圓分出的複數半導體晶片 構成之半導體晶圓剝除壓敏黏（PSA )帶，半導體晶圓具 有在其上形成元件的元件形成表面及與元件形成表面相對 的後表面，PSA帶黏附於半導體晶圓的元件形成表面，每 一半導體晶片都具有形成在後表面上的黏附層； 其中剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構件 之吸取區，多孔構件在剝除PSA帶的方向被切割成至少 兩吸取區域。 根據本發明的第二觀點，設置有半導體製造裝置，包 含·· 剝除機構，用以自半導體晶圓剝除PSA帶，該半導 體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表面，與元件形成 表面相對的後表面，及形成在整個後表面上的黏附層，半 導體晶圓被割開分成半導體晶片，PSA帶黏附於半導體晶 圓的元件形成表面； 其中剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構件 之吸取區及具有切割黏附層的切割裝置，多孔構件在剝除 PSA帶的方向被切割成至少兩吸取區域。 根據本發明的第三觀點，設置有半導體製造裝置’包 含： 剝除機構，用以自半導體晶圓剝除PSA帶，該半導 體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表面，與元件形成 表面相對的後表面，及形成在整個後表面上的黏附層’ -8- (5) 1278943 P S A帶黏附於半導體晶圓的元件形成表面； 其中剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構件 之吸取區及具有將黏附層和半導體晶圓一起 -------------- 晶片之切割裝置,，多孔構件在剝除PSA帶的方向被切割 成至少兩吸取區域。 根據本發明的第四觀點，設置有半導體製造裝置，包 含： 剝除機構，用以自半導體晶圓分出的複數半導體晶片 構成之半導體晶圓剝除PSA帶， 每一半導體晶片都具有在其上形成元件的元件形成表 面及形成在元件形成表面上的黏附層，PSA帶透過黏附層 黏附於半導體晶圓的元件形成表面； 其中剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構件 之吸取區，多孔構件在剝除PSA帶的方向被切割成至少 兩吸取區域。 根據本發明的第五觀點，設置有半導體製造裝置，包 含·· 剝除機構，用以自半導體晶圓剝除PSA帶，該半導 體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表面及形成在元件 形成表面上的黏附層，PSA帶透過黏附層黏附於半導體晶 圓的元件形成表面； 其中剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構件 之吸取區及具有將黏附層和半導體晶圓一起切割成半導體 晶片之切割裝置，多孔構件在剝除PSA帶的方向被切割 (6) 1278943 成至少兩吸取區域。 根據本發明的第六觀點’設置有半導體製造裝置’包 含： 剝除機構，用以自半導體晶圓剝除PSA帶，該半導 體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表面及形成在整個 元件形成表面上的黏附層，半導體晶圓被割開以分成半導 體晶片，PSA帶透過黏附層黏附於半導體晶圓的元件形成 表面； 其中剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構件 之吸取區及切割黏附層的切割裝置，多孔構件在剝除PS A 帶的方向被切割成至少兩吸取區域。 根據本發明的第七觀點，設置有半導體製造裝置，包 含： 剝除機構，用以自具有在其上形成元件的元件形成表 面之半導體晶圓剝除PSA帶，PSA帶黏附於半導體晶圓 的元件形成表面； 其中剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構件 之吸取區及具有將半導體晶圓切割成半導體晶片之切割裝 置，多孔構件在剝除PSA帶的方向被切割成至少兩吸取 區域。 根據本發明的第八觀點，提供有製造半導體裝置之方 法，包含： 自半導體晶圓分出的複數半導體晶片構成之半導體晶 圓剝除PSA帶，半導體晶圓具有在其上形成元件的元件 (7) 1278943 形成表面及與元件形成表面相對的後表面， 半導體晶圓的元件形成表面，每一半導體晶 在其後表面上的黏附層； 其中剝除PSA帶包括透過在剝除PSA 割成至少兩吸取區域之多孔構件藉由經由輿 取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定年 在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰 剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之 ，該吸取路徑被選擇性開關。 根據本發明的第九觀點，提供有製造半 法，包含： 自被分成半導體晶片的半導體晶圓剝阔 導體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表 成表面相對的後表面，及形成在整個後表面 PSA帶黏附於半導體晶圓的元件形成表面； 切割黏附層，使得在剝除PSA帶之後 晶片分開黏附層；
其中剝除PSA帶包括透過在剝除PSA 割成至少兩吸取區域之多孔構件各自藉由經 的吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固 ，當在剝除P S A帶的方向於下一次剝除之 附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域 分時，該吸取路徑被選擇性開關；及 反應於切割黏附層的狀態，平行於至少 PSA帶黏附於 3片都具有形成 帶的方向被切 [多孔構件的吸 :導體晶圓，當 吸取區域附近 PSA帶部分時 導體裝置之方 t PSA帶，半 面，與元件形 上的黏附層， 及 爲每一半導體 帶的方向被切 由與多孔構件 定半導體晶圓 相鄰吸取區域 :之PSA帶部 兩吸取路徑之 -11- (8) 1278943 間的開關實施黏附層的切割。 . 根據本發明的第十觀點，提供有製造半導體裝置之方 ' 法，包含： « 自半導體晶圓剝除PSA帶，半導體晶圓具有在其上 形成元件的元件形成表面，與元件形成表面相對的後表面 ，及形成在整個後表面上的黏附層，PSA帶黏附於半導體 晶圓的元件形成表面；及 在剝除PSA帶之後，將黏附層和半導體晶圓一起切 0 割成半導體晶片； 其中剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被切 割成至少兩吸取區域之多孔構件各自藉由經由與多孔構件 的吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶圓 ，當在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區域 附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之P S A帶部 分時，該吸取路徑被選擇性開關；及 反應於切割半導體晶圓和黏附層的狀態，平行於至少 φ 兩吸取路徑之間的開關實施黏附層的切割。 根據本發明的第十一觀點，提供有製造半導體裝置之 方法，包含： 自半導體晶圓剝除PSA帶，半導體晶圓具有在其上 形成元件的元件形成表面及形成在元件形成表面上的黏附 層，半導體晶圓已被割開分成半導體晶片；及 ， 在剝除PSA帶之後切割黏附層，以便爲每一半導體 晶片分開黏附層； -12- 1278943 (9) 其中剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被切 割成至少兩吸取區域之多孔構件各自藉由經由與多孔構件 的吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶圓 ，當在剝除P S A帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區域 附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PSA帶部 分時，該吸取路徑被選擇性開關；及 反應於切割黏附層的狀態，平行於至少兩吸取路徑之 間的開關實施黏附層的切割。 根據本發明的第十二觀點，提供有製造半導體裝置之 方法，包含： 自半導體晶圓分出的複數半導體晶片構成之半導體晶 圓剝除PSA帶，每一半導體晶片都具有在其上形成元件 的元件形成表面及在元件形成表面上的黏附層，PSA帶透 過黏附層黏附於半導體晶圓； 其中剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被切 割成至少兩吸取區域之多孔構件藉由經由與多孔構件的吸 取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶圓，及 當在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區 域附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PSA帶 部分時，該吸取路徑在其間被選擇性開關。 根據本發明的第十三觀點，提供有製造半導體裝置之 方法，包含： 自半導體晶®剝除PSA帶，半導體晶圓具有在其上 形成元件的元件形成表面及形成在元件形成表面上的黏附 -13- (10) 1278943 層，PSA帶透過黏附層黏附於半導體晶圓的元件形成表面 ;及 在剝除PSA帶之後，將黏附層和半導體晶圓一起切 割成半導體晶片； 其中剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被切 割成至少兩吸取區域之多孔構件各自藉由經由與多孔構件 的吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶圓 ，當在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區域 附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PSA帶部 分時，該吸取路徑被選擇性開關；及 反應於切割黏附層和黏附層的狀態，平行於至少兩吸 取路徑之間的開關實施該半導體晶圓和黏附層的切割。 根據本發明的第十四觀點，提供有製造半導體裝置之 方法，包含： 自半導體晶圓剝除PSA帶，PSA帶黏附於半導體晶 圓；及 在剝除PSA帶之後，將半導體晶圓切割成半導體晶 片； 其中剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被切 割成至少兩吸取區域之多孔構件藉由經由與多孔構件的吸 取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶圓，當 在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區域附近 剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PSA帶部分時 ，該吸取路徑在其間被選擇性開關；及 -14- (11) 1278943 反應於切割半導體晶圓的狀態，平行於至少兩吸取路 徑之間的開關實施半導體晶圓的切割。 [實施方式】 下文中將參照圖式說明本發明的實施例。 首先，將參照圖1 A到圖1 3 C說明第一實施例。 在此實施例中，將利用例子說明具有pSA帶專用的 剝除機構和半導體晶片專用的拾取機構之晶錠搭接器當作 半導體製造裝置。 圖1A爲用於此實施例的半導體晶圓之立體圖，圖1B 爲沿著圖1 A的線A-A部位之剖面圖；圖2爲根據此實施 例之半導體製造裝置的槪要配置之立體圖；圖3A爲用於 圖2的半導體製造裝置之剝除機構和拾取機構的晶圓吸取 區之平面圖，圖3B爲沿著圖3 A的線3H-3H部位之剖面 圖。圖4A到4C爲圖2之半導體製造裝置的晶圓吸取區 和分成半導體晶片的半導體晶圓之間的位置關係平面圖； 圖5爲操作圖2之晶錠搭接器的剝除機構之剖面圖；圖 6A及6B爲輔助板的配置例子圖；圖7及8爲操作圖2之 晶錠搭接器的拾取機構之剖面圖；圖9A到9C爲一安裝 拾起的半導體晶片之處理例子的槪要圖；圖1 〇 A到1 3 C 爲其他安裝拾起的半導體晶片之處理例子的剖面圖。 在圖1的半導體晶圓中，PS A帶24覆蓋具有元件形 成區域的整個元件形成表面作爲表面保護帶，及黏附層 2 9形成在後表面上。在本實施例中，爲每一半導體晶片 -15- (12) 1278943 分開形成黏附層29。 圖2的晶錠搭接器包含用以剝除PSA帶之機構、用 以拾取半導體晶片之拾取機構、轉移被拾取的半導體晶片 到引線框上之轉移機構、及運送引線框之運送機構。剝除 機構包括支持台3、視訊相機4、剝除爪21、輔助板22、 及吸取單元20。拾取機構具有支持台3、視訊相機4、吸 取夾頭1 〇、及吸取單元20。剝除機構和拾取機構共用支 持台3、視訊相機4、及吸取單元20。 支持台3具有在剝除PSA帶方向被分成至少兩吸取 區域（成塊狀）之多孔構件，例如，由薄膜狀陶瓷材料/ 玻璃環氧基底所組成的晶圓吸取區2。在此實施例中，如 圖3所不，晶圓吸取區2具有七個吸取區域2-1到2-7。 馨 在吸取區域2-1到2-7下面，設置連接孔23-1到23-7連 接真空管。在此晶圓吸取區2上，已自具有已拋光元件的 半導體晶圓形成並且固定到PSA帶24 (參照圖5 )之半 導體晶片1透過黏附層29被吸取成固定在與元件形成表 面相對的表面上。此時，如圖4 A及4 B所示，若吸取區 域2 -1到2 - 7的縱長方向被配置在到剝除方向的右角，則 在拾取時容易識別半導體晶片1的位置。另一方面，若半 導體晶片1的對角線如圖4A及4C所示位在平行於剝除 方向的方向（當半導體晶片是正方形時具有45度的斜角 )，則在半導體晶片1的角落部位開始剝除PSA帶24 ’ 使其容易剝除。考慮半導體晶片1的尺寸和厚度、PS A帶 的黏附力等以決定選擇哪一配置。 -16- (13) 1278943 藉由在XY方向移動半導體晶圓，支持台3移動個別 半導體晶片1到吸取單元20上。視訊相機4監視半導體 晶片1的表面。吸取單元2 0位在支持台3下面，並且例 如具有對應於以對應於晶圓吸取區2的吸取區域2 -1到2 -7之方式設置的至少兩真空（吸取）管系統之兩真空（吸 取）泵；用以變換真空管之轉換閥；及用以控制轉換閥之 控制器。 用以轉移半導體晶片1到引線框上之轉移機構包含搭 接器具8、吸取夾頭1 〇、位置校正台1 1、搭接頭1 2等。 也使用吸取夾頭1 0拾取及吸取自P S Α帶2 4剝除的半導 體晶片1，並且將它們轉移到位置校正台1 1上。校正位 置的半導體晶片1被搭接頭8轉移到引線框上。 另外，運送引線框的運送機構包含引線框供應區5、 引線框運送單元6、漿糊運送單元7、引線框外殼區9等 。在晶錠搭接之前，引線框供應區5儲存引線框，及連續 地放出引線框到引線框運送單元6。漿糊運送單元7供應 導電漿糊到引線框運送單元6運送之引線框的底座位置。 另外’引線框外殼區9儲存具有已拋光的晶錠搭接之引線 框。 整個晶錠搭接器的槪要操作如下。首先、具有已拋光 的元件形成之半導體晶圓被分割成片狀以形成複數半導體 晶片1，及半導體晶片1被轉移及黏附地搭接於PSA帶 24’及安裝在支持台3。另一選擇是，沿著具有由稱作預 先切割方法拋光的元件形成之半導體晶圓中的元件形成表 -17- (14) 1278943 面側上之精密切割線（或晶片分割線）形成切割槽，& PS A帶24被固定到元件形成表面側上，然後藉由硏磨晶 圓的後表面到達至少上述的切割槽將半導體晶圓分成半導 體晶片，如此，將複數半導體晶片1安裝到支持台3上。 接著，半導體晶片1被吸取單元20直接吸取及固定，及 使用剝除爪2 1及輔助板2 2剝除P S A帶。連續地，在X γ 方向移動支持台3，及使用視訊相機4監視半導體晶片1 的表面，及以此監視器獲得的影像資料被二進制化或多値 化以進行諸如位置偵測及標誌偵測等偵測，用以識別半導 體晶片1的無缺陷/缺陷產品。而且，在被吸取單元2〇 的真空吸取（依據半導體晶片的尺寸和厚度並不需要總是 利用真空吸取）的伺時也由吸取夾頭1 〇固定半導體晶片 1 ’使得它們被拾取和轉移到位置校正台11上。在該位置 ’若需要的話，調整半導體晶片1的前後配置之後，半導 體晶片1被搭接頭8轉移到引線框上。 接著’在完成拾取之後，移動支持台3到下一次拾取 半導體晶片1的位置。再次重複此操作。 另一方面’引線框供應區5連續地放出引線框到引線 框運送單元6。導電漿糊從漿糊運送單元7被供應到引線 框運送單元6運送的引線框之底座部位。另外，由搭接頭 8轉移的半導體晶圓1被安裝在引線框的底座部位上（此 稱作晶銳搭接）。引線框外殼區9儲存具有已拋光的晶錠 搭接之引線框。連續重複上述操作。 接著’將參照圖5到圖9更詳細說明剝除PSA帶的 -18- (15) 1278943 機構及半導體晶片專用的拾取機構、及使 器中的那些機構之剝除方法和拾取方法。 (1 )首先、PSA帶被固定到元件形 分成半導體晶片的半導體晶圓。半導體晶 有黏附層29之半導體晶片1。另外，如 於半導體晶圓的表面保護帶或支撐帶。 (2 )分成半導體晶片的半導體晶圓 3上。 (3)支持台3被設置有兩真空管系3 管的轉換閥26 A到26G、及兩真空泵27 A 用於剝除PSA帶24。首先使用第一系統ί 第一真空泵27Α固定以真空黏附地搭接至 體晶圓。 (4 )在此狀態下，開始剝除PS Α帶 剝除專用的帶被黏附地搭接到PSA帶24 除專用的帶之邊緣被剝除爪21固定，及 板22被置放於PSA帶24上，然後，在 PS A帶24的上表面和彎曲PS A帶24的 式中所示的箭頭方向由剝除爪2 1以每秒 mm的速度拉動PSA帶24的一邊緣。 (5 )此時，可用可變力拉動剝除爪 用的固定速度移動剝除爪2 1和輔助板22 除爪2 1拉動一段距離之後，可重複利用 PS A帶24的上表面之操作。另外，當剝 用上述晶錠搭接 成表面，及備製 圓包含後表面塗 上述，PSA帶用 被置放於支持台 流 25 A 及 25B、 及27B，這些都 丨勺真空管25A和 !I PSA帶之半導 2 4。在剝除中， 的邊緣側，及剝 幫助剝除之輔助 (輔助板2 2固定 邊緣同時，在圖 0.1 mm 3\ 1〇〇 2 1，及可以剝除 。而且，在以剝 輔助板22固定 除在晶圓吸取區 -19- 1278943 (16) 2的相鄰吸取區域2-1到2-7附近的PSA帶24部分時， 以轉換閥26A到26G變換成第二系統的真空管25B，及 以第二真空泵27B吸取吸取區域中的已剝除半導體晶片i 並且固定。圖5圖示剝除已進行到吸取區域2 -1和吸取區 域2-2之間的邊界區域及已經變換轉換閥26A之狀態。 (6 )以相同方式，當剝除PSA帶24時，將隨後變 換轉換閥26B到26G。另外，隨著已完全剝除PSA帶24 ’每一半導體晶片1都自PS A帶24轉移到晶圓吸取區2 ’及每一半導體晶片1都透過第二系統的真空管25B由第 二真空泵27B以真空固定。應明白輔助板22可具有如圖 6A所示的圓形尖端或可使用如圖6B所示的鋒利尖端。以 PS A帶24的厚度、黏附力、彈性等決定尖端部位的形狀 〇 (7 )接著，偵測半導體晶片1的位置和缺陷。 (8 )隨後，開始自晶圓吸取區2拾取每一半導體晶 片1。在開始拾取之後不久透過第二系統的真空管2 5 B由 第二真空泵27B以真空固定每一半導體晶片1，及在此狀 態下，il_m夾頭1 〇只藉由吸取力拾取半導體晶片1 (9 )而且’當拾取進行接近下一個被拾取的吸取區 域邊界時，轉換閥轉換到第一系統的真空管2 5 A，及吸取 已使用第一真空泵2 7 A拾取半導體晶片的吸取區域。圖7 圖示拾取已經完成幾乎接近吸取區域2- 1及關閉對應於吸 取區域2-1的轉換閥26A之狀態。 -20- 1278943 (17) (10)在此方式中’半導體晶片1被拾取接近晶圓吸 取區2的露出部分，藉以使其可以防止第二真空泵2 7 B的 吸取力減少，也可以吸取以固定剩下留在露出的晶圓吸取 區2上的缺陷晶片或將不被生產的晶圓周圍部位。 應明白當拾取已進行到吸取區域中的半導體晶片時， 如圖8所示，可關閉轉換閥以停止吸取。圖8圖示拾取已 進行到吸取區域2 - 4及已關閉對應於吸取區域2 - 1的轉換 閥26-A到26-C之狀態。 (1 1 )隨後，如圖9所示，引線框被晶錠搭接。圖9 爲PS A帶24的剝除處理之槪要圖。（a)拾取處理，（b )及安裝半導體晶片1到引線框1 3之處理等。 (1 2 )另外，壞缺陷產品和晶圓的外周圍部位中不會 被生產的半導體晶片。 根據上述的配置和方法，反應於剝除的PSA帶之位 置和半導體晶片的拾取狀態，被分成半導體晶片的半導體 晶圓可由最理想的興有效地固定，使得可防止剝除 PSA帶期間或拾取期間半導體晶片的裂痕和碎屑。在使半 導體晶片更薄時，此種裂痕和碎屑是一大問題。而且，只 由吸取執行拾取，使得可防止在推力針腳接觸的部位對半 導體晶片的破壞，這本來是使用習知推力針腳所伴隨的問 題。另外，當形成黏附層時，容易生產半導體晶片被堆疊 之堆疊的M C P產品。 若如習知技術一般半導體晶片的厚度是5 0 // m或更 少時，當半導體晶片被拾取時通常會出現裂痕（1 00 -21 - (18) 1278943 p c s /1 Ο 0 p c s )，但是根據本實施例，即使半導體晶片的厚 度是50 // m或更少裂痕的出現可減至幾乎可以忽略的程 度(0/100 pcs) 〇 此外，雖然在上述實施例中已說明晶錠搭接器當作例 子，但是本發明也可應用於需要剝除PSA帶專用的機構 及半導體晶片拾取機構之其他半導體製造裝置。其他半導 體製造裝置例如包括拾取器，用以在剝除PS A帶24之後 如圖10所示一般拾取每一半導體晶片1放在拖盤15上； 倒裝片搭接器，用以在剝除PS A帶24之後如圖1 1所示 一般拾取每一半導體晶片1藉由倒裝片連接法安裝到印刷 電路板16上；薄膜黏附搭接器，用以在剝除PS A帶24 之後如圖1 2所示一般拾取每一半導體晶片1安裝到熱塑 性薄膜基底17 ;內引線搭接器上，用以在剝除PSA帶24 之後如圖13所不一*般拾取每一半導體晶片1藉由使用加 熱器具19a和19b安裝到TAB帶18上。 接下來，將參照圖1 4到圖1 5說明第二實施例。 圖14A爲用於此實施例的半導體晶圓之立體圖；圖 14B爲沿著圖14A的線B-B部位之剖面圖；及圖15A到 15C爲使用此實施例中的半導體製造裝置實施自PSA帶的 剝除處理到拾取半導體晶片的拾取處理之處理的處理剖面 圖。 在圖14A及14B所示的半導體晶圓中，PSA帶34覆 蓋具有元件形成區域的整個元件形成表面當作表面保護帶 ，及在後表面上形成諸如黏附片或黏附薄膜等黏附層39 -22- (19) 1278943 。黏附層3 9形成在半導體晶圓的整個表面上。 首先、在半導體晶圓由吸取單元自其表面直接固定到 支持台3 3上的同時，使用剝除爪3 1和輔助板3 2剝除 PSA帶34。此時，藉由真空將半導體晶圓固定到由分成 各自連接到兩或更多真空管系統之兩或更多段的多孔構件 製成之支持台上，及在根據P S A帶3 4的剝除處理選擇性 開關多孔區段之管系統的同時，剝除PSA帶34 (圖15A )。隨後，藉由使用諸如雷射或刀片等切割器具3 5將黏 附層3 9切割成晶片尺寸。在此例中，半導體晶圓由真空 囪定到由分成各自連接到兩或更多真空管系統之兩或更多 段的多孔構件製成之支持台上，及根據切割黏附層3 9的 切割處理選擇性開關多孔區段的管系統。隨後，開始自晶 圓吸取區拾取每一半導體晶片3 0 (圖1 5 B )。在開始拾取 之後不久，使用吸取夾頭3 6只由吸取力拾取每一半導體 晶片3 0 (圖1 5 C )。被拾取的每一半導體晶片3 0被搭接 到引線框等。當作切割器具的雷射包括 YAG雷射、C02 雷射、及單脈衝雷射。 如上述，根據本實施例，反應於被剝除的P S A帶位 置及半導體晶片的拾取狀態，分成半導體晶片之半導體晶 圓可藉由最理想的吸取力有效地固定，使得可防止在剝除 P S A帶期間或拾取期間由於減少半導體晶片的厚度會引起 的半導體晶片的裂痕和碎屑之問題。而且，g藉由吸取執 行拾取，使得可防止在推力針腳接觸的部位對半導體晶片 的破壞’這本來是使用習知推力針腳拾取所伴隨的問題。 -23- (20) 1278943 另外，當形成黏附層時，容易生產半導體晶片被堆疊之 疊的MCP產品。 接著，將參照圖1 6A到圖1 7C說明第三實施例。 此實施例的特徵係黏附層形成在構成半導體晶圓的 一半導體晶片之元件形成表面上。圖16A爲用於此實 例之半導體晶圓的立體圖，圖1 6B爲沿著圖1 6A的線 C部位之剖面圖；及圖17A及17B爲使用此實施例中 半導體製造裝置實施PSA帶的剝除處理和拾取半導體 片的拾取處理之處理剖面圖。 在圖16A及16B所示的半導體晶圓中，PSA帶44 蓋具有元件形成區域的整個元件形成表面當作表面保護 ，及黏附層49形成在後表面上。黏附層49被置放在半 體晶圓和PS A <帶44之間，並且爲每一半導體晶片分開 形成黏附層4 9。 首先、在半導體晶圓由吸取單元以吸取直接固定到 持台43上的同時，使用剝除爪41和輔助板42自半導 晶圓表面剝除PSA帶44。此時，藉由真空將半導體晶 固定到由分成各自連接到兩或更多真空管系統之兩或更 段的多孔構件製成之支持台上，根據PS A帶44的剝除 態選擇性開關多孔區段的管系統，藉以剝除PSA帶（ 1 7 A )。隨後，開始自晶圓吸取區拾取每一半導體晶片 。在開始拾取之後不久，使用吸取夾頭46只由吸取力 取每一半導體晶片40 (圖17B )。被拾取的每一半導體 片40被搭接到引線框等。 堆 每 施 C- 的 晶 覆 帶 導 地 支 am 體 圓 多 狀 圖 40 拾 晶 -24- (21) 1278943 如上述，根據本實施例，反應於被剝除的PSA帶位 置及半導體晶片的拾取狀態’分成半導體晶片之半導體晶 圓可利用最理想的吸取力以吸取有效地固定’使得可防止 在剝除P S A帶期間或拾取期間由於減少半導體晶片的厚 度會引起的半導體晶片的裂痕和碎屑之問題。而且’只藉 由吸取執行拾取，使得可防止在推力針腳接觸的部位對半 導體晶片的破壞，這本來是使用習知推力針腳拾取所伴隨 的問題。另外，當在每一半導體晶片上形成黏附層時，容 易生產半導體晶片被堆疊之堆疊的MCP產品。 接下來，將參照圖1 8A到圖1 9C說明第四實施例。 此實施例的特徵係黏附層形成在與尙未分成半導體晶 片之半導體晶圓的元件形成表面相對之後表面上。圖1 8 A 爲用於此實施例之半導體晶圓的立體圖，圖1 8 B爲沿著圖 18A的線D-D部位之剖面圖；及圖19A到19C爲使用此 實施例中的半導體製造裝置實施PSA帶的剝除處理到拾 取半導體晶片的拾取處理之處理剖面圖。 首先、在半導體晶圓由吸取單元以吸取直接固定到支 持台5 3上的同時，使用剝除爪5 1和輔助板5 2自半導體 晶圓表面剝除P S A帶5 4。此時，藉由真空將半導體晶圓 固定到由分成各自連接到兩或更多真空管系統之兩或更多 段的多孔構件製成之支持台上，根據P S A帶5 4的剝除狀 態選擇性開關多孔區段的管系統，藉以剝除P S A帶（圖 1 9 A )。隨後，藉由使用諸如雷射或刀片等切割器具5 5 將半導體晶圓和黏附層5 9切割成晶片尺寸。在此例中， -25- (22) 1278943 半導體晶圓由真空固定到由分成各自連接到兩或更多真空 管系統之兩或更多段的多孔構件製成之支持台上，及根據 切割黏附層5 9的切割狀態選擇性開關多孔區段的管系統 (圖1 9 B )。隨後，開始自晶圓吸取區拾取每一半導體晶 片5 0。在開始拾取之後不久，使用吸取夾頭5 6只由吸取 力拾取每一半導體晶片5 0 (圖1 9 C )。被拾取的每一半導 體晶片5 0被搭接到引線框等。 如上述，根據本實施例，反應於被剝除的P S A帶位 置及半導體晶片的拾取狀態，分成半導體晶片之半導體晶 圓可利用最理想的吸取力以吸取有效地固定，使得可防止 在剝除PSA帶期間或拾取期間由於減少半導體晶片的厚 度會引起的半導體晶片的裂痕和碎屑之問題。而且，只藉 由吸取執行拾取，使得可防止在推力針腳接觸的部位對半 導體晶片的破壞，這本來是使用習知推力針腳拾取所伴隨 的問題。另外，當黏附層形成在半導體晶圓的後表面上時 ，容易生產半導體晶片被堆疊之堆疊的MCP產品。 接著，將參照圖20A到圖2 1 C說明第五實施例。 此實施例的特徵係處理尙未分成半導體晶片及黏附層 未形成在半導體晶圓上之半導體晶圓。圖20A爲用於此 實施例之半導體晶圓的立體圖，圖20B爲沿著圖20A的 線E-E部位之剖面圖；及圖20A到20C爲使用此實施例 中的半導體製造裝置實施PSA帶的剝除處理到拾取半導 體晶片的拾取處理之處理剖面圖。 首先、在半導體晶圓由吸取單元以吸取直接固定到支 -26- (23) 1278943 持台63上的同時，使用剝除爪61和輔助板62自半導體 晶圓表面剝除PSA帶64。此時，藉由真空將半導體晶圓 固定到由分成各自連接到兩或更多真空管系統之兩或更多 段的多孔構件製成之支持台上，根據PS A帶64的剝除狀 態選擇性開關多孔區段的管系統，藉以剝除PSA帶（圖 2 1 A )。隨後，藉由使用諸如雷射或刀片等切割器具6 5 將半導體晶圓和黏附層5 9切割成晶片尺寸。在此例中， 半導體晶圓由真空固定到由分成各自連接到兩或更多真空 管系統之兩或更多段的多孔構件製成之支持台上，及根據 切割半導體晶圓的切割狀態選擇性開關多孔區段的管系統 (圖2 1 B )。隨後，開始自晶圓吸取區拾取每一半導體晶 片6 0。在開始拾取之後不久，使用吸取夾頭6 6只由吸取 力拾取每一半導體晶片60 (圖21C)。被拾取的每一半導 體晶片60被搭接到引線框等。 如上述，根據本實施例，在利用最理想的吸取力以吸 取有效地固定半導體晶圓的同時，PSA帶被剝除及半導體 晶圓被分成半導體晶片和被拾取，使得可防止在剝除PS A 帶期間或拾取期間由於減少半導體晶片的厚度會引起的半 導體晶片的裂痕和碎屑之問題。而且，只藉由吸取執行拾 取’使得可防止在推力針腳接觸的部位對半導體晶片的破 壞’這本來是使用習知推力針腳拾取所伴隨的問題。 接著，將參照圖22A到圖23C說明第六實施例。 此實施例的特徵係處理尙未分成半導體晶片及黏附層 已形成在其元件形成表面上之半導體晶圓。圖22A爲用 -27- (24) 1278943 於此實施例之半導體晶圓的立體圖，圖2 2 B爲沿著圖2 2 A 的線F - F部位之剖面圖；及圖2 3 A到2 3 C爲使用此實施 例中的半導體製造裝置實施PSA帶的剝除處理到拾取半 導體晶片的拾取處理之處理剖面圖。 首先、在半導體晶圓由吸取單元以吸取直接固定到支 持台73上的同時，使用剝除爪71和輔助板72自半導體 晶圓表面剝除PSA帶74。此時，藉由真空將半導體晶圓 固定到由分成各自連接到雨或更多真空管系統之兩或更多 段的多孔構件製成之支持台上，根據P S A帶7 4的剝除狀 態選擇性開關多孔區段的管系統，藉以剝除PSA帶（圖 23 A )。隨後，藉由使用諸如雷射或刀片等切割器具7 5 將半導體晶圓和黏附層79切割成晶片尺寸。在此例中， 半導體晶圓由真空固定到由分成各自連接到兩或更多真空 管系統之兩或更多段的多孔構件製成之支持台上，及根據 黏附層79和半導體晶圓的切割狀態選擇性開關多孔區段 的管系統（圖23B )。隨後，開始自晶圓吸取區拾取每一 半導體晶片70。在開始拾取之後不久，使用吸取夾頭76 只由吸取力拾取每一半導體晶片70 (圖23C )。被拾取的 每一半導體晶片70被搭接到引線框等。 如上述，根據本實施例，反應於自半導體晶圓剝除 PSA帶的位置及將半導體晶圓分成半導體晶片和拾取半導 體晶片的每一狀態，可利用最理想的吸取力以吸取有效地 固定半導體晶圓。此使其可以防止在剝除P S A帶期間或 拾取期間由於減少半導體晶片的厚度會引起的半導體晶片 -28- (25) 1278943 的裂痕和碎屑之問題。而且，只藉由吸取執行拾取，使得 可防止在推力針腳接觸的部位對半導體晶片的破壞，這本 來是使用習知推力針腳拾取所伴隨的問題。另外，當黏附 層形成在半導體晶片上時，容易生產半導體晶片被堆疊之 堆疊的MCP產品。 接著，將參照圖24A到圖25C說明第七實施例。 圖24A爲用於此實施例之半導體晶圓的立體圖，圖 24B爲沿著圖24A的線G-G部位之剖面圖；及圖25A到 25C爲使用此實施例中的半導體製造裝置實施PSA帶的剝 除處理到拾取半導體晶片的拾取處理之處理剖面圖。 在圖2 4A及24B的半導體晶圓中，PSA帶84透過諸 如黏附片或黏附薄膜等黏附層8 9形成在具有元件形成區 域之整個元件形成表面上。半導體晶圓已割開分成半導體 晶片。 首先、在半導體晶圓由吸取單元以吸取直接固定到支 持台8 3上的同時，使用剝除爪8 1和輔助板8 2剝除P S A 帶8 4。此時，藉由真空將半導體晶圓固定到由分成各自 連接到兩或更多真空管系統之兩或更多段的多孔構件製成 之支持台上，及在根據P S A帶8 4的剝除處理選擇性開關 多孔區段之管系統的同時，剝除PSA帶84(圖25A)。 隨後，藉由使用諸如雷射或刀片等切割器具8 5將黏附層 8 9切割成晶片尺寸。在此例中，半導體晶圓由真空固定 到由分成各自連接到兩或更多真空管系統之兩或更多段的 多孔構件製成之支持台上，及根據切割黏附層89的切割 -29- (26) (26) 處理 取區 不久 8 0 ( 線框 置及 晶圓 防止 的厚 只藉 對半 伴隨 易生 的各 域之 。由 形成 PSA 到圖 區 2 1278943 選擇性開關多孔區段的管系統。隨後，開始自晶 拾取每一半導體晶片8 0 (圖2 5 B )。在開始拾取 ，使用吸取夾頭8 6只由吸取力拾取每一半導體 圖25C)。被拾取的每一半導體晶片8〇被搭接 等。 如上述，根據本實施例，反應於被剝除的PS A 半導體晶片的拾取狀態，已分成半導體晶片之半 可利用最理想的吸取力以吸取有效地固定，此使 在剝除PSA帶期間或拾取期間由於減少半導體 度會引起的半導體晶片的裂痕和碎屑之問題。而 由吸取執行拾取，使得可防止在推力針腳接觸的 導體晶片的破壞，這本來是使用習知推力針腳拾 的問題。另外，當黏附層形成在半導體晶圓上時 產半導體晶片被堆疊之堆疊的MCP產品。 下面將參照圖式說明晶圓吸取區的各種配置例子 圖26A到圖28B爲應用在上述實施例之晶圓吸 種配置例子。由在剝除PSA帶方向被分成兩吸 多孔構件形成圖26A到圖26B所圖示的晶圓吸取 在剝除PSA帶的方向被分成五吸取區域之多孔 圖27A到圖27B所圖示的晶圓吸取區2。由在 帶的方向被分成九吸取區域之多孔構件形成圖 28B所圖示的晶圓吸取區2。 在圖29A及29B到圖32A及32B所圖示的晶圓 中，多孔構件不僅在剝除PSA方向被分成複數 圓吸 之後 晶片 到引 帶位 導體 其可 晶片 且， 部位 取所 ，容 〇 取區 取區 1¾ 2 構件 剝除 28 A 吸取 段， -30- (27) 1278943 並且在垂直於剝除方向的方向分成兩段，藉以各自設置四 、十、十四、及十八吸取區域。另外，在圖3 3 A及3 3 B 到圖3 5 A及3 5 B所圖示的晶圓吸取區2中，多孔構件不 僅在剝除PS A方向被分成複數片，並且在垂直於剝除方 向的方向分成三、四、及五，藉以各自設置27、32、及 4 1吸取區域。 在圖36A及36B到圖42A及42B所圖示的晶圓吸取 區2各自包含具有設置在多孔構件上的複數通孔之板28 ，透過這些板2 8吸取分成半導體晶片的半導體晶圓1。 多孔構件在圖36A及36B中於剝除PSA帶的方向被分成 兩吸取區域，及在圖37A及3 7B中被分成五區域，及在 圖3 8A及38B中被分成七區域。另外，多孔構件在剝除 PSA帶的方向一分爲二，及在垂直於剝除方向的方向一分 爲二，以便在圖39A及3 9B中被分成四吸取區域，在圖 40A及40B中被分成十吸取區域，在圖41A及41B中被 分成十四吸取區域，及在垂直於剝除方向的方向被分成四 ，以便在圖42A及42B中分成28吸取區域。 在圖43 A及43B到圖48 A及48B所圖示的晶圓吸取 區2包含設置在多孔構件上的板3 0以具有對應於半導體 晶片的通孔，及透過板3 0吸取半導體晶片。多孔構件在 圖43 A及43B中於剝除PSA帶的方向被分成兩吸取區域 ，在圖44A及44B中被分成五區域，及在圖45A及45B 中被分成七區域。另外，多孔構件在剝除PSA帶的方向 一分爲二，及在垂直於剝除方向的方向一分爲二，以便在 -31 - 1278943 (28) 圖46A及46B中被分成四吸取區域，在圖47A及47B中 被分成十吸取區域，在圖48A及48B中被分成十四吸取 區域。 這些配置基本上與圖2所圖示的晶圓吸取區的配置相 同，可考慮半導體晶片1的尺寸和PSA帶24的厚度、黏 附力、厚度、彈性等加以選擇最適當的配置。 接著，將說明可應用到本發明的晶圓環。 圖49A爲配備有半導體晶圓的晶圓環例子之立體圖 ，及圖49B爲沿著圖49A的線J-J部位之剖面圖。PSA帶 24被固定到晶圓環3 5，及分成半導體晶片的半導體晶圓 被固定到PSA帶24。在半導體晶圓的後表面硏磨處理中 使用晶圓環35和PSA帶24.、。此處，PSA帶24自分成半 導體晶片的半導體晶圓突出較佳，及該PS A帶24具有大 體上等於晶圓環直徑的尺寸。在已硏磨後表面之後，黏附 層被固定到半導體晶片1。 當自半導體晶圓剝除PS A帶24時，用以剝除的帶被 黏附地搭接到固定到晶圓環35的PSA帶24外周圍部位 ，由剝除爪夾住用以剝除的帶，然後藉由在平行於半導體 晶片1的吸取表面之方向拉動PS A帶24加以剝除PS A帶 24。另一選擇是，由剝除爪21直接夾住PSA帶24的一 端，藉由在平行於半導體晶片1的吸取表面之方向拉動 PSA帶24加以剝除PS A帶24。隨後，首先自晶圓環35 剝除PSA帶24，然後剝除半導體晶圓，如此進行到拾取 處理。 -32- (29) 1278943 在此方式中’可明顯減少自半導體晶片1剝除PSA 帶24所需的力，使得即使半導體晶片1的尺寸是小的時 ，即使在半導體晶片1的元件形成表面上之表面保護薄膜 和PS A帶24之間的黏附是非常高時，及即使半導體晶片 1的表面相當不均勻時，仍可極爲容易地剝除它。因此， 半導體晶片1的外周圍部位從不會由於剝除失敗而保持搭 接到PSA帶24。 接著，將參照圖5 Ο A到圖5 4說明本發明的第八實施 例。 此實施例的特徵係處理由分開的半導體晶片所組成的 半導體晶圓，其具有形成在與其元件形成表面相對的整個 表面上之黏附層，及形成在元件形成表面上之低介電常數 絕緣薄膜（通常稱作low-k薄膜）。 相對介電常數（3.4到3.7 )低於二氧化矽薄膜（3.9 到4.1 )的相對介電常數之氟摻雜二氧化矽薄膜被廣泛使 用當作低介電常數絕緣薄膜的材料，例如，當用於半導體 裝置時。 低介電常數絕緣薄膜可分類成兩種材料。第一種是藉 由降低二氧化矽薄膜（3 · 9到4.1 )的密度減少相對介電 常數之材料，此種材料例如包括M S Q (甲基砂酸鹽類： CH3 —Si〇1.5(相對介電常數2.7到3·0) ，Η (含氫的矽酸 鹽類· Η _ S i 〇 i. 5 (相對介電常數3 · 5到3 · 8 )，多孔H s Q ( H-Sl〇x(相對介電常數2.2)，及多孔MSq(cH3-SiOK5 (相對介電常數2.0到2·5))，上述所有都是依據塗層 -33- (30) 1278943 法。依據電漿CVD方法的材料包括有機矽土 Ch3 —SiO^ (相封介電吊數2.5到3.0)。在此實施例中，稱作l〇w-k 薄膜的低介電常數絕緣薄膜是相對介電常數低於3 · 9的薄 膜。第二種是在有機薄膜中具有低極化性之材料。例如， 包括PTEE (聚四氟乙烯（相對介電常數2.1) ) ，PAE ( 聚芳醚：相對介電常數2 · 7到2 · 9 )，多孔P AE (相對介 電常數2.0到2.2 )，及BCB (苯環丁烯：相對介電常數 2.6到3.3)。所有這些都可藉由諸如旋轉塗層等塗層法 形成薄膜。 圖5 0 A爲用於此實施例之半導體晶圓的立體圖，圖 50B爲沿著圖50A的線K-K部位之剖面圖；及圖51A到 5 1D爲使用此實施例中的半導體製造裝置實施PSA帶的 剝除處理、切割和熔融黏附層和低介電常數絕緣薄膜的處 理、拾取半導體晶片的拾取處理之處理剖面圖。 圖50A及50B所圖示的半導體晶圓已事先被割開分 成半導體晶片，並且具有形成在與元件形成表面相對的表 面上之黏附層3 9。以樹脂密封每一半導體晶片上的元件 ，及低介電常數絕緣薄膜210被形成接觸密封樹脂，PSa 帶3 4覆蓋半導體晶圓的整個元件形成表面，以便接觸低 介電常數絕緣薄膜210。 如圖5 1 A所示，在半導體晶圓由吸取單元以吸取直 接固定到支持台3 3上的同時，使用剝除爪3 1和輔助板 32先自半導體晶圓表面剝除PSA帶34。此時，藉由真空 將半導體晶圓固定到由分成各自連接到兩或更多真空管系 -34- (31) 1278943 統之兩或更多段的多孔構件製成之支持台上，根據PSA 帶3 4的剝除狀態選擇性開關多孔區段之管系統，藉以剝 除PSA帶34(圖51A)。隨後，藉由使用諸如雷射或刀 片等切割器具7 5將黏附層3 9切割成晶片尺寸。在此例中 ，半導體晶圓由真空固定到由分成各自連接到兩或更多真 空管系統之兩或更多段的多孔構件製成之支持台上，及根 據切割黏附層3 9的切割狀態選擇性開關多孔區段的管系 統（圖5 1 B )。平行於黏附層3 9的切割或在黏附層3 9的 切割之後，低介電常數絕緣薄膜2 1 0的周圍邊緣被熔融。 在此實施例中，雷射以20 °到40 °的入射角被應用到低 介電常數絕緣薄膜210的周圍邊緣（圖51C)。在此方式 中，當回到原有溫度時，已被熔融的低介電常數絕緣薄膜 2 1 0以更高的黏附力固定在密封樹脂上。結果，可獲得低 介電常數絕緣薄膜無法被輕易剝除之半導體晶片。當使用 雷射當作切割器具3 5時，只可使用此切割器具3 5。 隨後，開始自晶圓吸取區拾取每一分開的半導體晶片 3 8。在開始拾取之後不久，使用吸取夾頭3 6只由吸取力 拾取每一半導體晶片3 8 (圖5 1 C )。被拾取的每一半導體 晶片38被搭接到引線框等。 如上述，根據本實施例，可獲得防止上述裂痕和碎屑 及具有以較高黏附力熔融固定在每一半導體晶片的元件形 成區域之密封樹脂上的半導體裝置。將參照圖52A到54 說明此實施例的效果。圖52A到圖52D及圖53爲比較例 子的槪要圖，及圖5 4爲本實施例之效果的槪要圖。圖 -35- (32) 1278943 52A爲使用刀片自半導體晶圓形成之習知半導體晶片的放 大端部位圖，及圖52B爲在圖52A的晶片上實施熱循環 測試（下文中簡稱爲TCT) 500次之後的放大端部位圖。 而且，圖52C爲使用雷射自半導體晶圓形成之習知半導體 晶片的放大端部位圖，及圖5 2 D爲在圖5 2 C的晶片上同 樣實施TCT 5 00次之後的放大端部位圖。已發現當使用刀 片時，即使緊接在如圖52A所示的切割之後已出現有利 條件，在如圖52B所示的TCT之後仍會產生一些氣泡， 及^出現一些細小裂痕。當使用雷射時，雖然在TCT之後 未出現異常，但是如圖52D和圖53的平面圖所示，已確 定破壞低介電常數絕緣薄膜。藉由本實施例的熔融處理， 可確定令人滿意的低介電常數絕緣薄膜如圖54的平面圖 所示一般沒有剝除。 儘管已在上文說明本發明的一些實施例，但是本發明 並不局限於這些實施例，而是可在其範圍內做各種修正。 而且，這些實施例包括本發明的各種階段，可藉由適當組 合上文已揭示的題材加以選用各種發明。例如，雖然在第 八實施例中已說明已事先將半導體晶圓割開分成半導體晶 片，及PS A帶34覆蓋整個元件形成表面，及黏附層39 形成在整個後表面上。但是熔融低介電常數絕緣薄膜的處 理並不侷限在此形式，當然也可以應用到黏附層形成在每 一半導體晶片的後表面上之例子，如此就不必切割黏附層 。而且，即使當半導體晶圓尙未分成半導體晶片時，可在 將半導體晶圓分成片狀之後或與此處理一起平行應用熔融 -36- (33) 1278943 低介電常數絕緣薄膜的上述處理。 【圖式簡單說明】 在附圖中： 圖1 A爲用於本發明的第一實施例之半導體晶圓的立 體圖； 圖1 B爲沿著圖1 A的線A-A部位之剖面圖； 圖2爲根據本發明的第一實施例之半導體製造裝置的 槪要配置之立體圖； 圖3 A爲用於圖2的半導體製造裝置之剝除機構和拾 取機構的晶圓吸取區之平面圖； 圖3 B爲沿著圖3 A的線3 Η - 3 Η部位之剖面圖； 圖4Α到4C爲圖2之半導體製造裝置的晶圓吸取區 和割開成片狀的半導體晶圓之間的位置關係平面圖； 圖5爲操作圖2之半導體製造裝置的剝除機構之剖面 圖； 圖6Α及6Β爲輔助板的配置例子圖； 圖7及8爲操作圖2之半導體製造裝置的拾取機構之 剖面圖； 圖9Α到9C爲一安裝拾起的半導體晶片之處理例子 的槪要圖； 圖]Ο Α到1 3 C爲其他安裝拾起的半導體晶片之處理 例子的剖面圖； 圖1 4 A爲用於本發明的第二實施例之半導體晶圓的 -37- (34) 1278943 立體圖； 圖14B爲沿著圖14A的線B_B部位之剖面圖； 圖15A到15C爲經由根據本發明的第二實施例之拾 取處理的剝除處理之處理剖面圖； 圖1 6 A爲用於本發明的第三實施例之半導體晶圓的 立體圖； 圖16B爲沿著圖16A的線C-C部位之剖面圖； 圖17A及17B爲根據本發明的第三實施例之剝除處 理和拾取處理的處理剖面圖； 圖1 8 A爲用於本發明的第四實施例之半導體晶圓的 立體圖； 圖18B爲沿著圖18A的線D-D部位之剖面圖； 圖19A到19C爲經由根據本發明的第四實施例之拾 取處理的剝除處理之處理剖面圖； 圖20A爲用於本發明的第五實施例之半導體晶圓的 立體圖； 圖20B爲沿著圖20A的線E-E部位之剖面圖； 圖2 1 A到2 1 C爲經由根據本發明的第五實施例之拾 取處理的剝除處理之處理剖面圖； 圖22 A爲用於本發明的第六實施例之半導體晶圓的 AL體圖， 圖22B爲沿著圖22A的線F-F部位之剖面圖； 圖23A到23C爲經由根據本發明的第六實施例之拾 取處理的剝除處理之處理剖面圖； -38- (35) 1278943 圖24A爲用於本發明的第七實施例之半導體晶圓的 立體圖； 圖24B爲沿著圖24A的線G-G部位之剖面圖； 圖2 5 A到2 5 C爲經由根據本發明的第七實施例之拾 取處理的剝除處理之處理剖面圖； 圖26A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖26B爲沿著圖26A的線26H-26H部位之剖面圖； 圖27A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖27B爲沿著圖27A的線27H-27H部位之剖面圖； 圖28A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖2 8 B爲沿著圖2 8 A的線2 8 Η - 2 8 Η部位之剖面圖； 圖29Α爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖29Β爲沿著圖29Α的線29Η-29Η部位之剖面圖； 圖3 Ο Α爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖3 0B爲沿著圖30A的線30H-30H部位之剖面圖； 圖3 1 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖3 1 B爲沿著圖3 1 A的線3 1 H-3 1 Η部位之剖面圖； 圖32Α爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 -39- (36) 1278943 一配置例子的平面圖； 圖32B爲沿著圖32A的線32H-32H部位之剖面圖； 圖3 3 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖33B爲沿著圖33A的線33H-33H部位之剖面圖； 圖3 4 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖34B爲沿著圖34A的線34H-34H部位之剖面圖； 圖3 5 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖35B爲沿著圖35A的線35H-35H部位之剖面圖； 圖3 6 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖36B爲沿著圖36A的線36H-36H部位之剖面圖； 圖3 7 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖3 7 B爲沿著圖3 7 A的線3 7 Η - 3 7 Η部位之剖面圖； 圖3 8 Α爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖38B爲沿著圖38A的線38H-38H部位之剖面圖； 圖3 9 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖39B爲沿著圖39A的線39H-39H部位之剖面圖； 圖40A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 -40- (37) 1278943 一配置例子的平面圖； 圖40B爲沿著圖40A的線40H-40H部位之剖面圖； 圖4 1 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖4 1 B爲沿著圖4 1 A的線4 1 Η - 4 1 Η部位之剖面圖； 圖4 2 Α爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖42B爲沿著圖42A的線42H-42H部位之剖面圖； 圖4 3 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖43B爲沿著圖43A的線43H-43H部位之剖面圖； 圖44A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖44B爲沿著圖44A的線44H-44H部位之剖面圖； 圖4 5 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖4 5B爲沿著圖45A的線45H-45H部位之剖面圖； 圖4 6 A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖46B爲沿著圖46A的線46H-46H部位之剖面圖； 圖47A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 一配置例子的平面圖； 圖47B爲沿著圖47A的線47H-47H部位之剖面圖； 圖48A爲不同於圖3之晶圓吸取區的配置例子之另 (38) 1278943 一配置例子的平面圖； 圖4 8 B爲沿著圖4 8 A的線4 8 Η - 4 8 Η部位之剖面圖； 圖49Α爲配備有用於本發明的半導體晶圓之晶圓環 的例子之立體圖； 圖4 9Β爲沿著圖49Α的線J-J部位之剖面圖； 圖5 Ο Α爲用於本發明的第八實施例之半導體晶圓的 立體圖； 圖50B爲沿著圖50A的線K-K部位之剖面圖； 圖5 1 A到5 1 D爲經由根據本發明的第八實施例之拾 取處理的剝除處理之處理剖面圖； 圖52A到圖52D及圖53爲比較例子的槪要圖； 圖54爲本發明的第八實施例之效果的槪要圖； 圖55爲自PSA帶拾取半導體晶片時習知拾取裝置的 必要組件之放大剖面圖； 圖56A到56B各自爲當半導體晶片的厚度是100//m 或更多時出現的裂痕之半導體晶片的剖面圖和平面圖； 圖57A及57B各自爲當半導體晶片的厚度是100// m 或更多時出現的另一裂痕之半導體晶片的剖面圖和平面圖 【主要元件符號說明】 1 :半導體晶片 2 :晶圓吸取區 2 -1 :吸取區域 2 - 2 :吸取區域 -42- (39) (39)1278943 2 - 3 :吸取區域 2 - 4 :吸取區域 2 - 5 :吸取區域 2 - 6 :吸取區域 2 - 7 :吸取區域 3 :支持台 4 :視訊相機 5 :引線框供應區 6 :引線框運送單元 7 :漿糊運送單元 8 :搭接頭 9 :引線框外殼區 1 〇 :吸取夾頭 1 1 :位置校正台 1 2 :搭接器具 13 :引線框 15 :拖盤 1 6 :印刷電路板 1 7 :熱塑性薄膜基底 1 8 : TAB 帶 1 9 a :加熱器具 1 9 b :加熱器具 20 :吸取單元 21 :剝除爪 -43- (40) 1278943
22 :輔助板 2 3 _ 1 :連接孔 23-2 :連接孔 2 3 - 3 :連接孔 2 3 - 4 :連接孔 2 3 - 5 :連接孔 2 3 - 6 :連接孔 23-7 :連接孔 24 :壓敏黏帶 2 5 A :真空管系統 2 5 B :真空管系統 26A :轉換閥 26B :轉換閥 2 6 C :轉換閥 26D :轉換閥 2 6 E :轉換閥 26F :轉換閥 26 G ：轉換閥 2 6 -1 :轉換閥 2 6 - 2 :轉換閥 26-3 :轉換閥 27A :真空泵 27B :真空泵 28 :板 -44- (41) (41)1278943 2 9 :黏附層 3 〇 :半導體晶片 3 1 :剝除爪 3 2 :輔助板 3 3 :支持台 3 4 :壓敏黏帶 3 5 :切割器具 3 6 :吸取夾頭 3 9 :黏附層 40 :半導體晶片 41 :剝除爪 42 :輔助板 4 3 ·支持台 44 :壓敏黏帶 46 :吸取夾頭 4 9 :黏附層 50 :半導體晶片 5 1 :剝除爪 5 2 :輔助板 5 3 :支持台 5 4 :壓敏黏帶 5 5 :切割器具 5 6 :吸取夾頭 5 9 :黏附層 -45- (42) (42)1278943 60 :半導體晶片 61 :剝除爪 62 :輔助板 6 3 :支持台 64 :壓敏黏帶 6 5 :切割器具 6 6 :吸取夾頭 6 9 :黏附層 70 :半導體晶片 71 :剝除爪 72 :輔助板 7 3 :支持台 74 :壓敏黏帶 75 :切割器具 7 6 :吸取夾頭 79 :黏附層 80 :半導體晶片 8 1 :剝除爪 8 2 :輔助板 8 3 :支持台 84 :壓敏黏帶 85 :切割器具 8 6 :吸取夾頭 8 9 :黏附層 -46- (43) (43)1278943 100 :半導體晶片 1 0 1 :壓敏黏帶 102 :推力針腳 102 :拾取針 103 :針腳支架 104 :備用支架 1 〇 5 :吸取夾頭 2 1 0 :低介電常數絕緣薄膜
-47-

Claims (1)

1278943 (1) 拾、申請專利範圍 1. 一種半導體製造裝置，包含： g 剝除機構，用以自半導體晶圓分出的簿數半導體晶片 構成之半導體晶圓剝除壓敏黏（P S A )帶，半導體晶圓具 有在其上形成元件的茜件形成表面及與元件形成表面相對 的後表面，P s A帶黏附於半導體晶圓的元件形成表面’每 一半導體晶片都具有形成在後表面上的黏附層； 其中該剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構 件之吸取區，該多孔構件在剝除p s A帶的方向被切割成 至少兩吸取區域。 2. —種半導體製造裝置，包含： 剝除機構，用以自半導體晶圓剝除壓敏黏（PSA )帶 ，半導體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表面’與元 件形成表面相對的後表面’及形成在整個後表面上的黏附 層，手導體晶圓被割開分成半導體晶片’ PSA帶黏附於半 導體晶圓的元件形成表面； 其中該剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構 件之吸取區及具有切割黏附層的切割裝置’該多孔構件在 剝除P S A帶的方向被切割成至少兩吸取區域。 3. —種半導體製造裝置，包含： 剝除機構，用以自半導體晶圓剝除壓敏黏（PSA )帶 ，半導體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表面，與盂 件形成表面相對的後表面，及形成在整_後表面上的黏附 層，PSA帶黏附於半導體晶圓的元件形成表面；、 1278943 (2) 其中該剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構 件之吸取區及具有將黏附層和半導體晶圓一起切割成半1 體〜晶片之切割裝置，該多孔構件在剝除PSA帶的方向被 切割成至少兩吸取區域。 4.根據申請專利範圍第2項之半導體製造裝置， 其中半導體晶圓另外具有形成在元件形成表面上的密 封樹脂及形成在密封樹脂上的低介電常數絕緣薄膜， PSA帶透過密封樹脂和低介電常數絕緣薄膜黏附於半 導體晶圓的元件形成表面，及 該半導體製造裝置另外包含加熱裝置以熔融至少部分 低介電常數絕緣薄膜及密封樹脂，以便固定低介電常數絕 緣薄膜在密封樹脂上。 5 .根據申請專利範圍第4項之半導體製造裝置， 其中該加熱裝置以20 °到40 °的入射角施加雷射到 半導體晶片的周圍邊緣加以熔融至少部分低介電常數絕緣 薄膜及密封樹脂。 6.—種半導體製造裝置，包含： 剝除機構，用以自半導體晶圓分出的複數半導體晶片 構成之半導體晶圓剝除壓敏黏（PSA )帶，每一半導體晶 片都具有在其上形成元件的其件形成表面及形成在元件形 g表面上的"黏附層，PSA帶透過黏附層黏附於半導麗晶圓 .的元件形成表面； 其中該剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構 件之吸取區，該多孔構件在剝除PSA帶的方向被切割成 -49- (3) 1278943 至少兩吸取區域。 7. —種半導體製造裝置，包含= 剝除機構，用以自半導體晶圓剝除壓敏黏（PSA )帶 ，半導體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表面及形成 在元件形成表面上的黏附層，PSA帶透過黏附層黏附於半 導體晶圓的元件形成表面； 其中該剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構 件之吸取區及具有將黏附層和半導體晶圓一起切割成半_導 體晶片之切割裝置，該多孔構件在剝除P S A帶的方向被 切割成至少兩吸取區域。 8. —種半導體製造裝置，包含： 剝除機構，用以自半導體晶圓剝除壓敏黏（PS A )帶 ，半導體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表面及#成_ 在整個元件形成表面上的黏附層，半導體晶圓被割開分成 半導體晶片，PSA帶透過黏附層黏附於半導體晶圓的元件 形成表面； ， 其中該剝除機構具有以吸取固定半導體晶圓的多孔構 件之吸取區及切割黏附層的切割裝置，該多孔構件在剝除 P S A帶的方向被切割成至少兩吸取區域。 9. 一種半導體製造裝置，包含： < 剝除機構，用以自具有在其上形成元件的元件形成表 面之半導體晶圓剝除PSA帶’ PSA帶黏附於半導體晶圓 的元件形成表面； _ _____________________________________其^虫^蓋定半^體晶ι的多孔構 -50- (4) 1278943 件之吸取區及具有將半導體晶圓切割成半導體晶片之切割 裝置，該多孔構件在剝除PSA帶的方向被切割成至少兩 吸取區域。 1 〇 .根據申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，另 外包含至少兩真空管系統以藉由吸取固定半導體晶圓，該 真空管被設置成與與該多孔構件的該吸取區域有關連並且 反應於剝除PSA帶的位置在其間選擇性開關。 1 1 ·根據申請專利範圍第1 〇項之半導體製造裝置， 其中當剝除PSA帶的位置接近相鄰吸取區域時，執 行該真空管的開關。 12·根據申請專利範圍第1項之半導體製造裝置， 其中PSA帶被固定於晶圓環。 13.根據申請專利範圍第1項之半導體製造裝置， 其中PSA帶的尺寸實際上等於或大於半導體晶圓的 直徑。 14·根據申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，另 外包含在剝除P S A帶之後以吸取固定每一半導體晶片及 拾取每一半導體晶片之吸取夾頭。 1 5 . —種製造半導體裝置之方法，包含： 自半導體晶圓分出的複數半導體晶片構成之半導體晶 圓剝除壓敏黏（PSA )帶，半導體晶圓具有在其上形成元 件的元件形成表面及與元件形成表面相對的後表面，及& 成在整個後表面上的黏附層，PSA帶黏附於半導體晶圓的 元件形成表面；每一半導體晶片具有形成在其後表面上的 -51 - (5) 1278943 黏附層； 其中該剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被 切割成至少兩吸取區域之多孔構件藉由經由與多孔構件的 吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶圓’ 當在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區域附 近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PSA帶部分 時，該吸取路徑被選擇性開關， 16,—種製造半導體裝置之方法，包含： • · 自被分成半導體晶片的半導體晶圓剝除壓敏黏（PSA )帶，半導體晶圓具有在其上形成元件的元件形成表面， 與元件形成表面相對的後表面，及形k在整個後表面上的 黏附層，PSA帶黏附於半導體晶圓的元件形成表面；及 切割黏附層，使得在剝除PSA帶之後爲每一半導體 晶片分開黏附層； 其中該剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被 /切割成至少兩吸取區域之多孔構件各自蒙由經由與多孔構 件的吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶 圓，當在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區 域附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之P S A帶 部分時，該吸取路徑被選擇性開關；及 反應於切割黏附層的狀態，平行於該至少兩吸取路徑 之間的開關實施該黏附層的切割。 17·—種製造半導體裝置之方法，包含： 自半導體晶圓剝除壓敏黏（P S A )帶，半導體晶圓具 -52- (6) 1278943 有在其上形成元件的元件形成表面，與元件形成表面相對 的後表面，及形成在整個後表面上的黏附層，PSA帶黏附 於半導體晶圓的元件形成表面；及 在剝除PSA帶之後，將黏附層和半導體晶圓一起切 割成半導體晶片； 其中該剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被 切割成至少兩吸取區域之多孔構件各自藉由經由與多孔構 件的吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶 圓，當在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區 域附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PSA帶 部分時，該吸取路徑被選擇性開關；及 反應於切割半導體晶圓和黏附層的狀態，平行於該至 少兩吸取路徑之間的開關實施該黏附層的切割。 18·根據申請專利範圍第16項之製造半導體裝置的方 法， 其中半導體晶圓另外具有形成在元件形成表面上之密 封樹脂及形成在密封樹脂上之低介電常數絕緣薄膜， P S A帶透過密封樹脂和低介電常數絕緣薄膜黏附於半 導體晶圓的元件形成表面，及 該製造半導體裝置的方法另外包含熔融至少部分低介 電常數絕緣薄膜和密封樹脂，以便固定低介電常數絕緣薄 膜在密封樹脂上。 19·一種製造半導體裝置之方法，包含·· 自半導體晶圓剝除壓敏黏（P S A )帶，半導體晶圓具 - 53- .4 (7) 1278943 有在其上形成元件的元件形成表面及歷成直元件形成表面： 上的黏附層，半導晶圓已被割開分成半導體晶片；及 一... ' ^ ....... . 在剝除PSA帶之後切割黏附層：，以便爲每一_半導體 晶片分開黏附層； 其中該剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被 \ 切割成至少兩吸取區域之多孔構件各自藉由經由與多孔構 件的吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶 圓，當在剝除P S Α帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區 域附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PSA帶 部分時，該吸取路徑被選擇性開關；及 反應於切割黏附層的狀態，平行於至少兩吸取路徑之 間的開關實施該黏附層的切割。 2 0.—種製造半導體裝置之方法，包含： 自半導體晶圓分出的複數半導體晶片構成之半導體晶 圓剝餘壓敏黏（PSA )帶，每一半導體晶片都具有在其上 、形成元件的元件形成表面及在元件形成表面上的黏附層’ ，SA帶透過黏附層黏附於半導體.晶圓； 其中該剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被 切割成至少兩吸取區域之多孔構件藉由經由與多孔構件的 吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶圓， 及 當在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區 域附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PS A帶 部分時，該吸取路徑在其間被選擇性開關。 -54- (8) 1278943 义1.一種製造半導體裝置之方法，包含： 自半導、體晶圓剝除壓敏黏（PSA )帶，半導體晶圓具 有在其上形成元件的元件形成表面及形成在元件形成表面 上的黏附層，P s A帶透過黏附層黏附於半導體晶圓的元件 形成表面；及 在剝除PSA帶之後，释黏附層和半導體晶圓一起切 割成半導體晶片； 其中該剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被 切割成至少兩吸取區域之多孔構件各自藉由經由與多孔構 件的吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶 圓，當在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區 / 域附近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PSA帶 部分時，該吸取路徑被選擇性開關；及 反應於切割黏附層和黏附層的狀態，平行於至少兩吸 取路徑之間的開關實施該半導體晶圓和黏附層的切割。 2 2.—種製造半導體裝置之方法，包含： 自半導體晶圓剝除壓敏黏（PSA )帶，PSA帶黏附於 半導體晶圓；及 在剝除PSA帶之後，將半導體晶圓切割成半導體晶 片； 其中該剝除PSA帶包括透過在剝除PSA帶的方向被 切割成至少兩吸取區域之多孔構件藉由經由與多孔構件的 吸取區域有關之至少兩吸取路徑的吸取固定半導體晶圓， 當在剝除PSA帶的方向於下一次剝除之相鄰吸取區域附 (9) 1278943 近剝除對應於該多孔構件的相鄰吸取區域之PSA帶部分 時，該吸取路徑在其間被選擇性開關；及 反應於切割半導體晶圓的狀態，行於至少兩吸取路 徑之間的開闢實施靨半導體晶圓的切割。 -23 .根據申請專利範圍第1 5項之製造半導體裝置的方 法， 其中複數通孔被設置在多孔構件上。 24 .根據申請專利範圍第1 5項之製造半導體裝置的方 法，另外包含在多孔構件的吸取區域和被分成半導體晶片 的半導體晶圓之間插入板，板子具有各自對應於半導體晶 片的吸取孔。 25.根據申請專利範圍第15項之製造半導體裝置的i 法，另外包含用以在剝除PSA帶之後利用吸取夾頭拾取 每一半導體晶片之吸取。 -56-
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