TWI258777B - Inductance device - Google Patents

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TWI258777B
TWI258777B TW094101496A TW94101496A TWI258777B TW I258777 B TWI258777 B TW I258777B TW 094101496 A TW094101496 A TW 094101496A TW 94101496 A TW94101496 A TW 94101496A TW I258777 B TWI258777 B TW I258777B
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Description

1258777 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具環狀線圈的電感元件。 【先前技術】 疊層式的此種電感元件係採取例如形成長方體狀方 塊,並在長方體相對向的2面上分別設置電極,方塊内部 之線圈的端部圖案延伸且耦接於上述電極的構造。
所以,在環狀線圈中,上述延伸部分將如圖4所示,具 有較其他環的部分在繞線圈數(圈數)上多繞1圈的構造。 當採用該構造的電感元件之情況時,對應圈數的多寡將 發生磁場產生不均衡的情況,此現象判斷將導致直流重疊 特性降低。 (專利文獻1 )日本專利特開2 0 0 1 - 2 6 7 1 2 9號公報 (專利文獻2 )日本專利特開平1 0 - 3 3 5 1 4 4號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題) 本發明為解決上述課題,其目的在於提供一種更正圈數 較多部分與較少部分中的產生磁場(generated magnetic f i e 1 d )不均衡情況,形成良好直流重疊特性的電感元件。 (解決問題之手段) 本發明的電感元件,係包含:具繞線圈數為η圈之η繞 線部、與繞線圈數為η +1圈之η +1繞線部的環狀線圈;設 置於上述線圈的環内外,並使磁通通過而形成磁路的磁路 材料;以及將形成圍繞上述η繞線部狀態的磁通、與形成 5 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/94101496 1258777 圍繞上述η + 1繞線部狀態的磁通中任一者,予以阻斷的磁 隙(magnetic gap)0
本發明的電感元件,係包含:具繞線圈數為η圈之η繞 線部、與繞線圈數為η +1圈之η + 1繞線部的環狀線圈;設 置於上述線圈的環内外,並使磁通通過而形成磁路的磁路 材料;將形成圍繞上述η繞線部狀態的磁通、與形成圍繞 上述η + 1繞線部狀態的磁通中任一者,予以阻斷的第1磁 隙;以及在與上述環之軸方向正交的方向上,寬度較阻斷 上述磁通的第1磁隙為窄的第2磁隙。 本發明的電感元件,係將環狀線圈及軟磁性陶瓷構件疊 置於同一元件内而構成的疊層式電感元件,其中該環狀線 圈具繞線圈數為η圈之η繞線部、與繞線圈數為η +1圈之 η + 1 繞線部,而該軟磁性陶瓷構件係埋設於上述線圈内 部,其特徵在於:設置於上述線圈環内外的上述軟磁性陶瓷 構件,係使磁通通過並形成磁路的磁路材料;且設有將形 成圍繞上述η繞線部狀態的磁通、與形成圍繞上述η +1繞 線部狀態的磁通中任一者予以阻斷的磁隙 本發明的電感元件,係將環狀線圈及軟磁性陶瓷構件疊 置於同一元件内而構成的疊層式電感元件,其中該環狀線 圈具繞線圈數為η圈之η繞線部、與繞線圈數為η +1圈之 η + 1 繞線部,而該軟磁性陶瓷構件係埋設於上述線圈内 部,其特徵在於:設置於上述線圈環内外的上述軟磁性陶瓷 構件,係使磁通通過並形成磁路的磁路材料;且其包含: 將形成圍繞上述η繞線部狀態的磁通、與形成圍繞上述η + 1 6 31ΖΚΡ/發明說明書(補件)/9405/94101496 1258777 繞線部狀態的磁通中任一者予以阻斷的第1磁隙;以及在 與上述環之軸方向正交的方向上,寬度較阻斷上述磁通的 第1磁隙為窄的第2磁隙。 本發明的電感元件係阻斷上述磁通的第1磁隙與第2磁 隙中任一者,由非磁性陶瓷所構成。 本發明的電感元件係在由磁路材料所構成的方塊外 面,藉由使上述η繞線部與上述η + 1繞線部中任一者的一 部分露出,而形成阻斷磁通的磁隙。
本發明的電感元件係上述露出部分由絕緣性樹脂所被 覆。 本發明的電感元件係上述η繞線部與上述η + 1繞線部的 η為 4以下。 (發明效果) 依照上述構造的電感元件,藉由將形成圍繞上述η繞線 部狀態的磁通、與形成圍繞上述η + 1繞線部狀態的磁通中 任一者予以阻斷,便可朝使發生磁通不均衡情況轉為均衡 方向改善,可改善直流重疊特性。 【實施方式】 在以更正圈數較多部分與較少部分的產生磁場不均衡 情況,形成良好直流重疊特性之目的下,利用設置阻斷磁 通之磁隙的較簡單構造而達成此目的。參照所附示圖式, 針對本發明的電感元件實施例進行説明。各圖中,就相同 構成要件便賦予相同元件符號,並不再重複説明。 (實施例1 ) 7 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/94101496 1258777 圖1所示係電感元件1的外觀,圖2所示係A - A截面圖, 圖3所示係B-B截面圖。在電感元件1的相對向配對面上 設置電極2。若單獨圖示線圈3便如圖4所示。即,具備 有:繞線圈數η圈的η繞線部3 1、與繞線圈數η + 1圈的η + 1 繞線部3 2,並形成四角形環狀的形狀。
線圈3的繞線頭端部3 3與繞線尾端部3 4係從環狀部分 朝電極2、2側延伸,並耦接於電極2。在線圈3的η繞線 部31中,於平行於η +1繞線部3 2的部分,且靠電感元件 1側壁處,構成線圈3導體的側部形成露出狀態,並對此 露出部分塗佈絕緣性樹脂4。 線圈3的環中央部與η +1繞線部3 2的外側,係由磁路 材料的磁性體5所形成。將非磁性體6設置成包夾線圈導 體圖案3 a的狀態,特別係在η繞線部3 1的上側與下側, 設置較導體圖案3 a,3 a間為厚的非磁性體6。 從η繞線部31的導體圖案3 a下側起,在η +1繞線部3 2 的最下方導電圖案3a與其上方的導體圖案3a之間,設置 寬度較由在η繞線部3 1上側與下側設置的非磁性體6所產 生的第1磁隙,更窄(薄壁)之由非磁性體所產生的第2磁 隙7。 此電感元件1係依圖5至圖7所示順序進行製作。將磁 性片複數層重疊而形成磁性層,並在該磁性層上且ri繞線 部3 1所配置的位置處厚厚的塗佈著非磁性體6,剩餘區域 則設置磁性體5且表面形成平板狀。在此平板的表面上, 如圖 5 ( a 1 )所示,利用遮罩施行印刷而形成從設置電極 2 8 312XP/發明說明書(補件)/94-05/94101496 1258777 的一端邊起,直線狀延伸至另一端間之距離的三分之二程 度距離處為止的棒狀導體圖案3 a。其次,利用遮罩施行印 刷形成相當於線圈 3之 1 / 2圈數的「口」字形導體圖案 3a(圖 5(bl ))。
其次,如圖 5 ( c 1 )所示,印刷出將覆蓋著相當於線圈3 之1圈數的區域、與朝電極延伸之端部的區域(相當於1 . 5 圈數的區域),予以覆蓋的非磁性材6。在此非磁性材6區 域中,於圖5 ( b 1 )所示導體圖案3 a終端部所對應的部分處 設置窗,且未塗佈非磁性材6。在此狀態下,圖5 ( b 1 )所示 ^字形導體圖案 3a的最終直線部外側部仍保持著露出狀 態。 其次,如圖 6(dl)所示,在除圖5(cl)的非磁性材 6區 域外之區域中印刷著磁性體5。接著,在相當於與圖5 ( b 1 ) 形成配對的線圈3繞線之1 / 2圈數的區域,使用具有開口 部的遮罩,利用印刷形成導體圖案3 a (圖6 ( e 1 ))。然後, 如圖 6 ( f 1 )所示,利用遮罩印刷出從圖 6 ( e 1 )的導體圖案 3 a終端部起,直線狀延伸至另一端的棒狀導體圖案3 a。 其次,如圖 7 ( g 1 )所示,印刷出將覆蓋著相當於線圈 7 之1圈數的區域、與朝電極延伸之端部的區域(相當於1 . 5 圈數的區域),予以覆蓋的非磁性材6。接著,如圖7 (h 1 ) 所示,在除圖 7 ( g 1 )的非磁性材 6區域之外的區域印刷著 磁性體5。依上述便完成1 . 5圈數份的電感元件。 為製作ln5圈數+ N(N為整數)圈數份的電感元件,便取 代圖6 ( f 1 )所示遮罩,改為如圖7 ( f Γ )所示,印刷出將覆 9 312XP/發明說明書(補件)/94-05/94101496
1258777 蓋著相當於線圈3之1圈數的區域與朝電極延伸之 區域(相當於 1 . 5圈數的區域),予以覆蓋的非磁性 在此非磁性材6區域中,於圖6 ( e 1 )所示導體圖案 端部所對應部分處設置窗,且未塗佈非磁性材 6。 7(Π’)所示步驟,返回圖5(bl)的步驟,並重複圖 圖 5(cl)、圖 6(dl)、圖 6(el)、圖 7(fΓ )。 當設置第2磁隙7時,便採用具有與電感元件1 同大小,且具有與圖7 ( f Γ )之非磁性材6中所設窗 的窗之非磁性體片。藉由將此非磁性體片取代圖7 ( 非磁性材6使用,便可設置第2磁隙7。 在依上述的疊層狀態下,因為構成線圈3的導體 露出,因而對此露出部分塗佈絕緣性樹脂 4。在上 導體圖案3 a係採用將以銀為主成分的導電性粉末, 成樹脂黏結劑施行糊劑化者;由磁性體5所構成磁 磁性材,則採用將鐵氧磁體軟磁性材粉末(例如 N i 鐵氧磁體),使用合成樹脂黏結劑施行糊劑化者;非 6係採用將非磁性陶瓷粉末(例如N i - C u鐵氧磁體或 竟),使用使用合成樹脂黏結劑施行糊劑化者。在此 上側疊層著由磁性體5所構成磁性層,並施行定位 壓接,同時施行燒結而進行製作。 依上述所構成的電感元件,在η繞線部 3 1的上 侧設置較導體圖案3a,3a間為厚的非磁性體6,且 線圈3的導體所露出部分處塗佈絕緣性樹脂4,此 具有磁隙的作用,由圖3中得知,並未發生圍繞η 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/94101496 端部的 丄材 6。 3 a的終 從此圖 5(bl )、 表面相 為相同 :f Γ )的 側部將 述中, 使用合 性層的 -C u - Ζ η 磁性材 玻璃陶 疊層物 且沖壓 側與下 在構成 部分便 繞線部 10
1258777 3 1的磁通。即,設置將形成圍繞η繞線部 3 1的磁通予 阻斷的磁隙。另外,形成圍繞η + 1繞線部3 2的磁通Φ ( 3)。此現象係藉由在磁通Φ的磁路中未設置阻斷磁通Φ 磁隙所達成的。 藉由上述構造,僅在η繞線部31中未形成圍繞η繞 部3 1的磁通,結果可判斷將與僅利用η + 1繞線部3 2產 的電感元件形成同等特性,而更正繞線數的不均衡狀態 可達改善直流重疊特性的效果。圖2 6所示係本實施例與 較例的直流重疊特性,圖2 7所示係直流重疊特性的比較 由該等圖中得知,在僅2圈數(2繞線)部分圍繞著磁通 實施例,直流重疊特性將獲改善。具有2圈數(2繞線) 分與1圈數(1繞線)部分,且整體為1 . 5圈數者,得知 流重疊特性將惡化且電感值較低。另外,實施例即便利 設置第2磁隙7仍可達改善直流重疊特性的效果。 (實施例2 ) 其次,針對第2實施例進行説明。此實施例之電感元 1的Α-Α截面圖如圖8所示,Β-Β截面圖如圖9所示。在 1實施例中,構成線圈3的導體側部形成露出狀態,且 露出部分構成塗佈著絕緣性樹脂4的狀態,但是在本實 例中,在已設置上述絕緣性樹脂4的部分處配置非磁性 6,且η繞線部3 1的上側、下側及上述外側的側部,形 被非磁性體6包圍的狀態,並形成將圍繞η繞線部3 1形 的磁通予以阻斷的磁隙。 此電感元件1係依圖1 0至圖1 2所示順序進行製作。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/94101496 以 圖 的 線 生 比 〇 的 部 直 用 件 第 此 施 體 成 成 此 11 1258777 電感元件1的製作順序,基本上係如同圖5至圖7所説明 的順序。但是,就在上述第1實施例中於設置絕緣性樹脂 4的部分處,配置非磁性體6之點則不同。即便此第2實 施例,設置上述所説明的非磁性體6之部分仍將具有磁隙 作用,由圖9得知並未產生圍繞η繞線部3 1的磁通。另外, 將形成圍繞η + 1繞線部3 2的磁通Φ (圖3 )。此係藉由在磁 通Φ的磁路中並未設置阻斷磁通Φ的磁隙而達成。 (實施例3 )
其次,第 3實施例的電感元件1 Α (圖1 ),係採用圖1 3 所示線圈3 A。此線圈3 A係具有繞線圈數η圈的η繞線部 3 1、與繞線圈數η + 1圈的η + 1繞線部3 2,且形成四角形環 狀形狀。線圈3 Α的繞線頭端部3 3與繞線尾端部3 4係從環 狀部分朝電極2、2側延伸,並耦接於電極2。 圖1 4所示係第3實施例之電感元件1 A (圖1 )的A - A截 面圖,圖1 5所示係B - B截面圖。在線圈3 A的η繞線部31 中,於電感元件1 Α側壁處構成線圈3導體的側部形成露出 狀態,並對此露出部分塗佈絕緣性樹脂4。 線圈3 A的環中央部與η + 1繞線部3 2的外側,係由磁路 材料的磁性體5所形成。將非磁性體6設置成包夾線圈導 體圖案3 a的狀態,特別係在η繞線部3 1的上側與下側, 設置較η + 1繞線部3 2之導體圖案3 a,3 a間為厚的非磁性體 從η繞線部31的導體圖案3 a下側起,在η +1繞線部3 2 的最下方導電圖案3a與其上方的導體圖案3a之間,設置 12 312XP/'發明說明書(補件)/94-05/94 i 0 i 496 1258777 寬度較由在η繞線部3 1上側與下側設置的非磁性體6更窄 (薄壁)之由非磁性體所產生的第2磁隙7。
此電感元件1係依圖1 6至圖1 9所示順序進行製作。將 磁性片複數層重疊而形成磁性層,並在該磁性層上且η繞 線部3 1所配置的位置處厚厚的塗佈著非磁性體6,剩餘區 域則設置磁性體 5 且表面形成平板狀。在此平板的表面 上,如圖1 6 ( a 3 )所示,利用遮罩施行印刷而形成從設置電 極2的一端邊起,直線狀延伸至另一端間之距離的二分之 一程度距離處為止的彎曲棒狀導體圖案3 a。其次,利用遮 罩施行印刷形成相當於線圈3 A之1 / 2圈數的「口」字形導 體圖案3a(圖16(b3))。 其次,如圖 1 6 ( c 3 )所示,印刷出將覆蓋著相當於線圈 3A之1圈數的區域、與朝電極延伸之端部的區域(線圈3A 存在區域),予以覆蓋的非磁性材6。在此非磁性材6區域 中,於圖1 6 ( b 3 )所示導體圖案3 a終端部所對應的部分處 設置窗,且未塗佈非磁性材6。在此狀態下,圖1 6 ( b 3 )所 示口字形導體圖案 3a的最終直線部外側部仍保持著露出 狀態。 其次,如圖 1 7 ( d 3 )所示,在除圖 1 6 ( c 3 )的非磁性材 6 區域外之區域中印刷著磁性體 5。接著,在相當於與圖 1 6 ( b 3 )形成配對的線圈3 A繞線之1 / 2圈數的區域,使用具 有開口部的遮罩,利用印刷形成導體圖案3 a (圖1 7 ( e 3 ))。 其次,如圖1 7 ( f 3 )所示,印刷出將覆蓋著相當於線圈3 之1圈數的區域、與朝電極延伸之端部的區域(線圈存在區 13 312XP/發明說明書(補件)/94-05/941014% 1258777 域),予以覆蓋的非磁性材6。在此非磁性材6的區域中, 於圖1 7 ( e 3 )所示導體圖案3 a終端部所對應的部分處設置 窗,且未塗佈非磁性材6。
其次,如圖1 8 ( g 3 )所示,在除圖1 7 ( f 3 )所示非磁性材6 區域以外的區域中印刷出磁性體 5。接著,使用在與圖 1 7 ( e 3 )形成配對之線圈3 A繞線,相當於1 / 2圈數的區域中 具有開口部的遮罩,印刷出導體圖案 3a 便形成(圖 1 8 ( h 3 ))。而且,當增加繞線數時,便從上述圖 1 8 ( h 3 )所 示步驟重返圖16(c3)步驟,並重複圖16(d3)、圖16(e3)、 圖 17(f3)、圖 18(g3)、圖 18(h3)。 當達既定繞線圈數時,便從圖1 8 ( h 3 )朝圖1 8 ( i 3 )前進, 利用遮罩印刷形成朝電極 2延伸的鎖型導體圖案 3 a。接 著,如圖1 9 ( j 3 )所示,印刷出將覆蓋著相當於線圈3 A之1 圈數的區域與朝電極延伸之端部的區域(線圈 3 A存在區 域),予以覆蓋的非磁性材6。然後,如圖1 9 ( k 3 )所示,在 除圖1 9 ( j 3 )的非磁性材6區域之外的區域中印刷出磁性體 5。依照上述,便完成1 . 5圈數份的電感元件1 A。 當設置第2磁隙7時,便採用具有與電感元件1表面相 同大小,且具有與圖1 6 ( c 3 )之非磁性材6中所設窗為相同 的窗之非磁性體片。藉由將此非磁性體片取代圖1 6 ( c 3 )的 非磁性材6使用,便可設置第2磁隙7。 在依上述的疊層狀態下,因為構成線圈 3A的導體侧部 將露出,因而對此露出部分塗佈絕緣性樹脂4。在上述中, 導體圖案3 a係採用將以銀為主成分的導電性粉末,使用合 14 312XP/發明說明書(補件)/94-05/94101496 1258777 成樹脂黏結劑施行糊劑化者;由磁性體5所構成磁性層的 磁性材,則採用將鐵氧磁體軟磁性材粉末(例如 N i - C u - Ζ η 鐵氧磁體),使用合成樹脂黏結劑施行糊劑化者;非磁性材 6係採用將非磁性陶瓷粉末(例如N i - C u鐵氧磁體或玻璃陶 瓷),使用使用合成樹脂黏結劑施行糊劑化者。在此疊層物 上側疊層著由磁性體5所構成磁性層,並施行定位且沖壓 壓接,同時施行燒結而進行製作。
依上述所構成的電感元件,在η繞線部 3 1的上側與下 側設置較導體圖案3 a,3 a間為厚的非磁性體6,且在構成 線圈3的導體所露出部分處塗佈絕緣性樹脂4,此部分便 具有磁隙的作用,由圖1 5中得知,並未發生圍繞η繞線部 31的磁通。即,設置將形成圍繞η繞線部31的磁通予以 阻斷的磁隙。另外,形成圍繞η +1繞線部3 2的磁通Φ (圖 15)。此現象係藉由在磁通Φ的磁路中未設置阻斷磁通Φ的 磁隙所達成的。 藉由上述構造,僅在Γ1繞線部31中未形成圍繞η繞線 部3 1的磁通,結果可判斷將與僅利用η + 1繞線部3 2產生 的電感元件形成同等特性,而更正繞線數的不均衡狀態, 可達改善直流重疊特性的效果。圖2 6所示係本實施例與比 較例的直流重疊特性,圖2 7所示係直流重疊特性的比較。 由該等圖中得知,在僅2圈數(2繞線)部分圍繞著磁通的 實施例,直流重疊特性將獲改善。具有2圈數(2繞線)部 分與1圈數(1繞線)部分,且整體為1 . 5圈數者,得知直 流重疊特性將惡化且電感值較低。另外,實施例即便利用 15 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/941014% 1258777 設置第2磁隙7仍可達改善直流重疊特性的效果。 (實施例4 )
其次,針對第4實施例進行説明。此實施例的電感元件 1A之A-A截面圖如圖20所示,B-B截面圖則如圖21所示。 在第3實施例中,構成線圈3 A的導體側部形成露出狀態, 並對此露出部分塗佈著絕緣性樹脂4的構造,但是在本實 施例中,則在上述絕緣性樹脂4所設置的部分處配設非磁 性體6,且形成η繞線部3 1的上側、下側及上述外側的側 部被非磁性體6所包圍的狀態,形成將形成圍繞η繞線部 3 1的磁通予以阻斷的磁隙。 此電感元件1 Α係依圖2 2至圖2 5所示順序進行製作。 此電感元件 1 A的製作順序,基本上係如同圖1 6至圖1 9 所説明的順序。但是,就在上述第3實施例中於設置絕緣 性樹脂4的部分處,配置非磁性體6之點則不同。即便此 第4實施例,設置上述所説明的非磁性體6之部分仍將具 有磁隙作用,由圖21得知並未產生圍繞η繞線部3 1的磁 通。另外,將形成圍繞η + 1繞線部3 2的磁通Φ (圖2 1 )。 此係藉由在磁通Φ的磁路中並未設置阻斷磁通Φ的磁隙而 達成。 (實施例5 ) 其次,第5實施例的電感元件 1 Α (圖1 ),係採用圖1 3 所示線圈3 A。圖2 8所示係第5實施例之電感元件1 A (圖 1)的A-A截面圖,圖29所示係B-B截面圖。線圈3A的n + 1 繞線部3 2係在電感元件1 A側壁處,構成線圈3 A的導體側 16 312XP/發明說明書(補件)/94-05/94101496 1258777 部形成露出狀態,並對此露出部分塗佈絕緣性樹脂4。 線圈3 A的環中央部與η繞線部31外側,係由磁路材料 的磁性體5所形成。將非磁性體6設置成包夾線圈導體圖 案3 a的狀態,特別係在η +1繞線部3 2的上側與下側,設 置較η繞線部3 1之導體圖案3 a,3 a間為厚的非磁性體6。
從η繞線部31的導體圖案3 a下側起,在η +1繞線部3 2 的最下方導電圖案3a與其上方的導體圖案3a之間,設置 寬度較由在η繞線部3 1上側與下側設置的非磁性體6更窄 (薄壁)之由非磁性體所產生的第2磁隙7。 此電感元件1 Α係依與圖1 6至圖1 9所示順序相同的順 序進行製作。但是,在疊層狀態下,因為構成線圈3 A的導 體側部(η + 1繞線部3 2側)將露出,所以對此露出部分塗佈 絕緣性樹脂4。依上述所構成的電感元件,在η + 1繞線部 3 2上側與下側,設置較導體圖案3 a,3 a間為厚的非磁性體 6,且對構成線圈 3的導體所露出部分處塗佈絕緣性樹脂 4,此部分便具有磁隙作用,由圖2 9中得知,並未發生圍 繞η +1繞線部3 2的磁通。即,設置將形成圍繞η +1繞線部 3 2的磁通予以阻斷的磁隙。另夕卜,形成圍繞 η繞線部 3 1 的磁通Φ (圖29)。此現象係措由在磁通Φ的磁路中未設置 阻斷磁通Φ的磁隙所達成的。此實施例亦可獲得如同上述 各實施例相同的效果。 (實施例6 ) 其次,針對第6實施例進行説明。此實施例之電感元件 1的Α-Α截面圖如圖30所示,Β-Β截面圖如圖31所示。在 17 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/94101496 1258777 第5實施例中,構成線圈3的導體側部形成露出狀態,且 此露出部分構成塗佈著絕緣性樹脂4的狀態,但是在本實 施例中,在已設置上述絕緣性樹脂4的部分處配置非磁性 體6,且n +1繞線部3 2的上側、下側及上述外側的側部, 形成被非磁性體6包圍的狀態,並形成將圍繞η + 1繞線部 32形成的磁通予以阻斷的磁隙。
此電感元件1 Α係依圖2 2至圖2 5所示順序進行製作。 此電感元件 1 A的製作順序,基本上係如同圖1 6至圖1 9 所説明的順序。但是,就在上述第5實施例中於設置絕緣 性樹脂4的部分處,配置非磁性體6之點則不同。即便此 第6實施例,設置上述所説明的非磁性體6之部分仍將具 有磁隙作用,由圖31得知並未產生圍繞η +1繞線部3 2的 磁通。另外,將形成圍繞η繞線部31的磁通Φ (圖31 )。 此係藉由在磁通Φ的磁路中並未設置阻斷磁通Φ的磁隙而 達成。 針對疊層型線圈當圈數(繞線圈數)較多的情況時,實施 例的電感元件構成(η繞線部3 1與η + 1繞線部3 2之任一者 設有磁隙)、與習知物(具有η繞線部與η + 1繞線部,磁通 均衡差劣產品)的效果差異將變小。在下表中,針對本發明 構造所形成的電感元件、與習知構造的電感元件,測定電 感値降低 2 0 %狀態下的(習知物電流値)/(發明物電流値) 的結果。由表1中得知,當本發明的產品η繞線部 3 1與 n + 1繞線部3 2的η在4以下的情況時,將有明顯的效果, 若在5以上,則與習知物間的效果差異將變小。 18 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/94101496
1258777 (表1) 繞 線 圈數 2 3 4 5 6 電 流 比 83.3 84.0 88.0 96.7 98.0 (實施例7 ) 在上述説明中,係例示疊層型電感元件,但是 心繞線等構成如圖3 2所示的矩形繞線線圈3 B, 邊構成如上述各實施例的構造。例如,裝入圖3 3 8,在構成線圈3 B的導體繞線3 b間隙9與其週邊 層型元件的情況時,介設著非磁性體6糊劑,而 則藉由介設構成由磁性體5所形成磁性層的糊劑 將形成圍繞η繞線部的磁通、或形成圍繞η +1繞 通中任一者予以阻斷的磁隙(第1磁隙)。或者, 出,並在此處塗佈絕緣性樹脂 4。簡言之,疊層 明的構造亦適用於矩形繞線之線圈3Β。 再者,在與構成線圈 3 Β之環軸方向正交的方 用在構成線圈3 Β的導體繞線3 b間隙9,介設著非 糊劑,便形成寬度較阻斷上述磁通的第1磁隙更 之第2磁隙。 即便採用矩形繞線線圈 3B的電感元件,仍可 疊層型線圈所構成電感元件為相同的效果。另外 一實施例、變化例(疊層式、矩形線圈等任何電I 均可未設置第2磁隙。 【圖式簡單説明】 圖1為本發明各實施例的電感元件外觀圖。 312XP/發明說明書(補件)/94-05/94101496 亦可由空 並將其週 所示框體 ,如同疊 剩餘部分 ,便設置 線部的磁 使側部露 型中所説 向上,利 磁性體6 窄(薄壁) 獲得與依 ,上述任 q元件), 19 1258777 圖2為圖1中,第1實施例之電感元件的A-A截面圖。 圖3為圖1中,第1實施例之電感元件的B-B截面圖。 圖4為本發明第1、第2實施例中所使用線圈的立體示 意圖。 圖5 ( a 1 )、( b 1 )、( c 1 )為本發明第1實施例的電感元件 之製造步驟圖。 圖6 ( d 1 )、( e 1 )、( f 1 )為本發明第1實施例的電感元件 之製造步驟圖。
圖7 ( g 1 )、( h 1 )、( Π ’ )為本發明第1實施例的電感元 件之製造步驟圖。 圖8為圖1中,第2實施例之電感元件的A-A截面圖。 圖9為圖1中,第2實施例之電感元件的B-B截面圖。 圖1 0 ( a 2 )、( b 2 )、( c 2 )為本發明第2實施例的電感元件 之製造步驟圖。 圖1 1 ( d 2 )、( e 2 )、( f 2 )為本發明第2實施例的電感元件 之製造步驟圖。 圖1 2 ( g 2 )、( h 2 )、( f 2 ’ )為本發明第2實施例的電感元 件之製造步驟圖。 圖1 3為本發明第3、第4實施例中所使用線圈的立體示 意圖。 圖14為圖1中,第3實施例之電感元件的A-A截面圖。 圖15為圖1中,第3實施例之電感元件的B-B截面圖。 圖1 6 ( a 3 )、( b 3 )、( c 3 )為本發明第3實施例的電感元件 之製造步驟圖。 20 312XP/發明說明書(補件)/94-05/94101496 1258777 圖1 7 ( d 3 )、( e 3 )、( f 3 )為本發明第3實施例的電感元件 之製造步驟圖。 圖1 8 ( g 3 )、( h 3 )、( i 3 )為本發明第3實施例的電感元件 之製造步驟圖。 圖1 9 ( j 3 )、( k 3 )為本發明第3實施例的電感元件之製造 步驟圖。 圖20為圖1中,第4實施例之電感元件的A-A戴面圖。 圖21為圖1中,第4實施例之電感元件的B-B截面圖。
圖2 2 ( a 4 )、( b 4 )、( c 4 )為本發明第4實施例的電感元件 之製造步驟圖。 圖2 3 ( d 4 )、( e 4 )、( f 4 )為本發明第4實施例的電感元件 之製造步驟圖。 圖2 4 ( g 4 )、( h 4 )、( i 4 )為本發明第4實施例的電感元件 之製造步驟圖。 圖2 5 ( j 4 )、( k 4 )為本發明第4實施例的電感元件之製造 步驟圖。 圖2 6為本實施例與比較例的直流重疊特性圖。 圖2 7為本實施例與比較例的直流重疊特性比圖。 圖28為圖1中,第5實施例之電感元件的A-A截面圖。 圖29為圖1中,第5實施例之電感元件的B-B截面圖。 圖30為圖1中,第6實施例之電感元件的A-A截面圖。 圖31為圖1中,第6實施例之電感元件的B-B截面圖。 圖3 2為本發明第7實施例之電感元件中所使用線圈之 一例的立體示意圖。 21 312χρ/發明說明書(補件)/9105/94101496 1258777 圖3 3為當採用圖3 2所示線圈,製作第7實施例之電感 元件時,所使用框體一例的立體示意圖。 【主要元件符號說明】 1 * 1 A 電感元件 電感元件 2 電極 3 3a 線圈 導體圖案 • 3A 線圈 3B 線圈 ^ 4 絕緣性樹脂 , 5 磁性體 6 非磁性體 7 第2磁隙 8 框體 9 間隙 馨31 η繞線部 32 · η + 1繞線部 33 繞線頭端部 34 繞線尾端部 22 312XP/發明說明書(補件)/94-05/94101496

Claims (1)

  1. 1258777 十、申請專利範圍: 1 . 一種電感元件,係包含: 環狀線圈,其具繞線圈數為η圈的η繞線部、與繞 數為η + 1圈的η + 1繞線部; 磁路材料,其設置於上述線圈的環内外,並使磁通 而形成磁路;以及 磁隙,其將形成圍繞上述η繞線部狀態的磁通、與 圍繞上述η 4· 1繞線部狀態的磁通中任一者,予以阻斷 2 . —種電感元件,係包含: 環狀線圈,其具繞線圈數為η圈的η繞線部、與繞 數為η + 1圈的η + 1繞線部; 磁路材料,其設置於上述線圈的環内外,並使磁通 而形成磁路; 第1磁隙,其將形成圍繞上述η繞線部狀態的磁通 形成圍繞上述 η + 1 繞線部狀態的磁通中任一者,予 斷;以及 第2磁隙,其在與上述環之軸方向正交的方向上, 較阻斷上述磁通的第1磁隙為窄。 3 . —種電感元件,係將環狀線圈及軟磁性陶瓷構件 於同一元件内而構成的疊層式電感元件,其中該環狀 具繞線圈數為η圈之η繞線部、與繞線圈數為η + 1圈之 繞線部,而該軟磁性陶瓷構件係埋設於上述線圈内部 特徵在於: 設置於上述線圈環内外的上述軟磁性陶瓷構件,係 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/94101496 線圈 通過 形成 〇 線圈 通過. 、與 以阻 寬度 疊層 線圈 η + 1 ,其 使磁 23 1258777 通通過並形成磁路的磁路材料,且 其設有將形成圍繞上述η繞線部狀態的磁通、與形成圍 繞上述η + 1繞線部狀態的磁通中任一者予以阻斷的磁隙。 4 , 一種電感元件,係將環狀線圈及軟磁性陶瓷構件疊層 於同一元件内而構成的疊層式電感元件,其中該環狀線圈 具繞線圈數為η圈之η繞線部、與繞線圈數為η + 1圈之η + 1 繞線部,而該軟磁性陶瓷構件係埋設於上述線圈内部,其 特徵在於:
    設置於上述線圈環内外的上述軟磁性陶瓷構件,係使磁 通通過並形成磁路的磁路材料;且其包含: 第1磁隙,其將形成圍繞上述η繞線部狀態的磁通、與 形成圍繞上述η + 1繞線部狀態的磁通中任一者予以阻斷; 以及 第2磁隙,其在與上述環之軸方向正交的方向上,寬度 較阻斷上述磁通的第1磁隙為窄。 5.如申請專利範圍第2或4項之電感元件,其中,阻斷 上述磁通的第1磁隙與第2磁隙中任一者,係由非磁性陶 瓷所構成。 6.如申請專利範圍第1至4項中任一項之電感元件,其 中,在由磁路材料所構成的方塊外面,藉由使上述η繞線 部與上述n + 1繞線部中任一者的一部分露出,而形成阻斷 磁通的磁隙。 7.如申請專利範圍第6項之電感元件,其中,上述露出 部分係由絕緣性樹脂所被覆。 24 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/94101496 1258777 8.如申請專利範圍第1至4項中任一項之電感元件,其 中,上述η繞線部與上述η + 1繞線部的η係4以下。
    25 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-05/94101496
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009150921A1 (ja) * 2008-06-12 2009-12-17 株式会社村田製作所 電子部品
JP5193844B2 (ja) * 2008-12-25 2013-05-08 Fdk株式会社 積層インダクタ
JP5193843B2 (ja) * 2008-12-25 2013-05-08 Fdk株式会社 積層インダクタ
JP5193845B2 (ja) * 2008-12-25 2013-05-08 Fdk株式会社 積層インダクタ
JP5703751B2 (ja) * 2010-12-28 2015-04-22 Tdk株式会社 積層インダクタ及び積層インダクタの製造方法
KR101629983B1 (ko) * 2011-09-30 2016-06-22 삼성전기주식회사 코일 부품
JP6149386B2 (ja) * 2012-04-13 2017-06-21 株式会社村田製作所 積層型電子部品
US10193430B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-29 Board Of Trustees Of Michigan State University Electromagnetic device having discrete wires
JP2014192359A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Toyota Motor Corp リアクトル
KR101740781B1 (ko) * 2015-03-02 2017-05-26 삼성전기주식회사 코일 부품
WO2016145640A1 (en) * 2015-03-19 2016-09-22 Cooper Technologies Company High current swing-type inductor and methods of fabrication
KR101883043B1 (ko) * 2016-02-19 2018-07-27 삼성전기주식회사 코일 부품

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5796513A (en) * 1980-12-08 1982-06-15 Hitachi Metals Ltd Inductor
JP2694757B2 (ja) * 1989-03-30 1997-12-24 東光株式会社 積層インダクタ
JP3114323B2 (ja) * 1992-01-10 2000-12-04 株式会社村田製作所 積層チップコモンモードチョークコイル
US5302932A (en) * 1992-05-12 1994-04-12 Dale Electronics, Inc. Monolythic multilayer chip inductor and method for making same
JPH08124746A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Tokin Corp 積層インダクタ
JPH1027712A (ja) 1996-07-09 1998-01-27 Tokin Corp 高電流型積層チップインダクタ
US5889373A (en) * 1996-12-30 1999-03-30 General Electric Company Fluorescent lamp ballast with current feedback using a dual-function magnetic device
JP3077061B2 (ja) * 1998-10-28 2000-08-14 株式会社村田製作所 積層型コイル
US6249205B1 (en) * 1998-11-20 2001-06-19 Steward, Inc. Surface mount inductor with flux gap and related fabrication methods
JP2000164455A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Taiyo Yuden Co Ltd チップ状電子部品とその製造方法
JP2000182834A (ja) * 1998-12-10 2000-06-30 Tokin Corp 積層型インダクタンス素子及びその製造方法
JP3509058B2 (ja) * 1998-12-15 2004-03-22 Tdk株式会社 積層フェライトチップインダクタアレイ
JP2001044037A (ja) * 1999-08-03 2001-02-16 Taiyo Yuden Co Ltd 積層インダクタ
JP2001267129A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Murata Mfg Co Ltd チップインダクタおよびその製造方法
JP3933844B2 (ja) * 2000-05-09 2007-06-20 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
CN2457709Y (zh) * 2000-08-10 2001-10-31 栢怡国际股份有限公司 具有多空气隙的电感
JP3449351B2 (ja) * 2000-11-09 2003-09-22 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品
JP3449350B2 (ja) * 2000-11-09 2003-09-22 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品
JP4009142B2 (ja) * 2002-06-03 2007-11-14 Fdk株式会社 磁心型積層インダクタ
JP4304019B2 (ja) 2003-07-24 2009-07-29 Fdk株式会社 磁心型積層インダクタ

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