JPH11330010A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11330010A JPH11330010A JP13339898A JP13339898A JPH11330010A JP H11330010 A JPH11330010 A JP H11330010A JP 13339898 A JP13339898 A JP 13339898A JP 13339898 A JP13339898 A JP 13339898A JP H11330010 A JPH11330010 A JP H11330010A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 テープファインピッチボールグリッドアレイ
によるＣＳＰ型半導体装置の製造方法において、ダイシ
ングテープと封止樹脂との間に気泡が発生することを防
止し、歩留りを向上させる。 【解決手段】 一方の面側に複数の半導体チップが搭載
され、他方の面側に半田ボールが形成されたポリイミド
テープ１０を、シリコンゴムシート２２上に載置する。
その上に、ダイシングテープ２６を取り付けたフレーム
２５を配置し、シリコンゴムローラーをダイシングテー
プ２６の上に押し当てて一方向に移動させ、ダイシング
テープ２６を封止樹脂１４に接合する。この場合、フレ
ーム２５を支持する圧縮ばね２３ａ〜２３ｃは、ローラ
ー移動方向に沿って順次ばね定数が大きいものを配置す
る。
によるＣＳＰ型半導体装置の製造方法において、ダイシ
ングテープと封止樹脂との間に気泡が発生することを防
止し、歩留りを向上させる。 【解決手段】 一方の面側に複数の半導体チップが搭載
され、他方の面側に半田ボールが形成されたポリイミド
テープ１０を、シリコンゴムシート２２上に載置する。
その上に、ダイシングテープ２６を取り付けたフレーム
２５を配置し、シリコンゴムローラーをダイシングテー
プ２６の上に押し当てて一方向に移動させ、ダイシング
テープ２６を封止樹脂１４に接合する。この場合、フレ
ーム２５を支持する圧縮ばね２３ａ〜２３ｃは、ローラ
ー移動方向に沿って順次ばね定数が大きいものを配置す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージサイズ
を半導体チップサイズとほぼ同じとしたチップサイズパ
ッケージ型半導体装置の製造方法に関する。
を半導体チップサイズとほぼ同じとしたチップサイズパ
ッケージ型半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高密度実装の要求か
ら、ＱＦＰ（quad flat package ）に替わってテープフ
ァインピッチボールグリッドアレイ（tape fine-pitch
ball grid array ：以下、「ＴＦＢＧＡ」という）やプ
ラスチックファインピッチボールグリッドアレイ（plas
tic fine-pitch ball grid array：ＰＦＢＧＡ）等の技
術を使用した半導体装置が広く使用されるようになっ
た。これらの技術では、半導体チップを搭載したエポキ
シ基板又はポリイミドテープの裏面側に多数の微細な半
田ボールをグリッド状に設けて、これらの半田ボールに
より半導体装置をプリント基板上に実装する。
ら、ＱＦＰ（quad flat package ）に替わってテープフ
ァインピッチボールグリッドアレイ（tape fine-pitch
ball grid array ：以下、「ＴＦＢＧＡ」という）やプ
ラスチックファインピッチボールグリッドアレイ（plas
tic fine-pitch ball grid array：ＰＦＢＧＡ）等の技
術を使用した半導体装置が広く使用されるようになっ
た。これらの技術では、半導体チップを搭載したエポキ
シ基板又はポリイミドテープの裏面側に多数の微細な半
田ボールをグリッド状に設けて、これらの半田ボールに
より半導体装置をプリント基板上に実装する。
【０００３】また、近年、半導体装置のパッケージのよ
り一層の小型化が要求されており、半導体チップサイズ
とほぼ同じ大きさのパッケージ（chip scale package：
以下、ＣＳＰという）の半導体装置の製造方法が開発さ
れている。図６（ａ）は従来のＴＦＢＧＡによるＣＳＰ
型半導体装置の製造方法の一例を示す断面図、図６
（ｂ）は同じくその平面図である。
り一層の小型化が要求されており、半導体チップサイズ
とほぼ同じ大きさのパッケージ（chip scale package：
以下、ＣＳＰという）の半導体装置の製造方法が開発さ
れている。図６（ａ）は従来のＴＦＢＧＡによるＣＳＰ
型半導体装置の製造方法の一例を示す断面図、図６
（ｂ）は同じくその平面図である。
【０００４】まず、所定の配線パターン、電極パッド
（いずれも図示せず）及び半田ボール３１が形成された
ポリイミドテープ３０上に半導体チップ３２を搭載す
る。なお、ポリイミドテープ３０には、図６（ｂ）に示
すように、半導体チップ３２を囲むようにして開口部３
０ａ設けられている。次に、半導体チップ３２の電極パ
ッドとポリイミドテープ３０上に形成された電極パッド
とをボンディングワイヤ３３により電気的に接続する。
そして、エポキシ樹脂等の封止樹脂３４により、半導体
チップ３２及びボンディングワイヤ３３を封止する。
（いずれも図示せず）及び半田ボール３１が形成された
ポリイミドテープ３０上に半導体チップ３２を搭載す
る。なお、ポリイミドテープ３０には、図６（ｂ）に示
すように、半導体チップ３２を囲むようにして開口部３
０ａ設けられている。次に、半導体チップ３２の電極パ
ッドとポリイミドテープ３０上に形成された電極パッド
とをボンディングワイヤ３３により電気的に接続する。
そして、エポキシ樹脂等の封止樹脂３４により、半導体
チップ３２及びボンディングワイヤ３３を封止する。
【０００５】次いで、プレス金型により、ポリイミドテ
ープ３０の開口部３０ａ間を切断する。これにより、Ｃ
ＳＰ型半導体装置が完成する。
ープ３０の開口部３０ａ間を切断する。これにより、Ｃ
ＳＰ型半導体装置が完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法では、プレス金型によりポリイミドテープ３０を切
断する際に、ポリイミドテープ３０がプレス金型により
押圧されて湾曲し、図７に示すようにチップ周辺部でポ
リイミドテープ３０と封止樹脂３４とが剥離してしまう
ことがある。このため、プレス金型で各半導体装置を分
離する方法では、歩留りが低いという問題点がある。
方法では、プレス金型によりポリイミドテープ３０を切
断する際に、ポリイミドテープ３０がプレス金型により
押圧されて湾曲し、図７に示すようにチップ周辺部でポ
リイミドテープ３０と封止樹脂３４とが剥離してしまう
ことがある。このため、プレス金型で各半導体装置を分
離する方法では、歩留りが低いという問題点がある。
【０００７】上記の問題点を解消するために、ウェハの
切断に使用するダイシング装置を用いてポリイミドテー
プを切断することも考えられる。この場合、各封止樹脂
３４にダイシングテープを貼り付ける必要があるが、Ｔ
ＦＢＧＡの場合は剛性が低いポリイミドテープを使用し
ており、且つ、各半導体チップを封止する封止樹脂が連
続していないため、ダイシングテープを封止樹脂に密着
させることが難しく、ダイシングテープと封止樹脂との
間に気泡が発生しやすい。ダイシングテープと封止樹脂
との間に気泡が発生すると、ダイシングブレードの破損
の原因になったり、ダイシングテープを剥離した後に封
止樹脂の表面にしみが残るなどの不具合が発生する。
切断に使用するダイシング装置を用いてポリイミドテー
プを切断することも考えられる。この場合、各封止樹脂
３４にダイシングテープを貼り付ける必要があるが、Ｔ
ＦＢＧＡの場合は剛性が低いポリイミドテープを使用し
ており、且つ、各半導体チップを封止する封止樹脂が連
続していないため、ダイシングテープを封止樹脂に密着
させることが難しく、ダイシングテープと封止樹脂との
間に気泡が発生しやすい。ダイシングテープと封止樹脂
との間に気泡が発生すると、ダイシングブレードの破損
の原因になったり、ダイシングテープを剥離した後に封
止樹脂の表面にしみが残るなどの不具合が発生する。
【０００８】本発明は、ＴＦＢＧＡによるＣＳＰ型半導
体装置の製造方法において、ダイシングテープと封止樹
脂との間に気泡が発生することが回避でき、歩留りを向
上できる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
体装置の製造方法において、ダイシングテープと封止樹
脂との間に気泡が発生することが回避でき、歩留りを向
上できる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、一方の
面側に複数の接合用ボールが形成され、他方の面側に封
止樹脂で封止された複数の半導体チップが搭載された樹
脂テープを用意する工程と、前記樹脂テープをシート上
に載置し、その上に複数の弾性体により支持されたダイ
シングテープ付きフレームを配置する工程と、前記ダイ
シングテープの上からローラーを押し当て一方向に移動
させて、前記ダイシングテープを前記封止樹脂に接合す
る工程と、ダイシングブレードにより各半導体チップ間
を切断する工程とを有し、前記複数の弾性体は前記ロー
ラーの移動する方向に沿って順次弾性係数が大きいもの
を配置することを特徴とする半導体装置の製造方法によ
り解決する。
面側に複数の接合用ボールが形成され、他方の面側に封
止樹脂で封止された複数の半導体チップが搭載された樹
脂テープを用意する工程と、前記樹脂テープをシート上
に載置し、その上に複数の弾性体により支持されたダイ
シングテープ付きフレームを配置する工程と、前記ダイ
シングテープの上からローラーを押し当て一方向に移動
させて、前記ダイシングテープを前記封止樹脂に接合す
る工程と、ダイシングブレードにより各半導体チップ間
を切断する工程とを有し、前記複数の弾性体は前記ロー
ラーの移動する方向に沿って順次弾性係数が大きいもの
を配置することを特徴とする半導体装置の製造方法によ
り解決する。
【００１０】以下、作用について説明する。本発明にお
いては、封止樹脂で封止された半導体チップを搭載した
樹脂テープの上方に、ばね又はゴム等の弾性体により支
持されたダイシングテープ付きフレームを配置する。そ
して、ダイシングテープの上側からローラーを押し当て
て該ローラーを一方向に移動させることにより、ダイシ
ングテープと封止樹脂とを接合する。このとき、前記フ
レームを支持する複数の弾性体の弾性係数が、ローラー
の移動する方向に沿って順次大きくなるように設定され
ているので、ローラーの移動にしたがってダイシングテ
ープが一方の側から封止樹脂の表面に徐々に接触し、ダ
イシングテープと封止樹脂との間の空気を押し出すよう
にしてダイシングテープが封止樹脂に接合する。これに
より、ダイシングテープと封止樹脂との間に気泡が発生
することが回避される。
いては、封止樹脂で封止された半導体チップを搭載した
樹脂テープの上方に、ばね又はゴム等の弾性体により支
持されたダイシングテープ付きフレームを配置する。そ
して、ダイシングテープの上側からローラーを押し当て
て該ローラーを一方向に移動させることにより、ダイシ
ングテープと封止樹脂とを接合する。このとき、前記フ
レームを支持する複数の弾性体の弾性係数が、ローラー
の移動する方向に沿って順次大きくなるように設定され
ているので、ローラーの移動にしたがってダイシングテ
ープが一方の側から封止樹脂の表面に徐々に接触し、ダ
イシングテープと封止樹脂との間の空気を押し出すよう
にしてダイシングテープが封止樹脂に接合する。これに
より、ダイシングテープと封止樹脂との間に気泡が発生
することが回避される。
【００１１】なお、樹脂テープを載置するシートは、ロ
ーラー移動時の樹脂テープのずれを防止するために、シ
リコンゴムからなることが好ましい。また、前記シート
には、接合用ボールの形成領域に対応する位置に凹部を
設けておくことが好ましい。これにより、ダイシングテ
ープを接合する際に接合用ボールがシートに擦れて脱落
することを確実に防止できる。
ーラー移動時の樹脂テープのずれを防止するために、シ
リコンゴムからなることが好ましい。また、前記シート
には、接合用ボールの形成領域に対応する位置に凹部を
設けておくことが好ましい。これにより、ダイシングテ
ープを接合する際に接合用ボールがシートに擦れて脱落
することを確実に防止できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１，図２は本発明の第１の実施
の形態の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で
ある。また、図３は図２の工程における平面図である。
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１，図２は本発明の第１の実施
の形態の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で
ある。また、図３は図２の工程における平面図である。
【００１３】まず、図１に示すように、半導体チップ１
２をポリイミドテープ１０上に接合する。ポリイミドテ
ープ１０には、所定のパターンで配線及び電極パッド
（いずれも図示せず）が形成されている。また、ポリイ
ミドテープ１０の裏面側には、直径が約０．５ｍｍの多
数の半田ボール１１が０．８ｍｍ以下のピッチでグリッ
ド状に配列して形成されている。このポリイミドテープ
１０上に半導体チップ１２を接合した後、半導体チップ
１２の表面に設けられた電極パッドとポリイミドテープ
１０の表面上に設けられた電極パッドとをボンディング
ワイヤ１３により電気的に接続する。
２をポリイミドテープ１０上に接合する。ポリイミドテ
ープ１０には、所定のパターンで配線及び電極パッド
（いずれも図示せず）が形成されている。また、ポリイ
ミドテープ１０の裏面側には、直径が約０．５ｍｍの多
数の半田ボール１１が０．８ｍｍ以下のピッチでグリッ
ド状に配列して形成されている。このポリイミドテープ
１０上に半導体チップ１２を接合した後、半導体チップ
１２の表面に設けられた電極パッドとポリイミドテープ
１０の表面上に設けられた電極パッドとをボンディング
ワイヤ１３により電気的に接続する。
【００１４】その後、半導体チップ１２を封止樹脂１４
によりモールドする。封止樹脂１４は例えばエポキシ樹
脂を使用することができる。この場合、半導体チップ１
２の上面と封止樹脂１４の表面との間隔は約０．１〜
０．１５ｍｍである。次に、図２に断面図、図３に平面
図を示すように、半導体チップ１２を搭載したポリイミ
ドテープ１０をダイシング治具２０に取り付ける。ダイ
シング治具２０は、厚さが約５ｍｍのアクリル又は塩化
ビニル樹脂からなる板（以下、「アクリル板」という）
２１と、ポリイミドテープ１０が載置されるシリコンゴ
ムシート２２と、複数の圧縮ばね２３ａ〜２３ｃと、こ
れらの圧縮ばね２３ａ〜２３ｃにより支持されるアクリ
ル又は塩化ビニルからなるフレーム（以下、「アクリル
フレーム」という）２４と、フレーム２４上に着脱自在
に配置されるステンレス製のフレーム（以下、「ステン
レスフレーム」という）２５と、ステンレスフレーム２
５に取り付けられたダイシングテープ２６とにより構成
される。
によりモールドする。封止樹脂１４は例えばエポキシ樹
脂を使用することができる。この場合、半導体チップ１
２の上面と封止樹脂１４の表面との間隔は約０．１〜
０．１５ｍｍである。次に、図２に断面図、図３に平面
図を示すように、半導体チップ１２を搭載したポリイミ
ドテープ１０をダイシング治具２０に取り付ける。ダイ
シング治具２０は、厚さが約５ｍｍのアクリル又は塩化
ビニル樹脂からなる板（以下、「アクリル板」という）
２１と、ポリイミドテープ１０が載置されるシリコンゴ
ムシート２２と、複数の圧縮ばね２３ａ〜２３ｃと、こ
れらの圧縮ばね２３ａ〜２３ｃにより支持されるアクリ
ル又は塩化ビニルからなるフレーム（以下、「アクリル
フレーム」という）２４と、フレーム２４上に着脱自在
に配置されるステンレス製のフレーム（以下、「ステン
レスフレーム」という）２５と、ステンレスフレーム２
５に取り付けられたダイシングテープ２６とにより構成
される。
【００１５】シリコンゴムシート２２はアクリル板２１
の中央部に配置され、その上に載置されるポリイミドテ
ープ１０がダイシングテープ接合時にずれないようにす
るためのものである。シリコンゴムシート２２の厚さは
約２ｍｍであり、該シリコンゴムシート２２の中央部に
はポリイミドテープ１０の裏面側の半田ボール形成領域
に対応する大きさの凹部２２ａが設けられている。
の中央部に配置され、その上に載置されるポリイミドテ
ープ１０がダイシングテープ接合時にずれないようにす
るためのものである。シリコンゴムシート２２の厚さは
約２ｍｍであり、該シリコンゴムシート２２の中央部に
はポリイミドテープ１０の裏面側の半田ボール形成領域
に対応する大きさの凹部２２ａが設けられている。
【００１６】圧縮ばね２３ａ〜２３ｃはアクリル板２１
の周縁部に立設されており、図３の下側に配置されたば
ね２３ａのばね定数をｋ1 、縁部中央に配置されたばね
２３ｂのばね定数をｋ2 、上側に配置されたばね２３ｃ
のばね定数をｋ3 とすると、ｋ1 ＜ｋ2 ＜ｋ3 となるよ
うに設定されている。ステンレスフレーム２５はアクリ
ルフレーム２４に対し着脱自在であり、アクリルフレー
ム２４上に配置したときには該ステンレスフレーム２５
もばね２３ａ〜２３ｃにより支持される。このステンレ
スフレーム２５に取り付けられたダイシングテープ２６
の下面側には、紫外線（ＵＶ）の照射により接着力が低
下する接着剤が塗布されている。
の周縁部に立設されており、図３の下側に配置されたば
ね２３ａのばね定数をｋ1 、縁部中央に配置されたばね
２３ｂのばね定数をｋ2 、上側に配置されたばね２３ｃ
のばね定数をｋ3 とすると、ｋ1 ＜ｋ2 ＜ｋ3 となるよ
うに設定されている。ステンレスフレーム２５はアクリ
ルフレーム２４に対し着脱自在であり、アクリルフレー
ム２４上に配置したときには該ステンレスフレーム２５
もばね２３ａ〜２３ｃにより支持される。このステンレ
スフレーム２５に取り付けられたダイシングテープ２６
の下面側には、紫外線（ＵＶ）の照射により接着力が低
下する接着剤が塗布されている。
【００１７】図２に示すように、ダイシング治具２０の
シリコンゴムシート２１上にポリイミドテープ１０を載
置し、ステンレスフレーム２５をアクリルフレーム２４
上に配置して、シリコンゴムローラーを一方向（図３の
下側から上側に向かう方向）に移動させて、ダイシング
テープ２６を封止樹脂１４に貼り付ける。このとき、シ
リコンゴムローラーの移動方向に沿って圧縮ばね２３ａ
〜２３ｃのばね定数が順次大きくなるように設定されて
いるので、ローラーを封止樹脂１４に一定の圧力で押し
付けるためには、ローラーの移動に伴ってローラーの押
下力を徐々に強くする必要がある。そうすると、図４に
示すように、シリコンゴムローラー２７によりダイシン
グテープ２６が一方の側から封止樹脂１４に徐々に接触
し、ダイシングテープ２６と封止樹脂１４との間の空気
が押し出されるようにしてダイシングテープ２６が封止
樹脂１４に接合する。従って、ダイシングテープ２６と
封止樹脂１４との間に気泡が入ることが回避される。ま
た、シリコンゴムシート２２に凹部２２ａが設けられて
いるので、シリコンゴムローラー２７でダイシングテー
プ２６を貼り付けるときに半田ボール１１に加えられる
応力が低減され、半田ボール１１の脱落が確実に防止さ
れる。
シリコンゴムシート２１上にポリイミドテープ１０を載
置し、ステンレスフレーム２５をアクリルフレーム２４
上に配置して、シリコンゴムローラーを一方向（図３の
下側から上側に向かう方向）に移動させて、ダイシング
テープ２６を封止樹脂１４に貼り付ける。このとき、シ
リコンゴムローラーの移動方向に沿って圧縮ばね２３ａ
〜２３ｃのばね定数が順次大きくなるように設定されて
いるので、ローラーを封止樹脂１４に一定の圧力で押し
付けるためには、ローラーの移動に伴ってローラーの押
下力を徐々に強くする必要がある。そうすると、図４に
示すように、シリコンゴムローラー２７によりダイシン
グテープ２６が一方の側から封止樹脂１４に徐々に接触
し、ダイシングテープ２６と封止樹脂１４との間の空気
が押し出されるようにしてダイシングテープ２６が封止
樹脂１４に接合する。従って、ダイシングテープ２６と
封止樹脂１４との間に気泡が入ることが回避される。ま
た、シリコンゴムシート２２に凹部２２ａが設けられて
いるので、シリコンゴムローラー２７でダイシングテー
プ２６を貼り付けるときに半田ボール１１に加えられる
応力が低減され、半田ボール１１の脱落が確実に防止さ
れる。
【００１８】このようにして、ダイシングテープ２６を
各封止樹脂１４に接合した後、ダイシングブレードによ
り各半導体チップ１２間のポリイミドテープ１０を切断
し、各半導体装置を相互に分離する。この場合、ブレー
ドの回転数は例えば３００００〜６００００ｒｐｍ、切
断速度は５０ｍｍ／秒とする。次いで、封止樹脂１４に
接合しているダイシングテープ２６に紫外線を約４５０
ｍＷ／ｃｍ2 の強度で照射する。一般的なダイシングテ
ープの接着力は２５ｍｍ当り３００ｇであるが、紫外線
照射により接着力は２５ｍｍ当り８ｇ程度に低下する。
このようにしてダイシングテープ２６の接着力を低下さ
せた後、封止樹脂１４からダイシングテープ２６を剥離
する。このようにして、ＣＳＰ型半導体装置が完成す
る。
各封止樹脂１４に接合した後、ダイシングブレードによ
り各半導体チップ１２間のポリイミドテープ１０を切断
し、各半導体装置を相互に分離する。この場合、ブレー
ドの回転数は例えば３００００〜６００００ｒｐｍ、切
断速度は５０ｍｍ／秒とする。次いで、封止樹脂１４に
接合しているダイシングテープ２６に紫外線を約４５０
ｍＷ／ｃｍ2 の強度で照射する。一般的なダイシングテ
ープの接着力は２５ｍｍ当り３００ｇであるが、紫外線
照射により接着力は２５ｍｍ当り８ｇ程度に低下する。
このようにしてダイシングテープ２６の接着力を低下さ
せた後、封止樹脂１４からダイシングテープ２６を剥離
する。このようにして、ＣＳＰ型半導体装置が完成す
る。
【００１９】本実施の形態においては、ダイシング治具
２０の圧縮ばね２３ａ〜２３ｃのばね定数がシリコンゴ
ムローラー２７の移動方向に沿って順次に大きくなるよ
うに設定されているので、封止樹脂１４にダイシングテ
ープ２６を接合する際にダイシングテープ２６が一方の
側から封止樹脂１４に徐々に接触し、両者の間の空気が
押し出されるようにして接合させる。これにより、ダイ
シングテープ２６と封止樹脂１４との間に気泡が入るこ
とが回避される。従って、半導体チップ１２間のポリイ
ミドテープ１０を切断するときにブレードが破損するこ
とが回避されるとともに、封止樹脂１４の表面にしみが
発生する等の不具合が防止される。また、本実施の形態
においては、ダイシング装置を使用して各半導体装置を
分離するので、プレス金型を使用する方法に比べて約３
０〜５０％の製造時間の短縮が可能である。
２０の圧縮ばね２３ａ〜２３ｃのばね定数がシリコンゴ
ムローラー２７の移動方向に沿って順次に大きくなるよ
うに設定されているので、封止樹脂１４にダイシングテ
ープ２６を接合する際にダイシングテープ２６が一方の
側から封止樹脂１４に徐々に接触し、両者の間の空気が
押し出されるようにして接合させる。これにより、ダイ
シングテープ２６と封止樹脂１４との間に気泡が入るこ
とが回避される。従って、半導体チップ１２間のポリイ
ミドテープ１０を切断するときにブレードが破損するこ
とが回避されるとともに、封止樹脂１４の表面にしみが
発生する等の不具合が防止される。また、本実施の形態
においては、ダイシング装置を使用して各半導体装置を
分離するので、プレス金型を使用する方法に比べて約３
０〜５０％の製造時間の短縮が可能である。
【００２０】（第２の実施の形態）図５は本発明の第２
の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
なお、図５において、図１と同一物には同一符号を付し
てその詳しい説明は省略する。本実施の形態において
は、ポリイミドテープ１０上に搭載された複数の半導体
チップを、封止樹脂１４ａにより一括して封止する。そ
して、第１の実施の形態と同様にダイシング治具２０を
使用し、ダイシングテープ２６と封止樹脂１４ａとを接
合する。
の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す図である。
なお、図５において、図１と同一物には同一符号を付し
てその詳しい説明は省略する。本実施の形態において
は、ポリイミドテープ１０上に搭載された複数の半導体
チップを、封止樹脂１４ａにより一括して封止する。そ
して、第１の実施の形態と同様にダイシング治具２０を
使用し、ダイシングテープ２６と封止樹脂１４ａとを接
合する。
【００２１】次いで、ダイシングブレードにより各半導
体チップ間の封止樹脂１４ａ及びポリイミドテープ１０
を切断する。これにより、ＣＳＰ型半導体装置が完成す
る。本実施の形態においては、各半導体チップ１２間の
封止樹脂１４ａが連続しているので、第１の実施の形態
に比べてダイシングテープ１０の接合性が向上し、気泡
の発生をより確実に防止することができる。また、複数
の半導体チップを一括して封止樹脂１４ａに封止し、そ
の後ダイシングブレードで切断するので、チップサイズ
とパッケージサイズとを同じにすることができて、第１
の実施の形態に比べて半導体装置のサイズのより一層の
小型化が達成されるという利点がある。
体チップ間の封止樹脂１４ａ及びポリイミドテープ１０
を切断する。これにより、ＣＳＰ型半導体装置が完成す
る。本実施の形態においては、各半導体チップ１２間の
封止樹脂１４ａが連続しているので、第１の実施の形態
に比べてダイシングテープ１０の接合性が向上し、気泡
の発生をより確実に防止することができる。また、複数
の半導体チップを一括して封止樹脂１４ａに封止し、そ
の後ダイシングブレードで切断するので、チップサイズ
とパッケージサイズとを同じにすることができて、第１
の実施の形態に比べて半導体装置のサイズのより一層の
小型化が達成されるという利点がある。
【００２２】なお、上記第１及び第２の実施の形態で
は、いずれも弾性体として圧縮ばね２３ａ〜２３ｃを使
用した場合について説明したが、圧縮ばねに替えて他の
弾性体、例えば、ゴム、スポンジ及びその他の弾力性を
有する材料により形成された部材を使用してもよい。ま
た、上記第１及び第２の実施の形態においては、いずれ
もシリコンゴムシート２２に凹部２２ａが設けられてい
る場合について説明したが、シリコンゴムシートの表面
は平坦であってもよく、また、シリコンゴムシートの表
面全体又は半田ボール形成領域に対応する部分に微細な
凹凸が設けられていてもよい。
は、いずれも弾性体として圧縮ばね２３ａ〜２３ｃを使
用した場合について説明したが、圧縮ばねに替えて他の
弾性体、例えば、ゴム、スポンジ及びその他の弾力性を
有する材料により形成された部材を使用してもよい。ま
た、上記第１及び第２の実施の形態においては、いずれ
もシリコンゴムシート２２に凹部２２ａが設けられてい
る場合について説明したが、シリコンゴムシートの表面
は平坦であってもよく、また、シリコンゴムシートの表
面全体又は半田ボール形成領域に対応する部分に微細な
凹凸が設けられていてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシングテープ付きフレームを複数の弾性体により支
持し、ローラーの移動する方向に沿って順次弾性係数が
大きい弾性体を配置しているので、ローラーの移動にし
たがってダイシングテープが封止樹脂に徐々に接触し、
ダイシングテープと封止樹脂との間の空気を押し出すよ
うにしてダイシングテープを封止樹脂に接合することが
できる。これにより、ダイシングテープと封止樹脂との
間に気泡が発生することが回避され、ダイシングブレー
ドの破損や封止樹脂の表面のしみの発生が回避される。
ダイシングテープ付きフレームを複数の弾性体により支
持し、ローラーの移動する方向に沿って順次弾性係数が
大きい弾性体を配置しているので、ローラーの移動にし
たがってダイシングテープが封止樹脂に徐々に接触し、
ダイシングテープと封止樹脂との間の空気を押し出すよ
うにしてダイシングテープを封止樹脂に接合することが
できる。これにより、ダイシングテープと封止樹脂との
間に気泡が発生することが回避され、ダイシングブレー
ドの破損や封止樹脂の表面のしみの発生が回避される。
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造
方法を示す断面図（その１）である。
方法を示す断面図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造
方法を示す断面図（その２）である。
方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図２の工程における平面図である。
【図４】シリコンゴムローラーの移動にともないダイシ
ングテープが封止樹脂に接合される状態を示す模式図で
ある。
ングテープが封止樹脂に接合される状態を示す模式図で
ある。
【図５】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図６】従来のＴＦＢＧＡによるＣＳＰ型半導体装置の
製造方法の一例を示す図である。
製造方法の一例を示す図である。
【図７】従来の問題点を示す模式図である。
１０，３０ ポリイミドテープ、 １１，３１ 半田ボール、 １２，３２ 半導体チップ、 １３，３３ ボンディングワイヤ、 １４，１４ａ，３４ 封止樹脂、 ２０ ダイシング治具、 ２１ アクリル板、 ２２ シリコンゴムシート、 ２３ａ〜２３ｃ 圧縮ばね、 ２６ ダイシングテープ、 ２７ シリコンゴムローラー。
Claims (5)
- 【請求項１】 一方の面側に複数の接合用ボールが形成
され、他方の面側に封止樹脂で封止された複数の半導体
チップが搭載された樹脂テープを用意する工程と、 前記樹脂テープをシート上に載置し、その上に複数の弾
性体により支持されたダイシングテープ付きフレームを
配置する工程と、 前記ダイシングテープの上からローラーを押し当て一方
向に移動させて、前記ダイシングテープを前記封止樹脂
に接合する工程と、 ダイシングブレードにより各半導体チップ間を切断する
工程とを有し、 前記複数の弾性体は前記ローラーの移動する方向に沿っ
て順次弾性係数が大きいものを配置することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記弾性体が圧縮ばねであることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記弾性体がゴムからなることを特徴と
する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記シートがシリコンゴムからなること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記シートには前記接合用ボールに対応
する位置に凹部が設けられていることを特徴とする請求
項１に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13339898A JPH11330010A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13339898A JPH11330010A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330010A true JPH11330010A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15103822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13339898A Withdrawn JPH11330010A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330010A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG94728A1 (en) * | 2000-01-12 | 2003-03-18 | Disco Corp | Method of cutting csp substrates |
| JP2008235916A (ja) * | 2008-04-04 | 2008-10-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8650512B1 (en) * | 2012-11-15 | 2014-02-11 | International Business Machines Corporation | Elastic modulus mapping of an integrated circuit chip in a chip/device package |
| US8756546B2 (en) | 2012-07-25 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Elastic modulus mapping of a chip carrier in a flip chip package |
| US8877613B2 (en) | 2002-07-22 | 2014-11-04 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| CN105034228A (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-11 | 东和株式会社 | 片状树脂体、树脂成形装置及树脂成形方法以及成形制品的制造方法 |
-
1998
- 1998-05-15 JP JP13339898A patent/JPH11330010A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG94728A1 (en) * | 2000-01-12 | 2003-03-18 | Disco Corp | Method of cutting csp substrates |
| US6901924B2 (en) | 2000-01-12 | 2005-06-07 | Disco Corporation | Method of cutting CSP substrates |
| US8877613B2 (en) | 2002-07-22 | 2014-11-04 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US9805980B2 (en) | 2002-07-22 | 2017-10-31 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2008235916A (ja) * | 2008-04-04 | 2008-10-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8756546B2 (en) | 2012-07-25 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Elastic modulus mapping of a chip carrier in a flip chip package |
| US8650512B1 (en) * | 2012-11-15 | 2014-02-11 | International Business Machines Corporation | Elastic modulus mapping of an integrated circuit chip in a chip/device package |
| CN105034228A (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-11 | 东和株式会社 | 片状树脂体、树脂成形装置及树脂成形方法以及成形制品的制造方法 |
| JP2015208967A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | Ｔｏｗａ株式会社 | シート状樹脂、樹脂成形装置及び樹脂成形方法並びに成形製品の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |