1269425 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關例如應用於液晶裝置等之光電裝置等， > 於基板上之積1構造內具有接觸孔名半導體裝置用基板及 ‘其製造方法、具備此種半導體裝置用基板而成的光電裝置 用基板、具備該光電裝置用基板而成的光電裝置以及例如 液晶投影機等之電子機器的技術領域。 【先前技術】 於曰本專利文獻1揭示一種在此種之半導體裝置用基 板，使用多層配線所形成的構成。並於日本專利文獻2揭 示一種包括此種半導體裝置用基板的光電裝置。在此光電 裝置，供驅動被形成在基板上之畫像顯示區域的複數畫素 部的驅動電路，被形成於位在畫像顯示區域之周邊的周邊 區域。在驅動電路方面，供連接屬於電路元件之薄膜電晶 φ體的半導體層與配線的疊層接觸，是例如貫通二層之層間 絕緣層而形成。更具體是，二層之層間絕緣層之中，在由 從相對於在位於上層側之層間絕緣層被開孔的第1孔及第1 孔的底部開始貫通相對位於下層側之層間絕緣層而開孔的 第2孔所形成的接觸孔內，自上層側之層間絕緣層的表面 開始連續地成膜導電材料，藉此利用與形成配線一起被形 成在接觸孔內的配線的一部分而形成疊層接觸。薄膜電晶 體之源極及汲極，中介著此種疊層接觸，與配線導電連接 -4 - (2) 1269425 在此’通常在薄膜電晶體的設計上，爲使移動度增加 ’可調整薄膜電晶體的通道長和通道寬幅之比的値。而對 薄膜電晶體的源極及汲極分別複數設置疊層接觸，藉此使 " 對薄膜電晶體的寄生電阻降低而使打開電流增加。 ~ [專利文獻1]日本特開8-22793 9號公報 [專利文獻2]日本特開2002-108244號公報 φ 【發明內容】 [發明欲解決的課題] 如上述的配線，在被形成於半導體層上的複數接觸孔 之中所鄰接的兩個接觸孔方面，自一方的接觸孔內開始連 續形成於他方之接觸孔內，藉此複數疊層接觸分別被導電 連接。因而，像這樣供導電連接複數疊層接觸的配線長相 對變長。因此，光電裝置驅動時，在配線方面，被形成在 接觸孔內的部分或被形成層間絕緣層之表面的部分與層間 絕緣層的接觸電阻，進而除了此接觸電阻外，與接觸孔內 的半導體層之接觸電阻有相對變大之虞。像這樣，一旦接 觸電阻變大，複數疊層接觸之中不光是一部分會發生無法 電氣導通的事態，結果造成打開電流下降。 夂- 、----________ 因而，爲了解決此種不當情形，只要以平面所見的配 線作爲完全覆蓋各接觸孔的寬幅而形成於基板面上即可。 藉此，就連除了接觸孔外，都能g保接觸電阻相對較低的 電流路徑。但是，如果像這樣所構成，配線間距變狹窄， 在使驅動電路小型化的情形下，於層間絕緣自該配線形成 -5- (3) 1269425 於上層側的別的導電層與配線的層間絕緣層會發生裂痕，，/ 光電裝置之製造時會產生所謂良品率降低拉新不當情形。 本發明係例如有鑑於上述問題點的發明，其課題在於 提供一能抑制疊層接觸之接觸電阻的半導體裝置_用棊板及 ^ 其製造方法、具備此種半導體裝置用基板而成的光電裝置 用基板、具備該光電裝置用基板而成的光電裝置以及各種 電子機器。 p 本發明之第1半導體裝置用基板爲了解決上述問題， 具備：基板，設於該基板上之薄膜電晶體，設於該薄膜電 晶體的上層側之配線，層間絕緣該配線前述薄膜電晶體之 至少半導體層的層間絕緣層，包含：挖掘於該層間絕緣層 且在前述基板面上所見爲延伸爲長形狀之第1孔，及分別 由前述第1孔之底部貫通前述層間絕緣層達於前述半導體 層之表面且沿著前述第1孔之長邊方向排列之複數第2孔； 而中介著前述層間絕緣層連接前述配線與前述半導體層之 __接觸孔。 若根據本發明之第1半導體裝置用基板，在基板上， 薄膜電晶體與配線，藉由一層以上之層間絕緣層被層間絕 緣。於層間絕緣層，自層間絕緣層的表面貫通層間絕緣層 ，到達薄膜電晶體之半導體層的表面的接觸孔被開孔。像 這樣，在層間絕緣層開孔接觸孔，藉此形成規定此接觸孔 的層間絕緣層的壁部分。 接觸孔係藉由在層間絕緣層開孔的第1孔及在第1孔之 底部被開孔的複數第2孔所形成。接觸孔之第1孔，由基板 -6- (4) 1269425 面上平面上看來，例如，以沿著薄膜電晶體之通道寬幅方 向而長形狀延伸至半導體層上的方式，形成長方形狀。或 者，第1孔，由基板面上平面上看來，不限於長方形狀即 直線延伸爲長形狀的形狀，也能以包括延伸至薄膜電晶體 之通道寬幅方向的部分與對該部分而折曲延伸的部分的方 式，形成彎曲狀。而接觸孔也可以沿著薄膜電晶體的通道 寬幅方向而複數設置所形成。 p 進而，接觸孔的複數第2孔分別自第1孔的底部貫通層 間絕緣層而到達半導體層的表面。而由基板上平面上看來 ，複數第2孔是沿著第1孔的長邊方向被排列。 而例如配線是由層間絕緣層的表面往接觸孔內，以覆 蓋露出接觸孔內的半導體層的表面的方式，連續形成於接 觸孔。此時，藉由被形成在接觸孔內的配線之一部分而形 成疊層接觸。中介著像這樣的疊層接觸，而導電連接薄膜 電晶體的源極或汲極與配線。在此，薄膜電晶體之源極及 φ汲極之中的任何一方，均中介著有關本發明之疊層接觸而 連接於配線。或者，薄膜電晶體之源極及汲極的兩方也可 以中介著有關本發明之疊層接觸而連接於配線的方式所形 成。 如上述藉由配線之一部分形成疊層接觸的情形，在接 觸孔內，配線之一部分，以覆蓋第1孔之側壁部及底部的 方式，同時自第1孔的底部分別被連續形成在複數第2孔內 。已說明的習知技術中，只要著重在形成相鄰接之兩個疊 層接觸的配線的一部分，被形成在一方之疊層接觸的第2 -7- (5) 1269425 孔的部分，就會中介著被形成在他方之疊層接觸的第2孔 的部分與被形成在兩個第1孔之其他的部分而導電連接。 對此，若根據有關如上述的本發明之疊層接觸的構成，在 形成疊層接觸的配線之一部分，只要著重於被形成在所鄰 接的兩個第2孔內的部分，該部分就會自一方的第2孔中介 著第1孔之底部而連續形成在他方的第2孔。因而，在形成 疊層接觸的配線之一部分，與習知相比能縮短供導電連接 B 被形成於所鄰接的兩個第2孔內的部分的配線長。特別是 ，如果也有鑑於所鄰接的第2孔間距，與習知相比也較爲 縮小，連續形成於所鄰接的兩個第2孔的部分的配線長， 與習知相比，顯著變短。進而，能提昇疊層接觸之配線的 被蓋率。因而，疊層接觸之配線與接觸孔之壁面的相對性 的接觸電阻，與習知相比，使其降低的緣故，配線之相對 性的配線電阻也會降低。 而如上述，在接觸孔方面，以第1孔之長邊方向沿著 φ通道寬幅方向而延伸的方式所形成，同時複數第2孔沿著 第1孔之長邊方向而排列，就能擴大薄膜電晶體的通道寬 幅。因而，就能提高薄膜電晶體的移動度。 因而，藉根據如以上說明的本發明之第1半導體裝 置用基板，就能使薄膜電晶體的打開電流增加。若根據本 發明人等的硏究，與習知相比，使用有關本發明之疊層接 觸，就能藉此使例如薄膜電晶體的打開電流之値增加1 4 % 〇 在本發明之第1半導體裝置用基板之其中一形態，前 -8- (6) 1269425 述配線，由前述層間絕緣層之表面往前述接觸孔內，以覆 蓋露出於前述接觸孔內的前述半導體層的表面的方式，沿 著前述長邊方向連續形成。 > 若根據此形態，就能藉由被形成於接觸孔內的配線的 ' 一部分而形成疊層接觸。因而，疊層接觸之配線與接觸孔 之壁面的相對性的接觸電阻，與習知相比較低的緣故，也 能使配線相對性的配線電阻變低。 φ 此配線在由層間絕緣層的表面被形成於接觸孔內的形 態，也可以沿著前述配線的前述長邊方向連續形成的部分 的寬幅，由前述基板面上平面上看來，比前述接觸孔之前 述第1孔的寬幅還小，且比第2孔的寬幅還大的方式所構成 〇 若根據像這樣所構成，可得到如以下的冗長配線的效 果。即，在被形成於疊層接觸之配線的一部分，由被形成 於接觸孔之第1孔的部分中介著被形成於各第2孔內的部分 φ而形成到達半導體層的電流路徑。除此之外，有別於此電 流路徑地，在與被形成在配線之一部分的第2孔的部分不 ^ 同的部分，由接觸孔之第1孔的側壁形成到達底部的電流 路徑。因而，假設在配線的一部分，即使在複數第2孔之 中被形成於一部分的部分發生斷線不良，也能在被形成於 第2孔外的電流路徑，確保配線與半導體層的電氣導通。 在本發明之第1半導體裝置用基板的其他形態，前述 長邊方向，係沿著前述半導體層之通道的寬幅方向。 若根據此形態，可擴大薄膜電晶體之通道寬幅的緣故 -9- (7) 1269425 ，就能效率良好的提高薄膜電晶體的移動度。 在本發明之第1半導體裝置用基板的其他形態，前述 接觸孔，被形成於前述薄膜電晶體的源極側或汲極側。 ^ 在此形態，於使接觸孔之第1孔開孔之際，例如中介 ' 著具有所對應的開孔圖案的光阻劑而對層間絕緣層施行蝕 刻處理。如上述，在沿著通道寬幅方向而形成複數接觸孔 的情形，若不能充分確保各接觸孔的間隔，在形成光阻劑 Φ 之際，在使光阻劑的材料膜曝光的階段，會產生供形成開 孔圖案的光罩之轉印無法正常施行之虞。但是若擴大接觸 孔的間隔，使薄膜電晶體大型化，藉此半導體層用基板也 就大型化。 對此，在此形態，於薄膜電晶體的源極側或汲極側， 開孔一個接觸孔。因而，於接觸孔之形成時終究不會發生 如上述的不當情形，對於使薄膜電晶體小型化的情形就很 有利。進而，與在複數接觸孔連續形成配線的情形相比， Φ供形成疊層接觸之配線的一部分的配線長爲需要最低限之 長度的緣故，可將相對的配線電阻抑制的很低。 * 在本發明之第1半導體裝置用基板的其他形態，前述 層間絕緣層被形成二層以上。 若根據此形態，層間絕緣層被形成二層以上的緣，根 據習知的疊層接觸，在取得半導體層與配線的電性導通的 情形下，供導電連接各疊層接觸的配線長變長，藉此配線 電阻有變大之虞。另一方面，在層間絕緣層被形成二層以 上的情形下，如已說明的，將配線，由層間絕緣層之表面 -10- (8) 1269425 往接觸孔內，以覆蓋露出於接觸孔內的半導體層的表面的 方式，連續形成，形成疊層接觸。而且，中介著此疊層接 觸而使半導體層與配線導電連接，藉此就能抑制相對的配 線長增加，而將配線電阻抑制得很低。 在此層間絕緣層被形成二層以上的形態，也可以於前 述基板上，下部層間絕緣層及位於比該下部層間絕緣層更 爲上層側之上部層間絕緣層，其前述上部層間絕緣層及前 _ 述下部層間絕緣層之界面，以比前述接觸孔之前述第1孔 的底部位於更上側的方式所構成。 若像這樣所構成，接觸孔之開孔時在，在施行蝕刻處 理而開孔第1孔之際，上部層間絕緣層與下部層間絕緣層 相比，對蝕刻劑的蝕刻率較慢的情形下，上部層間絕緣層 的下部層間絕緣層之界面被挖掘，接觸孔的配線的被蓋率 降低的緣故，有產生斷線不良之虞。而在開孔第2孔的情 形下，不光是乾蝕刻法，有削去半導體層之虞的緣故，使 U用濕蝕刻法爲佳。 在此形態，於施行蝕刻處理之際，藉由乾蝕刻法，形 成位於上部層間絕緣層及下部層間絕緣層之界面的第1孔 的側壁的一部分，將此側壁的一部分以光阻劑覆蓋，將第 2孔使用濕蝕刻法而開孔的方式所形成的話’能防止如前 述的被挖掘。其結果，若根據此形態，就能防止疊層接觸 的斷線不良。 本發明之第2半導體裝置用基板爲了解決上述課題， 具備：基板，設於該基板上之下部導電層’設於該下部導 -11 - (9) 1269425 電層之上層側的上部導電層，層間絕緣該上部導電層與前 述下部導電層之層間絕緣層，包含：挖掘於該層間絕緣層 且在前述基板面上所見爲延伸爲長形狀之第1孔，及分別 由前述第1孔之底部貫通前述層間絕緣層達於前述下部導 電層之表面且沿著前述第1孔之長邊方向排列之複數第2孔 ;而中介著前述層間絕緣層連接前述上部導電層與前述下 部導電層之接觸孔。 若根據本發明之第2半導體裝置用基板，於接觸孔， 例如上部導電層，由層間絕緣層的表面往接觸孔內，以覆 蓋露出於接觸孔內的下部導電層的表面的方式，連續形成 。藉此，藉由被形成於接觸孔內之上部導電層的一部分而 形成疊層接觸。 因而，於此疊層接觸方面，可使上部導電層的被蓋率 提昇。而疊層接觸的上部導電層的相對的接觸電阻，與習 知相比較低的緣故，也會使上部導電層的相對的電阻降低 〇 在本發明之第2半導體裝置用基板的其中一形態，前 述上部導電層，由前述層間絕緣層之表面往前述接觸孔內 ，以覆蓋露出於前述接觸孔內的前述下部導電層的表面的 方式，沿著前述長邊方向連續形成。 若根據此形態，藉由被形成於接觸孔內的上部導電層 的一部分而形成疊層接觸。因而，在此疊層接觸方面，會 使上部導電層之被蓋率提昇，同時將疊層接觸的上部導電 層的相對的接觸電阻，與習知相比較低。 -12- (10) 1269425 本發明之光電裝置用基板爲了解決上述課題，係具備 :上述之本發明的第1或第2半導體裝置用基板（但包括其 各種形態）的光電裝置用基板，具備：前述基板上之畫像 顯示區域被形成複數畫素部，包含前述薄膜電晶體及前述 配線，供驅動前述複數畫素部之驅動電路。 若根據本發明之光電裝置用基板，各畫素部例如包括 作爲顯示元件的液晶元件，藉由驅動電路而驅動各畫素部 B ，藉此就能藉此顯示元件而施行畫像顯示。 在各畫素部包括液晶元件的情形下，例如由畫像顯示 區域直到周邊區域而形成配向膜。此時，在周邊區域方面 ，爲了使配線形成層間絕緣於被形成在配線上的層間絕緣 層上，形成配向膜。在此，於有關本發明之被形成於疊層 接觸的配線之一部分上所形成的層間絕緣層的表面，形成 對應配線之一部分的表面形狀的凹凸形狀。而且，層間絕 緣層的表面形狀，是成爲形成在層間絕緣層上的配向膜的 φ表面形狀而被反映。 在此形態，與習知相比，能平順地形成於配線之一部 上所形成之層間絕緣層的表面所形成的凹凸的段差形狀。 因而，比形成在層間絕緣層上之配向膜的表面平坦。在此 ，硏磨處理之際，若在配向膜的表面發生很大的段差，配 向膜的表面會受損，藉此膜有產生剝落之虞。在此形態， 能防止此種配向膜的膜因剝落和硏磨處理的損傷所產生的 顯示不均。進而，於驅動電路方面也可防止隨著薄膜電晶 體之打開電流下降所產生的顯示不良。 -13- (11) 1269425 本發明之光電裝置爲了解決上述課題，具備：上述之 本發明的光電裝置用基板，與該光電裝置用基板對向，在 與該光電裝置用基板之間夾持光電物質之對向基板。 若根_本發明之光電裝置，具備上述之本發明的光電 裝置用基板的緣故，防止顯示不勻等發生顯示不良，而能 進行高品質的畫像顯示。再者，於各畫素部方面，顯示元 件藉由液晶元件所構成的情形下，液晶元件，例如於被形 P 成在光電裝置用基板上的畫素電極與被形成在對向基板側 的對向電極之間，夾持液晶作爲光電物質。 本發明爲電子機器爲了解決上述課題，具備上述之本 發明的光電裝置。 本發明之電子機器，係具有上述之本發明的光電裝置 而成，可實現能執行高品質的畫像顯示的投射型顯示裝置 、電視機、攜帶式電話、電子記事簿、文書處理器、觀景 窗型或監視直視型的錄影機、工作站、影像電話機、POS Φ終端、觸控面板等的各種電子機器。而作爲本發明的電子 機器，例如也能以電子報等之電泳裝置、電子放射裝置 (Field Emission Display 及 Conduction Electron-Emitter
Display)、使用該等電泳裝置、電子放射裝置的裝置來實 現 DLP(Degital Light Processing)等。 本發明之第1半導體裝置用基板的製造方法爲了解決 上述課題，具備：在基板上形成薄膜電晶體之步驟，於該 薄膜電晶體之上層側形成配線的步驟，形成層間絕緣前述 配線與前述薄膜電晶體之至少半導體層的層間絕緣層的步 -14- (12) 1269425 驟，於前述層間絕緣層開孔在前述基板面上所見爲延伸爲 長形狀之第1孔之後，開孔分別由前述第1孔之底部貫通前 述層間絕緣層達於前述半導體層之表面且沿著前述第1孔 之長邊方向排列之複數第2孔；而形成中介著前述層間絕 緣層連接前述配線與前述半導體層之接觸孔的步驟。 又根據本發明之第1半導體裝置用基板之製造方法， 在開孔第1孔之後，開孔複數第2孔，藉此形成接觸孔。在 p 此，第1孔，係在基板面上所見，以包圍複數第2孔的方式 被開孔的緣故，尺寸變得比較大。第1孔，例如使用具有 開孔圖案的光阻劑，對層間絕緣層施行鈾刻處理藉此加以 開孔。此時，爲了防止光阻劑之膜剝落，藉由乾鈾刻法， 開孔第1孔爲佳。 而複數第2孔，只用乾蝕刻法，有削去半導體層之虞 的緣故，使用濕蝕刻法而開孔的爲佳。將層間絕緣層形成 二層以上的情形下，上部層間絕緣層與下部層間絕緣層做 φ比較，若對蝕刻劑的蝕刻很慢，如已說明的，在將第2孔 藉由濕蝕刻法開孔之際，在上部層間絕緣層及下部層間絕 緣層的界面有發生挖掘之虞。 因而，以位於第1孔之側壁的上部層間絕緣層及下部 層間絕緣層的界面的一部分藉由乾蝕刻法所形成的方式， 來調整第1孔的深度，同時以光阻劑等覆蓋第1孔的側壁部 ，使複數第2孔開孔。而且例如將配線由層間絕緣層的表 面往接觸孔內連續形成，以形成疊層接觸，藉此就能確實 防止被形成於接觸孔之配線的一部分發生斷線不良。再者 -15- (13) 1269425 ，由基板面上平面上看來，位於上部層間絕緣層及下部層 間絕緣層之界面的第1孔之側壁的全部也可以藉由乾蝕刻 法而形成，位於上部層間絕緣層及下部層間絕緣層的界面 的第1孔的側壁的一部分也可以藉由乾蝕刻法而形成。 因而，若根據本發明之第1半導體裝置用基板之製造 方法，就能在半導體層用基板之製造時提昇良品率。 在本發明之第1半導體裝置用基板之製造方法之其中 一形態，於形成前述接觸孔之步驟，前述第1孔，係藉由 乾蝕刻法開孔。 若根據此形態，在形成接觸孔的步驟方面，將第1孔 ，使用光阻劑而對層間絕緣層施行鈾刻處理藉此加以開孔 之際，可防止光阻劑之膜剝落。 在本發明之第1半導體裝置用基板之製造方法的其他 形態，於形成前述接觸孔之步驟，前述第2孔，係藉由乾 蝕刻法再加上濕蝕刻法來開孔。 若根據此形態，藉由乾蝕刻法開孔由第1孔之底部到 達層間絕緣層內的小孔之後，使用濕蝕刻法掘進小孔，而 貫通層間絕緣層，來開孔第2孔。因而，若根據此形態， 於開孔第2孔之際，能防止半導體層被削去或者穿透的事 態。 在本發明之第1半導體裝置用基板的製造方法的其他 形態，於形成前述層間絕緣層的步驟，將前述層間絕緣層 形成爲二層以上，形成前述接觸孔的步驟，對下部層間絕 緣層與位於較該下部層間絕緣層更爲上層側的上部層間絕 -16- (14) 1269425 緣層進行蝕刻處理，貫通前述上部層間絕緣層，以到達前 述下部層間絕緣層內的方式開孔前述第1孔，同時藉由乾 蝕刻法形成前述第1孔之位於前述上部層間絕緣層及前述 下部層間絕緣層的界面的側壁的一部份。 若根據此形態，就能確實防止被形成於接觸孔的配線 的一部發生斷線不良的情形。 本發明之第2半導體裝置用基板之製造方法爲了解決 _ 上述課題，具備：前述在基板上形成薄膜電晶體之步驟， 於該薄膜電晶體之上層側形成配線的步驟，形成層間絕緣 該配線與前述薄膜電晶體之至少半導體層的層間絕緣層的 步驟，於前述層間絕緣層開孔複數小孔之後，開孔在前述 層間絕緣層以包圍在前述基板面上所見重疊於前述複數小 孔而以包圍前述複數小孔的方式延伸爲長形狀之第1孔之 後，掘進前述複數小孔藉以分別由前述第1孔之底部貫通 前述層間絕緣層達於前述半導體層之表面且沿著前述第1 φ孔之長邊方向排列之複數第2孔；形成中介著前述層間絕 緣層連接前述配線與前述半導體層之接觸孔的步驟。 本若根據本發明之第2半導體裝置用基板之製造方法 ，在形成接觸孔之步驟方面，於開孔複數小孔之後，在基 板面上所見，以包圍複數小孔的方式，重疊於複數小孔開 孔第1孔。此時，複數小孔例如使用形成對應的開孔圖案 的光阻劑，將濕蝕刻法及乾蝕刻法的兩方或者任何一方， 對層間絕緣層施行藉此加以開孔。 而第1孔，係與複數小孔同樣地使用光阻劑，對層間 -17- (15) 1269425 絕緣層施行蝕刻處理藉此使其開孔。此時，爲了防止光阻 劑之膜剝落，藉由乾蝕刻法，使第1孔開孔爲佳。開孔第1 孔之際，掘進複數小孔，而藉此形成複數第2孔。 ^ 因而，本若根據本發明之第2半導體裝置用基板之製 ^ 造方法，能於半導體裝置用基板之製造時提昇良品率。 在本發明之第1或第2半導體裝置用基板之製造方法的 其他形態，形成前述配線的步驟，使前述配線由前述層間 φ 絕緣層的表面往前述接觸孔內，以覆蓋露出於前述接觸孔 內的前述半導體層的表面的方式，沿著前述長邊方向連續 形成。 若根據此形態，就能確實防止在被形成於接觸孔的配 線的一部分發生斷線不良。 本發明之此種作用及其他的優點由以下說明的實施形 態即可明白。 φ 【實施方式】 [用以實施發明的最佳形態] 以下針對本發明之實施形態參照圖面做說明。以下之 實施形態將本發明之光電裝置應用於液晶裝置。 <1 :光電裝置之全體構成> 首先，針對本發明之光電裝置之全體構成，參照第1 圖至第3圖做說明。在此，第1圖係與形成於其上之各構成 要素一同由對向基板之側觀看TFT陣列基板的光電裝置 -18- (16) 1269425 的平面圖，第2圖係第1圖之H-H’剖面圖。進而，第3圖係 表示光電裝置之電氣構成的方塊圖。在此，舉光電裝置之 其中一例的驅動電路內裝型之TFT主動矩陣驅動方式的 液晶裝置爲例。 在第1圖及第2圖方面，有關本實施形態的光電裝置， 係對向配置TFT陣列基板10與對向基板20。在TFT陣列 基板10與對向基板20之間封入液晶層50，TFT陣列基板10 與對向基板20，藉由設於位在畫像顯示區域l〇a之周圍的 密封區域的密封材52被相互接著。 密封材52爲了使兩基板，例如以紫外線硬化樹脂、熱 硬化樹脂等所形成，在製造製程方面被塗佈於TFT陣列 基板10上之後，藉由紫外線照射、加熱等使其硬化。而於 密封材52中，散佈欲使TFT陣列基板10與對向基板20的 間之光電裝置，適於作爲投影機的光閥用，以小型進行擴 大顯示。 並行配置密封材5 2之密封區域的內側，而規定畫像顯 示區域10a之框緣區域的遮光性的框緣遮光膜53，被設於 對向基板20側。但此種框緣遮光膜53的一部分或全部，可 作爲內裝遮光膜而設於TFT陣列基板1〇側。再者，於本 實施形態’存在著位於前述之畫像顯示區域l〇a之周邊的 周邊區域。換句話說就是，於本實施形態中，特別是由 TFT陣列基板10的中心所觀看的，此框緣遮光膜53那邊作 爲周邊區域而被規定。 位於畫像顯示區域10a之周邊的周邊區域之中，在位 -19- (17) 1269425 於配置密封材5 2之密封區域的外側的區域’沿著TFT陣 列基板10之一邊而設資料線驅動電路1〇1及外部電路連接 端子102。而掃描線驅動電路104，以沿著鄰接於此一邊的 2邊之任一邊，且覆蓋於前述框緣遮光膜53的方式而設。 再者，也可將掃描線驅動電路1 ，以沿著鄰接於設有資 料線驅動電路101及外部電路連接端子102之TFT陣列基 板10的一邊的2邊的方式而設。此時，藉由沿著TFT陣列 _ 基板10之剩下的一邊而設的複數配線，互相連接兩個掃描 線驅動電路104所形成。 而在對向基板20的4個角隅部，配置兩基板間之上下 導通端子而產生功能的上下導通材106。另一方面，在 TFT陣列基板10在對向於該等之角隅部的區域設有上下導 通端子。藉此，就能在TFT陣列基板10與對向基板20之 間取得電氣的導通。 於第2圖中，在TFT陣列基板10上，使配向膜形成在 φ畫素開關用之TFT和形成掃描線、資料線等的配線之後 的畫素電極9a上。另一方面，在對向基板20上，除了對 向電極21外，形成格子狀或條紋狀的遮光膜23，進而在最 上層部分形成配向膜。而液晶層50係由混合例如一種或數 種之向列液晶的液晶所形成，在該等之一對配向膜間，取 得特定的配向狀態。 再者，雖未在第1圖及第2圖加以圖示，但是TFT陣 列基板1 〇上，除了資料線驅動電路1 0 1和掃描線驅動電路 104等，也可於複數資料線形成供檢查將特定電壓電位的 -20- (18) 1269425 預充訊號先行至畫像訊號而各別供給的預充電路’於製造 途中和出貨等之該光電裝置的品質、缺陷等的檢查電路等 〇 其次，參照第3圖，針對上述之光電裝置的電氣的構 成做說明。 如第3圖所示，於光電裝置，設有畫像訊號處理電路 300、定時訊號發生器400以作爲外部電路。定時訊號發生 p 器400，係以輸出在各部所使用的各種定時訊號的方式所 構成。藉由屬於定時訊號發生器4 00之一部分的定時訊號 輸出手段，屬於最小單位的時脈，製作供掃描各畫素的點 時脈，依據此點時脈，生成Y時脈訊號YCK、反轉Y時 脈訊號YCKB、X時脈訊號XCK、反轉X時脈訊號XCKB 、Y起動脈動YSP及X起動脈衝XSP。 畫像訊號供給電路300，係畫像顯示區域10a方面進 行彩色顯示的情形，若輸入畫像資料由外部被輸入，即依 φ據此輸入畫像資料，生成對應紅色（R)、綠（G)及藍色（B) 之各色的R訊號、G訊號、B訊號的各個畫像訊號。再者 ，圖雖被簡略化，但例如也可將有關的輸入畫像資料以串 列-平行變換於複數相之畫像訊號而輸出的方式被構成。 由畫像訊號供給電路300被輸出的R訊號、G訊號及B訊 號的各個訊號，由畫像訊號供給電路300中介著3條畫像訊 號供給線LI、L2及L3的任一條，而依序供給到資料線驅 動電路1 〇 1。 於掃描線驅動電路104，供給Y時脈訊號YCK、反轉 -21 - (19) 1269425 Y時脈訊號YCKB及Y起動脈衝YSP。掃描線驅動電路 104，如果輸入γ起動脈衝YSP，即依據γ時脈訊號YCK 及反轉Y時脈訊號YCKB以定時，依序生成掃描訊號Y1 、Y2 ' ......、Ym而輸出。 於資料線驅動電路1 0 1的主要部，包括：抽樣訊號供 給電路1 01 a及抽樣電路1 0 1 b。抽樣訊號供給電路1 0 1 a， 如果輸入X起動脈衝XSP，即依據X時脈訊號XCK及反 _ 轉X時脈訊號XCKB以定時，依序生成抽樣訊號S1、… …Sii而輸出。抽樣電路i〇ib，係複數具備由P通道型或 N通道型之單通道型TFT或者相補型之TFT所構成的抽 樣開關202。 於佔據TFT陣列基板10之中央的畫像顯示i〇a，縱橫 地配線著資料線6a及掃描線3a，於對應該些之交點的各 畫素部，具備TFT30而作爲開關控制被矩陣狀排列的液晶 元件118的畫素電極9a及畫素電極9a的畫素開關元件。再 響者’在本實施形態，特別說明掃描線3 a的總條數爲m數（ 但m爲2以上的自然數），資料線6a的總條數爲^條（但^ 爲2以上的自然數）。 配線於畫像顯示區域1 0a的複數資料線6a，分別作爲 R用、G用及B用之3種中的任一種而設置。而在抽樣電 路l〇lb方面，抽樣開關202被設於各資料線6&。各抽樣開 關202，對應由抽樣電路200所輸出的抽樣訊號si(I = 1、2 ........Sn) ’於對應的資料線6a，抽樣R訊號、g訊號 及B訊號之中的任一訊號而供給。 -22- (20) 1269425 第4圖中’若著重於一個畫素部的構成，在tFT3 0之 源極電極，導電連接著供給R訊號、G訊號及B訊號之 中的任一訊號的資料線6a，另一方面，於TFT30的閘極電 * 極’導電連接供給掃描訊號Yj (但j = l、2........m)的掃 描線3a’同時於TFT30的汲極電極，連接液晶元件118的 畫素電極9a。在此，在各畫素部方面，液晶元件118，在 畫素電極9a與對向電極21之間夾持液晶而成。因而，各 φ 畫素部，對應掃描線3a與資料線6a的各交點，而排列爲 矩陣狀。 於液晶元件1 18的畫素電極9a，TFT30僅一定期間關 閉其開關，藉此自資料線6a以特定的定時供給畫像訊號 。藉此，於液晶元件1 1 8。施加藉由畫素電極9a及對向電 極2 1之各個的電位所規定的施加電壓。液晶，藉由所施加 的電壓電位改變分子聚合的配向和秩序，藉此來調變光， 就能做階調顯示。若是常白模式，對應於各畫素之單位所 φ施加的電壓而減少對射入光的透過率，若爲常黑模式，對 應以各畫素之單位所施加的電壓而增加對射入光的透過率 - ，全體由液晶面板1〇〇射出具有應畫像訊號之反差的光。 在此，爲了防止被保持的畫像訊號發生洩放，累積電 容70，與液晶元件1 1 8並列地被附加。例如畫素電極1 1 8的 電壓，只比施加源極電壓的時間長三倍的時間藉由累積電 容70被保持，改善保持特性的結果，實現高反差比。 <2 :畫素部之構成> -23- (21) 1269425 在以，針對本發明之本實施形態的光電裝置的畫素部 的構成，參照第4圖至第6圖做說明。 在此，第4圖係形成資料線、掃描線、畫素電極等之 TFT陣列基板之相鄰接的複數畫素群的平面圖。而第5圖 係、第4圖之A-A’剖面圖。再者，於第5圖中，爲了成爲 能在圖面上辨識各層、各構件之程度的大小，於該各層、 各構件均爲不同的比例。 於第4圖中，在光電裝置的TFT陣列基板1〇上，設置 矩陣狀的複數透明畫素電極9a(藉由點線部9a’表示輪廓）， 於畫素電極9a之縱橫的邊界沿著各個而設置資料線6a及 掃描線3 a。 在半導體層la之中，以對向於在第4圖中右上之斜線 區域所示的通道區域la’的方式配置掃描線3a、掃描線3a 包括閘極電極。像這樣，在掃描線3a與資料線6a的交叉 之處，分別於通道區域la’設置對向配置的畫素開關用的 TFT30作爲掃描線3a的一部作爲閘極電極。 在此，第6圖係更詳細表示第5圖所示的資料線6a與 TFT30之半導體層la的連接部分的構成的剖面圖。如第5 圖及第6圖所示，資料線6a係以其上面被平坦化的第2層 間絕緣層42作爲基底而形成，形成於貫通第2層間絕緣層 42之接觸孔81內的資料線6a的一部分，由貫通第1層間絕 緣層4 1的接觸孔82內中介著連續形成於第1層間絕緣層4 1 之表面的中繼層71b而連接於TFT30的高濃度源極區域ld 。在本實施形態，資料線6a係作爲例如A1 (鋁）含有材料 -24- (22) 1269425 或者A1單體爲材料使用而形成。而中繼層71b最好使用 導電性之多結晶矽膜而形成。 而於第5圖中，累積電容70，藉由中介著介電質膜75 而對向配置，形成作爲連接於TFT30之高濃度汲極區域1 e 及畫素電極9a的畫素電位側電容電極的下部電容電極71 ，作爲固定電位側電容電極的上部電容電極3 00的一部分 〇 B 如第4圖及第5圖所示，上部電容電極300例如以包含 金屬或合金的導電性遮光膜所形成，當作上側遮光膜（內 裝遮光膜）之其中一例而設於TFT30的上側。而連此上部 電容電極3 00也作爲固定電位側電容電極產生功能。上部 電容電極300，係例如包含Ti(鈦）、Cr(鉻）、W(鎢）、Ta( 钽）、Mo(鉬）、Pd(鈀）等之高融點金屬之中的至少一種， 由金屬單體、合金、金屬矽化物、多結晶矽化物、積層該 些等等所形成。或者，上部電容電極300也可包含A1 (鋁） φ 、Ag(銀）等之其他金屬。但上部電容電極300，例如也可 具有積層由導電性之多結晶矽膜等所形成的第1膜和由包 含高融點金屬的金屬矽化物膜等所形成的第2膜的多層構 造。 另一方面，下部電容電極71，係例如由導電性之多結 晶矽膜所形成，當作畫素電位側電容電極而產生功能。下 部電容電極7 1，除了作爲畫素電位側電容電極之功能外， 具有作爲被配置在作爲上側遮光膜之上部電容電極300與 TFT30之間的光吸收層或者上側遮光膜的其他例子的功能 -25- (23) 1269425 ，進而，具有中繼連接著畫素電極9a與TFT30之高濃度 汲極區域le的功能。但下部電容電極71也與上部電容電 極3 00同樣地，可由包含金屬或合金之單一層膜或者多層 膜所構成。 配置於作爲電容電極之下部電容電極71與上部電容電 極3 00之間的介電質膜75，例如由HTO(High Temperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等之氧化矽膜 _ 或者氮化矽膜等所構成。從令累積電容70增大的觀點來看 ，僅限於可充分獲得膜的可靠性，而介電質膜75厚薄的程 度優。 而上部電容電極300，係由配置畫素電極9a的畫像顯 示區域延伸於其周圍，與定電位源導電連接，成爲固定電 位。有關的定電位源，可爲被供給到掃描線驅動電路1 04 和資料線驅動電路1 〇 1之正電源和負電源的定電位源，也 可爲被供給到對向基板2 0之對向電極2 1的定電位。 H 一方面，在TFT30的下側，中介著基底絕緣膜12，而 格子狀設置下側遮光膜1 1 a。 下側遮光膜1 1 a，係爲了遮蔽來自於TFT陣列基板1 0 側射入到裝置內的回光，將TFT30的通道區域la，及其周 邊加以遮光所設的。此下側遮光膜1 1 a，與構成上側遮光 膜之其中一例的上部電容電極300同樣地，例如由包含Ti 、Cr、W、Ta、Mo、Pd等之高融點金屬之中的至少一種 的金屬單體、合金、金屬矽化物、多結晶砂化物、積層該 些等等所形成。進而，連下側遮光膜1 1 a，也爲了能避免 -26- (24) 1269425 其電位變動對TFT30的不良影響，與上部電容電極3 00同 樣地，由畫像顯示區域延伸設於其周圍，而連接於定電位 源爲佳。 基底絕緣層12，除了具有從下側遮光膜1 la使TFT30 層間絕緣層的功能外，還被形成在TFT陣列基板10的全 面，藉此具有防止因TFT陣列基板10的表面於硏磨時的 粗糙和洗淨後所殘留的污垢等使畫素開關用 TFT30的特 性產生劣化的功能。 畫素電極9a係中繼下部電容電極71，藉此中介著接 觸孔83及85而導電連接於半導體層la之中的高濃度汲極 區域1 e。 如第4圖及第5圖所示，光電裝置，具備：透明的TFT 陣列基板10，對向配置於此的透明對向基板20。TFT陣列 基板1 〇，係例如由石英基板、玻璃基板、矽基板所形成， 對向基板20，係例如由玻璃基板和石英基板所形成。 於TFT陣列基板10，設置畫素電極9a，在其上側， 設有施行硏磨處理等之特定的配向處理的配向膜16。畫素 電極9a，係例如由IT Ο (Indium Tin Oxide)膜等之透明導電 性膜所形成。而配向膜1 6，係例如由聚醯亞胺膜等之有機 膜所形成。 另一方面，在對向基板20，於其全面設有對向電極21 ，在其下側，設有施行硏磨處理等之特定的配向處理的配 向膜22。對向電極2 1，係例如由ITO膜等之透明導電性膜 所形成。而配向膜22，係由聚醯亞胺膜等之有機膜的所形 -27- (25) 1269425 成。 也可於對向基板20，設置格子狀或條紋狀的遮光膜。 採用此種構成，能與作爲上部電容電極3 00所設的上側遮 光膜一倂阻止來自TFT陣列基板10側的射入光，更確實 地阻止往其周邊乃至通道區域la’侵入。再者，對向基板 20上的遮光膜，以至少在光照射的面提高反射率的方式所 形成，藉此防止光電裝置之溫度上昇產生作用。 | 像這樣所構成，在以面對面方式配置畫素電極9a與 對向基板21的TFT陣列基板10與對向基板20之間，形成 液晶層5 0。液晶層5 0，以不由畫素電極9a施加電場的狀 態，藉由配向膜16及22成爲特定的配向狀態。 於第5圖中，畫素開關用 TFT30，具有LDD(Lightly Doped Drain)構造，具備：掃描線3a、藉由來自該掃描線 3a的電場使形成通道的半導體層la的通道區域la、掃描 線3a與半導體層1 a產生絕緣之包含閘極絕緣膜的絕緣膜2 φ 、半導體層1 a的低濃度源極區域1 b及低濃度汲極區域1 c 、半導體層1 a的高濃度源極區域1 d以及高濃度汲極區域 1 e 〇 於掃描線3 a上，形成分別開孔通往高濃度源極區域 Id的接觸孔82及通往高濃度汲極區域le的接觸孔83的第1 層間絕緣層4 1。 於第1層間絕緣層4 1上，形成下部電容電極7 1及上部 電容電極300，於此等之上，形成分別開孔接觸孔81及85 的第2層間絕緣層4 2。 -28- (26) 1269425 於第2層間絕緣層42上，形成資料線6a，於此等之上 ，形成著構成通往下部電容電極71之接觸孔85的第3層間 絕緣層43。畫素電極9a，被設於像這樣所構成的第3層間 絕緣層4 3的上面。 再者，如第4圖及第5圖所示，對應存在於累積電容70 、掃描線3a、TFT30等之第2層間絕緣層42下的各種構件 所產生的段差，可平坦化處理第2層間絕緣層42的表面而 | 被緩和。例如此平坦化可利用 CMP(Chemical Mechanical Polishing)處理等之硏磨處理，或著有機 SOG(Spin On Glass)而實施。但像這樣取代對第2層間絕緣層42施行平 坦化處理，或者除此之外，也可於TFT陣列基板10、基 底絕緣膜12及第1層間絕緣層41之中的至少一個挖掘溝槽 ，埋入累積電容70、掃描線3a、TFT30等，藉此施行平坦 化處理。 φ <3:周邊區域上之構成> 如以上說明的畫素部之構成，如第4圖所示，共通於 各畫素部。在參照第1圖及第2圖所說明的畫像顯示區域 l〇a，周期地形成有關之畫素部的構成。另一方面，在此 種光電裝置，於位在畫素顯示區域l〇a之周圍的周邊區域 ，如參照第1圖至第3圖所說明地，形成掃描線驅動電路 1 04和資料線驅動電路1 01。而且，該等掃描線驅動電路 1 04和資料線驅動電路1 0 1，例如由作爲複數開關元件之 TFT和配線等等所構成。 -29- (27) 1269425 第7圖係表示形成在周邊區域上的開關元件之其中一 例的單通道型的TFT之構成的槪略平面圖，第8圖係第7 圖之X-X’剖面圖，第9圖係第7圖之Y-Y’剖面圖。 以下，參照第7圖至第9圖，作爲設於周邊區域之掃描 線驅動電路1 04和資料線驅動電路1 0 1之電路元件和配線等 之構成的其中一例，針對第3圖所示的抽樣開關202之構成 做說明。此抽樣開關202係藉由單通道型之TFT所形成。 p 如第7圖及第8圖所示，作爲抽樣開關的TFT2 02，包 括半導體層220、閘極絕緣膜2及閘極電極膜1 16，形成連 接於半導體層220之汲極及源極的各種配222a及222b。而 於第8圖或第9圖中，像是由符號12、41、42及43等所示的 區別，該TFT202及其上層之結構，係形成與第5圖所示之 畫素部的構成相同的機會。β卩，半導體層220，係形成與 TFT30之半導體層la相同的機會，閘極電極膜116，係形 成與掃描線3a相同的機會等。再者，配線222a及222b， •也形成與第5圖所示的資料線6a相同的機會。除此之外， 於第7圖至第9圖中，圖雖未表示，但在與第5圖之下部電 容電極71和上部電容電極300相同的機會形成薄膜，也可 將此作爲導電連接於TFT202之配線等而利用。 像這樣，如果將畫素部之構成與周邊區域的TFT202 等之各種電路元件及配線等等形成相同的機會的構成，相 較於將該等各別形成的形態，其可達製造步驟的簡略化，， 或者省略化等。 而且，於本實施形態中，特別是作爲此種電路元件的 -30- (28) 1269425 TFT2 02的半導體層220及閘極電極膜116、配線222a及 222b，係與畫素部之TFT30的半導體層la與資料線6a同 樣，藉由第1及第2層間絕緣層41及42而相互被層間絕緣。 若根據此種構成，有關本發明之「上部層間絕緣層」，係 相當於第2層間絕緣層42，有關本發明之「下部層間絕緣 層」，係相當於第1層間絕緣層4 1，有關本發明之「上部 導電層」，係相對於配線222a及222b的各個配線，有關 本發明之「下部導電層」，係相當於半導體層220。 而且由第2層間絕緣層42的表面，貫通第1及第2層間 絕緣層41及42，而將接觸孔183開孔達到半導體層220的表 面。接觸孔183，如第7圖所示，對半導體層220源極及汲 極彌設。 如第7圖至第9圖所示，接觸孔183，係藉由於第1層間 絕緣層41被開孔的第1孔185a以及於第1孔185a的底部被 開孔的複數第2孔185b所形成。在接觸孔183方面，第1孔 185a，如第7圖所示，由TFT陣列基板10之基板面上平面 上看來，在半導體層220的源極及汲極上以沿著TFT202之 通道寬幅方向（第7圖中所示的箭頭W之方向）而延伸的方 式形成長方形狀。而第1孔185a，如第8圖或第9圖所示， 從第2層間絕緣層42的表面貫通第2層間絕緣層42而達到第 1層間絕緣層4 1內的方式被開孔。因而’第1層間絕緣層4 1 及第2層間絕緣層42的界面’在接觸孔183方面’位於第1 孔185a的側壁。 如第7圖所示，由TFT陣列基板10的基板面上平面上 -31 - (29) 1269425 看來，於第1孔185a的底部被開孔的複數第2孔185b，係 沿著第1孔185a的長邊方向而排列。各第2孔185b，係從 第1孔1 8 5 a的底部貫通第1層間絕緣層4 1而到達半導體層 220的表面。 例如第1孔185a的寬幅D0是以5[μιη]所形成，各第2孔 185b是以第2孔185b的孔徑rO爲2[μηι]，且所鄰接的2個第 2孔185b的間隔d0爲1.5[μιη]的方式被開孔。而在半導體 層220的源極側及汲極側的任一側，接觸孔183內的第2孔 18 5b的總數例如爲60個。再者，第7圖中，第2孔185b的 平面形狀以圓形狀所示，但第2孔185b的平面形狀不限於 圓形狀。而由TFT陣列基板10的基板面上平面上看來， 也可於第1孔185a的底部，形成沿著此第1孔185a的長邊 方向而延伸的一個第2孔185b。 而導電連接於半導體層220之源極的配線222a，對接 觸孔183以如下的方式被形成。再者，被導電連接於半導 體層220之汲極的配線222b，係與以下所說明的配線222a 同樣的構成之緣故，省略重複的說明。 於第7圖中，配線222a，係由TFT陣列基板10的基板 面上平面上看來，於比第1孔185a的寬幅D0還小，比第2 孔之孔徑r0還大的寬幅D 1之方式所形成。而且如第8圖所 示，配線222a，係從第2層間絕緣層42的表面往接觸孔183 內，以覆蓋露出接觸孔183內的半導體層22 0的表面的方式 ，沿著第1孔185a的長邊方向而連續形成。而藉由形成於 接觸孔183內的配線222 a的一部分而形成疊層接觸。中介 -32- (30) 1269425 著此種疊層接觸，而導電連接TFT202的源極和配線222a 〇 在此，參照第1 0圖及第1 1圖，針對作爲本實施形態之 比較例而使用已說明的習知之疊層接觸而連接TFT2 02與 配線222a及22 2b的構成做說明。第10圖係表示比較例之 單通道型TFT的構成的槪略平面圖，第11圖係在比較例 方面，表示對應第9圖所示之斷面的部分的構成的剖面圖 » 〇 如第10圖所示，半導體層220的源極側及汲極側，分 別沿著TFT202的通道寬幅方向W而排列複數疊層接觸。 以下，針對形成於半導體層220之源極側的複數疊層接觸 的構成做說明。再者，形成於半導體層220之汲極側的複 數疊層接觸的構成，因與源極側相同，故省略重複的說明 〇 複數疊層接觸，係分別藉由被形成於接觸孔1 84內的 φ配線222 a的一部分所形成。而由TFT陣列基板10的基板 面上平面上看來，於半導體層220的源極側，沿著通道寬 幅方向W，而排列複數接觸孔1 84。接觸孔1 84，係從第2 層間絕緣層42的表面，貫通第1及第2層層間絕緣層41及42 ，而達到半導體層220的表面。如第10圖及第11圖所示， 接觸孔1 84，係藉由於第2層間絕緣層42被開孔的第1孔 18 6a以及於第1孔186a的底部被開孔的第2孔186b所形成 。而且配線222a，係從第2層間絕緣層42的表面往接觸孔 184內，以覆蓋露出接觸孔184內的半導體層220的表面的 -33- (31) 1269425 方式，連續形成。 因而，於第11圖中，若著眼於形成所相鄰接的兩個疊 層接觸的配線222a的一部分，被形成於其中一方之疊層 接觸的第2孔186b的部分，係中介著被形成在他方之疊層 接觸的第2孔186b的部分與被形成在兩個·第1孔186a之其 他的部分而導電連接。 對此，於第9圖中，在本實施形態，於形成疊層接觸 之配線222a的一部分，被形成於所鄰接的2個第2孔185b 內的部分，係從其中一方的第2孔內185b，中介著第1孔 18 5a的底部，而連續形成於他方的第2孔內185b。因而， 於形成疊層接觸的配線222a的一部分，可將供導電連接 被形成於所鄰接的2個第2孔185b內的部分的配線長，與 習知相比變得比較短。進而與第1 1圖所鄰接的第2孔1 86b 的間隔相比，可小於第9圖中所鄰接的第2孔1 85b的間隔 。因而，若有鑑於此點，供導電連接被形成於前述之配線 222a之所鄰接的2個第2孔185b內的部分配線長，與習知 相比，可明顯的變短。 因而，在本實施形態，能夠抑制被形成於貫通第1及 第2層間絕緣層41及42之2層所形成的疊層接觸的配線222a 的配線長變得很長。進而，如第11圖所示，與在複數疊層 接觸內形成配線222a的情形相比，疊層接觸的配線222a 的被蓋率，對比較例而言能夠提昇。 在此，光電裝置之驅動時，若根據第7圖至第9圖所示 的疊層接觸的構成，於形成在接觸孔183內的配線222a的 -34- (32) 1269425 一部，形成從被形成在接觸孔183的第1孔185a的部分中 介著被形成在各第2孔185b內的部分而到達半導體層220 的電流路徑。如前述，在本實施形態，可縮短被形成疊層 接觸的配線222a之一部分的配線長的緣故，可令疊層接 觸的配線222a與接觸孔183的壁面的相對接觸電阻降低。 而在形成疊層接觸的配線222a的一部分，在第2孔185b以 外的部分，也可確保從接觸孔183之第1孔185a的側壁至 底部的電流路徑。因而，也會使疊層接觸之配線222 a的 相對配線電阻降低。除此之外，假設在配線222a的一部 分，連複數第2孔185b之中形成在一部分的部分發生斷線 不良，也可於形成在第2孔185b外的電流路徑，確保配線 222a與半導體層220的電氣導通，得到冗長配線的效果。 而如上述，於接觸孔183方面，第1孔185a的長邊方 向以沿著通道寬幅方向W而延伸的方式所形成，同時複 數第2孔185b以沿著第1孔185a的長邊方向而排列，就能 擴大TFT202的通道寬幅。因而，可提高TFT202的移動度 〇 因而，若根據本實施形態，可使TFT202的打開電流 增加。若根據本發明人等的硏究，在第1〇圖及第Π圖所示 的比較例中，例如對TFT202的打開電流之値爲5 50[μΑ]而 言，就能使本實施形態的TFT202的打開電流之値增加爲 620[μΑ]。即，對比較例而言，在本實施形態，可使 TFT2 02的打開電流之値增加14%，得到數値上的效果。 在此，如第9圖所示，就連周邊區域，也在配線222a -35- (33) 1269425 上形成第3層間絕緣層43，同時雖於同圖中省略圖示，但 第5圖所示的配向膜16，更形成在第3層間絕緣層43上。於 形成在配線222a上的第3層間絕緣層43的表面，形成應對 配線222a之表面形狀的凹凸。而第3層間絕緣層43的表面 形狀，形成配向膜16的表面形狀而被反映。 於第11圖中，在比較例，被形成在於配線222a上所 形成的第3層間絕緣層43之表面的凹凸形狀，段差比較大 。因而，也在配向膜16的表面形成段差較大的凹凸形狀的 緣故，於光電裝置之製造時，在硏磨處理之際，配向膜16 的表面會損傷，膜有產生剝落之虞。 另一方面，於第9圖中，在被形成於疊層接觸所形成 的配線222a之一部分上的第3層間絕緣層43的表面，可平 緩的形成凹凸的段差形狀。因而，能將形成在疊層接觸的 第1孔185a上的配向膜16的表面變得比較平坦的緣故，可 防止硏磨處理發生配向膜1 6之膜的剝落和損傷。 再者，於硏磨處理中，損傷配向膜16的話，光電裝置 之驅動時，於顯示畫面上有發生顯示不勻之虞。進而’於 資料線驅動電路101中，若抽樣開關202的打開電流下降’ 各資料線6a的電位，會成爲比對應從畫像訊號供給電路 300輸出的畫像訊號之値還低的値，於顯示畫面上有發生 縱線不勻之虞。若根據如以上說明的本實施形態’可防止 發生該等不當情形的緣故，能防止光電裝置的顯示不良’ 進行高品質的畫像顯示。 而參照第7圖至第9圖所說明的疊層接觸’例如也可爲 -36- (34) 1269425 供導電連接藉由第1層間絕緣層41、第2層間絕緣層42及第 3層間絕緣層4 3的任何一層或二層以上的層間絕緣層而被 層間絕緣的上部導電層及下部導電層所設。 或者，有關本實施形態的疊層接觸，也適用於參照第 4圖至第6圖所說明的畫素部，不光是資料線驅動電路1〇1 ，也適用於掃描線驅動電路1 〇4。 <4:光電裝置之製造方法> 針對上述之實施形態光電裝置之製造製程參照第12圖 至第15圖做說明。第12圖係欲依序追加製造製程之各步驟 的第9圖所示的斷面之構成所示的步驟圖，第1 3圖係針對 有關形成第1孔的順序做說明，於TFT陣列基板10的基板 面上平面上觀看半導體層220的平面圖。而第14係依序追 加接續第12圖的製造製程之各步驟的斷面之構成所示的步 驟圖，第1 5圖係欲針對有關形成第2孔順序做說明，於 TFT陣列基板10的基板面上平面上觀看半導體層220的平 面圖。 再者，於以下，僅針對本實施形態中屬於特徵之連接 周邊區域的配線222a及222b與半導體層220的疊層接觸的 形成做特別詳細的說明，除此以外有關掃描線3a、半導體 層la、閘極電極3a、累積電容70和資料線6a等之製造步驟 予以省略。 於第12圖（a)中，在TFT陣列基板1〇上的周邊區域， 形成基底絕緣層12和TFT202。而且於TFT202上，形成第1 -37- (35) 1269425 層間絕緣層4 1及第2層間絕緣層42。第1層間絕緣層4 1，係 例如藉由常壓或減壓CVD(Chemical Vapor Deposition)法等 使用TEOS氣體等製成NSG(無矽酸鹽玻璃）和BPSG(硼磷 矽酸鹽玻璃）等之矽酸鹽玻璃膜所形成。而在第1層間絕緣 層41上，例如藉由常壓或減壓CVD法等製成MNSG和 NSG，或著BPSG等之矽酸鹽玻璃膜，而形成第2層間絕緣 層42 〇 p 在此狀態，於第2層間絕緣層42上，例如形成光阻劑 8 00a，將該光阻劑800a利用微影法加以圖案化，於對應第 1孔185a之形成位置的處所，形成開口部802。在此，於第 13圖表示半導體層220及閘極電極膜116與光阻劑800a之開 口部802的配置關係。各開口部802係由TFT陣列基板10的 基板面上平面上看來，於TFT202之通道寬幅方向W延伸 形成長方形狀。 其次，於第12圖（b)，中介著光阻劑800a的開口部802 φ ，對第1層間絕緣層4 1及第2層間絕緣層42，將蝕刻處理利 用乾蝕刻法施行而開孔第1孔1 85a。像這樣，只用乾蝕刻 法進行蝕刻處理，藉此就能防止光阻劑800a剝落。而第1 孔185a的底部係位在第1層間絕緣層41內，同時第1孔185a 的側壁的一部分係位在第1層間絕緣層41及第2層間絕緣層 42的界面。 接著，除去光阻劑800a之後，於第14圖（a)中，在第2 層間絕緣層42的表面，重新形成光阻劑800b，將該光阻劑 8 00b利用微影法形成圖案化，藉此在第1孔185a之底部的 -38- (36) 1269425 第2孔185b的形成位置，形成開口部804。在此，於第15圖 係表示光阻劑800b之開口部804的形狀，和該開口部804與 第1孔185a的配置關係。由TFT陣列基板1〇的基板面上平 面上看來，在第1孔185a內，複數開口部804係沿著第1孔 185a的長邊方向被排列。而複數開口部804係分別例如形 成矩形狀的平面形狀。在此種狀態，除了位於第1孔185a 之第1層間絕緣層41與第2層間絕緣層42的界面的側壁的一 | 部分外，第2層間絕緣層42的表面，藉由光阻劑800b而覆 蓋。 之後，於第14圖（b)中，對第1層間絕緣層41，除了濕 蝕刻法或乾鈾刻法外利用濕蝕刻法進行蝕刻處理，開設一 由露出光阻劑800b之開口部804內的第1孔185a之底部貫 通到第1層間絕緣層41及絕緣膜2的第2孔185b。藉此，從 第2層間絕緣層42的表面，貫通第2層間絕緣層42及第1層 間絕緣層41，形成到達、半導體層220之表面的接觸孔183 φ 。此時，位於第1孔185a之第1層間絕緣層41與第2層間絕 緣層42的界面的側壁的一部分，係藉由光阻劑800b被保 護。因而，例如第1層間絕緣層41藉由NSG膜被形成，第 2層間絕緣層42對蝕刻劑的蝕刻刻比NSG膜還慢的BPSG 膜所形成的情形，也於第1層間絕緣層41及第2層間絕緣層 42的界面加入蝕刻劑，防止該界面產生挖掘情形。而從第 1孔185a的底部，將複數第2孔185b，除了乾蝕刻法外利用 濕蝕刻法使其開孔，藉此就能防止因削去半導體層220產 生損傷的事態。 -39- (37) 1269425 其後，從第2層間絕緣層42的表面除去光阻劑800b之 後，例如藉由濺鍍法，使導電材料膜成膜，例如藉由微影 法及蝕刻法加以圖案化，而形成配線222a及222b。 因而，如第14圖（b)所示，例如於半導體層220的源極 側，在位於第1層間絕緣層41與第2層間絕緣層42之界面的 側壁的一部分不會產生挖掘之狀態的接觸孔1 83內，形成 配線222a的一部分。因而，能防止接觸孔183內的配線 | 222 a及222b產生斷線不良，就能提昇光電裝置之製造步 驟的良品率。 <5 :變形例> 針對上述之本實施形態的變形例參照第16圖至第19圖 做說明。 首先，針對有關參照第1 2圖至第1 5圖所說明的疊層接 觸之形成的變形例，參照第1 6圖至第1 8圖做說明。第1 6圖 φ及第17圖係依序追加有關本變形例之製造製程的各步驟之 第9圖所示的斷面的構成所示的步驟圖，第1 8圖係欲針對 有關第1孔之形成的順序做說明，在TFT陣列基板10的基 板面上平面上觀看半導體層2 20的平面圖。 首先，於第16圖（a)中，在第2層間絕緣層42上，例如 形成光阻劑800a，並將該光阻劑800a圖案化，藉此在對應 第2孔185b之形成位置的處所，形成開孔部812。 其次，於第16圖（b)中，中介著光阻劑800a的開孔部 8 1 2，對第2層間絕緣層42，除了濕蝕刻法或乾蝕刻法並使 -40- (38) 1269425 用濕蝕刻法而進行蝕刻處理，來開設複數小孔i 85c。 接著，除去光阻劑800a之後，於第17圖（a)中，在第2 層間絕緣層42的表面，重新形成光阻劑800b，將該光阻劑 k 800b圖案化，藉此在第1孔185a的形成位置形成開口部 β 814。在此，於第18圖係表示光阻劑800b的開口部814的形 狀，和該開口部814與複數小孔185c的配置關係。由TFT 陣列基板10的基板面上平面上看來，複數小孔185c係在 φ TFT202的源極側及汲極側，分別沿著通道寬幅方向w而 排列。而開口部814的平面形狀，係沿著通道寬幅方向W 而延伸爲長形狀，同時以包圍複數小孔1 85c的方式所形 成的長方形狀。 其次，於第17圖（b)中，中介著光阻劑800b的開口部 8 1 4，對第1層間絕緣層4 1及第2層間絕緣層42，藉由乾蝕 刻法進行蝕刻處理而開設第1孔1 85a，同時掘進複數小孔 185c而開設第2孔185b。藉此，形成從第2層間絕緣層42的 φ表面貫通第2層間絕緣層42及第1層間絕緣層41到達半導體 層220的表面的接觸孔183。 ’ 因而，如以上說明地形成疊層接觸之接觸孔1 83的情 形，也將第1孔1 8 5 a藉由乾蝕刻法使其開孔’藉此就能防 光阻劑800b剝落。 其次，針對有關疊層接觸之接觸孔1 83的構成的變形 例，參照第19圖做說明。第19圖（a)及第19圖（b)係表示於 本變形例，由 TFT陣列基板1 〇之基板面上平面上所見的 接觸孔1 8 3之構成的平面圖。 -41 - (39) 1269425 如第19圖（a)所示，也可在半導體層220上，形成複數 接觸孔183。例如於TFT202的源極側，沿著通道寬幅方向 W，配置複數接觸孔183。像這樣，形成複數接觸孔183的 情形，在形成供開設各接觸孔1 83之第1孔1 85a的光阻劑 之時，在曝光光阻劑之材料膜的階段，有發生供形成開孔 圖案的光罩之轉印有無法正常進行之虞。因而，需要充分 確保各接觸孔1 8 3間之排列方向的間隔。 對第19圖（a)所示的構成而言，如參照第7圖至第9圖 所說明地，在TFT202的源極側或汲極側，若開設一個接 觸孔183，並不會在接觸孔183之形成時，如前述地發生不 當情形。因而，能使TFT202小型化，並使資料線驅動電 路101小規模化。其結果，就可令液晶裝置小型化。進而 ，例如在TFT202的源極側，與在第19圖（a)所示的複數接 觸孔183連續形成配線222a的情形相比，供形成疊層接觸 的配線222 a的一部分的配線長，爲需要最低限之長度的 緣故，可相對的將配線電阻抑制得很低。 而如第19圖（b)所示，在接觸孔183方面，第1孔185b 的平面形狀並不限於長方形狀，也可形成包括沿著通道寬 幅方向而延伸的部分與對該部分彎曲延伸的部分的形狀。 若根據這樣所構成，例如可使配線222a或222b的形狀， 變化爲對應接觸孔183的形狀的緣故，對於令TFT202小型 化並令資料線驅動電路1 〇 1小規模化上有利。 <6 :電子機器> -42- (40) 1269425 其次，針對將上述之光電裝置的液晶裝置適用於各種 電子機器的情形做說明。 <6-1 :投影機> 首先，針對以此液晶裝置作爲光閥而用的投影機做說 明。第20圖係表示投影機之構成例的平面配置圖。如此圖 所示，於投影機1 1 〇〇內部，設置由鹵素燈等之白色光源所 形成的燈單元1 102。從此燈單元1 102射出的投射光，藉由 配置在導光板1104內的4枚透鏡1106及2枚二色性反射鏡 11 08被分離爲RGB之3原色，射入到作爲對應各原色之光 閥的液晶面板1 1 10R、1 1 10B及1 1 10G。 液晶面板1 1 1 OR、1 1 1 0B及1 1 1 0G的構成，與上述之 液晶裝置同等，利用從畫像訊號處理電路被供給的R、G 、B之原色訊號分別被驅動。而且，藉由該等之液晶面板 被調變的光，從3方向被射入到交叉二色性稜鏡1 1 1 2。於 此交叉二色性稜鏡1112中，R及B之光做90度折射，另一 方面，G之光則直行前進。因而，合成各色畫像的結果， 中介著投射透鏡1 1 1 4，而於螢幕等投射彩色畫像。 在此，若著眼於利用各液晶面板1110R、1U0B及 1 1 10G的顯示像，利用液晶面板1 1 10G的顯示像，需要對 利用液晶面板1 1 1 OR、11 1 0B的顯示像進行左右反轉。 再者，因於液晶面板1110R、1110B及1110G，藉由 二色性反射鏡Π 〇8，射入對應R、G、B之各原色的光， 故不需要設置彩色濾色片。 -43 - (41) 1269425 <6-2 :攜帶型電腦> 其次，針對將液晶裝置適用於攜帶型之個人電腦的例 子做說明。第2 1圖係表示此個人電腦之構成的立體圖。於 -圖中，電腦1 200，係由具備鍵盤1 202的本體部1 204，液晶 顯示單元1 206所構成。此液晶顯示單元1 206，係藉由於先 前所述的液晶裝置1 005之背面附加上背光所構成。 <6-3 :攜帶式電話> 進而，針對將液晶裝置適用於攜帶式電話的例子做說 明。第22圖係表示此攜帶式電話之構成的立體圖。於圖中 ，攜帶式電話1 3 00，係具備複數操作按鈕13〇2，同時具備 反射型的液晶裝置1005。在此反射型的液晶裝置1〇〇5，配 合需要而在其前面設前置燈。 再者，除了參照第20圖至第22圖所說明的電子機器外 φ ’也可列舉液晶電視機和觀景窗型、監視直視型之錄影機 、汽車導航裝置、呼叫器、電子記事簿、計算機、文書處 理器、工作站、影像電話機、POS終端、具備觸控面板的 裝置等等。而當然也可適用於該等之各種電子機器。 本發明並不限於上述之實施形態，在由申請專利範圔 及明細書全體所讀取的發明之主旨或不違反其技術思想之 範圍可適當變更，隨著此種變更的半導體層用基板及其製 造方法、具備此種半導體裝置用基板而成的光電裝置用基 板、具備該光電裝置用基板而成的光電裝置、以及具備該 -44- (42) 1269425 光電裝置的電子機器也包含於本發明的技術範圍。 【圖式簡單說明】 [第1圖]表示有關本發明之實施形態的光電裝置之全 體構成的平面圖。 [第2圖]第1圖之H-H’剖面圖。 [第3圖]表示光電裝置之電氣構成的方塊圖。 [第4圖]形成資料線、掃描線、畫素電極等之TFT陣 列基板的所相鄰接的複數畫素群的平面圖。 [第5圖]第4圖之A-A’剖面圖。 [第6圖]表示資料線與TFT之半導體層的連接部分的 構成的剖面圖。 [第7圖]表示形成在周邊區域上的開關元件之一例的 TFT構成的平面圖。 [第8圖]第7圖之X-X’剖面圖。 [第9圖]第7圖之Y-Y’剖面圖。 [第10圖]表示比較例之單通道型TFT構成的槪略平面 圖。 [第1 1圖]表示比較例對應第9圖所示之斷面的部分的 構成的剖面圖。 [第12圖（a)、（b)]依序追加有關本發明之實施形態的 製造製程的各步驟的第9圖所示之斷面的構成所示的步驟 圖（其1)。 [第13圖]於TFT陣列基板的基板面上平面上觀看半導 -45- (43) 1269425 體層的平面圖。 [第14圖（a)、（b)]依序追加有關本發明之實施形態的 製造製程的各步驟的第9圖所示之斷面的構成所示的步驟 圖（其2)。 [第15圖]於TFT陣列基板的基板面上平面上觀看半導 體層的平面圖。 [第16圖（a)、（b)]依序追加有關本發明之變形例的製 造製程的各步驟的第9圖所示之斷面的構成所示的步驟圖（ 其1)。 [第17圖（a)、（b)]依序追加有關本發明之變形例的製 造製程的各步驟的第9圖所示之斷面的構成所示的步驟圖（ 其2)。 [第18圖]於TFT陣列基板之基板面上平面上觀看半導 體層的平面圖。 [第19圖]第19圖（a)及第19圖（b)係表示於本變形例， 在TFT陣列基板之基板面上平面上所見的接觸孔之構成 的平面圖。 [第20圖]表示適用液晶裝置之電子機器之一例的投影 機構成的平面圖。 [第21圖]表示適用液晶裝置之電子機器之一例的個人 電腦構成的立體圖。 [第22圖]表示適用液晶裝置之電子機器之一例的攜帶 式電話構成的立體圖。 -46- (44) 1269425 [主 10 ： 41 ： 42 ： 116 1 83 220
要元件符號說明】 TFT陣列基板 第1層間絕緣層 第2層間絕緣層 :閘極電極膜 :接觸孔 =半導體層 222a、 222b ：配線