TWI259503B - Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same - Google Patents

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same Download PDF

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TWI259503B TW092131483A TW92131483A TWI259503B TW I259503 B TWI259503 B TW I259503B TW 092131483 A TW092131483 A TW 092131483A TW 92131483 A TW92131483 A TW 92131483A TW I259503 B TWI259503 B TW I259503B
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Hisataka Ito
Takahiro Uchida
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Description

1259503 玖、發明說明； 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於·一種半導體封包用環氧樹脂組成物，可產 生卽使係在其中之互連電極距離或導體線距離之節距降低 時亦不會造成短路之高可靠度之车導體裝置。及關於利用 其製得之半導體裝置。 【先前技術】
半導體晶片諸如電晶體、I C及L S I —般係利用環氧樹脂 組成物透過壓鑄而經樹脂封包。迄今為止，於技藝中已發 展出各種類型的封裝形式。
封裝形式之一例子係如圖1中之類型。其中1為絕緣基 材，及半導體晶片3係透過互連電極2裝置於絕緣基材1 上，以致絕緣基材1及半導體晶片3彼此電連接◦將其上 裝置有半導體晶片3之絕緣基材1之側上封包於封包樹脂 4 a -提供作為封包材料之壞氧樹脂組成物之固化產物 -内。除了此類型之外，亦提及如圖2中之另一封裝。在此 封裝中，半導體晶片3係裝置於絕緣基材5上，及絕緣基 材5和半導體晶片3係透過線6彼此電連接。將半導體晶 片3，包括線6，樹脂封包於封包樹脂4 b - 環氧樹脂組成 物之固化產物-中。再提及的為如圖3中之又另一封裝。 在此封裝中5半導體晶片3係裝置於金屬之引線框（lead a ffl e ) 17上’及车導體晶Η 3係透過線6電連接至内都引 線8 =將.主導體晶Η 3。包括線6 樹脂封包於封包樹脂4乂 -環氧樹脂組成物之固化產物-由。除了前述的封裝類型 :! 發明說明書(補处.、/巧把: 483 1259503 之外1又提及如圖 4屯.之.另一.封裝。其中平導體晶片 3係 裝置於金屬之引線框1 0上5及半導體晶片3係透過線6 電連接至環繞引線框1 0設置之内部引線1 1。將半導體晶 片3，包括線6，樹脂封包於封包樹脂4 d - 環氧樹脂組成 物之固·化產物-中： 【發明内容】 此等類型之丰導體裝置的能力近來持續改良，且希望降 低半導體裝置中之互連電極2或線6之間的節距距離。然 而，節距降低會導致在半導體封包程序中經常發生短路。 在該情況下，進行各種研究，以例如，降低在半導體封包 中之碳沈積，但其無法導致問題的重大解決。現希望防止 在製造半導體裝置時發生短路，及製造高可靠度之良好的 半導體裝置。 本發明係考慮如上的情況而進行，且其之目的係要提供 一種半導體封包用環氧樹脂組成物，可產生即使係在其中 之互連電極距離或導體線距離之節距降低時亦不會造成短 路之高可靠度之半導體裝置，及提供利用其製得之半導體 裝置。 明確言之，本發明提供下列發明： 1 :) 一種半導體封包用環氧樹脂組成物&其包括以下之 成份（A )至（C :): ' A 1 J哀 才封，¾旨 (3、S分系樹月旨。 (:C )在利用環氧樹脂組成物之半導體封包步驟中可防止 ::::?發明說明書ί補你、/C^..D:2/Q2: ί 3 :1外? 1259503 半導體短路之無機填料。 (2 )以上Π :)之半導體封包用環氧樹脂組成物，其中無機 填料（:C )包含至多2 = 5 p p m之經碳包覆之無機填料顆粒 (c ：;…此：無機填料顆粒（c :)具有較待利用組成物封包，且包 括裝置於絕緣基材或引線框上之半導體晶片，且其中本導 體晶.片係經由互連電極或導體線電互連至絕緣基材或引線 框之丰導體裝置中之互連電極或導體線距離大之顆粒大 小。
(3 )以上（1 )之半導體封包用環氧樹脂組成物，其中無機 填料（C )包含至少5 0重量百分比之其熔融中之熱源係不會 在球形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈積之熱源材料和氧 氣之燃燒熱的球形熔融矽石顆粒（c ’）。 (4 )以上（3 )之半導體封包用環氧樹脂組成物，其中球形 熔融矽石顆粒（c ’）係由含矽材料所製得，此含矽材料係經 由包括同心内管及外管及設置於内管和外管間之多個小管 之雙壁燃燒器，以含石夕材料係經由内管，不會在球形熔融 矽石顆粒之表面上造成碳沈積之熔融用熱源材料係經由小 管，及氧氣係經由在小管與外管之間之空間之方式供給至 爐内，且經爐中之氣體燃燒熔融。 (5)以上（3:)之半導體封a用環氧樹脂組成物，其中不會 在球形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈積之熔融用熱源材 料係為虱氣。 :6 :、以上.〔？、之主導體射包用環氧樹脂組成物：其中不會 在球形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈積之熔融用熱源材 1259503 料係為氧氣及可燃燒烴氣體之混合物。 (7 ) —種具有封包於以上（1 )之環氧樹脂組成物中之 導體晶片之半導體裝置。 (8)以上（7)之半導體裝置，其中裝置於絕緣基材或 框上之半導體晶片係經由互連電極或導體線電互連至 基材或引線框，且其封包於一層環氧樹脂組成物中。 本發明人進行廣泛的研究，以找出會在半導體封包 成短路之物質。結果，吾人發現在半導體封包中之短 原因並不在於一般在封包用材料中之碳黑中，而係在 填料中。迄今為止，使用於技藝中之無機填料的一例 熔融矽石粉末。吾人詳細分析溶融矽石粉末之樣品， 現熔融矽石顆粒之一部分經碳之沈積物包覆。吾人進 發現使用於半導體封包之無機填料中之經碳包覆之熔 石顆粒停留於經封包半導體裝置之互連電極之間或導 之間，因而使電極或線電互連，而於其中造成短路。 基於此等發現，吾人明確注意到如上之經碳包覆之 矽石顆粒的產生，及基本上對未經碳包覆之熔融矽石 的製造進行許多研究。迄今為止將來自可燃燒氣體、 氣體及氧氣之混合物的燃燒熱使用作為製造熔融矽石 之熱源。具體言之，將混合氣體及含矽材料喷入至爐 以製造熔融矽石顆粒，及在此方面，吾人發現以下狀 在此程序中，源自丙烷氣體之碳沈積於燃燒器周圍， 沈積於熔融矽石顆粒之表面上，而產生經碳包覆之熔 石顆粒。 3 12/發明說明書(補件)/93-02/92131483 半 引線 絕緣 中造 路的 無機 子為 而發 一步 融碎 體線 熔融 顆粒 丙烧 顆粒 内， 況： 且其 融矽 1259503 進一步基於如上的發現，吾人進行許多其他研究，以找 出具較半導體裝置中之互連電極或導體線距離大之顆粒大 小之經碳包覆之無機填料顆粒相對於所有使用無機填料之 比例的最上限，以防止於半導體封包中發生短路。結果， 吾人發現當具較半導體裝置中之互連電極或導體線距離大 之顆粒大小之經碳包覆之無機填料顆粒之比例限於所有使 用於半導體封包之無機填料的至多2 . 5 p p m時，則可防止 在製造半導體裝置之樹脂封包程序中的短路。 本發明人進一步發現當將（1 )氫氣或（2 )可燃燒烴氣體 之混合物諸如典型上為丙烷氣體及氧氣替代習知之丙烷氣 體使用作為熔融用熱源於製造熔融矽石顆粒時，則可製得 熔融矽石顆粒而沒有在燃燒器周圍的碳沈積。吾人又發現 當將包含至少5 0重量百分比之如此製得之未經碳包覆之 熔融矽石顆粒之無機填料使用於半導體封包時，則可防止 在半導體封包程序中的短路。基於如上的發現，吾人完成 本發明。 【實施方式】 本發明進一步詳細說明於下。 本發明之半導體封包用環氧樹脂組成物包含環氧樹脂 (成份A )、酚系樹脂（成份B)及特定的無機填料（成份C )， 且其一般係為粉末或經由將其壓錠而得之料錠形態。 使用於本發明之環氧樹脂（成份A )並無特定之限制，且 其可為任何一般的環氧樹脂。舉例來說，其包括曱酚-酚醛 型環氧（η 〇 v ο 1 a k )型、酚-酚醛型環氧型、雙酚-A型、聯苯 3 ! 2/發明說明書(補件)/93-02/92 ] 3 ] 483 1259503 型、三苯基甲烷型、萘型及其他各種類型之環氧樹脂。可 單獨或結合使用其之一或多者。 隨同以上之環氧樹脂（成份A )使用於此之酚系樹脂（成 份B )提供作為環氧樹脂之固化劑。其亦無特定之限制，而 可為任何已知之一般的酴系樹脂。舉例來說，其包括8分-酚醛型環氧、曱酚-酚醛型環氧、雙酚-A型酚醛型環氧、 萘酚-酚醛型環氧、酚-芳烷基樹脂等等。可單獨或結合使 用其之一或多者。 環氧樹脂（成份A )及酚系樹脂（成份B )之比例係使固化 劑之羥基當量相對於環氧樹脂之一環氧當量可自0 . 5至 2 . 0當量較佳，0 . 8至1 . 2當量更佳。 隨同以上成份A及B使用於本發明之特定無機填料（成 份C )的特徵在於其可防止在半導體封包程序中發生半導 體晶片之短路。防止半導體封包中之短路的發生可例如， 經由將具較半導體裝置中之互連電極或導體線距離大之顆 粒大小之經碳包覆之無機填料顆粒之量限制為至多一經明 確定義之值，及/或經由使未經碳包覆之無機填料顆粒之 量不小於一經明確定義之值而達成。 以下說明將具較半導體裝置中之互連電極或導體線距 離大之顆粒大小之經碳包覆之無機填料顆粒之量限制為至 多一經明確定義之值的情況。 隨同成份A及B使用之特定的無機填料（成份C )包含至 多2.5 ppm之諸如前述之具較半導體裝置中之互連電極或 導體線距離大之顆粒大小之經碳包覆之無機填料顆粒（c )。 10 3 12/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 如具較半導體裝置中之互連電極或導體線距離大之顆 粒大小之經碳包覆之無機填料顆粒（C )之含量大於所有無 機填料（C )之2 · 5 p p m，則顆粒（c )會停留於半導體裝置中 之互連電極之間或導體線之間，因而使電極或線電互連， 而於其中造成短路◦顆粒（c )之含量儘可能小較佳，但其一 般不小於0 . 0 2 p p m。無機填料（C )中之經碳包覆之無機填 料顆粒（c )之含量可例如，如下測定及計算：將待分析之無 機填料的預定樣品置於尺寸5公分X 4 . 8公分之矩形盒 中。將其之面壓平，並利用光學顯微鏡觀察，以計算具有 預定顆粒大小之黑點（經碳包覆之無機填料顆粒）的數目 (A )。根據下式（1 )，基於無機填料顆粒之平均顆粒大小（C ) 計算存在於尺寸5公分X 4. 8公分之矩形盒之面上之所有 無機填料顆粒的總數（B)。根據下式（2 )計算具有預定顆粒 大小之黑點對所有無機填料顆粒之比例（D )。 B(數目）二（5χ 4·8χ 1 06)/C2 ( 1 ) D(ppm) = (A/B) x 1 06 (2) 半導體裝置中之互連電極距離或導體線距離可自1 0至 1 0 0微米。 無機填料之平均顆粒大小係2至4 0微米較佳，5至3 0 微米更佳。平均顆粒大小可利用雷射散射顆粒大小分析儀 測定。 特定無機填料（成份C )之摻混比係所有環氧樹脂組成物 之至少75重量百分比較佳，80至91重量百分比更佳。如 其小於7 5重量百分比，則半導體裝置在其之耐焊接性方面 11 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 的可靠度可能不良。 無機填料並無明確之定義，其可為任何已知之無機 料，且包括，例如，石英玻璃粉末、矽石粉末、鋁氧 石等等。球形熔融矽石顆粒為特佳。 接下來說明使未經碳包覆之無機填料顆粒之量不小 一經明確定義之值的情況。 隨同成份A及B使用之特定的無機填料（成份C )包 少5 0重量百分比之根據特定方法製得之球形熔融矽J 粒（c ’）。球形熔融矽石顆粒（c ’）之含量係成份（C )之1 量百分比更佳。在製造球形熔融矽石顆粒（c ’）中之熔 熱源係不會在球形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈積 源材料和氧氣的燃燒熱。 如球形熔融矽石顆粒（c ’）之含量小於所有無機填料 之5 0重量百分比，或例如，如將習知之熔融石夕石顆粒 作為無機填料（C )，則無機填料（C )會包含許多經碳包 熔融矽石顆粒，且經碳包覆之熔融矽石顆粒會停留於 體裝置中之互連電極之間或導體線之間，因而使電極 電互連，而於其中造成短路。 不會在製得之球形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈 之熔融用熱源的例子係（1 )單獨的氫氣，及（2 )氧氣和 燒烴氣體之混合物。 在氧氣和可燃燒烴氣體之混合物中，可燃燒烴氣體 明確之定義，且其可為任何習知之烴氣體諸如丙烷氣 可將混合氣體中之摻混比定義為使其不會超出混合物 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 填 、滑 於 含至 5顆 00重 融用 之熱 (C) 使用 覆之 半導 或線 積 可燃 並無 體。 之可 12 1259503 燃性極限。氧氣/可燃燒烴氣體之體積比落於1 / 0 . 9 1 / 1 . 1之間較佳，其為1 / 1更佳。 接下來詳細說明球形熔融矽石顆粒（C ’）之製法。舉 說，將含矽材料隨同不會在製得之球形熔融矽石顆粒 面上造成碳沈積之熔融用熱源材料及氧氣之混合氣體 體火焰供給至垂直爐中，及使其分散於火焰中然後熔 同時使其維持其之個別的顆粒，而成為球形熔融矽石3 含矽材料並無明確之定義，其可為任何一般使用於 球形熔融矽石顆粒之含矽材料。舉例來說，其可經由 有 9 9. 5 % S i 0 2、1 °/〇 A 1 2 0 3、0.05% F e 2 0 3、0.0 0 5 % N a 2 Ο . Ο Ο 3 % K 2 0之組成物之矽石石頭研磨成具有至多5 Ο Ο 米，較佳至多2 Ο 0微米之顆粒大小之研磨顆粒而製備 如其之顆粒大小大於如上之定義範圍，則矽石顆粒無 好地熔融成球形顆粒，或其無法完全熔融。 將經研磨之矽石顆粒隨同氫氣及氧氣之混合物喷入 垂直爐内，並分散於在2 0 0 0 °C以上之燃燒火焰中，而 成球形熔融矽石顆粒。 垂直爐之設備及結構及其之内部燃燒器可為任何已 者。明確言之，希望爐係可使供給至其中之起始含矽 均勻分散於燃燒火焰中且可於其中熔融之垂直爐。舉 說，說明一種如圖5之垂直爐。將用於將含石夕材料儲 其中之料斗2 1設置於垂直爐之頂端。材料供給導管 料斗2 1延伸並連接至爐體2 6。如圖6 A及圖6 B，環繞 供給導管2 2設置多個供引入氫氣用之小管2 3，及設 3 12/發明說明書(補件)/93-02/9213丨483 及 例來 之表 之氣 融， 頃粒。 製造 將具 0及 微 得。 法良 至 熔融 知 材料 例來 存於 22自 材料 置包 13 1259503 圍小管2 3之外管2 5，且其構成爐之燃燒器。明確言之， 含矽材料隨同不會在製得之球形熔融矽石顆粒之表面上造 成碳沈積之熔融用熱源材料及氧氣之混合氣體之氣體火焰 藉以噴入至爐内之燃燒器具有包括外管2 5及材料供給導 管（内管）2 2之雙壁結構。不會在製得之球形熔融矽石顆粒 之表面上造成碳沈積之溶融用熱源材料及氧氣必需在不同 的流率下引入至爐内。因此，將許多小管23設置於外管 2 5和材料供給導管（内管）2 2之間的空間中，且小管2 3提 供作為不會在製得之球形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈 積之熔融用熱源材料之供給導管。環繞小管2 3之空間（在 小管2 3和外管2 5之間的空間）提供作為氧氣供給導管 2 4，及不會在製得之球形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈 積之熔融用熱源材料可與氧氣同時引入至爐内。 將輸送管2 7安裝至爐體2 6之底部，製得之球形熔融矽 石顆粒經由其輸送至旋風機2 8内，然後再藉由鼓風機3 0 之作用隨同排氣進入至袋濾機2 9中。球形熔融矽石顆粒於 袋濾機2 9中自排氣分離並收集於其中。 雖然爐體2 6之直徑及長度係視製造條件及其他因素而 異，但其可使其之高度係自其之直徑的5至1 0 0倍，以1 0 至5 0倍較佳。 可將所說明類型之裝置使用於製造預期的球形熔融矽 石顆粒。具體言之，將不會在製得之球形熔融矽石顆粒之 表面上造成碳沈積之熔融用熱源材料及氧氣經由燃燒器喷 入至爐内，及將起始含矽材料-經研磨矽石-在於爐中 14 3 12/發明說明書(補件)/93-02/9213 1483 1259503 2 0 0 0 °C或更高之溫度下喷入至燃燒火焰中。在此情況，希 望經研磨矽石係完全分散於燃燒火焰中，及其於燃燒火焰 中之滯留時間係儘可能地長。 形成燃燒火焰之氧氣的流率在燃燒器之出口可為至少 1 . 5米/秒，及其他熱源材料，例如，氫氣之流率可為氧 氣流率之1至2 0倍，以2至1 0倍較佳，2至6倍更佳。 供給至爐内之含矽材料-經研磨矽石-之量並無明 確之定義，其可視燃燒器及爐體2 6之尺寸適當地決定。舉 例來說，其可自1至1 0 0公斤/小時，以5至3 0公斤/小 時左右較佳。關於含矽材料供給至爐體2 6内之方式，可使 材料自發或在壓力之下向下流動。然而，使材料自發地向 下流動較佳。 含矽材料於燃燒火焰中加熱之時間可適當地決定。一般 而言，較小含矽顆粒之加熱時間可顯著地縮短。 以如上之方式如此製得之球形熔融矽石顆粒（c )之平均 顆粒大小係2至4 0微米較佳，5至3 0微米更佳。 在無機填料（成份C )中，除球形熔融矽石顆粒（c ’）外之 部分為矽石粉末較佳。 包含特定量之特定球形熔融矽石顆粒（c ’）之無機填料 (成份C )並無明確之定義，而可為任何已知之石夕石粉末。 其為球形熔融矽石顆粒像是特定的球形熔融矽石顆粒（c ’） 尤佳。 除特定球形熔融矽石顆粒（c ’）外之無機填料（成份C )之 平均顆粒大小係2至4 0微米較佳，5至3 0微米更佳。球 15 3】2/發明說明書(補件)/93-02/92】3] 483 1259503 形熔融矽石顆粒（c ’）及無機填料（成份C )之平均顆粒大小 可利用雷射散射顆粒大小分析儀測定。 特定無機填料（成份C )之摻混比係所有環氧樹脂組成物 之至少75重量百分比較佳，80至91重量百分比更佳。如 其小於7 5重量百分比，則半導體裝置在其之耐焊接性方面 的可靠度可能不良。 除了以上之成份（A )至（C )之外，若須要，本發明之環氧 樹脂組成物視需要可包含任何其他的添加劑，例如，固化 促進劑、含i素之阻燃劑諸如溴化環氧樹脂、阻燃促進劑 諸如三氧化録、顏料諸如碳黑、石夕：)：完偶合劑諸如/5 - ( 3，4 -環氧環己基）乙基三甲氧矽烷及T -縮水甘油氧丙基三甲 氧矽烷、及脫模劑諸如巴西棕櫚蠟。 固化促進劑可為任何的胺型或含磷化合物。胺型化合物 包括，例如，味σ坐諸如2 -曱基味嗤、及第三胺諸如三乙醇 胺及二吖雙環十一烯。含磷化合物包括，例如，三苯膦及 四苯膦。其可單獨或結合使用。固化促進劑之摻混比係所 有環氧樹脂組成物之0. 1至1 . 0重量百分比較佳。考慮到 環氧樹脂組成物之流動性，其係0 . 1 5至0 . 3 5重量百分比 更佳。 本發明之半導體封包用環氧樹脂組成物可例如，製造如 下：將以上之成份（A )至（C )及非必需之添加劑摻混，然後 於捏合機器諸如混煉輥或其類似物中在熱之下熔融捏合， 並冷卻至室溫。以任何已知之方式研磨所得之摻混物，及 視需要將其製成料錠。包括此等步驟之方法產生本發明之 16 312/發明說明書(補件)/93-02/92 η 1483 1259503 預期的環氧樹脂組成物。若須要，可將碳黑-一類型的顏 料-與一部分的環氧樹脂預先混合，而製備預混物。可將 預混物與其他的組成成份熔融混合，及可將所得之混合物 以如上之相同方式加工，而製得本發明之預期的環氧樹脂 組成物。 利用環氧樹脂組成物封包半導體晶片並無明確之定 義，而可以任何已知之模塑方法，例如，透過一般的壓鑄 達成。 具體言之，以此處之方式如此製得之半導體裝置係說明 於前文之圖1至圖4之封裝。在圖1之封裝中，半導體晶 片3係透過互連電極2裝置於絕緣基材1上，以致絕緣基 材1及半導體晶片3彼此電連接。將其上裝置有半導體晶 片3之絕緣基材1之側上封包於封包樹脂4a内。在圖2 之封裝中，半導體晶片3係裝置於絕緣基材5上，及絕緣 基材5和半導體晶片3係透過線6彼此電連接。將半導體 晶片3，包括線6，樹脂封包於封包樹脂4 b中。在圖3之 封裝中，半導體晶片3係裝置於金屬之引線框7上，及半 導體晶片3係透過線6電連接至内部引線8。將半導體晶 片3，包括線6，樹脂封包於封包樹脂4c中。在圖4之封 裝中，半導體晶片3係裝置於金屬之引線框1 0上，及半導 體晶片3係透過線6電連接至環繞引線框1 0設置之内部引 線1 1。將半導體晶片3 ,包括線6 5樹脂封包於封包樹脂 4 d中。 在本發明，互連電極係要使絕緣基材1電連接至，例如， 17 312/發明說明書(補件)/93-02/9213〗483 1259503 如圖1中之半導體晶片3。其可為任何熟知之單獨的電極， 但其之概念為包括電極及導體諸如設置於電極周圍之接合 / 球。本發明中之導體線的概念係包括將半導體晶片3電連 接至絕緣基材，或將半導體晶片3電連接至内部引線8， 或將半導體晶片3電連接至内部引線1 1之線6，以及内部 引線8、1 1及在絕緣基材5上之其他線，如於圖2至圖4 中 。 本發明參照以下之實施例及比較實施例作更詳細說明。 製備以下成份。 _ 環氧樹脂（a ): 以下化學式（a )之聯苯型環氧樹脂（具有1 7 3之環氧當量 及1 0 0 °C之熔點）。
…（a)
環氧樹脂（b ): 具有以下化學式（b )之再現單元之環氧樹脂（具有1 7 0之 環氧當量及6 0 °C之熔點）。 O-CH, CH-CH,
、0-CHr CH — \ / 0 (b) 18 312/發明說明書(補件)/93-02/9213 M83 1259503 S分系樹脂： 酚-酚醛型環氧樹脂（具有1 0 7之羥基當量及6 0 °C之熔 點）。 固化促進劑： 三苯膦。 阻燃劑： 溴化環氧樹脂。 阻燃促進劑： 三氧化銻。 脫模劑： 巴西棕櫚蠟。 顏料： 碳黑。 無機填料（1 - a ): 包含說明於下之經碳包覆之熔融矽石顆粒（a 1 )至（a 3 ) 的球形熔融矽石粉末（具有2 0微米之平均顆粒大小）。 (a 1 ):具有大於6 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 1 0 ppm (a 2 ):具有大於3 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 2 0 p p m (a 3 ):具有大於2 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 4 0 p p m 無機填料（1 - b ): 包含說明於下之經碳包覆之熔融矽石顆粒（b 1 )至（b 3 ) 19
3 12/發明說明書(補件)/93-02/9213 1483 1259503 的球形熔融矽石粉末（具有1 〇微米之平均顆粒大小）。 (b 1 ):具有大於6 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 矽石顆粒 0 ppm (b 2 ):具有大於3 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 5 ppm (b 3 ):具有大於2 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 1 0 p p m 無機填料（1 - c ): 具有說明於下之經碳包覆之熔融矽石顆粒（c 1 )至（c 3 ) 的球形熔融矽石粉末（具有2微米之平均顆粒大小）。 (cl)：具有大於6 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 0 ppm (c 2 ):具有大於3 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 0 ppm (c 3 ):具有大於2 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 0 ppm 無機填料（1 - d ): 包含說明於下之經碳包覆之熔融矽石顆粒（d 1 )至（d 3 ) 的球形熔融矽石粉末（具有1 5微米之平均顆粒大小）。 (d 1 ):具有大於6 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 0 p p m (d 2 ):具有大於3 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 石夕石顆粒 5 p p m (d 3 ):具有大於2 0微米之顆粒大小之經碳包覆之熔融 20
312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 石夕石顆粒 1 0 p p m 球形熔融矽石顆粒（2 - a ): 使用說明於前文之圖5及圖6之垂直爐，以說明於下之 方式製造球形熔融矽石顆粒（具有2 0微米之平均顆粒大 小）。具體言之，製備含矽材料-矽石石頭（9 9 · 5 % S i 02、 0 · 0 6 3 °/〇 A 1 2 0 3、0 . 0 0 2 % F e 2 0 3、0 · 0 0 2 % N a 2 0 及 0 . 0 ◦ 3 % K 2 0 ) 之經研磨粉末（具有至多6 6微米之顆粒大小），及將其隨同 氫[3 0常態立方米（N m3) /小時，4 3 · 9米/秒之流率]及氧 [1 5常態立方米/小時，8 . 3米/秒之流率]之混合氣體之 在2 0 0 0 °C或更高溫度下之氣體火焰（具有5 0公分之火焰長 度）在1 0公斤/小時之速率下，經由進給器連續供給至垂 直爐内。以此方式製得球形熔融矽石顆粒（2 - a )(具有2 0 微米之平均顆粒大小）。 球形熔融矽石顆粒（2 - b ): 使用說明於前文之圖5及圖6之垂直爐，以說明於下之 方式製造球形熔融矽石顆粒（具有2 0微米之平均顆粒大 小）。具體言之，製備含矽材料-矽石石頭（9 9 . 5 % S i 0 2、 0 , 0 6 3 % A 1 2 0 3、0 · 0 0 2 % F e 2 0 3、0 . 0 0 2 % N a 2 0 及 0 · 0 0 3 % K 2 0 ) 之經研磨粉末（具有至多6 6微米之顆粒大小），及將其隨同 丙烷[1 0常態立方米/小時，1 2 · 0米/秒之流率]及氧[5 常態立方米/小時，6 . 2米/秒之流率]之混合氣體之在 2 0 0 0 °C或更高溫度下之氣體火焰（具有3 0公分之火焰長度） 在1 0公斤/小時之速率下，經由進給器連續供給至垂直爐 内◦以此方式製得球形熔融矽石顆粒（2 - b )(具有2 0微米之 21 3 12/發明說明書(補件)/93-02/92⑶483 1259503 平均顆粒大小）。 球形熔融矽石顆粒（2 - c ): 使用說明於前文之圖5及圖6之垂直爐，以說明於下之 方式製造球形熔融矽石顆粒（具有1 〇微米之平均顆粒大 小）。具體言之，製備含矽材料-矽石石頭（9 9 . 5 % S i 02、 0 · 0 6 3 % A 1 2 0 3、0 . 0 0 2 °/〇 F e 2 0 3、0 . 0 0 2 % N a 2 0 及 0 · 0 0 3 % K 2 0 ) 之經研磨粉末（具有至多4 4微米之顆粒大小），及將其隨同 氫[3 0常態立方米（N m3) /小時，4 3 · 9米/秒之流率]及氧 [1 5常態立方米/小時，8 . 3米/秒之流率]之混合氣體之 在2 0 0 0 °C或更高溫度下之氣體火焰（具有5 0公分之火焰長 度）在8公斤/小時之速率下，經由進給器連續供給至垂直 爐内。以此方式製得球形熔融矽石顆粒（2 - c )(具有1 0微米 之平均顆粒大小）。 球形熔融矽石顆粒（2 - d ): 使用說明於前文之圖5及圖6之垂直爐，以說明於下之 方式製造球形熔融矽石顆粒（具有1 0微米之平均顆粒大 小）。具體言之，製備含矽材料-矽石石頭（9 9 · 5 % S i 0 2、 0 . 0 6 3 °/〇 A 1 2 0 3、0 . 0 0 2 % F e 2 0 3、0 . 0 0 2 % N a 2 0 及 0· 0 0 3 % K 2 0 ) 之經研磨粉末（具有至多4 4微米之顆粒大小），及將其隨同 丙烷[1 0常態立方米/小時，1 2 · 0米/秒之流率]及氧[5 常態立方米/小時，6 . 2米/秒之流率]之混合氣體之在 2 0 0 0 °C或更高溫度下之氣體火焰（具有3 0公分之火焰長度） 在8公斤/小時之速率下，經由進給器連續供給至垂直爐 内。以此方式製得球形熔融矽石顆粒（2 - d )(具有1 0微米之 312/發明說明書(補件)/93_02./92〗3〗483 22 1259503 平均顆粒大小）。 球形熔融矽石顆粒（3 - a ): 使用說明於前文之圖5及圖6之垂直爐，以說明於下之 方式製造球形熔融矽石顆粒（具有2 0微米之平均顆粒大 小）。具體言之，製備含矽材料-矽石石頭（9 9 · 5 % S i 02、 0 · 0 6 3 % A 1 2 0 3、0 · 0 0 2 % F e 2 0 3、0 · 0 0 2 % N a 2 0 及 0 . 0 0 3 % K 2 0 ) 之經研磨粉末（具有至多6 6微米之顆粒大小），及將其隨同 經由設置於外管2 5和材料供給導管（内管）2 2之間之空間 中之小管2 3供給之丙烷及氧（1 / 1體積比）之混合氣體[3 0 常態立方米/小時，4 3 . 9米/秒之流率]及經由在外管2 5 和小管2 3之間之空間供給之氧氣[1 5常態立方米/小時， 8 . 3米/秒之流率]在1 0公斤/小時之速率下，經由進給 器之材料供給導管（内管）2 2連續供給至垂直爐内。氣體於 爐内形成在2 0 0 0 °C或更高溫度下之氣體火焰（具有5 0公分 之火焰長度）。以此方式製得球形熔融矽石顆粒（3 - a )(具有 2 0微米之平均顆粒大小）。 球形熔融矽石顆粒（3 - b ): 使用說明於前文之圖5及圖6之垂直爐，以說明於下之 方式製造球形熔融矽石顆粒（具有2 0微米之平均顆粒大 小）。具體言之，製備含矽材料-矽石石頭（9 9 . 5 % S 1 0 2、 0 . 0 6 3 % A 1 2 0 3、0 · 0 0 2 % F e 2 0 3、0 . 0 0 2 % N a 2 0 及 0 · 0 0 3 % K 2 0 ) 之經研磨粉末（具有至多6 6微米之顆粒大小），及將其隨同 經由設置於外管2 5和材料供給導管（内管）2 2之間之空間 中之小管2 3供給之丙烷氣體[1 0常態立方米/小時，1 2 . 0 23 312/發明說明書(補件)/93 -02/92〗31483 1259503 米/秒之流率]及經由在外管2 5和小管2 3之間之空間供給 之氧氣[5常態立方米/小時，6 . 2米/秒之流率]在1 0公 斤/小時之速率下，經由進給器之材料供給導管（内管）2 2 連續供給至垂直爐内。氣體於爐内形成在2 0 0 0 °C或更高溫 度下之氣體火焰（具有3 0公分之火焰長度）。以此方式製得 球形熔融矽石顆粒（3 - b )(具有2 0微米之平均顆粒大小）。 球形熔融矽石顆粒（3 - c ): 使用說明於前文之圖5及圖6之垂直爐，以說明於下之 方式製造球形熔融矽石顆粒（具有1 0微米之平均顆粒大 小）。具體言之，製備含矽材料-矽石石頭（9 9 · 5 % S i 02、 0 · 0 6 3 % A 1 2 0 3、0 . 0 0 2 % F e 2 0 3、0 . 0 0 2 % N a 2 0 及 0 · 0 0 3 % K 2 0 ) 之經研磨粉末（具有至多4 4微米之顆粒大小），及將其隨同 經由設置於外管2 5和材料供給導管（内管）2 2之間之空間 中之小管2 3供給之丙烷及氧（1 / 1體積比）之混合氣體[3 0 常態立方米/小時，4 3 . 9米/秒之流率]及經由在外管2 5 和小管2 3之間之空間供給之氧氣[1 5常態立方米/小時， 8 . 3米/秒之流率]在8公斤/小時之速率下，經由進給器 之材料供給導管（内管）2 2連續供給至垂直爐内。氣體於爐 内形成在2 0 0 (TC或更高溫度下之氣體火焰（具有5 0公分之 火焰長度）。以此方式製得球形熔融矽石顆粒（3 - c )(具有 1 0微米之平均顆粒大小）。 球形熔融矽石顆粒（3 - d ): 使用說明於前文之圖5及圖6之垂直爐，以說明於下之 方式製造球形熔融矽石顆粒（具有1 0微米之平均顆粒大 24 312/發明說明書(補件)/93-02/9213 ] 483 1259503 小）。具體言之，製備含矽材料-矽石石頭（9 9 . 5 % S i 02、 Ο · Ο 6 3 % A 1 2 Ο 3、Ο · Ο Ο 2 % F e 2 Ο 3、Ο · Ο Ο 2 % N a 2 0 及 Ο . Ο Ο 3 % Κ 2 Ο ) 之經研磨粉末（具有至多4 4微米之顆粒大小），及將其隨同 經由設置於外管2 5和材料供給導管（内管）2 2之間之空間 中之小管2 3供給之丙烷氣體[1 0常態立方米/小時，1 2 . 0 米/秒之流率]及經由在外管2 5和小管2 3之間之空間供給 之氧氣[5常態立方米/小時，6 · 2米/秒之流率]在8公斤 /小時之速率下，經由進給器之材料供給導管（内管）2 2連 續供給至垂直爐内。氣體於爐内形成在2 0 0 0 °C或更高溫度 下之氣體火焰（具有3 0公分之火焰長度）。以此方式製得球 形熔融矽石顆粒（3 - d )(具有1 0微米之平均顆粒大小）。 (1)半導體裝置A之封包： 實施例A 1至A 8、比較實施例A 1至A 6、實施例A ’ 1至A ’ 8、 比較實施例A ’ 1至A ’ 6、實施例A ” 1至A ” 8、比較實施例A ” 1 至 A，，6 : 將示於下表1至3、表Γ至3 ’及表1 ’’至3 ’’中之成份以亦 示於此等表中之比，置於漢歇爾（H e n s c h e 1 )混合機中，然 後於其中混合3 0分鐘。在此方法中，利用三輥混合機將顏 料碳黑預先與環氧樹脂（a )混合（碳黑/環氧樹脂（a )之摻 混比=1 / 1 0重量比），以製備得預混物，並使用此預混物。 將經如此製備得之混合物供給至捏合擠塑機内，並利用其 熔融捏合。接下來使所得之熔體冷卻，將其研磨，然後利 用壓錠模具製成環氧樹脂組成物之料錠。 表1 (重量份數） 25 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 實施例A 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（9·) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (a ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 無機填料（1 - a ) 250 200 100 10 0 0 50 無機填料（1 - b ) 400 40 0 1100 60 0 0 500 無機填料（ .-C ) 450 600 0 500 1200 0 所有經碳包 覆之熔融矽 石顆粒之含 量（ppm) 大於6 0 // m 2.3 1 . 7 0. 8 0. 8 0.0 0. 9 大於3 0 // m 6. 4 5.0 6. 3 4. 2 0. 0 6. 4 大於2 0 // m 12.7 10.0 12.5 8. 3 0. 0 49.1 表2 (重量份數） 實施例A 7 8 環氧樹脂（a ) 30 30 阻燃劑 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 固化促進劑 1 1 碳黑/環氧樹脂（a ) ( 1 / 1 0 )之預 混物 77 77 阻燃促進劑 11 11 脫模劑 1 1 無機填料（1 - a ) 100 0 無機填料（1 - b ) 300 600 無機填料（1 - c ) 200 0 所有經碳包覆之 炫融石夕石顆粒之 含量（ppm ) 大於6 0 // m 1.7 0.0 大於3 0 // m 5. 8 5.0 大於2 0 // m 11.7 10.0 26 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表3 (重量份數） 比較實施例A 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（a ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (a ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 無機填料（1 - a ) 1200 600 400 600 400 300 無機填料U - b ) 0 0 500 0 100 200 無機填料（1 - c ) 0 600 300 0 100 100 所有經碳包 覆之熔融矽 石顆粒之含 量（ppm) 大於6 0 // hi 10.0 5.0 3. 3 10. 0 6. 7 5.0 大於3 0 // m 20.0 10.0 8. 8 20. 0 14. 2 11.7 大於2 0 // m 40. 0 20.0 17.5 40. 0 28.3 23.3 27 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表1 ’（重量份數） 實施例A ’ 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（a ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹 脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (a ) ( 1 / 1 0 )之預混 物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆 粒（2 - a ) 1200 1000 800 600 600 500 球形熔融矽石顆 粒（2 - b ) 0 200 400 600 0 100
表2 ’（重量份數） 實施 例A’ 7 8 環氧樹脂（a ) 30 30 阻燃劑 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 固化促進劑 1 1 碳黑/環氧樹脂 (a ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 阻燃促進劑 11 11 脫模劑 1 1 球形熔融矽石顆粒 (2 - a ) 400 300 球形熔融矽石顆粒 (2-b) 200 300
312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 28 1259503 表3 ’（重量份數） 比較實施例A， 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（a ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹 脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (a ) ( 1 / 1 0 )之預混 物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形溶融石夕石顆 粒（2 - a ) 0 300 500 0 1 00 200 球形熔融矽石顆 粒（2-b) 1200 900 700 600 500 400 表1 ”（重量份數） 實施 例A，， 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（a ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹 脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (a ) ( 1 / 1 0 )之預混 物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆 粒（3 - a ) 1200 1000 800 60 0 600 500 球形熔融矽石顆 粒（3 - b ) 0 200 40 0 600 0 1 00 29 312/發明說明書(補件)/93-02/9213 ] 483 1259503 表2 ’’（重量份數） 實施例A” 7 8 環氧樹脂（a ) 30 30 阻燃劑 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 固化促進劑 1 1 碳黑/環氧樹脂 (a ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 阻燃促進劑 11 11 脫模劑 1 1 球形熔融矽石顆粒 (3 - a ) 40 0 300 球形溶融石夕石顆粒 (3-b) 20 0 300 表3 ”（重量份數） 比j 咬實施例A” 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（a ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂（a ) ( 1 / 1 0 ) 之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆粒（3 - a ) 0 300 50 0 0 100 200 球形熔融矽石顆粒（3 - b ) 1200 900 70 0 600 500 400 使用如此製得之實施例及比較實施例之各環氧樹脂組 成物之料鍵，將半導體晶片（尺寸.10 X 10宅米）壓每（在 1 7 5 °C下，經歷1 2 0秒）及在1 7 5 °C下，後固化5小時，而 得如圖3中之半導體裝置。此封裝為2 0 8 -銷Q F P (四芯線組 平封裝）。 封裝形式· 30 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 2 0 8 _銷Q F P (四芯線組平封裝）型，尺寸2 8毫米χ 2 8毫米 X 2 . 8毫米厚度。 半導體晶片3，尺寸1 0毫米χ 1 0毫米χ 3 7 0微米厚度。 金屬引線框7 :銅（尺寸1 1毫米χ 1 1毫米χ 1 0 0微米厚 度）。 線6 :金，直徑2 5微米，節距8 5微米，線對線距離6 0 微米。 分析以如上之方式製得之半導體裝置，及評估其中之短 路的發生。具體言之，測量在半導體晶片上之未彼此電連 接之相鄰内部引線8之間的電阻值，及當其為1什歐姆以 下時，則意謂相鄰的内部引線8短路。測試3 0 0 0個樣品， 及計算其中短路的數目。結果示於下表4至6、表4’至6’ 及表4”至6”。 表4 實施例A 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣品 的數目（/ 3 0 0 0個測試樣品） 0 0 0 0 0 0 表5 實施例A 7 8 發生短路之失敗樣品的 數目（/ 3 0 0 0個測試樣品） 0 0 表6 t ::較實施例A 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測試樣品） 7 3 1 5 3 2 31 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表4, 實施1 >'J A’ 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗 樣品的數目 (/ 3 0 0 0個測試樣 品） 0 0 0 0 0 0 表5, 實施例A ’ 7 8 發生短路之失敗樣品的 數目（/ 3 0 0 0個測試樣 品） 0 0 表6, 比較實施例A ’ 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗 樣品的數目 (/ 3 0 0 0個測試樣 品） 10 6 3 7 5 2 表4 實施 f列 A，， 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗 樣品的數目 (/ 3 0 0 0個測試樣 品） 0 0 0 0 0 0 表5” 實施 ί列 A，， 7 8 發生短路之失敗樣品的 數目（/ 3 0 0 0個測試樣品） 0 0 表 比較實施例Α” 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣品的數 目（/3000個測試樣品） 4 2 1 3 2 1 32 31W發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 如以上之表4至6、表4 ’至6 ’及表4 ”至6 ”，在本發明之 實施例之樣品中未發生短路。然而，相對於其，在經碳包 覆之熔融矽石顆粒之含量多於所使用之無機填料之2 · 5 ρ ρ ίϋ之比較實施例的樣品中發生短路。此外，在根據習知 方法利用丙烷氣體及氧氣之燃燒熱製得之球形熔融矽石顆 粒之含量多於所使用之無機填料之5 0重量百分比之比較 實施例的樣品中亦發生短路。 (2)半導體裝置Β之封包： 實施例Β 1至Β 8、比較實施例Β 1至Β 6、實施例Β 1 ’至Β 8 ’、 比較實施例Β 1 ’至Β 6 ’、實施例Β 1 ”至Β 8 ”、比較實施例Β Γ 至 Β6” ： 將示於下表7至9、表7’至9’及表7”至9”中之成份以亦 示於此等表中之比，置於漢歇爾混合機中，然後於其中混 合3 0分鐘。在此方法中，利用三輥混合機將顏料碳黑預先 與環氧樹脂（b )混合（碳黑/環氧樹脂（b )之摻混比=1 Μ 0 重量比），以製備得預混物，並使用此預混物。將經如此製 備得之混合物供給至捏合擠塑機内，並利用其熔融捏合。 接下來使所得之熔體冷卻，將其研磨，然後利用壓錠模具 製成壞氧樹脂組成物之料鍵。 33 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表7 (重量份數） 實施例B 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 無機填料（1 - b ) 50 0 300 200 100 250 200 無機填料（1 - c ) 70 0 900 1000 1100 350 400 所有經碳包 覆之熔融矽 石顆粒之含 量（ppm) 大於6 0 // m 0.0 0. 0 0. 0 0.0 0.0 0.0 大於3 0 // m 2.1 1 . 3 0. 8 0. 4 2.1 1.7 大於2 0 // m 4.2 2.5 1.7 0. 8 4. 2 16.7 34 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503
表8 (重量份數） 實施例B 7 8 環氧樹脂（b ) 30 30 阻燃劑 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 固化促進劑 1 1 碳黑/環氧樹脂（b ) ( 1 / 1 0 ) 之預混物 77 77 阻燃促進劑 11 11 脫模劑 1 1 無機填料（1 - b ) 150 1 00 無機填料（1 - c ) 450 500 所有經碳包 覆之熔融矽 石顆粒之含 量（ppm ) 大於6 0 // m 0. 0 0.0 大於3 0 // m 1 . 3 0.8 大於2 0 // m 2.5 1 . 7 312/發明說明書(補件)/93-02/9213】483 35 1259503 表9 (重量份數） 比較實施例B 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂（b ) (1 / 1 0 ) 之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 無機填料U-b) 700 800 1100 350 400 450 無機填料（1 - c ) 500 400 100 250 200 150 所有經碳包 覆之熔融矽 石顆粒之含 量（ppm) 大於6 0 // m 0.0 0.0 0. 0 0. 0 0.0 0. 0 大於3 0 // m 2.9 3. 3 4. 6 2. 9 3. 3 3. 8 大於20 // m 5. 8 6. 7 9. 2 5. 8 6. 7 7. 5 36 312/發明說明書(補件)/93-〇2/92131483 1259503 表7 ’（重量份數） 實施例B ’ 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹 脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混 物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆 粒（2 - a ) 1200 1000 80 0 600 600 500 球形熔融矽石顆 粒（2 - b ) 0 200 400 600 0 1 00 表8 ’（重量份數） 實施例B， 7 8 環氧樹脂（b ) 30 30 阻燃劑 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 固化促進劑 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 阻燃促進劑 11 11 脫模劑 1 1 球形熔融矽石顆粒 (2 - a ) 400 300 球形熔融矽石顆粒 (2-b) 200 300 37 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表9 ’（重量份數） b ::較實施例B ’ 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆粒 (2-a) 0 300 500 0 100 200 球形熔融矽石顆粒 (2-b) 1200 900 700 600 50 0 40 0 表7 ’’（重量份數） 實施例B” 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆粒 (3-a) 1200 1000 800 600 600 500 球形熔融矽石顆粒 (3-b) 0 200 400 600 0 1 00 38 3 ] 2/發明說明書(補件)/93-02/92 Π1483 1259503 表8 ’’（重量份數） 實施例 B，， 7 8 環氧樹脂（b ) 30 30 阻燃劑 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 固化促進劑 1 1 碳黑/環氧樹脂（b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 阻燃促進劑 11 11 脫模劑 1 1 球形熔融矽石顆粒（3 - a ) 400 300 球形熔融矽石顆粒（3 - b ) 200 300 表9 ’’（重量份數） 比較實施例B” 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆粒 (3-a) 0 300 500 0 1 00 200 球形熔融矽石顆粒 (3-b) 1200 900 700 600 500 400 使用如此製得之各環氧樹脂組成物之料錠，將裝置於絕 緣基材上之半導體晶片壓鑄（在1 7 5 °C下，經歷1分鐘，然 後在1 7 5 °C下，後固化5小時）成如圖2之單一封包半導體 裝置。 封裝形式： 39 3〗2/發明說明書(補件)/93 -02/92 Π1483 1259503 球柵陣列（B G A )型，尺寸3 5毫米χ 3 5毫米x 1 . 5毫米厚 度。 (固化環氧樹脂組成物之）樹脂封包層4 b，尺寸3 5毫米 χ 35毫米χ 1.2毫米厚度。 半導體晶片3，尺寸1 0亳米χ 1 0毫米χ 3 7 0微米厚度。 絕緣基材5，雙順丁烯二醯亞胺三d井（B T ) 樹脂/玻璃布基材（尺寸，4 0毫米χ 4 0毫米χ 0 . 3毫米）。 線6 :金，直徑2 0微米，節距5 0微米，線對線距離3 0 微米。 以如上之相同方式分析如此製得之半導體裝置，及評估 其中之短路的發生。結果示於下表10至12、表10’至12’ 及表1 0 ’’至1 2 ”。 40 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表10 實施例B 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測試樣品） 0 0 0 0 0 0 表11 實施例B 7 8 發生短路之失敗樣品的數 目（/ 3 0 0 0個測試樣品） 0 0 表12 比較實施例B 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測試樣品） 5 8 10 4 6 9 表10, 實施例B ’ 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測試樣品） 0 0 0 0 0 0 41 3 12/發明說明書(補件)/93-02/92 ] 31483 1259503
表11 實施例B ’ 7 8 發生短路之失敗樣品的 數目（/ 3 0 0 ◦個測試樣品） 0 0 表12 比較實施例 B, 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測试樣品） 35 22 13 26 19 11 表 1 0，， 實施 ί列 B，， 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測試樣品） 0 0 0 0 0 0 表11 實施例Β” 7 8 發生短路之失敗樣品的 數目（/ 3 0 0 0個測試樣品） 0 0 42 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表12, 比較實施例 3，， 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測試樣品） 12 9 2 11 6 1 如以上之表10至12、表10’至12’及表10”至12”，在本 發明之實施例之樣品中未發生短路。然而，相對於其，在 經碳包覆之熔融矽石顆粒之含量多於所使用之無機填料之 2 . 5 p p in之比較實施例的樣品中發生短路。此外，在將半 導體晶片樹脂封包於包含利用丙烷及氧之習知混合氣體之 燃燒熱製得之球形熔融矽石顆粒之封包材料之比較實施例 的樣品中亦發生短路。此外，在所使用之封包材料中之無 機填料包含多於5 0重量百分比之根據習知方法利用丙烷 氣體及氧氣之燃燒熱製得之球形熔融矽石顆粒之比較實施 例的樣品中亦發生短路。 (3)半導體裝置C之封包： 實施例C 1至C 8、比較實施例C 1至C 6、實施例C 1，至C 8 ’、 比較實施例C 1 ’至C 6 ’、實施例C 1，，至C 8，，、比較實施例C 1，， 至 C6” ： 將示於下表1 3至1 5、表1 3，至1 5 ’及表1 3，，至1 5 ”中之成 份以亦示於此等表中之比，置於漢歇爾混合機中，然後於 其中混合3 0分鐘。在此方法中，利用三輥混合機將顏料碳 黑預先與環氧樹脂（b )混合（碳黑/環氧樹脂（b )之摻混比 43 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 二1 / 1 0重量比），以製備得預混物，並使用此預混物。將經 如此製備得之混合物供給至捏合擠塑機内，並利用其熔融 捏合。接下來使所得之熔體冷卻，將其研磨，然後利用壓 錠模具製成環氧樹脂組成物之料錠。 表1 3 (重量份數） 實施例C 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 無機填料（1 - d ) 500 300 200 100 250 200 無機填料（1 - c ) 700 900 1000 1100 350 400 所有經碳包覆 之熔融矽石顆 粒之含量（ppm) 大於6 0 // m 0· 0 0· 0 0.0 0. 0 0. 0 0.0 大於30 // m 2.1 1. 3 0.8 0.4 2.1 1. 7 大於2 0 // m 4. 2 2.5 1. 7 0. 8 4. 2 16.7 44 3 ] 2/發明說明書(補件)/93 -02/92131483 1259503
表1 4 (重量份數） 實施例C 7 8 環氧樹脂（b ) 30 30 阻燃劑 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 固化促進劑 1 1 碳黑/環氧樹脂（b ) ( 1 / 1 0 ) 之預混物 77 77 阻燃促進劑 11 11 脫模劑 1 1 無機填料（1 - d ) 150 100 無機填料（1 - c ) 450 500 所有經碳包 覆之熔融矽 石顆粒之含 量（ppm ) 大於6 0 // m 0. 0 0. 0 大於3 0 // m 1.3 0. 8 大於2 0 // m 2. 5 1 . 7 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 45 1259503 表1 5 (重量份數） 比較實施例C 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 無機填料（1 - d ) 700 800 1100 350 400 450 無機填料（1 - c ) 500 400 100 250 200 150 所有經碳包 覆之熔融矽 石顆粒之含 量（ppm) 大於60 // m 0. 0 0. 0 0. 0 0. 0 0.0 0.0 大於3 0 // m 2.9 3. 3 4. 6 2. 9 3. 3 3. 8 大於20 // m 5.8 6. 7 9.2 5.8 6.7 7.5 46 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表1 3 ’（重量份數） 實施例C， 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆粒 (2-c) 1200 1000 800 600 600 500 球形熔融矽石顆粒 (2-d) 0 200 400 600 0 100 表1 4 ’（重量份數） 實施例C ’ 7 8 環氧樹脂（b ) 30 30 阻燃劑 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 固化促進劑 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 阻燃促進劑 11 11 脫模劑 1 1 球形熔融矽石顆粒 (2-c) 400 300 球形熔融矽石顆粒 (2-d) 200 300 47 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表1 5 ’（重量份數） t L較實施例c， 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆粒 (2-c) 0 300 500 0 100 200 球形熔融矽石顆粒 (2-d) 1200 900 700 600 500 400 表1 3 ”（重量份數） 實施 ί列 C，， 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形熔融矽石顆粒 (3-c) 1200 1000 800 600 600 500 球形熔融矽石顆粒 (3-d) 0 200 400 600 0 100 48 312/發明說明書(補件)/93-02/92 ] 31483 1259503 表1 4 ”（重量份數） 實施例C” 7 8 環氧樹脂（b ) 30 30 阻燃劑 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 固化促進劑 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 阻燃促進劑 11 11 脫模劑 1 1 球形熔融矽石顆粒 (3-c) 400 300 球形熔融矽石顆粒 (3-d) 200 300 表1 5 ”（重量份數） 比較實施例C” 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂（b ) 30 30 30 30 30 30 阻燃劑 13 13 13 13 13 13 酚-酚醛型環氧樹脂 55 55 55 55 55 55 固化促進劑 1 1 1 1 1 1 碳黑/環氧樹脂 (b ) ( 1 / 1 0 )之預混物 77 77 77 77 77 77 阻燃促進劑 11 11 11 11 11 11 脫模劑 1 1 1 1 1 1 球形炫融石夕石顆粒 (3-c) 0 300 500 0 1 00 200 球形熔融矽石顆粒 (3-d) 1200 90 0 700 600 500 400 49 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 使用如此製得之各環氧樹脂組成物之料錠，將裝置於絕 緣基材上之半導體晶片壓鑄（在1 7 5 °C下，經歷1分鐘，然 後在1 7 5 °C下，後固化5小時）成如圖1之單一封包半導體 裝置（FC-BGA)。 封裝形式： 覆晶（flip chip)球柵陣列（FC-BGA)型，尺寸12毫米X 12毫米X 1毫米厚度。 (固化環氧樹脂組成物之）樹脂封包層4 a，尺寸1 2毫米 X 1 2毫米X 6 0 0微米厚度。 半導體晶片3，尺寸1 0毫米X 1 0毫米X 3 7 0微米厚度。 絕緣基材1，雙順丁烯二醯亞胺三d井（B T ) 樹脂/玻璃布基材（尺寸，1 4毫米X 1 4毫米X 3 0 0微米 厚度）。 互連電極2，金凸塊，直徑2 0微米，節距5 0微米，凸 塊對凸塊距離3 0微米。 以如上之相同方式分析如此製得之半導體裝置，及評估 其中之短路的發生。具體言之，測量未彼此電連接之相鄰 金凸塊之間的電阻值，及當其為1仟歐姆以下時，則意謂 相鄰的金凸塊短路。結果示於下表1 6至1 8、表1 6 ’至1 8 ’ 及表1 6 ’’至1 8 ”。 50 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表16 實施例C 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測試樣品） 0 0 0 0 0 0 表17 實施例C 7 8 發生短路之失敗樣品的數 目（/ 3 0 0 0個測試樣品） 0 0 表18 比較實.施例C 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測試樣品） 3 9 12 3 7 11 表16, 實施例C ’ 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣品 的數目（/ 3 0 0 0個測試 樣品） 0 0 0 0 0 0 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 表17 實施例C ’ 7 8 發生短路之失敗樣品的 數目（/ 3 0 0 0個測試樣品） 0 ° 表18, 比較實施例C ’ 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測试樣品） 29 19 10 23 17 8
表16 實施 ί列 C，， 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣 品的數目（/ 3 0 0 0個 測試樣品） 0 0 0 0 0 0 表17 實施 ί列 C，， 7 8 發生短路之失敗樣品的 數目（/ 3 0 0 0個測試樣品） 0 0
表18 比較實施例 ^ ” 1 2 3 4 5 6 發生短路之失敗樣品 的數目（/ 3 0 0 0個測試 樣品） 13 5 2 11 3 1 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 52 1259503 如以上之表1 6至1 8、表1 6 ’至1 8 ’及表1 6 ”至1 8 ”，在本 發明之實施例之樣品中未發生短路。然而，相對於其，在 經碳包覆之熔融矽石顆粒之含量多於所使用之無機填料之 2 . 5 p p m之比較實施例的樣品中發生短路。此外，在將半 導體晶片樹脂封包於包含利用丙烷及氧之習知混合氣體之 燃燒熱製得之球形熔融矽石顆粒之封包材料之比較實施例 的樣品中亦發生短路。此外，在所使用之封包材料中之無 機填料包含多於5 0重量百分比之根據習知方法利用丙烷 氣體及氧氣之燃燒熱製得之球形熔融矽石顆粒之比較實施 例的樣品中亦發生短路。 在參照其之較佳具體例而詳細說明於前文之本發明的 半導體裝置中，半導體封包之樹脂層係由包含具至多2. 5 ppm之具較半導體裝置中之互連電極或導體線距離大之顆 粒大小之經碳包覆之無機填料顆粒（c )之無機填料（C )之環 氧樹脂組成物的固化產物所形成。因此，半導體裝置高度 可靠，且沒有由在裝置中之互連電極之間或導體線之間之 電互連所造成的短路問題。 本發明之另一類型的半導體封包用環氧樹脂組成物，包 含具至少5 0重量百分比之其熔融中之熱源係不會在球形 熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈積之熱源材料和氧氣之燃 燒熱之球形熔融矽石顆粒（c ’）的無機填料（C )。當將此類型 之環氧樹脂組成物使用於半導體封包時，其亦可得到不會 於其中發生短路問題之高可靠度的半導體裝置。 雖然本發明已經詳細說明並參照其之特定具體例，但熟 53 312/發明說明書(補件)/93-02/92131483 1259503 悉技藝人士當明白可不脫離其範圍而於其中進行各種變化 及修改。 本申請案係以2 0 0 2年1 1月1 2日提出申請之日本專利 申請案第2 0 0 2 - 3 2 8 7 2 6號' 2 0 0 2年1 1月2 2日提出申請之 第2002-339797號、及2002年11月22日提出申請之第 2 0 0 2 - 3 3 9 7 9 8號為基礎，將其之全體内容倂入本文為參考 資料。 【圖式簡單說明】 為舉出實例及使說明更為清楚而參照附圖，其中： 圖1係顯示半導體裝置之一封裝形式的橫剖面圖。 圖2係顯示半導體裝置之另一封裝形式的橫剖面圖。 圖3係顯示半導體裝置之又另一封裝形式的橫剖面圖。 圖4係顯示半導體裝置之又另一封裝形式的橫剖面圖。 圖5係圖示用於製造球形熔融矽石顆粒之裝置構造的橫 剖面圖。 圖6 A係顯示圖5之製造裝置之燃燒器構造的垂直橫剖 面圖；及 圖6B係圖6A之水平橫剖面圖。 (元件符號說明） 1、5 絕緣基材 2 互連電極 3 半導體晶片 4 a、4 b、4 c、4 d 封包用樹脂 6 線 54 312/發明說明書(補件)/93-02/92 Π M83 1259503
7、1 0 引 線 框 8、1 1 内 部 引 線 2 1 料 斗 22 材 料 供 給 導 管 23 小 管 24 氧 氣 供 給 導 管 25 外 管 26 爐 體 27 箱丨j 送 管 28 旋 風 機 29 袋 濾· 機 30 鼓 風 機 3 ] 2/發明說明書(補件)/93-02/92131483 55

Claims (1)

  1. 拾、申請專利範圍： 1 . 一種半導體封包用環氧樹脂組成物，其包括以 份（A )至（C ): (A )環氧樹脂， (B ) S分系樹脂， (C )在利，用環氧樹脂組成物之半導體封包步驟中， 半導體短路之無機填料，其中該無機填料（C )包含至 p p m之經碳包覆之無機填料顆粒（c )，此無機填料顆 具有較待利用組成物封包，且包括裝置於絕緣基材 框上之半導體晶片，且其中半導體晶片係經由互連 導體線電互連至絕緣基材或引線框之半導體裝置中 電極距離或導體線距離大之顆粒大小；或者，該無 (C)包含至少50重量百分比之其炼融中之熱源係不 形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈積之熱源材料和 燃燒熱的球形熔融矽石顆粒（c ’）。 2 .如申請專利範圍第1項之半導體封包用環氧樹 物，其中該球形熔融矽石顆粒（c ’）係由含矽材料所 此含矽材料係經由包括同心内管及外管及設置於内 管間之多個小管之雙壁燃燒器，以含矽材料係經由 不會在球形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈積之熔 源材料係經由小管，及氧氣係經由在小管與外管之 間之方式供給至爐内，且經爐中之氣體燃燒而熔融 3 .如申請專利範圍第1項之半導體封包用環氧樹 物，其中該不會在球形熔融矽石顆粒之表面上造成 326\總檔\92\92131483\92131483(替換)-1 94 12. - 9 替换本 下之成 「防止 多2. 5 粒（c) 或引線 電極或 之互連 機填料 會在球 氧氣之 脂組成 製得， 管和外 内管， 融用熱 間之空 0 脂組成 碳沈積 56
    之炫融用熱源材料係為氫氣。 4 .如申請專利範圍第1項之半導體封包用環氧樹脂組成 物，其中該不會在球形熔融矽石顆粒之表面上造成碳沈積 之炼融用熱源材料係為氧氣及可燃燒烴氣體之混合物。 5 . —種半導體裝置，其具有封包於申請專利範圍第1項 之環氧樹脂組成物中之半導體晶片。
    6 .如申請專利範圍第5項之半導體裝置，其中該裝置於 絕緣基材或引線框上之半導體晶片係經由互連電極或導體 線而電互連至絕緣基材或引線框，且其封包於一層環氧樹 脂組成物中。
    326\總檔\92\92131483\92 ] 31483(替換)-1 57
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