TWI278595B - Method and system for drying a substrate - Google Patents

Description

1278595 九、發明說明： 一、【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使基板乾燥的方法和系統，尤有關於一種 於浸潰式微影程序中、曝光程序之後，使基板乾燥的方法和系統。 二、【先前技術】 在材料處理的方法中，圖案蝕刻包含將輻射敏感材料(例如 阻)之圖案化遮罩應用到基板上表面的薄膜，以及經由钱刻將光罩 圖案轉移到底層的薄膜。該輻射敏感材料的圖案化，通常包含以一 =射敏紐料的賴，包覆在基板社表面，接著綱例如 縮遮罩（及相關光學系統），將該輻射敏感材料 恭祕-II射源下。接著使驗性顯影溶液或溶劑，執^ 的序期間，移除韓射敏感材料之被照射區域（於 勺丨月况）’或移除其未被照射區域（於負光主 才料’將底層表面暴露於預備要钱刻到表面月内的二Ξί ，半導體裝涵無的支柱，並儀齡繼續 已成 解析度，甚或更小。 角色直到65 ™ 尺 寸。：析度(Γ°)，決定了應用該系統之裝置的最巧 、《疋斂衫吊數k!，則該解析度是由下列方程式 r〇 = k!^NA ^ * 孔徑 其中，入為操作的波長，而NA是由下列方程式所(=定的數值 NA = n* sin 基板德’而η _財圖案化的 依據方程式(1) ’要改善解析度之習用 ^三種趨勢：（1)減少波長λ。由水銀§線微影技術上導 長193 nm的準分子雷射，甚至=^ 降低至波 _ ，及持續發展中之遠 1278595 紫外線波長；（2)實現增強解析度的技術（res〇luti〇nenhancement techniques，RETs)。例如移相光罩，及軸外照明，如此將可減小微影 =數1^，從大致0.6到接近〇·4之值；及(3)藉由改進光學設計、製 造技術及量測方法，來增加數值孔徑⑽入)。該光學設計、製造技術 及量測方法的改進，已使ΝΑ從大致〇·35增加至大於0.75，預期在 未來幾年會到0.85 '然而，於方程式(2)可觀察到：習用自由空間 光學系統(亦即η=1)，會有一理論上的極限會限制ΝΑ值至丨或是 更小。 浸潰式微影術提供了增大-光學系統(例如一微影系統)的NA 值之另-可能性。在浸潰式微影術中，—基板浸在—高折射係數的 液體(亦稱為-浸_介）’❿使得在—最終的光學元件和基板之間 充入一高折射係數（亦即n>1)的流體。因此，藉由使祖值增大至 超越自由空間理論極限值！(見方程式(_)，浸潰提供了增大日解 彦的可能W。 ίΐί 縣、且騎财之曝光工具姆糾於實施、 =合理之處理範圍_到極高解析度的高 非常具有輕絲料_減触紅65mn、45^、H^ 低的合適轉。細’浸賊郷技術滅蝴許乡挑人· 浸潰流體的獅’必須能触現時及絲之光_容，呈^ 缺陷(例如微泡)及足夠之透歧的要求；及—浸潰 ^= 須促進現存曝光系統及追縱系統的整合。再者切辦 製財引發_題，妙紐祕轉 三、【發明内容】 本發明之一目的 部的挑戰。 是要處理上述微影技術所遭遇的任―、或全 本發明之另一目的，是要確認當導入一液體至 引發的_，同時提齡統元細或處理步魏解^ 1278595 類問題。 本發明的又另-目的’是要增進在浸潰式微影薄膜 案之均一性 /从旧回 本發明亦說明於浸潰式微影之後的-種基板乾財法和 鑑於上述和其他目的，本發明提供一種用以在濕浸式微鸟 後，處理基板上之已曝光薄膜的方法和系統。該方法包含使 燥，以便從基板上的已曝光薄膜移除浸潰的液體。 土乙 在另一貫施態樣中，一種利用光微影技術將一圖案轉到芙 上之輪射敏感材料薄膜的方法，包含在濕浸式微影系統巾，暴^一 料於—輻獅下’及麵浸式微影'镇巾之曝光程序i使基 在另-實施態樣中，將基板圖案化的方法，包含 【專浸式微影系統中，將—薄膜i露在: ，下，在濕次式微衫糸統中、曝光程序後，將基板乾燥；在 後供烤基板，接著藉由基板和一顯影溶液的接觸 夕 膜顯影，以在該_上形成_。 調&基板上之涛 在另-實施態樣中，-在半導體製程用來將基 士圖案下;-追料統，連_職浸式鄕祕 4二 ϊΞ ΐ :t無糸，:連接到該濕浸式微影系統及追縱系統至少 八中之一 ’，、中f餘系統係用來從薄膜上移除浸潰流體。 於另-實施態樣中，用來將一圖案照射於一基 ，，，統’包含：-濕浸式微影系統，該系統係=== 之，曝光在圖案下；及—乾燥系統， 微^ 統，係用來在曝光程序後將薄膜乾燥。 式U衫糸 四、【實施方式】 以下將參照關，詳細·本發明之實施例。兹描述依本案的 7 1278595 一實施例，此為關於在基板(例如一製造電子裝置用之半導 上之薄膜中形成圖案的一圖案化系統。 ^ 在用以圖案化一輻射敏感材料薄膜(例如化學增益型光阻習 用微影程序，將-基板包覆-輻射敏感材料的薄膜，且經由一涂布 後烘烤(p〇^aPPlicati〇nbake，PAB)硬化。然後，將該硬化過的J膜 在該微影系統中暴露於一圖案下，接著進行曝光後烘烤 、 (post-exposure bake，PEB)硬化，以例如促進酸性物質的擴散十制 解析度和減少形成於圖案測壁的垂直輪廓之駐波。其後'，將^曝 光後的薄膜在一顯影溶液中顯影，並將其漂洗以去除任何缺陷 利用此習用微影程序之目前積體電路製造規晝中，利用〇1'5微 馨 之圖案化技術，預期可在一平方公分的面積上，設置約2〇,〇〇〇,〇⑻ 個電晶體。假設在矽基板上一塊用來製備一電晶體的方形面積， 上述規晝相當於一大致2200 nm的侧邊大小。 、 隨著臨界尺寸小於65 nm之先進微影技術(例如濕浸式技術 的出現，將習用光微影的前述結果予以調整，實現了將一電晶體的 側邊尺寸縮至小於麵nm。細，掏估衝試微影轉時，本 發明之發明人已發現，利用前述習用之pEB步驟來進行濕浸式 如會f致圖案化薄膜具有不均一的特性。尤其，本發明之發明人 發現，當使用濕浸式微影系統，基板上該曝光後的薄膜會在豆表面 上存=潰之越，且由於—越在—平社不穩_流動，、該流 ，體通常衫均句地分布在薄膜表面。—旦該基板離_曝先系、= 且轉?到該PEB系統，則在不均勻分布浸潰式流體與烘烤程序間 的後績交互作用，會導致在薄膜上形成圖案不均一的情形。< 一更特別的，本發明之發明人發現，該不均勻分布的浸潰流體， 會，烘烤程序中，產生一不均勻的溫度分布影響，且最終將會導致 於薄膜上形成之圖案的臨界尺寸(cHtical出⑽仍丨⑽，CD)不一致。 ^二在有過量浸潰流體存留的區域中，可預期在pEB程序中，其 ，膜溫度會相對於該薄膜之其他區域更降低。這會導致薄膜之局^ 區域之對酸性物質擴散的促進與其他區域不同，因而減小解析度& 1278595 基板貫 到該追蹤系統1G ;及-乾^^/5：式微影系統20，連接 係控制依據製程處方中之每一經確認之^^乾知糸統30 ’其作用 5^® 2^ 5 -®^^^ι〇〇 ^：- 及二阳“：濕：式微影系統120，連接到該追蹤系統110 ; ί接到該追_先110和該濕浸式微影系統 ί ’該乾燥系統l3G屬於該追礙系統110之 景〈ii°i2〇 140連接到該追縱系統110、該濕浸式微 ：t «.；：ΐΓί 130 5 、，另替代形式，係如圖3所示，一圖案化系統2〇〇包含··一 ^败糸統210，-濕浸式微影系統22G，連接到該追縱系統⑽； 1 一統230 ’連接到該追縱系統210和該濕浸式微影系統 # 中之一。其中，該乾燥系統230屬於該濕浸式微影系統 之一部分。此外，一控制器24〇連接到該追蹤系統21〇、該濕 =式微影系統220、及該乾燥系統23〇，且其作用係控制依據製程 處方中之每一經確認之系統。 一这^從系統10 (110, 210)包含多個單元，係用來在輻射敏感材料 的薄膜上形成圖案。追蹤系統1〇 (11〇, 21〇)係用來處理在1〇〇 _、 200 mm、300 mm或是較大尺寸的基板。再者，追蹤系統1〇可用 來處理248nm光阻、I93nm光阻、I57nm光阻、遠紫外線(EUV) 光阻、（頂層/底層)抗反射鍍膜(TARC/BARC)、及頂層包覆層。在追 1278595 3、f ω⑽，21 G)中的多數單元，可包含以下之至少其-：薄膜 二二几、塗布後烘烤(PAB焊元、曝光後烘烤(PEB)單元、附著、 =、冷卻單元、清潔單元、漂洗單元、顯料元及傳送系統， 來朝向或自各單元和基板支座輸送基板。例如，追蹤 Λ^；ΐηΤι^Α(：Τ8、或ACTl2之光阻包覆和顯 :糸、、先、此可，東不威力科創股份有限公司(TEL)購得。其他於基 ^幵V成光阻細的纟統和方法，對於熟悉旋塗光阻技術之 而吕，是廣為人知的。 "" s繼續參照® 1 一3，該濕浸式微影系統20(120,220)包含至少一 ，射源、-成像系統、一掃描系統、—投影透鏡系統及一基板支❿ 座。例如’該濕浸式微影系統可依類似於由Switkes等人所 f i利申請雜2嶋gi6362ai維名為「折射率匹配媒介的 if=與設備」）中所說明的系統來建構之。此外，例如該濕浸· 式微影系統可依她於由咖_卜等人所提則受讓人為asml LithographyB.V·)的美國專利申請案第μ，42號(案名為「微影掃. 描曝光投影設備」）中所說明的系統來建構之，其中該微影系統更 用來在投影鏡片系、統和基板間的空間保留一浸潰流體。此可詳述於 由下列文獻所揭露之干涉微影系統中：[I]H〇ffnagle於J〇umal〇f

Vacuum Science & Technology B 17(6)，3303-3309 (1999)中記載的 _ 「濕浸式深紫外線干涉微影」、[r[] Switkes & R〇thschild於J〇umai 〇f

Vacuum Science & technology b 19(6)，2353-2356 (2001)中記載的 「在157腿之浸潰式微影」、及[ΠΙ] Owen等人於Journal 〇fVacuum

Science & technology B 10(6)，3032-3036 (1992)中所記載之「1/8 mm光學微影」。此外，例如該濕浸式微影系統2〇可從任何適當之 習用步進微影系統、或掃描微影系統驅動。 田 雖，以上的說明，是參照在半導體製程中用以施行圖案轉移 的一成像系統而為之，但吾人應理解該濕浸式微影系統2〇亦可包 含如同在Hoffnagle等人（1999)和Switkes等人（2〇〇1)兩篇文章 中所說明的一干涉微影系統。上述所有參考文獻的全部内容，均併 1278595 入於此供作參考。 現在參照圖4 ’乾燥系統30 (130,230)包含一乾燥單元4〇〇，該 乾燥單元400具有：一乾燥室410、及連接到該乾燥室41〇且用以 支持一基板430的一基板支座420。基板支座420更在乾燥程序 時，用來轉動(或自旋)基板430。連接到該基板支座420的一驅 動組件422係用來旋轉基板支座420。例如，該驅動組件422可 容許設定轉速，及基板支座旋轉的加速度。此外，乾燥單元4〇〇更 包含一流體散佈系統440，用來散佈乾燥流體如乙醇（例如異丙基 乙醇)至基板表面，以置換其上之浸潰流體。更者，該乾燥單元4〇〇 包含一控制系統450，該控制系統連接到該乾燥單元41〇、該驅動 組件422、及該流體散佈系統440，其中可被用來依照製程處方 來執行-或更多乾燥程序之程序步驟。 心處方 再度參照圖1至3，控制聚4fmzin 9仙、办人」如上____

促洞态4〇也可用例如針對圖6所述之汎用目 控制态40可以位在相對於該追縱系統⑴

J 丄530 〇 該 目的之電腦來實施之。 ^ 1〇及該濕浸忒激影系 ί 1278595 現在參照圖5以說明在基板上之薄膜的圖案化方法。 方法可由參關1至圖4描述之任-系絲執行。財法包U 程，5〇0，在別開始別於基板上形成一輕射敏感材料 ， 該薄膜能利用由追蹤系統之自旋塗布技術形成，如圖丨_3 、、 在塗佈程序之後，該薄膜可在一 PAB料裡經由供烤^序 在520，該輻射敏感材料的薄膜，於一濕浸式微影系統 述之任一系統)中暴露在圖案下。 上 在530，在輻射曝光程序後，該基板上之該薄膜會在一 統中被乾燥，如圖4所述。該乾燥程序包含在一基板支座上 基板’且$疋轉该基板。該基板可加速到一第一轉速，且在一 期時間内自旋，直到該浸潰流體藉離心力從薄膜表面移除;週 該基板可被加速至第-轉速，再以第一轉速自旋一段第一週期 間，然後加速或減速到第二轉速，再以第一轉速 ’該第：：轉速可包含:低速轉速，以使浸潰流 土 二面且第一轉速可以咼速旋轉，以使浸潰流體旋出。或 者，〔、'論基板有無旋轉，一乾燥流體可散佈於薄膜之表面，以拖 该=潰流體。乾驗體可以氣態或液態存在。例如，該乾燥流體可 ϊίί 如異丙基乙醇。然而，任何具有—魏壓高於該浸潰 體，均可用*幫助移除薄膜表面的浸潰流體 : ^流體在193啦製程可包含水，在157nm可包含全氟聚醚 “L540 ’薄膜可在一删單元中受熱處理，俾例如促進酸性物 =。、兴放以控制圖案之解析度，且減少在圖案側壁之垂直輪廓之駐 波0 Π.該薄膜可在驗性顯影溶液或溶劑中被顯影，俾移除在 ^倉/阻皮照射區域(於正光阻的情形），或未被照射區域 ，你銘之後，在薄膜上該顯影後的圖案會被漂洗或清 泳俾移除任何光㈣缺陷或污染等等。 12 1278595 乾燁日狀發日狀魏可在濕浸_彡期間内， -丰導抑㈣乂=的均—性。因此’本發明可提供形成於 腿之側ifiH多數之電晶體，每一電晶體都有一小於1〇〇〇 本發 尺寸小祕肺的_徵部。在由 此一積體電路，多數之特徵部中的每-特 雖：，以上整辨導體積體電路實質上是-致的。 田，,Γγ、/關乾祕序係就光阻技術加以描述，1亦可廡 用，何(頂層)抗反射频TARC)，例如由 影程序中_軒^==^賴，層、或減少在微 本電月n田m實财發明之一實施例的一電腦系統1201。 用電二ί :，的全體或部分可作為控制器4〇⑽，240,450)使 -藤沒姑U1 控制器的部份或全部之功能。電腦系統1201包含 1202:1二3他二專送資訊用之通訊機構’及連接到該驗排 LIU 的—處理器1203。電腦系統麗亦可包含-主 二/Γ · 2°^，例如一隨機存取記憶體^乂)或其他動態儲存裝置 ^ινπ(動ίϊ機存取記憶體)DRAM)、靜態、隨機存取記憶體、 連接到f9態隨機存取記憶體(SDRAM))，主記憶體1綱 ί =排1202以儲存要由處理器1203執行之資訊和指 ί時爝數’ ΐΐϋ2()4可絲贿域理1112G3執行》旨令時之 (R〇IV^205或訊。電腦系統1201更包含一唯讀記憶體 (m〇TVn τ i ί /、他蛘悲儲存裝置(例如:可程式唯讀記憶體 程式唯讀記憶體(,EPR0M)及電子式清除可程式 3ΪΪ^ ^°Μ))，連接到該匯流排題以儲存處理器1203 °f腦系統亦可包含—個或多個_信號系統 (DSPs)例如德州儀器之TMS32〇系列晶片、摩托羅拉之聰删、 13 1278595 DSP56100、DSP56300、DSP56600 及 DSP96000 系列晶片、朗訊 科技之DSP1600及DSP3200系列、或亞德諾公司之ADSp21〇〇及 ADSP21000系列。此外，亦可使用特別為處理已被轉換到數位領 域的類比信號而設計之其他處理器。 電腦系統1201亦包含一磁碟控制器12〇6，其係被連接到匯流 排1202，以控制一或多個儲存資訊或指令之儲存裝置，例如磁性 硬碟1207，及可卸除之媒體驅動裝置12〇8 (例如：軟碟機、唯讀光 碟機、可讀寫之光碟機、光碟點唱機、磁帶機及可卸除之磁光裝 置)。儲存裝置可利用-適當之|置介面（例如小型計算機系統介面 (small computer SyStem interface，SCSI)、集成設備電路㈣嗯制 deViee ele_nics，IDE)、增強型集成設備電路 棚）、直接記憶存取(dma)或超直接記憶存取 (ultra-DMA))而加入到電腦系統12〇1。 腦系 1統ti2Gi亦可包含專用目的邏輯裝置(例如：特殊應用積 = ^^eeifleintegrateddrcUitS，ASICs))，或可配置邏 '複雜可程式_裝置 電腦系統1201亦可句合一 1209係i聿接釗肩控制1209，此顯示控制器 線管= 用糊如一陰極射 •置，例如-鍵盤1211、及:;此，糸統包含輸入裝 用，且;“丨· ^向^置12，以與電腦使用者相互作 °指向裝置咖例如可為-^ ，制處理器 可用來列印由電腦系統12〇1儲存及/或料t ’印表機也 電腦系統1201回庫處理哭】生f =抖列表。 理步驟，該處理!^12〇3= °。1203而執仃本發明之部份或全部處 -或多個序列之執^包含於記憶體中(例如該主記憶體㈣） 硬碟機氣t可 的^令€可=^腦可讀媒_如一 ”之媒體衣置1208)被讀進主記憶體12〇4。 14 1278595 f2〇多,多，理器可被用純 替或與軟體指令結合曰：因此式電路可用來代 路和軟體之結合。 ^例不僅限於任何特定之固線式電 伊體如ΐϋίΓίί1201包含至少一電腦可讀取之媒體或記

(™m,EEPR〇M, flash EPROM). DRAM^S^ SD^M (例如cd_r〇m)、或其他任何光學媒 (如下所^或触舰、_' 一載波 =)裝互置動電腦系統·與：么 ϊίΐ 口口’該制程式產品係用以進行本發明之實 ίΐϊ!^，理之全部或—部分(如果是分散處理的話）。 含 <曰不“於ίϊΓ碼裝f可為任何可譯或可執行的編碼機構，包 = (SC响）、可譯程式、動態連結程式庫(__ i 咖ad繼极完全可執行的程 =分ί部分處理可為了達到較佳之性能、可靠度及/ 1期以^-5司於此’是指任何參予提供指令到處理器 m f執狀舰一電腦可讀聰可以有多種形式，包含但 飾域财騎題。雜躲媒體包含 1208。^•雷例如硬碟1207或可卸除式媒體裝置 依·包含_記,_，彳物主記麵·。傳輪媒 15 1278595 =同軸！纜、銅線及光纖’包含組成匯流排1搬的線。傳輸 或光波的形式出現’例如在無線電波和紅外線資料傳 翰Τ產生的波。 _ 電腦可讀舰的錄形式，可在處理器12G3執行— ^時被使用。例如，指令初始可保存於—遠職腦之磁碟。該遠端 電腦可在遠端將實施本發明之全部或部分之指令載入到動能# tiii數據機並經由電話線將指令傳出。在該電腦“ 上之數據機’可於電話線上接收資料’並紅外線發射 料轉換成紅外線信號。連接繼流排12G ^可接 線信號中所做之資料，並將f料輸人至卜匯接 忒匯&排1202將資料帶入至主記憶體12〇4，處理哭12〇3 憶體12〇4齡並執行該指令。由該主記憶體12〇4$接收之指^己， 理$聰執行誠執行後’轉性地儲存擔存裝置^07 1201亦可包含連接到該㈣排m2的—通訊介面 =。通^面1213提供-雙向觸軌連制—網路鍵 =1214連接賴如—區域網路(lGealarcanetwQrf^ 介可為附於任何分棚奐區域網路的—網路介 如另-例子’該通訊介面1213 ’可為—非對稱性數烟戶網路 taTa1^ ' 到卡、或提供資料通訊連結 ^目對應型式的-通訊線路之一數據機。無線 施例中’通訊介面1213送妓接找子i磁貝i光 予口就口亥虎攜載著代表多種資訊型式的數位資料流。/ 的資，ΐ鍵1^通常經由一或多個網路，提供資科通訊到其他 ^域網路）或經由一服務提供者操作的設備，而=連(=另:: 電腦’而該由-服務提供者操作的設備經由通訊網路=而^ 16 1278595 通訊服務。局部網路1214及通訊網路1216使用例如载有數位資料 流的電子、電磁或光學信號，其上，及相關的物理層（例如·· =Ατ 5電繞、同軸電纜、光纖等）。經過不同網路的信號，和在網路鍵 1214上且穿過通訊介面1213的信號，載有進出電腦系統12〇1之 數位資料，前述信號可被實施於基頻信號或載波基礎信號。該基頻 信號以描述數位資料『位元』流之未經調變的電脈衝傳送該賣 料’其中『位元』一詞廣義的解釋為每一符號至少輪送一或多個資 訊位元的符號。該數位資料也可例如藉由經振幅移位、相位移位及 /或頻率移位鍵控的信號，來調變一載波，該等鍵控的信號通過一 傳導性媒體而傳播，或穿過一傳播媒體以電磁波形式穿過。因此， 該數位資料可以未經調變的基頻資料形式，經由一『佈線的』通訊 管道送出，及/或在一與基頻不同的預定頻寬内，藉由調變j載波 送出。電腦系統1201可傳送及接受包含程式碼的資料，係經由該 網路1215和1216、網路鏈1214，及通訊介面1213。更者、Γ談網Λ 路鏈1214可經LAN 1215提供連接到一行動裝置1217，例如二個 人數位助理(Personal digital assistant，PDA)、膝上型電腦或手機。 雖然本發明已就-些健實施例來說明，但熟悉此技 著丽述的說明與附圖，當可對其進行修改、增加、及等效的 1曰。 因此任何未脫離本發明之精神與範圍，對其所進行之修改、捭 及等效的變更，均應包含於本發明之中。 ^ 曰 17 1278595 五、【圖式簡單說明】 圖 圖: 1顯不一依據本發明一實施例的圖案化系統之示意叫， 32 本發明另—實施例的圖案化系統之示意圖· 4顯明另一實施例的圖案化系統之示意圖;’ 依據本發明另一實施例的乾燥系絶· 本Ϊ明f—實施例的基板圖案化方法；及 例x月—實施例所賴以實施的-電H统， 元件符號說明：

1/100/200圖案化系统 10/110/210追蹤系統 20/120/220濕浸式微影系統 30/130/230乾燥系統 40/140/240 控制器 400乾燥單元

410乾燥室 420基板支座 422驅動組件 430基板 440流體散佈系統 450控制系統 500流程圖 18

Claims (1)

1278595 十、申請專利範圍： 1. 利用光微影轉移圖案到基板上之敏感材料薄膜的 万法，包含： t濕琴式微影系統中’將該薄膜暴露在輻射源下；及 微影系統中之該曝光程序之後，將該基板乾燥，以 攸该基板上移除一浸潰流體。 _ μ UtiΛ利範圍第1項之利用光微影轉移®案到基板上之 田射，感專膜的^法，其中該乾燥程序包含旋轉該基板。 ㈣描ϋί，利範s第1項之_光微影轉侧麵基板上之 法’其中該乾燥程序，包含在第—時間週期 基板。k疋轉t板’及在第二時間週期以一第二轉速旋轉該 ㈣uti專利範圍第3項之彻光微影轉侧案到基板上之 ίΐΐί ίίί的Ξ法，其中該第—轉速促進該浸潰流體散布於 H，由?宙苐二轉速則促進該浸潰流體自該薄膜上移除。 利範圍第卜2或3項之_光微影轉移圖案到基 板上之補麵材料_的方法，財 散佈-賴流體。 辦W Μ基板上 幸之利用光微影轉移圖案到基板上之 其中該乾燥程序，包含在該基板上散佈 :如申请專·圍第i項之利用光 娜敏^材料薄膜的方法，更包含··在該乾燥程序 之 以促進酸性物質在該薄膜上的擴散。 斤俊尤、烤該基板， 8.如申料她财丨項之彻光微影轉_ ===:均=光後乾燥該基板使以 輻射二==第i項中;:=;，案到基板上之 r辨杜序包含一輻射敏感材料之 19 1278595 曝光’該輻射敏感材料包含以下至少其一：一 248 nm光阻、一 193 nm光阻、一遠紫外線光阻、一抗反射鑛膜、一 1 -¾料、一保濩光阻之頂端包覆層，及一減少在曝光程序中 所產生薄膜干涉之頂端包覆層。 人.姑^'種在濕浸式微影後處理基板上之已曝光薄膜的方法，包 3 ·使^基板乾燥’峨絲板上之該已曝光的薄卿除浸潰流體。 p嚴# 請專利範圍第1G項之在濕浸式微影後處理基板上之 方法’更包含：在該乾燥程序後烘烤該薄膜，以硬化 邊曝光後的薄膜。 已载請專利範’ ig項之在濕浸式微影後處理基板上之 均=在曝光後乾燥該基板，會減少在薄膜上該 之已戚專利範圍第ω項之在濕浸式微影後處理基板上 3、先溥馭的方法，其中該乾造程序包含旋轉該基板。 已暖井^Γί專利範圍第10項之在濕浸式微影後處理基板上之 的方法’其中該乾燥程序，包含在第—時間週期，以-=了轉速旋轉該基板’及在第二時間週期，以—第二轉速旋轉該基 已曝ϋϊΓΐί利範圍第14項之在濕浸式微影後處理基板上之 上的ί布，、其巾辟—觀，纽進該浸潰流體在該薄膜 1A ώ以弟一轉速’會促進該浸潰流體在該薄膜上的移除。 基板上項ί在濕浸式微影後處理 -乾燥流體0、切的 其巾龜嫌序包含在該基板上散姊 之亲專利範圍第5項之利用光微影轉移圖案到基板上 異=2 膜的方法，其中該乾燥程序，包含在基板上散佈 Ρ眼3 ί專利範圍第1G項之在濕浸式微影後處理基板上之 * /、、的方法，其中該曝絲序包含將一輻射敏感材料暴露在 20 1278595 包含至少一 248nm光阻、一 i93nm id 紫外線(EUV)光阻、一抗反射舻趑、一 、了 57 nm光阻、一遠 輻射敏感材料之薄膜；在乾燥程序後择成 上形成該圖案。 龙誕液接觸的方法，在該薄膜 卜之利範圍第19項之利用光微影轉移圖案到基板 上之輕射錢材料_的方法，其巾扳 該薄膜包覆；及烘烤該基板以硬化該_财序n將該基板用 j -1〒統’連接濕浸“二將叉 從該薄膜移除浸潰流體，以乾燥該薄膜。” *貝貝 22.如申請專利範圍第21項之在半導體 -A# t 22項之在半導體製程巾將基板上之鲈 ί=之溥2案化的系統，其中該濕浸式顯影系統包含至t 二幸秦、-成像系統、一掃輪系統、一投影系統，及 專利範略22項之在半導體製程巾將基板上之幸s ΐϊΐίί之，圖案化的系統，其中該乾燥系統係用來實質上i 除至少水及一全氟聚醚(PFPE)其中之一。 、移 專利範’22項之在半導體製程中將基板上之_ 射敏感材料之_圖案化的祕，其中該追_統包含至少— 之包1 21 1278595 ^單^單元、，單元、—_元、- 燥’2Γ= ⑦系統曝光後’從基板上移除浸潰流體 f感騎之薄_魏的纽，其㈣乾燥 28.如申請專利範圍第27項之在 =4:Tr的系統’其中該乾燥二=¾ 轉嫩觸—账_職，A 射的= 在 的散布，及該第二轉速會 來在該基板上散佈-乾職體。 A，、巾龜H統係用 Γ包覆a層’及—減少在曝光程序中所產生薄膜干涉Ξ頂 33.-半導體積體電路’包含:多數電晶體，形成於該半導 22 1278595 體積體電路中，每一電晶體有一小於lOOOnm的橫向大小，且包 含多數之具有小於65 nm之臨界尺寸的特徵部，其中，於該半導體 積體電路之實質上整體中，該多數之特徵部中之每一個的該臨界尺 寸實質上是一致的。 34.—種半導體積體電路，由申請專利範圍第1至20項中任 一項的方法所製造。 十一、圖式： 23