JP3129247B2 - 半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置 - Google Patents

半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置

Info

Publication number
JP3129247B2
JP3129247B2 JP20182697A JP20182697A JP3129247B2 JP 3129247 B2 JP3129247 B2 JP 3129247B2 JP 20182697 A JP20182697 A JP 20182697A JP 20182697 A JP20182697 A JP 20182697A JP 3129247 B2 JP3129247 B2 JP 3129247B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tape
chip
dicing
peeling
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP20182697A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1145934A (ja
Inventor
秀樹 水野
亨 北古賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP20182697A priority Critical patent/JP3129247B2/ja
Publication of JPH1145934A publication Critical patent/JPH1145934A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3129247B2 publication Critical patent/JP3129247B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling
    • H01L2221/6839Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のウェ
ハダイシングのテープ剥離装置に関し、特に、半導体装
置の製造装置中に表面にパンプが付いたチップをフェイ
スダウンにて組込む半導体装置のウェハダイシングのテ
ープ剥離装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図7(a)〜(g)は、従来技術を説明
するバンプ付きウェハのダイシングからチップ反転、テ
ープ剥離、反転チップのピックアツプまでの一連の工程
を示す断面図、図8(a)は、従来技術のテープ剥離工
程を説明する斜視図、(b)は、(a)の線A−A断面
図、図9は、従来技術の、ダイシングテープと不良チッ
プとを分離する分離装置の側面図、図10は、従来技術
の、ダイシングテープと不良チップとの分離装置におけ
る不具合を説明する側面図であって、(a)は、チップ
の長さがテープの屈曲半径よりも小である場合、(b)
は、チップの長さがテープの屈曲半径と同等である場合
を示す。
【0003】半導体装置は、半導体ウェハ(以下、ウェ
ハと呼ぶ)上に多数の半導体素子を形成し、ダイシング
にて個々の素子に分離し、分離して得られた半導体チッ
プ(以下、チップと呼ぶ)をリードフレームや基板等に
搭載し、チップの電極とリードあるいは配線部を電気的
に接続し、樹脂等にて封止することにより製造される。
【0004】近年、電子機器の小型軽量化に伴い、半導
体装置は小型薄型化を要求されている。
【0005】小型薄型化を実現するため、バンプを介し
て半導体チップをリードや配線部へ直接接続する方法が
ある。
【0006】バンプ接続の製造手順の1つとして、ウェ
ハ状態で電極上にバンプを形成し、ダイシング後、チッ
プを反転させ、チップ表面を下に向けてチップ裏面をコ
レットにて吸着保持し、チップ表面を下に向けたままリ
ードあるいは配線部の上に搭載し、熱圧着や超音波併用
熱圧着にてバンプ接続することが行われる。
【0007】ここで、効率良くチップを反転するため
に、次のようなダイシング方法が取られ、その工程の一
つにテープを剥離する工程がある。図7を使って説明す
る。
【0008】ウェハ裏面10bと第1フレーム7aに第
1UVテープ8aを貼りウェハ表面10sから高速で回
転するダイシングブレード12にてフルカットダイシン
グし、チップ13に分離する(図7(a)、(b))。
次に、第1UVテープ8a裏面から紫外線UVを照射
し、粘着力を低下させる(図7(c))。次にチップ1
3の表面側に第2UVテープ8bを貼付け、第1UVテ
ープ8aを剥がし取る(図7(d)、(e))。このよ
うにして、第2UVテープ8b上に裏面を上にしたチッ
プ13を整列させ、第2UVテープ8bの裏面から紫外
線を照射し粘着力を低下させる(図7(f))。この
後、チップ13の裏面側をコレット14にてピックアッ
プする(図7(g))。この後、図示しないがコレット
に保持されたチップをそのままリードや配線部上に搭載
し、熱圧着や超音波併用熱圧着にてパップ接続する。
【0009】この第1UVテープ8aを剥がす方法で
は、第2UVテープ8bとの粘着力の差により行なって
いる。
【0010】ここでの問題を図8を使って説明する。図
8は図7(e)の工程の途中状態に相当する。図8
(a)は斜視図、図8(b)は断面図である。
【0011】ここでの問題点は、第1UVテープ8aを
剥がす時、チップ13にかかる負荷が一定せず、チップ
13とパンプ11が剥離したり、第2UVテープ8bか
ら浮き上がってチップ13が不整列になることである。
その理由は、粘着力の面内ばらつきのため、剥がれ易い
部分から第1UVテープ8aが剥がれ、剥がれる境界線
15が一定しないため、また第2UVテープ8bも引張
られてチップ13の上下方向の位置が不安定であるの
で、各チップ13ごとにかかる負荷の大きさと方向がま
ちまちになるからである。
【0012】テープの剥がれる境界線15を一定にする
方法の従来例としては、実開昭63−093641があ
る。図9に従来例の側面図を示す。
【0013】この従来例では、不良チップ26が貼付け
されたダイシングテープ25を、途中で屈曲させて移動
させるように案内するテープガイド部21と、ダイシン
グテープ25が屈曲する位置でテープガイド部21の前
方に設けられ、テープの屈曲に追随できなくて直進する
チップ26を、テープ25側に曲がらないように押さえ
るチップサポート部23を具備している。
【0014】ダイシングテープ25をテープガイド部2
1に沿って移動させると、テープガイド部21の下画2
1aから上面21bの間でダイシングテープ25は屈曲
する。ダイシングテープ25上に貼付けられた不良チッ
プ26は、前記の屈曲位置でダイシングテープ25の移
動に追随できず、さらにチップサポート23にて押さえ
られてダイシングテープ25から剥がれて受け皿24に
落ちる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術における問
題点は2つある。図9に問題点の状態の断面図を示し、
以下に説明する。
【0016】第1の問題点は、テープの屈曲する曲率半
径に対してチップサイズが小さい場合、チップ26aの
角がチップサポート部23に当たることである(図9
(a))。
【0017】その理由は、テープガイド下面21aと上
面21bの境界で、チップ26aがテープ25に追随し
ようとしてテープ25の屈曲に沿って傾くためである。
【0018】第2の問題点は、テ―プの屈曲する曲率半
径に対してチップサイズが同程度の場合、テープ25が
屈曲する付近でテープ25がテープガイド下画21bに
沿らず、スムーズにテープ25を剥がすことができない
ことである(図9(b))。
【0019】その理由は、チップ26bが貼付けられた
側のテープがテープガイド21の下面21bにしかガイ
ドされていないため、テープ25が屈曲する付近におい
ては、チップ26bがテープ25に追随しようとする作
用によってテープ屈曲付近を支点にチップ26bが傾
き、テープ25がテープガイド下面21bから離れるか
らである。
【0020】そこで、本発明の主な目的の第1は、テー
プをチップから剥がす際のテープ屈曲率半径とチップサ
イズによらずテープを安定的に剥がす装置を提供するこ
とであり、第2の目的は、ウェハダイシングラインに対
してテープを剥す方向を任意選択できるテープ剥離装置
を提供することである。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の半導体ウ
ェハダイシングのテープ剥離装置は、ウェハ裏面に第1
UVテープを貼りウェハ表面からフルカットダイシング
し、第1UVテープ裏面から紫外線を照射し粘着力を低
下させ、チップ表面側に第2UVテープを貼り付け、第
1UVテープを剥がす半導体ウェハダイシングのテープ
剥離装置において、ベーステーブルと、剥離される側の
第1UVテープを押さえるテープ押さえ手段と、チップ
を残す側の第2UVテープを支えるテープ支え手段と、
テープ支え手段をテープ押さえ手段位置に対して相対的
に移動する手段と、テープ引張り手段と、移動手段と引
張り手段とを同期させて駆動する制御装置と、テープ支
え手段を任意の角度に回転させ固定する回転手段と、
有することを特徴としている。
【0022】
【0023】本発明の第2の半導体ウェハダイシングの
テープ剥離装置は、ウェハ裏面に第1UVテープを貼り
ウェハ表面からフルカットダイシングし、第1UVテー
プ裏面から紫外線を照射し粘着力を低下させ、チップ表
面側に第2UVテープを貼り付け、第1UVテープを剥
がす半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置におい
て、ベーステーブルと、チップを残す側の第2UVテー
プを支えるテープ支え手段と、最低3個のローラを1組
として構成し、うち2個のローラで押さえながら第1U
Vテープを端から挟み込み剥離するテープ押え・引張り
手段と、テープ支え手段をテープ押さえ手段位置に対し
て相対的に移動する手段と、を有することを特徴として
いる。
【0024】前項の剥離装置に対し、さらに、移動手段
と引張り手段とを同期させて駆動する制御装置を有する
もの、またはテープ支え手段を任意の角度に回転させ固
定する回転手段を有するもの、あるいは上述の制御装置
と回転手段の両者を有するものも好ましい。
【0025】さらに補足して述べれば、本発明の半導体
ウェハダイシングのテープ剥離装置は、チップを押さ
え、かつテープ剥離境界ラインを直線に保つものであ
り、テープ押さえ手段あるいはテープ支え手段のどちら
か一方がベーステーブルに固定され、もう一方がベース
テーブル平面上を直線的に移動する。テープ押さえ手段
が剥離されるテープと接触してできる接線は、テープ押
さえ手段とテープ支え手段の相対的移動方向と垂直であ
る。そしてテープ引張り手段は、ベーステーブル上に固
定され、剥離されるテープの端を保持し、テープを引張
る。また、ウェハダイシングラインに対して任意の角度
でテープ剥離境界線を設定することも別の特徴点であ
る。
【0026】次に、本発明の装置の作用について述べ
る。
【0027】剥離されるテープの上からチップを挟み込
み押さえ、かつテープ剥離境界ラインを直線に保ちなが
ら、テープの剥離を速続的に行なう。したがって、テー
プ剥離途中のチップを別の手段で押さえる必要がない。
また、回転手段は、テープ支え手段上の2つのフレーム
を回転させ任意の位置に固定する。したがって、ダイシ
ングラインに対して任意の角度でテープ剥離境界線を選
択できるので、各チップに対するテープ剥離開始の剥離
境界線分を最短にすることができ、テープ剥離開始時に
各チップに作用する引き剥がす力を最小にすることがで
きる。
【0028】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【0029】図1(a)は、本発明のテープ剥離装置の
一実施形態例の斜視図、(b)は、(a)の線A−A’
断面図、図2(a)は、本実施形態例におけるテープ剥
離方向がウェハのダイシングラインの一方向に一致する
場合の平面図、(b)は、(a)の拡大平面図、(c)
は、テープ剥離方向がウェハのダイシングラインの両方
向に対し45゜方向である場合の平面図、(d)は、
(c)の拡大平面図、図3(a)は、本実施形態例の主
要部の平面図、(b)は、(a)の線A−A’断面
図、。図4は、図3(a)の線B−B’断面図、図5
は、本実施形態例の全体側面図である。
【0030】図1を参照すると、本発明の最良の実施の
形態は、べ−ステーブル1と、剥離される側のテープ押
さえ手段2と、チツプ13を残す側のテープ支え手段
(テープ支えステージ)3と、テープ支え手段3をテー
プ押さえ手段2の位置に対して相対的に移動する移動手
段4と、テープ引張り手段5で構成される。
【0031】また、移動手段4とテープ引張り手段5を
同期して駆動する制御手段(図1では不図示)も構成要
素であり、さらに、テープ支え手段(テープ支えステー
ジ)3も含めて第1フレーム7a、第2フレーム7bを
任意の角度に設定し、固定できる回転手段6も構成要素
である。
【0032】テープ支え手段3上には、剥離されるテー
プ8aが固定された第1フレーム7aとチツプを残す側
のテープが固定された第2フレーム7bとを重ねて搭載
される。テープ支え手段3は回転手段6を介して移動手
段4の上に設置され、移動手段4はベーステーブル1の
上に設置され、テープ押さえ手段2はベーステーブル1
に固定される。
【0033】なお、テープ押さえ手段2、テープ支え手
段3および移動手段4は、他の構成関係であっても良
い。すなわち、テープ押さえ手段2は移動手段4の上に
固定され、移動手段4はベーステーブル1に設置され、
テープ支え手段3は回転手段6を介してベーステーブル
に設置される構成関係である。
【0034】移動手段4やテープ引張り手段5は、モー
タ4d,5dによるボールねじ4bやベルト(不図示)
やワイヤ5bの駆動、あるいは他の直線駆動源で実現す
る。回転手段6は、ボールベアリング6aやクランパ6
bなどを用いてテープ支え手段3を手動で回転・固定す
ることで実現してもよいし、テープ支え手段3をモータ
にて回転位置決めすることで実現してもよい。
【0035】次に、本発明の実施の形態の動作につい
て、図1、図2および前述従来技術の図7を参照して説
明する。
【0036】従来技術にて説明した図7(a)〜(d)
のように、ウェハ裏面10bに第1UVテープ8aを貼
りウェハ表面から高速で回転するダイシングブレード1
2にてフルカットダイシングし、チツプ13に分離し、
次に第lUVテープ8a裏面から紫外線を照射し粘着カ
を低下させ、次にチップ表面側に第2UVテープ8bを
貼付ける。
【0037】この後、図1のテープ剥離装置で第1UV
テープ8aを剥がし取る。まず、テープ支え手段3上
に、第2UVテープ8bと第2フレーム7bとを下にし
第1UVテープ8aと第1フレーム7aとを上にして搭
載する。次に、回転手段6に載ったテープ支え手段3も
含めて第1フレーム7a、第2フレーム7bをダイシン
グライン16に対して任意の角度に回転させ、固定させ
る。次に、テープ押さえ手段2を第1UVテープ8aの
上から押さえつけ、テープ支え手段3との間に第2UV
テープ8bとチップ13とを挟み込む。次に、第1UV
テープ8aのテープ剥離開始側(図1では左側)を第1
フレーム7aから剥がし、テープ引張り手段5に固定す
る。次に、テープ引張り手段5で第1UVテープ8aを
引張るとともに、テープ押さえ手段2に対して、テープ
支え手段3を乗せた移動手段4を相対的に移動する。
【0038】このようにして、チップ13を押さえ、か
つテープ剥離境界線15を直線に保ちながら第1UVテ
ープ8aを剥離する。
【0039】この後は、図7(f)〜(g)のように、
第2UVテープ8b上に裏面を上にしたチップ13を整
列させた状態で第2UVテープ8bの裏面から紫外線を
照射し粘着力を低下させ、さらにチップ13の裏面側を
コレットl4にてピックアップする。
【0040】次に、本実施形態の実施例について図3な
いし図5を参照して詳細に説明することとする。
【0041】図3〜図5を参照すると、本発明の実施例
は、ベーステーブル1、テープ押さえ2a、テープ押さ
え支柱2b、テープ支えステージ3、Xテーブル4a、
ボールねじ4b、ジョイント4c、モータ4d、ボール
ねじ支柱4e、ガイドレール4f、テープクランプ5
a、ワイヤ5b、プーリ5c、5c’、モータ5d、モ
ータ設置台5e、ガイドレール5f、ベアリング6a、
クランパ6bおよび制御手段17で構成される。
【0042】テープ支えステージ3は、剥離される第1
UVテーブ8a、第1フレーム7a、第2UVテープ8
bおよび第2フレーム7bを搭載する。テープ支えステ
ージ3の中央部分は凸状であり、凸状上面の平坦部で第
2UVテープに接触して支える。
【0043】ガイドレール4fは、べ−ステーブル1上
のX方向に向けて設置され、Xテーブル4aはボールね
じ4bを通しガイドレール4fの上に設置される。ボー
ルねじ4bはX方向に向けてボールねじ支柱4eで支持
され、ジョイント4cでモータ4dの回転軸と接続され
る。モータ4dの回転により、Xテーブル4aがX方向
に駆動される。
【0044】テープクランプ5aは第1UVテープ8a
の端をくわえ、ワイヤ5bの一方端に固定され、ガイド
レール5fでガイドされる。プーリ5cはワイヤ5bを
支え、プーリ5c’は中心をモータ5dの回転軸に固定
され、外周部にワイヤ5bのもう一方端を固定する。モ
ータ5dを駆動するとワイヤ5bがプーリ5c’に巻き
取られ、テープクランプ5aを引張り、したがって第1
UVテープ8aを引張ることになる。
【0045】ベアリング6aは、テープ支えステージ3
をXテーブル4の上で垂直方向に軸を持つ回転体となる
ように設定される。また、クランパ6bはXテーブル4
aとテープ支えステージ3の間を任意の角度位置に固定
する。このようにして、ウェハダイシングライン16に
対して任意の角度でテープ剥離境界線を設定できる。本
実施例の設定では、クランパ6bはねじ式であるが、他
の固定方法でもよい。
【0046】制御手段17は、モータ4dとモータ5d
を同期させて駆動制御する。具体的には、各モータに回
転角度を読み取るためのエンコーダを設置し、フィード
バック制御する。モータ4dの回転を一定にして、モー
タ5dは一定トルクをかける。モータ4dの回転に伴い
モータ5dの回転も進むことを確認しながら、モータ4
dを回転させる。このようにして、剥離される第1UV
テープ8aに、常に引張り力をかける。
【0047】次に、本発明の第2の実施の形態について
説明する。
【0048】図6は本発明の第2の実施の形態例の断面
図である。
【0049】図6では、図1におけるテープ押さえ手段
2とテープ引張り手段5を、一つの手段すなわちテープ
押さえ・引張り手段9にて実現している。テープ押さえ
・引張り手段9は、最低3個のローラで構成される。テ
ープ押さえ・引張り手段9をべ−ス1に対して固定し、
移動手段4をべ―ス1に設置する。移動手段4はX方向
ヘ移動する。
【0050】テープ押さえ・引張り手段9が第1UVテ
ープ8aの上から押さえ、下から第1UVテープ8aの
図6における左側端をローラ9aとローラ9cの間を通
し、さらにローラ9bとローラ9cの間を通す。ローラ
9aとローラ9cおよびローラ9bとローラ9cで第1
UVテープ8aを挟み込み、ローラ9cを図6における
反時計回りに、ローラ9a、9bを図6における時計回
りに回転させる。図示しないが、回転は、モーダ駆動に
より行なう。これにより、チップ13を押さえながら第
1UVテープ8aを剥がす。
【0051】本実施の形態では、テープ押さえとテープ
引張りを同一手段にて行うので、テープ剥離境界線から
テープを引張る作用点までの距離が常に一定であるの
で、テープに掛かる引張り力が一定となり、より安定し
た条件でテープの剥離をすることができる。
【0052】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明は、剥離する
テープとチップを挟み込み押さえ、かつテープ剥離境界
ラインを直線に保ちながら、テープの剥離を連続的に行
なう構造とすること、およびテープ支え手段と2つのフ
レームを回転手段により任意の角度に回転させ固定する
構造とすることにより、テープをチップから剥がす際の
テープ屈曲率半径とチツプサイズによらずテープを安定
的に剥がし、テープ剥離途中のチップを別の手段で押さ
える必要がなく、またダイシングラインに対してテープ
を剥がす方向を任意選択でき、各チップに対するテープ
剥離開始の剥離境界線分を最短にすることがで、これに
より、テープ剥離開始時に各チップに作用する引き剥が
す力を最小にする、半導体ウェハダイシングのテープ剥
離装置を提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、本発明のテープ剥離装置の一実施形
態例の斜視図、(b)は、(a)の線A−A’断面図で
ある。
【図2】(a)は、本実施形態例におけるテープ剥離方
向がウェハのダイシングラインの一方向に一致する場合
の平面図、(b)は、(a)の拡大平面図、(c)は、
テープ剥離方向がウェハのダイシングラインの両方向に
対し45゜方向である場合の平面図、(d)は、(c)
の拡大平面図である。
【図3】(a)は、本実施形態例の主要部の平面図、
(b)は、(a)の線A−A’断面図である。
【図4】図3(a)の線B−B’断面図である。
【図5】本実施形態例の全体側面図である。
【図6】第2の実施形態例の断面図である。
【図7】(a)〜(g)は、従来技術を説明するバンプ
付きウェハのダイシングからチップ反転、テープ剥離、
反転チップのピックアツプまでの一連の工程を示す断面
図である。
【図8】(a)は、従来技術のテープ剥離工程を説明す
る斜視図、(b)は、(a)の線A−A’断面図であ
る。
【図9】従来技術の、ダイシングテープと不良チップと
を分離する分離装置の側面図である。
【図10】従来技術の、ダイシングテープと不良チップ
との分離装置における不具合を説明する側面図であっ
て、(a)は、チップの長さがテープの屈曲半径よりも
小である場合、(b)は、チップの長さがテープの屈曲
半径と同等である場合を示す。
【符号の説明】
1 ベーステーブル 2 テープ押さえ手段 2a テープ押さえ 2b テープ押さえ支柱 3 テープ支え手段(テープ支えステージ) 4 移動手段 4a Xテーブル 4b ボールねじ 4c ジョイント 4d,5d モータ 4e ボールねじ支柱 4f,5f ガイドレール 5 テープ引張り手段 5a テープグランプ 5b ワイヤ 5c,5c’ プーリ 5e モータ設置台 6 回転手段 6a ベアリング 6b クランパ 7a 第1フレーム 7b 第2フレーム 8a 第1UVテープ 8b 第2UVテープ 9 テープ押さえ・引張り手段 9a,9b,9c ローラ 10 ウェハ 10b ウェハ背面 10s ウェハ主面 11 バンプ 12 ダイシングブレード 13 チップ 14 コレット 15 テープ剥離境界線 16 ダイシングライン I7 制御手段 21 テープガイド部 21a 下面 21b 上面 22 隙間 23 チップサポート部 24 受皿 25 ダイシングテープ 26 不良チップ 26a テープ屈曲半径より小さい長さのチップ 26b テープ屈曲半径と同等の長さのチップ UV 紫外線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 H01L 21/301

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェハ裏面に第1UVテープを貼りウェ
    ハ表面からフルカットダイシングし、第1UVテープ裏
    面から紫外線を照射し粘着力を低下させ、チップ表面側
    に第2UVテープを貼り付け、第1UVテープを剥がす
    半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置において、 ベーステーブルと、 剥離される側の第1UVテープを押さえるテープ押さえ
    手段と、 チップを残す側の第2UVテープを支えるテープ支え手
    段と、 前記テープ支え手段を前記テープ押さえ手段位置に対し
    て相対的に移動する手段と、 テープ引張り手段と 前記移動手段と前記引張り手段とを同期させて駆動する
    制御装置と、 前記テープ支え手段を任意の角度に回転させ固定する回
    転手段と、 を有することを特徴とする半導体ウェハダイシングのテ
    ープ剥離装置。
  2. 【請求項2】 ウェハ裏面に第1UVテープを貼りウェ
    ハ表面からフルカットダイシングし、第1UVテープ裏
    面から紫外線を照射し粘着力を低下させ、チップ表面側
    に第2UVテープを貼り付け、第1UVテープを剥がす
    半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置において、 ベーステーブルと、 チップを残す側の第2UVテープを支えるテープ支え手
    段と、 最低3個のローラを1組として構成し、うち2個のロー
    ラで押さえながら第1UVテープを端から挟み込み剥離
    するテープ押え・引張り手段と、 前記テープ支え手段を前記テープ押さえ手段位置に対し
    て相対的に移動する手段と、を有することを特徴とする
    半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置。
  3. 【請求項3】 前記移動手段と前記引張り手段とを同期
    させて駆動する制御装置を有する、請求項2記載の半導
    体ウェハダイシングのテープ剥離装置。
  4. 【請求項4】 前記テープ支え手段を任意の角度に回
    転させ固定する回転手段を有する、請求項2記載の半導
    体ウェハダイシングのテープ剥離装置。
  5. 【請求項5】 前記移動手段と前記引張り手段とを同期
    させて駆動する制御装置、及び前記テープ支え手段を任
    意の角度に回転させ固定する回転手段を有する、請求項
    2記載の半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置。
JP20182697A 1997-07-28 1997-07-28 半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置 Expired - Fee Related JP3129247B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20182697A JP3129247B2 (ja) 1997-07-28 1997-07-28 半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20182697A JP3129247B2 (ja) 1997-07-28 1997-07-28 半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1145934A JPH1145934A (ja) 1999-02-16
JP3129247B2 true JP3129247B2 (ja) 2001-01-29

Family

ID=16447545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20182697A Expired - Fee Related JP3129247B2 (ja) 1997-07-28 1997-07-28 半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3129247B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345368A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Fujitsu Ltd 半導体チップ剥離・搬送方法及び装置
JP4502547B2 (ja) * 2000-08-07 2010-07-14 日東電工株式会社 半導体ウエハの保護テープ除去方法およびその装置
KR100856596B1 (ko) * 2001-06-11 2008-09-03 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 불요물 제거방법 및 그 장치
SG116533A1 (en) * 2003-03-26 2005-11-28 Toshiba Kk Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device.
JP4600033B2 (ja) * 2004-12-20 2010-12-15 株式会社デンソー 保護シートの剥離治具
JP2010118588A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Disco Abrasive Syst Ltd 保護テープの剥離方法
KR101187230B1 (ko) 2012-03-02 2012-10-09 (주)에프에스티 터치패널 리페어 장치
EP3598480B1 (en) * 2018-07-18 2020-09-23 Infineon Technologies AG Device and method for debonding a structure from a main surface region of a carrier

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1145934A (ja) 1999-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3737118B2 (ja) 半導体ウエハの保護粘着テープの剥離方法およびその装置
JP3504543B2 (ja) 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
JP2003264203A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3129247B2 (ja) 半導体ウェハダイシングのテープ剥離装置
US8137050B2 (en) Pickup device and pickup method
JP4452549B2 (ja) ウエハ処理装置
JP2007042996A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
KR20040086577A (ko) 반도체장치의 제조방법
JPH11150133A (ja) 半導体素子の搭載方法及びそのシステム、半導体素子分離装置並びにicカードの製造方法
JPH11297793A (ja) チップ突き上げ装置及びそれを用いたダイボンディング装置
JP2007057957A (ja) Acf貼り付け方法及びacf貼り付け装置
US20100276074A1 (en) Method for Sticking Tape
JP4780858B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4202376B2 (ja) 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP3592838B2 (ja) Tab部品の圧着装置
JP3235012B2 (ja) ダイ移送装置
JPH11330010A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003338477A (ja) テープ剥離方法
JP3129165B2 (ja) 異方性導電テープの貼着装置及び貼着方法
JP3114274B2 (ja) バンプ電極形成方法
US11961819B2 (en) Wire bonding apparatus
WO2023042333A1 (ja) ピンワイヤ形成方法、及びワイヤボンディング装置
JP2001332585A (ja) チップ本圧着方法及びその装置
JPS5925377B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH05299425A (ja) ボールバンプボンダ

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071117

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees