JPH04142714A - ソリッドトランスとその製造方法 - Google Patents

ソリッドトランスとその製造方法

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JPH04142714A
JPH04142714A JP26738090A JP26738090A JPH04142714A JP H04142714 A JPH04142714 A JP H04142714A JP 26738090 A JP26738090 A JP 26738090A JP 26738090 A JP26738090 A JP 26738090A JP H04142714 A JPH04142714 A JP H04142714A
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Japan
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primary
internal conductor
conductor pattern
magnetic
coil
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JP26738090A
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Tomoaki Ushiro
後 外茂昭
Toshio Kawabata
利夫 河端
Nobuhito Ooshima
序人 大島
Katsuhisa Imada
勝久 今田
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、積層型のソリッドトランスに関する。
[背景技術] 第5図は、ソリッドトランスの従来例を示す断面図であ
る。これは、Ni−Zn系等のフェライトを原料とする
磁性体生シートの表面にAgやAg−Pd等を主成分と
する電極ペーストを印刷してコイル状の内部導体パター
ンを形成し、この内部導体パターンを形成された磁性体
生シートを内部導体パターンの形成されていないダミー
シートと共に積層し、加圧圧着させた後、焼成一体化し
たものである。
しかして、磁性体シートを積層して形成された積層チッ
プ52内の中央部に積層されている2層の内部導体パタ
ーン53.54によって一次コイル55が構成され、こ
の−次コイル55の上下に2分割して積層された合計4
層の内部導体パターン56〜59によって二次コイル6
0が構成されている。従って、このソリッドトランス5
1の構造は、−次コイル55を二次コイル60で両側か
ら挟み、−次コイル55と二次コイル60との間に電磁
誘導結合を生じさせたものであり、その等価回路は第6
図で表わされる。この等価回路において、C4は一次コ
イル55と二次コイル6oとの間の結合浮遊容量を、C
1及びC2は各々一次側の内部導体パターン53.54
間及び二次側の内部導体パターン56〜59間に発生す
る並列浮遊容量を表わし、61は一次コイル55の外部
電極を、62は二次コイル60の外部電極を、63は二
次コイル60の中間タップとなる外部電極を示している
[発明が解決しようとする課題] 第5図に示すような構造のソリッドトランス51におい
て、−次コイル55と二次コイル60の間の電磁誘導係
数を大きくするためには、−次コイル55を構成する(
一次側の)内部導体パターンと二次コイル60を構成す
る(二次側の)内部導体パターンの間の距離dを小さく
し、併せて各内部導体パターン(特に、二次側の内部導
体パターン)間の距離tl、t2を小さくすることが有
効である。
しかしながら、一次側の内部導体パターンと二次側の内
部導体パターンの間の距離dを小さくすると、−次及び
二次コイル55.80間の絶縁耐電圧が小さくなる。ま
た、結合浮遊容量C6も増大する。同様に、各内部導体
パターン間の距離t1、t2を小さくすると、並列浮遊
容量C,,C,を増大させる。そして、結合浮遊容量C
1や並列浮遊容量C,,C2が増大すると、トラツクの
高周波特性が劣化するという問題がある。
このため、各内部導体パターン間の距離を小さくするこ
とによって一次及び二次コイル間の電磁誘導結合係数を
高くすることは困難であった。
本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなされたものであ
って、その目的とするところは一次及び二次コイル間の
絶縁耐電圧を低下させたり、各浮遊容量を増大させたり
することなく、−次及び二次コイル間の電磁誘導結合係
数を高めることができるソリッドトランスとその製造方
法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明のソリッドトランスは、磁性体シートと内部導体
パターンとを積層し、積層された磁性体シートによって
積層チップを形成し、内部導体パターンによって積層チ
ップ内に一次コイル及び二次コイルを形成したソリッド
トランスにおいて、−次コイルを構成する内部導体パタ
ーンと二次コイルを構成する内部導体パターンの中間に
両コイルとほぼ同形状の低透磁率領域を形成したことを
特徴としている。
また、本発明のソリッドトランスの製造方法は、一次側
の内部導体パターンを形成された磁性体生シートと二次
側の内部導体パターンを形成された磁性体生シートの間
に、各内部導体パターンとほぼ同形状に無機化合物のペ
ーストを塗布された磁性体生シートを挟み込むようにし
て、上記各磁性体生シートを積層することによって積層
生、チップを形成し、この積層生チップを焼成すること
により前記無機化合物を磁性体シートへ拡散させ、次側
の内部導体パターンと二次側の内部導体パターンとの間
に低透磁率領域を形成することを特徴としている。
[作用] 本発明のソリッドトランスにあっては、−次コイルと二
次コイルの間の間隙部が低透磁率領域となっているので
、−次コイルもしくは二次コイルで発生した磁束が一次
及び二次コイル間の間隙部から外部へ漏出しにくくなる
。すなわち、磁束は一次コイルの端から二次コイルの端
まで両コイル内を貫通するようになり(言い換えると、
−次コイルのみ、もしくは二次コイルのみを通過する磁
束が減少し)、−次コイルと二次コイルの間の電磁誘導
結合係数を大きくすることができる。
この結果、−次コイルと二次コイルの間の距離を大きく
しても、この間に低透磁率領域を形成することによって
電磁誘導結合係数を大きくすることかでき、したがって
−次及び二次コイル間の距離を大きくすることにより、
電磁誘導結合係数を大ぎくすると共に両コイル間の絶縁
耐電圧を大きくし、結合浮遊容量を低減させることがで
きる。
しかも、このような構造によって電磁誘導結合係数を高
めれば、各内部導体パターン間の距離を小さくする方法
のように、絶縁耐電圧の低下や、結合浮遊容量及び並列
浮遊容量の増大といった問題を発生させることもない。
また、本発明のソリッドトランスの製造方法では、無機
化合物のペーストを焼成時に磁性体シートへ拡散させる
ことにより低透磁率層を形成しているので、積層型のソ
リッドトランスにおいて厚みの大ぎな低透磁率層を容易
に形成することかでき、しかも、ペーストの拡散を制御
することにより低透磁率層の所望厚みを得ることかでき
る。
[実施例] 以下、本発明の一実施例(−次コイルと二次コイルの巻
線比が2:4のソリッドトランス)を製造方法とともに
添付図に基づいて詳述する。
まず、Ni−Zn系フェライト粉にバインダーを混合し
、このNi−Zn系フェライト原料をドクターブレード
法等によって所定の厚さのシートに成形し、これを一定
寸法に打ち抜いて磁性体生シート1を得た。第3図にお
いて、2及び3は一次コイル構成群の印刷シートであっ
て、AgもしくはAg−Pd等を主成分とする電極ペー
ストを印刷することによって磁性体生シート1の表面に
コイル状の内部導体パターン4,5が形成されている。
また、両印刷シート2,3のコーナ部には、それぞれ内
部導体パターン4.5の一端に接続された外部引出し電
極6,7が設けられており、側内部導体パターン4,5
同志は、上層の内部導体パターン4の他端に形成された
スルーホール8を介して積層時に接続され、−次コイル
9が構成される。
10〜13は、二次コイル構成群の印刷シートであって
、電極ペーストを印刷することによって磁性体生シート
1の表面にコイル状の内部導体パターン14〜17が形
成されている。このうち、印刷シート10.11は、−
次コイル構成群の印刷シート2.3の上方に積層されて
おり、上層の印刷シート10のコーナ部には内部導体パ
ターン14の一端と連通した外部引出し電極18が設け
られており、下層の印刷シート11の側縁には内部導体
パターン15の一端と連通した中間引出し電極19が設
けられており、両内部導体パターン14.15同志は、
上層の内部導体パターン14の他端に設けられたスルー
ホール20を介して接続され、二次コイル24の172
が構成されている。
また、印刷シート12.13は、−次コイル構成群の印
刷シート2.3の下方に積層されており、下層の印刷シ
ート13のコーナ部には内部導体パターン17の一端と
接続された外部引出し電極21が設けられており、上層
の印刷シート12の側縁には内部導体パターン16の一
端と連通した中間引出し電極22が設けられており、両
内部導体パターン16.17同志は、上層の内部導体パ
ターン16の他端に設けられたスルーホール23を介し
て接続され、二次コイル24の172が構成されている
さらに、一次側の印刷シート2,3と二次側の印刷シー
ト10〜13の間には、磁性体生シート1の表面に各内
部導体パターンとほぼ同寸法の環状となるように無機化
合物のペーストを印刷して無機化合物膜25を形成した
拡散層形成用シート26〜29が2枚づつ挿入されてい
る。この無機化合物は、その種類を適当に選択すること
により、焼成時に磁性体生シートへ拡散させて磁性体シ
ートの透磁率を大きく低下させることができるものであ
る。
しかして、第3図に示すように、ダミーシート30(何
も印刷されていない複数枚の磁性体生シート1)の上に
二次コイル24の172を構成する印刷シート12.1
3を積層し、その上に2枚の拡散層形成用シート28.
29を重ね、さらに−次コイル9を構成するための2枚
の印刷シート2゜3を重ね、その上に2枚の拡散層形成
用シート26.27を重ね、さらに二次コイル24の1
72を構成する印刷シートio、11を積層し、最後に
複数枚のダミーシート31を積層し、この後、これらを
加圧圧着させて一体化し、焼成する。第2図に示す如く
、焼成された積層チップ32は、表面をバレル研磨され
た後、電極ペーストの塗布焼き付けにより、外部引出し
電極6,7と導通した一次コイル9用の外部電極33と
、外部引出し電極18.21に導通した二次コイル24
用の外部電極34と、中間引出し電極19.22に導通
した外部電極35が形成され、ソリッドトランス36が
製造される。
磁性体シートを積層及び焼成した積層チップ32内には
、一次側の内部導体パターン4,5によって一次コイル
9が形成されており、外部電極35及び中間引出し電極
19.22を介して接続された二次側の内部導体パター
ン14〜17によって二次コイル24が形成されている
。また、−次コイル9と二次コイル24の中間の無機化
合物膜25は、焼成時に磁性体生シート1と反応しなが
ら周囲の磁性体シートへ拡散してゆき、磁性体シートの
透磁率を下げ、第1図に示すように、周囲に低透磁率領
域37を形成する。すなわち、−次コイル9と二次コイ
ル24との間に、低透磁率領域37が生成される。この
ため、−次コイル9と二次コイル24の間からの磁束φ
の漏れ量が減少し、磁束φのほとんど全ては両コイル9
,24の中心に集中し、両コイル9,24の電磁誘導結
合係数が高くなる。また、この無機化合物膜25は、磁
性体シートの透磁率を下げるばかりでなく、絶縁抵抗を
大きくし、耐電圧を上げる働きをするものであり、次の
ような組成のペーストを用いることができる。この無機
化合物のペーストとしては、次の第1表のαグループに
含まれる少なくとも1つ以上の金属の化合物、例えば、
酸化物、あるいは焼成時に酸化物に変化する窒化物、ホ
ウ化物、ケイ化物などを用いると効果が大きい。あるい
は、αグループに含まれる少なくとも1つ以上の金属の
化合物とβグループに含まれる任意の1つ以上の金属の
化合物とを組合せてもよい。なお、低透磁率層を生成さ
せるためのペーストとしては、。
グループ又はβグループの金属、もしくは両グルーブリ
金属の組合せを含むものを用いてもよい。
この拡散した低透磁率層37の厚みd、は、無機化合物
の種類及び焼成温度を調整することによって、コントロ
ールすることができる。
また、このような方法によって一次コイルと二次コイル
の間の電磁誘導結合係数を大きくすれば、各内部導体パ
ターン間の距離を小さくする方法のように絶縁耐電圧を
小さくすることもなく、各種浮遊容量を大きくすること
もない。逆に、一次側の印刷シート2,3と二次側の印
刷シート10〜13の間に拡散層形成用シート26〜2
9を挿入しているので、一次側の内部導体パターン4.
5と二次側の内部導体パターン15.16との間の距離
が大ぎくなり、絶縁耐電圧が高くなり、結合浮遊容量C
1が低減される。
なお、上記製造方法では、内部導体パターンを印刷され
た磁性体生シートや無機化合物のペーストを印刷された
磁性体生シートを積層して積層生チップを作製している
が、これ以外にも、内部導体パターン、誘電体ペースト
もしくは磁性体生シートを交互に印刷することによって
積層生チップを作製する方法も可能である。
第1図〜第3図に示した構造のソリッドトランスを以下
のようにして実際に製造し、その特性を調べた。まず、
初透磁率がおよそ150であるNi−Zn系フェライト
粉にバインダーを混合し、50Lnの厚さの磁性体生シ
ートを得た。この後、磁性体生シートの表面に内部導体
パターンを形成し、必要とする各印刷シートを作製した
。内部導体パタ−ンを印刷するための電極ペーストとし
ては、AgとPdのwt%比がそれぞれ90:10の合
金粉末を50wt%含み、有機バインダー及び溶剤から
なるAg−Pd系ペーヌトを用いた。また、この磁性体
生シートの表面に無機化合物のペーストを印刷して無機
化合物膜を形成し、拡散層形成用シートを作製した。こ
こで、無機化合物のペーストとして、第2表に示す各組
成比をもつ組成NαA、B、C。
Dの各ペーストを用いて4種の拡散層形成用シートを作
製した。これらのダミーシート、印刷シート及び拡散層
形成用シートを第3図に示す順序で積層し、圧着させて
積層一体化した後、空気中において900〜960℃の
温度で2時間焼成し、異なる組成(NαA、B、C,D
)を有する無機化合物のペーストを用いた4種のソリッ
ドトランス(これらをサンプルA、B、C,Dという。
)を作製した。
(以下余白) 第 表 第4図は、上記のようにして作製された各サンプルA、
B、C,Dについて、l MHzでのインダクタンスを
測定し、焼成温度Tと電磁誘導結合係数にとの関係を求
めた結果を示している。サンプルAは、βグループのみ
の組成を組合せたペーストを用いたものであり、サンプ
ルBはαグループとβグループの組成を組合せたペース
トを用いたものであり、いずれも焼成温度Tの上昇によ
る電磁誘導結合係数にの増加率は比較的小さい。一方、
αグループのみの組成を組合せたペーストを用いたもの
であるサンプルC及びDでは、電磁誘導結合係数には、
焼成温度Tの上昇と共に大幅に増大している。
また、最も電磁誘導結合係数の増大に効果のあったサン
プルDについて、焼成温度T (”C)を変化させてサ
ンプルDI、 D2. Ds、 D4及びD6を製作し
、各々のサンプルD工〜D、についてそれぞれ一次コイ
ルのインダクタンスL1(μH)、二次コイルのインダ
クタンスL2(μH)、相互インダクタンスM(μH)
、電磁誘導結合係数k(%)、−次及び二次側間の直流
破壊電圧V(V。
lt) 、−次及び二次側間の直流絶縁抵抗IR(MΩ
)を測定した。この結果を第3表に示す。
第  3  表 「発明の効果コ 本発明によれば、低透磁率層によって一次コイルと二次
コイルの間からの漏れ磁束を低減させることかでき、−
次及び二次コイル間の電磁誘導結合係数が大ぎくなる。
また、−次コイルと二次コイル間の電磁誘導係数を大き
くしながら、両コイル間の絶縁耐電圧を高くすることが
でとる。また、電磁誘導結合係数を大きくしながら、両
コイル間の結合浮遊容量も小さくでき、トランスの高周
波特性を良好にすることができる。
しかも、各内部導体パターン間の距離を小さくする方法
のように、絶縁耐電圧の低下や、結合浮遊容量及び並列
浮遊容量の増大といった問題が生じることもない。
従って、本発明によれば、電磁誘導結合係数が大ぎく、
絶縁耐電圧が高く、しかも浮遊容量が低減されて高周波
特性の良好なソリッドトランスを製作することができる
また、本発明の製造方法によれば、積層型のソリッドト
ランス内に厚みの大きな低透磁率層を容易に形成するこ
とができ、しかも、ペーストの拡散を制御することによ
り低透磁率層の所望厚みを得ることかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は同上
の外観斜視図、第3図は積層及び焼成前の状態を示す斜
視図、第4図は同上の焼成温度と電磁誘導結合係数との
関係を示す図、第5図は従来例の断面図、第6図は同上
の等価回路図である。 1・・・磁性体生シート 4.5・・・一次側の内部導体パターン9・・・−次コ
イル 14〜17・・・二次側の内部導体パターン24・・・
二次コイル 32・・・積層チップ 37・・・低透磁率層 特許出願人 株式会社 打出製作所 l・・・磁性体生ンート 第4 図 ハベl:XffT(’C) 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)磁性体シートと内部導体パターンとを積層し、積
    層された磁性体シートによって積層チップを形成し、内
    部導体パターンによって積層チップ内に一次コイル及び
    二次コイルを形成したソリッドトランスにおいて、 一次コイルを構成する内部導体パターンと二次コイルを
    構成する内部導体パターンの中間に両コイルとほぼ同形
    状の低透磁率領域を形成したことを特徴とするソリッド
    トランス。(2)一次側の内部導体パターンを形成され
    た磁性体生シートと二次側の内部導体パターンを形成さ
    れた磁性体生シートの間に、各内部導体パターンとほぼ
    同形状に無機化合物のペーストを塗布された磁性体生シ
    ートを挟み込むようにして、上記各磁性体生シートを積
    層することによって積層生チップを形成し、 この積層生チップを焼成することにより前記無機化合物
    を磁性体シートへ拡散させ、一次側の内部導体パターン
    と二次側の内部導体パターンとの間に低透磁率領域を形
    成することを特徴とするソリッドトランスの製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6189200B1 (en) * 1996-09-17 2001-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing multi-layered chip inductor
JP2005244183A (ja) * 2004-01-30 2005-09-08 Toko Inc 積層型インダクタ及びその製造方法
JP2006237438A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Toko Inc 積層型ビーズ及びその製造方法
WO2012144360A1 (ja) * 2011-04-20 2012-10-26 株式会社村田製作所 高周波トランス、高周波部品および通信端末装置
JP2012227352A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Murata Mfg Co Ltd 高周波トランス、高周波部品および通信端末装置
CN103050263A (zh) * 2011-10-14 2013-04-17 株式会社村田制作所 电子器件及其制造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6189200B1 (en) * 1996-09-17 2001-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing multi-layered chip inductor
US6630881B1 (en) 1996-09-17 2003-10-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing multi-layered chip inductor
JP2005244183A (ja) * 2004-01-30 2005-09-08 Toko Inc 積層型インダクタ及びその製造方法
JP4659463B2 (ja) * 2004-01-30 2011-03-30 東光株式会社 積層型インダクタ及びその製造方法
JP2006237438A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Toko Inc 積層型ビーズ及びその製造方法
JP4694860B2 (ja) * 2005-02-28 2011-06-08 東光株式会社 積層型ビーズの製造方法
WO2012144360A1 (ja) * 2011-04-20 2012-10-26 株式会社村田製作所 高周波トランス、高周波部品および通信端末装置
JP2012227352A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Murata Mfg Co Ltd 高周波トランス、高周波部品および通信端末装置
CN103050263A (zh) * 2011-10-14 2013-04-17 株式会社村田制作所 电子器件及其制造方法
JP2013089657A (ja) * 2011-10-14 2013-05-13 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
US9099235B2 (en) 2011-10-14 2015-08-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing the same
US9373435B2 (en) 2011-10-14 2016-06-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing the same

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